JP5440551B2 - 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (120)
- 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置するテーブルと、
前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な部材と、を備え、
前記テーブルと前記部材とは相対移動可能であり、
前記部材は、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルに対して接近するように相対移動され、前記接近したテーブルと部材とは、前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記テーブルが前記部材に置き換えられるように、前記光学部材に対して移動され、前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置するテーブルと、
前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な部材と、を備え、
前記テーブルと前記部材とは相対移動可能であり、
前記部材は、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルに対して接近するように相対移動され、前記接近したテーブルと部材とは、前記光学部材に対して移動され、この移動により前記テーブルの代わりに前記光学部材と対向して位置付けられる前記部材によって、前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置するテーブルと、
前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な部材と、を備え、
前記テーブルと前記部材とは相対移動可能であり、
前記部材は、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルに対して接近するように相対移動され、前記接近したテーブルと部材とは、前記光学部材と前記テーブルとの間に液浸液体が維持される第1状態から、前記光学部材と前記部材との間に液浸液体が維持される第2状態に遷移するように、前記光学部材に対して移動され、前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記光学部材に対する前記テーブルと前記部材との移動において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記テーブルの前記部材への置換において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記光学部材に対する前記テーブルと前記部材との移動によって、前記液浸液体は、前記光学部材の下に実質的に維持されつつ、あるいは前記光学部材との接触が実質的に維持されつつ、前記テーブルから前記部材に移動する。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材の下に液浸液体を実質的に維持しつつ、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触を実質的に維持しつつ、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記テーブルが前記光学部材の下方から離脱するのと並行して、前記部材が前記光学部材の下方に進入するように、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記テーブルの代わりに前記部材が液浸液体を維持するまで、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とはその表面が並置された状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは互いに近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項11に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持されるように近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、その境界が液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、その端部が対向して配置される、あるいはギャップを挟んで配置され、前記対向した端部あるいは前記ギャップが液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対して実質的に同時に移動される。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対する移動において、その表面が実質的に面一となる、あるいは実質的に連続する表面を形成する。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルは、前記基板の一部に液浸液体が位置するように移動され、前記光学部材と液浸液体とを介して前記基板が露光される。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルに載置される基板の露光に続いて、前記テーブルと前記部材とは前記光学部材に対して移動される。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルと前記部材との一方が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記テーブルと前記部材との他方は前記光学部材の下方から離れて配置される。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記テーブルは、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記テーブルは、前記光学部材の下方から離れて、前記基板の露光動作と異なる動作が行われる。 - 請求項21に記載の液浸露光装置において、
前記異なる動作は、前記テーブルに載置される基板のロード及び/又はアンロードを含む。 - 請求項1〜22のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルに載置される基板のアライメントを行うアライメントシステムを、さらに備え、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記アライメントシステムによって、前記テーブルに載置される基板のアライメントが行われる。 - 請求項1〜23のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルに載置される基板を交換する交換システムを、さらに備え、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記交換システムによって、前記テーブルに載置される基板の交換が行われる。 - 請求項1〜24のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記テーブルに載置される基板の露光中、あるいは、前記テーブルが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記部材は、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項1〜25のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
所定方向に関して前記光学部材から離れて配置され、前記テーブルに載置される基板のアライメントを行うアライメントシステムを、さらに備え、
前記テーブルが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記部材は、前記光学部材の下方から前記所定方向に離れて配置される。 - 請求項1〜26のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記部材は、前記テーブルが設けられる基板ステージと異なるステージを含む。 - 請求項1〜27のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記部材は、前記液浸液体を維持するためのパッドを支持するように構成されたパッドステージを含む。 - 請求項1〜28のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
それぞれ基板を載置する、前記テーブルを含む2つのテーブルを有するステージアセンブリによって、前記2つのテーブルが交互に前記光学部材と対向して位置付けられ、
前記2つのテーブルの一方の代わりに他方を前記光学部材と対向して位置付ける途中で、前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置する第1ステージと、
前記第1ステージに対して相対移動可能な第2ステージと、を備え、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能であり、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記第1ステージが前記第2ステージに置き換えられるように、前記光学部材に対して移動され、前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置する第1ステージと、
前記第1ステージに対して相対移動可能な第2ステージと、を備え、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能であり、
前記光学部材と対向して位置付けられる前記第1ステージと、前記第2ステージとは、前記光学部材に対して移動され、この移動により前記第1ステージの代わりに前記光学部材と対向して位置付けられる前記第2ステージによって、前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光装置であって、
前記基板を載置する第1ステージと、
前記第1ステージに対して相対移動可能な第2ステージと、を備え、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能であり、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材と前記第1ステージとの間に液浸液体が維持される第1状態から、前記光学部材と前記第2ステージとの間に液浸液体が維持される第2状態に遷移するように、前記光学部材に対して移動され、前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 請求項30〜32のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記光学部材に対する前記第1、第2ステージの移動において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項30〜33のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項30〜34のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記光学部材に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸液体は、前記光学部材の下に実質的に維持されつつ、あるいは前記光学部材との接触が実質的に維持されつつ、前記第1ステージから前記第2ステージに移動する。 - 請求項30〜35のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材の下に液浸液体を実質的に維持しつつ、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触を実質的に維持しつつ、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項30〜36のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージが前記光学部材の下方から離脱するのと並行して前記第2ステージが前記光学部材の下方に進入するように、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項30〜37のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの代わりに前記第2ステージが液浸液体を維持するまで、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項30〜38のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第2ステージは、前記光学部材と対向して位置付けられる前記第1ステージに対して接近するように相対移動され、前記接近した第1、第2ステージが前記光学部材に対して移動される。 - 請求項30〜39のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージはその表面が並置された状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項30〜40のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは互いに近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項41に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持されるように近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項30〜42のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、その境界が液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項30〜43のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、その端部が対向して配置される、あるいはギャップを挟んで配置され、前記対向した端部あるいは前記ギャップが液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項30〜44のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材に対して実質的に同時に移動される。 - 請求項30〜45のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材に対する移動において、その表面が実質的に面一となる、あるいは実質的に連続する表面を形成する。 - 請求項30〜46のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1ステージは、前記基板の一部に液浸液体が位置するように移動され、前記光学部材と液浸液体とを介して前記基板が露光される。 - 請求項30〜47のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板の露光に続いて、前記第1、第2ステージは前記光学部材に対して移動される。 - 請求項30〜48のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1、第2ステージの一方が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記第1、第2ステージの他方は前記光学部材の下方から離れて配置される。 - 請求項30〜49のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記第1ステージは、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項30〜50のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記第1ステージは、前記光学部材の下方から離れて、前記基板の露光動作と異なる動作が行われる。 - 請求項51に記載の液浸露光装置において、
前記異なる動作は、前記第1ステージに載置される基板のロード及び/又はアンロードを含む。 - 請求項30〜52のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板のアライメントを行うアライメントシステムを、さらに備え、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記アライメントシステムによって、前記第1ステージに載置される基板のアライメントが行われる。 - 請求項30〜53のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板を交換する交換システムを、さらに備え、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記交換システムによって、前記第1ステージに載置される基板の交換が行われる。 - 求項30〜54のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板の露光中、あるいは、前記第1ステージが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記第2ステージは、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項30〜55のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
所定方向に関して前記光学部材から離れて配置され、前記第1ステージに載置される基板のアライメントを行うアライメントシステムを、さらに備え、
前記第1ステージが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記第2ステージは、前記光学部材の下方から前記所定方向に離れて配置される。 - 請求項30〜56のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第2ステージは、前記液浸液体を維持するためのパッドを支持するように構成されたパッドステージを含む。 - 請求項30〜57のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記第2ステージは、前記基板の露光に用いられないステージを含む。 - 請求項30〜58のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
それぞれ基板を載置する、前記第1ステージを含む2つの基板ステージが交互に前記光学部材と対向して位置付けられ、
前記2つの基板ステージの一方の代わりに他方を前記光学部材と対向して位置付ける途中で、前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
互いに相対移動可能な、前記基板を載置するテーブルと、前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な部材と、のうち、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルによって、前記光学部材の下に液浸液体を維持することと、
前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルに対して前記部材が接近するように、前記テーブルと前記部材を相対移動することと、
前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記テーブルが前記部材に置き換えられるように、前記光学部材に対して前記接近したテーブルと部材とを移動することと、を含む。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
互いに相対移動可能な、前記基板を載置するテーブルと、前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な部材と、のうち、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルによって、前記光学部材の下に液浸液体を維持することと、
前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルに対して前記部材が接近するように、前記テーブルと前記部材を相対移動することと、
前記接近したテーブルと部材とを、前記光学部材に対して移動することと、を含み、
この移動により前記テーブルの代わりに前記光学部材と対向して位置付けられる前記部材によって、前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
互いに相対移動可能な、前記基板を載置するテーブルと、前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な部材と、のうち、前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルによって、前記光学部材の下に液浸液体を維持することと、
前記光学部材と対向して位置付けられる前記テーブルに対して前記部材が接近するように、前記テーブルと前記部材を相対移動することと、
前記光学部材と前記テーブルとの間に液浸液体が維持される第1状態から、前記光学部材と前記部材との間に液浸液体が維持される第2状態に遷移するように、前記光学部材に対して前記接近したテーブルと部材とを移動することと、を含む。 - 請求項60〜62のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記光学部材に対する前記テーブルと前記部材との移動において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項60〜63のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記テーブルの前記部材への置換において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項60〜64のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記光学部材に対する前記テーブルと前記部材との移動によって、前記液浸液体は、前記光学部材の下に実質的に維持されつつ、あるいは前記光学部材との接触が実質的に維持されつつ、前記テーブルから前記部材に移動する。 - 請求項60〜65のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材の下に液浸液体を実質的に維持しつつ、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触を実質的に維持しつつ、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項60〜66のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記テーブルが前記光学部材の下方から離脱するのと並行して、前記部材が前記光学部材の下方に進入するように、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項60〜67のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記テーブルの代わりに前記部材が液浸液体を維持するまで、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項60〜68のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とはその表面が並置された状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項60〜69のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは互いに近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項70に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持されるように近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項60〜71のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、その境界が液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項60〜72のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、その端部が対向して配置される、あるいはギャップを挟んで配置され、前記対向した端部あるいは前記ギャップが液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項60〜73のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対して実質的に同時に移動される。 - 請求項60〜74のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材とは、前記光学部材に対する移動において、その表面が実質的に面一となる、あるいは実質的に連続する表面を形成する。 - 請求項60〜75のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルは、前記基板の一部に液浸液体が位置するように移動され、前記光学部材と液浸液体とを介して前記基板が露光される。 - 請求項60〜76のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルに載置される基板の露光に続いて、前記テーブルと前記部材とは前記光学部材に対して移動される。 - 請求項60〜77のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルと前記部材との一方が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記テーブルと前記部材との他方は前記光学部材の下方から離れて配置される。 - 請求項60〜78のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記テーブルは、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項60〜79のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記テーブルは、前記光学部材の下方から離れて、前記基板の露光動作と異なる動作が行われる。 - 請求項80に記載の液浸露光方法において、
前記異なる動作は、前記テーブルに載置される基板のロード及び/又はアンロードを含む。 - 請求項60〜81のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、アライメントシステムによって、前記テーブルに載置される基板のアライメントが行われる。 - 請求項60〜82のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、交換システムによって、前記テーブルに載置される基板の交換が行われる。 - 請求項60〜83のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記テーブルに載置される基板の露光中、あるいは、前記テーブルが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記部材は、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項60〜84のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
所定方向に関して前記光学部材から離れて配置されるアライメントシステムによって、前記テーブルに載置される基板のアライメントが行われ、
前記テーブルが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記部材は、前記光学部材の下方から前記所定方向に離れて配置される。 - 請求項60〜85のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材は、前記テーブルが設けられる基板ステージと異なるステージを含む。 - 請求項60〜86のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記部材は、前記液浸液体を維持するためのパッドを支持するように構成されたパッドステージを含む。 - 請求項60〜87のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
それぞれ基板を載置する、前記テーブルを含む2つのテーブルを有するステージアセンブリによって、前記2つのテーブルが交互に前記光学部材と対向して位置付けられ、
前記2つのテーブルの一方の代わりに他方を前記光学部材と対向して位置付ける途中で、前記部材によって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な第1、第2ステージのうち、その第1ステージに基板を載置することと、
前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記第1ステージが前記第2ステージに置き換えられるように、前記光学部材に対して前記第1、第2ステージを移動することと、を含む。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な第1、第2ステージのうち、その第1ステージに基板を載置することと、
前記光学部材と対向して位置付けられる前記第1ステージと、前記第2ステージとを、前記光学部材に対して移動することと、を含み、
この移動により前記第1ステージの代わりに前記光学部材と対向して位置付けられる前記第2ステージによって、前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - 光学部材を介して露光ビームで基板を露光する液浸露光方法であって、
前記光学部材に対して相対移動されるとともに、前記光学部材と対向して位置付けられることによって前記光学部材の下に液浸液体を維持可能な第1、第2ステージのうち、その第1ステージに基板を載置することと、
前記光学部材と前記第1ステージとの間に液浸液体が維持される第1状態から、前記光学部材と前記第2ステージとの間に液浸液体が維持される第2状態に遷移するように、前記光学部材に対して前記第1、第2ステージを移動することと、を含む。 - 請求項89〜91のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記光学部材に対する前記第1、第2ステージの移動において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項89〜92のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記光学部材の下方で液浸液体を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換において、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持される。 - 請求項89〜93のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記光学部材に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸液体は、前記光学部材の下に実質的に維持されつつ、あるいは前記光学部材との接触が実質的に維持されつつ、前記第1ステージから前記第2ステージに移動する。 - 請求項89〜94のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材の下に液浸液体を実質的に維持しつつ、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触を実質的に維持しつつ、前記光学部材に対して移動される。 - 請求項89〜95のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージが前記光学部材の下方から離脱するのと並行して前記第2ステージが前記光学部材の下方に進入するように、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項89〜96のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの代わりに前記第2ステージが液浸液体を維持するまで、前記光学部材の下方で液浸液体に対して移動される。 - 請求項89〜97のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第2ステージは、前記光学部材と対向して位置付けられる前記第1ステージに対して接近するように相対移動され、前記接近した第1、第2ステージが前記光学部材に対して移動される。 - 請求項89〜98のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージはその表面が並置された状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項89〜99のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは互いに近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項100に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材の下に液浸液体が実質的に維持される、あるいは前記光学部材と液浸液体との接触が実質的に維持されるように近接した状態で前記光学部材に対して移動される。 - 請求項89〜101のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、その境界が液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項89〜102のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、その端部が対向して配置される、あるいはギャップを挟んで配置され、前記対向した端部あるいは前記ギャップが液浸液体の下を通るように前記光学部材に対して移動される。 - 請求項89〜103のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材に対して実質的に同時に移動される。 - 請求項89〜104のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記光学部材に対する移動において、その表面が実質的に面一となる、あるいは実質的に連続する表面を形成する。 - 請求項89〜105のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1ステージは、前記基板の一部に液浸液体が位置するように移動され、前記光学部材と液浸液体とを介して前記基板が露光される。 - 請求項89〜106のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1ステージに載置される基板の露光に続いて、前記第1、第2ステージは前記光学部材に対して移動される。 - 請求項89〜107のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1、第2ステージの一方が前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記第1、第2ステージの他方は前記光学部材の下方から離れて配置される。 - 請求項89〜108のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記第1ステージは、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項89〜109のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、前記第1ステージは、前記光学部材の下方から離れて、前記基板の露光動作と異なる動作が行われる。 - 請求項110に記載の液浸露光方法において、
前記異なる動作は、前記第1ステージに載置される基板のロード及び/又はアンロードを含む。 - 請求項89〜111のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、アライメントシステムによって、前記第1ステージに載置される基板のアライメントが行われる。 - 請求項89〜112のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される間、交換システムによって、前記第1ステージに載置される基板の交換が行われる。 - 請求項89〜113のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第1ステージに載置される基板の露光中、あるいは、前記第1ステージが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記第2ステージは、前記光学部材の下方から離れて移動可能である。 - 請求項89〜114のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
所定方向に関して前記光学部材から離れて配置されるアライメントシステムによって、前記第1ステージに載置される基板のアライメントが行われ、
前記第1ステージが前記光学部材と対向して位置付けられる間、前記第2ステージは、前記光学部材の下方から前記所定方向に離れて配置される。 - 請求項89〜115のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第2ステージは、前記液浸液体を維持するためのパッドを支持するように構成されたパッドステージを含む。 - 請求項89〜116のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記第2ステージは、前記基板の露光に用いられないステージを含む。 - 請求項89〜117のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
それぞれ基板を載置する、前記第1ステージを含む2つの基板ステージが交互に前記光学部材と対向して位置付けられ、
前記2つの基板ステージの一方の代わりに他方を前記光学部材と対向して位置付ける途中で、前記第2ステージによって前記光学部材の下に液浸液体が維持される。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜59のいずれか一項に記載の液浸露光装置を用いてワークピースを露光することと、
前記露光されたワークピースを現像することと、を含む。 - デバイス製造方法であって、
請求項60〜118のいずれか一項に記載の液浸露光方法を用いてワークピースを露光することと、
前記露光されたワークピースを現像することと、を含む。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US46249903P | 2003-04-11 | 2003-04-11 | |
US60/462,499 | 2003-04-11 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008111219A Division JP4775402B2 (ja) | 2003-04-11 | 2008-04-22 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012078264A Division JP5556840B2 (ja) | 2003-04-11 | 2012-03-29 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013127364A Division JP5510596B2 (ja) | 2003-04-11 | 2013-06-18 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011166173A JP2011166173A (ja) | 2011-08-25 |
JP2011166173A5 JP2011166173A5 (ja) | 2012-07-05 |
JP5440551B2 true JP5440551B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=33159850
Family Applications (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006506525A Expired - Fee Related JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2004-03-17 | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
JP2008111219A Expired - Fee Related JP4775402B2 (ja) | 2003-04-11 | 2008-04-22 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
JP2010012365A Expired - Fee Related JP4952804B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-01-22 | 液浸露光装置、及び液浸露光方法 |
JP2011112549A Expired - Fee Related JP5440551B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-05-19 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011266301A Expired - Fee Related JP5660016B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-12-05 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011266300A Expired - Fee Related JP5556798B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-12-05 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078264A Expired - Fee Related JP5556840B2 (ja) | 2003-04-11 | 2012-03-29 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013127364A Expired - Lifetime JP5510596B2 (ja) | 2003-04-11 | 2013-06-18 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2014136910A Expired - Fee Related JP5862716B2 (ja) | 2003-04-11 | 2014-07-02 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015010863A Expired - Fee Related JP5900669B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-01-23 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015127873A Expired - Fee Related JP6028838B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-06-25 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2016026294A Expired - Fee Related JP6090486B2 (ja) | 2003-04-11 | 2016-02-15 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006506525A Expired - Fee Related JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2004-03-17 | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
JP2008111219A Expired - Fee Related JP4775402B2 (ja) | 2003-04-11 | 2008-04-22 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011266301A Expired - Fee Related JP5660016B2 (ja) | 2003-04-11 | 2011-12-05 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
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JP2014136910A Expired - Fee Related JP5862716B2 (ja) | 2003-04-11 | 2014-07-02 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015010863A Expired - Fee Related JP5900669B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-01-23 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
JP2015127873A Expired - Fee Related JP6028838B2 (ja) | 2003-04-11 | 2015-06-25 | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
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- 2004-03-17 KR KR1020117031356A patent/KR101177332B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 KR KR1020127006824A patent/KR101304105B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG2012031738A patent/SG2012031738A/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020187013961A patent/KR20180054929A/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 CN CN201010510290.6A patent/CN101980086B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020147000451A patent/KR101475657B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG10201404132YA patent/SG10201404132YA/en unknown
- 2004-03-17 SG SG2012031233A patent/SG194260A1/en unknown
- 2004-03-17 CN CN2004800097020A patent/CN101002140B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG200717562-3A patent/SG139734A1/en unknown
- 2004-03-17 SG SG200717561-5A patent/SG139733A1/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020147022733A patent/KR101533206B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 EP EP13154187.2A patent/EP2613195B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 EP EP13154185.6A patent/EP2613193B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG200717564-9A patent/SG139735A1/en unknown
- 2004-03-17 JP JP2006506525A patent/JP4315198B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-17 WO PCT/IB2004/001259 patent/WO2004090577A2/en active Application Filing
- 2004-03-17 EP EP13154181.5A patent/EP2618213B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 SG SG10201603067VA patent/SG10201603067VA/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020117014236A patent/KR101225884B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 EP EP13154183.1A patent/EP2613192B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020057019366A patent/KR101159564B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG2012031209A patent/SG2012031209A/en unknown
- 2004-03-17 EP EP14200551.1A patent/EP2887143B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020137013439A patent/KR101498405B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 KR KR1020117014237A patent/KR101225829B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 EP EP16186292.5A patent/EP3141953A3/en not_active Withdrawn
- 2004-03-17 CN CN2010105103063A patent/CN101980087B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 EP EP04721260.0A patent/EP1616220B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 EP EP13154186.4A patent/EP2613194B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-17 KR KR1020177000845A patent/KR101861493B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG200717576-3A patent/SG139736A1/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020127006823A patent/KR101245031B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 KR KR1020117014234A patent/KR101178756B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG2012031746A patent/SG194264A1/en unknown
- 2004-03-17 KR KR1020147017763A patent/KR101577555B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-17 SG SG10201504396VA patent/SG10201504396VA/en unknown
- 2004-03-17 SG SG2012031217A patent/SG2012031217A/en unknown
- 2004-04-09 TW TW101108066A patent/TWI425302B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW107100503A patent/TWI648589B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW101108065A patent/TWI397762B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW093109873A patent/TWI342036B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW100122562A patent/TWI364623B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW104111404A patent/TWI545387B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW100122561A patent/TWI372309B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW102115386A patent/TWI437351B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW096142836A patent/TWI346349B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW103123289A patent/TWI545386B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW096142837A patent/TWI382270B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW106103664A patent/TWI614564B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW102115385A patent/TWI486701B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW100127308A patent/TW201144925A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW096142839A patent/TWI346345B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 TW TW104142913A patent/TWI578091B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-09-07 IL IL170735A patent/IL170735A/en active IP Right Grant
- 2005-09-29 US US11/237,721 patent/US7372538B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-10-27 US US11/259,061 patent/US7327435B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-07-17 HK HK06107939.3A patent/HK1087782A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-18 US US11/785,539 patent/US9081298B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-11 US US11/798,262 patent/US7545479B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-22 US US11/812,925 patent/US8848168B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-10 US US11/822,804 patent/US8514367B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-06 US US11/882,837 patent/US8269944B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-26 US US11/984,980 patent/US8035795B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111219A patent/JP4775402B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012365A patent/JP4952804B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-19 US US12/662,471 patent/US8351019B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-08 US US12/923,822 patent/US8488100B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-08 US US12/923,823 patent/US8879047B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-10 IL IL209224A patent/IL209224A/en active IP Right Grant
- 2010-11-10 IL IL209222A patent/IL209222A0/en active IP Right Grant
- 2010-11-10 IL IL209223A patent/IL209223A/en active IP Right Grant
- 2010-11-18 IL IL209439A patent/IL209439A/en active IP Right Grant
-
2011
- 2011-05-19 JP JP2011112549A patent/JP5440551B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-05 JP JP2011266301A patent/JP5660016B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-05 JP JP2011266300A patent/JP5556798B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078264A patent/JP5556840B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-18 JP JP2013127364A patent/JP5510596B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-07-17 US US13/944,487 patent/US9329493B2/en active Active
- 2013-07-18 US US13/945,407 patent/US8610875B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-18 US US13/945,201 patent/US8634057B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-19 US US13/946,317 patent/US8848166B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-11-22 HK HK13113046.2A patent/HK1185667A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-11-22 HK HK13113042.6A patent/HK1185666A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-11-22 HK HK13113041.7A patent/HK1185665A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-11-22 HK HK13113047.1A patent/HK1185668A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-12-06 HK HK13113573.3A patent/HK1186526A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-07-02 JP JP2014136910A patent/JP5862716B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-23 JP JP2015010863A patent/JP5900669B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-09 US US14/734,783 patent/US9946163B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 JP JP2015127873A patent/JP6028838B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-11-04 HK HK15110872.5A patent/HK1210279A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-02-15 JP JP2016026294A patent/JP6090486B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-04-26 US US15/138,829 patent/US9500960B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-04-11 US US15/950,619 patent/US20180231898A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015172787A (ja) * | 2003-04-11 | 2015-10-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120515 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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