CN113396240A - 用于基板处理腔室的盖组件设备及方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。在一个实施方式中，盖组件包括气体歧管。气体歧管包括被配置成接收工艺气体的第一气体通道、被配置成接收掺杂气体的第二气体通道、以及被配置成接收清洁气体的第三气体通道。盖组件还包括喷头。喷头包括被配置成接收工艺气体的一个或多个第一气体开口，以及被配置成接收掺杂气体的一个或多个第二气体开口。
Description
背景技术
技术领域
本公开总体上涉及用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。
相关技术说明
反应性气体通常用于半导体器件的生产中。一些反应性气体在引入腔室后，将在基板或基板的部分上沉积材料。某些气体比其他气体更容易和/或更快地分解。例如，在某些温度下，某些气体可能比其他气体更容易和/或更快速地分解。这会产生基板处理操作的低效率、浪费、污染和可靠性的问题。例如，气体分解能够引起在基板处理操作期间沉积到半导体上的高k电介质的可靠性问题。
因此，需要一种将气体高效且可靠地输送到基板处理腔室的设备。
发明内容
本公开涉及一种用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。
在一个实施方式中，盖组件包括气体歧管。气体歧管包括被配置成接收工艺气体的第一气体通道、被配置成接收掺杂气体的第二气体通道、以及被配置成接收清洁气体的第三气体通道。盖组件还包括喷头。喷头包括被配置成接收工艺气体的一个或多个第一气体开口以及被配置成接收掺杂气体的一个或多个第二气体开口。
附图说明
为了可以详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施例来获得以上简要概述的本公开的更具体描述，所述实施例中的一些实施例在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出示例性实施方式，因此不应被认为是对其范围的限制，并且可以允许其他等效的实施方式。
图1是根据本公开的一种实施方式的基板处理腔室的示意图。
图2A是根据本公开的一种实施方式的盖组件的示意图。
图2B是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的盖组件的局部放大图。
图2C是根据本公开的一种实施方式的图2B所示的喷头的局部放大图。
图2D是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的盖组件的局部放大图。
图2E是根据本公开的一种实施方式的图2D所示的喷头的局部放大图。
图2F是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的盖组件的局部放大图。
图2G是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的气体歧管的示意性俯视图。
图2H是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的气箱的示意性俯视图。
图2I是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的第一板的示意性俯视图。
图2J是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的第二板和喷头的示意性俯视图。
图2K是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的喷头的示意性俯视图。
图2L是图2K所示的喷头的局部放大图。
为了便于理解，尽可能地使用相同的附图标记来表示附图中共有的相同元件。可以设想到的是，一个实施例的元件和特征可以有益地并入其他实施例中，而无需进一步说明。
具体实施方式
