JP3494880B2 - 窒化物系半導体発光素子のｐ側電極及び窒化物系半導体発光素子 - Google Patents
窒化物系半導体発光素子のｐ側電極及び窒化物系半導体発光素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系半導体発
光素子及びその窒化物系半導体発光素子用ｐ側電極に関
する。
光素子及びその窒化物系半導体発光素子用ｐ側電極に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤色半導体レーザは、ＩｎＧａＡ
ｌＰ材料を用いた６００ｎｍ帯の光源によりディスクの
読出・書込のいずれも可能なレベルに特性改善され、す
でに実用化されている。
ｌＰ材料を用いた６００ｎｍ帯の光源によりディスクの
読出・書込のいずれも可能なレベルに特性改善され、す
でに実用化されている。
【０００３】そこで、さらなる記録密度向上を目指し
て、より波長の短い青色半導体レーザが盛んに開発され
ている。発振波長の短いレーザ光は集光サイズを小さく
でき、記録密度を高めるには有効であるからである。
て、より波長の短い青色半導体レーザが盛んに開発され
ている。発振波長の短いレーザ光は集光サイズを小さく
でき、記録密度を高めるには有効であるからである。
【０００４】このため、近年、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｇ
ａＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体材料は、高密度光ディスクシステム等への応用を図
る短波長半導体レーザの材料として注目されている。
ａＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体材料は、高密度光ディスクシステム等への応用を図
る短波長半導体レーザの材料として注目されている。
【０００５】例えば、ＧａＮ系半導体材料を用いた半導
体レーザでは，波長３８０〜４１７ｎｍのパルス発振が
確認されているが、満足な特性が得られず、室温パルス
発振におけるしきい値電圧は１０〜４０Ｖと高い値であ
る上にばらつきが大きい。
体レーザでは，波長３８０〜４１７ｎｍのパルス発振が
確認されているが、満足な特性が得られず、室温パルス
発振におけるしきい値電圧は１０〜４０Ｖと高い値であ
る上にばらつきが大きい。
【０００６】これは、窒化物系半導体層の結晶成長が難
しいことと、この素子抵抗が大きいことに起因する。す
なわち、高キャリア濃度のｐ型窒化物系半導体層を形成
できないことと、ｐ側電極コンタクト抵抗が高いことに
より、大きな電圧降下を招き、パルス発振動作でさえ発
熱や金属反応による劣化が生じる。
しいことと、この素子抵抗が大きいことに起因する。す
なわち、高キャリア濃度のｐ型窒化物系半導体層を形成
できないことと、ｐ側電極コンタクト抵抗が高いことに
より、大きな電圧降下を招き、パルス発振動作でさえ発
熱や金属反応による劣化が生じる。
【０００７】また、レーザ発振に必要な電流を注入する
と、ｐ型の窒化物系半導体層が良質な結晶ではなく、下
層から上層への成長方向に沿って微細な複数の孔を有す
る欠陥があるため、局所的に高い電流が流れ、活性層に
均一にキャリアを注入できないばかりか、瞬発的な素子
破壊を起こすので、連続発振に至らない。
と、ｐ型の窒化物系半導体層が良質な結晶ではなく、下
層から上層への成長方向に沿って微細な複数の孔を有す
る欠陥があるため、局所的に高い電流が流れ、活性層に
均一にキャリアを注入できないばかりか、瞬発的な素子
破壊を起こすので、連続発振に至らない。
【０００８】このように、光ディスク等への実用に供す
る低しきい値電流、低しきい値電圧で動作し、信頼性の
高い窒化物系半導体レーザを実現させるためには、活性
層へのキャリア注入を効率的にかつ均一に行うととも
に、ｐ側電極コンタクトでの電圧降下の抑制が重要であ
るものの、現状では極めて困難である。
る低しきい値電流、低しきい値電圧で動作し、信頼性の
高い窒化物系半導体レーザを実現させるためには、活性
層へのキャリア注入を効率的にかつ均一に行うととも
に、ｐ側電極コンタクトでの電圧降下の抑制が重要であ
るものの、現状では極めて困難である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上のように窒化物系
半導体レーザでは、ｐ側電極コンタクト抵抗（以下、単
に、コンタクト抵抗という）が高いために、ｐ側電極と
ｐ側コンタクト層の間で大きな電圧降下を生じ、低しき
い値電流、低動作電圧の素子の実現が困難となってい
る。
半導体レーザでは、ｐ側電極コンタクト抵抗（以下、単
に、コンタクト抵抗という）が高いために、ｐ側電極と
ｐ側コンタクト層の間で大きな電圧降下を生じ、低しき
い値電流、低動作電圧の素子の実現が困難となってい
る。
【００１０】窒化物系半導体発光素子ではコンタクト抵
抗が高いために動作電圧が高くなるばかりか、ｐ側電極
金属とｐ型ＧａＮコンタクト層が通電時に反応し劣化を
おこすために、半導体レーザの連続発振が困難であっ
た。
抗が高いために動作電圧が高くなるばかりか、ｐ側電極
金属とｐ型ＧａＮコンタクト層が通電時に反応し劣化を
おこすために、半導体レーザの連続発振が困難であっ
た。
【００１１】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、ｐ側電極とｐ側電極コンタクト層との間に生じるコ
ンタクト抵抗を容易に低くし、さらに稼動時の発熱に対
してｐ側電極の耐熱性を強く安定化することにより、低
しきい値電流、低動作電圧で劣化を起こさず、優れた信
頼性を有する窒化物系半導体発光素子を提供することを
目的とする。
で、ｐ側電極とｐ側電極コンタクト層との間に生じるコ
ンタクト抵抗を容易に低くし、さらに稼動時の発熱に対
してｐ側電極の耐熱性を強く安定化することにより、低
しきい値電流、低動作電圧で劣化を起こさず、優れた信
頼性を有する窒化物系半導体発光素子を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、ｐ型窒化
物系半導体層上に該半導体層と接して設けられたＭｇX
ＡｕY （Ｘ＞Ｙ）層と、Ｐｔ層、Ｍｏ層又はＷ層のうち
少なくとも一つの金属層と、さらに、Ａｕ層とが順次積
層されてなり、前記Ｍｇ X Ａｕ Y 層と前記金属層とが接
し、前記金属層と前記Ａｕ層とが接していることを特徴
とする窒化物系半導体発光素子のｐ側電極である。
物系半導体層上に該半導体層と接して設けられたＭｇX
ＡｕY （Ｘ＞Ｙ）層と、Ｐｔ層、Ｍｏ層又はＷ層のうち
少なくとも一つの金属層と、さらに、Ａｕ層とが順次積
層されてなり、前記Ｍｇ X Ａｕ Y 層と前記金属層とが接
し、前記金属層と前記Ａｕ層とが接していることを特徴
とする窒化物系半導体発光素子のｐ側電極である。
【００１３】第２の発明は、活性層を挟んでｐ型窒化物
系半導体層とｎ型窒化物系半導体層が設けられ、それぞ
れの窒化物系半導体層に電極を備えてなる窒化物系半導
体発光素子において、前記ｐ型窒化物系半導体層上に請
求項１記載の電極を設けたことを特徴とする窒化物系半
導体発光素子である。
系半導体層とｎ型窒化物系半導体層が設けられ、それぞ
れの窒化物系半導体層に電極を備えてなる窒化物系半導
体発光素子において、前記ｐ型窒化物系半導体層上に請
求項１記載の電極を設けたことを特徴とする窒化物系半
導体発光素子である。
【００１４】第３の発明は、活性層を挟んでｐ型窒化物
系半導体層とｎ型窒化物系半導体層が設けられ、それぞ
れの窒化物系半導体層に電極を備えてなる窒化物系半導
体発光素子において、前記ｐ型窒化物系半導体層と請求
項１記載の電極との間にＭｇを含む合金薄層を介在させ
たことを特徴とする窒化物系半導体発光素子である。
系半導体層とｎ型窒化物系半導体層が設けられ、それぞ
れの窒化物系半導体層に電極を備えてなる窒化物系半導
体発光素子において、前記ｐ型窒化物系半導体層と請求
項１記載の電極との間にＭｇを含む合金薄層を介在させ
たことを特徴とする窒化物系半導体発光素子である。
【００１５】第４の発明は、サファイア基板と、この基
板上に設けられたｎ型窒化物系半導体層からなるバッフ
ァ層と、このバッファ層上に設けられたｎ型窒化物系半
導体層からなる第１のコンタクト層と、この第１のコン
タクト層上に設けられたｎ側電極と、この第１のコンタ
クト層上に設けられたｎ型窒化物系半導体層からなる第
１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に設けられ
たｎ型窒化物系半導体層からなる第１の導波層と、この
第１の導波層上に設けられた活性層と、この活性層上に
設けられたｐ型窒化物系半導体層からなる第２の導波層
と、この第２の導波層上に設けられたｐ型窒化物系半導
体層からなる第２のクラッド層と、この第２のクラッド
層上に設けられたｐ型窒化物系半導体層からなる第２の
コンタクト層と、この第２のコンタクト層上に設けられ
た請求項１記載の電極を備えていることを特徴とする窒
化物系半導体発光素子である。
板上に設けられたｎ型窒化物系半導体層からなるバッフ
ァ層と、このバッファ層上に設けられたｎ型窒化物系半
導体層からなる第１のコンタクト層と、この第１のコン
タクト層上に設けられたｎ側電極と、この第１のコンタ
クト層上に設けられたｎ型窒化物系半導体層からなる第
１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に設けられ
たｎ型窒化物系半導体層からなる第１の導波層と、この
第１の導波層上に設けられた活性層と、この活性層上に
設けられたｐ型窒化物系半導体層からなる第２の導波層
と、この第２の導波層上に設けられたｐ型窒化物系半導
体層からなる第２のクラッド層と、この第２のクラッド
層上に設けられたｐ型窒化物系半導体層からなる第２の
コンタクト層と、この第２のコンタクト層上に設けられ
た請求項１記載の電極を備えていることを特徴とする窒
化物系半導体発光素子である。
【００１６】ｐ側電極とｐ型ＧａＮコンタクト層で生じ
るコンタクト抵抗は、界面に存在する２ｅＶ近い高さの
障壁に因るものである。この障壁高さを低減させること
により印加時の電流は流れやすくなり、コンタクト抵抗
の低減を図れる。さらに、ｐ型ＧａＮコンタクト層のｐ
側電極側の表面付近のキャリア濃度を大きくすることで
ある。これらを満たす材料がＭｇとＡｕが同等数よりや
やＭｇが過剰なＭｇＡｕ合金である。
るコンタクト抵抗は、界面に存在する２ｅＶ近い高さの
障壁に因るものである。この障壁高さを低減させること
により印加時の電流は流れやすくなり、コンタクト抵抗
の低減を図れる。さらに、ｐ型ＧａＮコンタクト層のｐ
側電極側の表面付近のキャリア濃度を大きくすることで
ある。これらを満たす材料がＭｇとＡｕが同等数よりや
やＭｇが過剰なＭｇＡｕ合金である。
【００１７】ＧａＮ層にコンタクトしたＭｇは熱処理に
よりＧａＮ側に拡散し電気的に活性化し高濃度のキャリ
アが望める．ＡｕはＭｇと結合してＭｇＡｕを形成し易
く図２の相図から判断すると、このＭｇとＡｕが同等数
の状態が一番熱的に安定であるために、Ａｕ自身は全て
Ｍｇと結合し、ＧａＮ層へ拡散することはない。また、
ＭｇＡｕ合金の仕事関数はＭｇやＡｕ単体よりも大きい
ためにｐ型の半導体層とコンタクトしたときに生じる障
壁の高さは低減されコンタクト抵抗の低減が図れる。
よりＧａＮ側に拡散し電気的に活性化し高濃度のキャリ
アが望める．ＡｕはＭｇと結合してＭｇＡｕを形成し易
く図２の相図から判断すると、このＭｇとＡｕが同等数
の状態が一番熱的に安定であるために、Ａｕ自身は全て
Ｍｇと結合し、ＧａＮ層へ拡散することはない。また、
ＭｇＡｕ合金の仕事関数はＭｇやＡｕ単体よりも大きい
ためにｐ型の半導体層とコンタクトしたときに生じる障
壁の高さは低減されコンタクト抵抗の低減が図れる。
【００１８】さらに、上述したようにＭｇX ＡｕY ；X
〜Y の合金はＭｇ−Ａｕの結合が強く熱的にも非常に安
定な合金であるために劣化などにも強い。また、ｐ側電
極の最上層のＡｕ層のＡｕがＭｇＡｕ側に拡散してくる
とＡｕ過剰となり容易にＡｕがＧａＮ層へ拡散し素子の
劣化が生じる。このＡｕの拡散防止のために、Ｐｔ層を
Ａｕ層とＭｇＡｕ層との間に挿入し、少なくとも３層に
形成することによりＭｇＡｕ層の安定化を保証した。
〜Y の合金はＭｇ−Ａｕの結合が強く熱的にも非常に安
定な合金であるために劣化などにも強い。また、ｐ側電
極の最上層のＡｕ層のＡｕがＭｇＡｕ側に拡散してくる
とＡｕ過剰となり容易にＡｕがＧａＮ層へ拡散し素子の
劣化が生じる。このＡｕの拡散防止のために、Ｐｔ層を
Ａｕ層とＭｇＡｕ層との間に挿入し、少なくとも３層に
形成することによりＭｇＡｕ層の安定化を保証した。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施
形態に係る窒化物系半導体レーザの概略構成を示す断面
図である。同図中で、１はサファイア基板、２はＧａＮ
バッファ層（アンドープ、２μｍ）、３はｎ型ＧａＮコ
ンタクト層（Ｓｉドープ、５×１０18ｃｍ-3、４μ
ｍ）、４はｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層（Ｓｉド
ープ、５×１０17ｃｍ-3、０．３μｍ）、５はＧａＮ導
波層（アンドープ、0.1 μｍ）、６はＩｎ0.15Ｇａ0.85
Ｎ／ＧａＮ活性層（アンドープ、井戸幅２ｎｍ、障壁幅
３ｎｍ、ペア数５）、７はｐ型ＧａＮ導波層（Ｍｇドー
プ、５×１０17ｃｍ-3、０．１μｍ）、８はｐ型Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層（Ｍｇドープ、５×１０17ｃ
ｍ-3、０．３μｍ）、９はｐ型ＧａＮコンタクト層（Ｍ
ｇドープ、１×１０18ｃｍ-3、1 μｍ）、１０はＭｇＡ
ｕ層、１１はＰｔ層、１２はＡｕ層、１３はｎ側Ａｕ／
Ｔｉ電極である。
て図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施
形態に係る窒化物系半導体レーザの概略構成を示す断面
図である。同図中で、１はサファイア基板、２はＧａＮ
バッファ層（アンドープ、２μｍ）、３はｎ型ＧａＮコ
ンタクト層（Ｓｉドープ、５×１０18ｃｍ-3、４μ
ｍ）、４はｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層（Ｓｉド
ープ、５×１０17ｃｍ-3、０．３μｍ）、５はＧａＮ導
波層（アンドープ、0.1 μｍ）、６はＩｎ0.15Ｇａ0.85
Ｎ／ＧａＮ活性層（アンドープ、井戸幅２ｎｍ、障壁幅
３ｎｍ、ペア数５）、７はｐ型ＧａＮ導波層（Ｍｇドー
プ、５×１０17ｃｍ-3、０．１μｍ）、８はｐ型Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層（Ｍｇドープ、５×１０17ｃ
ｍ-3、０．３μｍ）、９はｐ型ＧａＮコンタクト層（Ｍ
ｇドープ、１×１０18ｃｍ-3、1 μｍ）、１０はＭｇＡ
ｕ層、１１はＰｔ層、１２はＡｕ層、１３はｎ側Ａｕ／
Ｔｉ電極である。
【００２０】この窒化物系半導体レーザの製造方法は次
の通りである。始めに有機金属を用いた気相成長（Ｍｅ
ｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法により、サ
ファイア基板１上に、 ＧａＮバッファ層２からｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層９まで成長させる。次に、 ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層９の一部を開口したマスク（図示せず）
で覆い、各半導体層９〜３を部分的にエッチング除去し
て、 ｎ型ＧａＮコンタクト層３を露出させる。
の通りである。始めに有機金属を用いた気相成長（Ｍｅ
ｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法により、サ
ファイア基板１上に、 ＧａＮバッファ層２からｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層９まで成長させる。次に、 ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層９の一部を開口したマスク（図示せず）
で覆い、各半導体層９〜３を部分的にエッチング除去し
て、 ｎ型ＧａＮコンタクト層３を露出させる。
【００２１】次に、マスクを除去して、ｐ型ＧａＮコン
タクト層９上に、幅１０μｍとして、厚さ１０ｎｍのＭ
ｇ層、厚さ１０ｎｍのＡｕ層、厚さ５０ｎｍのＰｔ層１
１及び厚さ１μｍのＡｕ層１２を順次スパッタ蒸着し、
ｐ側電極１００を形成する。
タクト層９上に、幅１０μｍとして、厚さ１０ｎｍのＭ
ｇ層、厚さ１０ｎｍのＡｕ層、厚さ５０ｎｍのＰｔ層１
１及び厚さ１μｍのＡｕ層１２を順次スパッタ蒸着し、
ｐ側電極１００を形成する。
【００２２】次に、７００℃窒素雰囲気で２０秒熱処理
をすると、Ａｕ層のＡｕはすべてＭｇ層のＭｇと反応し
てＭｇＡｕ層１０を形成して安定する。Ｍｇ層の残りの
Ｍｇがｐ型ＧａＮコンタクト層9 表面に拡散する。この
ＭｇＡｕ層１０上のＰｔ層１１及びＡｕ層１２はこの熱
処理でお互いに反応することはない。この後、 ｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層３上にｎ側Ａｕ／Ｔｉ電極１３を形成
する。
をすると、Ａｕ層のＡｕはすべてＭｇ層のＭｇと反応し
てＭｇＡｕ層１０を形成して安定する。Ｍｇ層の残りの
Ｍｇがｐ型ＧａＮコンタクト層9 表面に拡散する。この
ＭｇＡｕ層１０上のＰｔ層１１及びＡｕ層１２はこの熱
処理でお互いに反応することはない。この後、 ｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層３上にｎ側Ａｕ／Ｔｉ電極１３を形成
する。
【００２３】さらに、サファイア基板１はＧａＮバッフ
ァ層２との界面から深さ方向５０μｍまで下から鏡面研
磨する。さらに、ｐ側電極１００の長手方向に対して垂
直方向にへき開され、１ｍｍ長の窒化物系半導体レーザ
チップが形成される。
ァ層２との界面から深さ方向５０μｍまで下から鏡面研
磨する。さらに、ｐ側電極１００の長手方向に対して垂
直方向にへき開され、１ｍｍ長の窒化物系半導体レーザ
チップが形成される。
【００２４】この窒化物系半導体レーザは、しきい値電
流８０ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４２０ｎ
ｍ、動作電圧は７Ｖであり、さらに５０℃、３０ｍＷ駆
動における素子寿命は５０００時間であった。
流８０ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４２０ｎ
ｍ、動作電圧は７Ｖであり、さらに５０℃、３０ｍＷ駆
動における素子寿命は５０００時間であった。
【００２５】本実施形態に基づく窒化物系半導体発光素
子の電流電圧特性を図３に示す。同図の曲線３１が本実
施形態による窒化物系半導体発光素子の特性である。電
圧の立ち上がりは、５Ｖであった。比較例として、本実
施形態において、従来のｐ側電極であるＡｕ／Ｐｔ／Ｔ
ｉ／Ｐｔを用いた場合の窒化物系半導体発光素子の電流
電圧特性を同図の曲線３２に示す。この曲線３２から明
らかなように、この特性は完全なダイオード特性となっ
ておらず、また電圧の立ち上がりも１５Ｖ程度と非常に
高くなっており、発光は確認できたが数分で劣化した。
子の電流電圧特性を図３に示す。同図の曲線３１が本実
施形態による窒化物系半導体発光素子の特性である。電
圧の立ち上がりは、５Ｖであった。比較例として、本実
施形態において、従来のｐ側電極であるＡｕ／Ｐｔ／Ｔ
ｉ／Ｐｔを用いた場合の窒化物系半導体発光素子の電流
電圧特性を同図の曲線３２に示す。この曲線３２から明
らかなように、この特性は完全なダイオード特性となっ
ておらず、また電圧の立ち上がりも１５Ｖ程度と非常に
高くなっており、発光は確認できたが数分で劣化した。
【００２６】前述した以外のｐ側電極１００の製造方法
として、ＭＯＣＶＤ法により各半導体層１から９まで成
長した後、ＭｇとＡｕの含有比Ｍｇ／Ａｕが１以上のタ
ーゲットをスパッタ蒸着させる。続いて、Ｐｔ、さらに
Ａｕをそれぞれ５０ｎｍ、１００ｎｍ蒸着し、７００℃
の窒素雰囲気中で熱処理をする方法が挙げられる。さら
に、前述した以外のｐ側電極１００の製造方法として、
ｐ型ＧａＮコンタクト層９形成後に、原料をビスシクロ
ペンタジエニルマグネシウム（ｂｉｓ−Ｃｐ2 Ｍｇ）と
してＭＯＣＶＤ法により、１０ｎｍ強のＭｇだけを堆積
させる。次に、Ｍｇ層の上に１０ｎｍのＡｕを堆積させ
る。その後は前述した通りに行えばよい。
として、ＭＯＣＶＤ法により各半導体層１から９まで成
長した後、ＭｇとＡｕの含有比Ｍｇ／Ａｕが１以上のタ
ーゲットをスパッタ蒸着させる。続いて、Ｐｔ、さらに
Ａｕをそれぞれ５０ｎｍ、１００ｎｍ蒸着し、７００℃
の窒素雰囲気中で熱処理をする方法が挙げられる。さら
に、前述した以外のｐ側電極１００の製造方法として、
ｐ型ＧａＮコンタクト層９形成後に、原料をビスシクロ
ペンタジエニルマグネシウム（ｂｉｓ−Ｃｐ2 Ｍｇ）と
してＭＯＣＶＤ法により、１０ｎｍ強のＭｇだけを堆積
させる。次に、Ｍｇ層の上に１０ｎｍのＡｕを堆積させ
る。その後は前述した通りに行えばよい。
【００２７】なお、図４は、本発明の第１の実施形態の
変形例に係る窒化物系半導体レーザの概略構成を示す断
面図である。７００℃窒素雰囲気での熱処理を７００℃
以上、例えば、８００℃窒素雰囲気で２０秒熱処理行う
と、 ｐ型ＧａＮコンタクト層９とＭｇＡｕ層１０との
間に、Ｍｇを含む合金薄層１０１ができる。これによっ
て、さらに、コンタクト抵抗の低抵抗化が可能となっ
た。
変形例に係る窒化物系半導体レーザの概略構成を示す断
面図である。７００℃窒素雰囲気での熱処理を７００℃
以上、例えば、８００℃窒素雰囲気で２０秒熱処理行う
と、 ｐ型ＧａＮコンタクト層９とＭｇＡｕ層１０との
間に、Ｍｇを含む合金薄層１０１ができる。これによっ
て、さらに、コンタクト抵抗の低抵抗化が可能となっ
た。
【００２８】図５は本発明の第２の実施形態に係る窒化
物系半導体レーザの概略構成を示す断面図である。図１
と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略
し、ここでは第１の実施形態と異なる部分について詳述
する。
物系半導体レーザの概略構成を示す断面図である。図１
と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略
し、ここでは第１の実施形態と異なる部分について詳述
する。
【００２９】すなわち、本実施形態に係る窒化物系半導
体レーザは、第１の実施形態に比べ、より一層のコンタ
クト抵抗の低減を図るものである。具体的には図５に示
すように、ｐ型ＧａＮコンタクト層９の上に第２のコン
タクト層としてｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9 Ｎコンタクト層４
９（Ｍｇドープ、１×１０18ｃｍ-3、０．０２μｍ）が
挿入されている。
体レーザは、第１の実施形態に比べ、より一層のコンタ
クト抵抗の低減を図るものである。具体的には図５に示
すように、ｐ型ＧａＮコンタクト層９の上に第２のコン
タクト層としてｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9 Ｎコンタクト層４
９（Ｍｇドープ、１×１０18ｃｍ-3、０．０２μｍ）が
挿入されている。
【００３０】ｐ型Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎコンタクト層４９
はｐ型ＧａＮコンタクト層９よりバンドギャップが狭
い。このため、ショットキー障壁が低くなり、コンタク
ト抵抗が第１の実施形態に比べて、２０％の低減ができ
た。
はｐ型ＧａＮコンタクト層９よりバンドギャップが狭
い。このため、ショットキー障壁が低くなり、コンタク
ト抵抗が第１の実施形態に比べて、２０％の低減ができ
た。
【００３１】上述したように、第２の実施形態によれば
バンドギャップの狭いｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9 Ｎコンタク
ト層４９をコンタクト層としてｐ型ＧａＮコンタクト層
９とＭｇＡｕ層１０の間に挿入したので，第１の実施の
形態の効果に加え、ｐ側電極１００とのコンタクト抵抗
を一層低減させることができ、いっそうの動作電圧の低
減化などを図ることができる．図６は本発明の第３の実
施形態に係る窒化物系半導体発光ダイオードの概略構成
を示す断面図である。
バンドギャップの狭いｐ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9 Ｎコンタク
ト層４９をコンタクト層としてｐ型ＧａＮコンタクト層
９とＭｇＡｕ層１０の間に挿入したので，第１の実施の
形態の効果に加え、ｐ側電極１００とのコンタクト抵抗
を一層低減させることができ、いっそうの動作電圧の低
減化などを図ることができる．図６は本発明の第３の実
施形態に係る窒化物系半導体発光ダイオードの概略構成
を示す断面図である。
【００３２】図１と同一部分には同一符号を付してその
詳しい説明は省略し、ここでは第１の実施形態と異なる
部分について詳述する。すなわち、図１のＭｇＡｕ層１
０の代わりに、厚さ１０ｎｍのＭｇＡｕ透明電極５０
が、ｐ型ＧａＮコンタクト層９の上面全体に形成されて
いる。さらに、このｐ型ＧａＮコンタクト層９一部分で
ｎ側Ａｕ／Ｔｉ電極１３に遠い部分にＰｔ層５１及びＡ
ｕ層５２を形成した。
詳しい説明は省略し、ここでは第１の実施形態と異なる
部分について詳述する。すなわち、図１のＭｇＡｕ層１
０の代わりに、厚さ１０ｎｍのＭｇＡｕ透明電極５０
が、ｐ型ＧａＮコンタクト層９の上面全体に形成されて
いる。さらに、このｐ型ＧａＮコンタクト層９一部分で
ｎ側Ａｕ／Ｔｉ電極１３に遠い部分にＰｔ層５１及びＡ
ｕ層５２を形成した。
【００３３】ここで、ＭｇＡｕ透明電極５０のＭｇ層及
びＡｕ層の厚さは共に５ｎｍとした。尚、Ｐｔ層５１及
びＡｕ層５２の厚さは、図１のＰｔ層１１及びＡｕ層１
２と同じであり、ｐ側電極１００の形成方法も同様であ
る。
びＡｕ層の厚さは共に５ｎｍとした。尚、Ｐｔ層５１及
びＡｕ層５２の厚さは、図１のＰｔ層１１及びＡｕ層１
２と同じであり、ｐ側電極１００の形成方法も同様であ
る。
【００３４】また、本発明は、窒化物系半導体発光素子
に限られるものでなく、ｐ側電極と接合しているｐ型半
導体層の不純物がＭｇであるもの、すなわち、 ＩｎＧ
ａＡｌＰ系赤色半導体発光素子にも適用できる。以下
に、 ＩｎＧａＡｌＰ系赤色半導体発光素子の実施形態
を説明する。
に限られるものでなく、ｐ側電極と接合しているｐ型半
導体層の不純物がＭｇであるもの、すなわち、 ＩｎＧ
ａＡｌＰ系赤色半導体発光素子にも適用できる。以下
に、 ＩｎＧａＡｌＰ系赤色半導体発光素子の実施形態
を説明する。
【００３５】図７は本発明の第４の実施形態に係るＩｎ
ＧａＡｌＰ系赤色半導体レーザの概略構成を示す断面図
である。この赤色半導体レーザは、ＭＯＣＶＤ法によ
り、ｎ型ＧａＡｓ基板６１上に、ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ
0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐクラッド層６２（Ｓｉドープ、５
×１０17ｃｍ-3、１．２μｍ）、Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ活
性層６３（アンドープ、０．０２μｍ）及び、ｐ型Ｉｎ
0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐクラッド層６４（Ｍｇ
ドープ、５×１０17ｃｍ-3、１．２μｍ）が順次形成さ
れている。 ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐ
クラッド層６４には、その途中までエッチングしてスト
ライプ状のリッジ部が形成されている。リッジの側面に
はｎ型ＧａＡｓ電流阻止層６５（Ｓｉドープ、２×１０
18ｃｍ-3、１μｍ）が成長形成される。また、リッジ部
の上部及びｎ型ＧａＡｓ電流阻止層６５上には、ｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層６６（Ｍｇドープ、１×１０18ｃｍ
-3、３μｍ）が成長形成されている。そして、 ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板６１の裏面にｎ側電極６７、 ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層６６上に厚さ２０ｎｍのＭｇＡｕ層６８が
形成される。このＭｇＡｕ層６８上に厚さ５０ｎｍのＰ
ｔ層６９及び厚さ１μｍのＡｕ層７０が順次積層され、
ｐ側電極１００が形成される。ｐ側電極１００の形成方
法は第１の実施形態と同様である。
ＧａＡｌＰ系赤色半導体レーザの概略構成を示す断面図
である。この赤色半導体レーザは、ＭＯＣＶＤ法によ
り、ｎ型ＧａＡｓ基板６１上に、ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ
0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐクラッド層６２（Ｓｉドープ、５
×１０17ｃｍ-3、１．２μｍ）、Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ活
性層６３（アンドープ、０．０２μｍ）及び、ｐ型Ｉｎ
0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐクラッド層６４（Ｍｇ
ドープ、５×１０17ｃｍ-3、１．２μｍ）が順次形成さ
れている。 ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐ
クラッド層６４には、その途中までエッチングしてスト
ライプ状のリッジ部が形成されている。リッジの側面に
はｎ型ＧａＡｓ電流阻止層６５（Ｓｉドープ、２×１０
18ｃｍ-3、１μｍ）が成長形成される。また、リッジ部
の上部及びｎ型ＧａＡｓ電流阻止層６５上には、ｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層６６（Ｍｇドープ、１×１０18ｃｍ
-3、３μｍ）が成長形成されている。そして、 ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板６１の裏面にｎ側電極６７、 ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層６６上に厚さ２０ｎｍのＭｇＡｕ層６８が
形成される。このＭｇＡｕ層６８上に厚さ５０ｎｍのＰ
ｔ層６９及び厚さ１μｍのＡｕ層７０が順次積層され、
ｐ側電極１００が形成される。ｐ側電極１００の形成方
法は第１の実施形態と同様である。
【００３６】この赤色半導体レーザは、しきい値電流３
５ｍＡで室温連続発振した。発振波長は６７０ｎｍ、動
作電圧は2 Ｖであり、さらに５０℃、３０ｍＷ駆動にお
ける素子寿命は５０００時間であった。
５ｍＡで室温連続発振した。発振波長は６７０ｎｍ、動
作電圧は2 Ｖであり、さらに５０℃、３０ｍＷ駆動にお
ける素子寿命は５０００時間であった。
【００３７】図８は本発明の第５の実施形態に係るＩｎ
ＧａＡｌＰ系赤色半導体発光ダイオードの概略構成を示
す断面図である。この赤色半導体発光ダイオードは、Ｍ
ＯＣＶＤ法により、ｐ型ＧａＡｓ基板８１上にｐ型Ｉｎ
0.5 （Ｇａ1-l Ａｌl ）0.5 Ｐクラッド層８２（Ｍｇド
ープ、５×１０17ｃｍ-3、１．２μｍ）、Ｉｎ0.5 （Ｇ
ａ1-m Ａｌm ）0.5 Ｐ活性層８３（アンドープ、０．０
２μｍ）及び、ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-n Ａｌn ）0.5 Ｐ
クラッド層８４（Ｓｉドープ、５×１０17ｃｍ-3、１．
２μｍ）、ｎ型電流拡散層８５が順次形成されている。
なお、 ｎ型電流拡散層８５は、Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-m Ａ
ｌm ）0.5 Ｐ活性層８３の発光に対して透明となるよう
な材料が選ばれている。本実施形態では、酸化物導電体
であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を
用いており、厚さは０．３μｍ、キャリア濃度は１×１
０20ｃｍ-3である。
ＧａＡｌＰ系赤色半導体発光ダイオードの概略構成を示
す断面図である。この赤色半導体発光ダイオードは、Ｍ
ＯＣＶＤ法により、ｐ型ＧａＡｓ基板８１上にｐ型Ｉｎ
0.5 （Ｇａ1-l Ａｌl ）0.5 Ｐクラッド層８２（Ｍｇド
ープ、５×１０17ｃｍ-3、１．２μｍ）、Ｉｎ0.5 （Ｇ
ａ1-m Ａｌm ）0.5 Ｐ活性層８３（アンドープ、０．０
２μｍ）及び、ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-n Ａｌn ）0.5 Ｐ
クラッド層８４（Ｓｉドープ、５×１０17ｃｍ-3、１．
２μｍ）、ｎ型電流拡散層８５が順次形成されている。
なお、 ｎ型電流拡散層８５は、Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-m Ａ
ｌm ）0.5 Ｐ活性層８３の発光に対して透明となるよう
な材料が選ばれている。本実施形態では、酸化物導電体
であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を
用いており、厚さは０．３μｍ、キャリア濃度は１×１
０20ｃｍ-3である。
【００３８】ｎ型電流拡散層８５上にｎ側電極８６が形
成され、 ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-lＡｌl ）0.5 Ｐクラ
ッド層８２は、その途中までエッチングしてｐ型電極が
形成されている。ｐ側電極１００はｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ
1-l Ａｌl ）0.5 Ｐクラッド層８２側から厚さ２０ｎｍ
のＭｇＡｕ層８７、その上に厚さ５０ｎｍのＰｔ層８８
及び厚さ１μｍのＡｕ層８９が順次積層されている。
ｐ側電極１００の形成方法は第１の実施形態と同様であ
る。
成され、 ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-lＡｌl ）0.5 Ｐクラ
ッド層８２は、その途中までエッチングしてｐ型電極が
形成されている。ｐ側電極１００はｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ
1-l Ａｌl ）0.5 Ｐクラッド層８２側から厚さ２０ｎｍ
のＭｇＡｕ層８７、その上に厚さ５０ｎｍのＰｔ層８８
及び厚さ１μｍのＡｕ層８９が順次積層されている。
ｐ側電極１００の形成方法は第１の実施形態と同様であ
る。
【００３９】ここでダブルヘテロ構造部を構成するＩｎ
ＧａＡｌＰ各半導体層のＡｌ組成ｌ、ｍ、ｎは高い発光
効率が得られるように、ｍ≦ｌ、ｍ≦ｎを満足するよう
に設定されている。
ＧａＡｌＰ各半導体層のＡｌ組成ｌ、ｍ、ｎは高い発光
効率が得られるように、ｍ≦ｌ、ｍ≦ｎを満足するよう
に設定されている。
【００４０】本発明は、上記第１乃至第５の実施形態に
限られるものではない。例えば、Ｐｔ層の代わりに、Ｍ
ｏ層、Ｗ層を使用しても良い。この場合、Ｍｏ層の厚さ
は、Ｐｔ層と同じ５０ｎｍ程度でよいが、Ｗ層の厚さ
は、２０〜３０ｎｍと、Ｐｔ層の５０ｎｍの半分の厚さ
で済むという効果がある。さらには、Ｐｔ層の上にＷ層
またはその逆の積層構造等であってもよい。その他、本
発明は半導体層の組成、膜厚及び、導電性が逆の構造等
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
限られるものではない。例えば、Ｐｔ層の代わりに、Ｍ
ｏ層、Ｗ層を使用しても良い。この場合、Ｍｏ層の厚さ
は、Ｐｔ層と同じ５０ｎｍ程度でよいが、Ｗ層の厚さ
は、２０〜３０ｎｍと、Ｐｔ層の５０ｎｍの半分の厚さ
で済むという効果がある。さらには、Ｐｔ層の上にＷ層
またはその逆の積層構造等であってもよい。その他、本
発明は半導体層の組成、膜厚及び、導電性が逆の構造等
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
【００４１】
【発明の効果】上述した本発明によれば，コンタクト抵
抗の低抵抗化、及び熱的に安定なｐ側電極１００を実現
できる。これにより、低しきい値電流、低動作電圧を有
し、信頼性の優れた窒化物系半導体発光素子を提供でき
る。
抗の低抵抗化、及び熱的に安定なｐ側電極１００を実現
できる。これにより、低しきい値電流、低動作電圧を有
し、信頼性の優れた窒化物系半導体発光素子を提供でき
る。
【図１】 本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
の第１の実施形態の概略構成を示す断面図である。
の第１の実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図２】 本発明のＭｇＡｕ層１０の組成比がほぼ１で
あると熱的に安定であるということを表す相図である。
あると熱的に安定であるということを表す相図である。
【図３】 本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
の第１の実施形態の電流電圧特性を比較例とともに示す
グラフである。
の第１の実施形態の電流電圧特性を比較例とともに示す
グラフである。
【図４】 本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
の第１の実施形態の変形例の概略構成を示す断面図であ
る。
の第１の実施形態の変形例の概略構成を示す断面図であ
る。
【図５】 本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
の第２の実施形態の概略構成を示す断面図である。
の第２の実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図６】 本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
の第３の実施形態の概略構成を示す断面図である。
の第３の実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図７】 本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
の第４の実施形態の概略構成を示す断面図である。
の第４の実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図８】 本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子
の第５の実施形態の概略構成を示す断面図である。
の第５の実施形態の概略構成を示す断面図である。
１ サファイア基板
２ ＧａＮバッファ層
３ ｎ型ＧａＮコンタクト層
４ ｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層
５ ｎ型ＧａＮ導波層
６ Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ／ＧａＮ活性層
７ ｐ型ＧａＮ導波層
８ ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層
９ ｐ型ＧａＮコンタクト層
１０、６８、８７ ＭｇＡｕ層
１１、５１、６９、８８ Ｐｔ層
１２、５２、７０、８９ Ａｕ層
１３ ｎ側Ａｕ／Ｔｉ電極
４９ ｐ型Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎコンタクト層
５０ ＭｇＡｕ透明電極
６１ ｎ型ＧａＡｓ基板
６２ ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐ
クラッド層 ６３ Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ活性層 ６４ ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐ
クラッド層 ６５ ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層 ６６ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ６７、８６ ｎ側電極 ８１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ８２ ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-l Ａｌl ）0.5 Ｐク
ラッド層 ８３ Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-m Ａｌm ）0.5 Ｐ活性層 ８４ ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-n Ａｌn ）0.5 Ｐク
ラッド層 ８５ ｎ型電流拡散層 １００ ｐ側電極 １０１ Ｍｇを含む合金薄層
クラッド層 ６３ Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ活性層 ６４ ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 ）0.5 Ｐ
クラッド層 ６５ ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層 ６６ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ６７、８６ ｎ側電極 ８１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ８２ ｐ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-l Ａｌl ）0.5 Ｐク
ラッド層 ８３ Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-m Ａｌm ）0.5 Ｐ活性層 ８４ ｎ型Ｉｎ0.5 （Ｇａ1-n Ａｌn ）0.5 Ｐク
ラッド層 ８５ ｎ型電流拡散層 １００ ｐ側電極 １０１ Ｍｇを含む合金薄層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−64871（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−242571（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−288321（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−302770（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01S 5/00 - 5/50
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (3)
- 【請求項１】ｐ型窒化物系半導体層上に該半導体層と接
して設けられたＭｇX ＡｕY （Ｘ＞Ｙ）層と、Ｐｔ層、
Ｍｏ層又はＷ層のうち少なくとも一つの金属層と、さら
に、Ａｕ層とが順次積層されてなり、前記ＭｇX ＡｕY
層と前記金属層とが接し、前記金属層と前記Ａｕ層とが
接していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の
ｐ側電極。 - 【請求項２】活性層を挟んでｐ型窒化物系半導体層とｎ
型窒化物系半導体層が設けられ、それぞれの窒化物系半
導体層に電極を備えてなる窒化物系半導体発光素子にお
いて、前記ｐ型窒化物系半導体層上に請求項１記載の電
極を設けたことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。 - 【請求項３】サファイア基板と、この基板上に設けられ
たｎ型窒化物系半導体層からなるバッファ層と、このバ
ッファ層上に設けられたｎ型窒化物系半導体層からなる
第１のコンタクト層と、この第１のコンタクト層上に設
けられたｎ側電極と、この第１のコンタクト層上に設け
られたｎ型窒化物系半導体層からなる第１のクラッド層
と、この第１のクラッド層上に設けられたｎ型窒化物系
半導体層からなる第１の導波層と、この第１の導波層上
に設けられた活性層と、この活性層上に設けられたｐ型
窒化物系半導体層からなる第２の導波層と、この第２の
導波層上に設けられたｐ型窒化物系半導体層からなる第
２のクラッド層と、この第２のクラッド層上に設けられ
たｐ型窒化物系半導体層からなる第２のコンタクト層
と、この第２のコンタクト層上に設けられた請求項１記
載の電極を備えていることを特徴とする窒化物系半導体
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07892998A JP3494880B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 窒化物系半導体発光素子のｐ側電極及び窒化物系半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07892998A JP3494880B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 窒化物系半導体発光素子のｐ側電極及び窒化物系半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274554A JPH11274554A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3494880B2 true JP3494880B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=13675572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07892998A Expired - Fee Related JP3494880B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 窒化物系半導体発光素子のｐ側電極及び窒化物系半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3494880B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TWI227571B (en) * | 2004-01-13 | 2005-02-01 | Super Nova Optoelectronics Cor | Gallium nitride based light-emitting device and the fabricating method for the same |
| TW200529464A (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Super Nova Optoelectronics Corp | Gallium nitride based light-emitting diode structure and manufacturing method thereof |
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| JP2008171997A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Rohm Co Ltd | ＧａＮ系半導体発光素子 |
| CN101971364B (zh) | 2008-11-06 | 2013-05-15 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物类半导体元件及其制造方法 |
| EP2273573A4 (en) * | 2009-03-11 | 2012-11-14 | Panasonic Corp | NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| WO2011077704A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| WO2011125279A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| JP2012164718A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Advanced Power Device Research Association | 半導体デバイスおよび半導体デバイス製造方法 |
| JP6927112B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2021-08-25 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP07892998A patent/JP3494880B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH11274554A (ja) | 1999-10-08 |
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