JP3659435B2 - 耐食性部材、プラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器。 - Google Patents
耐食性部材、プラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3659435B2 JP3659435B2 JP13655396A JP13655396A JP3659435B2 JP 3659435 B2 JP3659435 B2 JP 3659435B2 JP 13655396 A JP13655396 A JP 13655396A JP 13655396 A JP13655396 A JP 13655396A JP 3659435 B2 JP3659435 B2 JP 3659435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- corrosion
- periodic table
- resistant member
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマに対する耐食性部材に関するものであり、プラズマ処理装置、半導体・液晶などの製造装置用部材、ハロゲンガスまたはプラズマを封止した容器壁等に使用される耐食性部材とこれを用いたプラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器用に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造のドライプロセスやプラズマコーティング、放電管、プラズマディスプレイなど、プラズマの利用は近年急速に進んでいる。例えば、半導体製造プロセスでは、プラズマプロセスにおいて、特にデポジション、エッチング用やクリーニング用として、塩素系やフッ素系等のハロゲン系腐食ガスがその反応性の高さから多用されている。
【0003】
また、装置内の内壁等の上記ガスやプラズマに接触する部分では、ガスやプラズマによる腐食を防止するために、従来からガラスや石英などのSiO2 を主成分とする材料やステンレス、モネル等の耐食性金属が利用されている。
【0004】
さらに、半導体製造装置において、Siウエハ等を保持するサセプタ材も腐食性ガスやプラズマと接触するために、従来より耐食性に優れたアルミナ焼結体やサファイア、AlNの焼結体又はこれらを基体表面にCVDコーティングしたものが使用されている。また、装置内のヒータとしても、グラファイトや、窒化硼素をコーティングしたヒータ等が用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来より用いられているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充分で消耗が激しく、例えばフッ素に接すると接触面がエッチングされ、表面性状が変化したり、光透過性が必要とされる部材では表面が次第に白く曇って透光性が低下する等の問題が生じていた。
【0006】
また、ステンレスなどの金属を使用した部材でも耐食性が不充分なため、腐食速度が速くまた不純物として製造物中に混入する不良品発生の原因となる。また、ハロゲン系ガスに対して耐食性に優れるとして利用の進んでいるアルミナ、AlN焼結体も高温でプラズマと接すると腐食が進行して焼結体の表面からの結晶粒子の脱粒が生じ、やはりコンタミネーションの原因となる。
【0007】
そこで、本発明者らは、ハロゲン系腐食ガスまたはそのプラズマに対して優れた耐食性を有する材料の検討を行った結果、まず、ハロゲン系腐食ガスまたはそのプラズマとの反応が進行すると表面にハロゲン化物が生成されること、およびそのハロゲン化物の安定性が耐食性に大きく影響を及ぼしていること、またハロゲン化物としては、周期律表第2a族元素を含むハロゲン化物は融点が高く、高温において安定であることから耐食性部材として周期律表第2a族元素含有物が好適であることを先に提案した。
【0008】
ところが、周期律表第2a族元素含有化合物が単一金属化合物である場合には、その化合物を耐食性部材として適用するには、単味の緻密体を作製することが難しく、粉末体や薄膜体としてしか適用できず、場合によっては多孔質化してしまうために、耐食性にムラが生じるなどの問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らはさらに検討を重ねた結果、また、周期律表第2a族元素と、周期律表第3b族元素、Si、Pb、Fe、CrおよびTiの群から選ばれる少なくとも1種とを含む複合酸化物の粉末を、単体または他の金属酸化物と組み合わせて所望の形状に成形して焼成することにより、任意の形状の高密度の焼結体が得られることから、耐食性部材としてあらゆる形状に適用できるとともに、緻密体を作製できることからその耐久性を高めることができることを知見した。
【0010】
即ち、本発明の耐食性部材は、上記の知見に基づき完成されたものであり、ハロゲン系腐食ガスまたはそのプラズマに曝される部位が、少なくとも周期律表第2a族元素と、Si、Pb、Fe、Cr、Tiおよび周期律表第3b族元素の群から選ばれる1種以上とを含む複合酸化物相(但し、MgAl2O4を除く)を3体積%以上含む金属酸化物からなることを特徴とするものである。
【0011】
