JP2004241203A - プラズマ処理室壁処理方法 - Google Patents

プラズマ処理室壁処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004241203A
JP2004241203A JP2003027405A JP2003027405A JP2004241203A JP 2004241203 A JP2004241203 A JP 2004241203A JP 2003027405 A JP2003027405 A JP 2003027405A JP 2003027405 A JP2003027405 A JP 2003027405A JP 2004241203 A JP2004241203 A JP 2004241203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
processing chamber
plasma processing
layer
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003027405A
Other languages
English (en)
Inventor
Muneo Furuse
宗雄 古瀬
Douglas M Trickett
エム トリケット ダグラス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2003027405A priority Critical patent/JP2004241203A/ja
Priority to US10/376,304 priority patent/US6875477B2/en
Publication of JP2004241203A publication Critical patent/JP2004241203A/ja
Priority to US10/976,922 priority patent/US20050084617A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495Means for protecting the vessel against plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/02Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • C23C4/11Oxides

Abstract

【課題】プラズマ処理装置において、プラズマ処理室からの金属汚染及び異物を防止するとともにプラズマに晒される面の割れをなくす。
【解決手段】プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、母材とプラズマ接触面を構成する材の熱膨張係数の差を緩和する傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上にLa、LaAlO、MgLaAl1119、LaとAlの混合物のいずれかから選択した少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置のプラズマ処理室壁処理方法に係り、特にプラズマ接触面で耐プラズマ特性を有するために好適なプラズ処理装置のプラズマ処理室壁処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のプラズマエッチング装置の表面処理方法として、プラズマ処理室内面をYで溶射することにより耐プラズマ性を向上させること、Ni−Al等の材料でアンダーコートすることによりトップコートであるY皮膜を強固にすることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
しかし、上記従来技術では処理室内面の加熱に関しては検討されておらず、処理室内面に熱サイクルが加えられた場合、溶射膜が割れることがある。すなわち、処理室内面にコーティングする材料の熱膨張率と処理室の熱膨張率は大きく異なっており、その中間部分に熱応力を緩和するような傾斜材料が使用されていない。
【0004】
また、低金属汚染の基板処理用部品材として、処理室表面を99.5%以上のYとして金属汚染を防止するという提案がなされているが、プラズマ中で使用した場合は熱サイクルによりクラックが発生するという問題を有している。その結果、母材である処理室材料がプラズマに接触し、ウエハ等をプラズマ処理すると汚染を防止することは困難である(例えば、特許文献2参照)。
【0005】
上記従来技術は、プラズマ処理室の表面処理方法に関しては、母材と中間層および表面層の熱応力に関する整合性が検討されていなかった。すなわち、エッチング処理室容器の温度は100℃以下であるが、プラズマ接触面との温度差を考慮していない点に問題がある。エッチング処理室が従来のアルミチャンバの場合、一般的な表面処理はアルマイト処理である。この容器をプラズマに接触させた場合、母材であるアルミ材と表面に形成しているアルマイト層との間の熱膨張率の差が著しいため、アルミアルマイト表面には割れが生じる。その結果、アルマイトの割れ部分を通してプロセスガスが母材であるアルミ材に接触し、アルミ材とアルマイト材の界面に腐食が進行する。腐食が進行すると、アルマイト層が剥離し異物となるため、デバイスの欠陥を引き起こしてしまうという問題がある。
【0006】
これを防止するために、上記特許文献1に記載された従来技術のように、プラズマ処理室の内壁面にYからなる膜を、溶射やスパッタ、CVD等で形成する事が提案されている。これらの方法で形成した膜は、耐熱性を有しているが熱膨張率は母材のアルミ材に比較して非常に小さい。特許文献1に記載の場合は、Y層とアルミ母材との間にNi−Al等の材料でアンダーコートする中間層を設ける方法を採用しているが、プラズマからの加熱による熱膨張を緩和するまでにはいたっていない。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−164354号公報
【特許文献2】
特開2001−179080号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記問題に鑑み、本発明は、プラズマ処理室表面からの金属汚染を防止するために、プラズマ接触面にLaを含む材からなる膜を形成すること、このLaを含む材からなる膜に割れが生じないようにアンダーコートの熱膨張率をLaとアルミ材の間で徐々に変化するようにしたことが特徴であり、プラズマ処理によって汚染の発生しない処理室表面を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、プラズマ接触面にLaを含む材からなる膜を形成することによって達成される。さらに上記目的は、プラズマ接触面であるLa膜もしくはLaとAlの混合物からなる膜と母材であるアルミ材の間に熱膨張率の中間的な材料の層を配置することにより達成される。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明は、プラズマ処理室内のプラズマ接触表面を、La膜もしくはLaとAlの混合物からなる膜で覆うことにより、保護膜自体がプラズマで削れることで異物及び汚染量が増加するという不良は減少する。上記プラズマ処理室のプラズマ接触面を構成するLa膜もしくはLaとAlの混合物からなる膜の熱膨張率と、アルミ材やSUS材からなる母材の熱膨張率は大きく異なっている。
【0011】
本発明のプラズマ処理装置では、プラズマ処理室表面に生成するLa膜もしくはLaとAlの混合物からなる膜と母材との間に中間層を設けることで、La膜もしくはLaとAlの混合物からなる膜に割れの発生を防止することが出来る。
【0012】
本発明のプラズマ処理装置では、処理室の内面を下記の実施例1〜38に示す構造とすることで、La膜もしくはLaとAlの混合物からなる膜に、割れの発生を防止することが可能となり、処理室の母材にプロセスガスが接触することが出来ないため、異物や汚染が発生するということがなくなる。
【0013】
以下に、本発明にかかるプラズマ処理室壁処理方法およびこの処理方法によって得たプラズマ接触膜の構造を説明する。
【0014】
[第1の実施の形態]この実施の形態は、図1に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La、LaAlO、MgLaAl1119、LaとAlの混合物のいずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0015】
実施例1.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaを溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。La膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0016】
実施例2.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlOを溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0017】
実施例3.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgLaAl1119を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl1119膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0018】
実施例4.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaとAlOを混合して溶射してLaとAlOの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。LaとAlOの混合膜は単層で、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0019】
[第2の実施の形態]この実施の形態は、図2に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、母材とプラズマ接触面を構成する材の熱膨張係数の差を緩和する傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La、LaAlO、MgLaAl1119、LaとAlの混合物のいずれかから選択され、接合層3は、傾斜金属または傾斜合金材料から選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。ここで、傾斜金属または傾斜合金の熱膨張率は、母材とコーティング材の中間的な値である。
【0020】
実施例5.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaを溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、例えばZrOを含む合金などAlと熱膨張率が近い材料から構成される。Laから成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0021】
実施例6.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlOを溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaAlOから成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0022】
実施例7.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgLaAl1119を溶射によって成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。MgLaAl1119から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0023】
実施例8.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaとAlOを混合して溶射してLaとAlOの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaとAlOの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0024】
[第3の実施の形態]この実施の形態は、図3に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面に、傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層3を設け、接合層3の上にMgAlとLaAlOの混合物、MgOとAlとLaの混合物、LaAlOまたはMgAlからなる中間層4を設けこの上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La、LaAlO、MgLaAl1119、LaとAlの混合物のいずれかから選択され、接合層3は、傾斜金属または傾斜合金材料から選択され、中間層4は、MgAlとLaAlOの混合物、MgOとAlとLaの混合物、LaAlOまたはMgAlのいずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0025】
実施例9.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLa膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。Laから成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0026】
実施例10.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlOを溶射してLaAlO膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaAlOから成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0027】
実施例11.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。MgLaAl1119から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0028】
実施例12.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlとを混合して溶射してLa3とAlとの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。La3とAlとの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0029】
実施例13.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLaを成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。Laから成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0030】
実施例14.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlOを溶射してLaAlOを成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaAlOから成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0031】
実施例15.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層である。MgLaAl1119から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0032】
実施例16.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlを混合して溶射してLaとAlの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaとAlの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0033】
実施例17.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlOを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLaを成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。La膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0034】
実施例18.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlOを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。MgLaAl1119膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0035】
実施例19.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にLaAlOを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlを混合して溶射してLaとAlの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaとAlの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0036】
実施例20.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLaを成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。La膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0037】
実施例21.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlOを溶射してLaAlOを成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaAlO膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0038】
実施例22.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。MgLaAl1119膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0039】
実施例23.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlを混合して溶射してLaとAlの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaとAlの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0040】
