CN105700292B - 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板 - Google Patents
纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板。本发明的纳米压印模板的制作方法,先在圆柱状的硬质滚筒的外圆周面上包覆一层软性的具有纳米线栅结构的膜片,形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体,然后利用低熔点焊料合金在所述中间筒体的外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板;通过在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板。
背景技术
纳米压印(Nano-imprint Lithography,NIL)技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题,具有分辨率高、低成本、高产率的特点。自1995年提出以来,纳米压印已经演变出了多种压印技术,广泛应用于半导体制造、微机电系统(MicroelectromechanicalSystems,MEMS)、生物芯片、生物医学等领域。NIL技术的基本思想是通过模版,将图形转移到相应的衬底上,转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜,通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。根据压印方法的不同,NIL主要可分为热塑(Hot embossing)、紫外(UV)固化和微接触(Micro contactprinting,uCP)三种光刻技术。
对于需要使用偏光片的各类器件,例如LCD、OLED等,传统的偏光片为有机材料的碘系偏光片、及染料系偏光片。随着纳米压印技术的发展,人们已经可以尝试制备小尺寸的金属光栅结构,来达到对可见光波长范围的光的偏振作用,由于金属光栅结构本身对光的吸收很小,通过反射自然光的一个偏振而让另外一个偏振通过,可以使被反射的光通过偏振旋转再次被回收利用,因此在液晶显示中具有很大的潜力。
目前通过NIL技术来制备金属光栅偏光片结构的工艺和方法,还存在很多不足,例如对于大规模制造,图形转移的过程往往占用大量时间,同时制作过程中的各种不良对最终光栅成型存在较严重的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米压印模板的制作方法,利用低熔点焊料合金在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,克服微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,从而提高线栅偏光片的制作效率。
本发明的目的还在于提供一种纳米压印模板,整体呈圆筒状,软质的纳米线线栅结构上具有一层硬质的结构硬化层,能够用于卷对卷法制作线栅偏光片,从而提高线栅偏光片的制作效率。
为实现上述目的,本发明首先提供一种纳米压印模板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一圆柱状的硬质滚筒;
步骤2、提供具有纳米线栅结构的膜片,将该膜片包覆在所述硬质滚筒的外圆周面上形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体;
步骤3、提供低熔点焊料合金,将该低熔点焊料合金加热至液态,将步骤2得到的中间筒体浸入该低熔点焊料合金液体中、或者在加热后的中间筒体上涂布一层该低熔点焊料合金液体,冷却后,在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,从而得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板。
所述步骤3中提供的低熔点焊料合金为熔点温度低于300℃的合金材料。
所述步骤2中提供的膜片为有机材料,其熔点温度高于所述低熔点焊料合金的熔点温度。
所得到纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
所述步骤2提供的膜片的材料为PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、或PVDC。
本发明还提供一种纳米压印模板,包括圆柱状的硬质滚筒、设于所述硬质滚筒外圆周面上的纳米线栅结构膜层、及包覆所述纳米线栅结构膜层的结构硬化层;
所述纳米线栅结构膜层为具有具有纳米线栅结构的膜片;
所述结构硬化层的材料为低熔点焊料合金,所述结构硬化层沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成。
用作所述结构硬化层的低熔点焊料合金为熔点温度低于300℃的合金材料。
用作所述纳米线栅结构膜层的膜片为有机材料,其熔点温度高于用作所述结构硬化层的低熔点焊料合金的熔点温度。
所述纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
用作所述纳米线栅结构膜层的膜片的材料为PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、或PVDC。
本发明的有益效果:本发明的纳米压印模板的制作方法,先在圆柱状的硬质滚筒的外圆周面上包覆一层软性的具有纳米线栅结构的膜片,形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体,然后利用低熔点焊料合金在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板;通过在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。本发明的纳米压印模板,整体呈圆筒状,软质的纳米线线栅结构上具有一层硬质的合金材料的结构硬化层,能够用于卷对卷法制作线栅偏光片,从而提高线栅偏光片的制作效率。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中,
图1为本发明纳米压印模板的制作方法的示意流程图;
图2为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤1的示意图;
图3为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤2的示意图;
图4为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤2中提供的膜片上纳米线栅结构的示意图;
图5为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤3的示意图暨本发明纳米压印模板的立体结构示意图;
图6为本发明纳米压印模板上纳米线栅结构的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1,本发明提供一种纳米压印模板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、如图2所示,提供一圆柱状的硬质滚筒1。
步骤2、如图3所示,提供具有纳米线栅结构的膜片,将该软质的膜片包覆在所述硬质滚筒1的外圆周面上形成纳米线栅结构膜层2,得到中间筒体。
具体地,所述步骤2提供的膜片为有机材料,如图4所示,其上具有数条周期排列初始光栅凹槽211,用于构成所要形成的纳米压印模板的初始微结构,特别的,该膜片的特征在于其纳米线栅结构的光栅周期和光栅高度都略大于需求值,从而为后续在其上包覆合金材料而留有余量,且其耐温特性保证其至少可以承受超过100℃的高温。
