DE1439349A1

DE1439349A1 - Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen

Info

Publication number: DE1439349A1
Application number: DE19641439349
Authority: DE
Inventors: Beyerlein Dipl-Ch Fritz-Werner
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1964-03-26
Filing date: 1964-03-26
Publication date: 1969-03-27
Also published as: DE1439349B2

Description

Vorfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen

Zusatz zu; Patent (Akt.Zeh.

PA 9/493/678a u. PA 9/493/683)

Daa Hauptpatent bezieht sich auf ein Verfahren zur Sorienfertigung von Halbleiterbauelementen, inabeoondere von MikrohalbleitcrTbauelomGnten, bei dem ein ala Transportband während einzelner Arbeitogünge geeigneter Trägerkörper für die Halbleitereyateme verwendet wird» der aua Eoiitaktmaterial bestoht und als erste elektriaohe Zuführung dient, bei dem außerdem weitere

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zur Anzahl. ■'. dor äußeren Elektroden der zu fertigenden Bauelemente noch fehlende, insbesondere drahtförmig© Anschlüsse in bestimmter geometrischer Zuordnung zum Trägerkörper vorgesehen- sind, die in periodischen Abständen mit dem Trägerkörper verbunden worden, bei den dann die vorbereiteten Halbleiteroysteme auf den Trägerkörpex; in Abständen, deren Größe durch die Abmessungen der herzustellenden Bauelemente bestimmt wird, auflegiert und die Kontaktierungsdrähto der Halbleiteroysteme mit den Anschlüssen verbunden v/erden, wonach die Halbleitersysteme und die Verbindungsstellen zwischen Kontaktierungsdrähten und Anschlußdrähten mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt werden, und bei dem schließlich in einem abschließenden Arbeitsgang Trägerkörper und Anschlüsse in entsprechender Weise zerteilt werden.

Eine weitere Vereinfachung dieses zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen geeigneten Verfahrens, das insbesondere für die Herstellung von Halbleiterschaltkreisen sowie für die Herstellung von Schaltkreisen, die eine Kombination von Halbleiter- und konventionellen Bauelementen aufweisen, geeignet ist, läßt sich durch das Verfahren gemäß der Erfindung erreichen, bei dem der Trägerkörper und die Anschlüsse aus einem einheitlichen Band aus Kontaktierungematerial hergestellt werden und das Band entsprechend einem dem herzustellenden Bau- · element angepaßten Raster mit Einschnitten, beispielsweise

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PA 9/493/678V679 . - 3 durch Ausstanzen, versehen wird.

Bei einer Ausführungsform des auf dem ErfindungDgedanken "beruhenden Verfahrens v/erden dio Ränder des Bandeo so aufgebogen, daß die gespreizten Kontaktierungsdrähte der Halblcitersysteme mit einer bestimmten Vorspannung an diesen anliegen. Ss ist dabei zweckmäßig, die Abmessungen der den Band eingestanzten Muster so zu wählen, daß sie den Abmessiingen der her austollenden Bauelemente entsprechen.

Es ist weiterhin möglich, dein Band Muster einzustanzen, die dem Rastor für die verschiedenen Bauelemente entsprechen, so daß auf diese Weise eine Kombination verschiedener Halbleiterbauelemente möglich wird. Bs ist nur au beachten, daß die verschiedenen Muster in eiatsprechender Weise aufeinander abgestimmt sind.

In gleicher Weise ist es möglich, mit Hilfe eines entsprechend ausgebildeten Bandes eine Kombination von Halbleiterbauelement < ten und konventionellen Bauelementen herzustellen, beispielsweise durch Zwischenlöten·konventioneller Bauelemente.

Das Verfahren gemäß der Erfindung ist sowohl für die Herstellung von Mikrobauelementen wie Mikroplanartransistoren oder Mikroplanardioden als auch zur Herstellung bzw. Kontaktierung

von Pestkörperschaltkreisen geeignet.

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Nähere Einzelheiten gehen aus den an Hand der Figuren 1 - \£-'^XA beschriebenen Ausführungsbeispielen hervor. :.'*■■ "''*"

Zur Heroteilung eines Mikroplanartransistors wird beispiels-/ weise, wie in Fig. C1-^:-ih Draufsicht dargestellt,..auf ein'vergoldetes, aus einer Eins-Kobait-Hiekel-Legieming, bestehendes ""-Band 1 das Halbleitersystem 2 auf legiert-.- In: Fig. 2 ist die .""'":. .gleiche Anordnung von der Seite gesefcen^&arges-tGllt· Hierbei >ί sind die Ränder 5, die den Anschlußdrähten der .Hauptenmeldungj.:·,· entsprechen, nach oben gebögen. ^!Bie Kontak-tierungsdrähte 4 · -X und 5 des Halbleitersystems liegen dabei, väe in Fig.. 5 'gß~ .;;·,, zeigt, an diesen an. Sie v;erden durch PunktsehAveißien "mit rdezt · ":_{; ;} als Anschlußdrahte dienenden Randstreifen verbunden». Es sind jedoch auch andere Kontaktierungsverfaliren möglich. 3>aran anschließend wird das Halbloitersystein, wie aus 3?ig. 4 hervorgeht, mit den Verbindungsstellen'zv/isehen Kontaktierungsdrähteii und Anschlußleisten mit einemauchärfebaren Kuststoff vergossen, so daß ein Gehäuse entsprechend -demaenigen in Fig. 4 mit 6 ■ , bezeichneten entsteht. Anschließend wird das Trägerband derart zerlegt, daß. die einzelnen Bauelemente erhalten werden. ■'-■:.-^ und diese gegebenenfalls noelr mit; .einem ..kennzeiehnenden Lack - j beziehungsweise einem gefärbten' Kunststoff durch tauchen'" - .; trüber zogen werden können. ·

In den figuren 5 *· δ ist eiii als Ausführungsbeispiol zu v/ertendes analoges Herstellungoverfaliren für Halbleiterschalt-'.5

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kreide dargesteilt. So zeigt fig. 5 ein ebenfalls aus einer Sioen-Kobalt-Miekel-Legierung bestehendes, mit einer dünnen öoldschicht überzogenes Band 11, dera ein für die Kontaktierung eines Halbleitoröchaltkreises geeignetes Muster aufgeprägt ißt, Auf diesem Band wird, wie in Fig. 6 dargestellt, ein Siliciumfeetkörperschaltkreis/mit Kontaktflecken auflegiert. MeBe Kontaktflocken des Schaltkreises werden, wie in Fig. 7 gezeigt, mit den durch Ausstanzen,des Bandes entsprechend einem vorgegebenen. Muster hergestellten Ansehlußstroifen an den Stollon 15 verbunden* 3)aran anschließend wird die gange Anordnung, dao heißt dor Siliciuiaachaltkreis, mit den Ansehlußstrcifen, mit oinea ciuehürtbaren Kuiiötotoff vergossen» Man erhält so wie in Figur Q dargestellt ein gegen üußere Einwirkungen stabiles Bauolemqnt H mit de» Gehäuse 15* das durch Zerschneiden des aus KontaktiQrung6mat0rial bestehenden Bandes fertiggestellt v/ird. Abschließend kann, wio am,Beispiel des Mikroplanartransictors booehriobea, noch ein, kennteiehnender Lack bzw. ein tiberisug aus einem gofärbtcn Kunststoff aufgebracht werden.

dio Horotollung von Pioden bzw, Transistoren eignen sich BUnder, dio entoprcc|iond dgn in. den Figuren 9 und 10 dargestcllton,KuGtorn auiJ^ootanst sind. . .

Das in Figur 9 dargootcllto Band 21 ist aur Herstellung von Dioden.-,eqoicguij^undj. JLöt;,.wo ausgobildot, daß sur Konta.kW.orij

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dos Bauelementes zwei Ansehlüßstreifen 22 und 23 ziu' Verfügung stehen. Das für die Herstellung von transistoren geeignete Band 25 in Figur -10 weist drei Anschlusstreifen {26, 27j 28) für die Kontaktierung deis Bauelementes auf. ^;:

Bio fertigen Bauelemente - die Uiode 31 bzw- der transistor 32 sind nit einem Kunststoffgehäuse 33 feztr. 34· urage.ben und aeigen die in. den figuren 11 und 12 dargestellte AiisMlduhgi

Die Λην/enäung des Verfahrens auf ύ±α Herstellung von Schaltkreisen aus konventionellen Bauelementen fczv/. auf solche Schaltlcreise, die eine Kombination von konventionellen Bauelementen und Halbleiterbauelementen aufweisen, erfordert lediglich die Anpassung des in das Band eingeprägten Musters an /die Abinessungen "der Bauteile. -^: '

8 Patentansprüche
12 Figuren

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Claims

PA $/4$j5:7#i78b/679 - 7 - Patentansprüche;

1. Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen, . insbesondere von Mikrohalbleiterbaulementen» bei den ein als Transportband während einzelner Arbeitsvorgänge _;> geeigneter Trägerkörper für die Halbleitersysteme ver-., wendet .wird, der aus Kontaktierungsraaterial besteht und als erste elektrische Zuführung dient, bei dem weiterhin zur Anzahl der äußeren Elektroden der zu fertigenden Bauelemente noch fehlende. Anschlüsse in bestimmter geometrischer Zuordnung zun Trägerkörper vorgesehen sind, die in periodischen Abständen mit dem Trägerkörper verbunden sind, bei dem dann die vorbereiteten Halbleitersysteme auf dem Trägerkörper in Abständen _% deren Größe durch die Abmessungen der herzustellenden Bauelemente bestimmt v/ird, auf legiert und die Kontaktierungsdrähte der Halbleitersysteine mit den Anschlüssen verbunden werden, wonach die Halbieitersysteme und die Verbindungsstellen zwischen Kontaktierungsdrühten und Anschlüssen mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt werden* und bei dem weiterhin Trägerkörper und Anschlüsse in einem abschließenden Arbeitsgang in entsprechender V/eise zerteilt werden ( nach

Patent ., (Akt. Zeh.

PA 9/493/67öa und 9/493/683), dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörpor und die Anschlüsse auc einem einheit-

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Untertagen (Art. ? $ t Ai*. 2 Nr. I s*, 3 de·Andwung^M. v. 4.9 r.

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lichen Band hergestellt werden, das entsprechend einem dem herzustellenden Bauelement angepaßten Raster mit Einschnitten, insbesondere durch Ausstanzen, versehen wird.

2.Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Band nach den Auflegieren der Halbleitersysteme an beiden Seiten nach oben gebogen v/ird, so daß die Kontaktierungsdrähte der Halbleitersysteme mit einer gewissen Vorspannung an die aufgebogenen Ränder des Bandes anliegen.

3.Verfahren nach Anspruch 1 oder-2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen des Bandes an die zu kontaktierenden Halbleiter systeme angepaßt werden.

4.Verfahren nach Anspruch 1 - 3 , dadurch gekennzeichnet, daß dem Band Muster entsprechend der Raster für verschiedenartige Bauelemente eingestanzt worden.

5.Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 - 4, dadurch gekennzeichnet, daß mit den einzelnen Halbleitersystemen auch andere Bauelemente, wie beispielsweise Widerstände, gemeinsam eingegossen werden.

6.Halbleiterbauelement wie beispielsweise Mikroplanartransistor bzw. Mikroplänardiode, hergestellt nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 5.

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7» Halbleitcrochalticrcio, hcrgeotellt nach einem Verfahren nach einem 4er Ansprüche 1-5.

8. Schalt&roio, hergeotollt auo konventionollen Bauelementen nach einen Verfahren nach raindeoteno einen der Ansprüche .1.-5..

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