JP2000086344A - 高密度フッ化物焼結体およびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用部材 - Google Patents
高密度フッ化物焼結体およびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用部材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐食性に優れた高密度フッ化物焼結体およびパ
ーティクルの発生を抑制しうる高密度フッ化物焼結体お
よびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用
部材を提供する。 【解決手段】Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ば
れる少なくとも１種のアルカリ土類金属の高密度フッ化
物焼結体であって、前記アルカリ土類金属以外の金属元
素の総量が金属換算で１００ｐｐｍ以下、平均粒径が３
０μｍ以下、かつ相対密度９５％以上とする。
ーティクルの発生を抑制しうる高密度フッ化物焼結体お
よびその製造方法並びにそれを用いた半導体製造装置用
部材を提供する。 【解決手段】Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ば
れる少なくとも１種のアルカリ土類金属の高密度フッ化
物焼結体であって、前記アルカリ土類金属以外の金属元
素の総量が金属換算で１００ｐｐｍ以下、平均粒径が３
０μｍ以下、かつ相対密度９５％以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にフッ素系及び
塩素系腐食性ガス或いはフッ素系・塩素系プラズマに対
して高い耐食性を有し、パーティクルやコンタミネーシ
ョンの発生が少ない、プラズマ処理装置などの半導体製
造用装置の内壁部材や被処理物を支持する支持体などの
治具等としての使用に好適な高密度フッ化物焼結体およ
びその製造方法、並びにそれを用いた半導体製造装置用
部材に関するものである。
塩素系腐食性ガス或いはフッ素系・塩素系プラズマに対
して高い耐食性を有し、パーティクルやコンタミネーシ
ョンの発生が少ない、プラズマ処理装置などの半導体製
造用装置の内壁部材や被処理物を支持する支持体などの
治具等としての使用に好適な高密度フッ化物焼結体およ
びその製造方法、並びにそれを用いた半導体製造装置用
部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶などの高集積回路形成
に使用されるドライプロセスやプラズマコーティング等
プラズマの利用が近年急速に進んでいる。半導体におけ
るプラズマプロセスとしては、フッ素系等のハロゲン系
腐食ガスがその反応性の高さから、気相成長、エッチン
グやクリーニングに利用されている。
に使用されるドライプロセスやプラズマコーティング等
プラズマの利用が近年急速に進んでいる。半導体におけ
るプラズマプロセスとしては、フッ素系等のハロゲン系
腐食ガスがその反応性の高さから、気相成長、エッチン
グやクリーニングに利用されている。
【０００３】これら腐食性ガスに接触する部材は、高い
耐食性が要求され、従来から被処理物以外のこれらプラ
ズマに接触する部材は、一般にガラスや石英などのＳｉ
Ｏ2を主成分とする材料やステンレス、モネル等の金属
が多用されている。
耐食性が要求され、従来から被処理物以外のこれらプラ
ズマに接触する部材は、一般にガラスや石英などのＳｉ
Ｏ2を主成分とする材料やステンレス、モネル等の金属
が多用されている。
【０００４】また、半導体製造時において、ウェハを支
持固定するサセプタ材としてアルミナ質焼結体、サファ
イア、ＡｌＮ質焼結体、窒化珪素等の珪素質焼結体また
はこれらをＣＶＤ法等により表面被覆したものが耐食性
に優れるとして使用されている。また、グラファイト、
窒化硼素をコーティングしたヒータ等も使用されてい
る。
持固定するサセプタ材としてアルミナ質焼結体、サファ
イア、ＡｌＮ質焼結体、窒化珪素等の珪素質焼結体また
はこれらをＣＶＤ法等により表面被覆したものが耐食性
に優れるとして使用されている。また、グラファイト、
窒化硼素をコーティングしたヒータ等も使用されてい
る。
【０００５】さらに、特開平８−９１９３２号公報で
は、腐食性ガスに接触する部材として、アルミニウム系
材料のプラズマとの生成物であるＡｌＦ3 の焼結体を使
用することにより耐プラズマ性が向上することが開示さ
れている。
は、腐食性ガスに接触する部材として、アルミニウム系
材料のプラズマとの生成物であるＡｌＦ3 の焼結体を使
用することにより耐プラズマ性が向上することが開示さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来から用い
られているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充
分で消耗が激しく、特にフッ素あるいは塩素プラズマに
接すると接触面がエッチングされ、表面性状が変化して
エッチングに影響する等の問題が生じていた。
られているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充
分で消耗が激しく、特にフッ素あるいは塩素プラズマに
接すると接触面がエッチングされ、表面性状が変化して
エッチングに影響する等の問題が生じていた。
【０００７】また、ステンレスなどの金属を使用した部
材でも耐食性が不充分なため、腐食によって特に半導体
製造においては不良品発生の原因となっていた。アルミ
ナ、窒化アルミニウム、窒化珪素質焼結体やコーティン
グ材は、上記の材料に比較してフッ素系ガスに対して耐
食性に優れるものの、高温でプラズマと接すると腐食が
徐々に進行して焼結体の表面から結晶粒子の脱粒が生じ
たり、プラズマとの反応生成物が析出・剥離してパーテ
ィクル発生の原因になるという問題が起きていた。
材でも耐食性が不充分なため、腐食によって特に半導体
製造においては不良品発生の原因となっていた。アルミ
