JP2004241203A - プラズマ処理室壁処理方法 - Google Patents
プラズマ処理室壁処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004241203A JP2004241203A JP2003027405A JP2003027405A JP2004241203A JP 2004241203 A JP2004241203 A JP 2004241203A JP 2003027405 A JP2003027405 A JP 2003027405A JP 2003027405 A JP2003027405 A JP 2003027405A JP 2004241203 A JP2004241203 A JP 2004241203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing chamber
- plasma processing
- layer
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
Abstract
【課題】プラズマ処理装置において、プラズマ処理室からの金属汚染及び異物を防止するとともにプラズマに晒される面の割れをなくす。
【解決手段】プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、母材とプラズマ接触面を構成する材の熱膨張係数の差を緩和する傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上にLa2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択した少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。
【選択図】 図2
【解決手段】プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、母材とプラズマ接触面を構成する材の熱膨張係数の差を緩和する傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上にLa2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択した少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置のプラズマ処理室壁処理方法に係り、特にプラズマ接触面で耐プラズマ特性を有するために好適なプラズ処理装置のプラズマ処理室壁処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のプラズマエッチング装置の表面処理方法として、プラズマ処理室内面をY2O3で溶射することにより耐プラズマ性を向上させること、Ni−Al等の材料でアンダーコートすることによりトップコートであるY2O3皮膜を強固にすることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
しかし、上記従来技術では処理室内面の加熱に関しては検討されておらず、処理室内面に熱サイクルが加えられた場合、溶射膜が割れることがある。すなわち、処理室内面にコーティングする材料の熱膨張率と処理室の熱膨張率は大きく異なっており、その中間部分に熱応力を緩和するような傾斜材料が使用されていない。
【0004】
また、低金属汚染の基板処理用部品材として、処理室表面を99.5%以上のY2O3として金属汚染を防止するという提案がなされているが、プラズマ中で使用した場合は熱サイクルによりクラックが発生するという問題を有している。その結果、母材である処理室材料がプラズマに接触し、ウエハ等をプラズマ処理すると汚染を防止することは困難である(例えば、特許文献2参照)。
【0005】
上記従来技術は、プラズマ処理室の表面処理方法に関しては、母材と中間層および表面層の熱応力に関する整合性が検討されていなかった。すなわち、エッチング処理室容器の温度は100℃以下であるが、プラズマ接触面との温度差を考慮していない点に問題がある。エッチング処理室が従来のアルミチャンバの場合、一般的な表面処理はアルマイト処理である。この容器をプラズマに接触させた場合、母材であるアルミ材と表面に形成しているアルマイト層との間の熱膨張率の差が著しいため、アルミアルマイト表面には割れが生じる。その結果、アルマイトの割れ部分を通してプロセスガスが母材であるアルミ材に接触し、アルミ材とアルマイト材の界面に腐食が進行する。腐食が進行すると、アルマイト層が剥離し異物となるため、デバイスの欠陥を引き起こしてしまうという問題がある。
【0006】
これを防止するために、上記特許文献1に記載された従来技術のように、プラズマ処理室の内壁面にY2O3からなる膜を、溶射やスパッタ、CVD等で形成する事が提案されている。これらの方法で形成した膜は、耐熱性を有しているが熱膨張率は母材のアルミ材に比較して非常に小さい。特許文献1に記載の場合は、Y2O3層とアルミ母材との間にNi−Al等の材料でアンダーコートする中間層を設ける方法を採用しているが、プラズマからの加熱による熱膨張を緩和するまでにはいたっていない。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−164354号公報
【特許文献2】
特開2001−179080号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記問題に鑑み、本発明は、プラズマ処理室表面からの金属汚染を防止するために、プラズマ接触面にLa2O3を含む材からなる膜を形成すること、このLa2O3を含む材からなる膜に割れが生じないようにアンダーコートの熱膨張率をLa2O3とアルミ材の間で徐々に変化するようにしたことが特徴であり、プラズマ処理によって汚染の発生しない処理室表面を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、プラズマ接触面にLa2O3を含む材からなる膜を形成することによって達成される。さらに上記目的は、プラズマ接触面であるLa2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜と母材であるアルミ材の間に熱膨張率の中間的な材料の層を配置することにより達成される。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明は、プラズマ処理室内のプラズマ接触表面を、La2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜で覆うことにより、保護膜自体がプラズマで削れることで異物及び汚染量が増加するという不良は減少する。上記プラズマ処理室のプラズマ接触面を構成するLa2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜の熱膨張率と、アルミ材やSUS材からなる母材の熱膨張率は大きく異なっている。
【0011】
本発明のプラズマ処理装置では、プラズマ処理室表面に生成するLa2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜と母材との間に中間層を設けることで、La2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜に割れの発生を防止することが出来る。
【0012】
本発明のプラズマ処理装置では、処理室の内面を下記の実施例1〜38に示す構造とすることで、La2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜に、割れの発生を防止することが可能となり、処理室の母材にプロセスガスが接触することが出来ないため、異物や汚染が発生するということがなくなる。
【0013】
以下に、本発明にかかるプラズマ処理室壁処理方法およびこの処理方法によって得たプラズマ接触膜の構造を説明する。
【0014】
[第1の実施の形態]この実施の形態は、図1に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0015】
実施例1.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLa2O3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0016】
実施例2.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO3膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0017】
実施例3.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgLaAl11O19を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl11O19膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0018】
実施例4.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLa2O3とAlO3を混合して溶射してLa2O3とAlO3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAlO3の混合膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0019】
[第2の実施の形態]この実施の形態は、図2に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、母材とプラズマ接触面を構成する材の熱膨張係数の差を緩和する傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、接合層3は、傾斜金属または傾斜合金材料から選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。ここで、傾斜金属または傾斜合金の熱膨張率は、母材とコーティング材の中間的な値である。
【0020】
実施例5.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLa2O3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、例えばZrO2を含む合金などAlと熱膨張率が近い材料から構成される。La2O3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0021】
実施例6.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0022】
実施例7.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgLaAl11O19を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0023】
実施例8.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLa2O3とAlO3を混合して溶射してLa2O3とAlO3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAlO3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0024】
[第3の実施の形態]この実施の形態は、図3に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上にMgAl2O4とLaAlO3の混合物、MgOとAl2O3とLa2O3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4からなる中間層4を設けこの上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、接合層3は、傾斜金属または傾斜合金材料から選択され、中間層4は、MgAl2O4とLaAlO3の混合物、MgOとAl2O3とLa2O3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4のいずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0025】
実施例9.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0026】
実施例10.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0027】
実施例11.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0028】
実施例12.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3とを混合して溶射してLa2O3とAl2O3との混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3との混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0029】
実施例13.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0030】
実施例14.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0031】
実施例15.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層である。MgLaAl11O19から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0032】
実施例16.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0033】
実施例17.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0034】
実施例18.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0035】
実施例19.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0036】
実施例20.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0037】
実施例21.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0038】
実施例22.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0039】
実施例23.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0040】
実施例24.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0041】
実施例25.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4とLaAlO3の混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0042】
実施例26.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4とLaAlO3の混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0043】
実施例27.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4とLaAlO3の混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0044】
[第4の実施の形態]この実施の形態は、図4に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面にMgOとAl2O3とLa2O3の混合物、MgAl2O4とLaAlO3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4からなる中間層4を設け、この上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、中間層4は、MgOとAl2O3とLa2O3の混合物、MgAl2O4とLaAlO3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4いずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0045】
実施例28.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0046】
実施例29.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0047】
実施例30.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面としたMgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0048】
実施例31.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0049】
実施例32.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO3膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0050】
実施例33.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO3膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0051】
実施例34.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO3膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0052】
実施例35.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0053】
実施例36.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0054】
実施例37.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0055】
実施例38.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0056】
上記実施例1,5,9,13,17,20,24,28,32,35に示した溶射によるLa2O3膜構造は、97%以上の純度を有するようにした。
【0057】
また、上記実施例1,5,9,13,17,20,24,28,32,35に示した溶射によるLa2O3膜構造を、97%以上の純度を有しているLaF3の膜とすることができる。
【0058】
本発明における溶射プロセスは、不活性ガス中もしくは真空中で行わなければならない。また、溶射される母材は鉄鋼材料にのみに限定されず、ステンレス、アルミ合金、アルミアルマイト合金、遷移金属材料、カーボンセラミックス、窒化セラミックス、酸化セラミックス、非酸化セラミックス等からなる母材であってよい。
【0059】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、プラズマ処理室表面を溶射等によってコーティングした際、プラズマが表面に接触してもクラックが発生せず、母材がプロセスガスに接触することはない。その結果、プラズマ処理を繰り返してもプラズマ処理室には汚染及び異物は増加しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図2】本発明の第二の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図3】本発明の第三の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図4】本発明の第四の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【符号の説明】
1…プラズマ接触面、2…母材、3…接合層、4…中間層
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置のプラズマ処理室壁処理方法に係り、特にプラズマ接触面で耐プラズマ特性を有するために好適なプラズ処理装置のプラズマ処理室壁処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のプラズマエッチング装置の表面処理方法として、プラズマ処理室内面をY2O3で溶射することにより耐プラズマ性を向上させること、Ni−Al等の材料でアンダーコートすることによりトップコートであるY2O3皮膜を強固にすることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
しかし、上記従来技術では処理室内面の加熱に関しては検討されておらず、処理室内面に熱サイクルが加えられた場合、溶射膜が割れることがある。すなわち、処理室内面にコーティングする材料の熱膨張率と処理室の熱膨張率は大きく異なっており、その中間部分に熱応力を緩和するような傾斜材料が使用されていない。
【0004】
また、低金属汚染の基板処理用部品材として、処理室表面を99.5%以上のY2O3として金属汚染を防止するという提案がなされているが、プラズマ中で使用した場合は熱サイクルによりクラックが発生するという問題を有している。その結果、母材である処理室材料がプラズマに接触し、ウエハ等をプラズマ処理すると汚染を防止することは困難である(例えば、特許文献2参照)。
【0005】
上記従来技術は、プラズマ処理室の表面処理方法に関しては、母材と中間層および表面層の熱応力に関する整合性が検討されていなかった。すなわち、エッチング処理室容器の温度は100℃以下であるが、プラズマ接触面との温度差を考慮していない点に問題がある。エッチング処理室が従来のアルミチャンバの場合、一般的な表面処理はアルマイト処理である。この容器をプラズマに接触させた場合、母材であるアルミ材と表面に形成しているアルマイト層との間の熱膨張率の差が著しいため、アルミアルマイト表面には割れが生じる。その結果、アルマイトの割れ部分を通してプロセスガスが母材であるアルミ材に接触し、アルミ材とアルマイト材の界面に腐食が進行する。腐食が進行すると、アルマイト層が剥離し異物となるため、デバイスの欠陥を引き起こしてしまうという問題がある。
【0006】
これを防止するために、上記特許文献1に記載された従来技術のように、プラズマ処理室の内壁面にY2O3からなる膜を、溶射やスパッタ、CVD等で形成する事が提案されている。これらの方法で形成した膜は、耐熱性を有しているが熱膨張率は母材のアルミ材に比較して非常に小さい。特許文献1に記載の場合は、Y2O3層とアルミ母材との間にNi−Al等の材料でアンダーコートする中間層を設ける方法を採用しているが、プラズマからの加熱による熱膨張を緩和するまでにはいたっていない。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−164354号公報
【特許文献2】
特開2001−179080号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記問題に鑑み、本発明は、プラズマ処理室表面からの金属汚染を防止するために、プラズマ接触面にLa2O3を含む材からなる膜を形成すること、このLa2O3を含む材からなる膜に割れが生じないようにアンダーコートの熱膨張率をLa2O3とアルミ材の間で徐々に変化するようにしたことが特徴であり、プラズマ処理によって汚染の発生しない処理室表面を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、プラズマ接触面にLa2O3を含む材からなる膜を形成することによって達成される。さらに上記目的は、プラズマ接触面であるLa2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜と母材であるアルミ材の間に熱膨張率の中間的な材料の層を配置することにより達成される。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明は、プラズマ処理室内のプラズマ接触表面を、La2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜で覆うことにより、保護膜自体がプラズマで削れることで異物及び汚染量が増加するという不良は減少する。上記プラズマ処理室のプラズマ接触面を構成するLa2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜の熱膨張率と、アルミ材やSUS材からなる母材の熱膨張率は大きく異なっている。
【0011】
本発明のプラズマ処理装置では、プラズマ処理室表面に生成するLa2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜と母材との間に中間層を設けることで、La2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜に割れの発生を防止することが出来る。
【0012】
本発明のプラズマ処理装置では、処理室の内面を下記の実施例1〜38に示す構造とすることで、La2O3膜もしくはLa2O3とAl2O3の混合物からなる膜に、割れの発生を防止することが可能となり、処理室の母材にプロセスガスが接触することが出来ないため、異物や汚染が発生するということがなくなる。
【0013】
以下に、本発明にかかるプラズマ処理室壁処理方法およびこの処理方法によって得たプラズマ接触膜の構造を説明する。
【0014】
[第1の実施の形態]この実施の形態は、図1に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0015】
実施例1.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLa2O3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0016】
実施例2.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO3膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0017】
実施例3.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgLaAl11O19を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl11O19膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0018】
実施例4.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLa2O3とAlO3を混合して溶射してLa2O3とAlO3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAlO3の混合膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0019】
[第2の実施の形態]この実施の形態は、図2に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、母材とプラズマ接触面を構成する材の熱膨張係数の差を緩和する傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、接合層3は、傾斜金属または傾斜合金材料から選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。ここで、傾斜金属または傾斜合金の熱膨張率は、母材とコーティング材の中間的な値である。
【0020】
実施例5.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLa2O3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、例えばZrO2を含む合金などAlと熱膨張率が近い材料から構成される。La2O3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0021】
実施例6.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0022】
実施例7.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgLaAl11O19を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0023】
実施例8.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLa2O3とAlO3を混合して溶射してLa2O3とAlO3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAlO3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0024】
