KR100210691B1 - 상호접속용 접촉구조, 삽입기, 반도체 어셈블리 및 이들을 제조하기 위한 방법 - Google Patents

상호접속용 접촉구조, 삽입기, 반도체 어셈블리 및 이들을 제조하기 위한 방법 Download PDF

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이거 와이. 칸드로스
캐탄 엘. 마디유
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이고르 와이. 칸드로스
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    • H01L2224/13647—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
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Abstract

상호접속 접촉구조 어셈블리는 표면과 이 표면에 액세스 가능하며 상기 전자소자에 의해 지지된 도전접촉구조를 가진다. 접촉구조는 제1 및 제2단부를 가진 내부 가요성 연장부재를 포함하며, 상기 제1단부는 개별 본딩 재료를 사용하지 않고 상기 도전접촉단자의 표면에 제1인티메이트 본드를 형성한다. 전기도전 셸은 상기 연장부재를 밀봉하고 상기 제1인티메이트에 인접한 상기 도전 접촉단자의 적어도 일부분을 가진 제2인티메이트 본드를 형성하는 적어도 하나의 도전재료층으로 형성된다.

Description

상호접속용 접촉구조, 삽입기, 반도체 어셈블리 및 이들을 제조하기 위한 방법
제1도는 개별핀의 형태인, 본 발명을 통합한 뼈대 및 근육 접촉구조의 부분적인 사시도.
제2도는 제1도와 유사하나 구부러진 탄성 접촉구조를 도시한 부분적인 사시도.
제3도는 다중 및 다중 층 셀을 가진 접촉구조를 도시한 단면의 측입면도.
제4도는 셀에 돌출부를 제공한, 본 발명을 통합한 접촉구조의 다른 실시예에 대한 단면의 측입면도.
제5도는 접촉구조의 휨부분이 전기적으로 도전 충전된 컴플라이언스 엘라스토머층에 의해 동시에 단락된, 본 발명을 통합한 접촉구조의 다른 실시예를 도시한 부분적인 단면의 측입면도.
제6도는 인쇄회로기판의 플레이트 스로우 홀에 관련하여 이용된 본 발명을 통합한 다른 접촉구조에 대한 단면의 사시도.
제7도는 탄성 접촉구조가 인쇄회로기판의 한 측면상에 제공되고 탄성을 필요로 하지 않는 접촉구조가 인쇄회로기판의 다른 측면상에 제공된 인쇄회로기판의 플레이트 스로우 홀에 관련하여 이용된 본 발명을 통합한 접촉구조와 다른 실시예에 대한 단면의 사시도.
제8도는 제1도에서 기술된 형태인 다수의 스템이 납땜 열구조를 형성하기 위해 납땜층에 의해 함께 브리지되는, 본 발명을 통합한 다른 접촉구조에 대한 단면의 측입면도.
제9도는 두 개의 리던던트 탄성 컴플라이언스 접촉구조가 접촉단자마다 제공되는, 본 발명을 통합한 접촉구조에 대한 단면의 측입면도.
제10도는 컴플라이언스 납땜 열이 제공되도록 납땜 없이 중간 휨부분을 유지하면서 3개의 탄성 접촉구조가 상부 및 하부단부에서 납땜층에 의해 브리지되는, 본 발명을 통합한 다른 접촉구조에 대한 단면의 측입면도.
제11도는 접촉구조가 프로브 접촉을 형성하기 위해 기판의 에지상에서 뻗는 본 발명을 통합한 접촉구조의 다른 실시예에 대한 부분적인 측정면도.
제12도는 차폐 접촉구조의 사용을 도시한 본 발명을 통합한 다른 접촉구조에 대한 단면의 측입면도.
제13도는 접촉구조가 인쇄회로기판과 같은 접촉 캐리어 기판중 한 측면에서 시작하여 홀을 통해 다른 측면으로 뻗는 접촉점중 하나를 가지며 동일 측면으로부터 뻗는 다른 접촉구조를 가진 본 발명을 통합한 다른 접촉구조에 대한 단면의 사시도.
제14도는 프로브가 다른 접촉단자와 맞물릴 때 접촉저항을 최소화하기 위한 형태를 가진 단부가 프로브에 제공된 본 발명을 통합한 접촉구조의 다른 실시예에 대한 단면의 결합 측입면도 및 사시도.
제15도는 제14도와 유사하나 캔틸레버 접촉의 사용을 도시한 입면도.
제16도는 접촉구조가 루프내에 형성된 본 발명을 통합한 접촉구조에 대한 단면의 사시도.
제17도는 제16도와 유사하나 접촉당 두 개의 루프와 납땜 열을 형성하는 루프를 브리지하는 납땜층을 도시한 입면도.
제18도는 접촉구조가 열적 상호접속으로 이용되는 것으로서 큰 납땜 열에 대한 댐으로 사용하는 차폐부를 형성하기 위해 배열되는 본 발명을 통합한 접촉구조를 도시한 일부분을 단면도로 한 사시도.
제19도는 본 발명을 통합한 삽입기를 도시한 단면의 사시도.
제20도는 이중측면 삽입기를 도시한 단면의 사시도.
제21도는 한 측면상에 탄성 접촉구조를 가지고 다른 측면상에 제공된 납땜가능한 접촉구조를 가진 본 발명을 통합한 다른 삽입기에 대한 단면의 사시도.
제22도는 이중측면 탄성 컴플라이언스 접촉구조 및 스탠드오프를 이용하는 본 발명을 통합한 삽입기의 다른 실시예를 도시한 단면의 사시도.
제23도는 본 발명을 통합한 능동 반도체 어셈블리에 대한 단면의 사시도.
제24도는 정렬핀을 가진 엇갈림 접촉구조를 도시한 단면의 사시도.
제25도는 이중측면 플립칩 부속소자를 도시한 본 발명을 통합한 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제26도는 본 발명을 통합한 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제27도는 분해식 접촉구조를 이용하는 본 발명을 통합한 반도체 패키지의 다른 실시예에 대한 단면의 측입면도.
제28도는 착탈 가능한 플레이트 스로우 홀의 탄성 접촉구조를 이용하는 본 발명을 통합한 다른 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제29도는 래치 스프링을 이용하는 본 발명을 통합한 다른 반도체 패키지 어셈블리에 대한 단면의 측입면도.
제30도는 정렬핀을 이용하는 본 발명을 통합한 다른 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제31도는 벨로우-더-서페이스(below-the-surface) 커패시터를 실행하는 본 발명을 통합한 다른 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제32도는 다수의 커패시터의 장착을 도시한 본 발명을 통합한 다른 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제33도는 분리 커패시터를 이용하는 본 발명을 통합한 다른 반도체 어셈블리에 대한 단면의 측입면도.
제34도는 모기판을 이용하는 본 발명을 통합한 다른 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제35도는 삽입기를 이용하는 본 발명을 통합한 다른 반도체 패키지에 대한 단면의 측입면도.
제36도는 상호접속 기판을 이용하는 본 발명을 통합한 반도체 패키지에 대한 단면의 사시도.
제37도는 이중측면 전구재료의 형태인 반도체 장치의 4개의 층을 통합한 반도체 패키지의 측입면도.
제38도는 수직으로 스틱된 실리콘 칩을 도시한 본 발명을 통합한 반도체 패키지의 측입면도.
일반적으로, 본 발명의 접촉구조는 표면을 가진 전자소자와 상기 전자소자의 표면으로부터 액세스 가능하고 표면을 가진 도전성 접촉패드를 통합하는 장치에 사용한다. 가요성 도전 연장소자는 제1 및 제2단부를 가진다. 제2자유단을 가진 제1개별 본드를 형성하기 위해 접촉패드에 제1단부를 결합하는 수단이 제공된다. 도전 셸은 제2개별 본드를 제공하기 위해 제1단부를 접촉패드에 결합하는 수단에 인접한 접촉패드의 일부표면과 가요성 연장소자를 밀봉하여, 접촉패드 및 도전셸사이의 본드 세기는 접촉패드 및 가요성 연장소자사이의 본드 세기보다 세다.
특히, 도면에 도시된 것처럼, 제1도의 접촉구조(101)는 하나 이상의 반도체 소자를 가지는 적층 플라스틱, 세라믹 또는 실리콘 패키지의 능동 또는 수동 반도체 소자일 수 있는 전자소자(102)에 접촉을 형성하기 위해 사용된다. 또한, 그것은 커넥터와 같은 상호접속 소자일 수 있다. 선택적으로, 그것은 반도체 패키지 또는 반도체 소자를 위한 제조, 검사 또는 번-인 소켓일 수 있다. 어쨌든, 소위 지지구조로 불릴 수 있는 전자소자(102)는 접촉구조(101)를 실행하기 위해 이용될 수 있다. 전자소자에는 하나 이상의 도전접촉패드(103)가 제공되며, 이 접촉패드(103)는 표면(104)위의 평면에 위치하거나 또는 전자소자(102)의 표면(104)으로부터 또는 표면(104)을 통해 액세스 가능하며, 동시에 다양한 위치에 위치하고 다양한 각도로 다양한 평면위에 놓인다. 패드(103)는 전자소자(102)의 주변에 위치할 수 있다. 그들은 에지 근처의 면적 어레이에 또는 중심라인 패드-아우트(pad-out)에 위치될 수 있으며, 앞의 결합은 당업자에게 공지된 사실이다. 각각의 패드(103)는 전형적으로 각가그이 패드에 전용된 전기기능을 가진다. 임의의 응용에서, 접촉패드(103)는 다른 평면내에 놓이거나 또는 소자의 에지위에 놓인다. 접촉패드(103)는 임의의 적정 기하학적 형태를 가진다. 예를 들어, 그들은 원형 및 직사각형 평면일 수 있으며 노출된 표면(105)을 가진다. 패드(103)는 임의의 크기를 가질 수 있으나 전형적으로 2 내지 5밀이 크기이다.
접촉구조(101)는 그것의 작은 직경 때문에 전형적으로 가요성이고 제1 및 제2단부(107, 108)를 가지는 연장소자(106)로 이루어진다. 그것은 또한 심선 또는 뼈때라 불린다. 연장소자(106)는 예를 들어 베릴륨, 카드뮴, 실리콘 및 마그네슘으로 적절한 물리적인 특성을 얻기 위해서 금, 알루미늄 또는 소량의 다른 금속을 가진 구리와 같은 적절한 도전성 재료로 이루어진다. 더욱이, 금속 및 백금군의 금속과 같은 합금이 이용될 수 있다. 선택적으로 납, 틴, 인듐 또는 그들의 합금은 연장소자를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 연장소자(106)는 0.25 내지 10밀의 직경, 바람직하게 0.5 내지 3밀의 직경을 가질 수 있다. 연장소자(106)은 임의의 적정 길이를 가질 수 있으나 작은 기하학적 형태의 반도체 장치와 관련하여 적절하게 사용할 수 있는 길이를 가지며, 그것의 패키지는 10밀 내지 500밀의 크기를 가진다.
도전성 연자소자의 제1단부(107) 및 접촉패드(103) 중 한 패드사이에 제1개별본드를 형성하기 위한 수단이 제공된다. 어느 적정 수단은 접속하기 위해 이용될 수 있다. 예를들어, 연장소자(106)를 가진 모세관(도시안됨)을 이용하고 제1단부상에 제공된 볼을 가진 와이어 본드는 패드(103)와 맞물릴 수 있어서, 압력 및 온도 또는 초음파 에너지를 적용할 때, 와이어 본드, 전형적으로 볼형 본드(111)는 연장소자(111)의 제1단부를 패드(103)에 접속하기 위해 형성된다. 적정 와이어 본드(111)의 제1단부를 패드(103)에 접속하기 위해 형성된다. 적정 와이어 본드(111)가 형성된후, 모세관은 모세관으로부터 뻗는 연장소자(106)의 적정 길이를 허용하기 위해 상승될 수 있으며, 연장소자(106)를 절단하고 볼(112)이 연장소자(106)의 제2단부(108)상에 형성되게 하며 모세관의 연장소자(106)의 나머지 길이상에 대응볼을 제공하기 위해서 와이어를 위치적으로 용해함으로서 절단이 이루어져서, 다음 접촉구조는 만일 그것이 볼형 본드접속을 만들지라도 다음 패드와 동일한 와이어 본딩 머신을 이용하기 위해 만들어진다.
본 발명에 따르면, 뼈대를 덮는 근육이라 불리는 도전 셸(116)은 연장소자(106)상에 형성되고, 와이어 본드(111)를 둘러싸고 접촉패드의 전체 노출표면의 직접 점착제에 의해 접촉패드(103)에 제2개별 본드를 형성하기 위해서 접촉패드(103)상에서 바람직하게 뻗는 접촉패드(103)의 표면영역을 완전히 둘러싼다. 따라서, 접촉구조(101)는 제1 및 제2개별본드에 의해 접촉패드(103)에 부착된다. 도전 특성을 가지는 것 외에 셸(116)은 이후에 설명될 합성 접촉구조(101)에서 요구된 다른 기계적인 특성을 가진다.
셸(116)은 접촉구조에 대한 적정 기계적인 특성을 제공하기 위한 재료로 형성된다. 셸의 재료는 원리적으로 평방 인치당 적어도 3만 파운드를 가진 고항복강도를 가진 재료이여야 한다. 본 접촉구조에 따르면, 접촉구조(101) 및 접촉패드(103) 사이의 점착 강도는 원리적으로 적당하다. 즉, 셸(116) 및 접촉패드(103)사이의 접촉강도의 50%이상이다. 셸(116)은 전형적으로 0.20밀 내지 20밀의 벽두께를 가지며 바람직하게 0.25 내지 10밀의 벽두께를 가진다. 본 발명에 따른 셸(116)은 그것의 길이에 따라 연장소자(106) 또는 뼈대(106)에 부착하고 단위구조를 효과적으로 제공하기 위해서 패드(103)의 표면에 부착한다. 전형적으로, 연장소자 또는 뼈대(106)의 강도는 셸상의 재료 강도보다 약하다. 그것이 가소성으로 변형하는 접촉구조를 가질 때, 셸(116)은 구리 또는 땜납과 같은 도전재료로 형성될 수 있어서, 납-주석 납땜에 의해 예시된다. 그것이 스프링 특성을 가진 셸(116)을 가질 때, 니켈, 철, 코발트 또는 그것의 합금이 사용된다. 임의의 응용에서 셸(116)에 적절한 특성을 부여하는 다른 재료는 구리, 니켈, 코발트, 주석, 붕소, 인, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 비스무트, 인듐, 세슘, 안티몬, 금, 은, 로듐, 팔라둠, 백금, 류테늄 및 이들의 합금이다. 전형적으로, 셸을 포함하는 상부층은, 만일 그것이 요구된다면, 금, 은, 백금군의 금속의 합금 또는 금속, 또는 다양한 땜납 합금으로 이루어진다. 임의의 용액하에서 연장소자(106)상에 전기 도금할 때, 예를 들어 니켈과 같은 임의의 재료는 결과적인 접촉구조(101)를 변형 또는 부수기 위해 요구된 힘을 증가시키는 내부 압축력을 형성할 수 있다. 니켈과 같은 임의의 재료는 평방 인치당 80,000lbs를 초과하는 인장강도를 제공할 것이다.
앞서 리스트된 하나 이상의 재료로 만들어진 셸 또는 뼈대(116)는 전형적으로 종래 수성 도금기술을 사용하여 가요성 연장소자 또는 뼈대상에 형성될 수 있다. 셸(116)은 또한 종래 박막공정에서 사용된 물리 또는 화학기상증착 기술을 사용하여 연장소자(106)를 밀봉함으로서 제공될 수 있으며 수성, 유체 또는 고체 전구체를 사용하는 분해공정 및 증착 또는 스퍼터링을 포함할 수 있다.
따라서, 접촉구조(101)에서 원하는 최종 특성은 접촉패드(103)가 형성된 제1 및 제1개별본드에 대한 원하는 인력 또는 점착력과 같은 원하는 도전성 및 다른 물리적인 특성을 유지하면서, 뼈대(106) 및 근육(116)을 포함하는 접촉구조(101)로 용이하게 설계될 수 있다. 가요성 연장소자 또는 뼈대(106)를 완전히 밀봉하는 셸 또는 근육(116)은 제2점착본드를 형성하기 위해 접착패드(103)위에 위치한다.
전술한 설명에 관련하여 단일 접촉구조(101)는 기술된다. 그러나, 수많은 접촉구조(101)는 단일 전자소자 또는 다수의 상기 전자소자상의 도금 또는 증착공정동안 동시에 만들어질 수 있다.
도시된 것처럼, 셸(116)은 접촉패드(103)위에 놓일 때 그것의 길이 전반에 걸쳐 균일한 길이를 가진다. 셸의 두께는 셸을 포함하는 층의 특성을 조절하고 증착 파라미터를 변화시킴으로서 선택적으로 변화시킬 수 있다. 접촉구조 및 핀(101)의 상부 자유단은 셸(116) 아래의 연장소자(106)의 제2도는 자유단부상에 제공된다. 만일 원한다면, 연장소자(106)의 제2단부상에 제공된 볼(112)은 용해기술의 사용하는 것보다 오히려 연속적인 와이어를 절단하는 수단을 사용함으로서 제거될 수 있다. 따라서, 제2단부는 연장소자(106)의 직경과 동일한 직경을 가진 실리더형 부재의 형태이다.
접촉구조에 탄성에너지를 제공할 때, 제2도에 도시된 접촉구조(121)가 이용될 수 있다. 접촉구조(121)는 제1도에 도시된 연장소자(106)와 같은 도전성 재료로 형성될 수 있는 가요성 도전소자(122)로 이루어진다. 그것은 제1단부(123)상에 형성되고 볼 본드(111)와 동일한 방식으로 패드(103)에 부착되는 볼형 본드(126)를 가진 제1 및 제2단부(123, 124)가 제공된다. 연정 도전성 소자(122)가 와이어 본더의 모세관을 통해 방전하는 반면에, 캔틸레버 또는 캔틸레버 부분(122a)은 휨을 형성한다. 따라서, 적어도 하나의 캔틸레버부분을 형성하는 휨이 제공된다. 이같은 캔틸레버 부분은 이후에 제공되는 접촉구조(121)에 탄성능력을 제공한다. 휨(122a)이 형성된 후, 팁(127)은 적절한 동작에 의해 제2단부(124)상에 제공된다. 셸(131)은 연장 도전소자(122)를 둘러싸기 위해 기술되고 접촉패드(103)위에 부착된 셸(116)과 동일한 방법으로 연장 도전소자(122)상에 형성된다. 제2도에 도시된 정확한 소자와 다른 다양한 형태의 소자가 이용될 수 있다.
접촉구조(121)에 부가적인 힘을 분배하기 위해서, 셸(131)은 제1도에 기술된 두께에 예를 들어 강한 도전 경질재료와 같은 고항복강도 특성을 분배하는 재료로 형성된다. 이같은 도전재료는 니켈, 코발트, 철, 인, 붕소, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 로듐, 크롬, 루테늄, 납, 틴 및 이들의 합금의 군으로부터 선택될 수 있다.
접촉구조(121)에서 연장 도전소자(122)는 접촉구조(121)의 탄도 또는 형태를 한정하며, 상기 셸(131)은 영족 상부층을 통해 저저항 스프링 로드 접촉을 제공하기 위한 능력 및 접촉구조의 탄성과 같은 접촉구조의 기계적 및 물리적 특성을 제한한다. 제2도를 참조하면, 접촉구조(121)의 제2 또는 자유단부가 상부 및 하부로 이동할 때, 캘틸리버 또는 휨(122a)는 제2자유단부의 위치의 변화를 용이하게 수용할 수 있고 되튈 수 있으며 원위치에 접촉구조(121)의 제2단부의 리턴을 시도하는 정해진 설계 범위내에 접촉항복응력을 제공한다. 스프링 형태는 전자소자(102)의 표면에 관한 임의의 각에 가해진 힘에 탄성방식으로 반응하기 위해 설계될 수 있다.
본 발명을 통합하는 다른 접촉구조(136)는 두 개의 힘(137a, 137b)을 가지고 한 단부에 볼 본드(138)와 다른 단부에 볼 본드(139)를 가진 가요성 연장 도전소자(137)가 제공된 제3도에 도시되어 있다. 도시된 것처럼, 휨(137a, 137b)은 서로 맞서 배치되어 있다. 기술된 형태의 셸(141)은 제공된다. 그러나, 그것은 제1 또는 내부층(142)과 제2 또는 외부층(143)으로 형성된다. 예로서, 제1 또는 내부층(142)은 접촉구조에 대한 적정 탄성 및/또는 항복응력을 제공하기 위해 예를 들어 1 내지 3밀의 적정 두께의 니켈 또는 니켈 합금의 코팅층의 형태일 수 있다. 접촉구조(136)에 대한 특정 외부 표면을 제공하는 것이 바람직하다면, 제2도는 외부층(143)은 금 또는 다른 적절한 도전재료로 형성될 수 있다. 임의의 응용에서, 땜납으로 금의 상호작용을 막는 땜납접촉을 가진 접촉구조(136)를 이용하기 위해 장벽층과 같은 제1 또는 내부층(142)을 이용하는 것이 바람직하다. 이 응용에 있어서, 납-틴 합금과 같은 1 내지 1.5밀의 땜납 다음에 구리 또는 니켈의 박막층으로 가요성 연장 도전소자(137)를 코팅하는 것은 바람직하다. 따라서, 두 개 이상의 층의 셸을 형성함으로서, 접촉구조에 대한 추가의 바람직한 특성을 얻는 것은 가능하다. 만일 원한다면, 임의의 응용에서 셸의 일부분으로서 추가층이 제공될 수 있다.
본 발명을 통합하는 다른 접촉구조(146)는 가요성 연장도전부재(147)를 밀봉하는 셸(148)이 제공되는 외부쪽으로 맞선 휨(147a)이 가요성 연장 도전소자(147)에 제공되는 제4도에 도시되어 있다. 그러나, 이 경우에, 셸(148)은 셸의 길이에 따라 세로로 이격된 외부표면상에 극소 돌출부를 제공하기 위해 상기 방식으로 형성된다. 이들 돌출부 또는 불규칙 부분은 샤아프 단괴가 셸(148)에 형성되게 하는 도금용액의 처리상태를 조절함으로서 다수의 방식으로 만들어질 수 있다.
본 발명을 통합하는 다른 접촉구조는 U자형 휨(152a)의 형태에 캔틸레버 부분이 제공되는 셸을 가진 가요성 연장소자(152)로 이루어진 제5도에 도시된 접촉구조(151)이다. 접촉구조(151)에서 전류가 흐르는 동안 만들어지는 인덕턴스를 감소시키기 위해서, 휨(152)은 은입자가 채워진 실리콘 고무와 같은 적절한 형태의 전기도전 컴플라이언스 중합체 매스(154)에 매립된다. 컴플라이언스 전기도전 엘라스토머(154)는 접촉구조(151)의 탄성부분(152a)의 이동을 억제하지 않는다. 재료(154)의 도전율은 10-2내지 10-6오옴 센티미터의 범위내에 있을 수 있다.
제6도에 있어서, 제2도에 도시된 형태와 유사한 접촉구조(155)는 종래 인쇄회로기판(156) 형태의 전자소자와 관련하여 이용된다. 인쇄회로기판(156)은 전기접촉이 기판(156)의 한 측면으로부터 기판의 다른 측면까지 만들어지도록 도금구조(158)가 홀(157)을 통해 벋으며 기판(156)의 대향 표면상에 제공된 고리형 링(159)을 형성하는 도금된 스로우 홀(157)의 행태인 종래 수직 바이어 컨덕터가 제공된다. 도시된 것처럼, 접촉구조(155)은 인쇄회로기판(156)의 각각의 측면상에 제공되고 접촉패드 기능을 하는 링(159)을 형성하는 도금구조(158)와 접촉한다. 따라서, 접촉구조(155)는 도금된 스로우 홀(157)의 대향 측면상에 제공된 회로기판(156)의 각각의 측면에 맞선 두 개의 전자소자상의 접촉패드사이에 전기접속을 형성한다. 접촉구조(155)의 일부분으로서 제공된 셸(131)은 도금된 스로우 홀(157)을 통해 뻗으며 도금된 스로우 홀(157)의 양측면상에 제공된 고리형 도금부(158)상에 배치된다. 이같은 구조는 접촉구조(155)의 가요성 연장소자의 부착 공정동안 한 측면으로부터 다른 측면까지 인쇄회로기판(156)을 플리핑함으로서 용이하게 제조될 수 있다. 이후에 기술되는 것처럼, 이같은 형태의 구조는 삽입기와 관련하여 이용될 수 있다. 접촉구조(155)를 이용함으로서, 컴플라이언스 능력은 제6도에 도시된 접촉구조를 수행하는 삽입기에 의해 전자소자상의 매칭 패드사이에 대향 접속을 만드는 인쇄회로기판의 대향 측면상에 제공된다.
컴플라이언스가 한측면상에서만 요구될 때, 제7도에 도시된 것과 같은 구조가 이용될 수 있다. 이같은 실시예에 있어서, 제7도에 도시된 하부면에 대한 한측면상에 제공된 접촉구조(161)는 금속회부(158)에 고정된 볼 본드의 형태인 제1본드(163)를 가진 가요성 연장소자(162)로 이루어진다. 접촉구조(161)는 홀(157)을 가로질러 뻗는 루프를 형성하고, 당업자에게 공지된 웨지 본드의 형태인 제2본드(164)와 같은 적절한 수단과 반도체 산업분야에서 이용되는 와이어 본딩머신에 의해 링(159)의 다른 측면에 결합된다. 가요성 연장소자(162)는 앞서 기술된 형의 재료로 만들어진 셸(166)에 의해 덮혀진다. 컴플라이언스가 전자소자(156)의 하부면상에 필요하지 않기 때문에, 접촉구조(161)는 제1도에 도시된 직선핀형 접촉구조(101)에 의해 교환될 수 있다.
제8도에는 땜납 칼럼을 형성하기 위해 사용되는 본 발명을 통합한 접촉구조(171)의 다른 실시예를 도시되어 있다. 접촉구조(171)는 혼합접촉구조이며, 120°각도로 일정한 간격을 두고 단일접촉패드(103)상에 장착된 제1도에 도시된 형태의 3개의 뼈대구조(106)로 이루어진다. 3개의 뼈대구조(106)가 만들어진 다음, 제1연속셸층(172)은 접촉구조(101)와 같은 접촉구조를 형성하기 위해 연장 뼈대(106)와 도전패드(103)위에 증착된다. 이 구조는 그 사이에 땜납층(174)을 위치시킴으로서 땜납 포스트로 완성된다. 땜납 포스트 접촉구조(171)를 형성하기 위해 핀형 접촉구조 및 단자(103)의 코팅된 표면사이를 브리지하는 납 및 틴의 합금과 같은 적절한 형태로 이루어질 수 있다. 땜납 포스트의 사용에 따르면, 땜납 포스트는 10 내지 50밀의 직경, 전형적으로 10 내지 20밀의 직경을 가진 다양한 크기를 가질 수 있다. 이들 땜납 포스트는 10 내지 200밀, 전형적으로 20-150밀의 높이를 가질 수 있다. 전술한 것처럼, 접촉구조(101)의 볼(112)은 비용융 동작점이 이용된다면 생략될 수 있다.
제9도에는 각각의 접촉패드에 대한 두 개의 리던던트 탄성 컴플라이언스 접촉구조(177)를 제공하기 위해 대향하여 맞선 캔틸레버형 부분(177a, 177b)을 가진, 단일패드(103)상에 장착된 두 개의 접촉구조(177)가 제공되는 흔합 접촉구조(176)가 도시되어 있다.
제10도에는 컴플라이언스가 유지되도록 땜납(182)이 접촉구조(177)의 상부 및 하부 단부를 브리지하나 휨(177a, 177b)을 가진 접촉구조(121)의 부분을 브리지하지 않기 위해 제공되는 다른 혼합 접촉구조(181)가 도시되어 있다. 이같은 구조에서, 이같은 3개의 접촉구조(177)는 그 사이에서 땜납(182)과 120°정도 일정하기 떨어져 제공될 수 있으며 접촉구조(177)는 납땜 가능한 접촉을 형성하기 위해 탄성을 가지지 않는다.
본 발명을 통합하는 접촉구조의 다른 실시예는 프로브형 접촉구조(186)가 도시된 제11도에 도시되어 있다. 그것은 접촉패드(103)에 고정된 한 단부를 가진 가요성 연장소자(187)로 이루어진다. 가요성 연장소자(187)는 휨의 캔틸레버형 부분(187a)이 제공된다. 다른 부분(187b)은 전자소자(102)의 한 에지상의 아랫방향으로 또는 전술한 형태의 피이드 스로우 홀을 통해 선택적으로 뻗으며 웨지 본드와 같은 적절한 수단에 의해 알루미늄층과 같은 투매 금속층(188)에 결합되며, 이 투매 금속층은 스탠드오프로서 사용하는 두꺼운 포토레지스트(189)에 의해 소자(102)에 고정된다. 단계가 완료된 후, 알루미늄층(188)은 수산화나트륨과 같은 적절한 에치로 에칭될 수 있다. 그때, 가요성 연장소자(187)는 소자(102) 아래의 위치에 배치된 곡선형 단부를 가진 자유 스탠딩 스프링형 접촉구조(186)를 제공하기 위해 전술된 니켈 코발트 합금 또는 다른 적절한 재료로 코팅될 수 있다. 셸(190)에 이용된 재료는 프로브 접촉구조의 자유단의 반사특성을 제어할 수 있다. 선택적으로, 셸(190)은 우선 완료되며, 이 이후에 투매층(188)이 에칭될 수 있다. 선택적으로, 단자(103)와 연장부재의 본드는 웨지형일 수 있으며, 투매구조(188)와의 본드는 볼형 본드일 수 있다.
제12도는 본드(193)에 의해 접촉패드(103)에 결합되는 가요성 연장소자(192)가 제공되는 다른 프로브 접촉구조(191)가 도시되어 있다. 이전 실시예에서와 같이, 가요성 연장소자(192)는 캔틸레버 또는 휨(192a) 및 부분(192b)이 제공된다. 셸(195)은 가요성 연장소자(192)위에 제공된다. 추가층은 셸(194)위에 제공되며 금속층(197) 다음의, 절연재료로 형성된 층(916)으로 이루어진다. 만일 층(917)이 접지되면, 제어된 임피던스를 가진 차폐접촉을 제공하는 프로브 접촉구조(191)가 제공된다. 따라서, 차폐가 프로브 구조의 전기성능을 개선하기 위해 필요한 시스템에서 프로브 접촉구조(191)를 사용하는 것은 가능하다. 제12도에 도시된 것처럼, 프로브 접촉구조(191)의 최단부는 직접접촉이 다른 접촉패드 또는 다른 구조로 만들어질 수 있도록 절연층(196) 및 금속층(197)없이 유지된다.
제13도에는 인쇄회로기판의 형태인 전자소자(202)가 전술된 삽입기로서 이용될 수 있는 본 발명을 통합한 접촉구조(201)의 다른 실시예가 도시되어 있다. 이전 실시예에서와 같이, 그것은 접촉패드(204)를 제공하기 위해 홀(203)을 둘러싼 도금을 가진 홀(203)이 제공된다. 접촉구조(201)는 전자소자(202)의 한 측면의 위쪽으로 뻗는 부분과 홀(203)을 통해 전자소자(202)의 다른 측면의 아래 방향으로 뻗는 다른 부분(207)을 가진 전술한 형태를 가진다. 부분(207)은 전술한 것처럼 에칭에 의해 제거된 투매기판(도시안됨)에 일시적으로 결합된다. 이같은 구조에서, 전기접속은 전자소자(202)의 양측면으로부터 만들어질 수 있다.
투매 알루미늄층(212)이 구성중 이용되는 제14도에는 본 발명을 통합하는 접촉구조(211)의 다른 실시예가 도시되어 있다. 알루미늄층(212)상에 접촉패드를 형성하기에 바람직한 영역에는 다수의 음의 돌출부 또는 홀(213)이 알루미늄층(213)의 표면에 형성된다. 도시된 것처럼, 이들 음의 돌출부 또는 홀(213)은 역피라미드 형태일 수 있다. 그때, 알루미늄의 음의 돌출부 또는 홀(213)은 금 또는 로듐(214)과 같은 도전재료(214)로 채워진다. 이것은 니켈층(216) 및 금층(217) 다음에 위치한다. 그때, 금 또는 알루미늄과 같은 적절한 재료로 형성된 가요성 연장도전소자(218)는 본드(219)와 같은 적절한 수단에 의해 금층(217)에 결합된다. 가요성 연장소자(218)는 곡선 또는 휨(218)을 통해 뻗은다음 절연소자(102)의 한측면위에서 진행하며, 접촉패드(103)의 상부위에서 뻗으며 본드(220)와 같은 적절한 방식으로 결합된다. 그다음에, 전술한 형태의 스프링 합금재료로 이루어진 셸(221)은 가요성 연장소자(218)위에 증착되며 접촉구조를 완성하기 위해 접촉패드(103) 및 금층(217)위로 뻗는다. 셸(221)의 특성과 본드 또는 곡선(218)의 탄도의 적절한 결합에 의해, 적정 탄성이 구해질 수 있다.
이 도금과정동안, 투매 알루미늄층(212)은 당업자에게 공지된 방식으로 적절한 레지스트로 덮혀질 수 있다. 접촉구조가 완료된후, 레지스트는 제거될 수 있으며, 투매 알루미늄층(212)은 접촉구조(211)의 자유단에서 접촉패드(224)를 제공하기 위해 전술한 방식으로 용해될 수 있다. 이 방식에 있어서, 접촉패드는 샤아프점 주위의 알루미늄 패드의 변형을 야기함으로서 알루미늄 패드상에 존재하는 산화물을 파괴하여 양호한 전기접촉을 만들기 위해 반도체 장치상의 알루미늄 패드와 같은 다른 접촉패드에 고 로컬 압력을 가할 수 있는 다수의 샤아프점을 가진 것과 같은 기하학적 형태로 구성될 수 있다. 이들 고접촉힘은 접촉패드(224)상에 비교적 약한 전체힘을 가하면서 만들어질 수 있다.
접촉구조(226)의 자유단에 의해 형성된 접촉패드(227)를 도시하는 제15도에는 본 발명을 통합하는 또다른 접촉구조가 도시되어 있다. 접촉패드(227)는 직사각형 접촉패드(227)의 한 단부에 형성된 기계적으로 형성된 프로브(228)를 가진다. 접촉패드(227)는 접촉패드(224)와 유사한 방식으로 구성되고, 니켈 또는 로듐 팁 또는 프로브(228)와 이 니켈 또는 로듐으로 형성된 층(229)이 제공될 수 있다. 층(229)은 금층(232)으로 덮힌 니켈 합금의 다른 절연층(231)으로 덮혀진다. 도전재료의 가요성 연장소자(236)는 본드(237)에 의해 패드(103)에 접속되고, 캔틸레버 또는 휨(236a)을 통해 반도체 구조(102)의 에지위로 뻗으며, 본드(238)에 의해 적절한 방식으로 금층(232)에 결합된다. 가요성 연장소자(236) 및 본드(237, 238)는 셸(239) 아래에 도금된다. 셸(239)은 전술한 형태의 강합금으로 이루어지며, 패드(103) 및 전체 금층(232)위로 뻗는다. 이같은 형태의 접촉구조(226)의 편향 대 로드 행동자를 제어하기 위한 능력을 향상시키는 캔틸레버형 프로브(228)가 제공된다.
본 발명을 통합하는 다른 접촉구조(241)는 제16도에 도시된다. 도시된 것처럼 접촉구조는 루프내로 휘어진다. 이것은 도전재료의 가요성 연장소자(242)를 취하여 그것을 볼 본드(243)와 같은 적절한 방식으로 접촉패드(103)의 한측면에 결합하고, U자형인 배면 루프(242a)로 가요성 연장소자를 형성하고 웨지 본드(244)와 같은 적절한 방식에 의해 접촉패드(243)의 다른 측면에 가요성 연장소자의 다른 단부를 부착함으로서 수행된다. 셸(246)은 본드(244, 246)와 접촉패드(103)의 에지위에 배치된 가요성 연장소자(242)상에 전술한 방식으로 형성될 수 있다. 이같은 방식에서는 상대적으로 강한 접촉구조(241)를 제공하는 것이 가능하다. 만일 원한다면, 하나이상의 루우프형 접촉구조(241)는 패드(103)상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 동일한 패드(103)상에서 일정간격으로 떨어진 이같은 두 개의 접촉구조가 제공될 수 있다.
본 발명을 통합하는 다른 접촉구조(251)는 제17도에 도시되며 일정한 간격으로 동일한 패드(103)상에 장착된 제17도의 두 개의 접촉구조(241)로 구성되며, 여기서 땜납층(252)는 접촉구조(241)위에 형성되며 접촉구조(241)사이에 제공된 U자형 공간을 브리지한다. 도시된 것외에, 땜납은 유니타리 땜납 범프(253)를 제공하기 위해 두 개의 개별 접촉구조(241)를 브리지할 수 있다. 만일 원한다면, 두 개의 접촉구조(241)는 땜납이 패드(103)상에 개별 땜납 범프를 제공하기 위해서 접촉구조(241)사이를 브리지하는 것이 아니라 각각의 접촉구조(241)에 형성된 브리지사이만을 브리지하도록 충분한 간격을 유지할 수 있다.
큰 접촉패드(103)가 반도체 소자(102) 또는 다른 전자소자상에 제공되고 다수의 접촉구조(241)가 패드(103)의 외부주변 둘레에 위치하는 또 다른 접촉구조(256)는 제18도에 도시되어 있다. 내부 연장소자 또는 뼈대의 본딩은 볼 본드(243)에서 시작되며 연속적인 루프는 칼럼을 폐쇄하는 직사각형 차폐부를 효과적으로 형성하기 위해 웨지 본드(244)가 만들어진다. 그때, 내부연장소자는 전술한 형태의 셸(도시안됨)로 코팅된다. 직사각형 차폐부는 개별 땜납접촉 또는 열싱크로서 사용할 수 있는 범프를 제공하기 위해 땜납(도시안됨)이 채워진다.
삽입기(301)는 제19도에 도시되어 있으며 제1 및 제2평면부(303, 304)를 가진 기판(302)으로 이루어지다. 기판(302)은 5 내지 200밀의 적정두께, 바람직하게 20 내지 100밀의 두께를 가질 수 있다. 기판(302)은 절연체로서 사용하며 제1표면(303)을 통해 뻗는 일정한 간격을 둔 다수의 홀(306)과 제2표면(304)을 통해 뻗는 일정한 간격을 둔 다수의 홀(307)이 제공되는 성형 플라스틱과 같은 적정 재료로 형성될 수 있다. 홀(306, 307)은 원형 단면을 가진 임의의 기하학적 형태를 가질 수 있다. 도시된 것처럼, 홀(306, 307)은 중심이 다르다. 따라서, 각각의 홀(306, 307)은 홀의 내부 및 아랫방향으로 기울어진 경사 벽부분(309)을 포함할 수 있는 표면에 수직하게 뻗는 직선 측벽부분(308)이 제공된다. 제19도에 도시된 것처럼, 홀(306, 307)은 쌍으로 배열되며, 이 각 쌍의 홀은 기판의 다른 측면을 통해 뻗는 부분에 관해 오프셋되는 한측면위에 홀의 한 부분을 가진 기판(302)을 통해 뻗는 단일 홀이 효과적으로 제공되도록 상호 약간 오프셋되며 동일한 부분사이를 뻗는 통로(311)에 의해 상호접속된다. 따라서, 금으로 선택적으로 코팅된 구리와 같은 재료로 형성된 도금부(313)를 가진 도금된 스로우 홀을 제공하기 위한 인쇄회로기판이 이용된 종래방식으로 도금될 수 있는 혼합홀(312)가 효과적으로 제공된다. 각 쌍의 홀(306, 307)사이에 제공된 오프셋 때문에, 도금부(313)가 제공되는 각각의 홀(306, 307)의 하부에 평면 쇼울더(306)가 제공된다. 도금부(313)를 가진 쇼울더(316)는 전술한 형태의 제2도의 컴플라이언스 접촉구조가 형성될 수 있는 영역을 형성한다. 이같은 접촉구조의 셸(131)을 형성하는 재료는 접촉구조(121) 및 도금부(313)사이에 우수한 본드를 형성하기 위해 혼합 홀(312)을 통해 도금하기 위해 제공된 도금부(313)위로 뻗는다.
제19도를 참조하면, 접촉구조가 적정 길이를 가져서, 그들의 자유단부는 기판(302)의 대향 측면상의 평면부(303, 304)이상 뻗어서 전술한 전자소자와 접촉할 수 있다. 상호접속 구조(121)의 자유단부는 10 내지 200밀의 간격, 바람직하게 20 내지 100밀의 간격만큼 떨어져 있다. 기판(302)은 다양한 형태의 플라스틱으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 그들은 폴리에테르이미드, 폴리술폰 또는 액정 중합체본 플라스틱 성형재료일 수 있다.
제19도에 도시된 구조에 있어서, 전극쌍은 서로 전기적으로 분리된다. 그러나, 전극쌍은 적정 상호접속을 만들기 위해 측면 또는 표면(303, 304)상에 도금부(313)의 도전부를 위치시킴으로서 상호접속될 수 있다. 예를 들어, 표면(303, 304)상의 공통 도금부는 전력 및 접지접촉에 적절한 상호접속을 형성하는 전력 및 접지 평면을 나타낼 수 있다.
제20도에는 폴리이미드와 같은 적절한 재료로 형성된 얇은 플라스틱 시트의 형태인 플라스틱 기판(322)으로 이루어진 이중측면 삽입기(321)가 도시되어있다. 일정한 간격을 둔 다수의 홀(323)은 기판(322)에 드릴링되어 성형된다. 기판은 또한 섬유유리 및 드릴링된 홀(323)로 보강된 에폭시와 같은 보강 에폭시 적층의 형태일 수 있다. 전술한 형태의 도금부(324)는 홀(323)을 통해 도금하기 위해 사용되고 제20도에 도시된 기판(322)의 상부측면과 하부측면에 금속부(326, 327)를 각각 제공하기 위해 사용된다. 그러나, 기판(322)의 하부측면상에 제공된 금속부(327)는 본 발명에 의해 제거된다. 제13도에 도시된 것과 같은 접촉구조(201)는 도금된 스로우 홀(323)에 인접한 도전층(326)상에 장착될 수 있다. 이 접촉구조(201)는 기판(322)의 한측면으로부터 탄력있게 뻗는 접촉구조(121)를 포함하며, 다른 접촉구조(201)는 홀(323)을 통해 다른 측면 이상 뻗어서, 프로브형 접촉이 그 측면으로부터 이용할 수 있다. 회로소자는 접촉구조(121, 201)에 접속된 기판(322)상에 제공될 수 있다. 더욱이, 핀(도시안됨)은 전술한 다른 전자소자를 가진 삽입기(321)를 통합하기 위한 기판(322)에 제공될 수 있다.
탄성 접촉구조(121)가 기판(332)의 한측면상에 제공되고 납땜 가능한 접촉구조(334)가 대향 측면에 제공되는 본 발명을 통합하는 다른 삽입기(331)가 제21도에 도시되어 있다. 제7도에 도시된 전술한 형태의 스탠드오프(161)는 기판(332)의 대향측면상에 제공되고 저촉구조(121) 및 스탠드오프(161)가 장착되는 도금부(337)에 접속된다. 따라서, 삽입기(331)는 삽입기의 한측면으로부터 스프링 접촉과 삽입기의 다른 측면으로부터 땝납 스탠드오프 또는 납땜 가능한 접촉을 만드는 능력을 제공한다.
제22도는 도금된 스로우 홀(343) 및 스탠드오프(346)를 가진 기판(342)의 대향 측면상에 배치되는 이중측면의 탄성 접촉구조(121)가 제공되는 삽입기(341)가 도시되어 있다. 스탠드오프(346)는 루우프형이며 기판(342)에 의해 지지된 금속부(347)상에 장착된다. 제22도에 도시된 것처럼, 스탠드오프(346)는 접촉부(121)의 높이보다 낮은 높이를 가져서, 접촉기판(121)에 접촉을 만드는 전자소자에 의해 가해진 과압력이 존재하는 경우에 접촉구조(121)의 항복력에 대향하는 내부 압축이동은 스탠드오프(346)에 의해 정지될 것이다. 스탠드오프(346)는 셸에 의해 덮혀진 뼈대를 가진 접촉구조(121)와 동일한 방식으로 만들어질 수 있다. 그러나, 스탠드오프의 가요성 내부 연장소자의 양단부에서의 본드는 결합된 웨이지일 수 있다.
본 발명을 통합하는 능동 반도체 장치 어셈블리(351)는 제23도에 도시되어 있다. 어셈블리(351)는 당업자에게 공지된 방식으로 구성된 실리콘 본체의 형태인 반도체 장치(352)로 이루어지며 내부 금속화층 및 내부 접촉층을 가진다. 그것은 불활성화층(354)에 의해 덮혀진 상부 알루미늄 합금 금속층(353)이 제공된다. 전술한 형태의 다수의 접촉구조(355)는 불활성화층(354)에 제공된 홀(356)을 통해 뻗으며 알루미늄 금속화층(353)과 접촉한다. 제23도에 도시된 것처럼, 접촉구조(355)의 상부팁은 교대 접촉구조(355)를 가진 두 열로 정렬되고, 이 각각의 열은 3차원 팬-아우트를 만드는 파상배치 구조를 제공하기 위해 다른 접촉구조(355)의 상부팁으로부터 오프셋된다. 반도체 장치(352)상의 알루미늄 패드사이의 간격은 5밀 정도의 D자로 표시된 임의의 간격일 수 있다. 접촉구조(355)의 파상배치된 자유단부는 10밀 내지 15밀일 수 있는 제23도에 도시된 mD로 표시된 가장 큰 간격일 수 있다. 자유단에 대한 이 다른 간격은 접촉구조(355)의 자유단부에 대한 다른 오프셋을 제공하므로서 용이하게 실현될 수 있다. 따라서, 교번 접촉구조(355)를 이루는 한세트의 접촉구조(355)는 열에 따른 접촉구조(121)보다 더 큰 휨이 제공되어, 접촉구조(121)의 자유단부는 원하는 거리만큼 오프셋된다. 이같은 방식에서, 다른 장치에 상호접속되는 큰 패드 분리부를 가진 반도체 장치상에 제공된 폐쇄된 기하학적 형태가 존재할 수 있다.
만일 원한다면, 접촉구조(355)의 기저위로 뻗으며 불활성화층(354) 아래에 위치한 반도체 장치(352)의 표면위로 뻗는 선택적인 캡슐(357)(제23도에 도시됨)이 제공될 수 있다. 또한, 원한다면, 캡슐(357)은 접촉구조(355)의 캔틸레버의 하부를 밀봉하기 위해 사용되는 제23도에 도시된 접촉구조(355)의 하부단부상에 더 제공될 수 있다. 만일 원한다면, 모든 접촉구조(355)는 추가 캡슐(357)이 제공될 수 있다. 제공된 캡슐(357)은 어셈블리 동작동안 반도체 장치에 적어도 제한적으로 조절가능한 손상을 막을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예를 통합하는 반도체 장치 어셈블리(336)는 제24도에 도시되며 접촉패드 또는 영역(368)을 형성하는 알루미늄 금속화가 제공된 능동 반도체 장치(367)로 이루어진다. 예를 들어, 능동 반도체 장치는 메모리 칩 또는 마이크로프로세서일 수 있다. 대부분의 반도체 장치(367)의 표면은 불활성화층(369)에 의해 덮혀진다. 홀 또는 개구부(371)는 포토레지시트 및 적절한 에칭을 이용함으로서 당업자에게 공지된 방식으로 불활성화층(369)에 형성된다. 홀(371)이 형성된후, 연속적인 단락층(도시안됨)은 불활성화층(369) 및 알루미늄 합금 접촉패드(368)위에 증착된다. 이것은 홀(도시안됨)이 홀(371)에 통합된 포토레지스트로 형성되고 0.5 내지 5밀, 바람직하게 1 내지 3밀정도의 큰 직경을 가진 후 포토레지스트층 다음에 형성된다. 그 다음에, 금층 다음의 니켈층과 같은 적절한 재료의 형태인 금속부(376)는 금속부(376)가 유지되도록 종래방식으로 포토레지스트가 스트립된후 홀(371)에 형성되며 포토레지스트에 형성된 큰 홀로 형성되며, 단락층은 금속부(376)의 아래 영역에서와 달리 에칭된다. 제24도에 도시된 것처럼, 금속부는 1 내지 3밀의 두께로 증착되며 고리형 돌출부(376a)를 제공한다.
접촉구조(121)와 유사한 접촉구조(381)는 컵형 금속부(376)에 제공되며, 동시에 가요성 연장 부재 또는 뼈대(382)는 컵형 금속부(376)에 볼결합되며, 셸(383)은 큰 직경 캡을 효과적으로 제공하기 위해서 고리형 돌출부(376)의 상부위로 뻗는다. 선택적으로, 접촉구조(381)는 포토레지스트가 스트림되고 단락 금속층이 에칭된후 셸 또는 근육의 증착 다음의 홀에 뼈대를 결합시킴으로서 홀(371)에 구성될 수 있다.
제24도에 도시된 것처럼, 접촉구조(381)는 다른 구성을 가지며, 어떤 것은 큰 휨을 가지며, 다른 것은 긴 캔틸레버 부분을 가진 큰 휨을 가진 것에 비해 작은 휨을 가진다. 접촉구조(381)중 하나는 대향 방향으로 뻗어서, 스탠딩 단부는 캡(376)에서 인접 접촉구조(381)사이의 피치 또는 크기D와 다른 mD로 식별된 인접 자유 스탠딩 단부사이의 피치 또는 공간을 가진다. 접촉구조(381)를 위해 다른 모서리부분을 제공하고 다른 모양을 제공함으로서, 자유 스탠딩 단부는 능동 반도체 장치(367)의 평면에 평행하나 자유단부 사이의 공간이 자유 스탠딩 단부에 적정 공간 또는 피치를 제공하기 위해서 접촉구조의 기저에서 각각의 접촉구조사이의 공간과 다를 수 있는 평면에 배치될 수 있다. 즉, 그것은 임의의 피치로 반도체 장치상에 접촉시킬 수 있으며 동일 피치 또는 다른 피치가 그곳에 제공된 접촉구조의 자유 상부단부에 제공될 수 있는 제24도의 반도체 장치 어셈블리로부터 알 수 있다.
인쇄회로기판등과 같은 다른 전자소자를 가진 반도체 장치 어셈블리(366)의 정렬을 용이하게 하기 위해서, 접촉구조(386)가 형성되는 시간에 동일하게 형성되는 정렬핀(386)이 제공될 수 있는 것이 제24도에 도시되어 있다. 따라서, 제24도에서 단일 정렬핀(386)이 도시될지라도, 다수의 이같은 정렬핀은 반도체 장치 어셈블리(366)상에 제공될 수 있다. 금속부(376)가 불활성화층(369)상에 제공될 때 이같은 정렬핀(386)의 형성을 용이하게 하기 위해서, 적절한 위치에 배치된 금속부의 패드(387)은 다른 접촉구조(381)가 형성되는 시간에 뼈대(388) 및 셸(389)로 동시에 형성된다. 따라서, 완성된 반도체 장치 어셈블리(366)의 비용을 증가시키지 않고 접촉구조(381)에 관련하여 적절한 수의 정렬핀을 제공하는 것은 매우 용이하다.
능동 반도체 장치(367)는 전형적으로 8인치 웨이퍼 형태로 만들어지며 이 웨이퍼는 비록 10밀 정도로 얇은 반도체 장치 어셈블리를 제공하는 능력이 있을지라도 15밀 내지 30밀의 두께, 바람직하게 15 내지 25밀의 두께를 가진다. 제24도에 도시된 구조는 탄성 접촉구조(381)를 제공하는 것이 불가능하며, 이 접촉구조(381)는 웨이퍼상에 각각의 칩의 에지 또는 외부 경계를 돌출시킬 수 있어서 웨이퍼를 절단한 다이 전에 웨이퍼의 반도체 장치를 접촉하는 것은 가능하다. 이 다이 절단 또는 다이싱 동작은 전형적으로 웨이퍼가 전형적으로 단일 반도체장치로 절단되는 특성으로 기술된다. 반도체 장치 어셈블리(366)의 설계와 관련하여, 접촉구조(381)가 제23도에 도시된 방식으로 위치하여 최소 표면영역은 적정 특성을 제공하기 위해 다이 절단에 요구된다. 절단이 발생하는 이들 영역은 스크라이브 스트리트라 불린다. 제24도에 도시된 것처럼 오프셋을 제공하기 위해 그 패드상에 제공된 접촉구조(381)를 교체함으로서 다른 전자소자에 상호접속을 만들기 위한 증가된 피치를 얻는 것은 가능하다.
따라서, 본 발명의 공정은 단일 반도체와 웨이퍼 형태의 반도체 장치가 이용될 수 있다. 또한, 제24도에 도시된 구조에서, 정렬핀(386)이 접촉구조 및 그외 매칭된 전자소자에 대해 적절한 정렬을 수행하기 위해 이용되는 시간에 접촉구조(381)와 상호접속이 동일하게 만들어질 수 있다.
제24도에 도시된 형태의 반도체 장치 어셈블리(366)는 검사 기판(도시안됨)상에 제공된 매칭 접촉단자와 맞물린 접촉구조(381)의 팁에 압력을 가함으로서 전기능 속도로 검사될 수 있다. 이같은 검사는 검사기판에 의해 지지된 특정 프로브를 필요로 하지않고 수행될 수 있다. 검사기판상의 접촉단자사이에 우수한 접촉을 하기 위해, 도전셸(383)은 검사기판의 접촉패드상에 유사 재료를 제공하므로서 금, 로듐 또는 은과 같은 귀금속의 외부층이 제공될 수 있어서, 저접촉저항이 구해진다. 검사 프로브가 고접촉저항을 야기하는, 산화 경향을 가진 알루미늄 접촉을 보증하는 것은 필요하다.
제24도에 도시된 구조는 검사과정을 용이하게 하는 것외에 반도체 장치의 번-인 검사를 위해 이용될 수 있다. 따라서, 동일한 방식으로, 반도체 장치 어셈블리(367)는 접촉구조(381)를 가질 수 있으며, 그 접촉구조는 검사기판상에 제공된 접촉패드와 동일한 재료로 형성될 수 있는 번-인 검사 기판과 접촉할 때 장치(367)는 고온 및 저온에 노출되는 동안 연장된 주기동안 실행될 수 있다. 번-인 검사와 관련하여, 다중 반도체 장치(367)는 이 다수의 반도체 장치(367)를 수용할 수 있는 번-인 보오드 또는 기판을 위치시키기 위해 사용될 수 있으며, 제26도 및 제27도와 관련하여 전술한 형태의 스프링 클립에 의해 맞물린다. 번-인 기판을 가진 반도체 장치 어셈블리(367)의 통합은 통합 또는 정렬핀(386)의 사용에 의해 용이하게 될 수 있다. 제24도에 도시된 방식으로 배열된 반도체 구조(381)가 제공된 팬-아우트 능력은 접촉구조(381)의 팁에 대한 커서 피치를 가진 반도체 장치 어셈블리(367)상의 접촉패드를 위해 정밀 피치를 가질 수 있다. 이것은 검사 및 번-인 기판상의 접촉패드를 위한 커서 및 표준피치를 가진 반도체 장치의 통합을 단순화하여 이 검사 및 번-인 기판의 비용을 줄일 수 있다.
검사 및 번-인 과정이 반도체 장치(367)상에서 실행되고 장치의 성능이 유효하게된후, 그들은 스프링 클립을 제거한다음 영구적으로 접속하기 위해 전술한 형태의 상호접속 기판상에 제공된 접촉패드의 매칭 패턴과 맞물린 접촉구조(381)의 자유단부를 가져옴으로서 검사 및/또는 번-인 기판으로부터 제거될 수 있다. 제24도에 도시된 접촉구조(381)의 팬-아우트 능력은 반도체 장치(367)상의 접촉패드의 피치와 다른 상호접속 기판에 의해 지지된 접촉패드상의 피치를 이용할 수 있게 한다. 통합 핀(386)은 적정 통합을 만들 수 있게 하며 영구적인 상호접속을 단순화시킬 수 있다.
반도체 패키지 어셈블리(401)는 제25도에 도시되어 있다. 패키지 어셈블리(401)내에 장착된 것은 인쇄회로기판(411)의 한측면상에 접촉패드(412)와 PC보오드의 다른 측면상의 추가 접촉패드(413)를 포함하는 회로소자를 실행하는 인쇄회로(PC) 보오드(411)이다. 반도체 장치(416, 417)는 땝납 단자를 가진 회로기판(411)에 이중측면 플립 칩을 제공하기 위해 전술한 방식으로 장착되는 인쇄회로기판 및 탄성 접촉구조(418)의 대향 측면에 제공된다. 탄성 접촉구조(418)는 탄성 접촉구조(418)에 의해 수행된 땜납이 접촉패드(412, 413)에 납땜결합할 수 있게 하는 적절한 용광로를 통해 어셈블리함으로서 접촉패드(412, 413)에 결합된다. 이 방법은 표면 장착 어셈블리 기술로 당업자에게 공지된 접촉패드(412, 413)에 가해진 역류가능한 땝납 패스트의 사용에 의해 더 수행될 수 있다. 적절한 절연재로로 형성된 캡슐(419)은 패키지를 완료하기 위해 인쇄회로기판(411) 및 반도체 장치(416, 417) 사이에 배치된다.
본 발명을 통합하는 다른 반도체 패키지 어셈블리(421)는 제26도에 도시되어 있으며, 이는 상기 반도체 패키지 어셈블리(421)의 대향 측면에 패드(424, 428)를 수행하는 적층 인쇄회로기판(423)을 포함한다. 반도체 장치(427, 428)는 전술한 형태의 PC 보오드(423) 및 접촉구조(429)의 대향 측면에 배치된다. 접촉구조(429)는 인쇄회로기판에 고정되고 반도체 장치(427, 428)에 에지상에 스냅되는 스프링형 클립(431)에 의해 접촉패드(424, 426)와 맞물린다. 이들 스프링형 클립(431)은 직사각형 반도체 장치와 같은 반도체 장치의 주변 둘레에 분산 배치될 수 있으며 각각의 두 개의 대향 측면상에 두 개가 제공된다. 스프링 클립(431)은 인쇄회로기판(423)에 의해 지지된 접촉패드(432)에 결합된다. 각각의 클립(431)은 패드(433)에 볼 본드에 의해 결합된 전술한 형태의 가요성 연장소자 또는 뼈대가 제공된다. 뼈대(433)는 제27도에 도시된 반도체 장치의 한 측면위로 뻗는 스프링 클립을 형성하기 위해 두 개의 휨(433a, 433b)이 제공된다. 셸(434)은 칩(431)에 대한 적절한 보강제 또는 근육을 제공하며, 반도체 장치(427, 428)를 제위치에 위치시키기 위해 휨(433a, 433b)의 스프링형 또는 클립형 특성을 향상시킨다. 이같은 구조에서, 접촉구조(429)를 가진 반도체 장치(427, 428)는 접촉패드(424, 426)를 가진 접촉구조(429)의 통합을 허용한다. 반도체 장치(427, 428)를 제거할 때, 접촉패드(424, 426)로부터 접속을 푸는 접촉구조(429)를 수행하는 반도체 장치(427, 428)를 풀기 위해 스프링 클립(431)을 위쪽으로 미는 것은 필요하다.
땝납 코팅은 용광로를 통해 어셈블링함으로서 접촉구조의 자유단부 또는 맞물릴 접촉패드중의 하나에 제공되며, 땝납은 접촉구조의 자유단부와 접촉구조의 길이상에 선택적인 얇은 코팅만을 남기는 패드의 표면을 밀봉하는 결합 매스를 형성하여, 3개의 방향 X, Y 및 Z로 접속할 수 있다.
선택적인 반도체 패키지 어셈블리(441)는 제27도에 도시되어 있으며, PC 보오드(442)의 한 표면상에서 일정한 간격을 두고 떨어진 접촉패드(443, 444)를 실행하는 PC 보오드(442) 또는 다른 적절한 기판으로 이루어진다. 접촉구조(446)는 패드(443)상에 장착되고 탄성 접촉구조를 제공하기 위해 뼈대(447) 및 셸(448) 구조로 구성된다. 제27도에 도시된 것처럼, 반도체 장치는 전술한 형태의 반도체 장치(452)에 의해 지지된 접촉구조(446)의 상부단부와 착탈 가능한 금속화된 컵형 단자(453)사이에서 클램핑된다. 이같은 구조에 있어서, 반도체 장치(452)는 반도체 장치(452)에 의해 지지된 접촉단자(453)와 접촉구조(446)의 자유단사이에 땝납 상호접속이 존재하지 않기 때문에 단순히 스프링 클립(451)에 의해 지지된 웰(453)에 장착될 수 있으며 접촉구조(446)의 자유단부가 인쇄회로기판에 의해 지지된 패드(443)를 분리가능하게 맞물려서 제27도에 도시된 구조에 의해 수행된 것과 동일한 결과를 실행하는 구조가 제27도에 도시되어 있다. 스프링 클립(451) 대신에, 외부 스프링 부재(도시안됨)는 금속화된 웰(453)에 대해 접촉구조(446)를 스프링적으로 로드하기 위해 사용될 수 있다.
수직 바이어 컨덕터 또는 도금된 스로우 홀(463)을 가진 인쇄회로기판(462)에 사용되는 다른 반도체 패키지(461)가 제28도에 도시되어 있다.
전술한 형태의 탄성 접촉구조(467)를 실행하는 반도체 장치(466)가 제공된다. 도시된 접촉구조(467)는 자유단부에 다수의 휨(467a, 467b)이 제공되어, 인쇄회로기판에 제공된 도금된 스로우 홀(463)의 직경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 따라서, 제28도에 도시된 것처럼, 접촉구조(467)가 도금된 스로우 홀에 매칭되도록 반도체 장치가 위치될 때, 접촉구조(467)는 인쇄회로기판에서 외부로 접촉이 만들어지도록 PC 보오드(462)상에 착탈 가능하게 장착되고 도금된 스로우 홀과 전기접촉하는 반도체 장치(466)를 유지하는 접촉구조(467) 및 도금된 스로우 홀(463)사이에 적합한 스프링 로드를 형성하기 위해 도금된 스로우 홀로 푸쉬될 수 있다.
일정한 간격을 둔 다수의 홀(473)을 가진 PC 보오드(472)가 제공된 본 발명을 통합하는 또 다른 반도체 패키지 어셈블리(471)가 제29도에 도시되어 있다. 일정한 간격을 둔 접촉패드(476)는 PC 보오드의 대향 측면상에 제공된다. 반도체 장치(477, 478)는 탄성형인 전술한 형태의 접촉구조(481)의 대향측면상에 제공되며 접촉패드(476)와 맞물리는 자유단을 가진다. 전술한 형태의 스프링 클립(486)은 전술한 방식으로 반도체 장치상에 장착되며 인쇄회로기판(472)에 제공된 홀(473)과 매칭되도록 반도체 장치상에 위치한다. 도시된 것처럼, 반도체 장치(477, 478)는 홀(473)을 통해 뻗는 스프링 클립(486)과 인쇄회로기판의 대향측면에 맞물린 위치(486a)를 가짐으로서 PC 보오드(472)에 클립핑될 수 있다. 이같은 접속에서, 땝납 접속은 접촉구조(481)의 자유단 및 접촉패드(476)사이에 선택적으로 형성된다. 전술한 것처럼, 자유단부는 패드(476)와 착탈가능하게 접촉되도록 형성될 수 있다. 이같은 구조는 스프링 로드를 통해 접촉패드(476)와 맞물리는 자유단부를 제공함으로서 용이하게 만들어질 수 있다.
PC 보오드(492)가 일정한 간격을 둔 홀(493)을 가진 본 발명의 다른 실시예를 통합하는 다른 반도체 패키지 어셈블리(491)는 제30도에 도시되어 있다. 전술한 형태의 반도체 장치(494, 496)는 접촉구조(497)에 장착된다. 전술한 형태의 정렬핀(498)은 반도체 장치(494, 496)상에 장착된다.
반도체 패키지 어셈블리(491)를 어셈블링할 때, 반도체 칩의 형태일 수 있는 반도체 장치(496)는 칩이 선택되어 정렬핀(498)과 매칭되는 홀(493)의 상부로 이동시킨 후 자동조절되는 캐리어(도시안됨)상에 위치할 수 있다. 도시된 것처럼, 정렬핀(498)의 상부단부는 인쇄회로기판이 반도체 장치(496)와 맞물리도록 휘어진다. 반도체 장치(496) 및 인쇄회로기판(492)의 중간 어셈블리는 플립핑된다. 그 다음에, 제2반도체 장치(496)가 인쇄회로기판(492)의 상부로 이동되어 상부에서 하부로 턴되어, 정렬핀(498)은 인쇄회로기판에서 다른 홀(493)에 정렬된후 접촉구조(497)가 인쇄회로기판상의 접촉패드(499)와 맞물려 이동하도록 하는 홀(493)로 이동된다. 정렬된 상태를 유지하기 위해서, 솔벤트 증착 때문에 보정할 때 수축되는 적절한 솔벤트를 가진 점착부(501)는 인쇄회로기판(492) 및 반도체 장치(494) 사이에 선택적으로 위치한다. 접착제가 사용될 때, 반도체 장치(496)에 의해 지지된 정렬핀(498)의 자유단부는 도시된 것처럼 휘어지지 않는다.
제31도에 도시된 본 발명을 통합하는 다른 반도체 패키지 어셈블리(506)는 도금된 스로우 개구부 또는 홀(508)이 제공된 인쇄회로기판(507)으로 이루어진다. 커패시터(511)는 도금된 스로우 홀(508)에 증착되고 절연재료(514)에 의해 분리된 제1 및 제2전극판(512, 513)으로 이루어진다. 플레이트(512)의 자유 확장부분(512a)은 도금된 스로우 홀(508)에 대한 도금부분(508a)에 결합되며, 다른 플레이트(513)의 자유 확장부분(513a)은 도금된 스로우 홀(508)에 대한 부분 부분(508b)에 결합된다. 이같은 방식에서, 커패시터(511)는 도금된 스로우 홀(508)에 현수된다. 다수의 접촉패드(516)는 PC 보오드(507)의 기판의 상부 및 하부면상에 제공되며 도금된 스로우 홀(508)로부터 일정한 간격을 두고 떨어진다. 다른 접촉패드(517)는 인쇄회로기판상에 제공되며 도금된 스로우 홀(508)의 부분(508b)과 접촉한다. 반도체 장치(521, 522)는 전술한 형태로 제공되며 도시된 것처럼 접촉패드(516) 및 접촉패드(517)에 납땜된 전술한 형태의 접촉구조(523)의 대향단부에 제공된다.
본 발명을 통합하는 다른 반도체 장치 어셈블리(526)는 제32도에 도시되어 있으며 반도체 장치(531, 532)상에 장착되는 전술한 형태의 탄성 접촉구조(529)에 결합된 일정한 간격을 둔 다수의 접촉패드(528)를 실행하는 PC 보오드(527)로 이루어진다. 전술한 형태의 커패시터(511)는 인쇄회로기판(527)의 대향 단부상에 배치된다. 커패시터(511)는 인쇄회로기판(527)의 대향측면상에 제공된 접촉패드(533)에 결합된 플레이트(512, 513)가 제공된다. 따라서, 커패시터(511)는 인쇄회로기판(527)의 대향측면에 위치한 반도체 장치(531, 532)사이의 공간에 배치된다. 이 커패시터는 반도체 장치(531, 532)와 충분한 간격을 두고 위치한다. 인쇄회로기판(527) 및 반도체 장치(531, 532)사이의 커패시터(511)를 위해 충분한 공간이 제공되는 탄성 접촉구조(529)의 높이는 조절될 수 있다.
본 발명을 통합하는 다른 반도체 장치 어셈블리(536)는 제33도에 도시되어 있으며, 제1 및 제2표면(538, 539)이 제공되는 다층 인쇄회로 보오드 또는 기판(537)으로 이루어진다. 직사각형 리세스(541)는 제1표면(538)을 통해 개발하는 PC 보오드(537)에 제공된다. 일정한 공간을 둔 다수의 스텝(542)은 표면(539)을 가진 측면을 통해 액세스되며 함몰 또는 리세스 표면(539)을 효과적으로 형성하기 위해 표면(539)에 대해 다양한 높이를 가진다. 도시된 것처럼, 인쇄회로기판(537)은 금속화부(546)의 적어도 3개의 다른 레벨이 제공된다. 그것은 표면(538, 539)에 수직한 방향으로 뻗으며 제33도에 도시된 것처럼 다양한 상호접속을 만드는 다수의 수직 바이어 컨덕터 또는 수직 바이어(549)가 제공된다. 수직 바이어(559)는 세라믹 기판에 적층 인쇄회로기판의 도금된 스로우 홀의 형태로 몰리브덴 또는 텅스텐과 같은 재료로 이루어질 수 있다. 다수의 접촉패드(551)는 제2표면(539)을 실행하는 측면에 제공되며, 스텝(542) 및 표면(539)상에 배치되어 금속화부의 여러 레벨에 직접 접속된다. 전술한 형태의 탄성 접촉구조(552)는 각각의 접촉패드(551)에 결합되며 제33도에 도시된 것처럼 다양한 길이를 가져서, 그들의 자유단부는 스텝(542)의 표면(539)에 평행한 단평면에 위치한다.
당업자에게 공지된 형태의 절연재료(558)에 배치된 다수의 평행한 도전 플레이트(557)에 의해 형성된 다수의 커패시터로 구성된 스로우 홀 분리 커패시터(556)가 제공된다. 플레이트(557)는 수직 바이어(559)에 접속된다. 한 측면상의 수직 바이어(559)는 리세스(541)내에 배치된 접촉패드(561)에 접속되며 인쇄회로기판(537)에 의해 지지된 수직 바이어(549)와 접촉한다.
제33도에 도시된 것처럼, 분리 커패시터(556)의 상부표면은 인쇄회로기판(537)의 표면(538)위로 약간 뻗는다. 금속부는 인쇄회로기판의 표면(538)상에 제공되며 접촉패드(562)를 제공한다. 추가 접촉패드(563)는 수직 바이어(559)와 접촉하는 분리 커패시터(556)상에 제공된다. 다수의 접촉패드(567)를 가진 반도체 장치 또는 칩(566)이 제공된다. 전술한 형태의 탄성 접촉구조(568)는 공통 수평평면에서 종료하는 접촉구조(568)의 상부점을 가진 접촉패드(562, 563)상에 장착되어 접촉구조(568)의 자유단부는 직접 반도체 장치(566)상의 접촉패드(567)에 결합된다. 따라서, 탄성 접촉구조(568)는 분리 커패시터(556)의 평면부 및 인쇄회로기판(537)의 표면의 레벨의 불균형을 용이하게 수용한다. 이것은 제33도에 도시된 것처럼 평면이 아닌 표면에 칩(566)의 평면부를 결합할 수 있다.
이같은 형태의 구조는 마이크로프로세서의 성능을 제한하는 중요한 파라미터인 분리 커패시터(556)에 결합한 저 인덕턴스를 제공할 수 있다. 전술한 것처럼, 인쇄회로기판(537)의 다른 측면상의 모든 접촉은 도시된 다른 평면상의 접촉패드에 직접 접촉하는 동일 평면에서 시작하지 않는다. 이것은 기판내의 상호접속에서 요구된 바이어스 및 컨덕터의 수를 감소시킬 수 있다.
비록 반도체 패키지 어셈블리(536)에 대한 최종 외부 패키징이 도시될지라도, 전술한 형태의 패키징이 이용될 수 있는 것은 당업자에게 공지된 사실이다. 선택적으로, 제33도에 도시된 하부칩(566)은 적절한 중합체 또는 에폭시본 화합물로 캡슐화될 수 있다(도시안됨).
인쇄회로기판(537)은 큰 크기를 가질 수 있어서, 제33도에 기술된 원리를 이용함으로서 표면(538)상에 여러 반도체 패이스-다운 접속 칩을 수용할 수 있다. 따라서, 플립 칩(566)은 X 및 Y 양방향으로 뻗는 열로 배열되어 서로에 인접하여 제공될 수 있다.
본 발명을 통합하는 다른 반도체 패키지 어셈블리(571)는 제34도에 도시되어 있으며 모기판 또는 직접기판으로 특징지워지는 다른 인쇄회로기판(576)상에 장착되는 방식을 도시한 제33도의 반도체 패키지 어셈블리(536)을 포함할 수 있는 혼합구조의 형태이다. 도시된 것처럼, 모기판(576)은 모기판(576)의 대향측면상에 배치된 땝납 마스크라 불리는 땜납층(579)에 의해 제공된 제1 및 제2표면(577, 578)이 제공된다. 또한, 모기판은 금속부(581)의 다중층과 표면(577, 578)에 수직하게 뻗는 일정공간을 둔 다수의 수직 도금 스로우 홀(583)을 가진다. 도금된 스로우 홀(583)은 표면(577)에 제공된 개구부(587)를 통해 액세스 가능한 접촉표면(586)이 제공된다. 그들은 표면(578)을 통해 뻗는 층(579)의 홀(592)을 통해 액세스 가능한 접촉표면(591)이 제공된다. 제34도에 도시된 것처럼, 접촉표면(586)은 탄성 접촉구조(552)의 자유단부에 의해 맞물리며 어셈블리를 완료하기 위해 땜납 또는 전기도전 에폭시와 같은 적적한 수단에 의해 결합된다.
제33도에 도시된 형태의 다수의 반도체 패키지 어셈블리(536)는 동일한 모기판 또는 집적기판상에 장착될 수 있다. 유사하게, 반도체 패키지 어셈블리(536)는 전술한 방식과 유사한 방식으로 제공된 모기판의 다른 측면상에 장착될 수 있다.
제34도에 도시된 직접 땝납접촉보다 오히려 모기판상에 반도체 패키지 어셈블리(536)를 장착하는 것은 접촉구조(552)가 모기판에 제공된 도금된 스로우 홀(583)에 접속된 도전단자와 전기 및 스프링 로드 접촉을 만들기 위해 제28도에 도시된 접촉구조(467)와 같은 분리가능한 접촉구조의 형태일 수 있다. 따라서, 이같은 방식에서 스프링 로드 피트는 모기판(576) 및 반도체 패키지 어셈블리(536)사이에 제공될 수 있다. 이같은 구조는 그것이 이 분야에서 반도체 패키지를 대신할 수 있기 때문에 바람직하다. 따라서, 스프링 로드 접촉을 이용함으로서, 반도체 패키지 어셈블리(536)는 많은 능력중 다른 하나에 의해 제거 및 교체될 수 있다. 예를 들어, 노트북 컴퓨터의 마이크로프로세서는 이 방식으로 업그레이드될 수 있다. 이같은 경우, 집적 탄성접촉의 사용을 위한 방법은 적절한 검사 또는 번-인 기판상의 패드에 대향하여 탄성접촉구조와 맞물린 다음 전술한 기판(576)에 소자를 스프링 로드함으로서 어셈블리(536)의 번-인 및 검사 어셈블리(536)를 포함한다.
반도체 장치(566)과 전술한 형태의 모기판(576)이 인쇄회로기판(537)상에 장착되고, 제21도에 도시된 형태의 삽입기(602)가 인쇄회로기판(573)과 삽입기(602)의 접촉구조(161)를 접촉표면(586)에 결합하기 위해 이용되는 땝납(603)을 가진 모기판(576)사이에 이용되는 본 발명을 통합하는 다른 혼합 반도체 패키지 어셈블리(601)는 제35도에 도시되어 있다. 유사하게, 삽입기(602)의 접촉구조(121)는 접촉패드(551)와 맞물리며 혼합 어셈블리를 형성하기 위해 인쇄회로기판(537), 모기판(576) 및 삽입기(602)를 통해 뻗는 너트(602)가 제공된 볼트(606)와 같은 적절한 수단에 의해 맞물리며, 혼합 어셈블리에서 접촉구조(121)상의 압착은 인쇄회로기판(537)에 의해 지지된 접촉패드(551)와 양호한 전기접촉을 제공하기 위해 유지된다.
볼트(606) 대신에, 다른 고정수단은 접촉구조(121)를 압착시키고 전술한 인쇄회로기판을 고정시키기 위해 스프링 클립으로서 이용될 수 있다. 제21도에 도시된 형태의 삽입기로서 형성된 삽입기(602)보다 오히려, 제20도에 도시된 형태의 삽입기는 접촉패드(551)와 맞물린 접촉구조(121)를 가지고 기판(586)과 맞물린 접촉구조(201)를 가짐으로서 삽입기의 양측면상에 형성된 제거가능한 전극접촉이 이용될 수 있다. 이같은 구조에서는 볼트를 제거하고 다른 소자 및 삽입기를 교체함으로서 혼합 반도체 패키지 어셈블리에서 변화가 용이하게 만들어질 수 있다. 삽입기는 이같은 변화를 용이하게 하기 위해서 착탈가능하게 장착된다.
본 발명을 통합하는 다른 반도체 패키지 어셈블리는 제36도에 도시되어 있다. 어셈블리(611)는 카드상의 실리콘 패키지가 구해질 수 있는 방식을 기술하며 제1 및 제2표면(613, 614)가 제공되는 적절한 절연재료로 형성된 상호접속 기판(612)으로 이루어진다. 이같은 상호접속 기판은 전술한 인쇄회로기판의 형태일 수 있으며 다수의 레벨의 금속부(도시안됨)와 표면(613, 614)상에 제공된 접촉패드(617)와 접촉하는 스로우 홀 컨덕터 도는 바이어 컨덕터(616)를 포함할 수 있다.
상호접속 기판(612)의 대향측면상에 배치되는 페이스-다운 장착 칩(621)의 형태인 반도체 장치가 제공된다. 전술한 것처럼 앞의 반도체 장치와 관련하여, 이들 장치는 상호접속 기판(612)상에 제공된 접촉패드(617)와 전기접촉하기 위해 상하로 전환되는 전술한 형태의 탄성 접촉구조(626)를 가진 다수의 접촉패드(622)가 제공된다. 플립칩(621) 및 상호접속 기판(612)사이의 공간은 도시된 것처럼 적절한 캡슐(631)이 채워질 수 있다.
모든 전기접속은 전구체로서 사용하는 제36도에 도시된 어셈블리(611)의 한 에지상에 제공된 다수의 접촉구조(636)에서 실행될 수 있는 다양한 플립 칩내에 제공되어, 반도체 패키지 어셈블리(611)는 데스크톱 컴퓨터등에 제공된 종래 소켓에 삽입될 수 있다. 이같은 구조에서는 실리콘 칩이 상호접속 기판(612)의 양측면상에 장착될 수 있다.
제36도에 도시된 반도체 패키지 어셈블리(611)가 이중 스택된 카드로서 기술되는 본 발명을 통합하는 다른 반도체 패키지 어셈블리(651)는 제37도에 도시되어 있다. 제37도에 도시된 것처럼, 두 개의 이중측면 실리콘 전구체는 전구체(611)의 두 개의 상호접속 기판(612)사이를 상호접속하는 추가 접촉구조(652)에 상호 수직하게 장착된다. 전체 어셈블리는 강성 및 보호를 위한 중합체 또는 에폭시 재료로 선택적으로 캡슐화될 수 있다.
본 발명을 통합하는 다른 반도체 패키지 어셈블리(661)는 제38도에 도시되어 있다. 제38도는 전술한 형태의 기판(662)이 플라스틱/적층 플라스틱 또는 세라믹 또는 실리콘으로 만들어진 인쇄회로기판으로서 제공되는 어셈블리(661)를 도시하며, 상기 기판(662)은 평면에 위치한다. 다수의 실리콘 칩 또는 반도체 장치(663)는 기판(662)상의 일정한 간격을 둔 위치에 수직하게 스택되며 일반적으로 기판(662)의 평면에 수직한 방향으로 뻗는다. 기판(662)은 기판(662)의 회로소자에 접속된 접촉패드(662)를 가진 평면부(666)가 제공된다. 유사하게, 실리콘 칩(663)은 일정한 간격을 둔 평행한 표면(668, 669)이 제공되며, 접촉구조(671)는 표면(668)을 통해 노출된다. 전술한 형태의 접촉구조(672)는 기판(662)에 의해 지지된 패드(667)와 실리콘 반도체 장치(663)사이를 접촉시키기 위해 제공된다. 따라서, 도시된 것처럼, 접촉구조(672)는 각각의 실리콘 칩(663)을 위해 제공된다. 접촉구조(672)는 탄성형이며 제1 및 제2휨(675a, 676b)이 제공된다. 휨(676a, 676b)은 접촉구조(676)가 기판(662)의 표면(666)상에 제공된 다른 패드(678)에 고정될 때 그들이 기판(662)에 대한 수직위치로 칩(663)을 탄성적으로 지지하기 위해서 실리콘 칩(663)의 대향 표면과 맞물리도록 크기를 가진다.
각각의 쌍의 실리콘 칩사이의 단일 접촉구조(676) 대신에, 단일 탄성 접촉구조에 의해 제공된 것과 같은 지지를 제공하기 위해서 두 개의 개별 탄성 접촉구조를 제공하는 것은 가능하다.
제38도에 도시된 반도체 패키지 어셈블리(661)는 메모리 칩을 스택하는 대량제조 기술에 의해 제조된다.
상호접속 접촉구조, 삽입기 및 반도체 어셈블리 및 패키지의 기술에 관련하여, 상기와 같은 것을 제조할 때 이용된 방법이 일반적으로 기술된다. 접촉구조에 대한 뼈대와 상호접속을 사용하는 가요성 연장소자(106)는 연속적인 공급단부를 가지고 열압축 또는 초음파 에너지에 의해 이 공급단부를 접촉패드에 결합시킨다음 단자로부터 돌출하며 제1스템 단부를 가진 핀 또는 스템을 결합된 자유단부로부터 형성하는 와이어를 제공하기 위해 초음파, 열 또는 압축 에너지 또는 이들의 결합에 의해 와이어가 결합되도록 설계된 자동화 와이어 본딩 장치에 의해 형성된다. 만일 원한다면, 제2스텝 단부는 동일한 접촉패드 또는 단자에 또는 다른 접촉패드 또는 단자에 결합될 수 있다. 그때, 핀 또는 스텝은 뼈대를 제한하기 위해 제2스템 단부에 결합될 수 있다. 그 다음에, 도전재료는 전술한 셸을 형성하는 뼈대와 접촉패드 또는 단자의 인접영역상에 증착된다. 이같은 과정은 추가 접촉구조를 제공하기 위해 반복된다.
전술한 상호접속을 만들기 위한 접촉구조를 형성하는 방법의 기본적인 단계가 존재하며, 이들 돌출 도전접촉을 형성하는 단계로 특징지워진다. 이 접촉구조 또는 돌출 도전접촉은 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 많은 종래 반도체공정에 의해 이동된다. 전술한 것처럼, 질화물 또는 중합체 절연층을 이용하는 칩 불활성화가 제공될 수 있다. 더욱이, 알루미늄, 구리, 티타늄, 텅스텐, 금 또는 이들의 결합과 같은 적절한 재료로 이루어진 단락층은 이용될 수 있다. 이같은 단락층은 동작하기 위해 고전압 방출을 사용하는 와이어 본딩장치를 사용할 수 있다. 선택적으로 전기 접지된 단락층은 능동 반도체 장치의 손상을 막을 수 있다. 전형적으로, 이같은 단락층은 레지스트로 코팅된후 뼈대는 레지스트의 개구에 의해 한정된 접촉패드상에 장착된다. 그때, 뼈대는 레지스트 및 단락층이 전술한 것처럼 제거된후 셸 또는 근육을 형성하기 위해 도전재료로 코팅된다. 웨이퍼는 이때 주사위꼴로 절단된다. 그 다음에, 주사위꼴로 절단된 칩은 본드가 접촉패드에서 만들어지는 영역위로 뻗는 보호 중합체로 코팅된다.
이같은 방법에 있어서, 레지스트의 개구는 접촉패드의 크기보다 더 크게 만들어진다. 그 다음에, 금속은 큰 크기의 접촉패드 또는 웰을 제공하기 위해 레지스트의 개구를 통해 도금될 수 있다. 그때, 레지스트 및 단락층은 제공된 큰 영역 접촉패드의 하부를 제외하고 제거될 수 있다.
접촉패드에 대한 큰 영역을 제공함으로서, 본 발명에 따라 제조된 접촉구조에 점착성을 향상시키기 위해서 큰 표면이 존재한다. 이같은 증가된 접촉구조는 원형, 달걀형, 직사각형 등과 같은 임의의 원하는 모양을 가질 수 있다. 도금된 금속접촉 패드는 대기로부터 알루미늄 접촉패드를 밀봉하는 추가 장점을 가진다.
전술한 방법은 투매층이 과코팅 근육층 또는 셸의 증착후 제거되는 접촉구조의 자유단부를 위해 제공된다. 만일 원한다면, 투매구조는 과코팅 셸의 증착전에 제거될 수 있으며, 과코딩 셸은 접촉을 위한 단락층에 CVD, 무전기 도금 또는 전기도금에 의해 형성된다.
또한, 알루미늄 또는 구리와 같은 투매부재를 사용하여 프로브형 접촉구조를 제조하는 방법은 앞서 기술되었다. 이같은 방법은 반도체칩을 패키징하기 전에 패키지상의 다수의 접촉을 위해 이용될 수 있다. 패키지에 결점이 있는 경우, 반도체 칩은 패키지 및 접촉구조에서 발생된 손실만이 비용을 줄인다. 따라서, 본 발명에 따르면, 다수의 접촉구조는 패키지에 부착되기 전 및 후에 임의의 방법에 따라 전달/투매 기판상에 형성될 수 있으며, 그 다음에 적정 투매기판은 제거된다. 투매 기판 캐리어상의 다수의 접촉구조는 특정 성형의 사용없이 전달 기판상에 요구된 패턴을 만들기 위해 소프트웨어 데이터 파일을 이용함으로서 용이하게 실행될 수 있다.
검사 및 번-인 기판에 의해 지지된 접촉패드와 착탈가능하게 접촉시키기 위해 전술한 반도체 장치에 의해 지지된 탄성접촉구조를 사용함으로서, 검사 및 번-인은 원하는 성능특성이 충족되도록 용이하게 실행된후, 동일한 반도체 장치는 공통 기판상에 다중 반도체 장치를 위치시킴으로서 전술한 영구적인 패키지로 통합된 변화없이 검사 및 번-인 기판으로부터 제거될 수 있어서, 제1레벨 반도체 패키징에 대한 필요성이 제거될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 능동 반도체 장치는 패키징되기전에 또는 영구적인 패키지 어셈블리로 패키징된후 검사될 수 있다.
상호접속을 형성하는 접촉구조, 반도체 삽입기, 반도체 어셈블리 및 이들을 사용하는 패키지와 이들을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 전술한 것처럼, 접촉구조는 많은 응용이 가능하며 반도체 어셈블리 및 패키지의 대량생산을 용이하게 하기 위해 반도체 산업에서 많이 응용될 수 있다. 접촉구조는 향상된 신뢰도와 반도체 어셈블리 및 불리한 환경에서 이용될 수 있는 어셈블리를 통합하는 패키지를 만드는 고집적도를 제공한다. 본 발명의 접촉구조의 융통성 때문에, 다른 단면 및 다른 피치에 접촉이 이루어지는 많은 다른 반도체 어셈블리 및 패키지 구조에 이들을 사용하는 것은 가능하다. 접촉구조는 SIMM 및 다른 카드상에 반도체 칩의 장착을 실행하는 패드를 위한 많은 다른 구조에 이용될 수 있다. 접촉구조 및 방법은 여기에 개시되며 직접적으로 장착된 탄성 접촉을 가진 카드 판독 장치를 제조하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명은 웨이퍼 또는 다른 형태중 하나에 접촉 반도체장치를 장착하기 위해 사용된다. 본 발명을 실행하기 위해 이용된 장치는 이 산업분야에서 이미 사용한 종래 와이어 결합기와 유사한 마이크로메커니컬 하드웨어를 이용한다.
본 출원은 1993년 11월 16일에 출원된 미합중국 출원번호 제08/152,812의 일부연속출원이다. 본 발명은 상호접속 접촉구조, 삽입기, 반도체 어셈블리 및 이들을 사용한 패키지와 이들을 제조하는 방법에 관한 것이다.
지금까지, 반도체 장치에 사용하기 위해 제공된 많은 형태의 상호접속은 반도체 산업에서 용응을 제한하는 다수의 단점을 가졌다. 특히 반도체 어셈블리 및 패키지에 사용할 수 있고 반도체 산업 전반에 걸쳐 사용될 수 있도록 상기의 단점을 극복한 신규 및 개선된 상호접속 접속구조에 대한 필요성이 대두되었다.
일반적으로, 본 발명의 목적은 접촉구조, 삽입기, 반도체 어셈블리 및 이들을 사용한 패키지와 능동 실리콘장치에 직접 부착된 접촉구조, 특히 탄성 접촉구조를 사용할 수 있는 상기의 것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 검사 기판상의 번-인(burn-in)용 패드에 일시적으로 접촉할 수 있는 앞의 특성의 구조, 삽입기, 어셈블리 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 접촉구조에 대한 경계점이 다른 접촉구조에 대한 원점에서 공간 또는 피치를 이용할 수 있는 앞의 특성의 구조, 삽입기, 어셈블리 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 접촉구조, 삽입기, 어셈블리 및 3차원 팬-아우트를 만드는 엇갈림 접촉구조를 이용하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 어레이, 주변, 에지 또는 중심 라인패드 외부의 패드에 접촉구조가 부착되게 하는 특징을 가진 접촉구조, 삽입기, 어셈블리 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 한 측면 에지패드의 외부에서 접촉구조가 SIMM 및 다른 카드상에 일정간격으로 칩을 장착할 수 있도록 형성되는 특징을 가진 접촉구조, 삽입기, 어셈블리 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 또는 특정 형태중의 하나로 장치에 접촉구조를 장착할 수 있는 특징을 가진 접촉구조, 삽입기, 어셈블리 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 접촉구조의 부착이 자동장치에 의해 실행될 수 있는 특징을 가진 접촉구조, 삽입기, 어셈블리 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 탄성접촉으로 선택적으로 상호접속될 수 있는 양측면상에 카드 판독실리콘이 배치되는 하나 이상의 기판을 제공하기 위해 이용될 수 있는 특징을 가진 가진 접촉구조, 삽입기, 어셈블리 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적 및 장점과 함께 본 발명은 첨부된 도면을 참조로 상세히 설명될 것이다.

Claims (86)

  1. 표면을 가진 전자소자와; 상기 전자소자에 의해 지지되며 상기 표면을 통해 액세스 가능한 도전성 접촉단자와; 제1 및 제2단부를 가진 내부 가요성 연장부재를 포함하는데, 상기 제1단자는 개별 본딩재료를 사용하지 않고 상기 도전성 접촉단자의 표면에 제1인티매이트 본드를 형성하며; 상기 연장부재를 밀봉하는 적어도 하나의 도전재료층으로 형성되어 상기 제1인티매이트 본드에 인접한 상기 도전접촉단자의 적어도 일부분과 함께 제2인티매이트 본드를 형성하는 전기 도전셸을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 접촉구조 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 인장, 시어(shear) 및/또는 휨에 의해 측정된 제1 및 제2 인티메이트 본드의 강도는 제1인티메이트 본드보다 제2인티메이트 본드가 더 강한 것을 특징으로 하는 상호접속 접촉구조 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2인티메이트 본드의 강도는 제1인티메이트 본드의 강도의 2배 이상인 것을 특징으로 하는 상호접속 접촉구조 어셈블리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 층이 압착되는 것을 특징으로 하는 상호접속 접촉구조 어셈블리.
  5. 제1항에 있어서, 상기 내부 가요성 연장 부재 및 상기 셸의 적어도 하나의 층은 상호 접속 접촉 구조에 탄성 특성을 분배하는 캔틸레버를 제공하기 위해 형성되는 것을 특징으로 하는 상호접속 접촉구조 어셈블리.
  6. 제1항에 있어서, 상기 셸은 외부층을 가지며, 상기 외부층은 땝납 합금인 것을 특징으로 하는 상호접속 접촉구조 어셈블리.
  7. 반도체 장치를 통합하며 표면을 가진 적어도 하나의 도전 접촉패드를 가지는 표면을 구비하는 전자소자를 포함하는 어셈블리에서 상호접속을 위해 사용하는 접촉구조에 있어서, 제1 및 제2단부를 가진 적어도 하나의 도전 가요성 연장소자와; 제1 인티메이트 본드를 형성하기 위해 상기 접촉패드의 표면에 상기 제1단부를 결합하는 수단과; 상기 가요성 연장소자를 밀봉하는 셸과; 강도가 상기 제1인티메이트 본드의 강도보다 강한 상기 제2인티메이트 본드를 제공하기 위해 상기 가요성 연장소자의 제1단부를 상기 접촉패드에 결합하는 상기 수단에 인접한 적어도 도전 접촉패드 표면의 일부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  8. 제7항에 있어서, 상기 셸은 도전재료로 이루어진 적어도 하나의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가요성 연장소자는 휨을 형성하는 적어도 하나의 캔틸레버가 제공되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  10. 제9항에 있어서, 상기 도전셸은 고항복력을 가지는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  11. 제10항에 있어서, 상기 셸의 상기 도전재료층은 니켈, 코발트, 철, 인, 붕소, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 로듐, 크롬, 류테늄, 은, 팔라늄 및 이들이 합금의 군으로부터 선택된 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  12. 제8항에 있어서, 상기 셸은 내부 압축력을 제공하는 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  13. 제7항에 있어서, 상기 제2단부는 자유단부인 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  14. 제13항에 있어서, 상기 자유단부는 불형 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  15. 제7항에 있어서, 도전재료로 이루어진 셸에 부착된 외부 도전층을 더 포함하고, 상기 외부도전층은 양호한 전기접속을 형성하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  16. 제7항에 있어서, 상기 셸은 외부표면을 가지며, 상기 외부표면은 미세 돌출부를 가지는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  17. 제9항에 있어서, 휨의 변형을 허용하면서 휨의 도전 특성을 최소화하기 위해 접촉패드의 표면으로부터 휨부분 이상으로 뻗는 도전 가요성 재료매스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  18. 제13항에 있어서, 상기 자유단부는 상기 전자소자의 표면위로 뻗는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  19. 제13항에 있어서, 상기 자유단부는 상기 전자소자의 표면 하부에서 아래로 뻗는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  20. 제7항에 있어서, 차폐 접촉구조를 제공하기 위해서, 셸위에 배치된 절연재로로 이루어진 층과 절연재료층위에 배치된 도전재료로 이루어진 추가층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  21. 제10항에 있어서, 상기 제2단부는 상기 접촉단자와 탄력있게 맞물리기 위해서 탄성 프로브 접촉부로 사용할 수 있도록 개방되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  22. 제21항에 있어서, 상기 접촉구조는 전기접촉층으로 이용하는 종속부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  23. 제13항에 있어서, 상기 자유단부는 자유단부에 의해 지지되고 일정한 간격을 둔 다수의 돌출부를 가진 적어도 하나의 층을 가진 접촉패드가 제공되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  24. 제23항에 있어서, 돌출부를 가진 상기 층은 경질 도전재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  25. 제24항에 있어서, 상기 경질 도전재료는 니켈, 코발트, 로듐, 철, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 탄소 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  26. 제10항에 있어서, 상기 프로브 단부는 상기 자유단부에 인접한 캔틸레버 부분이 제공되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  27. 제7항에 있어서, 제1단부가 결합되는 동일한 도전 접촉패드에 상기 제2단부를 결합하는 수단과, 상기 접촉구조를 밀봉하고 땝납 범프를 형성하기 위해 사용되는 땝납부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  28. 제27항에 있어서, 상기 셸은 땝납 재료로 형성되는 외부층을 가지는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  29. 제7항에 있어서, 상기 가요성 연장소자는 상기 접촉패드위로 뻗으며 이 접촉패드 사이의 평면 표면영역을 둘러싸는 루프로 형성되며, 상기 셸은 상기 가요성 연장소자 및 이 가요성 연장소자의 셸에 고정되고 밀폐된 평면영역을 덮는 땝납 범프를 형성하는 땝납수단상에 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉구조.
  30. 반도체 어셈블리와, 일정한 간격을 둔 제1 및 제2표면 상기 표면중 적어도 하나에 일정한 간격을 둔 다수의 접촉패드를 가진 절연재료로 형성된 기판과, 상기 표면중 적어도 하나의 접촉패드에 장착된 다수의 접촉구조에 사용하며, 상기 각각의 접촉구조는 제1단부 및 상기 기판위로 뻗으며 개방된 제2단부를 가진 적어도 하나의 가요성 연장소자와, 상기 제1단부를 접촉패드에 결합하고 가요성 연장소자상에 형성되고 상기 접촉패드에 결합된 도전재료로 이루어진 셸을 가진 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 삽입기.
  31. 제30항에 있어서, 상기 기판은 상기 접촉패드에 고정된 추가 가요성 연장소자와 함께 기판을 통해 뻗는 홀과 상기 추가 가요성 연장소자상에서 도전재료로 형성된 셸이 제공되는 것을 특징으로 하는 삽입기.
  32. 제31항에 있어서, 상기 가요성 연장소자는 캔틸레버 부분을 가진 휨부분이 형성되며, 상기 셸은 평방인치당 적어도 3만 파운드의 고항복력을 가진 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 삽입기.
  33. 제31항에 있어서, 상기 홀은 제1 및 제2표면을 통해 뻗으며 쇼울더상에 배치된 접촉패드와 함께 상기 제1 및 제2표면에 대해 리세스되는 상기 쇼울더를 제공하고 상호 오프셋되는 부분을 가지며, 상기 접촉구조는 상기 쇼울더상에 배치된 접촉패드에 고정되고 일정한 간격을 둔 평행평면에 위치한 자유단부를 제공하기 위해 상기 제1 및 제2표면 이상 상기 홀을 통해 외부로 뻗는 자유단부를 가지는 것을 특징으로 하는 삽입기.
  34. 제31항에 있어서, 상기 홀을 이 홀을 통해 뻗는 컨덕터를 가지는 것을 특징으로 하는 삽입기.
  35. 제31항에 있어서, 상기 홀은 도금된 스로우 홀의 형태를 가지며, 상기 접촉구조는 상기 도금된 스로우 홀을 가로질러 뻗으며 상기 기판의 다른 측면상의 접촉패드에 결합되는 추가 접촉구조와 함께 상기 제1 및 제2표면중 한 표면상의 접촉패드에 배치되며, 상기 추가 접촉구조는 가요성 연장소자를 포함하는 상기 가요성 연장소자상에 형성된 셸을 포함하는 것을 특징으로 하는 삽입기.
  36. 제35항에 있어서, 상기 추가 접촉구조는 땝납 범프를 제공하기 위해 상기 추가 접촉구조상에 형성된 땝납과 함께 루프형 단면인 것을 특징으로 하는 삽입기.
  37. 접촉패드가 제공된 표면을 가진 능동 반도체 장치와 상기 접촉패드상에 장착된 다수의 접촉구조를 포함하며, 상기 각각의 접촉구조는 제1 및 제2단부를 가진 가요성 연장소자와 개방된 제2단부를 가진 접촉패드에 상기 제1단부를 결합하는 수단과, 상기 가요성 연장소자상에 형성되고 상기 가요성 연장소자 및 상기 접촉패드의 적어도 일부분위로 뻗는 도전재료로 형성된 셸을 포함하고, 상기 가요성 연장소자는 휨을 형성하는 캔틸레버 부분을 가지며, 상기 접촉패드는 소정 간격으로 떨어져 위치하며, 상기 접촉구조의 제2자유단부는 상기 접촉구조에 결합된 가요성 연장소자의 제1단부사이의 공간보다 더 넓은 간격으로 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 어셈블리.
  38. 제37항에 있어서, 상기 제2자유단자는 상기 가요성 연장소자의 상기 제1단부에 대해 엇갈려 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 어셈블리.
  39. 제37항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면상에 장착된 통합핀을 더 포함하며, 상기 통합핀은 가요성 연장소자 및 상기 가요성 연장소자상에 형성된 셸로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 어셈블리.
  40. 제39항에 있어서, 상기 가요성 연장소자 및 상기 통합핀의 상기 셸은 접촉구조와 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 어셈블리.
  41. 제1 및 제2표면과 상기 제1 및 제2표면중 적어도 한 표면상에 배치된 접촉패드를 가진 절연재료층으로 형성된 기판과, 제1표면 및 접촉패드를 가지고 본드를 형성하기 위해 기판중 한표면에 의해 지지된 패드 또는 반도체 장치의 패드중 하나에 결합된 제1단부와 상기 반도체 장치의 접촉패드 또는 본드없는 기판중 한표면에 의해 지지된 접촉패드와 접촉하는 제2단부를 가진 탄성 접촉구조를 통합하는 적어도 하나의 능동 반도체 장치를 포함하고, 상기 상호접속 접촉구조는 휨을 형성하는 캔틸레버 부분을 가진 가요성 연장소자와 가요성 연장소자상에 배치된 인치당 적어도 3만 파운드의 고항복력을 가지고 상기 기판에 상기 능동 실리콘 장치를 탄력있게 고정하기 위해 상기 상호접속 접촉구조에 스프링 특성을 제공하는 도전재료로 이루어진 셸로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  42. 제41항에 있어서, 적어도 하나의 추가 능동 반도체장치는 접촉 패드 및 상기 기판의 다른 표면에서 상기 접촉패드에 적어도 하나의 추가 능동 반도체 장치의 접촉패드를 접속하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  43. 제42항에 있어서, 상기 기판의 다른 표면상의 접촉패드에 적어도 하나의 추가 반도체 장치의 접촉패드를 접속하는 상기 수단은 제1상호접속 접촉구조와 동일한 구조의 상호접속 접촉구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  44. 제41항에 있어서, 도전재료로 형성된 상기 셸은 접촉패드에 상기 접촉구조를 고정하는 추가 인장 힘을 제공하기 위해 상기 접촉패드에 친밀하게 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  45. 제41항에 있어서, 상기 기판은 인쇄회로기판이며, 상기 인쇄회로기판은 다수의 금속화층과 이를 통해 뻗는 수직 바이어 컨덕터가 제공되고, 상기 접촉패드는 상기 수직 바이어 컨덕터와 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  46. 제41항에 있어서, 상기 기판에 고정되고, 적어도 하나의 능동 반도체 장치를 소정위치에 유지하기 위해 상기 반도체 장치위로 뻗으며, 상기 상호접속 탄성 접촉구조상에 압축력을 제공하는 스프링 클립수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  47. 제46항에 있어서, 상기 스프링 클립 수단은 상기 상호접속 탄성 접촉구조와 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  48. 제45항에 있어서, 상기 상호접속 접촉구조는 제2 자유단부를 가지며, 상기 제2자유단부는 상기 수직 바이어 컨덕터를 통해 상기 인쇄회로기판으로 뻗으며 상기 기판에 대해 상기 반도체 장치를 소정위치에 위치시키면서 전기접촉을 형성하기 위해 상기 수직 바이어 컨덕터와 맞물리는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  49. 제41항에 있어서, 상기 기판은 다수의 홀과, 상기 기판에 대해 상기 반도체 장치를 소정위치에 위치시키고 상기 반도체 장치상의 접촉패드에 상기 기판상의 접촉패드를 접속하는 탄성 접촉구조상에 압축력을 제공하기 위해 반도체 장치에 고정되고 상기 홀을 통해 뻗으며 상기 인쇄회로기판과 맞물리는 스프링 클립수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  50. 제41항에 있어서, 상기 기판은 다수의 정렬홀과, 상기 기판에 대해 상기 반도체 장치를 정렬시키기 위해 상기 반도체 장치상에 장착되고 상기 기판의 상기 홀을 통해 뻗는 정렬핀과, 상기 정렬핀에 의해 결정된 정렬로 반도체 장치를 상기 기판에 대한 소정위치에 위치시키기 위해 상기 반도체 장치 및 상기 기판사이에 배치된 점착수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  51. 제50항에 있어서, 상기 정렬핀은 상기 가요성 연장소자를 위한 추가 구조적인 지지를 제공하기 위해 형성된 셸을 가진 연장소자로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  52. 제41항에 있어서, 상기 제1반도체 장치 및 상기 기판사이에 배치된 커패시터를 더 포함하고, 상기 커패시터는 접촉단자와 상기 접촉단자를 상기 제1 반도체 장치의 접촉패드에 결합하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  53. 제52항에 있어서, 상기 기판은 리세스가 형성되며, 상기 커패시터는 그 자체내에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  54. 제52항에 있어서, 상기 접촉단자를 상기 제1능동반도체 장치의 접촉패드에 접속하는 상기 수단은 상기 리세스에 인접하여 배치된 접촉패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  55. 제41항에 있어서, 상기 기판은 다른 레벨에서 스텝을 가진 제2표면이 제공되며, 상기 접촉패드는 상기 스텝상의 패드에 고정되고 동일한 수평평면으로 뻗는 자유단자를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  56. 제41항에 있어서, 상기 기판은 제1표면을 통해 뻗는 리세스와, 상기 리세스내에 배치된 커패시터와, 커패시터에 의해 지지되고 상기 반도체 장치의 접촉패드와 동일한 평면에서 종료되며 상기 반도체 장치에 고정되어 상기 반도체 장치에 전기접촉을 제공하는 추가 접촉구조가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  57. 제41항에 있어서, 통합기판은 상기 통합기판의 접촉패드에 상기 기판의 접촉패드를 상호접속하는 추가 탄성 접촉구조와 함께 다수의 접촉패드를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  58. 제57항에 있어서, 통합 기판과 이 통합기판에 추가 기판을 접속하는 접촉구조상에 장착되는 다수의 추가 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  59. 제58항에 있어서, 상기 기판을 상기 통합 기판에 상호접속하는 상기 접촉구조는 제1 및 제2측면과 제1 및 제2측면상에 적어도 몇몇의 접촉패드사이에 전기접속하는 접촉패드를 가진 삽입기와, 상기 삽입기의 접촉패드 및 상기 통합 기판의 접촉패드사이를 접속하는 땝납 수단을 포함하며, 상기 삽입기의 접촉패드 및 상기 기판상의 접촉패드를 접촉시키는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  60. 제59항에 있어서, 압축력이 접촉구조에 가해져서 상기 접촉구조가 상기 접촉패드와 전기접촉을 하도록, 상기 삽입기의 접촉패드와, 상기 기판 또는 통합기판과, 상기 통합기판에 상기 기판을 접속하는 억제수단과 맞물리는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 어셈블리.
  61. 제60항에 있어서, 상기 억제수단은 착탈가능한 수단의 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 어셈블리.
  62. 제1 및 제2표면과 제1 및 제2표면상에 도전접촉패드를 가진 절연재료로 형성된 기판과, 상기 기판의 제1 및 제2표면상의 상기 접촉패드와 맞선 접촉패드를 가진 다수의 반도체 장치와, 상기 반도체 장치가 상기 접촉구조를 통해 상기 반도체 장치에 전기접속하는 상기 기판에 의해 지지된 상기 기판 및 접촉수단의 대향측면상의 제1 및 제2평행평면에 위치하도록 반도체 장치의 접촉패드 및 상기 기판에 의해 지지된 접촉패드를 전기 접속하고 상기 기판의 표면으로부터 일정한 간격을 둔 위치에 상기 반도체 장치를 지지하는 탄성 접촉구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  63. 제62항에 있어서, 상기 접촉수단은 한평면에 열로 배치되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 어셈블리.
  64. 제1 및 제2단부를 가진 가요성 연장 도전소자를 사용함으로서 전자소자에 의해 지지된 접촉패드와 맞물리는 구조적인 접촉을 제공하는 단계와, 제1본드를 형성하기 위해 상기 제1단부를 상기 접촉패드에 고정시키는 단계와, 상기 접촉패드 및 상기 구조적인 접촉부사이에 추가 힘이 제공되도록 구조적인 접촉을 제공하는 가요성 연장소자와 제1본드 및 접촉패드위로 뻗는 셸을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  65. 제64항에 있어서, 상기 제1 및 제2단부사이의 가요성 연장소자에 휨을 형성하는 단계와, 접촉구조에 대한 스프링과 같은 특성을 제공하기 위해 상기 휨위에 상기 셸을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  66. 제65항에 있어서, 상기 부재들 사이에 전기접속을 하기 위해 상기 추가 전자소자상의 상기 접촉구조에 상기 가요성 연장소자에 제2단부를 부착하는 단계와, 접촉패드를 가진 추가 전자소자를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  67. 제66항에 있어서, 압축힘이 상기 접촉구조상에서 유지되도록 상기 전자소자 및 상기 추가 전자소자사이에 압축힘을 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  68. 제64항에 있어서, 제2본드를 형성하기 위해 동일 접촉패드에 상기 제2단부를 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  69. 전자소자상의 도전단자에 돌출 도전접촉부를 장착하기 위한 방법에 있어서, 상기 단자에 상기 공급단자를 결합하는 연속적인 공급단자를 가진 와이어를 제공하는 단계와, 상기 단자로부터 돌출하고 제1스템 단부를 가진 스템을 결합된 공급단부로부터 형성하는 단계와 상기 소자로부터 일정한 간격을 둔 관계로 장착된 투매 부재에 제2스템을 결합하는 단계와, 뼈대를 한정하기 위해 제2스템에 상기 스템을 고정하는 단계와, 상기 뼈대 및 상기 소자의 적어도 인접표면을 밀봉하기 위해 도전재료를 증착하는 단계와, 투매 부재를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  70. 제69항에 있어서, 제거단계중, 상기 스템 단부는 투매 부재로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
  71. 제69항에 있어서, 상기 도전재료층은 그것의 표면상에 다수의 미세 돌출이 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  72. 제69항에 있어서, 상기 증착단게는 서로 다른 다수의 층을 배치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  73. 제72항에 있어서, 도전재료를 포함하는 적어도 하나의 상기 층은 매칭단자에 삽입될 때 돌출 도전접촉부의 접촉저항을 감소시키기 위해 재그형태를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  74. 전자소자상의 도전단자에 돌출 도전접촉부를 장착하기 위한 방법에 있어서, 상기 단자에 연속적인 공급단자를 가진 와이어를 제공하는 단계와, 상기 단자에 상기 공급단자를 결합하는 단계와, 상기 단자로부터 돌출하고 제1스템 단부를 가진 스템을 공급단부로부터 형성하는 단계와, 뼈대를 한정하기 위해 제2스템 단부에 상기 스템을 고정하는 단계와, 상기 뼈대 및 상기 단자의 인접표면을 밀봉하기 위해 도전재료를 증착하는 단계와, 다수의 단자와 적어도 하나의 전자소자상에서 동일한 단계를 실행하는 단계를 포함하며, 상기 단자는 다른 평면에 있으며, 상기 형성단계는 다수의 자유 스탠딩 돌출스템에서 실행되며, 상기 고정단계는 공통평면의 각각의 스템상에서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  75. 제74항에 있어서, 상기 단자는 다른 평면에 위치하며, 상기 형성 단계는 다른 평면상에서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  76. 소정 패턴으로 정렬된 접촉패드를 가진 개별 검사 또는 번-인 기판을 사용함으로서 장착된 다수의 탄성 접촉구조를 반도체 장치상에서 검사 및/또는 번-인 과정을 실행하는 방법에 있어서, 상기 반도체 장치와 연관된 탄성 접촉구조를 상기 검사 또는 번-인 기판의 상기 접촉패드와 전기접속하기 위해 압축력하에서 상기 검사 또는 번-인 기판에 대해 다수의 탄성 접촉구조를 가진 상기 반도체 장치의 위치를 조절하는 단계와, 상기 탄성 접촉구조가 검사 또는 번-인 기판의 접촉패드와 맞물리는 동안 상기 반도체 장치를 검사하는 단계와, 검사 또는 번-인을 완료한후 검사 또는 번-인 기판의 접촉패드와 맞물리는 상기 다수의 탄성 접촉구조를 가진 상기 반도체 장치를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  77. 제76항에 있어서, 소정 패턴으로 배열된 다수의 접촉패드를 가진 통합기판을 사용하기 위해, 검사 또는 번-인 과정을 완료한 다음, 상기 통합기판상의 상기 접촉패드와 맞물리는 상기 반도체 장치의 탄성 접촉구조를 위치시키고, 상기 접촉구조 및 상기 통합기판의 상기 접촉패드사이의 영구접속을 형성하는 추가 단계를 더 실행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  78. 제76항에 있어서, 상기 접촉구조는 베이스 및 자유 단부를 가지며, 상기 베이스 단자의 공간과 다르고 상기 기판상의 상기 접촉패드의 공간에 일치하도록 상기 자유단부사이의 공간을 변화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  79. 전자소자상의 도전단자에 돌출 도전접촉구조를 장착하기 위한 방법에 있어서, 연속적인 공급단자를 가진 와이어를 제공하는 단계와, 상기 공급단자를 상기 단자에 결합하는 단계와, 상기 단자로부터 돌출하며 제1스템 단자를 가지는 스템을 상기 공급단자로부터 형성하는 단계와, 뼈대를 한정하기 위해 제2스템 단자에 상기 스템을 고정하는 단계와, 뼈대 및 상기 단자의 인접표면을 밀봉하기 위해 도전재료를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  80. 제79항에 있어서, 상기 형성단계와 상기 고정단계는 와이어 본딩 장치에 의해 실행되고, 상기 고정단계후 및 상기 증착단계전에 상기 장치의 외부에 있는 도구에 의해 상기 뼈대를 성형하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  81. 제79항에 있어서, 상기 도전재료층은 그 표면상에 다수의 미세 돌출부가 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  82. 제79항에 있어서, 상기 증착단계는 서로 각각 다른 다수의 층의 위치를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  83. 제79항에 있어서, 상기 증착단계는 서로 각각 다른 다수의 층의 위치를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  84. 제79항에 있어서, 상기 형성단계는 다수의 자유 스탠딩 돌출스템을 만들며, 상기 고정단계는 공통평면의 상기 각각의 스템상에 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  85. 제79항에 있어서, 상기 단자는 다른 평면에 위치하며, 상기 형성단계는 다수의 자유 스탠딩 돌출 스템을 만들며, 상기 고정단계는 공통평면의 상기 각각의 모든 스템상에서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  86. 제79항에 있어서, 상기 와이어는 금, 구리, 알루미늄, 은, 인듐, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 형성되며, 상기 뼈대는 니켈, 코발트, 붕소, 인, 구리, 텅스텐, 티타늄, 크롬 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 제1도 전재료층으로 코팅되며, 상기 도전재료의 상부층은 인듐, 비스무트, 안티몬, 금, 은, 카드뮴 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 땜납인 것을 특징으로 하는 방법.
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