TW514996B - Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film - Google Patents

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514996 Α7 Β7 五、發明說明（ 相關申請按之交互引述 本申請案係以1990年12月1〇日提出申請之日本專利申 請案第11-352018號為基礎，及主張其優先權之利益，該申 請案之全部内容在此併入本案以為參考資料。 發明之背景說明 本發明係有關一個具有高耐腐蝕性膜的固定式内室之 處理室，其可應用於化學氣相沈積（CVD)中所用的成膜裝 置、熱處理裝置及蝕刻裝置等。 為因應近來對於南密度與高積體單元之需求，半導體 設備自二維連接結構進展至三維多重連接結構。鑑於該原 因，用於電子層間連接作用之埋入技術變得重要，該連接 作用係使用一接觸電洞連接一個下方的電路元件與一個上 方的連接層，及使用一介電電洞連接一個下方的連接層與 一個上方的連接層等等。就接觸電洞與介電電洞之埋入作 用而言，係使用鋁、鎢或者以該等作為一主要組份之合金。 在使用ί呂或銘合金之埋入步驟中，其生產過程係涉及 一加熱步驟等。若鋁連線與其下的矽基材彼此接觸，則在 其邊界區域存在發生鋁之，，矽抽吸，，效應等之風險及於該處 新形成一合金。依此所形成的合金之電阻值較大，而就所 產生设備之省電與咼速運作的需求之觀點而言，並非適合 需要的。更進一步，當使用鎢或鎢合金作為接觸電洞中之 埋入層時，六氟化鎢氣體入侵至矽基材，因此可能劣化該 設備之電子特性等。因此，其並非較佳者。 為避免該問題之發生，在接觸電洞或介電電洞中形成 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁}

-J-T· I I I I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ^ 丄 ^ 丄 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 埋入層之前，在該電洞的底部與内壁形成一位障層，然 後形成該埋入層。一般而言，已知氮化鈦膜係為一位障層。 另一方面，在朝向高密度積體的趨勢之下，使用具有 南介電常數之材質諸如五氧化二钽作為一電容器閘極材 質，以在不改變其尺寸之下獲得較高的電容。然而，相較 於省知作為電容器閘極材質之二氧化矽而言，該具有高介 電吊'數之材貝的性質並非較為穩定。若於上覆蓋電極上使 用夕曰曰矽，其因電容形成作用後之化學反應而被氧化，因 而無法製得一個具有穩定性質之設備元件。因此，需要使 用氧化程度較低的氮化鈦膜作為上覆蓋電極。 氣化鈦膜係藉由物理氣相沈積（PVD)技術形成，及長 久以來一直存在對於更精細與更高的積體設備之需求。此 外，設計方面之規定亦更形嚴苛。因而，在物理氣相沈積 (PVD)中很難達成高覆蓋作用。故使用化學氣相沈積（CVD) 技術，藉此得以形成較高品質的氮化鈦膜。更詳細地係使 用熱化學氣相沈積（CVD)，其中係於經加熱的基材上施用 四氯化鈦與氨或一甲基胼（MMH)作為反應氣體。在藉由該 熱化學氣相沈積作用形成氮化鈦膜之情況下，氣容易留置 於所形成的膜中，因而造成問題。該氯，之留置作用造成較 局的比電阻，而當該膜施用於覆蓋電容器之一電極時，則 無法獲得一適當的性質。 更進一步，本身為柱狀晶體之氮化鈦膜具有邊界擴散 之傾向，及與較低的位障特性有關。在氮化鈦膜作為覆蓋 電容器之一電極的銅連線之位障層或者作為五氧化二鈕連 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） ----------------------v^· — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^的氧擴散位障層之情況下，較低的位障特性將構成問 題亦即，因為殘餘氣對於銅連線之侵蝕作用或者因為氧 之擴散作用而降低五氧化二钽的電容，而發生問題。 藉由升高成膜作用的溫度，可實質地降低所形成的膜 中之氯量。然而，因為諸如銅與鋁之連線材質之諸如熱電 阻與侵蝕的問題，高溫方法並非較佳者。 電感搞合電漿化學氣相沈積（ICP-CVD)係為電漿化學 氣相沈積（CVD)技術中之一種，其中在一鐘形罩（内室）周圍 提供諸如一線圈之一天線元件。藉由對其通入高頻電力， 而產生電感電磁場以提供電衆。在使用該技術以形成氮 化鈦膜之情況下，所形成的氮化鈦膜具有低的電阻及氣含 量’甚至在較低溫形成之膜亦含有低的殘餘氣量。 雖然使用石英或氧化鋁製成之内室，及藉由電感耦合 電裝化學氣相沈積（ICP-CVD)形成氮化鈦膜，然而其耐電 聚性不佳’而其對於在氮化鈦膜形成作用之後用以清潔裝 置内部之姓刻氣體諸如氟氣氣之耐腐蝕性亦不佳，因此造 成問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更進一步，在該類型的化學氣相沈、積（CVD)成膜裝置 I’因為自内室之上方引入一加工氣體，而在該内室的内 壁形成殿積物，及易形成外來的撒積物。在形成氮化鈦膜 之情況下，因為導電性膜澱積於内室上方的内壁，而造成 所產生的電漿之衰減，因此使其難以形成膜。 1:1月之概要說明 本發明的目標係提供一種處理裝置，其具有用於一成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ：δ = 514996

