JP4443598B2 - 両面配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、外部との接続領域となる接続素子を備える両面配線基板に関する。

近年、携帯電話などの携帯用電子機器が盛んに提供されるようになっている。携帯用電子機器は、携帯性を考慮して小型化されるが、機能面ではさらに高度化を求められている。したがって、内部に適用される回路配線基板に対しては高精度、小型化、薄型化などが厳しく要求されている。

このような状況のもとで、回路配線基板は、高密度配線、高機能配線（立体配線や屈曲配線）、高密度実装を要求されることから、層間の接続に対しても厳しく高精度化、高密度化が要求されている。

図２０は、従来例１に係る両面配線基板の概略構造を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。なお、端面図でのハッチングは図面の見易さを考慮して全て省略してある。以下の図においても同様とする。

従来例１に係る両面配線基板１０１では、絶縁性基板１１０に貫通孔１１２を形成し、第１面導体層１２１および第２面導体層１２２を接続導体層１３０によって接続し、いわゆるスルーホール、ミニランドスルーホール、ランドレススルーホールなどを有する接続素子１ｃｄを形成し、接続素子１ｃｄに対して外部から接続を施していた。

従来例１に係る両面配線基板１０１では、高精度化、高密度化の要求に応えるために接続導体層１３０が小さくなり強度的な問題を生じていた。

図２１は、従来例２に係る両面配線基板の概略構造を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。

従来例２に係る両面配線基板１０１では、絶縁性基板１１０に基板穴１１１を形成し、従来例１の貫通孔１１２に代えて接続ランド状の第１面導体層１２１および第２面導体層１２２を接続導体層１３１によって接続し、いわゆるレーザービア（ミニランドレーザービア、ランドレスレーザービア）などを有する接続素子１ｃｄを形成し、接続素子１ｃｄに対して外部から接続を施していた。

従来例２に係る両面配線基板１０１では、第１面接続ランド部１６１、第２面接続ランド部１６２が形成されていることから、従来例１に対して強度は改善されるが、絶縁性基板１１０に対する接続部分が微小であり、十分な強度を得ることは困難であって。

図２２は、従来例３に係る実装両面配線基板の概略構造を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。

従来例３に係る実装両面配線基板１０２では、従来例２として示した両面配線基板１０１に外部と接続される半田ボール１０２ｂを形成してある。しかし、第１面接続ランド部１６１は凹状となっていることから、接合された半田ボール１０２ｂに気泡Ａｉｒが混入することがあり、接続の信頼性に問題を生じていた。

従来例１ないし従来例３で示した回路配線基板は、種々の用途に適用されるが、特に上述した携帯用電子機器に適用される場合には、両面配線基板１０１に対する薄型化、柔軟性の要求が大きくなる。つまり、絶縁性基板１１０、第１面導体層１２１、第２面導体層１２２に対する薄膜化、柔軟性が要求される。したがって、絶縁性基板１１０、第１面導体層１２１、第２面導体層１２２は、それぞれ薄く形成されることとなり、機械的強度は低下している。

絶縁性基板１１０、第１面導体層１２１、第２面導体層１２２それぞれの機械的強度の低下に伴い、絶縁性基板（絶縁性基板１１０）に対する導体層（第１面導体層１２１、第２面導体層１２２）の接着性が低下し、導体層の剥がれ強度が低下しているという問題があった。また、パターン（接続ランド部）の小型化、高精細化に伴い、絶縁性基板に対する導体層の接着面積が減少し、この面からの導体層の剥がれ強度の低下も生じている。

上述した状況の下、両面配線基板に形成され外部への接続領域（接続端子）となる接続素子についても、剥がれ強度の低下が生じ、両面配線基板に半田ボールを実装した実装両面配線基板においても接続の信頼性が低下しているという問題が生じている。

また、接続ランド部の小型化に伴い、半田接合が困難になり、接合強度が低下するという問題も生じている。さらに、実施例３で示したとおり、気泡の混入の問題が生じている。

また、両面配線基板での両面の導体層相互の接着強度を向上させるものとして、例えば特許文献１ないし特許文献３が開示されている。
特開２００２−５７４２９号公報 特開２００４−２８１４３７号公報 特開２００７−１８９１２５号公報

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、接続素子の剥がれ強度を向上させ、接続素子の加工性の向上、信頼性の向上、高密度化を図って、高密度実装が可能で信頼性の高い両面配線基板を提供することを目的とする。

本発明に係る両面配線基板は、絶縁性基板と、該絶縁性基板の第１面に形成された第１面導体層と、前記第１面の反対側の第２面に形成された第２面導体層と、前記第１面導体層に積層され前記絶縁性基板に形成された基板穴を介して前記第１面導体層および前記第２面導体層を相互に接続する第１面接続導体層とを有して外部との接続領域となる接続素子を備える両面配線基板であって、前記接続素子は、前記第１面導体層および前記第１面接続導体層によって構成された第１面接続ランド部と、前記第２面導体層によって構成された第２面接続ランド部とを備え、前記第１面接続ランド部と前記第２面接続ランド部とは、前記絶縁性基板を挟んで相互に対向し、前記基板穴は、前記第１面接続ランド部の外周端部および前記第２面接続ランド部の外周端部に対応させて形成してあり、前記第１面接続ランド部の外周端部と前記第２面接続ランド部の外周端部とは、前記基板穴を介して接続してあり、前記第１面接続ランド部の中央領域は、前記基板穴で接続された前記第１面接続ランド部と前記第２面接続ランド部との接続位置に対して凸状としてあり、前記第１面接続ランド部には、前記接続素子に接合され外部と接続される半田ボールが備えられ、この半田ボールを備えた第１面接続ランド部の近傍に前記基板穴を設けてあることを特徴とする。

この構成により、接続素子の剥がれ強度を向上させることが可能となることから、接続素子の加工性と信頼性を向上させ高密度化を図ることが可能となるので、高密度実装が可能で信頼性の高い両面配線基板とすることができる。また、外部との接続に際し、第１面接続ランド部の中央領域での接続面積に加えて凸状段差（凸状の側面）での接続面積を加えた接続面積を確保することが可能となることから、接続強度を向上させることが可能となり、外部との接続での信頼性を向上させることができる。さらに、半田ボールを備えた第１面接続ランド部の近傍に基板穴を設けてあるので、半田ボールを形成した場合でも、半田ボールと第１面接続ランド部との間に気泡が含まれる恐れが無く、接続強度が高く信頼性の高い接続（半田付け）を施すことが可能となる。

また、本発明に係る両面配線基板では、前記基板穴は、１個の前記接続素子に対して複数個形成してあることを特徴とする。

この構成により、第１面接続ランド部と第２面接続ランド部との接続面積（接続線沿面距離）を増大させることが可能となることから、接続素子の剥がれ強度をさらに向上させ、信頼性を向上させることができる。

また、本発明に係る両面配線基板では、前記接続素子は、１個の前記基板穴に対して複数個形成してあることを特徴とする。

この構成により、複数個の接続素子で１個の基板穴を共用し、基板穴の個数を低減して基板穴の面積を低減させることが可能となることから、絶縁性基板の強度を確保することが可能となり、接続素子の剥がれ強度をさらに向上させ、信頼性を向上させることができる。

また、本発明に係る両面配線基板では、前記第１面接続ランド部および前記第２面接続ランド部は、相互に対向する多角形としてあり、対向する角部を前記基板穴で接続してあることを特徴とする。

この構成により、第１面接続ランド部と第２面接続ランド部との間での接続面積を拡大することが可能となり、接続強度を向上させて接続素子の剥がれ強度をさらに向上させ、信頼性を向上させることができる。

本発明に係る両面配線基板によれば、接続素子の剥がれ強度を向上させ、接続素子の加工性の向上、信頼性の向上、高密度化を図って、高密度実装が可能で信頼性の高い両面配線基板を提供できるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

＜実施の形態１＞
図１ないし図７に基づいて、実施の形態１に係る両面配線基板およびその製造方法について説明する。

図１は、本発明の実施の形態１に係る両面配線基板の製造工程の概略処理フローを示すフローチャートである。

本実施の形態に係る両面配線基板１（図７参照）は、ステップＳ１ないしステップＳ６に示す処理フローにより製造することが可能である。以下、ステップＳ１ないしステップＳ６の説明に合わせてそれぞれの製造工程での両面配線基板１の状態を示す図２ないし図７についても説明する。

図２は、本発明の実施の形態１に係る両面配線基板のスタート材料を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。なお、端面図でのハッチングは図面の見易さを考慮して全て省略してある。以下の図においても同様とする。

ステップＳ１：
図２に示すとおり、両面配線基板１のスタート材料を準備する。なお、スタート材料のように完成前の状態を含めて両面配線基板１とする。

両面配線基板１のスタート材料として、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の第１面１ｆに形成された第１面導体層２１と、第１面１ｆの反対側の第２面１ｓに形成された第２面導体層２２とを備える両面配線基板１を準備する。なお、第１面導体層２１と第２面導体層２２を区別する必要が無い場合には、導体層２０とすることがある。

絶縁性基板１０は、薄くて柔らかい絶縁性フィルムなどで形成されている。具体的な材料としては、例えばポリイミドや液晶ポリエステルなどの数μｍから数十μｍ程度のフィルムを適用することが可能である。

第１面導体層２１および第２面導体層２２は、薄くて柔らかい金属導体で形成され、絶縁性基板１０の両面に積層して形成されている。具体的な材料としては、例えば銅などの数μｍから数十μｍ程度の金属薄膜を接着、鍍金、あるいは蒸着などにより配置したものを準備する。

図３は、図２に示した両面配線基板の絶縁性基板に基板穴を形成した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

ステップＳ２：
図３に示すとおり、図２で示した両面配線基板１の絶縁性基板１０に例えば円形状の基板穴１１を２個開ける。つまり、第１面導体層２１および絶縁性基板１０をエッチングして第２面導体層２２を残した状態で基板穴１１を形成する（基板穴形成工程）。

基板穴１１の穴開けは、例えばレーザー加工などを適用して実行することが可能である。具体的には、例えば、炭酸ガスレーザーなどによって第１面導体層２１、絶縁性基板１０に対して数十μｍ（ないし数百μｍ）の非貫通（第２面導体層２２を残した状態）の穴開け加工が可能である。なお、基板穴１１に対応する第１面導体層２１を予めエッチング加工によって除去した後にレーザー加工を適用することも可能である。

図４は、図３に示した両面配線基板で基板穴に形成した第１面接続導体層を介して両面の導体層を接続した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

ステップＳ３：
図４に示すとおり、図３で示した両面配線基板１の第１面導体層２１および基板穴１１に第１面接続導体層３１（接続導体層３０）を形成し、第１面接続導体層３１によって基板穴１１を介して両面（第１面１ｆ、第２面１ｓ）の導体層２０（第１面導体層２１および第２面導体層２２）を相互に接続する（接続導体層形成工程）。つまり、第１面導体層２１に積層され絶縁性基板１０に形成された基板穴１１を介して第１面導体層２１および第２面導体層２２を相互に接続する第１面接続導体層３１を形成する。

第１面接続導体層３１は、例えば両面配線基板１（第１面導体層２１）に対して鍍金加工などを施すことにより形成することができる。具体的な材料としては、第１面導体層２１と同様な金属（例えば銅など）を適用することが可能である。つまり、一般にコンフォーマルビアと言われる技術を適用することが可能である。

なお、第１面接続導体層３１に加えて、第２面接続導体層３２を同時に形成した状態を示すが、第２面接続導体層３２の形成は省略することが可能である。一般的に、第１面接続導体層３１と第２面接続導体層３２は、いわゆるパネルメッキ法を適用して同時に形成することが可能である。なお、第１面接続導体層３１と第２面接続導体層３２を区別する必要が無い場合には、単に接続導体層３０とすることがある。

図５は、図４に示した両面配線基板で形成した第１面接続導体層および第２面接続導体層に対してエッチングレジストを塗布した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

ステップＳ４：
図５に示すとおり、図４で示した両面配線基板１の第１面接続導体層３１および第２面接続導体層３２に対してエッチングレジスト（第１面エッチングレジスト４１、第２面エッチングレジスト４２）を塗布する（エッチングレジスト塗布工程）。なお、第１面エッチングレジスト４１、第２面エッチングレジスト４２を相互に区別する必要が無い場合には、単にエッチングレジスト４０とする。

第１面エッチングレジスト４１、第２面エッチングレジスト４２は、例えば数μｍから数十μｍ程度の厚みで形成することが可能である。具体的には、例えば、液状のエッチングレジストを塗布する、柔らかく埋め込み可能なドライフィルムを減圧／真空で張り合わせするなどの処理を施すことによって、基板穴１１の内壁に追従させて塗布あるいは埋め込みすることが好ましい。エッチングレジスト４０の厚さは、基板穴１１の凹凸（段差）の影響を受けずにエッチングレジスト４０の形状（平面性）を再現できるようにすることが好ましい。

図６は、図５に示した両面配線基板で形成したエッチングレジストをパターニングした状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

ステップＳ５：
図６に示すとおり、図５で示した両面配線基板１の両面に形成したエッチングレジスト（第１面エッチングレジスト４１、第２面エッチングレジスト４２）に対してホトリソグラフィ技術を適用してパターニングする（レジストパターニング工程）。

図６では、外周端部５１ｆ、５２ｆが基板穴１１に重なるように配置された例えば円形状の第１面レジストパターン５１および第２面レジストパターン５２を形成した状態を示している。なお、第１面レジストパターン５１と第２面レジストパターン５２を区別する必要が無い場合は、単にレジストパターン５０とすることがある。なお、第１面レジストパターン５１および第２面レジストパターン５２は絶縁性基板１０を挟んで相互に対向する位置に対称に形成してある。対称性は、完全に一致することまでは要求されない。

エッチングレジスト４０に対する露光は、例えば、平行光露光や投影露光などを適用して実施することが可能である。また、自動認識装置などを適用して、第１面レジストパターン５１および第２面レジストパターン５２相互間で高精度の位置合わせを行なうことが好ましい。

図７は、図６に示した両面配線基板で形成したレジストパターンを適用して第１面接続導体層、第１面導体層、第２面接続導体層、第２面導体層をエッチングし、第１面接続ランド部および第２面接続ランド部を形成して接続素子を完成した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

ステップＳ６：
図７に示すとおり、図６で示した両面配線基板１の両面に形成したレジストパターン５０（第１面レジストパターン５１、第２面レジストパターン５２）をエッチングマスクとしてホトリソグラフィ技術を適用する。

つまり、導体層２０（第１面導体層２１、第２面導体層２２）、接続導体層３０（第１面接続導体層３１、第２面接続導体層３２）をエッチングしてパターニングすることによって、絶縁性基板１０を挟んで相互にそれぞれの中央部で対向する接続ランド部６０（第１面導体層２１と第１面接続導体層３１とによって構成された第１面接続ランド部６１および第２面導体層２２、第２面接続導体層３２によって構成された第２面接続ランド部６２）を形成する（接続ランド部形成工程）。

なお、第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２を相互に区別する必要が無い場合には、単に接続ランド部６０とすることがある。また、第２面接続ランド部６２は、第２面接続導体層３２を形成しない場合は第２面導体層２２によって構成される。

図７では、レジストパターンは除去した状態を示している。また、第２面接続導体層３２は、必須の要件では無いが上述したとおり第１面接続導体層３１と同時に形成することが可能である。第２面接続導体層３２を第１面接続導体層３１と同時に形成することによって、第２面接続ランド部６２の強度を向上させることが可能である。

また、接続ランド部形成工程で、第１面接続ランド部６１の外周端部６１ｆと第２面接続ランド部６２の外周端部６２ｆとは、基板穴１１を介して接続させた状態とすることによって接続素子１ｃｄを構成している。つまり、本実施の形態に係る接続素子１ｃｄは、２個の円形状の基板穴１１に１個の円形状の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１、第２面接続ランド部６２）を備える構成としてある。

したがって、剥がれ強度を向上させ加工性と信頼性を向上させて高密度化を図ることが可能な接続素子１ｃｄを有する両面配線基板１を容易かつ高精度に形成することが可能となる。

なお、図７では他の配線部分に接続されていない独立した接続素子１ｃｄを示したが、実際の接続素子１ｃｄとして機能させるためには、他の配線部分に適宜接続された配線リードパターン６１ｐ、６２ｐ（図８以下参照）を形成することが可能である。

導体層２０（第１面導体層２１、第２面導体層２２）および接続導体層３０（第１面接続導体層３１、第２面接続導体層３２）のエッチングは、例えば、上面や下面のエッチング条件を調整するなど、基板穴１１の凹凸の影響を受けないように接続ランド部６０のパターンの形状を再現することが好ましい。

また、高精度に接続ランド部６０のパターンを形成するためには、基板穴１１の凹凸（段差）は小さいことが好ましい。つまり、基板穴１１が形成された絶縁性基板１０、第１面導体層２１はできるだけ薄く設定することが好ましい。

上述したとおり、本実施の形態に係る両面配線基板１の製造方法は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の第１面１ｆに形成された第１面導体層２１と、第１面１ｆの反対側の第２面１ｓに形成された第２面導体層２２と、第１面導体層２１に積層され絶縁性基板１０に形成された基板穴１１を介して第１面導体層２１および第２面導体層２２を相互に接続する第１面接続導体層３１と、第１面導体層２１および第１面接続導体層３１によって構成された第１面接続ランド部６１と、第２面導体層２２によって構成された第２面接続ランド部とを有して外部との接続領域となる接続素子１ｃｄを備える両面配線基板１の製造方法であって、基板穴形成工程と、接続導体形成工程と、ランド部形成工程とを備える。

また、本実施の形態に係る両面配線基板１は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の第１面１ｆに形成された第１面導体層２１と、第１面１ｆの反対側の第２面に形成された第２面導体層２２と、第１面導体層２１に積層され絶縁性基板１０に形成された基板穴１１を介して第１面導体層２１および第２面導体層２２を相互に接続する第１面接続導体層３１とを有して外部との接続領域となる接続素子１ｃｄを備える両面配線基板１であって、接続素子１ｃｄは、第１面導体層２１および第１面接続導体層３１によって構成された第１面接続ランド部６１と、第２面導体層２２によって構成された第２面接続ランド部６２とを備え、第１面接続ランド部６１と第２面接続ランド部６２とは、絶縁性基板１０を挟んで相互にそれぞれの中央部で対向し、基板穴１１は、第１面接続ランド部６１の外周端部６１ｆおよび第２面接続ランド部６２の外周端部６２ｆに対応させて形成してあり、第１面接続ランド部６１の外周端部６１ｆと第２面接続ランド部６２の外周端部６２ｆとは、基板穴１１を介して接続してある。

この構成により、接続素子１ｃｄの剥がれ強度を向上させることが可能となることから、接続素子１ｃｄの加工性と信頼性を向上させ高密度化を図ることが可能となるので、高密度実装が可能で信頼性の高い両面配線基板１とすることができる。

また、本実施の形態に係る両面配線基板１では、基板穴１１は、１個の接続素子１ｃｄに対して複数（図７では、例えば２個）形成してある。

したがって、第１面接続ランド部６１と第２面接続ランド部６２との接続面積（接続線沿面距離）を増大させることが可能となることから、接続素子１ｃｄの剥がれ強度をさらに向上させ、信頼性を向上させることができる。

また、本実施の形態に係る両面配線基板１では、第１面接続ランド部６１の中央領域は、基板穴１１での第１面接続ランド部６１と第２面接続ランド部６２との接続位置に対して凸状としてある（図７（Ｃ）参照）。

したがって、外部との接続に際し、第１面接続ランド部６１の中央領域での接続面積に加えて凸状段差（凸状の側面。絶縁性基板１０および第１面導体層２１によって第１面接続ランド部６１に生じた段差）での接続面積を加えた接続面積を確保することが可能となることから、接続強度を向上させることが可能となり、外部との接続での信頼性を向上させることができる。

また、接続強度が向上することから結果的に接続素子１ｃｄの面積をさらに小型化することが可能となり、ひいては高密度配線、高密度実装を実現することが可能となる。

＜実施の形態２＞
図８ないし図１７に基づいて、実施の形態２に係る両面配線基板１について説明する。

図８は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例１を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、２個の矩形状の基板穴１１を互いの辺を対向させて配置形成し、対向する辺の間の絶縁性基板１０に１個の矩形状の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の矩形状は、基板穴１１の矩形状に対して４５度傾斜させ、接続ランド部６０の４頂点の内、２頂点に対応する角部で基板穴１１を解して相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。

また、第１面接続ランド部６１に対して１本の配線リードパターン６１ｐが形成され、また、第２面接続ランド部６２に対して１本の配線リードパターン６２ｐが形成されている。つまり、第１面接続ランド部６１、第２面接続ランド部６２いずれも両面配線基板１の他の配線部分に対して接続された状態としてある。

図９は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例２を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、３個の円形状の基板穴１１をそれぞれの中心が三角形の頂点に位置するように対向させて配置形成し、三角形の中心位置の絶縁性基板１０に１個の円形状の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の円形状は、基板穴１１の円形状に対して中心からの開き角度１２０度で相互に重なるように配置され、開き角度１２０度の位置で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

また、第１面接続ランド部６１は配線リードパターン６１ｐを設けずに独立して配置され、第２面接続ランド部６２に対して３本の配線リードパターン６２ｐがそれぞれ形成してあり、両面配線基板１の他の配線部分に対して接続された状態としてある。

３個の基板穴１１の配置を変更することによって、両面配線基板１の他の配線部分に対して最適な接続パターンを形成することが可能となる。

図１０は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例３を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図、（Ｄ）は（Ａ）の矢符Ｄ−Ｄでの端面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、４個の円形状の基板穴１１をそれぞれの中心が正方形の頂点に位置するように対向させて配置形成し、正方形の中心位置の絶縁性基板１０に１個の正方形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の正方形は、基板穴１１の円形状に対して正方形の各頂点が相互に重なるように配置され、正方形の各頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

また、第１面接続ランド部６１は配線リードパターン６１ｐを設けずに独立して配置され、第２面接続ランド部６２に対して２本の配線リードパターン６２ｐがそれぞれ形成してあり、両面配線基板１の他の配線部分に対して接続された状態としてある。

接続ランド部６０は、４方向に配置された外周端部６１ｆおよび外周端部６２ｆで相互に接続されることから、平衡性が良く、より強固な接続が可能となる。なお、接続ランド部６０は、正方形ではなく長方形などその他の四辺形とすることも可能である。

図１１は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例４を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、５個の円形状の基板穴１１をそれぞれの中心が五角形の各頂点に位置するように対向させて配置形成し、５個の五角形相互間にある中心位置の絶縁性基板１０に１個の五角形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の五角形は、基板穴１１の円形状に対して五角形の各頂点が相互に重なるように配置され、五角形の各頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

また、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐは形成していない場合を示すが、基板穴１１の間の絶縁性基板１０を適宜利用して形成することが可能である。

実施例３あるいは実施例４で示すように、多角形の接続ランド部６０を形成し、それぞれの頂点に外周端部６１ｆ、６２ｆを配置することによって、第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２相互間の接続面積を拡大することが可能となる。

つまり、第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２は、相互に対向する多角形としてあり、対向する角部を基板穴１１で接続してあることが望ましい。この構成により、第１面接続ランド部６１と第２面接続ランド部６２との間での接続面積を拡大することが可能となることから、接続強度を向上させて接続素子１ｃｄの剥がれ強度をさらに向上させ、信頼性を向上させることができる。

図１２は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例５を示す平面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、１個の円形状の基板穴１１を正方形（四辺形）の１個の頂点に対応させて配置形成し、絶縁性基板１０に１個の正方形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の正方形は、基板穴１１の円形状に対して正方形の頂点が相互に重なるように配置され、正方形の頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

なお、端面形状は、図８ないし図１１で示した両面配線基板１と同様であるので図示は省略する。また、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐは形成していない場合を示すが、絶縁性基板１０を適宜利用して形成することが可能である。

図１３は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例６を示す平面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、２個の円形状の基板穴１１を正方形（四辺形）の対角線上にある２個の頂点に対応させて配置形成し、絶縁性基板１０に１個の正方形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２。なお、第２面接続ランド部６２は不図示。）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の正方形は、正方形の対角線上の頂点が基板穴１１の円形状に対して相互に重なるように配置され、正方形の対角線上の各頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

なお、端面形状は、図８ないし図１１で示した両面配線基板１と同様であるので図示は省略する。また、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐは形成していない場合を示すが、絶縁性基板１０を適宜利用して形成することが可能である。

図１４は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例７を示す平面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、３個の円形状の基板穴１１を正方形（四辺形）の３個の頂点に対応させて配置形成し、絶縁性基板１０に１個の正方形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２。なお、第２面接続ランド部６２は不図示。）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の正方形は、４個の頂点の内で３個の頂点が基板穴１１の円形状に対して相互に重なるように配置され、正方形の３個の頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

なお、端面形状は、図８ないし図１１で示した両面配線基板１と同様であるので図示は省略する。また、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐは形成していない場合を示すが、絶縁性基板１０を適宜利用して形成することが可能である。

図１５は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例８を示す平面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、４個の円形状の基板穴１１を正方形（四辺形）の各頂点に対応させて配置形成し、絶縁性基板１０に１個の正方形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２。なお、第２面接続ランド部６２は不図示。）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の正方形は、正方形の各頂点が基板穴１１の円形状に対して相互に重なるように配置され、正方形の各頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

なお、端面形状は、図８ないし図１１で示した両面配線基板１と同様であるので図示は省略する。また、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐは形成していない場合を示すが、絶縁性基板１０を適宜利用して形成することが可能である。

図１６は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例９を示す平面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、１個の円形状の基板穴１１に対応させて３個の正方形（四辺形）の頂点を配置形成し、絶縁性基板１０に３個の正方形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２。なお、第２面接続ランド部６２は不図示。）を設けてある。

したがって、接続ランド部６０の正方形は、正方形の１個の頂点が基板穴１１の円形状に対して相互に重なるように配置され、正方形の頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１と同様の作用効果が得られる。

なお、端面形状は、図８ないし図１１で示した両面配線基板１と同様であるので図示は省略する。また、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐは形成していない場合を示すが、絶縁性基板１０を適宜利用して形成することが可能である。

本実施例では、接続素子１ｃｄは、１個の基板穴１１に対して複数個形成してある。したがって、複数個の接続素子１ｃｄで基板穴１１を共用し、基板穴１１の個数を低減して基板穴１１の面積を低減させることが可能となることから、絶縁性基板１０の強度を確保することが可能となり、接続素子１ｃｄの剥がれ強度をさらに向上させ、信頼性を向上させることができる。

図１７は、本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例１０を示す平面図である。

本実施例に係る両面配線基板１（接続素子１ｃｄ）では、９個の円形状の基板穴１１を３行３列でマトリックス状に配置し、形成される網の目に対応する内側の４箇所に２行２列に対応させて４個の正方形（四辺形）正方形の接続ランド部６０（第１面接続ランド部６１および第２面接続ランド部６２。なお、第２面接続ランド部６２は不図示。）を設けてある。

したがって、４個の接続ランド部６０の各正方形は、正方形の４個の各頂点が基板穴１１の円形状に対して相互に重なるように配置され、正方形の各頂点に対応する角部で相互に接続された外周端部６１ｆを構成している。つまり、実施例１、実施例９と同様の作用効果が得られる。

なお、端面形状は、図８ないし図１１で示した両面配線基板１と同様であるので図示は省略する。また、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐは形成していない場合を示すが、絶縁性基板１０を適宜利用して形成することが可能である。

なお、上述した実施例１ないし実施例１０に示した円形状、多角形（正方形、四辺形、五角形）に限らず、基板穴１１、接続ランド部６０の形状、配置は種々の変更が可能であり、両面配線基板１での必要に応じて接続素子１ｃｄを形成することが可能である。

また、接続ランド部６０、配線リードパターン６１ｐ、配線リードパターン６２ｐの配置方向、配線方向を最適化することにより、接続素子１ｃｄ群の面積を削減することができるので高密度配線、高密度実装が可能な両面配線基板１とすることが可能となる。

なお、例えば、接続ランド部６０のランド径、ランド辺長は、例えば数十μｍから数百μｍ程度とすることが可能であり、接続素子１ｃｄ相互間の間隔は、例えば数十μｍから数百μｍ程度とすることが可能である。

＜実施の形態３＞
図１８および図１９に基づいて、実施の形態３に係る実装両面配線基板について説明する。

図１８は、本発明の実施の形態３に係る実装両面配線基板の概略構成を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

本実施の形態に係る実装両面配線基板２は、実施の形態１で形成した両面配線基板１（図７参照）の第１面接続ランド部６１に外部（図示しない外部電子部品）と接続される半田ボール２ｂを備える。

本実施の形態では、第１面接続ランド部６１の中央領域は、基板穴１１での第１面接続ランド部６１と第２面接続ランド部６２との接続位置に対して凸状としてあり（図７（Ｃ）参照）、しかも半田ボール２ｂを備える第１面接続ランド部６１の近傍に基板穴１１を設けてある。したがって、半田ボール２ｂを形成した場合でも、半田ボール２ｂと第１面接続ランド部６１との間に気泡が含まれる恐れが無く、接続強度が高く信頼性の高い接続（半田付け）を施すことが可能となる。また、実施の形態１で説明したとおり、第１面接続ランド部６１の側面での段差によっても接続強度を向上させることが可能となる。

また、実装両面配線基板２では、基板穴１１によって、半田接合時の加熱による線膨張などの熱応力を抑制することが可能となり、微細ピッチで高密度、多端子に形成された例えばＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）とされた半導体装置を高精度かつ高信頼性で接続することが可能となる。つまり、ＣＳＰなどのキャリア基板として有効な実装両面配線基板２を提供することが可能となる。

なお、両面配線基板１としては、実施の形態１の場合に限らず、実施の形態２に係るものを適用することが可能である。

図１９は、本発明の実施の形態３に係る実装両面配線基板の概略構成を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。

本実施の形態に係る実装両面配線基板２は、実施の形態１で形成した両面配線基板１（図７参照）の第１面接続ランド部６２に外部（図示しない外部電子部品）と接続される半田ボール２ｂを備える。つまり、図１８の変形例である。

本実施例によっても、第２面接続ランド部６２には気泡が混入する凹部が無いことから図１８の場合と同様の作用効果を得ることが可能となる。

上述したとおり、本実施の形態に係る実装両面配線基板２は、外部との接続領域となる接続素子１ｃｄを有する両面配線基板１と、接続素子１ｃｄへ接合され外部と接続される半田ボール２ｂとを備え、両面配線基板１は、実施の形態１、実施の形態２のいずれかの両面配線基板１とすることが可能である。したがって、実装される外部（図示しない外部電子部品）との接続強度を向上させ、信頼性の高い実装両面配線基板２とすることが可能となる。

本発明の実施の形態１に係る両面配線基板の製造工程の概略処理フローを示すフローチャートである。 本発明の実施の形態１に係る両面配線基板のスタート材料を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 図２に示した両面配線基板の絶縁性基板に基板穴を形成した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 図３に示した両面配線基板で基板穴に形成した第１面接続導体層を介して両面の導体層を接続した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 図４に示した両面配線基板で形成した第１面接続導体層および第２面接続導体層に対してエッチングレジストを塗布した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 図５に示した両面配線基板で形成したエッチングレジストをパターニングした状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 図６に示した両面配線基板で形成したレジストパターンを適用して第１面接続導体層、第１面導体層、第２面接続導体層、第２面導体層をエッチングし、第１面接続ランド部および第２面接続ランド部を形成して接続素子を完成した状態を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例１を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例２を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例３を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図、（Ｄ）は（Ａ）の矢符Ｄ−Ｄでの端面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例４を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例５を示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例６を示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例７を示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例８を示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例９を示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る両面配線基板の実施例１０を示す平面図である。 本発明の実施の形態３に係る実装両面配線基板の概略構成を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 本発明の実施の形態３に係る実装両面配線基板の概略構成を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｃ−Ｃでの端面図である。 従来例１に係る両面配線基板の概略構造を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。 従来例２に係る両面配線基板の概略構造を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。 従来例３に係る実装両面配線基板の概略構造を示す説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。

符号の説明

１ 両面配線基板
１ｃｄ 接続素子
１ｆ 第１面
１ｓ 第２面
２ 実装両面配線基板
２ｂ 半田ボール
１０ 絶縁性基板
１１ 基板穴
２０ 導体層
２１ 第１面導体層
２２ 第２面導体層
３０ 接続導体層
３１ 第１面接続導体層
３２ 第２面接続導体層
４０ エッチングレジスト
４１ 第１面エッチングレジスト
４２ 第２面エッチングレジスト
５０ レジストパターン
５１ 第１面レジストパターン
５１ｆ 外周端部
５２ 第２面レジストパターン
５２ｆ 外周端部
６０ 接続ランド部
６１ 第１面接続ランド部
６１ｆ 外周端部
６１ｐ 配線リードパターン
６２ 第２面接続ランド部
６２ｆ 外周端部
６２ｐ 配線リードパターン

Claims (4)

1. 絶縁性基板と、該絶縁性基板の第１面に形成された第１面導体層と、前記第１面の反対側の第２面に形成された第２面導体層と、前記第１面導体層に積層され前記絶縁性基板に形成された基板穴を介して前記第１面導体層および前記第２面導体層を相互に接続する第１面接続導体層とを有して外部との接続領域となる接続素子を備える両面配線基板であって、
   前記接続素子は、前記第１面導体層および前記第１面接続導体層によって構成された第１面接続ランド部と、前記第２面導体層によって構成された第２面接続ランド部とを備え、
   前記第１面接続ランド部と前記第２面接続ランド部とは、前記絶縁性基板を挟んで相互に対向し、
   前記基板穴は、前記第１面接続ランド部の外周端部および前記第２面接続ランド部の外周端部に対応させて形成してあり、
   前記第１面接続ランド部の外周端部と前記第２面接続ランド部の外周端部とは、前記基板穴を介して接続してあり、
   前記第１面接続ランド部の中央領域は、前記基板穴で接続された前記第１面接続ランド部と前記第２面接続ランド部との接続位置に対して凸状としてあり、
   前記第１面接続ランド部には、前記接続素子に接合され外部と接続される半田ボールが備えられ、この半田ボールを備えた第１面接続ランド部の近傍に前記基板穴を設けてあること
   を特徴とする両面配線基板。
2. 請求項１に記載の両面配線基板であって、
   前記基板穴は、１個の前記接続素子に対して複数個形成してあること
   を特徴とする両面配線基板。
3. 請求項１または請求項２に記載の両面配線基板であって、
   前記接続素子は、１個の前記基板穴に対して複数個形成してあること
   を特徴とする両面配線基板。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の両面配線基板であって、
   前記第１面接続ランド部および前記第２面接続ランド部は、相互に対向する多角形としてあり、対向する角部を前記基板穴で接続してあること
   を特徴とする両面配線基板。

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