本公开涉及一种用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。图1是根据本公开的一种实施方式的基板处理腔室104的示意图。基板处理腔室104包括基座108，基座108用于将基板101支撑在其上。
基板处理腔室104包括盖组件110。盖组件110被配置成将前驱气体与清洁气体引入到基板处理腔室104的处理空间105中。盖组件110包括喷头106，喷头106将气体引入处理空间105中。出于将材料沉积到基板101上的目的，被引入到处理空间105中的前驱气体被配置成在基板101上或在基板101上方反应。出于制造半导体的目的，被沉积到基板101上的材料可以包括高k电介质材料。等离子体被产生在处理空间105中以促进将材料沉积到基板101上。基板处理腔室104包括一个或多个能量源，所述一个或多个能量源在整个基板处理腔室104和/或其部件中传播射频(RF)能量、直流(DC)电压和/或交流电(AC)。基板处理腔室104包括一个或多个加热器和/或一个或多个冷却通道(诸如在基座108中)，这些加热器和/或冷却通道控制基板处理腔室104的各个部件和各方面的温度。
基板处理腔室104包括排气口109。排气口109流体连接至真空泵133。真空泵133被配置成通过排气口109从基板处理腔室104的处理空间105中排出气体。
图2A是根据本公开的一种实施方式的盖组件210的示意图。盖组件210的一个或多个特征、部件和/或各方面可以被包括在图1所示的盖组件110和/或喷头106中。
盖组件210包括气体歧管201、隔离器歧管202、气箱203、第一板204、喷头206和第二板205。气体歧管201被配置成从两个或更多个前驱气体源接收两种或更多种前驱气体，并且被配置成从一个或更多个清洁气体源接收一种或多种清洁气体。隔离器歧管202设置在气体歧管201下方。隔离器歧管202被配置成将隔离器歧管202上方的部件或各方面(诸如气体歧管201)与隔离器歧管202下方的部件或各方面电隔离。例如，隔离器歧管被配置成使气体歧管201与在整个处理空间105中传播的RF能量、DC电压和/或AC电流中的一者或多者电隔离。气箱203设置在气体歧管201与隔离歧管202下方。第一板204设置在气箱203的下方。在一个示例中，第一板204是区隔板。喷头206设置在第一板204的下方。第二板205设置在喷头206与第一板204之间。第二板205设置在喷头206的内肩部209内。
喷头206包括一个或多个第一气体开口211以及一个或多个第二气体开口213。第一气体开口211被配置成将第一气体A引入处理空间105(在图1中示出)。第二气体开口213被配置成将第二气体B引入处理空间105中。第一气体A通过气体歧管201进入盖组件210，并通过喷头206的第一气体开口211离开盖组件210。第二气体B通过气体歧管201进入盖组件210，并通过喷头206的第二气体开口213离开盖组件210。
作为示例，第一气体A包括工艺气体。工艺气体包括硅烷和/或乙硅烷中的一种或多种。第二气体B包括掺杂气体。掺杂气体包括硼、磷化氢、氟、砷和/或三氟化氮中的一种或多种。但是，也可以考虑其他气体。
盖组件210与喷头206被配置成使得第一气体A和第二气体B被分离，直到第一气体A通过第一气体开口211离开喷头206，并且第二气体B通过第二气体开口213离开喷头206。第一气体A和第二气体B不混合，直到第一气体A和第二气体B到达处理空间105。这些配置允许第一气体A和第二气体B的各自的密度相对地高，从而导致第一气体A和第二气体B在处理空间105中且邻近被处理的基板(诸如基板101)处能可靠地混合。
这些配置还防止或减轻了第一气体A和第二气体B中的一者在第一气体A和第二气体B中的另一者之前、或者比在第一气体A和第二气体B中的另一者更快地完全或部分分解的影响。在第一气体A包括工艺气体且第二气体B包括掺杂气体的示例中，在某个温度下，掺杂气体的分解可能早于或快于工艺气体。这些配置通过保持工艺气体和掺杂气体分离，直到工艺气体和掺杂气体离开盖组件210的喷头206为止，来防止或减轻掺杂气体相对于工艺气体分解的影响。通过分离第一气体A和第二气体B可以防止第一气体A与第二气体B之间的反应，直到第一气体A和第二气体B到达处理空间105为止。作为示例，可以防止第一气体A与第二气体B之间的反应，直到恰好在基板的表面(诸如面对图1所示的喷头106的基板101的表面)上方为止。这实现了提高的效率，减少的浪费，并且将薄膜可靠地沉积到基材上。
