DE2608250C3 - Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten Gehäuseanschlußteilen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten Gehäuseanschlußteilen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

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Jakob 7100 Heilbronn Troner
Roland 7100 Heilbronn Weber
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Conti Temic Microelectronic GmbH
Original Assignee
Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH
Telefunken Electronic GmbH
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten bo Gehäuseanschlußteilen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Für die Verbindung der Gehäuseanschlußteile mit den Metallanschlußkoniakten auf der Oberfläche eines Halbleiterkörpers werden vielfach dünne Kontaktierungsdrähte verwendet. Dabei wird bei einem bekannten Kontaktierungssystem der anzuschließende Draht von einer Vorratsspule abgewickelt und durch die Öffnung einer Kapillare geführt. Das aus der Kapillarenspitze herausragende Drahtende, das vielfach kugelförmig ausgebildet ist, wird dann unter mikroskopischer Beobachtung mit Hilfe sogenannter Mikromanipulatoren auf die Anschlußkontaktfläche des Halbleiterkörpers einjustiert und mit Hilfe der sogenannten Thermokompression fest mit der Kontaktfläche verbunden. Dabei wird der meist aus Gold bestehende Draht bei Temperaturen von ca. 350° C auf die zugeordnete Kontaktfläche des Halbleiterkörpers aufgedrückt. Durch die dabei auftretende plastische Verformung entsteht ein elektrisch hochwertiger und mechanisch stabiler Kontakt. Dann wird bei dem bekannten Verfahren die Kapillare von der Halbleiteroberfläche abgehoben und zu einem Anschlußteil geführt, mit dem der Kontaktierungsdraht in einem zweiten Thermokompressionsschritt gleichfalls mechanisch fest verbunden wird. Die Kapillare wird danach wiederum angehoben und der Kontaktierungsdraht unter der Kapillarenöffnung mit einer Flamme abgebrannt, wobei sich das Drahtende kugelförmig verformt. Dieses Kontaktierungsverfahren wird allgemein als »Nagelkopfkontaktierung« bezeichnet.
Bei dem beschriebenen, beispielsweise aus der DE-OS 16 14 756 bekannten und an sich vorteilhaften Kontaktierungsverfahren muß jeder auf der Halbleiteroberfläche angeordnete Metallanschlußkontakt in einem gesonderten Arbeitsprozeß mit einem zugeordneten Anschlußteil des Gehäuses verbunden werden. Da die Flächen der Anschlußkontakte extrem klein sind, erfordert jeder Kontaktierungsschritt eine neue manuelle Einjustierung und eine weitgehend manuelle Steuerung des Kontaktierungsvorganges.
Ferner ist aus der FR-PS 15 32177 ein Kontaktierungsverfahren bekannt, bei dem Drahtstücke mittels einer Justierhilfe auf die Kontakte an einem Halbleiterkörper aufgesetzt und gleichzeitig mit diesen Kontakten verbunden werden. Dabei handelt es sich aber nicht um Kontakte, die mit Gehäuseanschlußteilen verbunden werden müssen; es ist auch keine Kontaktierung durch Thermokompression vorgesehen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kontaktierungsverfahren anzugeben, mit dem in der Zeiteinheit mehrere Kontakte hergestellt und zumindest ein Teil der Arbeitsschritte automatisiert werden können. Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten Gehäuseanschlußteilen mittels durch eine Kapillare geführten Anschlußdrähten erfindungsgemäß durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können in einem Arbeitsschritt zwei oder mehr Anschlußkontakte eines Halbleiterbauelementes oder einer integrierten Halbleiterschaltung mit Anschlußdrähten kontaktiert werden. Dies ist dadurch möglich, daß eine Thermokompressionsvorrichtung verwendet wird, die mehrere durch Kapillarenöffnungen hindurchgeführte Kontaktierungsdrähte enthält. Die Abstände der öffnungen in den Kapillaren und damit auch die Abstände zwischen den Drähten selbst muß dabei exakt den Abständen zwischen den Metallanschlußkontakten auf der Halbleiteroberfläche entsprechen, die in einem Arbeitsgang angeschlossen werden sollen. Durch diese Maßnahme muß die Thermokompressionsvorrichtung zur Kontaktierung mehrerer Anschlußkontakte nur einmal auf die
Halbleiteranordnung einjustiert werden.
