JPH03212006A - 高周波回路用パッケージ - Google Patents

高周波回路用パッケージ

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JPH03212006A
JPH03212006A JP2007978A JP797890A JPH03212006A JP H03212006 A JPH03212006 A JP H03212006A JP 2007978 A JP2007978 A JP 2007978A JP 797890 A JP797890 A JP 797890A JP H03212006 A JPH03212006 A JP H03212006A
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chamber
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Katsuyuki Oshiba
大芝　克幸
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １産業上の利用分野］ 本発明は、高周波回路を実装する高周波回路用パッケー
ジに関する。
Ｅ発明の概要］ 本発明は、導電性基板の両面にシールドケースで被われ
たシールド室をそれぞれ構成し、この各ノールド室内に
高周波回路をそれぞれマウントすることにより、 ２組の高周波回路が１つのパッケージに収まるため実装
密度が高まると共に機能具なるが関連のある二組の高周
波回路を１つのパッケージに収納できるためパッケージ
間の電気的接続本数が減少し回路の信頼性が向上する。
［従来の技術］ 高周波回路は自ら出す電磁波によって他の回路に悪影響
を及ぼさないように、又、他の回路からの電磁波によっ
て悪影響を及ぼされないようにシールドケースで被われ
る高周波回路用パッケージに実装される。
第５図には従来の高周波回路用パッケージが示されてい
る。第５図において、導電性基板Ｉの上面には四方を囲
む遮へい壁２が設けられ、この遮へい壁２の上方にシー
ルドケース３が被せられてシールド室４が構成されてい
る。このシールド室４内には集積回路９、半導体素子１
０等から構成の高周波回路７が実装されており、この高
周波回路７の外部入出力が遮へい壁２に設けられたり−
ドピン２１を介して行われるよう構成されている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、高周波回路７は機能異なる回路を同一シ
ールド室内に収納できないために、従来の構成では１つ
のパッケージ八について１つの高周波回路７しか収納で
きない。そのため、第６図に示す如く複数の高周波回路
７間の接続はメイン基板２２上に各パッケージＡを固定
し、各パッケージＡ間をマイクロストリップ線路２３で
接続することにより行っていたため、回路全体の収納ス
ペースが平面的に広くなり実装密度が低いという欠点が
あった。
また、上記した如く１つのパッケージＡについて１つの
高周波回路７しが収納できないので、機能異なるが関連
のある二組の高周波回路７（例えば発振回路とその増幅
回路）も別々のパッケージＡに収納せざるを得ないため
、パッケージＡ間の電気的接続本数が多くその分目路の
信頼性が低くなるという欠点があった。
そこで、本発明は１つのパッケージに実装できる回路数
を多くして回路の実装密度を高め、機能異なるが関連性
のある二組の高周波回路を同一パッケージ内に収納可能
としパブケージ間の接続本数を減少して回路の信頼性か
向上する高周波回路用パッケージを提供することを目的
とする。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明の高周波回路用パッケ
ージは、導電性基板の両面にシールドケースを取付けて
前記導電性基板の両面にシールド室をそれぞれ構成し、
この各シールド室内で高周波回路を前記導電性基板にそ
れぞれマウントしたものである。
［作用］ １つのパッケージに２つのシールド室を有して二組の高
周波回路を収納できるため、 実装密度が 向上すると共に機能異なるが関連のある二組の高周波回
路を収納すれば二組の高周波回路間の電気的接続をパッ
ケージ内で行うことによりパブケージ間の電気的接続本
数が少なくなる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図乃至第４図には本発明の一実施例か示されている
。
第１図及び第２図において、導電性基板ｌの上面には四
方を囲む遮へい壁２が設けられ、遮へい壁２の上面にシ
ールドケース３の下面が当接されてシールド室４が構成
されている。又、導電性基板ｌの下面には他のシールド
ケース５が設けられてシールド室６が構成されており、
１つのパッケージＡに上下二つのシールド室４．６が設
けられている。この二つのシールド室４．６にはそれぞ
れ機能の異なる高周波回路７が実装されており、この実
施例では下方のシールド室６には誘電体共振器８、集積
回路９等より構成された高周波回路７である発振回路が
