CN105700292B - 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板 - Google Patents

纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板 Download PDF

Info

Publication number
CN105700292B
CN105700292B CN201610255462.7A CN201610255462A CN105700292B CN 105700292 B CN105700292 B CN 105700292B CN 201610255462 A CN201610255462 A CN 201610255462A CN 105700292 B CN105700292 B CN 105700292B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
wire grid
grid construction
imprint stamp
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610255462.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105700292A (zh
Inventor
陈黎暄
李泳锐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610255462.7A priority Critical patent/CN105700292B/zh
Priority to PCT/CN2016/081970 priority patent/WO2017181456A1/zh
Priority to US15/106,313 priority patent/US20180101093A1/en
Publication of CN105700292A publication Critical patent/CN105700292A/zh
Priority to US16/590,382 priority patent/US20200033722A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN105700292B publication Critical patent/CN105700292B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices

Abstract

本发明提供一种纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板。本发明的纳米压印模板的制作方法,先在圆柱状的硬质滚筒的外圆周面上包覆一层软性的具有纳米线栅结构的膜片,形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体,然后利用低熔点焊料合金在所述中间筒体的外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板;通过在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。

Description

纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板。
背景技术
纳米压印(Nano-imprint Lithography,NIL)技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题,具有分辨率高、低成本、高产率的特点。自1995年提出以来,纳米压印已经演变出了多种压印技术,广泛应用于半导体制造、微机电系统(MicroelectromechanicalSystems,MEMS)、生物芯片、生物医学等领域。NIL技术的基本思想是通过模版,将图形转移到相应的衬底上,转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜,通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。根据压印方法的不同,NIL主要可分为热塑(Hot embossing)、紫外(UV)固化和微接触(Micro contactprinting,uCP)三种光刻技术。
对于需要使用偏光片的各类器件,例如LCD、OLED等,传统的偏光片为有机材料的碘系偏光片、及染料系偏光片。随着纳米压印技术的发展,人们已经可以尝试制备小尺寸的金属光栅结构,来达到对可见光波长范围的光的偏振作用,由于金属光栅结构本身对光的吸收很小,通过反射自然光的一个偏振而让另外一个偏振通过,可以使被反射的光通过偏振旋转再次被回收利用,因此在液晶显示中具有很大的潜力。
目前通过NIL技术来制备金属光栅偏光片结构的工艺和方法,还存在很多不足,例如对于大规模制造,图形转移的过程往往占用大量时间,同时制作过程中的各种不良对最终光栅成型存在较严重的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米压印模板的制作方法,利用低熔点焊料合金在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,克服微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,从而提高线栅偏光片的制作效率。
本发明的目的还在于提供一种纳米压印模板,整体呈圆筒状,软质的纳米线线栅结构上具有一层硬质的结构硬化层,能够用于卷对卷法制作线栅偏光片,从而提高线栅偏光片的制作效率。
为实现上述目的,本发明首先提供一种纳米压印模板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一圆柱状的硬质滚筒;
步骤2、提供具有纳米线栅结构的膜片,将该膜片包覆在所述硬质滚筒的外圆周面上形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体;
步骤3、提供低熔点焊料合金,将该低熔点焊料合金加热至液态,将步骤2得到的中间筒体浸入该低熔点焊料合金液体中、或者在加热后的中间筒体上涂布一层该低熔点焊料合金液体,冷却后,在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,从而得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板。
所述步骤3中提供的低熔点焊料合金为熔点温度低于300℃的合金材料。
所述步骤2中提供的膜片为有机材料,其熔点温度高于所述低熔点焊料合金的熔点温度。
所得到纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
所述步骤2提供的膜片的材料为PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、或PVDC。
本发明还提供一种纳米压印模板,包括圆柱状的硬质滚筒、设于所述硬质滚筒外圆周面上的纳米线栅结构膜层、及包覆所述纳米线栅结构膜层的结构硬化层;
所述纳米线栅结构膜层为具有具有纳米线栅结构的膜片;
所述结构硬化层的材料为低熔点焊料合金,所述结构硬化层沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成。
用作所述结构硬化层的低熔点焊料合金为熔点温度低于300℃的合金材料。
用作所述纳米线栅结构膜层的膜片为有机材料,其熔点温度高于用作所述结构硬化层的低熔点焊料合金的熔点温度。
所述纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
用作所述纳米线栅结构膜层的膜片的材料为PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、或PVDC。