步骤3、如图5所示,提供低熔点焊料合金,将该低熔点焊料合金加热至液态,将步骤2得到的中间筒体浸入该低熔点焊料合金液体中、或者在加热后的中间筒体上涂布一层该低熔点焊料合金液体,冷却后,在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层2的纳米线栅结构形成一层结构硬化层3,从而得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板。
具体地,所述步骤3中提供的低熔点焊料合金可以为8.3Sn44.7Bi22.6Pb5.3Cd19.1In,即其包括原料组分及重量百分比如下:锡(Sn)8.3%,铋(Bi)44.7%,铅(Pb)22.6%,铬(Cd)5.3%,铟(In)19.1%,或者也可以为其他含有铟或锡的熔点低于300℃的低熔点焊料合金,如100In、66.3In33.7Bi、51Tn32.5Bi6.5Sn、57Bi26In17Sn、54.02Bi29.68In16.3Sn、67Bi33In、50In50Sn、52Sn48In、58Bi42Sn、97In3Ag、58Bi42Sn、99.3In0.7Ga、95In5Bi、99.4In0.6Ga、99.6In0.4Ga、99.5In0.5Ga、60Sn40Bi、100Sn、95Sn5Sb等。
具体地,步骤3所得到纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽311,所述光栅凹槽311的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
特别地,所述步骤2中所提供的膜片的材料可以选自PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、POM(聚甲醛)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PP(聚丙烯)、PS(聚苯乙烯)、和PVDC(聚偏二氯乙烯)等有机材料,但是所选择的膜片必须满足其耐温特性能够承受住步骤3中所选择的低熔点焊料合金在液态时的温度,即该膜片在步骤3中保证不变形,因此,所述步骤2提供的膜片的熔点温度必须高于所述低熔点焊料合金的熔点温度。
如图6所示,本发明的纳米压印模板的制作方法,利用低熔点焊料合金在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷(Roll to Roll)微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。
具体的,使用本发明制作得到的纳米压印模板通过Roll to Roll制作线栅偏光片的具体过程为,利用辊输送基材,再在基材上涂覆光固化性光阻材料或热固化性材料形成光阻层,使用本发明的滚筒状的纳米压印模板,由于纳米压印模板上具有结构硬化层,其上的微结构的硬度大于光阻层的硬度,一边使该纳米压印模板旋转而将其按压于光固化性光阻材料或热固化性材料的光阻层上,一边进行UV光照或加热使光阻层硬化,完成纳米压印模板上纳米形貌的转移过程,从而将平面的压印过程转换为三维的滚动过程,伴随着UV光照或加热,提高线栅偏光片的生产效率。同样地,除了UV压印和热压,该滚筒状的纳米压印模板一样可以用于其他机械纳米压印成型的过程中,由于纳米压印模板的硬度高于被压印的光胶,则可通过机械应力压印成型,并完成纳米形貌的转移过程。
请参阅图5,本发明还提供一种纳米压印模板,包括圆柱状的硬质滚筒1、设于所述硬质滚筒1外圆周面上的纳米线栅结构膜层2、及包覆所述纳米线栅结构膜层2的结构硬化层3;
所述纳米线栅结构膜层2为具有具有纳米线栅结构的膜片;
所述结构硬化层3的材料为低熔点焊料合金,沿所述纳米线栅结构膜层2的纳米线栅结构形成,从而相对所述纳米线栅结构膜层2的纳米线栅结构,形成较硬的所述纳米压印模板的纳米线栅结构。
具体地,用作所述结构硬化层3的低熔点焊料合金可以为8.3Sn44.7Bi22.6Pb5.3Cd19.1In,即其包括原料组分及重量百分比如下:锡8.3%,铋44.7%,铅22.6%,铬5.3%,铟19.1%,当然可以为其他含有铟或锡的熔点低于300℃的低熔点焊料合金,如100In、66.3In33.7Bi、51Tn32.5Bi6.5Sn、57Bi26In17Sn、54.02Bi29.68In16.3Sn、67Bi33In、50In50Sn、52Sn48In、58Bi42Sn、97In3Ag、58Bi42Sn、99.3In0.7Ga、95In5Bi、99.4In0.6Ga、99.6In0.4Ga、99.5In0.5Ga、60Sn40Bi、100Sn、95Sn5Sb等。
具体地,所述纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽311,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
具体地,用作所述纳米线栅结构膜层2的膜片为有机材料,其熔点温度高于用作所述结构硬化层3的低熔点焊料合金的熔点温度,其材料具体可以选自PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、和PVDC等有机材料。
综上所述,本发明的纳米压印模板的制作方法,先在圆柱状的硬质滚筒的外圆周面上包覆一层软性的具有纳米线栅结构的膜片,形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体,然后利用低熔点焊料合金在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板;通过在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。本发明的纳米压印模板,整体呈圆筒状,软质的纳米线线栅结构上具有一层硬质的合金材料的结构硬化层,能够用于卷对卷法制作线栅偏光片,从而提高线栅偏光片的制作效率。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (5)
1.一种纳米压印模板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一圆柱状的硬质滚筒(1);
步骤2、提供具有纳米线栅结构的膜片,将该膜片包覆在所述硬质滚筒(1)的外圆周面上形成纳米线栅结构膜层(2),得到中间筒体;
步骤3、提供低熔点焊料合金,将该低熔点焊料合金加热至液态,将步骤2得到的中间筒体浸入该低熔点焊料合金液体中、或者在加热后的中间筒体上涂布一层该低熔点焊料合金液体,冷却后,在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层(2)的纳米线栅结构形成一层结构硬化层(3),从而得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板。
2.如权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所述步骤3中提供的低熔点焊料合金为熔点温度低于300℃的合金材料。
3.如权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所述步骤2中提供的膜片为有机材料,其熔点温度高于所述低熔点焊料合金的熔点温度。
4.如权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所得到纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
5.如权利要求3所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所述步骤2提供的膜片的材料为PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、或PVDC。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |