JP2012074729A5 - 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012074729A5 JP2012074729A5 JP2011266301A JP2011266301A JP2012074729A5 JP 2012074729 A5 JP2012074729 A5 JP 2012074729A5 JP 2011266301 A JP2011266301 A JP 2011266301A JP 2011266301 A JP2011266301 A JP 2011266301A JP 2012074729 A5 JP2012074729 A5 JP 2012074729A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical member
- substrate
- immersion exposure
- immersion
- immersion liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (48)
- 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置するテーブルを有する基板ステージと、
前記テーブルと異なる、前記基板ステージに設けられる部材と、を備え、
前記テーブルと前記部材とはそれぞれ、前記光学部材と対向して位置付けられることによって、前記光学部材の下に液浸液体を維持し、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルの表面と前記部材の表面とが並置された状態で、前記基板ステージによって前記光学部材に対して移動され、前記光学部材の下で液浸液体は前記テーブルから前記部材に移動する。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置するテーブルを有する基板ステージと、
前記テーブルと異なる、前記基板ステージに設けられる部材と、を備え、
前記光学部材と前記テーブルとの間に液浸液体が維持される第1状態から、前記光学部材と前記部材との間に液浸液体が維持される第2状態に遷移するように、前記テーブルと前記部材とは、前記基板ステージによって前記光学部材に対して移動される。 - 請求項2に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルの表面と前記部材の表面とが並置された状態で、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは互いに接近した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記光学部材に対する前記テーブルと前記部材の移動において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは、前記光学部材は前記液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは相対移動可能に前記基板ステージに設けられる。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記部材は、前記テーブルが前記光学部材の下から離れるために、前記テーブルの代わりに前記光学部材の下方で液浸液体を維持する。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記テーブルの代わりに前記部材が前記光学部材の下方で液浸液体を維持するまで、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、その境界が前記液浸液体の下を通過するように、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは近接した状態、あるいはギャップを挟んで配置された状態で、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持されるように近接した状態で、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とはギャップを挟んで配置された状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項12に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記ギャップが前記液浸液体の下を通過するように、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対する移動において対向するエッジが前記液浸液体の下を通過するように移動される。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対して実質的に同時に移動される。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対する移動において実質的に連続する表面を形成する。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記基板ステージは、それぞれ基板を載置する、前記テーブルを含む2つのテーブルを有し、前記2つのテーブルが交互に前記光学部材と対向して位置付けられ、
前記部材は、前記2つのテーブルの一方の代わりに前記光学部材の下方で液浸液体を維持するとともに、前記2つのテーブルの他方は、前記部材の代わりに前記光学部材の下方で液浸液体を維持する。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルは、前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記光学部材の直下から離れて、前記基板の露光動作と異なる動作が行われる。 - 請求項18に記載の液浸露光装置において、
前記異なる動作は、前記基板のロード及び/又はアンロードを含む。 - 請求項19に記載の液浸露光装置において、
前記異なる動作は、前記基板のアライメントを含む。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記基板のアライメントを行うアライメントシステムを、さらに備え、
前記部材が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記アライメントシステムによって、前記テーブルに載置される基板のアライメントが行われる。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルに載置される基板を交換する交換システムを、さらに備え、
前記部材が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記交換システムによって、前記テーブルに載置される基板の交換が行われる。 - 請求項22に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記光学部材と前記液浸液体とを介して前記テーブルに載置される基板の露光が行われ、
前記部材が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記交換システムによって、前記テーブルに載置される前記露光された基板の交換が行われる。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜23のいずれか一項に記載の液浸露光装置を用いてワークピースを露光することと、
前記露光されたワークピースを現像することと、を含む。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
前記基板を載置するテーブルを有する基板ステージによって、前記テーブルに載置された基板を前記光学部材と対向して位置付けることと、
前記光学部材と液浸液体を介して前記露光ビームで前記テーブルに載置された基板を露光することと、
前記テーブルと、前記テーブルと異なる、前記基板ステージに設けられる部材とを、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルの表面と前記部材の表面とが並置された状態で、前記基板ステージによって前記光学部材に対して移動することと、を含み、
この移動によって、前記光学部材の下で液浸液体は前記テーブルから前記部材に移動する。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
前記基板を載置するテーブルを有する基板ステージによって、前記テーブルに載置された基板を前記光学部材と対向して位置付けることと、
前記光学部材と液浸液体を介して前記露光ビームで前記テーブルに載置された基板を露光することと、
前記光学部材と前記テーブルとの間に液浸液体が維持される第1状態から、前記光学部材と、前記テーブルと異なる、前記基板ステージに設けられる部材との間に液浸液体が維持される第2状態に遷移するように、前記テーブルと前記部材とを、前記基板ステージによって前記光学部材に対して移動することと、を含む。 - 請求項26に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルの表面と前記部材の表面とが並置された状態で、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項25〜27のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは互いに接近した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項25〜28のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記光学部材に対する前記テーブルと前記部材の移動において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは、前記光学部材は前記液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項25〜29のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは相対移動可能に前記基板ステージに設けられる。 - 請求項25〜30のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材は、前記テーブルが前記光学部材の下から離れるために、前記テーブルの代わりに前記光学部材の下方で液浸液体を維持する。 - 請求項25〜31のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記テーブルの代わりに前記部材が前記光学部材の下方で液浸液体を維持するまで、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項25〜32のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、その境界が前記液浸液体の下を通過するように、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項25〜33のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは近接した状態、あるいはギャップを挟んで配置された状態で、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項25〜34のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持されるように近接した状態で、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項25〜35のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とはギャップを挟んで配置された状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項36に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記ギャップが前記液浸液体の下を通過するように、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項25〜37のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対する移動において対向するエッジが前記液浸液体の下を通過するように移動される。 - 請求項25〜38のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対して実質的に同時に移動される。 - 請求項25〜39のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対する移動において実質的に連続する表面を形成する。 - 請求項25〜40のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記基板ステージは、それぞれ基板を載置する、前記テーブルを含む2つのテーブルを有し、前記2つのテーブルが交互に前記光学部材と対向して位置付けられ、
前記部材は、前記2つのテーブルの一方の代わりに前記光学部材の下方で液浸液体を維持するとともに、前記2つのテーブルの他方は、前記部材の代わりに前記光学部材の下方で液浸液体を維持する。 - 請求項25〜41のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルは、前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記光学部材の直下から離れて、前記基板の露光動作と異なる動作が行われる。 - 請求項42に記載の液浸露光方法において、
前記異なる動作は、前記基板のロード及び/又はアンロードを含む。 - 請求項43に記載の液浸露光方法において、
前記異なる動作は、前記基板のアライメントを含む。 - 請求項25〜44のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材が前記光学部材と対向して位置付けられる間、アライメントシステムによって、前記テーブルに載置される基板のアライメントが行われる。 - 請求項25〜45のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材が前記光学部材と対向して位置付けられる間、交換システムによって、前記テーブルに載置される基板の交換が行われる。 - 請求項46に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記光学部材と前記液浸液体とを介して前記テーブルに載置される基板の露光が行われ、
前記部材が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記交換システムによって、前記テーブルに載置される前記露光された基板の交換が行われる。 - デバイス製造方法であって、
請求項25〜47のいずれか一項に記載の液浸露光方法を用いてワークピースを露光することと、
前記露光されたワークピースを現像することと、を含む。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US46249903P | 2003-04-11 | 2003-04-11 | |
US60/462,499 | 2003-04-11 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010012365A Division JP4952804B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-01-22 | 液浸露光装置、及び液浸露光方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014136910A Division JP5862716B2 (ja) | 2003-04-11 | 2014-07-02 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012074729A JP2012074729A (ja) | 2012-04-12 |
JP2012074729A5 true JP2012074729A5 (ja) | 2013-04-18 |
JP5660016B2 JP5660016B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=33159850
Family Applications (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006506525A Expired - Fee Related JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2004-03-17 | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
JP2008111219A Expired - Fee Related JP4775402B2 (ja) | 2003-04-11 | 2008-04-22 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
JP2010012365A Expired - Fee Related JP4952804B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-01-22 | 液浸露光装置、及び液浸露光方法 |
JP2011112549A Expired - Fee Related JP5440551B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-05-19 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011266301A Expired - Fee Related JP5660016B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-12-05 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011266300A Expired - Fee Related JP5556798B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-12-05 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078264A Expired - Fee Related JP5556840B2 (ja) | 2003-04-11 | 2012-03-29 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013127364A Expired - Lifetime JP5510596B2 (ja) | 2003-04-11 | 2013-06-18 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2014136910A Expired - Fee Related JP5862716B2 (ja) | 2003-04-11 | 2014-07-02 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015010863A Expired - Fee Related JP5900669B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-01-23 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015127873A Expired - Fee Related JP6028838B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-06-25 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2016026294A Expired - Fee Related JP6090486B2 (ja) | 2003-04-11 | 2016-02-15 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006506525A Expired - Fee Related JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2004-03-17 | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
JP2008111219A Expired - Fee Related JP4775402B2 (ja) | 2003-04-11 | 2008-04-22 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
JP2010012365A Expired - Fee Related JP4952804B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-01-22 | 液浸露光装置、及び液浸露光方法 |
JP2011112549A Expired - Fee Related JP5440551B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-05-19 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011266300A Expired - Fee Related JP5556798B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-12-05 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078264A Expired - Fee Related JP5556840B2 (ja) | 2003-04-11 | 2012-03-29 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013127364A Expired - Lifetime JP5510596B2 (ja) | 2003-04-11 | 2013-06-18 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2014136910A Expired - Fee Related JP5862716B2 (ja) | 2003-04-11 | 2014-07-02 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015010863A Expired - Fee Related JP5900669B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-01-23 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015127873A Expired - Fee Related JP6028838B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-06-25 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2016026294A Expired - Fee Related JP6090486B2 (ja) | 2003-04-11 | 2016-02-15 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (18) | US7372538B2 (ja) |
EP (8) | EP2613194B1 (ja) |
JP (12) | JP4315198B2 (ja) |
KR (15) | KR101159564B1 (ja) |
CN (3) | CN101002140B (ja) |
HK (7) | HK1087782A1 (ja) |
IL (5) | IL170735A (ja) |
SG (12) | SG194260A1 (ja) |
TW (16) | TW201144925A (ja) |
WO (1) | WO2004090577A2 (ja) |
Families Citing this family (211)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
US7948604B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20050062665A (ko) | 2002-12-10 | 2005-06-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4362867B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101036114B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
TW201908879A (zh) | 2003-02-26 | 2019-03-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
EP1610361B1 (en) | 2003-03-25 | 2014-05-21 | Nikon Corporation | Exposure system and device production method |
WO2004090956A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
SG141425A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
KR101177330B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR101508809B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP4315198B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI424470B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TWI421906B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
CN100541717C (zh) | 2003-05-28 | 2009-09-16 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684008B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3401946A1 (en) | 2003-06-13 | 2018-11-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR101146962B1 (ko) | 2003-06-19 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006416A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP1650787A4 (en) | 2003-07-25 | 2007-09-19 | Nikon Corp | INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
EP2264534B1 (en) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG145780A1 (en) | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
KR101748923B1 (ko) | 2003-09-03 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101421398B1 (ko) | 2003-09-29 | 2014-07-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
KR101111364B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-02-27 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI470371B (zh) | 2003-12-03 | 2015-01-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component |
KR101499405B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1706793B1 (en) | 2004-01-20 | 2010-03-03 | Carl Zeiss SMT AG | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2005076321A1 (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI402893B (zh) | 2004-03-25 | 2013-07-21 | 尼康股份有限公司 | 曝光方法 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7400460B2 (en) * | 2004-04-26 | 2008-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for connection of an optical element to a mount structure |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
EP2966670B1 (en) | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
KR20160137690A (ko) | 2004-06-09 | 2016-11-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE441937T1 (de) | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
EP3258318B1 (en) * | 2004-08-03 | 2019-02-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
TW200615716A (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
EP1801853A4 (en) | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101364347B1 (ko) | 2004-10-15 | 2014-02-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7119876B2 (en) | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006049134A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4517354B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7583357B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) * | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI654661B (zh) * | 2004-11-18 | 2019-03-21 | 日商尼康股份有限公司 | 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法 |
EP1840943A4 (en) * | 2004-11-25 | 2010-04-21 | Nikon Corp | MOBILE BODY SYSTEM, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
US7446850B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1821337B1 (en) | 2004-12-06 | 2016-05-11 | Nikon Corporation | Maintenance method |
US7196770B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4752473B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US7403261B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7491661B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060147821A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2506289A3 (en) | 2005-01-31 | 2013-05-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US8859188B2 (en) | 2005-02-10 | 2014-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
US7224431B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7378025B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684010B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
US7330238B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
WO2006106833A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7291850B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
JP5239337B2 (ja) | 2005-04-28 | 2013-07-17 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317507B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7751027B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7834974B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583358B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
JP5309565B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2013-10-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US8054445B2 (en) | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101388345B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2014-04-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US7417710B2 (en) * | 2005-09-26 | 2008-08-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3997245B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4164508B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3997244B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JPWO2007055237A1 (ja) * | 2005-11-09 | 2009-04-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7656501B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7633073B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7839483B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8472004B2 (en) * | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
EP3171220A1 (en) * | 2006-01-19 | 2017-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP3327507B1 (en) * | 2006-02-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
US7760324B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8027019B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2007118014A2 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持系统 |
KR101711323B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2017-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
CN100468212C (zh) * | 2006-09-22 | 2009-03-11 | 上海微电子装备有限公司 | 双台定位交换系统 |
JP5120377B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7973910B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
JP5089143B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
US8045135B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7728952B2 (en) * | 2007-01-25 | 2010-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for closing plate take-over in immersion lithography |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US7900641B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
JP2009033111A (ja) * | 2007-05-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
US8279399B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2009060585A1 (ja) | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
SG183058A1 (en) * | 2007-12-17 | 2012-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US8451425B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method |
JP2009182110A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US8610873B2 (en) * | 2008-03-17 | 2013-12-17 | Nikon Corporation | Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate |
US20100039628A1 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-18 | Nikon Corporation | Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method |
US8654306B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
US20100053588A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Nikon Corporation | Substrate Stage movement patterns for high throughput While Imaging a Reticle to a pair of Imaging Locations |
US20100060106A1 (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-11 | Hiwin Mikrosystem Corp. | Linear planar servomotor with spare-mover standby area |
DE102009015717B4 (de) * | 2009-03-31 | 2012-12-13 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Verfahren und System zum Erkennen einer Teilchenkontamination in einer Immersionslithographieanlage |
US8792084B2 (en) | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20100294742A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Enrico Magni | Modifications to Surface Topography of Proximity Head |
NL2005207A (en) | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US20110199591A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method |
KR20170113709A (ko) | 2009-11-09 | 2017-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 노광 장치의 조정 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US8896810B2 (en) * | 2009-12-29 | 2014-11-25 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Liquid immersion scanning exposure system using an immersion liquid confined within a lens hood |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US8883024B2 (en) | 2010-10-18 | 2014-11-11 | Tokyo Electron Limited | Using vacuum ultra-violet (VUV) data in radio frequency (RF) sources |
US20120188521A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-07-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium |
US20120162619A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
US9329496B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium |
US20130135594A1 (en) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US20130169944A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
JP6037732B2 (ja) * | 2012-09-03 | 2016-12-07 | オリンパス株式会社 | 浸液保持具、観察部位固定装置、及び、顕微鏡 |
US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP6362312B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
WO2015147039A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
EP3149533A4 (en) * | 2014-05-29 | 2017-06-07 | Rarecyte, Inc. | Apparatus for holding a substrate within a secondary device |
US10802260B2 (en) | 2014-05-29 | 2020-10-13 | Rarecyte, Inc. | Automated substrate loading |
US10890748B2 (en) | 2014-05-29 | 2021-01-12 | Rarecyte, Inc. | Automated substrate loading |
US11422352B2 (en) | 2014-05-29 | 2022-08-23 | Rarecyte, Inc. | Automated substrate loading |
US11300769B2 (en) | 2014-05-29 | 2022-04-12 | Rarecyte, Inc. | Automated substrate loading |
KR102022471B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2019-09-18 | 한화정밀기계 주식회사 | 기판 검사장치 |
US10632556B2 (en) * | 2014-11-07 | 2020-04-28 | Kiffer Industries, Inc. | Method and apparatus for eliminating cut taper |
US10406318B2 (en) * | 2015-05-19 | 2019-09-10 | Abbott Cardiovascular Systems, Inc. | Balloon catheter |
US20180329292A1 (en) * | 2015-11-20 | 2018-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus and Method of Operating a Lithographic Apparatus |
DK3515478T3 (da) | 2016-09-21 | 2024-05-21 | Nextcure Inc | Antistoffer til SIGLEC-15 og fremgangsmåder til anvendelse deraf |
US10948830B1 (en) | 2019-12-23 | 2021-03-16 | Waymo Llc | Systems and methods for lithography |
Family Cites Families (318)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US211920A (en) * | 1879-02-04 | Improvement in manufacture of boots | ||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US4026653A (en) | 1975-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Proximity printing method |
US4341164A (en) * | 1980-06-13 | 1982-07-27 | Charles H. Ruble | Folding camp table |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3203719B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5469963A (en) * | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JPH06208058A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡対物レンズ |
US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
US5534970A (en) | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
JP3212199B2 (ja) | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
WO1995019637A1 (de) * | 1994-01-13 | 1995-07-20 | Ims Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft Mbh | Teilchen-, insbesondere ionenoptisches abbildungssystem |
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5677758A (en) * | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
US5699201A (en) | 1995-03-27 | 1997-12-16 | Hewlett-Packard Co. | Low-profile, high-gain, wide-field-of-view, non-imaging optics |
US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3526042B2 (ja) | 1995-08-09 | 2004-05-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5964441A (en) * | 1996-04-01 | 1999-10-12 | Lear Corporation | Linkage assembly with extruded hole member |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029181B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
WO1998028665A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10209039A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
USRE40043E1 (en) | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
EP1028456A4 (en) | 1997-09-19 | 2003-03-05 | Nikon Corp | PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
AU1175799A (en) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
JP4264676B2 (ja) | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
EP1041357A4 (en) | 1997-12-18 | 2005-06-15 | Nikon Corp | PLATINUM AND EXPOSURE APPARATUS |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
WO2000017916A1 (fr) | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Nikon Corporation | Procede pour regler un systeme de projection optique |
WO2000033359A2 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Kensington Laboratories, Inc. | Specimen holding robotic arm end effector |
WO2000055891A1 (fr) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Nikon Corporation | Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif |
JP4365934B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001118773A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
TW546551B (en) * | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
EP1111471B1 (en) | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
TWI223734B (en) | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
US6771350B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001241439A (ja) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Canon Inc | 静圧軸受を備えた移動装置 |
US6426790B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-07-30 | Nikon Corporation | Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus |
JP2001257143A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
EP1279070B1 (en) * | 2000-05-03 | 2007-10-03 | ASML Holding N.V. | Apparatus for providing a purged optical path in a projection photolithography system and a corresponding method |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP4405071B2 (ja) | 2000-10-23 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置 |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US6680774B1 (en) * | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
US6665054B2 (en) * | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
US7134668B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Differential pumping seal apparatus |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
CN1650401B (zh) | 2002-04-09 | 2010-04-21 | 株式会社尼康 | 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法 |
KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
JP2004017261A (ja) | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Shinya Tsukamoto | 機械加工装置および機械加工方法ならびに機械加工システム |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
EP1420299B1 (en) * | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP4362867B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4701606B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-06-15 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4645027B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-03-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
TWI251116B (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Device manufacturing method, computer-readable medium and lithographic apparatus |
KR100971440B1 (ko) | 2002-12-19 | 2010-07-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치 |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
WO2004090956A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
SG141425A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
KR101177330B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 |
KR101508809B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
JP4315198B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI424470B (zh) * | 2003-05-23 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
KR101146962B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1639391A4 (en) | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
US7738074B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
EP2264534B1 (en) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005057294A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
TWI263859B (en) * | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR101748923B1 (ko) | 2003-09-03 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
EP1519231B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1519230A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2007525824A (ja) | 2003-11-05 | 2007-09-06 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | マイクロチップを製造するための方法および装置 |
EP1530217A2 (en) * | 2003-11-05 | 2005-05-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit having temperature detector |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
JP2005150290A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Canon Inc | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP4295712B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
WO2005054953A2 (en) | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10355301B3 (de) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2005059654A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
JP4308638B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
JP4323946B2 (ja) | 2003-12-19 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
CN102169226B (zh) | 2004-01-14 | 2014-04-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
US8279524B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
EP1706793B1 (en) | 2004-01-20 | 2010-03-03 | Carl Zeiss SMT AG | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP1723467A2 (en) | 2004-02-03 | 2006-11-22 | Rochester Institute of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
WO2005076321A1 (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007522508A (ja) | 2004-02-13 | 2007-08-09 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP4622340B2 (ja) | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) * | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR101213831B1 (ko) | 2004-05-17 | 2012-12-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
US8605257B2 (en) | 2004-06-04 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101364347B1 (ko) | 2004-10-15 | 2014-02-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7119876B2 (en) | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN102156389A (zh) * | 2006-05-23 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
US10022493B2 (en) | 2011-05-12 | 2018-07-17 | Bayer Healthcare Llc | Fluid injection system having various systems for controlling an injection procedure |
-
2004
- 2004-03-17 JP JP2006506525A patent/JP4315198B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-17 SG SG2012031233A patent/SG194260A1/en unknown
- 2004-03-17 EP EP13154186.4A patent/EP2613194B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG10201504396VA patent/SG10201504396VA/en unknown
- 2004-03-17 SG SG10201404132YA patent/SG10201404132YA/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020057019366A patent/KR101159564B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 EP EP13154187.2A patent/EP2613195B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020137013439A patent/KR101498405B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG2012031738A patent/SG2012031738A/en unknown
- 2004-03-17 SG SG2012031746A patent/SG194264A1/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020117014236A patent/KR101225884B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 KR KR1020117014237A patent/KR101225829B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 KR KR1020147000451A patent/KR101475657B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 KR KR1020177000845A patent/KR101861493B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 KR KR1020127006824A patent/KR101304105B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 EP EP13154183.1A patent/EP2613192B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG10201603067VA patent/SG10201603067VA/en unknown
- 2004-03-17 SG SG2012031217A patent/SG2012031217A/en unknown
- 2004-03-17 EP EP13154181.5A patent/EP2618213B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020157002445A patent/KR101612681B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 EP EP04721260.0A patent/EP1616220B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG200717561-5A patent/SG139733A1/en unknown
- 2004-03-17 WO PCT/IB2004/001259 patent/WO2004090577A2/en active Application Filing
- 2004-03-17 EP EP16186292.5A patent/EP3141953A3/en not_active Withdrawn
- 2004-03-17 KR KR1020187013961A patent/KR20180054929A/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 CN CN2004800097020A patent/CN101002140B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG2012031209A patent/SG2012031209A/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020127006823A patent/KR101245031B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG200717576-3A patent/SG139736A1/en unknown
- 2004-03-17 EP EP13154185.6A patent/EP2613193B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG200717564-9A patent/SG139735A1/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020147017763A patent/KR101577555B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 EP EP14200551.1A patent/EP2887143B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020157029869A patent/KR101697896B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 CN CN201010510290.6A patent/CN101980086B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020117014234A patent/KR101178756B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 CN CN2010105103063A patent/CN101980087B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020147022733A patent/KR101533206B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG200717562-3A patent/SG139734A1/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020117031356A patent/KR101177332B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-09 TW TW100127308A patent/TW201144925A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW101108066A patent/TWI425302B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW096142839A patent/TWI346345B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW096142837A patent/TWI382270B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW100122561A patent/TWI372309B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW093109873A patent/TWI342036B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW104142913A patent/TWI578091B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW101108065A patent/TWI397762B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW100122562A patent/TWI364623B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW107100503A patent/TWI648589B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW096142836A patent/TWI346349B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW103123289A patent/TWI545386B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW102115385A patent/TWI486701B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW106103664A patent/TWI614564B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW104111404A patent/TWI545387B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW102115386A patent/TWI437351B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-09-07 IL IL170735A patent/IL170735A/en active IP Right Grant
- 2005-09-29 US US11/237,721 patent/US7372538B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-10-27 US US11/259,061 patent/US7327435B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-07-17 HK HK06107939.3A patent/HK1087782A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-18 US US11/785,539 patent/US9081298B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-11 US US11/798,262 patent/US7545479B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-22 US US11/812,925 patent/US8848168B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-10 US US11/822,804 patent/US8514367B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-06 US US11/882,837 patent/US8269944B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-26 US US11/984,980 patent/US8035795B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111219A patent/JP4775402B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012365A patent/JP4952804B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-19 US US12/662,471 patent/US8351019B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-08 US US12/923,822 patent/US8488100B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-08 US US12/923,823 patent/US8879047B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-10 IL IL209224A patent/IL209224A/en active IP Right Grant
- 2010-11-10 IL IL209223A patent/IL209223A/en active IP Right Grant
- 2010-11-10 IL IL209222A patent/IL209222A0/en active IP Right Grant
- 2010-11-18 IL IL209439A patent/IL209439A/en active IP Right Grant
-
2011
- 2011-05-19 JP JP2011112549A patent/JP5440551B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-05 JP JP2011266301A patent/JP5660016B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-05 JP JP2011266300A patent/JP5556798B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078264A patent/JP5556840B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-18 JP JP2013127364A patent/JP5510596B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-07-17 US US13/944,487 patent/US9329493B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2013-07-18 US US13/945,201 patent/US8634057B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-18 US US13/945,407 patent/US8610875B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-19 US US13/946,317 patent/US8848166B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-11-22 HK HK13113041.7A patent/HK1185665A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-11-22 HK HK13113046.2A patent/HK1185667A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-11-22 HK HK13113042.6A patent/HK1185666A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-11-22 HK HK13113047.1A patent/HK1185668A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-12-06 HK HK13113573.3A patent/HK1186526A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-07-02 JP JP2014136910A patent/JP5862716B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-23 JP JP2015010863A patent/JP5900669B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-09 US US14/734,783 patent/US9946163B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 JP JP2015127873A patent/JP6028838B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-11-04 HK HK15110872.5A patent/HK1210279A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-02-15 JP JP2016026294A patent/JP6090486B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-04-26 US US15/138,829 patent/US9500960B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-04-11 US US15/950,619 patent/US20180231898A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012074729A5 (ja) | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2010123991A5 (ja) | ||
JP2011166173A5 (ja) | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2012084903A5 (ja) | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2011097112A5 (ja) | ||
JP2010098333A5 (ja) | ||
JP2012142604A5 (ja) | ||
JP2012142603A5 (ja) | ||
JP2011109138A5 (ja) | ||
JP2011211222A5 (ja) | ||
JP2011049607A5 (ja) | ||
JP2012138617A5 (ja) | ||
JP2009117877A5 (ja) | ||
JP2011124606A5 (ja) | ||
JP2008244488A5 (ja) | ||
JP2012142592A5 (ja) | 露光装置、ステージの制御方法 | |
JP2012094902A5 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2008188727A (ja) | アライメント方法およびその装置 | |
JP2012138624A5 (ja) | 液浸リソグラフィ装置、及び洗浄方法 | |
JP2019016801A5 (ja) | 物体移動方法、物体移動装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2009520110A5 (ja) | ||
JP2011097114A5 (ja) | 露光装置及び液体供給方法 | |
HRP20151059A2 (hr) | Postupak brušenja zavarenog spoja metalne trake | |
JP2014170957A5 (ja) | ||
JP2013257409A5 (ja) |