JPH05259509A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPH05259509A JPH05259509A JP480993A JP480993A JPH05259509A JP H05259509 A JPH05259509 A JP H05259509A JP 480993 A JP480993 A JP 480993A JP 480993 A JP480993 A JP 480993A JP H05259509 A JPH05259509 A JP H05259509A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｐ型の亜鉛及びセレンを含むＩＩ−ＶＩ族半
導体上にオーミック用金属電極設置部分が、亜鉛を除く
II族元素を含有させたセレン化亜鉛系ＩＩ−ＶＩ族半導
体層であることを特徴とするＩＩ−ＶＩ族半導体素子。 【効果】 本発明により、従来得られなかったＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体に対する良好なＰ型オーミック電極を得るこ
とができ、特に青色のＬＥＤに好適な半導体素子を得る
ことができる。
導体上にオーミック用金属電極設置部分が、亜鉛を除く
II族元素を含有させたセレン化亜鉛系ＩＩ−ＶＩ族半導
体層であることを特徴とするＩＩ−ＶＩ族半導体素子。 【効果】 本発明により、従来得られなかったＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体に対する良好なＰ型オーミック電極を得るこ
とができ、特に青色のＬＥＤに好適な半導体素子を得る
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子に関し、更に
詳しくは、ＩＩ−ＶＩ族半導体に好適なＰ型オーミック
電極構造を持つＩＩ−ＶＩ族半導体素子に関する。
詳しくは、ＩＩ−ＶＩ族半導体に好適なＰ型オーミック
電極構造を持つＩＩ−ＶＩ族半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、青色発光ダイオード（ＬＥＤ）あ
るいは青色レーザーダイオード（ＬＤ）がセレン化亜鉛
（ＺｎＳｅ）、及び亜鉛とセレンを含む３元以上の多元
ＩＩ−ＶＩ族半導体で実現されている。特に、窒素
（Ｎ）をＰ型ドーパントとして用いることにより、形成
したＰＮ接合を利用して良好な発光が得られている。
るいは青色レーザーダイオード（ＬＤ）がセレン化亜鉛
（ＺｎＳｅ）、及び亜鉛とセレンを含む３元以上の多元
ＩＩ−ＶＩ族半導体で実現されている。特に、窒素
（Ｎ）をＰ型ドーパントとして用いることにより、形成
したＰＮ接合を利用して良好な発光が得られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐ型Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物に対して、抵抗の低い良好なるＰ型オ
ーミック電極を与える良好な金属が少ない。そのため、
ＰＮ接合を持つ緑色から青色の発光ダイオードや半導体
レーザーのＰ層側のオーミック抵抗は、極めて高く、そ
のためＬＥＤやＬＤ等の素子に注入される電力の多く
は、Ｐ型電極付近で熱のかたちで消費され、注入電力に
対する発光効率が低下する。また熱の発生は、ＬＥＤや
ＬＤ等の素子を劣化させる原因にもなり、素子の信頼性
を損ねる原因となっていた。従って実用性のあるＬＥＤ
やＬＤ等の素子を得るためには、良好なＰ型オーミック
電極の形成が不可欠なものとなっている。
Ｉ−ＶＩ族化合物に対して、抵抗の低い良好なるＰ型オ
ーミック電極を与える良好な金属が少ない。そのため、
ＰＮ接合を持つ緑色から青色の発光ダイオードや半導体
レーザーのＰ層側のオーミック抵抗は、極めて高く、そ
のためＬＥＤやＬＤ等の素子に注入される電力の多く
は、Ｐ型電極付近で熱のかたちで消費され、注入電力に
対する発光効率が低下する。また熱の発生は、ＬＥＤや
ＬＤ等の素子を劣化させる原因にもなり、素子の信頼性
を損ねる原因となっていた。従って実用性のあるＬＥＤ
やＬＤ等の素子を得るためには、良好なＰ型オーミック
電極の形成が不可欠なものとなっている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意検討の結果、亜鉛を除くII族元素及び亜鉛を除くII族
元素を構成元素として含むＩＩ−ＶＩ族半導体が良好な
オーミック電極を形成することを見出し本発明に到達し
た。すなわち本発明の目的は、Ｐ型の亜鉛及びセレンを
含むＩＩ−ＶＩ族半導体素子に対して、低い電気抵抗を
有するＰ型オーミック電極を提供することであり、かか
る目的はＰ型の亜鉛及びセレンを含むＩＩ−ＶＩ族半導
体素子上のオーミック用金属電極設置部分が、亜鉛を除
くII族元素を含有させたセレン化亜鉛系ＩＩ−ＶＩ族半
導体層であるかあるいはＰ型の亜鉛及びセレンを含むＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体表面とオーミック用金属電極間に、亜
鉛を除くII族元素の薄膜を形成したことを特徴とするＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体素子、により容易に達成される。
意検討の結果、亜鉛を除くII族元素及び亜鉛を除くII族
元素を構成元素として含むＩＩ−ＶＩ族半導体が良好な
オーミック電極を形成することを見出し本発明に到達し
た。すなわち本発明の目的は、Ｐ型の亜鉛及びセレンを
含むＩＩ−ＶＩ族半導体素子に対して、低い電気抵抗を
有するＰ型オーミック電極を提供することであり、かか
る目的はＰ型の亜鉛及びセレンを含むＩＩ−ＶＩ族半導
体素子上のオーミック用金属電極設置部分が、亜鉛を除
くII族元素を含有させたセレン化亜鉛系ＩＩ−ＶＩ族半
導体層であるかあるいはＰ型の亜鉛及びセレンを含むＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体表面とオーミック用金属電極間に、亜
鉛を除くII族元素の薄膜を形成したことを特徴とするＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体素子、により容易に達成される。
【０００５】以下、本発明につき詳細に説明する。本発
明の半導体素子の最大の特徴部分は、ＩＩ−ＶＩ族半導
体に適したオーミック電極にある。従って、電極及び電
極に隣接する層を除く素子構造は、半導体素子として作
動しうるものであれば特に限定されず、ＬＥＤやＬＤ等
の素子として使用しうる構造であればよい。
明の半導体素子の最大の特徴部分は、ＩＩ−ＶＩ族半導
体に適したオーミック電極にある。従って、電極及び電
極に隣接する層を除く素子構造は、半導体素子として作
動しうるものであれば特に限定されず、ＬＥＤやＬＤ等
の素子として使用しうる構造であればよい。
【０００６】本発明において、電極に隣接する層、すな
わち電極が設置される層は、ＩＩ−ＶＩ族化合物又は、
セレン化亜鉛もしくはセレン化亜鉛系の多元Ｐ型半導体
である。（以下、これらをまとめて便宜上セレン化亜鉛
層という。）この上にセレン化亜鉛もしくはセレン化亜
鉛系の多元Ｐ型半導体中に亜鉛を除くII族元素を拡散し
た層を設ける。この時、好ましくはセレン化亜鉛層側か
ら電極側に向かって次第に亜鉛を除くII族元素の濃度が
高くなった構造とすることが好ましい。電極側における
亜鉛を除くII族元素の濃度は、１％以上が好ましく、よ
り好ましくは１０％以上、更に好ましくは３０％以上、
特に好ましくは、電極側表面が実質的に亜鉛を除くII族
元素であることである。この様な構造にすることによ
り、バンドギャップが亜鉛を除くII族元素側に向かい徐
々に小さくなり、ついには該亜鉛を除くII族元素に対し
オーミック接触となる。そして特に好ましい態様では、
表面が実質的に亜鉛を除くII族元素を主成分とする層と
なっているので、他の金属とさらに容易に良好なオーミ
ック接触をとることができる。
わち電極が設置される層は、ＩＩ−ＶＩ族化合物又は、
セレン化亜鉛もしくはセレン化亜鉛系の多元Ｐ型半導体
である。（以下、これらをまとめて便宜上セレン化亜鉛
層という。）この上にセレン化亜鉛もしくはセレン化亜
鉛系の多元Ｐ型半導体中に亜鉛を除くII族元素を拡散し
た層を設ける。この時、好ましくはセレン化亜鉛層側か
ら電極側に向かって次第に亜鉛を除くII族元素の濃度が
高くなった構造とすることが好ましい。電極側における
亜鉛を除くII族元素の濃度は、１％以上が好ましく、よ
り好ましくは１０％以上、更に好ましくは３０％以上、
特に好ましくは、電極側表面が実質的に亜鉛を除くII族
元素であることである。この様な構造にすることによ
り、バンドギャップが亜鉛を除くII族元素側に向かい徐
々に小さくなり、ついには該亜鉛を除くII族元素に対し
オーミック接触となる。そして特に好ましい態様では、
表面が実質的に亜鉛を除くII族元素を主成分とする層と
なっているので、他の金属とさらに容易に良好なオーミ
ック接触をとることができる。
【０００７】亜鉛を除くII族元素のセレン化亜鉛中への
拡散は、通常用いられる方法であれば特に限定されず、
セレン化亜鉛の層上に、亜鉛を除くII族元素層を形成
し、熱処理により亜鉛を除くII族元素を拡散させる方
法、気相成長させ導入するガス中の亜鉛を除くII族元素
分圧を変化させる方法等が考えられるが、特に好ましく
はセレン化亜鉛の層上に、亜鉛を除くII族元素層を形成
し、熱処理により亜鉛を除くII族元素を拡散させる方法
である。
拡散は、通常用いられる方法であれば特に限定されず、
セレン化亜鉛の層上に、亜鉛を除くII族元素層を形成
し、熱処理により亜鉛を除くII族元素を拡散させる方
法、気相成長させ導入するガス中の亜鉛を除くII族元素
分圧を変化させる方法等が考えられるが、特に好ましく
はセレン化亜鉛の層上に、亜鉛を除くII族元素層を形成
し、熱処理により亜鉛を除くII族元素を拡散させる方法
である。
【０００８】しかし、表面の亜鉛を除くII族元素は、常
温で液体の金属であり、蒸気圧が高いので、気化してし
まい、失われ易い。このことは、通常使用する時にも問
題であるが、亜鉛を除くII族元素をセレン化亜鉛中に拡
散させる時に熱処理を用いる場合、特に問題となる。こ
れを解決するための方法としては、表面の亜鉛を除くII
族元素を主成分とする層の上に、ある程度以上の機械的
強度を持つ高融点金属層を形成し、亜鉛を除くII族元素
の蒸発を抑えることが好ましい。高融点金属としては、
具体的には、融点が２０００℃以上のものが好ましく、
特に好ましくは、白金、タングステン等である。なお、
上述の白金、タングステン等は、金線等を直接ボンディ
ングすることが困難であるので、かかる上述の高融点金
属上に、更に金の層を設けるのが好ましい。
温で液体の金属であり、蒸気圧が高いので、気化してし
まい、失われ易い。このことは、通常使用する時にも問
題であるが、亜鉛を除くII族元素をセレン化亜鉛中に拡
散させる時に熱処理を用いる場合、特に問題となる。こ
れを解決するための方法としては、表面の亜鉛を除くII
族元素を主成分とする層の上に、ある程度以上の機械的
強度を持つ高融点金属層を形成し、亜鉛を除くII族元素
の蒸発を抑えることが好ましい。高融点金属としては、
具体的には、融点が２０００℃以上のものが好ましく、
特に好ましくは、白金、タングステン等である。なお、
上述の白金、タングステン等は、金線等を直接ボンディ
ングすることが困難であるので、かかる上述の高融点金
属上に、更に金の層を設けるのが好ましい。
【０００９】本発明の半導体素子の具体的構成を、以下
に図１を用いて説明する。図１は本発明の半導体素子の
一例を示す説明図である。１０１はＰ型ＺｎＳｅ層、１
０２はＨｇを拡散させたＺｎＳｅ層で厚さは１０ｎｍか
ら１μｍ程度、１０３はＰｔ層で厚さは５０ｎｍから５
００ｎｍ程度、１０４はＡｕ層で厚さは１００ｎｍから
２μｍ程度である。本発明の方法により、容易にＰ型の
ＺｎＳｅおよびＺｎＳｅが関与したＩＩ−ＶＩ族半導体
に対し、ボンディング性まで加味したオーミック電極を
形成することができる。
に図１を用いて説明する。図１は本発明の半導体素子の
一例を示す説明図である。１０１はＰ型ＺｎＳｅ層、１
０２はＨｇを拡散させたＺｎＳｅ層で厚さは１０ｎｍか
ら１μｍ程度、１０３はＰｔ層で厚さは５０ｎｍから５
００ｎｍ程度、１０４はＡｕ層で厚さは１００ｎｍから
２μｍ程度である。本発明の方法により、容易にＰ型の
ＺｎＳｅおよびＺｎＳｅが関与したＩＩ−ＶＩ族半導体
に対し、ボンディング性まで加味したオーミック電極を
形成することができる。
【００１０】以上熱処理を用いる方法についてのべた
が、その他にＨｇを構成元素として含むＩＩ−ＶＩ族化
合物を目的のＰ型ＩＩ−ＶＩ族化合物の上に結晶成長さ
せ、しかるのちにオーミック電極を形成することも有効
である。このようなＩＩ−ＶＩ族化合物にはＨｇＳｅ
（セレン化亜鉛を除くII族元素）、ＨｇＴｅ（テルル化
亜鉛を除くII族元素）などがある。この場合にも前に述
べた理由と同様な理由で容易にオーミック電極を形成す
ることができる。図２に以上述べた発明の例を示す。２
０１はＰ型のＺｎＳｅ層、２０２はＰ型のＨｇＳｅ層で
厚さは１０ｎｍから１００ｎｍ、２０３はＨｇＴｅ層で
厚さは１０ｎｍから１００ｎｍ程度、２０４はＡｕ電極
で厚さは１００ｎｍから２μｍ程度である。もちろんＨ
ｇＳｅの層をＺｎＳｅからじょじょにＨｇＳｅにかえ
る、すなわちＺｎxＨｇ1-xＳｅでおきかえｘを１から０
に変化させるという方法も有効である。同じようにＨｇ
Ｔｅの層をＨｇＳｅyＴｅ1-yで置き換えｙを１から０に
変化させるのも有効である。
が、その他にＨｇを構成元素として含むＩＩ−ＶＩ族化
合物を目的のＰ型ＩＩ−ＶＩ族化合物の上に結晶成長さ
せ、しかるのちにオーミック電極を形成することも有効
である。このようなＩＩ−ＶＩ族化合物にはＨｇＳｅ
（セレン化亜鉛を除くII族元素）、ＨｇＴｅ（テルル化
亜鉛を除くII族元素）などがある。この場合にも前に述
べた理由と同様な理由で容易にオーミック電極を形成す
ることができる。図２に以上述べた発明の例を示す。２
０１はＰ型のＺｎＳｅ層、２０２はＰ型のＨｇＳｅ層で
厚さは１０ｎｍから１００ｎｍ、２０３はＨｇＴｅ層で
厚さは１０ｎｍから１００ｎｍ程度、２０４はＡｕ電極
で厚さは１００ｎｍから２μｍ程度である。もちろんＨ
ｇＳｅの層をＺｎＳｅからじょじょにＨｇＳｅにかえ
る、すなわちＺｎxＨｇ1-xＳｅでおきかえｘを１から０
に変化させるという方法も有効である。同じようにＨｇ
Ｔｅの層をＨｇＳｅyＴｅ1-yで置き換えｙを１から０に
変化させるのも有効である。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はその要旨をこえない限り、下記実施例に
よって限定されるものではない。 （実施例）図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３０２
上に、Ｃ１（塩素）をドープしたｎ型ＺｎＳｅ層３０３
を０．２μｍ（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、ｎ型
ＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93層３０４を１μｍ（キャリア濃度５
×１０17ｃｍ-3）、次にＮ（窒素）をドープしたＰ型Ｃ
ｄ0.2Ｚｎ0.8Ｓｅ層３０５を０．１μｍ（キャリア濃度
１×１０17）同じくＮをドープしたＰ型ＺｎＳｅ0.07Ｓ
0.93層３０６を（キャリア濃度３×１０17ｃｍ-3）、最
後にＮをドープしたＰ型ＺｎＳｅ層３０７を０．２μ
ｍ、ＭＢＥ法により成長温度３００℃で成長させた後、
ｎ型の電極としてＩｎ３０１をｎ型ＧａＡｓ基板側に、
Ｐ型電極部にＨｇ層３０８を３０ｎｍ、Ｐｔ層３０９を
１００ｎｍ、Ａｕ層３１０を５００ｎｍ蒸着した後、窒
素雰囲気中２８０℃で１０分間熱処理した。この後順方
向に電圧をかけてＬＥＤ動作をさせた。流した電流は２
０ｍＡである。このとき従来行っていた、Ｐ型電極とし
てＡｕのみを用い場合は、動作電圧が１５（Ｖ）であっ
たが、本実施例の構造の時は、３．３（Ｖ）と大幅に改
善することができた。
るが、本発明はその要旨をこえない限り、下記実施例に
よって限定されるものではない。 （実施例）図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３０２
上に、Ｃ１（塩素）をドープしたｎ型ＺｎＳｅ層３０３
を０．２μｍ（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、ｎ型
ＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93層３０４を１μｍ（キャリア濃度５
×１０17ｃｍ-3）、次にＮ（窒素）をドープしたＰ型Ｃ
ｄ0.2Ｚｎ0.8Ｓｅ層３０５を０．１μｍ（キャリア濃度
１×１０17）同じくＮをドープしたＰ型ＺｎＳｅ0.07Ｓ
0.93層３０６を（キャリア濃度３×１０17ｃｍ-3）、最
後にＮをドープしたＰ型ＺｎＳｅ層３０７を０．２μ
ｍ、ＭＢＥ法により成長温度３００℃で成長させた後、
ｎ型の電極としてＩｎ３０１をｎ型ＧａＡｓ基板側に、
Ｐ型電極部にＨｇ層３０８を３０ｎｍ、Ｐｔ層３０９を
１００ｎｍ、Ａｕ層３１０を５００ｎｍ蒸着した後、窒
素雰囲気中２８０℃で１０分間熱処理した。この後順方
向に電圧をかけてＬＥＤ動作をさせた。流した電流は２
０ｍＡである。このとき従来行っていた、Ｐ型電極とし
てＡｕのみを用い場合は、動作電圧が１５（Ｖ）であっ
たが、本実施例の構造の時は、３．３（Ｖ）と大幅に改
善することができた。
【００１２】また図４に示すように、前記実施例のＭＢ
Ｅによる結晶成長構造の上に、さらにＭＢＥによりＮを
ドープしたＰ型ＨｇＳｅ層３１１を５０ｎｍ、ＨｇＴｅ
層３１２を５０ｎｍ結晶成長させたうえ、ｎ型の電極と
してＩｎ層３０１をｎ型ＧａＡｓ基板側に、Ｐ型の電極
としてＡｕ層３１０を５００ｎｍ蒸着して、窒素雰囲気
中２００℃で１０分間熱処理した。この後前記実施例と
同様２０ｍＡ順方向電流を流してＬＥＤ動作させた。こ
のときの平均的動作電圧は３．２（Ｖ）であった。
Ｅによる結晶成長構造の上に、さらにＭＢＥによりＮを
ドープしたＰ型ＨｇＳｅ層３１１を５０ｎｍ、ＨｇＴｅ
層３１２を５０ｎｍ結晶成長させたうえ、ｎ型の電極と
してＩｎ層３０１をｎ型ＧａＡｓ基板側に、Ｐ型の電極
としてＡｕ層３１０を５００ｎｍ蒸着して、窒素雰囲気
中２００℃で１０分間熱処理した。この後前記実施例と
同様２０ｍＡ順方向電流を流してＬＥＤ動作させた。こ
のときの平均的動作電圧は３．２（Ｖ）であった。
【００１３】
【発明の効果】本発明により、従来得られなかったＩＩ
−ＶＩ族半導体に対する良好なＰ型オーミック電極を得
ることができ、特に青色のＬＥＤ等に好適な半導体素子
を得ることができる。
−ＶＩ族半導体に対する良好なＰ型オーミック電極を得
ることができ、特に青色のＬＥＤ等に好適な半導体素子
を得ることができる。
【図１】 図１は本発明の半導体素子の特徴部分である
オーミック電極の構造の説明図である。
オーミック電極の構造の説明図である。
【図２】 図２は本発明の半導体素子の構造の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】 図３は本発明の半導体素子の構造の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】 図４は本発明の半導体素子の構造の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
１０１：Ｐ型ＺｎＳｅ層 １０２：Ｈｇ拡散
Ｐ型ＺｎＳｅ層 １０３：白金 １０４：金 ２０１：Ｐ型ＺｎＳｅ層 ２０２：Ｐ型Ｈｇ
Ｓｅ層 ２０３：ＨｇＴｅ層 ２０４：金 ３０１：Ｉｎ（ｎ型の電極） ３０２：ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板 ３０３：Ｃｌドープｎ型ＺｎＳｅ層 ３０４：ｎ型Ｚｎ
Ｓ0.07Ｓｅ0.93層 ３０５：ＮドープＰ型Ｃｄ0.2Ｚｎ0.8Ｓｅ ３０６：ＮドープＰ型ＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93層 ３０７：ＮドープＰ型ＺｎＳｅ層 ３０８：Ｈｇ層
３０９：Ｐｔ層 ３１０：Ａｕ層 ３１１：Ｐ型ＨｇＳｅ層 ３１
２：ＨｇＴｅ層
Ｐ型ＺｎＳｅ層 １０３：白金 １０４：金 ２０１：Ｐ型ＺｎＳｅ層 ２０２：Ｐ型Ｈｇ
Ｓｅ層 ２０３：ＨｇＴｅ層 ２０４：金 ３０１：Ｉｎ（ｎ型の電極） ３０２：ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板 ３０３：Ｃｌドープｎ型ＺｎＳｅ層 ３０４：ｎ型Ｚｎ
Ｓ0.07Ｓｅ0.93層 ３０５：ＮドープＰ型Ｃｄ0.2Ｚｎ0.8Ｓｅ ３０６：ＮドープＰ型ＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93層 ３０７：ＮドープＰ型ＺｎＳｅ層 ３０８：Ｈｇ層
３０９：Ｐｔ層 ３１０：Ａｕ層 ３１１：Ｐ型ＨｇＳｅ層 ３１
２：ＨｇＴｅ層
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｐ型の亜鉛及びセレンを含むＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体素子上のオーミック用金属電極設置部分が、
亜鉛を除くII族元素を含有させたセレン化亜鉛系ＩＩ−
ＶＩ族半導体層であることを特徴とするＩＩ−ＶＩ族半
導体素子。 - 【請求項２】 該亜鉛を除くII族元素を含むセレン化
亜鉛系ＩＩ−ＶＩ族半導体が、融点２０００℃以上であ
る金属で表面被覆されている請求項１記載の半導体素
子。 - 【請求項３】 Ｐ型の亜鉛及びセレンを含むＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体表面とオーミック用金属電極間に、亜鉛を除
くII族元素の薄膜を形成したことを特徴とするＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体素子。 - 【請求項４】 該亜鉛を除くII族元素を拡散させたセ
レン化亜鉛系ＩＩ−ＶＩ族半導体層の亜鉛を除くII族元
素の濃度が電極側に向かって増加している請求項１又は
３記載のＩＩ−ＶＩ族半導体素子。 - 【請求項５】 該亜鉛を除くII族元素が水銀である請
求項１、３又は４記載のＩＩ−ＶＩ族半導体素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-5168 | 1992-01-14 | ||
| JP516892 | 1992-01-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259509A true JPH05259509A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=11603710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP480993A Pending JPH05259509A (ja) | 1992-01-14 | 1993-01-14 | 半導体素子 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0552023B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05259509A (ja) |
| DE (1) | DE69309321T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0734071A2 (en) * | 1995-03-24 | 1996-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | II-VI group compound semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US5587609A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | II-VI group compound semiconductor device metallic nitride ohmic contact for p-type |
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| US6087725A (en) * | 1997-09-29 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Low barrier ohmic contact for semiconductor light emitting device |
| US6657300B2 (en) * | 1998-06-05 | 2003-12-02 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices |
| CN104181773A (zh) * | 2014-07-22 | 2014-12-03 | 北京金达雷科技有限公司 | 一种用于激光选择性金属化的光敏树脂、制备及活化方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US4123295A (en) * | 1977-01-14 | 1978-10-31 | California Institute Of Technology | Mercury chalcogenide contact for semiconductor devices |
| US4548681A (en) * | 1984-02-03 | 1985-10-22 | The Standard Oil Company (Ohio) | Electrodeposition of thin film heterojunction photovoltaic devices that utilize Cd rich Hg1-x Cdx Te |
| US4910154A (en) * | 1988-12-23 | 1990-03-20 | Ford Aerospace Corporation | Manufacture of monolithic infrared focal plane arrays |
| JP2559492B2 (ja) * | 1989-07-05 | 1996-12-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子の製造方法 |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
| JPH04199887A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ｐｎ接合素子及びその製造方法並びに青色発光ダイオード素子 |
| US5293074A (en) * | 1992-05-05 | 1994-03-08 | North American Philips Corporation | Ohmic contact to p-type ZnSe |
| US5818072A (en) * | 1992-05-12 | 1998-10-06 | North Carolina State University | Integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same |
-
1993
- 1993-01-13 EP EP93300196A patent/EP0552023B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-13 DE DE69309321T patent/DE69309321T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-01-14 JP JP480993A patent/JPH05259509A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-27 US US08/606,867 patent/US5644165A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US5587609A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | II-VI group compound semiconductor device metallic nitride ohmic contact for p-type |
| US5767536A (en) * | 1994-03-24 | 1998-06-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | II-VI group compound semiconductor device |
| US5786269A (en) * | 1994-03-24 | 1998-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | II-VI group compound semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP0734071A2 (en) * | 1995-03-24 | 1996-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | II-VI group compound semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP0734071A3 (en) * | 1995-03-24 | 1998-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | II-VI group compound semiconductor device and method for manufacturing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0552023A1 (en) | 1993-07-21 |
| DE69309321D1 (de) | 1997-05-07 |
| EP0552023B1 (en) | 1997-04-02 |
| DE69309321T2 (de) | 1997-08-14 |
| US5644165A (en) | 1997-07-01 |
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