さらに、本発明によれば、上記複合酸化物相が、AB2 O4 (式中、Aは周期律表第2a族元素、Bは周期律表第3b族元素)型結晶またはコージェライト結晶を主体とするものであり、前記周期律表第2a族元素がCa、Sr、BaおよびMgの群から選ばれる少なくとも1種、前記周期律表第3b族元素がAl、BおよびGaの群から選ばれる少なくとも1種であることが望ましく、さらには、前記部材は、相対密度98%以上の焼結体からなることが望ましい。
【0012】
ハロゲン雰囲気に曝される部位では、表面はハロゲン化物になって蒸発し、消耗が進んでいく。本発明によれば、ハロゲン系ガスまたはそのプラズマに曝される部材を少なくとも周期律表第2a族元素と周期律表第3b族元素とを含む複合酸化物相を3体積%以上含有する金属酸化物により構成する。
【0013】
周期律表第2a族元素酸化物は、それ単味で緻密な焼結体を作製することができないが、周期律表第2a族元素と、周期律表第3b族元素酸化物や、Si、Pb、Fe、CrおよびTiの群から選ばれる少なくとも1種との複合酸化物とすることにより焼成により相対密度98%以上の焼結体を作製することができ、また、この複合酸化物相を3体積%以上含有する金属酸化物においては、高温のハロゲン系腐食雰囲気においても長時間の耐久性を有する材料を得ることができる。
【0014】
なお、周期律表第3b族元素、Si、Pb、Fe、CrおよびTi等の元素のハロゲン化物は、周期律表第2a族元素のハロゲン化物より安定性に欠けるが、周期律表第2a族元素が共存すると、初期において前記第3a族、Si、Pb、Fe、CrおよびTiの元素がエッチングされても、複合酸化物相中の周期律表第2a族元素がフッ素との反応によって安定なハロゲン化物層を生成し、幅広い温度範囲で過酷なハロゲン系腐食雰囲気での耐久性の向上が達成される。
【0015】
また、同時に一般の酸化物はハロゲン化物として化学的又は物理的に除去されるが、周期律表第2a族元素のハロゲン化物は再析出して表面に保護層を形成し、材料の耐食性が大幅に向上する。周期律表第3a族元素などの他の元素がそれ単体で耐食性が悪くとも周期律表第2a族元素と複合酸化物にすることによって耐食性が向上し、寿命を延ばすことができる。
【0016】
特に、該耐食性部材の複合酸化物相は、AB2 O4 型結晶やコージェライト結晶を主体とするものであることが望ましく、耐食性部材のハロゲン系腐食ガスまたはそのプラズマに曝される部位にこれらの結晶相が3体積%以上含有すれば、アルミナや窒化アルミニウム単体に比べて耐食性を向上させることができ、特に上記AB2 O4 型結晶やコージェライト結晶の複合酸化物相を20体積%以上含有すると、アルミナや窒化アルミニウム単体に比較して3倍以上の耐食性を得ることができる。
【0017】
また、種々の形状に適応できる焼結体として作製することができるために、周期律表第2a族元素含有化合物のハロゲン化ガスに対する優れた耐食性を半導体製造装置等のあらゆる耐食性部材に対して容易に利用することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明の耐食性部材は、ハロゲン化ガスやハロゲンを含むプラズマに曝される部材であり、ハロゲン化ガスとしては、SF6 、CF4 、CHF3 、ClF3 、HF等のフッ素系ガス、Cl2 、HCl、CCl4 等の塩素系ガス、Br2 、HBr、CBr4 等の臭素系ガス、ヨウ素系ガス等のガスであり、これらのガスが導入された雰囲気にマイクロ波や高周波等を導入するとこれらのガスがプラズマ化される。
【0019】
本発明によれば、このようなハロゲン化ガスあるいはそのプラズマに曝される部位を、少なくとも周期律表第2a族元素と、周期律表第3b族元素、Si、Pb、Fe、CrおよびTiの群から選ばれる少なくとも1種とを含む複合酸化物相(但し、MgAl2O4を除く)を3体積%以上含有する金属酸化物から構成するものである。ここで、複合酸化物相を構成する周期律表第2a族元素としては、Ba、Sr、CaおよびMgの群から選ばれる少なくとも1種、周期律表第3b族元素としては、Al、B、Gaの群から選ばれる少なくとも1種である。
【0020】
この複合酸化物相においては、耐食性は周期律表第2a族元素量に大きく影響され、周期律表第2a族元素は、複合酸化物相中の全金属元素中、10原子%以上、特に20原子%以上存在することが望ましい。これは、周期律表第2a族元素量が10原子%より少ないと、ハロゲン化ガスやそのプラズマ中での初期の腐食が激しく次第に表面に保護層が形成されるものの、長時間を要するために実用的ではない。
【0021】
また、複合酸化物相としては、上記の少なくとも2種の金属元素を含むガラス質であってもよいが、望ましくは、結晶質を主体とすることがよく、特にAB2O4(Aは周期律表第2a族元素、Bは周期律表第3b族元素)やコージェライト結晶を主体とするものが優れた耐食性を有する点で望ましい。具体的なAB 2 O 4 型結晶としては、MgAl2O4、CaAl2O4、BaAl2O4、SrAl2O4、CaB2O4、SrB2O4、MgGa2O4、CaGa2O4等が挙げられる。これらの中でも、MgAl2O4、CaAl2O4が焼結性と製造コストが安価である点で最も望ましい。
【0022】
上記複合酸化物相は、部材中に3体積%以上含有すれば耐食性の効果を有し、特に20体積%以上、さらには50体積%以上含有されるのが望ましい。複合酸化物相以外の相としては、例えば、Al2 O3 、SiO2 、MgOなどの金属酸化物相からなり、この酸化物相は、結晶相であってもガラス相であってもよい。
【0023】
これらの複合酸化物相以外の酸化物を加えることによりその焼結性を高めることができ、緻密な焼結体を容易に作製することができる。
【0024】
特に、耐食性部材自体、相対密度が98%以上、特に99%以上の緻密質からな
ることが望ましい。これは、ボイドが多く存在するほど耐食性が低下するためであ
る。このような緻密質は、例えば、粉末を成形し焼成した焼結体や、周知のゾルゲル法により液相を塗布し焼成した薄膜や、周知のCVD法やPVD法等の気相法により形成された薄膜であってもよい。これらの中では、粉末を成形し焼成した焼結体であることが、あらゆる部材への適用性に優れることから最も望ましい。
【0025】
具体的に、焼結体を作製するには、前述した周期律表第2a族元素酸化物粉末と、周期律表第3b族元素、Si、Pb、Fe、CrおよびTiの群から選ばれる少なくとも1種の酸化物粉末とを所望の比率、例えば、上記AB2 O4 型結晶やコージェライト結晶を形成し得る比率で混合した後、これを所望により仮焼処理してAB2 O4 粉末やコージェライト粉末を合成した後、これを所望の成形手段、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、押出し成形、シート状成形等により任意の形状に成形後、緻密化に十分な焼成温度で焼成して相対密度98%以上の焼結体を得ることができる。焼成温度としてはAB2 O4 型結晶を主体とする焼結体を作製する場合には、1300〜1800℃、コージェライト結晶を主体とする焼結体を作製する場合には、1300〜1600℃であるのがよい。
【0026】
また、他の方法としては、上記のようにして合成したAB2 O4 粉末やコージェライト粉末などの複合酸化物粉末に、SiO2 粉末、Al2 O3 粉末等を添加して混合しこれを上記と同様な方法で成形し、1300〜1800℃で焼成すればよい。例えば、SiO2 が主成分とする時は、1300〜1600℃、Al2 O3 を主成分とする時は1500〜1600℃で焼成するのが望ましい。
【0027】
また、焼結性をさらに促進させるために、NaF、LiF、希土酸化物等を焼結助剤として添加することもできる。
【0028】
なお、これら複合酸化物相を含有する金属酸化物は、ハロゲン系腐食ガスまたはそのプラズマに曝される部位に形成されるものであるが、かかる金属酸化物は、少なくともその厚みが10μm以上であることが、優れた耐食性を付与する上で望ましい。つまり、その厚みが10μmより薄いと優れた耐食効果が期待できないためである。
【0029】
また、複合酸化物相を含有する金属酸化物は、上記の手法によって得られた焼結体自体を部品の構造部材として用いることができる他、部材を構成する所定の構造部材の表面に焼結体を接合したり、所定の構造部材の表面にゾルゲル法、気相法等により薄膜として
形成することも可能である。
【0030】
【実施例】
各種酸化物粉末を用いて、表1〜表3に記載の各種の材料を作製した。各材料について形態が焼結体からなるものは、その焼成温度を記載した。また、表1の各材料について、材料が複合系からなるものは、各種の複合酸化物を1000〜1350℃の大気中で合成したものに、Al2 O3 やSiO2 、MgOと混合したものを成形し、大気中で表1の焼成温度で焼成したものである。
【0031】
表1の種々の材料をRIEプラズマエッチング装置内に設置し、CF4 とO2 との混合ガス(CF4 :O2 =9:1)、SF6 、ArとSF6 との混合ガス(Ar:SF6 =2:3)、Brのいずれかを導入するとともに、マイクロ波を導入してプラズマを発生させた。このプラズマ中で最高3時間保持して、処理前後の材料の重量減少を測定し、その値から、1分あたりのエッチングされる厚み(エッチングレート)を算出した。
【0032】
No.1は石英(ガラス)、No.2〜16はいずれも焼結体であって、No.2は、Al2O3にMgOを0.1重量%添加した後、成形して1700℃で焼成したもの、No.3は、AlN粉末を成形して1900℃の窒素中で焼成したもの、No.4〜16は、材料を構成する金属元素の酸化物粉末を出発原料として、各化合物割合の混合粉末を1000〜1350℃の酸化性雰囲気中で仮焼して複合酸化物粉末を作製した後、これらの複合酸化物を用いて、プレス成形した後、1800〜1850℃で焼成したもの、No.26は、表1の組成からなるガラス粉末を成形して1000℃で焼成したものである。
【0033】
また、No.17〜23は、スパッタ法で合成したもので、表1の化合物粉末を上記と同様にして作製した後、この粉末をターゲットとしてカーボンからなる基板の表面に20μmの厚みで形成した。
【0034】
さらに、No.24〜25は、ゾルゲル法により合成したもので、材料を構成する金属のアルコキシド粉末をバインダー、助剤を添加混合した後、加水分解してHClを添加してゲル液を調製し、それをアルミナからなる基体の表面に塗布して1600℃で焼成したものである。
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】
【表3】
【0038】
表1、2、3の結果によれば、SiO2、Al2O3、AlN単体は、エッチングレートが100Å/min以上と大きい。また、周期律表第2a族元素を含む複合酸化物を含有するもののその比率が3体積%より少ない試料No.28でもエッチングレ―トは100Å/minを越えるものであった。
【0039】
これに対して、本発明品は、いずれもエッチングレートは100Å/min以下と消耗が小さく耐食性が向上していることが判る。また、焼結体がガラス質からなるNo.26でも良好な耐食性を示したが、スピネル型結晶やコージェライト結晶が析出したものに比較すると劣るものであった。
【0040】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の耐食性部材は、ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマに曝される部材として高い耐食性を有しており、具体的にはプラズマ処理装置や液晶製造装置用部材、ウエハ固定用のクランプリングやエッチング装置の上部電極周りのシールドリングなどの半導体製造装置用部材、一般放電管やハロゲン化金属を封入し放電発光させるメタルハライドランプの発光管用部材などの放電容器用部材などに使用することによって長寿命化を図ることができる。
Claims (9)
- ハロゲン系腐食ガスまたはそのプラズマに曝される部位が、少なくとも周期律表第2a族元素と、Si、Pb、Fe、Cr、Tiおよび周期律表第3b族元素の群から選ばれる1種以上とを含む複合酸化物相(但し、MgAl2O4を除く)を3体積%以上含む金属酸化物からなることを特徴とする耐食性部材。
- 前記複合酸化物が、AB2O4(式中、Aは周期律表第2a族元素、Bは周期律表第3b族元素)型結晶またはコージェライト型結晶を主体とするものである請求項1記載の耐食性部材。
- 前記周期律表第2a族元素がCa、Sr、BaおよびMgの群から選ばれる少なくとも1種、前記周期律表第3b族元素がAl、BおよびGaの群から選ばれる少なくとも1種である請求項1または請求項2記載の耐食性部材。
- 相対密度98%以上の緻密体からなる請求項1乃至3のいずれかに記載の耐食性部材。
- 前記複合酸化物相以外にSiO2、Al2O3、MgOから選ばれる少なくとも1種の酸化物を含む請求項1乃至4のいずれかに記載の耐食性部材。
- 装置内に請求項1〜5の耐食性部材を設けてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 装置内に請求項1〜5の耐食性部材を設けてなることを特徴とする半導体製造装置。
- 装置内に請求項1〜5の耐食性部材を設けてなることを特徴とする液晶製造装置。
- 容器内に請求項1〜5の耐食性部材を設けてなることを特徴とする放電容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13655396A JP3659435B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-05-30 | 耐食性部材、プラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器。 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4252696 | 1996-02-29 | ||
JP8-42526 | 1996-02-29 | ||
JP13655396A JP3659435B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-05-30 | 耐食性部材、プラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09295863A JPH09295863A (ja) | 1997-11-18 |
JP3659435B2 true JP3659435B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=26382237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13655396A Expired - Fee Related JP3659435B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-05-30 | 耐食性部材、プラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3659435B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4488551B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置及び封止部材 |
JP5164304B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2013-03-21 | 京セラ株式会社 | セラミックスの製造方法 |
US6780787B2 (en) | 2002-03-21 | 2004-08-24 | Lam Research Corporation | Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components |
US7329467B2 (en) | 2003-08-22 | 2008-02-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceramic article having corrosion-resistant layer, semiconductor processing apparatus incorporating same, and method for forming same |
KR100953707B1 (ko) | 2004-08-24 | 2010-04-19 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 부품 및 이를 사용하는 반도체 제조방법 |
JP5721658B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-05-20 | 京セラ株式会社 | アルミン酸マグネシウム質焼結体 |
JP5806158B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-11-10 | 京セラ株式会社 | アルミン酸マグネシウム質焼結体 |
CN116848074A (zh) | 2021-03-05 | 2023-10-03 | Agc株式会社 | 堇青石质烧结体及其制造方法 |
JPWO2023042717A1 (ja) | 2021-09-14 | 2023-03-23 |
-
1996
- 1996-05-30 JP JP13655396A patent/JP3659435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09295863A (ja) | 1997-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3619330B2 (ja) | プラズマプロセス装置用部材 | |
JP3261044B2 (ja) | プラズマプロセス装置用部材 | |
JP2001181042A (ja) | 耐食性セラミック部材およびその製造方法 | |
TWI322140B (en) | Ceramic member and method for producing the same | |
JP3559426B2 (ja) | 耐食性部材 | |
JP3659435B2 (ja) | 耐食性部材、プラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器。 | |
JP3488373B2 (ja) | 耐食性部材 | |
JP4651166B2 (ja) | 耐食性部材 | |
JPH11214365A (ja) | 半導体素子製造装置用部材 | |
JP2000103689A (ja) | アルミナ質焼結体およびその製造方法、並びに耐プラズマ部材 | |
JP3623054B2 (ja) | プラズマプロセス装置用部材 | |
JP2000086344A (ja) | 高密度フッ化物焼結体およびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用部材 | |
JP3706488B2 (ja) | 耐食性セラミック部材 | |
JP3716386B2 (ja) | 耐プラズマ性アルミナセラミックスおよびその製造方法 | |
JP2000313656A (ja) | 耐蝕性セラミックス材料および耐蝕性部材 | |
JP2001199762A (ja) | 耐蝕性セラミックス材料 | |
JP2001151559A (ja) | 耐食性部材 | |
JP2004281639A (ja) | セラミックス部材 | |
JP2002220282A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体とその製造方法 | |
JP2000239066A (ja) | 耐食性部材およびその製造方法、並びにそれを用いたプラズマ処理装置用部材 | |
JP4601136B2 (ja) | 耐食性部材 | |
EP1580294A1 (en) | Corrosion-resistant member and process of producing the same | |
JP2002222803A (ja) | 半導体製造用耐食性部材 | |
JP2005022971A (ja) | プラズマプロセス装置用部材 | |
JP2005097722A (ja) | 耐蝕性部材及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050310 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090325 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090325 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100325 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110325 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110325 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120325 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120325 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130325 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130325 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140325 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |