DE1614756A1 - Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen

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DE1614756A1
DE1614756A1 DE19671614756 DE1614756A DE1614756A1 DE 1614756 A1 DE1614756 A1 DE 1614756A1 DE 19671614756 DE19671614756 DE 19671614756 DE 1614756 A DE1614756 A DE 1614756A DE 1614756 A1 DE1614756 A1 DE 1614756A1
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Germany
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wire
contact
semiconductor
electrode
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Wieland Flammer
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Description

  • "Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen" Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren von .Halbleiterbauelementen durch Thermokompression, mit dessen Hilfe eine Rationalisierung und Vereinfachung der Herstellungsweise von Dioden, Transistoren und integrierten Schaltungen erzielt werden soll. In der Halbleitertechnik werden heute vielfach Kontaktierungsstreifen zum serienmäßigen Aufbau von Planar-Halbleiterbauelementen verwendet. Dabei wird ein leiternförmiger oder kammförmiger Kontaktierungsstreifen verwendet, der für jedes zu kontaktierende Halbleiterbauelement soviele Sprossen oder Zinken aufweist, wie das Halbleiterbauelement zu kontaktierende Elektroden besitzt. So wird beispielsweise bei der Verwendung eines kammförmigen Kontaktierungsstreifens ein Planartransiator auf einen der vorhandenen Zinken aufgelötet, wodurch gleichzeitig die Koilektorzone des Bauelementes kontaktiert wird. Anschließend werden die Emitter- und die Basiselektrode mittels dünner Zuleitungsdrähte mit benachbarharten Zinken elektrisch leitend verbundene Nach der Einbettung des Halbleiterbauelementes, seiner Zuleitungsdrähte und der Kontaktierungsstell-en auf den Zinken in eine isolierende und aushärtbare Masse, wird dann der die Zinken verbindende Teil des Kontaktierungsstreifens abgetrennt, so daß die einzelnen Zinken und damit die mit den Zinken verbundenen Elektroden des Halbleiterbauelementes elektrisch voneinander isoliert sind. Die aus der.Isolierstoffmasse herausragenden Zinkenteile können als Elektrodenzuleitungen verwendet werden, besonders wenn es sich um die Fertigung von sogenannten Subminiaturtransistoren handelt, oder sie werden mit gesonderten Elektrodenzuleitungen eines Gehäusesockels elektrisch leitend. verbunden. Bei dem beschriebenen Herstellungsverfahren von Halbleiteranordnungen erfolgt die Kontaktierung vielfach durch Thermokompression. Dabei wird der Kontaktierungsdraht durch die dünne Kapillaröffnung einer Düse geführt. Mit Hilfe des Düsenrandes wird der Draht unter Anwendung von Druck und Wärme an der jeweiligen Kontaktierungsstelle befestigt. Der Kontaktierungsdraht wird in der Regel zunächst an der Elektrode des Halbleiterbauelementes befestigt, danach an der Kontaktierungsstelle auf dem der Elektrode zugeordneten Zinken des Kontaktierungsstreifens und schließlich wird der Draht mit Hilfe einer Schere abgeschnitten oder abgebrannt. Hierbei er-. geben sich zwangsweise von der letzten Kontaktierungsstelle abstehende Drahtenden, die so lang sind, daß durch sie Kurzschlösse zwischen den einzelnen Zinken und dgtmit den Elektroden des Halbleiterbauelementes verursacht werden können.
  • _Um-diese Kurzzchlüsse zu verhindern, wurden bisher die störenden Drahtenden mit einer Pinzette abgezupft bzw. abgerissen. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird nunmehr vorgeschlagen, daß der durch eine Kapillare geführte Kontaktierungsdraht nach dein Verbinden einer Elektrode eines Halbleiterbauelementes mit. der Kontaktierungsstelle eines Trägerkörpers abgequetscht wirr d. Wenn der Trägerkörper, wie es bei einem Kontaktierungsstreifen der Fall ist, auf einer Unterlage der Kontaktierungsvorrichtung geführt wird, läßt sich der Kontakterungsdraht besonders vorteilhaft an der Innenfläche eines in die Unterlage eingelassenen durchbohrten Rubinsteins abquetscher. Rubinsteine weisen gegenüber anderen Materialien für die Abquetschstelle den Vorteil auf, daß sich kein *beim Abquetschen hinderlicher Belag aus dem Material des Kontäktierungsdrahtes an der Abquetschfläche des Steines festsetzt. Nach der Erfindung werden die Rubinsteine jeweils in der unmittelbaren Nachbarschaft der Kontaktierungsstelle in die Unterlage eingelassen, so daß die von der letzten Kontaktieruigsstell e abstehe"den Draht. c:iiden sehr kurz sind und die Gefahr eines Kurzschlusses durch diese Drahtenden ausgeschlossen ist. Somit entfällt der früher erforderliche Arbeitsgang des Abreißens überstehender Drahtenden. Hinzu kommt, daß ein beträchtlicher Anteil des Kontaktierungsdrahtes eingespart wird, was vor allem bei der Verwendung von Kontaktierungsdrähten aus Gold zu Einsparungen und Kostensenkungen führt. Die Erfindung soll im weiteren noch anhand eines AusfÜhrungsbeispieles näher.. erläutert werden..
  • 1. Z Figur 1 zeigt. als Trägerkörper reinen Kontaktierungsstreifen für Transistoren.
  • Figur 2 zeigt in der Draufsicht einen Ausschnitt des Kontaktierungsstreifens mit den Kontaktierungsstellen und den Abquetschstellen in der Unterlage der Kontakterungsvorrichtung.
  • Figur 3 zeigt, teils im :Schnitt, teils in der Ansicht, den Abquetschvorgang an der Innenfläche eines durchbohrten Rubinsteines. Figur i zeigt einen kammförmigen Kontaktierungsstnifen zum serienmäßigen Aufbau von Plenartransistoren. Zur Kontaktierun$ vier Elektroden .eines Transistors sind die Zinken 2, 3 und 4 vorgesehen, die durch die Streifenteile 5 und 6 miteinander verbunden sind. Der Verbindungssteg 6 dient dabei vor allem zur Stabilisierung der sehr schmalen und dünnen Kontaktierungszinken. Der Transistorkörper 7 wird bei einem der- artigen Kontaktierungsstreifen auf den Zinken 2 aufgelötet, wobei gleichzeitig die Kollektorzone des Transistors mit dem Zinken 2 elektrisch leitend verbunden wird. Anschließend wird die Emitter- und die Basiselektrode mit Hilfe von Kontaktierungsdrähte 8 und 9 mit benachbarten Zinken 3 und 4 durch Thermokompression elektrisch leitend verbunden. Die Kontaktierungsstellen auf den Zinken 3 und 4 sind mit den" Ziffern #1o und 11 bezeichnet. Es handelt sich dabei, wie aus den Figuren 1 und 2 hervor- geht, um jeweils zwei eng benachbarte Kontaktierungsstellen auf jedem Zinken. Die zweite Kontaktierungsstelle dient zur Erhöhung der Haftsicherheit des Kontaktierungsdrahtes an dem zugehörigen Kontaktierungszinken. Nach jeder Kontaktferung eines Transistors wird der Kontaktierungsstreifen auf der Unterlage der Kontaktierungsvorrichteng verschoben, bis sich -die für die Kontaktierung den nächsten Transistorelementes vorgesehenen Zinken in der in Figur 2 dargestellen Position auf der Unterlage 12 der Kontakt.ierungsvorrichtung befinden. Diekontaktierungsatelle 11 auf dem Zinken 3 befindet sich dann unmittelbar neben dem in die Unterlage eingelassenen Rubinstein 13, während sich die Kontaktierungsstelle 1o auf dem Zinken 4 unmittelbar neben dem gleichfalls in die Unterlage eingelassenen Rubinstein 14 befindet. Der Kontaktierungs- und AbcÄuetschvorgang ist in Figur 3 dar- gestellt. Der Kontaktierungsdraht wird durch die Kapillar- qffnung 15 einer Düse 16 geführt. Zunächst wird der Draht mit dem Düsenrand durch Thermokimpression mit einer Elektro- de des Halbleiterkörpers 7, danach an den Kontaktstellen 11 mit dem Zinken 3 elektrisch leitend verbunden. Anschließend wird die Düsenspitze mit dem Kontaktlerungsdraht derart in die Öffnung des Rubinsteins 13 eingeführt, daß der Draht zwischen dem Rand der Kapillare 15 und der konischen Innen- fläche 17 des Rubinsteines abgequetscht wird. Das zurückbleibende Drahtende 18 ist so kurz, daß es keinen Kurz- schluß zwischen den einzelnen Zinken des Kontaktierungsstreifens verursachen kann. Aus diesem Grund ist ein Abrei- ßen des Drahtendes 18 nach der Kontaktierung nicht mehr er= forderlich.
  • Es ist selbatverständlioh, daß das angegebene Kontaktierungsverfahren nicht nur bei dem beschriebenen Kontaktierungsstreifen, sondern bei allen Arten von Kontaktierungsblschen, die auf einer Unterlage geführt werden, angewendet werden kann. Das beschriebene Verfahren ist besonders für ebene Kontaktierungsstreifen geeignet, da hierbei die $ubinsteine in unmittelbarer Nähe der Kontaktierungsstellen angeordnet werden können. Das beschriebene Verfahren kann bei der Kontakterung aller Arten von Halbleiterbauelementen verwendet werden. Neben Rubinsteinen eignen sich zum Abquetschen der Kontaktierun.gsdrähte auch andere Natur- oder syntheti- sche Steine großer-Härte.