盖组件210包括绝热器214。绝热器214设置在气体歧管201的中央开口215、隔离器歧管202的中央开口216以及气箱203的中央开口217中。绝热器214是陶瓷屏蔽件。在一个示例中，绝热器214包括氮化铝。绝热器214减少或防止在气体歧管201的内表面218、隔离器歧管202的内表面219以及气箱203的内表面220上的热量累积和/或自由基累积。绝热器214包括对应于图2F所示的第三气体通道253的开口289。
图2B是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的盖组件210的局部放大图。气体歧管201被配置成通过气体歧管201的第一气体通道221接收第一气体A。第一气体通道221流体地连接至隔离器歧管202的第一气体通道222。隔离器歧管202被配置成通过第一气体通道222接收第一气体A。第一气体通道222流体地连接至气箱203的第一气体开口223。气箱203被配置成通过第一气体开口223接收第一气体A。气箱203的第一气体开口223流体地连接至气箱203的第一气体通道225。
第一气体通道225包括一个或多个第一气体开口226(示出了六个)，一个或多个第一气体开口226被配置成将第一气体A从第一气体通道225输送到第一板204的气室227中。气室227由第一板204的凹部228和气箱203限定。凹部228限定第一板204的第一表面230。第一板还包括第二表面231。第一板204包括一个或多个第一气体开口229，一个或多个第一气体开口229从第一板204的第一表面230延伸到第二表面231。第一气体开口229流体地连接至位于第一板204的第二表面231与第二板205之间的气室232。第一气体开口229被配置成将第一气体A从气室227输送到在第一板204与第二板205之间的气室232中。
第二板205包括一个或多个第一气体开口233，一个或多个第一气体开口233从第二板205的第一表面234延伸到第二板205的第二表面235。在一个示例中，第一板204的第一气体开口229中的一个或多个第一气体开口229与气箱203的第一气体通道225的第一气体开口226中的一个或多个第一气体开口226对准。在一个示例中，第一板204的第一气体开口229中的一个或多个第一气体开口229与第二板205的第一气体开口233中的一个或多个第一气体开口233对准。
第二板205的第一气体开口233被配置成将第一气体A从气室232输送到喷头206的第一气体开口211中。
图2C是根据本公开的一种实施方式的图2B中所示的喷头206的局部放大图。喷头206包括一个或多个凸台240，一个或多个凸台240从喷头206的第一表面236突出。第一气体开口211从凸台表面237延伸到喷头206的第二表面238。第二表面238面向处理空间105并暴露于处理空间105。凸台240的凸台表面237接触第二板205的第二表面235。在一个示例中，第二板205的第一气体开口233中的一个或多个第一气体开口233与喷头206的第一气体开口211中的一个或多个第一气体开口211对准。
如图2B和2C所示，气体歧管201的第一气体通道221流体地连接到喷头206和处理空间105。盖组件210将来自第一气体源的第一气体A输送到处理空间105中。
图2D是根据本公开的一种实施方式的盖组件210的与图2A中示出的径向截面图不同的径向截面图的局部放大图。气体歧管201被配置成通过第二气体通道241接收第二气体B。第二气体通道241与图2B所示的第一气体通道221分开并且不同。第二气体通道241被配置成将第二气体B输送到隔离器歧管202的第二气体通道242。第二气体通道242与隔离器歧管202的第一气体通道222分开并且不同。第二气体通道242被配置成将第二气体B从气体歧管201的第二气体通道241输送到气箱203的第二气体开口243中。第二气体开口243被配置成将第二气体B输送到气箱203的第二气体通道244中。第二气体开口243设置在气箱203的第一气体开口223的径向外侧。
气箱203的第二气体通道244与图2B所示的第一气体通道25分开并且不同。第二气体通道244包括一个或多个第二气体开口246。第二气体通道244的第二气体开口246设置在第一气体通道225的第一气体开口226的径向外侧。第二气体开口246被配置成将第二气体B从第二气体通道244输送到第一板204的第二气体开口247中。第二气体开口247设置在图2B所示的第一气体开口229的径向外侧。在一个示例中，第二气体开口247与第二气体通道244的第二气体开口246对准。
第一板204的第二气体开口247被配置成将第二气体B从气箱203输送到第二板205的第二气体开口248中。在一个示例中，第一板204的第二气体开口247与第二板205的第二气体开口248对准。
图2E是根据本公开的一种实施方式的图2D中所示的喷头206的局部放大图。第二板205的第二气体开口248被配置成将第二气体B从第二板205输送到喷头206的第二气体通道249。第二气体开口248设置在第二板205的第一气体开口233的径向外侧。第二气体通道249设置在凸台240和第一表面236的径向外侧。壁250设置在第一表面236与第二气体通道249之间。壁250包括一个或多个壁开口251，一个或多个壁开口251被配置成将第二气体B从第二气体通道249输送到设置在凸台240周围和凸台240之间的一个或多个间隙252中。喷头206的第二气体开口213从第一表面236延伸到第二表面238。第二气体开口213被配置成将第二气体B从间隙252输送到处理空间105中。
如图2D和图2E所示，气体歧管201的第二气体通道241流体地连接到喷头206和处理空间105。盖组件210将第二气体B从第二气体源输送到处理空间105中。盖组件210保持第一气体A的流与第二气体B的流分开，直到将第一气体A和第一气体B引入处理空间105中为止。作为示例，凸台240的凸台表面237接触第二表面235并相对于第二表面235密封。因此，凸台240将流过第一气体开口211的第一气体A与流过间隙252和第二气体开口213的第二气体B流体地分离。
通过保持第一气体A与第二气体B分离，盖组件210有助于在基板101附近的处理空间105中混合第一气体A与第二气体B(如图1所示)。在处理空间105中混合第一气体A与第二气体B有助于将薄膜可靠地且高效地沉积到基板101上。第一气体A与第二气体B在进入处理空间105之前不混合，从而减轻或消除了第一气体A或第二气体B中的一者相对于第一气体A或第二气体B中的另一者分解的影响。例如，减少分解的反应物气体的量确保了反应物气体以有助于与另一种反应物气体混合以将薄膜沉积到基板上的密度到达处理体积105。
图2F是根据本公开的一种实施方式的盖组件210的与图2A或图2D所示的径向位置不同的径向位置处的局部放大图。气体歧管201被配置成将第三气体C接收到第三气体通道253中。第三气体通道253与第一气体通道221及第二气体通道241分开并且不同。气体歧管201从第三气体源接收第三气体C。第三气体C是清洁气体，所述清洁气体可以在引入第三气体通道253之前由远程等离子体源(RPS)激活。在一个示例中，第三气体C包括一种或多种载气和/或清洁气体，诸如氩气、三氟化氮和/或氧气。
第三气体C也可由气体歧管201从中央开口215上方的第三气体源接收到中央开口215中。在一个示例中，由第三气体通道253接收的第三气体C绕过RPS且不被RPS激活，而由中央开口215接收的第三气体C通过RPS并且由RPS激活。
第三气体通道253被配置成将第三气体C输送到气体歧管201的中央开口215、隔离器歧管202的中央开口216以及气箱203的中央开口217中。气箱203被配置成将第三气体C从中央开口217输送到气箱203的第三气体通道254中。盖组件210因此被配置成使得第三气体C绕过隔离器歧管202、气箱203的第一气体开口223以及气箱203的第二气体开口243。这些配置允许气箱203的简单设计，并且允许大流量的第三气体C流过气体歧管201的中央开口215。
