KR20010110430A - 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

단결정 GaN 층을 적어도 표면에 갖는 GaN 기판(30)상에, 질화물 반도체로 이루어진 복수의 소자 형성층을 적층한 질화물 반도체 소자에 있어서, GaN 기판(30)에 접하는 소자 형성층(1)의 열팽창 계수를 GaN보다도 작게 함으로써, 그 소자 형성층(1)에 압축 왜곡을 가한다. 이로 인해, 소자 형성층내에 발생하는 크랙이 억제되고, 수명특성이 뛰어난 질화물 반도체 소자를 얻을 수 있다.

Description

질화물 반도체 소자 및 그 제조방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURINO METHOD}
최근, 질화물 반도체로 이루어진 청색 발광 다이오드가 실용화되고 있고, 더욱이, GaN 기판을 사용함으로써 질화물 반도체로 이루어진 청색 레이저 다이오드의 실용화도 가능하게 되었다.
예를 들면, 본 발명자들은 Jap. J. of Appl. Physics. Vo1.37 (1998) pp. L309-L312에 GaN 기판을 이용한 질화물 반도체 레이저 소자를 개시하고 있다. GaN 기판은, 예를 들어, 다음과 같이 하여 제조할 수가 있다. 사파이어상에 GaN층을 일단 성장시키고, 그 위에 SiO2로 이루어진 보호막을 부분적으로 형성하고, 그 위에 단결정 GaN을 성장시킨 후, 사파이어 기판을 제거한다. 재차 성장시킨 단결정 GaN은 기판면에 대해 가로 방향으로 우선적으로 성장하기 때문에, 전위의 진행을 멈출수 있다. 따라서, 이 제조방법에 의하면 전위가 적은 GaN 기판을 얻을 수 있다. 그리고, 전위가 적은 GaN 기판을 이용하여 제조된 질화물 반도체 레이저 소자는 1만시간 이상의 연속발진을 달성할 수가 있었다.
본 발명은, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD) 혹은 다른 전자 디바이스, 파워 디바이스등에 사용되는 질화물 반도체 소자(InxAlyGa1-X-YN, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)에 관한 것으로, 특히, GaN 기판을 이용한 질화물 반도체 소자에 있어서, 질화물 반도체층에 생기는 미세한 크랙을 방지하는 것에 관한다.
도1은 GaN 기판의 제조 공정을 나타낸 모식적 단면도이다.
도2는 GaN 기판의 도1에 이은 제조공정을 나타낸 모식적 단면도이다.
도3은 GaN 기판의 도2에 이은 제조공정을 나타낸 모식적 단면도이다.
도4는 GaN 기판의 도3에 이은 제조공정을 나타낸 모식적 단면도이다.
도5는 본 발명의 일실시형태인 질화물 반도체 레이저 소자를 나타낸 모식적 단면도이다.
도6a 내지 도 6f는 리지 형상의 스트라이프를 형성하는 공정을 나타낸 부분 단면도이다.
1만 시간 이상 연속 발진 가능한 질화물 반도체 레이저 소자는 실용에 견디는 것이지만, 일부 사용에 있어서는 한층 더 수명의 연장이 요구되고 있다. 그리하여, 상술한 방법에 의해 얻은 질화물 반도체 레이저 소자를 상세히 조사한 결과, GaN 기판상에 성장된 질화물 반도체층, 특히 GaN 기판의 바로 위에 형성되는 n형 GaN 콘택층내에 극히 미세한 크랙이 발생하기 쉽다는 것이 밝혀졌다. 상기 미세한 크랙은 일반적인 광학 현미경으로는 관찰할 수가 없지만 형광 현미경에 의해서 관찰할 수 있다. GaN 기판상에 동일 조성의 GaN 층을 형성함에도 불구하고, GaN 층에 미세한 크랙이 발생하기 쉽다는 것은 놀랄만한 사실이다. 이러한 미세한 크랙의 발생은 가로 방향 성장을 이용하여 제조한 GaN 기판에 특유의 현상일 가능성도 있지만, 두꺼운 막의 GaN 층에 박막의 GaN을 성장시킴으로써 발생하는 문제여서 GaN 기판을 이용했을 때에 일반적으로 생기는 문제라고도 생각된다. 상기 미세한 크랙은, 레이저 소자의 문턱값의 상승이나 수명 특성의 저하에 연결되어 있다고 예상된다. 또한, GaN 기판을 사용하여 레이저 소자 이외의 질화물 반도체 소자를 구성하는 경우에 있어서도, 미세한 크랙의 발생은 신뢰성 향상에 방해가 된다.
그래서, 본 발명은, GaN 기판을 이용한 질화물 반도체 소자에 있어서, 질화물 반도체 소자층에 발생하는 매우 미세한 크랙을 억제함으로써 GaN 기판을 이용한 질화물 반도체 소자의 수명 특성을 높이고, 더욱이 신뢰성을 높이는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 질화물 반도체 소자는, GaN 기판상에 성장한 소자 형성층(질화물 반도체층)중, GaN 기판에 직접 접하는 층에 압축 왜곡을 가함으로써, 매우 미세한 크랙의 발생을 억제하는 것을 특징으로 하는 것이다.
압축 왜곡은, GaN 기판에 직접 접하는 소자 형성층의 열팽창 계수를 GaN보다도 작게함으로써 가할 수 있다.
열팽창 계수가 GaN보다도 작은 소자 형성층에는, AlaGa1-aN (0<a≤1)을 사용하는 것이 바람직하다. AlaGa1-aN의 열팽창 계수의 값은 GaN 기판에 비해 약간 작고, 또한, GaN 기판상에 양호한 결정으로서 성장시킬 수 있기 때문이다.
또한, GaN기판의 위에 형성하는 디바이스 구조는, A1을 함유하는 n형 크래드층, InGaN을 포함하는 활성층, 및 Al를 함유하는 p형 클래드층을 갖는 것이 바람직하다. 이로 인해, 미세한 크랙의 발생을 방지하는 것과 상승적으로 작용하여 특성이 양호한 소자가 얻어진다.
GaN 기판에 접하는 소자 형성층, 예를 들면 AlaGa1-aN (0<a≤1)층은, GaN 기판상에 형성되는 디바이스 구조에 따라 여러 가지 기능을 갖는 층으로 할 수 있다. 예를 들면, 미세한 크랙의 발생을 방지하기 위한 버퍼층이어도 좋고, n형 콘택층이어도 좋다. 또한, GaN 기판이 기판 전체로서 도전성인 경우에는 n형 클래드층으로할 수도 있다.
또한, GaN 기판은 GaN의 가로 방향 성장을 이용하여 제조된 것이 바람직하다. 가로 방향 성장을 이용하여 성장된 GaN 기판을 이용하면, 소자 형성층으로의 미세한 크랙 뿐만 아니라 전위의 전파도 억제하여, 양호한 질화물 반도체 소자로 할 수 있다.
본 발명의 질화물 반도체의 제조방법은,
(a) 질화물 반도체와 다른 사파이어나 SiC 등의 보조 기판상에 제1 질화물 반도체층을 성장하는 공정과,
(b) 상기 제1 질화물 반도체층에 스트라이프 모양 또는 섬모양의 주기적 요철을 형성하는 공정과,
(c) 상기 제1 질화물 반도체층상에 단결정 GaN층을 성장하여 GaN 기판을 형성하는 공정과,
(d) 상기 GaN 기판상에 GaN보다도 열팽창 계수가 작은 제2 질화물 반도체층을 성장하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 단결정 GaN 층의 성장 후, 더욱이 상기 보조 기판을 제거하여 GaN 기판을 형성해도 좋다.
본 발명에 의하면, GaN 기판에 접하는 소자 형성층의 열팽창 계수를 GaN보다도 작게 함으로써, 소자 형성층에 압축 왜곡을 가해 미세한 크랙의 발생을 억제할 수가 있다. 이는, 다음과 같이 설명할 수 있다. 예를 들면, Si, GaN, 사파이어의 열팽창 계수를 각각 ε1,ε2.ε3라 하면, ε1<ε2<ε3의 대소관계가 있다. SiC 기판상에 GaN을 성장시킨 경우, GaN에 크랙이 발생하기 쉽지만, 열팽창 계수ε1<ε2가 되기 때문에 SiC 기판상에 성장시킨 GaN에는 면내 방향으로 잡아 당겨 왜곡이 생긴다. 한편, 사파이어 기판에 GaN을 성장시킨 경우, GaN에 크랙이 발생하기 어렵지만, 열팽창 계수ε2<ε3이 되기 때문에 사파이어 기판상에 성장시킨 GaN에는 면내 방향으로 압축왜곡이 가해진다. 즉, 크랙 발생의 용이성은 그 층에 가해진 왜곡이 잡아 당김 왜곡인지 압축 왜곡인지에 의존한다. 기판상에 성장시키는 층의 열팽창 계수를 기판보다도 작게 함으로써, 그 층에 압축 왜곡을 가해 크랙을 억제할 수가 있다.
한편, GaN 기판상에 GaN을 성장시키는 경우에는, 성장시킨 GaN에 잡아당김 왜곡도 압축 왜곡도 가해질 리 없지만, 성장시킨 GaN에는 미세한 크랙이 발생하는 경향이 있다.
따라서, GaN 기판상에 성장시키는 질화물 반도체층의 열팽창 계수가, GaN의 열팽창 계수와 동등 이상이면 성장시킨 층내부에 미세한 크랙이 발생하고, 질화물 반도체층의 열팽창 계수를 기판보다도 작게 하여 약간 압축 왜곡을 가하면 크랙의 발생을 방지할 수 있다고 추정된다.
본 발명에 있어서 GaN 기판이란, 전위 밀도가 낮은 단결정 GaN층으로 이루어진 표면을 갖는 기판을 가리키며, 단체의 GaN 단결정층으로 이루어진 기판이더라도, 사파이어나 SiC 등의 질화물 반도체와 다른 재료로 이루어진 이종 기판상에 전이 밀도가 낮은 GaN 단결정층을 성장시킨 기판이어도 좋다.
또한, GaN 기판의 제조에는, 소자를 형성 가능한 정도로 전위 밀도가 낮은 단결정 GaN을 성장시킬 수 있는 방법이면 여러가지 방법을 사용할 수 있지만, GaN 단결정층을 가로 방향 성장 과정을 거쳐 성장시키는 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 가로 방향 성장 과정을 거침으로써 GaN 단결정가운데로 전위의 진행이 억제되고, 저전위 밀도의 GaN 기판으로 할 수 있다. 여기서 가로 방향 성장과정에는, GaN 단결정이 기판 수직방향 뿐만 아니라 기판 평행 방향에도 성장함으로써, 기판 수직 방향으로의 결정 전위의 진행이 억제되는 모든 과정이 포함된다.
가로 방향 성장과정을 거쳐 GaN 단결정층을 성장시키는 방법에는, 예를 들어, 상술한 J. J. A. P.에 기재되어 있는 SiO2를 사용하여 GaN의 가로 방향의 성장을 일으키는 방법 외에, USP09/202, 141, 특개평11-312825호, 동11-340508호 공보, 특원평 11-37827, 동11-37826, 동11-168079, 동11-218122 각호의 명세서등에 제안되고 있는 ELOG 성장법을 이용할 수 있다.
상기 각 명세서등에 기재되어 있는 ELOG 성장에 의해 얻어진 GaN은, 전위 밀도가 저감된 기판이 되고, 이들 기판에 본 발명을 적용함으로써, 소자의 수명 특성이 양호해 진다.
그 중에서도, 특원평 11-37827호 명세서에 제안한 방법을 이용하는 것이 바람직하다. 사파이어등의 이종 기판상에 GaN층 또는 AlGaN층 등의 질화물 반도체층을 형성하고, 상기 질화물 반도체층에 그 위에 성장시키는 GaN 단결정이 가로 방향에도 성장하도록 주기적인 스트라이프 모양 또는 섬모양의 요철을 형성하고, 더욱이 그 요철 또는 마스크를 덮어 단결정 GaN을 성장시킨다. 이로 인해, GaN층을 가로 방향으로 성장시켜 전위의 진행을 억제하고, 전위가 적은 GaN 기판을 얻을 수 있다. 한편, 질화물 반도체만으로 이루어진 GaN 기판으로 하는 경우에는, GaN 단결정을 두꺼운 막으로 성장하여 이종 기판을 제거하면 된다.
이러한 가로 방향으로 성장시킨 GaN 단결정층을 표면에 갖는 기판위에 GaN보다도 열팽창 계수가 작은 질화물 반도체층을 성장시킴으로써, 그 위에 형성하는 질화물 반도체 소자에 있어서 전위 및 미세한 크랙의 발생을 양호하게 방지하여, 질화물 반도체 소자의 신뢰성을 향상할 수 있다. 이 방법에 의해 형성한 GaN 기판에 본 발명을 적용한 구체예를 이후에 설명할 실시예에 나타낸다.
한편, 상기 각 명세서에 기재된 제조 방법은, ELOG 성장후에 이종 기판을 제거하여 질화물 반도체만으로 이루어진 GaN 기판으로 하는 것이다. 그러나, ELOG 성장에 의해 이종 기판상에 전위가 저감된 질화물 반도체를 형성한 후, 이종 기판을 제거하지 않고서 이종 기판과 질화물 반도체로 이루어진 GaN기판으로서 사용할 수도 있다.
질화물 반도체만으로 이루어진 GaN 기판을 사용하면, GaN 기판의 디바이스 구조를 형성하는 면과는 반대면에 n전극을 형성할 수가 있어, 칩을 작게 할 수 있는 이점이 있다. 또한 GaN 기판이 질화물 반도체만으로 이루어지면, 방열성이나 벽개에 의한 공진면의 형성이 용이해 지는 등의 점에서도 이점이 있다. 이 경우, 질화물 반도체층을 적층하여 디바이스 구조를 형성하는 면은, 이종 기판을 제거한 면과는 반대의 면으로 하는 것이 소자 특성의 점에서 바람직하다.
한편, 이종 기판과 질화물 반도체로 이루어지는 GaN 기판을 이용하면, 웨이퍼의 균열이나 결함을 방지할 수 있고 핸들링성의 점에서 이점이 있다. 더욱이, 이종 기판을 제거하는 공정이 불필요해 지기 때문에 제조시간의 단축화 등의 점에서도 이점이 있다. 한편, 이종 기판과 질화물 반도체로 이루어지는 GaN 기판의 경우에도, 이종 기판에 도전성이 있는 경우는 이종 기판의 이면에 n전극을 형성할 수가 있다.
또한, GaN 기판상에 GaN보다 열팽창 계수가 작은 질화물 반도체를 성장시키기 전에, GaN 기판의 표면을 에칭해도 된다. GaN 기판은 제작되는 과정에서 표면에 요철이 생기는 경우가 있으므로, 에칭하여 표면을 평탄하게 하고 나서 질화물 반도체를 성장시키는 것이 미세한 크랙을 방지하는 점에서 바람직하다.
도5는, 본 발명에 관한 질화물 반도체 소자의 일예를 나타낸 단면도이다. GaN 기판(30)상에 반도체 레이저를 구성하기 위한 질화물 반도체로 이루어진 소자 형성층(1∼10)이 적층되어 있다. GaN 기판(30)에 접하는 소자 형성층(1)의 열팽창 계수는 GaN보다도 작게 설정되고, 소자 형성층(1)에 압축응력이 가해져 미세한 크랙의 발생이 억제되도록 되어 있다.
GaN 기판(30)에 접하는 소자 형성층(1)은, GaN보다 열팽창 계수가 작은 재료이면 어떠한 질화물 반도체라도 좋지만, 더욱이, 결정성을 손상하지 않는 조성인 것이 바람직하다. 예를 들어, AlaGa1-aN (0<a≤1)이 바람직하고, 보다 바람직하게는a의 값이 0<a<0.3이며, 더욱 바람직하게는 a의 값이 0<a<0.1이다. AlaGa1-aN은 미세한 크랙을 방지하는데 바람직한 재료이며, 더욱이 Al 조성비가 비교적 작으면 크랙을 방지하면서 결정성도 양호해지기 때문에 바람직하다.
또한, GaN 기판상에 열팽창 계수가 작은 질화물 반도체층을 형성하기 전에 GaN 기판의 형성면을 에칭해도 좋다. GaN 기판의 제작 방법 등에 의해서는, GaN 기판의 표면이 울퉁불퉁한 경우가 있으므로, 일단 표면을 에칭하여 평탄하게 하고 나서 열팽창 계수가 작은 질화물 반도체층을 형성하면 미세한 크랙의 방지 면에서 바람직하다.
GaN 기판보다 열팽창 계수가 작은 소자 형성층, 예를 들어 AlaGa1-aN의 막 두께는 특히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 1㎛ 이상이며, 보다 바람직하게는 3∼10㎛이다. 이와같은 막 두께이면 미세한 크랙의 방지의 면에서 바람직하다.
또한, GaN 기판에 접하는 소자 형성층(1)은, 소자 구조에 의해서 여러가지 기능의 층으로 할 수 있다. GaN 기판에 접하는 소자 형성층(1)의 막두께는, 그 기능을 고려하여 상기 막 두께의 범위내에서 막 두께를 조정한다. 도5에 나타낸 질화물 반도체 소자에 있어서는, GaN 기판에 접하는 소자 형성층(1)은, 그 위의 소자 형성층(2)과 함께 n형 전극(21)을 붙이기 위한 콘택층으로서 기능하고, 그 위에 Al을 함유하는 n형 클래드층(4), InGaN을 포함하는 활성층(6), 및 A1를 함유하는 p형 클래드층(9)이 형성되어 반도체 레이저가 구성된다.
한편, GaN 기판(30)이 기판 전체로서 도전성인 경우, 예를 들어 SiC 기판상에 단결정 GaN층이 성장된 기판이나 단결정 GaN층만으로 이루어진 기판인 경우에는, n형 전극을 GaN 기판의 이면에 붙여, GaN 기판에 접하는 소자 형성층(1)을, 빛을 가두기 위한 클래드층으로 할 수도 있다.
또한, GaN 기판에 접하는 소자 형성층(1)을 성장시킬 때에, 그 기능에 따라서 불순물을 도프시켜도 좋다. 불순물로서는 특히 한정되지 않고, n형이어도 p형이어도 좋다. 불순물의 도프량은 클래드층이나 콘택층 등의 층의 기능에 맞추어 적절하게 조절한다.
도5에 나타낸 질화물 반도체 소자에 있어서는, GaN 기판(30)에 접하는 소자 형성층(1)을 언도프된 n형 A1aGal-aN 콘택층(1)으로 하고, 그 위에 n형 AlaGal-aN 콘택층(2)을 형성하고 있다. 이와 같이 언도프된 n형 AlaGal-aN층(1)상에 불순물 도프한 n형 A1aGa1-aN을 성장시키면, 미세한 크랙의 방지 및 결정성의 면에서 바람직하다. 이 경우의 언도프된 n형 A1aGal-aN 콘택층(1)은 버퍼층과 같은 작용을 겸비하고 있다. 언도프된 n형 A1aGal-aN층의 막두께는 바람직하게는 수㎛ 이다.
한편, GaN 기판에 접하는 소자 형성층(1)상에 n형 전극(21)을 직접 형성하는 경우에는, n형 불순물(바람직하게는 Si)을 도프된 질화물 반도체층을 GaN 기판(30)상에 성장시킨다.
n형 불순물의 도프량으로서는, 바람직하게는 1 ×1018/cm3∼5 ×1018/cm3이다. 소자 형성층(1)을 단독으로 n형 콘택층으로 하는 경우의 막두께로서는 바람직하게는 1∼10㎛이다. 이 범위이면, 미세한 크랙을 방지하고, n형 콘택층으로서의 기능을 발휘할 수 있어 바람직하다.
GaN 기판(30)은 질화물 반도체만으로 이루어지는 기판이어도, 이종 기판과 질화물 반도체로 이루어지는 기판이어도 좋지만, 그 GaN 단결정층이 가로 방향 성장 과정을 거쳐 성장된 것이 바람직하다. 가로 방향 성장을 이용하여 제조된 GaN 기판(30)을 사용함으로써, 소자 형성층1∼10에 있어서의 전위의 발생을 억제하여 소자의 제반 특성을 양호하게 할 수 있다.
GaN 기판(30)은, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조된 것이 바람직하다. 우선, 도1에 나타낸 바와 같이, 질화물 반도체와 다른 재료로 이루어진 이종 기판(11)상에, 적당한 버퍼층을 통해 GaN층 또는 AlGaN층 등의 질화물 반도체층(12)을 형성한다. 이종 기판으로서는, 예를 들어, 사파이어, SiC, 스피넬(spinel)등을 사용할 수 있다. 이어서, 도2에 나타낸 바와 같이, 상기 질화물 반도체층(12)에, 그 위에 성장시키는 GaN 단결정이 가로 방향으로도 성장하도록 주기적인 스트라이프 모양 또는 섬 모양의 요철을 형성한다. 상기 스트라이프 모양 또는 섬 모양의 요철은, 도2에 나타낸 바와 같이 질화물 반도체층(12)을 잔류하도록 형성해도 좋지만, 더욱이 질화물 반도체층(12)을 관통하여 이종 기판(11)의 일부를 제거하도록 형성해도 좋다. 이종 기판(11)의 일부를 제거하는 깊이로 요철을 형성함으로써, 볼록부에서 가로 방향으로 성장하는 GaN 단결정이 접합하는 부분에서의 결정의 왜곡이 완화되어 보다 양호한 단결정 GaN을 얻을 수 있다. 또한, 질화물 반도체층(12)을 AlGaN과 GaN의 2층 구조로 하여, AlGaN의 일부를 제거하는 깊이까지 요철을 형성해도 좋다. 그리고, 도3 및 도4에 나타낸 바와 같이, 질화물 반도체층(12)의 요철을 덮어 단결정 GaN(13)을 성장시킨다. 이렇게 하여 이종 기판과 질화물 반도체로 이루어지는 GaN 기판을 얻을 수 있다.
질화물 반도체만으로 이루어지는 GaN 기판으로 하는 경우에는, GaN 단결정을 HVPE 성장법 등의 성장 방법에 의해 두꺼운 막으로 성장하고, 그 후에 사파이어 등의 이종 기판(11)을 제거하면 된다.
GaN 기판(30)에 이종 기판(11)을 남기는 경우, GaN 기판(30)의 단결정 GaN의 부분의 막 두께는 100㎛ 이하, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 막 두께의 하한은, ELOG 성장에 의해 보호막이나 요철이 덮여 전위가 저감할 수 있는 정도의 막 두께이면 된다. 예를 들면 수㎛ 이상이다. 막 두께가 이 범위이면, 전위의 저감의 면에서 바람직할 뿐만 아니라, 이종 기판과 질화물 반도체의 열팽창 계수차에 의한 웨이퍼의 휘어짐을 방지할 수 있고, 더욱이 그 위에 디바이스 구조를 양호하게 성장시킬 수 있다.
또한, GaN 기판(30)에서 이종 기판(1l)을 제거하는 경우, 질화물 반도체만으로 이루어지는 GaN 기판의 막 두께로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 50∼500㎛이며, 보다 바람직하게는 100∼300㎛ 이다. GaN 기판의 막 두께가 상기 범위이면, 전위가 양호한 저감과 함께 기계적 강도가 유지되어 바람직하다.
또한, 더욱이 결정성이 양호한 단결정 GaN층을 형성하기 위해서는, 상기 방법을 대신하여 다음과 같은 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 우선, 상기 방법과 마찬가지로, 이종 기판(l1)의 위에 성장시킨 질화물 반도체층(12)에 요철을 형성하고, 그 위에 단결정 GaN층(13)을 HVPE 성장에 의해 두꺼운 막으로 성장시킨다 (첫번째의 단결정 GaN 성장). 이어서, 단결정 GaN층(13)상에 SiO2등의 마스크를 주기적인 스트라이프 모양 또는 섬 모양으로 형성하고, 그 SiO2등의 마스크를 덮어 단결정 GaN층을 MOCVD 법에 의해서 가로 방향으로 성장시킨다 (두번째의 단결정 GaN 성장). 이종 기판(11)을 제거하는 경우에는, 첫번째의 GaN 단결정(13)의 성장이 끝난 후에 행하는 것이 바람직하다. 또한, 첫번째의 GaN 단결정(13)의 성장이 끝난 후, 에칭을 행하여 표면을 평탄화한 후에 두번째의 GaN 단결정 성장을 실행해도 좋다. 요철 형성과 HVPE에 의한 첫번째의 단결정 GaN 성장에 의해, 용이하게 두꺼운 막의 단결정 GaN을 얻을 수 있지만, 상기 단결정 GaN은 오목부 근방에 구멍이 생기는 등 결정성이 충분해 지지 않는 경우가 있다. 그리하여, SiO2마스크를 사용하여 MOCVD법에 의해 두번째의 GaN 단결정 성장을 행함으로써, 보다 결정성이 양호한 단결정 GaN층을 얻을 수 있다.
한편, 가로 방향 성장시킨 GaN 기판(30)에서 이종 기판(11)을 제거한 경우, GaN 단체에 약간 휘어짐이 생기는 경향이 있다. 이는, 이종 기판의 제거면과 성장면 표면의 물리적 성질이 다르다는 것을 나타내고 있다. 본 발명의 과제로서 설명한 미세한 크랙은, 이러한 표면의 물리적인 차이에 의해 발생하고 있을 가능성도 있다. 그러나, 원인이 어떻든지 간에, GaN 기판상에 열팽창 계수가 작은 층, 예를 들어 A1aGal-aN층을 성장시킴으로써, 미세한 크랙의 발생을 방지할 수 있고, 결정성이 양호한 디바이스 구조를 형성할 수가 있다.
본 발명에 있어서, GaN 기판에 접하는 소자 형성층에 압축 응력을 가함으로써 미세한 크랙의 발생을 방지한다고 하는 효과는, GaN 기판의 위에 형성되는 소자 구조에 관계없이 얻어지는 것이다. 그러나, GaN 기판(30)의 위에 형성하는 소자가, Al을 함유하는 n형 클래드층, InGaN을 포함하는 활성층, 및 A1을 함유하는 p형 클래드층을 포함하는 발광소자인 것이 바람직하다. 상기 소자 구조를 채용함으로써, GaN 기판에 접하는 소자 형성층의 열팽창 계수를 GaN보다도 작게 하는 것과 상승적으로 작용하여, 신뢰성이 높은 질화물 반도체 발광 소자를 얻을 수 있다. 소자 형성층이 되는 질화물 반도체의 성장에는, MOVPE (유기금속 기상 성장법), MOCVD (유기금속 화학 기상 성장법), HVPE (할라이드 기상 성장법), MBE(분자선 기상 성장법)등, 질화물 반도체를 성장시키는 데 알려져 있는 모든 방법을 적용할 수 있다.
이하에 본 발명의 실시예를 게시한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
[실시예1]
실시예1로서, 도5에 나타낸 질화물 반도체 레이저 소자를 제조했다.
(GaN 기판의 제조방법)
도1∼도4에 나타낸 각 공정에 따라 GaN 기판을 제조했다. 2인치Φ, C면을 주면으로 하고, 올리프라면을 A면으로 하는 사파이어 기판(11)을 반응 용기내에 셋트하고, 온도를 510℃로 하여, 캐리어 가스로 수소, 원료 가스로 암모니아와 TMG (트리메틸 갈륨)를 이용하고, 사파이어 기판(11)상에 GaN으로 이루어진 버퍼층(도시안됨)을 약 200Å의 막 두께로 성장시켰다.
버퍼층을 성장한 후, TMG만 멈추고 온도를 1050℃까지 상승시켰다. 1050℃가 되면, 원료 가스로 TMG, 암모니아를 사용하고, 언도프된 GaN으로 이루어진 제1 질화물 반도체층(12)을 2㎛의 막 두께로 성장시켰다(도1).
제1 질화물 반도체층(12)을 성장한 후, 스트라이프 모양의 포토마스크를 형성하고, 스퍼터 장치에 의해 스트라이프 폭(볼록부의 상부가 되는 부분) 5㎛, 스트라이프 간격(오목부 저부가 되는 부분) 15㎛에 패터닝된 SiO2막을 형성하고, 이어서, RIE 장치에 의해 SiO2막이 형성되어 있지 않은 부분의 제1 질화물 반도체층(12)을 제1 질화물 반도체(12)가 잔류할 정도로 도중까지 에칭하여 요철을 형성함으로써, 오목부 측면에 제1 질화물 반도체 (l2)를 노출시켰다(도2). 도2와 같이 요철을형성한 후, 볼록부 상부의 SiO2를 제거했다. 한편, 스트라이프 방향은 올리프라면에 대하여 수직한 방향으로 형성했다.
이어서, 반응 용기내에 셋트하고, 온도를 1050℃에서 원료 가스로 TMG, 암모니아를 사용하고, 언도프된 GaN으로 이루어진 제2 질화물 반도체층(13)을 약 320㎛의 막 두께로 성장시켰다(도3 및 도4).
제2 질화물 반도체층(13)을 성장한 후, 웨이퍼를 반응 용기에서 꺼내고, 언도프된 GaN으로 이루어지는 GaN 기판(30)을 얻었다. 상기 얻어진 GaN 기판(30)에서 사파이어 기판을 제거하고, 제거한 면과는 반대의 성장면상에, 도5에 나타낸 바와 같이, 하기의 디바이스 구조를 성장시켰다. GaN으로 이루어지는 기판(30)의 막 두께는 약 300㎛ 였다.
(언도프된 n형 콘택층(1): 본 발명의 AlaGa1-aN)
GaN 기판(30)상에, 1050℃에서 원료 가스로 TMA (트리메틸알루미늄), TMG, 암모니아 가스를 사용하여 언도프된 Al0.05Ga0.95N으로 이루어진 언도프된 n형 콘택층(1)을 1㎛의 막 두께로 성장시켰다.
(n형 콘택층(2): 본 발명의 AlaGal-aN) ·
이어서, 같은 온도에서, 원료 가스로 TMA, TMG 및 암모니아를 이용하고, 불순물 가스로 실란 가스(SiH4)를 이용하고, Si를 3 ×1018/cm3도프한 Al0.05Ga0.95N으로 이루어진 n형 콘택층(2)을 3㎛의 막 두께로 성장시켰다.
여기서, 상기 성장된 n형 콘택층(2)(n형 콘택층(1)을 포함함)에는 미세한 크랙이 발생하지 않고, 미세한 크랙의 발생이 양호하게 방지되었다. 또한, GaN 기판(30)에 미세한 크랙이 생기더라도, n형 콘택층(2)을 성장시킴으로써 미세한 크랙의 전파를 방지할 수 있고 결정성이 양호한 소자 구조를 성장시킬 수 있다. 결정성의 개선은 n형 콘택층(2)만의 경우보다, 상기한 바와 같이 언도프된 n형 콘택층(1)을 성장시킴으로써 보다 양호해 진다.
(크랙 방지층(3))
이어서, 온도를 800℃로 하여, 원료 가스로 TMG, TMI(트리메틸인듐) 및 암모니아를 이용하고, 불순물 가스로 실란가스를 이용하고, Si를 5 ×1018/cm3도프한 In0.08Ga0.92N으로 이루어진 크랙 방지층(3)을 0.15㎛의 막 두께로 성장시켰다.
(n형 클래드층(4))
이어서, 온도를 1050℃로 하여, 원료 가스로 TMA, TMG 및 암모니아를 사용하고, 언도프된 Al0.14Ga0.86N으로 이루어진 A층을 25Å의 막 두께로 성장시키고, 이어서, TMA를 멈추고, 불순물 가스로서 실란 가스를 사용하고, Si를 5 ×1018/cm3도프한 GaN으로 이루어진 B층을 25Å의 막 두께로 성장시켰다. 그리고, 이 조작을 각각 160회 반복하여 A층과 B층을 적층하고, 총 막두께 8000Å의 다층막(초격자 구조)으로 이루어진 n형 클래드층(4)을 성장시켰다.
(n형 가이드층(5))
이어서, 같은 온도에서 원료가스로 TMG 및 암모니아를 사용하고, 언도프된 GaN으로 이루어진 n형 가이드층을 0.075㎛의 막두께로 성장시켰다.
(활성층(6))
이어서, 온도를 800℃로 하여, 원료 가스로 TMI, TMG 및 암모니아를 사용하고, 불순물 가스로서 실란 가스를 사용하고, Si를 5 ×1018/cm3도프한 In0.01Ga0.99N으로 이루어진 장벽층을 100Å의 막두께로 성장시켰다.
이어서, 실란가스를 멈추고, 언도프된 In0.11Ga0.89N으로 이루어진 우물층을 50Å의 막 두께로 성장시켰다. 이 조작을 3회 반복하고, 마지막으로 장벽층을 적층하여 총 막두께 550Å의 다중 양자 우물 구조(MQW)의 활성층(6)을 성장시켰다.
(p형 전자 폐색층(7))
이어서, 같은 온도에서 원료가스로 TMA, TMG 및 암모니아를 사용하고, 불순물 가스로서 Cp2Mg (시클로펜타디에닐마그네슘)을 사용하고, Mg을 1×l019/cm3도프한 Al0.4Ga0.6N으로 된 p형 전자폐색층(7)을 100Å의 막두께로 성장시켰다.
(p형 가이드층(8))
이어서, 온도를 1050℃로 하여, 원료 가스로 TMG 및 암모니아를 사용하고, 언도프된 GaN 으로 된 p형 가이드층(8)을 0.075㎛의 막 두께로 성장시켰다.
상기 p형 가이드층(8)은 언도프로서 성장시켰지만, p형 전자 폐색층(7)에서의 Mg의 확산에 의해, Mg농도가 5 ×1016/cm3가 되어 p형을 나타낸다.
(p형 클래드층(9))
이어서, 같은 온도에서 원료 가스로 TMA, TMG 및 암모니아를 사용하고, 언도프된 Al0.lGa0.9N 으로 이루어진 A층을 25Å의 막두께로 성장시키고, 이어서 TMA를 멈추고, 불순물 가스로서 Cp2Mg를 사용하고, Mg를 5×10l8/cm3도프한 GaN 으로 이루어진 B층을 25Å의 막두께로 성장시켰다. 그리고, 이 조작을 각각 100회 반복하여 A층과 B층을 적층하고, 총 막두께 5000Å의 다층막(초격자 구조)으로 이루어진 p형 클래드층(9)을 성장시켰다.
(p형 콘택층(10))
이어서, 같은 온도에서 원료가스로 TMG 및 암모니아를 사용하고, 불순물 가스로서 Cp2Mg를 사용하고, Mg를 1 ×1020/cm3도프한 GaN으로 이루어진 p형 콘택층(10)을 150 옹스트롬의 막두께로 성장시켰다.
반응 종료후, 반응 용기내에서 웨이퍼를 질소 분위기중 700℃에서 어닐링을 행하여, p형층을 더욱 저저항화했다.
어닐링 후, 웨이퍼를 반응 용기에서 꺼내고, 최상층의 p측 콘택층의 표면에 SiO2로 된 보호막을 형성하여, RIE(반응성 이온 에칭)를 사용하여 SiC14가스에 의해 에칭하고, 도5에 나타낸 바와 같이, n전극을 형성해야 할 n측 콘택층(2)의 표면을 노출시켰다.
이어서 도6A에 나타낸 바와 같이, 최상층의 p측 콘택층(10)의 거의 전면에, PVD 장치에 의해 Si 산화물(주로 SiO2)로 이루어진 제1 보호막(61)을 0.5㎛의 막두께로 형성한 후, 제1 보호막(61)상에 소정의 형상의 마스크를 덮고, 포토레지스트로 이루어진 제3 보호막(63)을, 스트라이프 폭1.8㎛, 두께1㎛로 형성했다.
이어서, 도 6B에 나타낸 바와 같이 제3 보호막(63) 형성후, RIE (반응성 이온 에칭)장치에 의해 CF4가스를 이용하고, 제3 보호막(63)을 마스크로하여 상기 제1 보호막을 에칭하여 스트라이프 모양으로 했다. 그 후 에칭액으로 처리하여 포토 레지스터만을 제거함으로써, 도6C에 나타낸 바와 같이 p측 콘택층(10)상에 스트라이프 폭1.8㎛의 제1 보호막(61)을 형성할 수 있다.
더욱이, 도6D에 나타낸 바와 같이, 스트라이프 모양의 제1 보호막(61) 형성 후, 다시 RIE에 의해 SiCl4가스를 사용하여, p측 콘택층(10), 및 p측 클래드층(9)을 에칭하여, 스트라이프 폭1.8㎛의 리지 형상의 스트라이프를 형성했다.
리지 스트라이프 형성 후, 웨이퍼를 PVD 장치로 이송하고, 도6E에 나타낸 바와 같이, Zr 산화물(주로 ZrO2)로 이루어진 제2 보호막(62)을, 제1 보호막(61)의 위와, 에칭에 의해 노출된 p측 클래드층(9)의 위에 0.5㎛의 막두께로 연속하여 형성했다. 이와 같이 Zr 산화물을 형성하면 p-n면의 절연을 취할 수 있고, 가로 모드의 안정을 꾀할 수 있어 바람직하다.
이어서, 웨이퍼를 불산에 침지하고, 도6F에 나타낸 바와 같이, 제1 보호막(61)을 리프트 오프법에 의해 제거했다.
이어서, 도5에 나타낸 바와 같이 p측 콘택층(10)상의 제1 보호막(61)이 제거되어 노출된 그 p측 콘택층의 표면에 Ni/Au로 이루어진 p전극(20)을 형성했다. 한편, p 전극(20)은 100㎛의 스트라이프 폭으로서, 상기 도에 나타낸 바와 같이, 제2 보호막(62)의 위에 걸쳐 형성했다.
제2 보호막(62)형성 후, 도5에 나타난 바와 같이 노출시킨 n측 콘택층(2)의 표면에는 Ti/Al 로 이루어진 n전극(21)을 스트라이프와 평행한 방향으로 형성했다.
이상과 같이 하여, n 전극과 p 전극을 형성한 웨이퍼의 GaN 기판을 연마하여 거의 100㎛로 한 후, 스트라이프 모양의 전극에 수직한 방향으로, 기판측에서 바모양으로 벽개하고, 벽개면(11-00면, 육각기둥 형상의 결정의 측면에 상당하는 면=M면)에 공진기를 제작했다.
공진기면에 SiO2와 TiO2로 이루어진 유전체 다층막을 형성하고, 마지막으로 p전극에 평행한 방향에서, 바를 절단하여 도5에 나타낸 바와 같은 레이저 소자로 했다.
한편 공진기 길이는 300∼500㎛로 하는 것이 바람직하다.
얻어진 레이저 소자를 히트 싱크에 설치하고, 각각의 전극을 와이어 본딩하여, 실온에서 레이저 발진을 시도했다.
그 결과, 실온에 있어서 문턱값 2.5 kA/cm2, 문턱값 전압 5V에서 발진 파장 400nm의 연속발진이 확인되고, 실온에서 1만 시간 이상의 수명을 나타냈다.
[실시예2]
실시예1에 있어서, 언도프된 n형 콘택층(1)을 성장시키지 않고 n형 콘택층(2)을 성장시킨 외에는 마찬가지 형태로 레이저 소자를 제조했다.
얻어진 소자는, 실시예 1에 비해 다소 결정성이 떨어지는 경향을 보이지만, 실시예1과 거의 마찬가지로 미세한 크랙의 발생이 방지되고, 소자 특성도 양호했다.
[실시예3]
실시예1에 있어서, 언도프된 n형 콘택층(1) 및 Si 도프된 n형 콘택층(2)의 Al조성의 비를 0. 05에서 0. 2로 변경하는 것 외에는 마찬가지 형태로 레이저 소자를 성장시켰다.
얻어진 소자는 실시예 1과 거의 마찬가지로 양호한 결과를 얻을 수 있었다.
[실시예4]
실시예1에 있어서, 언도프된 n형 콘택층(1) 및 Si 도프된 n형 콘택층(2)의 A1조성비를 0.05에서 0.5로 변경하는 것 외에는 마찬가지 형태로 레이저 소자를 성장시켰다.
얻어진 소자는 실시예1에 비해 A1조성의 비가 커졌기 때문에 결정성이 약간 떨어지는 경향을 보이지만, 실시예1와 같이 미세한 크랙을 방지할 수 있고, 소자특성도 양호했다.
[실시예5]
실시예 l에 있어서, 언도프된 n형 콘택층(1)을 AlN으로 하고, Si 도프된 n형 콘택층(2)을 AlN으로 하는 것 외에는 마찬가지 형태로 레이저 소자를 제작했다.
얻어진 레이저 소자는, 실시예 1보다 n형 콘택층(1) 및 n형 콘택층(2)의 Al 조성비가 크기 때문에 다소 결정성이 떨어지지만. 실시예 1과 마찬가지로 미세한 크랙을 방지할 수 있고, 실시예 1과 거의 동등하게 양호한 수명 특성을 얻을 수 있었다.
[실시예6]
실시예 l에 있어서, 제2 질화물 반도체층(13)의 막두께를 15㎛로 하고, 게다가 사파이어 기판을 제거하지 않는다, 이종 기판과 질화물 반도체로 이루어지는 GaN 기판으로 하는 것 외에는 마찬가지 형태로 레이저 소자를 제작했다.
얻어진 레이저 소자는, 실시예 1에 비해 휘어짐이 약간 큰 경향을 보이지만, 미세한 크랙은 실시예 1과 마찬가지로 방지되었다. 또한, 실시예6의 레이저 소자는, 절연성의 사파이어 기판을 갖고 있기 때문에, 실시예 1에 비하면 다소 방열성의 면에서 뒤떨어지긴 하지만, 실시예 1과 거의 동등한 수명 특성을 갖고 있었다.
본 발명은, 첨부 도면을 참조하면서 바람직한 실시 형태에 관련하여 충분히 기재되어 있지만, 이 기술이 숙련된 사람들에게 있어서는 여러가지 변형이나 수정은 명백하다. 그와 같은 변형이나 수정은, 첨부한 청구 범위에 의한 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한, 그 속에 포함된다고 이해되어야 한다.
상기 내용에 포함되어 있음

Claims (8)

  1. 단결정 GaN층을 적어도 표면에 갖는 GaN 기판상에, 질화물 반도체로 이루어지는 복수의 소자 형성층을 적층한 질화물 반도체 소자에 있어서,
    상기 GaN 기판에 접하는 소자 형성층에 압축 왜곡이 가해지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 GaN 기판에 접하는 소자 형성층의 열팽창 계수가 GaN보다도 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 GaN 기판에 접하는 소자 형성층이 AlaGa1-aN (0<a≤1)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 소자 형성층이 A1을 함유하는 n형 클래드층, InGaN을 포함하는 활성층, 및 A1을 함유하는 p형 클래드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 AlaGa1-aN (0<a≤1)층이 n형 콘택층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 GaN 기판의 단결정 GaN층이 가로 방향 성장법에 의해 성장한 단결정층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  7. 단결정 GaN 층을 적어도 표면에 갖는 GaN 기판과, 상기 GaN 기판상에 적층한 복수의 질화물 반도체층으로 이루어진 소자 형성층을 구비한 질화물 반도체 소자의 제조방법에 있어서,
    질화물 반도체와 다른 보조 기판상에 제1 질화물 반도체층을 성장하는 공정과,
    상기 제1 질화물 반도체층에 스트라이프 모양 또는 섬 모양의 주기적 요철을 형성하는 공정과,
    상기 제1 질화물 반도체층상에 단결정 GaN 층을 성장하여 GaN 기판을 형성하는 공정과,
    상기 GaN 기판상에 GaN보다도 열팽창 계수가 작은 제2 질화물 반도체층을성장하는 공정을 구비한 질화물 반도체 소자의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 단결정 GaN층의 성장 후, 더욱이 상기 보조 기판을 제거하여 GaN 기판을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법.
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3587081B2 (ja) 1999-05-10 2004-11-10 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP3555500B2 (ja) 1999-05-21 2004-08-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体及びその製造方法
US6580098B1 (en) 1999-07-27 2003-06-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor
JP3427047B2 (ja) * 1999-09-24 2003-07-14 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法
JP2001185493A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP4432180B2 (ja) 1999-12-24 2010-03-17 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体
JP2001267242A (ja) 2000-03-14 2001-09-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
AU2001241108A1 (en) 2000-03-14 2001-09-24 Toyoda Gosei Co. Ltd. Production method of iii nitride compound semiconductor and iii nitride compoundsemiconductor element
TW518767B (en) 2000-03-31 2003-01-21 Toyoda Gosei Kk Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
JP2001313259A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子
EP2276059A1 (en) * 2000-08-04 2011-01-19 The Regents of the University of California Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates
US7619261B2 (en) 2000-08-07 2009-11-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor
JP2002222746A (ja) * 2001-01-23 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
DE60233386D1 (de) 2001-02-14 2009-10-01 Toyoda Gosei Kk Verfahren zur herstellung von halbleiterkristallen und halbleiter-leuchtelementen
JP3679720B2 (ja) 2001-02-27 2005-08-03 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
JP2002280314A (ja) 2001-03-22 2002-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法、及びそれに基づくｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP3690326B2 (ja) 2001-10-12 2005-08-31 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法
KR100427689B1 (ko) * 2002-02-21 2004-04-28 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 기판의 제조방법
US7177336B2 (en) 2002-04-04 2007-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device
US7485902B2 (en) * 2002-09-18 2009-02-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device
US7078743B2 (en) * 2003-05-15 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Field effect transistor semiconductor device
JP4218597B2 (ja) * 2003-08-08 2009-02-04 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP4011569B2 (ja) 2003-08-20 2007-11-21 株式会社東芝 半導体発光素子
JP4540347B2 (ja) 2004-01-05 2010-09-08 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子及び、その製造方法
JP4201725B2 (ja) 2004-02-20 2008-12-24 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2005294753A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Toshiba Corp 半導体発光素子
US7157297B2 (en) 2004-05-10 2007-01-02 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabrication of semiconductor device
JP4651312B2 (ja) 2004-06-10 2011-03-16 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法
JP4371029B2 (ja) * 2004-09-29 2009-11-25 サンケン電気株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP5155536B2 (ja) * 2006-07-28 2013-03-06 一般財団法人電力中央研究所 ＳｉＣ結晶の質を向上させる方法およびＳｉＣ半導体素子の製造方法
TWI341600B (en) * 2007-08-31 2011-05-01 Huga Optotech Inc Light optoelectronic device and forming method thereof
JP2009190936A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
US8395168B2 (en) * 2008-06-06 2013-03-12 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Semiconductor wafers and semiconductor devices with polishing stops and method of making the same
US20100200880A1 (en) * 2008-06-06 2010-08-12 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Semiconductor wafers and semiconductor devices and methods of making semiconductor wafers and devices
JP5591800B2 (ja) 2008-06-30 2014-09-17 ユニバーサル・ディスプレイ・コーポレーション トリフェニレンを含有するホール輸送材料
KR20160140980A (ko) 2008-06-30 2016-12-07 유니버셜 디스플레이 코포레이션 황 함유 그룹을 포함하는 정공 수송 물질
DE102011077542B4 (de) * 2011-06-15 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterkörpers
KR102369933B1 (ko) * 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
DE102016125430A1 (de) * 2016-12-22 2018-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser, Anordnung mit einem solchen Halbleiterlaser und Betriebsverfahren hierfür
PL3767762T3 (pl) 2019-07-14 2022-12-12 Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Dioda laserowa z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym i sposób wytwarzania takiej diody
CN110783176B (zh) * 2019-10-30 2022-07-12 广西大学 一种低应力半导体材料制备方法

Family Cites Families (335)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6405927A (ko) 1963-06-07 1964-12-08
DE1614574A1 (de) 1967-08-04 1970-10-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement,insbesondere Halbleiterbauelement mit pn-UEbergang
FR1597033A (ko) 1968-06-19 1970-06-22
DE1789061A1 (de) 1968-09-30 1971-12-23 Siemens Ag Laserdiode
DE1913676A1 (de) 1969-03-18 1970-09-24 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas
US4020791A (en) 1969-06-30 1977-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for indiffusing dopants into semiconductor material
US4404265A (en) 1969-10-01 1983-09-13 Rockwell International Corporation Epitaxial composite and method of making
US3853974A (en) 1970-04-06 1974-12-10 Siemens Ag Method of producing a hollow body of semiconductor material
DE2033444C3 (de) 1970-07-06 1979-02-15 Siemens Ag Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial
FR2110317B1 (ko) 1970-10-09 1975-04-18 Siemens Ag
DE2125085C3 (de) 1971-05-19 1979-02-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Herstellen von einseitig geschlossenen Rohren aus Halbleitermaterial
DE2158257A1 (de) 1971-11-24 1973-05-30 Siemens Ag Anordnung zum herstellen von einseitig geschlossenen rohren aus halbleitermaterial
US3941647A (en) 1973-03-08 1976-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing epitaxially semiconductor layers
US3819974A (en) 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
DE2346198A1 (de) 1973-07-27 1975-05-07 Siemens Ag Verfahren zur herstellung gelb leuchtender galliumphosphid-dioden
DE2340225A1 (de) 1973-08-08 1975-02-20 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von aus halbleitermaterial bestehenden, direkt beheizbaren hohlkoerpern
IE39673B1 (en) 1973-10-02 1978-12-06 Siemens Ag Improvements in or relating to semiconductor luminescence diodes
FR2251104B1 (ko) 1973-11-14 1978-08-18 Siemens Ag
US4062035A (en) 1975-02-05 1977-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Luminescent diode
DE2528192C3 (de) 1975-06-24 1979-02-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium auf einen aus elementarem Silicium bestehenden stabförmigen Trägerkörper
US4098223A (en) 1976-05-03 1978-07-04 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for heat treating semiconductor wafers
DE2644208C3 (de) 1976-09-30 1981-04-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht auf einer Unterlage
DE2643893C3 (de) 1976-09-29 1981-01-08 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer mit einer Struktur versehenen Schicht auf einem Substrat
US4108539A (en) 1976-11-18 1978-08-22 Hewlett-Packard Company Reflecting lens system
US4113381A (en) 1976-11-18 1978-09-12 Hewlett-Packard Company Surveying instrument and method
DE2716143A1 (de) 1977-04-12 1978-10-19 Siemens Ag Lichtemittierendes halbleiterbauelement
US4154625A (en) 1977-11-16 1979-05-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Annealing of uncapped compound semiconductor materials by pulsed energy deposition
DE2910723A1 (de) 1979-03-19 1980-09-25 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von epitaktischen halbleitermaterialschichten auf einkristallinen substraten nach der fluessigphasen-schiebe-epitaxie
DE3003285A1 (de) 1980-01-30 1981-08-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen niederohmiger, einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf substraten
DE3016778A1 (de) 1980-04-30 1981-11-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Laser-diode
US4423349A (en) 1980-07-16 1983-12-27 Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith
DE3208638A1 (de) 1982-03-10 1983-09-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lumineszenzdiode aus siliziumkarbid
JPS58158972A (ja) 1982-03-16 1983-09-21 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE3210086A1 (de) 1982-03-19 1983-09-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lumineszenzdiode, geeignet als drucksensor
DE3227263C2 (de) 1982-07-21 1984-05-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung einer planaren Avalanche-Fotodiode mit langwelliger Empfindlichkeitsgrenze über 1,3 &mu;
US4568206A (en) 1983-04-25 1986-02-04 Nichia Seimitsu Kogyo Co., Ltd. Retainer for ball bearing
DE3328902A1 (de) 1983-08-10 1985-02-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Display mit einer anzahl lichtemittierender halbleiter-bauelemente
DE3338335A1 (de) 1983-10-21 1985-05-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen
DE3413667A1 (de) 1984-04-11 1985-10-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum einjustieren einer an einem ende eines optischen wellenleiters vorgesehenen koppeloptik auf einen halbleiterlaser und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3421215A1 (de) 1984-06-07 1985-12-12 Aeg-Telefunken Ag, 1000 Berlin Und 6000 Frankfurt Verfahren zur erzeugung von ingaasp und ingaas - doppelheterostrukturlasern und -led's mittels fluessigphasenepitaxie fuer einen wellenlaengenbereich von (lambda) = 1,2 (my)m bis 1,7 (my)m
US4599244A (en) 1984-07-11 1986-07-08 Siemens Aktiengesellschaft Method large-area silicon bodies
US4722088A (en) 1984-09-14 1988-01-26 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor laser for high optical output power with reduced mirror heating
DE3434741A1 (de) 1984-09-21 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verkoppelte laserdioden-anordnung
DE3435148A1 (de) 1984-09-25 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Laserdiode mit vergrabener aktiver schicht und mit seitlicher strombegrezung durch selbstjustierten pn-uebergang sowie verfahren zur herstellung einer solchen laserdiode
US4683574A (en) 1984-09-26 1987-07-28 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor laser diode with buried hetero-structure
EP0178497B1 (de) 1984-10-03 1990-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur integrierten Herstellung eines DFB-Lasers mit angekoppeltem Streifenwellenleiter auf einem Substrat
US4615766A (en) 1985-02-27 1986-10-07 International Business Machines Corporation Silicon cap for annealing gallium arsenide
DE3610333A1 (de) 1985-04-19 1986-11-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung eines oberflaechengitters mit einer bestimmten gitterkonstanten auf einem tieferliegenden oberflaechenbereich einer mesastruktur
JPS62246988A (ja) 1986-04-18 1987-10-28 Nichia Chem Ind Ltd Ｘ線螢光体及びこれを用いたｘ線増感紙
US4959174A (en) 1985-05-18 1990-09-25 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Phosphor which emits light by the excitation of X-ray
US5250366A (en) 1985-05-18 1993-10-05 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Phosphor which emits light by the excitation of X-ray, and a X-ray intensifying screen using the phosphor
DE3531734A1 (de) 1985-09-05 1987-03-12 Siemens Ag Einrichtung zur positionierung eines halbleiterlasers mit selbstjustierender wirkung fuer eine anzukoppelnde glasfaser
DE3532821A1 (de) 1985-09-13 1987-03-26 Siemens Ag Leuchtdiode (led) mit sphaerischer linse
DE3534017A1 (de) 1985-09-24 1987-03-26 Siemens Ag Verfahren zum ankoppeln einer laserdiode an einen monomode-lichtwellenleiter und eine anordnung aus einer laserdiode und einem daran angekoppelten lichtwellenleiter
EP0236713A3 (de) 1986-02-10 1988-06-29 Siemens Aktiengesellschaft Laserdiode
EP0237812A3 (de) 1986-03-20 1988-06-29 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterlaser-Array mit gebündelter Abstrahlung
DE3611167A1 (de) 1986-04-03 1987-10-08 Siemens Ag Array mit verkoppelten optischen wellenleitern
US4818722A (en) 1986-09-29 1989-04-04 Siemens Aktiengesellschaft Method for generating a strip waveguide
JPH0662943B2 (ja) 1986-10-06 1994-08-17 日亜化学工業株式会社 放射線増感紙用螢光体
US5218216A (en) 1987-01-31 1993-06-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same
US4911102A (en) 1987-01-31 1990-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Process of vapor growth of gallium nitride and its apparatus
JPS63224252A (ja) 1987-02-06 1988-09-19 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 導波路−ホトダイオードアレー
DE3870651D1 (de) 1987-02-20 1992-06-11 Siemens Ag Lasersenderanordnung.
JPH0630242B2 (ja) 1987-03-04 1994-04-20 陽一 峰松 高分子材料の人工促進暴露試験用の紫外線螢光ランプ
DE3810245A1 (de) 1987-03-27 1988-10-06 Japan Incubator Inc Lichtemittierendes element und verfahren zu seiner herstellung
DE3711617A1 (de) 1987-04-07 1988-10-27 Siemens Ag Monolithisch integrierte wellenleiter-fotodioden-fet-kombination
US4855118A (en) 1987-04-15 1989-08-08 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Method of producing fluorapatite
US5011550A (en) * 1987-05-13 1991-04-30 Sharp Kabushiki Kaisha Laminated structure of compound semiconductors
JPH0774333B2 (ja) 1987-06-29 1995-08-09 日亜化学工業株式会社 発光組成物
DE3727546A1 (de) 1987-08-18 1989-03-02 Siemens Ag Lichtverstaerker mit ringfoermig gefuehrter strahlung, insbesondere ringlaser-diode
DE3731312C2 (de) 1987-09-17 1997-02-13 Siemens Ag Verfahren zum Vereinzeln von monolithisch hergestellten Laserdioden
EP0309744A3 (de) 1987-09-29 1989-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung mit einem flächig sich erstreckenden Dünnfilmwellenleiter
US4960728A (en) 1987-10-05 1990-10-02 Texas Instruments Incorporated Homogenization anneal of II-VI compounds
DE8713875U1 (de) 1987-10-15 1988-02-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optisches Senderbauelement
US4945394A (en) 1987-10-26 1990-07-31 North Carolina State University Bipolar junction transistor on silicon carbide
US4947218A (en) 1987-11-03 1990-08-07 North Carolina State University P-N junction diodes in silicon carbide
GB2212658B (en) 1987-11-13 1992-02-12 Plessey Co Plc Solid state light source
JP2663483B2 (ja) 1988-02-29 1997-10-15 勝 西川 レジストパターン形成方法
EP0331778B1 (en) 1988-03-09 1992-01-15 Hewlett-Packard GmbH Output amplifier
US4864369A (en) 1988-07-05 1989-09-05 Hewlett-Packard Company P-side up double heterojunction AlGaAs light-emitting diode
US5252499A (en) 1988-08-15 1993-10-12 Rothschild G F Neumark Wide band-gap semiconductors having low bipolar resistivity and method of formation
EP0356059B1 (en) 1988-08-15 2000-01-26 Gertrude F. Neumark Process for doping crystals of wide band gap semiconductors
US4904618A (en) 1988-08-22 1990-02-27 Neumark Gertrude F Process for doping crystals of wide band gap semiconductors
DE3836802A1 (de) 1988-10-28 1990-05-03 Siemens Ag Halbleiterlaseranordnung fuer hohe ausgangsleistungen im lateralen grundmodus
US4990466A (en) 1988-11-01 1991-02-05 Siemens Corporate Research, Inc. Method for fabricating index-guided semiconductor laser
DE3838016A1 (de) 1988-11-09 1990-05-10 Siemens Ag Halbleiterlaser im system gaa1inas
US4987576A (en) 1988-11-30 1991-01-22 Siemens Aktiengesellschaft Electrically tunable semiconductor laser with ridge waveguide
US4907534A (en) 1988-12-09 1990-03-13 Siemens Aktiengesellschaft Gas distributor for OMVPE Growth
US4982314A (en) 1988-12-09 1991-01-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Power source circuit apparatus for electro-luminescence device
US5061972A (en) 1988-12-14 1991-10-29 Cree Research, Inc. Fast recovery high temperature rectifying diode formed in silicon carbide
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
CA2008176A1 (en) 1989-01-25 1990-07-25 John W. Palmour Silicon carbide schottky diode and method of making same
JP2704181B2 (ja) 1989-02-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
JPH0636349B2 (ja) 1989-02-22 1994-05-11 日亜化学工業株式会社 紫外線反射層を有する蛍光ランプ
JP3026087B2 (ja) 1989-03-01 2000-03-27 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
DE59009909D1 (de) 1989-04-19 1996-01-11 Siemens Ag Vorrichtung mit einem Tiegel in einer Effusionszelle einer Molekularstrahlepitaxieanlage.
US5160492A (en) 1989-04-24 1992-11-03 Hewlett-Packard Company Buried isolation using ion implantation and subsequent epitaxial growth
JP2809692B2 (ja) 1989-04-28 1998-10-15 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
JP2809691B2 (ja) 1989-04-28 1998-10-15 株式会社東芝 半導体レーザ
US5049779A (en) 1989-05-02 1991-09-17 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Phosphor composition used for fluorescent lamp and fluorescent lamp using the same
EP0405214A3 (en) 1989-06-27 1991-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Pin-fet combination with buried p-type layer
US4985742A (en) 1989-07-07 1991-01-15 University Of Colorado Foundation, Inc. High temperature semiconductor devices having at least one gallium nitride layer
JPH0357288A (ja) 1989-07-17 1991-03-12 Siemens Ag 半導体レーザーを有するデバイスおよびその使用方法
US5119540A (en) 1990-07-24 1992-06-09 Cree Research, Inc. Apparatus for eliminating residual nitrogen contamination in epitaxial layers of silicon carbide and resulting product
JPH07116429B2 (ja) 1989-08-25 1995-12-13 日亜化学工業株式会社 顔料付き蛍光体
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5366834A (en) 1989-11-15 1994-11-22 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Method of manufacturing a cathode ray tube phosphor screen
US5019746A (en) 1989-12-04 1991-05-28 Hewlett-Packard Company Prefabricated wire leadframe for optoelectronic devices
US5008735A (en) 1989-12-07 1991-04-16 General Instrument Corporation Packaged diode for high temperature operation
US5077145A (en) 1989-12-26 1991-12-31 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Phosphor for x-ray intensifying screen and x-ray intensifying screen
US5278433A (en) 1990-02-28 1994-01-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer
EP0444630B1 (en) 1990-02-28 1997-05-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JPH075883B2 (ja) 1990-04-21 1995-01-25 日亜化学工業株式会社 蛍光体の再生方法
EP0459020B1 (de) 1990-05-28 1995-03-08 Siemens Aktiengesellschaft Optoelektronischer Schaltkreis
JP3078821B2 (ja) 1990-05-30 2000-08-21 豊田合成株式会社 半導体のドライエッチング方法
US5185207A (en) 1990-08-12 1993-02-09 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Phosphor for cathode ray tube and surface treatment method for the phosphor
JP2784255B2 (ja) 1990-10-02 1998-08-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた放電ランプ
EP0479298B1 (en) 1990-10-02 1995-08-02 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Phosphor composition, phosphor-coating composition, discharge lamp, and preparation method thereof
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5433169A (en) 1990-10-25 1995-07-18 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer
US5334277A (en) 1990-10-25 1994-08-02 Nichia Kagaky Kogyo K.K. Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same
US5281830A (en) 1990-10-27 1994-01-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
US5208878A (en) 1990-11-28 1993-05-04 Siemens Aktiengesellschaft Monolithically integrated laser-diode-waveguide combination
US5155062A (en) 1990-12-20 1992-10-13 Cree Research, Inc. Method for silicon carbide chemical vapor deposition using levitated wafer system
JP3160914B2 (ja) 1990-12-26 2001-04-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
US5290393A (en) 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
US5146465A (en) 1991-02-01 1992-09-08 Apa Optics, Inc. Aluminum gallium nitride laser
JP2786952B2 (ja) 1991-02-27 1998-08-13 株式会社豊田中央研究所 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
US5093576A (en) 1991-03-15 1992-03-03 Cree Research High sensitivity ultraviolet radiation detector
US5202777A (en) 1991-05-31 1993-04-13 Hughes Aircraft Company Liquid crystal light value in combination with cathode ray tube containing a far-red emitting phosphor
US5264713A (en) 1991-06-14 1993-11-23 Cree Research, Inc. Junction field-effect transistor formed in silicon carbide
US5270554A (en) 1991-06-14 1993-12-14 Cree Research, Inc. High power high frequency metal-semiconductor field-effect transistor formed in silicon carbide
US5164798A (en) 1991-07-05 1992-11-17 Hewlett-Packard Company Diffusion control of P-N junction location in multilayer heterostructure light emitting devices
US5260960A (en) 1991-07-26 1993-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Tunable semiconductor laser on a semi-insulating substrate
US5182670A (en) 1991-08-30 1993-01-26 Apa Optics, Inc. Narrow band algan filter
US5467291A (en) 1991-09-09 1995-11-14 Hewlett-Packard Company Measurement-based system for modeling and simulation of active semiconductor devices over an extended operating frequency range
JP2666228B2 (ja) 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5306662A (en) 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
US5465249A (en) 1991-11-26 1995-11-07 Cree Research, Inc. Nonvolatile random access memory device having transistor and capacitor made in silicon carbide substrate
JP3352712B2 (ja) 1991-12-18 2002-12-03 浩 天野 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
JP2770629B2 (ja) 1991-12-26 1998-07-02 日亜化学工業株式会社 陰極線管用蛍光体及びその表面処理方法
US5233204A (en) 1992-01-10 1993-08-03 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with a thick transparent layer
JP3251046B2 (ja) * 1992-03-03 2002-01-28 シャープ株式会社 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
US5312560A (en) 1992-03-19 1994-05-17 Nichia Chemical Industries, Ltd. Rare earth phosphor
EP0562143B1 (en) 1992-03-27 1997-06-25 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Solid-state image converting device
JP3244529B2 (ja) 1992-04-16 2002-01-07 アジレント・テクノロジーズ・インク 面発光型第２高調波生成素子
US5394005A (en) 1992-05-05 1995-02-28 General Electric Company Silicon carbide photodiode with improved short wavelength response and very low leakage current
US6344663B1 (en) 1992-06-05 2002-02-05 Cree, Inc. Silicon carbide CMOS devices
US5459107A (en) 1992-06-05 1995-10-17 Cree Research, Inc. Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures
US5612260A (en) 1992-06-05 1997-03-18 Cree Research, Inc. Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures
US5252839A (en) 1992-06-10 1993-10-12 Hewlett-Packard Company Superluminescent light-emitting diode with reverse biased absorber
US5343316A (en) 1992-06-30 1994-08-30 Nichia Chemical Industries, Ltd. Phosphor for use in a cathode-ray tube and display device using one
DE69333250T2 (de) 1992-07-23 2004-09-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung aus einer Verbindung der Galliumnitridgruppe
US5359345A (en) 1992-08-05 1994-10-25 Cree Research, Inc. Shuttered and cycled light emitting diode display and method of producing the same
US5724062A (en) 1992-08-05 1998-03-03 Cree Research, Inc. High resolution, high brightness light emitting diode display and method and producing the same
US5265792A (en) 1992-08-20 1993-11-30 Hewlett-Packard Company Light source and technique for mounting light emitting diodes
DE59308636D1 (de) 1992-08-28 1998-07-09 Siemens Ag Leuchtdiode
US5323022A (en) 1992-09-10 1994-06-21 North Carolina State University Platinum ohmic contact to p-type silicon carbide
DE4323814A1 (de) 1992-09-25 1994-03-31 Siemens Ag MIS-Feldeffekttransistor
US5381103A (en) 1992-10-13 1995-01-10 Cree Research, Inc. System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices
JP2657743B2 (ja) 1992-10-29 1997-09-24 豊田合成株式会社 窒素−３族元素化合物半導体発光素子
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5506421A (en) 1992-11-24 1996-04-09 Cree Research, Inc. Power MOSFET in silicon carbide
US5687391A (en) 1992-12-11 1997-11-11 Vibrametrics, Inc. Fault tolerant multipoint control and data collection system
US5858277A (en) 1992-12-23 1999-01-12 Osram Sylvania Inc. Aqueous phosphor coating suspension for lamps
JPH06264054A (ja) 1993-03-11 1994-09-20 Nichia Chem Ind Ltd 陰極線管用蛍光体の製造方法
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
EP1450415A3 (en) 1993-04-28 2005-05-04 Nichia Corporation Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device
JPH06326350A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Nichia Chem Ind Ltd 赤外可視変換素子
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5539217A (en) 1993-08-09 1996-07-23 Cree Research, Inc. Silicon carbide thyristor
US5404282A (en) 1993-09-17 1995-04-04 Hewlett-Packard Company Multiple light emitting diode module
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5363390A (en) 1993-11-22 1994-11-08 Hewlett-Packard Company Semiconductor laser that generates second harmonic light by means of a nonlinear crystal in the laser cavity
US5390210A (en) 1993-11-22 1995-02-14 Hewlett-Packard Company Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal
US5846844A (en) 1993-11-29 1998-12-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing group III nitride compound semiconductor substrates using ZnO release layers
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5433533A (en) 1993-12-20 1995-07-18 Nichia Precision Industry Co., Ltd. Shield plate for bearing
JPH07202265A (ja) 1993-12-27 1995-08-04 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
TW289837B (ko) 1994-01-18 1996-11-01 Hwelett Packard Co
DE59500334D1 (de) 1994-01-19 1997-07-31 Siemens Ag Abstimmbare Laserdiode
US5514627A (en) 1994-01-24 1996-05-07 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for improving the performance of light emitting diodes
JPH07240561A (ja) 1994-02-23 1995-09-12 Hewlett Packard Co <Hp> Ｉｉ−ｖｉ族系半導体レーザおよびその製造方法
US5656832A (en) 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
US5923118A (en) 1997-03-07 1999-07-13 Osram Sylvania Inc. Neon gas discharge lamp providing white light with improved phospher
JPH07263748A (ja) 1994-03-22 1995-10-13 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US5604763A (en) 1994-04-20 1997-02-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same
JP2698796B2 (ja) 1994-04-20 1998-01-19 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
DE69503299T2 (de) 1994-04-20 1999-01-21 Toyoda Gosei Kk Galliumnitrid-Diodenlaser und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3426699B2 (ja) 1994-04-27 2003-07-14 住友化学工業株式会社 不飽和カルボン酸及びその誘導体からなる重合体の製造方法
US5808592A (en) 1994-04-28 1998-09-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Integrated light-emitting diode lamp and method of producing the same
US5376303A (en) 1994-06-10 1994-12-27 Nichia Chemical Industries, Ltd. Long Decay phoaphors
US5497012A (en) 1994-06-15 1996-03-05 Hewlett-Packard Company Unipolar band minima devices
JP3717196B2 (ja) 1994-07-19 2005-11-16 豊田合成株式会社 発光素子
JPH0832112A (ja) 1994-07-20 1996-02-02 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
JPH0864791A (ja) * 1994-08-23 1996-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd エピタキシャル成長方法
US5650641A (en) 1994-09-01 1997-07-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor device having group III nitride compound and enabling control of emission color, and flat display comprising such device
EP0703649B1 (en) 1994-09-14 2003-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same
US5686737A (en) 1994-09-16 1997-11-11 Cree Research, Inc. Self-aligned field-effect transistor for high frequency applications
US5592501A (en) 1994-09-20 1997-01-07 Cree Research, Inc. Low-strain laser structures with group III nitride active layers
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
JP2666237B2 (ja) 1994-09-20 1997-10-22 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
GB9421329D0 (en) 1994-10-22 1994-12-07 Bt & D Technologies Ltd Laser bias control system
FR2726126A1 (fr) 1994-10-24 1996-04-26 Mitsubishi Electric Corp Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible
US5892787A (en) 1994-10-27 1999-04-06 Hewlett-Packard Company N-drive, p-common light-emitting devices fabricated on an n-type substrate and method of making same
US5892784A (en) 1994-10-27 1999-04-06 Hewlett-Packard Company N-drive p-common surface emitting laser fabricated on n+ substrate
US5491712A (en) 1994-10-31 1996-02-13 Lin; Hong Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
US5679153A (en) 1994-11-30 1997-10-21 Cree Research, Inc. Method for reducing micropipe formation in the epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5964943A (en) 1994-12-27 1999-10-12 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing boron-doped monocrystalline silicon carbide
US5661074A (en) 1995-02-03 1997-08-26 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
US5585648A (en) 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
DE19508222C1 (de) 1995-03-08 1996-06-05 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
JPH08264833A (ja) 1995-03-10 1996-10-11 Hewlett Packard Co <Hp> 発光ダイオード
US5850410A (en) 1995-03-16 1998-12-15 Fujitsu Limited Semiconductor laser and method for fabricating the same
EP0732754B1 (en) 1995-03-17 2007-10-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
JP3773282B2 (ja) 1995-03-27 2006-05-10 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
DE19511593C2 (de) 1995-03-29 1997-02-13 Siemens Ag Mikrooptische Vorrichtung
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3691544B2 (ja) 1995-04-28 2005-09-07 アジレント・テクノロジーズ・インク 面発光レーザの製造方法
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5659568A (en) 1995-05-23 1997-08-19 Hewlett-Packard Company Low noise surface emitting laser for multimode optical link applications
JP3405049B2 (ja) 1995-05-29 2003-05-12 日亜化学工業株式会社 残光性ランプ
TW304310B (ko) 1995-05-31 1997-05-01 Siemens Ag
US5596595A (en) 1995-06-08 1997-01-21 Hewlett-Packard Company Current and heat spreading transparent layers for surface-emitting lasers
US5625202A (en) 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
JP2839077B2 (ja) 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5785404A (en) 1995-06-29 1998-07-28 Siemens Microelectronics, Inc. Localized illumination device
US5903016A (en) 1995-06-30 1999-05-11 Siemens Components, Inc. Monolithic linear optocoupler
DE19524655A1 (de) 1995-07-06 1997-01-09 Huang Kuo Hsin LED-Struktur
US5999552A (en) 1995-07-19 1999-12-07 Siemens Aktiengesellschaft Radiation emitter component
DE19527536A1 (de) 1995-07-27 1997-01-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen
US5919422A (en) 1995-07-28 1999-07-06 Toyoda Gosei Co., Ltd. Titanium dioxide photo-catalyzer
DE19629920B4 (de) 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
US5900650A (en) 1995-08-31 1999-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
US5621749A (en) 1995-09-06 1997-04-15 Hewlett-Packard Company Praseodymium-doped fluoride fiber upconversion laser for the generation of blue light
DE19533116A1 (de) 1995-09-07 1997-03-13 Siemens Ag Treiberschaltung für eine Leuchtdiode
JP3604205B2 (ja) * 1995-09-18 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法
US5986317A (en) 1995-09-29 1999-11-16 Infineon Technologies Corporation Optical semiconductor device having plural encapsulating layers
DE19536463C2 (de) 1995-09-29 2002-02-07 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Laserdiodenbauelementen
DE19536438A1 (de) 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
US5642375A (en) 1995-10-26 1997-06-24 Hewlett-Packard Company Passively-locked external optical cavity
US5727014A (en) 1995-10-31 1998-03-10 Hewlett-Packard Company Vertical-cavity surface-emitting laser generating light with a defined direction of polarization
US5592578A (en) 1995-11-01 1997-01-07 Hewlett-Packard Company Peripheral optical element for redirecting light from an LED
US5707139A (en) 1995-11-01 1998-01-13 Hewlett-Packard Company Vertical cavity surface emitting laser arrays for illumination
US5972801A (en) 1995-11-08 1999-10-26 Cree Research, Inc. Process for reducing defects in oxide layers on silicon carbide
TW425722B (en) * 1995-11-27 2001-03-11 Sumitomo Chemical Co Group III-V compound semiconductor and light-emitting device
JP3752739B2 (ja) * 1996-03-22 2006-03-08 住友化学株式会社 発光素子
US5724376A (en) 1995-11-30 1998-03-03 Hewlett-Packard Company Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding
US5635146A (en) 1995-11-30 1997-06-03 Osram Sylvania Inc. Method for the dissolution and purification of tantalum pentoxide
EP0781619A1 (en) 1995-12-15 1997-07-02 Cree Research, Inc. Method of making silicone carbide wafers from silicon carbide bulk crystals
US5917202A (en) 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
FR2742926B1 (fr) 1995-12-22 1998-02-06 Alsthom Cge Alcatel Procede et dispositif de preparation de faces de laser
JP3757339B2 (ja) * 1995-12-26 2006-03-22 富士通株式会社 化合物半導体装置の製造方法
US5855924A (en) 1995-12-27 1999-01-05 Siemens Microelectronics, Inc. Closed-mold for LED alphanumeric displays
US5991160A (en) 1995-12-27 1999-11-23 Infineon Technologies Corporation Surface mount LED alphanumeric display
US5828684A (en) 1995-12-29 1998-10-27 Xerox Corporation Dual polarization quantum well laser in the 200 to 600 nanometers range
US5812105A (en) 1996-06-10 1998-09-22 Cree Research, Inc. Led dot matrix drive method and apparatus
DE19600306C1 (de) 1996-01-05 1997-04-10 Siemens Ag Halbleiter-Bauelement, insb. mit einer optoelektronischen Schaltung bzw. Anordnung
AU1531797A (en) 1996-01-24 1997-08-20 Cree Research, Inc. Mesa schottky diode with guard ring
US5809050A (en) 1996-01-25 1998-09-15 Hewlett-Packard Company Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission
US5761229A (en) 1996-01-25 1998-06-02 Hewlett-Packard Company Integrated controlled intensity laser-based light source
US5923690A (en) 1996-01-25 1999-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device
US5835514A (en) 1996-01-25 1998-11-10 Hewlett-Packard Company Laser-based controlled-intensity light source using reflection from a convex surface and method of making same
US5771254A (en) 1996-01-25 1998-06-23 Hewlett-Packard Company Integrated controlled intensity laser-based light source
US5718760A (en) 1996-02-05 1998-02-17 Cree Research, Inc. Growth of colorless silicon carbide crystals
US5811931A (en) 1996-03-04 1998-09-22 Hewlett Packard Company Capped edge emitter
US5867516A (en) 1996-03-12 1999-02-02 Hewlett-Packard Company Vertical cavity surface emitting laser with reduced turn-on jitter and increased single-mode output
US5684623A (en) 1996-03-20 1997-11-04 Hewlett Packard Company Narrow-band tunable optical source
US5779924A (en) 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
US5861190A (en) 1996-03-25 1999-01-19 Hewlett-Packard Co. Arrangement for growing a thin dielectric layer on a semiconductor wafer at low temperatures
JP3727106B2 (ja) 1996-04-17 2005-12-14 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
JP3209096B2 (ja) 1996-05-21 2001-09-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
DE19621124A1 (de) 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
US5719409A (en) 1996-06-06 1998-02-17 Cree Research, Inc. Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100537349B1 (ko) 1996-06-26 2006-02-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
JP2919362B2 (ja) 1996-06-26 1999-07-12 日本電気株式会社 低速電子線励起蛍光表示装置およびその製造方法
US5777433A (en) 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
US5925898A (en) 1996-07-18 1999-07-20 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic transducer and production methods
US5818861A (en) 1996-07-19 1998-10-06 Hewlett-Packard Company Vertical cavity surface emitting laser with low band gap highly doped contact layer
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5805624A (en) 1996-07-30 1998-09-08 Hewlett-Packard Company Long-wavelength infra-red vertical cavity surface-emitting laser on a gallium arsenide substrate
JPH1056236A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体レーザ素子
US5729029A (en) 1996-09-06 1998-03-17 Hewlett-Packard Company Maximizing electrical doping while reducing material cracking in III-V nitride semiconductor devices
EP0831343B1 (de) 1996-09-19 2005-06-15 Infineon Technologies AG Optischer Wellenleiter und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19645035C1 (de) 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
US5724373A (en) 1996-11-15 1998-03-03 Hewlett-Packard Company Microphotonic acousto-optic tunable laser
US5835522A (en) 1996-11-19 1998-11-10 Hewlett-Packard Co. Robust passively-locked optical cavity system
DE19649650B4 (de) 1996-11-29 2005-02-24 Siemens Ag Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
JPH111399A (ja) * 1996-12-05 1999-01-06 Lg Electron Inc 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
US5966393A (en) 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
DE19652548C1 (de) 1996-12-17 1998-03-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung stickstoffhaltiger III-V-Halbleiterschichten
DE19652528A1 (de) 1996-12-17 1998-06-18 Siemens Ag LED mit allseitiger Lichtauskopplung
US5838707A (en) 1996-12-27 1998-11-17 Motorola, Inc. Ultraviolet/visible light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication
US5741724A (en) 1996-12-27 1998-04-21 Motorola Method of growing gallium nitride on a spinel substrate
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US5868837A (en) 1997-01-17 1999-02-09 Cornell Research Foundation, Inc. Low temperature method of preparing GaN single crystals
JPH10215031A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Hewlett Packard Co <Hp> 半導体レーザ素子
JPH10242074A (ja) 1997-02-21 1998-09-11 Hewlett Packard Co <Hp> 窒化物半導体素子製造方法
TW353202B (en) 1997-02-28 1999-02-21 Hewlett Packard Co Scribe and break of hard-to-scribe materials
SG63757A1 (en) 1997-03-12 1999-03-30 Hewlett Packard Co Adding impurities to improve the efficiency of allngan quantum well led's
EP0874405A3 (en) 1997-03-25 2004-09-15 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. GaN group crystal base member having low dislocation density, use thereof and manufacturing methods thereof
US5927995A (en) 1997-04-09 1999-07-27 Hewlett-Packard Company Reduction of threading dislocations by amorphization and recrystallization
EP2234142A1 (en) * 1997-04-11 2010-09-29 Nichia Corporation Nitride semiconductor substrate
US5923946A (en) 1997-04-17 1999-07-13 Cree Research, Inc. Recovery of surface-ready silicon carbide substrates
US6011279A (en) 1997-04-30 2000-01-04 Cree Research, Inc. Silicon carbide field controlled bipolar switch
US5741431A (en) 1997-05-15 1998-04-21 Industrial Technology Research Institute Laser assisted cryoetching
US6100586A (en) 1997-05-23 2000-08-08 Agilent Technologies, Inc. Low voltage-drop electrical contact for gallium (aluminum, indium) nitride
US5969378A (en) 1997-06-12 1999-10-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power UMOS-bipolar transistor
US6121633A (en) 1997-06-12 2000-09-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power MOS-bipolar transistor
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
KR100651145B1 (ko) 1997-08-29 2006-11-28 크리 인코포레이티드 표준 응용에서 고신뢰성을 위한 강한 3족 질화물 발광다이오드
US5879588A (en) 1997-09-24 1999-03-09 Osram Sylvania Inc. Terbium-activated gadolinium oxysulfide phosphor with reduced blue emission
US5879587A (en) 1997-09-24 1999-03-09 Osram Sylvania Inc. Terbium-activated rare earth oxysulfide phosphor with enhanced green:blue emission ratio
US5958295A (en) 1997-09-24 1999-09-28 Osram Sylvania Inc. Terbium-activated rare earth oxysulfide phosphor with enhanced blue emission
JP3283802B2 (ja) * 1997-09-29 2002-05-20 日本電気株式会社 選択成長法を用いた半導体層及びその成長方法、選択成長法を用いた窒化物系半導体層及びその成長方法、窒化物系半導体発光素子とその製造方法
JP3955367B2 (ja) 1997-09-30 2007-08-08 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 光半導体素子およびその製造方法
US5972781A (en) 1997-09-30 1999-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing semiconductor chips
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US5935705A (en) 1997-10-15 1999-08-10 National Science Council Of Republic Of China Crystalline Six Cy Nz with a direct optical band gap of 3.8 eV
JP3036495B2 (ja) * 1997-11-07 2000-04-24 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP3589000B2 (ja) * 1997-12-26 2004-11-17 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5920766A (en) 1998-01-07 1999-07-06 Xerox Corporation Red and blue stacked laser diode array by wafer fusion
US6051849A (en) * 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
JPH11251685A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Toshiba Corp 半導体レーザ
US6194742B1 (en) * 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6645885B2 (en) * 2001-09-27 2003-11-11 The National University Of Singapore Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD)
EP1363318A1 (en) * 2001-12-20 2003-11-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making nitride semiconductor substrate and method for making nitride semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US6835956B1 (en) 2004-12-28
JP3770014B2 (ja) 2006-04-26
WO2000048254A1 (fr) 2000-08-17
CN1340215A (zh) 2002-03-13
US20050054132A1 (en) 2005-03-10
KR100634340B1 (ko) 2006-10-17
EP1184913B1 (en) 2018-10-10
CN1157804C (zh) 2004-07-14
AU2327200A (en) 2000-08-29
TW443018B (en) 2001-06-23
EP1184913A1 (en) 2002-03-06
US7083996B2 (en) 2006-08-01
AU771942B2 (en) 2004-04-08
EP1184913A4 (en) 2007-07-04
JP2000299497A (ja) 2000-10-24

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