JP6141395B2 - トリゲート・デバイス及び製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体集積回路製造の分野に係り、特に、トリゲート完全空乏基板トランジスタ及びその製造方法に関する。
デバイス性能を向上させるために、シリコン・オン・インシュレータ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ；ＳＯＩ）トランジスタが、最新の集積回路の製造について提案されている。図１は、標準的な完全空乏（ｆｕｌｌｙ ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ＳＯＩトランジスタ１００を示す。ＳＯＩトランジスタ１００は単結晶シリコン基板１０２を含む。この単結晶シリコン基板１０２は、絶縁層１０４を備える。絶縁層１０４は、例えば、単結晶シリコン基板１０２上に形成された埋め込み酸化膜などである。絶縁層１０４上に、単結晶シリコンボディ１０６が形成される。単結晶シリコンボディ１０６上にはゲート絶縁層１０８が形成され、ゲート絶縁膜１０８上にはゲート電極１１０が形成される。シリコンボディ１０６には、ゲート電極１１０の左右両側に沿って、ソース１１２領域及びドレイン１１４領域が形成される。
理想的なサブスレッショルド勾配を利用してオン電流／オフ電流比を最適化するトランジスタ構造として、完全空乏ＳＯＩが提案されている。トランジスタ１００を用いて理想的なサブスレッショルド勾配を実現するためには、シリコンボディ１０６の厚さがトランジスタのゲート長（Ｌｇ）の約１／３のサイズでなければならない（Ｔｓｉ＝Ｌｇ／３）。しかし、ゲート長を縮小するとき、特にそれらが３０ｎｍに近づくとき、シリコン薄膜の厚さ（Ｔｓｉ）を次第に減少させる必要性は、この方法をますます非現実的にする。ゲート長が３０ナノメートルのとき、シリコンボディに要求される厚さは１０ナノメートル未満である必要があると考えられ、２０ナノメートルのゲート長に対して約６ナノメートル未満である必要があると考えられる。１０ナノメートル未満の厚さを持つシリコン薄膜の製造は、極めて困難であると考えられる。一方で、１ナノメートル・オーダーのウェハ均一性は困難な挑戦である。もう一方で、接触抵抗を減らすために隆起したソース／ドレイン領域が形成されるようにこれら薄膜を接触させることを可能にすることはほぼ不可能となる。なぜなら、このソース／ドレイン領域のシリコン薄膜層は、ゲート・エッチング及びそれに続く様々な洗浄及びシリコンの成長に不十分なシリコン１０６を残すスペーサ・エッチングの間に、消耗することになるからである。
図２Ａ及び２Ｂに図示するようなダブルゲート（ＤＧ）・デバイスが、このシリコン厚さの問題を緩和するものとして提案されている。ダブルゲート（ＤＧ）・デバイス２００は、絶縁基板２０４上に形成されたシリコンボディ２０２を含む。ゲート誘電体２０６がシリコンボディ２０２の左右両側に形成され、ゲート電極２０８がシリコンボディ２０２の両側に形成されたゲート誘電体２０６に隣接して形成される。窒化珪素などの十分に厚い絶縁層２０９が、ゲート電極２０８をシリコンボディ２０２上部から絶縁する。
ダブルゲート（ＤＧ）・デバイス２００は、基本的に、該デバイスのチャネルの両側に１つずつ、２つのゲートを備える。ダブルゲート・デバイス２００は、チャネルの両側に１つずつゲートを備えるため、シリコンボディの厚さ（Ｔｓｉ）をシングルゲート・デバイスの倍にしても、依然として完全空乏トランジスタとしての作動を得ることができる。すなわち、ダブルゲート・デバイス２００を用いれば、Ｔｓｉ＝（２×Ｌｇ）／３となる完全空乏トランジスタを形成することができる。しかし、ダブルゲート（ＤＧ）・デバイス２００の製造可能な形のほとんどは、該デバイスのゲート長（Ｌｇ）をパターニングするのに用いられたものより０．７倍に小さいフォトリソグラフィでボディ２０２のパターニングが行われることを必要とする。高密度集積回路を得るためには、一般的に、ゲート電極２０８のゲート長（Ｌｇ）に対して最もアグレッシブなフォトリソグラフィが発生するようにすることが望ましい。ダブルゲート構造はシリコン膜厚さの２倍にする（なぜなら、チャネルの両側にそれぞれゲートがあるため）にもかかわらず、これらの構造は恐ろしいほどに製造が困難である。例えば、シリコンボディ２０２は、約５：１のアスペクト比（幅に対する高さの比）を持つシリコンボディ２０２を生成可能なシリコンボディ・エッチングを必要とする。
トリゲート・トランジスタ構造及びその製造方法を提供する。
一態様に従って、非平面型半導体デバイスを製造する方法が提供される。当該方法は、
平面状の上面及び一対の対向する側壁を有する半導体ボディを基板上に形成する工程；
前記半導体ボディの前記上面及び前記一対の対向する側壁の上にゲート誘電体を形成する工程；
前記ゲート誘電体上に、及び前記半導体ボディの前記対向する側壁上の前記ゲート誘電体に隣接して、ゲート電極を形成する工程であり、該ゲート電極の下で前記半導体ボディは第１導電型を有する、ゲート電極を形成する工程；
前記ゲート電極の下の前記半導体ボディ内に第１導電型のハロ領域を形成する工程；及び
前記ゲート電極を挟んで対向するように前記半導体ボディ内にソース領域及びドレイン領域を形成する工程；
を有する。
空乏基板トランジスタの横断面図である。 ダブルゲート空乏基板トランジスタを示す図である。 ダブルゲート空乏基板トランジスタを示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を示す図である。 ３０ｎｍのゲート長（ｌｇ）を有する部分空乏トリゲート・トランジスタと２０ｎｍのゲート長（ｌｇ）を有する完全空乏トリゲート・トランジスタを得るのに用いることができるボディ高さ及びボディ幅を示すプロットである。
本発明は、新規なトリゲート・トランジスタ構造及びその製造方法である。以下の説明においては、本発明の完全な理解を提供するために多くの具体的な詳細が説明される。他の例において、良く知られた半導体プロセス及び製造法は、本発明を不必要にぼかさないように特に詳細には説明しない。
本発明は、新規なトリゲート・トランジスタ構造及びその製造方法である。本発明の一実施形態において、トリゲート・トランジスタは、ＳＯＩトランジスタである。トリゲート・トランジスタは、完全空乏基板トランジスタ用途に用いられるのが理想的である。トリゲート・トランジスタは、基板上に形成された薄い半導体ボディを含み、該基板は絶縁基板又は半導体基板となる。半導体ボディの上面及び側壁上にゲート誘電体が形成される。半導体ボディの上面のゲート誘電体上と半導体ボディの側壁上に形成されたゲート誘電体に隣接して、ゲート電極が形成される。ソース／ドレイン領域が、半導体ボディのゲート電極とは反対側に形成される。ゲート電極とゲート誘電体とが半導体ボディの３つの面を囲んでいるため、このトランジスタは、基本的に、３つの別々のチャネル及びゲートを有する。トランジスタのゲート「幅」は、この半導体ボディのこれら３つの辺の各々の合計と等しい。「幅」を大きくすると、複数のトリゲート・トランジスタを一体に接続してトランジスタを形成することができる。
半導体ボディに３つの別々のチャネルが形成されているため、トランジスタを「ＯＮ」にするとこの半導体ボディを完全に空乏させることができ、これにより、極薄半導体ボディを用いたり、半導体ボディをリソグラフィック・パターニングによってデバイスのゲート長（Ｌｇ）より小さい寸法にしたりする必要無しに、３０ナノメートル未満のゲート長を持つ完全空乏トランジスタを形成することができる。すなわち、本発明のトリゲート・トランジスタの構造は、半導体ボディの厚さ及び幅がデバイスのゲート長に等しい完全空乏トランジスタを製造することを可能にする。本発明の新規のトリゲート・トランジスタは完全に空乏化させて作動させることができるため、本デバイスは、理想的な（すなわち、非常にシャープな）サブスレッショルド勾配と、１００ｍＶ／Ｖ未満、理想的には約６０ｍＶ／Ｖに低減されたＤＩＢＬ（ｄｒａｉｎ ｉｎｄｕｃｅｄ ｂａｒｒｉｅｒ ｌｏｗｅｒｉｎｇ；ドレイン誘起障壁低下）短チャネル効果とによって特徴付けられる。この低減されたＤＩＢＬ短チャネル効果は、本デバイスが「オフ」されたときの漏れ電流を小さくし、電力消費を低減させる。
本発明の一実施形態に係るトリゲート・トランジスタ３００の一例を図３に示す。トリゲート・トランジスタ３００は、基板３０２上に形成される。本発明の一実施形態において、基板３０２は、下側の単結晶性シリコン基板３０４を含む絶縁基板であり、シリコン基板３０４の上にはシリコン酸化膜などの絶縁層３０６が形成される。しかし、トリゲート・トランジスタ３００は、二酸化珪素、窒化物、酸化物、及びサファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅｓ）から形成された基板などのあらゆる良く知られた絶縁基板上に形成することができる。本発明の一実施形態において、基板３０２は、単結晶性シリコン基板やヒ化ガリウム基板などの半導体基板であってもよい。
トリゲート・トランジスタ３００は、絶縁基板３０２の絶縁体３０６上に形成された半導体ボディ３０８を含む。半導体ボディ３０８は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉｘＧｅｙ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、及びカーボン・ナノチューブなどのあらゆる良く知られた半導体材料から形成することができる。半導体ボディ３０８は、外部からの電気制御によって絶縁状態から伝導状態へ可逆的に変えることができるあらゆる良く知られた材料から形成することができる。トランジスタ３００の最良の電気的性能が望まれるとき、半導体ボディ３０８は、理想的には、単結晶性膜である。例えば、トランジスタ３００が高密度回路（例えば、マイクロプロセッサなど）など高性能用途において用いられるとき、半導体ボディ３０８は単結晶性膜である。しかし、トランジスタ３００が厳しい性能が比較的要求されない例えば液晶ディスプレイなどの用途に用いられるとき、半導体ボディ３０８は多結晶性膜でもよい。絶縁体３０６は、半導体ボディ３０８を単結晶性シリコン基板３０２から絶縁する。本発明の一実施形態において、半導体ボディ３０８は単結晶性シリコン膜である。半導体ボディ３０８は、一対の側壁３１０及び３１２を有する。これら側壁は、横方向においてそれぞれ反対側にあり、それらの間の距離は半導体ボディ幅３１４を定義する。加えて、半導体ボディ３０８は、基板３０２上に形成された底面３１８の反対側に上面３１６を有する。上面３１６と底面３１８の間の距離は、ボディ高さ３２０を定義する。本発明の一実施形態において、ボディ高さ３２０はボディ幅３１４と略等しい。本発明の一実施形態において、ボディ３０８は、３０ナノメートル未満、理想的には２０ナノメートル未満、の幅３１４及び高さ３２０を有する。本発明の一実施形態において、ボディ高さ３２０は、ボディ幅３１４の１／２からボディ幅３１４の２倍の間である。
トリゲート・トランジスタ３００は、ゲート絶縁層３２２を有する。ゲート絶縁層３２２は、図３に示すように、半導体ボディ３０８上に、その３つの面を囲むように、形成される。ゲート絶縁層３２２は、図３に示すように、ボディ３０８の側壁３１２、上面３１６、及び側壁３１０のそれぞれ上に又は隣接して、形成される。ゲート絶縁層３２２は、あらゆる良く知られたゲート絶縁層でよい。本発明の一実施形態において、ゲート絶縁層は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯｘＮｙ）、又はシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）絶縁層である。本発明の一実施形態において、ゲート絶縁層３２２は、５〜２０Åの厚さに形成されたシリコンオキシナイトライド膜である。本発明の一実施形態において、ゲート絶縁層３２２は、タンタルペンタオキサイド（Ｔａ２Ｏ５）やチタンチウムオキサイド（ＴｉＯ２）などの金属酸化物誘電体などの高Kゲート絶縁層である。ゲート絶縁層３２２は、ＰＺＴなどの他の種類の高Ｋ誘電体であってもよい。
トリゲート・デバイス３００は、ゲート電極３２４を有する。ゲート電極３２４は、図３に示すように、ゲート絶縁層３２２上に、それを囲むように、形成される。ゲート電極３２４は、半導体ボディ３０８の側壁３１２上に形成されたゲート絶縁層３２２上に又は隣接して形成され、半導体ボディ３０８の上面３１６上に形成されたゲート絶縁層３２２上に形成され、さらに、半導体ボディ３０８の側壁３１０上に形成されたゲート絶縁層３２２上に又は隣接して形成される。ゲート電極３２４は、一対の側壁３２６及び３２８を有する。これら側壁は、横方向において反対側にあり、それらの間の距離はトランジスタ３００のゲート長（Ｌｇ）３３０を定義する。本発明の一実施形態において、ゲート電極３２４の左右両側の側壁３２６及び３２８は、半導体ボディ３０８の左右両側の側壁３１０及び３１２に直角な方向に延在する。
ゲート電極３２４は、あらゆる適切なゲート電極材料から形成することができる。本発明の一実施形態において、ゲート電極３２４は、１×１０１９原子／ｃｍ３〜１×１０２０原子／ｃｍ３のドーピング濃度の多結晶性シリコンを含む。本発明の一実施形態において、ゲート電極は、タングステン、タンタル、チタン、及びそれらの窒化物などの金属ゲート電極であってもよい。本発明の一実施形態において、ゲート電極は、４．６〜４．８ｅＶの中間ギャップ仕事関数（ｍｉｄ−ｇａｐ ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する材料から形成される。明らかなように、ゲート電極３２４は、必ずしも単一材料である必要はなく、多結晶性シリコン／金属電極や、金属／多結晶性シリコン電極などの複合薄膜積層であってもよい。
トリゲート・トランジスタ３００は、ソース領域３３０とドレイン領域３３２とを有する。ソース領域３３０及びドレイン領域３３２は、図３に示すように、ゲート電極３２４の両側の半導体ボディ３０８に形成される。ソース領域３３０及びドレイン領域３３２は、Ｎ型又はＰ型などの同じ伝導型から形成される。本発明の一実施形態において、ソース領域３３０及びドレイン領域３３２は、１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３のドーピング濃度を有する。ソース領域３３０及びドレイン領域３３２は、均一濃度で形成されてもよく、或いは、先端領域（例えば、ソース／ドレイン拡張部分）などのドーピング濃度又はプロファイルが異なるサブ領域を含んでいてもよい。本発明の一実施形態において、トランジスタ３００が左右対称のトランジスタであるとき、ソース領域３３０及びドレイン領域３３２は、同じドーピング濃度及びプロフィールを持つ。本発明の一実施形態において、トリゲート・トランジスタ３００が非対称のトランジスタとして形成されるとき、特定の電気特性が得られるようにソース領域３３０及びドレイン領域３３２のドーピング濃度及びプロファイルを変えることができる。
半導体ボディ３０８のうちソース領域３３０とドレイン領域３３２の間に配置された一部分は、トランジスタ３００のチャネル領域３５０を定義する。また、チャネル領域３５０は、半導体ボディ３０８のうちゲート電極３２４によって囲まれたエリアと定義することもできる。しかし、時折、ソース／ドレイン領域が、例えば拡散を通じてゲート電極の真下にわずかに延在してゲート電極長（Ｌｇ）より少し小さいチャネル領域を定義する場合もある。本発明の一実施形態において、チャネル領域３５０は、真性又は非ドープド（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）単結晶性シリコンである。本発明の一実施形態において、チャネル領域３５０は、ドープド（ｄｏｐｅｄ）単結晶性シリコンである。チャネル領域３５０をドーピング処理するとき、通常、１×１０１６〜１×１０１９原子／ｃｍ３の伝導度レベルにドーピングされる。本発明の一実施形態において、チャネル領域をドーピング処理するとき、通常、ソース領域３３０及びドレイン領域３３２と逆の伝導型にドーピング処理される。例えば、ソース及びドレイン領域がＮ型であるとき、チャネル領域はＰ型にドーピング処理される。同様に、ソース及びドレイン領域がＰ型であるとき、チャネル領域はＮ型である。このように、トリゲート・トランジスタ３００は、ＮＭＯＳトランジスタへと形成することも、ＰＭＯＳトランジスタへと形成することも可能である。チャネル領域３５０は、均一にドーピング処理されてもよく、或いは、不均一に又は特定の電気特性及び性能特性を提供するために異なる濃度を持つようにドーピング処理されてもよい。例えば、所望であれば、チャネル領域３５０は良く知られた「ハロ（ｈａｌｏ）」領域を含んでもよい。
半導体ボディを３面で囲むゲート誘電体とゲート電極とを設けることにより、トリゲート・トランジスタは、３つのチャネルと３つのゲートとを有することを特徴とする。ここで、第一のゲート（ｇ１）はシリコンボディ３０８の側面３１２上においてソース及びドレイン領域の間に延在し、第二のゲート（ｇ２）はシリコンボディ３０８の上面３１６上においてソース及びドレイン領域の間に延在し、第三のゲート（ｇ３）はシリコンボディ３０８の側壁３１０上においてソース及びドレイン領域の間に延在する。トランジスタ３００のゲート「幅」（Ｇｗ）は、３つのチャネル領域の幅の合計である。すなわち、トランジスタ３００のゲート幅は、側壁３１０におけるシリコンボディ３０８の高さ３２０＋上面３１６におけるシリコンボディ３０８の幅＋側壁３１２におけるシリコンボディ３０８の高さ３２０に等しい。一体に結合された複数のデバイス（例えば、１つのゲート電極３２４によって囲まれた複数のシリコンボディ３０８）を用いることによって、より大きい「幅」のトランジスタを得ることができる。
チャネル領域３５０は３面がゲート電極３２４及びゲート誘電体３２２によって囲まれているため、トランジスタ３００が「オン」されたときにチャネル領域３５０が完全に空乏する完全空乏状態でトランジスタ３００を作動させることができ、完全空乏トランジスタの有益的な電気的特性及び性能が提供される。すなわち、トランジスタ３００が「オン」されると、空乏領域が形成され、チャネル領域３５０が領域３５０の表面における反転層と共に形成される（すなわち、反転層は、半導体ボディの側面及び上面上に形成される）。この反転層は、ソース及びドレイン領域と同じ伝導型を有し、ソース及びドレイン領域の間に伝導チャネルを形成してその間を電流が流れるようにする。本発明に係るトリゲート・トランジスタは、チャネル領域が半導体ボディ３０８の水平方向と垂直方向の双方に形成されるため、非平面トランジスタであると言うことができる。空乏領域は、反転層の下から自由キャリアを奪う。空乏領域は、チャネル領域３５０の底へ延びているため、このトランジスタは、「完全空乏（ｆｕｌｌｙ ｄｅｐｌｅｔｅｄ）」トランジスタであると言うことができる。完全空乏トランジスタは、完全空乏でない又は部分空乏（ｐａｒｔｉａｌｌｙ ｄｅｐｌｅｔｅｄ）トランジスタを越える電気的性能特性を有する。例えば、完全空乏方法でトランジスタ３００を作動させることによって、トランジスタ３００に理想的な又は非常に急なサブスレッショルド勾配が与えられる。このトリゲート・トランジスタは、３０ｎｍ未満の厚さの半導体ボディを用いて製造される場合であっても、８０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満の、理想的には約６０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満の非常に急なサブスレッショルド勾配で製造することができる。加えて、完全空乏方法でトランジスタ３００を作動させると、トランジスタ３００は、改善されたドレイン誘起障壁低下（ＤＩＢＬ）を有する。これは、事実上、より良い「オフ」状態漏れを提供し、漏れを減らすため、電力消費量が低下する。本発明の一実施形態において、トリゲート・トランジスタ３００は、１００ｍＶ／Ｖ未満の、理想的には４０ｍＶ／Ｖ未満のＤＩＢＬ効果を有する。
図６は、それぞれ３０ｎｍのゲート長（Ｌｇ）及び２０ｎｍのゲート長（Ｌｇ）を有する完全空乏（Ｆ．Ｄ）トリゲート・トランジスタ（６０２）又は部分空乏（Ｐ．Ｄ）トリゲート・トランジスタ（６０４）を生成するボディ高さ及びボディ幅を示す２つのプロット６０２及び６０４の図である。本発明の一実施形態において、ボディ高さ、ボディ幅、及びゲート長は、完全空乏トランジスタが形成される寸法を持つように選ばれる。他の実施形態において、トリゲート・トランジスタは、部分空乏トランジスタが形成されるようなボディ高さ、ボディ幅、及びゲート長を有する。
本発明に係るトリゲート・トランジスタ３００の一実施形態において、ソース及びドレインの領域は、図４Ａに示すように、半導体ボディ３０８上にそれを囲むように形成されたシリコン又は他の半導体フィルム４１０を含むことができる。例えば、半導体フィルム４１０は、シリコンフィルムや、シリコンゲルマニウム（ＳｉｘＧｅｙ）などのシリコン合金であってもよい。本発明の一実施形態において、半導体フィルム４１０は、ソース領域３３０及びドレイン領域３３２と同じ伝導型から形成された単結晶性シリコンフィルムである。本発明の一実施形態において、半導体フィルムは、シリコンを原子百分率で約１〜９９％含有するシリコンゲルマニウムなどのシリコン合金であってもよい。半導体フィルム４１０は、必ずしも単結晶性半導体フィルムである必要はなく、一実施形態として多結晶性フィルムであってもよい。本発明の一実施形態において、半導体フィルム４１０は、半導体ボディ３０８のソース領域３３０及びドレイン領域３３２上に形成され、「隆起した」ソース及びドレイン領域を形成する。半導体フィルム４１０は、シリコン窒化物やシリコン酸化物その混合物などの一対の誘電性側壁スペーサ４２０によって、ゲート電極３２４から絶縁することができる。側壁スペーサ４２０は、図４Ａに示すように、ゲート電極３２４の左右両側の側壁３２６及び３２８に沿って延在するため、図４Ａに示すように半導体フィルム４１０をゲート電極３２４から絶縁する。本発明の一実施形態において、側壁スペーサ４２０は、２０〜２００Åの厚さを有する。半導体ボディのソース及びドレイン領域３３０及び３３２にシリコン又は半導体フィルムを追加して「隆起した」ソース及びドレイン領域を形成することによって、ソース及びドレイン領域の厚さが増えるため、トランジスタ３００に対するソース／ドレイン接触抵抗が減り、その電気的特性及び性能が向上する。
本発明の一実施形態において、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、及びコバルトシリサイドなどのシリサイド・フィルム４３０が、ソース領域３３０及びドレイン領域３３２上に形成される。本発明の一実施形態において、シリサイド・フィルム４３０は、図４Ａに示すように、シリコンボディ３０８のシリコンフィルム４１０上に形成される。しかし、シリサイド・フィルム４３０は、シリコンボディ３０８の上面３１６のすぐ上に形成することも可能である。例えば、シリサイド・フィルム４３０は、最初にドーピング処理されていないシリコンフィルムやシリコンボディなどのシリコンフィルムを形成し、それからシリサイド・プロセス中にシリコンフィルムを完全に消費することによってシリコンボディ３０８上に形成することができる。絶縁スペーサ４２０により、シリサイド・フィルム４３０を自己整合プロセス（すなわち、サリサイド・プロセス）において半導体ボディ３０８又はシリコンフィルム４１０上に形成することができる。
加えて、本発明の一実施形態において、半導体又はシリコンフィルム４４０は、シリサイド・フィルム４５０などのゲート電極３２５の上面上のシリサイド・フィルム４５０などのゲート電極３２４の上面上に形成することもできる。シリサイド・フィルム４５０及びシリコンフィルム４４０は、通常、シリコンボディ３０８上のシリサイド・フィルム４３０及びシリコンフィルム４２０と同時に形成される。ゲート電極上のシリサイド・フィルム４５０上にシリコンフィルム４４０を形成することによって、ゲートに対する接触抵抗が減り、よってトランジスタ３００の電気的性能が向上する。
上述のように、トランジスタ３００のゲート「幅」は、トランジスタ３００の半導体ボディ３０８から作成された３つのゲート幅の合計と等しい。より大きいゲート幅を有するトランジスタを製造するために、トランジスタ３００は、図４Ｂに示すように、追加的な又は複数の半導体ボディ又はフィンガ（指）３０８を含むことができる。各半導体ボディ３０８は、図４Ｂに示すように、その上面上及び側壁上に形成されたゲート絶縁層３２２を有する。ゲート電極３２４は、半導体ボディ３０８の各々の上の各ゲート誘電体３２２上に及びそれに隣接して形成される。また、各半導体ボディ３０８は、図４Ｂに示すように、ゲート電極３２４の両側の上の半導体ボディ３０８に形成されたソース領域３３０及びドレイン領域３３２も含む。本発明の一実施形態において、各半導体ボディ３０８は、残りの半導体ボディ３０８と同じ幅及び高さ（厚さ）に形成される。本発明の一実施形態において、半導体ボディ３０８の各ソース領域３３０及びドレイン領域３３２は、図４Ｂに示すように、半導体ボディ３０８を形成するのに用いられる半導体材料によって電気的に一体に結合され、ソース・ランディング・パッド４６０及びドレイン・ランディング・パッド４８０を形成する。別の方法として、ソース領域３３０及びドレイン領域３３２は、様々なトランジスタ３００を電気的に一体に相互接続して機能回路とするのに用いられるより高水準のメタライゼーション（例えば、金属１、金属２、金属３・・・）によって一体に結合することもできる。図４Ｂに示したトランジスタ３００のゲート幅は、半導体ボディ３０８の各々によって作成されたゲート幅の合計と等しい。このように、トリゲート・トランジスタ３００は、任意の所望のゲート幅で形成することができる。
本発明の実施形態に係るトリゲート・トランジスタを製造する方法を図５Ａ〜５Ｊに示す。トリゲート・トランジスタの製造は、基板５０２から始まる。シリコン又は半導体フィルム５０８が、図５Ａに示すように、基板５０２上に形成される。本発明の一実施形態において、基板５０２は、図５Ａに示すように、絶縁基板である。本発明の一実施形態において、絶縁基板５０２は、下部単結晶性シリコン基板５０４と、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜などの上部絶縁層５０６とを含む。絶縁層５０６は、半導体フィルム５０８を基板５０４から絶縁する。一実施形態において、絶縁層５０６は、２００〜２０００Åの厚さに形成される。絶縁層５０６は、「埋め込み酸化膜」層と呼ばれる場合もある。シリコン又は半導体フィルム５０８が絶縁基板５０２上に形成されると、“シリコン又は半導体・オン・インシュレータ”（ＳＯＩ）基板５００が作成される。本発明の他の実施形態として、基板５０２は、シリコン単結晶性基板やガリウム砒素基板などの半導体基板であってもよい。
半導体フィルム５０８はシリコンフィルムであることが理想的ではあるが、他の実施形態として、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム合金（ＳｉｘＧｅｙ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、カーボン・ナノチューブなどの他の種類の半導体フィルムであってもよい。本発明の一実施形態において、半導体フィルム５０８は、真性（すなわちドーピング処理されていない）シリコンフィルムである。他の実施形態として、半導体フィルム５０８は、１×１０１６〜１×１０１９原子／ｃｍ３の濃度レベルを持つｐ型又はｎ型の伝導型にドーピング処理される。半導体フィルム５０８は、ながらドーピング処理（すなわち、堆積している間に行われるドーピング処理）されてもよく、或いは、例えばイオン注入法によってそれが基板５０２上で形成された後にドーピング処理されてもよい。形成後のドーピング処理は、同じ絶縁基板上におけるＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトリゲート・デバイスの双方の容易な製造を可能にする。この時点での半導体ボディのドーピング・レベルが、このデバイスのチャネル領域のドーピング・レベルを決定する。
半導体フィルム５０８は、製造されるトリゲート・トランジスタの後で形成される１以上の半導体ボディに望まれる高さと略等しい厚さに形成される。本発明の一実施形態において、半導体フィルム５０８は、３０ナノメートル未満、理想的には２０ナノメートル未満の厚さ又は高さ５０９を有する。本発明の一実施形態において、半導体フィルム５０８は、製造されるトリゲート・トランジスタの所望ゲート「長」に略等しい厚さに形成される。本発明の一実施形態において、半導体フィルム５０８は、本デバイスの所望ゲート長より厚く形成される。本発明の一実施形態において、半導体フィルム５８０は、製造されるトリゲート・トランジスタがその設計されたゲート長（Ｌｇ）について完全空乏方法で作動させることができる厚さに形成される。
半導体フィルム５０８は、任意の良く知られた方法で、絶縁基板５０２上に形成することができる。ＳＩＭＯＸ法として知られる絶縁物基板上にシリコンを形成する方法においては、酸素原子を単結晶性シリコン基板中に大量に注入し、それからアニーリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ；熱処理）して基板内に埋め込み酸化膜５０６を形成する。単結晶性シリコン基板のうち埋め込み酸化膜より上の部分は、シリコンフィルム５０８となる。ＳＯＩ基板を形成するのに現在用いられている別の手法は、通常、貼り合わせＳＯＩと呼ばれるエピタキシャル・シリコンフィルム・トランスファー法である。この手法では、第一のシリコン・ウェハの表面上には、後にＳＯＩ構造において埋め込み酸化膜５０６として機能する酸化薄膜が成長している。次に、この第一のシリコン・ウェハ中に大量の水素を注入して、該第一のウェハのシリコン表面の下に高応力領域を形成する。次いで、この第一のウェハは、引っくり返され、第二のシリコン・ウェハの表面に貼り合わされる。次いで、第一のウェハは、水素注入によって作られた高応力面に沿って割れる。これにより、上部にシリコン薄膜層を備え、シリコン薄膜層の下の埋め込み酸化膜はすべて単結晶性シリコン基板の上面上にある、ＳＯＩ構造が得られる。ＨＣスムージングや化学的機械研磨（ＣＭＰ）などの良く知られたスムージング法を用いて、半導体フィルム５０８の上面を所望の厚さにスムージングすることができる。
この時点で、所望であれば、ＳＯＩ基板５００に絶縁領域（図示しない）を形成し、そこに形成される様々なトランジスタをお互いに絶縁するようにすることもできる。絶縁領域は、例えば良く知られたリソグラフィック及びエッチング法などによってトリゲート・トランジスタを囲む基板フィルム５０８の一部をエッチングで落とし、それからＳｉＯ２などの絶縁膜でそのエッチングされた領域を埋め戻すことによって、形成することができる。
基板５００上にトリゲート・トランジスタを形成するために、図５Ｂに示すように、フォトレジスト・マスク５１０が半導体フィルム５０８上に形成される。このフォトレジスト・マスク５１０は、後に半導体フィルム５０８に半導体ボディ又はフィンが形成される位置を定義する１以上のパターン５１２を含む。フォトレジスト・パターン５１２は、後に形成されるトリゲート・トランジスタの半導体ボディ又はフィンの所望の幅５１８を定義する。本発明の一実施形態において、パターン５１２は、製造されるトランジスタのゲート長（Ｌｇ）の所望の幅以上の幅５１８を有するフィン又はボディを定義する。このように、このトランジスタを製造するのに用いられる最も厳しいリソグラフィック条件は、半導体ボディ又はフィンの定義ではなく、ゲート電極パターニングに関連する。本発明の一実施形態において、半導体ボディ又はフィンは、３０ナノメートル以下、理想的には２０ナノメートル以下の幅５１８を有する。本発明の一実施形態において、半導体ボディ又はフィンについてのパターン５１２は、シリコンボディ高さ５０９に略等しい幅５１８を有する。本発明の一実施形態において、フォトレジスト・パターン５１２は、半導体ボディ高さ５０９の１／２〜２倍の幅５１８を有する。
加えて、図５Ｂに示すように、フォトレジスト・マスク５１０は、ソース・ランディング・パッド及びドレイン・ランディング・パッドが形成される位置をそれぞれ定義するパターン５１４及び５１６を含むことができる。ランディング・パッドは、製造されるトランジスタの様々なソース領域及び様々なドレイン領域を一体に接続するのに用いることができる。フォトレジスト・マスク５１０は、ブランケット堆積させたフォトレジスト膜を被覆し、露光し、現像するなどの良く知られたフォトリソグラフィ法により形成することができる。
フォトレジスト・マスク５１０を形成した後、半導体フィルム５０８は、フォトレジスト・マスク５１０に沿ってエッチングされ、図５Ｃに示すように、１つ以上のシリコンボディ又はフィンと、ソース及びドレイン・ランディング・パッド（所望であれば）とを形成する。半導体フィルム５０８は、その下にある埋め込み酸化膜層５０６が露出するまでエッチングされる。プラズマ異方性エッチングや反応性イオンエッチングなどの良く知られた半導体エッチング法は、図５Ｃに示すように、マスク５１０に沿って半導体フィルム５０８をエッチングするのに用いることができる。
半導体フィルム５０８がエッチングされて半導体ボディ又はフィン５２０（及び、所望であれば、ソース／ドレイン・ランディング・パッド５２２及び５２４）が形成された後、フォトレジスト・マスクは、ケミカル・ストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）やＯ２アッシング（ａｓｈｉｎｇ）などの良く知られた手法によって除去され、図５Ｄに示す基板が生成される。
次に、ゲート絶縁層５２６が、各半導体ボディ５２０上にそれを囲むように形成される。すなわち、ゲート絶縁層５２６は、半導体ボディ５２０の各々の上面５２７と左右両側の側壁５２８及び５２９との上に形成される。ゲート絶縁層は、堆積した誘電体でも、成長した誘電体でもよい。本発明の一実施形態において、ゲート絶縁層５２６は、ドライ／ウェット酸化プロセスで成長した二酸化珪素誘電体膜である。本発明の一実施形態において、二酸化珪素膜は、５〜１５Åの厚さに成長したものである。本発明の一実施形態において、ゲート絶縁膜５２６は、タンタル・ペンタオキサイド（Ｔａ２Ｏ５）又は酸化チタン（ＴｉＯ２）又は他の高Ｋ誘電体（例えばＰＺＴやＢＳＴなど）など酸化金属誘電体などの高い誘電率で一定の膜になどの堆積された誘電体である。高い誘電率で一定の膜は、化学的気相成長法（ＣＶＤ）などの任意の良く知られた手法によって形成することができる。
次に、図５Ｅに示すように、ゲート電極５３０が形成される。ゲート電極５３０は、半導体ボディ５２０の各々の上面５２７上に形成されたゲート誘電体層５２６上に形成されて、図５Ｅに示すように半導体ボディの各々の側壁５２８及び５２９上に又は隣接して形成されたゲート誘電体５２６上に又は隣接して形成される。ゲート電極５３０は、絶縁基板５０２上に形成された底面の反対側に上面５３２を有すると共に、一対の左右両側の側壁５３４及び５３６を有する。左右両側の側壁５３４及び５３６の間隔は、トリゲート・トランジスタのゲート長（Ｌｇ）５３８を定義する。ゲート電極５３０は、図５Ｄに示す基板上に適切なゲート電極材料をブランケット堆積させることによって形成することができる。このゲート電極は、２００〜３０００Åの厚さ５３３に形成することができる。一実施形態において、このゲート電極は、半導体ボディ５２０の高さ５０９の少なくとも３倍の厚さ又は高さ５３３を有する。ゲート電極材料は、次いで、良く知られたリソグラフィー及びエッチング法でパターニングされ、ゲート電極材料からゲート電極５３０が形成される。本発明の一実施形態において、ゲート電極材料は、多結晶性シリコンを有する。本発明の別の実施形態において、ゲート電極材料は、多結晶性シリコンゲルマニウム合金を有する。本発明の更に他の実施形態において、ゲート電極材料は、タングステン、タンタル、及びそれらの窒化物などの金属膜を有してもよい。ゲート電極５３０は、図５Ｄの基板上にゲート電極材料をブランケット堆積させ、それからゲート電極材料を良く知られたリソグラフィー及びエッチング法でパターニングするなどの良く知られた手法によって形成することができる。本発明の一実施形態において、ゲート電極５３０を定義するのに用いられるリソグラフィー・プロセスは、トリゲート・トランジスタを製造するのに用いられる最低限の又は最小の寸法のリソグラフィー・プロセスを利用する。（すなわち、本発明の一実施形態において、ゲート電極５３０のゲート長（Ｌｇ）５３８は、リソグラフィーによって定義されたトランジスタの最小形状寸法を有する。）本発明の一実施形態において、ゲート長５３８は、３０ナノメートル以下、理想的には２０ナノメートル以下、である。
次に、このトランジスタのソース及びドレイン領域が、半導体ボディ５２０のゲート電極５３０の反対側に形成される。本発明の一実施形態において、ソース及びドレイン領域は、先端又はソース／ドレイン拡張領域を含む。ソース及びドレイン拡張領域５４０及び５４２は、それぞれ、図５Ｆに示すように、ゲート電極５３０の両側５３２、５３４において半導体ボディ５２０中へドーパント５４４を配置して先端領域５４０及び５４２を形成することによって、形成することができる。ソース及びドレイン・ランディング・パッド５２２及び５２４は、本発明の態様をより良く示すために、図５Ｆ〜５Ｊにおいて図示されない。ソース及びドレイン・ランディング・パッド５２２及び５２４が利用される場合、それらにこの時点でドーピング処理することも可能である。ＰＭＯＳトリゲート・トランジスタについては、半導体フィン又はボディ５２０を伝導型＝ｐ型且つ１×１０２０〜１×１０２１原子／ｃｍ３の濃度にドーピング処理する。ＮＭＯＳトリゲート・トランジスタについては、半導体フィン又はボディ５２０を伝導型＝ｎ型且つ１×１０２０〜１×１０２１原子／ｃｍ３の濃度にドーピング処理する。本発明の一実施形態において、シリコンフィルムは、イオン注入法によってドーピング処理される。本発明の一実施形態において、イオン注入は、図５Ｆに示すように、垂直方向（すなわち、基板５００に垂直な方向）において発生する。ゲート電極５３０がポリシリコンゲート電極であるとき、それをイオン注入プロセス中にドーピング処理することができる。ゲート電極５３０は、イオン注入工程によりトリゲート・トランジスタの１以上のチャネル領域５４８がドーピング処理されるのを防止するマスクとして機能する。チャネル領域５４８は、シリコンボディ５２０のうちゲート電極５３０の下に位置する又はそれに囲まれた部分である。ゲート電極５３０が金属電極である場合、誘電性の硬いマスクを用いてイオン注入プロセス中のドーピングをブロックすることができる。他の実施形態として、固体ソース拡散などの他の方法を用いて、半導体ボディをドーピング処理し、ソース及びドレイン拡張領域を形成してもよい。
本発明の一実施形態において、ソース／ドレイン領域又はソース／ドレイン拡張領域を形成する前に、シリコンボディに「ハロ（ｈａｌｏ）」領域を形成することができる。ハロ領域は、デバイスのチャネル領域５４８に形成されたドープド領域であり、デバイスのチャネル領域のドーピングと同じ伝導度を有するが、濃度は若干高い。ハロ領域は、大きな角度からのイオン注入法を利用してゲート電極の下にドーパントをイオン注入することによって、形成することができる。
次に、所望であれば、図５Ｆに示す基板を更に処理して、ソース／ドレイン領域への高濃度ドーピング、ゲート電極上のみならずソース／ドレイン領域上へのシリコン堆積、ゲート電極上のみならずソース／ドレイン接触領域上でのシリサイド形成、などの追加的特徴を形成することができる。
本発明の実施形態において、ゲート電極の側壁上に誘電性側壁スペーサ５５０を形成することができる。側壁スペーサにより、高濃度のソース／ドレインコンタクトインプラントをオフセットすることができ、ソース／ドレイン領域を選択的シリコン堆積プロセス中にゲート電極から絶縁することができ、さらに、サリサイド・プロセス中にゲート電極上のみならずソース及びドレイン領域上にもシリサイドを形成することができる。スペーサは、図５Ｆの基板５００上に、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコンオキシナイトライド、又はこれらの合成などの絶縁保護膜５５０をブランケット堆積させることによって、形成することができる。絶縁膜は、正角に堆積されるため、ゲート電極５３０の側壁５３４及び５３６などの垂直面及びシリコンフィルム５２０の上面５２６やゲート電極５３０の上面などの水平面と略同じ高さとなる。本発明の一実施形態において、絶縁膜は、ホットウォール式減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）プロセスによって形成された窒化シリコン膜である。絶縁膜の堆積厚さが、形成されるスペーサの幅又は厚さを決定する。本発明の一実施形態において、絶縁膜は、２０〜２００Åの厚さに形成される。
次に、絶縁膜は、図５Ｇに示すように、例えばプラズマエッチング又は反応性イオンエッチングなどにより異方性エッチングされ、側壁スペーサ５５０を形成する。絶縁膜を異方性エッチングすることにより、ゲート電極５３０の上面（及び、用いられていれば、ランディング・パッド５２２及び５２４の上面）などの水平面から絶縁膜が除去され、ゲート電極５３０の側壁５３４及び５３６などの垂直面に隣接する誘電性側壁スペーサが残される。エッチングは、すべての水平面から絶縁膜を除去するのに十分な時間、続けられる。本発明の一実施形態においては、図５Ｇに示すように、半導体ボディ５２０の側壁上のスペーサ材料が除去されるように、オーバー・エッチングが利用される。これにより、図５Ｈに示すように、ゲート電極５３０の側壁５３２及び５３４に沿って延在し、これらに隣接する側壁スペーサ５５０が形成される。
次に、所望であれば、図５Ｈに示すように、半導体ボディ５２０の露出面（及び、ランディング・パッド５２２及び５２４）上に半導体フィルム５６０を形成することができる。加えて、所望であれば、ゲート電極５３０の上面上に半導体フィルム５６２を形成することができる。この半導体フィルムは、単結晶性フィルムでも、多結晶性フィルムでもよい。本発明の一実施形態において、半導体フィルム５６０は、エピタキシャル（単結晶性）シリコンフィルムである。本発明の一実施形態において、このシリコンフィルム５６０は、シリコンボディ５２０の露出した上面５２７及び側壁５２８及び５２９などのシリコンを含んだ露出領域上のみにシリコンが形成される選択的堆積プロセスによって形成される。選択的堆積プロセスにおいて、シリコンフィルムは、側壁スペーサ５５５などの誘電体エリア上には形成しない。ゲート電極５３０が多結晶性シリコンフィルムを有するとき、シリコンフィルムも選択的にゲート電極５３０の上面上に選択的に形成し、シリコンフィルム５６２を形成する。本発明の一実施形態において、シリコンフィルム５６０は、５０〜５００Åの厚さに形成される。本発明の一実施形態において、シリコンフィルムは、ソース及びドレイン領域上にシリサイド・フィルムを形成している間に用いられる又は消費されるのに十分なシリコンを提供するのに十分な厚さに形成される。シリコンフィルムは、ながらドーピングする（すなわち、堆積中にドーピングする）ことも、例えばイオン注入法や固体ソース拡散などによって後ドーピングすることもできる。シリコンフィルムは、デバイスのソース及びドレイン領域に望まれる伝導型にドーピングされる。本発明の一実施形態において、堆積されたシリコンフィルム５６０及び５６２は、真性シリコンフィルム（すなわち、非ドープドシリコンフィルム）である。半導体フィルム５６０の堆積は、デバイスの寄生を向上させる隆起したソース及びドレイン領域を形成する。
本発明の一実施形態において、堆積されたシリコンフィルム５６０及び５６２は、図５Ｉに示すように、垂直イオン注入角度を利用したイオン注入法によってドーピングされる。イオン注入法プロセスは、堆積したシリコンフィルム５６０とその下に位置するシリコンボディ５２０とを１×１０２０〜１×１０２１原子／ｃｍ３の濃度にドーピングし、ソース接触領域５７０及びドレイン接触領域５７２を形成する。側壁スペーサ５５０は、ソース／ドレイン接触注入工程をオフセットし、堆積したシリコンボディのうち側壁スペーサ５５０の下の領域を先端領域と定義する。上述のプロセスは、それぞれが先端領域及び接触領域を有するソース領域５７０及びドレイン領域５７２を形成する。先端領域は、シリコンボディ５２０のうち側壁スペーサ５５５の下に位置する領域である。接触領域は、シリコンボディ及び堆積したシリコンフィルムのうち側壁スペーサ５５０の外端に隣接した領域である。加えて、ソース／ドレイン接触領域は、用いられるとき、ソース及びドレイン・ランディング・パッド５２２及び５２４を含む。
次に、所望であれば、図５Ｊに示すように、ゲート電極５３０（又はシリコンフィルム５６２）のソース及びドレイン接触領域及び上面の上に耐熱（高融点）金属シリサイド５８０を形成することができる。耐熱金属シリサイド・フィルム５８０は、サリサイド・プロセスなどの自己整合プロセスを用いて形成することができる。サリサイド・プロセスでは、チタン、タングステン、ニッケル、コバルトなどの耐熱金属が図５Ｊの基板上へブランケット堆積される。次いで、この基板を適切な温度まで加熱し、耐熱金属フィルムを基板５００のうちシリコンボディ上に形成されたシリコンフィルム５６０やゲート電極上に形成されたシリコンフィルム５６２などのシリコン部分と反応させ、耐熱金属シリサイドを形成する。誘電体スペーサ５５５や埋め込み酸化膜５０６の露出した部分などの反応するシリコンがない場所は、反応せずに耐熱金属のままである。その際、ウェットエッチングなどの選択的エッチングを用いて、未反応耐熱金属を除去し、耐熱金属シリサイドを接触エリアに残すことができる。このように、金属シリサイド・フィルムをトリゲート・トランジスタの接触領域に自己整合させることができる。これで、本発明に係るトリゲート・トランジスタの製造が完了する。
以上、トリゲート・トランジスタ及び製造方法について記載した。

Claims (14)

  1. 基板上のゲルマニウムボディであり、該ゲルマニウムボディは頂面と絶縁層上の一対の対向する側壁とを有し、前記絶縁層上の前記側壁はボディ高さと前記側壁間のボディ幅とを定める、ゲルマニウムボディ；
    前記ゲルマニウムボディの前記頂面及び前記一対の対向する側壁の上のゲート誘電体；
    前記ゲルマニウムボディの前記頂面の上の前記ゲート誘電体上の、及び前記ゲルマニウムボディの前記対向する側壁上の前記ゲート誘電体に隣接した、ゲート電極；
    前記ゲート電極を挟んで対向する前記ゲルマニウムボディ内のソース領域及びドレイン領域；及び
    前記ゲート電極を挟んで対向する前記ゲルマニウムボディの前記頂面の上の半導体層であり、該半導体層は、隆起したソース及びドレイン領域を提供し、前記ゲルマニウムボディとは別個であり且つ前記ゲルマニウムボディから区別可能である、半導体層；
    を有する非平面型Ｐ型半導体デバイス。
  2. 前記ゲート電極の下の前記ゲルマニウムボディ内のハロ領域、を更に有する請求項１に記載の非平面型Ｐ型半導体デバイス。
  3. 前記ボディ高さ及び前記ボディ幅は３０ｎｍ未満である、請求項１に記載の非平面型Ｐ型半導体デバイス。
  4. 前記ゲート電極は３０ｎｍ未満のゲート長を有する、請求項１に記載の非平面型Ｐ型半導体デバイス。
  5. 前記ボディ高さ、前記ボディ幅及びゲート長の寸法は、１００ｍＶ／Ｖ未満のドレイン誘起障壁低下（ＤＩＢＬ）と８０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満のサブスレッショルド勾配とを有する完全空乏トランジスタを形成するのに適したものである、請求項１に記載の非平面型Ｐ型半導体デバイス。
  6. 前記基板は絶縁基板である、請求項１に記載の非平面型Ｐ型半導体デバイス。
  7. 前記基板は半導体基板である、請求項１に記載の非平面型Ｐ型半導体デバイス。
  8. 非平面型Ｐ型半導体デバイスを製造する方法であって、
    基板上にゲルマニウムボディを形成する工程であり、該ゲルマニウムボディは頂面と絶縁層上の一対の対向する側壁とを有し、前記絶縁層上の前記側壁はボディ高さと前記側壁間のボディ幅とを定める、工程；
    前記ゲルマニウムボディの前記頂面及び前記一対の対向する側壁の上にゲート誘電体を形成する工程；
    前記ゲルマニウムボディの前記頂面の上の前記ゲート誘電体上に、及び前記ゲルマニウムボディの前記対向する側壁上の前記ゲート誘電体に隣接して、ゲート電極を形成する工程；
    前記ゲート電極を挟んで対向するように前記ゲルマニウムボディ内にソース領域及びドレイン領域を形成する工程；及び
    前記ゲート電極を挟んで対向するように前記ゲルマニウムボディの前記頂面の上に半導体層を形成して、隆起したソース及びドレイン領域を形成する工程；
    を有する方法。
  9. 前記ゲート電極の下の前記ゲルマニウムボディ内にハロ領域を形成する工程、を更に有する請求項８に記載の方法。
  10. 前記ボディ高さ及び前記ボディ幅は３０ｎｍ未満である、請求項８に記載の方法。
  11. 前記ゲート電極は３０ｎｍ未満のゲート長を有する、請求項８に記載の方法。
  12. 前記ボディ高さ、前記ボディ幅及びゲート長の寸法は、１００ｍＶ／Ｖ未満のドレイン誘起障壁低下（ＤＩＢＬ）と８０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満のサブスレッショルド勾配とを有する完全空乏トランジスタを形成するのに適したものである、請求項８に記載の方法。
  13. 前記基板は絶縁基板である、請求項８に記載の方法。
  14. 前記基板は半導体基板である、請求項８に記載の方法。
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Families Citing this family (759)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6537891B1 (en) * 2000-08-29 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Silicon on insulator DRAM process utilizing both fully and partially depleted devices
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US20040034177A1 (en) * 2002-05-02 2004-02-19 Jian Chen Polymer and method for using the polymer for solubilizing nanotubes
US7358121B2 (en) * 2002-08-23 2008-04-15 Intel Corporation Tri-gate devices and methods of fabrication
US7163851B2 (en) * 2002-08-26 2007-01-16 International Business Machines Corporation Concurrent Fin-FET and thick-body device fabrication
TWI309845B (en) * 2002-09-30 2009-05-11 Nanosys Inc Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7619562B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-17 Nanosys, Inc. Phased array systems
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7102605B2 (en) * 2002-09-30 2006-09-05 Nanosys, Inc. Integrated displays using nanowire transistors
JP2004146622A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6709982B1 (en) 2002-11-26 2004-03-23 Advanced Micro Devices, Inc. Double spacer FinFET formation
US6825506B2 (en) * 2002-11-27 2004-11-30 Intel Corporation Field effect transistor and method of fabrication
US7728360B2 (en) * 2002-12-06 2010-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multiple-gate transistor structure
US7214991B2 (en) * 2002-12-06 2007-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMOS inverters configured using multiple-gate transistors
KR100483425B1 (ko) * 2003-03-17 2005-04-14 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조 방법
US6762448B1 (en) 2003-04-03 2004-07-13 Advanced Micro Devices, Inc. FinFET device with multiple fin structures
US7074656B2 (en) * 2003-04-29 2006-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Doping of semiconductor fin devices
US20060170053A1 (en) * 2003-05-09 2006-08-03 Yee-Chia Yeo Accumulation mode multiple gate transistor
GB2421506B (en) * 2003-05-22 2008-07-09 Zyvex Corp Nanocomposites and methods thereto
US7045401B2 (en) * 2003-06-23 2006-05-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Strained silicon finFET device
US6911383B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-28 International Business Machines Corporation Hybrid planar and finFET CMOS devices
US7456476B2 (en) * 2003-06-27 2008-11-25 Intel Corporation Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication
US6909151B2 (en) * 2003-06-27 2005-06-21 Intel Corporation Nonplanar device with stress incorporation layer and method of fabrication
US6716686B1 (en) * 2003-07-08 2004-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming channels in a finfet device
US6921982B2 (en) * 2003-07-21 2005-07-26 International Business Machines Corporation FET channel having a strained lattice structure along multiple surfaces
US20050156157A1 (en) * 2003-07-21 2005-07-21 Parsons Gregory N. Hierarchical assembly of interconnects for molecular electronics
US7335934B2 (en) * 2003-07-22 2008-02-26 Innovative Silicon S.A. Integrated circuit device, and method of fabricating same
JP2005051140A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US6855583B1 (en) * 2003-08-05 2005-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming tri-gate FinFET with mesa isolation
TWI239071B (en) * 2003-08-20 2005-09-01 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of carbon nano-tube transistor
JP4669213B2 (ja) 2003-08-29 2011-04-13 独立行政法人科学技術振興機構 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
US8008136B2 (en) * 2003-09-03 2011-08-30 Advanced Micro Devices, Inc. Fully silicided gate structure for FinFET devices
JP2005086024A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7714384B2 (en) * 2003-09-15 2010-05-11 Seliskar John J Castellated gate MOSFET device capable of fully-depleted operation
KR100555518B1 (ko) * 2003-09-16 2006-03-03 삼성전자주식회사 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
US20050062088A1 (en) * 2003-09-22 2005-03-24 Texas Instruments Incorporated Multi-gate one-transistor dynamic random access memory
US6970373B2 (en) * 2003-10-02 2005-11-29 Intel Corporation Method and apparatus for improving stability of a 6T CMOS SRAM cell
US6855588B1 (en) * 2003-10-07 2005-02-15 United Microelectronics Corp. Method of fabricating a double gate MOSFET device
US20050077574A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Chandra Mouli 1T/0C RAM cell with a wrapped-around gate device structure
JP4865331B2 (ja) * 2003-10-20 2012-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US6946377B2 (en) * 2003-10-29 2005-09-20 Texas Instruments Incorporated Multiple-gate MOSFET device with lithography independent silicon body thickness and methods for fabricating the same
US6927106B2 (en) * 2003-10-29 2005-08-09 Texas Instruments Incorporated Methods for fabricating a triple-gate MOSFET transistor
KR100585111B1 (ko) * 2003-11-24 2006-06-01 삼성전자주식회사 게르마늄 채널 영역을 가지는 비평면 트랜지스터 및 그제조 방법
US7498225B1 (en) 2003-12-04 2009-03-03 Advanced Micro Devices, Inc. Systems and methods for forming multiple fin structures using metal-induced-crystallization
US6949482B2 (en) 2003-12-08 2005-09-27 Intel Corporation Method for improving transistor performance through reducing the salicide interface resistance
US6933183B2 (en) * 2003-12-09 2005-08-23 International Business Machines Corporation Selfaligned source/drain FinFET process flow
US7569882B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Non-volatile multibit memory cell and method of manufacturing thereof
US7101761B2 (en) * 2003-12-23 2006-09-05 Intel Corporation Method of fabricating semiconductor devices with replacement, coaxial gate structure
US7624192B2 (en) * 2003-12-30 2009-11-24 Microsoft Corporation Framework for user interaction with multiple network devices
US7105390B2 (en) * 2003-12-30 2006-09-12 Intel Corporation Nonplanar transistors with metal gate electrodes
KR100552058B1 (ko) * 2004-01-06 2006-02-20 삼성전자주식회사 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법
US7268058B2 (en) * 2004-01-16 2007-09-11 Intel Corporation Tri-gate transistors and methods to fabricate same
US6936518B2 (en) * 2004-01-21 2005-08-30 Intel Corporation Creating shallow junction transistors
US20110039690A1 (en) * 2004-02-02 2011-02-17 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US8025960B2 (en) 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7553371B2 (en) * 2004-02-02 2009-06-30 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
KR100574971B1 (ko) * 2004-02-17 2006-05-02 삼성전자주식회사 멀티-게이트 구조의 반도체 소자 및 그 제조 방법
US7115947B2 (en) * 2004-03-18 2006-10-03 International Business Machines Corporation Multiple dielectric finfet structure and method
US7115971B2 (en) 2004-03-23 2006-10-03 Nanosys, Inc. Nanowire varactor diode and methods of making same
JP2005285822A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Fujitsu Ltd 半導体装置および半導体センサ
US7154118B2 (en) 2004-03-31 2006-12-26 Intel Corporation Bulk non-planar transistor having strained enhanced mobility and methods of fabrication
EP1740655A1 (en) * 2004-04-13 2007-01-10 Zyvex Corporation Methods for the synthesis of modular poly(phenyleneethynylenes) and fine tuning the electronic properties thereof for the functionalization of nanomaterials
DE102004020593A1 (de) * 2004-04-27 2005-11-24 Infineon Technologies Ag Fin-Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Fin-Feldeffektransistor-Anordnung
US20050279274A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-22 Chunming Niu Systems and methods for nanowire growth and manufacturing
US7122412B2 (en) * 2004-04-30 2006-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a necked FINFET device
US7785922B2 (en) 2004-04-30 2010-08-31 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
JP2007535413A (ja) * 2004-04-30 2007-12-06 ナノシス・インコーポレイテッド ナノワイヤ成長および採取のための系および方法
JP3964885B2 (ja) 2004-05-19 2007-08-22 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
KR100625175B1 (ko) * 2004-05-25 2006-09-20 삼성전자주식회사 채널층을 갖는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법
US7579280B2 (en) * 2004-06-01 2009-08-25 Intel Corporation Method of patterning a film
US7452778B2 (en) * 2004-06-10 2008-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor nano-wire devices and methods of fabrication
JP4675585B2 (ja) * 2004-06-22 2011-04-27 シャープ株式会社 電界効果トランジスタ
KR100541657B1 (ko) * 2004-06-29 2006-01-11 삼성전자주식회사 멀티 게이트 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된멀티 게이트 트랜지스터
US8669145B2 (en) * 2004-06-30 2014-03-11 International Business Machines Corporation Method and structure for strained FinFET devices
US7098507B2 (en) * 2004-06-30 2006-08-29 Intel Corporation Floating-body dynamic random access memory and method of fabrication in tri-gate technology
US7042009B2 (en) 2004-06-30 2006-05-09 Intel Corporation High mobility tri-gate devices and methods of fabrication
JP2008506254A (ja) * 2004-07-07 2008-02-28 ナノシス・インコーポレイテッド ナノワイヤーの集積及び組み込みのためのシステムおよび方法
US7115955B2 (en) * 2004-07-30 2006-10-03 International Business Machines Corporation Semiconductor device having a strained raised source/drain
US7348284B2 (en) 2004-08-10 2008-03-25 Intel Corporation Non-planar pMOS structure with a strained channel region and an integrated strained CMOS flow
US7296576B2 (en) * 2004-08-18 2007-11-20 Zyvex Performance Materials, Llc Polymers for enhanced solubility of nanomaterials, compositions and methods therefor
US6969644B1 (en) * 2004-08-31 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated Versatile system for triple-gated transistors with engineered corners
KR100555573B1 (ko) * 2004-09-10 2006-03-03 삼성전자주식회사 Ｓｅｇ막에 의해 확장된 접합영역을 갖는 반도체 소자 및그의 제조방법
KR101025846B1 (ko) * 2004-09-13 2011-03-30 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 채널을 포함하는 반도체 장치의 트랜지스터
US7071064B2 (en) * 2004-09-23 2006-07-04 Intel Corporation U-gate transistors and methods of fabrication
US7422946B2 (en) 2004-09-29 2008-09-09 Intel Corporation Independently accessed double-gate and tri-gate transistors in same process flow
US7332439B2 (en) * 2004-09-29 2008-02-19 Intel Corporation Metal gate transistors with epitaxial source and drain regions
US7361958B2 (en) * 2004-09-30 2008-04-22 Intel Corporation Nonplanar transistors with metal gate electrodes
KR100585161B1 (ko) * 2004-10-02 2006-05-30 삼성전자주식회사 다중채널 트랜지스터 소자 제조 방법 및 이에 의한 소자
DE102004049453A1 (de) * 2004-10-11 2006-04-20 Infineon Technologies Ag Elektrischer Schaltkreis mit einer Nanostruktur und Verfahren zum Herstellen einer Kontaktierung einer Nanostruktur
US7345307B2 (en) * 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
US7473943B2 (en) * 2004-10-15 2009-01-06 Nanosys, Inc. Gate configuration for nanowire electronic devices
US7244640B2 (en) * 2004-10-19 2007-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for fabricating a body contact in a Finfet structure and a device including the same
US7611943B2 (en) * 2004-10-20 2009-11-03 Texas Instruments Incorporated Transistors, integrated circuits, systems, and processes of manufacture with improved work function modulation
US20060086977A1 (en) 2004-10-25 2006-04-27 Uday Shah Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication
EP1820210A4 (en) 2004-11-24 2014-03-05 Nanosys Inc CONTACT DOPING AND NANOFIL THIN FILM RECOVERY SYSTEMS AND PROCESSES
US7298004B2 (en) * 2004-11-30 2007-11-20 Infineon Technologies Ag Charge-trapping memory cell and method for production
US7560366B1 (en) 2004-12-02 2009-07-14 Nanosys, Inc. Nanowire horizontal growth and substrate removal
US7315474B2 (en) 2005-01-03 2008-01-01 Macronix International Co., Ltd Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays
US7473589B2 (en) * 2005-12-09 2009-01-06 Macronix International Co., Ltd. Stacked thin film transistor, non-volatile memory devices and methods for fabricating the same
US8482052B2 (en) 2005-01-03 2013-07-09 Macronix International Co., Ltd. Silicon on insulator and thin film transistor bandgap engineered split gate memory
US7598516B2 (en) * 2005-01-07 2009-10-06 International Business Machines Corporation Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs
US8362525B2 (en) * 2005-01-14 2013-01-29 Nantero Inc. Field effect device having a channel of nanofabric and methods of making same
JP4527552B2 (ja) * 2005-01-17 2010-08-18 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置とその製造方法
JP2006196821A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Fujitsu Ltd 半導体装置とその製造方法
US7193279B2 (en) * 2005-01-18 2007-03-20 Intel Corporation Non-planar MOS structure with a strained channel region
US7094650B2 (en) * 2005-01-20 2006-08-22 Infineon Technologies Ag Gate electrode for FinFET device
US7518196B2 (en) * 2005-02-23 2009-04-14 Intel Corporation Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication
US20100127241A1 (en) * 2005-02-25 2010-05-27 The Regents Of The University Of California Electronic Devices with Carbon Nanotube Components
US20060197129A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Triquint Semiconductor, Inc. Buried and bulk channel finFET and method of making the same
US20060202266A1 (en) 2005-03-14 2006-09-14 Marko Radosavljevic Field effect transistor with metal source/drain regions
KR100594327B1 (ko) * 2005-03-24 2006-06-30 삼성전자주식회사 라운드 형태의 단면을 가지는 나노와이어를 구비한 반도체소자 및 그 제조 방법
US7563701B2 (en) * 2005-03-31 2009-07-21 Intel Corporation Self-aligned contacts for transistors
KR100608377B1 (ko) * 2005-05-02 2006-08-08 주식회사 하이닉스반도체 메모리 소자의 셀 트랜지스터 제조방법
US7141727B1 (en) * 2005-05-16 2006-11-28 International Business Machines Corporation Method and apparatus for fabricating a carbon nanotube transistor having unipolar characteristics
DE102005022763B4 (de) * 2005-05-18 2018-02-01 Infineon Technologies Ag Elektronische Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Schaltkreises
CA2609042A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Nanosys, Inc. Light emitting nanowires for macroelectronics
KR100755367B1 (ko) * 2005-06-08 2007-09-04 삼성전자주식회사 실린더형 게이트를 갖는 나노-라인 반도체 소자 및 그제조방법
US8033501B2 (en) * 2005-06-10 2011-10-11 The Boeing Company Method and apparatus for attaching electrically powered seat track cover to through hole seat track design
JP4718908B2 (ja) 2005-06-14 2011-07-06 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7858481B2 (en) 2005-06-15 2010-12-28 Intel Corporation Method for fabricating transistor with thinned channel
KR100644019B1 (ko) * 2005-06-17 2006-11-10 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지센서 및 그 제조 방법
US7547637B2 (en) 2005-06-21 2009-06-16 Intel Corporation Methods for patterning a semiconductor film
US20060286759A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-21 Texas Instruments, Inc. Metal oxide semiconductor (MOS) device having both an accumulation and a enhancement mode transistor device on a similar substrate and a method of manufacture therefor
US7411252B2 (en) * 2005-06-21 2008-08-12 International Business Machines Corporation Substrate backgate for trigate FET
US7279375B2 (en) 2005-06-30 2007-10-09 Intel Corporation Block contact architectures for nanoscale channel transistors
US7427547B2 (en) * 2005-07-13 2008-09-23 Magnachip Semiconductor, Ltd. Three-dimensional high voltage transistor and method for manufacturing the same
US7381649B2 (en) 2005-07-29 2008-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure for a multiple-gate FET device and a method for its fabrication
JP5105721B2 (ja) * 2005-08-02 2012-12-26 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ＦｉｎＦＥＴのシリコンフィンをエッチングするために用いられる最終ハードマスクを構築するための３つのマスクによる方法
US20070031318A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Jie Liu Methods of chemically treating an electrically conductive layer having nanotubes therein with diazonium reagent
US7763927B2 (en) 2005-12-15 2010-07-27 Macronix International Co., Ltd. Non-volatile memory device having a nitride-oxide dielectric layer
US7402875B2 (en) 2005-08-17 2008-07-22 Intel Corporation Lateral undercut of metal gate in SOI device
DE102005039365B4 (de) * 2005-08-19 2022-02-10 Infineon Technologies Ag Gate-gesteuertes Fin-Widerstandselement, welches als pinch - resistor arbeitet, zur Verwendung als ESD-Schutzelement in einem elektrischen Schaltkreis und Einrichtung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen in einem elektrischen Schaltkreis
US7352034B2 (en) * 2005-08-25 2008-04-01 International Business Machines Corporation Semiconductor structures integrating damascene-body FinFET's and planar devices on a common substrate and methods for forming such semiconductor structures
JP2007081185A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Fujifilm Corp 光検出素子
WO2007038164A2 (en) * 2005-09-23 2007-04-05 Nanosys, Inc. Methods for nanostructure doping
KR100696197B1 (ko) * 2005-09-27 2007-03-20 한국전자통신연구원 실리콘 기판을 이용한 다중 게이트 모스 트랜지스터 및 그제조 방법
US7479421B2 (en) * 2005-09-28 2009-01-20 Intel Corporation Process for integrating planar and non-planar CMOS transistors on a bulk substrate and article made thereby
US20070090416A1 (en) 2005-09-28 2007-04-26 Doyle Brian S CMOS devices with a single work function gate electrode and method of fabrication
US20070090408A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Amlan Majumdar Narrow-body multiple-gate FET with dominant body transistor for high performance
US7492015B2 (en) * 2005-11-10 2009-02-17 International Business Machines Corporation Complementary carbon nanotube triple gate technology
US7341916B2 (en) * 2005-11-10 2008-03-11 Atmel Corporation Self-aligned nanometer-level transistor defined without lithography
US7326976B2 (en) * 2005-11-15 2008-02-05 International Business Machines Corporation Corner dominated trigate field effect transistor
US7452759B2 (en) * 2005-11-29 2008-11-18 Micron Technology, Inc. Carbon nanotube field effect transistor and methods for making same
