JP3488373B2 - 耐食性部材 - Google Patents
耐食性部材Info
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- JP3488373B2 JP3488373B2 JP32844997A JP32844997A JP3488373B2 JP 3488373 B2 JP3488373 B2 JP 3488373B2 JP 32844997 A JP32844997 A JP 32844997A JP 32844997 A JP32844997 A JP 32844997A JP 3488373 B2 JP3488373 B2 JP 3488373B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に塩素系腐食性
ガスおよび塩素系プラズマに対して高い耐食性を有す
る、プラズマ処理装置や半導体製造用又は液晶用プラズ
マプロセス装置の内の内壁材や治具等、放電管、メタル
ハライド等のランプ等の放電壁として使用される耐食性
部材に関するものである。
ガスおよび塩素系プラズマに対して高い耐食性を有す
る、プラズマ処理装置や半導体製造用又は液晶用プラズ
マプロセス装置の内の内壁材や治具等、放電管、メタル
ハライド等のランプ等の放電壁として使用される耐食性
部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造のドライプロセスやプラズマ
コーティング、放電管、ランプなど、プラズマの利用は
近年急速に進んでいる。半導体におけるプラズマプロセ
スとしては、フッ素系・塩素系等のハロゲン系腐食ガス
がその反応性の高さから、気相成長、エッチングやクリ
ーニングに利用されている。
コーティング、放電管、ランプなど、プラズマの利用は
近年急速に進んでいる。半導体におけるプラズマプロセ
スとしては、フッ素系・塩素系等のハロゲン系腐食ガス
がその反応性の高さから、気相成長、エッチングやクリ
ーニングに利用されている。
【０００３】これら腐食性ガスに接触する部材には高い
耐食性が要求され、従来より被処理物以外のこれらプラ
ズマに接触する部材は、一般にガラスや石英などのＳｉ
Ｏ2を主成分とする材料やステンレス、モネル等の耐食
性金属が多用されている。
耐食性が要求され、従来より被処理物以外のこれらプラ
ズマに接触する部材は、一般にガラスや石英などのＳｉ
Ｏ2を主成分とする材料やステンレス、モネル等の耐食
性金属が多用されている。
【０００４】また、半導体装置製造時において、ウェハ
を支持固定するサセプタ材としてアルミナ焼結体、サフ
ァイア、ＡｌＮの焼結体、又はこれらをＣＶＤ法等によ
り表面被覆したものが耐食性に優れるとして使用されて
いる。また、グラファイト、窒化硼素をコーティングし
たヒータ等も使用されている。
を支持固定するサセプタ材としてアルミナ焼結体、サフ
ァイア、ＡｌＮの焼結体、又はこれらをＣＶＤ法等によ
り表面被覆したものが耐食性に優れるとして使用されて
いる。また、グラファイト、窒化硼素をコーティングし
たヒータ等も使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来から用い
られているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充
分で消耗が激しく、特に塩素プラズマに接すると接触面
がエッチングされ、表面性状が変化したり、光透過性が
必要とされる部材では、表面が次第に白く曇って透光性
が低下する等の問題が生じていた。
られているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充
分で消耗が激しく、特に塩素プラズマに接すると接触面
がエッチングされ、表面性状が変化したり、光透過性が
必要とされる部材では、表面が次第に白く曇って透光性
が低下する等の問題が生じていた。
【０００６】また、ステンレスなどの金属を使用した部
材でも耐食性が不充分なため、腐食によって、特に半導
体製造においては不良品発生の原因となっていた。アル
ミナ、ＡｌＮの焼結体は、上記の材料に比較して塩素系
ガスに対して耐食性に優れるものの、プラズマと接する
と腐食が徐々に進行して焼結体の表面から結晶粒子の脱
粒が生じ、パーティクル発生の原因になるという問題が
起きている。
材でも耐食性が不充分なため、腐食によって、特に半導
体製造においては不良品発生の原因となっていた。アル
ミナ、ＡｌＮの焼結体は、上記の材料に比較して塩素系
ガスに対して耐食性に優れるものの、プラズマと接する
と腐食が徐々に進行して焼結体の表面から結晶粒子の脱
