JP2002325001A - マイクロ波デバイスの接続構造 - Google Patents
マイクロ波デバイスの接続構造Info
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- JP2002325001A JP2002325001A JP2001128296A JP2001128296A JP2002325001A JP 2002325001 A JP2002325001 A JP 2002325001A JP 2001128296 A JP2001128296 A JP 2001128296A JP 2001128296 A JP2001128296 A JP 2001128296A JP 2002325001 A JP2002325001 A JP 2002325001A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】マイクロ波デバイスの接続部分からの漏洩マイ
クロ波を減ずる。 【解決手段】マイクロ波デバイス本体を収容した金属パ
ッケージ８、８’の側面からステップ状に突出した伝送
パターン４、４’を表面に露出した端子部２、２’を有
する２つのマイクロ波デバイスを一例に並べて相互の端
子部２、２’を接続する接続構造において、端子部２、
２’は誘電体基板の上面に伝送路パターン４、４’下面
にアース導体膜を形成したマイクロストリップラインで
構成し、一方のマイクロ波デバイス１の端子部２の伝送
路パターン４と上下を反転した状態にした他方のマイク
ロ波デバイス１’の端子部２’の伝送路パターン４’と
を金属バンプ５を介して接続する。
クロ波を減ずる。 【解決手段】マイクロ波デバイス本体を収容した金属パ
ッケージ８、８’の側面からステップ状に突出した伝送
パターン４、４’を表面に露出した端子部２、２’を有
する２つのマイクロ波デバイスを一例に並べて相互の端
子部２、２’を接続する接続構造において、端子部２、
２’は誘電体基板の上面に伝送路パターン４、４’下面
にアース導体膜を形成したマイクロストリップラインで
構成し、一方のマイクロ波デバイス１の端子部２の伝送
路パターン４と上下を反転した状態にした他方のマイク
ロ波デバイス１’の端子部２’の伝送路パターン４’と
を金属バンプ５を介して接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波デバイス
の接続構造に関し、特に高周波増幅器などの集積回路を
金属パッケージに収容したマイクロ波デバイスを複数個
一列に並べてその入出端子部を接続する場合の接続構造
に関する。
の接続構造に関し、特に高周波増幅器などの集積回路を
金属パッケージに収容したマイクロ波デバイスを複数個
一列に並べてその入出端子部を接続する場合の接続構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のマイクロ波デバイスの接
続構造は図５に示す構造が一般的である。図５は従来例
を示す斜視図である。この例は同一構造の２つのマイク
ロ波デバイス５１、５１’を一列に並べて接続する場合
のものである。
続構造は図５に示す構造が一般的である。図５は従来例
を示す斜視図である。この例は同一構造の２つのマイク
ロ波デバイス５１、５１’を一列に並べて接続する場合
のものである。
【０００３】マイクロ波デバイス５１、５１’は内部に
マイクロ波デバイス本体を収容した金属パッケージから
ステップ状に突出したマイクロストリップライン５３、
５３’で構成する端子部５２、５２’を有し、この端子
部５２、５２’のマイクロストリップライン５３、５
３’の伝送路パターンをワイヤ５３で接続するものであ
る。
マイクロ波デバイス本体を収容した金属パッケージから
ステップ状に突出したマイクロストリップライン５３、
５３’で構成する端子部５２、５２’を有し、この端子
部５２、５２’のマイクロストリップライン５３、５
３’の伝送路パターンをワイヤ５３で接続するものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来例は、
端子部を露出してワイヤで接続する構造であるため、こ
の部分のマイクロストリップラインの伝送路パターンか
ら伝送信号が空間に放射され、入出力間で電波干渉が発
生し易いという問題がある。特にマイクロ波デバイスが
高利得の増幅器である場合は、この入出力間電波干渉が
著しくなり、発振などの障害を引き起こすことになる。
このようなマイクロ波の漏洩が大きい場合には２つのマ
イクロ波デバイスを隔離する、あるいは接続部分をシー
ルド用のハウジングで覆う必要があり、このために構造
が極めて複雑となり大きさも大形となる問題がある。
端子部を露出してワイヤで接続する構造であるため、こ
の部分のマイクロストリップラインの伝送路パターンか
ら伝送信号が空間に放射され、入出力間で電波干渉が発
生し易いという問題がある。特にマイクロ波デバイスが
高利得の増幅器である場合は、この入出力間電波干渉が
著しくなり、発振などの障害を引き起こすことになる。
このようなマイクロ波の漏洩が大きい場合には２つのマ
イクロ波デバイスを隔離する、あるいは接続部分をシー
ルド用のハウジングで覆う必要があり、このために構造
が極めて複雑となり大きさも大形となる問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波デバ
イスの接続構造は、マイクロ波デバイス本体を収容した
金属パッケージの側面からステップ状に突出した伝送パ
ターンを表面に露出した端子部を有するマイクロ波デバ
イスにして複数の前記マイクロ波デバイスを一例に並べ
て相互の前記端子部を接続する接続構造において、前記
端子部は誘電体基板の上面を前記伝送路パターンそして
下面にアース導体膜を形成したマイクロストリップライ
ンで構成し、一方の前記マイクロ波デバイスの端子部の
伝送路パターンと、上下を反転した状態にした他方の前
記マイクロ波デバイスの端子部の伝送路パターンとを金
属バンプを介して接続する。
イスの接続構造は、マイクロ波デバイス本体を収容した
金属パッケージの側面からステップ状に突出した伝送パ
ターンを表面に露出した端子部を有するマイクロ波デバ
イスにして複数の前記マイクロ波デバイスを一例に並べ
て相互の前記端子部を接続する接続構造において、前記
端子部は誘電体基板の上面を前記伝送路パターンそして
下面にアース導体膜を形成したマイクロストリップライ
ンで構成し、一方の前記マイクロ波デバイスの端子部の
伝送路パターンと、上下を反転した状態にした他方の前
記マイクロ波デバイスの端子部の伝送路パターンとを金
属バンプを介して接続する。
【０００６】あるいは、マイクロ波デバイス本体を収容
した金属パッケージの側面からステップ状に突出した伝
送パターンを表面に露出した端子部を有するマイクロ波
デバイスにして複数の前記マイクロ波デバイスを一例に
並べて相互の前記端子部を接続する接続構造において、
前記端子部は誘導体基板の上面に前記伝送路パターンお
よびその両側に２本のアースパターンそして下面にアー
ス導体膜を形成したコプレーナラインで構成し、一方の
前記マイクロ波デバイスの端子部の伝送路パターンおよ
びその両側の２本のアースパターンと、上下を反転した
状態にした他方の前記マイクロ波デバイスの端子部の伝
送路パターンおよびその両側の２本のアースパターンと
をそれぞれ金属バンプを介して接続する。
した金属パッケージの側面からステップ状に突出した伝
送パターンを表面に露出した端子部を有するマイクロ波
デバイスにして複数の前記マイクロ波デバイスを一例に
並べて相互の前記端子部を接続する接続構造において、
前記端子部は誘導体基板の上面に前記伝送路パターンお
よびその両側に２本のアースパターンそして下面にアー
ス導体膜を形成したコプレーナラインで構成し、一方の
前記マイクロ波デバイスの端子部の伝送路パターンおよ
びその両側の２本のアースパターンと、上下を反転した
状態にした他方の前記マイクロ波デバイスの端子部の伝
送路パターンおよびその両側の２本のアースパターンと
をそれぞれ金属バンプを介して接続する。
【０００７】また、前記端子部は、マイクロストリップ
の伝送路パターンと接触しないようにその周辺をシール
ド用の金属箔を貼り付けるようにしても良い。
の伝送路パターンと接触しないようにその周辺をシール
ド用の金属箔を貼り付けるようにしても良い。
【０００８】また、前記端子部は、コプレーナラインの
伝送路パターンおよび２本のアースパターンと接触しな
いようにその周辺をシールド用の金属箔を貼り付けるよ
うにしても良い。
伝送路パターンおよび２本のアースパターンと接触しな
いようにその周辺をシールド用の金属箔を貼り付けるよ
うにしても良い。
【０００９】また、一方の前記マイクロ波デバイスの端
子部と他方の前記マイクロ波デバイスの端子部とを接続
した状態において、その接続部分をシールド用の金属箔
で帯状に覆うようにしても良い。
子部と他方の前記マイクロ波デバイスの端子部とを接続
した状態において、その接続部分をシールド用の金属箔
で帯状に覆うようにしても良い。
【００１０】更に、一方の前記マイクロ波デバイスの端
子部と他方の前記マイクロ波デバイスの端子部とを接続
した状態で、一方の前記マイクロ波デバイスの端子部の
アース導体膜と他方の前記マイクロ波デバイスの金属パ
ッケージとを金属リボンで接続するようにしても良い。
子部と他方の前記マイクロ波デバイスの端子部とを接続
した状態で、一方の前記マイクロ波デバイスの端子部の
アース導体膜と他方の前記マイクロ波デバイスの金属パ
ッケージとを金属リボンで接続するようにしても良い。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態について図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施の形態例を示す
斜視図、図２は図１における接続部分の横断面図、図３
は本発明の第２の実施の形態例を示す斜視図、図４は図