五、發明說明（4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 膜裝置、加熱處理裝置及餘刻裝置之一内室，該内室耳有 高耐腐蝕性及其内·壁較不易澱積加工氣體之產物或者諸如 一蝕刻產物之產物。 依此建構之處理裝置具有一固定式内室，其支標一個 待加工之基材及具有在加熱、電襞及加工氣體中之任一者 或其組合之下用以加工處理該底材之元件，其中在該内室 的内壁表面及内室中之元件的暴露表面上形成三氧化二链 及三氧化二釔膜，三氧化二鋁/三氧化二釔之重量比係大於 0.5。三氧化二鋁/三氧化二釔之重量比係介於〇5至4之一範 圍。所形成的膜之厚度係大於50微米。 將於下列的說明中陳述本發明之其他目標與優點，其 中一部份係於s玄說明中顯而易見，或可自本發明之實施中 習得。可藉由以下所特別指出之工具與組合，以實現及獲 致本發明之目標與優點。 圖式之簡要說明 所附圖式係被納入及構成詳細說明之一部份，其說明 本發明目前的較佳具體例，及與上述的一般性說明與後述 的較佳具體例之詳細說明共同闡釋本發明之原理。 第1圖係顯示如本發明第一具體例之一電漿化學氣相 沈積裝置的實際結構之一圖； 第2A與2B圖係顯示以蝕刻與評估標準進行測試之一 言式樣； 第3圖係顯示元件之蝕刻時間與蝕刻量之關係； 第4圖係顯示當三氧化二鋁/三氧化二釔之重量比為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 7 -------------^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A： Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5 ) 0.43時’一噴霧膜之X光繞射圖像； 第5圖係顯示當三氧化二鋁/三氧化二釔之重量比為 0.66時，一噴霧膜之X光繞射圖像； 第6圖係顯示當三氧化二紹/三氧化二纪之重量比為 1.50時’一噴霧膜之X光繞射圖像； 第7圖係顯示當一噴霧膜之三氧化二鋁/三氧化二釔的 重量比不同時之複合氧化物生產率； 第8圖係顯示當一噴霧膜之三氧化二鋁/三氧化二釔之 重量比與蝕刻量之關係； 第9圖係顯示當以一 YAG製備一噴霧膜時，該喷霧膜之 X光繞射圖像； 第10圖係顯示如第二具體例之一電漿化學氣相沈積裝 置的實際形式之一圖； 第11圖係顯示如第三具體例之一電漿化學氣相沈積裝 置的實際形式之一圖； 第12圖係顯示如第四具體例之一電衆化學氣相沈積裝 置的實際結構之一圖； 第13A與13B圖係顯示第四具體例中之噴頭的實際結 構； ^ 第14A與14B圖係顯示第四具體例中之噴頭的改良結 構之一圖； 第15圖係顯示頭部區域的實際結構之一圖； 第16圖係顯示排氣元件的第一改良結構之一透視圖； 第17圖係顯示排氣元件的第二改良結構之一透視圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格x 297公爱} ------ 514991

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第18圖係顯示高度較低的薄型内室之一形式； 第19圖係顯示半球形内室之一形式； 第20圖係顯示圓頂内室之一形式； 第21圖係顯示一加熱裝置的實際結構之一圖； 第22圖係顯示一灰磨裝置的實際結構之一圖·， 第23圖係顯示一蝕刻裝置的實際結構之一圖；及 第24圖係顯示在本發明的各具體例中，崩潰電壓與噴 霧膜的厚度之關係。 ' 發明之詳細說明 以下將參照所附圖式說明本發明的具體例。 第1圖係顯示一種化學氣相沈積成膜裝置實例之戴面 圖，該成膜裝置係位於具有内含高耐腐蝕性噴霧膜之一固 定式内室之處理裝置中，及係作為本發明第一具體例。 本發明的成膜裝置係形成例如一種氮化鈦薄膜。成膜 裝置10包括一個内室u，其具有以氣密方式形成一完整單 元之一個下内室lla與一個上内室nb。上内室llb之直徑小 於下内室11a。下内室11a包括諸如鋁之一導電體12，其表 面例如經陽極氧化，霆理。上内室lib包括如陶瓷材質之基 底物質13，及包括一噴霧膜14。膜14含有釔、銃、鑭、鈽、 銪、鏑等之氧化物，或該等金屬之氟化物。膜！4可由週期 表IIIea元素的化合物製成，諸如三氧化二釔。毋需說明地， 膜14可由該一化合物或任一種其他材質製成。在本發明 中，含有一種ΙΠ-a元素的化合物之膜14 ,係為實質上包含 三氧化二鋁與三氧化二釔之一喷霧膜。可使用陶瓷（三氧化 297公釐） --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 9 514996 A7 B7_ _ 五、發明說明（7 ) 二鋁、二氧化矽、氮化鋁等）、鋁或不銹鋼、金屬或金屬合 金，作為内室的材質。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 噴務膜14之二氧化二鋁/三氧化二釔之重量比，較佳為 〇·5至4。應瞭解第8圖僅顯示至多為丨.5之重量比數據。在 喷霧膜14之形成作用中，可喷塗三氧化二鋁與三氧化二釔 化合物，或者噴塗例如位於上所提及的組成範圍之一複合 氧化物狀態的釔-鋁-石榴石（YAG)。基於電漿生成作用之絕 緣耐受性質及例如第2圖所示的崩潰電壓特性之觀點而 言，噴霧膜之厚度可至少為50微米，而自製造方法與成本 之觀點而言，噴霧膜之厚度較佳為微米及不超過3〇〇微米。 基底物質13之陶瓷可為三氧化二鋁、二氧化矽，諸如 石夕玻璃與石英、氮化鋁，任擇地可使用硬質塑膠，及上述 的噴霧膜在此並非形成於上内室1 lb之内壁，但其亦可形成 於該處。 在下内室11 a之内底，提供一個由陶瓷等製成的絕緣板 15及支撐基底16 ’及於支樓基底16上提供一個實質圓筒狀 的支持臺17，以於其上放置一個作為待加工處理物件之半 導體晶圓（此後稱作晶圓）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在支撐基底16之内部提供一冷卻劑室18，以經由冷卻 劑引入管19而接收一冷卻劑。該冷卻劑係由排氣管2〇排 出。經由該循環，冷度自支持臺17傳導至晶圓w。加熱元 件21係埋於支持臺17中，以經由電源22供應電力而將晶圓 W加熱至一預定的溫度。在電源22上連接一控制器23。晶 圓W的溫度係藉由冷卻劑之冷卻作用與加熱元件之加熱作 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514996 A： 五、發明說明（8 用而予以控制。

在支持臺17上提供一個構形與晶圓貿實質相同的靜電 卡盤24。靜電卡盤24之形成方式，係將一電極26埋入一絕 緣材貝25中。日日圓w受到庫倫（c〇ui〇mb)力等之靜電吸引， 庫倫（Coulomb)力係藉由在電極26施用來自一直流電源27 之直流電壓而產生。在靜電卡盤24之上表面的外圍部份， 提供圍繞晶圓w之一區域，例如一集中環28，以達到成膜 作用之均性。上所提及的噴霧膜14係於内室中之支撑基 底16、支持臺17、靜電卡盤24及集中環以之該等暴露表面 上形成。 訂 在上内至lib之上提供一喷頭元件3〇。在噴頭元件 中，以交錯方式形成許多排氣孔3〇a(氬、氟氣氣）、3〇b(氬、 四氣化鈦）及30c(氨），以在内室中以向下的方向排氣。一氣 體供應系統40的管線係與喷頭元件3〇連接。亦即，如下列 所說明者，用以供應氣體（氬、氟氣氣）的管線55係與排氣 孑L30a連接，用以供應氣體（氬、四氣化鈦）的管線％係與排 氣孔3 Ob連接，用以供應氣體（氨）的管線$ 7係與排氣孔川。 連接。藉此而將各氣體經由噴頭元件3〇而導入上内室ub 中。 噴頭元件30係由三氣體分散板之三層疊合結構所組 成，及包括具有排氣孔之排出板。各排氣板具有凹槽與孔， 以容許一種氣體均勻地分散於喷頭中之整個排氣表面區 域。更詳細地，氣體分散板的排氣孔之形成方式，係不與 其他氣體分散板的排氣孔重疊。雖然未於圖式中加以說 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7

明’自下方觀看排氣孔的表面側時，排氣孔係以矩陣排列 方式配置。及採用一個後混合系統，其中，四氣化鈦氣體 與氨氣係自交錯形成的不同排氣孔中排出，及該等氣體在 排出之後混合作為一處理氣體。 氣體供應系統40具有一個氟氣氣供應源41，以供應氣 氣氣作為一清洗氣體；具有一個氬氣供應源42與43以供廣 氬氣，具有一個四氯化鈦供應源44，以供應四氣化鈦作為 一處理氣體；及具有一個氨氣供應源45，以供應氨氣作為 一處理氣體。氣體管線46係與氟氣氣供應源41連接，氣體 管線47與48係分別與氬氣供應源42與43連接，氣體管線49 係與四氣化鈦供應源44連接，及氣體管線50係與氨氣供應 源45連接。在該等氣體管線提供一閥5i(51a、51b)與質量 流量控制器52。 自氟氣氣供應源41延伸之氣體管線46，係接合進入自 氬氣供應源42延伸之氣體管線47。自氟氯氣供應源41延伸 之氣體管線46係接合進入氣體管線53。藉由開啟設於氣體 管線46上之閥5 1，讓作為一清洗氣體之氟氣氣通過氣體管 線46與管線53及到達噴頭30,以經由排氣孔3〇a而導入上内 室lib中。毋需說明地，存在氬氣供應源42僅供應氬氣之情 況。 自四氣化鈦供應源44延伸之氣體管線49，係接合進入 自氮氣供應源43延伸之氣體管線48。措由氮氣之攜帶，四 氣化鈦氣體通過氣體管線49而到達喷頭30。四氣化鈦氣體 經由排氣孔30b而導入内室11中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··%1 訂---------嫵，·. A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（10 ) 更進一步’由氨氣供應源45所供應之氨氣通過氣體管 線5〇與管線55而到達喷頭3〇,及經由排氣孔30C而導入上内 室Ub中。應瞭解可使用一甲基肼（MMH)以取代氨氣。 在下内至1 la之底壁提供一排氣管61，其係與包括一真 空幫浦之排氣裝置62連接。藉由排氣裝置62之運作，可將 内室11中之壓力降至一預定的真空程度。在下内室lla之側 壁提供一閘閥63，當該閘閥位於開啟狀態時，容許晶圓w 進出例如一鄰近的裝料閘室，某未示於圖中。 作為一天線元件之線圈65,係纏繞於上内室Hb周圍， 及將一高頻電源66與線圈65連接。高頻電源66具有例如 13.65 MHz之頻率。藉由在線圈65上施用來自高頻電源66 之高頻電力，可在上内室11b之内產生一感應電磁場。更進 一步’提供一個使用一冷卻介質諸如冷卻劑之冷卻機制 67 ’及提供一個用以驅動該機制之冷卻源68。 使用該裝置開啟閘閥63，及當該閘閥位於開啟狀態 一 ‘時，將晶圓W置入内室11中及置於靜電卡盤24之上。_由 在電極26上施用一電壓，而使得晶圓w受到靜電卡盤<24之 吸引。之後’將閘閥63關閉，藉由排氣系統62將内室11之 内部抽真空至一預定的真空程度。然後，當氬氣供應源42 將氬氣導入内室11之際，在線圈65上施用來自高頻電源66 之高頻電力，以在上内室lib之内產生一感應電磁場。在該 高頻電場之下產生電漿。 然後，自氨氣供應源45與四氣化鈦供應源44，將一預 定量的氨氣與四氣化鈦導入上内室1 lb中以產生電聚，及將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — IIIII IIIIII — ·1111111 « — 111 — — — — I I I /、 f請先閱讀背面之注4事項再填寫本頁)、 . 13 514996 A7

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514996 五、發明說明（l2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

— — — — — — — — — - — 111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ · -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） A7 133.3帕（1000m托）及氣體流速為四氟甲烷：氬··氧=% : 950 · 1〇(總流速為0·0633立方公尺/秒（1〇55 之下，以 電漿照射一離散膜20小時。 使用8種類型的試樣，各包括一個2〇χ2〇χ2毫米鋁基 底，一個以三氧化二鋁與三氧化二釔製成及形成於該鋁基 底上之200微米厚的第一喷霧膜，一個形成於第一噴霧膜上 之200微米厚的第二噴霧膜。第一噴霧膜係由第一類型試樣 中的二氧化二釔、第二類型試樣中的三氧化二銃、第三類 型試樣中的三氟化二銃、第四類型試樣中的三氟化釔、第 五類型試樣中的三氧化二鑭、第六類型試樣中的二氧化 鈽、第七類型試樣中的三氧化二銪及第八類型試樣中的三 氧化鏑製成。更詳細地，使用其三氧化二鋁/三氧化二釔之 重量比為0.5之一噴霧膜及以99.9%純度的YAG(Y3Al5〇12 : 三氧化二鋁/三氧化二釔之重量比為〇 75)噴塗之一膜。如第 2 A圖所示，5式樣之外側周邊區域係以一聚酿亞胺膜遮蔽， 而留下10平方毫米之中心區域，及以電漿照射之。以蝕刻 量評估其耐電漿性質。如第2B圖所示，藉由使用一表面粗 縫度檢測儀，而以蝕刻深度評估蝕刻量。亦評估其他材質 试樣之耐腐蝕性，以進行比較。評估結果示於第3圖。在此， 在氧化鋁的蝕刻量經標準化為“1”之下，顯示蝕刻量。 如第3圖所示，確認含有週期表ni-a元素之膜對於電漿 之耐腐蝕性係高於其他的材質。在該等膜之中，由三氧化 二銘與三氧化二釔製成之噴霧膜展現特高的耐腐蝕性，因 其係由YAG組成物所製成。 15 五、 發明說明（l3 ’、、、後纟一氧化一鋁/二氧化二釔之重量比設定於 0.43、G·66與丨·5之情況下，將料混合粉末料於-铭基 底物質上，以形成-噴霧琪。第4'5與6圖顯示各者之 繞射圖像。如該等圖式中所示，就噴㈣中之任—者而言， 對應於_乳化一铭與二乳化二纪結晶之繞射尖峰係為顯著 的，但對應於複合氧化物諸如三氧化妹與九氧化喊二 紹之繞射尖峰亦為可辨識^如第7_示，發現該等複合 氧化物之生產率隨著三氧化二銘/三氧化二紀的重量比之 增加而增加。 訂 如上述之相同方式，測試該等試樣對於電聚之耐腐钮 性。错由在上所提及之邊緣部份以外的10平方毫米部份， 測量其中心部份的蝕刻深度，而進行蝕刻量之評估“士果 示於第8圖。自該圖中發現，當三氧化二紹/三氧化二纪之 重量比大於0.5時’具有較佳的_性。因為，如上所述 Γ複合氧化物之生產率隨著三氧化二紹/三氧化二紀的童 里比之增加而增加’故複合氧化物可能有助於耐腐飯性。 另-方面’如第9圖所示’在第_試驗中用於評估耐腐 蝕性之YAG喷霧膜，係為實質上非晶質的。 有4α於此，可視作藉由促使該噴霧膜成為非晶質者， 而增進耐腐蝕性。 以下將說明發明的第二具體例。 第Μ圖係顯示如第二具體例之—Μ化學氣相沈積裝 置之截面圖。在該具體例中，内室、噴頭與氣體供應系 統的結構係不同於第—具體例。在該圖中，相同的參考標 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)^^^ 297公釐） Α7

Α7 J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（Η ) #b係用以指在結構上對應於第1圖所示者之部件或元件，及 因此省略任何進_步的說明。 在該努署rb , ^ 罝T ’在下内室11a上方提供一個上内室lie， 1系由種陶瓷材質諸如三氧化二鋁、二氧化矽與氮化 紹製成。在提供於上内室lie頂部之管線類型的噴頭元件30 乂交錯方式形成排氣孔70a、70b及70c，以將氣體排向 内室之下方區域。如上述的氣體供應系統40，氣體供應系 統40a包括氣體供應源、閥51及質量流量控制器52。該具體 U自氣體供應系統40至噴頭元件70之管線配置，係與第一 具體例不同。 亦即，氣體供應系統4〇之管線係與喷頭元件7〇連接。 T下列所說明者，用以供應氬氣與氟氯氣之管線81係與棑 氣孔70a連接，用以供應四氣化鈦與氬氣之管線“係與排氣 孔7〇b連接，及用以供應氨氣之管線83係與排氣孔70c連 接。自上内室llc延伸朝向下内室Ua之上方區域之管線狀 的排氣το件71與72，係與排氣孔70b&7〇c連接。於排氣元 件71中形成一排氣孔71a，及於排氣元件72中形成一排氣孔 72a。 自氬氣供應源42延伸之一氣體管線47以及自氟氣氣供 應源41延伸之一氣體管線46，係與管線81連接。氬氣與氟 氣氣經由排氣孔7〇a而自管線81導入上内室11 e中，需暸解 有時僅供應氬氣至該處。 自四氣化鈦供應源44延伸之一氣體管線49以及自氬氣 供應源43延伸之一氣體管線48，係與管線82連接。四氣化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） ^-----------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 514996 A：

訂 t 請 先* 閱 讀 背ί & 之 注 意 事 項

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五、發明說明（16 ) 11 ’及將作為一清洗氣體之氟氣氣導入内室i i中，以清潔 該内室之内壁。 如上述’在該具體例中，作為電聚產生氣體之氬氣本 身係供應至上内室1丨0中，而作為處理氣體之四氯化鈦與氨 氣係經由排氣元件71與72而直接供應至下内室Ua中，藉此 處理氣體幾乎未曾觸及上内室llc之内壁。結果，幾乎未在 上内室11c之内壁上形成來自處理氣體的澱積物。 因此’不同於習知技藝技術之處，係在於導電膜並非 备由處理氣體而澱積於内室之内壁，及在所涉及的電漿之 衰減作用之下，成膜作用並無絲毫困難。 以下將說明本發明的第三具體例。 第11圖係顯示如本發明的第三具體例之一化學氣相沈 積裝置的截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該具體例包括類似於第丨圖所示第一具體例的下内室 11 a ’與類似於第1 〇圖所示第一具體例的上内室11 c之一個 組合結構。於上内室lib之内壁上形成如上述之一種主要由 二氧化二紹與乒氧化二釔製成之噴霧膜丨4，其具有絕緣性 質與高耐腐蝕性。在該具體例中，相同的參考標號係用以 指在結構上對應於第1與10圖所示者之部件或元件，及因此 省略任何進一步的說明。 在第三具體巧t中，高耐腐蝕性喷霧膜14係於上内室llb 之内壁上形成，即使電漿與清洗氣體與該内壁接觸亦難以 將其蝕刻，故提供該内室較長的使用壽命。此外，幾乎未 在上内室lib上形成自處理氣體所產生的澱積物。結果，不 本紙張尺度適用中鲺國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19 五、發明說明（l7 ) 同於習知技藝技術之處，係在於因該内室内壁上之一導電 膜所造成的電漿衰減作用，並未產生任何不便，及因此在 成膜作用方面並未遭遇任何困難。 應瞭解即使在第二與第三具體例中，喷霧膜可形成於 下内室11a之内壁上，及藉由形成該噴霧膜，而可能增進下 内室Ua之高耐腐蝕性。 以下將說明本發明的第四具體例。 第12圖係顯示如本發明的第四具體例之一化學氣相沈 積裝置的截面圖。 該具體例之裝置結構包括類似於上所提及的第一具體 例之下内室11 a，以及位於下内^室11 a上方之具有不同的供 氣位置的上内室lid之一個組合結構。在該真體例中，相同 的參考標號係用以指在結構上對應於第1與1〇圖所示者之 部件或元件，及因此省略任何進一步的說明。 在該成膜裝置中，在上内室lid與下内室11a之間形成 一個環狀噴頭81，以將一處理氣體供應至内室丨j中。在上 内室lid之整個内表面上形成一種高耐腐蝕性與絕策性喷 霧膜。氣體供應系統40之結構係與第一具體例類似，但可 藉由切換閥82與83之操作，而自上内室lid之頂側或側壁導 入氟氣氣（作為一清洗氣體）及氬氣。 在該結構下，由氣體供應系統4〇所供應之一氣體係排 入及直接朝向位於下内室11a中之上方區域的中央部份，及 擴散至晶圓W之上。在該具體例中，可能獲致與上述具體 例類似之一效應。幾乎難以在上内室丨丨d之内壁上形成自處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 20 514996 A7

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^ HI tr------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ϋ I A： --—---- B7__ 五、發明說明（19) ~ 然在上所提及的噴頭81中，來自各頭部區域的氣體係收集 進入中層頭部區域，該改良結構之類型係以在層積方向非 重且的方式’於各頭部區域形成數個排氣孔。 立該噴頭90具有一種環型的三層結構，藉此於對應的頭 部區域91、92與93提供環狀擴散管道91 a、92 a與93a，以 ^處理氣體導入該内室中。在對應的頭部區域形成導向擴 散管道91 a、923與93&之數個排氣孔91b(氨氣）、9“（氬氣) 與93b(四氣化鈦或氟氣氣），以促使該等氣體以水平方向排 出。 第15圖所示之各種實際結構，係依該等頭部區域之層 疊順序而予以實現。第15B1|員示該等結構中之6個案例 瞭解四氯化鈦與氟氣氣係交替地用於成膜期間與清洗期 間，但亦可提供該等氣體之對應的獨立排氣孔。 即使在該等具體例中，亦可能獲致與上述具體例相關 之相同優點。 可在本發明的具體例中，對於用以將氣體導入内室之 噴頭進行各種的改變與改良。 雖然在上所提及的具體例中，係如第16圖所示者使用 數個元件而將處理氣體導入内室丨丨中’噴頭之構形亦可具 有一個氣體導入元件95,以將處理氣體自上方的鐘形罩上 側供應至位於下内室之内的晶圓w;及具有一個排氣區域 % ’其與該氣體導人元件95的下端連接及具有數個排氣 孔，以將一氣體以螺旋方式向下供應至晶圓w。 如第17圖所示，喷頭包括一個與氣體導入元件％類似

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訂 k it 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514996 A7 ----------B7 五、發明說明（21 ) 7C件：相同的參考標號，說明特徵部份。因此省略其說明。 第圖』不问度較低的薄型内室。該薄型内室"e係為 薄的，及具有例如約〇.65至1()公分及較佳公分之高 度Η内至頂邛之内表面至晶圓w之距離約為'a至儿公 刀及車又佳备為3.8至20公分。因為該内室具有一個體積較小 的形狀，藉此内室内之暴露區域較小，及因而該裝置較為 小型及其維護較為容易。因此，可能減輕系統62之排氣負 何0 第囷斤示之上内至11 f係為半球形類型，亦即鐘罩類 型，第20圖所示之上内室Ug則為圓頂類型。在該等上内室 中，由一天線所產生之電場相對於晶圓W之分布情況，係 比箱形内室來得均-，因而使得所‘成的膜厚度與餘刻作 用等較為均一。 第21圖係顯示一種熱處理裝置的實際結構，其係位於 如本發明之具有内含高耐腐蝕性噴霧膜之一固定式内室之 處理裝置中，及作為第五具體例。 熱處理裝置101可進行用以增進所形成的膜之再結晶 作用之一種鍛燒方法，與一種熱氧化方法。 熱處理裝置101在内室102之内具有一個支持臺1〇3，以 支撐-晶圓W ;在支持臺103之下提供一個晶圓提升機制 105，以在轉移晶圓W之際，藉由數個起模頂桿ι〇4而提升 晶圓W ;在支持臺1〇3中提供一個加熱器1〇6 ;及具有一個 氣體流動室107,其以氣密方式將諸如氬氣與氧氣之一氣體 供應至晶圓W。於氣體流動室107之内表面以及於支持臺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公髮)""""" -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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103之上所&供的導向部件1〇8(用以引導晶圓安裝位置）之 表面上，形成三氧化二鋁/三氧化二釔噴霧膜，藉此可能獲 致與上述各具體例相同之效果。 t·, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第22圖係顯示一種施用於灰磨裝置的實際結構，其係 位於如本發明之具有内含高耐腐蝕性噴霧膜之一固定式内 室之處理裝置中，及作為第六具體例。 該灰磨裝置包括一個以氣密方式密封的内室m，其具 有一個下内室111a與上内室11113、於其上放置晶圓w之一 個支持臺112、提供於支持臺112之中及用以加熱該晶圓w 之一個加熱器113、用以供應一處理氣體諸如氧氣之一個氣 體供應系統（未顯示）、用以將内室丨1丨的内部抽成真空之一 個抽氣裝置。 在U亥灰磨裝置中’除了底部的内表面之外，在上内室 111b的整個内表面及下内室llla的側壁上形成高耐腐蝕性 噴霧膜，藉此可能獲致與上述各具體例相同之效果。 第23圖係顯示一種施用於钱刻裝置的實際結構，其係 位於如本發明之具有内含高耐腐蝕性喷霧膜之一固定式内 室之處理裝置中，及作為第七具體例。 3亥姓刻裝置包括一個以氣密方式密封的内室121、提供 於該内室121之内及作用為用以產生電漿的上電極之一個 處理氣供應喷頭、用以放置晶圓冒及作用為用以產生電漿 的上電極之一個支持臺123、具有數個閥124與數個處理氣 源125之一個處理氣供應系統、用以將高頻電力供應至喷頭 122之一個高頻電源127、提供於喷頭122周圍之一個屏蔽環 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ--------1---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

如上述之案例，噴霧膜14係於内室中之支持臺丨23、集 中衮130贺頭122與屏敝環128之暴露表面上形成，及進一 步於内至121之上方内表面與底部内表面上形成。 應瞭解於上述各具體例中所形成的噴霧膜，僅需具有 50微米以上的厚度。在噴霧膜的厚度小於5〇微米之情況 下，其絕緣耐性與耐電壓較低。此係基於吾等實驗所得之 數據’其顯示崩潰電壓與膜厚度之關係，如第24圖所示。 依據第24圖，膜厚度較佳介於5〇至3〇〇微米之範圍。 即使在該具體例中，可藉由形成噴霧膜，而獲致與上 述具體例相同之效果。 雖然在上述各具體例中，作為基材之半導體晶圓已藉 由實例而予以說明，本發明並非受限於此，及亦可形成用 於一液晶顯示裝置（LCD)之玻璃基材。 如上述各具體例，在内室的内壁上形成實質上由重量 比大於0.5之二氧化二链/三氧化二記所製成的噴霧膜，藉 此’該内室因為高耐腐蝕性噴霧膜之存在，較不易受到電 漿與清洗氣體之蝕刻作用。因而，本發明適用於位於内室 的姓刻程度較低的噴霧膜之上的成膜作用、蝕刻作用、灰 磨作用及熱處理。

I ^ 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t )

514996 五、發明說明（24 ) 更進一步，因為氣體供應系統係將一處理氣體供應至 鄰近該内室之内的一晶圓之上方區域，該氣體幾乎不觸及 該内室之内壁，及幾乎未有任何產物澱積於該壁上。可使 用陶究（三氧化二I呂、二氧化石夕、氮化銘等）、結、不銹鋼、 金屬或合金，作為該内室之材質。 嫻熟技藝者即可瞭解其他的優點與改良。因此，本發 明就較廣方面而言並不侷限於在此所示與說明之特定細節 與代表具體例。因而，可進行各種改良，而不偏離由所附 申請專利範圍及其同等物所界定之全體發明概念的精神與 範疇。 裝---------訂· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 27 514996 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（25) 10.. .成膜裝置 11…内室 11a...下内室 lib...上内室 11c...上内室 lid. ..上内室 lie. ..内室 llf. ..上内室llg. ..上内室 12.. .導電體 13…基底物質 14.. .喷霧膜 15.. .絕緣板 16…支撐基底 17.. .支持臺 18.. .冷卻劑室 19.. .冷卻劑引入管 20.. .排氣管 21.. .加熱元件 22.. .電源 23.. .控制器 24…靜電卡盤 元件標號對照 25.. .絕緣材質 26…電極 2 7...直流電源 28.. .集中環 30…噴頭元件 30a·.·排氣孔 30b...排氣孔 30c...排氣孔 40.. .氣體供應系統 40a...氣體供應系統 41.. .氟氣氣供應源 42.. .氬氣供應源 43.. .氛氣供應源 44…四氣化鈦供應源 45…氨氣供應源 46.. .氣體管線 47…氣體管線 48.. .氣體管線 49.. .氣體管線 50.. .氣體管線 51.··閥 51 a · · ·閥 —.—^------^---------i J. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 28 五 514996 A7 B7 發明說明（ di. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 51b.··閥 82.··閥（第12圖） 52…質量流量控制器 83···管線（第10圖） 53...氣體管線 83···閥（第12圖） 55...管線 84…頭部區域 56...管線 84a...擴散管道 57…管線 84b…排氣孑L 61...排氣管 85...頭部區域 62...排氣裝置 85a…擴散管道 63…閘閥 85b··.排氣孑L 6 5…線圈 86...頭部區域 6 6...南頻電源 86a…擴散管道 67...冷卻機制 86b··.排氣孑L 6 8…冷卻源 90...喷頭 70a…排氣孑L 91...頭部區域 70b...排氣孔 91a...擴散管道 70c...排氣孔 91 b...排氣孔 71…排氣元件 92…頭部區域 71 a...排氣孔 92a...擴散管道 72...排氣元件 92b...排氣孑L 72a...排氣孑L 93...頭部區域 81···氣體管線（第10圖） 93a...擴散管道 81…喷頭（第12、13A、 93b...排氣孔 13B、14A與 14B 圖） 95...氣體導入元件 82···管線（第10圖） 96…排氣區域 . —-----^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 29 514996 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（27 ) 97... 氣體導入元件 112.. .支持臺 98"· 排氣區域 113·. .加熱器 101. ..熱處理裝置 121.. .内室 102. ..内室 122.. •噴頭 103. ..支持臺 123.. 支持臺 104. ..起模頂桿 124.. ，•閥 105. ..晶圓提升機制 125·· ，.處理氣源 106. ..加熱器 127·, ..南頻電源 107. ..氣體流動室 128., ..屏蔽環 108. ..導向部件 129. ..靜電卡盤系統 111. ·.内室 130. ..集中環 111a ...下内室 131. • •閘閥 111b 上内室 132. ..澱積屏蔽 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

•噃II 訂---------Λ-#- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 30

Claims (1)

1. 514996 申請專利範圍

   N u / ^ " f p ’，. 第89126103號專利申請案申請專利範圍修正^ 修正日期：91年3月 I 一種處理裝置，其包括： 一處理内室，用於持有一待處理之基材；及 一處理機構，其係處理該内室中所持有之基材， 一喷霧膜，由一含有週期表m_a元素之一化合物之 物質所組成，該噴霧膜係以熱噴霧法形成，藉此該噴霧 膜形成於鄰近處理空間之該内室的内表面上，於該處理 空間中，物件被處理且在處理機構之構件上。 2·如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該含有週期表 ΙΠ-a元素之一化合物之物質包括三氧化二鋁。 3·如申請專利範圍第2項之處理裝置，其中·該喷霧膜勝由 釔、銃、鑭、鈽、銪、鏑及鋁之氟化物或氧化物所組成。 4.如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該含有週期表 Πΐ-a元素之一化合物之物質包括三氧化二鋁與三氧化 —崔乙。 5·如申請專利範圍第4項之處理裝置，其中該三氧化二鋁 相對於该二氧化二紀之重量比係為〇·5或〇·5以上。 6·如申請專利範圍第4項之處理裝置，其中該三氧化二鋁 相對於該二氧化二紀之間的比例係為5 : 3。 7·如申請專利範圍第4項之處理裝置，其中該含有三氧化 一紹及二氧化一紀之物質係為紀-|g -石權石。 8·如申請專利範圍第i項之處理裝置，其中該喷霧膜係由 本紙張尺度適家標準（CNS) M規格（繼撕公楚）： ---- -31 - 514996 A8 Β8· C8 D8、申請專利範圍 _ 釔、銃、鑭、鈽、銪、鏑及鋁之氟化物或氧化物所構成。 9·如申請專利範圍第1項之處理裝置，該裝置係一種電漿 处理裝置中之一、一膜形成裝置及一熱處理裝置。 •如申凊專利範圍第1項之處理裝置，其中該處理機構一 方面處理該基材，一方面施用一腐蝕性氣體至該内室 中。 u.如申請專利範圍第丨項之處理裝置，其中該含有一種週 期表ΙΙΙ-a元素之一化合物之該喷霧膜具有一 5〇微米或 5〇微米以上之厚度。 12· 一種處理裝置，其利用在一上内室内生成之電感電磁場 來生成電漿，且處理待處理的基材，該處理裝置包含： 一個下内室’其含有一用於持有待處理基材之支撐 臺部件；. 一個上内室，其設於該下内室之上方； 天線構件，其配置於該上内室周圍，用以在該上内 室中生成一電感電磁場； 咼頻波施用構件，其係用以將高頻電力施用至該天 線構件； 氣體供應構件，其係用於將數種處理氣體供應至該 上内室中；及 排氣構件，其係用於將來自該上内室與該下内室之 該處理氣體排出； 一噴霧膜，其由含有週期表m_a元素之一化合物之 物質所組成，係以_熱噴霧方法形成，藉此該喷霧膜係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· .I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱）. -32 - 514996 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 形成在鄰近-處理空間之内室讀件，於該空間中物件被 處理。 13.-種處理裝置，其利用在一上内室内生成之電感電磁場 來產生電漿，且在_待處理的基材上形成—膜，該處理 裝置包含： 一個下内室，其含有一用於持有待處理基材之支撐 臺部件； 一個上内室，其設於該下内室之上方； 天線構件，其配置於該上内室周圍，用於在上内室 中生成一電感電磁場； 高頻波施用構件，其係用於將高頻電力·施用至該天 線構件； 以 氣體供應構件，其設於該下内室之上，且沿著該下 内室週邊延伸呈圓環狀，用於將數種處理氣體及一電漿 生成氣體供應至該下内室中，藉此該等氣體可在一位置 混合，該位置在支撐臺部件上所持有一基材的上方；及 排氣構件，其係用於將來自該上内室與該下内室之 該等處理氣體排出。 14·如申請專利範圍第12或13項之處理裝置，其中該氣體供 應構件包含一個氣體出口機構，該氣體出口機構包括數 層，該等層已彼此層疊方式安裝，且對應於該處理氣體 及，電漿生成氣體，该荨層各具有一形成在外圓周表面的 氣體入口，一從該氣體入口進入之氣體被形成為氣流， 該氣流通過該對應層之一内通道，該等層中之一具有一 本紙張尺度適用中國國家標準（®s) A4規格（210X297公釐） ------.·[------------#… (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •、一t — 33 514996 A8 —D8 六、申請專利範圍 •排氣體出口，該等氣體出口形成在内圓周表面，每隔一 個軋體出口與該等層之内通道連接，而其他的氣體出口 則間隔地與環狀層之内通道連接。 15·如申請專利範圍第12或13項之處理裝置，其中該氣體供 應構件包含一個氣體出口機構，該機構包括數層，該等 層以彼此層疊方式安裝，且相對應於該處理氣體及電漿 生成氣體，该等層各在外圓周表面具有一個氣體入口、 一内通道以及數個氣體出口，該等氣體出口形成在内圓 周表面，且透過該内通道與該氣體入口相通，該等層之 氣體出口係從其中一者轉至另一者。 16.如申請專利範圍第12項之處理裝置，其中該·含有週期表 Πΐ-a元素之一化合物之物質包括三氧化二鋁與三氧化 二紀。 I7·如申請專利範圍第16項之處理裝置，其甲該三氧化二鋁 膜相對於二氧化二妃膜之重量比係為〇·5或〇·5以上。 18·如申請專利範圍第16項之處理裝置，其進一步包括用於 降低该上内室的溫度之一冷卻劑源，及其中該下内室與 上内室係以氣密方式連接，且氣體供應構件將處理氣體 供應至該感應電磁場在支持臺部件之上方所產生之電 聚’藉此於基材上形成一膜。 19·如申請專利範圍第16項之處理裝置，其中該三氧化二鋁 相對於三氧化二釔之間的比係為5 ·· 3。 20·如申請專利範圍第16項之處理裝置，其中含有三氧化二 鋁與三氧化二釔之物質係為釔_鋁_石榴石。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} •訂丨 34 A8 B8 C8 --~^___ 申請專利範圍 一 -^如申請專利範圍第12或13項之處理裝置，其中該上内室 具有一基底，該基底係由選自下列群中的材質製成：陶 究、金屬、含有該金屬之合金及硬質塑膠。 •如申請專利範圍第21項之處理裝置，其中該陶瓷係選自 下列群中之一 ··三氧化二鋁、二氧化矽與氮化鋁。 23·如申請專利範圍第12項之處理裝置，其中該含有週期表 maTG素之一化合物之喷霧膜，具有一5〇微米或5〇微米 以上之厚度。 24·如申請專利範圍12或13項之處理裝置，其進一步包括用 以降低該上内室的溫度之一冷卻劑源，及其中該下内室 上内至係以氣後方式連接，且氣體供應構件將處理氣 體供應至該感應電磁場在該支持臺部件之上方所生成 之電漿，藉此於該基材上形成一膜。 25·如申請專利範圍第12或13項之處理裝置，其進一步包含 電源’该電源用於供應高頻電壓在該下内室與該上内 室之間’及其中該感應電磁場在該支持臺部件之上方產 生一電漿，該氣體供應構件供應該等處理氣體，及於該 下内室與該上内室之間施用高頻電壓，藉此蝕刻該基材 之一表面。 26。 如申請專利範圍第丨丨或12項之處理裝置，其中該上内室 係為一半球形内室、一圓頂狀内室，或為高度低於一電 漿產生區域之薄形内室。 27。 一種執行用於待處理基材之鍛燒處理及熱氧化處理之 處理裝置，其包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210父297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   35 514996 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一個支持臺部件，其持有置_於其上之基材並以一内 部加熱器加熱該基材， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一導向部件，其位於該支持臺部件之上且導引該基 材至一安裝位置；及 氣體流動室，於該室中，上面置有基材之該支持臺 部件被密封，且該氣體流動室提供一處理氣體至該基 材；以及 用一含有週期表ΠΙ-a元素之一化合物之物質，以熱 喷霧處理形成一噴霧膜，該喷霧膜形成於内室構件之表 面，該内室構件位於該内室之内侧，且該内室構件鄰近 一處理空間，於其中執行該基材之該鍛燒處·理及該熱氧 化處理。 28·—種執行用於待處理基材灰化處理之處理裝置，其包 含·· 一内室，該基材收納於其中； 一支撐臺，其位於該内室中，持有置於其上之該基 材，且以一内部加熱器加入該基材， 一氣體供應機構，其供應一處理氣體至該内室中，以及 一排氣孔，用於從該内室排氣， 一喷霧膜，其係用一含有週期表ΠΙ-a元素之一化合物 之物質，以熱喷霧處理形成，該喷霧膜形成於内室構件 之表面，該内室構件位於該内室之内側，且該内室構件 鄰近一處理空間，於其中執行該基材之該鍛燒處理及該 熱氧化處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CTiS) A4規格（210X297公釐） 36 514996 A8 B8， C8 -—____ . D8 六、申請專利範圍 — 29·種執行用於待處理基材電漿處理之處理裝置，其包 含： 一密封内室； 一喷頭’其位於該内室中且用於供應一處理氣體，該 噴頭係作為用於生成電漿之上電極； 氣體供應裝置，其用於藉由該喷頭及一支持臺部件供 應一處理氣體及電漿生成氣體，該支持臺部件持有一待 處理基材並作為用以生電漿之下電極；及 電漿生成電源施用構件，其用於將一電漿生成電源施 用皇該喷頭，藉此在介於該喷頭及該支持臺部件間之處 理空間内生·成電漿， 一喷霧膜，其係用一含有週期表ΙΠ-a元素之一化合物 之物質，以熱喷霧處理形成，該喷霧膜形成於内室構件 之表面，該内室構件位於該内室之内侧，且該内室構件 鄰近该處理空間，於該處理空間執行該基材之該電漿處理。 30·如申請專利範圍第29項之處理裝置，其中該含有週期表 Hl-a元素之一化合物之物質包括三氧化二鋁。 31. 如申請專利範圍第29項之處理裝置，其中該含有週期表 Hl_a元素之一化合物之物質包括三氧化二鋁與三氧化 —*乙。 32. 如申請專利範圍第31項之處理裝置，其中該三氧化二銘 相對於該三氧化二紀之重量比係為0.5或〇.5以上。 33 ·如申請專利範圍第29項之處理裝置，其中該喷霧膜係由 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   37 Μ 4996 Α8 Β8 C8 -—_________ D8 六、申請專利範圍 ^ 紀、銳、鑭、鈽、銪、鏑及鋁之氟_化物或氧化物所組成。 34·如申請專利範圍第29項之處理裝置，其中該含有一種週 期表III_a元素之物質包括燒結的釔_紹_石榴石（YAG)。 35· —種用於一處理裝置中且具有抗腐蝕性及抗電漿性特 徵之構件，其包含·· 一該含有週期表ΙΠ-a元素之一化合物之物質之膜，該膜 係以一熱噴霧方法形成於該構件上。 36.如申請專利範圍第35項之構件，其中該處理裝置執行膜 之开成、钱刻、鍛燒及灰化中之任何一種。 37·如申請專利範圍第35項之構件，其包括下列者之一：陶 瓷材質、鋁、不銹鋼、金屬、金屬合金、石·英及陽極化 鋁。 _ 38.如申請專利範圍第37項之構件，其中該陶瓷材質是下列 者中任一種··三氧化二鋁、二氧化矽、氮化鋁、氮化矽 及碳化石夕。 39·如申睛專科範圍第35項之構件，其中該處理裝置用腐餘 氣體及電漿執行處理。 4〇·如申請專利範圍第39項之構件，其中該腐蝕氣體係一以 鹵素為主之氣體。 41·如申請專利範圍第39項之構件，其中該處理裝置用到高 頻電漿、ICP電漿及螺旋波電漿。 42·如申請專利範圍第35項之構件，其中該含有週期表m_a 元素之一化合物之物質包括三氧化二銘。 43·如申請專利範圍第35項之構件，其中該含有週期表m_a 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）’· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可| 38 514996 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 元素之一化合物之物質包括三氪化二鋁及三氧化二紀。 44·如申請專利範圍第43項之構件，其中談該三氧化二鋁相 對於該三氧化二釔之重量比係為〇.5或〇.5以上。 45·如申請專利範圍第43項之構件，其中該三氧化二鋁相對 於該三氧化二釔之間的比例係為5 : 3。 46·如申請專利範圍第43項之構件，其中該含有三氧化二鋁 及三氧化二釔之物質係為釔-鋁_石榴石。 47·如申請專利範圍第35項之構件，其中該一週期表 元素之化合物係為燒結的釔_鋁_石榴石。 48·如申請專利範圍第47項之構件，其中該三氧化二鋁相對 於該三氧化二釔之重量比係為〇 75。 · 49·如申請專利範圍第47項之構件，其中該釔_鋁_石榴石具 有一 99.9%之純度.。 50. 如申請專利範圍第47項之構件，其中該含有釔_鋁_石榴 石且以熱喷霧處理之膜是非晶質的。 51. 如申研專利範圍第35項之構件，其中該噴霧膜係由紀、 銃、鑭、鈽、銪、鏑及鋁之氟化物或氧化物所構成。 52·如申請專利範圍第29項之處理裝置，其中該内室部件含 有澱積屏蔽、屏蔽環、支持臺及壁表面。 本紙張尺度適用中國國家標準（QiS) A4規格（21〇><297公爱）， — ----------------. f請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •訂· 39