JPS5857491A - 緑色螢光体の製造方法 - Google Patents
緑色螢光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5857491A JPS5857491A JP56155084A JP15508481A JPS5857491A JP S5857491 A JPS5857491 A JP S5857491A JP 56155084 A JP56155084 A JP 56155084A JP 15508481 A JP15508481 A JP 15508481A JP S5857491 A JPS5857491 A JP S5857491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- fluorescent material
- flux
- green fluorescent
- brightness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は緑色螢光体の#!盾方法に関するものであり
、更に詳細には、YSA45o、2: Tbからなる緑
色螢光体の製造方法に関する4のである。この緑色螢光
体は投写形投影管に用いる蛍光体として特に有用である
。
、更に詳細には、YSA45o、2: Tbからなる緑
色螢光体の製造方法に関する4のである。この緑色螢光
体は投写形投影管に用いる蛍光体として特に有用である
。
投写形投影管は通常の陰極縁彦に比べて朧励起するため
に、その螢光面の温度が上昇し、そこに使用される螢光
体が暗くなり、rなわち温度消光を起し、また電流輝度
飽和が生ずる。そこで、かかる現象を抑制するために、
−1アンによる空冷方式や液冷方式などによってその投
写形投影管の螢光面の温度上昇を少なくしたり、または
電流j*度飽和特性の良い螢光体を使用することが行な
われてiる。しかしながら、それらの効果も大したこと
はなく、赤色、緑色および育色のうち、特に緑色の温度
消光がはげしく、ホワイトバランスがくずれるという現
象が起っている。また、現在主流の液冷方式によっても
、投写形投影管の螢光面の温度は約80℃にもなり、現
在使用されているGd2O2S : ’rb緑色螢光体
の初期輝度が約174も低下することになり大きな問題
となっていた。そこで、投写形投影管を更に明るくする
ため、w;i密度を上げて螢光体を励起しようとしても
、現在使用されているGd2028 : ’rbは必ず
しも曳い電流輝度飽和特性を有しているとはいえない。
に、その螢光面の温度が上昇し、そこに使用される螢光
体が暗くなり、rなわち温度消光を起し、また電流輝度
飽和が生ずる。そこで、かかる現象を抑制するために、
−1アンによる空冷方式や液冷方式などによってその投
写形投影管の螢光面の温度上昇を少なくしたり、または
電流j*度飽和特性の良い螢光体を使用することが行な
われてiる。しかしながら、それらの効果も大したこと
はなく、赤色、緑色および育色のうち、特に緑色の温度
消光がはげしく、ホワイトバランスがくずれるという現
象が起っている。また、現在主流の液冷方式によっても
、投写形投影管の螢光面の温度は約80℃にもなり、現
在使用されているGd2O2S : ’rb緑色螢光体
の初期輝度が約174も低下することになり大きな問題
となっていた。そこで、投写形投影管を更に明るくする
ため、w;i密度を上げて螢光体を励起しようとしても
、現在使用されているGd2028 : ’rbは必ず
しも曳い電流輝度飽和特性を有しているとはいえない。
そこで1本発明者らは、緑色螢光体について種種検討し
た緒来、Y5#5012 : Tbを新規な方法で製造
することにより、従来の緑色螢光体が有する温度消光お
よび電流14度飽和特性についての欠点を大巾に改善で
きることを見出した。この化合物は、例えば、YsAJ
50+ 2 の単−相におけるYの部位にTbを[ll
tmさせることにより得ることができる。YsAJsO
r 2の生成過程においては、Y#OsやY吉ハが同時
に生成しやす< YSNls012の率−相の生成は困
−である。たとえ化学ljt論比で合成してもその単−
相は得ることが困離である。例えば、中、竹中等(工業
化学、469巻、第6号(1966))によると、原料
を1490℃で5時間焼成した後、粉砕、混合)よび成
形し、再び1490℃で24時間焼成してはじめてY5
)Jl 5012の単−相が得られたとの報告がなされ
ている。また、ジエー・ニス健アベル等(J、8.Ab
ell et al、) (J、Matcr、8ci、
、第9巻(1974) )は、原料を1500℃で焼
成した後1粉砕および混合して再び1600℃で2時間
焼成してYsAI!!sO+2の単−相が得られたと報
告している。更に、その単−相のYの部位に置換させる
Tbの原料であるTbはTb4O7の形で市販されてい
て、Tb’!+の形では必ずしも安定でなく、Yの部位
に置換するにはTl)什を還元する必要がある。したが
って、これらのことが、Y5k15012:Tbの単−
相を得るのを−1−困娠にしていた。
た緒来、Y5#5012 : Tbを新規な方法で製造
することにより、従来の緑色螢光体が有する温度消光お
