JP4741769B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
窒化タングステンは、タングステンや窒化チタンに比べ、酸化されにくい。
窒化タングステンの下部電極を形成する方法として、例えば以下に示す5つの方法がある。
(1)WF6ガスとNH3ガスとを用いた熱CVD法(2)WF6ガスとNH3ガスとを用いたプラズマCVD法(特開昭64−501号公報)
(3)WF6ガス、N2ガス、H2ガスを用いたプラズマCVD法(特開昭64−501号公報)
(4)WF6ガスとNF3ガスとを用いたプラズマCVD法(Suzukiet.al”AdvancedMettalizationandInterconnectSystemsforULSIApplicationin1997”Mater.Res.Soc.,1998,49)
(5)有機タングステンソースを用いた熱CVD法(Sunet.al.,Proc.of13thVMIC,151,1996)
(1)の方法では、形成される窒化タングステン膜の表面が平滑であるため、電極の対向面積は小さい。よって、(1)の方法では、キャパシタの大容量化を実現することは困難である。
図1は、第1の実施の形態にかかる熱CVD(化学気相堆積)成膜装置(以下、成膜装置)の構成図である。図1に示す成膜装置は、半導体装置を構成するキャパシタの下部電極となる膜を形成する装置である。
第1の実施の形態に係る成膜装置は、図1に示すように、ガス供給源10A,10B,10Cと、シャワーヘッド20と、シャワーヘッドヒータ21と、チャンバ30と、チャンバヒータ31と、サセプタ32と、支持部材33と、排気管40と、バルブ41と、真空ポンプ42と、電源50と、コントローラ51と、から構成されている。
上記と同様の方法により所定枚数の半導体ウエハWに前処理及び成膜処理が施される。
図3及び図4に示したような窒化タングステン膜の表面は、実際にSEM(走査型電子顕微鏡)で観察することができた。
窒化タングステン膜を成膜する前に、半導体ウエハWの表面にWF6を供給することによって、窒化タングステン膜の成長を制御することができる。即ち、成膜初期に形成される核(成長核)の密度を減少させることができる。これは、前処理工程においてWF6が、半導体ウエハWの表面に付着し、その付着したWF6が、核の形成を抑制(又は阻止)するためであると考えられる。即ち、WF6が、窒化タングステン膜を成膜するためのもう1つの原料ガスであるNH3が半導体ウエハWに吸着することを阻止していると考えられる。
また、凹凸形状を有する窒化タングステン膜から成る下部電極を有するキャパシタは、トレンチ構造としてトランジスタと組み合わされることによって、大容量のメモリ(DRAM)を構成することができる。
さらに、窒化タングステン膜は酸化されにくいため、製造される半導体装置の高い動作信頼性を実現することができる。
第2の実施の形態にかかる成膜装置は、第1の実施の形態で示した成膜装置と実質的に同一である。但し、ガス供給源10Cは、前処理用ガス及びクリーニングガスとして、ハロゲンガスであるClF3ガスをチャンバ30内に供給する。
以下に、第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。以下に説明する成膜装置の各部の動作は、上記したコントローラ51によって制御される。
これによって、半導体ウエハWの温度が450℃に設定される。
第1ステップでは、チャンバ30内の圧力を1Torrに設定する。そして、成膜用ガス及び希釈用ガスを、WF6/NH3/Ar=0/50/200(sccm)で、30秒間供給する。
図6に示すように、ClF3ガスを用いて前処理を行った後に成膜した窒化タングステン膜の表面には、小さな凹凸が多数形成されている。このような窒化タングステン膜の表面は、実際にSEM(走査型電子顕微鏡)で観察することができた。
さらに、窒化タングステン膜は酸化されにくいため、製造される半導体装置の高い動作信頼性を実現することができる。
第3の実施の形態にかかる製造方法では、前処理として、半導体ウエハW上にC2H5OH(アルコール類)を塗布して乾燥させる。このため、例えば図7に示すような製造装置を用いることによって、前処理を簡単に行うことができる。
始めに、前処理室1で、半導体ウエハWに前処理を施す。具体的には、スピンコータ1aによって、半導体ウエハW表面にC2H5OHを回転塗布して乾燥させる。なお、C2H5OHは、アルコール類であるため、常温、大気圧下で前処理を行うことができる。
成膜装置3では、第2の実施の形態で示した成膜プロセスで、半導体ウエハW上に窒化タングステン膜が形成される。
図8に示すように、C2H5OHを用いて前処理を行った後成膜した窒化タングステン膜の表面には、第2の実施の形態(図6)よりも比較的大きな凹凸が多数形成されている。このような窒化タングステン膜の表面は、実際にSEM(走査型電子顕微鏡)で観察することができた。
さらに、窒化タングステン膜は酸化されにくいため、製造される半導体装置の高い動作信頼性を実現することができる。
第4の実施の形態にかかる製造方法では、HMDSを用いて前処理を行う。具体的には、HMDSの蒸気に半導体ウエハWを暴露して乾燥させる。この前処理は、大気圧下で行われるので、例えば、図9に示すような製造装置で、前処理及び成膜処理を行うことができる。
ロードロック室4は、成膜装置3内の圧力を保持しながら半導体ウエハWを搬送するために設けられている。即ち、搬送機構2は、ロードロック室4を介して成膜装置3への半導体ウエハWの搬送を行う。
始めに、前処理室1のステージヒータ1cを用い、ステージ1bを加熱して、ステージ1bの温度を25℃に設定する。
また、蒸気ヒータ1eは、HMDSの蒸気が25℃となるように、蒸気供給源1dを加熱する。
成膜装置3では、第2の実施の形態で示した成膜プロセスで、半導体ウエハW上に窒化タングステン膜が形成される。
図10に示すように、HMDSの蒸気を用いて前処理を行った後成膜した窒化タングステン膜の表面には、大きな凹凸が多数形成されている。このような窒化タングステン膜の表面は、実際にSEM(走査型電子顕微鏡)で観察することができた。
さらに、窒化タングステン膜は酸化されにくいため、製造される半導体装置の高い動作信頼性を実現することができる。
Claims (12)
- 窒化タングステン膜が成長するための核の形成を抑制する抑制物質を、処理対象である層間絶縁膜の表面に供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後、前記層間絶縁膜の表面にWF 6 とNH 3 を含む原料ガスを供給することによって、表面に凹凸形状を有する窒化タングステン膜を前記層間絶縁膜上に形成する成膜工程と、
を備え、
前記抑制物質はWF 6 である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 窒化タングステン膜が成長するための核の形成を抑制する抑制物質を、処理対象である層間絶縁膜の表面に供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後、前記層間絶縁膜の表面にWF 6 とNH 3 を含む原料ガスを供給することによって、表面に凹凸形状を有する窒化タングステン膜を前記層間絶縁膜上に形成する成膜工程と、
を備え、
前記抑制物質はClF 3 である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 窒化タングステン膜が成長するための核の形成を抑制する抑制物質を、処理対象である層間絶縁膜の表面に供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後、前記層間絶縁膜の表面にWF 6 とNH 3 を含む原料ガスを供給することによって、表面に凹凸形状を有する窒化タングステン膜を前記層間絶縁膜上に形成する成膜工程と、
を備え、
前記抑制物質はC 2 H 5 OHである、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 窒化タングステン膜が成長するための核の形成を抑制する抑制物質を、処理対象である層間絶縁膜の表面に供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後、前記層間絶縁膜の表面にWF 6 とNH 3 を含む原料ガスを供給することによって、表面に凹凸形状を有する窒化タングステン膜を前記層間絶縁膜上に形成する成膜工程と、
を備え、
前記抑制物質はHMDS((CH 3 ) 3 SiNHSi(CH 3 ) 3 )である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記前処理工程において、前記抑制物質に加えて不活性ガスを供給する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記前処理工程は、C 2 H 5 OHを前記層間絶縁膜の表面に塗布する工程を備える、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理工程は、HMDSの蒸気に、前記層間絶縁膜の表面を暴露する工程を備える、ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料ガスは不活性ガスを含む、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記成膜工程は、前処理の実行時間を制御することによって、前記成膜工程で形成される窒化タングステン膜の凹凸形状を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理工程は、前記層間絶縁膜の実質的に平滑な表面に前記抑制物質を供給する工程であり、
前記成膜工程は、凹凸形状を有する窒化タングステン膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程である、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記前処理工程は、所定の粗さを有する前記層間絶縁膜の表面に前記抑制物質を供給する工程であり、
前記成膜工程は、前記層間絶縁膜の表面よりも粗い凹凸形状を有する窒化タングステン膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程である、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記窒化タングステン膜と絶縁物を介して対向する導電膜を形成し容量を形成する工程をさらに備える、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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