KR101497897B1 - 반도체 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조장치를 제공하기 위한 것으로, 공정가스가 공급되는 반응실과, 반응실의 공정가스를 배출하는 배출구를 포함한 반도체 제조장치에 있어서, 반응실과 배출구를 연통하며 내면에 내식성 산화피막으로 코팅된 용사피막층이 마련된 가스배출유로를 포함하고, 용사피막층의 일부에는 경면 연마를 통한 연마층이 마련되도록 구성함으로서, 반응 부산물의 제거 및 유지보수작업이 용이하게 된다.

Description

반도체 제조장치{Apparatus for making semiconductor}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마로부터 발생하는 반응성 가스에 의한 부식 방지 및 반응 부산물의 제거가 용이한 반도체 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정 중 하나인 식각공정은 반도체 기판 위에 형성된 실리콘막이나, 유전체막을 제거하는 방법으로 플라즈마를 이용하는 건식 식각 방법이 널리 사용되고 있다. 플라즈마를 이용한 건식 식각 방법은 프로세스 가스의 플라즈마를 발생시키고, 발생된 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 방법이다.
이러한 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 플라즈마 식각장치는 일반적으로 플라즈마가 발생되는 반응실을 갖는 챔버바디와, 반응실에 설치되는 상부전극 및 하부전극을 포함한다. 식각될 기판은 하부전극 위에 놓이고, 상부전극에 고주파전원(Radio-Frequency Power)을 인가하면서 반응실로 반응 가스를 주입하면 반응실에서 플라즈마가 발생되면서 기판이 식각된다.
그런데, 반응실에서 플라즈마에 의해 식각이 이루어질 때, 플라즈마에 노출되는 반응실의 내면, 가스 및 부산물이 배출되는 배출구는 플라즈마화한 처리 가스 에 의한 손상 즉, 플라즈마 부식에 의한 손상을 받게 된다.
배출구를 포함한 반응실 내면의 경우 부식이 일단 발생하게 되면 표면적의 증가로 손상의 속도는 급속히 증가하게 되므로 유지보수의 주기는 단축되게 되고 또한 반응 부산물이 부착되어 쌓이게 되므로 주기적인 교환 및 세척을 하여야 한다.
본 발명의 일측면은 플라즈마에 노출되는 부분의 부식 발생을 방지하여 부산물의 부착을 감소시킴과 동시에 반응 부산물의 선택적 부착 및 제거가 용이한 반도체 제조장치를 제공하고자 한다.
이를 위해 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조장치는 공정가스가 공급되는 반응실과, 상기 반응실의 공정가스를 배출하는 배출구를 포함한 반도체 제조장치에 있어서, 상기 반응실과 상기 배출구를 연통하며 내면에 내식성 산화피막으로 코팅된 용사피막층이 마련된 가스배출유로를 포함하고, 상기 용사피막층의 일부에는 경면 연마를 통한 연마층이 마련된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 연마층이 형성되지 않는 상기 가스배출유로는 반응 부산물이 부착되는 부산물 부착부로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 용사피막층은 이트륨 산화물인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 부산물 부착부에는 상기 부산물 부착부를 냉각하기 위한 냉각유로가 마련된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 부산물 부착부는 분리 가능하게 형성된 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 제조장치는 플라즈마에 의한 부식 발생이 방지될 뿐만 아니라 가스배출유로의 부산물 부착부에 반응 부착물의 부착이 집중되므로 반응 부산물의 제거가 용이하고, 진공펌프 등의 손상도 방지할 수 있게 된다.
이하에서는 상기와 같은 본 발명의 반도체 제조장치의 기술적 사상에 따른 바람직한 실시 예를 첨부도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치의 대략적인 구조를 보인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 제조장치의 보호층의 구조를 나타낸 것이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 용사피막층 표면의 전자현미경 사진을 나타낸 것이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 가스배출유로 부분의 확대도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 제조장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(W)의 가공공정을 수행하기 위한 반응실(14)을 형성하는 것으로 상부가 개방된 원통형의 몸체부(10)와, 몸체부(10)의 상부를 덮는 덮개부(12)를 포함한다.
반응실(14) 내에는 기판(W,Substrate)을 지지하는 정전척(,Electrostatic Chuck)이 설치되고, 정전척(20)의 하부에는 플라즈마 상태의 공정가스를 반도체 기판(W)으로 유도할 수 있도록 바이어스 전원(22)이 인가되는 하부전극(21)이 설치된다.
정전척(20)과 하부전극(21)의 둘레에는 이들을 감싸는 척하우징(23)이 구비된다.
덮개부(12)의 중앙부에는 반응실(14) 내부로 공정가스를 공급하기 위한 가스 공급노즐(26)이 설치된다.
가스공급노즐(26)은 공정가스를 공급하는 가스공급부(24)와 노즐(25)을 통하여 연결된다.
반응실(14) 상부의 덮개부(12) 내면에는 반응실(14) 내부로 공급되는 공정가스를 플라즈마 상태로 만들 수 있도록 RF(Radio Frequency) 전원(28)이 인가되는 상부전극(27)이 설치된다.
몸체부(10)의 하부 쪽에는 반응실(14) 내부의 미 반응 공정가스 등을 배출시키기 위한 배출구(29)가 형성되고, 배출구(29)와 연결된 배출관(30)에는 반응실(14) 내부를 진공상태로 유지할 수 있는 진공펌프(33) 및 압력제어장치(34)가 설치된다.
또한, 반응실(14) 하부 일측에는 배출되는 공정가스가 이동하며 배출구(29)와 연통하는 가스배출유로(31)가 마련된다.
이러한 반도체 제조장치는 반응실(14) 내부로 공급되는 공정가스 및 공정변수들을 조절하는 것에 의해 반도체 기판(W)의 표면에 막을 형성시키는 증착공정을 수행하거나 기판(W) 표면의 막을 식각하는 식각공정을 수행하는데 이용할 수 있다.
한편, 증착 또는 식각공정을 수행하는 경우 플라즈마에 노출되는 반응실(14) 내벽을 형성하는 덮개부 내측면(13)과 몸체부 내측면(11)에는 플라즈마의 영향에 의한 부식 및 반응 부산물의 부착을 방지하기 위한 보호층(35)이 마련된다.
도 2에 도시한 바와 같이 보호층(35)은 반응실(14) 내벽을 형성하는 모 재(36)의 표면에 이트륨 산화물(Y2O3)과 같은 내식성 산화피막을 열용사법(Thermal Spray)을 통해 코팅한 용사피막층(37)을 포함한다.
이러한 용사피막층(37)의 표면은 도 3에 도시한 바와 같이 일반적으로 용사피막층(37)을 형성하는 과정 상 기공이 발생될 뿐만 아니라 거칠어지게 되고, 이러한 표면을 통해 반응성 가스의 카본 입자들이 침투하여 부식이 발생할 수 있다.
이를 해결하고자 용사피막층(37)의 표면은 경면 연마(Mirror Polishing)를 통해 연마층(38)을 형성한다. 이러한 연마층(38)은 10점평균거칠기 값으로 1㎛ 이하의 값을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
즉, 보호층(35)은 모재(36)의 표면에 열용사법을 통해 내식성 산화피막을 형성한 용사피막층(37)과 용사피막층(37)의 표면을 경면 연마한 연마층(38)으로 이루어짐에 따라 표면 경도(Hardness)를 높이고, 표면의 기공을 감소시키게 된다.
이에 의해 반응실(14)을 형성하는 내벽은 이온에 의한 물리적 손상(Sputtering)이 감소될 뿐만 아니라 용사피막층(37)의 기공으로의 반응성 가스의 침투를 막을 수 있게 된다. 또한, 용사피막층(37)의 표면적의 감소에 따라 보호층(35)에 부착되는 반응 부산물의 부착력은 약화됨에 따라 보호층(35)에 부착되는 반응 부산물은 감소하게 된다.
도 4는 도 1의 "A"부의 확대도이다. 도 4에 도시한 바와 같이 가스배출유로(31)는 반응실(14)의 공정가스가 진공펌프(33) 쪽으로 배출되어 반응실(14)이 진 공으로 유지될 수 있도록 공정가스가 배출되는 배출구(29)와 반응실(14)을 연통하도록 형성된다.
이러한 가스배출유로(31)에는 진공펌프(33) 등으로 이루어진 진공유지장치 쪽으로 반응실(14) 내에 생기는 반응 부산물이 배출되는 양을 최소화될 수 있도록 반응 부산물의 부착을 집중시키는 부산물 부착부(32)가 마련된다.
가스배출유로(31)의 내면 일측을 형성하는 부산물 부착부(32)의 표면은 연마층(38)이 형성되지 않도록 마련된다. 즉, 부산물 부착부(32)의 표면에는 이트륨 산화물(Yttrium Oxide)과 같은 내식성 산화피막을 열용사법(Thermal Spray)을 통해 코팅한 용사피막층(37)만으로 구성하여 상대적으로 연마층(38)이 형성된 부분에 비하여 표면적의 증가에 따른 반응 부산물의 부착을 집중시킬 수 있게 된다.
또한, 부산물 부착부(32)에는 부산물 부착부(32)를 냉각하여 부산물의 부착을 증가시킬 수 있도록 냉각제가 흐르는 냉각유로(39)가 마련될 수 있다. 이러한 냉각제는 액화질소, 이산화탄소 또는 이들의 혼합물을 사용하거나 냉각수를 사용할 수 있다.
한편, 부산물 부착부(32)는 부산물 부착부(32)에 부착된 부산물의 제거를 용이하게 할 수 있도록 도 4에 도시한 바와 같이 분리 가능하게 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 도시하지는 않았으나 반응실(14) 내부에 생기는 반응 부산물들이 반응실(14) 또는 가스배출유로(31)의 내벽에 부착되는 것을 방지하여 반응실(14) 또는 가스배출유로(31)의 내벽을 보호하는 라이너(미도시)를 구비하고, 이러한 라이너(미도시)의 표면에 보호층(35)을 형성할 수 있음은 당연하다. 또 한, 가스배출유로(31)의 부산물 부착부(32)에 설치되는 라이너(미도시)에는 부산물의 부착을 집중시킬 수 있도록 비연마면을 가질 수 있음은 당연하다 할 것이다.
이하에서는 반도체 제조장치의 작용에 대해 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 하부전극(21) 위에 기판(W)이 놓이고 반응실(14)이 밀폐된 상태에서, 상부전극(27) 및 하부전극(21)에 전원이 인가되고 반응실(14) 내부에 공정가스가 유입되면 반응실(14) 내에는 플라즈마가 발생된다. 그리고, 이렇게 기판(W)의 상부에서 발생되는 플라즈마에 의해 기판(W)의 상부면이 식각된다.
한편, 반응실(14)에서 플라즈마에 의한 식각 공정이 이루어질 때, 플라즈마에 노출되는 반응실(14) 및 가스배출유로(31)의 내벽은 플라즈마 부식에 의한 손상을 받게되나 반응실(14) 및 가스배출유로(31)의 내벽에 형성된 보호층(35)에 의하여 물리적 손상(sputtering)이 감소될 뿐만 아니라 연마층(38)에 의한 용사피막층(37)의 표면의 기공이 감소되므로 반응 가스의 침투를 막을 수 있게 되어 장시간 사용하더라도 안정적인 상태를 유지할 수 있게 된다.
또한, 연마층(38)에 의한 표면 조도의 향상으로 접촉 표면적이 감소하여 부산물의 부착력이 감소됨에 따라 건식 세정 등의 간단한 방법에 의해 보호층(35)에 부착된 부산물을 제거할 수 있게 된다.
또한, 가스배출유로(31)를 통해 배출구(29) 쪽으로 유동하는 반응 부산물의 경우 가스배출유로(31)에 마련된 부산물 부착부(32)에 집중적으로 부착하게 되어 진공펌프(33) 등이 마련된 진공유지장치 쪽으로의 부산물의 양을 최소화 할 수 있 게 되므로 기기의 유지보수작업을 줄일 수 있게 된다.
한편, 부산물 부착부(32)에 부착된 반응 부산물을 제거하는 경우에도 부산물 부착부(32)는 분리 가능하게 형성되므로 이러한 부산물 부착부(32)만을 분리 후 반응 부산물의 제거가 가능하므로 유지 보수의 작업이 더욱더 용이하게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 제조장치의 대략적인 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 제조장치의 보호층의 구조를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 제조장치의 용사피막층 표면의 전자현미경 사진을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 제조장치의 가스배출유로 부분의 확대도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 몸체부, 12: 덮개부,
14: 반응실, 20: 정전척,
21: 하부전극, 23: 척하우징,
26: 가스공급노즐, 27: 상부전극,
29: 배출구, 30: 배출관,
31: 가스배출유로, 32: 부산물 부착부,
35: 보호층, 36: 모재,
37: 용사피막층, 38: 연마층,
39: 냉각유로.

Claims (5)

  1. 공정가스가 공급되는 반응실과, 상기 반응실의 공정가스를 배출하는 배출구를 포함한 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 반응실과 상기 배출구를 연통하며 내면에 내식성 산화피막으로 코팅된 용사피막층이 마련된 가스배출유로를 포함하고, 상기 용사피막층의 일부에는 경면 연마를 통한 연마층이 마련되고, 상기 연마층이 형성되지 않는 상기 가스배출유로는 반응 부산물이 부착되는 부산물 부착부로 형성되되,
    상기 연마층은 상기 반응실로부터 상기 배출구를 향해 상기 공정 가스가 배출되는 방향을 중심으로 상기 가스배출유로의 일측을 따라 형성되고, 상기 부산물 부착부는 상기 반응실로부터 상기 배출구를 향해 상기 공정 가스가 배출되는 방향을 중심으로 상기 가스배출유로의 타측을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 용사피막층은 이트륨 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 부산물 부착부에는 상기 부산물 부착부를 냉각하기 위한 냉각유로가 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 부산물 부착부는 분리 가능하게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006307311A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Nihon Ceratec Co Ltd 耐食性部材およびその製造方法
KR20070020109A (ko) * 1999-12-10 2007-02-16 동경 엘렉트론 주식회사 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
KR20070088135A (ko) * 2006-02-24 2007-08-29 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070020109A (ko) * 1999-12-10 2007-02-16 동경 엘렉트론 주식회사 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
JP2006307311A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Nihon Ceratec Co Ltd 耐食性部材およびその製造方法
KR20070088135A (ko) * 2006-02-24 2007-08-29 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

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