よび電流14度飽和特性についての欠点を大巾に改善で
きることを見出した。この化合物は、例えば、YsAJ
50+ 2 の単−相におけるYの部位にTbを[ll
tmさせることにより得ることができる。YsAJsO
r 2の生成過程においては、Y#OsやY吉ハが同時
に生成しやす< YSNls012の率−相の生成は困
−である。たとえ化学ljt論比で合成してもその単−
相は得ることが困離である。例えば、中、竹中等(工業
化学、469巻、第6号(1966))によると、原料
を1490℃で5時間焼成した後、粉砕、混合)よび成
形し、再び1490℃で24時間焼成してはじめてY5
)Jl 5012の単−相が得られたとの報告がなされ
ている。また、ジエー・ニス健アベル等(J、8.Ab
ell et al、) (J、Matcr、8ci、
、第9巻(1974) )は、原料を1500℃で焼
成した後1粉砕および混合して再び1600℃で2時間
焼成してYsAI!!sO+2の単−相が得られたと報
告している。更に、その単−相のYの部位に置換させる
Tbの原料であるTbはTb4O7の形で市販されてい
て、Tb’!+の形では必ずしも安定でなく、Yの部位
に置換するにはTl)什を還元する必要がある。したが
って、これらのことが、Y5k15012:Tbの単−
相を得るのを−1−困娠にしていた。
そこで、この発明は、1匿消光および電流輝度飽和荷件
の優れた緑色螢光体の製造方法を提供するものである。
の優れた緑色螢光体の製造方法を提供するものである。
この発明に係る製造方法は、Y−)Le5012 :
’rbの合成の際に、13aF′2もしくはBa(J
2 またはその混合物のフラックスを用いて、密閉条件
下で焼成してフラックスが外部に蒸発するのを防止して
、暁成後に残留フラックスを除去することからなってい
る。
’rbの合成の際に、13aF′2もしくはBa(J
2 またはその混合物のフラックスを用いて、密閉条件
下で焼成してフラックスが外部に蒸発するのを防止して
、暁成後に残留フラックスを除去することからなってい
る。
Y5AJsO+z : Tbヲ& bX ス6 in
Id、、例J−ハ、Y2O3,4205hよびTb4O
7を適当な量づつ混合して適当な温度で焼成し、所定の
後処理をすればよい。この発明によれば、この合成過程
において、に12もしくはBaC7,またはその混合物
を約60モル−までの割合で混合するのが好ましく、約
10ないし20モルチがより好ましい。焼成温度につい
ては、そのピーク温度が約1600℃ないし1600℃
の範囲になるようにするのが好ましく、またその焼成時
間は約1ないし8時間であるのが好ましい。焼成に1吏
用する装置は、特に、使用するフラックスの蒸発−こよ
る装置内での減量を防止しうるものであれはいずれでも
よく、たとえば、アルミナ製の蓋付きルツボを高温lこ
耐えうる適当な接着剤1こよって密閉しうるものがよい
。
Id、、例J−ハ、Y2O3,4205hよびTb4O
7を適当な量づつ混合して適当な温度で焼成し、所定の
後処理をすればよい。この発明によれば、この合成過程
において、に12もしくはBaC7,またはその混合物
を約60モル−までの割合で混合するのが好ましく、約
10ないし20モルチがより好ましい。焼成温度につい
ては、そのピーク温度が約1600℃ないし1600℃
の範囲になるようにするのが好ましく、またその焼成時
間は約1ないし8時間であるのが好ましい。焼成に1吏
用する装置は、特に、使用するフラックスの蒸発−こよ
る装置内での減量を防止しうるものであれはいずれでも
よく、たとえば、アルミナ製の蓋付きルツボを高温lこ
耐えうる適当な接着剤1こよって密閉しうるものがよい
。
前述したような工程によって得られたY3Al5O12
:Tbであって、酸またはアルカリ処理をしていないも
のを用いて投写杉投影管を作製した場合、励起初期にお
ける輝度は従来から使用されているGd2U2S:Th
とはは同等であるが、ある時間経過した後番こはその輝
度は低下し、その螢光面が茶色に着色する現象、すなわ
ち螢光体の1焼け」か生じた。そこで、その螢光体の粒
子表面をX?fM回析によシ調べ念ところ、残留したフ
ラックスがその粒子表面fこ付着していることか確認さ
れた。そこで、その)2ツクスが蒸発する温度以上で、
楕々の気体中、たとえは、窒気、N2、H2まA−はN
2+H2中でアニールし九が、好ましい結果が得られな
かった。そこで、適当な磯度の#たとえば硝酸、塩酸な
ど、アルカリ、たとえば水酸化ナトリウムなどの水溶液
で洗浄すると好ましい結果が得られることが判明した。
:Tbであって、酸またはアルカリ処理をしていないも
のを用いて投写杉投影管を作製した場合、励起初期にお
ける輝度は従来から使用されているGd2U2S:Th
とはは同等であるが、ある時間経過した後番こはその輝
度は低下し、その螢光面が茶色に着色する現象、すなわ
ち螢光体の1焼け」か生じた。そこで、その螢光体の粒
子表面をX?fM回析によシ調べ念ところ、残留したフ
ラックスがその粒子表面fこ付着していることか確認さ
れた。そこで、その)2ツクスが蒸発する温度以上で、
楕々の気体中、たとえは、窒気、N2、H2まA−はN
2+H2中でアニールし九が、好ましい結果が得られな
かった。そこで、適当な磯度の#たとえば硝酸、塩酸な
ど、アルカリ、たとえば水酸化ナトリウムなどの水溶液
で洗浄すると好ましい結果が得られることが判明した。
ま友洗浄(7た後の螢光体をX線回折−こより−べたと
ころ、使用したフラックスのピークは吃はや存在しない
ことか観察された。
ころ、使用したフラックスのピークは吃はや存在しない
ことか観察された。
前述したようにして得られた緑色螢光体は、相対輝度が
向上すると共Eこ、「焼け」lども強いものが得られた
。この発明に係る製造方法は、従来の方法に比べで、
Y5Al5O42: Tbからなる優れ−た性能を有す
る緑色螢光体を簡単に製造することかできる。
向上すると共Eこ、「焼け」lども強いものが得られた
。この発明に係る製造方法は、従来の方法に比べで、
Y5Al5O42: Tbからなる優れ−た性能を有す
る緑色螢光体を簡単に製造することかできる。
以下、実施例によりこの発明を説明する。
実施例1
y5u5o、2:’l”b (Tb / Y+Tb =
5モル%)1モルを焼成して生成するに必要な原料と
して、 Y2O5321,78jl。
5モル%)1モルを焼成して生成するに必要な原料と
して、 Y2O5321,78jl。
A12Us 254.911およびTb4O728,0
411を粉末のまま混合し、これにフラックスとしてB
aF2 (t fc、 ハBaCl2 ) の量を槽
々変えて、昇温速度を1時間当9200Cの割合で15
0DCにして、この温度で2時間焼成した。この場合、
アルミナ製の蓋付ルツボを用いで、蓋とルツボ本体の間
は、東亜合hXfMの[アロンセラミックDJという接
着剤でシールした。
411を粉末のまま混合し、これにフラックスとしてB
aF2 (t fc、 ハBaCl2 ) の量を槽
々変えて、昇温速度を1時間当9200Cの割合で15
0DCにして、この温度で2時間焼成した。この場合、
アルミナ製の蓋付ルツボを用いで、蓋とルツボ本体の間
は、東亜合hXfMの[アロンセラミックDJという接
着剤でシールした。
なお、20%ル%のBaF2 fr用いて+500C’
f2時間焼成して得たものの輝度を100%とした場合
のそれぞれの相対輝度を第1図1こ)JMす。
f2時間焼成して得たものの輝度を100%とした場合
のそれぞれの相対輝度を第1図1こ)JMす。
第1図の結果から、フラックスのルツボ外への蒸発を効
果的Iこ防止することができ、少量のフラックスでも効
果があることが判明した。
果的Iこ防止することができ、少量のフラックスでも効
果があることが判明した。
実施例2
フンツクス量を20モルチおよび焼成時間を2時間とし
て、焼成温度を変えることにより、実施例1と同様にし
て75M5012:Tbを得た。
て、焼成温度を変えることにより、実施例1と同様にし
て75M5012:Tbを得た。
なお、20モ#%のBaF2を用いて+500Gで2時
間焼成して得たものの輝度を100%とした場合のそれ
ぞれの札対輝度を第2図に示す。
間焼成して得たものの輝度を100%とした場合のそれ
ぞれの札対輝度を第2図に示す。
比較例
実施例2と同様にして螢光体を作成した。ただし、フラ
ックスを全熱使用しなかった。この場合の相対輝度を第
2図1こ示す。
ックスを全熱使用しなかった。この場合の相対輝度を第
2図1こ示す。
第2図から明らかなように、フラックスを使用しない場
合には、相対輝度は低く、+600Uで焼成した場合で
も約85%程度で、その後+6001:’での焼成を繰
り返してもその相対輝度は向上しなかった。これに対し
、この発明によって得たものは、1sooCの焼成温度
ですでに相対解雇が80チ以上となり著しい効果がある
ことが判明した。また、得られた螢光体を電子顕微使写
真で調べてみると、比較例の場合には結晶性が十分でな
かったが、フラックスを用いた場合のY丙s012 :
’rbの結晶成長は著しいときが判明した。
合には、相対輝度は低く、+600Uで焼成した場合で
も約85%程度で、その後+6001:’での焼成を繰
り返してもその相対輝度は向上しなかった。これに対し
、この発明によって得たものは、1sooCの焼成温度
ですでに相対解雇が80チ以上となり著しい効果がある
ことが判明した。また、得られた螢光体を電子顕微使写
真で調べてみると、比較例の場合には結晶性が十分でな
かったが、フラックスを用いた場合のY丙s012 :
’rbの結晶成長は著しいときが判明した。
また、実施例1と同様の条件なるも、シールをしないで
単に蓋だけをしたルツボを使用して得た場合の螢光体の
fIi度は、実施例1の螢光体の輝度の60%であった
。なお、実施例1で使用したようにシールした着付ルツ
ボを使用した場合と、シールをしないで単に蓋だけをし
たルツボを使用した場合におけるBaF2の熱重量分析
の結果を第3図に示す。このグラフから、シールをしな
い場合には、1400Cで約5%、1500cテ10
%(7)BaF2の減量があり、史に1500t:’で
1時間保持したとても約15%のBaF2の減量しかな
かった。この結果から、この発明において高圧に耐える
接着剤を用いてシールした場合の効果は一目瞭然である
。
単に蓋だけをしたルツボを使用して得た場合の螢光体の
fIi度は、実施例1の螢光体の輝度の60%であった
。なお、実施例1で使用したようにシールした着付ルツ
ボを使用した場合と、シールをしないで単に蓋だけをし
たルツボを使用した場合におけるBaF2の熱重量分析
の結果を第3図に示す。このグラフから、シールをしな
い場合には、1400Cで約5%、1500cテ10
%(7)BaF2の減量があり、史に1500t:’で
1時間保持したとても約15%のBaF2の減量しかな
かった。この結果から、この発明において高圧に耐える
接着剤を用いてシールした場合の効果は一目瞭然である
。
なお、この明細書において、乱・閉状態といった場合に
は、この発明における焼成条件下で7ラツクスの蒸発が
得られる螢光体の緑色螢光体の前述した特性を実質的に
は低下させない程度に抑えるときができる状態を意味す
るもσ)とする0また、この発明においては、原料を前
述したフラックスさ共に所定温度で所定時間燐酸して得
られたYsAノs012 : Thは、残留フラックス
を除去するために、酸Iたはアルカリで洗浄される。こ
の洗浄外ないし60分間攪拌してその螢光体に付着して
いた残留フラックスを除去した。下表には、この洗浄後
の試料の[焼けJの強さと、洗浄液中に抽出してきたB
a”+量とを示した。なお、添加したBaF2が蒸発せ
ずにすべて抽出された場合には757μi/Itとなる
ように爽整した。
は、この発明における焼成条件下で7ラツクスの蒸発が
得られる螢光体の緑色螢光体の前述した特性を実質的に
は低下させない程度に抑えるときができる状態を意味す
るもσ)とする0また、この発明においては、原料を前
述したフラックスさ共に所定温度で所定時間燐酸して得
られたYsAノs012 : Thは、残留フラックス
を除去するために、酸Iたはアルカリで洗浄される。こ
の洗浄外ないし60分間攪拌してその螢光体に付着して
いた残留フラックスを除去した。下表には、この洗浄後
の試料の[焼けJの強さと、洗浄液中に抽出してきたB
a”+量とを示した。なお、添加したBaF2が蒸発せ
ずにすべて抽出された場合には757μi/Itとなる
ように爽整した。
注)「焼け」の程度は、現在主体として使用されている
Gd 20.S : Tbを基準にして相対的に目視に
より観察したO X : Gd、02S:Thより「焼け」の程度が大き
いO △: Gd、0,8:Thと「焼け」の程度がほぼ等し
い。
Gd 20.S : Tbを基準にして相対的に目視に
より観察したO X : Gd、02S:Thより「焼け」の程度が大き
いO △: Gd、0,8:Thと「焼け」の程度がほぼ等し
い。
○: Gd、02S:Toより「焼け」の程度が少し弱
い。
い。
◎: Gd、028:Tbより「焼け1の程度が少ない
O 次に、前述したようにして得たこの発明に俤るYi#5
012 :Toを用いて、実際に投写形投影管を作製し
て、従来主f1..!−t、て使用されている(支)2
028:Toを使用した投写形投影管き緒特性を比較し
たO第4図は、螢光面温度の上昇に伴なう相対輝度の変
化を示すものである。この図においては、各螢光体の2
5Cにおける輝度−f−100−とした。実際の投写形
投影管を用いた場合、現在主流の液冷方式でもその螢光
面温度が約80しになり、その温度での初期輝度は約2
6−低下しているのに対し、この発明に誹って使られる
螢光体の場合には80rにおいてもほとんどその初期輝
度は低下していない。
O 次に、前述したようにして得たこの発明に俤るYi#5
012 :Toを用いて、実際に投写形投影管を作製し
て、従来主f1..!−t、て使用されている(支)2
028:Toを使用した投写形投影管き緒特性を比較し
たO第4図は、螢光面温度の上昇に伴なう相対輝度の変
化を示すものである。この図においては、各螢光体の2
5Cにおける輝度−f−100−とした。実際の投写形
投影管を用いた場合、現在主流の液冷方式でもその螢光
面温度が約80しになり、その温度での初期輝度は約2
6−低下しているのに対し、この発明に誹って使られる
螢光体の場合には80rにおいてもほとんどその初期輝
度は低下していない。
館5図には、27KV、8μN保の励起条件下でのω、
028:Thの25C1こおける輝度を100%にした
(・合の相対輝度を示すものであって、この発明で得ら
れた螢光体は、25Cにおいても(1)、0.S: T
bの約97チの輝度を有し、螢光面温度80Cにおける
輝度は、第4図の場合と同じであった。
028:Thの25C1こおける輝度を100%にした
(・合の相対輝度を示すものであって、この発明で得ら
れた螢光体は、25Cにおいても(1)、0.S: T
bの約97チの輝度を有し、螢光面温度80Cにおける
輝度は、第4図の場合と同じであった。
棺6図は、実際の投写形投影管での電流密度の変化に対
する電流輝度勢性を示すものである。両螢光体は共に、
この特性は優ねているこきが明らかである。
する電流輝度勢性を示すものである。両螢光体は共に、
この特性は優ねているこきが明らかである。
糾1図は7ラソクス添加量に対する相対wP度を示すグ
ラフ、第2図は焼成温度に対する相対輝度を示すグラフ
、謝6図は熱重量分析結果を示すグラフ、第4図および
第5図はそれぞわ螢光面温度に対する相対輝度を示すグ
ラフ、第6EJは電流密度に対する輝度を示すグラフで
あるO 代理人 上屋 勝 ! @ 奎1 修 図面の浄古(内容に変更なし) 第1図 J/θ 2θ 3θ フラ、7ヌ5不J 、J号(F−/L%)第2図 13θθ 14θ0 1Jθθ 16θθス克 戸
芝月覧s−<’c) (′ム令)手続補正書(方式) 昭和57年a月 5日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和56年特許願第155084号 2、発明の名称 東Sj轄1:品用l北品用6丁1」7番35号(218
)ソニー株式会社 6 袖正により増加する発明の数 7、補正の対象 図面
ラフ、第2図は焼成温度に対する相対輝度を示すグラフ
、謝6図は熱重量分析結果を示すグラフ、第4図および
第5図はそれぞわ螢光面温度に対する相対輝度を示すグ
ラフ、第6EJは電流密度に対する輝度を示すグラフで
あるO 代理人 上屋 勝 ! @ 奎1 修 図面の浄古(内容に変更なし) 第1図 J/θ 2θ 3θ フラ、7ヌ5不J 、J号(F−/L%)第2図 13θθ 14θ0 1Jθθ 16θθス克 戸
芝月覧s−<’c) (′ム令)手続補正書(方式) 昭和57年a月 5日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和56年特許願第155084号 2、発明の名称 東Sj轄1:品用l北品用6丁1」7番35号(218
)ソニー株式会社 6 袖正により増加する発明の数 7、補正の対象 図面
Claims (1)
- Y5N15012 : Thの合成に当って、BaF2
もしくはBaCl21たはその混合物の7ツツクスを用
いて密閉状態で焼成し、そして、得られた生成物を酸ま
たはアルカリで洗浄しY5A150,2: Tbを得る
ことを特徴とする緑色螢光体の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56155084A JPS5857491A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 緑色螢光体の製造方法 |
KR8204330A KR880002599B1 (ko) | 1981-09-30 | 1982-09-25 | 녹색형광체의 제조방법 |
AU88742/82A AU558692B2 (en) | 1981-09-30 | 1982-09-27 | Green phosphor of formula y3a15o12&tb |
CA000412394A CA1199474A (en) | 1981-09-30 | 1982-09-28 | Method of manufacturing a green phosphor |
GB08227684A GB2106924B (en) | 1981-09-30 | 1982-09-28 | Method of manufacturing a green phosphor |
DE19823236111 DE3236111A1 (de) | 1981-09-30 | 1982-09-29 | Verfahren zur herstellung eines gruenen leuchtstoffes |
NL8203782A NL8203782A (nl) | 1981-09-30 | 1982-09-29 | Werkwijze ter bereiding van een groene fosfor. |
FR8216490A FR2513650B1 (fr) | 1981-09-30 | 1982-09-30 | Procede de fabrication de phosphore vert |
US06/430,952 US4469619A (en) | 1981-09-30 | 1982-09-30 | Method of manufacturing a green phosphor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56155084A JPS5857491A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 緑色螢光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5857491A true JPS5857491A (ja) | 1983-04-05 |
JPS6121586B2 JPS6121586B2 (ja) | 1986-05-28 |
Family
ID=15598300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56155084A Granted JPS5857491A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 緑色螢光体の製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4469619A (ja) |
JP (1) | JPS5857491A (ja) |
KR (1) | KR880002599B1 (ja) |
AU (1) | AU558692B2 (ja) |
CA (1) | CA1199474A (ja) |
DE (1) | DE3236111A1 (ja) |
FR (1) | FR2513650B1 (ja) |
GB (1) | GB2106924B (ja) |
NL (1) | NL8203782A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60162732A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-24 | Nisshin Steel Co Ltd | 焼付硬化性を有するプレス成形性の優れた高強度冷延鋼板の製造法 |
JP2012077300A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Chi Mei Corp | 精密に制御された元素組成物を有する蛍光体を提供する方法、同方法で提供された蛍光体、蛍光体、及び該蛍光体を含む発光デバイス |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60101175A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-05 | Sony Corp | 投射型テレビ用緑色螢光体 |
JPS62104893A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Sony Corp | 小粒子螢光体の作製方法 |
US4762639A (en) * | 1987-07-23 | 1988-08-09 | Gte Products Corporation | Method of making terbium activated yttrium aluminate phosphor |
KR920010085B1 (ko) * | 1988-07-30 | 1992-11-14 | 소니 가부시기가이샤 | 이트륨 · 알루미늄 · 가넷미립자의 제조방법 |
US5343316A (en) * | 1992-06-30 | 1994-08-30 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Phosphor for use in a cathode-ray tube and display device using one |
US5601751A (en) * | 1995-06-08 | 1997-02-11 | Micron Display Technology, Inc. | Manufacturing process for high-purity phosphors having utility in field emission displays |
KR20010062209A (ko) | 1999-12-10 | 2001-07-07 | 히가시 데쓰로 | 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치 |
US7137353B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
US6798519B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
US7166200B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
US6837966B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
US7166166B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
US7147749B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
US7204912B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
CN1249789C (zh) | 2002-11-28 | 2006-04-05 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理容器内部件 |
US7560376B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-07-14 | Tokyo Electron Limited | Method for adjoining adjacent coatings on a processing element |
KR101016913B1 (ko) | 2003-03-31 | 2011-02-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리요소용 배리어층 및 그의 형성방법 |
US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
US8669694B2 (en) | 2005-11-29 | 2014-03-11 | Kyocera Corporation | Multi-layer electronic component and method for manufacturing the same |
TWI431099B (zh) * | 2010-12-17 | 2014-03-21 | Bell Ceramics Co Ltd | 製造螢光粉之方法及該方法所製得之螢光粉 |
KR101388189B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2014-04-24 | 성균관대학교산학협력단 | 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조 방법 |
KR101503797B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2015-03-19 | 성균관대학교산학협력단 | 염소-함유 실리케이트계 형광체의 알칼리 처리를 이용하여 제조된 형광체 분말 및 그의 제조 방법 |
CN115717074A (zh) * | 2022-10-13 | 2023-02-28 | 英特美光电(苏州)有限公司 | 一种小粒度铝酸盐led粉体的制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3368980A (en) * | 1964-12-24 | 1968-02-13 | Gen Telephone & Elect | Method of preparing yttrium oxide phosphors |
US3485768A (en) * | 1967-06-29 | 1969-12-23 | Westinghouse Electric Corp | Method of preparing europium-activated lanthanum vanadate phosphor |
JPS4823786B1 (ja) * | 1968-08-23 | 1973-07-16 | ||
US4141855A (en) * | 1975-06-02 | 1979-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing cerium-activated phosphor of improved characteristic |
JPS5918433B2 (ja) * | 1975-06-02 | 1984-04-27 | 松下電器産業株式会社 | 螢光体 |
JPS5927787B2 (ja) * | 1977-04-13 | 1984-07-07 | 株式会社東芝 | 紫外線励起形螢光体 |
JPS541287A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-08 | Sony Corp | Fluorescent substance |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155084A patent/JPS5857491A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-25 KR KR8204330A patent/KR880002599B1/ko active
- 1982-09-27 AU AU88742/82A patent/AU558692B2/en not_active Ceased
- 1982-09-28 CA CA000412394A patent/CA1199474A/en not_active Expired
- 1982-09-28 GB GB08227684A patent/GB2106924B/en not_active Expired
- 1982-09-29 NL NL8203782A patent/NL8203782A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-09-29 DE DE19823236111 patent/DE3236111A1/de active Granted
- 1982-09-30 US US06/430,952 patent/US4469619A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-30 FR FR8216490A patent/FR2513650B1/fr not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60162732A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-24 | Nisshin Steel Co Ltd | 焼付硬化性を有するプレス成形性の優れた高強度冷延鋼板の製造法 |
JP2012077300A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Chi Mei Corp | 精密に制御された元素組成物を有する蛍光体を提供する方法、同方法で提供された蛍光体、蛍光体、及び該蛍光体を含む発光デバイス |
US9200197B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-12-01 | Chi Mei Corporation | Method of providing a phosphor with a precisely controlled element composition, a phosphor provided by the same, a phosphor, and a light emitting device comprising the said phosphor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2106924B (en) | 1985-07-10 |
AU558692B2 (en) | 1987-02-05 |
NL8203782A (nl) | 1983-04-18 |
DE3236111A1 (de) | 1983-04-07 |
DE3236111C2 (ja) | 1992-03-12 |
CA1199474A (en) | 1986-01-21 |
FR2513650B1 (fr) | 1986-12-26 |
FR2513650A1 (fr) | 1983-04-01 |
JPS6121586B2 (ja) | 1986-05-28 |
KR840001617A (ko) | 1984-05-16 |
KR880002599B1 (ko) | 1988-12-03 |
AU8874282A (en) | 1983-04-14 |
GB2106924A (en) | 1983-04-20 |
US4469619A (en) | 1984-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5857491A (ja) | 緑色螢光体の製造方法 | |
WO2018209888A1 (zh) | 一种红色荧光粉、其制备方法及其所制成的发光装置 | |
JP2661952B2 (ja) | けい光体の製造方法 | |
EP0082570B1 (en) | Luminescent screen | |
WO2020211875A1 (zh) | 荧光红粉材料及其制备方法、含有荧光红粉材料的发光装置 | |
Chen et al. | Luminescence properties of BAM phosphor synthesized by TEA coprecipitation method | |
US4938890A (en) | Method of making YTaO4 :Nb phosphor with improved brightness using lithium chloride-lithium sulfate eutectic flux | |
WO1995031002A1 (fr) | Composition de verre pour enduction au phosphore et lampe fluorescente | |
JPH1192133A (ja) | 珪酸塩−硼酸塩発光物 | |
JPS62260885A (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
JPS59138291A (ja) | 高透光性螢光膜の形成方法 | |
US3380926A (en) | Method for preparing a europium-activated yttrium vanadate phosphor | |
JPH03203984A (ja) | 改善された明るさを有するニオブ活性化イットリウムタンタル酸塩のx線蛍光物質及びその製造方法 | |
JPH01167394A (ja) | 蛍光体 | |
KR100415133B1 (ko) | Bam 형광체의 입자형태 조절방법 | |
JP3834290B2 (ja) | 球状青色蛍光体の製造方法 | |
JP2878337B2 (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
JP2875058B2 (ja) | ランタン・セリウム・テルビウムりん酸塩蛍光体の製造方法 | |
JPS6059946B2 (ja) | けい光体の合成方法 | |
KR950011230B1 (ko) | 녹색 발광형광체의 제조방법 | |
JP3102158B2 (ja) | 蛍光体の製造方法および蛍光ランプ | |
US2542360A (en) | Preparation of zinc-beryllium silicate phosphors | |
US5503769A (en) | Method of making an unactivated yttrium tantalate x-ray phosphor | |
US3629131A (en) | Process for producing europium-activated yttrium vanadate phosphors | |
JP2004155885A (ja) | 応力発光材料および発光機能を有する装置 |