ナ、窒化アルミニウム、窒化珪素質焼結体やコーティン
グ材は、上記の材料に比較してフッ素系ガスに対して耐
食性に優れるものの、高温でプラズマと接すると腐食が
徐々に進行して焼結体の表面から結晶粒子の脱粒が生じ
たり、プラズマとの反応生成物が析出・剥離してパーテ
ィクル発生の原因になるという問題が起きていた。
【０００８】このようなパーティクルの発生は、半導体
の高集積化、プロセスのさらなるクリーン化が図られる
中、イオン衝撃や、気相反応で生成したごく微細なパー
ティクルによってメタル配線の断線、パターンの欠陥等
による素子特性の劣化や歩留まりの低下等の不具合を発
生する恐れが生じている。
の高集積化、プロセスのさらなるクリーン化が図られる
中、イオン衝撃や、気相反応で生成したごく微細なパー
ティクルによってメタル配線の断線、パターンの欠陥等
による素子特性の劣化や歩留まりの低下等の不具合を発
生する恐れが生じている。
【０００９】また、特開平８−９１９３２号公報のよう
に、腐食性ガスに接触する部材として、ＡｌＦ3 の焼結
体を使用した場合、ＡｌＦ3 は、比較的低温から昇華す
るため高温領域では不安定となることから、アルミナ、
窒化アルミニウム、窒化珪素質焼結体に比べ耐食性が向
上するものの、実用的には充分でなかった。さらに、Ａ
ｌＦ3 （融点１０４０℃）は、比較的低温で昇華するこ
とから、特に常圧焼成やホットプレス焼成等の雰囲気焼
成においては、昇華を抑制しつつ焼成する必要があり、
緻密な焼結体を得ることが難しいものであった。
に、腐食性ガスに接触する部材として、ＡｌＦ3 の焼結
体を使用した場合、ＡｌＦ3 は、比較的低温から昇華す
るため高温領域では不安定となることから、アルミナ、
窒化アルミニウム、窒化珪素質焼結体に比べ耐食性が向
上するものの、実用的には充分でなかった。さらに、Ａ
ｌＦ3 （融点１０４０℃）は、比較的低温で昇華するこ
とから、特に常圧焼成やホットプレス焼成等の雰囲気焼
成においては、昇華を抑制しつつ焼成する必要があり、
緻密な焼結体を得ることが難しいものであった。
【００１０】本発明者らは、このような問題を解決する
ため、先にフッ素・塩素系プラズマと接触する表面をプ
ラズマに対して安定なハロゲン化物を形成しうる周期律
表第２Ａ、３Ａ族元素を含有する酸化物、窒化物、炭化
物の焼結体により形成し、プラズマにより焼結体表面に
ＣａＦ2 等の周期律表第２Ａ、３Ａ族元素を含有するハ
ロゲン化物を形成することを提案した。
ため、先にフッ素・塩素系プラズマと接触する表面をプ
ラズマに対して安定なハロゲン化物を形成しうる周期律
表第２Ａ、３Ａ族元素を含有する酸化物、窒化物、炭化
物の焼結体により形成し、プラズマにより焼結体表面に
ＣａＦ2 等の周期律表第２Ａ、３Ａ族元素を含有するハ
ロゲン化物を形成することを提案した。
【００１１】しかしながら、周期律表第２Ａ、３Ａ族元
素を主成分とする材料は、フッ素・塩素系のプラズマに
対しては安定ではあっても、室温における熱膨張係数
が、例えば、酸化マグネシウム１４×１０-6／℃、フッ
化マグネシウム１０×１０-6／℃と差があるために、熱
サイクルにより焼結体表面に形成された周期律表第２
Ａ、３Ａ族元素を含有するハロゲン化物が剥離しやす
く、材料表面に形成されたハロゲン化物の脱落によって
パーティクルが発生してしまうという問題があった。
素を主成分とする材料は、フッ素・塩素系のプラズマに
対しては安定ではあっても、室温における熱膨張係数
が、例えば、酸化マグネシウム１４×１０-6／℃、フッ
化マグネシウム１０×１０-6／℃と差があるために、熱
サイクルにより焼結体表面に形成された周期律表第２
Ａ、３Ａ族元素を含有するハロゲン化物が剥離しやす
く、材料表面に形成されたハロゲン化物の脱落によって
パーティクルが発生してしまうという問題があった。
【００１２】特に、ＣａＦ2 の溶融体は、へき開性があ
るため、表面層等が振動や衝撃等により容易に剥離し、
多量のパーティクルの発生の要因となっていた。
るため、表面層等が振動や衝撃等により容易に剥離し、
多量のパーティクルの発生の要因となっていた。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、フッ素系
及び塩素系腐食ガス或いはプラズマに対して、高い耐食
性を有し、パーティクルの発生を抑制できる材料につい
て検討を重ねた結果、アルカリ土類金属のフッ化物焼結
体の結晶粒径、不純物量および密度を特定の範囲に制御
することにより、フッ素・塩素系腐食ガスあるいはプラ
ズマに対して高い耐食性を示し、パーティクルの発生を
抑制して半導体素子の汚染を抑制した半導体製造装置用
部材が得られることを見いだした。
及び塩素系腐食ガス或いはプラズマに対して、高い耐食
性を有し、パーティクルの発生を抑制できる材料につい
て検討を重ねた結果、アルカリ土類金属のフッ化物焼結
体の結晶粒径、不純物量および密度を特定の範囲に制御
することにより、フッ素・塩素系腐食ガスあるいはプラ
ズマに対して高い耐食性を示し、パーティクルの発生を
抑制して半導体素子の汚染を抑制した半導体製造装置用
部材が得られることを見いだした。
【００１４】すなわち、本発明の高密度フッ化物焼結体
は、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少な
くとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物からなり、前
記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で
１００ｐｐｍ以下、前記フッ化物の結晶粒子の平均粒径
が３０μｍ以下であり、かつ相対密度９５％以上である
ことを特徴とするものである。
は、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少な
くとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物からなり、前
記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で
１００ｐｐｍ以下、前記フッ化物の結晶粒子の平均粒径
が３０μｍ以下であり、かつ相対密度９５％以上である
ことを特徴とするものである。
【００１５】また、その製造方法は、平均粒径３０μｍ
以下のＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少
なくとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物粉末あるい
はその成形体を、非酸化雰囲気中７００〜１３００℃で
焼成してなるものである。
以下のＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少
なくとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物粉末あるい
はその成形体を、非酸化雰囲気中７００〜１３００℃で
焼成してなるものである。
【００１６】さらに、本発明の半導体製造装置用部材
は、少なくともハロゲン系腐食ガスあるいはそのプラズ
マと直接接触する表面を具備し、前記高密度フッ化物焼
結体からなることを特徴とするものである。
は、少なくともハロゲン系腐食ガスあるいはそのプラズ
マと直接接触する表面を具備し、前記高密度フッ化物焼
結体からなることを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の高密度フッ化物焼結体
は、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少な
くとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物からなるもの
で、ハロゲン系プラズマ、特にフッ素プラズマに対する
耐食性の観点から、前記アルカリ土類金属以外の金属元
素の総量を金属換算で１００ｐｐｍ以下、望ましくは９
０ｐｐｍ以下、特に５０ｐｐｍ以下、さらには１０ｐｐ
ｍ以下に制御することが重要である。すなわち、前記ア
ルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で１０
０ｐｐｍより多いと、プラズマ接触面でアルカリ土類金
属以外の金属がプラズマと反応し、これによりエッチン
グが進行するとともに、その反応物がパーティクルの原
因となるためである。
は、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少な
くとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物からなるもの
で、ハロゲン系プラズマ、特にフッ素プラズマに対する
耐食性の観点から、前記アルカリ土類金属以外の金属元
素の総量を金属換算で１００ｐｐｍ以下、望ましくは９
０ｐｐｍ以下、特に５０ｐｐｍ以下、さらには１０ｐｐ
ｍ以下に制御することが重要である。すなわち、前記ア
ルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金属換算で１０
０ｐｐｍより多いと、プラズマ接触面でアルカリ土類金
属以外の金属がプラズマと反応し、これによりエッチン
グが進行するとともに、その反応物がパーティクルの原
因となるためである。
【００１８】また、フッ素プラズマに対する耐食性の点
では、融点の高い材料が望ましく、ＣａＦ2 、Ｍｇ
Ｆ2 、ＢａＦ2 、ＳｒＦ2 （それぞれの融点１３６０
℃、１２６５℃、１２８０℃、１１９０℃）の順で好ま
しい。
では、融点の高い材料が望ましく、ＣａＦ2 、Ｍｇ
Ｆ2 、ＢａＦ2 、ＳｒＦ2 （それぞれの融点１３６０
℃、１２６５℃、１２８０℃、１１９０℃）の順で好ま
しい。
【００１９】さらに、プラズマに対する耐食性を高める
上では、焼結体の相対密度は９５％以上、特に９８％以
上であることが必要がある。これは、焼結体の相対密度
が９５％より小さいと、プラズマとの接触面積が増加す
るために耐食性が低下し、またプラズマ接触面に存在す
る気孔からエッチングが進行してしまうためである。
上では、焼結体の相対密度は９５％以上、特に９８％以
上であることが必要がある。これは、焼結体の相対密度
が９５％より小さいと、プラズマとの接触面積が増加す
るために耐食性が低下し、またプラズマ接触面に存在す
る気孔からエッチングが進行してしまうためである。
【００２０】また、焼結体のフッ化物結晶の平均粒径
は、３０μｍ以下、望ましくは２５μｍ以下、特に１０
μｍ以下、さらには５μｍ以下であることが望ましい。
すなわち、この平均粒径が３０μｍより大きいと、脱粒
等が発生した場合、半導体製造装置内に及ぼす影響が大
きくなるためである。
は、３０μｍ以下、望ましくは２５μｍ以下、特に１０
μｍ以下、さらには５μｍ以下であることが望ましい。
すなわち、この平均粒径が３０μｍより大きいと、脱粒
等が発生した場合、半導体製造装置内に及ぼす影響が大
きくなるためである。
【００２１】かかるハロゲン系プラズマに対し、高い耐
食性を有する高密度フッ化物焼結体を作製する方法とし
ては、アルカリ土類金属以外の金属元素の総量を金属換
算で１００ｐｐｍ以下、望ましくは９０ｐｐｍ以下、特
に５０ｐｐｍ以下、さらには１０ｐｐｍ以下であり、か
つ平均粒径が３０μｍ以下、望ましくは２０μｍ以下、
特に１０μｍ以下、さらには３μｍ以下のフッ化物原料
粉末を準備する。原料粉末の粒径が３０μｍよりも大き
い場合は、所望の粉砕方法、例えば、ボールミル、振動
ミル、アトライタミル、ジェットミル等により粉砕して
用いればよく、また、メッシュパス等により粗粒を除去
しておくほうが望ましい。
食性を有する高密度フッ化物焼結体を作製する方法とし
ては、アルカリ土類金属以外の金属元素の総量を金属換
算で１００ｐｐｍ以下、望ましくは９０ｐｐｍ以下、特
に５０ｐｐｍ以下、さらには１０ｐｐｍ以下であり、か
つ平均粒径が３０μｍ以下、望ましくは２０μｍ以下、
特に１０μｍ以下、さらには３μｍ以下のフッ化物原料
粉末を準備する。原料粉末の粒径が３０μｍよりも大き
い場合は、所望の粉砕方法、例えば、ボールミル、振動
ミル、アトライタミル、ジェットミル等により粉砕して
用いればよく、また、メッシュパス等により粗粒を除去
しておくほうが望ましい。
【００２２】この粉末を用いて、所定形状に所望の成形
手段、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、押し出
し成形等により任意の形状に成形する。この時の成形体
は、相対密度５５％以上であることが望ましく、成形体
密度が５５％よりも低いと、その後の焼結過程で相対密
度９５％以上の緻密体を作製することが困難である。
手段、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、押し出
し成形等により任意の形状に成形する。この時の成形体
は、相対密度５５％以上であることが望ましく、成形体
密度が５５％よりも低いと、その後の焼結過程で相対密
度９５％以上の緻密体を作製することが困難である。
【００２３】次に、上記のようにして作製した成形体を
相対密度９５％以上、特に９８％以上に焼成する。相対
密度９５％以上に緻密化するには、上記の組成からなる
成形体を非酸化性雰囲気中、加圧あるいは常圧下（非酸
化性ガス圧１ａｔｍ以上）で７００〜１３００℃の温度
範囲で焼成することにより得られる。
相対密度９５％以上、特に９８％以上に焼成する。相対
密度９５％以上に緻密化するには、上記の組成からなる
成形体を非酸化性雰囲気中、加圧あるいは常圧下（非酸
化性ガス圧１ａｔｍ以上）で７００〜１３００℃の温度
範囲で焼成することにより得られる。
【００２４】この場合、最適な焼成温度は材料によって
異なり、例えば、ＭｇＦ2 およびＢａＦ2 については７
００〜１２００℃、好ましくは８００〜１１００℃、さ
らには９００〜１０００℃が望ましく、ＣａＦ2 につい
ては、８００〜１３００℃、好ましくは９００〜１２０
０℃、さらには１０００〜１１００℃が望ましく、Ｓｒ
Ｆ2 については、８００〜１１００℃、好ましくは８５
０〜１０５０℃、さらには９００〜１０００℃が望まし
い。なお、ＡｌＦ3 については、融点が１０４０℃であ
り、かつ昇華しやすいため、焼成温度を１０４０℃以上
に上げることができないため焼成により緻密化させるこ
とが難しい。
異なり、例えば、ＭｇＦ2 およびＢａＦ2 については７
００〜１２００℃、好ましくは８００〜１１００℃、さ
らには９００〜１０００℃が望ましく、ＣａＦ2 につい
ては、８００〜１３００℃、好ましくは９００〜１２０
０℃、さらには１０００〜１１００℃が望ましく、Ｓｒ
Ｆ2 については、８００〜１１００℃、好ましくは８５
０〜１０５０℃、さらには９００〜１０００℃が望まし
い。なお、ＡｌＦ3 については、融点が１０４０℃であ
り、かつ昇華しやすいため、焼成温度を１０４０℃以上
に上げることができないため焼成により緻密化させるこ
とが難しい。
【００２５】また、上記焼成において、相対密度を向上
させるためには５０ｋｇｆ／ｃｍ2以上の加圧下でホッ
トプレス焼成することが望ましく、さらに、得られた焼
結体に対して熱間静水圧焼成を行ってもよい。
させるためには５０ｋｇｆ／ｃｍ2以上の加圧下でホッ
トプレス焼成することが望ましく、さらに、得られた焼
結体に対して熱間静水圧焼成を行ってもよい。
【００２６】なお、ホットプレスの場合、カーボンモー
ルドによって焼結体中にわずかにカーボンが混入する場
合があるが、その量は０．５重量％以下であれば特に問
題ない。
ルドによって焼結体中にわずかにカーボンが混入する場
合があるが、その量は０．５重量％以下であれば特に問
題ない。
【００２７】上記の焼成により、相対密度９５％以上、
特に９８％以上の焼結体を得る。なお、上記焼結体が低
密度で多量の気孔を有する場合は、それだけガスやプラ
ズマとの接触面積が増加し消耗が早くなるため、開気孔
率０．２％以下であることが望ましい。得られた焼結体
に対し、適宜研削加工を施し、所定の寸法の製品形状に
仕上げる。この時、耐食性を高める上では、前記腐食性
ガスあるいはそのプラズマと接触する焼結体表面の表面
粗さ（Ｒａ）が、１μｍ以下、特に０．５μｍ以下、さ
らには０．１μｍ以下であることが望ましい。
特に９８％以上の焼結体を得る。なお、上記焼結体が低
密度で多量の気孔を有する場合は、それだけガスやプラ
ズマとの接触面積が増加し消耗が早くなるため、開気孔
率０．２％以下であることが望ましい。得られた焼結体
に対し、適宜研削加工を施し、所定の寸法の製品形状に
仕上げる。この時、耐食性を高める上では、前記腐食性
ガスあるいはそのプラズマと接触する焼結体表面の表面
粗さ（Ｒａ）が、１μｍ以下、特に０．５μｍ以下、さ
らには０．１μｍ以下であることが望ましい。
【００２８】そして、かかる高密度フッ化物焼結体は、
半導体素子を製造する際に用いられ、フッ素系または塩
素系等のハロゲン系の腐食ガスまたはプラズマと表面が
直接接触する部位に好適に用いられる。フッ素系ガスと
しては、ＳＦ6 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃｌ
Ｆ3 、ＨＦ等が、また塩素系ガスとしては、Ｃｌ2 、Ｂ
Ｃｌ3 、ＨＣｌ等が挙げられ、これらのガスが導入され
た雰囲気にマイクロ波や高周波等を導入するとこれらの
ガスがプラズマ化される。
半導体素子を製造する際に用いられ、フッ素系または塩
素系等のハロゲン系の腐食ガスまたはプラズマと表面が
直接接触する部位に好適に用いられる。フッ素系ガスと
しては、ＳＦ6 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃｌ
Ｆ3 、ＨＦ等が、また塩素系ガスとしては、Ｃｌ2 、Ｂ
Ｃｌ3 、ＨＣｌ等が挙げられ、これらのガスが導入され
た雰囲気にマイクロ波や高周波等を導入するとこれらの
ガスがプラズマ化される。
【００２９】本発明によれば、このようなハロゲン系の
腐食ガスあるいはそのプラズマに直接接触する表面を、
フッ化物焼結体から構成するものである。フッ化物焼結
体は、フッ素、塩素との反応性が低いために、優れた耐
食性を示す。
腐食ガスあるいはそのプラズマに直接接触する表面を、
フッ化物焼結体から構成するものである。フッ化物焼結
体は、フッ素、塩素との反応性が低いために、優れた耐
食性を示す。
【００３０】さらに、シリコンウェハの大口径化に伴
い、製造装置や構成部品自体も大型化することから、強
度および耐熱衝撃性を高める必要があり、また、塩素系
ガス及びそのプラズマを使用する場合は、熱サイクルに
よる部品の劣化が問題視されてくることから耐熱信頼性
を高める上でも、焼結体の相対密度は９５％以上が必要
である。
い、製造装置や構成部品自体も大型化することから、強
度および耐熱衝撃性を高める必要があり、また、塩素系
ガス及びそのプラズマを使用する場合は、熱サイクルに
よる部品の劣化が問題視されてくることから耐熱信頼性
を高める上でも、焼結体の相対密度は９５％以上が必要
である。
【００３１】
【実施例】（実施例１）表１に示す平均粒径、アルカリ
土類金属以外の金属含有量（不純物量と記す）のフッ化
物原料粉末を用い、これをカーボン製モールドに充填
し、真空中、２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧下、表１に示
す焼成温度にて２時間ホットプレス焼成を行った。
土類金属以外の金属含有量（不純物量と記す）のフッ化
物原料粉末を用い、これをカーボン製モールドに充填
し、真空中、２００ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧下、表１に示
す焼成温度にて２時間ホットプレス焼成を行った。
【００３２】比較例として、純度９９．９９％以上のＣ
ａＦ2 の溶融体（試料Ｎｏ．３２）を準備した。また、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ3 について、表
１に示す温度で焼成し同様に溶融体あるいは焼結体を作
製した（試料Ｎｏ．２８〜３１）。
ａＦ2 の溶融体（試料Ｎｏ．３２）を準備した。また、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ3 について、表
１に示す温度で焼成し同様に溶融体あるいは焼結体を作
製した（試料Ｎｏ．２８〜３１）。
【００３３】得られた焼結体を用いて、まずアルキメデ
ス法により焼結体の密度を測定し、理論密度に対する比
率である相対密度（％）を算出した。結果は表１に示し
た。
ス法により焼結体の密度を測定し、理論密度に対する比
率である相対密度（％）を算出した。結果は表１に示し
た。
【００３４】（耐食性試験）得られた焼結体に対して、
表面を表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下となるように
鏡面加工した直径２２ｃｍの円盤を作製し、ＲＩＥプラ
ズマエッチング装置にて、ＣＦ4 （６０ｓｃｃｍ）+ Ａ
ｒ（６０ｓｃｃｍ）のフッ素系プラズマに室温で曝し、
エッチングレートとパーティクルの有無を調査した。エ
ッチング条件は圧力１０Ｐａ、ＲＦ出力１ＫＷ、プラズ
マ照射時間３時間とした。エッチングレートはテスト前
後の重量変化を基に算出した。パーティクルの有無は、
プラズマ照射後の円盤上に８インチのＳｉウェハを載せ
たのち、ウェハの接触面の凹凸をレーザー散乱によって
検出し、パーティクルカウンタにて０．３μｍ以上のパ
ーティクル個数を計測した。結果を表１に示す。
表面を表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下となるように
鏡面加工した直径２２ｃｍの円盤を作製し、ＲＩＥプラ
ズマエッチング装置にて、ＣＦ4 （６０ｓｃｃｍ）+ Ａ
ｒ（６０ｓｃｃｍ）のフッ素系プラズマに室温で曝し、
エッチングレートとパーティクルの有無を調査した。エ
ッチング条件は圧力１０Ｐａ、ＲＦ出力１ＫＷ、プラズ
マ照射時間３時間とした。エッチングレートはテスト前
後の重量変化を基に算出した。パーティクルの有無は、
プラズマ照射後の円盤上に８インチのＳｉウェハを載せ
たのち、ウェハの接触面の凹凸をレーザー散乱によって
検出し、パーティクルカウンタにて０．３μｍ以上のパ
ーティクル個数を計測した。結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１の結果によれば、試料Ｎｏ．１、９
は、焼成温度が低く、相対密度を９５％以上に緻密化で
きないために、耐食性が低下するとともに脱粒によって
３０個以上のパーティクルが発生し、使用に耐えない。
また、試料Ｎｏ．２３は、焼成温度が高く溶融してしま
った。さらに、原料粉末の粒径が３０μｍを越える試料
Ｎｏ．６、１４、２２、２７では、緻密化できず、耐食
性が低下した。また、アルカリ土類金属以外の金属元素
の総量が金属換算で１００ｐｐｍより多い試料Ｎｏ．
５、１３は、多量のパーティクルの発生が認められた。
は、焼成温度が低く、相対密度を９５％以上に緻密化で
きないために、耐食性が低下するとともに脱粒によって
３０個以上のパーティクルが発生し、使用に耐えない。
また、試料Ｎｏ．２３は、焼成温度が高く溶融してしま
った。さらに、原料粉末の粒径が３０μｍを越える試料
Ｎｏ．６、１４、２２、２７では、緻密化できず、耐食
性が低下した。また、アルカリ土類金属以外の金属元素
の総量が金属換算で１００ｐｐｍより多い試料Ｎｏ．
５、１３は、多量のパーティクルの発生が認められた。
【００３７】一方、アルカリ土類金属のフッ化物以外の
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ3 の焼結体およ
びＣａＦ2 の溶融体については、緻密な焼結体が得られ
るものの、耐食性は不十分であった。
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ3 の焼結体およ
びＣａＦ2 の溶融体については、緻密な焼結体が得られ
るものの、耐食性は不十分であった。
【００３８】これに対し、本発明による試料Ｎｏ．２〜
４、７〜８、１０〜１２、１５〜２１、２４〜２６は、
相対密度９５％以上、かつエッチングレート２５Å／ｍ
ｉｎ．以下、特に１５Å／ｍｉｎ．以下、パーティクル
発生量１５個／８インチウエハ、特に１０個／８インチ
ウエハの良好な耐食性を示した。
４、７〜８、１０〜１２、１５〜２１、２４〜２６は、
相対密度９５％以上、かつエッチングレート２５Å／ｍ
ｉｎ．以下、特に１５Å／ｍｉｎ．以下、パーティクル
発生量１５個／８インチウエハ、特に１０個／８インチ
ウエハの良好な耐食性を示した。
【００３９】（実施例２）平均粒径１０μｍ、焼結体中
におけるアルカリ土類金属以外の金属元素含有量（不純
物量）８３ｐｐｍのＣａＦ2 粉末を用い、３ｔｏｎ／ｃ
ｍ2 の圧力でＣＩＰ処理を行った後、Ａｒ雰囲気中、焼
成温度１１００℃にて雰囲気焼成（ＰＬＳ）を行った。
得られた試料について、実施例１と同様の評価を行った
ところ、相対密度９５％、結晶の平均粒径１３μｍ、エ
ッチングレート２２Å／ｍｉｎ．、パーティクル発生量
１５個／８インチウエハの良好な耐食性を示した。
におけるアルカリ土類金属以外の金属元素含有量（不純
物量）８３ｐｐｍのＣａＦ2 粉末を用い、３ｔｏｎ／ｃ
ｍ2 の圧力でＣＩＰ処理を行った後、Ａｒ雰囲気中、焼
成温度１１００℃にて雰囲気焼成（ＰＬＳ）を行った。
得られた試料について、実施例１と同様の評価を行った
ところ、相対密度９５％、結晶の平均粒径１３μｍ、エ
ッチングレート２２Å／ｍｉｎ．、パーティクル発生量
１５個／８インチウエハの良好な耐食性を示した。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
フッ素系及び塩素系腐食性ガス或いはプラズマに曝され
る部材としてＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ば
れる少なくとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物から
なり、前記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金
属換算で１００ｐｐｍ以下であり、平均粒径が３０μｍ
以下、かつ相対密度９５％以上の焼結体を使用すること
により、高温・高密度のフッ素系及び塩素系腐食雰囲気
に長時間の耐久性を有し、且つコンタミネーションやパ
ーティクルを発生しないこと、大型部品としての機械的
強度を保持することから、半導体製造用装置、とりわけ
プラズマ処理装置の内壁部材や被処理物を支持する支持
体などの治具等の部材として使用することにより、半導
体製造の歩留り向上とともに高品質の半導体素子を作製
することができる。
フッ素系及び塩素系腐食性ガス或いはプラズマに曝され
る部材としてＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ば
れる少なくとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物から
なり、前記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金
属換算で１００ｐｐｍ以下であり、平均粒径が３０μｍ
以下、かつ相対密度９５％以上の焼結体を使用すること
により、高温・高密度のフッ素系及び塩素系腐食雰囲気
に長時間の耐久性を有し、且つコンタミネーションやパ
ーティクルを発生しないこと、大型部品としての機械的
強度を保持することから、半導体製造用装置、とりわけ
プラズマ処理装置の内壁部材や被処理物を支持する支持
体などの治具等の部材として使用することにより、半導
体製造の歩留り向上とともに高品質の半導体素子を作製
することができる。
フロントページの続き (72)発明者 高坂 祥二 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ば
れる少なくとも１種のアルカリ土類金属のフッ化物から
なり、前記アルカリ土類金属以外の金属元素の総量が金
属換算で１００ｐｐｍ以下、前記フッ化物の結晶粒子の
平均粒径が３０μｍ以下であり、かつ相対密度が９５％
以上であることを特徴とする高密度フッ化物焼結体。 - 【請求項２】平均粒径３０μｍ以下のＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ
およびＢａの群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ
土類金属のフッ化物粉末あるいはその成形体を、非酸化
性雰囲気中で７００〜１３００℃で焼成して相対密度９
５％以上に緻密化することを特徴とする高密度フッ化物
焼結体の製造方法。 - 【請求項３】少なくともハロゲン系腐食ガスあるいはそ
のプラズマと直接接触する表面を具備し、Ｍｇ、Ｃａ、
ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少なくとも１種のアル
カリ土類金属のフッ化物からなり、前記アルカリ土類金
属以外の金属元素の総量が金属換算で１００ｐｐｍ以
下、前記フッ化物の結晶粒子の平均粒径が３０μｍ以下
であり、かつ相対密度が９５％以上の高密度フッ化物焼
結体からなることを特徴とする半導体製造装置用部材。
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|---|---|---|---|
| JP26044698A JP3618048B2 (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 半導体製造装置用部材 |
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|---|---|---|---|
| JP26044698A JP3618048B2 (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 半導体製造装置用部材 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000086344A true JP2000086344A (ja) | 2000-03-28 |
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003078135A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikko Materials Co Ltd | 半導体装置用ゲート絶縁膜及び同絶縁膜の製造方法 |
| WO2003023084A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique de fluorure et son procede de preparation |
| JP2005521250A (ja) * | 2002-03-21 | 2005-07-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理装置用の低汚染構成部品及びその製造方法 |
| JP2011001198A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Daiko Seisakusho:Kk | 耐プラズマ性フッ化物焼結体の製造方法 |
| JP2011098856A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Daiko Seisakusho:Kk | ＣａＦ２−ＭｇＦ２二元系焼結体、及び耐プラズマ性フッ化物焼結体の製造方法 |
| JP2012121776A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Daiko Seisakusho:Kk | ＣａＦ２−ＭｇＦ２二元系焼結体、及び耐プラズマ性フッ化物焼結体の製造方法 |
| JP2012206913A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Ngk Insulators Ltd | フッ化マグネシウム焼結体、その製法及び半導体製造装置用部材 |
| WO2012165334A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | 株式会社ニコン | ＣａＦ２多結晶体、フォーカスリング、プラズマ処理装置及びＣａＦ２多結晶体の製造方法 |
| WO2015005006A1 (ja) | 2013-07-08 | 2015-01-15 | 国立大学法人筑波大学 | 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法 |
| EP3000796A1 (en) | 2014-09-24 | 2016-03-30 | University of Tsukuba | Mgf2-caf2 binary system sintered body for radiation moderator and method for producing the same |
| JPWO2014007339A1 (ja) * | 2012-07-05 | 2016-06-02 | 株式会社ニコン | 多結晶ＣａＦ２部材、プラズマ処理装置用部材、プラズマ処理装置およびフォーカスリングの製造方法 |
| WO2016104354A1 (ja) | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 国立大学法人筑波大学 | 放射線減速材用ＭｇＦ２系フッ化物焼結体及びその製造方法 |
| WO2017014230A1 (ja) * | 2015-07-21 | 2017-01-26 | 日本軽金属株式会社 | フッ化マグネシウム焼結体、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータ及び中性子モデレータの製造方法 |
-
1998
- 1998-09-14 JP JP26044698A patent/JP3618048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023084A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique de fluorure et son procede de preparation |
| JP2003078135A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikko Materials Co Ltd | 半導体装置用ゲート絶縁膜及び同絶縁膜の製造方法 |
| US8318327B2 (en) | 2002-03-21 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components |
| JP2005521250A (ja) * | 2002-03-21 | 2005-07-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理装置用の低汚染構成部品及びその製造方法 |
| JP2010153881A (ja) * | 2002-03-21 | 2010-07-08 | Lam Res Corp | 半導体処理装置用の低汚染構成部品及びその製造方法 |
| US8935990B2 (en) | 2002-03-21 | 2015-01-20 | Lam Research Corporation | Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components |
| JP2011001198A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Daiko Seisakusho:Kk | 耐プラズマ性フッ化物焼結体の製造方法 |
| JP2011098856A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Daiko Seisakusho:Kk | ＣａＦ２−ＭｇＦ２二元系焼結体、及び耐プラズマ性フッ化物焼結体の製造方法 |
| JP2012121776A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Daiko Seisakusho:Kk | ＣａＦ２−ＭｇＦ２二元系焼結体、及び耐プラズマ性フッ化物焼結体の製造方法 |
| JP2012206913A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Ngk Insulators Ltd | フッ化マグネシウム焼結体、その製法及び半導体製造装置用部材 |
| WO2012165334A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | 株式会社ニコン | ＣａＦ２多結晶体、フォーカスリング、プラズマ処理装置及びＣａＦ２多結晶体の製造方法 |
| US10074523B2 (en) | 2012-07-05 | 2018-09-11 | Nikon Corporation | Polycrystalline CaF2 member, member for plasma treatment device, plasma treatment device, and method for producing focusing ring |
| JPWO2014007339A1 (ja) * | 2012-07-05 | 2016-06-02 | 株式会社ニコン | 多結晶ＣａＦ２部材、プラズマ処理装置用部材、プラズマ処理装置およびフォーカスリングの製造方法 |
| JP5813258B2 (ja) * | 2013-07-08 | 2015-11-17 | 国立大学法人 筑波大学 | 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法 |
| JPWO2015005006A1 (ja) * | 2013-07-08 | 2017-03-02 | 国立大学法人 筑波大学 | 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法 |
| EP3214058A1 (en) | 2013-07-08 | 2017-09-06 | University of Tsukuba | Magnesium fluoride sintered compact for neutron moderator |
| WO2015005006A1 (ja) | 2013-07-08 | 2015-01-15 | 国立大学法人筑波大学 | 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法 |
| US10961160B2 (en) | 2013-07-08 | 2021-03-30 | University Of Tsukuba | Fluoride sintered body for neutron moderator and method for producing the same |
| EP3000796A1 (en) | 2014-09-24 | 2016-03-30 | University of Tsukuba | Mgf2-caf2 binary system sintered body for radiation moderator and method for producing the same |
| KR20160035962A (ko) | 2014-09-24 | 2016-04-01 | 고쿠리쯔 다이가쿠 호징 츠쿠바 다이가쿠 | 방사선 감속재용 ＭｇＦ₂-ＣａＦ₂ 이원계 소결체 및 그 제조방법 |
| US9789335B2 (en) | 2014-09-24 | 2017-10-17 | Techno Eye Corporation | MgF2—CaF2 binary system sintered body for radiation moderator and method for producing the same |
| US10777330B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-09-15 | Techno Eye Corporation | MgF2 system fluoride sintered body for radiation moderator and method for producing the same |
| WO2016104354A1 (ja) | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 国立大学法人筑波大学 | 放射線減速材用ＭｇＦ２系フッ化物焼結体及びその製造方法 |
| EP3885329A1 (en) | 2014-12-26 | 2021-09-29 | University of Tsukuba | Mgf2 sintered body for radiation moderator |
| WO2017014230A1 (ja) * | 2015-07-21 | 2017-01-26 | 日本軽金属株式会社 | フッ化マグネシウム焼結体、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータ及び中性子モデレータの製造方法 |
| US10343951B2 (en) | 2015-07-21 | 2019-07-09 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Magnesium fluoride sintered compact, method for manufacturing magnesium fluoride sintered compact, neutron moderator, and method for manufacturing neutron moderator |
| JPWO2017014230A1 (ja) * | 2015-07-21 | 2018-05-24 | 日本軽金属株式会社 | フッ化マグネシウム焼結体、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータ及び中性子モデレータの製造方法 |
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