KR100568256B1 - 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 경우에 생성되는 부산물을 도전성 막질을 형성하는 때마다 제거하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법은 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계 및 반도체 기판을 반도체 소자 제조 장비의 외부로 반출시켜 반도체 기판이 없는 상태에서 원료 가스와 금속 산화막이 반응하여 생성되는 하나 이상의 부산물을 제거하는 단계를 포함하며, 부산물을 제거하는 단계는 도전성 막질을 형성하는 단계가 수행되는 때마다 실시된다.
세정, 부산물, 산화막
Description
도 1a 내지 도 1d는 종래의 반도체 소자 제조 장비에서 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 나타내는 플로차트이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 나타내는 플로차트이다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 나타내는 단면도들이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
11, 21: 가열부
12, 22: 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판
13, 23: 제 1 부산물 막질
14, 24: 제 2 부산물 막질
25, 125, 225: 도전성 막질
본 발명은 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 경우에 생성되는 부산물을 도전성 막질을 형성하는 때마다 제거하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법에 관한 것이다.
최근에 정보 통신 분야의 급속한 발달과 컴퓨터와 같은 정보 매체가 널리 보급됨에 따라 반도체 소자는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 보유하도록 요구되어 반도체 소자의 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 소자의 제조 기술이 발전되고 있다.
그러므로 반도체 소자의 집적도를 높이기 위하여 반도체 기판에 형성되는 유전체 물질의 두께는 점점 더 얇아지고 있다. 그러나 유전체 물질의 두께가 얇아짐에 따라서 유전체 물질을 통하여 누설되는 누설 전류(leakage current)가 증가됨으로써 반도체 소자의 동작 신뢰성이 저하되고 있다.
일반적으로 반도체 소자의 유전체 물질은 금속 산화물(예를 들면, Al2O3)을 사용하고 있으나, 상술한 문제점 해결에 보다 적합한 유전체 물질로서 유전 상수(dielectric constant)가 큰 고유전율의 금속 산화물이 연구되고 있다. 구체적으로, 안정적인 반도체 소자 동작을 얻을 수 있는 고유전율의 금속 산화물로는 Zr 산화물이나 Hf 산화물의 적용이 검토되고 있다.
도 1a 내지 도 1d를 참조하여 유전체 물질로서 Hf 산화물이나 Zr 산화물을 이용하는 경우의 문제점을 설명한다. 도 1a에 도시된 것처럼, Hf 산화물(HfO2)이 형성되어 있는 반도체 기판(2)에 NH3와 TiCl₄를 원료 가스로 이용하여 TiN과 같은 도전성 막질을 형성하는 경우에, 도 1b에 도시된 것처럼, 상기 반도체 기판(2)이 외부로 반출된 후에 상기 반도체 기판(2)이 놓여 있던 가열부(1) 위에 잔류하는 산소 성분, 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 원료 가스 또는 Hf 성분이 반응하여 HfN과 Hf 산화물을 포함하는 부산물 막질(3)이 상기 반도체 기판(2)이 놓여 있던 영역의 가열부(1) 위에 형성된다.
Zr 산화물(ZrO2)의 경우에도 반도체 기판(2)에 NH3와 TiCl₄를 원료 가스로 이용하여 TiN과 같은 도전성 막질을 형성하는 경우에는 ZrN과 Zr 산화물을 포함하는 부산물 막질(3)이 상기 반도체 기판(2)이 놓여 있던 영역의 가열부(1) 위에 형성된다.
도 1c에 도시된 것처럼, 상기 부산물 막질(3)이 형성되어 있는 상태에서 Hf 산화물이나 Zr 산화물과 같은 금속 산화물이 형성되어 있는 반도체 기판(2)에 상기 TiN과 같은 도전성 막질을 형성하면 상술한 것처럼, HfN과 Hf 산화물이나 ZrN과 Zr 산화물을 포함하는 부산물 막질(3)이 상기 반도체 기판(2)이 놓여 있던 영역의 가 열부(1) 위에 형성된다. 그리고 Hf 산화물이나 Zr 산화물과 같은 금속 산화물이 형성되어 있는 반도체 기판(2)에 상기 TiN과 같은 도전성 막질을 형성하는 공정을 반복해서 수행하면 상기 반도체 기판(2)이 놓여 있던 영역의 가열부(1) 위에 HfN과 Hf 산화물이나 ZrN과 Zr 산화물을 포함하는 부산물 막질(3)이 누적되어 형성된다.
상기 반도체 기판(2)이 놓여 있던 영역의 가열부(1) 위에 누적되어 형성되는 부산물 막질(3)은 일본 공개 특허 공보 특개2003-203907(2003. 7. 18 공개)에 개시되어 있는 화학 기상 증착 장치의 세정 방법으로도 제거되지 않고 잔류한다. 그러므로 도전성 막질을 형성하는 공정이 수행되는 반도체 소자 제조 장비를 주기적으로 자주 개방하여 상기 부산물 막질(3)을 제거할 수밖에 없다. 반도체 소자 제조 장비를 주기적으로 자주 개방하게 되면 반도체 소자 제조 장비의 가동률이 저하되어 반도체 소자 제조 공정을 효율적으로 수행할 수 없게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 경우에 생성되는 부산물의 누적을 방지하여 반도체 소자 제조 장비를 효율적으로 세정할 수 있는 방법을 제공하고자 하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법은 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계, 상기 반도체 소자 제조 장비로부터 상기 반도체 기판을 반출시키는 단계 및 상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 금속 산화막의 금속 성분이 상기 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 부산물을 제거하는 단계는 상기 도전성 막질을 형성하는 단계가 수행되는 때마다 실시된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법은 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계. 상기 반도체 소자 제조 장비로부터 상기 반도체 기판을 반출시키는 단계 및 상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 금속 산화막의 금속 성분이 상기 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 기화시키는 단계를 포함하며, 상기 부산물을 기화시키는 단계는 상기 도전성 막질을 형성하는 단계가 수행되는 때마다 실시된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법은 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계, 상기 반도체 소자 제조 장비로부터 상기 반도체 기판을 반출시키는 단계 및 상기 반도체 소자 제조 장비의 가열부 전면에 상기 도전성 막질을 형성하여 상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 금속 산화막의 금속 성분이 상기 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 기화시키는 단계를 포함하며, 상기 부산물을 기화시키는 단계는 상기 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계가 수행되는 때마다 실시된다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법은 Hf 산화물 또는 Zr 산화물과 같은 고유전율의 금속 산화물을 포함하는 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 TiN과 같은 도전성 물질을 포함하는 도전성 막질을 형성하는 공정을 수행한 직후에 바로 상기 반도체 기판이 없는 상태에서 상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 금속 산화막의 금속 성분이 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 제거한다. 그럼으로써 반도체 소자 제조 장비를 자주 개방하지 않아도 되므로 반도체 소자 제조 장비의 가동률이 향상되어 반도체 소자 제조 공정을 효율적으로 수행할 수 있다.
도 2 및 도 3a 내지 도 3d를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법에 대해서 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 나타내는 플로차트이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방 법을 나타내는 단면도들이다.
먼저 첫번째 단계에서는 반도체 소자 제조 장비 내에서 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(12)이 없는 상태에서 반도체 소자 제조 장비의 가열부(11) 전면에 도전성 막질을 형성(S11)한다. 구체적으로, 상기 도전성 막질은 TiN과 같은 도전성 물질을 포함한다.
금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(12)이 없는 상태에서 상기 가열부(11) 전면에 NH3 가스와 TiCl₄ 가스가 유입되어, 상기 가열부(11) 전면에 TiN 막질이 형성된다. 그럼으로써 후속 단계에서 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(12)에 TiN 막질을 형성(S12)하는 경우에 반도체 소자 제조 장비의 공정 진행 조건 분위기를 조성하여 효과적으로 TiN 막질을 형성할 수 있다.
이 때, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(12)이 놓여지는 영역을 제외하고 TiN 막질(125)을 형성하는 것이 바람직하다. 그럼으로써 상기 단계(S11)를 반복하여 수행하는 경우에 상기 반도체 기판(12)이 놓여지는 영역의 가열부(11) 위에는 누적되어 형성되는 TiN 막질의 두께를 감소시킬 수 있다.
상기 반도체 기판(12)이 놓여지는 영역을 제외하고 TiN 막질을 형성하기 위해서는 도 3a에 도시된 것처럼, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(12)이 놓여지는 영역에 더미 반도체 기판(112)을 위치시킨 상태에서 가열부(11) 전면에 NH3 가스와 TiCl₄ 가스를 유입시킨다. 그럼으로써 도 4b에 도시된 것처럼, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(12)이 놓여지는 영역을 제외하고 TiN 막질(125)이 형성된다.
다음 단계에서는 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(12)에 도전성 막질을 형성(S12)한다. 구체적으로, 상기 금속 산화막은 Hf 산화물(HfO2) 또는 Zr 산화물(ZrO2)과 같은 고유전율의 금속 산화물을 포함하고, 상기 도전성 막질은 TiN과 같은 도전성 물질을 포함한다.
Hf 산화막은 Hf[N(CH3)C2H5]]4(Tetrakis EthylMethylAino Hafnium; TEMAH) 또는 Hf[OC(CH3)3]4(Hafnium Tert-Butoxide)를 원료 가스로 이용하여 형성되고, Zr 산화막은 Zr[N(CH3)C2H5]]4(Tetrakis EthylMethylAino Zirconium; TEMAZ) 또는 Zr[OC(CH3)3]4(Zirconium Tert-Butoxide)를 원료 가스로 이용하여 형성되며, TiN 막질은 NH3와 TiCl₄를 원료 가스로 이용하여 형성된다.
도 3c에 도시된 것처럼, 상기 반도체 기판(12)에 TiN 막질을 형성하기 위하여 상기 반도체 기판(12)이 600℃로 가열된 반도체 소자 제조 장비의 가열부(11) 위에 놓여져 있는 상태에서 NH3 가스와 TiCl₄ 가스가 유입된다.
금속 산화막이 Hf 산화물을 포함하는 경우에는 Hf 산화물과 TiCl4의 반응으로 생성된 HfCl4, Hf 이온과 같은 Hf 성분과 NH3가 반응하여 HfN을 생성한다. HfCl₄는 기체로 존재하나 HfN은 고체로 존재하여 도 3d에 도시된 것처럼, 상기 반도체 기판(12)이 놓여 있지 않은 영역에 HfN을 포함하는 제 2 부산물 막질(14)이 형성된다.
상기 반도체 기판(12)이 반도체 소자 제조 장비의 외부 반출되어 상기 가열부(11) 위에 상기 반도체 기판(12)이 없는 상태에서는 상기 반도체 기판(12)이 놓여 있던 가열부(11) 위에 잔류하는 산소 성분과 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 Hf 성분이 반응하여 Hf 산화물을 생성하고, 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 Hf 성분과 NH3가 반응하여 HfN을 생성한다. 그 결과, 상기 반도체 기판(12)이 놓여 있던 영역의 가열부(11) 위에 Hf 산화물과 HfN을 포함하는 제 1 부산물 막질(13)이 형성된다.
금속 산화막이 Zr 산화물을 포함하는 경우에는 상기 반도체 기판(12)이 놓여 있던 영역의 가열부(11) 위에 Zr 산화물과 ZrN을 포함하는 제 1 부산물 막질(13)이 형성되고, 상기 반도체 기판(12)이 놓여 있지 않은 영역에 ZrN을 포함하는 제 2 부산물 막질(14)이 형성된다.
다음 단계에서는 상기 반도체 기판(12)을 상기 반도체 소자 제조 장비의 외부로 반출시켜 상기 반도체 기판(12)이 없는 상태에서 상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 금속 산화막의 금속 성분이 상기 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 기화(S13)시킨다
금속 산화막이 Hf 산화물을 포함하는 경우에 상기 제 1 부산물 막질(13)과 상기 제 2 부산물 막질(14)에 포함되어 있는 Hf 산화물과 HfN을 기화시킬 수 있는 가스 물질로 TiCl₄가 이용된다. 상기 가열부(11)가 600 ℃로 가열된 상태에서 도 3e에 도시된 것처럼, 상기 제 1 부산물 막질(13)과 상기 제 2 부산물 막질(14)에 TiCl₄가 유입되면 TiCl₄는 Hf 산화물과 반응하여 HfCl₄를 생성하고, 또한 HfN과 도 반응하여 HfCl₄를 생성한다. 그러나 HfCl₄는 기체로 존재하기 때문에 기화되어 도 3f에 도시된 것처럼, 상기 제 1 부산물 막질(13)과 상기 제 2 부산물 막질(14)은 제거된다.
그리고 금속 산화막이 Zr 산화물을 포함하는 경우에도 TiCl₄를 이용하여 제 1 부산물 막질(13)과 제 2 부산물 막질(14)에 포함되어 있는 Zr 산화물과 ZrN을 기화시킬 수 있다. TiCl₄는 Zr 산화물과 반응하여 ZrCl₄를 생성하고, ZrN과도 반응하여 ZrCl₄를 생성하며, ZrCl₄도 기체로 존재하므로 제 1 부산물 막질(13)과 제 2 부산물 막질(14)이 제거된다.
TiCl₄는 상기 TiN 막질을 형성하는 공정에서 원료 가스로 이용되므로 제 1 부산물 막질(13)과 제 2 부산물 막질(14)을 제거하는 가스로 TiCl₄를 이용하는 경우에는 별도의 가스를 구비할 필요가 없어 바람직하다.
상기 부산물을 기화시키는 단계(S13)는 상기 TiN 막질을 형성하는 단계(S12)가 수행되는 때마다 실시되는 것이 바람직하다. TiN 막질을 형성하는 단계가 수회 반복하여 수행된 후에 상기 부산물을 기화시키는 단계를 실시하는 경우에는 상기 부산물이 누적되어 형성된 부산물 막질 전체를 충분히 제거하지 못하게 된다. 특히 상기 제 1 부산물 막질(13)이 잔류된 상태에서 TiN 막질을 형성하는 단계를 수행하면 상기 TiN 막질의 특성에 영향을 미치게 되어 반도체 소자 제조 공정의 균일성(uniformity)이 저하될 수 있다.
상기 반도체 기판(12)에 TiN 막질을 형성하는 단계(S12) 이전에 가열부(11) 전면에 TiN 막질을 형성하는 단계(S11)는 선택적으로 수행할 수 있다.
도 4 및 도 5a 내지 도 5i를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법에 대해서 상세히 설명한다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법과 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 나타내는 플로차트이고, 도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 나타내는 단면도들이다.
먼저 첫번째 단계에서는 반도체 소자 제조 장비 내에서 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(22)이 없는 상태에서 반도체 소자 제조 장비의 가열부(21) 전면에 도전성 막질을 형성(S21)한다. 구체적으로, 상기 금속 산화막은 Hf 산화물(HfO2) 또는 Zr 산화물(ZrO2)과 같은 고유전율의 금속 산화물을 포함하고, 상기 도전성 막질은 TiN과 같은 도전성 물질을 포함한다.
금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(22)이 없는 상태에서 상기 가열부(21) 전면에 NH3 가스와 TiCl₄ 가스가 유입되어, 상기 가열부(21) 전면에 TiN 막질이 형성된다. 그럼으로써 후속 단계에서 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(22)에 TiN 막질을 형성(S22)하는 경우에 반도체 소자 제조 장비의 공정 진행 조건 분위기를 조성하여 효과적으로 TiN 막질을 형성할 수 있다.
이 때, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역을 제외하고 TiN 막질(225)을 형성하는 것이 바람직하다. 그럼으로써 상기 단계(S21)를 반복하여 수행하는 경우에 상기 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역의 가열부(21) 위 에는 누적되어 형성되는 TiN 막질의 두께를 감소시킬 수 있다.
상기 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역을 제외하고 TiN 막질을 형성하기 위해서는 도 5a에 도시된 것처럼, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역에 더미 반도체 기판(222)을 위치시킨 상태에서 가열부(21) 전면에 NH3 가스와 TiCl₄ 가스를 유입시킨다. 그럼으로써 도 5b에 도시된 것처럼, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역을 제외하고 TiN 막질(225)이 형성된다.
다음 단계에서는 도 5c에 도시된 것처럼, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판(22)이 가열부(21) 위에 놓여져 있는 상태에서 가열부(21) 전면에 NH3 가스와 TiCl₄ 가스를 유입시켜 상기 반도체 기판(22)에 TiN 막질을 형성(S22)한다. 그럼으로써 도 5d에 도시된 것처럼, 상기 반도체 기판(22)이 놓여 있던 영역의 가열부(21) 위에는 제 1 부산물 막질(23)이 형성되고, 상기 TiN 막질이 형성되어 있는 영역에는 제 2 부산물 막질(24)이 형성된다.
다음 단계에서는 5e에 도시된 것처럼, 상기 반도체 기판(22)을 상기 반도체 소자 제조 장비의 외부로 반출시켜 상기 반도체 기판(22)이 없는 상태에서 제 1 부산물 막질(23)과 제 2 부산물 막질(24) 전면에 TiN 막질을 형성하기 위하여 NH3 가스와 TiCl₄ 가스를 유입(S23)시킨다. 제 1 부산물 막질(23)과 제 2 부산물 막질(24) 전면에 TiCl₄ 가스가 유입되면 상술한 것처럼, TiCl₄ 가스가 제 1 부산물 막질(23)의 부산물이나 제 2 부산물 막질(24)의 부산물과 반응하여 기화되므로 제 1 부산물 막질(23)과 제 2 부산물 막질(24)은 제거되고 도 5f에 도시된 것처럼, 가열부(21) 전면에 TiN 막질이 형성된다. 가열부(21) 전면에 TiN 막질이 형성되는 경우에는 별도의 부산물을 생성하지 않으면서 제 1 부산물 막질(23)과 제 2 부산물 막질(24)을 제거할 수 있으므로 바람직하다. 또한 상술한 것처럼, 상기 가열부(21) 전면에 TiN 막질을 형성하는 단계(S23)는 상기 반도체 기판(22)에 TiN 막질을 형성하는 단계(S22)가 수행되는 때마다 실시되는 것이 바람직하다.
제 1 부산물 막질(23)과 제 2 부산물 막질(24) 전면에 NH3 가스와 TiCl₄ 가스를 유입시킬 때에 TiCl₄ 가스를 NH3 가스보다 먼저 유입시키는 것이 바람직하다.
TiCl₄ 가스를 제 1 부산물 막질(23)의 부산물이나 제 2 부산물 막질(24)의 부산물과 반응하여 기화물(예를 들면, HfCl₄)을 형성할 수 있는 정도의 시간만큼 NH3 가스보다 먼저 유입시킴으로써 제 1 부산물 막질(23)과 제 2 부산물 막질(24)을 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
상기 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역의 가열부(21) 위에 형성되는 TiN 막질(25)의 두께(d)는 5 ∼ 20 Å인 것이 바람직하다. 그럼으로써 제 1 부산물 막질(23)과 제 2 부산물 막질(24)을 충분히 제거할 뿐만 아니라 상기 단계(S23)를 반복하여 수행하는 경우에 상기 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역의 가열부(21) 위에는 누적되어 형성되는 TiN 막질(25)의 두께를 감소시킬 수 있다.
다음 단계에서는 상기 반도체 기판(22)에 TiN 막질을 형성하는 단계(S22) 및 상기 가열부(21) 전면에 TiN 막질을 형성하는 단계(S23)를 반복하여 수행한 후에 상기 가열부(21) 위에 누적되어 형성되는 TiN 막질을 제거(S25)한다.
상기 반도체 기판(22)에 TiN 막질을 형성하는 단계(S22) 및 상기 가열부(21) 전면에 TiN 막질을 형성하는 단계(S23)를 반복하여 수행하면 도 5g에 도시된 것처럼, 가열부(21) 전면에 TiN 막질(25, 225)이 누적되어 형성된다.
특히 상기 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역의 가열부(21) 위에 누적되어 형성되는 TiN 막질(25)의 두께(dtotal)가 7000 Å이상인 상태에서 상기 반도체 기판(22)에 TiN 막질을 형성하는 경우에는 상기 반도체 기판(22)에 형성되는 TiN 막질의 비저항 특성에 영향을 주어 상기 TiN 막질의 저항값을 변동시킬 수 있다.
그러므로 상기 반도체 기판(22)이 놓여지는 영역의 가열부(21) 위에 누적되어 형성되는 TiN 막질의 두께가 7000 Å이상이 되면 가열부(21) 전면에 형성되어 있는 TiN 막질(25, 225)을 제거하는 것이 바람직하다.
가열부(21) 전면에 형성되어 있는 TiN 막질(25, 225)은 도 5g에 도시된 것처럼, 300 ℃ 로 가열된 가열부(21) 전면에 ClF₃ 가스를 유입시켜 제거한다. ClF₃ 가스는 TiN과 반응하여 TiF4를 생성하며, TiF4는 기화된다. 결국 도 5i에 도시된 것처럼, 가열부(21) 전면에 형성되어 있는 TiN 막질(25, 225)이 제거된다.
상기 반도체 기판(22)에 TiN 막질을 형성하는 단계(S22) 이전에 가열부(21) 전면에 TiN 막질을 형성하는 단계(S21)나 상기 가열부(21) 위에 누적되어 형성되는 TiN 막질을 제거하는 단계(S24)는 선택적으로 수행할 수 있다.
본 발명은 이하의 비제한적인 실험예들을 통해 보다 자세히 설명될 것이다.
한편, 여기에 기재되지 않은 내용은 당업자라면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
<실험예 1>
반도체 소자 제조 장비 내에서 NH3 가스와 TiCl₄ 가스를 원료 가스로 이용하여 Hf 산화물을 포함하는 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 TiN 막질을 형성하였다. 그리고 상기 반도체 기판을 반도체 소자 제조 장비의 외부로 반출시켜 상기 반도체 기판이 없는 상태에서 반도체 소자 제조 장비의 가열부 위에 잔류하는 부산물과 반도체 소자 제조 장비의 원료 가스 제공부 표면에 잔류하는 부산물의 성분을 분석하였다.
분석 결과, 반도체 소자 제조 장비의 가열부 위에 잔류하는 부산물과 원료 가스 제공부 표면에 잔류하는 부산물의 성분은 HfN과 Hf 산화물임을 알 수 있었다.
<실험예 2>
본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 수행한 후에 반도체 소자 제조 장비의 가열부 위에 잔류하는 부산물과 반도체 소자 제조 장비의 원료 가스 제공부 표면에 잔류하는 부산물의 성분을 분석하였다.
분석 결과, 반도체 소자 제조 장비의 가열부 위에 잔류하는 부산물과 원료 가스 제공부 표면에 잔류하는 부산물의 성분에는 HfN과 Hf 산화물의 성분이 거의 존재하지 않음을 알 수 있었다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 경우에 생성되는 부산물을 도전성 막질을 형성하는 때마다 제거하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법을 제공할 수 있다.
Claims (23)
- 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계;상기 반도체 소자 제조 장비로부터 상기 반도체 기판을 반출시키는 단계;및상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 금속 산화막의 금속 성분이 상기 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 제거하는 단계 를 포함하며,상기 부산물을 제거하는 단계는 상기 도전성 막질을 형성하는 단계가 수행되는 때마다 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속 산화막은 Hf 산화물 또는 Zr 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제2항에 있어서,상기 도전성 막질은 TiN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계;상기 반도체 소자 제조 장비로부터 상기 반도체 기판을 반출시키는 단계;및상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 금속 산화막의 금속 성분이 상기 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 기화시키는 단계 를 포함하며,상기 부산물을 기화시키는 단계는 상기 도전성 막질을 형성하는 단계가 수행되는 때마다 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제4항에 있어서,상기 금속 산화막은 Hf 산화물 또는 Zr 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제5항에 있어서,상기 도전성 막질은 TiN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제6항에 있어서 상기 부산물을 기화시키는 단계에서는,상기 부산물을 TiCl₄를 이용하여 기화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제4항에 있어서,상기 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도선성 막질을 형성하는 단계 이전에 상기 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판이 없는 상태에서 상기 반도체 제조 장비의 가열부 전면에 상기 도전성 막질을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제8항에 있어서 상기 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계 이전에 상기 도전성 막질을 형성하는 단계에서는,상기 반도체 기판이 놓여지는 영역을 제외하고 상기 도전성 막질이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제9항에 있어서,상기 도전성 막질은 TiN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 반도체 소자 제조 장비 내에서 도전성 원자를 포함하는 원료 가스를 이용하여, 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계;상기 반도체 소자 제조 장비로부터 상기 반도체 기판을 반출시키는 단계;및상기 반도체 소자 제조 장비의 가열부 전면에 상기 도전성 막질을 형성하여 상기 반도체 소자 제조 장비 내에 잔류하는 상기 금속 산화막의 금속 성분이 상기 원료 가스 또는 산소 성분과 반응하여 형성된 하나 이상의 부산물을 기화시키는 단계를 포함하며,상기 부산물을 기화시키는 단계는 상기 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계가 수행되는 때마다 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 삭제
- 제11항에 있어서,상기 금속 산화막은 Hf 산화물 또는 Zr 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제13항에 있어서,상기 도전성 막질은 TiN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제14항에 있어서,상기 TiN 막질은 TiCl₄와 NH3를 원료 가스로 이용하여 형성하며,상기 가열부 전면에 상기 TiN 막질을 형성하는 단계에서는 상기 TiCl₄ 가스가 상기 NH3 가스보다 먼저 유입되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제14항에 있어서,상기 가열부 전면에 상기 TiN 막질을 형성하는 단계에서는 상기 반도체 기판이 놓여지는 영역의 가열부 위에 형성되는 TiN 막질의 두께는 5 ∼ 20 Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제11항에 있어서,상기 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계 및 상기 가열부 전면에 도전성 막질을 형성하는 단계를 반복하여 수행한 후에 상기 가열부 위에 누적되어 형성되는 상기 도전성 막질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제17항에 있어서,상기 도전성 막질은 TiN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제18항에 있어서 상기 TiN 막질을 제거하는 단계에서는,상기 반도체 기판이 놓여지는 영역의 가열부 위에 누적되어 형성되는 TiN 막질의 두께가 7000 Å 이상인 경우에 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제19항에 있어서 상기 TiN 막질을 제거하는 단계에서는,상기 가열부 위에 누적되어 형성되는 TiN 막질은 ClF₃ 가스를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제11항에 있어서,상기 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판에 도선성 막질을 형성하는 단계 이전에 상기 금속 산화막이 형성되어 있는 반도체 기판이 없는 상태에서 상기 가열부 전면에 상기 도전성 막질을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제21항에 있어서 상기 반도체 기판에 도전성 막질을 형성하는 단계 이전에 상기 도전성 막질을 형성하는 단계에서는,상기 반도체 기판이 놓여지는 영역을 제외하고 상기 도전성 막질이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
- 제22항에 있어서,상기 도전성 막질은 TiN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법.
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| US20120171797A1 (en) * | 2010-12-08 | 2012-07-05 | Applied Materials, Inc. | Seasoning of deposition chamber for dopant profile control in led film stacks |
| CN105551954A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-05-04 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种沉积氮化钛薄膜的方法 |
| JP6600588B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2019-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB788353A (en) | 1954-07-26 | 1958-01-02 | Plessey Co Ltd | Improvements in and relating to storage devices |
| IT1115156B (it) * | 1979-04-06 | 1986-02-03 | Getters Spa | Leghe zr-fe per l'assorbimento di idrogeno a basse temperature |
| US5685963A (en) * | 1994-10-31 | 1997-11-11 | Saes Pure Gas, Inc. | In situ getter pump system and method |
| US6699530B2 (en) * | 1995-07-06 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method for constructing a film on a semiconductor wafer |
| US5610106A (en) * | 1995-03-10 | 1997-03-11 | Sony Corporation | Plasma enhanced chemical vapor deposition of titanium nitride using ammonia |
| US6419986B1 (en) * | 1997-01-10 | 2002-07-16 | Chevron Phillips Chemical Company Ip | Method for removing reactive metal from a reactor system |
| JP3624628B2 (ja) * | 1997-05-20 | 2005-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JPH1116858A (ja) * | 1997-06-21 | 1999-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 |
| IT1297013B1 (it) * | 1997-12-23 | 1999-08-03 | Getters Spa | Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore |
| TW514996B (en) * | 1999-12-10 | 2002-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| US6395100B1 (en) * | 2000-01-03 | 2002-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of improving vacuum quality in semiconductor processing chambers |
| JP3863391B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2006-12-27 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP3806868B2 (ja) | 2002-01-07 | 2006-08-09 | 株式会社日立製作所 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| JP2003221671A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理方法 |
| US6617209B1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-09 | Intel Corporation | Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric |
| KR100574150B1 (ko) | 2002-02-28 | 2006-04-25 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조방법 |
| US20050169766A1 (en) * | 2002-09-13 | 2005-08-04 | Saes Getters S.P.A. | Getter compositions reactivatable at low temperature after exposure to reactive gases at higher temperature |
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