１および図２においてシールド用の金属箔および金属リ
ボンを付加した場合の斜視図である。
斜視図、図２は図１における接続部分の横断面図、図３
は本発明の第２の実施の形態例を示す斜視図、図４は図
１および図２においてシールド用の金属箔および金属リ
ボンを付加した場合の斜視図である。
【００１３】先ず図１、図２を参照して第１の実施の形
態例を説明する。マイクロ波デバイス本体９、９’を収
容した金属パッケージ８、８’の側面からステップ状に
突出した伝送パターン４、４’を表面に露出した端子部
２、２’を有する２つのマイクロ波デバイスを一列に並
べて相互の端子部２、２’を接続する接続構造におい
て、端子部２、２’は誘電体基板６、６’の上面に伝送
路パターン４、４’下面にアース導体膜７、７’を形成
したマイクロストリップラインで構成し、一方のマイク
ロ波デバイス１の端子部２の伝送路パターン４と、上下
を反転した状態にした他方のマイクロ波デバイス１’の
端子部２’の伝送路パターン４’とを金属バンプ５を介
して接続する構造である。
態例を説明する。マイクロ波デバイス本体９、９’を収
容した金属パッケージ８、８’の側面からステップ状に
突出した伝送パターン４、４’を表面に露出した端子部
２、２’を有する２つのマイクロ波デバイスを一列に並
べて相互の端子部２、２’を接続する接続構造におい
て、端子部２、２’は誘電体基板６、６’の上面に伝送
路パターン４、４’下面にアース導体膜７、７’を形成
したマイクロストリップラインで構成し、一方のマイク
ロ波デバイス１の端子部２の伝送路パターン４と、上下
を反転した状態にした他方のマイクロ波デバイス１’の
端子部２’の伝送路パターン４’とを金属バンプ５を介
して接続する構造である。
【００１４】即ち、図１は接続する前の両デバイスの状
態を示す斜視図であり、図２は両デバイスの端子部２、
２’を重ね合わせて金属バンプ５を介し接続した状態を
示す断面図である。両デバイス１、１’は伝送路パター
ン４、４’の接続により電気的にも接続され、マイクロ
波信号は伝送路パターン４、４’とアース導体膜７、
７’あるいは金属パッケージ８、８’の表面を伝送路と
して伝達される。このように接続部における伝送路パタ
ーン４、４’は露出されていないので、この部分からの
マイクロ波の外部への漏洩量を少なくすることができ
る。尚、図１で示したように端子部２、２’において、
伝送路パターン４、４’を除くその周辺のハッチングで
示した部分に金属箔を貼り付けることにより、マイクロ
波の外部への漏洩を更に減ずることができる。
態を示す斜視図であり、図２は両デバイスの端子部２、
２’を重ね合わせて金属バンプ５を介し接続した状態を
示す断面図である。両デバイス１、１’は伝送路パター
ン４、４’の接続により電気的にも接続され、マイクロ
波信号は伝送路パターン４、４’とアース導体膜７、
７’あるいは金属パッケージ８、８’の表面を伝送路と
して伝達される。このように接続部における伝送路パタ
ーン４、４’は露出されていないので、この部分からの
マイクロ波の外部への漏洩量を少なくすることができ
る。尚、図１で示したように端子部２、２’において、
伝送路パターン４、４’を除くその周辺のハッチングで
示した部分に金属箔を貼り付けることにより、マイクロ
波の外部への漏洩を更に減ずることができる。
【００１５】次に図３を参照して第２の実施の形態例を
説明する。第１の実施の形態例との相違は、端子部にコ
プレーナラインを用いた点にあり、基本的には第１の実
施の形態例の接続構造を同一である。以下相違部分を中
心に説明する。
説明する。第１の実施の形態例との相違は、端子部にコ
プレーナラインを用いた点にあり、基本的には第１の実
施の形態例の接続構造を同一である。以下相違部分を中
心に説明する。
【００１６】マイクロ波デバイス本体を収容した金属パ
ッケージの側面からステップ状に突出した伝送パターン
を表面に露出した端子部３２、３２’を有するマイクロ
波デバイス３１、３１’の接続構造において、端子部３
２、３２’は誘電体基板の上面に伝送路パターン３４、
３４’およびその両側に２本のアースパターン３０、３
０’下面にアース導体膜を形成したコプレーナラインで
構成し、一方のマイクロ波デバイス３１の端子部３２の
伝送路パターンおよびその両側の２本のアースパターン
と、上下を反転した状態にした他方のマイクロ波デバイ
ス３１’の端子部３２’の伝送路３４、３４’パターン
およびその両側の２本のアースパターン３０、３０’と
をそれぞれ金属バンプ３５を介して接続する構造であ
る。
ッケージの側面からステップ状に突出した伝送パターン
を表面に露出した端子部３２、３２’を有するマイクロ
波デバイス３１、３１’の接続構造において、端子部３
２、３２’は誘電体基板の上面に伝送路パターン３４、
３４’およびその両側に２本のアースパターン３０、３
０’下面にアース導体膜を形成したコプレーナラインで
構成し、一方のマイクロ波デバイス３１の端子部３２の
伝送路パターンおよびその両側の２本のアースパターン
