JPS62232556A - 免疫センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電界効果トランジスタのゲート表面に免疫性物
質に対するレセプタを含有する脂質膜を被覆して成る免
疫センサ及びその製造方法に関するものである。

（従来の技術とその問題点） 抗原、抗体、補体、各種免疫担当細胞等、免疫反応にか
＼わる各種化学物質の測定は鯰断や治療のために極めて
重要であり、特に近年、免疫学の発展と共に免疫反応関
与物質の測定（イムノアッセイ）のｍ要件は急速に増大
しつつある。

イムノアッセイとしては（１）ラジオイムノアッセイ法
、（２）酵素イムノアッセイ法、（８）ケイ光イムノア
ッセイ法、（４）イムノラテックス法おるいは赤血球凝
集法、（５）免疫センサを用いる方法等が知られている
。しかし、上記の（１）〜（４）の方法は実用化されて
いるにもか＼わらず、免疫センサは未だ実用化されてい
ない。

免疫センサとしては（１）直接型免疫センサ、（２）酵
素免疫センサ、（３）発光免疫センサ等が報告されてい
る。（鈴木周−編、バイオセンサー、講談社サイエンテ
ィフィック）　このうち、酵素免疫センサや発光免疫セ
ンサはセンサ表面で酵素イムノアッセイを行うものであ
シ、操作的に煩雑でるる。

それに対し、直接型免疫センサはポテンショメトリック
な電極の表面に抗原や抗体等の免疫物質に対するレセプ
タを固定したものであり、これに対する抗体や抗原との
間で免疫複合体が形成される時の電極電位の変化を直接
測定するもので、最も簡単な免疫センサと言える。

直接型免疫センサとして表面を酸化したチタン電極上に
共有結合法で抗原や抗体を固定化したｈｕｍａｎ　ｃｈ
ｏｒｉｏ　ｇｏｎａｄｏｔｒｏｐｉｎ　（ｈ　ＣＧ　）
、ａｎｔｉ−ｈＣＧ−ＩｇＧ１ａｐｒｏｔｉｎｉｎ％ｔ
ｒｙｐｓｉｎ、　　ＴＮＰ　−ｈｕｍａｎ　ｇａｍｍａ
ｇｌｏｂｕｌｉｎ等に対する免疫センサが提案されてい
る（Ｎ、　Ｙａｍａｍｏｔｏ　ｅｔａｌ、、　Ｊ、　Ｉ
ｍｍｕｎｏｌｏｇｉｃａｌ　　Ｍｅｔｈｏｄｓ２２．３
０９（１９７８）；Ｃ１１ｎ、Ｃｈｅｍ、２６．１５６
９（１９８０）；””””’　　ｏｆ　Ｉｎｔｅｒｎａ
ｔｉｏｎａｌ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　ｏｎ　Ｃｈｅｍ。

５ｅｎｉｏｒ、　６９９　（１９８３）　）ｏしかしこ
れら免疫センサの出力はいずれも５　ｍＶ程度と極めて
微弱であり、検出限界はμｔ／ｘｔｌのオーダーである
。さらに直接型免疫センサの今一つの、かつより重要な
問題点は応答の不可逆性にある。一般的に免疫複合体の
結合は強く、一度感応したセンサを元に戻すには酸処理
等の過酷な処理が必要である。例えば、上記のｈＣＧセ
ンサについては、一度形成された抗ｈＣＧ−ｈＣＧ複合
体と解離させるために、センサをＵ４−１１．５の塩酸
水溶液で２分間処理している。しかしこうして再生され
たセンサも元のセンサに対して８５チの感度を有してい
るに過ぎないことが報告されている。

ところで界面電位の変化を測定する目的には、イオン感
応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）は小型で且つ
ノイズの少ないデバイスであることが知られている。そ
のためｌ５ＦＥＴを用いた直接型免疫センサに関する研
究もいくつか行われている。例えばＪａｎａｔａらはポ
リ塩化ビニルやポリスチレン等の疎水性高分子の膜をｌ
５ＦＥＴのゲート部に被覆し、これに抗原や抗体を共有
結合で固定化して成る免疫センサを提案している（特開
昭５１−１３９２８９引。また本願出願人も基本的には
同じ方式のｌ５ＦＥＴ免疫センサを提案した（特開昭５
３−１４９３９４号、同５９−２８６４８号、同５９−
２０３９５１号）、これらは、いずれもＩ　５ＦＥＴの
ゲート部に直接もしくは疎水性高分子膜を介して抗原又
は抗体を共有結合法で固定化した免疫センサ又はその装
造方法に関するものである。そのために、感度とか応答
の不可逆性に関しては上述の免疫センサと共通の問題点
を有している。

以上のように、直接型免疫センサは数あるイムノアッセ
イの中では最も簡単なものであるが、（１）　　共有結
合法でレセプタを電極表面に固定化させる操作が複雑で
且つ再現性に乏しい。

（２）応答が不可逆でセンサの再生が難しい。

（８）感度が小さい。

という問題点を有している。また小型電極として優れた
性能を有しているｒｓＦＥＴを用いてもこれらの問題点
は解消されない。

（問題点を解決するための手段） 本発明者らは直接型免疫センサの中でも電界効果トラン
ジスタを用いたものの将来性に着目し、上に述べたよう
な問題点を解決すべく研究を行なってきた。その結果、
電界効果トランジスタのゲート面に、従来の共有結合に
代って、脂質膜の形で抗原や抗体等の免疫物質に対する
レセプタを固定化することによって、共有結合法に比べ
て極めて簡単に直接型免疫センサを作成することができ
る上に、測定後練脂質膜をエタノール等で除去した後、
新たに脂質膜をつけ直すことＫよシ、再現性よく同一性
能を有する免疫センサを繰シ返し作ることができること
を見出し本発明に到った。

本発明のセンサはｌ５ＦＥＴ又はイオン不感応性電界効
果トランジスタをベース電極とする。ＩｓＦ　Ｅ　’ｒ
としては、これまでに切り抜き型（特公昭５７−４３８
６３号）、ＳＯＳ型（特開昭５９−４８６４６号）、接
合分離型（特公昭５８−５２４５号）等いくつかのタイ
プが知られているが、本発明のセンサにはいずれのタイ
プのｌ５ＦＥＴを用いてもかまわない。

またｌ５ＦＥＴのゲート膜としては窒化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、酸化タンタル等の各種無機酸化物・窒化物
等を用いることができる。さらにまたゲートにポリスチ
レン、パリレン、テトラフロロエチレン等の疎水性高分
子膜を被覆して成るイオン不感応性電界効果トランジス
タ（例えば特公昭５８−２５２２１号）、あるいはテト
ラフェニルアルソニウムテトラフェニルボレートを含む
可塑化された高分子膜をゲート部に有するイオン不感応
性電界効果トランジスタ（日本化学会第５０春季年会閘
演予稿集■第５９９頁）をベース電極としてもかまわな
い。以下本発明の免疫センサのペース電極であるｌ５Ｆ
ＥＴおよびイオン不感応性電界効果トランジスタをまと
めてＦＥＴといり。

本発明のセ／すの作成に必要な脂質としては脂肪酸のト
リグリセライド、ジグリセライド、モノグリセライド等
の単純脂質、リン脂質、糖脂質、硫脂質、リポタンパク
等のような複合脂質が用いられる。

免疫物質に対するレセプタを含有する脂質膜をＢ’　Ｅ
　Ｔのゲート面に被覆する方法としては、（１）該脂質
から成るラングシュア・プロジェクト膜（ＬＢ膜）を水
面上に−たん形成させた後に、これを該ＦＥＴ上に移動
させる方法、（２）該脂質から成るリボソームを−たん
調製した後、これを該Ｆ　Ｅ　Ｔ上に移動させる方法等
がある。まず（１）の方法では親脂質化されたレセプタ
を含む脂質よシ成るＬＢ膜を水面上に展開させる。次に
この水の中にＦＥＴを除々に降下させたシ引き上げたシ
することによって水面上のＬＢｙＸｔ−該ＦＥＴ上に移
動させる。

（２）の方法では親脂質化レセプタを含有する脂質から
成るリポソームの中にＦＥＴを挿入し、所定時間放置し
た後引き上げ風乾する。乾燥によって変性するようなレ
セプタの場合は水中に保存する。

（１）の方法では−たんＬＢ膜を水面上に展開させるが
、そのためには表面張力の厳密なコントロールが必要で
、且つＬＢ膜０ＦＥＴゲート上への移動も注意深い操作
が要求される。それに対して（２）のリボソームを経由
する方法においては、そのような精密なコントロールを
要する工程がないので特に本発明の免疫センサの製造方
法として優れているＯ 免疫物質レセプタとしては、測定対象が抗原とか免疫担
当細胞あるいは・・ブテンの時はそれに対する特異的な
抗体が用いられる。抗体としては目的によりＩｇＧ、　
ＩｇＭ、　ＩｇＡ、　ＩｇＤ、ＩｇＥ等から適切なもの
が選択される。またこれら抗体分子そのものの代シに抗
体のＦａｂ部分のみを用いてもかまわない。測定対象が
抗体である時はレセプタとしては該抗体に対する特異的
な抗原、該抗体に対する抗体、該抗体に対する補体等が
用いられる。この場合もこれら抗原、抗体、補体等の代
シにこれら分子の活性部分のみを用いることも可能であ
る。

例えば抗原の代シに抗原決定基、抗体の代シにＦａｂ部
分、補体の代りに補体の抗体結合部分のみを用いること
も可能である。

さらに本発明のセンサにおけるレセプタとしては、各種
の結合性タンパク、ＤＮＡ等を用いることも可能である
。これら結合性タンパクに特異的に結合するイオンや化
合物、ＤＮＡに特異的に結合する対ＤＮＡ等の検出を行
うことができる。

これらレセプタを親脂質化するためには、レセプタを脂
質分子と結合させることが必要である。

その結合方法のいくつかを次に例示する。いずれも脂質
としてはアミノ基を有する脂質（例えばｐｈｏｓｐｈａ
ｔｉｄｙｌｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ　）とレセプタな
共有結合させる方法である。

（ｉ）　　ｔｏｌｙｌｅｎｅ　−２，４−ｄｉｉｓｏｃ
ｙａｎａｔｅ　（ＴＤＩＣ）を用いる方法 ここでＬ−ＮＨ２はアミノ基を有する脂質分子、Ｒ−Ｎ
Ｈ２はアミノ基を有するレセプタである。

（２）　ｍ−ｍａｌｅｉｍｉｄｏｂｅｎｚｏｙｌ　−Ｎ
−ｈｙｄｒｏｘｙａｕｃｃｉｎｉｍｉｄａｅａｔｅｒ　
（Ｍ　Ｂ　Ｓ　）を用いる方法二ＣＨ−Ｃ−Ｎｆ（−Ｒ 又は ここでＲ−８ＨはＳＨ基を有するレセプタである。

（８）　　Ｎ−ｓｕｃＮ−５ｕｃｃｉｎｉ　３−　（２
−Ｐ）’ｒｉｄｙｌｄｉｔｈｉｏ　）ｐｒｏｐｉｏｎａ
ｔｅ　（Ｓ　ＰＤＰ　）を用いる方法（Ｖ） このように親脂質化されたレセプタを含有する脂質膜よ
シ成るＬＢ膜やリポソームを作る方法は次の２つに大別
される。（１）レセプタが有機溶媒によって変性しない
ハプテンのような場合には、親脂質化されたレセプタと
脂質を脂質の良溶媒に溶かしておき、これを水面上に展
開してＬＢ膜を作るか、攪拌下水中に分散させてリポソ
ーム化させる。ＬＢＭを作る時の有機溶媒としては例え
ばクロロホルムが、またリポソームを作る時にはエタノ
ール等が用いられる。（２）レセプタが有機溶媒によっ
て変性する場合には、まずレセプタを含まない脂質よシ
なるＬＢ膜やリポソームを常法に従って作成して訃き、
次に該ＬＢ膜やリポソームを形成させている水溶液中に
親脂質化されたレセプタを加えればよい（例えばＡ、　
Ｈｕａｎｇ　ｅｔ　ａｌ、　Ｊ、Ｂｉｏｌ。

Ｃｈｅｍ、　２５８．　１４０３４（１９８３））。

またリポソームの中にあらかじめＮ−４−（ｐ−ｍａｌ
ｅｉｍｉｄＮ−４−（ｐ−）　ｂｕｔｙｒｙｌ　　ｐｈ
ｏａｐｈａｔｉｄｉｌｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ等を混
入させておき、該リポソームとレセプタ蛋白とを結合さ
せるという方法もある。（例ぇばＦ、　Ｍａｒｔｉｎ　
ｅｔ　ａｌ、、　Ｊ、　Ｂｉｏｌ、　Ｃｈｅｍ、　２５
７．２８６（１９８２））。

このような方法で作られた免疫センサを一度測定対象苗
液に接触させて、測定を終了した後のセンサを再生する
のは極めて簡単で、使用後の該センサをエタノールやク
ロロホルム等脂質溶解性の溶媒で洗浄後、風乾すること
によって再生されたＦＥＴゲート上にこれまで述べた方
法でレセプタ含有脂質膜を再吸着させればよい。本発明
の免疫センサにおいては、免疫物質に対するレセプタは
ＦＥＴのゲート面上に直接共有結合によって固定化され
ているのではなく、脂質膜に包含された形で固定化され
ているので、上記のような簡単な方法でゲート面から脱
着させたル、ゲート面に吸着させたりすることができる
。

本発明の免役センサを作動させる電気回路としては通常
用いられているｌ５ＦＥＴ作動回路をあげることができ
る。その中から２つの例を第１図と第２図に例示した。

第１図は本発明の免疫センサと免疫物質に感応しない参
照ＦＥＴとの差動出力を読み取る方式の電気回路であシ
、第２図は液絡式比較電極を参照電極とする免疫センサ
の作動回路である。第１図において、１は被検液２を入
れた容器である。３は免疫センサ、４は参照ＦＥＴであ
る。５は両ＦＥＴに共通のドレイン電圧を与える定電圧
源、６Ｆｉ凝似比較電極、７と８は各々免疫センサと参
照ＦＥＴに一定のドレイン電流を流すための定電流回路
である。９と１０は各々免疫センサと参照ＦＥＴのノー
ス電位を読み取るための増幅器であシ、１１はそれらの
差動出力ΔＶｓを読み取るための増幅器である。第２図
において、１．２．３及び５は第３図における名称と同
じである。この方式においては参照電極として液絡式比
較電極１２を用い、該比較電極と免疫センサのソース電
位との電位差を増幅器１３で読み取る。

第１図の差動出力読み取り方式においては、参照ＦＥＴ
として、免疫物質感応性はないが、その他の感応性は可
能な限シ免疫センサに近いものを用いることが望ましい
。例えば参照ＦＥＴのゲート面には抗原又は抗体を含有
しない脂質膜を被覆することが好ましい。こうすること
によって、免疫センサと参照ＦＥＴのゲート表面の膜ｒ
Ａ造の違いは抗原又は抗体を含むか否かのみであり、そ
の他の点では極めてよく似た構造・性質を有する。

したがって目的とする免役物質、例えば田、各種電解質
等に対する感応性は両電極とも同じとなシそれらの濃度
変動による電位変化は相殺される。

また、目的の免疫物質以外のタンパク質の吸着、即ち非
特異吸着も両電極とも同じように起るのでそれによる電
位変化も相殺される。このようにして、目的とする免疫
物質による電位変化のみが差動出力として取り出される
ことになるので、差動出力読み取り方式は本発明の免疫
センサの作動回路と１．て好ましい。

第２図における液路式比較電極自身は通常溶液内の田、
各桟電解質濃度に対する感応性がなく、かつ非特異吸着
による電位変化もないものであるから、免疫センサ３が
もし所感応性やイオン感応性あるいは非特異吸着感応性
を有していると、測定中にＦ４］やイオン濃度を一定に
しておき、かつ非特異吸着を起さないような工夫をしな
いと、目的とする免疫性物質を測定することが難しい。

（作　用） 本発明によればＦＥＴの少くともゲート部に、従来の共
有結合法に代って脂質膜の形で抗原や抗体等の免疫物質
に対するレセプタを固定することによシ、再現性よく同
一性能を有する免疫センサを繰シ返し作ることができる
。

本発明の免疫センサと従来のそれとの違いを明瞭に示す
ために、それぞれの基本構造を第３図と第４図に示した
。第３図（１）、（２）は従来の共有結合法による直接
型免疫センサの基本構造を示している。抗体２３はスペ
ーサ２２を介して電極２１０表面上に共有結合により固
定化されている。該センサが抗原を含む試料液中に入れ
られると第３図（２）のように抗原２４は抗体２３と結
合して免疫複合体が形成され、電極界面の電位が変化す
る。測定後センサは酸処理されｔ（ｉ）Ｋ戻るが、この
時一部抗体が脱離したシ失活したシするために、完全に
元の感度を回復しないケースが多い。−力木発明の免疫
センサの構造は第４図（１）％　（２）、（３）に示す
ように、電極２１の表面に脂質２５よシ成る膜を吸着さ
せて成る。この脂質の中には抗原又は抗体２３が分散さ
れている。このセンサが抗体又は抗原を含む試料溶液中
に入れられると第４図（８）のように抗体又は抗原２４
がセンサ上の抗原又は抗体２３と結合して免疫複合体を
形成し、電極電位が変化する。測定後センサをエタノー
ルやクロロホルム等で洗浄するのみで脂質膜は洗浄され
電極は（１）に戻る。そして脂質膜２５をつけ直すこと
によって免疫センサが再現性よく再生される。このよう
に従来の直接散免疫センサでは第３図の（１）→（２）
の間で測定と再生を繰り返していたのに対し、本発明の
センサにおいては第４図（１）→（２）→（３）→（１
）→（２）→（８）→・・・の間で測定・再生を繰シ返
す。

本発明の免疫センサによれば、上述の方法によシ、電極
２１上に再現性よく、シかも極めて簡単に抗原又は抗体
含有脂質膜をつけることができる。また測定後練脂質膜
２５を極めて簡単に洗い落して（１）に戻すことができ
ることにある。しかも測定中、脂質膜は十分な安定性を
有して電極上に吸着している。

（実施例） 以下実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれによシ限定されるものではない０ ′Ｊ４．施例１゜ まず抗原としてｔｒｉｎｉ　ｔｒｏｐｈｅｎｙｌａｍｉ
　ｎｏｃａｐｒｏｙｌｐｈｏｓｐｈａｔｉｄｙｌｅｔｈ
ａｎｏｌａｍｉｎｓ（ＴＮＰ−Ｃａ　ｐ　−ＤＰＰＥ　
）を含有する脂質膜から成るリポソームの調製を次のよ
うにして行なう。１５０μＥのエタノールにＤｉｍｙｒ
ｉｓｔｏｙｌ　ｐｈｏｓｐｈａｔｉｄｙｌｃｈｏｌｉｎ
ｅ　（ＤＭＰＣ）とＴＮＰ−Ｃａｐ−ＤＰＰＥをそれぞ
れ１０　ｍＭおよびＱ、　ｌ　ｍＭの濃度となるように
溶かす０ｐｈｏ’５ｐｈａｔｅｂｕｆｆｅｒｅｄ　　５
ａｌｉｎｅ　（Ｐ　Ｂ　Ｓ　）　３　ａｌｌを７０℃に
保ち、スターラで攪拌させながら上記エタノール溶液１
００μｊをマイクロシリンジよシ徐々に加え、さらに３
分間攪拌させる。かくして得られたリポソームをリポソ
ームＡとする。

次に該リポソームＡをＦＥＴ上に被覆する。そのために
はまず、特公昭５７−４３８６３号に開示されている１
４１感応性のＮＥＴのドレイ／とンースのポンディング
パッドにリード線をハンダ付けし、該ポンディングパッ
ド部とリード線部をナイロンチューブ中にエポキシ樹脂
と共に封入した。次にナイロンチューブよシ露出してい
るＦＥＴの先端部（ゲート部を含む）をトリクロロエチ
レンとエタノールでよく洗浄した後、該ＦＥＴの先端部
（ゲート部を含む）をリポソームＡの溶液の中に入れ、
５分間放置した後、引き上げて風乾させた後ＰＢＳで洗
い、もう一度風乾する。このようにして抗ＴＮＰ抗体感
応性のＦＥＴが製作される。

次に該抗ＴＮＰ抗体感応性ＦＥＴと液絡式比較電極を第
２図のような測定回路に接、読し、ドレイン’！ｔ（４
ｅ３０マイクロアンペア、ドレイン電圧４ボルトでＢＦ
ＥＴのソース電位の変化を出力としてｋｔみ取る方式で
抗ＴＮＰ抗体に対する感応性を測定する０ＰＢＳ２ＩＩ
ｔｌに該ＦＥＴと液絡式比較１！極を入れ、１０分間安
定化させる。次に抗ＴＮＰモノクロナルＩｆＧｔのＰＢ
Ｓ溶液５０μｌ　（２，９ｘ１０−６Ｍ）を加え、該Ｆ
ｇＴのソース電位の変化を記録する。その結果を第５図
に示した。第５図において時間１０分（矢印のところ）
で試料溶液を加え、その時からのソース電位の変化Δｖ
８をたて軸にプロットしている。第５図において、曲線
１はコントロールとして非特異的なＩｒＧｘのＰＢＳ齢
液を加えた場合、そして曲線２が試料として上記抗ＴＮ
Ｐ−ＩｆＧｌのＰＢＳｄ液を加えた場合のソース電位の
変化を示す。

第５図から明らかなごとく、該抗ＴＮＰ抗体感応性ＦＥ
Ｔは抗ＴＮＰ−ＩｆＧｌに特異的に感応している。その
飽和出力は上記の条件、即ち抗ＴＮＰ　−ＩｒＧｔの最
終濃度７．２　ｓ　ｘ　１０−’Ｍに対して約１０ｍＶ
である。第５図からも明らかなように非特異的ＩｒＧ１
を含む溶液を加えた時には出力変化は見られなかった。

また図には示さないが、ＴＮＰ−Ｃａｐ−ＤＰＰＥを含
有しない脂質膜をゲート部に上と同様の操作によって被
ネ夏したＦＥＴは抗ＴＮＰＩｆＧ１に対して全く電位変
化を示さなかった。

実施例２ １０ｍＭのＤＭＰＣを含むエタノール溶液１００μｊを
ＰＢＳ３ａｌに７０℃撹拌化マイクロシリンジよシ徐々
に加え、さらに３分間攪拌し、リポソームを調製する。

このリポソームをリポソームＢとする。該リポソーム溶
液中に実施例１に用いたと同種のＰＥＴを入れ、５分間
放置した後、引き上げて風乾させ、ＰＢＳ洗浄の後再度
風乾する。このようにして抗原や抗体を含まない脂５ｆ
ｔ膜をゲート面に有する免疫物質不感応性ＦＧＴを製作
しも実施例１と同様にして製作した抗ＴＮＰ抗体感応性
Ｆ　Ｅ　Ｔと上記の免疫物質不感応性ＦＥＴとをそれぞ
れ第１図の３と４に示すＦＥＴとして用い、両１４’　
ｇ　ＴＯ差動出力を記録した。ドレイン電圧、ドレイン
電流は両Ｆ　Ｅ　Ｔとも４ポルト、３０マイクロアンペ
アとじ九。第６図に実施結果を示した。

）’ＢＳ２屑ｌ中に両ＦＥＴと疑似比較１ＪＬ極（白金
線）′を入れ、１０分間安定化させた後、矢印Ａのとこ
ろで試料醍液５０μＩ　を加えその時からの差動出力の
変化分Δｖ８をたて軸にプロットしている。第６図にお
いて、曲線４．５．６は各々試料＃液としてＰＢ８１非
特異的ＩｐＧｔ　含有ＰＢＳ、オヨヒ抗ＴＮＰモノクロ
ナルＩｆＧｘのＰＢＳＭ液（２，９ｘｌＯ′Ｍ）を加え
た時の差動出力の変化分を示す。第６図から明らかなご
とく、抗ＴＮＰ抗体に対して特異的な応答が見られる。

その飽和出力は？、　２５　ｘｌｏ−’Ｍの抗体く対し
て約７３ｍＶである。また差動方式の場合、コントロー
ル試料の差動出力がほぼ０であることも曲線４，５よシ
明らかである。

次に該抗ＴＮＰ抗体感応性ＦＩＴの再生を試みた。即ち
第６図曲線６を６１１１定後矢印Ｂの時点で該抗ＴＮＰ
抗体感応性Ｆ　Ｅ　Ｔのみを測定溶液より取シ出し、水
洗後エタノール、クロロホルム、エタノールの順で洗浄
した後、再びリポソームＡのＰＢＳ溶液中に５分間浸漬
し、引き上げ、ＰＢＳ洗浄を行ない、風乾した後、矢印
Ｃで免疫物質不感応性ＦＥＴ％凝似比較電極と共に、祈
たなＰＢＳ２１Ｌｌに入れ、上と同様にして差動出力を
記録した。

矢印りで抗ＴＮＰモノクロナルＩｆＧ１（２，９Ｘ１０
−６Ｍ）５０μＩ　を加えたところ、曲線７のような応
答が得られた。この結果から、上記のような簡単な方法
によって抗ＴＮＰ抗体感応性ＦＥＴの感応面が完全に再
生されたことが明らかである。

（発明の効果） 以上のように、本発明の先便センサは製作が極めて簡単
であるのみならず、従来の共有結合固定法で作られ九免
疫セ／すに比べ、極めて容易に再生を行なうことができ
る。また感度・選択性も良好である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の免疫センサと共に用いる比較電極とし
てイオン不感応性ＦＥＴを用いた電気回路図であり、第
２図は液絡式比較電極を用いた電気回路図である。第３
図は従来の共有結合固定法によって製作された免疫セン
サの模式図であり、第４図は本発明のＬＢ膜固定法によ
って製作された免疫セ／すの模式図である。 第５図は本発明の免疫センサの免疫応答を第２図の電気
回路を用いて測定した結果を示す。 第６図は本発明の免疫センサの免疫応答を第１図の電気
回路を用いて測定した結果を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電界効果トランジスタの少くともゲート部に免疫物
   質に対するレセプタを含有する脂質膜を被覆したことを
   特徴とする免疫センサ。 ２、免疫物質に対するレセプタを含有する脂質から成る
   リポソームの水溶液に電界効果トランジスタの少くとも
   ゲート部を浸漬して、引き上げることを特徴とする免疫
   センサの製造方法。