、上方のシールド室４には半導体素子１０、集積回路９
等より構成された高周波回路７である増幅回路がそれぞ
れ実装されている。又、萌記導電性基板１の所定箇所に
は上下の双方に貫通した貫通端子１１が設けられ、この
貫通端子１１を介して上方と下方のシールド室４６間の
電気的接続が行われている。
第３図には貫通端子ｌＩ付近の断面図が示されている。
第３図において、導電性基板１には２段の孔１２が形成
され、この孔１２には下段面に載置された状態で円柱状
の誘電体１３が配置されている。誘電体１３は導電性基
板ｌに接着剤にて接着されており、この誘電体１３の中
心に上下端を共に突出した状態で貫通端子１１が圧入さ
れている。
また、第１図及び第２図に戻り、前記遮へい壁２の数ケ
所には孔１４が形成され、この孔１４内に外部との電気
的接続をするためのリード１５が設けられている。
第４図にはり一ド１５付近の斜視図が示されている。第
４図において、下部誘電体１６は導電性基板ｌの上面に
固定され、この下部誘電体１６の上面にリード１５が接
着されている。このリード１５は中央部分が幅狭に形成
されており、この幅狭部分を隠すようにして上部誘電体
１７が下部誘電体１６の上面に固定されている。そして
、下部誘電体１５と上部誘電体１６が航記孔１４内に隙
間なく配置されてリード１５の一端側がシールド室４内
に、他端側か外部にそれぞれ位置されており、上方と下
方のシールド室４．６内の二組の高周波回路７と外部（
例えば他のパッケージ）間の電気的接続が行われる。尚
、第１図において、１８はボンディングワイヤ、＋９は
支持台、２０は回路基板である。
上記構成において、下方のシールド室６の発振回路で生
成された高周波は貫通端子１１を介して上方のシールド
室４の増幅回路に送られ、ここで高周波が増幅されてリ
ード１５を介して外部に出力される。この過程において
、発振回路と増幅回路は共に電磁波を出すが、導電性基
板１やシールドケース４．６にて吸収されて互いの電磁
波が共に外部に放射されることがないため電磁界結合を
生じることなく正常に動作する。
そして、このパッケージＡにおいては、上方と下方のシ
ールド室４．６を有して二組の高周波回路７を収納でき
るため、実装密度が向上する。発振回路とその増幅回路
の如く機能異なるが関連のある二組の高周波回路７を収
納できるので、二組の高周波回路７間の電気的接続をパ
ッケージＡ内で行うことによりパッケージＡ間の電気的
接続本数が少なくなる。
［発明の効果コ 以上述べたように本発明によれば、導電性基板の両面に
シールドケースで被われたシールド室をそれぞれ構成し
、この各シールド室内に高周波回路をそれぞれマウント
したので、２組の高周波回路が１つのパッケージに収ま
るため実装密度が高まると共に機能異なるが関連のある
二組の高周波回路を１つのパッケージに収納できるため
パッケージ間の電気的接続本数が減少し回路の信頼性が
向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示し、第１図は
高周波回路用パッケージの断面図、第２図は高周波回路
用パッケージの斜視図、第３図は貫通端子付近の断面図
、第４図はリード付近の斜視図であり、第５図及び第６
図は従来例を示し、第５図は高周波回路用パッケージの
斜視図、第６図はパッケージ間の接続状態を示す図であ
る。 Ｉ・・・導電性基板、３．５・・・シールドケース、４
゜６・・・シールド室、７・・・高周波回路、Ａ・・バ
ッヶージ １３ 貫″Ａ＠＋イ寸＼ばＬの纒キ面σ４ リード材血の、＃＋オ克因 第４図 パッケージ間の１摩免状ｎとホ１図（Ｌｔ３第６図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）導電性基板の両面にシールドケースを取付けて前
    記導電性基板の両面にシールド室をそれぞれ構成し、こ
    の各シールド室内で高周波回路を前記導電性基板にそれ
    ぞれマウントしたことを特徴とする高周波回路用パッケ
    ージ。
JP2007978A 1990-01-17 1990-01-17 高周波回路用パッケージ Pending JPH03212006A (ja)

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EP91100065A EP0438056B1 (en) 1990-01-17 1991-01-02 High-Frequency circuit package
DE69119793T DE69119793T2 (de) 1990-01-17 1991-01-02 Gehäuse für Hochfrequenzschaltung
KR1019910000039A KR910015078A (ko) 1990-01-17 1991-01-04 고주파회로용 패키지
US07/641,867 US5239126A (en) 1990-01-17 1991-01-16 High-frequency circuit package

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