[第3の実施の形態]この実施の形態は、図3に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上にMgAl2O4とLaAlO3の混合物、MgOとAl2O3とLa2O3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4からなる中間層4を設けこの上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、接合層3は、傾斜金属または傾斜合金材料から選択され、中間層4は、MgAl2O4とLaAlO3の混合物、MgOとAl2O3とLa2O3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4のいずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0025】
実施例9.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0026】
実施例10.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0027】
実施例11.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0028】
実施例12.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3とを混合して溶射してLa2O3とAl2O3との混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3との混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0029】
実施例13.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0030】
実施例14.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0031】
実施例15.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層である。MgLaAl11O19から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0032】
実施例16.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0033】
実施例17.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0034】
実施例18.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0035】
実施例19.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0036】
実施例20.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0037】
実施例21.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0038】
実施例22.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0039】
実施例23.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0040】
実施例24.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0041】
実施例25.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4とLaAlO3の混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0042】
実施例26.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4とLaAlO3の混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0043】
実施例27.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4とLaAlO3の混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrO2を含むような層から構成される。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0044】
[第4の実施の形態]この実施の形態は、図4に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面にMgOとAl2O3とLa2O3の混合物、MgAl2O4とLaAlO3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4からなる中間層4を設け、この上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La2O3、LaAlO3、MgLaAl11O19、La2O3とAl2O3の混合物のいずれかから選択され、中間層4は、MgOとAl2O3とLa2O3の混合物、MgAl2O4とLaAlO3の混合物、LaAlO3またはMgAl2O4いずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0045】
実施例28.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0046】
実施例29.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0047】
実施例30.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面としたMgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0048】
実施例31.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAl2O3とLa2O3との混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0049】
実施例32.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO3膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0050】
実施例33.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO3膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0051】
実施例34.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlO3を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO3膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0052】
実施例35.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3を溶射してLa2O3を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0053】
実施例36.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlO3を溶射してLaAlO3を成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO3膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0054】
実施例37.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl11O19を溶射してMgLaAl11O19を成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl11O19膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0055】
実施例38.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAl2O4を溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl2O4膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してLa2O3とAl2O3の混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。La2O3とAl2O3の混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0056】
上記実施例1,5,9,13,17,20,24,28,32,35に示した溶射によるLa2O3膜構造は、97%以上の純度を有するようにした。
【0057】
また、上記実施例1,5,9,13,17,20,24,28,32,35に示した溶射によるLa2O3膜構造を、97%以上の純度を有しているLaF3の膜とすることができる。
【0058】
本発明における溶射プロセスは、不活性ガス中もしくは真空中で行わなければならない。また、溶射される母材は鉄鋼材料にのみに限定されず、ステンレス、アルミ合金、アルミアルマイト合金、遷移金属材料、カーボンセラミックス、窒化セラミックス、酸化セラミックス、非酸化セラミックス等からなる母材であってよい。
【0059】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、プラズマ処理室表面を溶射等によってコーティングした際、プラズマが表面に接触してもクラックが発生せず、母材がプロセスガスに接触することはない。その結果、プラズマ処理を繰り返してもプラズマ処理室には汚染及び異物は増加しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図2】本発明の第二の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図3】本発明の第三の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図4】本発明の第四の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【符号の説明】
1…プラズマ接触面、2…母材、3…接合層、4…中間層
Claims (16)
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLa2O3を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLaAlO3を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にMgLaAl11O19を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLa2O3とAl2O3を混合し、溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLa2O3を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLaAlO3を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgLaAl11O19を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLa2O3とAl2O3を混合して溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはLaAlO3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射することで中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはLaAlO3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLaAlO3をして溶射して中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgAl2O4を溶射して中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはLaAlO3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgAl2O4とLaAlO3を混合して溶射して中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはLaAlO3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にMgOとAl2O3とLa2O3を混合して溶射して中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはLaAlO3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLaAlO3を溶射して中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
- プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にMgAl2O4を溶射して中間層を形成し、中間層の上にLa2O3またはLaAlO3またはMgLaAl11O19のいずれかを溶射するかもしくはLa2O3とAl2O3を混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003027405A JP2004241203A (ja) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | プラズマ処理室壁処理方法 |
US10/376,304 US6875477B2 (en) | 2003-02-04 | 2003-03-03 | Method for coating internal surface of plasma processing chamber |
US10/976,922 US20050084617A1 (en) | 2003-02-04 | 2004-11-01 | Method for coating internal surface of plasma processing chamber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003027405A JP2004241203A (ja) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | プラズマ処理室壁処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241203A true JP2004241203A (ja) | 2004-08-26 |
Family
ID=32767624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003027405A Pending JP2004241203A (ja) | 2003-02-04 | 2003-02-04 | プラズマ処理室壁処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6875477B2 (ja) |
JP (1) | JP2004241203A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108178A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2013532770A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-08-19 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 半導体用途用の溶射複合コーティング |
JP2014159637A (ja) * | 2007-08-02 | 2014-09-04 | Applied Materials Inc | イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法 |
US20150048400A1 (en) * | 2012-03-06 | 2015-02-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing an optoelectronic semiconductor chip |
KR20150127145A (ko) * | 2013-03-08 | 2015-11-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 불소 플라즈마에 대한 보호에 적합한 보호 코팅을 갖는 챔버 컴포넌트 |
US9850573B1 (en) | 2016-06-23 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
Families Citing this family (239)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW514996B (en) * | 1999-12-10 | 2002-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
JP3510993B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2004-03-29 | トーカロ株式会社 | プラズマ処理容器内部材およびその製造方法 |
US7166166B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
US6798519B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
US7166200B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
US7137353B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
US7204912B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
US6837966B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
CN1249789C (zh) * | 2002-11-28 | 2006-04-05 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理容器内部件 |
WO2004095532A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | A barrier layer for a processing element and a method of forming the same |
US7552521B2 (en) * | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
US7601242B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
US20060225654A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fink Steven T | Disposable plasma reactor materials and methods |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10975469B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-04-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) * | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TW202013553A (zh) | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US20200131634A1 (en) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6447937B1 (en) * | 1997-02-26 | 2002-09-10 | Kyocera Corporation | Ceramic materials resistant to halogen plasma and components using the same |
US6261643B1 (en) * | 1997-04-08 | 2001-07-17 | General Electric Company | Protected thermal barrier coating composite with multiple coatings |
JP3510993B2 (ja) | 1999-12-10 | 2004-03-29 | トーカロ株式会社 | プラズマ処理容器内部材およびその製造方法 |
JP2001179080A (ja) | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Nihon Ceratec Co Ltd | 低金属汚染の基板処理用部材 |
DE60127035T2 (de) * | 2000-06-29 | 2007-11-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermisches Sprühbeschichtungsverfahren und Pulver aus Oxyden der seltenen Erden dafür |
-
2003
- 2003-02-04 JP JP2003027405A patent/JP2004241203A/ja active Pending
- 2003-03-03 US US10/376,304 patent/US6875477B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-01 US US10/976,922 patent/US20050084617A1/en not_active Abandoned
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108178A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP4585260B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-11-24 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2014159637A (ja) * | 2007-08-02 | 2014-09-04 | Applied Materials Inc | イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法 |
JP2013532770A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-08-19 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 半導体用途用の溶射複合コーティング |
US20150048400A1 (en) * | 2012-03-06 | 2015-02-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing an optoelectronic semiconductor chip |
US9397280B2 (en) * | 2012-03-06 | 2016-07-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing an optoelectronic semiconductor chip |
JP2016520707A (ja) * | 2013-03-08 | 2016-07-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | フッ素プラズマに対する保護に適した保護コーティングを有するチャンバ構成要素 |
KR20150127145A (ko) * | 2013-03-08 | 2015-11-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 불소 플라즈마에 대한 보호에 적합한 보호 코팅을 갖는 챔버 컴포넌트 |
US10633738B2 (en) | 2013-03-08 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Chamber component with protective coating suitable for protection against fluorine plasma |
KR102177738B1 (ko) * | 2013-03-08 | 2020-11-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 불소 플라즈마에 대한 보호에 적합한 보호 코팅을 갖는 챔버 컴포넌트 |
US9850573B1 (en) | 2016-06-23 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
WO2017222601A1 (en) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
US10676819B2 (en) | 2016-06-23 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6875477B2 (en) | 2005-04-05 |
US20050084617A1 (en) | 2005-04-21 |
US20040151841A1 (en) | 2004-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004241203A (ja) | プラズマ処理室壁処理方法 | |
JP7449900B2 (ja) | フルオロアニーリング膜でコーティングされた物品 | |
US20180030589A1 (en) | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide | |
US20090194233A1 (en) | Component for semicondutor processing apparatus and manufacturing method thereof | |
CN107964650A (zh) | 腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法 | |
JP2013512573A (ja) | プラズマ耐性コーティングで基板をコーティングする方法および関連するコーティングされた基板 | |
JP5390166B2 (ja) | 耐食性部材 | |
JP2010106327A (ja) | 耐食性部材 | |
JP2007224348A (ja) | 耐環境部材、半導体製造装置及び耐環境部材の製造方法 | |
JP2000212734A (ja) | 電子ビ―ム物理蒸着装置 | |
TWI411023B (zh) | 整修加工反應室組件的方法 | |
JP2008001562A (ja) | イットリウム系セラミックス被覆材およびその製造方法 | |
JP2003342752A (ja) | 真空用耐熱耐蝕コーティング部材、同部材を用いた部品を有する真空装置及び同コーティング方法 | |
US20050112289A1 (en) | Method for coating internal surface of plasma processing chamber | |
JP4178239B2 (ja) | 高密着性酸化物皮膜及びその製造方法 | |
JPH11131236A (ja) | 耐蝕性部材およびその製造方法 | |
JP2008007343A (ja) | アルミナ被覆材およびその製造方法 | |
JPH0995772A (ja) | 真空装置用の窓材 | |
JPH05263212A (ja) | 耐熱被覆 | |
US20240117490A1 (en) | Halogen-resistant thermal barrier coating for processing chambers | |
US20240117489A1 (en) | Halogen-resistant thermal barrier coating for processing chambers | |
JP2007073823A (ja) | セラミックス被覆材およびその製造方法 | |
JPH05235149A (ja) | 防着板及び内部治具 | |
JP2007036197A (ja) | 半導体製造装置の構成部材及び半導体製造装置 | |
JP2003313665A (ja) | 金属または合金材料の表面処理方法及び真空処理装置内部品 |