Claims (2)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e 1) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen durch Thermokompression, dadurch-gekennzeichnet, daß der durch eine Kapillare geführte Kontaktierungsdraht nach dem Verbinden einer Elektrode eines Halbleiterbauelementes mit der Kontaktierungsstelle eines Trägerkörpers abgequetscht wird.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktierungsdraht zunächst mit einer Elektrode des Halbleiterbauelementes verbunden, dann durch Thermokompression an einer Kontaktierungsstell e des Trägerkörpern fi- xiert und schließlich an der Innenfläche eines in die Un- terlage des Trägerkörpers eingelassenen, durchbotuten Na- tur- oder synthetischen Steines abgequetscht wird. 3:) Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, derß zum Abquetschen des Kontaktierungs-drahtes ein durchbohrter Rubinstein verwendet wird. 4) Verfahren nach Anspruch 1 bin 3, gekennzeichnet durch sei- ' ne Verwendung zur serienweisen Kontaktieruna von Halbleiter- bauelementen mit den Zinken einer Kontaktieruntsstrreitens, wobei jeweils ein Halbleiterk6rper auf einem Zinken den Kon- taktierungsstreifens befestigt wird und seine Elektroden zumindest teilweise über Verbindungsdrähte mit benachbarten Zinken elektrisch leitend verbunden werden. 5) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da- durch gekennzeichnet, daß der Kontaktierungsstreifen derart über die Unterlage geführt wird, daß jeweils eine Kontaktierungsstelle auf einem Zinken des Kontaktierungsstreifens vor der Fixierung des Kontaktierungsdrahtes neben einem in die Unterlage eingelassenen Rubinstein liegt, so daß der Kontaktierungsdraht unmittelbar hinter der Kontaktierungsstelle an der Innenkante des Rubinsteines abgequetscht wird. 6) Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, d$ß in die Unterlage für den Kontaktierungsstreifen für jede mit einem Draht zu kontaktierende Elektrode des Halbleiter-' bauelementes ein Rubinstein derart eingelassen ist, daß während der Kontaktierung neben jeder Kontaktierungsstelle der Kontaktierungsstreifens ein Rubinstein zum Abquetschen des Kontaktierungadrahtee angeordnet ist. Verwendung den Verfahrens und der Vorrichtung nach einem der -vorangehenden Ansprüche zum Abquetschen von Kontaktierungsdrähten aus Gold.
DE19671614756 1967-01-18 1967-01-18 Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen Pending DE1614756A1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2608250A1 (de) * 1976-02-28 1977-09-08 Licentia Gmbh Verfahren zum kontaktieren von auf halbleiterkoerpern befindlichen anschlusskontakten

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2608250A1 (de) * 1976-02-28 1977-09-08 Licentia Gmbh Verfahren zum kontaktieren von auf halbleiterkoerpern befindlichen anschlusskontakten

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