Da die AnschluBteile, mit denen die Metallkontakte auf dem Halbleiterkörper über die Kontaktierungsdrähte verbunden werden sollen, größere Abstände als die Metallkontakte auf der Halbleiteroberfläche voneinander aufweisen, können die Anschlußdrähte mit diesen Anschlußteilen nicht mit der Thermokompressionsvorrichtung kontaktiert werden, die für die Verbindung der Anschlußdrähte mit den Metallkontakten auf dem H albjeiterkörper verwendet werden. ι ο
Daher wird in einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens nach der Befestigung der Anschlußdrähte an den Metallkontakten auf dem Halbleiterkörper die Kapillare bis zu einem bestimmten Abstand über die Halbleiteroberfläche angehoben. Danach werden die Drähte unter den Kapillaröffnungen abgebrannt. Zwischen die über die Halbleiteroberfläche hoch stehenden Drahtstücke wird dann ein Keil geführt, der die Drähte gleichseitig auseinanderspreizt und so umbiegt, daß die freien Drahtenden mit den zugeordneten Gehäuseanschlüssen, beispielsweise mit den Zinken oder Anschlußteilen eines Kontaktierungsstreifens, in Berührung gelangen. Schließlich werden diese freien Drahtenden mit Hilfe eines Andruckmittels mit den Gehäuseanschlüssen durch Thermokompression fest verbunden.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann besonders dann rationell durchgeführt werden, wenn die Drähte an den Metallkontakten des Halbleiterkörpers bei einer ersten Anordnung in einer ersten Arbeitspositioü befestigt werden und gleichzeitig in einer zweiten Arbeitsposition bei einer zweiten Anordnung die über die Halbleiteroberfläche hochragenden Drähte gespreizt und umgebogen werden. In einer dritten Arbeitsposition wird zur gleichen Zeit bei einer dritten Halbleiteranordnung die Verbindung der freien Drahtenden mit den Anschlußteilen des Gehäuses durch eine zweite Thermokcmpressionsvorrichtung vorgenommen. Das Spreizen, Umbiegen und Befestigen der Drähte an den zugeordneten Anschlußteilen kann vollautomatisch erfolgen, so daß nur zur Befestigung der Drähte an den Metallanschlußkontakten auf der Halbleiteroberfläche eine unter Beobachtung durchgeführte manuelle Justierung erforderlich ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird vorzugsweise mit einer Vorrichtung durchgeführt, bei der zwei oder mehr Kapillaren so aneinander befestigt sind, daß der Abstahd zwischen den Kapillaröffnungen identisch ist mit dem Abstand zwischen den zugeordneten Kontaktflächen auf dem Halbleiterkörper. Dies ist besonders dann möglich, wenn es um die Kontaktierung von Leistungstransistoren geht, bei denen die Kontaktflächen einen relativ großen Abstand voneinander haben. Bei anderen Halbleiterbauelementen, insbesondere bei Hochfrequenztransistoren und bei integrierten Schaltungen, liegen jedoch die Anschlußkontaktflächen auf der Halbleiteroberfläche sehr eng beieinander. Für den Anschluß dieser eng benachbarten Kontaktflächen werden besonders ausgestaltete Kapillaren verwendet. Hierbei kann es sich beispielsweise um zwei oder mehr gegeneinander gestellte L-förmige Tragarme handeln, bei denen sich die Kapillaröffnung jeweils an der äußersten Spitze des horizontal verlaufenden Teils befindet. Diese Spitzen können auf einen sehr kleinen Abstand zusammengestellt werden, so daß sich auf diese Art und Weise sehr geringe Abstände zwischen den Kapillaröffnungen einhalten lassen. Besonders vorteilhaft sind derartige Kontaktierungsvorrichtungen dann, wenn die Tragarme seitlich nach außen ausschwenkbar sind. Hierdurch tritt zu der vertikalen Komponente beim Anheben der Kapillaren eine horizontal und damit parallel zur Halbleiteroberfläche verlaufende Bewegungskomponente, durch die eine Spreizung der Kontaktierungsdrähte nach dem Befestigen an den Anschlußkontaktflächen auf der Halbleiteroberfläche erreicht wird.
Die Erfindung soll im weiteren noch anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden, in den Ausführungsbeispielen werden jeweils nur zwei Kontaktierungsdrähte gleichzeitig mit zugeordneten Anschlußkontakten auf der Halbleiteroberfläche verbunden. Es sei aber darauf hingewiesen, daß in gleicher Weise auch Kontaktierungsvorrichtung hergestellt werden können, mit denen drei oder mehr Anschlußdrähte gleichzeitig mit einem Halbleiterkörper verbunden werden können. Aus der
F i g. 1 geht hervor, wie die Konta.ktierungsdrähte in einer ersten Arbeitsposition mit den Kontaktflächen eines Halbleiterkörpers verbunden werden. Die
Fig.2 zeigt das Spreizen und Umbiegen der Kontaktierungsdrähte an einer zweiten Arbeitsposition. Aus der
F i g. 3 ergibt sich, wie die Kontaktierungsdrähte in einer dritten Arbeitsposition mit Gehäuseanschlußteilen elektrisch und mechanisch fest verbunden werden. Die
F i g. 4 zeigt eine Kontaktierungsvorrichtung mit zwei gegeneinander beweglichen Kapillaren. Aus der
F i g. 5 ergibt sich, wie die Kontaktierungsdrähte mit Hilfe dieser Kontaktierungsvorrichtung gespreizt werden können.
Die F i g. 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht, wie die Basis- und die Emitterkontaktfläche eines Leistungstransistors gleichzeitig mit je einem Anschlußdraht kontaktiert wird. Das Transistorgehäuse besteht aus einer Metallplatte 1, auf deren Innenfläche 2 der Halbleiterkörper 3 befestigt wird. Dies geschieht beispielsweise durch Löten, so daß zugleich die Kollektorzone des Transistors mit dem Gehäuseteil 1 elektrisch leitend verbunden wird. Die Metallplatte 1 wird später zusammen mit dem Transistorelement und den dünnen Kontaktierungsdrähten so in Kunststoff eingegossen, daß eine Beschädigung der empfindlichen Bauteile nicht mehr möglich ist.
Die Kontaktierungsdrähte 13 und 14 werden durch zwei Kapillaren 11 und 12 hindurchgeführt.. Die Austrittsöffnungen dieser Kapillaren 11 und 12 haben einen Abstand, der dem Abstand zwischen dem Emitter-Metallkontakt 4 und dem Basis-Metallkontakt 5 exakt entspricht. Die aus den Kapillaröffnungen herausragenden Drahtenden 16 sind kugelförmig ausgebildet, so daß die Drähte nicht aus den Kapillaren herausrutschen können.
Diese Drähte werden nun mit ihren kugelförmig ausgestalteten Enden auf die Kontaktflächen 4 und 5 einjustiert und mit den Kapillarspitzen gegen diese Kontaktflächen bei gleichzeitiger Erwärmung gepreßt. Hierdurch entsteht eine mechanisch feste Thermokompressionsverbindung. Dann werden die Kapillaren, wie dies in der F i g. 1 dargestellt ist, angehoben und die Drähte mit Hilfe einer Abflammvorrichtung 15 abgebranr.·. Auf diese Weise erhalten die aus den Kapillaröffnungen herausragenden Enden 16 der Anschlußdrähte wiederum eine kugelförmige Gestalt, ebenso die freien Enden 17 der mit dem Halbleiterkörper verbundenen Drahtstücke 9 und 10.