本发明的有益效果:本发明的纳米压印模板的制作方法,先在圆柱状的硬质滚筒的外圆周面上包覆一层软性的具有纳米线栅结构的膜片,形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体,然后利用低熔点焊料合金在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板;通过在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。本发明的纳米压印模板,整体呈圆筒状,软质的纳米线线栅结构上具有一层硬质的合金材料的结构硬化层,能够用于卷对卷法制作线栅偏光片,从而提高线栅偏光片的制作效率。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中,
图1为本发明纳米压印模板的制作方法的示意流程图;
图2为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤1的示意图;
图3为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤2的示意图;
图4为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤2中提供的膜片上纳米线栅结构的示意图;
图5为本发明纳米压印模板的制作方法的步骤3的示意图暨本发明纳米压印模板的立体结构示意图;
图6为本发明纳米压印模板上纳米线栅结构的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1,本发明提供一种纳米压印模板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、如图2所示,提供一圆柱状的硬质滚筒1。
步骤2、如图3所示,提供具有纳米线栅结构的膜片,将该软质的膜片包覆在所述硬质滚筒1的外圆周面上形成纳米线栅结构膜层2,得到中间筒体。
具体地,所述步骤2提供的膜片为有机材料,如图4所示,其上具有数条周期排列初始光栅凹槽211,用于构成所要形成的纳米压印模板的初始微结构,特别的,该膜片的特征在于其纳米线栅结构的光栅周期和光栅高度都略大于需求值,从而为后续在其上包覆合金材料而留有余量,且其耐温特性保证其至少可以承受超过100℃的高温。
步骤3、如图5所示,提供低熔点焊料合金,将该低熔点焊料合金加热至液态,将步骤2得到的中间筒体浸入该低熔点焊料合金液体中、或者在加热后的中间筒体上涂布一层该低熔点焊料合金液体,冷却后,在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层2的纳米线栅结构形成一层结构硬化层3,从而得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板。
具体地,所述步骤3中提供的低熔点焊料合金可以为8.3Sn44.7Bi22.6Pb5.3Cd19.1In,即其包括原料组分及重量百分比如下:锡(Sn)8.3%,铋(Bi)44.7%,铅(Pb)22.6%,铬(Cd)5.3%,铟(In)19.1%,或者也可以为其他含有铟或锡的熔点低于300℃的低熔点焊料合金,如100In、66.3In33.7Bi、51Tn32.5Bi6.5Sn、57Bi26In17Sn、54.02Bi29.68In16.3Sn、67Bi33In、50In50Sn、52Sn48In、58Bi42Sn、97In3Ag、58Bi42Sn、99.3In0.7Ga、95In5Bi、99.4In0.6Ga、99.6In0.4Ga、99.5In0.5Ga、60Sn40Bi、100Sn、95Sn5Sb等。
具体地,步骤3所得到纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽311,所述光栅凹槽311的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
特别地,所述步骤2中所提供的膜片的材料可以选自PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、POM(聚甲醛)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PP(聚丙烯)、PS(聚苯乙烯)、和PVDC(聚偏二氯乙烯)等有机材料,但是所选择的膜片必须满足其耐温特性能够承受住步骤3中所选择的低熔点焊料合金在液态时的温度,即该膜片在步骤3中保证不变形,因此,所述步骤2提供的膜片的熔点温度必须高于所述低熔点焊料合金的熔点温度。
如图6所示,本发明的纳米压印模板的制作方法,利用低熔点焊料合金在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷(Roll to Roll)微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。
具体的,使用本发明制作得到的纳米压印模板通过Roll to Roll制作线栅偏光片的具体过程为,利用辊输送基材,再在基材上涂覆光固化性光阻材料或热固化性材料形成光阻层,使用本发明的滚筒状的纳米压印模板,由于纳米压印模板上具有结构硬化层,其上的微结构的硬度大于光阻层的硬度,一边使该纳米压印模板旋转而将其按压于光固化性光阻材料或热固化性材料的光阻层上,一边进行UV光照或加热使光阻层硬化,完成纳米压印模板上纳米形貌的转移过程,从而将平面的压印过程转换为三维的滚动过程,伴随着UV光照或加热,提高线栅偏光片的生产效率。同样地,除了UV压印和热压,该滚筒状的纳米压印模板一样可以用于其他机械纳米压印成型的过程中,由于纳米压印模板的硬度高于被压印的光胶,则可通过机械应力压印成型,并完成纳米形貌的转移过程。
请参阅图5,本发明还提供一种纳米压印模板,包括圆柱状的硬质滚筒1、设于所述硬质滚筒1外圆周面上的纳米线栅结构膜层2、及包覆所述纳米线栅结构膜层2的结构硬化层3;
所述纳米线栅结构膜层2为具有具有纳米线栅结构的膜片;
所述结构硬化层3的材料为低熔点焊料合金,沿所述纳米线栅结构膜层2的纳米线栅结构形成,从而相对所述纳米线栅结构膜层2的纳米线栅结构,形成较硬的所述纳米压印模板的纳米线栅结构。
具体地,用作所述结构硬化层3的低熔点焊料合金可以为8.3Sn44.7Bi22.6Pb5.3Cd19.1In,即其包括原料组分及重量百分比如下:锡8.3%,铋44.7%,铅22.6%,铬5.3%,铟19.1%,当然可以为其他含有铟或锡的熔点低于300℃的低熔点焊料合金,如100In、66.3In33.7Bi、51Tn32.5Bi6.5Sn、57Bi26In17Sn、54.02Bi29.68In16.3Sn、67Bi33In、50In50Sn、52Sn48In、58Bi42Sn、97In3Ag、58Bi42Sn、99.3In0.7Ga、95In5Bi、99.4In0.6Ga、99.6In0.4Ga、99.5In0.5Ga、60Sn40Bi、100Sn、95Sn5Sb等。
具体地,所述纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽311,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
具体地,用作所述纳米线栅结构膜层2的膜片为有机材料,其熔点温度高于用作所述结构硬化层3的低熔点焊料合金的熔点温度,其材料具体可以选自PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、和PVDC等有机材料。
综上所述,本发明的纳米压印模板的制作方法,先在圆柱状的硬质滚筒的外圆周面上包覆一层软性的具有纳米线栅结构的膜片,形成纳米线栅结构膜层,得到中间筒体,然后利用低熔点焊料合金在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层的纳米线栅结构形成一层结构硬化层,得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板;通过在软质的纳米线线栅结构上形成一层硬质的结构硬化层,对软质的纳米线线栅结构进行硬化,从而克服在压印过程中微结构材质本身硬度不够的问题,使得卷对卷微结构压印,特别是纳米线栅压印成为实际工艺中可行的一部分,进而提高线栅偏光片的制作效率。本发明的纳米压印模板,整体呈圆筒状,软质的纳米线线栅结构上具有一层硬质的合金材料的结构硬化层,能够用于卷对卷法制作线栅偏光片,从而提高线栅偏光片的制作效率。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (5)