粒が生じ、パーティクル発生の原因になるという問題が
起きている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、塩素系腐
食ガス及びプラズマに対する耐食性を高めるための方法
について検討を重ねた結果、まず、塩素系腐食ガス又は
プラズマとの反応が進行すると高融点の塩化物が生成さ
れること、特に周期律表第３ａ族元素を含むシリケート
化合物を主体とする複合酸化物（Ａｌを含まず）は、安
価に入手できるとともに、その塩化物が表面に安定な塩
化物層を形成し部材の腐食性が抑制され、従来のアルミ
ナやガラス、ＡｌＮなどよりも優れた耐食性を実現でき
ることを知見したものである。
食ガス及びプラズマに対する耐食性を高めるための方法
について検討を重ねた結果、まず、塩素系腐食ガス又は
プラズマとの反応が進行すると高融点の塩化物が生成さ
れること、特に周期律表第３ａ族元素を含むシリケート
化合物を主体とする複合酸化物（Ａｌを含まず）は、安
価に入手できるとともに、その塩化物が表面に安定な塩
化物層を形成し部材の腐食性が抑制され、従来のアルミ
ナやガラス、ＡｌＮなどよりも優れた耐食性を実現でき
ることを知見したものである。
【０００８】即ち、本発明の耐食性部材は、上記の知見
に基づき完成されたものであり、塩素系腐食ガス或いは
そのプラズマに曝される部材であって、該部材の塩素系
腐食ガス或いはそのプラズマに曝される部位が、周期律
表３ａ族金属を含むシリケート化合物を主体とする複合
酸化物（Ａｌを含まず）によって構成することにより、
高密度の塩素系腐食雰囲気において長時間の耐性を有す
る比較的安価な部材を提供できるものである。
に基づき完成されたものであり、塩素系腐食ガス或いは
そのプラズマに曝される部材であって、該部材の塩素系
腐食ガス或いはそのプラズマに曝される部位が、周期律
表３ａ族金属を含むシリケート化合物を主体とする複合
酸化物（Ａｌを含まず）によって構成することにより、
高密度の塩素系腐食雰囲気において長時間の耐性を有す
る比較的安価な部材を提供できるものである。
【０００９】本発明によれば、塩素系ガス及びプラズマ
に曝される部材を周期律表第３ａ族元素を含むシリケー
ト化合物を主体とする複合酸化物（Ａｌを含まず）によ
り形成することにより、材料表面が塩素との反応によっ
て安定な塩化物層を生成し、幅広い温度範囲で過酷な塩
素系腐食雰囲気への耐性向上が達成される。さらに、部
位における複合酸化物形成金属以外の不純物金属量が総
量で０．１重量％以下にすることで、それを原因とした
パーティクル・脱粒発生を防止し、更なる耐食性の向上
と、半導体へのコンタミネーションの発生を抑制するこ
とができる。また、前記シリケート化合物がモノシリケ
ート及び／又はダイシリケートからなること、前記周期
律表３ａ族金属が全金属の３０原子％以上であること又
は前記複合酸化物の厚みが１０μｍ以上であることが、
耐食性をさらに向上することができる。
に曝される部材を周期律表第３ａ族元素を含むシリケー
ト化合物を主体とする複合酸化物（Ａｌを含まず）によ
り形成することにより、材料表面が塩素との反応によっ
て安定な塩化物層を生成し、幅広い温度範囲で過酷な塩
素系腐食雰囲気への耐性向上が達成される。さらに、部
位における複合酸化物形成金属以外の不純物金属量が総
量で０．１重量％以下にすることで、それを原因とした
パーティクル・脱粒発生を防止し、更なる耐食性の向上
と、半導体へのコンタミネーションの発生を抑制するこ
とができる。また、前記シリケート化合物がモノシリケ
ート及び／又はダイシリケートからなること、前記周期
律表３ａ族金属が全金属の３０原子％以上であること又
は前記複合酸化物の厚みが１０μｍ以上であることが、
耐食性をさらに向上することができる。
【００１０】しかも、周期律表第３ａ族元素を含むシリ
ケート化合物を主体とする複合酸化物（Ａｌを含まず）
は、周期律表第３ａ族元素酸化物に比較して、ＰＶＤ
法、ＣＶＤ法などの薄膜技術によって形成するのに止ま
らず、緻密な焼結体として作製することができるため
に、あらゆる形状品に適合することが可能となる。
ケート化合物を主体とする複合酸化物（Ａｌを含まず）
は、周期律表第３ａ族元素酸化物に比較して、ＰＶＤ
法、ＣＶＤ法などの薄膜技術によって形成するのに止ま
らず、緻密な焼結体として作製することができるため
に、あらゆる形状品に適合することが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の耐食性部材は、塩素系の
腐食ガスまたは塩素系プラズマに曝される部材であり、
塩素系ガスとしては、Ｃｌ2 、ＳｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 、
ＨＣｌ等が挙げられ、これらのガスが導入された雰囲気
にマイクロ波や高周波等を導入するとこれらのガスがプ
ラズマ化される。
腐食ガスまたは塩素系プラズマに曝される部材であり、
塩素系ガスとしては、Ｃｌ2 、ＳｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 、
ＨＣｌ等が挙げられ、これらのガスが導入された雰囲気
にマイクロ波や高周波等を導入するとこれらのガスがプ
ラズマ化される。
【００１２】本発明によれば、このような塩素系ガスあ
るいはそのプラズマに曝される部位を、少なくとも周期
律表第３ａ族元素を含むシリケート化合物を主体とする
複合酸化物（Ａｌを含まず）から構成するものである。
ここで、複合酸化物を構成する周期律表第３ａ族元素と
しては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどいずれで
も使用されるが、特にＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｄｙがコ
ストの点で望ましい。
るいはそのプラズマに曝される部位を、少なくとも周期
律表第３ａ族元素を含むシリケート化合物を主体とする
複合酸化物（Ａｌを含まず）から構成するものである。
ここで、複合酸化物を構成する周期律表第３ａ族元素と
しては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどいずれで
も使用されるが、特にＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｄｙがコ
ストの点で望ましい。
【００１３】この複合酸化物の耐食性は周期律表第３ａ
族元素量に大きく影響され、周期律表第３ａ族元素は、
複合酸化物中の全金属元素中、３０原子％以上、特に４
０原子％以上存在することが望ましい。これは、周期律
表第３ａ族元素量が３０原子％より少ないと、ハロゲン
化ガスやそのプラズマ中での初期の腐食が激しく次第に
表面に保護層が形成されるものの、長時間を要するため
に実用的ではない。
族元素量に大きく影響され、周期律表第３ａ族元素は、
複合酸化物中の全金属元素中、３０原子％以上、特に４
０原子％以上存在することが望ましい。これは、周期律
表第３ａ族元素量が３０原子％より少ないと、ハロゲン
化ガスやそのプラズマ中での初期の腐食が激しく次第に
表面に保護層が形成されるものの、長時間を要するため
に実用的ではない。
【００１４】また、曝される部位を形成する複合酸化物
としては、上記の少なくとも２種の金属元素を含む結晶
質であることが望ましく、モノシリケート（Ｙ 2 Ｏ 3 ・Ｓ
ｉＯ 2 ）、ダイシリケート（Ｙ 2 Ｏ 3 ・２ＳｉＯ 2 ）などの
シリケート化合物を主体とするものが優れた耐食性を有
する点で望ましい。これらの中でもダイシリケート型結
晶が焼結性と製造コストが安価である点で最も望まし
い。
としては、上記の少なくとも２種の金属元素を含む結晶
質であることが望ましく、モノシリケート（Ｙ 2 Ｏ 3 ・Ｓ
ｉＯ 2 ）、ダイシリケート（Ｙ 2 Ｏ 3 ・２ＳｉＯ 2 ）などの
シリケート化合物を主体とするものが優れた耐食性を有
する点で望ましい。これらの中でもダイシリケート型結
晶が焼結性と製造コストが安価である点で最も望まし
い。
【００１５】また、上記複合酸化物からなる部位は、複
合酸化物を形成する金属以外の不純物金属量が０．１重
量％以下であることが望ましい。これは、不純物金属量
が０．１重量％を越えるとプラズマ照射面においてこれ
らの不純物がプラズマと反応し、周囲と異なった生成物
を生じて蒸発したり、剥離する可能性が高くなる。結果
として、耐食性低下、表面性状の劣化、パーティクル発
生等の悪影響を材料に及ぼすためである。特に、この不
純物金属量が５００ｐｐｍ以下であれば、耐食性や表面
性状にも大きな変化を与えることはない。特に、重金属
（Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉなど）やアルカリ金属系元素（Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｋなど）はパーティクルを発生しやすく、コ
ンタミネーションの原因ともなるため、半導体製造用に
は、アルカリ金属系元素は１００ｐｐｍ以下、特に５０
ｐｐｍ以下であることが望ましい。
合酸化物を形成する金属以外の不純物金属量が０．１重
量％以下であることが望ましい。これは、不純物金属量
が０．１重量％を越えるとプラズマ照射面においてこれ
らの不純物がプラズマと反応し、周囲と異なった生成物
を生じて蒸発したり、剥離する可能性が高くなる。結果
として、耐食性低下、表面性状の劣化、パーティクル発
生等の悪影響を材料に及ぼすためである。特に、この不
純物金属量が５００ｐｐｍ以下であれば、耐食性や表面
性状にも大きな変化を与えることはない。特に、重金属
（Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉなど）やアルカリ金属系元素（Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｋなど）はパーティクルを発生しやすく、コ
ンタミネーションの原因ともなるため、半導体製造用に
は、アルカリ金属系元素は１００ｐｐｍ以下、特に５０
ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００１６】前記複合酸化物を主体する焼結体は、例え
ば、周期律表第３ａ族元素酸化物とＳｉＯ 2 粉末との混
合物を１１００〜１９００℃の酸化性雰囲気中又は真空
雰囲気中で焼成することにより作製することができる。
焼成方法としては、常圧焼成の他、ホットプレス法など
が採用される。
ば、周期律表第３ａ族元素酸化物とＳｉＯ 2 粉末との混
合物を１１００〜１９００℃の酸化性雰囲気中又は真空
雰囲気中で焼成することにより作製することができる。
焼成方法としては、常圧焼成の他、ホットプレス法など
が採用される。
【００１７】また、本発明の耐食性部材としては、かか
る焼結体にとどまらず、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法などの周知
の薄膜形成法によって、所定の基体表面に薄膜として形
成したものであってもよい。また、周知のゾルゲル法に
より液相を塗布し焼成した薄膜でもよい。これらの中で
は、粉末を成形し焼成した焼結体であることが、あらゆ
る部材への適用性に優れることから最も望ましいなお、
この複合酸化物は、塩素系腐食ガスまたはそのプラズマ
に曝される部位に形成されるものであるが、かかる金属
複合酸化物は、少なくともその厚みが１０μｍ以上であ
ることが、優れた耐食性を付与する上で望ましい。つま
り、その厚みが１０μｍより薄いと優れた耐食効果が期
待できないためである。
る焼結体にとどまらず、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法などの周知
の薄膜形成法によって、所定の基体表面に薄膜として形
成したものであってもよい。また、周知のゾルゲル法に
より液相を塗布し焼成した薄膜でもよい。これらの中で
は、粉末を成形し焼成した焼結体であることが、あらゆ
る部材への適用性に優れることから最も望ましいなお、
この複合酸化物は、塩素系腐食ガスまたはそのプラズマ
に曝される部位に形成されるものであるが、かかる金属
複合酸化物は、少なくともその厚みが１０μｍ以上であ
ることが、優れた耐食性を付与する上で望ましい。つま
り、その厚みが１０μｍより薄いと優れた耐食効果が期
待できないためである。
【００１８】
【実施例】各種酸化物粉末を用いて、表１に記載の各種
の材料を作製した。表１中、試料Ｎｏ．１〜４はＹ2Ｏ3
またはＹｂ2Ｏ3とＳｉＯ2を所定の割合で混合した成形
体を１３００〜１６００℃で焼成したものである。試料
Ｎｏ．５〜８は、試料Ｎｏ．３の材料について原料に純
化処理または不純物を添加して焼結体を作製した。な
お、焼結体はいずれも相対密度９５％以上まで緻密化し
た。
の材料を作製した。表１中、試料Ｎｏ．１〜４はＹ2Ｏ3
またはＹｂ2Ｏ3とＳｉＯ2を所定の割合で混合した成形
体を１３００〜１６００℃で焼成したものである。試料
Ｎｏ．５〜８は、試料Ｎｏ．３の材料について原料に純
化処理または不純物を添加して焼結体を作製した。な
お、焼結体はいずれも相対密度９５％以上まで緻密化し
た。
【００１９】そして、表１の種々の材料をＲＩＥプラズ
マエッチング装置内に設置し、ＢＣｌ3 ガス、ＡｒとＣ
ｌ2 との混合ガス（Ａｒ：Ｃｌ2 ＝２：３）のいずれか
を導入するとともに、１３．５６ＭＨｚの高周波を導入
してプラズマを発生させた。このプラズマ中で最高３時
間保持して、処理前後の材料の重量減少を測定し、その
値から１分あたりのエッチングされる厚み（エッチング
速度・Å／ｍｉｎ）を算出した。また、試験後の試料の
表面状態を観察しその結果を表１に示した。
マエッチング装置内に設置し、ＢＣｌ3 ガス、ＡｒとＣ
ｌ2 との混合ガス（Ａｒ：Ｃｌ2 ＝２：３）のいずれか
を導入するとともに、１３．５６ＭＨｚの高周波を導入
してプラズマを発生させた。このプラズマ中で最高３時
間保持して、処理前後の材料の重量減少を測定し、その
値から１分あたりのエッチングされる厚み（エッチング
速度・Å／ｍｉｎ）を算出した。また、試験後の試料の
表面状態を観察しその結果を表１に示した。
【００２０】なお、比較例として、従来のＢＮ焼結体、
石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 焼結体、ＡｌＮ焼結体について
も同様に試験を行った。
石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 焼結体、ＡｌＮ焼結体について
も同様に試験を行った。
【００２１】
【００２２】
【表１】
【００２３】
【００２４】表１に示すように、従来の各種材料は、い
ずれもエッチング速度が１８０Å／ｍｉｎを越えるもの
であり、しかも表面状態も荒れがひどかった。Ａｌ2Ｏ3
やＡｌＮの焼結体もエッチングによる窪みが多数観察さ
れた。
ずれもエッチング速度が１８０Å／ｍｉｎを越えるもの
であり、しかも表面状態も荒れがひどかった。Ａｌ2Ｏ3
やＡｌＮの焼結体もエッチングによる窪みが多数観察さ
れた。
【００２５】これらの比較例に対して試料Ｎｏ．１〜７
の本発明の試料は、いずれも塩素系プラズマに対して高
い耐食性を示し、いずれも表面状態も優れたものであっ
た。規定外の試料については、表面性状が変化し、窪み
や突起が観察された。また、本発明のいずれの試料にも
試験後において周期律表第３ａ族元素に富む塩化物層が
表面に形成されていることを確認した。また、試料Ｎ
ｏ．５〜８から不純物量が増加するとエッチング速度が
わずかに増加する結果となった。しかし、表面状態を観
察すると不純物量が１０００ｐｐｍを越える試料Ｎｏ．
８ではエッチング速度は小さいものの、表面に目視で観
察できる突起や窪みが観察された。また不純物量が規定
値以下で５００ｐｐｍを越える試料Ｎｏ．７にはわずか
だが曇りが認められた。不純物が５００ｐｐｍ以下であ
る他の試料については表面状態に変化は見られなかっ
た。
の本発明の試料は、いずれも塩素系プラズマに対して高
い耐食性を示し、いずれも表面状態も優れたものであっ
た。規定外の試料については、表面性状が変化し、窪み
や突起が観察された。また、本発明のいずれの試料にも
試験後において周期律表第３ａ族元素に富む塩化物層が
表面に形成されていることを確認した。また、試料Ｎ
ｏ．５〜８から不純物量が増加するとエッチング速度が
わずかに増加する結果となった。しかし、表面状態を観
察すると不純物量が１０００ｐｐｍを越える試料Ｎｏ．
８ではエッチング速度は小さいものの、表面に目視で観
察できる突起や窪みが観察された。また不純物量が規定
値以下で５００ｐｐｍを越える試料Ｎｏ．７にはわずか
だが曇りが認められた。不純物が５００ｐｐｍ以下であ
る他の試料については表面状態に変化は見られなかっ
た。
【００２６】試料表面の元素分析を行ったところ、不純
物量が規定値以上の試料表面に生じた突起部には不純物
元素が他より多く確認された。この突起が脱粒する事に
より、窪みが形成されると考えられる。
物量が規定値以上の試料表面に生じた突起部には不純物
元素が他より多く確認された。この突起が脱粒する事に
より、窪みが形成されると考えられる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、塩
素系腐食性ガス及びそのプラズマに曝される部材として
周期律表第３ａ族元素を含むシリケート化合物を主体と
する複合酸化物（Ａｌを含まず）により構成し、その総
不純物量を０．１重量％以下とすることで、少なくとも
材料表面が安定な塩化物層を生成し、過酷な塩素系腐食
雰囲気で高い耐食性が達成される。しかも焼結体を容易
に作製できることから、あらゆる形状品に適用すること
ができる。
素系腐食性ガス及びそのプラズマに曝される部材として
周期律表第３ａ族元素を含むシリケート化合物を主体と
する複合酸化物（Ａｌを含まず）により構成し、その総
不純物量を０．１重量％以下とすることで、少なくとも
材料表面が安定な塩化物層を生成し、過酷な塩素系腐食
雰囲気で高い耐食性が達成される。しかも焼結体を容易
に作製できることから、あらゆる形状品に適用すること
ができる。
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−45461（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−45467（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−293774（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−175854（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−298099（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−12417（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/00,35/16
C04B 35/44,35/50
B01J 19/02
Claims (4)
- 【請求項１】塩素系腐食ガス或いはそのプラズマに曝さ
れる部材であって、該部材の塩素系腐食ガス或いはその
プラズマに曝される部位が、周期律表３ａ族金属を含む
シリケート化合物を主体とする複合酸化物（Ａｌを含ま
ず）からなり、該複合酸化物を形成する金属以外の不純
物金属量が総量で０．１重量％以下であることを特徴と
する耐食性部材。 - 【請求項２】前記シリケート化合物がモノシリケート及
び／又はダイシリケートからなることを特徴とする請求
項１記載の耐食性部材。 - 【請求項３】前記周期律表３ａ族金属が全金属の３０原
子％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の
耐食性部材。 - 【請求項４】前記複合酸化物の厚みが１０μｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
耐食性部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32844997A JP3488373B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 耐食性部材 |
| US09/031,401 US6447937B1 (en) | 1997-02-26 | 1998-02-26 | Ceramic materials resistant to halogen plasma and components using the same |
| US10/198,675 US6916559B2 (en) | 1997-02-26 | 2002-07-17 | Ceramic material resistant to halogen plasma and member utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32844997A JP3488373B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 耐食性部材 |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002300447A Division JP2003137647A (ja) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | プラズマプロセス装置用部材 |
| JP2002300450A Division JP2003119073A (ja) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | ランプ用放電壁部材 |
| JP2002300448A Division JP2003137648A (ja) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | プラズマプロセス装置用部材 |
| JP2002300449A Division JP2003176170A (ja) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | ランプ用放電壁部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11157916A JPH11157916A (ja) | 1999-06-15 |
| JP3488373B2 true JP3488373B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=18210404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32844997A Expired - Fee Related JP3488373B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-11-28 | 耐食性部材 |
Country Status (1)
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