と、上下を反転した状態にした他方のマイクロ波デバイ
ス３１’の端子部３２’の伝送路３４、３４’パターン
およびその両側の２本のアースパターン３０、３０’と
をそれぞれ金属バンプ３５を介して接続する構造であ
る。
【００１７】尚、接続した状態の構成は、図２と同様で
ある。コプレーナラインは、マイクロストリップライン
に比べて付加された２本のアースパターンマイクロ波の
外部の漏洩を減じ伝送特性を改善したものである。
ある。コプレーナラインは、マイクロストリップライン
に比べて付加された２本のアースパターンマイクロ波の
外部の漏洩を減じ伝送特性を改善したものである。
【００１８】更に接続部におけるマイクロ波の漏洩を減
ずる対策を図４に示す。図４に示すように接続部分をシ
ールド用の金属箔で帯状に覆うようにする。こうすれば
この部分の漏洩マイクロ波を減ずることができる。
ずる対策を図４に示す。図４に示すように接続部分をシ
ールド用の金属箔で帯状に覆うようにする。こうすれば
この部分の漏洩マイクロ波を減ずることができる。
【００１９】更に一方のマイクロ波デバイス１あるいは
１’の端子部２あるいは２’のアース導体膜と他方のマ
イクロ波デバイス１’あるいは１の金属パッケージとを
金属リボン４１で接続してアースを強化すれば更にこの
部分の漏洩マイクロ波を減ずることができる。
１’の端子部２あるいは２’のアース導体膜と他方のマ
イクロ波デバイス１’あるいは１の金属パッケージとを
金属リボン４１で接続してアースを強化すれば更にこの
部分の漏洩マイクロ波を減ずることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明はマイクロ波
デバイスの接続構造は、接続部の伝送路パターンを露出
せずに周囲をアース面で覆うような構造であるので、こ
の部分からの漏洩マイクロ波を極めて少なくする効果が
ある。また、接続構造が簡単であるので、接続部の大き
さが大きくならず、また接続工数も削減できる効果があ
る。
デバイスの接続構造は、接続部の伝送路パターンを露出
せずに周囲をアース面で覆うような構造であるので、こ
の部分からの漏洩マイクロ波を極めて少なくする効果が
ある。また、接続構造が簡単であるので、接続部の大き
さが大きくならず、また接続工数も削減できる効果があ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態例を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】図１における接続部分の横断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】図１、３における接続部にシールド用の金属箔
および金属リボンを付加した場合の斜視図である。
および金属リボンを付加した場合の斜視図である。
【図５】従来例を示す斜視図である。
１、１’、３１、３１’ マイクロ波デバイス ２、２’、３２、３２’ 端子部 ４、４’、３４、３４’ 伝送路パターン ５、３５ 金属バンプ ６、６’ 誘電体基板 ７、７’ アース導体膜 ８、８’ 金属パッケージ ３０ アースパターン ９、９’ マイクロ波デバイス本体
Claims (6)
- 【請求項１】 マイクロ波デバイス本体を収容した金属
パッケージの側面からステップ状に突出した伝送パター
ンを表面に露出した端子部を有するマイクロ波デバイス
にして複数の前記マイクロ波デバイスを一例に並べて相
互の前記端子部を接続する接続構造において、前記端子
部は誘電体基板の上面を前記伝送路パターンそして下面
にアース導体膜を形成したマイクロストリップラインで
構成し、一方の前記マイクロ波デバイスの端子部の伝送
路パターンと、上下を反転した状態にした他方の前記マ
イクロ波デバイスの端子部の伝送路パターンとを金属バ
ンプを介して接続することを特徴とするマイクロ波デバ
イスの接続構造。 - 【請求項２】 マイクロ波デバイス本体を収容した金属
パッケージの側面からステップ状に突出した伝送パター
ンを表面に露出した端子部を有するマイクロ波デバイス
にして複数の前記マイクロ波デバイスを一例に並べて相
互の前記端子部を接続する接続構造において、前記端子
部は誘導体基板の上面に前記伝送路パターンおよびその
両側に２本のアースパターンそして下面にアース導体膜
を形成したコプレーナラインで構成し、一方の前記マイ
クロ波デバイスの端子部の伝送路パターンおよびその両
側の２本のアースパターンと、上下を反転した状態にし
た他方の前記マイクロ波デバイスの端子部の伝送路パタ
ーンおよびその両側の２本のアースパターンとをそれぞ
れ金属バンプを介して接続することを特徴とするマイク
ロ波デバイスの接続構造。 - 【請求項３】 前記端子部は、マイクロストリップライ
ンの伝送路パターンと接触しないようにその周辺をシー
ルド用の金属箔を貼り付けることを特徴とする請求項１
記載のマイクロ波デバイスの接続構造。 - 【請求項４】 前記端子部は、コプレーナラインの伝送
路パターンおよび２本のアースパターンと接触しないよ
うにその周辺をシールド用の金属箔を貼り付けることを
特徴とする請求項２記載のマイクロ波デバイスの接続構
造。 - 【請求項５】 一方の前記マイクロ波デバイスの端子部
と他方の前記マイクロ波デバイスの端子部とを接続した
状態において、その接続部分をシールド用の金属箔で帯
状に覆うことを特徴とする請求項１、２、３あるいは４
記載のマイクロ波デバイスの接続構造。 - 【請求項６】 一方の前記マイクロ波デバイスの端子部
と他方の前記マイクロ波デバイスの端子部とを接続した
状態で、一方の前記マイクロ波デバイスの端子部のアー
ス導体膜と他方の前記マイクロ波デバイスの金属パッケ
ージとを金属リボンで接続することを特徴とする請求項
１、２、３、４あるいは５記載のマイクロ波デバイスの
接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128296A JP2002325001A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | マイクロ波デバイスの接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128296A JP2002325001A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | マイクロ波デバイスの接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002325001A true JP2002325001A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18977016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001128296A Withdrawn JP2002325001A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | マイクロ波デバイスの接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002325001A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007123185A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | コンタクトプローブ、及びその作製方法 |
| WO2023243157A1 (ja) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | 日本メクトロン株式会社 | 接合プリント配線板および接合プリント配線板の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-25 JP JP2001128296A patent/JP2002325001A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007123185A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | コンタクトプローブ、及びその作製方法 |
| JPWO2007123185A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2009-09-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | コンタクトプローブ、及びその作製方法 |
| US7990165B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Contact probe and method of making the same |
| JP5109064B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2012-12-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | コンタクトプローブ、及びその作製方法 |
| US9134346B2 (en) | 2006-04-21 | 2015-09-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of making contact probe |
| WO2023243157A1 (ja) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | 日本メクトロン株式会社 | 接合プリント配線板および接合プリント配線板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080701 |