実施例24.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定した中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLaを成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。La膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0041】
実施例25.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAlとLaAlOの混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlOを溶射してLaAlOを成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaAlO膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0042】
実施例26.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAlとLaAlOの混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。MgLaAl1119膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0043】
実施例27.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面に5〜150μmの傾斜金属もしくは傾斜合金材料からなる接合層を溶射によって設け、この表面にMgAlとLaAlOを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAlとLaAlOの混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlを混合して溶射してLaとAlの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。接合層は、母材と表面層との密着強度を向上させるための層であり、熱膨張率が母材と表面層の中間的な値である、例えばZrOを含むような層から構成される。LaとAlの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0044】
[第4の実施の形態]この実施の形態は、図4に示すように、プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材2の表面にMgOとAlとLaの混合物、MgAlとLaAlOの混合物、LaAlOまたはMgAlからなる中間層4を設け、この上に少なくともLaとOを含む金属酸化物を溶射によって成膜してプラズマ接触面1とした。すなわち、この実施の形態においては、プラズマ接触面1は、La、LaAlO、MgLaAl1119、LaとAlの混合物のいずれかから選択され、中間層4は、MgOとAlとLaの混合物、MgAlとLaAlOの混合物、LaAlOまたはMgAlいずれかから選択され、母材2は、アルミニウムを用いることができる。
【0045】
実施例28.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAlとLaとの混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLaを成膜してプラズマ接触面とした。La膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0046】
実施例29.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAlとLaとの混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlOを溶射してLaAlOを成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0047】
実施例30.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAlとLaとの混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119を成膜してプラズマ接触面としたMgLaAl1119膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0048】
実施例31.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgOとAlとLaを混合して溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgOとAlとLaとの混合膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlを混合して溶射してLaとAlの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。LaとAlの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0049】
実施例32.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlOを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLaを成膜してプラズマ接触面とした。La膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0050】
実施例33.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlOを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119を成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl1119膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0051】
実施例34.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にLaAlOを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したLaAlO膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlを混合して溶射してLaとAlの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。LaとAlの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0052】
実施例35.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaを溶射してLaを成膜してプラズマ接触面とした。La膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0053】
実施例36.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaAlOを溶射してLaAlOを成膜してプラズマ接触面とした。LaAlO膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0054】
実施例37.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にMgLaAl1119を溶射してMgLaAl1119を成膜してプラズマ接触面とした。MgLaAl1119膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0055】
実施例38.プラズマ処理装置のプラズマ処理室チャンバを構成するアルミニウム母材の表面にMgAlを溶射して膜厚が5〜2000μmで気孔率が0.1〜15%に設定したMgAl膜からなる中間層を設け、さらにこの中間層の上にLaとAlを混合して溶射してLaとAlの混合膜を成膜してプラズマ接触面とした。LaとAlの混合膜から成る単層のプラズマ接触面は、膜厚を5〜3000μmに、気孔率を15〜50%に設定した。
【0056】
上記実施例1,5,9,13,17,20,24,28,32,35に示した溶射によるLa膜構造は、97%以上の純度を有するようにした。
【0057】
また、上記実施例1,5,9,13,17,20,24,28,32,35に示した溶射によるLa膜構造を、97%以上の純度を有しているLaFの膜とすることができる。
【0058】
本発明における溶射プロセスは、不活性ガス中もしくは真空中で行わなければならない。また、溶射される母材は鉄鋼材料にのみに限定されず、ステンレス、アルミ合金、アルミアルマイト合金、遷移金属材料、カーボンセラミックス、窒化セラミックス、酸化セラミックス、非酸化セラミックス等からなる母材であってよい。
【0059】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、プラズマ処理室表面を溶射等によってコーティングした際、プラズマが表面に接触してもクラックが発生せず、母材がプロセスガスに接触することはない。その結果、プラズマ処理を繰り返してもプラズマ処理室には汚染及び異物は増加しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図2】本発明の第二の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図3】本発明の第三の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【図4】本発明の第四の実施の形態にかかるプラズマ処理室の表面構造を示す断面図。
【符号の説明】
1…プラズマ接触面、2…母材、3…接合層、4…中間層

Claims (16)

  1. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLaを溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  2. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLaAlOを溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  3. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にMgLaAl1119を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  4. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLaとAlを混合し、溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  5. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLaを溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  6. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLaAlOを溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  7. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgLaAl1119を溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  8. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLaとAlを混合して溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  9. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgAlとLaAlOを混合して溶射して中間層を形成し、中間層の上にLaまたはLaAlOまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  10. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgOとAlとLaを混合して溶射することで中間層を形成し、中間層の上にLaまたはLaAlOまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射してプラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  11. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にLaAlOをして溶射して中間層を形成し、中間層の上にLaまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  12. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgAlを溶射して中間層を形成し、中間層の上にLaまたはLaAlOまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  13. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材を傾斜材料で被覆し、この傾斜材料の上にMgAlとLaAlOを混合して溶射して中間層を形成し、中間層の上にLaまたはLaAlOまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  14. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にMgOとAlとLaを混合して溶射して中間層を形成し、中間層の上にLaまたはLaAlOまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  15. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にLaAlOを溶射して中間層を形成し、中間層の上にLaまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
  16. プラズマ処理室壁処理方法において、プラズマ処理室基材にMgAlを溶射して中間層を形成し、中間層の上にLaまたはLaAlOまたはMgLaAl1119のいずれかを溶射するかもしくはLaとAlを混合して溶射し、プラズマ接触面をコーティングしたことを特徴とするプラズマ処理室壁処理方法。
JP2003027405A 2003-02-04 2003-02-04 プラズマ処理室壁処理方法 Pending JP2004241203A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003027405A JP2004241203A (ja) 2003-02-04 2003-02-04 プラズマ処理室壁処理方法
US10/376,304 US6875477B2 (en) 2003-02-04 2003-03-03 Method for coating internal surface of plasma processing chamber
US10/976,922 US20050084617A1 (en) 2003-02-04 2004-11-01 Method for coating internal surface of plasma processing chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003027405A JP2004241203A (ja) 2003-02-04 2003-02-04 プラズマ処理室壁処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004241203A true JP2004241203A (ja) 2004-08-26

Family

ID=32767624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003027405A Pending JP2004241203A (ja) 2003-02-04 2003-02-04 プラズマ処理室壁処理方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6875477B2 (ja)
JP (1) JP2004241203A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108178A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置
JP2013532770A (ja) * 2010-07-14 2013-08-19 プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド 半導体用途用の溶射複合コーティング
JP2014159637A (ja) * 2007-08-02 2014-09-04 Applied Materials Inc イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法
US20150048400A1 (en) * 2012-03-06 2015-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing an optoelectronic semiconductor chip
KR20150127145A (ko) * 2013-03-08 2015-11-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 불소 플라즈마에 대한 보호에 적합한 보호 코팅을 갖는 챔버 컴포넌트
US9850573B1 (en) 2016-06-23 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating

Families Citing this family (239)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW514996B (en) * 1999-12-10 2002-12-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film
JP3510993B2 (ja) * 1999-12-10 2004-03-29 トーカロ株式会社 プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
US7166166B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US6798519B2 (en) 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US7166200B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US7137353B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US7204912B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
CN1249789C (zh) * 2002-11-28 2006-04-05 东京毅力科创株式会社 等离子体处理容器内部件
WO2004095532A2 (en) * 2003-03-31 2004-11-04 Tokyo Electron Limited A barrier layer for a processing element and a method of forming the same
US7552521B2 (en) * 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US7601242B2 (en) * 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
US20060225654A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Fink Steven T Disposable plasma reactor materials and methods
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10975469B2 (en) 2017-03-17 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) * 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US20200131634A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6447937B1 (en) * 1997-02-26 2002-09-10 Kyocera Corporation Ceramic materials resistant to halogen plasma and components using the same
US6261643B1 (en) * 1997-04-08 2001-07-17 General Electric Company Protected thermal barrier coating composite with multiple coatings
JP3510993B2 (ja) 1999-12-10 2004-03-29 トーカロ株式会社 プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
JP2001179080A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Nihon Ceratec Co Ltd 低金属汚染の基板処理用部材
DE60127035T2 (de) * 2000-06-29 2007-11-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermisches Sprühbeschichtungsverfahren und Pulver aus Oxyden der seltenen Erden dafür

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108178A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置
JP4585260B2 (ja) * 2004-09-30 2010-11-24 株式会社東芝 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置
JP2014159637A (ja) * 2007-08-02 2014-09-04 Applied Materials Inc イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法
JP2013532770A (ja) * 2010-07-14 2013-08-19 プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド 半導体用途用の溶射複合コーティング
US20150048400A1 (en) * 2012-03-06 2015-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing an optoelectronic semiconductor chip
US9397280B2 (en) * 2012-03-06 2016-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing an optoelectronic semiconductor chip
JP2016520707A (ja) * 2013-03-08 2016-07-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated フッ素プラズマに対する保護に適した保護コーティングを有するチャンバ構成要素
KR20150127145A (ko) * 2013-03-08 2015-11-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 불소 플라즈마에 대한 보호에 적합한 보호 코팅을 갖는 챔버 컴포넌트
US10633738B2 (en) 2013-03-08 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Chamber component with protective coating suitable for protection against fluorine plasma
KR102177738B1 (ko) * 2013-03-08 2020-11-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 불소 플라즈마에 대한 보호에 적합한 보호 코팅을 갖는 챔버 컴포넌트
US9850573B1 (en) 2016-06-23 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating
WO2017222601A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 Applied Materials, Inc. Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating
US10676819B2 (en) 2016-06-23 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating

Also Published As

Publication number Publication date
US6875477B2 (en) 2005-04-05
US20050084617A1 (en) 2005-04-21
US20040151841A1 (en) 2004-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004241203A (ja) プラズマ処理室壁処理方法
JP7449900B2 (ja) フルオロアニーリング膜でコーティングされた物品
US20180030589A1 (en) Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US20090194233A1 (en) Component for semicondutor processing apparatus and manufacturing method thereof
CN107964650A (zh) 腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法
JP2013512573A (ja) プラズマ耐性コーティングで基板をコーティングする方法および関連するコーティングされた基板
JP5390166B2 (ja) 耐食性部材
JP2010106327A (ja) 耐食性部材
JP2007224348A (ja) 耐環境部材、半導体製造装置及び耐環境部材の製造方法
JP2000212734A (ja) 電子ビ―ム物理蒸着装置
TWI411023B (zh) 整修加工反應室組件的方法
JP2008001562A (ja) イットリウム系セラミックス被覆材およびその製造方法
JP2003342752A (ja) 真空用耐熱耐蝕コーティング部材、同部材を用いた部品を有する真空装置及び同コーティング方法
US20050112289A1 (en) Method for coating internal surface of plasma processing chamber
JP4178239B2 (ja) 高密着性酸化物皮膜及びその製造方法
JPH11131236A (ja) 耐蝕性部材およびその製造方法
JP2008007343A (ja) アルミナ被覆材およびその製造方法
JPH0995772A (ja) 真空装置用の窓材
JPH05263212A (ja) 耐熱被覆
US20240117490A1 (en) Halogen-resistant thermal barrier coating for processing chambers
US20240117489A1 (en) Halogen-resistant thermal barrier coating for processing chambers
JP2007073823A (ja) セラミックス被覆材およびその製造方法
JPH05235149A (ja) 防着板及び内部治具
JP2007036197A (ja) 半導体製造装置の構成部材及び半導体製造装置
JP2003313665A (ja) 金属または合金材料の表面処理方法及び真空処理装置内部品