JPH10242074A - 窒化物半導体素子製造方法 - Google Patents
窒化物半導体素子製造方法Info
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- JPH10242074A JPH10242074A JP3770597A JP3770597A JPH10242074A JP H10242074 A JPH10242074 A JP H10242074A JP 3770597 A JP3770597 A JP 3770597A JP 3770597 A JP3770597 A JP 3770597A JP H10242074 A JPH10242074 A JP H10242074A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来は、窒化物半導体を外部と電気的に接続す
るために、窒化物半導体の最外部に位置するｐ型窒化物
半導体上に金属をを蒸着し、比較的短時間アニーリング
を行なっていた。しかしながら、ｐ型窒化物半導体上の
電極の接触抵抗は高抵抗であった。この接触抵抗部分で
発生する余分な熱がデバイスの信頼性向上および長寿命
化の妨げになっていた。本発明の目的は駆動するための
電圧が低く接触抵抗の低い電極の製造方法を開示するこ
とである。 【解決手段】金属を蒸着して生成した電極部分および窒
化物半導体素子を、従来技術より長い時間アニーリング
することにより、電極部分における接触抵抗の著しい低
減が計られる。
るために、窒化物半導体の最外部に位置するｐ型窒化物
半導体上に金属をを蒸着し、比較的短時間アニーリング
を行なっていた。しかしながら、ｐ型窒化物半導体上の
電極の接触抵抗は高抵抗であった。この接触抵抗部分で
発生する余分な熱がデバイスの信頼性向上および長寿命
化の妨げになっていた。本発明の目的は駆動するための
電圧が低く接触抵抗の低い電極の製造方法を開示するこ
とである。 【解決手段】金属を蒸着して生成した電極部分および窒
化物半導体素子を、従来技術より長い時間アニーリング
することにより、電極部分における接触抵抗の著しい低
減が計られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】半導体素子において、半導体の最
外部に位置し外部との電気的接続のための低接触抵抗を
有する蒸着金属電極の製造方法、より詳細には、窒化物
半導体素子における低接触抵抗を有する蒸着金属電極の
製造方法に関する。
外部に位置し外部との電気的接続のための低接触抵抗を
有する蒸着金属電極の製造方法、より詳細には、窒化物
半導体素子における低接触抵抗を有する蒸着金属電極の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】III-N化合物(III族元素と窒素とを含む
化合物）半導体（以下窒化物半導体と称する）は半導体
レーザ（以下ＬＤと略する）や半導体発光ダイオード
（以下ＬＥＤと略する）等の半導体発光素子や金属ー半
導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ)を始めとす
る有益な回路素子に使用するための有望な材料の一つで
ある。特にIII-N化合物半導体の一つであるＧａＮに基
づく半導体材料（ＧａＮ系材料と称する）を使った半導
体レーザ（ＧａＮ系半導体レーザ）は、ＧａＮ系材料の
禁止帯幅が広いので発光波長が青紫領域にあり、現在の
主力である赤色半導体レーザの発光波長に比較して波長
が短く、その為情報処理機器の読み取り・書き込み処理
機能を格段に向上できることが知られている。例えば、
西暦2000年ごろの容量15GビットのDVDへの使用なども考
えられている。
化合物）半導体（以下窒化物半導体と称する）は半導体
レーザ（以下ＬＤと略する）や半導体発光ダイオード
（以下ＬＥＤと略する）等の半導体発光素子や金属ー半
導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ)を始めとす
る有益な回路素子に使用するための有望な材料の一つで
ある。特にIII-N化合物半導体の一つであるＧａＮに基
づく半導体材料（ＧａＮ系材料と称する）を使った半導
体レーザ（ＧａＮ系半導体レーザ）は、ＧａＮ系材料の
禁止帯幅が広いので発光波長が青紫領域にあり、現在の
主力である赤色半導体レーザの発光波長に比較して波長
が短く、その為情報処理機器の読み取り・書き込み処理
機能を格段に向上できることが知られている。例えば、
西暦2000年ごろの容量15GビットのDVDへの使用なども考
えられている。
【０００３】上記の特徴が得られるものの、現在のＧａ
Ｎ半導体レーザの寿命は実用レベルの発光強度で短く、
寿命の向上が求められている。また、駆動に必要な電圧
が高い為に、駆動に必要な電気入力パワーが大きく、効
率の面で問題がある。また、このことが、寿命の短い原
因になっている。その原因の中で最も大きなものは、電
極となる金属とＧａＮ系材料との接触抵抗、特にｐ型電
極（＋側）での接触抵抗が大きいことによる。この現象
は、まだはっきりと解明されたわけではないが、ＧａＮ
系材料の禁止帯幅が3.4eV等と高いことにより、一般
に、ｐ型ＧａＮと金属電極との低抵抗性接触が困難であ
ることが原因の一つであると考えられている。図１に一
例を示す端面発光型窒化物半導体レーザ１は、サファイ
ア基板２にＧａＮバッファ層3を堆積しその上にn型Ｇａ
Ｎコンタクト層４、n型AlＧａＮクラッド層６、 n型Ｇ
ａＮ光導波路層7、InＧａＮ多重量子井戸層８、p型Ｇａ
Ｎ光導波路層９、p型AlＧａＮクラッド層１0、ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１を順次堆積して形成したものであ
る。n型ＧａＮコンタクト層４とｐ型ＧａＮコンタクト
層１１とのそれぞれには、それぞれの電極となるn電極
５とp電極１２とが形成されている。
Ｎ半導体レーザの寿命は実用レベルの発光強度で短く、
寿命の向上が求められている。また、駆動に必要な電圧
が高い為に、駆動に必要な電気入力パワーが大きく、効
率の面で問題がある。また、このことが、寿命の短い原
因になっている。その原因の中で最も大きなものは、電
極となる金属とＧａＮ系材料との接触抵抗、特にｐ型電
極（＋側）での接触抵抗が大きいことによる。この現象
は、まだはっきりと解明されたわけではないが、ＧａＮ
系材料の禁止帯幅が3.4eV等と高いことにより、一般
に、ｐ型ＧａＮと金属電極との低抵抗性接触が困難であ
ることが原因の一つであると考えられている。図１に一
例を示す端面発光型窒化物半導体レーザ１は、サファイ
ア基板２にＧａＮバッファ層3を堆積しその上にn型Ｇａ
Ｎコンタクト層４、n型AlＧａＮクラッド層６、 n型Ｇ
ａＮ光導波路層7、InＧａＮ多重量子井戸層８、p型Ｇａ
Ｎ光導波路層９、p型AlＧａＮクラッド層１0、ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１を順次堆積して形成したものであ
る。n型ＧａＮコンタクト層４とｐ型ＧａＮコンタクト
層１１とのそれぞれには、それぞれの電極となるn電極
５とp電極１２とが形成されている。
【０００４】ｎ型ＧａＮ(n-ＧａＮとも称する）コンタ
クト層４とｎ電極５との接触抵抗は、以下に述べるよう
にかなり小さいが、p型ＧａＮ（p-ＧａＮとも称する）
コンタクト層１１とｐ電極１２との接触抵抗はかなり大
きい。たとえば、Ａｕ/Ｎｉ電極を備えた代表的な素子
のｐ電極・p-ＧａＮコンタクト層間比接触抵抗値は２Ｘ
１０―1Ωｃｍ2ほどあり、電極接触面積３００μｍＸ３
００μｍの場合でも接触抵抗は２００Ω以上となり、0.
１Ａの駆動電流でも２Ｗ以上の電力を消費する。そのた
め、例えば、２５層の量子井戸層を有するInＧａＮ多重
量子井戸構造の発光層を有する青紫色半導体レーザは駆
動電圧２０Ｖ、駆動電流５Ａであって、室温では波長41
7nmでデューティ比0.001のパルス発振が可能ではある
が、連続発振ができない（参照：REF1:「日経エレクト
ロニクス」1996.9.23(no.671),p.9 （日経マグローヒル
社）、以下REF1と称す）。パルス動作のため平均消費電
力は0.1Ｗで済んでいるが、この青紫色半導体レーザも
連続発振ならば100Ｗとなる。
クト層４とｎ電極５との接触抵抗は、以下に述べるよう
にかなり小さいが、p型ＧａＮ（p-ＧａＮとも称する）
コンタクト層１１とｐ電極１２との接触抵抗はかなり大
きい。たとえば、Ａｕ/Ｎｉ電極を備えた代表的な素子
のｐ電極・p-ＧａＮコンタクト層間比接触抵抗値は２Ｘ
１０―1Ωｃｍ2ほどあり、電極接触面積３００μｍＸ３
００μｍの場合でも接触抵抗は２００Ω以上となり、0.
１Ａの駆動電流でも２Ｗ以上の電力を消費する。そのた
め、例えば、２５層の量子井戸層を有するInＧａＮ多重
量子井戸構造の発光層を有する青紫色半導体レーザは駆
動電圧２０Ｖ、駆動電流５Ａであって、室温では波長41
7nmでデューティ比0.001のパルス発振が可能ではある
が、連続発振ができない（参照：REF1:「日経エレクト
ロニクス」1996.9.23(no.671),p.9 （日経マグローヒル
社）、以下REF1と称す）。パルス動作のため平均消費電
力は0.1Ｗで済んでいるが、この青紫色半導体レーザも
連続発振ならば100Ｗとなる。
【０００５】このような高い接触抵抗は他の有用な応用
に置いても寄生抵抗を増加し、消費電力を増し、素子温
度を上昇させ半導体素子本来の機能の性能を劣化させ、
あるいは寿命を縮める事が多く、この接触抵抗の低減が
求められている。 抵抗性接触（即ちオーミック接触）
は「半導体バルクの抵抗による直列抵抗に比べて無視で
きるほど小さな接触抵抗を有する金属・半導体接触」と
定義され、その性能指数は比接触抵抗:Ｒｃで表わされ
る。比接触抵抗Ｒｃは金属電極と半導体との障壁φBの
増減にたいして指数関数的に増減するのでφBを小さく
することがもとめられる。またトンネル電流が支配的な
高不純物添加濃度Ｎの領域では、比抵抗ＲｃはφBN-1/2
の項の増減にたいして指数関数的に増減するので濃度N
を増加することも効果がある。
に置いても寄生抵抗を増加し、消費電力を増し、素子温
度を上昇させ半導体素子本来の機能の性能を劣化させ、
あるいは寿命を縮める事が多く、この接触抵抗の低減が
求められている。 抵抗性接触（即ちオーミック接触）
は「半導体バルクの抵抗による直列抵抗に比べて無視で
きるほど小さな接触抵抗を有する金属・半導体接触」と
定義され、その性能指数は比接触抵抗:Ｒｃで表わされ
る。比接触抵抗Ｒｃは金属電極と半導体との障壁φBの
増減にたいして指数関数的に増減するのでφBを小さく
することがもとめられる。またトンネル電流が支配的な
高不純物添加濃度Ｎの領域では、比抵抗ＲｃはφBN-1/2
の項の増減にたいして指数関数的に増減するので濃度N
を増加することも効果がある。
【０００６】従来技術の一つでは、ｐ-ＧａＮの不純物
濃度を1018cm-3から一桁高い値とすることが考えられて
いるが（REF.1)、そうするとアクセプタの活性化率が著
しく低下したり、結晶性が極端に劣化する問題があり良
好な結果は現状では得られていない。
濃度を1018cm-3から一桁高い値とすることが考えられて
いるが（REF.1)、そうするとアクセプタの活性化率が著
しく低下したり、結晶性が極端に劣化する問題があり良
好な結果は現状では得られていない。
【０００７】最近ＧａＮにＭｇを不純物導入したＧａ
Ｎ:Ｍｇを高温（８００℃）で活性化しホールキャリア
濃度を４−８×1017cm-3にしたのち金属電極（Ａｕ/Ｎ
ｉ)を蒸着してアニールすることで10-2Ωcm2に比接触抵
抗を低減したとの報告がある（小林他：ｐ型ＧａＮにＮ
ｉ/Ａｕコンタクト材の電気的特性と界面構造、第４２
回応用物理学関係連合講演会(1995年春季）、講演番号3
0a-ZH-8,1995l)。しかしこの程度の値では不十分であ
り、さらなる比接触抵抗低減の要求は依然として強い。
Ｎ:Ｍｇを高温（８００℃）で活性化しホールキャリア
濃度を４−８×1017cm-3にしたのち金属電極（Ａｕ/Ｎ
ｉ)を蒸着してアニールすることで10-2Ωcm2に比接触抵
抗を低減したとの報告がある（小林他：ｐ型ＧａＮにＮ
ｉ/Ａｕコンタクト材の電気的特性と界面構造、第４２
回応用物理学関係連合講演会(1995年春季）、講演番号3
0a-ZH-8,1995l)。しかしこの程度の値では不十分であ
り、さらなる比接触抵抗低減の要求は依然として強い。
【０００８】
【発明の解決すべき課題】従来は、窒化物半導体を外部
と電気的に接続するために、窒化物半導体の最外部に位
置する、ｐ型窒化物半導体上にニッケル（Ｎｉ、以下Ｎ
ｉと略する）を蒸着し電極としていた。しかしｐ型窒化
物半導体上の電極の接触抵抗は高抵抗であり、また駆動
するためのしきい値電圧が高かった。このために発光素
子に利用した場合には、所望の光量を放射させるのに、
駆動電圧が高くなり、接触抵抗の部分で余分な熱を発生
していた。この熱は発光素子の連続発振の障害、さらに
デバイスの信頼性向上および長寿命化の妨げになってい
た。本発明の目的は、簡単な方法で低比接触抵抗を有す
るｐ型窒化物半導体上の低抵抗電極を実現することであ
る。さらに本発明の他の目的は、本発明を窒化物半導体
発光素子に適用することにより、低電圧駆動、高効率、
高信頼性、および長寿命を有するＬＥＤおよびＬＤ等の
窒化物半導体発光素子を実現することである。
と電気的に接続するために、窒化物半導体の最外部に位
置する、ｐ型窒化物半導体上にニッケル（Ｎｉ、以下Ｎ
ｉと略する）を蒸着し電極としていた。しかしｐ型窒化
物半導体上の電極の接触抵抗は高抵抗であり、また駆動
するためのしきい値電圧が高かった。このために発光素
子に利用した場合には、所望の光量を放射させるのに、
駆動電圧が高くなり、接触抵抗の部分で余分な熱を発生
していた。この熱は発光素子の連続発振の障害、さらに
デバイスの信頼性向上および長寿命化の妨げになってい
た。本発明の目的は、簡単な方法で低比接触抵抗を有す
るｐ型窒化物半導体上の低抵抗電極を実現することであ
る。さらに本発明の他の目的は、本発明を窒化物半導体
発光素子に適用することにより、低電圧駆動、高効率、
高信頼性、および長寿命を有するＬＥＤおよびＬＤ等の
窒化物半導体発光素子を実現することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、窒化物半導
体の最外部に位置するｐ型窒化物半導体層の上に生成さ
れる低抵抗の電極を提供するために、電極部を含むｐ型
窒化物半導体を従来技術より長時間アニーリングするこ
とにより、接触抵抗の低減が計られる。
体の最外部に位置するｐ型窒化物半導体層の上に生成さ
れる低抵抗の電極を提供するために、電極部を含むｐ型
窒化物半導体を従来技術より長時間アニーリングするこ
とにより、接触抵抗の低減が計られる。
【００１０】
【実施例】本明細書において、窒化物半導体として、Ｚ
ｎ、Ｓｉ、Ｍｇ等を不純物として含み、ＧａＮ，ＩｎＧ
ａＮ，ＡｌＧａＮ等に代表されるＧａＮを主成分とする
窒化物半導体をＧａＮ系半導体と呼び、このＧａＮ系半
導体を例にとって説明する。ＧａＮ系半導体を製造する
工程の中で、基板の上にバッファ層、コンタクト層、ク
ラッド層、光導波路層等を堆積する工程、およびコンタ
クト層にＭｇ等をドーピングする工程については、当業
者には周知のことであり、また本発明の課題ではないの
で説明を割愛する。ここではＧａＮ系半導体の最外部に
位置するｐ型ＧａＮ上にあり、外部との低抵抗の電気的
接触を可能にする電極の蒸着およびその後のアニーリン
グについて説明する。
ｎ、Ｓｉ、Ｍｇ等を不純物として含み、ＧａＮ，ＩｎＧ
ａＮ，ＡｌＧａＮ等に代表されるＧａＮを主成分とする
窒化物半導体をＧａＮ系半導体と呼び、このＧａＮ系半
導体を例にとって説明する。ＧａＮ系半導体を製造する
工程の中で、基板の上にバッファ層、コンタクト層、ク
ラッド層、光導波路層等を堆積する工程、およびコンタ
クト層にＭｇ等をドーピングする工程については、当業
者には周知のことであり、また本発明の課題ではないの
で説明を割愛する。ここではＧａＮ系半導体の最外部に
位置するｐ型ＧａＮ上にあり、外部との低抵抗の電気的
接触を可能にする電極の蒸着およびその後のアニーリン
グについて説明する。
【００１１】電極の蒸着工程 従来は、半導体素子において外部との電気的接続のため
の端子形成のために、電極となるＡｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉ
ｒ等の金属を半導体上に蒸着し、その後高温度で、比較
的短い時間、例えば１〜２分アニールする方法がよく用
いられてきた。これによって、界面において金属−半導
体の合金が形成され安定した抵抗性接触を得ることがで
きる。本実施例では、窒化物半導体素子としてＧａＮを
用い、電極となる金属としてＮｉ／Ａｕを選んだ。これ
らの金属を電子ビーム加熱真空蒸着法を用いて、最外部
にあるｐ型ＧａＮ上に蒸着した。蒸着金属の厚さは、Ｎ
ｉを１．４ｎｍ、その上にＡｕを２００ｎｍで蒸着し
た。
の端子形成のために、電極となるＡｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉ
ｒ等の金属を半導体上に蒸着し、その後高温度で、比較
的短い時間、例えば１〜２分アニールする方法がよく用
いられてきた。これによって、界面において金属−半導
体の合金が形成され安定した抵抗性接触を得ることがで
きる。本実施例では、窒化物半導体素子としてＧａＮを
用い、電極となる金属としてＮｉ／Ａｕを選んだ。これ
らの金属を電子ビーム加熱真空蒸着法を用いて、最外部
にあるｐ型ＧａＮ上に蒸着した。蒸着金属の厚さは、Ｎ
ｉを１．４ｎｍ、その上にＡｕを２００ｎｍで蒸着し
た。
【００１２】アニーリング工程 しかしながら、従来方法に従った1〜２分間のアニーリ
ングでは、電極の接触抵抗がまだ大きい。このためにこ
れらの窒化物半導体素子を駆動するのに、動作時に接触
抵抗部で発生する熱が問題となっていた。本発明に開示
する方法では、従来技術における１〜２分のアニーリン
グに比べてより長い4時間以上のアニーリングを行な
う。このアニーリングは約５００℃の温度の窒素雰囲気
中で行なわれる。
ングでは、電極の接触抵抗がまだ大きい。このためにこ
れらの窒化物半導体素子を駆動するのに、動作時に接触
抵抗部で発生する熱が問題となっていた。本発明に開示
する方法では、従来技術における１〜２分のアニーリン
グに比べてより長い4時間以上のアニーリングを行な
う。このアニーリングは約５００℃の温度の窒素雰囲気
中で行なわれる。
【００１３】以下に示す各データは、ｐ型ＧａＮ半導体
上に蒸着されたＮｉ／Ａｕからなる金属パターンの接触
抵抗をＴＬＭ法（Transmission Line Method）で測定し
たものである。アニーリングの時間経過とともに変化す
る比接触抵抗値の値を示す。
上に蒸着されたＮｉ／Ａｕからなる金属パターンの接触
抵抗をＴＬＭ法（Transmission Line Method）で測定し
たものである。アニーリングの時間経過とともに変化す
る比接触抵抗値の値を示す。
【００１４】アニーリング前には、比接触抵抗が約６Ｘ
１０ー2Ωｃｍ2であったものが、アニーリング４時間後
は １．３Ｘ１０ー2Ωｃｍ2、アニーリング９時間後は
６．９Ｘ１０ー3Ωｃｍ2、アニーリング１６時間後は
１．６Ｘ１０ー3Ωｃｍ2となり約２桁の改善が見られ
た。１６時間以上経過すると、逆に比接触抵抗の上昇傾
向が見られる。今回、アニーリングの温度は約５００℃
で行なった. 通常のアニーリングが行われる約４００℃
から約６００℃の範囲でも同様の効果が得られると考え
られる。比較的長時間アニーリングすることにより比接
触抵抗が減少していくのは、蒸着された金属、この場合
はＮｉがＧａＮ内部に十分に拡散していき、コンタクト
をよくするためであると考えられる。アニーリングの時
間は、約１６時間で最良値が得られた。本明細書はｐ型
窒化物半導体層の上に生成される低接触抵抗の電極を生
成するための一つの方法について開示している。当業者
には周知の従来技術と組み合わせることにより、さらに
効果的な改善が期待できることは明らかである。
１０ー2Ωｃｍ2であったものが、アニーリング４時間後
は １．３Ｘ１０ー2Ωｃｍ2、アニーリング９時間後は
６．９Ｘ１０ー3Ωｃｍ2、アニーリング１６時間後は
１．６Ｘ１０ー3Ωｃｍ2となり約２桁の改善が見られ
た。１６時間以上経過すると、逆に比接触抵抗の上昇傾
向が見られる。今回、アニーリングの温度は約５００℃
で行なった. 通常のアニーリングが行われる約４００℃
から約６００℃の範囲でも同様の効果が得られると考え
られる。比較的長時間アニーリングすることにより比接
触抵抗が減少していくのは、蒸着された金属、この場合
はＮｉがＧａＮ内部に十分に拡散していき、コンタクト
をよくするためであると考えられる。アニーリングの時
間は、約１６時間で最良値が得られた。本明細書はｐ型
窒化物半導体層の上に生成される低接触抵抗の電極を生
成するための一つの方法について開示している。当業者
には周知の従来技術と組み合わせることにより、さらに
効果的な改善が期待できることは明らかである。
【００１５】
【発明の効果】窒化物半導体素子の外部との低抵抗の電
気的接続を可能にする電極生成に関する本発明の開示に
より次の様な効果が期待できる。 １）窒化物半導体素子の効率的駆動が可能 p-型窒化物半導体素子を駆動するためのしきい値電圧、
および入力電圧が低減され、入力電力に対する出力の割
合としての素子駆動効率が改善される。 ２）窒化物半導体素子の高信頼性化、および高寿命化が
可能 窒化物半導体素子を駆動するときの電極部での接触抵抗
の低減により、駆動時に発生する余分な熱が低減でき、
半導体素子の信頼性が向上し、寿命が延びる。 ３）窒化物半導体発光素子の高効率化、高信頼性化、高
寿命化が可能 ＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子に利用したときに、高効率、
高信頼性、高寿命の窒化物半導体発光素子の製造が可能
となる。
気的接続を可能にする電極生成に関する本発明の開示に
より次の様な効果が期待できる。 １）窒化物半導体素子の効率的駆動が可能 p-型窒化物半導体素子を駆動するためのしきい値電圧、
および入力電圧が低減され、入力電力に対する出力の割
合としての素子駆動効率が改善される。 ２）窒化物半導体素子の高信頼性化、および高寿命化が
可能 窒化物半導体素子を駆動するときの電極部での接触抵抗
の低減により、駆動時に発生する余分な熱が低減でき、
半導体素子の信頼性が向上し、寿命が延びる。 ３）窒化物半導体発光素子の高効率化、高信頼性化、高
寿命化が可能 ＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子に利用したときに、高効率、
高信頼性、高寿命の窒化物半導体発光素子の製造が可能
となる。
【図１】端面発光型窒化物半導体レーザの一例の断面図
である。
である。
１ 端面発光型窒化物半導体レーザ ２ サファイア基板 ３ ＧａＮバッファ層 ４ n型ＧａＮコンタクト層 ５ ｎ電極 ６ ｎ型AlＧａＮクラッド層 ７ ｎ型ＧａＮ光導波路層 ８ InＧａＮ多重量子井戸層 ９ p型ＧａＮ光導波路層 １０ p型AlＧａＮクラッド層 １１ p型ＧａＮコンタクト層 PｂQ p電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 哲也 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番２号 ヒューレット・パッカードラボラトリー ズジャパンインク内 (72)発明者 山田 範秀 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番２号 ヒューレット・パッカードラボラトリー ズジャパンインク内
Claims (3)
- 【請求項１】p型窒化物層上を有する窒化物半導体素子
の製造において、前記p型窒化物層に金属電極を蒸着し
た後、前記金属電極を含む前記窒化物半導体素子を約40
0℃から約600℃の範囲の窒素雰囲気中で少なくとも４時
間アニーリングすることを特徴とする窒化物半導体素子
製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の窒化物半導体素子製造方
法において、前記窒化物半導体がＧａＮ系半導体である
ことを特徴とする窒化物半導体素子製造方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の窒化物半導体素子製造方
法において、前記金属電極がＮｉおよびＡｕを含むこと
を特徴とする窒化物半導体素子製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3770597A JPH10242074A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 窒化物半導体素子製造方法 |
| EP98906549A EP0972310A1 (en) | 1997-02-21 | 1998-02-18 | Method for fabricating low-resistance contacts on nitride semiconductor devices |
| PCT/US1998/003146 WO1998037586A1 (en) | 1997-02-21 | 1998-02-18 | Method for fabricating low-resistance contacts on nitride semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3770597A JPH10242074A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 窒化物半導体素子製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242074A true JPH10242074A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12504952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3770597A Pending JPH10242074A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 窒化物半導体素子製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0972310A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10242074A (ja) |
| WO (1) | WO1998037586A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100356594C (zh) * | 2004-12-08 | 2007-12-19 | 深圳市方大国科光电技术有限公司 | 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2298491C (en) | 1997-07-25 | 2009-10-06 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| WO2000052796A1 (fr) | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Nichia Corporation | Element de laser semiconducteur au nitrure |
| AUPS240402A0 (en) | 2002-05-17 | 2002-06-13 | Macquarie Research Limited | Gallium nitride |
| TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69425186T3 (de) * | 1993-04-28 | 2005-04-14 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP3770597A patent/JPH10242074A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-18 EP EP98906549A patent/EP0972310A1/en not_active Withdrawn
- 1998-02-18 WO PCT/US1998/003146 patent/WO1998037586A1/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100356594C (zh) * | 2004-12-08 | 2007-12-19 | 深圳市方大国科光电技术有限公司 | 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0972310A1 (en) | 2000-01-19 |
| WO1998037586A1 (en) | 1998-08-27 |
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