Diese Drahtstücke 9 und 10 ragen nun über die
Halbleiteroberfläche in etwa parallel zueinander verlaufender Weise hoch und müssen noch mit den zugeordneten Anschlußteilen 6 und 7 eines strukturierten Kontaktierungsstreifens 8 elektrisch leitend verbunden werden. Die Anschlußteile 6 und 7, die dem Emitterbzw, dem Basiskontakt des Transistors 3 zugeordnet sind, haben die Form von Zinken, die von einem den Zinken gemeinsamen Verbindungssteg ausgehen. Ein Kontaktierungsstreifen weist eine Vielzahl von Zinken auf, so daß mit einem Streifen zahlreiche Transistoren kontaktiert werden können. Dies ermöglicht auch die gleichzeitige Durchführung von Arbeitsschritten in nebeneinanderliegenden Arbeitspositionen. Der kammförmige Kontaktierungsstreifen 8 weist daher pro Transistorelement drei Anschiußzinken auf, von denen der mittlere mit der Metallplatte t elektrisch leitend verbunden ist. Die beiden äußeren Zinken 6 und 7 werden mit den Anschlußdrähten 9 und 10 elektrisch leitend verbunden.
Dies geschieht, wie sich aus der F i g. 2 ergibt, an einer zweiten Arbeitsposition. Dort wird zwischen die hochstehenden Drahtenden ein Keil 18 in der angegebenen Bewegungsrichtung geführt. Dieser Keil spreizt mit seinem spitz zulaufenden Teil 25 die Drähte 9 und 10 auseinander. Wird der Keil in der angezeigten Bewegungsrichtung parallel zur Metallplatte 1 weiter über die Drähte 9 und 10 hinweggeführt, so biegen die Schulterteile 26 des Keiles die Anschlußdrähte 9 und 10 so um, daß die freien Drahtenden 17 mit den Anschlußzinken 6 und 7 in Berührung gelangen. Die Endstellung des Keiles ist in der Fig. 2 gestrichelt dargestellt und mit 19 beziffert.
In einer dritten Arbeitsposition wird gemäß Fig. 3 die Verbindung der freien Drahtenden 17 mit den Anschlußzinken 6 und 7 des Kontaktierungsstreifens 8 vorgenommen. Hierzu wird ein Doppelstempel 20 so in Pfeilrichtung nach unten bewegt, daß die Stirnflächen dieser Stempel die Drahtenden 17 gegen die Zinken 6 und 7 pressen. Hierbei kommen gleichzeitig Thermokompressionsverbindungen zustande, die mechanisch fest sind, in der Fig. 3 ist gleichfalls gestrichelt (21) die Stellung des Andrückstempels dargestellt, die dieser bei der Kontaktierung einnimmt.
Die in den F i g. 2 und 3 dargestellten Arbeitsprozesse können vollautomatisch ablaufen und zu der Zeit durchgeführt werden, in der gemäß F i g. 1 nach manueller Justierung die Verbindung mit den Anschiußkontaktflächen auf dem Halbleiterkörper hergestellt wird. Der Kontaktierungsstreifen 8 wird somit in drei Arbeitspositionen zur gleichen Zeit bearbeitet, ohne daß hierfür zusätzliche .Arbeitskräfte erforderlich wären.
Nach der Herstellung sämtlicher notwendigen Kontakte muß das Gehäuseteil 1, der Transistor 3 und die Anschlußdrähte 9 und 10 samt den Enden der Kontaktierungszinken in ein Kunststoffgehäuse eingegossen werden. Die Einzeltransistoren werden dann durch Zerteilen des Kontaktierungsstreifens vereinzelt, wobei auch der Verbindungssteg zwischen den einzelnen Kontaktierungszinken zur Isolation der Anschlußteile voneinander durchgetrennt werden muß.
Aus den Fig.4 und 5 ist ersichtlich, wie die Halbleiteranordnungen mit eng benachbarten Anschlußkoniaktflächen auf der Halbleiteroberfläche kontaktiert werden können. Hierzu werden zwei L-förmig ausgebildete Tragarme 22 und 23 verwendet. Die horizontal verlaufenden Teile 24 dieser Tragarme sind gegeneinander gerichtet und enthalten die Kapillaröffnungen 28, 29. Die Kontaktierungsdriihtc 13 und 14 befinden sich am äußersten nach unten spitz zulaufenden Ende 27 der horizontal verlaufenden Teile 24 des Tragarmes. Die öffnung ist im oberen Teil 28 zur Erleichterung der Einführung des Kontaktierungsdrahtes konisch ausgebildet. Der untere Teil 29 der Bohrung weist zur sicheren Führung des Kontaktierungsdrahtes nur einen Querschnitt auf, der im wesentlichen dem Drahtdurchmesser entspricht.
Wie sich aus der F i g. 4 ergibt, sind die Tragarme 22 und 23 bei der Kontaktierung so gegeneinander gestellt, daß sich die Spitzen 27 der horizontal verlaufenden Teile 24 berühren oder fast berühren. Auf diese Weise ist es möglich, sehr geringe Abstände zwischen den
!5 Kapillaröffnungen einzuhalten, die den kleinen Abständen zwischen den Metallkontaktflächen auf der Halbleiteroberfläche entsprechen.
Gemäß der F i g. 5 können die Tragarme 22 und 23 nach außen seitlich in Pfeilrichtung geschwenkt und
2n gleichzeitig angehoben werden. Hierdurch werden die Kontaktierungsdrähte 9 und 10 in der dargestellten Weise gespreizt. In diesem gespreizten Zustand werden die Drähte unter den Kapillaröffnungen abgebrannt, so daß die Drahtenden wiederum kugelförmige Gestalt 16 bzw. 17 annehmen. Bei Verwendung dieser Kontaktierungsvorrichtung ist somit eine Spreizung der Kontaktierungsdrähte mit Hilfe eines Keils nicht mehr notwendig, da diese in definierter Weise bereits durch die Bewegung der Kapillararme nach erfolgter Kontaktierung erfolgen kann. Die Kontaktierungsdrähte müssen daher nur noch mit Hilfe eines nicht dargestellten Steges, der parallel zur Oberfläche des Trägerkörpers 1 geführt wird, umgelegt werden, um in der bereits beschriebenen Weise mit den zugeordneten
J5 Anschlußteilen verbunden werden zu können.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindliche'n Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten Gehäuseanschlußteilen mittels durch eine Kapillare geführten Anschlußdrähten, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden mindestens zweier durch Kapillaröffnungen (11, 12) geführter Anschlußdrähte (9, 10) gleichzeitig mit zwei auf einer Oberflächenseite des Halbleiterkörpers (3) befindlichen Metallkontakten (4, 5) durch Thermokompression ■» erbunden werden, daß die Drähte danach in einem bestimmten Abstand von den Metallkontakten abgetrennt und so zu den weiteren Anschlußteilen (6,7) hin umgebogen werden, daß die freien Drahtender» mit diesen fest verbunden werden können.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Befestigung der Anschlußdrähte (9, 10) an den Metallkontakten (4, 5) die Kapillare(n) (11, 12) bis zu einem bestimmten Abstand über die Halbleiteroberfläche weggeführt wird, daß dann die Drähte unter den Kapillaröffnungen abgebrannt werden und daß zwischen die hochstehenden Drahtstücke ein Keil (18) geführt wird, der die Drähte gleichzeitig auseinanderspreizt und so umbiegt, daß die freien Drahtenden mit den zugeordneten Zinken (6, 7) eines strukturierten Kontaktierungsstreifens (8) in Berührung gelangen, und daß schließlich diese freien Drahtenden mit Hilfe eines Andruckmittels (20) mit den Zinken durch Thermokompression fest verbunden werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Befestigung der Drähte an den Metall-Kontakten des Halbleiterkörpers bei einer ersten Anordnung gleichzeitig mit dem Spreizen und Umbiegen der Drähte bei einer zweiten Anordnung und gleichzeitig mit dem Befestigen der Drähte an Anschlußteile (6, 7) bei einer dritten Anordnung in drei nebeneinanderliegenden Arbeitspositionen erfolgt.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Verwendung von getrennten Kapillaren (11, 12) diese vertikal und parallel zur Halbleiteroberfläche gegeneinander beweglich sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Verwendung von zwei getrennten Kapillaren (28, 29) diese an den äußersten Enden (27) der horizontal verlaufenden Teile (24) von zwei gegeneinander gestellten L-förmigen Tragarmen (22,23) angeordnet sind und daß diese Tragarme nach außen ausschwenkbar sind.
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DE2618867A DE2618867C2 (de) 1976-02-28 1976-04-29 Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metallanschlußkontakten
DE2618796A DE2618796C2 (de) 1976-02-28 1976-04-29 Anordnung zur Führung von Anschlußdrähten
US05/771,513 US4142288A (en) 1976-02-28 1977-02-24 Method for contacting contact areas located on semiconductor bodies
JP52021397A JPS6016101B2 (ja) 1976-02-28 1977-02-28 半導体上の接続接点にワイヤをボンディングする方法

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DE2608250A DE2608250C3 (de) 1976-02-28 1976-02-28 Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten Gehäuseanschlußteilen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

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Publication Number Publication Date
DE2608250A1 DE2608250A1 (de) 1977-09-08
DE2608250B2 DE2608250B2 (de) 1981-06-25
DE2608250C3 true DE2608250C3 (de) 1985-06-05

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US (1) US4142288A (de)
JP (1) JPS6016101B2 (de)
DE (1) DE2608250C3 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4433503A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Rohm Co Ltd Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4439918A (en) * 1979-03-12 1984-04-03 Western Electric Co., Inc. Methods of packaging an electronic device
US4346396A (en) * 1979-03-12 1982-08-24 Western Electric Co., Inc. Electronic device assembly and methods of making same
US4282454A (en) * 1979-04-27 1981-08-04 Motorola, Inc. Piezoelectric crystal mounting and connection arrangement
US4339768A (en) * 1980-01-18 1982-07-13 Amp Incorporated Transistors and manufacture thereof
JPS56161341U (de) * 1980-04-28 1981-12-01
US4558345A (en) * 1983-10-27 1985-12-10 Rca Corporation Multiple connection bond pad for an integrated circuit device and method of making same
US4732313A (en) * 1984-07-27 1988-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US4674671A (en) * 1985-11-04 1987-06-23 Olin Corporation Thermosonic palladium lead wire bonding
JPS62157003A (ja) * 1985-12-28 1987-07-13 Kiyoshi Nagai 複合フイルタ
US5189507A (en) * 1986-12-17 1993-02-23 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
JPH01501587A (ja) * 1986-12-17 1989-06-01 レイケム・コーポレイション 電子要素の相互接続
US4955523A (en) * 1986-12-17 1990-09-11 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
US5184400A (en) * 1987-05-21 1993-02-09 Cray Computer Corporation Method for manufacturing a twisted wire jumper electrical interconnector
US5112232A (en) * 1987-05-21 1992-05-12 Cray Computer Corporation Twisted wire jumper electrical interconnector
JP2727352B2 (ja) * 1989-04-17 1998-03-11 株式会社 新川 リード付き半導体素子の製造方法
US5007576A (en) * 1989-12-26 1991-04-16 Hughes Aircraft Company Testable ribbon bonding method and wedge bonding tool for microcircuit device fabrication
US5644281A (en) * 1992-04-07 1997-07-01 Rohm Co., Ltd. Electronic component incorporating solder fuse wire
US5371654A (en) * 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
US20050062492A1 (en) * 2001-08-03 2005-03-24 Beaman Brian Samuel High density integrated circuit apparatus, test probe and methods of use thereof
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5820014A (en) * 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US5455390A (en) * 1994-02-01 1995-10-03 Tessera, Inc. Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding
US6429112B1 (en) 1994-07-07 2002-08-06 Tessera, Inc. Multi-layer substrates and fabrication processes
US6828668B2 (en) * 1994-07-07 2004-12-07 Tessera, Inc. Flexible lead structures and methods of making same
US6848173B2 (en) * 1994-07-07 2005-02-01 Tessera, Inc. Microelectric packages having deformed bonded leads and methods therefor
US5688716A (en) * 1994-07-07 1997-11-18 Tessera, Inc. Fan-out semiconductor chip assembly
US5798286A (en) 1995-09-22 1998-08-25 Tessera, Inc. Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation
US5518964A (en) 1994-07-07 1996-05-21 Tessera, Inc. Microelectronic mounting with multiple lead deformation and bonding
US6117694A (en) * 1994-07-07 2000-09-12 Tessera, Inc. Flexible lead structures and methods of making same
US5830782A (en) * 1994-07-07 1998-11-03 Tessera, Inc. Microelectronic element bonding with deformation of leads in rows
US5842628A (en) 1995-04-10 1998-12-01 Fujitsu Limited Wire bonding method, semiconductor device, capillary for wire bonding and ball bump forming method
US5994152A (en) * 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US6880245B2 (en) * 1996-03-12 2005-04-19 International Business Machines Corporation Method for fabricating a structure for making contact with an IC device
US5839640A (en) * 1996-10-23 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Multiple-tool wire bonder
US6133072A (en) * 1996-12-13 2000-10-17 Tessera, Inc. Microelectronic connector with planar elastomer sockets
US6169331B1 (en) 1998-08-28 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for electrically coupling bond pads of a microelectronic device
US7815122B2 (en) * 2004-03-25 2010-10-19 Eric Bauer Method for making an electronic label and electronic label obtained by said method
US7872208B2 (en) * 2005-03-31 2011-01-18 Medtronic, Inc. Laser bonding tool with improved bonding accuracy
US8008183B2 (en) * 2007-10-04 2011-08-30 Texas Instruments Incorporated Dual capillary IC wirebonding
JP7227461B2 (ja) 2018-12-14 2023-02-22 シンフォニアテクノロジー株式会社 部品供給装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112700C (de) *
US3103137A (en) * 1960-03-17 1963-09-10 Western Electric Co Means for securing conductive leads to semiconductive devices
FR1532177A (fr) * 1966-07-26 1968-07-05 Westinghouse Electric Corp Fixation des conducteurs aux dispositifs semi-conducteurs
DE1614756A1 (de) * 1967-01-18 1970-12-10 Telefunken Patent Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen
US3581387A (en) * 1967-11-29 1971-06-01 Gen Motors Corp Method of making strip mounted semiconductor device
CH558983A (de) * 1972-10-26 1975-02-14 Esec Sales Sa Verfahren zum fortlaufenden herstellen mindestens einer drahtverbindung in halbleiter-bauteilen und vorrichtung zur ausfuehrung des verfahrens.
US3941298A (en) * 1972-10-26 1976-03-02 Esec Sales S.A. Process of making wire connections in semi-conductor elements
US4068371A (en) * 1976-07-12 1978-01-17 Miller Charles F Method for completing wire bonds

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4433503A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Rohm Co Ltd Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4433503C2 (de) * 1993-09-21 2001-04-26 Rohm Co Ltd Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements

Also Published As

Publication number Publication date
DE2608250B2 (de) 1981-06-25
JPS6016101B2 (ja) 1985-04-23
US4142288A (en) 1979-03-06
JPS52106273A (en) 1977-09-06
DE2608250A1 (de) 1977-09-08

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