气箱203的第三气体通道254与第一气体通道225及第二气体通道244分开且不同。第三气体通道254包括一个或多个第一开口255，一个或多个第一开口255配置成将第三气体C从第二气体通道244输送到在气箱203与第一板204之间的气室227中。
第三气体通道254包括一个或多个第二开口256，一个或多个第二开口256设置在第一开口255的径向外侧。第二开口256被配置成将第三气体C从第三气体通道254输送到第一板204的第三气体开口262中。第三气体开口262与第一板204的第二气体开口247分开且不同。在一个示例中，第三气体开口262与第三气体通道254的第二开口256中的一个或多个第二开口256对准。
一种或多种净化气体可以流过盖组件210，以防止第一气体A、第二气体B和/或第三气体C回流。作为示例，可使净化气体流动以防止流体(诸如第一气体A)从气室227流入第三气体通道254。作为另一示例，可使净化气体流动以防止流体(诸如第二气体B)从第二气体通道249流入第三气体开口263。本公开还设想到盖组件210可包括一个或多个阀以防止回流。作为示例，第一开口255、第一气体开口226、第二气体开口246、第三气体开口263和/或第三气体开口262中的每一者中的一个或多个可以包括阀。在一个示例中，阀包括止回阀或一些其他阀。
第一板204被配置成将第三气体C从气室227输送到一个或多个第一气体开口229中。第一气体开口229被配置成将第三气体C从气室227输送到在第一板204与第二板205之间的气室232中。第二板205的一个或多个第一气体开口233被配置成将第三气体C从气室232输送到喷头206的第一气体开口211中。第一气体开口211被配置成将第三气体C引入处理空间105中。
第一板204的第三气体开口262被配置成将第三气体C输送到第二板205的第三气体开口263中。第三气体开口263与第二板205的第二气体开口248分开且不同。第三气体开口263被配置成将第三气体C输送到喷头206的第二气体通道249中。在一个示例中，第二板205的第三气体开口263与第一板204的第三气体开口262对准。
喷头206被配置成将第三气体C从第二气体通道249且通过壁250的一个或多个壁开口251输送到设置在喷头206的凸台240之间和周围的间隙252中。喷头被配置成通过一个或多个第二气体开口213将第三气体C从间隙252输送到处理空间105中。
因此，盖组件210被配置成通过分别在第一板204、第二板205以及喷头206中的第一气体A与第二气体B流过的流动路径来输送第三气体C。在第三气体C是清洁气体的示例中，盖组件210可以有效地、高效地并同时清洁用于第一气体A与第二气体B的流体路径。在将第一气体A与第二气体B在处理空间105内混合之前，盖组件210可以保持第一气体A与第二气体B的流体路径分离。盖组件210还可以同时清洁供第一气体A与第二气体B的流体路径。
图2G是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的气体歧管201的示意性俯视图。气体歧管201包括邻近中央开口215设置的肩部264。肩部264支撑图2A所示的绝热器214。第一气体通道221、第二气体通道241以及第三气体通道253是分开且不同的，并且以彼此隔开的关系设置在气体歧管201中。第一气体通道221从气体歧管201的外表面268延伸到气体歧管201的底表面266。第二气体通道241从气体歧管201的外表面268延伸到气体歧管201的底表面266。第三气体通道253从气体歧管201的外表面268延伸到内表面218。
图2H是根据本公开的一种实施方式的图2A中所示的气箱203的示意性俯视图。气箱203包括分开且不同的第一气体通道225、第二气体通道244以及第三气体通道254。第一气体通道225、第二气体通道244以及第三气体通道254以交替布置的方式以彼此间隔开的关系设置。第一气体通道225、第二气体通道244和/或第三气体通道254中的每一者中的一个或多个可以设置在气箱203中的不同垂直平面中。在图2F所示的实施方式中，第三气体通道254垂直地设置在图2B所示的第一气体通道225与图2D所示的第二气体通道244的下方。本公开还设想到第一气体通道225、第二气体通道244和/或第三气体通道254中的每一者中的一个或多个可设置在气箱203中的同一垂直平面中。在图2D所示的实施方式中，第二气体通道244设置在与第一气体通道225相同的垂直平面中。
第一气体通道225各自包括以径向向外延伸的线性布置来布置的一个或多个第一气体开口226。第二气体通道244各自包括一个或多个第二气体开口246，一个或多个第二气体开口246径向地设置在第一气体通道225的第一气体开口226的外部。第三气体通道254各自包括以径向向外延伸的线性布置来布置的一个或多个第一开口255和一个或多个第二开口256。第二开口256设置在第一开口255和第一气体通道225的第一气体开口226的径向外侧。
第一气体开口223围绕气箱203的中央开口217周向地设置，并且在中央开口217的径向外侧。第一气体开口223包括一个或多个第一气体端口267，一个或多个第一气体端口267被配置成将第一气体A从第一气体开口223输送到第一气体通道225中。
第二气体开口243围绕气箱203的第一气体开口223周向地设置，并且在第一气体开口223的径向外侧。第二气体开口243包括一个或多个第二气体端口269，一个或多个第二气体端口269被配置成将第二气体B从第二气体开口243输送到第二气体通道244中。
第三气体通道254开放到气箱203的中央开口217。气箱203被配置成将第三气体C从中央开口217输送到第三气体通道254中。
图2I是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的第一板204的示意性俯视图。在一个示例中，第一板204是区隔板。如图2I所示，第一气体开口229以同心圆形图案设置在第一板204上。第一板204包括以交替布置周向地设置在第一板204上的第二气体开口247和第三气体开口262。第二气体开口247和第三气体开口262设置在第一气体开口229的径向外侧。第二气体开口247的形状为椭圆形。第三气体开口262和第一气体开口229的形状为圆形。每个第二气体开口247对应于气箱203的第二气体通道244的第二气体开口246。每个第三气体开口262对应于气箱203的第三气体通道254的第二开口256。第二气体开口247和第三气体开口262分别设置在第一凸台298和第二凸台299中。第一凸台298和第二凸台299从第一板204突出。第一板204包括内肩部297和外肩部296。
图2J是根据本公开的一种实施方式的图2A所示的第二板205和喷头206的示意性俯视图。第二板205设置在喷头206的内肩部209内。如图2J所示，第一气体开口233以六角形图案设置在第二板205上。第二气体开口248和第三气体开口263以交替布置周向地设置在第二板205上。第二气体开口248和第三气体开口263设置在第一气体开口233的径向外侧。第二气体开口248的形状为椭圆形。第一气体开口233和第三气体开口263的形状为圆形。第二气体开口248对应于第一板204的第二气体开口247。第三气体开口263对应于第一板204的第三气体开口262。第二气体开口248和第三气体开口263分别设置在第一凸台290和第二凸台291中。第一凸台290和第二凸台291从第二板205突出。
本公开设想到本文中公开的端口、开口和/或通道可以是各种形状，诸如圆形或椭圆形。端口、开口和/或通道的形状可用于适应第一气体A、第二气体B和/或第三气体C的各种流速，并且可用于促进在盖组件210的部件或特征之间产生密封。作为示例，第一板204的第二气体开口247在图2I中示出为椭圆形形状，以适应第二气体B的各种流速。第二气体开口247的椭圆形形状可以用于增加第二气体开口247的横截面面积，以有助于适应第二气体B的增加的流速。第二气体开口247的椭圆形形状可有助于适应第二气体B的增加的流速，而不需要干扰在外肩部296与内肩部297之间的密封的第一凸台298。第二气体开口247的椭圆形形状还有助于在气箱203的一个或多个方面与第一板204的一个或多个方面之间产生密封，诸如以防止第二气体B流入气室227。
可以基于对基板101、基板处理腔室104、第一气体A、第二气体B和/或第三气体C的工艺要求来修改本文公开的开口、通道和/或端口的形状和尺寸。
图2K是根据本公开的一种实施方式的图2A中所示的喷头206的示意性俯视图。喷头206包括第二气体通道249，第二气体通道249围绕第一气体开口211、凸台240和第二气体开口213周向地设置。第二气体开口213设置在凸台240周围和凸台240之间。第二气体开口213由壁250与第二气体通道249分开。壁开口251允许第二气体B从第二气体通道249流到第二气体开口213。
在一个示例中，凸台240与第一气体开口211以六角形布置设置在喷头206上，如图2K所示。
图2L是图2K所示的喷头206的局部放大图。凸台240以使得凸台240的各个中心彼此相距距离L的密度设置。在一个示例中，距离L在大约0.0英寸至大约0.7英寸的范围内，诸如大约0.34英寸至大约0.63英寸，诸如大约0.34英寸或大约0.63英寸。
尽管本公开以各种取向和配置示出了开口、端口和通道，但是本公开设想到其他取向和/或配置是可能的。例如，本公开设想到本文公开的板、喷头、歧管、气箱、开口、端口和/或通道可涉及各种形状、大小、迭代数量、长度、尺寸、垂直取向、水平取向和/或成角度的取向。作为示例，喷头206上的第二气体开口213的数量可以改变。第二气体开口213也可以以各种角度设置或可以在形状、长度和/或大小上变化。
本公开还设想到第一气体A、第二气体B和第三气体C可以在各种指定的温度、压力、流速和/或分子量下流过盖组件210和/或流入处理空间105。
本公开的优点包括使气体保持分离直到它们达到处理空间为止；在基板上方混合反应性气体；气体的高密度混合；同时清洁分开的流动路径；将材料可靠且高效地沉积到基板上，并减少或防止在盖组件上的热积聚和/或自由基积聚。
本公开的各方面包括一种盖组件，所述盖组件在将气体引入处理空间之前分离气体；具有第一气体通道、第二气体通道和第三气体通道的气体歧管；气箱；具有第一气体开口、第二气体开口、凸台和间隙的喷头；以及绝热器。
设想到本文公开的这些方面中的一个或多个方面可以被组合。此外，设想到这些方面中的一个或多个方面可以包括前述优点中的一些或全部。
尽管前述内容针对本公开的实施例，但是在不脱离本公开的基本范围的情况下，可以设计本公开的其他和进一步的实施例。本公开还设想到本文描述的实施例的一个或多个方面可以代替所描述的其他方面中的一个或多个方面。本公开的范围由所附权利要求确定。
Claims (15)
1.一种盖组件，包括：
气体歧管，所述气体歧管包括：
第一气体通道，所述第一气体通道被配置成接收第一气体，所述第一气体通道限定第一气体路径；
第二气体通道，所述第二气体通道被配置成接收第二气体，所述第二气体通道限定第二气体路径，所述第二气体路径与所述第一气体通道流体地隔离；以及
第三气体通道，所述第三气体通道被配置成接收第三气体，所述第三气体通道限定第三气体路径，所述第三气体路径与所述第一气体通道和所述第二气体通道流体连通；以及
喷头，所述喷头流体地耦接到所述气体歧管，所述喷头包括：
一个或多个第一气体开口，所述一个或多个第一气体开口被配置成接收所述第一气体，同时将所述第一气体与所述第二气体流体地隔离，以及
一个或多个第二气体开口，所述一个或多个第二气体开口被配置成接收所述第二气体，同时将所述第二气体与所述第一气体和所述第三气体两者流体地隔离。
2.如权利要求1所述的盖组件，其中所述一个或多个第一气体开口设置在所述喷头上的一个或多个凸起中，并且所述一个或多个第二气体开口设置在所述一个或多个凸台周围或所述一个或多个凸台之间。
3.如权利要求1所述的盖组件，其中所述喷头的所述一个或多个第一气体开口和所述一个或多个第二气体开口流体地耦接到所述第三气体通道。
4.如权利要求1所述的盖组件，进一步包括：
气箱，所述气箱包括：
中央开口，所述中央开口耦接到气箱第三气体通道，所述中央开口流体地耦接到所述第三气体通道；
第一气体开口，所述第一气体开口耦接到气箱第一气体通道，所述第一气体开口围绕所述中央开口设置并且流体地耦接到所述第一气体通道；
第二气体开口，所述第二气体开口耦接到气箱第二气体通道，所述第二气体开口围绕第一气体开口设置并且流体地耦接到所述第二气体通道。
5.如权利要求4所述的盖组件，进一步包括：
第一板，所述第一板耦接到所述喷头的上表面，所述第一板包括：
第一板气室，所述第一板气室流体地耦接到所述气箱第一气体通道和所述气箱第三气体通道，从而限定组合所述第一气体路径与所述第三气体路径的第四气体路径；
第一板第二气体开口，所述第一板第二气体开口流体地耦接到所述气箱第二气体通道并与所述气室流体地隔离，进一步限定所述第二气体路径。
6.如权利要求5所述的盖组件，进一步包括：
第二板，所述第二板耦接到所述喷头的所述上表面并且与所述气箱接触，所述第二板包括：
第二板气室，所述第二板气室流体地耦接到所述第一板气室，进一步限定所述第四气体路径；
第二板第三气体开口，所述第二板第三气体开口流体地耦接到与所述第二板气室分离的所述第一板第二气体开口，进一步限定所述第二气体路径。
7.如权利要求6所述的盖组件，其中所述气体歧管包括多个所述第一气体通道，其中所述多个第一气体通道以径向延伸的辐条构造来布置。
8.一种盖组件，包括：
喷头，所述喷头包括：
多个第一开口，所述多个第一开口形成在所述喷头的第一表面的中心位置中；
多个第二开口，所述多个第二开口形成在所述多个第一开口的径向外侧的所述喷头的所述第一表面中，所述多个第二开口与所述喷头内的所述多个第二开口流体地隔离；以及
多个第三开口，所述多个第三开口形成在所述多个第一开口的径向外侧的所述喷头的所述第一表面中；
以及
第二板，所述第二板耦接到所述喷头的所述第一表面，所述第二板包括：
所述第二板的多个第一气体开口，与形成在所述喷头中的所述多个第一开口流体地耦合；以及
所述第二板的多个第二气体开口，与形成在所述喷头的所述第一表面中的多个第二气体开口流体地耦合，其中第二板的所述多个第二气体开口与形成在所述喷头的所述第一表面中的多个第一气体开口流体地隔离。
9.如权利要求8所述的盖组件，进一步包括：
第一板，所述第一板耦接到所述第二板和所述喷头，所述第一板包括：
第一气体开口，所述第一气体开口形成在所述第一板中，所述第一气体开口流体地耦接到在所述第二板中形成的气室，所述气室流体地耦接到形成在所述第二板中的所述多个第一气体开口；以及
第二气体开口，所述第二气体开口形成在所述第一板中，所述第二气体开口流体地耦接到形成在所述第二板中的所述多个第二气体开口。
10.如权利要求9所述的盖组件，进一步包括：
气箱，所述气箱耦接到所述第一板，所述气箱包括：
所述气箱的第一气体通道，所述气箱的所述第一气体通道流体地耦接到所述第一板的气室，所述第一板的所述气室流体地耦接到所述第一板的多个第一气体开口；
所述气箱的第二气体通道，所述气箱的所述第二气体通道流体地耦接到所述第一板气体开口；
气箱中央开口，所述气箱中央开口与在所述气箱内的所述气箱的所述第一气体通道和所述气箱的所述第二气体通道流体地隔离。
11.如权利要求10所述的盖组件，其中所述气箱第一气体通道设置在所述气箱中央开口的径向外侧，并且所述气箱第二气体通道设置在所述气箱第一气体通道的径向外侧。
12.如权利要求11所述的盖组件，其中所述气箱包括所述箱的多个所述第二气体通道，并且所述气箱的所述多个第二气体通道以径向延伸的辐条构造来布置。
13.如权利要求12所述的盖组件，其中所述气箱包括形成在所述气箱中的中央开口。
14.如权利要求13所述的盖组件，其中陶瓷屏蔽件被设置成与所述气箱的所述中央开口接触。
15.如权利要求14所述的盖组件，其中所述陶瓷屏蔽件包括氮化铝，并且包括形成在所述陶瓷屏蔽件的侧壁中的一个或多个开口。
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