JP5164304B2 - セラミックスの製造方法 - Google Patents
セラミックスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5164304B2 JP5164304B2 JP2001251975A JP2001251975A JP5164304B2 JP 5164304 B2 JP5164304 B2 JP 5164304B2 JP 2001251975 A JP2001251975 A JP 2001251975A JP 2001251975 A JP2001251975 A JP 2001251975A JP 5164304 B2 JP5164304 B2 JP 5164304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- cordierite
- thermal expansion
- ceramics
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、精密計測機用のステージやガイド、及び定盤等の部材に適した高剛性低熱膨張セラミックスの製造方法に関する。
【0002】
【従来技術】
精密計測機用のステージやガイド、及び定盤等の部材として、軽量で、熱的な寸法変化が少なく、変形しにくいという理由で、アルミナ系セラミックスや窒化珪素系セラミックスが広く用いられている。
【0003】
近年、電子部品関連製品の高精度化により、計測機にも高い精度が要求されるようになり、例えば、精密計測機のステージ用部材においてはサブミクロンの位置決め精度が要求され、位置合わせ誤差の低減が製品の品質向上の実現の大きな要素技術として捉えられている。
【0004】
精密計測機用部材として、一般に用いられてきたアルミナ系セラミックス、窒化珪素系セラミックスなどのセラミックスは、アルミナ系セラミックスの比重が3.8、窒化珪素系セラミックスの比重が3.2と金属と比べて軽量であるが、装置の大型化に伴う重量の増加を抑えるため、更に軽量な素材が必要とされるようになってきている。
【0005】
また、測定温度範囲が0〜20℃における熱膨張係数は、アルミナ系セラミックスは約5.0×10-6/℃、窒化珪素系セラミックスは約2.0×10-6/℃であり、精密計測機用に用いるには熱の影響を受けやすく、より低熱膨張の材料が必要とされてきている。
【0006】
そこで比重が2.6〜2.7室温付近の熱膨張係数が0〜1×10-6/℃と優れた特徴を有するコージェライトを軽量かつ低熱膨張材料として用いることが特開平2−229760号公報で提案されている。しかし特開平2−229760号公報に記載のコージェライト系セラミックスは、比重が低いもののヤング率が80〜90GPaと低いという問題があった。
【0007】
そこで、軽量及び低熱膨張という特性を大幅に劣化させることなくヤング率を130GPa以上に改善するために、コージェライト系セラミックスと窒化珪素との複合材料を用いることが特開平11−255557号公報に提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平11−255557号公報に記載のコージェライト系複合セラミックスは、比重が2.6〜2.7と低いものの、MgO、Al2O3をコージェライト結晶中に固溶させる必要があり、構造体として安定したヤング率を得ることは難しいという問題があった。
【0009】
本発明は、軽量で低熱膨張を有するとともに、固溶体を形成させる特殊な熱処理が必要なく、安定して剛性の高いセラミックスを容易に提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、コージェライトの少なくとも一部をMg、Si、Alを含む窒化物結晶にすることにより、軽量かつ低熱膨張であるとともに、剛性を改善できるという知見に基づく。
【0013】
即ち、本発明のセラミックスの製造方法は、平均粒径が1〜6μmのコージェライト粉末を50〜80質量%と、前記コージェライト粉末以外のMg、Al及びSiを含む粉末として、少なくともAlを含む窒化物粉末と、前記Mg、Al及びSiのうち前記窒化物粉末を形成していない他の元素の酸化物、水酸化物、炭酸塩のうち少なくとも1種からなる粉末とを含み、前記コージェライト粉末の元素を除いた前記Mg、Al及びSiが酸化物換算でMgO:Al2O3:SiO2の比にして1:1/3〜3:4/3〜6となるよう配合した成形体を、非酸化性雰囲気において1230℃〜1340℃で焼成することを特徴とするもので、この方法によりコージェライトに特定の元素を固溶させるような特別な処理をする必要が無く、容易に特定の結晶相を析出することができ、軽量及び低熱膨張という特性を有するとともに、ヤング率の高いセラミックスを得ることが出来る。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明によって得られるセラミックスは、構成元素として原子量が小さく、低密度のセラミックスを得ることが出来るMg、Al及びSi元素を主体として含み、窒素を含有する結晶相が焼結体中に存在することが重要である。この結晶相は、Cu管球を用いたX線回折により、2θが24.6〜24.8°の位置に回折ピーク1が、24.7〜24.9°の位置に回折ピーク2を観測することができる。
【0016】
これらの結晶相は、JCPDSカード上では報告されていない未知の結晶相であるが、この結晶が含まれることで、軽量で、低い熱膨張率と高いヤング率を有することに寄与していると考えられる。
【0017】
図1〜3に上記の2つの回折ピークの例を示した。図1は、回折ピーク1及び回折ピーク2がメイン、即ち最大のピーク強度を示している。また、図2は、回折ピーク1の強度が中程度であるが、回折ピーク2の強度は小さく、他に最大ピークが観察される場合である。
【0018】
また、図3は、回折ピーク1及び回折ピーク2の強度が小さい場合である。ここでは、2θが20〜40°にブロードな第3の回折ピーク(回折ピーク3)が観察される。この回折ピーク3も軽量、低熱膨張、高ヤング率等に関与しているものと考えられる。なお、図1及び2では回折ピーク3が認め難いものの、微小ピークを観察するように主ピークを縦軸の範囲から振り切らせて測定することで、回折ピーク3を観察することができる。
【0019】
上記の2箇所の角度に回折ピークが観察されれば、本発明の効果が発現するため、他の結晶の回折ピークが存在していても良い。このような結晶としては、コージェライト(Mg2Al4Si5O18)、サフィリン((Mg4Al4)(Al4Si5)O20、(Al5Mg4)(Al4Si2)O20)、Al2Re4O9、(Reはレアアースを表す)等の化合物相や、未反応の窒化珪素、窒化アルミ、アルミナ等の添加物相を例示できる。
【0020】
また、アルカリ土類金属及び/又は希土類金属が全量中に酸化物換算でそれぞれ0.1〜10重量%、特に3〜9重量%、更に5〜8重量%の割合で含まれていることが好ましい。これらの元素は、焼結性を促進するためにアルカリ土類金属化合物(CaO、CaCO3)、希土類金属化合物(Yb2O3、Y2O3、Er2O3、Sm2O3等)の焼結助剤として添加されるものであるが、これらの元素の存在によって緻密化が促進され、ヤング率をより大きくすることができる。これらの中でも耐水性、化学的安定性の点でYb、Y及びSmが好ましい。
【0021】
また、0℃〜25℃の熱膨張係数が3×10― 6/℃以下であることが重要である。熱膨張係数をこのように小さくすると、常温付近で使用される設備、機械の変形を小さく抑制することができるため、正確な部品を製造したり、精密な測定が可能となる。3×10-6/℃を越えると、環境の変化による部材の変形が大きくなる。部材の環境の変化による変形を防止するため、2×10― 6/℃以下さらには、1.5×10― 6/℃以下が好ましい。
【0022】
さらに、比重が3.1以下であることが重要である。ステージ装置のように動く構造物を、アルミナや窒化珪素を用いるよりも軽くすることができ、また、速く移動させることができ、駆動源への負担も少なくでき、制御性が高い構造物を得ることが出来る。制御性の高い構造物を得るため、特に3以下、さらには2.8以下が好ましい。
【0023】
また、吸水率を0.1%とすることが重要である。吸水率が0.1%を超えると開気孔が多くなり、水分やガスの吸着が増加し、クリーン環境を維持することができなくなり、湿度を調整する必要のある場所や、ガスの発生を嫌う場所等において用いることができない。特に、真空では、開気孔に水が多量に吸着されていると高真空に達するまでの時間が長くなり、また、エッチングや成膜等のプロセスの最中に不純物ガスとして混入し、不良の原因となる。
【0024】
また、吸水率が0.1%を超えて大きくなると、開気孔と同時に閉気孔も増え、強度が低下するため、ステージ装置のように動く構造物として使用すると破壊しやすくなるという欠点が強調されてくる。従って、水分や吸着ガスの影響をより小さくし、高い強度を維持するため、吸水率は特に0.08%以下、さらには0.06%以下であることが好ましい。
【0025】
また、本発明によって得られるセラミックスは、150GPa以上のヤング率を示すことが重要である。ヤング率が150GPaよりも小さいと、コージェライト等の従来の低熱膨張セラミックスと同様に、高速移動による振動や変形を効果的に防止することが出来ず、より高性能の耐変形性を有するため、165GPa以上、さらには180GPa以上が好ましい。
【0026】
このように、本発明によって得られるセラミックスは、軽量且つ低熱膨張という特徴を有し、工作機械、精密機械、評価装置、半導体製造装置等の各産業分野における軽量セラミック部材等に好適に用いることができる。
【0027】
次に、本発明の緻密質セラミックの製造方法について説明する。
【0028】
まず、平均粒径が1〜6μmに調整されたコージェライト粉末を準備する。コージェライトの添加量は、X線回折により、2θが24.6〜24.8°、24.7〜24.9°に主たる2つの回折ピークをもつ結晶相を析出させるとともに緻密化を安定して充分に行うために、下記の窒化物を含有せしめるため、80重量%以下、特に70重量%以下、更には60重量%以下であることが望ましい。
【0029】
また、平均粒径2μm以下の、少なくともAlを含む窒化物粉末と、Mg、Al及びSiのうち窒化物でない元素の酸化物、水酸化物、酸窒化物、炭酸塩のうち少なくとも1種からなる粉末を準備することが重要である。窒化物を加えることによって、比較的低温において緻密化させることができる。
【0030】
例えば、Mg、Al及びSiがコージェライト以外の化合物で、かつAlの窒化物を含むものとして、MgO粉末、AlN粉末及びSi3N4粉末の組合せで用いることができる。この他の窒化物としてはMgN、SiAlONを、水酸化物としてはMgOH、炭酸塩としてはMgCO3を例示出来る。
【0031】
緻密質体の製造に用いる原料のうち、コージェライト粉末を除いた原料、即ちMg、Al及びSiを含む粉末は、Mg、Al及びSiが酸化物換算で略コージェライト組成になることが重要である。例えばMgO:Al2O3:SiO2の比が1〜3:1〜3:4〜6の比が良好な緻密化を得る点で好ましい。
【0032】
また、焼結性を促進するためにアルカリ土類金属化合物(CaO、CaCO3)粉末、希土類金属化合物(Yb2O3、Y2O3、Er2O3、Sm2O3等)粉末を焼結助剤としてそれぞれ0.1〜10重量%の範囲で添加することが好ましい。これらの中でも耐水性、化学的安定性の点で希土類酸化物Yb2O3、Y2O3及びSm2O3が好ましい。
【0033】
次いで、上記の粉末を混合する。混合には、ボールミル、ミキサー、ビーズミル等の公知の混合粉砕方法を用いることができる。得られた混合粉末を所望の形状に成形する。成形方法は、金型プレス、鋳込み、CIP等の公知の成形方法を用いることができる。
【0034】
得られた成形体を1230〜1340℃焼成することが重要である。1230℃未満であれば緻密化が不十分であり、1340℃を超えると発泡または溶融する。緻密化を促進するためには非晶質相が形成される必要があり、非晶質相の形成を促進するため、特に1250〜1330℃、更には1290〜1320℃であることが好ましい。
【0035】
また、焼成雰囲気は、良好な緻密化組織を形成するために不活性雰囲気又は還元性雰囲気等の非酸化性雰囲気で行うことが好ましい。特に、窒素、水素、アンモニア分解ガス、Ar等の不活性ガス及びこれらの混合ガス中で焼成することが好ましい。これらの中でも、窒素、窒素と水素の混合ガスが特性向上、安全性及び低コスト化の点で好ましい。窒素と水素の混合ガスを用いる場合、水素ガスの量は安全性のため5〜20%が望ましい。
【0036】
焼成が酸素を含む雰囲気中で焼成すると、X線回折により2θが24.6〜24.8°の回折ピーク1、24.7〜24.9°の回折ピーク2がいずれも観察されず、コージェライト化する傾向がある。なお、酸素を含む雰囲気であっても、カーボン粉末等の中に成形体を埋めるようにして焼成し、成形体周囲の酸素を酸化炭素にすることによって擬似的に成形体を還元性雰囲気にしても良い。
【0037】
また、不活性雰囲気又は還元性雰囲気等の非酸化性雰囲気で焼成することにより、窒化物の急激な分解を抑制し、形成された非晶質相が窒素を含有し、剛性の高い緻密質体を得ることができるという効果も有する。
【0038】
以上の製造方法により、本発明のセラミックスを製造することができる。
【0039】
【実施例】
合成後2μm、純度99.8%のコージェライト粉末と、平均粒径が2μm以下のMg(OH)2粉末、MgCO3粉末、MgO粉末、Al2O3粉末、AlN粉末、SiO2粉末、SiC粉末、Si3N4粉末と、焼結助剤として平均粒径が2μm以下のYb2O3粉末、Y2O3粉末、Sm2O3粉末とを表1に示す比率に調整し、溶剤としてIPA、混合メディアとして、耐摩耗アルミナボールを添加したミルで24時間混合した。得られた混合粉末の平均粒径は2μmであった。その後、パラフィンワックスを添加し、造粒粉体とし、98MPaで金型成形した。
【0040】
得られた成形体を250℃の窒素気流中で2時間熱処理し、しかる後にMo金属板にのせ、大気圧下において表2に示す条件で焼成した。
【0041】
また、試料No.27は、H2及びCH3SiCl3とを用いて1400℃で熱CVD法により炭化珪素を作製した。
【0042】
次いで、得られた試料の評価を行った。まず、アルキメデス法を用いて、比重、吸水率を測定した。また、得られた緻密体を乳鉢で粉砕し、2θが20°から80°までX線回折を行った。回折条件は、Cu管球を用い、管電圧50kV、管電流200mA、ステップ幅0.02°、計数時間0.5secで行った。熱膨張係数は、リガク社製TAS−200測定器を用いてTMA法により0〜100℃での試料の伸びを測定し、0〜25℃の熱膨張係数を算出した。さらに、ヤング率はJISR1602−1995に準拠した超音波パルス法を用いて測定した。結果を表1、2に示した。なお、試料No.1、2、26は参考例である。
【0043】
【表1】
【0044】
【表2】
【0045】
本発明の試料No.3、4、7〜13、15、16及び18〜25は、24.6〜24.8°、および24.7〜24.9°に回折ピーク1、2を有し、回折ピーク3が20〜40°にブロードに観察され、比重が2.6〜3.1、吸水率が0.03〜0.09%、熱膨張率が0.9〜3.0×10−6/℃であった。
【0046】
一方、コージェライトのみを原料とする本発明の範囲外の試料No.5は、X線回折においてコージェライトのみのピークが観察され、24.6〜24.8°、および24.7〜24.9°に回折ピークが見られず、吸水率が12%と大きく、焼結性が悪かった。
【0047】
また、窒化物を原料に含まない本発明の範囲外の試料No.6は、X線回折においてコージェライトのみのピークが観察され、24.6〜24.8°、および24.7〜24.9°に回折ピークが見られず、吸水率が12%と大きく、焼結性が悪かった。
【0048】
さらに、焼成温度が1170℃と低い本発明の範囲外の試料No.14は、吸水率が17%と大きかった。
【0049】
さらにまた、焼成温度が1360℃と高い本発明の範囲外の試料No.17は、試料が発泡してしまい緻密体を得ることが出来なかった。
【0050】
また、炭化珪素からなる本発明の範囲外の試料No.27は、熱膨張率が3.5×10-6/℃と大きかった。
【0051】
【発明の効果】
本発明によれば、コージェライト粉末に加えて、Mg、Al及びSi元素を含み、且つ少なくともその一部が窒化物粉末からなる成形体を焼成することによって、特定の結晶相を含有し、軽量・低熱膨張の緻密質体が得られる。
【0052】
本発明によって得られるセラミックスは、0〜25℃の熱膨張係数が0〜3×10−6/℃、ヤング率が150GPa以上、比重が3.1以下、吸水率が0.1%以下という特徴を有するため、軽量、低熱膨張且つ高剛性という特徴を有し、工作機械、精密機械、評価装置、半導体製造装置等の各産業分野における軽量セラミック部材等に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によって得られるセラミックスのX線回折スペクトルである。
【図2】本発明によって得られるセラミックスの他のX線回折スペクトルである。
【図3】本発明によって得られるセラミックスの更に他のX線回折スペクトルである。
Claims (1)
- 平均粒径が1〜6μmのコージェライト粉末を50〜80重量%と、前記コージェライト粉末以外のMg、Al及びSiを含む粉末として、少なくともAlを含む窒化物粉末と、前記Mg、Al及びSiのうち前記窒化物粉末を形成していない他の元素の酸化物、水酸化物、炭酸塩のうち少なくとも1種からなる粉末とを含み、前記コージェライト粉末の元素を除いた前記Mg、Al及びSiが酸化物換算でMgO:Al2O3:SiO2の比にして1:1/3〜3:4/3〜6となるよう配合した成形体を、非酸化性雰囲気において1230℃〜1340℃で焼成することを特徴とするセラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001251975A JP5164304B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001251975A JP5164304B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | セラミックスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003055037A JP2003055037A (ja) | 2003-02-26 |
JP5164304B2 true JP5164304B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=19080527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001251975A Expired - Fee Related JP5164304B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5164304B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112876228A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-01 | 中国兵器工业第五二研究所烟台分所 | 一种高模量堇青石基低热膨胀陶瓷及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06263530A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-20 | Ngk Insulators Ltd | コージェライト質棚板 |
JP3659435B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2005-06-15 | 京セラ株式会社 | 耐食性部材、プラズマ処理装置、半導体製造装置、液晶製造装置及び放電容器。 |
JP4416191B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2010-02-17 | 京セラ株式会社 | 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品 |
JP4261631B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2009-04-30 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体の製造方法 |
JP3133302B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2001-02-05 | 新日本製鐵株式会社 | 黒色低熱膨張セラミックス焼結体及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-08-22 JP JP2001251975A patent/JP5164304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003055037A (ja) | 2003-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4869070B2 (ja) | 高熱伝導性窒化ケイ素焼結体及び窒化ケイ素構造部材 | |
KR19990088209A (ko) | 고열전도성질화규소소결체및그제조방법 | |
JP4416191B2 (ja) | 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品 | |
JP2005314215A (ja) | 緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法 | |
JP2007063122A (ja) | 半導体装置用基板 | |
KR960016070B1 (ko) | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 | |
JP2006327890A (ja) | チタン酸バリウム粉末の製法およびチタン酸バリウム粉末、並びにチタン酸バリウム焼結体 | |
WO2012115136A1 (ja) | コージェライト質焼結体およびこのコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材 | |
JP4903431B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体とその製造方法、これを用いた半導体製造装置用部材および液晶製造装置用部材 | |
JPH11157935A (ja) | 炭化ホウ素焼結体及びその製造方法 | |
JP2013100216A (ja) | 酸化物セラミックス焼結体およびその製造方法 | |
JP4261631B2 (ja) | セラミック焼結体の製造方法 | |
JP5164304B2 (ja) | セラミックスの製造方法 | |
JPH11209171A (ja) | 緻密質低熱膨張セラミックス及びその製造方法、並びに半導体製造装置用部材 | |
JPH11130520A (ja) | 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2005119934A (ja) | 窒化ケイ素多孔体及びその製造方法 | |
JP3537241B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
JP2006347802A (ja) | 低熱膨張高比剛性セラミックス、その製造方法および静電チャック | |
JPH11236262A (ja) | 低熱膨張セラミックス構造部材およびそれを用いた半導体素子製造装置用部材 | |
JP2003012382A (ja) | 多孔質体の製造方法及び多孔質体 | |
JP2752227B2 (ja) | AlN―BN系複合焼結体およびその製造方法 | |
JPH06287066A (ja) | 窒化珪素質焼結体及びその製法 | |
JP3260340B2 (ja) | 複合セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2000044351A (ja) | 窒化珪素質放熱部材及びその製造方法 | |
JP5011609B2 (ja) | 緻密コーディエライト質セラミックス及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121218 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |