JP5788166B2 - 接続端子構造及びその製造方法、並びにソケット - Google Patents

Description

本発明は、基板に接続端子を設けた接続端子構造及びその製造方法、並びに、前記接続端子構造を有し、半導体パッケージ等の被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットに関する。

従来より、被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットが知られている。このようなソケットは、被接続物に当接する接続端子を有するが、接続端子はノイズの影響を受け難いことが好ましい。そのため、接続端子に施すべき様々なノイズ対策が提案されている。

例えば、接続端子としてポゴピンタイプのコンタクトプローブ（先端がばねで伸縮する可動型のコンタクトプローブ）を用いた検査用ソケットにおいて、隣接するコンタクトプローブ間にキャパシタ素子を装着することにより、インダクタンスを相殺する技術が提案されている。この技術によれば、キャパシタ素子が装着されたコンタクトプローブのインピーダンスが下がるため、そのコンタクトプローブのノイズを低減できる（例えば、特許文献１参照）。

又、ＣＰＵソケット（ＰＧＡソケット）において、電極層と誘電体層を有する多層基板にＣＰＵ用のＬＳＩの全てのピンに対応する数のスルーホールを設け、設けたスルーホールにコンタクト（接続端子）を挿入する。そして、多層基板の下面よりコンタクトリードを出し、電極層と誘電体層を利用して形成された積層型のコンデンサにコンタクトを電気的に接続する技術が提案されている。この技術によれば、積層型のコンデンサと電気的に接続されたコンタクトのインピーダンスが下がるため、そのコンタクトのノイズを低減できる（例えば、特許文献２参照）。

特開２００８−９６３９０号公報 特許２８５６７０６号

しかしながら、ポゴピンタイプのコンタクトプローブは全長が長いため、インダクタンスが大きい。そのため、特許文献１で提案されている技術によりノイズを低減するためには、インダクタンスの大きさに応じた大きなキャパシタンスを持つキャパシタ素子を隣接するコンタクトプローブ間に装着する必要がある。

従って、高密度化に対応するためにコンタクトプローブ間の距離が短くなると、適切なキャパシタンスを持つキャパシタ素子を装着することが困難になる問題がある。

又、特許文献２で提案されている技術では、ソケットに用いられる基板内部に積層型のコンデンサとして機能する電極層及び誘電体層を形成する必要があるため、基板の内部構造が複雑すると共に、製造コストが上昇する問題がある。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、簡易な構造により、接続端子を経由する配線のインピーダンスを下げることが可能な接続端子構造及びその製造方法、並びに前記接続端子構造を有し、半導体パッケージ等の被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットを提供することを課題とする。

本接続端子構造は、表面に複数のパッドが形成された基板と、複数の接続端子と、２つの電極端子を備えた電子部品と、を有し、前記接続端子は、長尺状の金属板が折曲されてなり、前記接続端子の一端に被接続物と当接する接続部が設けられ、他端に前記パッドに接合された固定部が設けられ、前記固定部は、前記パッドに対向する面であり接合部を介して前記パッドに直接接合された第１面と、その反対面と、を有し、前記電子部品は、隣接する前記接続端子の各前記反対面上に各電極端子が接合され実装されていることを要件とする。

本接続端子構造の製造方法は、２つの電極端子を備えた電子部品を配列するための複数の第１の溝、及び接続端子を配列するための複数の第２の溝が設けられた治具を準備し、前記第１の溝に前記電子部品を配列する第１工程と、長尺状の金属板を折曲して、一端に被接続物と接続する接続部、他端に第１面とその反対面とを有する板状の固定部を備えた複数の接続端子を作製する第２工程と、各電極端子の前記複数の第１の溝から露出する面に第１接合部を形成し、前記接続部が前記第２の溝の底面側に位置し、前記固定部の前記反対面が前記第１接合部を介して前記電極端子と対向するように前記第２の溝に前記接続端子を配列する第３工程と、表面に複数のパッドが形成され、各前記パッドの表面に第２接合部が形成された基板を準備し、前記第２接合部が前記固定部を介して前記第１接合部と対向する位置に来るようにアライメントし、前記基板を前記治具上に載置する第４工程と、前記第１接合部により前記電極端子と前記固定部の前記反対面とを接合し、前記第２接合部により前記パッドと前記固定部の前記第１面とを接合する第５工程と、前記治具を取り外す第６工程と、を有し、前記第５工程では、前記固定部の前記第１面が、前記パッドに対向するように、前記第２接合部を介して直接接合されることを要件とする。

開示の技術によれば、簡易な構造により、接続端子を経由する配線のインピーダンスを下げることが可能な接続端子構造及びその製造方法、並びに前記接続端子構造を有し、半導体パッケージ等の被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットを提供できる。

第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。 図１の一部を拡大して例示する断面図である。 図１の一部を拡大して例示する平面図である。 第１の実施の形態に係る接続端子を例示する断面図である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その６）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その７）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その８）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その９）である。 第１の実施の形態に係るソケットの製造方法を例示する図（その１０）である。 第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係るソケットを用いた接続方法を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態の変形例に係るソケットを例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例に係る筐体の枠部を例示する平面図である。 第１の実施の形態の変形例に係る筐体の枠部を例示する底面図である。 第１の実施の形態の変形例に係る筐体の枠部を例示する斜視図である。 第２の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

なお、以下の実施の形態及びその変形例では、一例として、半導体パッケージ及び基板の平面形状が矩形状である場合を示すが、半導体パッケージ及び基板の平面形状は矩形状には限定されず、任意の形状として構わない。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係るソケットの構造］
図１は、第１の実施の形態に係るソケットを例示する断面図である。図２は、図１の一部を拡大して例示する断面図である。図３は、図１の一部を拡大して例示する平面図である。図１〜図３において、Ｘ方向は電子部品５０の電極５０ａ及び５０ｂを結ぶ方向、Ｙ方向はＸ方向と垂直で基板本体２１の第１主面２１ａに平行な方向、Ｚ方向は基板本体２１の第１主面２１ａに垂直な方向としている。図１及び図２は図３のＸＺ平面に平行な断面を図示しており、図３は接続端子３０と電子部品５０のみを図示している。

なお、図３に示すように、平面視において（Ｚ方向から視て）接続端子３０はＸ方向に対して傾いているため、ＸＺ平面に平行な断面図では接続端子３０の断面形状を示すことができない。そこで、便宜上、図１及び図２では、ＸＺ平面に平行な断面図には本来現れない接続端子３０の断面形状を模式的に示している。

図１〜図３を参照するに、ソケット１０は、接続端子構造１１と、位置決め部１２と、バンプ１３とを有する。６０は被接続物である半導体パッケージを、７０はマザーボード等の実装基板を、８０は筐体を示している。半導体パッケージ６０は、ソケット１０を介して、実装基板７０と電気的に接続されている。なお、第１の実施の形態では、被接続物として半導体パッケージ６０を例示して説明するが、被接続物は半導体チップを有さない配線基板等であっても構わない。

（接続端子構造１１）
まず、ソケット１０の接続端子構造１１について説明する。接続端子構造１１は、基板２０と、接続端子３０と、接合部４０と、接合部４１と、電子部品５０とを有する。

接続端子構造１１の基板２０は、基板本体２１と、基板本体２１の第１主面２１ａに形成された第１導体層２２と、第２主面２１ｂに形成された第２導体層２３と、基板本体２１の第１主面２１ａから第２主面２１ｂに貫通する貫通孔２１ｘ内に形成されたビア配線２４と、基板本体２１の第１主面２１ａに形成され第１導体層２２の一部を露出する開口部を有する第１ソルダーレジスト層２５と、基板本体２１の第２主面２１ｂに形成され第２導体層２３の一部を露出する開口部を有する第２ソルダーレジスト層２６とを有する。

第１導体層２２と第２導体層２３とは、ビア配線２４を介して電気的に接続されている。ビア配線２４は、貫通孔２１ｘを充填しても構わない。第１導体層２２の第１ソルダーレジスト層２５の開口部から露出する部分は、接続端子３０の固定部３１と接続されるパッドとして機能する。第２導体層２３の第２ソルダーレジスト層２６の開口部から露出する部分は、実装基板７０と接続されるパッドとして機能する。なお、基板本体２１の第１主面２１ａを単に主面と、基板本体２１の第２主面２１ｂを反対面と称する場合がある。

基板本体２１は、接続端子３０を固定するための基体となるものであり、例えば、ポリイミド樹脂や液晶ポリマ等を用いたフレキシブルなフィルム状基板を用いることができる。基板本体２１として、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したリジッドな基板（例えば、ＦＲ４材等）を用いても構わない。基板本体２１の厚さは、例えば５０〜４００μｍ程度とすることができるが、１００μｍ程度にすると好適である。

第１導体層２２、第２導体層２３、及びビア配線２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第１導体層２２、第２導体層２３の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。第１導体層２２、第２導体層２３、及びビア配線２４は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。

第１ソルダーレジスト層２５及び第２ソルダーレジスト層２６の材料としては、例えば、感光性の絶縁性樹脂等を用いることができる。第１ソルダーレジスト層２５及び第２ソルダーレジスト層２６の厚さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。開口部を有する第１ソルダーレジスト層２５及び第２ソルダーレジスト層２６は、例えば、フォトリソグラフィ法等により形成できる。

接続端子構造１１の接続端子３０は、ばね性を有する導電性の部材である。接続端子３０の一端である固定部３１は、接合部４０を介して第１導体層２２と電気的及び機械的に接続されている。接続端子３０の他端である接続部３２は、後述する半導体パッケージ６０の貴金属層６５に離間可能な状態（固定されていない状態）で当接し、貴金属層６５と電気的に接続されている。

領域Ａに配列された接続端子３０と、領域Ｂに配列された接続端子３０とは、概ね対向している。このような配列により、接続端子３０がＺ方向に押圧されたときに、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力を低減できる。特に、接続端子３０の数が多いときに有効である。但し、例えば接続端子３０の数が比較的少ない場合のように、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力が問題にならない場合には、領域Ａの接続端子３０と領域Ｂの接続端子３０とが同一方向を向くように配列しても構わない。

平面視において、接続端子３０は、接続端子３０の配設方向Ｃ（Ｘ方向）に対して所定の角度θ_１をなして傾くように配列されている。言い換えれば、平面視において、各接続端子３０の長手方向は、電子部品５０の２つの電極端子５０ａ及び５０ｂを結ぶ方向に対して傾いている。但し、本実施の形態では、領域Ａの接続端子３０と領域Ｂの接続端子３０とが概ね対向しているため、図３に示すように、領域Ａの接続端子３０と領域Ｂの接続端子３０とは、傾く方向が異なっている。所定の角度θ_１は、例えば、２５〜３５度程度とすることができる。

なお、図３では、領域Ａの接続端子３０と領域Ｂの接続端子３０とがＹ方向に平行な対称軸に対して線対称となるように配列されているが、これとは異なる配列としてもよい。例えば、領域Ａの接続端子３０を図３の位置から、電子部品５０の２つの電極端子５０ａ及び５０ｂを結ぶ方向を対称軸として線対称な位置に変更してもよい。

このように、各接続端子３０を、各接続端子３０の配設方向Ｃに対して傾斜させて配列することにより、配設方向Ｃに対して平行に配列した場合と比較して、単位面積当たりに多くの接続端子３０を配列することが可能となる。これにより、例えば０．４ｍｍ程度の狭ピッチでパッド（例えば、貴金属層６５等）が配列された被接続物（半導体パッケージ６０等）にも対応可能となる。又、このように、各接続端子３０を、各接続端子３０の配設方向Ｃに対して傾斜するように配列することにより、隣接する接続端子３０の各固定部３１上に電子部品５０を実装可能となる。なお、接続端子３０の詳細な構造については、後述する。

接続端子構造１１の接合部４０は、第１ソルダーレジスト層２５の開口部に形成され、接続端子３０の固定部３１と第１導体層２２とを電気的及び機械的に接続している。接合部４０の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部４０の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

接続端子構造１１の接合部４１は、接続端子３０の固定部３１と電子部品５０の電極端子５０ａ又は５０ｂとを電気的及び機械的に接続している。接合部４１の材料としては、接合部４０と同様の材料を用いることができる。

接続端子構造１１の電子部品５０は、基板２０とは直接接しない状態で、Ｘ方向に隣接する接続端子３０の各固定部３１上に実装されている。より詳しくは、電子部品５０は、隣接する接続端子３０の各固定部３１の第２面３１ｂ（後述の図４参照）上に接合部４１を介して電極端子５０ａ又は５０ｂが配置されるように実装されている。但し、電子部品５０は、図３の状態からＸＹ平面内で９０度回転させて、基板２０とは直接接しない状態で、Ｙ方向に隣接する接続端子３０の各固定部３１上に実装してもよい。

電子部品５０の形状は、例えば、直方体であり、長手方向の対向する両端部に、それぞれ電極５０ａ及び５０ｂが形成されている。電子部品５０は、例えば、キャパシタであり、電極端子５０ａ及び５０ｂの何れか一方が正電極、他方が負電極となる。電子部品５０の正電極は、例えば、接続端子３０を介して電源ラインに接続され、電子部品５０の負電極は、例えば、接続端子３０を介してＧＮＤライン（基準電位）に接続されている。電子部品５０は、例えば、縦１．０ｍｍ×横０．５ｍｍ×高さ０．５ｍｍの所謂１００５タイプのチップキャパシタ等の部品を用いることができる。電子部品５０として、所謂１００５タイプのチップキャパシタ等の部品が複数個一体化されたアレイ状の部品を用いてもよい。

なお、電子部品５０は、当接部３２が接続端子３０の湾曲部の有するばね性により可動しても当接部３２とは接触しない領域に実装されている。つまり、電子部品５０の高さは、接続端子３０の高さＨ（後述の図４参照）よりも十分に低い。

隣接する接続端子３０の各固定部３１上に電子部品５０であるキャパシタを実装することで、実装された接続端子を経由する配線のインピーダンスを下げることが可能となり、電源の安定化を実現できる。又、半導体パッケージ６０から電子部品５０であるキャパシタまでの配線長を短くできる。又、電子部品５０であるキャパシタの実装のための特別な配線が不要であるため、余分なインダクタンス成分や抵抗成分が発生することがない。これらにより、半導体パッケージ６０とマザーボード等の実装基板７０との間の高速信号の伝搬性を向上できる。

又、隣接する接続端子３０の各固定部３１上に電子部品５０であるキャパシタを実装しても、ソケット１０の全高は変わらないため、電子部品５０の実装はソケット１０の低背化を阻害する要因とはならない。又、簡易な構造により、隣接する接続端子３０の各固定部３１上に電子部品５０であるキャパシタを実装できるため、製造コストの上昇を抑制できる。

なお、電子部品５０であるキャパシタは、隣接する接続端子３０の各固定部３１上の必要な部分に実装すればよく、隣接する接続端子３０の各固定部３１上の全てに実装する必要はない。又、電子部品５０は、キャパシタに代えて抵抗やインダクタとしてもよい。又、電子部品５０の電極端子５０ａ及び５０ｂは、電源ラインやＧＮＤライン（基準電位）ではなく、接続端子３０を介して信号ライン等に接続してもよい。例えば、電極端子５０ａ及び５０ｂの一方を接続端子３０を介して信号ラインに、他方を接続端子３０を介してＧＮＤライン（基準電位）に接続し、電子部品５０としてキャパシタを実装することにより、信号ラインのノイズ除去が可能となる。又、電極端子５０ａ及び５０ｂの一方を接続端子３０を介して信号ラインに、他方を接続端子３０を介して電源ラインに接続し、電子部品５０として抵抗を実装することにより、信号ラインのプルアップが可能となる。

（位置決め部１２）
次に、ソケット１０の位置決め部１２について説明する。位置決め部１２は、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする平面形状が額縁状の部材である。位置決め部１２の底面は、基板本体２１の第１主面２１ａ上に形成された第１ソルダーレジスト層２５の外縁部に接着剤等により固着されている。位置決め部１２は、ねじ等を用いて基板２０と機械的に固着しても構わない。位置決め部１２の内側面の形成する空間の平面形状は、後述の半導体パッケージ６０の基板６１の平面形状と略同一であり、半導体パッケージ６０を挿入可能に形成されている。

位置決め部１２の内側面は、挿入された半導体パッケージ６０の基板６１の側面と接し、半導体パッケージ６０とソケット１０とを位置決めする。これにより、半導体パッケージ６０の各貴金属層６５と、ソケット１０の各接続端子３０の接続部３２とが当接する。位置決め部１２は、半導体パッケージ６０とソケット１０とを位置決めする機能に加えて、基板２０の強度を補強する機能も有する。

なお、位置決め部１２はソケット１０の必須の構成要素ではなく、例えば、位置決め部１２を設けずに、後述の筐体８０の枠部８１により半導体パッケージ６０を位置決めする構造にしても構わない。

（バンプ１３）
次に、ソケット１０のバンプ１３について説明する。バンプ１３は、第２ソルダーレジスト層２６の開口部に形成され、基板２０の第２導体層２３と実装基板７０の導体層７２（パッド）とを電気的及び機械的に接続している。バンプ１３の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。バンプ１３の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

なお、バンプ１３はソケット１０の必須の構成要素ではなく、例えば、ソケット１０にバンプ１３を設けずに、実装基板７０の導体層７２上にはんだや導電性樹脂接着剤等からなるバンプを設けても構わない。

（半導体パッケージ６０、実装基板７０、筐体８０）
次に、被接続物である半導体パッケージ６０、マザーボード等の実装基板７０、及び筐体８０について説明する。被接続物である半導体パッケージ６０は、基板６１と、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、導体層６４と、貴金属層６５とを有する。基板６１は、例えば絶縁性樹脂を含む基板本体に絶縁層、配線パターン、ビア配線等（図示せず）が形成されたものである。基板６１の一方の面にはシリコン等を含む半導体チップ６２が実装され、他方の面には配線パターンの一部である導体層６４が形成されている。

導体層６４の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。導体層６４の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度である。半導体チップ６２は、例えばフリップチップ接続により基板６１に搭載され、絶縁性樹脂からなる封止樹脂６３により封止されている。なお、半導体チップ６２の背面を露出するように封止樹脂６３を設け、半導体チップ６２の背面に例えば銅（Ｃｕ）等からなる放熱板を配置しても構わない。

貴金属層６５は、導体層６４の上面に積層形成されている。導体層６４及び貴金属層６５は、基板６１の他方の面に、例えば格子状に配置されたパッドである。すなわち、半導体パッケージ６０は所謂ＬＧＡ（Land grid array）であり、ソケット１０は所謂ＬＧＡ用のソケットである。

貴金属層６５としては、例えば、金（Ａｕ）層やパラジウム（Ｐｄ）層等の貴金属を含む層を用いることができる。貴金属層６５は、例えば、無電解めっき法等により形成できる。なお、金（Ａｕ）層の下層として、ニッケル（Ｎｉ）層やＮｉ／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）等を形成しても構わない。

貴金属層６５は、接続端子３０との接続信頼性を向上するために設けられている。貴金属層６５は、接続端子３０との接触抵抗を安定させるため、通常の金めっき層等に比べて大幅に厚く形成されている。はんだボール等との接続信頼性を向上するために通常設けられる金めっき層等の厚さは、０．０５μｍ以下程度である。これに対して、貴金属層６５の厚さは、例えば、０．４μｍ程度であり、通常設けられる金めっき層等の８倍以上の厚さとされている。

実装基板７０（マザーボード等）は、基板本体７１と、導体層７２（パッド）とを有する。導体層７２は、基板本体７１の一方の面に形成されている。基板本体７１は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したもの等である。導体層７２の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。

筐体８０は、枠部８１と、蓋部８２とを有する。枠部８１は、位置決め部１２の外側面の更に外側に設けられた平面形状が額縁状の部材である。枠部８１の材料としては、剛性のある金属や樹脂等を用いることが好ましい。枠部８１は、実装基板７０を貫通するボルト等（図示せず）により、実装基板７０の上面に固着されている。

蓋部８２は、例えば金属や樹脂等で形成される平面形状が略矩形状や略額縁状の部材である。蓋部８２は、例えば枠部８１の上面の一端側に回動可能に取り付けられており、他端側にロック機構を有する。蓋部８２の外縁部を枠部８１の上面と接するように固定する（ロックする）ことにより（図１及び図２の状態）、蓋部８２が半導体パッケージ６０を実装基板７０側に押し込み、半導体パッケージ６０は実装基板７０側に移動する。

これにより、ソケット１０の接続端子３０は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ６０の貴金属層６５は接続端子３０の接続部３２と当接する。つまり、半導体パッケージ６０はソケット１０を介して実装基板７０と電気的に接続される。但し、蓋部８２のロックを解除することにより、半導体パッケージ６０は、ソケット１０から着脱可能である。

なお、蓋部８２は、枠部８１とは別体でも構わない。この場合には、例えば、半導体パッケージ６０を蓋部８２により上側から押圧した状態で、蓋部８２が枠部８１に固定可能な構造であれば良い。

ここで、図４を参照しながら、接続端子３０の詳細な構造について説明する。図４は、第１の実施の形態に係る接続端子を例示する断面図である。図４を参照するに、接続端子３０は、ばね性を有する導電性の部材であり、固定部３１と、接続部３２と、ばね部３３と、第１支持部３４と、第２支持部３５とを有する。

固定部３１は、接続端子３０の一端に形成されている。固定部３１は、板状とされている。固定部３１の厚さ（Ｚ方向）は、例えば０．０８ｍｍ程度とすることができる。固定部３１の横幅（Ｙ方向）は、例えば０．４ｍｍ程度とすることができる。固定部３１の縦幅（Ｘ方向）は、例えば０．４ｍｍ程度とすることができる。

固定部３１の第１面３１ａは、接合部４０を介して基板２０の第１導体層２２の表面と電気的及び機械的に接続されている。固定部３１の第２面３１ｂは、接合部４１を介して電子部品５０の電極端子５０ａ及び５０ｂと電気的及び機械的に接続されている。

接続部３２は、接続端子３０の他端に形成され、固定部３１と対向するように配置されている。接続部３２は、ばね部３３、第１支持部３４、及び第２支持部３５を介して、固定部３１と電気的に接続されている。接続部３２は、当接部３８と、突出部３９とを有する。接続部３２の厚さは、例えば０．０８ｍｍ程度とすることができる。接続部３２の横幅（Ｙ方向）は、例えば、０．２ｍｍ程度とすることができる。なお、ばね部３３、第１支持部３４、及び第２支持部３５を、接続端子３０の湾曲部と称する場合がある。

当接部３８は、被接続物のパッド（例えば半導体パッケージ６０の貴金属層６５等）と当接する部分である。当接部３８はラウンド形状とされており、接続端子３０が押圧された際、主にＺ方向に移動する。このように、当接部３８をラウンド形状とすることにより、当接部３８が押圧され貴金属層６５等と当接する際、当接部３８により貴金属層６５等が破損することを防止できる。

又、当接部３８は、例えば半導体パッケージ６０が接続部３２を押圧した際、ばね部３３の変形により、接続部３２が固定部３１に近づく方向（Ｚ方向）に移動した状態で、貴金属層６５等と当接する。これにより、貴金属層６５等と接続部３２とが当接した際、接続部３２が、貴金属層６５等が形成された面と平行な方向に大きく移動することがなくなるため、貴金属層６５等を狭ピッチに配置できる。貴金属層６５等のピッチ（当接部３８のピッチ）としては、例えば、０．４〜１．５ｍｍ程度とすることができる。

突出部３９は、一方の端部が第２支持部３５と一体的に形成されており、他方の端部が当接部３８と一体的に形成されている。突出部３９は、第２支持部３５から貴金属層６５等に向かう方向（固定部３１から離間する方向）に突出している。

このように、当接部３８と第２支持部３５との間に、当接部３８及び第２支持部３５と一体的に形成され、第２支持部３５から貴金属層６５等に向かう方向（固定部３１から離間する方向）に突出する突出部３９を設けることにより、以下の効果を奏する。すなわち、半導体パッケージ６０等が当接部３８を押圧した際の、ばね部３３の変形による貴金属層６５等と第２支持部３５との接触を防止することが可能となり、接続端子３０及び貴金属層６５等の破損を防止できる。

貴金属層６５等と接続部３２とが当接していない状態における接続部３２の突出量Ｄ（第２支持部３５と突出部３９との接続部分を基準としたときの突出量）は、例えば、０．３ｍｍとすることができる。

ばね部３３は、第１支持部３４と第２支持部３５との間に配置されており、第１支持部３４及び第２支持部３５と一体的に形成されている。ばね部３３は、湾曲した形状（例えば、Ｃ字型）とされており、ばね性を有する。

ばね部３３は、半導体パッケージ６０等により接続部３２が押圧された際、接続部３２を貴金属層６５等に向かう方向に反発させることで、接続部３２と貴金属層６５等とを固定することなく接触させるためのものである。ばね部３３の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。

なお、本実施の形態の接続端子３０では、実際には、第１支持部３４、ばね部３３、第２支持部３５、及び接続部３２が一体的にばねとして機能する。第１支持部３４、ばね部３３、第２支持部３５、及び接続部３２に対応する部分の接続端子３０のばね定数は、例えば、０．６〜０．８Ｎ／ｍｍとすることができる。

第１支持部３４は、ばね部３３と固定部３１との間に配置されている。第１支持部３４の一方の端部は、ばね部３３の一方の端部と一体的に形成されており、第１支持部３４の他方の端部は、固定部３１と一体的に形成されている。第１支持部３４は、板状とされている。

第１支持部３４は、固定部３１の第１面３１ａを含む平面Ｅと、基板２０と対向する側の第１支持部３４の面３４ａとが成す角度θ_２が鋭角となるように形成されている。角度θ_２は、例えば、５〜１５度とすることができる。

このように、角度θ_２を鋭角にすることで、半導体パッケージ６０等が当接部３８を押圧した際のばね部３３の変形による基板２０と第１支持部３４との接触を防止することが可能となるため、接続端子３０及び基板２０の破損を防止できる。第１支持部３４の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。

第２支持部３５は、ばね部３３と接続部３２との間に配置されている。第２支持部３５の一方の端部は、ばね部３３の他方の端部と一体的に形成されており、第２支持部３５の他方の端部は、接続部３２の突出部３９と一体的に形成されている。第２支持部３５は、板状とされている。第２支持部３５の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。

図４に示す状態（接続端子３０の接続部３２が押圧されていない状態）における接続端子３０の高さＨは、例えば、１〜２ｍｍ程度とすることができるが、１．６ｍｍ程度とすると好適である。

［第１の実施の形態に係るソケットの製造方法］
次に、図５〜図１４を参照しながら、ソケット１０の製造方法について説明する。なお、図１０〜図１３において、接続端子３０や基板２０等は図１〜図３とは上下が反転した状態で描かれている。

まず、図５（平面図）及び図６（断面図）に示す工程では、複数の接続端子３０と電子部品５０とを配列するための治具１００を準備する。治具１００には、領域Ａに対応する接続端子３０を配列する溝３０ｘ、領域Ｂに対応する接続端子３０を配列する溝３０ｙ、電子部品５０を配列する溝５０ｘが形成されている。なお、便宜上、溝５０ｘを破線で示している。

溝３０ｘ及び３０ｙは、溝５０ｘに対して図３に対応する所定の角度だけ傾斜している。接続端子３０の高さ（図４の高さＨ）は電子部品５０の高さよりも高いため、それに対応して、溝３０ｘ及び３０ｙの深さは溝５０ｘの深さよりも深く形成されている。なお、便宜上、図６は模式的に示されており、図５の断面を正確には示していない（以降の図についても同様）。

次に、図７（平面図）及び図８（断面図）に示す工程では、各溝５０ｘに電子部品５０を配列する。

次に、図９（平面図）及び図１０（断面図）に示す工程では、電子部品５０の電極端子５０ａ及び５０ｂの溝５０ｘから露出する面に、それぞれ接合部４１を形成する。そして、接続端子３０を別途作製し、作製した接続端子３０の接続部３２が各溝３０ｘ及び３０ｙの底面側に位置し、固定部３１の第２面３１ｂ（図４参照）が接合部４１を介して電子部品５０の電極端子５０ａ及び５０ｂの溝５０ｘから露出する面と対向するように、各溝３０ｘ及び３０ｙに接続端子３０を配列する。

接合部４１の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部４１の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。接合部４１は、はんだペーストの塗布やはんだボールの搭載等により形成できる。

接続端子３０は、例えば、以下のようにして作製できる。図示していない金属板（例えば、Ｃｕ系合金）を準備し、準備した金属板を所定の形状に打ち抜き加工する。この際、例えば、長尺状に打ち抜く。その後、打ち抜き加工された金属板の表面全体にＮｉめっき膜（例えば、厚さ１〜３μｍ）を形成し、更に、固定部３１及び当接部３８に対応する部分に形成されたＮｉめっき膜に、Ａｕめっき膜（例えば、厚さ０．３〜０．５μｍ）を積層形成（Ａｕめっき膜を部分的に形成）する。その後、Ｎｉめっき膜及びＡｕめっき膜が形成された金属板を曲げ加工することで作製できる。

上記金属板の材料となるＣｕ系合金としては、例えば、リン青銅やベリリウム銅、コルソン系の銅合金等を用いることができる。なお、接続端子３０は、図示していない金属板（例えば、Ｃｕ系合金）を所定の形状にエッチング加工した後、エッチング加工された金属板を曲げ加工することで形成してもよい。

次に、図１１（断面図）に示す工程では、第１導体層２２上に接合部４０が形成され、第２導体層２３上にバンプ１３が形成された基板２０を準備する。そして、接合部４０が接続端子３０の固定部３１の第１面３１ａと対向する位置に来るように（言い換えれば、接合部４０が固定部３１を介して接合部４１と対向する位置に来るように）アライメントし、基板２０を治具１００上に載置する。これにより、接合部４０は、固定部３１の第１面３１ａに当接する。なお、例えば、ソケット１０にバンプ１３を設けずに、実装基板７０の導体層７２上にはんだや導電性樹脂接着剤等からなるバンプを設ける場合には、基板２０の第２導体層２３上にバンプ１３を形成する必要はない。

接合部４０やバンプ１３の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部４０やバンプ１３の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。接合部４０やバンプ１３は、はんだペーストの塗布やはんだボールの搭載等により形成できる。

次に、図１２（断面図）に示す工程では、接合部４０が固定部３１の第１面３１ａに当接するようにアライメントされた基板２０を含む治具１００をリフロー炉に通す。そして、基板２０を含む治具１００を例えば２３０℃に加熱し、接合部４０、接合部４１、及びバンプ１３を溶融させた後、常温に戻して硬化させる。前述のように、接続端子３０の表面にはＮｉめっき膜が形成され、固定部３１にはＮｉめっき膜上に更にＡｕめっき膜が積層形成されている。そのため、はんだは固定部３１のみに形成され易くなり、Ａｕめっき膜が積層形成されていない部分（Ｎｉめっき膜が露出する部分）に、はんだが濡れ上がる虞を低減できる。

次に、図１３（断面図）に示す工程では、図１２に示す構造体から、治具１００を取り外す。

次に、図１４（断面図）に示す工程では、図１３に示す構造体の上下を反転させ、基板本体２１の第１主面２１ａ上に形成された第１ソルダーレジスト層２５の外縁部に接着剤等により位置決め部１２を固着する。位置決め部１２は、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする平面形状が額縁状の部材である。位置決め部１２は、ねじ等を用いて基板２０と機械的に固着しても構わない。

なお、位置決め部１２を設けずに、後述の筐体８０の枠部８１により半導体パッケージ６０を位置決めする構造等の場合には、この工程は不要である。以上の図５〜図１４に示す工程により、接続端子構造１１を有するソケット１０が完成する。

［第１の実施の形態に係るソケットの使用方法］
次に、図１５〜図１７を参照しながら、ソケット１０を用いた半導体パッケージ６０と実装基板７０との接続方法について説明する。

始めに、図１５に示すように、実装基板７０及びソケット１０を準備する。そして、実装基板７０とソケット１０とを、バンプ１３を介して接合し電気的及び機械的に接続する。具体的には、実装基板７０の導体層７２とソケット１０のバンプ１３とを当接させる。そして、バンプ１３を例えば２３０℃に加熱して溶融させ、その後硬化させて、実装基板７０とソケット１０とを接合する。これにより、ソケット１０は、バンプ１３を介して実装基板７０と電気的及び機械的に接続される。

次いで、図１６に示すように、筐体８０を準備し、筐体８０の枠部８１を実装基板７０を貫通するボルト等（図示せず）により、実装基板７０の上面に固着する。そして、筐体８０の蓋部８２を矢印方向に回動させて、半導体パッケージ６０を配置可能な状態とする。

次いで、図１７に示すように、半導体パッケージ６０を準備する。そして、半導体パッケージ６０を位置決め部１２に挿入し、基板６１の側面が位置決め部１２の内側面に接するように配置する。但し、この時点では、接続端子３０は押圧されていない。半導体パッケージ６０は、位置決め部１２によりソケット１０と位置合わせされ、半導体パッケージ６０の各貴金属層６５は各接続端子３０の接続部３２と当接する。

更に、蓋部８２を矢印方向に回動させて、半導体パッケージ６０を実装基板７０側に押し込み、蓋部８２の外縁部が枠部８１の上面と接するように固定（ロック）する。これにより、接続端子３０は押圧されＺ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、半導体パッケージ６０の各貴金属層６５は各接続端子３０の接続部３２と電気的に接続される。つまり、半導体パッケージ６０はソケット１０を介して実装基板７０と電気的に接続される（図１及び図２の状態）。

このように、第１の実施の形態に係る接続端子構造及びこの接続端子構造を有するソケットでは、基板に接しないように、隣接する接続端子の各固定部上にキャパシタ等の電子部品を実装する。そのため、実装された接続端子を経由する配線のインピーダンスを下げることが可能となり、電源の安定化等を実現できる。 又、被接続物である半導体パッケージ等から電子部品までの配線長を短くできる。又、電子部品の実装のための特別な配線が不要であるため、余分なインダクタンス成分や抵抗成分が発生することがない。これらにより、被接続物である半導体パッケージとマザーボード等の実装基板との間の高速信号の伝搬性を向上できる。

又、隣接する接続端子の各固定部上に電子部品を実装しても、ソケットの全高（総厚）は変わらないため、電子部品５０の実装はソケットの低背化を阻害する要因とはならない。

又、簡易な構造により、隣接する接続端子の各固定部上に電子部品を実装できるため、製造コストの上昇を抑制できる。

〈第１の実施の形態の変形例〉
第１の実施の形態では、基板２０上に位置決め部１２を設け、位置決め部１２により半導体パッケージ６０を位置決めする例を示した。第１の実施の形態の変形例では、基板２０上に位置決め部１２を設けず、筐体の枠部に位置決め部の機能を持たせ、半導体パッケージ６０を位置決めする例を示す。

図１８は、第１の実施の形態の変形例に係るソケットを例示する断面図である。図１８を参照するに、ソケット１０Ａにおいて、基板２０上に位置決め部１２が設けられていない点、及び筐体８０Ａの枠部８３が半導体パッケージ６０を位置決めしている点が、第１の実施の形態のソケット１０（図１及び図２参照）と相違する。以下、第１の実施の形態と共通する部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と相違する部分を中心に説明する。

図１９Ａ〜図１９Ｃは、第１の実施の形態の変形例に係る筐体の枠部を例示する図である。図１９Ａが平面図、図１９Ｂが底面図、図１９Ｃが斜視図である。図１９Ａ〜図１９Ｃを参照するに、枠部８３は、中央に矩形状の開口部８３ｘを有する額縁状の部材に第１の位置決め保持部８４と、第２の位置決め保持部８５とを設けたものであり、樹脂や金属等から形成されている。枠部８３は、半導体パッケージ６０及び基板２０の位置決め及び保持をし、それぞれを位置合わせする機能を有する。又、枠部８３は、半導体パッケージ６０と基板２０との間隔が所定値以下になることを防止する機能を有する。

第１の位置決め保持部８４は、面８４ａと面８４ｂとを有する。面８４ａは、枠部８３の上面８３ａよりも内側の、上面８３ａよりも一段下がった位置に、上面８３ａと略平行に額縁状に設けられた面である。面８４ｂは、面８４ａと上面８３ａとの間に上面８３ａと略垂直に設けられた面であり、枠部８３の内側面の一部である。

面８４ａは、半導体パッケージ６０の基板６１の下面の外縁部と接している。面８４ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、面８４ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０の着脱を可能とするため、基板６１の外形形状よりも若干大きくされている。面８４ｂと基板６１の側面とは、接していても構わないし、ソケット１０Ａの接続端子３０の他端である接続部３２と半導体パッケージ６０の貴金属層６５との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。

半導体パッケージ６０は、第１の位置決め保持部８４により保持されるため、第１の位置決め保持部８４の面８４ａよりも実装基板７０側に押し込まれることはない。その結果、半導体パッケージ６０が必要以上に実装基板７０側に押し込まれ、接続端子３０が必要以上に変形して破損することを防止できる。

第２の位置決め保持部８５は、枠部８３の下面８３ｂの外縁部に複数個設けられた、下面８３ｂから突起する突起部である。第２の位置決め保持部８５は、内側面８５ａと底面８５ｂとを有する。複数の第２の位置決め保持部８５にはソケット１０Ａの基板２０が圧入され、下面８３ｂ及び複数の第２の位置決め保持部８５の内側面８５ａは、それぞれ基板２０の上面の外縁部及び側面と接している。

内側面８５ａの形成する開口部の形状は、基板２０の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、内側面８５ａの形成する開口部の形状は、基板２０の圧入を可能とするため、基板２０の外形形状と略同一とされている。各第２の位置決め保持部８５の底面８５ｂから枠部８３の下面８３ｂまでのそれぞれの高さは、実装基板７０の上面から基板２０の上面までの高さと略同一であり、各第２の位置決め保持部８５の底面８５ｂは実装基板７０の上面と接している。

なお、枠部８３は実装基板７０には固定されていないが、ソケット１０Ａが、バンプ１３により実装基板７０に固定されているため、基板２０が圧入されている枠部８３も、間接的に実装基板７０に固定されていることになる。但し、基板２０を枠部８３に圧入することにより、枠部８３を間接的に実装基板７０に固定する構造に代えて、枠部８３を実装基板７０を貫通するボルト等により、実装基板７０の上面に固着する構造としても構わない。

このように、第１の実施の形態の変形例によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、筐体の枠部に位置決め部の機能を持たせることにより、基板上に位置決め部を設けなくても被接続物である半導体パッケージ等を位置決めすることができる。

又、被接続物である半導体パッケージ等と基板との間隔が所定値以下にならないため、被接続物である半導体パッケージ等が必要以上に実装基板側に押し込まれ、接続端子が必要以上に変形して破損することを防止できる。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、接続端子構造１１Ａを有する半導体パッケージを例示する。なお、第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一構成部品についての詳しい説明は省略する。

図２０は、第２の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図２０を参照するに、半導体パッケージ６０Ａは、接続端子構造１１Ａと、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、導体層６４と、貴金属層６５とを有する。接続端子構造１１Ａは、基板６１と、接続端子３０と、接合部４０と、接合部４１と、電子部品５０とを有する。基板６１の表面に貴金属層６５の表面を露出するソルダーレジスト層を設けてもよい。

接続端子構造１１Ａにおいて、接続端子３０の一端である固定部３１は、接合部４０を介して基板６１に形成された貴金属層６５（パッド）に電気的及び機械的に接続されている。接続端子３０の他端である接続部３２は、実装基板７０の導体層７２（パッド）に離間可能な状態（固定されていない状態）で当接し、導体層７２（パッド）と電気的に接続されている。導体層７２（パッド）上に貴金属層６５と同様な貴金属層を形成してもよい。

このように、接続端子構造１１Ａは、接続端子構造１１の基板２０が、半導体パッケージ６０Ａの構成部品の１つである基板６１に置換されたものである。つまり、半導体パッケージ６０Ａの半導体チップ搭載面の反対面側に接続端子構造１１Ａが設けられている。筐体８０の枠部８１は、実装基板７０を貫通するボルト等（図示せず）により、実装基板７０の上面に固着されている。筐体８０の蓋部８２を第１の実施の形態と同様に回動させることにより、半導体パッケージ６０Ａを着脱することができる。

このように、第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、半導体パッケージに本実施の形態に係る接続端子構造を備えることにより、半導体パッケージ自体をマザーボード等の実装基板に容易に着脱することができる。

以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、第１の実施の形態及びその変形例において、基板２０の両面に接続端子３０を設け、基板２０の一方の側に設けた接続端子３０により半導体パッケージ６０と導通をとり、基板２０の他方の側に設けた接続端子３０により実装基板７０と導通をとるようにしてもよい。この構成により、基板２０は実装基板７０に固定されることなく着脱可能となるため、接続端子３０が破損したような場合であっても、容易に基板２０を良品と交換できる。又、電子部品５０を基板２０の両面に実装できるため、例えば、電子部品５０としてキャパシタを実装すれば、キャパシタを容易に大容量化できる。

又、第１の実施の形態及びその変形例において、本発明に係るソケットをマザーボード等の実装基板に適用する例を示した。しかしながら、第１の実施の形態及びその変形例に係るソケットは半導体パッケージテスト用基板等にも適用可能である。例えば、第１の実施の形態及びその変形例に係るソケットを半導体パッケージテスト用基板に適用すれば、半導体パッケージの電気特性等のテストを繰り返し実施することが可能となる。

１０、１０Ａ ソケット
１１、１１Ａ 接続端子構造
１２ 位置決め部
１３ バンプ
２０ 基板
２１ 基板本体
２１ａ 基板本体の第１主面
２１ｂ 基板本体の第２主面
２１ｘ 貫通孔
２２ 第１導体層
２３ 第２導体層
２４ ビア配線
２５ 第１ソルダーレジスト層
２６ 第２ソルダーレジスト層
３０ 接続端子
３０ｘ、３０ｙ、５０ｘ 溝
３１ 固定部
３１ａ 固定部の第１面
３１ｂ 固定部の第２面
３２ 接続部
３３ ばね部
３４ 第１支持部
３５ 第２支持部
３８ 当接部
３９ 突出部
４０、４１ 接合部
５０ 電子部品
５０ａ、５０ｂ 電極端子
６０、６０Ａ 半導体パッケージ
６１ 基板
６２ 半導体チップ
６３ 封止樹脂
６４ 導体層
６５ 貴金属層
７０ 実装基板
７１ 基板本体
７２ 導体層
８０、８０Ａ 筐体
８１、８３ 枠部
８２ 蓋部
８３ａ 上面
８３ｂ 下面
８３ｘ 開口部
８４ 第１の位置決め保持部
８５ 第２の位置決め保持部
８５ａ 内側面
８５ｂ 底面
１００ 治具
Ａ、Ｂ 領域
Ｃ 配設方向
Ｄ 突出量
Ｅ 平面
Ｈ 高さ
θ_１、θ_２ 角度

Claims (11)

1. 表面に複数のパッドが形成された基板と、
   複数の接続端子と、
   ２つの電極端子を備えた電子部品と、を有し、
   前記接続端子は、長尺状の金属板が折曲されてなり、
   前記接続端子の一端に被接続物と当接する接続部が設けられ、他端に前記パッドに接合された固定部が設けられ、
   前記固定部は、前記パッドに対向する面であり接合部を介して前記パッドに直接接合された第１面と、その反対面と、を有し、
   前記電子部品は、隣接する前記接続端子の各前記反対面上に各電極端子が接合され実装されている接続端子構造。
2. 前記接続端子は、
   湾曲した形状とされ、ばね性を有するばね部と、
   一方の端部が前記ばね部と一体的に構成され、他方の端部が前記固定部の端部と一体的に構成された板状の第１の支持部と、
   一方の端部が前記ばね部と一体的に構成され、他方の端部が前記接続部の端部と一体的に構成された板状の第２の支持部と、を有し、
   前記第１の支持部は前記基板の表面に対して鋭角になるように傾斜し、
   前記接続部は、前記第２の支持部から前記被接続物のパッドに向かう方向に突出すると共に、前記第２の支持部と一体的に構成された突出部と、前記突出部の端部に設けられ、前記被接続物のパッドと接触する接触部と、を有し、前記被接続物のパッドと接触する部分の前記接触部はラウンド形状である請求項１記載の接続端子構造。
3. 平面視において、前記接続端子の長手方向は、前記２つの電極端子を結ぶ方向に対して傾いている請求項２記載の接続端子構造。
4. 前記電子部品は、前記接続部が前記ばね部の有するばね性により可動しても前記接続部とは接触しない領域に実装されている請求項２又は３記載の接続端子構造。
5. 前記基板は、
   前記表面から反対面に貫通する貫通孔と、
   前記基板の反対面に形成された第２パッドと、
   前記貫通孔を介して前記パッドと前記第２パッドとを電気的に接続する配線と、を有する請求項１乃至４の何れか一項記載の接続端子構造。
6. 前記第２パッドにはバンプが形成されている請求項５記載の接続端子構造。
7. 前記基板は、前記表面の反対面に半導体チップを実装可能な配線基板である請求項１乃至４の何れか一項記載の接続端子構造。
8. 請求項１乃至６の何れか一項記載の接続端子構造を有し、前記接続部を介して前記被接続物を着脱可能な状態で実装基板に接続するソケット。
9. 前記基板の前記表面の外縁部には、前記接続部と前記被接続物とを位置決めする位置決め部が設けられている請求項８記載のソケット。
10. ２つの電極端子を備えた電子部品を配列するための複数の第１の溝、及び接続端子を配列するための複数の第２の溝が設けられた治具を準備し、前記第１の溝に前記電子部品を配列する第１工程と、
    長尺状の金属板を折曲して、一端に被接続物と接続する接続部、他端に第１面とその反対面とを有する板状の固定部を備えた複数の接続端子を作製する第２工程と、
    各電極端子の前記複数の第１の溝から露出する面に第１接合部を形成し、前記接続部が前記第２の溝の底面側に位置し、前記固定部の前記反対面が前記第１接合部を介して前記電極端子と対向するように前記第２の溝に前記接続端子を配列する第３工程と、
    表面に複数のパッドが形成され、各前記パッドの表面に第２接合部が形成された基板を準備し、前記第２接合部が前記固定部を介して前記第１接合部と対向する位置に来るようにアライメントし、前記基板を前記治具上に載置する第４工程と、
    前記第１接合部により前記電極端子と前記固定部の前記反対面とを接合し、前記第２接合部により前記パッドと前記固定部の前記第１面とを接合する第５工程と、
    前記治具を取り外す第６工程と、を有し、
    前記第５工程では、前記固定部の前記第１面が、前記パッドに対向するように、前記第２接合部を介して直接接合される接続端子構造の製造方法。
11. 前記第３工程では、平面視において、それぞれの長手方向が前記２つの電極端子を結ぶ方向に対して傾くように前記接続端子を配列する請求項１０記載の接続端子構造の製造方法。

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