US7485503B2 (en) 2005-11-30 2009-02-03 Intel Corporation Dielectric interface for group III-V semiconductor device
US7495290B2 (en) * 2005-12-14 2009-02-24 Infineon Technologies Ag Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
JP2007165772A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7531423B2 (en) * 2005-12-22 2009-05-12 International Business Machines Corporation Reduced-resistance finFETs by sidewall silicidation and methods of manufacturing the same
US7525160B2 (en) * 2005-12-27 2009-04-28 Intel Corporation Multigate device with recessed strain regions
US7396711B2 (en) * 2005-12-27 2008-07-08 Intel Corporation Method of fabricating a multi-cornered film
US20070148926A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Intel Corporation Dual halo implant for improving short channel effect in three-dimensional tri-gate transistors
JP2007180362A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Toshiba Corp 半導体装置
US20070152266A1 (en) 2005-12-29 2007-07-05 Intel Corporation Method and structure for reducing the external resistance of a three-dimensional transistor through use of epitaxial layers
WO2007136412A2 (en) * 2005-12-29 2007-11-29 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
US7741197B1 (en) 2005-12-29 2010-06-22 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires
US20070158702A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-12 Doczy Mark L Transistor including flatband voltage control through interface dipole engineering
KR100712543B1 (ko) * 2005-12-31 2007-04-30 삼성전자주식회사 다중채널을 갖는 반도체소자 및 그 제조방법
US7623264B2 (en) * 2006-02-17 2009-11-24 Case Robert M Method for colorizing a digital halftone
US7439594B2 (en) 2006-03-16 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Stacked non-volatile memory with silicon carbide-based amorphous silicon thin film transistors
US7666796B2 (en) * 2006-03-23 2010-02-23 Intel Corporation Substrate patterning for multi-gate transistors
US7449373B2 (en) * 2006-03-31 2008-11-11 Intel Corporation Method of ion implanting for tri-gate devices
US20090289304A1 (en) * 2006-04-07 2009-11-26 Koninklijke Philips Electronics Nv Co-integration of multi-gate fet with other fet devices in cmos technology
US7566949B2 (en) * 2006-04-28 2009-07-28 International Business Machines Corporation High performance 3D FET structures, and methods for forming the same using preferential crystallographic etching
JP2007299991A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7838345B2 (en) * 2006-05-02 2010-11-23 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic device including semiconductor fins and a process for forming the electronic device
US7907450B2 (en) * 2006-05-08 2011-03-15 Macronix International Co., Ltd. Methods and apparatus for implementing bit-by-bit erase of a flash memory device
US7714386B2 (en) 2006-06-09 2010-05-11 Northrop Grumman Systems Corporation Carbon nanotube field effect transistor
US7521775B2 (en) * 2006-06-13 2009-04-21 Intel Corporation Protection of three dimensional transistor structures during gate stack etch
US7670928B2 (en) * 2006-06-14 2010-03-02 Intel Corporation Ultra-thin oxide bonding for S1 to S1 dual orientation bonding
US8106382B2 (en) * 2006-06-21 2012-01-31 Panasonic Corporation Field effect transistor
US7544594B2 (en) * 2006-06-28 2009-06-09 Intel Corporation Method of forming a transistor having gate protection and transistor formed according to the method
US20080014689A1 (en) * 2006-07-07 2008-01-17 Texas Instruments Incorporated Method for making planar nanowire surround gate mosfet
US8946811B2 (en) * 2006-07-10 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Body-tied, strained-channel multi-gate device and methods of manufacturing same
US8143646B2 (en) 2006-08-02 2012-03-27 Intel Corporation Stacking fault and twin blocking barrier for integrating III-V on Si
US7667260B2 (en) * 2006-08-09 2010-02-23 Micron Technology, Inc. Nanoscale floating gate and methods of formation
US7582549B2 (en) 2006-08-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited barium strontium titanium oxide films
US7999251B2 (en) * 2006-09-11 2011-08-16 International Business Machines Corporation Nanowire MOSFET with doped epitaxial contacts for source and drain
FR2905800A1 (fr) * 2006-09-11 2008-03-14 St Microelectronics Crolles 2 Realisation d'un transistor a effet de champ.
EP1901354B1 (en) * 2006-09-15 2016-08-24 Imec A tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier
KR100764059B1 (ko) * 2006-09-22 2007-10-09 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 형성 방법
KR100790571B1 (ko) * 2006-09-29 2008-01-02 주식회사 하이닉스반도체 트랜지스터 및 그 제조방법
US7773493B2 (en) * 2006-09-29 2010-08-10 Intel Corporation Probe-based storage device
US7811890B2 (en) 2006-10-11 2010-10-12 Macronix International Co., Ltd. Vertical channel transistor structure and manufacturing method thereof
US8772858B2 (en) * 2006-10-11 2014-07-08 Macronix International Co., Ltd. Vertical channel memory and manufacturing method thereof and operating method using the same
KR100839351B1 (ko) * 2006-10-13 2008-06-19 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법
JP2010509171A (ja) 2006-11-07 2010-03-25 ナノシス・インク． ナノワイヤー成長用システム及び方法
US20080111185A1 (en) * 2006-11-13 2008-05-15 International Business Machines Corporation Asymmetric multi-gated transistor and method for forming
US7786024B2 (en) 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
JP5380827B2 (ja) 2006-12-11 2014-01-08 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US8004043B2 (en) * 2006-12-19 2011-08-23 Intel Corporation Logic circuits using carbon nanotube transistors
US8017463B2 (en) 2006-12-29 2011-09-13 Intel Corporation Expitaxial fabrication of fins for FinFET devices
US20080157225A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Suman Datta SRAM and logic transistors with variable height multi-gate transistor architecture
US9806273B2 (en) * 2007-01-03 2017-10-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes
US7511344B2 (en) * 2007-01-17 2009-03-31 International Business Machines Corporation Field effect transistor
US9455348B2 (en) 2007-02-01 2016-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. FinFET for device characterization
US7851784B2 (en) * 2007-02-13 2010-12-14 Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc Nanotube array electronic devices
GB0702759D0 (en) * 2007-02-13 2007-03-21 Unversity Of Aveiro Non aqueous thin film formation
US8120115B2 (en) 2007-03-12 2012-02-21 Imec Tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier
US7821061B2 (en) * 2007-03-29 2010-10-26 Intel Corporation Silicon germanium and germanium multigate and nanowire structures for logic and multilevel memory applications
US20080237751A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Uday Shah CMOS Structure and method of manufacturing same
US9564200B2 (en) * 2007-04-10 2017-02-07 Snu R&Db Foundation Pillar-type field effect transistor having low leakage current
US7898037B2 (en) 2007-04-18 2011-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contact scheme for MOSFETs
JP4473889B2 (ja) * 2007-04-26 2010-06-02 株式会社東芝 半導体装置
US7560785B2 (en) * 2007-04-27 2009-07-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having multiple fin heights
KR101375833B1 (ko) * 2007-05-03 2014-03-18 삼성전자주식회사 게르마늄 나노로드를 구비한 전계효과 트랜지스터 및 그제조방법
US8258035B2 (en) * 2007-05-04 2012-09-04 Freescale Semiconductor, Inc. Method to improve source/drain parasitics in vertical devices
US8927353B2 (en) * 2007-05-07 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fin field effect transistor and method of forming the same
US8174073B2 (en) 2007-05-30 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit structures with multiple FinFETs
US8237201B2 (en) 2007-05-30 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Layout methods of integrated circuits having unit MOS devices
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US20080315310A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-25 Willy Rachmady High k dielectric materials integrated into multi-gate transistor structures
US7923337B2 (en) * 2007-06-20 2011-04-12 International Business Machines Corporation Fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain regions
US7642603B2 (en) * 2007-06-29 2010-01-05 Intel Corporation Semiconductor device with reduced fringe capacitance
US7692254B2 (en) * 2007-07-16 2010-04-06 International Business Machines Corporation Fin-type field effect transistor structure with merged source/drain silicide and method of forming the structure
US7851865B2 (en) * 2007-10-17 2010-12-14 International Business Machines Corporation Fin-type field effect transistor structure with merged source/drain silicide and method of forming the structure
US20090020792A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Rafael Rios Isolated tri-gate transistor fabricated on bulk substrate
US8883597B2 (en) * 2007-07-31 2014-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabrication of a FinFET element
US7858454B2 (en) * 2007-07-31 2010-12-28 Rf Nano Corporation Self-aligned T-gate carbon nanotube field effect transistor devices and method for forming the same
US7737488B2 (en) * 2007-08-09 2010-06-15 Macronix International Co., Ltd. Blocking dielectric engineered charge trapping memory cell with high speed erase
JP4455632B2 (ja) * 2007-09-10 2010-04-21 株式会社東芝 半導体装置
US7960255B2 (en) * 2007-09-26 2011-06-14 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Process for forming a wire portion in an integrated electronic circuit
US7911234B1 (en) * 2007-09-28 2011-03-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Nanotube logic circuits
US8288233B2 (en) * 2007-09-28 2012-10-16 Intel Corporation Method to introduce uniaxial strain in multigate nanoscale transistors by self aligned SI to SIGE conversion processes and structures formed thereby
US8043978B2 (en) * 2007-10-11 2011-10-25 Riken Electronic device and method for producing electronic device
US7910994B2 (en) 2007-10-15 2011-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for source/drain contact processing
US7939889B2 (en) 2007-10-16 2011-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reducing resistance in source and drain regions of FinFETs
JP5106041B2 (ja) * 2007-10-26 2012-12-26 株式会社東芝 半導体装置
US8039376B2 (en) * 2007-11-14 2011-10-18 International Business Machines Corporation Methods of changing threshold voltages of semiconductor transistors by ion implantation
US7629643B2 (en) * 2007-11-30 2009-12-08 Intel Corporation Independent n-tips for multi-gate transistors
EP2070533B1 (en) * 2007-12-11 2014-05-07 Apoteknos Para La Piel, s.l. Use of a compound derived from P-hydroxyphenyl propionic acid for the treatment of psoriasis
US7790531B2 (en) 2007-12-18 2010-09-07 Micron Technology, Inc. Methods for isolating portions of a loop of pitch-multiplied material and related structures
EP2073256A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-24 Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw ( IMEC) Method for fabricating a semiconductor device and the semiconductor device made thereof
US7763943B2 (en) * 2007-12-26 2010-07-27 Intel Corporation Reducing external resistance of a multi-gate device by incorporation of a partial metallic fin
US8030163B2 (en) * 2007-12-26 2011-10-04 Intel Corporation Reducing external resistance of a multi-gate device using spacer processing techniques
US7745270B2 (en) * 2007-12-28 2010-06-29 Intel Corporation Tri-gate patterning using dual layer gate stack
US8563380B2 (en) * 2008-01-07 2013-10-22 Shachar Richter Electric nanodevice and method of manufacturing same
US8624224B2 (en) * 2008-01-24 2014-01-07 Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc Nanotube array bipolar transistors
US8440994B2 (en) * 2008-01-24 2013-05-14 Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc Nanotube array electronic and opto-electronic devices
US8610104B2 (en) * 2008-01-24 2013-12-17 Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc Nanotube array injection lasers
US8492249B2 (en) * 2008-01-24 2013-07-23 Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc Methods of forming catalytic nanopads
US8610125B2 (en) * 2008-01-24 2013-12-17 Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc Nanotube array light emitting diodes
US20090206404A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Ravi Pillarisetty Reducing external resistance of a multi-gate device by silicidation
US8264048B2 (en) * 2008-02-15 2012-09-11 Intel Corporation Multi-gate device having a T-shaped gate structure
US8187948B2 (en) 2008-02-18 2012-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hybrid gap-fill approach for STI formation
US7915659B2 (en) * 2008-03-06 2011-03-29 Micron Technology, Inc. Devices with cavity-defined gates and methods of making the same
US7833889B2 (en) * 2008-03-14 2010-11-16 Intel Corporation Apparatus and methods for improving multi-gate device performance
US8030218B2 (en) * 2008-03-21 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Method for selectively modifying spacing between pitch multiplied structures
US7781274B2 (en) * 2008-03-27 2010-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-gate field effect transistor and method for manufacturing the same
US8129749B2 (en) * 2008-03-28 2012-03-06 Intel Corporation Double quantum well structures for transistors
US8278687B2 (en) * 2008-03-28 2012-10-02 Intel Corporation Semiconductor heterostructures to reduce short channel effects
US7994612B2 (en) * 2008-04-21 2011-08-09 International Business Machines Corporation FinFETs single-sided implant formation
US8022487B2 (en) * 2008-04-29 2011-09-20 Intel Corporation Increasing body dopant uniformity in multi-gate transistor devices
US8106459B2 (en) 2008-05-06 2012-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs having dielectric punch-through stoppers
US8048723B2 (en) 2008-12-05 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Germanium FinFETs having dielectric punch-through stoppers
US7800166B2 (en) 2008-05-30 2010-09-21 Intel Corporation Recessed channel array transistor (RCAT) structures and method of formation
US8283231B2 (en) 2008-06-11 2012-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. finFET drive strength modification
WO2010005707A1 (en) * 2008-06-16 2010-01-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Medium scale carbon nanotube thin film integrated circuits on flexible plastic substrates
US8362566B2 (en) 2008-06-23 2013-01-29 Intel Corporation Stress in trigate devices using complimentary gate fill materials
US7833891B2 (en) * 2008-07-23 2010-11-16 International Business Machines Corporation Semiconductor device manufacturing method using oxygen diffusion barrier layer between buried oxide layer and high K dielectric layer
US8178787B2 (en) * 2008-08-26 2012-05-15 Snu R&Db Foundation Circuit board including aligned nanostructures
US8153493B2 (en) 2008-08-28 2012-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET process compatible native transistor
JP2010098081A (ja) * 2008-09-16 2010-04-30 Hitachi Ltd 半導体装置
KR101491714B1 (ko) 2008-09-16 2015-02-16 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US7608495B1 (en) * 2008-09-19 2009-10-27 Micron Technology, Inc. Transistor forming methods
US7915112B2 (en) * 2008-09-23 2011-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal gate stress film for mobility enhancement in FinFET device
KR101511933B1 (ko) * 2008-10-31 2015-04-16 삼성전자주식회사 핀 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
US8354291B2 (en) 2008-11-24 2013-01-15 University Of Southern California Integrated circuits based on aligned nanotubes
US8048813B2 (en) 2008-12-01 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of reducing delamination in the fabrication of small-pitch devices
KR101539669B1 (ko) * 2008-12-16 2015-07-27 삼성전자주식회사 코어-쉘 타입 구조물 형성방법 및 이를 이용한 트랜지스터 제조방법
US8144501B2 (en) * 2008-12-29 2012-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Read/write margin improvement in SRAM design using dual-gate transistors
US8058692B2 (en) 2008-12-29 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multiple-gate transistors with reverse T-shaped fins
US20100167506A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Inductive plasma doping
US8263462B2 (en) 2008-12-31 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dielectric punch-through stoppers for forming FinFETs having dual fin heights
US7862962B2 (en) * 2009-01-20 2011-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit layout design
US7989355B2 (en) * 2009-02-12 2011-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of pitch halving
US9159808B2 (en) * 2009-01-26 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Selective etch-back process for semiconductor devices
US8258602B2 (en) 2009-01-28 2012-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bipolar junction transistors having a fin
US8400813B2 (en) * 2009-02-10 2013-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. One-time programmable fuse with ultra low programming current
US8331068B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. ESD protection for FinFETs
US8115235B2 (en) * 2009-02-20 2012-02-14 Intel Corporation Modulation-doped halo in quantum well field-effect transistors, apparatus made therewith, and methods of using same
US8305829B2 (en) * 2009-02-23 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory power gating circuit for controlling internal voltage of a memory array, system and method for controlling the same
US8293616B2 (en) * 2009-02-24 2012-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of fabrication of semiconductor devices with low capacitance
US8319311B2 (en) * 2009-03-16 2012-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hybrid STI gap-filling approach
US8305790B2 (en) * 2009-03-16 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrical anti-fuse and related applications
US8004042B2 (en) 2009-03-20 2011-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Static random access memory (SRAM) cell and method for forming same
US8957482B2 (en) * 2009-03-31 2015-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrical fuse and related applications
US8816391B2 (en) * 2009-04-01 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Source/drain engineering of devices with high-mobility channels
CN101853882B (zh) 2009-04-01 2016-03-23 台湾积体电路制造股份有限公司 具有改进的开关电流比的高迁移率多面栅晶体管
US8384426B2 (en) * 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US20110199116A1 (en) * 2010-02-16 2011-08-18 NuPGA Corporation Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8405420B2 (en) 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US20110031997A1 (en) * 2009-04-14 2011-02-10 NuPGA Corporation Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8912602B2 (en) * 2009-04-14 2014-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs and methods for forming the same
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US8754533B2 (en) * 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9711407B2 (en) * 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US7986042B2 (en) 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8395191B2 (en) 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8457930B2 (en) * 2009-04-15 2013-06-04 James Schroeder Personalized fit and functional designed medical prostheses and surgical instruments and methods for making
US8053299B2 (en) * 2009-04-17 2011-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabrication of a FinFET element
US7919335B2 (en) * 2009-04-20 2011-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Formation of shallow trench isolation using chemical vapor etch
CN101877317B (zh) * 2009-04-29 2013-03-27 台湾积体电路制造股份有限公司 非平坦晶体管及其制造方法
US9054194B2 (en) * 2009-04-29 2015-06-09 Taiwan Semiconductor Manufactruing Company, Ltd. Non-planar transistors and methods of fabrication thereof
US8455860B2 (en) 2009-04-30 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reducing source/drain resistance of III-V based transistors
HUE059099T2 (hu) 2009-05-19 2022-10-28 Oned Mat Inc Nanoszerkezetû anyagok akkumulátoros alkalmazásokhoz
US9768305B2 (en) 2009-05-29 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gradient ternary or quaternary multiple-gate transistor
US8617976B2 (en) * 2009-06-01 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Source/drain re-growth for manufacturing III-V based transistors
US8173499B2 (en) * 2009-06-12 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating a gate stack integration of complementary MOS device
US7968971B2 (en) * 2009-06-22 2011-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thin-body bipolar device
US8461015B2 (en) * 2009-07-08 2013-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. STI structure and method of forming bottom void in same
US8264021B2 (en) * 2009-10-01 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Finfets and methods for forming the same
US8187928B2 (en) 2010-09-21 2012-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming integrated circuits
US8759943B2 (en) 2010-10-08 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Transistor having notched fin structure and method of making the same
US8623728B2 (en) 2009-07-28 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming high germanium concentration SiGe stressor
US8497528B2 (en) 2010-05-06 2013-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for fabricating a strained structure
US8472227B2 (en) * 2010-01-27 2013-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuits and methods for forming the same
US8482073B2 (en) * 2010-03-25 2013-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit including FINFETs and methods for forming the same
US9484462B2 (en) * 2009-09-24 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of fin field effect transistor
US8298925B2 (en) 2010-11-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming ultra shallow junction
US8629478B2 (en) * 2009-07-31 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure for high mobility multiple-gate transistor
US8440517B2 (en) 2010-10-13 2013-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET and method of fabricating the same
US8264032B2 (en) * 2009-09-01 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Accumulation type FinFET, circuits and fabrication method thereof
US8980719B2 (en) 2010-04-28 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for doping fin field-effect transistors
US8114721B2 (en) * 2009-12-15 2012-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of controlling gate thickness in forming FinFET devices
JP5446558B2 (ja) * 2009-08-04 2014-03-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US8043920B2 (en) * 2009-09-17 2011-10-25 International Business Machines Corporation finFETS and methods of making same
US8124463B2 (en) * 2009-09-21 2012-02-28 International Business Machines Corporation Local bottom gates for graphene and carbon nanotube devices
US9245805B2 (en) 2009-09-24 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Germanium FinFETs with metal gates and stressors
US8357569B2 (en) 2009-09-29 2013-01-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating finfet device
US8362575B2 (en) 2009-09-29 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlling the shape of source/drain regions in FinFETs
US8084822B2 (en) * 2009-09-30 2011-12-27 International Business Machines Corporation Enhanced stress-retention fin-FET devices and methods of fabricating enhanced stress retention fin-FET devices
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12027518B1 (en) 2009-10-12 2024-07-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8294159B2 (en) 2009-10-12 2012-10-23 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US9112052B2 (en) 2009-10-14 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Voids in STI regions for forming bulk FinFETs
US8519481B2 (en) * 2009-10-14 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Voids in STI regions for forming bulk FinFETs
US8610240B2 (en) * 2009-10-16 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit with multi recessed shallow trench isolation
US20110097867A1 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of controlling gate thicknesses in forming fusi gates
US9953885B2 (en) * 2009-10-27 2018-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. STI shape near fin bottom of Si fin in bulk FinFET
US8653608B2 (en) 2009-10-27 2014-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET design with reduced current crowding
US8110466B2 (en) * 2009-10-27 2012-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cross OD FinFET patterning
US8592918B2 (en) 2009-10-28 2013-11-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Forming inter-device STI regions and intra-device STI regions using different dielectric materials
US8415718B2 (en) 2009-10-30 2013-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming epi film in substrate trench
US8716797B2 (en) * 2009-11-03 2014-05-06 International Business Machines Corporation FinFET spacer formation by oriented implantation
US8637135B2 (en) 2009-11-18 2014-01-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Non-uniform semiconductor device active area pattern formation
US8445340B2 (en) * 2009-11-19 2013-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sacrificial offset protection film for a FinFET device
US8941153B2 (en) * 2009-11-20 2015-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs with different fin heights
US20110127492A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 International Business Machines Corporation Field Effect Transistor Having Nanostructure Channel
US8841652B2 (en) 2009-11-30 2014-09-23 International Business Machines Corporation Self aligned carbide source/drain FET
US8426923B2 (en) * 2009-12-02 2013-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multiple-gate semiconductor device and method
US8373238B2 (en) 2009-12-03 2013-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs with multiple Fin heights
US9087725B2 (en) 2009-12-03 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs with different fin height and EPI height setting
US8258572B2 (en) 2009-12-07 2012-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. SRAM structure with FinFETs having multiple fins
JP2011119606A (ja) 2009-12-07 2011-06-16 Sen Corp 半導体装置の製造方法
CN102104069B (zh) * 2009-12-16 2012-11-21 中国科学院微电子研究所 鳍式晶体管结构及其制作方法
US8440998B2 (en) 2009-12-21 2013-05-14 Intel Corporation Increasing carrier injection velocity for integrated circuit devices
US9117905B2 (en) 2009-12-22 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for incorporating impurity element in EPI silicon process
US20110147845A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Prashant Majhi Remote Doped High Performance Transistor Having Improved Subthreshold Characteristics
CN102770367B (zh) * 2009-12-22 2015-08-19 昆南诺股份有限公司 用于制备纳米线结构的方法
US8633470B2 (en) * 2009-12-23 2014-01-21 Intel Corporation Techniques and configurations to impart strain to integrated circuit devices
US20110147840A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 Cea Stephen M Wrap-around contacts for finfet and tri-gate devices
CN102117829B (zh) * 2009-12-30 2012-11-21 中国科学院微电子研究所 鳍式晶体管结构及其制作方法
US8813014B2 (en) 2009-12-30 2014-08-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and method for making the same using semiconductor fin density design rules
US8557692B2 (en) * 2010-01-12 2013-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET LDD and source drain implant technique
US9040393B2 (en) 2010-01-14 2015-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming semiconductor structure
US8709928B2 (en) * 2010-01-19 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor fin device and method for forming the same using high tilt angle implant
US8513107B2 (en) * 2010-01-26 2013-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Replacement gate FinFET devices and methods for forming the same
KR101399609B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
US9362290B2 (en) 2010-02-08 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory cell layout
US8362572B2 (en) * 2010-02-09 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lower parasitic capacitance FinFET
US8785286B2 (en) 2010-02-09 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Techniques for FinFET doping
US8395195B2 (en) * 2010-02-09 2013-03-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bottom-notched SiGe FinFET formation using condensation
US8310013B2 (en) * 2010-02-11 2012-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a FinFET device
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8174055B2 (en) * 2010-02-17 2012-05-08 Globalfoundries Inc. Formation of FinFET gate spacer
US8034677B2 (en) 2010-02-25 2011-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated method for forming high-k metal gate FinFET devices
US8263451B2 (en) * 2010-02-26 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Epitaxy profile engineering for FinFETs
US8937353B2 (en) 2010-03-01 2015-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dual epitaxial process for a finFET device
US8283217B2 (en) * 2010-03-04 2012-10-09 International Business Machines Corporation Prevention of oxygen absorption into high-K gate dielectric of silicon-on-insulator based finFET devices
US8278179B2 (en) 2010-03-09 2012-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. LDD epitaxy for FinFETs
US8212295B2 (en) 2010-06-30 2012-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. ROM cell circuit for FinFET devices
US8942030B2 (en) 2010-06-25 2015-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for SRAM cell circuit
US8675397B2 (en) 2010-06-25 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cell structure for dual-port SRAM
US8399931B2 (en) 2010-06-30 2013-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Layout for multiple-fin SRAM cell
US9312179B2 (en) 2010-03-17 2016-04-12 Taiwan-Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making a finFET, and finFET formed by the method
US8609495B2 (en) 2010-04-08 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hybrid gate process for fabricating finfet device
TWI536451B (zh) 2010-04-26 2016-06-01 應用材料股份有限公司 使用具金屬系前驅物之化學氣相沉積與原子層沉積製程之ｎ型金氧半導體金屬閘極材料、製造方法及設備
US8420455B2 (en) * 2010-05-12 2013-04-16 International Business Machines Corporation Generation of multiple diameter nanowire field effect transistors
US8621398B2 (en) 2010-05-14 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Automatic layout conversion for FinFET device
US8729627B2 (en) 2010-05-14 2014-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Strained channel integrated circuit devices
US8881084B2 (en) 2010-05-14 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET boundary optimization
JP5718585B2 (ja) * 2010-05-19 2015-05-13 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置及びその製造方法、並びにデータ処理システム
US8513099B2 (en) * 2010-06-17 2013-08-20 International Business Machines Corporation Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited FET channels
US8394710B2 (en) * 2010-06-21 2013-03-12 International Business Machines Corporation Semiconductor devices fabricated by doped material layer as dopant source
US8278173B2 (en) 2010-06-30 2012-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating gate structures
US8455929B2 (en) 2010-06-30 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Formation of III-V based devices on semiconductor substrates
US8796759B2 (en) 2010-07-15 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same
US8278196B2 (en) 2010-07-21 2012-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High surface dopant concentration semiconductor device and method of fabricating
US9130058B2 (en) 2010-07-26 2015-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Forming crown active regions for FinFETs
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
US8624320B2 (en) * 2010-08-02 2014-01-07 Advanced Micro Devices, Inc. Process for forming fins for a FinFET device
US8288759B2 (en) * 2010-08-04 2012-10-16 Zhihong Chen Vertical stacking of carbon nanotube arrays for current enhancement and control
US8373229B2 (en) 2010-08-30 2013-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gate controlled bipolar junction transistor on fin-like field effect transistor (FinFET) structure
US8258848B2 (en) 2010-09-07 2012-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Level shifter
US8659072B2 (en) 2010-09-24 2014-02-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Series FinFET implementation schemes
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US8062963B1 (en) 2010-10-08 2011-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a semiconductor device having an epitaxy region
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US12094892B2 (en) 2010-10-13 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D micro display device and structure
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US12080743B2 (en) 2010-10-13 2024-09-03 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US9166022B2 (en) 2010-10-18 2015-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same
US8367498B2 (en) 2010-10-18 2013-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same
US8338305B2 (en) 2010-10-19 2012-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-fin device by self-aligned castle fin formation
US8603924B2 (en) 2010-10-19 2013-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming gate dielectric material
US8524546B2 (en) 2010-10-22 2013-09-03 International Business Machines Corporation Formation of multi-height MUGFET
US8524545B2 (en) 2010-10-22 2013-09-03 International Business Machines Corporation Simultaneous formation of FinFET and MUGFET
US9048181B2 (en) 2010-11-08 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming ultra shallow junction
US8769446B2 (en) 2010-11-12 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and device for increasing fin device density for unaligned fins
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US12100611B2 (en) 2010-11-18 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US12068187B2 (en) 2010-11-18 2024-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding and DRAM memory cells
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US12033884B2 (en) 2010-11-18 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US8486769B2 (en) 2010-11-19 2013-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming metrology structures from fins in integrated circuitry
US9472550B2 (en) 2010-11-23 2016-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adjusted fin width in integrated circuitry
US8633076B2 (en) 2010-11-23 2014-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for adjusting fin width in integrated circuitry
US8525267B2 (en) 2010-11-23 2013-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device and method for forming Fins in integrated circuitry
US9484432B2 (en) 2010-12-21 2016-11-01 Intel Corporation Contact resistance reduction employing germanium overlayer pre-contact metalization
US8901537B2 (en) * 2010-12-21 2014-12-02 Intel Corporation Transistors with high concentration of boron doped germanium
US9385050B2 (en) * 2011-01-06 2016-07-05 Globalfoundries Inc. Structure and method to fabricate resistor on finFET processes
US9076873B2 (en) 2011-01-07 2015-07-07 International Business Machines Corporation Graphene devices with local dual gates
US8592915B2 (en) 2011-01-25 2013-11-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Doped oxide for shallow trench isolation (STI)
US8877602B2 (en) 2011-01-25 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms of doping oxide for forming shallow trench isolation
US8482952B2 (en) 2011-02-17 2013-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. One time programming bit cell
CN102651321B (zh) * 2011-02-25 2015-03-04 中国科学院微电子研究所 一种半导体器件的制备方法
US8389367B2 (en) * 2011-02-25 2013-03-05 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Method for manufacturing a semiconductor device
US8368053B2 (en) 2011-03-03 2013-02-05 International Business Machines Corporation Multilayer-interconnection first integration scheme for graphene and carbon nanotube transistor based integration
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
JP5271372B2 (ja) 2011-03-18 2013-08-21 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US8692230B2 (en) * 2011-03-29 2014-04-08 University Of Southern California High performance field-effect transistors
US8431453B2 (en) 2011-03-31 2013-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma doping to reduce dielectric loss during removal of dummy layers in a gate structure
US9240405B2 (en) 2011-04-19 2016-01-19 Macronix International Co., Ltd. Memory with off-chip controller
JP5325932B2 (ja) * 2011-05-27 2013-10-23 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US8860137B2 (en) * 2011-06-08 2014-10-14 University Of Southern California Radio frequency devices based on carbon nanomaterials
US8785911B2 (en) 2011-06-23 2014-07-22 International Business Machines Corporation Graphene or carbon nanotube devices with localized bottom gates and gate dielectric
US8778744B2 (en) * 2011-06-24 2014-07-15 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Method for manufacturing semiconductor field effect transistor
CN102842508B (zh) * 2011-06-24 2015-03-04 中国科学院微电子研究所 一种半导体场效应晶体管的制备方法
CN102842507B (zh) * 2011-06-24 2015-08-19 中国科学院微电子研究所 半导体场效应晶体管的制备方法
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
CN102903750B (zh) 2011-07-27 2015-11-25 中国科学院微电子研究所 一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法
US8853013B2 (en) * 2011-08-19 2014-10-07 United Microelectronics Corp. Method for fabricating field effect transistor with fin structure
US8643108B2 (en) 2011-08-19 2014-02-04 Altera Corporation Buffered finFET device
KR20170106657A (ko) * 2011-09-30 2017-09-21 인텔 코포레이션 집적회로 구조 및 집적회로 구조의 제조 방법
CN103918083A (zh) 2011-10-01 2014-07-09 英特尔公司 非平面晶体管的源极/漏极触点
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8557643B2 (en) * 2011-10-03 2013-10-15 International Business Machines Corporation Transistor device with reduced gate resistance
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8796124B2 (en) 2011-10-25 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Doping method in 3D semiconductor device
US9406518B2 (en) * 2011-11-18 2016-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate
KR101926356B1 (ko) 2011-12-06 2018-12-07 삼성전자주식회사 백-바이어스 영역을 갖는 반도체 소자
US9363451B2 (en) 2011-12-19 2016-06-07 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
CN107742640A (zh) * 2011-12-22 2018-02-27 英特尔公司 具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法
CN104126228B (zh) * 2011-12-23 2016-12-07 英特尔公司 非平面栅极全包围器件及其制造方法
US8637931B2 (en) 2011-12-27 2014-01-28 International Business Machines Corporation finFET with merged fins and vertical silicide
CN103187439B (zh) 2011-12-29 2015-08-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法、cmos及其形成方法
CN107195684B (zh) 2011-12-30 2020-12-08 英特尔公司 环绕式沟槽接触部结构和制作方法
US8609499B2 (en) * 2012-01-09 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs and the methods for forming the same
US8759184B2 (en) 2012-01-09 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs and the methods for forming the same
JP5726770B2 (ja) * 2012-01-12 2015-06-03 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP5398853B2 (ja) * 2012-01-26 2014-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US8901659B2 (en) * 2012-02-09 2014-12-02 International Business Machines Corporation Tapered nanowire structure with reduced off current
JP2013179274A (ja) * 2012-02-09 2013-09-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電界効果トランジスタおよびその製造方法
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9093420B2 (en) 2012-04-18 2015-07-28 Rf Micro Devices, Inc. Methods for fabricating high voltage field effect transistor finger terminations
US8877623B2 (en) * 2012-05-14 2014-11-04 United Microelectronics Corp. Method of forming semiconductor device
US8981481B2 (en) 2012-06-28 2015-03-17 Intel Corporation High voltage three-dimensional devices having dielectric liners
US8604546B1 (en) 2012-07-09 2013-12-10 International Business Machines Corporation Reducing gate resistance in nonplanar multi-gate transistor
US9124221B2 (en) 2012-07-16 2015-09-01 Rf Micro Devices, Inc. Wide bandwidth radio frequency amplier having dual gate transistors
US9142400B1 (en) 2012-07-17 2015-09-22 Stc.Unm Method of making a heteroepitaxial layer on a seed area
US9917080B2 (en) 2012-08-24 2018-03-13 Qorvo US. Inc. Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection
US9142620B2 (en) 2012-08-24 2015-09-22 Rf Micro Devices, Inc. Power device packaging having backmetals couple the plurality of bond pads to the die backside
US8988097B2 (en) 2012-08-24 2015-03-24 Rf Micro Devices, Inc. Method for on-wafer high voltage testing of semiconductor devices
US9202874B2 (en) * 2012-08-24 2015-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Gallium nitride (GaN) device with leakage current-based over-voltage protection
US9147632B2 (en) 2012-08-24 2015-09-29 Rf Micro Devices, Inc. Semiconductor device having improved heat dissipation
US9070761B2 (en) 2012-08-27 2015-06-30 Rf Micro Devices, Inc. Field effect transistor (FET) having fingers with rippled edges
US8729607B2 (en) * 2012-08-27 2014-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Needle-shaped profile finFET device
WO2014035794A1 (en) 2012-08-27 2014-03-06 Rf Micro Devices, Inc Lateral semiconductor device with vertical breakdown region
US9190346B2 (en) 2012-08-31 2015-11-17 Synopsys, Inc. Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits
US9817928B2 (en) 2012-08-31 2017-11-14 Synopsys, Inc. Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits
US9786850B2 (en) 2012-09-07 2017-10-10 President And Fellows Of Harvard College Methods and systems for scaffolds comprising nanoelectronic components
US9457128B2 (en) 2012-09-07 2016-10-04 President And Fellows Of Harvard College Scaffolds comprising nanoelectronic components for cells, tissues, and other applications
US8617957B1 (en) * 2012-09-10 2013-12-31 International Business Machines Corporation Fin bipolar transistors having self-aligned collector and emitter regions
US8786018B2 (en) * 2012-09-11 2014-07-22 International Business Machines Corporation Self-aligned carbon nanostructure field effect transistors using selective dielectric deposition
US8815656B2 (en) 2012-09-19 2014-08-26 International Business Machines Corporation Semiconductor device and method with greater epitaxial growth on 110 crystal plane
US8716803B2 (en) * 2012-10-04 2014-05-06 Flashsilicon Incorporation 3-D single floating gate non-volatile memory device
US9325281B2 (en) 2012-10-30 2016-04-26 Rf Micro Devices, Inc. Power amplifier controller
US9105702B2 (en) * 2012-11-16 2015-08-11 International Business Machines Corporation Transistors from vertical stacking of carbon nanotube thin films
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US8822320B2 (en) 2012-11-20 2014-09-02 International Business Machines Corporation Dense finFET SRAM
US9064077B2 (en) 2012-11-28 2015-06-23 Qualcomm Incorporated 3D floorplanning using 2D and 3D blocks
US9098666B2 (en) 2012-11-28 2015-08-04 Qualcomm Incorporated Clock distribution network for 3D integrated circuit
US8759874B1 (en) 2012-11-30 2014-06-24 Stmicroelectronics, Inc. FinFET device with isolated channel
US8847324B2 (en) 2012-12-17 2014-09-30 Synopsys, Inc. Increasing ION /IOFF ratio in FinFETs and nano-wires
US9379018B2 (en) 2012-12-17 2016-06-28 Synopsys, Inc. Increasing Ion/Ioff ratio in FinFETs and nano-wires
JP2014120661A (ja) 2012-12-18 2014-06-30 Tokyo Electron Ltd ダミーゲートを形成する方法
US9222170B2 (en) * 2012-12-20 2015-12-29 Intermolecular, Inc. Deposition of rutile films with very high dielectric constant
US8956942B2 (en) 2012-12-21 2015-02-17 Stmicroelectronics, Inc. Method of forming a fully substrate-isolated FinFET transistor
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US12051674B2 (en) 2012-12-22 2024-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
JP6271235B2 (ja) 2013-01-24 2018-01-31 キヤノンアネルバ株式会社 フィンｆｅｔの製造方法およびデバイスの製造方法
CN103985754B (zh) * 2013-02-08 2018-09-04 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
US9536840B2 (en) 2013-02-12 2017-01-03 Qualcomm Incorporated Three-dimensional (3-D) integrated circuits (3DICS) with graphene shield, and related components and methods
US9041448B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Qualcomm Incorporated Flip-flops in a monolithic three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) and related methods
US9177890B2 (en) * 2013-03-07 2015-11-03 Qualcomm Incorporated Monolithic three dimensional integration of semiconductor integrated circuits
US12094965B2 (en) 2013-03-11 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US12100646B2 (en) 2013-03-12 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9171608B2 (en) 2013-03-15 2015-10-27 Qualcomm Incorporated Three-dimensional (3D) memory cell separation among 3D integrated circuit (IC) tiers, and related 3D integrated circuits (3DICS), 3DIC processor cores, and methods
US8921940B2 (en) 2013-03-15 2014-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and a method for fabricating the same
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9525068B1 (en) * 2013-03-15 2016-12-20 Altera Corporation Variable gate width FinFET
US8859379B2 (en) 2013-03-15 2014-10-14 International Business Machines Corporation Stress enhanced finFET devices
US10438856B2 (en) 2013-04-03 2019-10-08 Stmicroelectronics, Inc. Methods and devices for enhancing mobility of charge carriers
WO2014165634A2 (en) * 2013-04-05 2014-10-09 President And Fellows Of Harvard College Three-dimensional networks comprising nanoelectronics
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
FR3005309B1 (fr) 2013-05-02 2016-03-11 Commissariat Energie Atomique Transistors a nanofils et planaires cointegres sur substrat soi utbox
US8987082B2 (en) 2013-05-31 2015-03-24 Stmicroelectronics, Inc. Method of making a semiconductor device using sacrificial fins
US9082788B2 (en) 2013-05-31 2015-07-14 Stmicroelectronics, Inc. Method of making a semiconductor device including an all around gate
US20140353716A1 (en) 2013-05-31 2014-12-04 Stmicroelectronics, Inc Method of making a semiconductor device using a dummy gate
JP6018607B2 (ja) 2013-07-12 2016-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015023060A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US9209274B2 (en) * 2013-07-19 2015-12-08 Globalfoundries Inc. Highly conformal extension doping in advanced multi-gate devices
KR20150012837A (ko) * 2013-07-26 2015-02-04 에스케이하이닉스 주식회사 3차원 수평 채널을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
US9184269B2 (en) * 2013-08-20 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Silicon and silicon germanium nanowire formation
US11404325B2 (en) 2013-08-20 2022-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Silicon and silicon germanium nanowire formation
KR102304337B1 (ko) 2013-09-13 2021-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9484460B2 (en) * 2013-09-19 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US20150187915A1 (en) * 2013-12-26 2015-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for fabricating fin type transistor
JP6314477B2 (ja) * 2013-12-26 2018-04-25 ソニー株式会社 電子デバイス
WO2015099782A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-02 Intel Corporation Diffused tip extension transistor
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12094829B2 (en) 2014-01-28 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN104810291A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mos晶体管及其形成方法
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
US9236397B2 (en) * 2014-02-04 2016-01-12 Globalfoundries Inc. FinFET device containing a composite spacer structure
KR102170856B1 (ko) * 2014-02-19 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
EP3123517A4 (en) 2014-03-24 2017-11-29 Intel Corporation Techniques for achieving multiple transistor fin dimensions on a single die
US10153372B2 (en) * 2014-03-27 2018-12-11 Intel Corporation High mobility strained channels for fin-based NMOS transistors
US9947772B2 (en) 2014-03-31 2018-04-17 Stmicroelectronics, Inc. SOI FinFET transistor with strained channel
US9443769B2 (en) 2014-04-21 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wrap-around contact
US9853102B2 (en) * 2014-04-30 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tunnel field-effect transistor
US9263586B2 (en) 2014-06-06 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Quantum well fin-like field effect transistor (QWFinFET) having a two-section combo QW structure
US9455327B2 (en) 2014-06-06 2016-09-27 Qorvo Us, Inc. Schottky gated transistor with interfacial layer
US9502518B2 (en) 2014-06-23 2016-11-22 Stmicroelectronics, Inc. Multi-channel gate-all-around FET
JP6373686B2 (ja) 2014-08-22 2018-08-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9536803B2 (en) 2014-09-05 2017-01-03 Qorvo Us, Inc. Integrated power module with improved isolation and thermal conductivity
CN105514161B (zh) * 2014-09-26 2019-05-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置及其制造方法
US9379327B1 (en) 2014-12-16 2016-06-28 Carbonics Inc. Photolithography based fabrication of 3D structures
CN105810750B (zh) * 2014-12-29 2019-02-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种碳纳米管神经元器件及其制作方法
US10062684B2 (en) 2015-02-04 2018-08-28 Qorvo Us, Inc. Transition frequency multiplier semiconductor device
US10615158B2 (en) 2015-02-04 2020-04-07 Qorvo Us, Inc. Transition frequency multiplier semiconductor device
KR102320049B1 (ko) * 2015-02-26 2021-11-01 삼성전자주식회사 경사진 활성 영역을 갖는 반도체 소자
US10186618B2 (en) 2015-03-18 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN104979403A (zh) * 2015-05-20 2015-10-14 北京大学 导电沟道全包裹纳米线平面环栅场效应器件及其制备方法
US9748394B2 (en) 2015-05-20 2017-08-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. FinFET having a multi-portioned gate stack
US10084085B2 (en) 2015-06-11 2018-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fin field effect transistor (FinFET) device structure with stop layer and method for forming the same
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US9472669B1 (en) 2015-09-04 2016-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor Fin FET device with epitaxial source/drain
US12100658B2 (en) 2015-09-21 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
CN115942752A (zh) 2015-09-21 2023-04-07 莫诺利特斯3D有限公司 3d半导体器件和结构
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US12016181B2 (en) 2015-10-24 2024-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US12120880B1 (en) 2015-10-24 2024-10-15 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US12035531B2 (en) 2015-10-24 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9754939B2 (en) * 2015-11-11 2017-09-05 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits
US9379110B1 (en) * 2015-11-25 2016-06-28 International Business Machines Corporation Method of fabrication of ETSOI CMOS device by sidewall image transfer (SIT)
FR3046243B1 (fr) * 2015-12-24 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Capteur nw-fet comportant au moins deux detecteurs distincts a nanofil de semi-conducteur
US9964605B2 (en) * 2016-06-23 2018-05-08 Globalfoundries Inc. Methods for crossed-fins FinFET device for sensing and measuring magnetic fields
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
CN108122973B (zh) 2016-11-28 2020-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法、以及sram
KR20180095977A (ko) * 2017-02-20 2018-08-29 에스케이하이닉스 주식회사 카본 나노 튜브들을 갖는 시냅스를 포함하는 뉴로모픽 소자
US11114565B2 (en) 2017-09-29 2021-09-07 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Semiconductor device
CN109599337A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法
US20190172920A1 (en) * 2017-12-06 2019-06-06 Nanya Technology Corporation Junctionless transistor device and method for preparing the same
KR102381197B1 (ko) * 2017-12-08 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 소자
TWI662347B (zh) * 2017-12-14 2019-06-11 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN111670486B (zh) * 2018-01-29 2024-08-09 麻省理工学院 背栅场效应晶体管及其制造方法
KR102026811B1 (ko) * 2018-03-23 2019-10-01 인천대학교 산학협력단 탄소 나노 튜브 기반의 상보형 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
US11515251B2 (en) * 2018-04-02 2022-11-29 Intel Corporation FinFET transistors as antifuse elements
CN112585457A (zh) 2018-06-08 2021-03-30 麻省理工学院 用于气体感测的系统、装置和方法
US11062067B2 (en) 2018-09-10 2021-07-13 Massachusetts Institute Of Technology Systems and methods for designing integrated circuits
CN112840448B (zh) 2018-09-24 2024-10-11 麻省理工学院 通过工程化原子层沉积对碳纳米管的可调掺杂
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11653488B2 (en) 2020-05-07 2023-05-16 Micron Technology, Inc. Apparatuses including transistors, and related methods, memory devices, and electronic systems
CN116057687A (zh) * 2020-10-16 2023-05-02 索尼半导体解决方案公司 成像装置和电子设备
CN114792701A (zh) * 2021-01-24 2022-07-26 张葳葳 一种主动驱动无机发光二极管显示和照明器件及其制作方法
JP7464554B2 (ja) 2021-03-12 2024-04-09 株式会社東芝 高周波トランジスタ

Family Cites Families (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US670657A (en) * 1899-09-15 1901-03-26 John D Carpenter Acetylene-gas machine.
JPH0214578A (ja) 1988-07-01 1990-01-18 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5346834A (en) 1988-11-21 1994-09-13 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device
US4906589A (en) 1989-02-06 1990-03-06 Industrial Technology Research Institute Inverse-T LDDFET with self-aligned silicide
KR930003790B1 (ko) 1990-07-02 1993-05-10 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 캐패시터용 유전체
JP3202223B2 (ja) 1990-11-27 2001-08-27 日本電気株式会社 トランジスタの製造方法
US5346836A (en) 1991-06-06 1994-09-13 Micron Technology, Inc. Process for forming low resistance contacts between silicide areas and upper level polysilicon interconnects
US5292670A (en) * 1991-06-10 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Sidewall doping technique for SOI transistors
US5391506A (en) 1992-01-31 1995-02-21 Kawasaki Steel Corporation Manufacturing method for semiconductor devices with source/drain formed in substrate projection.
JP2572003B2 (ja) 1992-03-30 1997-01-16 三星電子株式会社 三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタの製造方法
JPH0793441B2 (ja) 1992-04-24 1995-10-09 ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH06177089A (ja) 1992-12-04 1994-06-24 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0750421A (ja) 1993-05-06 1995-02-21 Siemens Ag Ｍｏｓ形電界効果トランジスタ
US5475869A (en) 1993-05-28 1995-12-12 Nec Corporation Radio base station capable of distinguishing between interference due to collisions of outgoing call signals and an external interference noise
US5601084A (en) * 1993-06-23 1997-02-11 University Of Washington Determining cardiac wall thickness and motion by imaging and three-dimensional modeling
US6730549B1 (en) 1993-06-25 2004-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for its preparation
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5602049A (en) 1994-10-04 1997-02-11 United Microelectronics Corporation Method of fabricating a buried structure SRAM cell
JPH08125152A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Canon Inc 半導体装置、それを用いた相関演算装置、ａｄ変換器、ｄａ変換器、信号処理システム
GB2295488B (en) 1994-11-24 1996-11-20 Toshiba Cambridge Res Center Semiconductor device
US5716879A (en) 1994-12-15 1998-02-10 Goldstar Electron Company, Ltd. Method of making a thin film transistor
US5740342A (en) * 1995-04-05 1998-04-14 Western Atlas International, Inc. Method for generating a three-dimensional, locally-unstructured hybrid grid for sloping faults
JPH08320947A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 数値解析用メッシュ作成方法及び装置
US5946479A (en) * 1995-05-25 1999-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and device for generating mesh for use in numerical analysis
US5656844A (en) * 1995-07-27 1997-08-12 Motorola, Inc. Semiconductor-on-insulator transistor having a doping profile for fully-depleted operation
US5658806A (en) 1995-10-26 1997-08-19 National Science Council Method for fabricating thin-film transistor with bottom-gate or dual-gate configuration
US5814895A (en) 1995-12-22 1998-09-29 Sony Corporation Static random access memory having transistor elements formed on side walls of a trench in a semiconductor substrate
US5595919A (en) * 1996-02-20 1997-01-21 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Method of making self-aligned halo process for reducing junction capacitance
DE19607209A1 (de) * 1996-02-26 1997-08-28 Gregor Kohlruss Reinigungsvorrichtung zum Reinigen von flächigen Gegenständen
US5936278A (en) * 1996-03-13 1999-08-10 Texas Instruments Incorporated Semiconductor on silicon (SOI) transistor with a halo implant
JPH09293793A (ja) 1996-04-26 1997-11-11 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法
US5793088A (en) 1996-06-18 1998-08-11 Integrated Device Technology, Inc. Structure for controlling threshold voltage of MOSFET
US5817560A (en) 1996-09-12 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Ultra short trench transistors and process for making same
US6163053A (en) * 1996-11-06 2000-12-19 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device having opposite-polarity region under channel
US5827769A (en) 1996-11-20 1998-10-27 Intel Corporation Method for fabricating a transistor with increased hot carrier resistance by nitridizing and annealing the sidewall oxide of the gate electrode
JPH1140811A (ja) 1997-07-22 1999-02-12 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6120846A (en) * 1997-12-23 2000-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition
JPH11186524A (ja) 1997-12-24 1999-07-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US5888309A (en) 1997-12-29 1999-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lateral etch inhibited multiple for forming a via through a microelectronics layer susceptible to etching within a fluorine containing plasma followed by an oxygen containing plasma
US6307235B1 (en) 1998-03-30 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Another technique for gated lateral bipolar transistors
US6097065A (en) 1998-03-30 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Circuits and methods for dual-gated transistors
DE19841389A1 (de) * 1998-09-10 2000-03-16 Abb Research Ltd Verfahren zur Generierung einer Formschale für ein Gussteil
US6380558B1 (en) 1998-12-29 2002-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6268640B1 (en) * 1999-08-12 2001-07-31 International Business Machines Corporation Forming steep lateral doping distribution at source/drain junctions
TW469648B (en) * 1999-09-07 2001-12-21 Sharp Kk Semiconductor device and its manufacture method
US6897009B2 (en) * 1999-11-29 2005-05-24 Trustees Of The University Of Pennsylvania Fabrication of nanometer size gaps on an electrode
AUPQ449899A0 (en) * 1999-12-07 2000-01-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Knowledge based computer aided diagnosis
US6252284B1 (en) 1999-12-09 2001-06-26 International Business Machines Corporation Planarized silicon fin device
JP4923318B2 (ja) 1999-12-17 2012-04-25 ソニー株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびその動作方法
JP3846706B2 (ja) 2000-02-23 2006-11-15 信越半導体株式会社 ウエーハ外周面取部の研磨方法及び研磨装置
JP2001267562A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6483156B1 (en) 2000-03-16 2002-11-19 International Business Machines Corporation Double planar gated SOI MOSFET structure
JP3543946B2 (ja) * 2000-04-14 2004-07-21 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP3511498B2 (ja) * 2000-06-19 2004-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション メッシュ生成システム、設計支援システム、解析システム、メッシュ生成方法及び記憶媒体
JP4058751B2 (ja) * 2000-06-20 2008-03-12 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法
MXPA02002150A (es) * 2000-06-29 2005-06-13 Object Reservoir Inc Metodo y sistema para solucionar modelos de elementos finitos utilizando fisica de fase multiple.
CN1251962C (zh) * 2000-07-18 2006-04-19 Lg电子株式会社 水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管
JP2002118255A (ja) * 2000-07-31 2002-04-19 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US20020011612A1 (en) 2000-07-31 2002-01-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2002047034A (ja) 2000-07-31 2002-02-12 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd プラズマを利用したプロセス装置用の石英ガラス治具
US6403981B1 (en) * 2000-08-07 2002-06-11 Advanced Micro Devices, Inc. Double gate transistor having a silicon/germanium channel region
US6904395B1 (en) * 2000-08-16 2005-06-07 Ford Global Technologies, Llc System and method of generating a finite element mesh for a threaded fastener and joining structure assembly
KR100338778B1 (ko) 2000-08-21 2002-05-31 윤종용 선택적 실리사이드 공정을 이용한 모스 트랜지스터의제조방법
JP4044276B2 (ja) * 2000-09-28 2008-02-06 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US6562665B1 (en) * 2000-10-16 2003-05-13 Advanced Micro Devices, Inc. Fabrication of a field effect transistor with a recess in a semiconductor pillar in SOI technology
US7163864B1 (en) 2000-10-18 2007-01-16 International Business Machines Corporation Method of fabricating semiconductor side wall fin
US6413802B1 (en) * 2000-10-23 2002-07-02 The Regents Of The University Of California Finfet transistor structures having a double gate channel extending vertically from a substrate and methods of manufacture
US6716684B1 (en) 2000-11-13 2004-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making a self-aligned triple gate silicon-on-insulator device
US6396108B1 (en) 2000-11-13 2002-05-28 Advanced Micro Devices, Inc. Self-aligned double gate silicon-on-insulator (SOI) device
WO2002043151A1 (en) 2000-11-22 2002-05-30 Hitachi, Ltd Semiconductor device and method for fabricating the same
US6413877B1 (en) 2000-12-22 2002-07-02 Lam Research Corporation Method of preventing damage to organo-silicate-glass materials during resist stripping
JP2002198368A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6475890B1 (en) 2001-02-12 2002-11-05 Advanced Micro Devices, Inc. Fabrication of a field effect transistor with an upside down T-shaped semiconductor pillar in SOI technology
US6475869B1 (en) 2001-02-26 2002-11-05 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming a double gate transistor having an epitaxial silicon/germanium channel region
FR2822293B1 (fr) 2001-03-13 2007-03-23 Nat Inst Of Advanced Ind Scien Transistor a effet de champ et double grille, circuit integre comportant ce transistor, et procede de fabrication de ce dernier
SG112804A1 (en) 2001-05-10 2005-07-28 Inst Of Microelectronics Sloped trench etching process
US6635923B2 (en) 2001-05-24 2003-10-21 International Business Machines Corporation Damascene double-gate MOSFET with vertical channel regions
JP2003017508A (ja) 2001-07-05 2003-01-17 Nec Corp 電界効果トランジスタ
US6859210B2 (en) * 2001-07-06 2005-02-22 Eastman Kodak Company Method for representing a digital color image using a set of palette colors based on detected important colors
WO2003009465A1 (fr) * 2001-07-12 2003-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Circuit melangeur
US6689650B2 (en) 2001-09-27 2004-02-10 International Business Machines Corporation Fin field effect transistor with self-aligned gate
US6492212B1 (en) 2001-10-05 2002-12-10 International Business Machines Corporation Variable threshold voltage double gated transistors and method of fabrication
US20030085194A1 (en) 2001-11-07 2003-05-08 Hopkins Dean A. Method for fabricating close spaced mirror arrays
US7385262B2 (en) 2001-11-27 2008-06-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Band-structure modulation of nano-structures in an electric field
US6967351B2 (en) 2001-12-04 2005-11-22 International Business Machines Corporation Finfet SRAM cell using low mobility plane for cell stability and method for forming
US6657259B2 (en) 2001-12-04 2003-12-02 International Business Machines Corporation Multiple-plane FinFET CMOS
US6610576B2 (en) 2001-12-13 2003-08-26 International Business Machines Corporation Method for forming asymmetric dual gate transistor
KR100442089B1 (ko) 2002-01-29 2004-07-27 삼성전자주식회사 노치된 게이트 전극을 갖는 모스 트랜지스터의 제조방법
KR100458288B1 (ko) 2002-01-30 2004-11-26 한국과학기술원 이중-게이트 ＦｉｎＦＥＴ 소자 및 그 제조방법
US20030151077A1 (en) 2002-02-13 2003-08-14 Leo Mathew Method of forming a vertical double gate semiconductor device and structure thereof
JP3782021B2 (ja) 2002-02-22 2006-06-07 株式会社東芝 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法
US6635909B2 (en) 2002-03-19 2003-10-21 International Business Machines Corporation Strained fin FETs structure and method
US6713396B2 (en) 2002-04-29 2004-03-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating high density sub-lithographic features on a substrate
US7074623B2 (en) 2002-06-07 2006-07-11 Amberwave Systems Corporation Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures
US6680240B1 (en) 2002-06-25 2004-01-20 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon-on-insulator device with strained device film and method for making the same with partial replacement of isolation oxide
US7358121B2 (en) 2002-08-23 2008-04-15 Intel Corporation Tri-gate devices and methods of fabrication
US7163851B2 (en) 2002-08-26 2007-01-16 International Business Machines Corporation Concurrent Fin-FET and thick-body device fabrication
US6794313B1 (en) 2002-09-20 2004-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Oxidation process to improve polysilicon sidewall roughness
US6800910B2 (en) 2002-09-30 2004-10-05 Advanced Micro Devices, Inc. FinFET device incorporating strained silicon in the channel region
US6706571B1 (en) 2002-10-22 2004-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming multiple structures in a semiconductor device
US6787439B2 (en) 2002-11-08 2004-09-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method using planarizing gate material to improve gate critical dimension in semiconductor devices
US6611029B1 (en) 2002-11-08 2003-08-26 Advanced Micro Devices, Inc. Double gate semiconductor device having separate gates
US6709982B1 (en) 2002-11-26 2004-03-23 Advanced Micro Devices, Inc. Double spacer FinFET formation
US6645797B1 (en) 2002-12-06 2003-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming fins in a FinFET device using sacrificial carbon layer
US6686231B1 (en) 2002-12-06 2004-02-03 Advanced Micro Devices, Inc. Damascene gate process with sacrificial oxide in semiconductor devices
US6794718B2 (en) 2002-12-19 2004-09-21 International Business Machines Corporation High mobility crystalline planes in double-gate CMOS technology
ATE467905T1 (de) 2002-12-20 2010-05-15 Ibm Integrierte anitfuse-struktur für finfet- und cmos-vorrichtungen
US6803631B2 (en) 2003-01-23 2004-10-12 Advanced Micro Devices, Inc. Strained channel finfet
US7304336B2 (en) 2003-02-13 2007-12-04 Massachusetts Institute Of Technology FinFET structure and method to make the same
US6855606B2 (en) 2003-02-20 2005-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor nano-rod devices
US6716690B1 (en) 2003-03-12 2004-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Uniformly doped source/drain junction in a double-gate MOSFET
JP4563652B2 (ja) 2003-03-13 2010-10-13 シャープ株式会社 メモリ機能体および微粒子形成方法並びにメモリ素子、半導体装置および電子機器
US6844238B2 (en) 2003-03-26 2005-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Multiple-gate transistors with improved gate control
US20040191980A1 (en) 2003-03-27 2004-09-30 Rafael Rios Multi-corner FET for better immunity from short channel effects
US6790733B1 (en) 2003-03-28 2004-09-14 International Business Machines Corporation Preserving TEOS hard mask using COR for raised source-drain including removable/disposable spacer
US6764884B1 (en) 2003-04-03 2004-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming a gate in a FinFET device and thinning a fin in a channel region of the FinFET device
TWI231994B (en) 2003-04-04 2005-05-01 Univ Nat Taiwan Strained Si FinFET
JP3976703B2 (ja) 2003-04-30 2007-09-19 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US7045401B2 (en) 2003-06-23 2006-05-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Strained silicon finFET device
US20040262683A1 (en) 2003-06-27 2004-12-30 Bohr Mark T. PMOS transistor strain optimization with raised junction regions
US6960517B2 (en) 2003-06-30 2005-11-01 Intel Corporation N-gate transistor
US6921982B2 (en) 2003-07-21 2005-07-26 International Business Machines Corporation FET channel having a strained lattice structure along multiple surfaces
KR100487566B1 (ko) 2003-07-23 2005-05-03 삼성전자주식회사 핀 전계 효과 트랜지스터 및 그 형성 방법
EP1519420A2 (en) 2003-09-25 2005-03-30 Interuniversitaire Microelectronica Centrum vzw ( IMEC) Multiple gate semiconductor device and method for forming same
US6835618B1 (en) 2003-08-05 2004-12-28 Advanced Micro Devices, Inc. Epitaxially grown fin for FinFET
US7172943B2 (en) 2003-08-13 2007-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multiple-gate transistors formed on bulk substrates
US6877728B2 (en) * 2003-09-04 2005-04-12 Lakin Manufacturing Corporation Suspension assembly having multiple torsion members which cooperatively provide suspension to a wheel
US7183137B2 (en) 2003-12-01 2007-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for dicing semiconductor wafers
US7388258B2 (en) 2003-12-10 2008-06-17 International Business Machines Corporation Sectional field effect devices
US7105390B2 (en) 2003-12-30 2006-09-12 Intel Corporation Nonplanar transistors with metal gate electrodes
US7705345B2 (en) 2004-01-07 2010-04-27 International Business Machines Corporation High performance strained silicon FinFETs device and method for forming same
EP1566844A3 (en) 2004-02-20 2006-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-gate transistor and method for manufacturing the same
US8450806B2 (en) * 2004-03-31 2013-05-28 International Business Machines Corporation Method for fabricating strained silicon-on-insulator structures and strained silicon-on insulator structures formed thereby
US7154118B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-26 Intel Corporation Bulk non-planar transistor having strained enhanced mobility and methods of fabrication
US20050224797A1 (en) 2004-04-01 2005-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMOS fabricated on different crystallographic orientation substrates
US20050230763A1 (en) * 2004-04-15 2005-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a microelectronic device with electrode perturbing sill
US8669145B2 (en) * 2004-06-30 2014-03-11 International Business Machines Corporation Method and structure for strained FinFET devices

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