JP4669213B2 - 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ - Google Patents

電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ Download PDF

Info

Publication number
JP4669213B2
JP4669213B2 JP2003307798A JP2003307798A JP4669213B2 JP 4669213 B2 JP4669213 B2 JP 4669213B2 JP 2003307798 A JP2003307798 A JP 2003307798A JP 2003307798 A JP2003307798 A JP 2003307798A JP 4669213 B2 JP4669213 B2 JP 4669213B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
channel
substrate
sensor
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003307798A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005079342A (ja
Inventor
和彦 松本
厚彦 小島
哲 長尾
尚範 加藤
山田　　豊
一博 長池
康夫 井福
浩 三谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Japan Science and Technology Agency
National Institute of Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Japan Science and Technology Agency
National Institute of Japan Science and Technology Agency
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2003307798A priority Critical patent/JP4669213B2/ja
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp, Japan Science and Technology Agency, National Institute of Japan Science and Technology Agency filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to KR1020067004025A priority patent/KR100746863B1/ko
Priority to US10/570,279 priority patent/US8502277B2/en
Priority to CNB2004800246203A priority patent/CN100516854C/zh
Priority to EP04772358A priority patent/EP1666873A4/en
Priority to TW93125771A priority patent/TWI261114B/zh
Priority to PCT/JP2004/012402 priority patent/WO2005022134A1/ja
Priority to EP20130181482 priority patent/EP2685251A3/en
Publication of JP2005079342A publication Critical patent/JP2005079342A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4669213B2 publication Critical patent/JP4669213B2/ja
Priority to US13/556,316 priority patent/US8766326B2/en
Priority to US13/556,314 priority patent/US8772099B2/en
Priority to US14/302,842 priority patent/US9506892B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4146—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/068—Nanowires or nanotubes comprising a junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/7613—Single electron transistors; Coulomb blockade devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Description