1.一种纳米压印模板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一圆柱状的硬质滚筒(1);
步骤2、提供具有纳米线栅结构的膜片,将该膜片包覆在所述硬质滚筒(1)的外圆周面上形成纳米线栅结构膜层(2),得到中间筒体;
步骤3、提供低熔点焊料合金,将该低熔点焊料合金加热至液态,将步骤2得到的中间筒体浸入该低熔点焊料合金液体中、或者在加热后的中间筒体上涂布一层该低熔点焊料合金液体,冷却后,在所述中间筒体外圆周面上沿所述纳米线栅结构膜层(2)的纳米线栅结构形成一层结构硬化层(3),从而得到具有纳米线栅结构的纳米压印模板。
2.如权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所述步骤3中提供的低熔点焊料合金为熔点温度低于300℃的合金材料。
3.如权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所述步骤2中提供的膜片为有机材料,其熔点温度高于所述低熔点焊料合金的熔点温度。
4.如权利要求1所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所得到纳米压印模板具有数条周期性排列的光栅凹槽,所述光栅凹槽的宽度及相邻两光栅凹槽之间的距离均小于150nm。
5.如权利要求3所述的纳米压印模板的制作方法,其特征在于,所述步骤2提供的膜片的材料为PMMA、POM、PBT、PET、PC、PE、PEEK、PP、PS、或PVDC。
CN201610255462.7A 2016-04-21 2016-04-21 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板 Active CN105700292B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610255462.7A CN105700292B (zh) 2016-04-21 2016-04-21 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板
PCT/CN2016/081970 WO2017181456A1 (zh) 2016-04-21 2016-05-13 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板
US15/106,313 US20180101093A1 (en) 2016-04-21 2016-05-13 Manufacture method of nano-imprint lithography template and nano-imprint lithography template
US16/590,382 US20200033722A1 (en) 2016-04-21 2019-10-02 Manufacture method of nano-imprint lithography template and nano-imprint lithography template

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610255462.7A CN105700292B (zh) 2016-04-21 2016-04-21 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105700292A CN105700292A (zh) 2016-06-22
CN105700292B true CN105700292B (zh) 2019-10-11

Family

ID=56217264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610255462.7A Active CN105700292B (zh) 2016-04-21 2016-04-21 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20180101093A1 (zh)
CN (1) CN105700292B (zh)
WO (1) WO2017181456A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105974667B (zh) * 2016-07-13 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器
KR102448904B1 (ko) * 2017-07-31 2022-09-29 삼성디스플레이 주식회사 임프린트 장치 및 임프린트 방법
CN109759776B (zh) * 2019-03-29 2020-12-04 上海摩软通讯技术有限公司 一种移动终端的网孔部件的制作方法及移动终端
CN109856904A (zh) * 2019-03-29 2019-06-07 刘刚 超大型视角可控等离子菲涅尔复合屏幕
CN110756822B (zh) * 2019-10-16 2022-05-20 西安工业大学 一种针形银纳米线及其制备方法
CN113146153A (zh) * 2021-04-08 2021-07-23 新沂崚峻光电科技有限公司 一种压印模板的制作方法及压印模板
CN113618090B (zh) * 2021-08-11 2022-06-07 吉林大学 一种微纳结构辊筒模具加工与压印成形机床及其控制方法
CN114334478B (zh) * 2022-01-18 2022-11-11 西安交通大学 超级电容3d集流体的卷对卷纳米压印制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050106435A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Jang Bor Z. Twin-wire arc deposited electrode, solid electrolyte membrane, membrane electrode assembly and fuel cell
CN100555076C (zh) * 2004-07-26 2009-10-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 用于纳米压印的压模及其制备方法
KR100831046B1 (ko) * 2006-09-13 2008-05-21 삼성전자주식회사 나노 임프린트용 몰드 및 그 제조 방법
WO2008115530A2 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Nano Terra Inc. Polymer composition for preparing electronic devices by microcontact printing processes and products prepared by the processes
CN100566120C (zh) * 2007-04-26 2009-12-02 上海交通大学 聚合物基面外运动电热微驱动器
KR20110031275A (ko) * 2008-06-05 2011-03-25 아사히 가라스 가부시키가이샤 나노 임프린트용 몰드, 그 제조 방법 및 표면에 미세 요철 구조를 갖는 수지 성형체 그리고 와이어 그리드형 편광자의 제조 방법
JP4686617B2 (ja) * 2009-02-26 2011-05-25 株式会社東芝 スタンパ作製用マスター原盤およびその製造方法並びにNiスタンパの製造方法
JPWO2011016549A1 (ja) * 2009-08-07 2013-01-17 綜研化学株式会社 インプリント用樹脂製モールドおよびその製造方法
KR102170524B1 (ko) * 2013-03-15 2020-10-27 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 금속 또는 산화물 코팅을 가진 재사용가능한 중합체 주형을 사용한 나노 임프린팅

Also Published As

Publication number Publication date
CN105700292A (zh) 2016-06-22
WO2017181456A1 (zh) 2017-10-26
US20200033722A1 (en) 2020-01-30
US20180101093A1 (en) 2018-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105700292B (zh) 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板
TWI464020B (zh) A method for making a mold having a three-dimensional microstructure and a mold having a three-dimensional microstructure
CN102910579B (zh) 一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品
CN101051184B (zh) 大面积微纳结构软压印方法
JP5308287B2 (ja) ナノインプリントを用いたパターン成形方法とパターン成形のためのモールド製作方法
CN105785493B (zh) 金属光栅偏光片及其制作方法
CN104991416B (zh) 一种基于光盘的二维周期性微纳结构的热压印方法
TWI322927B (en) Roller module for microstructure thin film imprint
WO2012048870A2 (en) Process for producing highly ordered nanopillar or nanohole structures on large areas
KR100951915B1 (ko) 플라즈마 에칭을 이용한 마이크로-나노 패턴의 제작 방법
Chang et al. A basic experimental study of ultrasonic assisted hot embossing process for rapid fabrication of microlens arrays
Yang et al. Azopolymer‐based nanoimprint lithography: recent developments in methodology and applications
CN108828700A (zh) 一种基于微透镜阵列和微图形阵列的可沿某一方向移动的动态图形的制备方法
CN108957611B (zh) 一种光栅片的制造方法、光栅片及显示设备
CN203133302U (zh) Uv转印微透镜阵列
US20090080323A1 (en) Device and Method for Obtaining a Substrate Structured on Micrometric or Nanometric Scale
CN108319106A (zh) 纳米压印的方法
CN113156761A (zh) 一种嵌合式压印模板及其制作方法
KR100724598B1 (ko) 열가소성 고분자 필름을 이용한 나노 임프린트용 스탬프제조 방법
CN209132455U (zh) 彩色氛围光效光学膜及制造该光学膜的模具
CN103660276A (zh) 改良式滚轮压印装置
CN101850625B (zh) 制造光学元件的方法
CN111665682A (zh) 倾斜光栅的制备方法、压印模板
CN204331287U (zh) 具有低表面粗糙度的压印模具
CN109445009A (zh) 彩色氛围光效光学膜及制造该光学膜的模具

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant