JPH03115535A - 希土類金属の酸素低減方法 - Google Patents
希土類金属の酸素低減方法Info
- Publication number
- JPH03115535A JPH03115535A JP25070189A JP25070189A JPH03115535A JP H03115535 A JPH03115535 A JP H03115535A JP 25070189 A JP25070189 A JP 25070189A JP 25070189 A JP25070189 A JP 25070189A JP H03115535 A JPH03115535 A JP H03115535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- oxygen
- earth metal
- film
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産ｌ上り上亙斑互
本発明は１表面が耐食性を有する物質からなる容器を用
いた希土類金属の酸素低減方法に関する。
いた希土類金属の酸素低減方法に関する。
ｌ米辺藍皿
希土類金属は、磁性材料・特殊合金など各種の新素材の
原料として重要である。これらの新素材関係の用途にお
いては、微量の不純物が材料の品質を著しく損なうこと
が多く、このため希土類金属やその合金の製造・処理の
過程では汚染の防止のために配慮する必要がある。例え
ば、希土類金属の加熱・溶解処理は真空中または高純度
の不活性ガス中で行われる。しかし、希土類金属は強い
活性があり、金属の溶融・鋳造の過程でルツボ材料と反
応してルツボを侵食すると同時にそれ自身が汚染される
問題があった。
原料として重要である。これらの新素材関係の用途にお
いては、微量の不純物が材料の品質を著しく損なうこと
が多く、このため希土類金属やその合金の製造・処理の
過程では汚染の防止のために配慮する必要がある。例え
ば、希土類金属の加熱・溶解処理は真空中または高純度
の不活性ガス中で行われる。しかし、希土類金属は強い
活性があり、金属の溶融・鋳造の過程でルツボ材料と反
応してルツボを侵食すると同時にそれ自身が汚染される
問題があった。
従来、こうした侵食性の強い金属を溶融するための材料
としては、ＭｇＯ１Ｃａｂ、ＡＩ２Ｏ３などの還元され
にくい酸化物が用いられてきた。
としては、ＭｇＯ１Ｃａｂ、ＡＩ２Ｏ３などの還元され
にくい酸化物が用いられてきた。
しよ と る
しかし、これらの材料を用いても希土類金属などによる
侵食を十分に防ぐことはできず、酸素が精製あるいは溶
解処理をした金属に混入するため高い品位の製品が得ら
れなかった。
侵食を十分に防ぐことはできず、酸素が精製あるいは溶
解処理をした金属に混入するため高い品位の製品が得ら
れなかった。
以上の問題を解決する方法として、以下の発明を行った
。
。
丑ｊμ月１広
即ち、本発明は、（１）表面が少なくともＹ２Ｏ３また
はＹ２Ｏ３にモル比で２０％以下のＡ１、Ｏｌ、ＭｇＯ
，ＣａＯの一つ以上を混合した耐食性を有する物質から
なる容器を用いて真空中で精製処理を行うことを特徴と
する希土類金属の酸素低減方法、および（２）上記（１
）において、容器が汎用の材料の表面にプラズマ溶射法
を用いて材料の皮膜を形成したものであることを特徴と
する希土類金属の酸素低減方法に関する。
はＹ２Ｏ３にモル比で２０％以下のＡ１、Ｏｌ、ＭｇＯ
，ＣａＯの一つ以上を混合した耐食性を有する物質から
なる容器を用いて真空中で精製処理を行うことを特徴と
する希土類金属の酸素低減方法、および（２）上記（１
）において、容器が汎用の材料の表面にプラズマ溶射法
を用いて材料の皮膜を形成したものであることを特徴と
する希土類金属の酸素低減方法に関する。
るための び
以下に、発明の詳細な説明する。
本発明で対象とする金属とは、希土類金属および希土類
金属を主成分とする合金（ミツシュメタルを含む）等で
ある。
金属を主成分とする合金（ミツシュメタルを含む）等で
ある。
上記の問題を解決する方法として、発明者は希土類金属
に対して耐食性を有する材料としてＹ。
に対して耐食性を有する材料としてＹ。
Ｏ，を利用した。希土類金属の酸化物、特にＹｌｏ、は
、 それ自身が酸素との親和力の強い元素の酸化物であ
るため、希土類金属との反応性が極めて小′さい。この
耐食材料は、それ自身を単独で活性金属の処理用容器と
して用いるか、またはこれを通常用いられている成形が
容易で安価なセラミック材料、例えばＡｔ２Ｏ３、Ｍｇ
Ｏなどからなる容器の表面に皮膜を形成して容器材料に
耐食性を与えて用いる。この皮膜形成による方法は、特
にＹ２Ｏ３のように高価な原料を利用する場合に有用で
ある。
、 それ自身が酸素との親和力の強い元素の酸化物であ
るため、希土類金属との反応性が極めて小′さい。この
耐食材料は、それ自身を単独で活性金属の処理用容器と
して用いるか、またはこれを通常用いられている成形が
容易で安価なセラミック材料、例えばＡｔ２Ｏ３、Ｍｇ
Ｏなどからなる容器の表面に皮膜を形成して容器材料に
耐食性を与えて用いる。この皮膜形成による方法は、特
にＹ２Ｏ３のように高価な原料を利用する場合に有用で
ある。
耐食性材料としては、Ｙ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３にモル比
で２０％までのＡＩ２Ｏ３、ＭｇＯ，ＣａＯを混合した
物質が使用できる。ここで、利用する耐食性材料を希土
類酸化物の中のＹ２Ｏ３に限定するのは、その他の希土
類元素の酸化物は融点から常温までの間で結晶構造が変
化するため、およびＹ、○、が最も反応性が小さいため
である。ＹＲＯ。
で２０％までのＡＩ２Ｏ３、ＭｇＯ，ＣａＯを混合した
物質が使用できる。ここで、利用する耐食性材料を希土
類酸化物の中のＹ２Ｏ３に限定するのは、その他の希土
類元素の酸化物は融点から常温までの間で結晶構造が変
化するため、およびＹ、○、が最も反応性が小さいため
である。ＹＲＯ。
にはその焼結性・膜付けする下地の材料との接着性や密
着性・熱膨張率の整合性向上のため上記のＡＩ、○１、
ＭｇＯ％Ｃａ’Ｏを加えるのが好ましい。
着性・熱膨張率の整合性向上のため上記のＡＩ、○１、
ＭｇＯ％Ｃａ’Ｏを加えるのが好ましい。
ただし、これらの耐食性の劣る酸化物を多量に混合する
と、材料そのものの耐食性が著しく損なわれるので、こ
れらの混合量は２０ｍｏ１％以下にとどめる必要がある
。また、これら以外にも焼結性を向上させる酸化物はあ
るが、耐食性・価格などの点で不適当である。
と、材料そのものの耐食性が著しく損なわれるので、こ
れらの混合量は２０ｍｏ１％以下にとどめる必要がある
。また、これら以外にも焼結性を向上させる酸化物はあ
るが、耐食性・価格などの点で不適当である。
ここで、焼結体単体を容器に用いる場合について、以下
に詳述する。
に詳述する。
焼結体を用いる場合、緻密な焼結体を製造するには、粉
末として平均粒径１０μｍ以下、望ましくは１μｍ以下
の微粉末を利用するのがよい。粉末は、通常の加圧成形
ないしは冷間静水圧成形により圧縮成形する。焼結の温
度は希土類酸化物に添加する助剤の種類や量により異な
るが少なくとも１４００℃以上、好ましくは１７００℃
以上とする。
末として平均粒径１０μｍ以下、望ましくは１μｍ以下
の微粉末を利用するのがよい。粉末は、通常の加圧成形
ないしは冷間静水圧成形により圧縮成形する。焼結の温
度は希土類酸化物に添加する助剤の種類や量により異な
るが少なくとも１４００℃以上、好ましくは１７００℃
以上とする。
また、製膜の場合は次の通りである。
セラミックの膜を形成する方法としては、■スパッター
、■ＣＶＤ、■スラリーの塗布後の焼結、■プラズマ溶
射などが考えられる。しかし、これらの方法のうち■か
ら■には、厚い強度のある膜を作りにくい、ルツボの内
面に付けにくい、製膜速度が遅い、スラリー付着強度が
小さいなどの問題があった。
、■ＣＶＤ、■スラリーの塗布後の焼結、■プラズマ溶
射などが考えられる。しかし、これらの方法のうち■か
ら■には、厚い強度のある膜を作りにくい、ルツボの内
面に付けにくい、製膜速度が遅い、スラリー付着強度が
小さいなどの問題があった。
この発明では、アルミナなどの比較的耐熱性がある汎用
的なセラミック材料からなるルツボの内面に上記の耐蝕
性材料の皮膜をプラズマ溶射により形成する方法を用い
た。ここで、プラズマ溶射を利用する利点としては、■
ある程度複雑な形状の容器表面にも膜付は可能、■大型
化可能、■高速成膜、■十分な厚さの膜付け、■付着強
度が高い、■高融点セラミックへの応用可能、などが挙
げられる。
的なセラミック材料からなるルツボの内面に上記の耐蝕
性材料の皮膜をプラズマ溶射により形成する方法を用い
た。ここで、プラズマ溶射を利用する利点としては、■
ある程度複雑な形状の容器表面にも膜付は可能、■大型
化可能、■高速成膜、■十分な厚さの膜付け、■付着強
度が高い、■高融点セラミックへの応用可能、などが挙
げられる。
プラズマ溶射する粉末としては、平均粒径が１００μｍ
未満好ましくは５０〜５μｍの範囲で球形に近い粒子か
らなる流動性のよいものを使う。
未満好ましくは５０〜５μｍの範囲で球形に近い粒子か
らなる流動性のよいものを使う。
溶射する下地の材料は、溶射や活性金属の処理の温度や
熱ショックに耐えるものであれば限定されないが、仮に
耐食性皮膜が剥がれても下地が活性金属にある程度耐え
つる素材、例えばＡＩ２Ｏ３、ＭｇＯがよい。膜の厚さ
は、５０μｍから１＋＋＋ｎ＋の範囲、より好ましくは
２００〜３００μｍが適当である。５０μｍ未満では膜
強度が小さく、１馴を越えると膜付けに極端に時間がか
かるようになるので、実用的でない。
熱ショックに耐えるものであれば限定されないが、仮に
耐食性皮膜が剥がれても下地が活性金属にある程度耐え
つる素材、例えばＡＩ２Ｏ３、ＭｇＯがよい。膜の厚さ
は、５０μｍから１＋＋＋ｎ＋の範囲、より好ましくは
２００〜３００μｍが適当である。５０μｍ未満では膜
強度が小さく、１馴を越えると膜付けに極端に時間がか
かるようになるので、実用的でない。
〈実施例１〉
平均粒径４μｍのＹ、 Ｏ，に４ｗｔ％（約８ｍ。
ｌｅ％）のＡｌ２Ｏ３粉を加え１７００℃で３時間焼結
し、想定密度の９９％（ｄ＝４．８７）の内径３０ｍｍ
の円筒るつぼ型の焼結体を作った。これを用いてミツシ
ュメタルを真空中で溶解したが表に示したように原料に
対し酸素含有率の増加はわずかであった。
し、想定密度の９９％（ｄ＝４．８７）の内径３０ｍｍ
の円筒るつぼ型の焼結体を作った。これを用いてミツシ
ュメタルを真空中で溶解したが表に示したように原料に
対し酸素含有率の増加はわずかであった。
〈実施例２〉
内径３５１ＭＩのＭ、 ｇ ０円筒型るつぼの内側表面
にＹ２Ｏ３をＡｒプラズマ溶射して厚さ ０．２ｍｍの
皮膜を作った。これを用いてミツシュメタルを真空中で
溶解したが、表に示したように原料に対し酸素含有率の
増加はわずかであった。
にＹ２Ｏ３をＡｒプラズマ溶射して厚さ ０．２ｍｍの
皮膜を作った。これを用いてミツシュメタルを真空中で
溶解したが、表に示したように原料に対し酸素含有率の
増加はわずかであった。
く比較例〉
内径３０〜３５ｍｍのＭｇＯ製およびＡＩ２Ｏ３ｆｊＪ
Ｊ円筒型るつぼを用いてミツシュメタルを溶解したが、
表に示したように原料に対し酸素含有率は大幅に増加し
た。
Ｊ円筒型るつぼを用いてミツシュメタルを溶解したが、
表に示したように原料に対し酸素含有率は大幅に増加し
た。
表１．真空熱処理時のミツシュメタル中の酸素含酸素含
有率のるつぼ材料による差（１）本発明により、希土類
金属゛の溶解または精製処理において、処理物中に酸素
が混入するのを防止できる。
有率のるつぼ材料による差（１）本発明により、希土類
金属゛の溶解または精製処理において、処理物中に酸素
が混入するのを防止できる。
（２）製膜したものを用いることにより、安価に上記（
１）の効果を得ることができる。
１）の効果を得ることができる。
（３）例えば、希土類系の水素吸蔵合金製造に本発明を
利用して処理した低酸素の金属を用いれば、水分の発生
を抑え好ましい特性が得られる。
利用して処理した低酸素の金属を用いれば、水分の発生
を抑え好ましい特性が得られる。
Claims (2)
- （１）表面が少なくともＹ＿２Ｏ＿３またはＹ＿２Ｏ＿
３にモル比で２０％以下のＡｌ＿２Ｏ＿３、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯの一つ以上を混合した耐食性を有する物質からなる
容器を用いて真空中で精製処理を行うことを特徴とする
希土類金属の酸素低減方法。 - （２）第１項において、容器が汎用の材料の表面にプラ
ズマ溶射法を用いて材料の皮膜を形成したものであるこ
とを特徴とする希土類金属の酸素低減方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25070189A JPH03115535A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 希土類金属の酸素低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25070189A JPH03115535A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 希土類金属の酸素低減方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03115535A true JPH03115535A (ja) | 1991-05-16 |
Family
ID=17211758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25070189A Pending JPH03115535A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 希土類金属の酸素低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03115535A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040732A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | G.T. Equipment Technologies Inc. | A protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
| US6783863B2 (en) | 1999-12-10 | 2004-08-31 | Tocalo Co., Ltd. | Plasma processing container internal member and production method thereof |
| US7157395B2 (en) * | 2001-11-16 | 2007-01-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Crucible for melting rare earth element alloy and rare earth element alloy |
| US7494723B2 (en) | 2005-07-29 | 2009-02-24 | Tocalo Co., Ltd. | Y2O3 spray-coated member and production method thereof |
| US7648782B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus |
| US7767268B2 (en) | 2005-09-08 | 2010-08-03 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7846291B2 (en) * | 1999-12-10 | 2010-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| US7850864B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
| US8231986B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-07-31 | Tocalo Co., Ltd. | Spray coating member having excellent injury resistance and so on and method for producing the same |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| US10186400B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-01-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition |
| US10443126B1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-15 | Applied Materials, Inc. | Zone-controlled rare-earth oxide ALD and CVD coatings |
| US10676819B2 (en) | 2016-06-23 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
| US10858741B2 (en) | 2019-03-11 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant multi-layer architecture for high aspect ratio parts |
| US11180847B2 (en) | 2018-12-06 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition coatings for high temperature ceramic components |
| US11198936B2 (en) | 2016-04-27 | 2021-12-14 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components |
| US11279656B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Nanopowders, nanoceramic materials and methods of making and use thereof |
| US11667575B2 (en) | 2018-07-18 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant metal oxide coatings |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP25070189A patent/JPH03115535A/ja active Pending
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7846291B2 (en) * | 1999-12-10 | 2010-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| US6783863B2 (en) | 1999-12-10 | 2004-08-31 | Tocalo Co., Ltd. | Plasma processing container internal member and production method thereof |
| US6884516B2 (en) * | 1999-12-10 | 2005-04-26 | Tocalo Co., Ltd. | Internal member for plasma-treating vessel and method of producing the same |
| US7364798B2 (en) | 1999-12-10 | 2008-04-29 | Tocalo Co., Ltd. | Internal member for plasma-treating vessel and method of producing the same |
| US6479108B2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-11-12 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
| WO2002040732A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | G.T. Equipment Technologies Inc. | A protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
| US7157395B2 (en) * | 2001-11-16 | 2007-01-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Crucible for melting rare earth element alloy and rare earth element alloy |
| CN100410611C (zh) * | 2001-11-16 | 2008-08-13 | 信越化学工业株式会社 | 熔炼稀土合金的坩埚 |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| US7494723B2 (en) | 2005-07-29 | 2009-02-24 | Tocalo Co., Ltd. | Y2O3 spray-coated member and production method thereof |
| US8231986B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-07-31 | Tocalo Co., Ltd. | Spray coating member having excellent injury resistance and so on and method for producing the same |
| US7767268B2 (en) | 2005-09-08 | 2010-08-03 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US8053058B2 (en) | 2005-09-08 | 2011-11-08 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7850864B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
| US7648782B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus |
| US11198937B2 (en) | 2016-04-27 | 2021-12-14 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components |
| US11198936B2 (en) | 2016-04-27 | 2021-12-14 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components |
| US11326253B2 (en) | 2016-04-27 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components |
| US10676819B2 (en) | 2016-06-23 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
| US10186400B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-01-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition |
| US11251023B2 (en) | 2017-01-20 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition |
| US10573497B2 (en) | 2017-01-20 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition |
| US12002657B2 (en) | 2017-01-20 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition |
| US11279656B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Nanopowders, nanoceramic materials and methods of making and use thereof |
| US11667578B2 (en) | 2017-10-27 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Methods of making nanopowders, nanoceramic materials and nanoceramic components |
| US10443126B1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-15 | Applied Materials, Inc. | Zone-controlled rare-earth oxide ALD and CVD coatings |
| US11667575B2 (en) | 2018-07-18 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant metal oxide coatings |
| US11180847B2 (en) | 2018-12-06 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition coatings for high temperature ceramic components |
| US10858741B2 (en) | 2019-03-11 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant multi-layer architecture for high aspect ratio parts |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03115535A (ja) | 希土類金属の酸素低減方法 | |
| JP2003073794A (ja) | 耐熱性被覆部材 | |
| JP3723753B2 (ja) | 耐火性の構成部材上の被覆の製造方法及びかかる被覆の使用 | |
| WO2021051790A1 (zh) | 一种高纯铝熔炼铸造用涂料及其制备方法和用途 | |
| US4906431A (en) | Method of producing a heat insulating separation wall | |
| CN113443923A (zh) | 一种真空感应熔炼Ti合金的CaO坩埚的制备方法 | |
| JP3129383B2 (ja) | 酸化物被覆炭化珪素材とその製法 | |
| JPH03115169A (ja) | 耐火材料 | |
| JPH03115170A (ja) | 耐火材料 | |
| JPS62252374A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPS6317210A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JP3944700B2 (ja) | 希土類合金溶解用坩堝および希土類合金 | |
| JP2965098B2 (ja) | ＴｉまたはＴｉ合金鋳造用鋳型材料およびその製造方法 | |
| JPS63156007A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JP2004010381A (ja) | 表面被覆窒化珪素焼結体 | |
| CN1194961A (zh) | 高纯晶化防湿氧化钙制品的制造方法 | |
| JPH0517305B2 (ja) | ||
| CN117164386A (zh) | 一种降低石墨坩埚渗碳的涂层及其制备方法 | |
| JPH06322457A (ja) | アルミニウム溶解・鋳造用窒化珪素質部品およびこれを用いた溶解・鋳造設備 | |
| JP3143727B2 (ja) | 軽量耐熱材料、およびその製造方法 | |
| JPH0274563A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| KR20030032387A (ko) | 용사코팅용 사이알론 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용한용사코팅방법 | |
| JPS63129061A (ja) | Ａｌ↓２Ｏ↓３−ＴｉＣ系複合焼結体及びその製造方法 | |
| JPH07122109B2 (ja) | 超電導材料用Ｃｕ―アルカリ土類金属系母合金 | |
| Itin | Reaction of stomatological porcelain with titanium and titanium nickelide during sintering |