本発明は、電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ、並びにそれを用いたセンサに関する。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及び単一電子トランジスタ（ＳＥＴ）は、ゲートに入力される電圧信号を、ソース電極あるいはドレイン電極から出力される電流信号に変換する素子である。ソース電極とドレイン電極との間に電圧を加えると、チャネルに存在する荷電粒子がソース電極とドレイン電極との間を電界方向に沿って移動し、ソース電極あるいはドレイン電極から電流信号として出力される。
この際、出力される電流信号の強さは荷電粒子の密度に比例する。絶縁体を介してチャネルの上方、側面、あるいは下方などに設置したゲートに電圧を加えると、チャネルに存在する荷電粒子の密度が変化するため、これを利用して、ゲート電圧を変化させることにより電流信号を変化させることができる。なお以下、電界効果トランジスタと単一電子トランジスタとを区別せずに述べる場合、単に「トランジスタ」という。
現在知られている、トランジスタを用いた化学物質検出素子（センサ）は上に述べたトランジスタの原理を応用したものである。具体的なセンサの例としては、特許文献１に記載されているものが挙げられる。特許文献１には、トランジスタのゲートに検出すべき物質と選択的に反応する物質を固定化した構造を有するセンサが記載されている。検出すべき物質とゲートに固定化された物質との反応によるゲート上の表面電荷の変化により、ゲートにかかる電位が変化するため、チャネルに存在する荷電粒子の密度が変化する。これによって生じるトランジスタのドレイン電極あるいはソース電極からの出力信号の変化を読み取ることによって、検出すべき物質を検出することができる。
特開平１０−２６０１５６号公報
しかしながらこのようなセンサは、例えば極めて高感度の検出感度を要する抗原−抗体反応を利用した免疫センサなどへの応用を考えた場合、検出感度に技術的制限があり実用化に至っていない。
本発明は、上記の課題に鑑みて創案されたもので、高感度の検出感度が要求される検出対象物質の検出を可能としたセンサを提供することを目的とする。
本発明の発明者らは、トランジスタを用いて検出対象物質を検出するためのセンサにおいて、該トランジスタが、ソース電極、ドレイン電極、及びチャネルのほかに、該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、該相互作用を該トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有することにより、該検出対象物質を高感度に検出することが可能であることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明のセンサは、基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた電界効果トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、該電界効果トランジスタが、該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、該相互作用を該電界効果トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、該他のゲートが、該基板の表面側に設けられたトップゲート又は該基板表面のチャネル側面に設けられたサイドゲートであり、該チャネルが、カーボンナノチューブで構成され、該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており、該チャネルが絶縁性部材で被覆されていることを特徴とする（請求項１）。
また、本発明の別のセンサは、基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた電界効果トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、該電界効果トランジスタが、該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、該相互作用を該電界効果トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、該他のゲートが、裏面側に設けられたバックゲートであり、該チャネルが、カーボンナノチューブで構成され、該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており、該チャネルと該相互作用感知ゲートとの間に、低誘電率の絶縁性材料の層が形成されていることを特徴とする（請求項２）。
これらのセンサによれば、トランジスタの伝達特性が最高感度となる状態で該相互作用の検出を行なうことができるので、センサを高感度にすることができる。
また、本発明の別のセンサは、基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた単一電子トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、該単一電子トランジスタが、該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、該相互作用を該単一電子トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、該他のゲートが、該基板の表面側に設けられたトップゲート又は該基板表面のチャネル側面に設けられたサイドゲートであり、該チャネルが、カーボンナノチューブで構成され、該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており該チャネルが絶縁性部材で被覆されていることを特徴とする（請求項４）。また、本発明の別のセンサは、基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた単一電子トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、該単一電子トランジスタが、該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、該相互作用を該単一電子トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、該他のゲートが、裏面側に設けられたバックゲートであり、該チャネルがカーボンナノチューブで構成され、該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており、該チャネルと該相互作用感知ゲートとの間に、低誘電率の絶縁性材料の層が形成されていることを特徴とする（請求項５）。これらのセンサによれば、トランジスタの伝達特性が最高感度となる状態で該相互作用の検出を行なうことができるので、センサを高感度にすることができる。
また、該チャネルは、カーボンナノチューブで構成されることにより、センサの感度をより向上させることができる。
また、上記の電界効果トランジスタが有するカーボンナノチューブの電気特性は、半導体的性質を有することが好ましい（請求項３）。
また、上記の単一電子トランジスタが有するカーボンナノチューブは、欠陥が導入されていることが好ましい（請求項６）。これにより、カーボンナノチューブ中に量子ドット構造を形成することができる。
また、上記の単一電子トランジスタが有するカーボンナノチューブの電気特性は、金属的性質を有することが好ましい（請求項７）。
上記センサでは、該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであることにより、簡単な構成でトランジスタを構成することができる。
また、上記センサでは、上記の他のゲートは、該基板の表面のチャネル上面に設けられたトップゲート、該基板表面のチャネル側面に設けられたサイドゲート、及び裏面側に設けられたバックゲートのいずれかであることから、検出時の操作を簡単に行なうことができる。
また、該チャネルは、該基板から離隔した状態で上記のソース電極及びドレイン電極間に装架されていることが好ましい（請求項８）。これにより、相互作用感知ゲートとチャネルとの間の誘電率が低くなり、相互作用感知ゲートの電気容量を小さくできるため、感度よく検出することが可能となる。
また、該チャネルは、室温において上記のソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられていることにより、温度変化によってチャネルが破損する可能性を小さくすることができる。
また、該基板は、絶縁性基板であることが好ましい（請求項９）。
また、該チャネルが、絶縁性部材で被覆されている上記センサでは、トランジスタ内の電流が確実にチャネルを流れるようにすることができ、安定して検出をおこなうことができる。
また、該チャネルと該相互作用感知ゲートとの間に、低誘電率の絶縁性材料の層が形成されているセンサでは、相互作用感知ゲートで生じる相互作用による電荷の変化が、より効率的にチャネルに伝達されるので、センサの感度を高めることができる。
該チャネルと該電圧を印加されるゲートとの間には、高誘電率の絶縁性材料の層が形成されていることが好ましい（請求項１０）。これにより、ゲートのゲート電圧により、トランジスタの伝達特性をより効率よく変調させることができ、センサの感度を高めることができる。
また、本発明のセンサは、該相互作用感知ゲートに、該特定物質を固定化したものも含む（請求項１１）。
本発明のセンサによれば、検出対象物質を高感度に検出することが可能となる。
以下、本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変形して実施することができる。なお、後で詳細に説明するが、以下の第１〜第５実施形態において単に「トランジスタ」と記載した場合、電界特性トランジスタと単一電子トランジスタとを区別せずに指す用語であるとする。また、下記の各実施形態間において、実質同一の部分には同じ符号を付して説明する。
［第１実施形態］
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１実施形態としてのセンサを説明する図である。
図１（ａ）に示すように、トランジスタ１Ａの基板２は絶縁性の素材で形成されていて、その上面（図中上側の面）には、全面に渡って絶縁性で且つ低誘電率の酸化シリコンの層（以下適宜、「低誘電層」という）３が設けられている。また、低誘電層３の表面には、金で形成されたソース電極４及びドレイン電極５が設置されていて、ソース電極４及びドレイン電極５の間にはカーボンナノチューブで形成されたチャネル６が装架されている。
チャネル６は、ソース電極４とドレイン電極５との間を繋ぐ橋渡し状に設置されることによりソース電極４とドレイン電極５との間に装架され、低誘電層３表面から隔離されている。つまり、チャネル６はソース電極４との接続部及びドレイン電極５との接続部の２点でトランジスタ１Ａに固定され、他の部分は空中に浮いた状態とされている。さらに、図１（ｂ）に示すように、チャネル６は所定角度だけ弛んだ状態で装架されている。ここで、チャネル６が弛んだ所定角度とは、例えば温度変化により基板２が変形するなどによりソース電源４及びドレイン電極５の間の距離が変動した場合に、その変動によりチャネル６にかかる引張応力又は圧縮応力を吸収できる程度である。なお、通常は、センサを使用する温度条件下においてチャネル６が所定角度だけ弛むようにされ、センサを使用する温度周辺での温度変化により生じる応力を吸収できるようにする。ただし、本実施形態では室温においてチャネル６が所定角度だけ弛むよう設定されている。
低誘電層３表面のチャネル６に対向する位置には、金で形成されたサイドゲート７が設置されている。サイドゲート７はチャネル６にゲート電圧を印加するために設置されたものである。ソース電極４、ドレイン電極５、及び、サイドゲート７は、図示しない外部電源に接続されていて、この外部電源から電圧が印加されるよう設定されている。さらに、ソース電極４、ドレイン電源５、及び、サイドゲート７それぞれを流れる電流及びそれぞれに印加される電圧は、図示しない測定器によって測定されている。
本実施形態のセンサに用いるトランジスタ１Ａでは、さらに、基板１Ａの裏面（図中下側面）、即ち、低誘電層３と逆側の面に、相互作用感知ゲートとして金で形成されたバックゲート（他のゲート）９が全面に亘って設置されている。このバックゲート９には、本実施形態のセンサを用いて検出する検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質（本実施形態では、抗体）１０が固定化されている。
また、バックゲート９には、外部からなんら電圧が印加されないようになされている。
本実施形態のセンサは以上のように構成されているので、測定の開始前、あるいは測定の最中に、サイドゲート７に印加するゲート電圧を調整して、トランジスタ１Ａの伝達特性が最高感度を有する最適なゲート電圧を調べる。最適なゲート電圧が判明すれば、サイドゲート７に印加するゲート電圧を最適なゲート電圧に設定する。
その後、ゲート電圧を最適なゲート電圧、若しくは最適なゲート電圧の近傍に保ちながら、検出すべき検出対象物質を含む試料を特定物質と相互作用させる。なお、最適なゲート電圧の近傍とは、検出対象物質の検出に際し、トランジスタの特性値の変動が検出対象物質を検出するために充分な大きさになるものと期待できる程度の範囲をいう。試料が検出対象物質を含んでいれば、特定物質と検出対象物質との相互作用によってバックゲート９の電位が変動するので、ソース電極とドレイン電極間に流れる電流の電流値、しきい値電圧、ドレイン電圧のゲート電圧に対する傾き、また次に挙げるものは単一電子トランジスタ特有の特性であるが、クーロン振動のしきい値、クーロン振動の周期、クーロンダイアモンドのしきい値、クーロンダイアモンドの周期などのトランジスタの特性値にその相互作用に起因する変動が生じる。この変動を検出することにより、検出対象物質と特定物質との相互作用を検出することができ、ひいては試料中の検出対象物質を検出することが可能となる。
以上のように、本実施形態のセンサによれば、サイドゲート７を用いてトランジスタ１Ａの伝達特性が最高感度を有する状態となるように、即ち、トランジスタ１Ａの相互コンダクタンスが最大となる状態になるようにトランジスタ１Ａを設定することができる。これにより、特定物質と検出対象物質との間の相互作用によって生じるゲート電位の変化がチャネル６の荷電粒子の密度変化へ与える効果を最大にすることが可能となる。その結果、特定物質と検出対象物質との間の相互作用を、トランジスタ１Ａの特性の大きな変化として測定することが可能となる。即ち、本実施形態のセンサによれば、特定物質及び検出対象物質の間の相互作用に起因するトランジスタの特性の変化量を増幅させて、センサを高感度にすることができるのである。
また、チャネル６としてナノチューブ状構造体であるカーボンチューブを用いたので、更に高感度に検出対象物質を検出することができる。一般に、トランジスタを用いたセンサの検出感度の限界は、トランジスタのゲートの電気容量（以下適宜、「ゲート容量」という）に関係している。ゲート容量が小さいほど、ゲートの表面電荷の変化を大きなゲート電位の変化として捉えることができ、センサの検出感度が向上するのである。ゲート容量はチャネルの長さＬとチャネルの幅Ｗとの積Ｌ×Ｗに比例するので、ゲート容量の減少にはチャネルの微細化が効果的である。本実施形態に用いたようなナノチューブ状構造体は非常に微細であるので、上記の理由により、非常に高感度に検出対象物質を検出することができる。
また、相互作用感知ゲートとしてバックゲート９を用い、バックゲート９に抗体を固定しているので、簡単な構成で、高感度な検出を行なうことができる。特に、バックゲート９は基板１Ａの裏面に設けられているので、検出時の操作を簡単に行なうことができる。
また、チャネル６がソース電極４とドレイン電極５との間に弛んで装架されているので、検出時や保存時に温度変化があっても、チャネル６が温度変化による変形によって破損する可能性を低くすることができる。
また、基板２を絶縁性基板とすることにより、バックゲート９における相互作用を確実に検出することができる。
また、チャネル６とバックゲート（相互作用感知ゲート）９との間に、低誘電層３が形成されているので、これにより、バックゲート９における相互作用による表面電荷の変化が、より効率的にチャネル６内の電荷密度の変化として伝達され、トランジスタ１Ａの特性の大きな変化として現れる。これにより本実施形態のセンサの感度をより向上させることができる。
また、本実施形態のセンサを用いれば、実時間測定も可能であり、物質間相互作用のモニタリングできる。
また、例えば、従来の他の検出原理に基づく免疫反応を利用した検出機器は、ラジオイムノアッセイ、化学発光イムノアッセイなど標識体を用いたものは、検出感度としてはほぼ満足のできる状態にあった。しかしながら、それらは専用の施設、機器システムが必要であり、検査センターや病院の検査室で専門家である臨床検査技師が測定しなければならなかった。したがって開業医等では、検査センターへの外注により検査を実施しているため迅速な検査結果を得ることはできない。また、反応時間が長いため緊急検査に対応できるものは少ない。これらは、現在の免疫測定法が標識体を用いるものであるため、反応工程に洗浄等の複雑な操作を必要することによる。
また、非標識法による免疫センサとしては、表面プラズモン共鳴（SPR）など種々の検出原理に基づくものが開発されているが、いずれも研究機器として利用されているにすぎず、臨床検査用途には感度が充分ではなく実用化には至っていない。また、上記の免疫センサは光学的検出法を用いるため、装置全体が大型であるという課題もあった。
しかし、本実施形態のセンサを用いれば、センサの小型化、検出の迅速化、操作の簡便等の利点を得ることができる。
［第２実施形態］
図２（ａ），（ｂ）は、本発明の第２実施形態としてのセンサを説明する図である。
図２（ａ）に示すように、本発明の第２実施形態としてのセンサを構成するトランジスタ１Ｂは、第１実施形態において説明したトランジスタ１Ａと同様の構成を有している。
さらに、本実施形態のトランジスタ１Ｂは、低誘電層３表面の全面に亘って、絶縁性且つ高誘電率の感光性樹脂の層（以下適宜、「高誘電層」という）１１が形成されている。この高誘電層１１は、チャネル６の全体と、ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート７の側面とを覆うように形成されているが、ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート７の上側（図中上方）の面は被覆していない。なお、図２（ａ），（ｂ）中では、高誘電層１１は二点鎖線で示す。
本実施形態のセンサは上記のように構成されているので、第１実施形態のセンサと同様にして、トランジスタ１Ｂの伝達特性が最高感度を有する状態となるよう設定することにより、特定物質及び検出対象物質の間の相互作用を、トランジスタ１Ｂの特性の大きな変化として測定することができる。これにより、本実施形態のセンサの感度を向上させることが可能になる。
また、上記第１実施形態と同様に、次のような効果を奏することができる。即ち、チャネル６としてカーボンナノチューブを用いたので、センサをさらに高感度にすることができる。また、相互作用感知ゲートとしてバックゲート９を用いているので、簡単な構成、及び、簡単な操作で、高感度な検出を行なうことができる。また、基板２が絶縁性基板であるので、検出対象物質と特定物質との相互作用を確実に検出することができる。また、チャネル６とバックゲート９との間に、低誘電層３が形成されているので、これにより、バックゲート９における相互作用による表面電荷の変化を、より効率的にチャネル６に伝達することができ、センサの感度をより向上させることができる。また、チャネル６が弛んでいるため、温度変化等による長さの変化に起因する破損を防ぐことができる。なお、本実施形態ではチャネル６の周囲には高誘電層１１が充填されているが、高誘電層１１を構成する感光樹脂（フォトレジスト）はチャネル６の変形を許容できる程度に柔らかい物質であるので、上記のように破損を防ぐことができるのである。
さらに、本実施形態では、チャネル６とサイドゲート７との間に、高誘電率の絶縁性材料の層である高誘電層１１を有しているので、サイドゲート７のゲート電圧印加により、トランジスタ１Ｂの伝達特性をより効率よく変調させることができ、センサの感度をより向上させることができる。
また、チャネル６が絶縁性の高誘電層１１で被覆されているので、チャネル６内の荷電粒子がチャネル６外部に漏れること、及び、ソース電極やドレイン電極以外からチャネル６外部の電荷粒子がチャネル６に侵入することを防止することができる。これにより、特定物質と検出対象物質との相互作用を安定して検出することが可能となる。
また、本実施形態のセンサを用いれば、実時間測定も可能であり、物質間相互作用のモニタリングできる。さらに集積化が容易なため、同時多発的に起こる物質間相互作用の現象を１度に測定ができる。
また、本実施形態のセンサを用いれば、センサの小型化、検出の迅速化、操作の簡便等の利点を得ることができる。
［第３実施形態］
図３（ａ），（ｂ）は、本発明の第３実施形態としてのセンサを説明する図である。
図３（ａ）に示すように、第１実施形態と同様、本実施形態のセンサを構成するトランジスタ１Ｃは、絶縁性の素材で形成された基板２、絶縁性で且つ低誘電率の低誘電層３、金で形成されたソース電極４及びドレイン電極５を有していて、ソース電極４及びドレイン電極５の間にはカーボンナノチューブで形成されたチャネル６が装架されている。
基板２の裏面には、トランジスタ１Ｃにゲート電圧を印加するバックゲート１２が全面に形成されている。また、バックゲート１２は図示しない電源に接続され、その電源により電圧を印加される。なお、バックゲート１２に印加される電圧は、図示しない測定器によって測定可能となっている。
低誘電層３表面の、チャネル６中間部から図中奥方向の縁部にかけて、低誘電率の絶縁材である酸化シリコンの膜（絶縁膜）１３が形成されている。
チャネル６はこの絶縁膜１３を横方向に貫通していている。言い換えれば、チャネル６の中間部は絶縁膜１３によって被覆されている。
また、絶縁膜１３の上側表面には、金で形成された相互作用感知ゲートであるトップゲート１４が形成されている。即ち、トップゲート１４は絶縁膜１３を介して低誘電層３上に形成されていることになる。トップゲート１４には、外部から電圧は印加されないよう構成されている。さらに、トップゲート１４の上側表面には特定物質である抗体１０が固定されている。
低誘電層３の表面には、全面に亘って、絶縁体２１が形成されている。この絶縁体２１は、チャネル６の絶縁膜１３に被覆されていない部分全体と、ソース電極４、ドレイン電極５、絶縁膜１３、及び、トップゲート１４のそれぞれの側面とを覆うように形成されているが、ソース電極４、ドレイン電極５、及びトップゲート１４の上側の面は被覆していない。なお、図３（ａ），（ｂ）中、絶縁体２１は二点鎖線で示す。
本発明の第３実施形態としてのセンサは、上記のように構成されているので、第１実施形態のセンサと同様に、トランジスタ１Ｃの伝達特性が最高感度を有する状態となるよう設定することにより、特定物質及び検出対象物質の間の相互作用を、トランジスタ１Ｃの特性の大きな変化として測定することができ、センサを高感度にすることができる。
また、上記第１実施形態と同様に、チャネル６としてカーボンナノチューブを用いたので、センサをさらに高感度にすることができる。また、基板２が絶縁性基板であるので、検出対象物質と特定物質との相互作用を確実に検出することができる。
本実施形態では、相互作用感知ゲートとしてトップゲート１４を用いているので、簡単な構成、及び、簡単な操作で、高感度な検出を行なうことができる。
また、チャネル６とトップゲート１４との間に、低誘電率の絶縁膜１３が形成されているので、これにより、トップゲート１４における相互作用による表面電荷の変化を、より効率的にチャネル６に伝達することができ、センサの感度をより向上させることができる。
また、チャネル６が絶縁体２１で被覆されているので、チャネル６内の荷電粒子がチャネル６外部に漏れること、及び、ソース電極やドレイン電極以外からチャネル６外部の電荷粒子がチャネル６に侵入することを防止することができる。これにより、特定物質と検出対象物質との相互作用を安定して検出することが可能となる。
また、本実施形態のセンサを用いれば、実時間測定も可能であり、物質間相互作用のモニタリングできる。さらに集積化が容易なため、同時多発的に起こる物質間相互作用の現象を１度に測定ができる。
また、本実施形態のセンサを用いれば、センサの小型化、検出の迅速化、操作の簡便等の利点を得ることができる。
［第４実施形態］
図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第４実施形態としてのセンサを説明する図である。
図４（ａ）に示すように、第１実施形態と同様、本実施形態のセンサを構成するトランジスタ１Ｄは、絶縁性の素材で形成された基板２、絶縁性で且つ低誘電率の低誘電層３、金で形成されたソース電極４及びドレイン電極５を有していて、ソース電極４及びドレイン電極５の間にはカーボンナノチューブで形成されたチャネル６が装架されている。また、サイドゲート７を有している。
さらに、本実施形態のトランジスタ１Ｄは、低誘電層３上におけるサイドゲート７に対して反対側の縁部に、相互作用感知ゲートとしてサイドゲート１５を備えていて、その表面には抗体１０が固定されている。また、サイドゲート１５は、外部から電圧が印加されないよう構成されている。
また、図４（ｂ）に示すように、本実施形態のトランジスタ１Ｄは、低誘電層３の表面が全面に亘って、絶縁体２１が形成されている。この絶縁体２１は、チャネル６の全体と、ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート７，１５のそれぞれの側面とを覆うように形成されているが、ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート７，１５の上側（図中上方）の面は被覆していない。なお、図４（ａ），（ｂ）中では、絶縁体２１は二点鎖線で示す。
本実施形態のセンサは、上記のように構成されているので、第１実施形態のセンサと同様にして、トランジスタ１Ｄの伝達特性が最高感度を有する状態となるよう設定することにより、特定物質及び検出対象物質の間の相互作用を、トランジスタ１Ｄの特性の大きな変化として測定することができる。これにより、本実施形態のセンサの感度を向上させることが可能になる。
また、上記第１実施形態と同様に、次のような効果を奏することができる。即ち、チャネル６としてカーボンナノチューブを用いたので、センサをさらに高感度にすることができる。また、相互作用感知ゲートとしてサイドゲート１５を用いているので、簡単な構成で、高感度な検出を行なうことができる。また、基板２が絶縁性基板であるので、検出対象物質と特定物質との相互作用を確実に検出することができる。
また、チャネル６が絶縁性の絶縁体２１で被覆されているので、チャネル６内の荷電粒子がチャネル６外部に漏れること、及び、ソース電極４やドレイン電極５以外からチャネル６外部の電荷粒子がチャネル６に侵入することを防止することができる。これにより、特定物質と検出対象物質との相互作用を安定して検出することが可能となる。
また、本実施形態のセンサを用いれば、実時間測定も可能であり、物質間相互作用のモニタリングできる。さらに集積化が容易なため、同時多発的に起こる物質間相互作用の現象を１度に測定ができる。
また、本実施形態のセンサを用いれば、センサの小型化、検出の迅速化、操作の簡便等の利点を得ることができる。
［第５実施形態］
図５（ａ），（ｂ）は、本発明の第５実施形態を示す図である。
図５に示すように、本発明の第５実施形態としてのトランジスタ１Ｅは、バックゲート９及び抗体１０を有していないことのほかは、第１実施形態で説明したトランジスタ１Ａと同様の構成となっている。
即ち、図５（ａ）に示すように、トランジスタ１Ｅの基板２は絶縁性の素材で形成されていて、その上面（図中上側の面）には、全面に渡って絶縁性で且つ低誘電率の酸化シリコンの層（低誘電層）３が設けられている。また、低誘電層３の表面には、金で形成されたソース電極４及びドレイン電極５が設置されていて、ソース電極４及びドレイン電極５の間にはカーボンナノチューブで形成されたチャネル６が装架されている。
チャネル６は、ソース電極４とドレイン電極５との間を繋ぐ橋渡し状に設置されることによりソース電極４とドレイン電極５との間に装架され、低誘電層３表面から隔離されている。つまり、チャネル６はソース電極４との接続部及びドレイン電極５との接続部の２点のみでトランジスタ１Ａに固定され、他の部分は空中に浮いた状態とされている。さらに、図５（ｂ）に示すように、チャネル６は所定角度だけ弛んだ状態で装架されている。ここで、チャネル６が弛んだ所定角度とは、例えば温度変化により基板２が変形するなどによりソース電源４及びドレイン電極５の間の距離が変動した場合に、その変動によりチャネル６にかかる引張応力又は圧縮応力を吸収できる程度である。なお通常は、センサを使用する温度条件下においてチャネル６が所定角度だけ弛むようにされ、センサを使用する温度周辺での温度変化により生じる応力を吸収できるようにする。ただし、本実施形態では室温においてチャネル６が所定角度だけ弛むよう設定されている。
低誘電層３表面のチャネル６に対向する位置には、金で形成されたサイドゲート７が設置されている。サイドゲート７はチャネル６にゲート電圧を印加するために設置されたものである。ソース電極４、ドレイン電極５、及び、サイドゲート７は、図示しない外部電源に接続されていて、この外部電源から電圧が印加されるよう設定されている。
本実施形態のトランジスタ１Ｅは、以上のように構成されているので、チャネル６がソース電極４とドレイン電極５との間に弛んで装架されていることにより、検出時や保存時に温度変化があっても、チャネル６が温度変化による変形によって破損する可能性を低くすることができる。
また、本実施形態では基板２が絶縁性基板であるので、基板２の誘電率を低くすることができ、ゲート容量を低下させることができるので、トランジスタ１Ｅの感度を向上させることができる。
［第６実施形態］
図６（ａ），（ｂ）は本発明の第６実施形態を示す図である。
図６に示すように、本発明の第６実施形態としてのトランジスタ１Ｆは、バックゲート９及び抗体１０を有していないことのほかは、第２実施形態で説明したトランジスタ１Ｂと同様の構成となっている。
即ち、図６（ａ）に示すように、本発明の第６実施形態としてのセンサを構成するトランジスタ１Fは、第５実施形態において説明したトランジスタ１Ｅと同様の構成を有している。
さらに、本実施形態のトランジスタ１Ｆは、低誘電層３の表面が全面に亘って、絶縁性且つ高誘電率の感光性樹脂の層（高誘電層）１１が形成されている。この高誘電層１１は、チャネル６の全体と、ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート７の側面とを覆うように形成されているが、ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート７の上側（図中上方）の面は被覆していない。なお、図６（ａ），（ｂ）中では、高誘電層１１は二点鎖線で示す。
本実施形態のセンサは上記のように構成されている。したがって、本実施形態では、チャネル６とサイドゲート７との間に、高誘電率の絶縁性材料の層である高誘電層１１を有しているので、サイドゲート７のゲート電圧印加により、トランジスタ１Ｅの伝達特性をより効率よく変調させることができる。
また、チャネル６が絶縁性の高誘電層１１で被覆されているので、チャネル６内の荷電粒子がチャネル６外部に漏れること、及び、ソース電極やドレイン電極以外からチャネル６外部の電荷粒子がチャネル６に侵入することを防止することができる。これにより、トランジスタ１Ｅの挙動を安定させることができる。
［その他］
以上、第１〜第６実施形態を用いて本発明を説明したが、本発明は上記の各実施形態に限定されるものではなく、適宜変形して実施することができる。
例えば、上記実施形態を任意に組み合わせて実施しても良い。
また、ソース電極、ドレイン電極、ゲート、チャネル、及び、相互作用感知ゲートは、それぞれ適宜、複数形成してもよい。
また、上記実施形態ではセンサにおいてトランジスタが露出した構成で説明したが、上記トランジスタを適当なハウジング内に設けたり、他の装置に設置したりしてもよい。
また、上記実施形態ではセンサに特定物質を固定した例を示して説明したが、上記センサは製造段階や出荷段階では特定物質を固定されず、ユーザが特定物質を固定化するようなものであってもよい。即ち、本発明の実施形態としてのセンサは、特定物質が固定化されていないものも含むものとして理解すべきである。
また、上記実施形態では相互作用感知ゲートとしてトップゲート、サイドゲート、及び、バックゲートを用いたが、相互作用感知ゲートを上記ゲート以外の他のゲートで形成してもよく、また、さらにゲート以外の他の部材で構成してもよいことは言うまでも無い。
また、上記実施形態ではチャネル６を弛ませて形成したが、もちろん弛ませず柱状に形成しても良い。
また、上記実施形態ではチャネル６はソース電極４とドレイン電極５との間に装架されているが、チャネル６は基板２や低誘電層３などに接触して設けられても良い。また、基板２や低誘電層３にチャネル６が接触している状態であっても、チャネル６が弛んだ状態であれば、温度変化による破損の可能性を低下させることは可能である。
なお、相互作用感知ゲートには電圧を印加することもできる。
［構成要素］
続いて、上記の各実施形態の構成要素について、詳細に説明する。
上述したように、上記実施形態において、「トランジスタ」とは、電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタのいずれかのことを指す。
電界効果トランジスタと単一電子トランジスタとは、その基本構造は共通しているが、両者は、電流通路となるチャネルが異なっている。具体的には、単一電子トランジスタのチャネルは量子ドット構造を有し、電界効果トランジスタのチャネルは量子ドット構造を有さない。したがって、両者は構造的には量子ドット構造の有無により区別することができる。
＜基板＞
基板（上記実施形態では、符号２で示したもの）は、絶縁性基板、あるいは絶縁された半導体基板であれば他に制限は無く、任意の素材で形成されたものを用いることができる。但し、センサとして用いる場合、絶縁性基板、あるいは、表面を絶縁性基板を構成する素材で被覆した基板であることが好ましい。絶縁性基板を用いた場合、半導体基板に比べ、誘電率が低いために浮遊容量を低減することができ、そのためバックゲートを相互作用感知ゲートとした場合に相互作用の検知感度を高めることができる。
絶縁性基板は、絶縁体で形成された基板である。なお、本明細書においては、特に断らない限り電気絶縁体のことを意味するものとする。絶縁性基板を形成する絶縁体の具体例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、弗化カルシウム、アクリル樹脂、ポリイミド、テフロン（登録商標）等が挙げられる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いても良い。
半導体基板は、半導体で形成された基板である。半導体基板を形成する半導体の具体例としては、シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム、酸化亜鉛、インジウム燐、炭化シリコン等が挙げられる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いても良い。
さらに、半導体基板の上に絶縁膜を形成して絶縁する場合は、絶縁膜を形成する絶縁体の具体例としては、上記の絶縁性基板を形成する絶縁体と同様のものが挙げられる。この場合、半導体基板は後述するゲートとしても作用させることができる。
基板の形状は任意であるが、通常は平板状に形成する。また、その寸法についても特に制限は無いが、基板の機械的強度を保つため１００μｍ以上であることが好ましい。
＜ソース電極，ドレイン電極＞
ソース電極（上記実施形態では、符号４で示したもの）は、上記トランジスタのキャリアを供給できる電極であれば他に制限は無い。また、ドレイン電極（上記実施形態では、符号５で示したもの）は、上記トランジスタのキャリアを受け取ることができる電極であれば、他に制限は無い。
ソース電極及びドレイン電極はそれぞれ任意の導体で形成することができ、具体例としては、金、白金、チタン、炭化チタン、タングステン、アルミニウム、モリブデン、クロムケイ化タングステン、窒化タングステン、多結晶シリコンなどが挙げられる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いても良い。
＜ゲート＞
ゲート（上記実施形態では、符号７，１２で示したもの）は、上記トランジスタのチャネル内の荷電粒子の密度を制御できるものであれば制限は無く、任意のものを用いることができる。通常、ゲートはチャネルから絶縁された導体を有して構成され、一般的には導体および絶縁体から構成される。
ゲートを構成する導体の具体例としては、金、白金、チタン、炭化チタン、タングステン、ケイ化タングステン、窒化タングステン、アルミニウム、モリブデン、クロム、多結晶シリコンなどが挙げられる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いても良い。
ゲートを配置する位置は、チャネルに対してゲート電圧を印加することができる位置であれば他に制限は無く、例えば基板の上方に配設してトップゲートとしてもよく、基盤のチャネルと同じ側の面上に配設してサイドゲートとしてもよく、基板の裏面に配設してバックゲートとしてもよい。
さらに、ゲートの中でもトップゲート及びサイドゲートは、チャネルの表面に絶縁膜を介してゲートを形成してもよい。ここでいう絶縁膜としては、絶縁性の素材であれば特に制限は無いが、具体例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、弗化カルシウムなどの無機材料、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、テフロン（登録商標）などの高分子材料が挙げられる。
＜相互作用感知ゲート＞
相互作用感知ゲート（上記実施形態では、符号９，１４，１５で示したもの）は、検出対象物質と相互作用をする特定物質を固定することができるものであればよいため、固定部材ということができる。また、相互作用感知ゲートは外部から電圧を印加されないものが好ましい。したがって、相互作用感知ゲートは、電圧非印加型固定部材ということもできる。また、相互作用感知ゲートは、例えば、導体、半導体、絶縁体など、様々なものを用いることができる。但し通常は、ソース電極やドレイン電極と同様に導体を用いる。したがって、相互作用感知ゲートは電極構造部材ということもでき、電圧が印加されないことと併せて電圧非印加型電極構造部材ということもできる。相互作用感知ゲートを形成する導体の具体例としては、金、白金、チタン、炭化チタン、タングステン、ケイ化タングステン、窒化タングステン、アルミニウム、モリブデン、クロム、多結晶シリコンなどが挙げられる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いても良い。
また、相互作用感知ゲートとしては、トランジスタにおいてゲート電圧の印加に用いられていないゲートを用いることが好ましい。具体的には、トップゲート、サイドゲート、及びバックゲートから選ばれるいずれかであることが好ましく、トップゲート及びバックゲートのいずれかであることがより好ましい。トップゲートを相互作用感知ゲートとすると、一般にチャネルとトップゲートとの距離はチャネルと他のゲートとの距離に比べて近いため、センサの感度を高めることができる。また、バックゲートを相互作用感知ゲートとした場合は、相互作用感知ゲートに特定物質を簡単に固定することができる。
＜チャネル＞
チャネル（上記実施形態では、符号６で示したもの）は、ソース電極及びドレイン電極の間の電流の通路となりうるものであり、公知のチャネルを適宜用いることができる。
チャネルは、絶縁性部材により被覆して、パッシベーションあるいは保護することが望ましい。この絶縁性部材としては、絶縁性の部材であれば任意の部材を用いることが可能であるが、具体例としては、フォトレジスト（感光性樹脂）、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、テフロン（登録商標）などの高分子材料、アミノプロピルエトキシシランなどの自己組織化膜、PER−フルオロポリエーテル、フォンブリン（商品名）などのルブリカント、フラーレン類化合物、あるいは酸化シリコン、弗化ケイ酸塩ガラス、ＨＳＱ(Hydrogen Silsesquioxane)、ＭＳＱ(Methyl Lisesquioxane)、多孔質シリカ、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、弗化カルシウム、ダイヤモンド薄膜などの無機物質を用いることができる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いてもよい。
また、相互作用感知ゲートとチャネルとの間には、絶縁性であってかつ低誘電率の材料の層（低誘電率層）が設けられていることが好ましい。さらに、相互作用感知ゲートからチャネルまでの間が全体に（即ち、相互作用感知ゲートからチャネルまでの間にある層がすべて）低誘電率の性質を有することがより好ましい。ここで、低誘電率とは、比誘電率が４．５以下であることを意味する。
低誘電率層を構成する材料は、上記のように絶縁性であり低誘電率の材料であれば他に制限は無い。その具体例としては、二酸化シリコン、弗化ケイ酸塩ガラス、ＨＳＱ(Hydrogen Silsesquioxane)、ＭＳＱ(Methyl Lisesquioxane)、多孔質シリカ、ダイヤモンド薄膜などの無機材料、ポリイミド、Parylene-N、Parylene-F、弗化ポリイミドなどの有機材料が挙げられる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いてもよい。
つまり、チャネルから相互作用感知ゲートにかけての間が絶縁性で且つ低誘電率であることにより、相互作用感知ゲート上で生じた表面電荷の変化が、チャネル内の電荷密度の変化としてより効率的に伝達されるのである。これにより、上記相互作用をトランジスタの大きな出力特性の変化として検出することができるので、上記のトランジスタをセンサに用いた場合に、センサの感度をより向上させることができる。
また、トランジスタにゲート電圧を印加するゲートとチャネルとの間には、絶縁性であってかつ高誘電率の材料の層（高誘電層）が形成されていることが好ましい。さらに、ゲートからチャネルまでの間が全体に（即ち、ゲートからチャネルまでの間にある層がすべて）高誘電率の性質を有することがより好ましい。ここで、高誘電率とは、比誘電率が４．５以上であることを意味する。
高誘電層を形成する材料は、上記のように絶縁性を有して且つ高誘電率のものであれば他に制限は無い。その具体例としては、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの無機物質、高誘電率特性を有する高分子材料などが挙げられる。また、これらは任意の種類及び比率で組み合わせて用いてもよい。
つまり、ゲートからチャネルにかけての間が絶縁性で且つ高誘電率であること高誘電層を形成することにより、ゲートの電圧印加により、トランジスタの伝達特性をより効率よく変調させることができるのである。これにより、上記のトランジスタをセンサとして用いた場合、センサとしての感度をより向上させることができる。
次に、電界効果トランジスタのチャネル（以下適宜、「ＦＥＴチャネル」という）と、単一電子トランジスタのチャネル（以下適宜、「ＳＥＴチャネル」という）とについて、それぞれ説明する。なお、上述のように電界効果トランジスタと単一電子トランジスタとはチャネルによって区別することができ、上記各実施形態において説明した各トランジスタが、ＦＥＴチャネルを有する場合はそのトランジスタは電界効果トランジスタであり、ＳＥＴチャネルを有する場合はそのトランジスタは単一電子トランジスタと認識すべきである。
ＦＥＴチャネルは、電流の通路となりうるものであり、公知のチャネルを適宜用いることができるが、通常はその大きさが微細であることが好ましい。
このような微細なチャネルの例としては、例えばナノチューブ状構造体が挙げられる。ナノチューブ状構造体とは、チューブ状の構造体であって、その長手方向に直交する断面の直径が０．４ｎｍ以上５０ｎｍ以下のものをいう。なお、ここでチューブ状、とは、構造体の長手方向の長さと、これに垂直な方向のうち最も長い一方向の長さとの比が１０以上１００００以下の範囲にある形状を指し、ロッド状（断面形状が略円形）、リボン状（断面形状が扁平な略方形）等の各形状を含む。
ナノチューブ状構造体は電荷輸送体として用いることができ、直径が数ナノメートルの一次元量子細線構造を有するため、従来のセンサに用いられていた電界効果トランジスタの場合に比べてゲート容量は著しく低減する。したがって、特定物質及び検出対象物質の間の相互作用により生じるゲート電位の変化は極めて大きくなり、チャネルに存在する荷電粒子の密度の変化は著しく大きくなる。このことにより検出物質の検出感度は劇的に向上する。
ナノチューブ状構造体の具体例としては、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、ボロンナイトライドナノチューブ、チタニアナノチューブ等が挙げられる。従来の技術では、半導体微細加工技術を用いても、１０ｎｍ級のチャネルの形成は困難であり、それによりセンサーとしての検出感度も制限されていたが、これらのナノチューブ状構造体を用いることにより、従来よりも微細なチャネルを形成することができる。
ナノチューブ状構造体は、そのカイラリティに応じて半導体的な電気的性質及び金属的な電気的性質の両方を示すが、半導体的ＦＥＴチャネルに用いる場合、ナノチューブ状構造体は、その電気的性質として半導体的性質を有することがより望ましい。
一方、ＳＥＴチャネルもＦＥＴチャネルと同様、電流の通路となりうるものであり、公知のチャネルを適宜用いることができ、また、通常はその大きさが微細であることが好ましい。さらに、ＳＥＴチャネルもＦＥＴチャネルと同様に、ナノチューブ状構造体を用いることができ、具体例としてカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、ボロンナイトライドナノチューブ、チタニアナノチューブ等を使用することができることも同様である。
しかし、ＦＥＴチャネルと異なる点としては、ＳＥＴチャネルは量子ドット構造を有する点が挙げられる。ＳＥＴチャネルは量子ドット構造を有する公知の物質を任意の用いることができるが、通常は、欠陥を導入したカーボンナノチューブを用いる。具体的には、欠陥と欠陥との間に通常０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の量子ドット構造を有するカーボンナノチューブを用いる。これらは、欠陥を有さないカーボンナノチューブに水素、酸素、アルゴンなどの雰囲気ガス中での加熱、あるいは酸溶液等中での煮沸などの化学的処理を施すことによって作製することができる。
即ち、ナノチューブ状構造体に欠陥を導入することにより、ナノチューブ状構造体内に欠陥と欠陥の間に領域が数ナノメートルの大きさの量子ドット構造が形成され、さらにゲート容量は低減する。量子ドット構造を有するナノチューブ状構造体においては量子ドット構造内への電子の流入が制限されるクーロンブロッケイド現象が生じるため、そのようなナノチューブ状構造をチャネルに用いれば単一電子トランジスタが実現される。
例えば従来のシリコン系ＭＯＳＦＥＴ（メタル・オキサイド・セミコンダクター・電界効果トランジスタ）のゲート容量は１０-15F（ファラッド）程度であり、これに対して上記の欠陥を導入したナノチューブ状構造体を用いた単一電子トランジスタのゲート容量は１０-19Ｆ〜１０-20F程度である。このように、単一電子トランジスタでは従来のシリコン系ＭＯＳＦＥＴに比べて、ゲート容量が１万〜１０万分の一程度にまで減少する。
その結果、このようなナノチューブ状構造体をチャネル用いた単一電子トランジスタを形成すれば、従来のナノチューブ状構造体を用いない電界効果トランジスタに比べ、ゲート電位の変化を極めて大きなものとすることができ、チャネルに存在する荷電粒子の密度の変化は著しく大きくなる。このことにより、検出物質の検出感度を大きく向上させることができるのである。
また、ＳＥＴチャネルがＦＥＴチャネルと異なるもう一つの点としては、ナノチューブ状構造体をＳＥＴチャネルとして用いる場合、それらは電気的特性として金属的性質を有することが好ましい。なお、ナノチューブ状構造体が金属的か半導体的かを確認する手法の例としては、ラマン分光法でカーボンナノチューブのカイラリティを決定することにより確認する手法や、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）分光法を用いてカーボンナノチューブの電子状態密度を測定することにより確認する手法が挙げられる。
＜検出対象物質及び特定物質＞
検出対象物質については特に制限は無く、任意の物質を用いることができる。また、特定物質（上記実施形態では、符号１０で示したもの）は、検出対象物と選択的に相互作用できるものであれば特に制限は無く、任意の物質を用いることができる。それらの具体的としては、酵素、抗体、レクチン等のタンパク質、ペプチド、ホルモン、核酸、糖、オリゴ糖、多糖等の糖鎖、脂質、低分子化合物、有機物質、無機物質、若しくはこれらの融合体、または、ウィルス若しくは、細胞、生体組織やこれらを構成する物質などが挙げられる。
タンパク質としては、タンパク質の全長であっても結合活性部位を含む部分ペプチドでもよい。またアミノ酸配列、及びその機能が既知のタンパク質でも、未知のタンパク質でもよい。これらは、合成されたペプチド鎖、生体より精製されたタンパク質、あるいはｃＤＮＡライブラリー等から適当な翻訳系を用いて翻訳し、精製したタンパク質等でも標的分子として用いることができる。合成されたペプチド鎖は、これに糖鎖が結合した糖タンパク質であってもよい。これらのうち好ましくは、アミノ酸配列が既知の精製されたタンパク質か、あるいはｃＤＮＡライブラリー等から適当な方法を用いて翻訳、精製されたタンパク質を用いることができる。
核酸としては、 特に制限はなく、ＤＮＡあるいはＲＮＡも用いることができる。また、塩基配列あるいは機能が既知の核酸でも、未知の核酸でもよい。好ましくは、タンパク質に結合能力を有する核酸としての機能、及び塩基配列が既知のものか、あるいはゲノムライブラリー等から制限酵素等を用いて切断単離してきたものを用いることができる。
糖鎖としては、その糖配列あるいは機能が、既知の糖鎖でも未知の糖鎖でもよい。好ましくは、既に分離解析され、糖配列あるいは機能が既知の糖鎖が用いられる。
低分子化合物としては、相互作用する能力を有する限り、特に制限はない。機能が未知のものでも、あるいはタンパク質と結合もしくは反応する能力が既に知られているものでも用いることができる。
上記の通り、相互作用感知ゲート上には数多くの特定物質を固定化できる。特定物質が固定化された相互作用感知ゲートは、その機能性物質と相互作用する物質を検出するバイオセンサーに好適に使用できる。また、検出されるシグナルの増幅や特定を目的として、特定物質と相互作用した物質と更に相互作用する物質を酵素あるいは電気化学的反応や発光反応を有する物質、荷電を有する高分子及び粒子等で標識することも可能であり、これらはイムノアッセイやインターカレーター等を利用したＤＮＡ解析の領域では標識化測定法として広く用いられている方法である。（参考文献：今井一洋 生物発光と化学発光 昭和６４年 廣川書店、P.TIJSSENエンザイムイムノアッセイ 生化学実験法 １１ 東京化学同人、Takenaka, Anal. Biochem.,218,436 (1994) 等多数）
これら特定物質と検出対象物質との「相互作用」とは特に限定されるものではないが、通常は、共有結合、疎水結合、水素結合、ファンデルワールス結合、及び静電力による結合のうち少なくとも１つから生じる分子間に働く力による作用を示す。ただし、本命最初に言う「相互作用」との用語は最も広義に解釈すべきであり、いかなる意味においても限定的に解釈してはならない。共有結合としては、配位結合、双極子結合を含有する。また静電力による結合とは、静電結合の他、電気的反発も含有する。また、上記作用の結果生じる結合反応、合成反応、分解反応も相互作用に含有される。
相互作用の具体例としては、抗原と抗体間の結合及び解離、タンパク質レセプターとリガンドの間の結合及び解離、接着分子と相手方分子の間の結合及び解離、酵素と基質の間の結合及び解離、アポ酵素と補酵素の間の結合及び解離、核酸とそれに結合するタンパク質の間の結合及び解離、核酸と核酸の間の結合及び解離、情報伝達系におけるタンパク質同士の間の結合と解離、糖タンパク質とタンパク質との間の結合及び解離、あるいは糖鎖とタンパク質との間の結合及び解離、細胞及び生体組織と蛋白質の間の結合及び解離、細胞及び生体組織と低分子化合物の間の結合及び解離、イオンとイオン感応性物質間の相互作用等が挙げられるが、この範囲に限られるものではない。例えば、イムノグロブリンやその派生物であるF(ab')2、Fab'、Fab、レセプターや酵素とその派生物、核酸、天然あるいは人工のペプチド、人工ポリマー、糖質、脂質、無機物質あるいは有機配位子、ウィルス、細胞、薬物等が挙げられる。
また、相互作用感知ゲートに固定化される特定物質と他の物質との「相互作用」として、物質以外にもｐＨやイオン、温度、圧力等の外環境の変化に対するゲートに固定化される機能性物質の関与する応答も挙げられる。
［トランジスタの作製方法］
次に、チャネルとしてカーボンナノチューブを用いた場合を例にとり、上記実施形態で説明したトランジスタの作成方法の一例を図７を用いて説明する。
カーボンナノチューブを用いたトランジスタの作製は以下のように行なう。
トランジスタに使用するカーボンナノチューブは、その位置と方向とを制御して形成しなければならない。このため、通常はフォトリソグラフィー法などによりパターニングした触媒を利用して、カーボンナノチューブの成長位置と方向とを制御して作製する。
具体的には次に述べる工程でカーボンナノチューブを形成する。
（工程１）図７（ａ）に示すように、基板２上にフォトレジスト１６をパターニングする。
カーボンナノチューブを形成しようとする位置及び方向に応じて形成するパターンを決定し、そのパターンに合わせて基板２上にフォトレジスト１６でパターニングを行なう。
（工程２）図７（ｂ）に示すように、金属の触媒１７を蒸着する。
パターニングを行なった基板２面に、触媒１７となる金属を蒸着する。触媒１７となる金属の例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの遷移金属、あるいはそれらの合金などが挙げられる。
（工程３）図７（ｃ）に示すように、リフトオフを行ない、触媒１７のパターンを形成する。
触媒１７の蒸着後、リフトオフを行なう。リフトオフにより、フォトレジスト１６は基板２から除去されるため、フォトレジスト１６表面に蒸着された触媒１７もともに基板２から除去される。これにより、工程１で形成したパターンに合わせて触媒１７のパターンが形成される。
（工程４）図７（ｄ）に示すように、ＣＶＤ（化学気相堆積法）炉１８で、高温においてメタンガスやアルコールガスなどの原料ガスを流し、触媒１７と触媒１７との間にカーボンナノチューブ１９を形成する。
高温においては、金属触媒１７は直径数ｎｍの微粒子状になり、これを核としてカーボンナノチューブが成長する。なお、ここで通常、高温とは３００℃以上１２００℃以下を指す。
以上、工程１〜工程４によってカーボンナノチューブ１９を形成した後、そのカーボンナノチューブ１９の両端にソース電極及びドレイン電極を形成する。ここではソース電極及びドレイン電極はオーミック電極を形成したものとする。この際、ソース電極やドレイン電極はカーボンナノチューブ１９の先端に取り付けてもよいし、側面に取り付けてもよい。また、ソース電極やドレイン電極の電極形成の際に、よりよい電気的接続を目的として、例えば３００℃〜１０００℃の範囲の熱処理を行ってもよい。
さらに、適当な位置にゲート及び相互作用感知ゲートを設けて、トランジスタを作製する。
以上の方法を用いれば、位置及び方向を制御しながらカーボンナノチューブ１９を形成して、トランジスタを作製することができる。しかし、上記の方法では触媒である金属間にカーボンナノチューブ１９が形成される確率は小さい（発明者らの試験では、１０％程度）。そこで、図８に示すように、触媒１７の形状を先端が急峻な形状とし、カーボンナノチューブ１９の成長中にこの２つの触媒間に電荷を印加する。これにより、急峻な触媒間の電気力線に沿ってカーボンナノチューブ１９が成長することが期待できる。
触媒１７間に電荷を印加することによって、上記のように電気力線に沿ってカーボンナノチューブ１９が成長する理由は定かではないが、次の２通りが推察される。一方の考えは、電極（ここでは、触媒１７）から成長を開始したカーボンナノチューブ１９は大きな分極モーメントを有しているために、電界に沿った方向に成長する、という考えである。もう一方の考えは、高温で分解したカーボンイオンが電気力線に沿ってカーボンナノチューブ１９を形成していく、という考えである。
また、カーボンナノチューブ１９の成長を阻害する要因として、基板２とカーボンナノチューブ１９との間に働く大きなファンデルワールス力の影響でカーボンナノチューブ１９が基板２に密着し、方向制御が困難になることが考えられる。このファンデルワールス力の影響を小さくするため、上記のトランジスタの作成方法において、図９に示すように、触媒１７と基板２との間に酸化シリコン等で形成したスペーサ層２０を設け、カーボンナノチューブ１９を基板２から浮かして成長を行なうようにすることが好ましい。
以上の作製方法により、電界特性トランジスタを作成することができる。
さらに、作製した電界特性トランジスタのカーボンナノチューブ１９に水素、酸素、アルゴンなどの雰囲気ガスでの加熱、酸溶液中での煮沸などの化学処理を行ない、欠陥を導入して量子ドット構造を形成させることにより、単一電子トランジスタを作製することができる。
［相互作用感知ゲートへの特定物質の固定化方法］
相互作用感知ゲートへの特定物質の固定化方法としては、相互作用感知ゲートに特定物質を固定することができる方法であれば特に制限は無い。例えば、相互作用感知ゲートに直接物理吸着で結合させることも可能であるが、予め相互作用感知ゲート上にアンカー部を有するフレキシブルスペーサーを介して結合させても良い。
相互作用感知ゲートに金等の金属を用いた場合、フレキシブルスペーサーは構造式（ＣＨ2）n（ｎは１から３０までの自然数を表すが、２から３０までが望ましく、２から１５までがさらに望ましい）のアルキレンを含有することが望ましい。スペーサー分子の一端は、金等の金属への吸着として適しているアンカー部としてチオール基やジスルフィド基を使用し、スペーサー分子の相互作用感知ゲートから離れた方を向いている他端には固定化したい特定物質を結合しうる結合部を１個または複数個含有する。このような結合部は、例えばアミノ基やカルボキシル基、ヒドロキシル基、スクシミド基等種々の反応性官能基やビオチン及びビオチン誘導体、ジゴキシン、ジゴキシゲニン、フルオレセイン、および誘導体、テオフィリン等のハプテンやキレートを用いても良い。
また相互作用感知ゲートに直接またはこれらスペーサーを介して導電性高分子、親水性高分子、ＬＢ膜等やマトリックスを結合させ、その導電性高分子、親水性高分子、ＬＢ膜等やマトリックスに固定化したい特定物質を１または複数種結合または包括／担持させても良いし、予め導電性高分子、親水性高分子やマトリックスに固定化したい物質を１または複数種結合または包括／担持させた後に相互作用感知ゲートに結合させても良い。
導電性高分子としてはポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン等が使用され、親水性高分子としてはデキストラン、ポリエチレンオキシド等電荷を持たない高分子でも良いし、ポリアクリル酸、カルボキシメチルデキストラン等電荷を持った高分子でも良く、特に電荷を持った高分子の場合固定化したい物質と反対の荷電を持つ高分子を使用することにより電荷濃縮効果を利用して結合または担持させることができる。（引用：ファルマシア特許 特許第２８１４６３９号）
特に、特定のイオンを検出する場合は、相互作用感知ゲート上に特定のイオンに対応するイオン感応膜を形成させることができる。さらにイオン感応膜の代わりにあるいは一緒に酵素固定膜を形成させることにより検出対象物質に対して酵素が触媒として作用した結果生じる生成物を測定することにより検出対象物質を検出することもできる。
また、固定化したい特定物質を固定化した後、牛血清アルブミン、ポリエチレンオキシドまたは他の不活性分子により表面を処理したり、ＵＦ膜で被覆することにより非特異的反応を抑制したり、透過することのできる物質を選択したりすることもできる。
また、相互作用感知ゲートとして、金属以外に薄い絶縁膜を使用してもよい。絶縁膜としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、弗化カルシウムなどの無機材料、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、テフロン（登録商標）などの高分子材料を用いることができる。
H+、Na+等のイオンを測定する際は更に必要であればこの絶縁膜上にそれぞれ測定対象となるイオンに対応するイオン感応膜を形成させることができる。さらにイオン感応膜の代わりにあるいは一緒に酵素固定膜を形成させることにより検出対象物質に対して酵素が触媒として作用した結果生じる生成物を測定することにより検出対象物質を検出することもできる。（参考文献 鈴木周一：バイオセンサー 1984 講談社、 軽部ら：センサーの開発と実用化、第３０巻、第１号、別冊化学工業 1986）
［利用分野］
本発明のセンサは、任意の分野で適宜用いることができるが、例えば、次のような分野で用いることができる。
相互作用を応用したバイオセンサーとして用いる場合には、血液や尿などの臨床検査用センサーが挙げられ、ｐＨ、電解質、溶存ガス、有機物、ホルモン、アレルゲン、薬物、抗生物質、酵素活性、蛋白質、ペプチド、変異原性物質、微生物細胞、血液細胞、血液型、血液凝固能、遺伝子解析の測定が可能となる。測定原理としてイオンセンサー、酵素センサー、微生物センサー、免疫センサー、酵素免疫センサー、発光免疫センサー、菌計数センサー、血液凝固電気化学センシング及び各種の電気化学的反応を利用した電気化学センサー等が考えられるが、最終的に電気的シグナルとして取り出せる原理を全て含む。（参考文献 鈴木周一：バイオセンサー 講談社(1984) 軽部ら：センサーの開発と実用化、第３０巻、第１号、別冊化学工業(1986)）
更に、生体内でのその場（in situ）測定も可能であり、これらの例としてはカテーテルに装着した挿入型マイクロセンサーの他にも埋込型マイクロセンサーや医用カプセルを利用したカプセル搭載型マイクロセンサー等が考えられる。（参考文献 軽部ら：センサーの開発と実用化、第３０巻、第１号、別冊化学工業 1986）
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
カーボンナノチューブをチャネルとした電界効果トランジスタの作製は以下のように行った。
［１．センサの作製］
（基板の準備）
ｎ−型Ｓｉ（１００）基板２を、体積比で硫酸：過酸化水素=４：１となるよう混合した酸に５分間浸して表面を酸化した後、流水で５分間すすぎ、その次に体積比でフッ化水素酸：純水=１：４となるように混合した酸で酸化膜を除去し、最後に流水で５分間すすぎＳｉ基板表面を洗浄した。洗浄したＳｉ基板２表面を酸化炉を用いて１１００℃、３０分間、酸素流量３Ｌ／ｍｉｎ．の条件で熱酸化し、厚さ約１００ｎｍのＳｉＯ2を絶縁膜２０として成膜した。
（チャネルの形成）
次に絶縁層２０表面にカーボンナノチューブ成長触媒を形成するために、フォトリソグラフィー法によりフォトレジスト１６をパターニングした｛図１０（ａ）｝。まず絶縁層２０上に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を５００ｒｐｍ，１０秒間、４０００ｒｐｍ，３０秒間の条件でスピンコートし、その上にフォトレジスト（シプレイ・ファーイースト社製microposit S1818）を同条件でスピンコートした。
スピンコートした後、Ｓｉ基板２をホットプレート上に置き、９０℃，１分間 の条件でベークした。ベーク後、モノクロロベンゼン中にフォトレジスト１６をコートしたＳｉ基板２を５分間浸し、窒素ブローで乾燥させた後、オーブンに入れ８５℃，５分間の条件でベークした。ベーク後、アライナーを用い触媒パターンを露光し、現像液（クラリアント社製 AZ300MIFデベロッパー（2.38%））中で４分間現像した後、流水で３分間リンスし、窒素ブローで乾燥させた。
フォトレジスト１６をパターニングしたＳｉ基板２上に、ＥＢ真空蒸着機を用いＳｉ、ＭｏおよびＦｅ触媒１７を、厚さがＳｉ／Ｍｏ／Ｆｅ＝１００Å／１００Å／３０Åとなるよう、蒸着レート１Å／ｓｅｃ．で蒸着した｛図１０（ｂ）｝。蒸着後、アセトンを煮沸しながらリフトオフし、アセトン、エタノール、流水の順に各３分間試料を洗浄し、窒素ブローで乾燥させた｛図１０（ｃ）｝。
触媒１７をパターニングしたＳｉ基板２をＣＶＤ炉に設置し、Ａｒを用いてバブリングしたエタノールを７５０ｃｃ／ｍｉｎ．および水素を５００ｃｃ／ｍｉｎ．流しながら９００℃，２０分間 の条件で、チャネルとなるカーボンナノチューブ１９を成長させた（図１１）。この際、昇温および降温はＡｒを１０００ｃｃ／ｍｉｎ．流しながら行った。
（ソース電極、ドレイン電極、及びサイドゲート電極の形成）
カーボンナノチューブの成長後、ソース電極、ドレイン電極、及びサイドゲート電極をそれぞれ作製するために、再度前述したフォトリソグラフィー法により、Ｓｉ基板２上にフォトレジスト１６をパターニングした｛図１２（ａ）｝。
パターニング後、ＥＢ蒸着により、ＴｉおよびＡｕの順にＴｉ／Ａｕ＝３００Å／３０００Å、Ｔｉの蒸着レートが０．５Å／ｓｅｃ．、Ａｕの蒸着レートが５Å／ｓｅｃ．の条件で、Ｓｉ基板２にソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート電極７を蒸着した｛図１２（ｂ）｝。蒸着した後、前述と同様に、アセトンを煮沸しながらリフトオフし、アセトン、エタノール、流水の順に各３分間試料を洗浄し、窒素ブローで乾燥させた｛図１２（ｃ）｝。
ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート電極７をパターニングした後、素子を保護するために、Ｓｉ基板２表面にＨＭＤＳを５００ｒｐｍ，１０秒間、４０００ｒｐｍ，３０秒間の条件でスピンコートし、その上に前述したフォトレジストを同条件でスピンコートした。その次に、オーブンにて１１０℃、３０分間の条件でフォトレジストを焼き固め素子保護膜を形成した。
（バックゲート電極の作成）
Ｓｉ基板２裏面のＳｉＯ2膜２０をＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）装置を用いてドライエッチングし除去した。このとき、使用したエッチャントはＳＦ6で、ＲＦ出力１００Wのプラズマ中で６分間エッチングを行った。裏面のＳｉＯ2膜２０を除去した後、ＥＢ蒸着によりＰｔおよびＡｕの順にＰｔ／Ａｕ＝３００／２０００Å、Ｐｔの蒸着レートが０．５Å／分間、Ａｕの蒸着レートが５Å／分間の条件で、Ｓｉ基板２にバックゲート電極（相互作用感知ゲート）９を蒸着した（図１３）。
（チャンネル層の形成）
次にＳｉ基板２表面に形成した素子保護膜を、煮沸したアセトン、アセトン、エタノール、流水の順に各３分間洗浄し、除去した。次に、カーボンナノチューブ１９を保護するために、ソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート電極７をパターニングする際のフォトリソグラフィー法と同様にして、フォトレジストを素子表面のソース電極４、ドレイン電極５、及びサイドゲート電極７以外の部分にパターニングしチャンネル保護層１６とした（図１４）。以上の工程を経て完成したカーボンナノチューブ−電界効果トランジスタ（以下適宜、「ＣＮＴ−ＦＥＴ」という）の概略図を図１５に示す。
［２．センサを用いた特性測定］
作製したＣＮＴ−ＦＥＴを用いて、以下の手法により、抗体固定化前後の特性測定を行なった。
バックゲート電極９に、酢酸バッファー溶液で希釈した濃度１００[μｇ／ｍＬ］のマウスＩｇＧ抗体を５０μＬ滴下し、湿度９０％の湿潤箱で約１５分間反応させ、純水で表面を洗浄し、抗体の固定化を行った。固定化の結果、図１６のようにバックゲート電極９に特定物質として上記ＩｇＧ抗体１０が固定された。なお、図１６ではチャネル保護層１６は二点鎖線で示す。
ＣＮＴ−ＦＥＴの電気特性評価は、Agilent社製 4156C半導体パラメータアナライザーを用いて行なった。抗体を固定化する前後で電気特性の１種である伝達特性（ＶSG−ＩSD特性）を測定し、測定値を抗体固定化の前後で比較することで行なった。その測定結果を図１６に示す。このとき、サイドゲート電圧ＶSG＝−４０〜４０Ｖ（０．８Ｖステップ）でスイープさせ、その各点においてソース電圧ＶS＝０Ｖ、ドレイン電圧ＶD＝−１〜１Ｖ （０．０２Ｖステップ）をスイープさせた時にソース電極・ドレイン電極間に流れる電流（ソースドレイン電流）ＩSD Aを測定した。なお、図１７においてソースドレイン電流が負の領域のグラフがＶSD＝−１．０Ｖにおける測定結果を示し、ソースドレイン電流が正の領域のグラフがＶSD＝＋１．０Ｖにおける測定結果を示す。
図１７のソースドレイン電流が５μＡの部分に注目すると、抗体固定化後のサイドゲート電圧は、固定化前のサイドゲート電圧と比較して+４７Ｖと非常に大きく変化していた。この測定結果から、抗体固定化前後でＣＮＴ−ＦＥＴの伝達特性が極めて大きく変化し、バックゲート表面近傍で起こる抗体固定化による相互作用を直接測定ができることがわかった。このことから、本発明によるセンサーが極めて高感度の化学物質検出能力を有していることが示され、検出対象物質−特定物質間の相互作用の検出に利用できることが推察される。
本発明は、化学分析、物理分析、生物分析などの分析に広く利用することができ、例えば、医療用センサやバイオセンサとして用いて好適である。
本発明の第１実施形態としてのセンサを示すもので、（ａ）はトランジスタの斜視図、（ｂ）はトランジスタの側面図である。 本発明の第２実施形態としてのセンサを示すもので、（ａ）はトランジスタの斜視図、（ｂ）はトランジスタの側面図である。 本発明の第３実施形態としてのセンサを示すもので、（ａ）はトランジスタの斜視図、（ｂ）はトランジスタの側面図である。 本発明の第４実施形態としてのセンサを示すもので、（ａ）はトランジスタの斜視図、（ｂ）はトランジスタの側面図である。 本発明の第５実施形態としてのトランジスタを示すもので、（ａ）はトランジスタの斜視図、（ｂ）はトランジスタの側面図である。 本発明の第６実施形態としてのトランジスタを示すもので、（ａ）はトランジスタの斜視図、（ｂ）はトランジスタの側面図である。 （ａ）〜（ｄ）はいずれも、本発明の一実施形態にかかるトランジスタの製造方法の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかるトランジスタの製造方法の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかるトランジスタの製造方法の一例を説明する図である。 （ａ）〜（ｃ）はいずれも、本発明の実施例を説明する図である。 本発明の実施例を説明する図である。 （ａ）〜（ｃ）はいずれも、本発明の実施例を説明する図である。 本発明の実施例を説明する図である。 本発明の実施例を説明する図である。 本発明の実施例を説明する図である。 本発明の実施例を説明する図である。 本発明の実施例の結果を示すグラフである。
符号の説明
１Ａ〜１Ｆ トランジスタ
２ 基板
３ 低誘電層
４ ソース電極
５ ドレイン電極
６ チャネル
７ サイドゲート
９ バックゲート（電圧非印加電極構造部材）
１０ 抗体
１１ 高誘電層
１２ バックゲート
１３ 絶縁膜
１４ トップゲート（電圧非印加電極構造部材）
１５ サイドゲート（電圧非印加電極構造部材）
１６ フォトレジスト（チャネル保護層）
１７ 触媒
１８ ＣＶＤ（化学気相堆積法）炉
１９ カーボンナノチューブ
２０ スペーサ層（絶縁層）
２１ 絶縁体

Claims (11)

  1. 基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた電界効果トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、
    該電界効果トランジスタが、
    該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、
    該相互作用を該電界効果トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、
    該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、
    該他のゲートが、該基板の表面側に設けられたトップゲート又は該基板表面のチャネル側面に設けられたサイドゲートであり、
    該チャネルが、カーボンナノチューブで構成され、
    該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており、
    該チャネルが絶縁性部材で被覆されている
    ことを特徴とする、センサ。
  2. 基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた電界効果トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、
    該電界効果トランジスタが、
    該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、
    該相互作用を該電界効果トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、
    該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、
    該他のゲートが、裏面側に設けられたバックゲートであり、
    該チャネルが、カーボンナノチューブで構成され、
    該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており、
    該チャネルと該相互作用感知ゲートとの間に、低誘電率の絶縁性材料の層が形成されている
    ことを特徴とする、センサ。
  3. 該カーボンナノチューブの電気特性が半導体的性質を有する
    ことを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ。
  4. 基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた単一電子トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、
    該単一電子トランジスタが、
    該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、
    該相互作用を該単一電子トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、
    該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、
    該他のゲートが、該基板の表面側に設けられたトップゲート又は該基板表面のチャネル側面に設けられたサイドゲートであり、
    該チャネルがカーボンナノチューブで構成され、
    該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており、
    該チャネルが絶縁性部材で被覆されている
    ことを特徴とする、センサ。
  5. 基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた単一電子トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、
    該単一電子トランジスタが、
    該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、
    該相互作用を該単一電子トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有し、
    該相互作用感知ゲートが、電圧を印加されるゲートとは異なる他のゲートであり、
    該他のゲートが、裏面側に設けられたバックゲートであり、
    該チャネルがカーボンナノチューブで構成され、
    該カーボンナノチューブが、室温において該ソース電極及びドレイン電極の間に弛んだ状態で設けられており、
    該チャネルと該相互作用感知ゲートとの間に、低誘電率の絶縁性材料の層が形成されている
    ことを特徴とする、センサ。
  6. 該カーボンナノチューブに欠陥が導入されている
    こと特徴とする、請求項４または５に記載のセンサ。
  7. 該カーボンナノチューブの電気特性が金属的性質を有する
    ことを特徴とする、請求項４〜６のいずれか１項に記載のセンサ。
  8. 該チャネルが、該基板から離隔した状態で上記のソース電極及びドレイン電極間に装架されている
    ことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のセンサ。
  9. 該基板が、絶縁性基板である
    ことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のセンサ。
  10. 該チャネルと該電圧を印加されるゲートとの間に、高誘電率の絶縁性材料の層が形成されている
    ことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のセンサ。
  11. 該相互作用感知ゲートに、該特定物質を固定化した
    ことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のセンサ。
JP2003307798A 2003-08-29 2003-08-29 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ Expired - Fee Related JP4669213B2 (ja)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003307798A JP4669213B2 (ja) 2003-08-29 2003-08-29 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
EP20130181482 EP2685251A3 (en) 2003-08-29 2004-08-27 Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same
CNB2004800246203A CN100516854C (zh) 2003-08-29 2004-08-27 场效应晶体管和单电子晶体管及利用它们的传感器
EP04772358A EP1666873A4 (en) 2003-08-29 2004-08-27 FIELD EFFECT TRANSISTOR, SINGLE ELECTRONIC TRANSISTOR, AND SENSOR THEREFOR
TW93125771A TWI261114B (en) 2003-08-29 2004-08-27 Field-effect transistor, single electron transistor, and sensor using same
PCT/JP2004/012402 WO2005022134A1 (ja) 2003-08-29 2004-08-27 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
KR1020067004025A KR100746863B1 (ko) 2003-08-29 2004-08-27 전계 효과 트랜지스터 및 단일 전자 트랜지스터 그리고그것을 사용한 센서
US10/570,279 US8502277B2 (en) 2003-08-29 2004-08-27 Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same
US13/556,316 US8766326B2 (en) 2003-08-29 2012-07-24 Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor
US13/556,314 US8772099B2 (en) 2003-08-29 2012-07-24 Method of use of a field-effect transistor, single-electron transistor and sensor
US14/302,842 US9506892B2 (en) 2003-08-29 2014-06-12 Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003307798A JP4669213B2 (ja) 2003-08-29 2003-08-29 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005079342A JP2005079342A (ja) 2005-03-24
JP4669213B2 true JP4669213B2 (ja) 2011-04-13

Family

ID=34269461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003307798A Expired - Fee Related JP4669213B2 (ja) 2003-08-29 2003-08-29 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ

Country Status (7)

Country Link
US (4) US8502277B2 (ja)
EP (2) EP1666873A4 (ja)
JP (1) JP4669213B2 (ja)
KR (1) KR100746863B1 (ja)
CN (1) CN100516854C (ja)
TW (1) TWI261114B (ja)
WO (1) WO2005022134A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013108480A1 (ja) * 2012-01-18 2013-07-25 株式会社日立製作所 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9048613B2 (en) 2013-03-18 2015-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Hybrid vertical cavity laser and method of manufacturing the same

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102183569B (zh) * 2003-05-23 2013-09-04 独立行政法人科学技术振兴机构 试样中的被检测物质的检测方法
JP4669213B2 (ja) * 2003-08-29 2011-04-13 独立行政法人科学技術振興機構 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
DE102004010635B4 (de) * 2004-03-02 2006-10-05 Micronas Gmbh Vorrichtung zur Durchführung von Messungen an Biokomponenten
JP4360265B2 (ja) * 2004-05-06 2009-11-11 株式会社日立製作所 生化学測定チップおよび測定装置
US20080063566A1 (en) * 2004-09-03 2008-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Sensor Unit and Reaction Field Cell Unit and Analyzer
WO2006103872A1 (ja) * 2005-03-28 2006-10-05 National University Corporation Hokkaido University カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ
JP4742650B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 東レ株式会社 カーボンナノチューブ組成物、バイオセンサーおよびそれらの製造方法
US7947485B2 (en) * 2005-06-03 2011-05-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and apparatus for molecular analysis using nanoelectronic circuits
WO2006134942A1 (ja) * 2005-06-14 2006-12-21 Mitsumi Electric Co., Ltd. 電界効果トランジスタ、それを具備するバイオセンサ、および検出方法
KR100748408B1 (ko) * 2005-06-28 2007-08-10 한국화학연구원 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법
KR100653954B1 (ko) 2006-01-19 2006-12-05 한국표준과학연구원 나노전자소자 및 그 제조방법
JP4935808B2 (ja) * 2006-03-23 2012-05-23 富士通株式会社 カーボンナノチューブデバイス及びその製造方法
JP5076364B2 (ja) * 2006-06-01 2012-11-21 カシオ計算機株式会社 半導体センサ及び同定方法
KR100863764B1 (ko) 2006-07-07 2008-10-16 한국기계연구원 나노소재의 물리적 변형을 이용한 유동특성 검출방법
JP5023326B2 (ja) * 2006-09-28 2012-09-12 国立大学法人北海道大学 検出装置および検出方法
JP2010510523A (ja) * 2006-11-21 2010-04-02 ジーイー・ヘルスケア・バイオサイエンス・コーポレイション コンテナにおけるセンサ組み立ておよび利用システム
GB0801494D0 (en) 2007-02-23 2008-03-05 Univ Ind & Acad Collaboration Nonvolatile memory electronic device using nanowire used as charge channel and nanoparticles used as charge trap and method for manufacturing the same
KR100888017B1 (ko) * 2007-04-17 2009-03-09 성균관대학교산학협력단 극소량의 표적 물질 검출용 트랜지스터 기반 바이오센서
US9170228B2 (en) * 2007-06-08 2015-10-27 Bharath R. Takulapalli Nano structured field effect sensor and methods of forming and using same
EP2017609A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-21 Université Catholique de Louvain Method and device for high sensitivity and quantitative detection of chemical/biological molecules
KR101478540B1 (ko) 2007-09-17 2015-01-02 삼성전자 주식회사 트랜지스터의 채널로 나노 물질을 이용하는 바이오 센서 및그 제조 방법
KR20090065272A (ko) 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 바이오 센서 및 그 제조 방법
US8297351B2 (en) * 2007-12-27 2012-10-30 Schlumberger Technology Corporation Downhole sensing system using carbon nanotube FET
US20100053624A1 (en) 2008-08-29 2010-03-04 Kyung-Hwa Yoo Biosensor
KR101118461B1 (ko) * 2008-10-10 2012-03-06 나노칩스 (주) 초고속 고감도 dna 염기서열 분석 시스템
FR2943787B1 (fr) * 2009-03-26 2012-10-12 Commissariat Energie Atomique Micro-dispositif de detection in situ de particules d'interet dans un milieu fluide, et procede de mise en oeuvre
US20100256518A1 (en) * 2009-04-01 2010-10-07 Yu Chris C Micro-Devices for Biomedical Applications and Method of Use of Same
US8373153B2 (en) * 2009-05-26 2013-02-12 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Photodetectors
US8367925B2 (en) * 2009-06-29 2013-02-05 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Light-electricity conversion device
US8395141B2 (en) 2009-07-06 2013-03-12 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Compound semiconductors
US8809834B2 (en) * 2009-07-06 2014-08-19 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Photodetector capable of detecting long wavelength radiation
US8748862B2 (en) 2009-07-06 2014-06-10 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Compound semiconductors
US8227793B2 (en) * 2009-07-06 2012-07-24 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Photodetector capable of detecting the visible light spectrum
US8368990B2 (en) * 2009-08-21 2013-02-05 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Polariton mode optical switch with composite structure
US8368047B2 (en) * 2009-10-27 2013-02-05 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Semiconductor device
US8058641B2 (en) 2009-11-18 2011-11-15 University of Seoul Industry Corporation Foundation Copper blend I-VII compound semiconductor light-emitting devices
WO2011138985A1 (ko) * 2010-05-06 2011-11-10 서울대학교산학협력단 용량 소자 센서 및 그 제조 방법
KR101160585B1 (ko) * 2010-07-30 2012-06-28 서울대학교산학협력단 탄소나노튜브를 게이트로 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
US9880126B2 (en) * 2010-09-24 2018-01-30 Ajou University Industry-Academic Cooperation Foundation Biosensor based on carbon nanotube-electric field effect transistor and method for producing the same
US9157888B2 (en) 2011-05-05 2015-10-13 Graphensic Ab Field effect transistor for chemical sensing using graphene, chemical sensor using the transistor and method for producing the transistor
US8551833B2 (en) * 2011-06-15 2013-10-08 International Businesss Machines Corporation Double gate planar field effect transistors
WO2013024386A2 (en) 2011-08-16 2013-02-21 0Ec Sa System for a contactless control of a field effect transistor
US8940235B2 (en) * 2011-10-04 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin-film transistors for chemical sensor applications
KR101320687B1 (ko) * 2011-10-04 2013-10-18 한국과학기술원 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서
US8629010B2 (en) * 2011-10-21 2014-01-14 International Business Machines Corporation Carbon nanotube transistor employing embedded electrodes
KR101926356B1 (ko) 2011-12-06 2018-12-07 삼성전자주식회사 백-바이어스 영역을 갖는 반도체 소자
US20130204107A1 (en) 2012-01-23 2013-08-08 The Ohio State University Devices and methods for the rapid and accurate detection of analytes
WO2013155116A1 (en) 2012-04-09 2013-10-17 Takulapalli Bharath Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same
FR2992774B1 (fr) * 2012-06-29 2015-12-25 Inst Nat Sciences Appliq Capteur de molecule integrable dans un terminal mobile
US8906215B2 (en) 2012-11-30 2014-12-09 International Business Machines Corporation Field effect based nanosensor for biopolymer manipulation and detection
US20140243214A1 (en) * 2013-02-26 2014-08-28 Hitachi, Ltd. Fet array substrate, analysis system and method
US9331293B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-03 Nutech Ventures Floating-gate transistor photodetector with light absorbing layer
US9683957B2 (en) * 2013-05-29 2017-06-20 Csir Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors
KR20160033118A (ko) 2013-07-25 2016-03-25 도레이 카부시키가이샤 카본 나노 튜브 복합체, 반도체 소자 및 그것을 사용한 센서
US9355734B2 (en) * 2014-03-04 2016-05-31 Silicon Storage Technology, Inc. Sensing circuits for use in low power nanometer flash memory devices
EP2998737B1 (en) * 2014-09-18 2021-04-21 Nokia Technologies Oy An apparatus and method for controllably populating a channel with charge carriers using quantum dots attached to the channel and Resonance Energy Transfer.
US9857328B2 (en) 2014-12-18 2018-01-02 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same
EP3235010A4 (en) * 2014-12-18 2018-08-29 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistor
US10020300B2 (en) 2014-12-18 2018-07-10 Agilome, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
US9859394B2 (en) 2014-12-18 2018-01-02 Agilome, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
US11921112B2 (en) 2014-12-18 2024-03-05 Paragraf Usa Inc. Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same
US10006910B2 (en) 2014-12-18 2018-06-26 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same
US9618474B2 (en) 2014-12-18 2017-04-11 Edico Genome, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
US11782057B2 (en) 2014-12-18 2023-10-10 Cardea Bio, Inc. Ic with graphene fet sensor array patterned in layers above circuitry formed in a silicon based cmos wafer
US10274455B2 (en) * 2015-03-31 2019-04-30 Rg Smart Pte. Ltd. Nanoelectronic sensor pixel
US10107824B2 (en) * 2015-04-20 2018-10-23 National Tsing Hua University Method for detecting cardiovascular disease biomarker
TWI591809B (zh) * 2015-08-04 2017-07-11 國立交通大學 光感測裝置及其應用
US10585062B2 (en) * 2015-09-09 2020-03-10 City University Of Hong Kong Electrochemical detector
EP3176574B1 (en) * 2015-12-02 2021-01-27 Emberion Oy A sensor apparatus and associated methods
US10161901B2 (en) 2015-12-07 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dual gate biologically sensitive field effect transistor
KR102480656B1 (ko) * 2015-12-23 2022-12-23 한국재료연구원 듀얼 게이트 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터 타입의 복합센서장치 및 그 제조방법
US20190145926A1 (en) * 2016-04-29 2019-05-16 Stc. Unm Wafer level gate modulation enhanced detectors
US10811539B2 (en) 2016-05-16 2020-10-20 Nanomedical Diagnostics, Inc. Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids
US10665799B2 (en) 2016-07-14 2020-05-26 International Business Machines Corporation N-type end-bonded metal contacts for carbon nanotube transistors
US10665798B2 (en) 2016-07-14 2020-05-26 International Business Machines Corporation Carbon nanotube transistor and logic with end-bonded metal contacts
CN106872531B (zh) * 2017-01-23 2019-09-20 清华大学 场效应传感器及其制造方法
KR101937157B1 (ko) * 2017-03-29 2019-01-11 재단법인 오송첨단의료산업진흥재단 플로팅 게이트 반도체 나노구조 바이오센서 및 이의 제조방법
CN107328838B (zh) * 2017-04-13 2019-11-05 南京大学 一种基于双栅极单电子晶体管的电子生物传感器及制备方法
CN108732225B (zh) * 2017-04-19 2021-07-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 离子敏感场效应晶体管及其形成方法
EP3418729B1 (en) * 2017-06-22 2021-12-29 Università degli Studi di Bari "Aldo Moro" A field-effect transistor sensor
MX2020004336A (es) * 2017-10-27 2020-10-12 Uwm Res Foundation Inc Deteccion capacitiva accionada por pulsos para transistores de efecto campo.
TWI658268B (zh) * 2017-11-29 2019-05-01 國立清華大學 血液檢測方法
US10770546B2 (en) * 2018-09-26 2020-09-08 International Business Machines Corporation High density nanotubes and nanotube devices
US10580768B1 (en) * 2018-09-28 2020-03-03 Win Semiconductors Corp. Gallium arsenide cell
KR102332792B1 (ko) * 2019-05-10 2021-12-02 주식회사 엔디디 바이오 감지 장치
KR102308171B1 (ko) * 2019-05-10 2021-10-01 주식회사 엔디디 바이오 감지 장치
KR102204591B1 (ko) 2019-08-30 2021-01-19 권현화 나노바이오 감지 장치
JP7336983B2 (ja) * 2019-12-26 2023-09-01 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 イオンセンサ装置
CN115702343A (zh) 2020-07-03 2023-02-14 株式会社村田制作所 半导体传感器
CN116194404A (zh) * 2020-08-17 2023-05-30 株式会社村田制作所 半导体传感器
CN112697843B (zh) * 2020-12-08 2023-10-03 湘潭大学 基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器
TWI809715B (zh) * 2022-02-15 2023-07-21 漢磊科技股份有限公司 用於生物晶片的結構
CN115274846B (zh) * 2022-09-26 2023-01-10 晶通半导体(深圳)有限公司 高电子迁移率晶体管

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5819984B2 (ja) * 1977-12-02 1983-04-21 エアコ インコ−ポレ−テツド 化学的感応性電界効果トランジスタ装置
JPH0572979B2 (ja) * 1986-04-08 1993-10-13 Tokuyama Soda Kk
JP2000187017A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体イオンセンサ
JP2003507889A (ja) * 1999-08-18 2003-02-25 ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ 化学的にゲート動作する単一電子トランジスタを使用したセンシングデバイス

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54161992A (en) 1978-06-13 1979-12-22 Asahi Glass Co Ltd Immunity sensor and making method thereof
JPS57161541A (en) 1981-03-31 1982-10-05 Toshiba Corp Ion sensor
JPS57191539A (en) 1981-05-21 1982-11-25 Nec Corp Semiconductor ion sensor
SE431688B (sv) 1981-07-30 1984-02-20 Leif Lundblad Anordning for utmatning av blad
JPS5928648A (ja) 1982-08-11 1984-02-15 Kuraray Co Ltd 免疫濃度測定装置
JPS6039547A (ja) 1983-08-12 1985-03-01 Mitsubishi Electric Corp マルチ酵素センサ
JPS6047952A (ja) 1983-08-26 1985-03-15 Hitachi Ltd 化学物質感応電界効果トランジスタ型センサ
JPS6189553A (ja) 1984-10-08 1986-05-07 Toyobo Co Ltd 集積化酵素ｆｅｔ
JPH0646190B2 (ja) 1985-08-14 1994-06-15 日本電気株式会社 半導体マルチバイオセンサ
JPS62132160A (ja) 1985-12-04 1987-06-15 Terumo Corp 分離ゲ−ト型ｉｓｆｅｔを用いたバイオセンサ−
JPS62184345A (ja) 1986-02-10 1987-08-12 Toshiba Corp イオン濃度の測定方法
JPS62232556A (ja) 1986-04-01 1987-10-13 Kuraray Co Ltd 免疫センサ及びその製造方法
JPS6388438A (ja) * 1986-09-30 1988-04-19 Shimadzu Corp Ｍｏｓｆｅｔ化学電極
JP2537354B2 (ja) * 1987-02-26 1996-09-25 新電元工業株式会社 半導体イオンセンサ
JPH0684951B2 (ja) 1988-02-05 1994-10-26 生体機能利用化学品新製造技術研究組合 差動型半導体化学センサ
JPH01203959A (ja) 1988-02-10 1989-08-16 Fuji Photo Film Co Ltd 酵素固定化ｆｅｔセンサー
DE3827314C1 (ja) * 1988-08-11 1989-10-19 Christoff Prof. Dr. Braeuchle
SE8804074D0 (sv) 1988-11-10 1988-11-10 Pharmacia Ab Sensorenhet och dess anvaendning i biosensorsystem
JPH02280047A (ja) 1989-04-21 1990-11-16 Nec Corp １チップ半導体バイオセンサ
JPH0572979A (ja) 1991-09-11 1993-03-26 Nobuhisa Kawano 移動する看板及びその装置
WO1993008464A1 (en) * 1991-10-21 1993-04-29 Holm Kennedy James W Method and device for biochemical sensing
JP3502135B2 (ja) 1993-12-24 2004-03-02 テルモ株式会社 血管内挿入用医療器具およびその製造方法
JPH0894577A (ja) * 1994-09-22 1996-04-12 Fujitsu Ltd 半導体イオンセンサ及びその使用方法
JPH08278281A (ja) 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Ltd 電界効果型化学物質検出装置およびそれを用いたｄｎａ配列決定装置
US5719033A (en) * 1995-06-28 1998-02-17 Motorola, Inc. Thin film transistor bio/chemical sensor
US5827482A (en) 1996-08-20 1998-10-27 Motorola Corporation Transistor-based apparatus and method for molecular detection and field enhancement
JPH10203810A (ja) 1997-01-21 1998-08-04 Canon Inc カーボンナノチューブの製法
JPH10260156A (ja) 1997-03-18 1998-09-29 Hitachi Ltd センサー
US6287765B1 (en) * 1998-05-20 2001-09-11 Molecular Machines, Inc. Methods for detecting and identifying single molecules
US6346189B1 (en) 1998-08-14 2002-02-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube structures made using catalyst islands
US7173005B2 (en) * 1998-09-02 2007-02-06 Antyra Inc. Insulin and IGF-1 receptor agonists and antagonists
US6472705B1 (en) 1998-11-18 2002-10-29 International Business Machines Corporation Molecular memory & logic
US6815218B1 (en) * 1999-06-09 2004-11-09 Massachusetts Institute Of Technology Methods for manufacturing bioelectronic devices
JP2001033423A (ja) 1999-07-16 2001-02-09 Horiba Ltd 比較電極機能付イオン感応性電界効果トランジスタ型センサ
DE60039632D1 (de) 1999-12-15 2008-09-04 Univ R Kohlenstoff-nano-röhrchen-vorrichtung
US6515339B2 (en) 2000-07-18 2003-02-04 Lg Electronics Inc. Method of horizontally growing carbon nanotubes and field effect transistor using the carbon nanotubes grown by the method
JP4140180B2 (ja) * 2000-08-31 2008-08-27 富士ゼロックス株式会社 トランジスタ
ES2312490T3 (es) * 2000-12-11 2009-03-01 President And Fellows Of Harvard College Dispositivo que contiene manosensores para detectar un analito y su metodo de fabricacion.
JP3867510B2 (ja) * 2001-03-30 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 バイオセンサおよびその製造方法
CN1325658C (zh) * 2001-04-23 2007-07-11 三星电子株式会社 包含mosfet分子检测芯片和采用该芯片的分子检测装置以及使用该装置的分子检测方法
JP3963686B2 (ja) 2001-10-01 2007-08-22 富士通株式会社 カーボンナノチューブゲート高電子移動度トランジスタ、及びその製造方法
JP2003017508A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Nec Corp 電界効果トランジスタ
US7385262B2 (en) * 2001-11-27 2008-06-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Band-structure modulation of nano-structures in an electric field
US6835613B2 (en) * 2001-12-06 2004-12-28 University Of South Florida Method of producing an integrated circuit with a carbon nanotube
US20040132070A1 (en) * 2002-01-16 2004-07-08 Nanomix, Inc. Nonotube-based electronic detection of biological molecules
EP1348951A1 (en) 2002-03-29 2003-10-01 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Molecularly controlled dual gated field effect transistor for sensing applications
WO2004003535A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-08 Nanosys Inc. Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same
US7186380B2 (en) * 2002-07-01 2007-03-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor and sensors made from molecular materials with electric dipoles
US7358121B2 (en) * 2002-08-23 2008-04-15 Intel Corporation Tri-gate devices and methods of fabrication
EP1620358A1 (en) * 2003-04-22 2006-02-01 Commissariat A L'energie Atomique A process for modifying at least one electrical property of a nanotube or a nanowire and a transistor incorporating it.
JP4669213B2 (ja) * 2003-08-29 2011-04-13 独立行政法人科学技術振興機構 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
JP2005285822A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Fujitsu Ltd 半導体装置および半導体センサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5819984B2 (ja) * 1977-12-02 1983-04-21 エアコ インコ−ポレ−テツド 化学的感応性電界効果トランジスタ装置
JPH0572979B2 (ja) * 1986-04-08 1993-10-13 Tokuyama Soda Kk
JP2000187017A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体イオンセンサ
JP2003507889A (ja) * 1999-08-18 2003-02-25 ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ 化学的にゲート動作する単一電子トランジスタを使用したセンシングデバイス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013108480A1 (ja) * 2012-01-18 2013-07-25 株式会社日立製作所 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2013148425A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Hitachi Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9048613B2 (en) 2013-03-18 2015-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Hybrid vertical cavity laser and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100746863B1 (ko) 2007-08-07
KR20060036487A (ko) 2006-04-28
US20120286243A1 (en) 2012-11-15
CN1842704A (zh) 2006-10-04
EP2685251A3 (en) 2014-03-05
TW200519379A (en) 2005-06-16
CN100516854C (zh) 2009-07-22
TWI261114B (en) 2006-09-01
JP2005079342A (ja) 2005-03-24
US9506892B2 (en) 2016-11-29
EP1666873A1 (en) 2006-06-07
US20150102283A1 (en) 2015-04-16
US8772099B2 (en) 2014-07-08
US20120286763A1 (en) 2012-11-15
US8766326B2 (en) 2014-07-01
EP1666873A4 (en) 2011-10-26
WO2005022134A1 (ja) 2005-03-10
EP2685251A2 (en) 2014-01-15
US20070063304A1 (en) 2007-03-22
US8502277B2 (en) 2013-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4669213B2 (ja) 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ
US7635423B2 (en) Redox potential mediated, heterogeneous, carbon nanotube biosensing
JP4857820B2 (ja) Ｄｎａセンシング方法
US8017938B2 (en) Apparatus for microarray binding sensors having biological probe materials using carbon nanotube transistors
EP1645871B1 (en) Carbon nanotube field-effect transistor
US9841416B2 (en) Systems and methods for single-molecule nucleic-acid assay platforms
US20100260745A1 (en) Methods of using and constructing nanosensor platforms
US20040067530A1 (en) Electronic sensing of biomolecular processes
US20080009002A1 (en) Analyte Identification Using Electronic Devices
EP3030891B1 (en) Single-walled carbon nanotube (swcnt) biosensor for detecting glucose, lactate, and urea
US20100032653A1 (en) Carbon Nanotube Electric Field Effect Transistor and Process for Producing the Same
WO2005108966A1 (ja) バイオセンサ
KR100746867B1 (ko) 전계 효과 트랜지스터 및 단일 전자 트랜지스터
JP2009250633A (ja) センサおよび検出方法
De Silva Development of an aptasensor for detection of tumour necrosis factor alpha based on transition metal dichalcogenide
Lee Self-Assembled Nanotube/Nanoparticle Biosensors

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060405

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101221

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110114

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4669213

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees