TW502463B - Image display unit and method of producing image display unit - Google Patents

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TW502463B
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TW
Taiwan
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substrate
light
image display
layer
display device
Prior art date
Application number
TW090116688A
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English (en)
Inventor
Toshiaki Iwafuchi
Masato Doi
Toyoha Oohata
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Description

A7 — B7
502463
五、發明説明G
[發明之技術領域] 本發明係關於發光元件係排列成矩陣狀，用以按照影像 信號而執行影像顯示之影像顯示裝置、其影像顯示裝置之 製造方法、適合使用於其影像顯示裝置的發光元件之製造 方法。另也關於在基板上排列半導體發光元件或液晶控制 元件等元件之排列方法及其影像顯示裝置之製造方法，尤 其關於藉著轉印工序將經予微細加工之元件轉印於更寬闊 的區域之元件排列方法及其影像顯示裝置之製造方法。此 外，也關於加以改善發光元件j的安裝方向之影像顯示裝 置、排列元件而成的元件安裝基板、影像顯示裝置之製造 方法。 —· [先前技術] 幸二Ϊ且薄型之影像_示裝置，已見有開發各種型式之顯 不裝置。此種影像顯示裝置之主要種類有諸如使用發光二 極體（LED)之裝置、使用液晶顯示器之裝置、使用電漿顯 不器之裝置等。這些影像顯示裝置，正在隨著電腦技術之 發展而擴大其適用範圍，譬如，對角尺寸有3〇公分至15〇 公分左右的裝置係使用於電視接受機、視頻複製裝置、遊 戲機又輸出裝置等，另-外一，比其小的尺寸者則使用於例如 Α車搭載型導航裝置或錄影裝置之監視器螢幕等。 [發明所欲解決之課題] 然而這些影像顯示裝置之任-一種皆在解析度、亮度、光 輸出對電力效率、影像品質等特性方面，或大型螢幕化、 成本方面上存在著問題。例如就使用將發光二極體排列成
裝 訂
發光二極體陣列之裝置而言，其須以集合各 fn万式而構成陣列。然因各個發光二極體卻 刀別收納於封裝體而具有達數亳米左右之尺寸，致使一 光^ =寸也相對變大而使解析度下降。同時就使用發 ^極姐_之影像顯示裝置而言，將使得其每_像素之 :ϊϋ:: ’尤其是構成大型螢幕的裝置時其製品價格 就使用液晶顯示器之影像顯示裝置而言，其係將用以構 j顯不裝置之破璃等基板放入於抽成為真空的膜形成裝置 寺’而使用微影技術以形成電晶體等元件或形成佈線，因 而如特別欲提ίζ液晶裝置之解析度時，則需要施予微米級 之氣私控Φ] ’使知如欲製作大螢幕的液晶顯示裝置時成本 d將&加。而且液晶顯示有對比或色調會依‘视看的角度而 變化之視野角依存性，且也存在著使顏色變化時之反應速 度遲鈍之問題。 口另外，就使用電漿顯示器之裝置而言，其係利用在像素 單位之狹f空間產生放電而以來自於所產生的電離氣體之 紫外光激勵螢光體以產生可見光之原理。因此使用電漿顯 不器之裝置，則因而其-發—光效率本身並非屬於高，以致造 成耗電量增加^而且也會因螢光體引起的來自於外部之光 反射而造成對比下降之問題，也會產生顏色再現範圍狹窄 之問題。 r — 因此，上述影像I員示裝置，其任何一種均不容易使之大 型螢幕化且製品成本也會增加，各自也存在著解析度或製 ____ -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公愛） 裝 訂
程、影像品質、發光效率等諸問題。 有鑑於上述技術性課題，本發明係以提供一種優於解折 度或#像口口負、發光效率等諸特性，且容易大型螢幕化， 也能貫現降低製造成本之影像顯示裝置為其目@。另外， 本發月之其他目的乃在於提供一種用以製造如上述的高性 能景:像顯示裝置之製造方法。本發明之又一其他目的乃在 於供-種用以冑成影像顯#裝置的發《元件之製造方 法再者，本發明係提供一種將經施予微細加工之元件轉 :於更寬闊的區域時，經轉印後位置對準精度也不會受到 抽害，且也能解決佈線不良等問題的元件排列方法及影像 顯示裝置之製造方法為其目的· [課題之解決手段] 本&月之〜像顯不n，係排列著複數個着光元件，用 、.對iC於所要之衫像信號而顯示影像，其特徵為· 一個上 述發光元件之占有面積係設定為25㈣2以上且麵⑽2以 下、’且上述發光元件係分別安裝於佈線用基板。由於一個 上逑發光元件之占有面積係設定為25 _2以上且麵轉2 =下’因而可使各個發光元件本身變成微小的尺寸，可以 冋达度下使發光7C件本身—体設於佈線用基板。 本發月之較佳的影像顯示裝置，係將相對於各發光元件 ::面積的該影像顯示裝置上一個像素份占有面積之比， 汉疋為1 0以上40000以下，更佳為設定為丨〇以上1⑽㈨以 下 〇 - - 1 使用於本發明衫像顯示裝置之發光元件，只要以微 五、發明説明（ 小的尺寸即可供安裝的元件，則無特別限制，作為一個例 子則有發光二極體或半導體電射等裝置，尤其可選自氣化 物半導體發光元件、砷化物半導體發光元件、及磷化物半 導體發光元件中而構成。像這樣的發光元件，為使影像顯 示彩色化’可構成為包括使波長互異的三個發光元件組中 足像素。典型的方式是組合紅、綠、藍之各色發光元件便 可構成彩色螢幕。 另外，本發明係在排列著複數個發光元件，用以對應於 所要之影像信號而顯示影像的影像顯示裝置之製造方法 中，其特徵為·準備將所要之佈線佈局成矩陣狀之佈線用 基板’同時準備分離成個別的晶—片乏複數個發光元件，並 將居發光元件以使其連接於上述佈線之方式而安裝以構成 影像顯示裝置。由於發光元件為微小的尺寸二可以高密度 下佈設於佈線用基板，且由於先製成各個發光元件後才對 於佈線用基板安裝，因而良品率佳，大型螢幕化也容易。 在此種W像頻示裝置之製造方法中，也可在所要之元件 开/成用基板上畳層半導體層，並在該半導體層將上述複數 個發光元件排列而形成後，按每一個發光元件予以分離， 並使其經予分離的各發-光Γ元件安裝於上述佈線用基板，也 可在上述發光元件之元件間之區域以包圍各發光元件之方 式形成到達上述元件形成用基板的基板表面之溝渠，並從 π件形成用基板分離由該溝渠—包圍之各發光元件，而使其 經予分離的各發光元件安東於上述佈線用基板。 作為較佳實施形態之一例子，對於佈線用基板安裝經予 五、發明説明（ t離的各發U件，可在邊以謂用吸具吸附發光元件之 "面或月面邊按每一個元件搭載於佈線用J板下而實施， 從元件形成用基板分離為溝渠所包圍各發光元件，可利用 =該元件形成用基板背面照射能量射束(energy b一而實 她。也可在照射該能量射束之前，使元件形成用基板上之 各發光元件保持於暫時保持用基板，在照射上述能量射束 、後J k元件形成用基板分離各發光元件，使各發光元件 保持於暫時保持用基板。在此種情況下，暫時保持用基板 也可和黏合材料形成於其全面，而使上述發光元件之表面 暫時保持於該黏合材m卜，對於上述佈線用基板安裝 經予分離的各發光元件，也可將上述發光元件表面之電極 部刀壓接於上述佈線用基板上之導電材料而實施。 另外，本發明也提供關於構成上述影像顯龙裝置的發光 讀之製造方《，而本發明之發光元件之製造方法，係在 所要又兀件形成用基板上疊層半導體層，並在該半導體層 將上述複數個發光元件排列而形成後，按每一個發光元件 予刀離，並且也使各發光元件從上述基板予以分離為並 特徵。 在發光元件之製造方-法冲較佳的例子為··上述各發光元 件與上述基板之分離，係利用從該基板背面照射能量射束 而貝她，在照射上述能量射束之前，使上述各發光元件保 持於暫時保持用基板，在照射-上述能量射束之後則從上述 基板分離各發光元件而使''各發光元件保持於暫時保持用基 板。另外，暫時保持用基板也可將黏合材料形成於其^
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公爱) 五、發明説明(. 面’使上述發光元件之表面暫時保持於該黏合材科。 美：：面發明之元件排列方法，係用以將排列於第-數個元件排列於第二基板上，其特徵為具有·· 印工序’其係用於將上述元件以比上述元件在上述 二=!排列之狀態更留著間隔之方式轉印而使該元 2保持於暫時保持用構件；以及第二轉印工序，其係用於 將保持於上述暫時保持用構件絲 印於第二基板上。 μ使n間隔而轉 如依照上述方法’使元件保持於暫時保持用構件時，元 件間〈距離已被擴大，因而利用其已擴大的間隔即可咬置 尺寸較大的電極或電極烊塾（pad)。在後續之第二轉印工 序’由於佈線可利用暫時保持用構件之尺寸較大的電 電極焊整而實施，因而即使在最後的裝置尺‘寸較之元件尺 寸為顯著大的情況下也容易形成佈線。 另外’應用上述元件排列料之本發明料顯示裝置之 製造万法，係用以製造將發光元件或液晶控制元件佈局成 矩陣狀之影像顯示裝置，其特徵為具有：第一轉印工序， 其係用於將發光元件或液晶控制元件以比上述發光元件或 液晶控制元件在第-基奮上所排列之狀態成為更留著間隔 的狀態之万式而轉印，使上述發光元件或液晶控制元件保 持於暫時保持用構件；第二轉印工序，其係用於將保持於 上述暫時彳呆持用構件之元件技其留著間隔而轉印於第二 基板上；以及佈線形成工序，其係用於形成供連接於上述 各發光元件或液晶控制元件之佈線。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） * 9 - A7 B7 ) 五、發明説明（7 若依如上述影像顯示裝置之製造方法，影像顯示裝置之 景彡像顯㈣分係藉著將發光元件或液晶控制元件佈局成矩 _而構成。第-基板上之發光元件或液晶控制元件，可 在稠密的狀態亦即提高積體度下施予微細加工而製作，且 可在邊留著間隔邊轉印於暫時保持用構件的時刻，可利用 I 擴大的間隔而这又置尺寸較大的電極或電極焊墊等。因此與 上述元件排列方法同樣地容易形成第二轉印工序後之佈 線。 本發明除上述外也提供改善發光元件之安裝的影像顯示 裝置及其製造方法。亦即，此種本發明之影像顯示裝置， 係、具有將複數個發光S件排列於神線用基板之基板主面上 而安裝的結構，其特徵為：經由上述發光元件之結晶生長 所形成結晶生長層係在上述基板主面之法線-方向，與結晶 生長時之狀態成倒置之狀態安裝於佈線用基板。 、另外，本發明足影像顯示裝置係在上述構成中，可構成 為·使發光7L件具有以結晶生長時之基板側供作為取光窗 足結晶生長層，各發光元件在安裝於上述佈線用基板之前 生長用基板予以分離之結構。另在上述構成中，上述 叙光兀件可構成為：在_具—有相對於基板主面呈傾斜的傾斜 ，晶面之上述結晶生長層，形成第一導電層、活性層、及 第一導％層，且供連接於上述第一導電層之第一電極，與 供連接於第二導電層之第二電—極，係使其距自生長用基板 之高度大致形成為相同程度之結構。另外，在一種且有铖 予倒置的結晶生長層之影像顯示裝置中，可構成為具有= 本紙張尺度適财㈣㈣準_) M規格^ χ撕公爱;10 ------ 五、發明説明（8 ) 住活性f之第-導電層與第二導電層，其供連接於第一導 電層足第一電極’與供連接於第二導電層之第二電極，係 在上述基板主面之法線方向，隔著上述結晶生長層而各自 分開形成之結構。 另外，本發明之影像顯示裝置之製造方法，其特徵為： 在生長用基板上以選擇性生長方式形成基板側呈開口形狀 之結晶生長層，並在該結晶生長層形成第一導電層、活性 層、及第二導電層以構成發光元件，將供連接於上述第一 導電層之第一電極，與供連接於第二導電層之第二電極， 形成為使其距自生長用基板之高度大致形成為相同程度， 並將上述結晶生長層從上述生長-用基板予以分離，倒置於 佈線用基板而安裝。 另外，本發明《兀件安裝基I，係具有在春線用基板之 基板主面上將複數個發光元件排列而安裝的結構，其特徵 為·上逑發光兀件t經由結晶生長所形成之結晶生長層係 在上述基板主面之法線方向，與結晶生長時之狀態成倒置 之狀態安裝於佈線用基板。 在上逑本發明之影像顯π裝置，由於發光元件之結晶生 長層係使其在上述基板-主面之法線方向，與結晶生長時之 狀態成倒置之狀態，因而即使將電極側形成於結晶生長層 上側時，由於倒置’也可使之位於相對於佈線用基板的下 側，因而在佈線用基板上形或嘀線層，便可在安裝時容易 達成電互it。因；tb，不必-製成封裝形-態，便也可〃高密度 下排列發光元件。 ___一I11 - 本纸張尺度適财目目家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 502463 A7
再者，在本發明之影像顯示裝置之製造方法，由於站曰 生長層係依選擇性生長方式所形成，可簡單地形成出= 於基板主面具有傾斜的傾斜結晶面，因而倒置結晶生❹ 時m吏光的取出窗位於上面。另外將供與第—導^ 連接之第-電極’與第二導電層連接之第二電極，使=巨 自生長用基板之高度大致形成為相同程度，藉此便可使虚 佈線用基板之連接容易進行。 Λ [發明之實施形態] 影像顯示裝 元件排列方 茲參照圖面就適用本發明之影像顯示裝置 置之製造方法、以及發光元件之製造方法 法、元件安裝基板，詳細說明如-卞。- 圖1係顯示第一實施例之影像顯示裝置重要部分佈局 圖，圖1係圖示垂直水平方向各兩個像素份之重要部分。 本實施例之影像顯示裝置係在佈線用基板1之主面上形成 有向水平方向延伸的複數條位址線ADD0、aj)di，並介以未 圖示的層間絕緣膜形成有何垂直方向延伸的複數條資料線 DLR0〜DLB1。佈線用基板1係例如玻璃基板、或由合成樹 脂或絕緣層被覆的金屬基板、或矽基板等適用於半導體製 造之基板，只要能在要求·妁精度下形成得出位址線或資料 線，則任一種基板均可使用。 · 位址線ADD0、ADD1係由優於導電性的金屬材料層或半導 體材料層與金屬材料層之組會-等形成，其線寬係如圖1所 示可使其形成為較之發光三極體之尺★ Μ為廣闊的寬度。 這是如下面說明，由於安裝了 一個上述發光元件之占有面 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 502463 A7 B7 五、發明説明（1()) 積係設定為25 /zm2以上且10000 /zm2以下之微小尺寸之發光 二極體始得以實現，因此能極力減少依序掃描像素以輸出 所要的影像時之位址線本身的電阻所引起延遲。該位址線 ADD0、ADD1係向水平方向延伸，每一個像素就配有一條位 址線通過。因而在水平方向鄰接的像素彼此則以共同位址 線用以選擇。 資料線DLR0〜DLB1係與位址線同樣地由優於導電性的金 屬材料層或半導體材料層與金屬材料層之組合等形成，其 線寬如圖1所示也可形成為只占佈線用基板1之占有面積之 大約為一半左右。這樣寬闊的線寬也與位址線同樣地，由 於安裝了一個發光元件占有面積係設定為25 // m2以上且 10000 /z m2以下之微小尺寸之發光二極體始得以實現。這些 資料線DLR0〜DLB1係向垂直方向延伸，並按Jf、各像素的發 光二極體數目使用三條資料線。例如圖中左上方的像素之 發光二極體係包括紅色發光二極體DR00、綠色發光二極體 DG00、及藍色發光二極體DB00，而資料線DLR0〜DLB0也按 各發光顏色而設置。資料線DLR0〜DLB1在垂直方向所鄰接 像素之同一發光色的二極體之間，則利用共同資料線。 本實施例之影像顯示-裝"置，係將發光二極體排列成矩陣 狀，用以按照所要之影像信號（映像信號，即包含動畫用 信號）而發光。其驅動方法係使用與主動型陣列液晶顯示 器（active matrix LCD)相同的點丨俱·序或線順序方式來驅動本實 ί 施例之影像顯示裝置。發^光二極體可使用例如：作為藍色 及綠色之發光二極體用則使用生長在藍寶石基板上的氮化 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
裝 502463 A7 B7 五、發明説明（η ) 鎵系之雙異質結構多層結晶；而作為紅色之發光二極體用 則使用生長在坤化鎵基板上之砷化鋁鎵或磷化銦鋁鎵系之 雙異質結構多層結晶。發光二極體係用以構成由使波長互 異的三個發光元件之組的像素，惟波長互異的組並非侷限 於紅、綠、藍，而以其他顏色之組也可。 在本實施例之影像顯示裝置中，在各像素内以水平方向 排列著紅色之發光二極體DR00、DR0卜DR10、DRn，接著綠 色之發光二極體DG00、DG01、DG10、DG11，接著藍色之發光 二極體DB00、DB01、DB10、DB11。例如圖中左上方的像素之 發光二極體係依紅色發光二極體DR00、綠色發光二極體 DG00、及藍色發光二極體DB00之颁序而排列，而由這些三 個發光元件構成一個像素之組。 各發光二極體具有例如各自大致為正方形之形狀，且具 有直接以非封裝（non-packaged)狀態或以微小封裝狀態（例如 1 m m尺寸以下左右）供安裝之晶片結構。圖1之佈局圖雖 未圖示有關發光二極體之詳細的層結構，惟各個發光二極 體之平面形狀大致為正方形，而安裝該大致為正方形之發 光二極體晶片，藉以構成發光二極體之矩陣狀排列。各發 光二極體之位置係位於對-應於位址線ADD0〜ADD1與資料線 DLR0〜DLB1的交叉位置之位置，各發光二極體係介以連接 於位址線之電極焊墊部1 1電互連於位址線，同樣地，介以 連接於資料線之電極焊墊部1 2屢互連於資料線。電極焊墊 部1 1為向垂直方向延伸之V】、的帶狀區域，而電極焊墊部1 2 為向水平方向延伸之小的帶狀區域。各發光二極體係介以 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（I2 '言—i極绛墊部11、12電互連於位址線及資料線而以點順 序或線順序之方式予以驅動。 由於一個發光二極體之元件占有面積為2…2以上且 =_ _2以下’大致為正方形之各發光二極體之尺寸，則 又定為其邊之尺寸為5微米至1〇〇微米左右之尺寸。作為 2這樣以微小的尺寸下供安裝於佈線用基板之發光二極 心各發光一極體係以微小封裝狀態或直接以非封裝狀態 下文裝於怖線用基板1。為製造各二極體，較佳為使用後 =1光一極體足製造方法。另方面，在本實施例之影像顯 示裝且其每一個像素之節距（pitch)，垂直方向為v,水平 方向為Η，係設定於例如自〇1亳来至·米範圍。這是因為 作為動畫用（電視接受機、視頻機器、遊戲機）或資訊用（例 如電腦用）之影像顯示裝置，對角尺寸為3〇㈣至15〇 cm者為適當，且其像素數將RGB合計為一個像素時也以大 約為自30萬個至200萬個左右者為較理想之故，而且就人 類的視覺特性上來說，作為注視型之影像顯示裝置也以將 像素節距設定為自ai微米（個人用高精晰度顯示）至1毫米 (數人用動畫顯示）為較佳之故。因而若使發光二極體設定 為使其一邊之尺寸為5微—米至100微米左右之尺寸時，相對 於各發光二極體之占有面積的該影像顯示裝置上_個像素 份之占有面積之比乃以為1〇以上40000以下為較佳更佳為 1 0以上10000以下。 - 通常影像顯示裝置之發'光元件，典型的是以〇·3毫米四方 之尺寸為樹脂封裝前之晶片尺寸，若對此施加樹脂封裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 15 502463
後，即將超過-個毫米。因而例如假說像素節距為5毫米 時，便可使相對於上述各發光二極體之占有面積的該影像 顯示裝置上-個像素份之占有面積之比在W〜2左右數 值，惟如本實施例’相料各發光二極體之占有面積的該 影像顯示裝置上-個像素份之占有面積之比則以較佳為1〇 以上40000以下範圍，更佳為10以上麵以下範圍，因而通 常典型的影像顯示裝置之該比範圍已脫離本實施例範園。 使用像這樣微小的晶片尺寸就是本實施例影像顯示裝置 之背後原目，惟即使為微小的晶片尺寸也所以能獲得足夠 亮度的理由可解釋如下。亦即，在屋内用顯示裝置，其為 提供足夠的亮度所需之值為500 cd/m2左右，換算為光輸出則 紅色、綠色、藍色之各色皆大約為5购2。若以影像顯示 裝置使之實現，計算上則使一個發光二極體之平均光輸出 具有自0.017 yW至1.7 VW範圍即夠用。關於可靠性方面，假 設為與通常發光二極體同等，則如使其驅動電流密度為同 等時，即使加計一些餘裕，只要使發光二極體具有自丨平 方微米至1〇〇平方微米左右之尺寸已夠，因而作為供安裝於 佈線用基板的發光二極體，將一個發光二極體之占有面積 設足為25 y m2以上且lOOOO-ym2以下時就在可靠性與亮度方 面理應已屬夠用。 直接以微小的尺寸下供安裝之各發光二極體，具有如上 述尺寸，如後述製造方法、其係形成於元件形成用基板 上，之後則按每一晶片予以分離而以非封裝狀態或微小封 裝狀態下即可供安裝。其中所謂非封裝狀態係指並未施予
裝
-16- 502463 A7 B7 五、發明説明（14 ) 如樹脂成形等用似覆蓋二極體晶片外側之處理的狀態。另 外所謂微小封裝狀態係指為薄的壁厚之樹脂等所被覆之狀 態，惟其係指收納在比通常封裝尺寸為小（例如1 m m以下 左右）的尺寸之狀態。如後述製造方法所詳述，用於本實 施例影像顯示裝置之發光二極體可在以相當於無封裝之部 分或以相當於封裝為微小的部分之微小尺寸下安裝於佈線 用基板上。 玆參照圖2及圖3就第二實施例之影像顯示裝置說明如 下。本實施例係上述第一實施例的影像顯示裝置之變形 例，特別是供電互連於各發光二極體之電流保持電路係被 安裝成晶片狀之例子。 在圖2之佈局圖，顯示本實施例影像顯示裝置内一個像 素份（V 1 X Η 1)之結構。其係在與第一實施ί对相同的佈線 用基板2 1上以所要之間隔下形成向水平方向延伸的位址線 ADD與兩條電源線PW1、PW2。這些位址線ADD與兩條電源 線PW卜PW2係由優於導電性的金屬材料層或半導體材料層 與金屬材料層之組合等形成，其線寬係設定為較之發光二 極體或電流保持電路之晶片尺寸為宽闊的寬度。另在同一 像素内則向垂直方向以片h要之間隔下形成每一發光二極體 之信號線DLR、DLG、DLB，這些信號線DLR、DLG、DLB也以 與位址線ADD同樣結構及尺寸下所形成。 在本實施例之影像顯示裝覃-，其發光二極體DR、DG、 t DB係排列成矩陣狀，用及按照所要之影像信號而發光。 該像素中二極體係依紅色發光二極體DR、綠色發光二極 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 502463 A7 ' B7 五、發明説明（15 ) 體DG、及藍色發光二極體DB之順序排列，由這些三個發 光二極體構成一個像素之組。各發光二極體DR、D G、 DB各自具有以大致為正方形之微小的尺寸所安裝成的晶 片結構之情況，仍與上述實施例之情況相同。各發光二極 體D R、D G、D B係安裝於電源線P W 1與電源線P W 2間之 區域。 並且在本實施例之影像顯示裝置，則按每一個元件形成 電流保持電路P T，其係電互連於各發光二極體D R、D G、 D B，用以保持流通於各發光二極體D R、D G、D B之電 流。該電流保持電路PT乃是包括具有後述電晶體與電容器 的電路構成之電路，尤其電流保#電路P T係形成為個別的 晶片狀且以微小的尺寸下所安裝於佈線用基板2 1者。在本 實施例中，形成有各發光二極體D R、D G \ D B與電流保 持電路PT之上述電流保持電路晶片，具有大致為相同晶片 尺寸，一個發光二極體之元件占有面積係設定為25 /zm2以 上且10000 /zm2以下，且一個電流保持電路P T晶片之占有面 積也同樣地設定為25 # m2以上且10000 # m2以下。使其設定 為如上述大致為相同晶片尺寸，便可在同一安裝工序下進 行安裝，使製造工序容-易-實現。這些各電流保持電路PT係 形成於電源線P W 1與位址線ADD間之區域。 在各發光二極體DR、DG、DB與電流保持電路PT間及 各信號線DLR、DLG、DLB或舞址線ADD、電源線P W 1、 1 P W2之間，則因佈線需^而形成佈線部2 2〜2 6。佈線部 2 2係以垂直方向為較長方向之帶狀小區域，用以連接發光 _-18-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 502463
一極體與電源線P W 2。佈線部2 3係以垂直方向為較長方向 之帶狀區域，用以分別使發光二極體DR、DG、RB與用 以保持驅動該發光二極體!）^^、DG、DB的電流之電流保 持電路P T間相連接。佈線部2 4係經自發光二極體水平延 伸後為與電源線PW1連接而垂直延伸的帶狀區域，用以連 接電流保持電路P T與電源線p w 1之間。佈線部2 5係以垂 直方向為較長方向之帶狀小區域，用以連接電流保持電路 P T與位址線ADD之間。佈線部2 6係向水平方向延伸之帶狀 小區域’用以分別連接電流保持電路p T與信號線DLR、 DLG、DLB之間。這些各佈線部2 2〜2 6係在以微小的尺寸 下將各發光二極體DR、DG、安裝於佈線用基板時， 可供載置如後述的接合用導電材料，而使電流保持電路Ρ τ 晶片同樣地以微小的尺寸下安裝於佈線用基尨時，也可供 載置如後述的接合用導電材料。 圖3係圖2所示本實施例之影像顯示裝置電路圖。圖中二 極體3 1就是發光二極體，其可按照影像信號而發光特定的 顏色。另外，二極體3 1有紅、綠、藍之三色，由排成水平 方向之二個二極體3 1構成一個像素，惟為了簡化說明，圖 3之電路圖中則不予區別_|員色而顯示。連接於該二極體3复 之電晶體3 2、3 3與電容器3 4係構成電流保持電路。電晶 體3 2在電源線p w 1與電源線P W 2之間與二極體3 1連接成 串聯，電晶體3 2只在接通狀筚持二極體3 1才發光。電源線 P W 1與電源線p W2中之二方係供給#地電壓另一方則供給 電源電壓。在該電晶體3 2之閘極則連接以電容器3 4之一方 -19-
502463 A7 B7 五、發明説明（17 ) 端子與充當開關（switching)電晶體的電晶體3 3之源極•汲極 領域中之一方。該電晶體3 3的另一方之源極•汲極領域係 連接於供給影像信號之信號線D L，而該電晶體3 3之閘極 則連接於向水平方向延伸之位址線ADD。 位址線ADD具有可由移位暫存器3 6選擇性地切換位準之 結構，例如只供使複數條位址線之一條移位於高位準而選 取其水平位扯。信號線DL係用以將影像信號傳送於各發 光元件3 1之佈線，而每對於一個各發光元件3 1則有一條信 號線D L與此相對應。位址線ADD係由移位暫存器3 6選擇 性地移其位準，惟位址線ADD卻由移位暫存器•轉移閘電 路35加以掃描，而對於被選取之—信號線DL則經由移位暫 存器•轉移閘電路3 5供給影像信號。 連接於電晶體32之閘且連接於電晶體33之二方的源極· 汲極領域之電容器3 4，係具有電晶體3 3變成關斷狀態時維 持電晶體3 2的閘電位之功能。如此，電晶體3 3即使變成關 斷狀態時也能維持閘電壓，因而可繼續驅動發光二極體 3 1° 茲就動作方面簡單說明如下。當自移位暫存器3 6施加電 壓於水平的位址線ADD而·選取位址時，其所選取之線的開 關電晶體3 3就成為接通狀態。此時，對於向垂直方向延伸 的信號線DL施加電壓以作為影像信號時，其電壓固能經 由開關電晶體33而到達電晶體32之閘，但同時也會使其閘 t 電壓蓄電於電容器34，以使該電容器3 4維持電晶體3 2之 閘電壓而動作。水平方向位址線ADD之選擇動作停止後， __-20-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 502463 A7
———— 丨丨·—!Μ· ΝΝΝΝΝΝΝ·Ι II 五、發明説明（18 ) 亦即與選擇有關之位址線電位再遷移於低位準使電晶體3 3 變成關斷狀態時，電容器34仍然繼續維持著閘電壓，原理 士直至發生下-個位址選擇之前，電容器34仍可繼續保持 著選取當時之閘電壓。該電容器34在維持著閘電壓之期 間，電晶體32就執行相對應於其維持電壓之動作，而也可 對於發光二極體3 1繼續流通驅動電流。如此長久保持著發 光二極體31之發光時間，即使予以降低各各發光二極體之 驅動電流，仍可望提高螢幕全體之亮度。 茲參照圖4至圖12就第三實施例之本發明影像顯示裝置 之製造方法說明如下。此外，此影像顯示裝置之製造方法 仍可將之充當發光元件之製造方法而使用，直至對於佈線 用基板安裝的前工序為止之說明也就是發光元件之製造方 法。 如圖4所示，首先準備藍寶石基板51，經形成未圖示的 低溫、高溫之緩衝層後，依序疊層第二導電型敷層（ layer) 52、活性層53、第一導電型敷層54。藍寶石基板51 係作為基板❶其中第二導電型敷層5 2、活性層5 3、第一導 私型敷層5 4 ’例如在製造藍色或綠色發光二極體時，可使 用氮化銾系結晶生長層經生長如此之各層，在藍寶石基 板51上便可形成具有口11接合（p-n juncti〇n)的雙異質結構之 發光二極體。 接著，如圖5所示，使用释影技術，並利用蒸鍍法與反 應性離子触刻法，形成η〜型電極5 5使其連接於第二導電型 敷層52 ’再也形成ρ型電極56使其連接於第一導電型敷層
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54，按每一個兀件形成妥各電極55、“後，形成分離溝 木5 7以使各兀件周園加以隔離。此分離溝渠$ 7之形態，一 般而言，為使殘留下來之發光二㈣呈正方㈣而作成為 格子狀，但並非侷限於此，其他形狀也可。該分離溝渠57 之深度係旎夠使监寶石基板5丨主面露出之深度，因而第二 導電型敷層52將成為由該分離溝渠57所分離者。作成為正 方形狀的發光二極體之尺寸係設定為占有面積為25卿2以 上且K)__2以下左右之尺寸，目而_邊之尺寸為5 _ 至 100 " m 〇 如圖6所示，準備暫時保持用基板6 〇。該暫時保持用基 板60係為在轉印各發光二極體時-用以保持所需之基板。黏 合材料61係塗布在該暫時保持用基板6〇表面，當使該黏合 材料層6 1之表面62壓接於已形成有分離溝襄5 7之發光二 極體側時，便可使各發光二極體之表面側黏上於黏^材^ 層61之表面62。 接著，如圖7所示，能量射束則使用準分子雷射光等高 輸出脈衝紫外線雷射從藍寶石基板5丨背面側照射使其透過 到表面側。經照射該高輸出脈衝紫外線雷射，在藍寶石基 板5 1與結晶層之第二導-電-型敷層5 2等之介面附近，例如氮 化鎵層將分解成氮氣與金屬鎵，使其第二導電型敷層”與 藍寶石基板51間之接合力變弱，使得容易予以剝離^寶二 基板5 1與結晶層之第二導電犁敷層5 2之間。 經予剝離藍寶石基板5 f後，各發光二極體就以元件被分 離之狀態下保持於暫時保持用基板60之黏合材料層61 , ^
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502463 A7 B7 五、發明説明（20 ) 如圖9所示以吸附用吸具7 〇吸附其第二導電型敷層$ 2之 面。吸附用吸具70之吸附部72接觸到第二導電型敷層52 背面時，予以減壓在該吸附用吸具7〇之吸附孔7 i内部壓力 便可達成吸附。 被吸附的發光二極體之第二導電型敷層52背面確實被吸 附著時，即將吸附用吸具7〇從暫時保持用基板6〇分開，使 被吸附之發光二極體個別地如圖1〇所示從暫時保持用基板 6 0拆開。 到此為止係屬個別的小尺寸晶片的發光元件之製造方 去，接著，將之安裝於佈線用基板便可製造影像顯示裝 置。圖1 1係顯tf正要將吸附在吱附用吸具7 〇的發光二極體 安裝於佈線用基板8〇之前的狀態，該發光二極體係以一個 兀件足占有面積係設定為25 #m2以上且l〇〇〇a #m2以下之微 的尺寸所構成。在此階段時，佈線用基板8〇早已準備 =，並在該佈線用基板8〇上已形成有所要之信號線或位址 線、、電源線或接地線等佈線電極81。佈線用基板8〇為例如 破璃基板、經由合成樹脂或絕緣層被覆的金屬基板、或矽 基板等通用於半導、體製造之基板，只要可供以要求之精度 下形成位址線或資料線—广則任一種基板均可使用。在佈線 用基板81上形成有接合用導電材料82。該接合用導電材料 82只要係屬加以壓接便可變形而達成電互連的材料即可使 接著，如圖1 2所示，士吸附用吸具7 0靠近佈線用基板 8〇 ,在預足位置壓接發光二極體而安裝該發光二極體。接 ^張尺度23— - 502463 A7 ^ B7 五、發明説明（21 ) 合用導電材料8 2雖會因該封裝狀態的發光二極體之壓接而 變形，但仍能使之確實固定而達成安裝。對於電流保持電 路也可以同樣的非封裝狀態下直接安裝，因而也可容易製 造具有電流保持電路之電路構成。 只要使用本實施例之影像顯示裝置之製造方法，對於形 成在氮化鎵基板上的發光二極體或形成在石夕基板上的發光 二極體或電路元件之微小晶片化上，則不再需要雷射等手 段，而由從基板背面的研磨、研削、化學蝕刻或為形成分 離溝渠所需蝕刻之組合便可形成微小晶片。 此外，上述例子係舉以逐一地吸附發光二極體而安裝之 例子加以說明，惟使用形成有複襄摘吸附部之吸具時，也 可提高其生產性，且在矽基板或化合物半導體基板上形成 元件時，也並非侷限於照射能量射束，也可4吏用從基板背 面的研磨、研削、化學餘刻處理。 由於發光元件之LED(發光二極體）價昂，如上述般從一 片晶圓製造眾多的LED晶片便可降低使用LED的影像顯示裝 置。也就是說，若使LED晶片之尺寸為大約為300 # m者以 如上述方法製成數十角之晶片，並將其連接而製造影 像顯示裝置時，便可使影-像顯示裝置之價格降低。 於是，有一種將各元件形成為高積體度，並藉著使各元 件轉印於寬闊的區域等方法邊使其留著間隔邊移動而構成 影像顯示裝置等較大的顯示裝-置之技術，例如記載於美國 1 專利第5438241號公報之薄膜轉印方法、或記載於日本專利 特開平第11-142878號公報之顯示用電晶體陣列面板形成方 _-24-___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 502463 五、發明説明（22 = 1為广，所周知。在美國專利第5438241號公報係揭 、备，土 形成為稠密的元件重新佈局成稀粗之轉印方 法:其係在附有接合劑之伸縮性基板轉印元件後，邊監控 各兀件《間隔與位置邊使伸縮性基板向χ方向與γ方向拉 伸。然後使經予延伸的基板上之各元件轉印於顯示器面板 j。至於,記載於日本專利特開平第侧號公報之技 術2將第S板上構成液晶顯示部之薄膜電晶體全體轉 印於第二基板上，接著，從該第二基板選擇性地轉印於對 應於像素節距的第三基板之技術。 然如上述之技術卻會造成如下列之間題。首先，使基板 上形成為稠密的元件重新佈局成-稀粗之轉印方法，則有視 拉伸伸縮性基板時的不動點（支點）係位於接合面之何處而 使裝置位置就偏離最小為相當於晶片尺寸（▲ 2 〇 #叫之本 質性問題存在。因而就每-裝置晶片之精密位置控制是不 可缺之條件。因此對於形成至少需要1 /zm左右位置對準精 度的高解析度TFT面板上，則在按每_TFT裝置晶片的包含 位址檢測與控制之位置對準上需化極大時間。而且對於^ 膨脹係數較大的樹脂薄膜之轉印，則將因定位前後之溫度 /應力變動，容易使得位對準精度受到影響。基於上述 理由，如欲使之充當量產技術而採用則有極大困難。 另外，在日本專利特開平第1M42878號公報所記載技 術，係在經完成最後轉印後才f作佈線電極。然而目前卻 有要求藉由同積體化使薄膜電晶體或發光元件等元件尺寸 變小之趨勢，因此若經使元件佈設於所要之像素節距位置 裝 訂 * -25 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）
後’再形成佈線層等時，則需在微細化元件晶片已佈設於 、’二予擴大的領域狀態下形成佈線，惟如此即將因元件位置 精度問題而冒出佈線不良等新課題。 於疋I為使經予微細加工之元件轉印於更寬闊的區域 時，則而要一種轉印後位置對準精度也不致受到影響，且 也可解決佈線不良等問題的元件排列方法及影像顯示裝置 之氣k方法。以下則就此種元件排列方法、其影像顯示裝 置之製造方法加以說明。 [兩階段擴大轉印法] 本發明之元件排列方法及影像顯示裝置之製造方法，係 採取：以高積體度下製作於第一一基板上之元件以使其比元 件在第一基板上所排列之狀態更留著間隔的狀態之方式轉 印於暫時保持用構件，接著將保持於暫時保持用構件之上 述兀件更使其留著間隔而轉印於第二基板上之兩階段擴大 轉印方法。惟在本實施形態雖採取兩階段式轉印，但也可 因應使元件留著間隔而佈局的擴大度而採取三階段或更多 階段之轉印方式。 圖1 3與圖1 4係分別顯示兩階段擴大轉印法之基本工序 圖。首先，在圖13(a)所寸第一基板9〇上形成稠密的例如 像發光元件或液晶控制元件之元件92。液晶控制元件係指 作為最後製品而形成液晶面板時用以控制液晶定向狀態的 薄膜電晶體等。使元件形成為稠密便可增加每一基板可產 生之元件數，進而可降低i造成本。第一基板9〇係將如半 導體晶圓、玻璃基板、石英玻璃基板、藍寶石基板、塑膠 一丨丨 __ - 26 - 本紙張尺度適用中S目轉準(CNS) A4規格(210X 297公釐） — --—-
，板等各種可供作形成元件之基板，但各元件92也可為直 忐：成於第一基板9〇上者，也可為將經在其他基板上所形 成者予以排列而成者。 接著如圖l3(b)所示，將各元件Μ從第一基板轉印於 圖中虛線所示暫時保持用構件9ι，使各元件邮持於該暫 寺保持用構件91上。此時，相鄰接之元件”就被留著間隔 而刀開’佈局成如圖所示之矩陣狀。就是說元件92也向χ 、 9疋仵之間而轉印，但也向垂直於X方向的y '、向使各自元件之間隔擴大而轉印。此時所留下間隔之距 離並無特定的限制，作為—個例子可採用㈣參酌在後續 工序中之樹脂部形成或電極焊㈣形成之距離。從第一基 板:〇轉印於暫時保持用構件91上時，也可使第一基板9〇 上全部元件留著間隔而轉印。㈣情況了、暫日寺保持用構 件91之尺寸只要有對於佈局成矩陣狀的元件92之數目（分 別為X方向、y方向）乘上所留著的間隔之尺寸以上即可。 另外也可使第—基板90上之部分元件留著間隔而予以轉 印〇 對於暫時保持用構件9丨轉印元件92 ,如後述，也可使用 J用所要之及附用吸具或致動器（扣加故沉）等之機械性手段 :實施’或是先塗上會因熱或光而會產纟軟化、硬化、交 駟、退化等反應的樹脂後，以熱或局部照射光而使其產生 剥離或接合等方法作選擇性轉—印也可。另外也可组合熱或 光與機械性手段而轉印。使暫時保持用構件91與第一基板 90足面彼此面對面而轉印是一般性作法，惟採取一旦使元 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 x 297公釐）27 ------
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) 五、發明説明（25 件92從第一基板90按每一晶片予以拆開分離，然後將各個 元件92重新排列於暫時保持用構件91之方式也屬可行。 經施予這樣的第一轉印工序後，如圖丨3之（c)所示，由 於暫時保持用構件91上所存在之元件92已加以留著間隔， 因而就連同各元件92施予元件„之樹脂被覆與電極^ 足形成。元件周圍之樹脂被覆係為使電極 俾在其次之第二轉印工序中易於處理而形成。；=之 形成、，如後述’㈣最後㈣線係在接著實施的第二轉印 工序〈後才進行，因而為使在那時不致發生体線不良而形 :為比較大—些:此外，.在圖13之⑷並未圖示電極烊 土。以樹脂93覆蓋各元件92㈣即可形成樹脂形成晶片 94。疋件92係在平面上位於樹脂形成晶片94之大致 央，惟偏位於一邊或角邊之位置亦不妨。 二如圖以⑷所示，實施第二轉印工'序。在此第 -轉πμ將暫時保持用構件91上佈局 92連同樹脂形成晶片94_起，…早狀《兀件 轉印於第二基板：此轉印== 使用利用所要之吸附用吸具二 化等===::產生— 接合等方法作選擇,生剝離或 械性手段而轉印。卩也了另外也可組合熱或光與機 94 -起力以L 一序相鄰接的元件92也連同樹脂形成晶片 °田考間隔而佈局成如圖示之矩陣狀。就是說元 件92也向X方向擴大各自元件之間隔而轉印，但也向垂直 於x方向的y方向使各自元件之間擴大而轉印。假設經由 第二轉印X序所佈局元件之位置為對應於影像_示裝置等 最後製品的像素之位置，則初始之元件92間之節距的大致 為整數倍就是經由第二轉印工序佈局的元件92之節距。設 從第-基板90向暫時保持用構件91予以留著間隔的節距: 擴大率為η，從暫時保持用構件91向第二基板”予以留著 間隔的線距之擴大率為01時，大致為整數倍之值£ =以 E = nXm表示。擴大率n、m各自為整數也可，即使為非整 數/、要旎使E成為整數的組合（例如n = 2.4而m = 5 )即可。 對於在第二基板95上連同樹脂，成晶片94一起予以留著 間隔的各元件92 ,則施予佈線。此時，則利用先前形成之 電極焊墊等以極力抑制連接不良現象下進行靡線。該佈線 在例如元件92為發光二極體等之發光元件時，應包含對於 P型電極、η型電極之佈線，而為液晶控制元件時，^應包 含選擇信號線、電壓線、或定向電極膜等之佈線等。 接著，圖1 4係圖1 3之兩階段擴大轉印法之變形例，而係 從第一基板90a上向暫時保持用構件9&之轉印方法不同 的實施形態。如圖14之（a-)所示，在第一基板9(^上以稠密 狀·?I下形成例如發光元件或液晶控制元件之元件9 2。複數 個元件9 2在第一基板9 0 a上係排列成矩陣狀，第一基板 9〇a本身係與圖13之第一基想9〇同樣地，例如係半導體晶 圓、玻璃基板、石英玻璃基板、藍寶石基板、塑膠基板等 各種可供作形成元件之基板，但各元件92也可為直接形成 -29- 於第一基板90a上者，也可為將經在其他基板上所形成者 予以排列而成者。 /如上述經在第一基板90a上以矩陣狀形成複數個元件 後，將元件92邊予以留著間隔邊轉印於暫時保持用構件 91a。此時，則將第—基板_與暫時料用構件9“以面 對面之狀態加以保持，而以將第一基板9〇a上排列成矩陣 狀的複數個元件92予以間拔之方式而進行轉印。也就是 說，在轉印第一基板90a上之某一元件92時，即不予轉印 其所相鄰接的周圍元件92，而只使按所要距離留著間隔的 位置足兀件92，在第一基板9〇a與該暫時保持用構件91狂 面對面相對之期間予以轉印。相鄭接的周圍元件Μ則因該 間拔式轉印而會殘留於第一基板9 〇 a，惟再行對於另外的 暫時保持用構件轉印，便可*致於浪#形成摘密的元件 9 2 ’可有效地加以利用。 對於暫時保持用構件91a轉印元件92，如後述，也可使 用利用所要之吸附用吸具或致動器等之機械性手段而實 施，或是先塗上會因熱或光而產生軟化、硬化、交聯、退 化等反應的樹脂|，以熱或局部照射光而{吏其產生剥離或 接合等方法作選擇性轉-印—也可。另外也可組合熱或光與機 械性手段而轉印。 經施予這樣的第一轉印工序後，如圖14之（(：）所示，由 於暫時保持用構件91 a上所存在之元件92係已加以留著間 隔，因而就連同各元件92施予元件周圍之樹脂93被覆與電 極蛘墊足形成，接著，如圖丨4之（d)所示，實施第二轉印 工序。在此第二轉印工序則將在暫時保持用構件91a上佈 局成矩陣狀之元件92，使其連同樹脂形成晶片94一起以更 加以留著間隔之狀態轉印於第二基板95上。這些元件周圍 的樹脂93之被覆與電極焊墊之形成與第二轉印工序係與使 用圖1 3所加以說明之工序相同，且在兩階段擴大轉印後形 成佈線之方式也相同。 這些圖13與圖14所示兩階段擴大轉印法，可利用經第一 轉印後所予以留著間隔之空間而實施電極焊墊或樹脂之黏 合固定，並且經第二轉印後實施佈線，惟可在利用先前形 成之電極焊墊等而極力抑制連接不良下實施佈線。因而可 考疋咼影像顯示裝置之良品率。苒音，·在本實施形態之兩階 段擴大轉印法，予以留著間隔的工序有兩工序，由於使元 件間之距離留著間隔的擴大轉印實施複數次；序，實質上 可使轉印次數減少。也就是說，例如假設從第一基板9() ' 9 0 a向暫時保持用構件9 1、9 1 a所予以留著間隔的節距之 擴大率為2(n = 2) ’從暫時保持用構件91、9ia向第二基板 95所予以留著間隔的節距之擴大率為2(m = 2；)，假如欲以 一次轉印轉印成經予擴大的範圍時，則因最後擴大率為2 X 2之4倍，以致需要其-令方之16次轉印，亦即需要實施第 一基板之調正（alignment)16次，但在本實施形態之兩階段擴 大轉印法，剩正次數卻只需在第一轉印工序的擴大率2之 平方的4次與在第二轉印工序的擴大率為2之平方的4次單 純地合計所得8次即可。就是說在意圖相同轉印倍率時， 由於（n+m)2=n2+2nm+m2, 一定能減少轉印次數2 nm次。因 ) 五、發明説明（29 =製造工序也可相對地節省相當於該次數份的時 、，這對於擴大率特別大的情況有益。 間 或經 另外’在圖13、圖14所示兩階段擴大轉印法中 92係舉以發光兀件或液晶控制元件為例加以說明， 侷限於此’也可為例如選自光電變換元件、壓電元件 膜電晶體元件、薄膜二極體元件、電阻元件、開關元件、 則、磁元件、微小光學元件之元件或其部分、這些之組合 [間拔轉印之其他例子] 圖15係顯示圖14之⑷與（b)所示間拔轉印之其他_例予 圖。間拔轉印係使轉印源基板與被轉印對方基板（構件）相 對下選擇性地轉印元件而實施，惟被轉印之對方基板（構 件）若使用大尺寸，則可將轉印源基板（構件)上之所有元件 全部移動至被轉印對方基板。 圖1 5係顯示第一轉印工序擴大率為3之例子，若以第一 基板90c為單位，暫時保持用構件9U就有3之平方的面 疗口此為轉印源基板的第一基板90c上之全部元件9?, 則一共需要做9次轉印。其係將以矩陣狀佈設於第一基板 9 0c上之元件92分成3 χ 之矩陣單位，使其中之一個元件 92依序轉印於暫時保持用構件9 1 c ,最後即可使全體元件 9 2轉印。 圖1 5之（a)係以模式顯示第基板9〇c上元件92中以 3足矩陣單位計將第一次的元件92轉印至暫時保持用構件 91c之情形，圖15之（1))係以模式顯示以3x3之矩陣單位 __-32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 502463
計將第一次的元件92轉印至暫時保持用構件91c之情形。 在第二次的之轉印，第一基板9〇c對於暫時保持用構件 9 1 c的調正位置係向圖中垂直方向錯離，而重複同樣的間 拔轉印，便可使元件92留著間隔而佈局。圖15之〇)係以 模式顯示以3 X 3之矩陣單位計將第八次的元件9 2轉印至暫 時保持用構件91e之情形’而圖15之⑷係以模式顯示以3 X 3 <矩陣單位計將第九次的元件92轉印至暫時保持用構 件91c之情形。以該3 x 3之矩陣單位計將第九次的元件轉 印後，在第一基板90c上則已無元件92存在，而在暫時保 持用構件9 1 c便可以矩陣狀使複數個元件9 2在留著間隔的 形式下予以保持。往後則以圖13〜、圖14之（(〇、（d)工序施 予兩階段擴大轉印。 [树脂形成晶片] 接著，參照圖16及圖17就形成在暫時保持用構件上，供 轉印於第二基板之樹脂形成晶片詳細說明如下。樹脂形成 晶片100係用樹脂102將經留著間隔而佈局之元件1〇1周圍予 以黏合固化而成，像這樣的樹脂形成晶片1〇〇，從暫時保持 用構件對於第二基板轉印元件1〇1時即可使用。— 元件101係如後述的發-洛元件之一例子，惟並特別限定於 發光元件而以其他之元件也可。樹脂形成晶片1〇〇係在大致 為平板上使其主要的面大致形成為正方形狀。此樹脂形成 晶片100之形狀係呈使樹脂log黏合固化所形成之形狀，具 體而言，係將未經硬'化之衡脂以包含著各元件1〇1之狀態全 面塗布，使之硬化後經由切割處理（dicing)切斷緣部分所製 _ -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
裝 訂 五、發明説明（31 ) 得之形狀。在大致為平板狀的樹脂102之表面側與背面側， 則分別形成有電極焊墊103、104。這些電極焊墊103、104， 經在全面形成可作為電極焊墊103、104材料之金屬層或多晶 石夕層等導電層後，以微影技術施予圖案製膜處理（patterning) 而製成所要之電極形狀便可形成之。這些電極焊墊103、104 係形成為各自可供與發光元件的元件101之p電極與η電極 相連接，必要時也可在樹脂102形成通路孔（via hole)。 在此則將電極焊墊103、104各自形成在樹脂形成晶片100 之表面側與背面側，惟也可在一方之面形成雙方電極焊 墊，例如在薄膜電晶體之情形時，由於其係具有源極、閘 極、汲極之三電極，也可將電極焊墊形成三個或三個以 上。電極焊墊103、104之位置在平板上使其錯離之理由，乃 在於進行最後佈線形成時即使由上側取得接JI，也不致造 成互相重疊之緣故。電極焊墊103、104之形狀也並非侷限於 正方形，也可採用其他形狀。 只要構成為如上述之樹脂形成晶片100，元件101周圍即 可由樹脂102所被覆且經施予平坦化處理便可在良好精度下 形成電極焊墊103、104，且可使電極焊墊103、104延伸於比 元件101為寬闊的區域，-俺得在後續第二轉印工序之轉印以 吸具操作時之操作容易。如後述/最後的佈線係接著第二 轉印工序之後實施，因而施予利用較大一些尺寸之電極焊 墊103、104而佈線，便可防患泉不良於未然。 t [發光元件] ~ ' 圖1 8係顯示作為本實施形態所使用元件之一例子的發光 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 502463 A7 ......... B7 五、發明説明（32 ) 元件結構《圖18之（a)為元件剖面圖，圖18之（b)為俯視 圖。此發光元件係屬G a N (氮化鎵）系之發光二極體，其係 例如在藍寶石基板上使其結晶生長而成之元件。此種GaN 系之發光二極體具有：經由透過基板之雷射照射就產生雷 射燒蚀（laser abrasion)，並隨著GaN中氮的氣化現象而在藍寶 石基板與GaN系生長層間之介面產生膜剝離，使元件得以 容易分離之特徵。 首先，關於其結構，經予選擇性生長之六角錐形狀GaN 層112，係形成在由GaN系半導體層構成之底質生長層ill 上。另外，在底質生長層111上則有未圖示之絕緣膜存在， 而六角錐形狀之GaN層112係以NiCJCVD(金氧化學蒸汽沉積） 法形成在使其絕緣膜開口的部分。該GaN層112係以生長時 使用的藍寶石基板之主面為C面時，則為由面（1401面）覆 蓋的金字塔型之生長層，係捧雜（doping)珍之區域。該GaN 層112之傾斜的S面部分可當倣雙異質結構之敷層（dad layer) 而作用。活性層之InGaN(氧化銦鎵）層113係以覆蓋GaN層112 之傾斜的S面之狀態而形成，其外側則形成摻雜鍰之GaN層 114。該摻雜鎂之GaN層114也當做敷層而作用。 在如上述發光二極體^形成有p型電極115與η型電極 116。ρ型電極115係形成在摻雜^之GaN層114上，係將 Ni/Pt/Au或Ni(Pd)/Pt/Au等金屬材料予以蒸鍍而形成。η型電極 116係在上述未圖示的絕緣膜f嶺開口的部分將Ti/Al/Pt/Au等 t 金屬材料予以蒸鍍而形成：另外，如圖2 0所示，由底質生 長層111背面側取出η型電極時，則不需要在底質生長層111 ___ -35-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 裝 訂
502463 A7 B7 五、發明説明（33 ) 表面側形成η型電極116。 如上述結構之GaN系發光二極體，係也可供藍色發光之 元件，尤其因雷射燒蝕即可簡單地從藍寶石基板剝下，因 而選擇性地照射雷射束便可實現選擇性剝離。另外，GaN 系之發光二極體也可採取在平板上以帶狀形成活性層之結 構，或是也可學在上端部形成有C面之角錐結構，也可為 其他之氧化物發光元件或化合物半導體元件等。 m 裝 [發光元件之排列方法] 接著，參照圖1 9至圖2 1就發光元件之排列方法說明如 下。發光元件係使用圖1 8所示之GaN系之發光二極體。
首先，如圖1 9所示，在第一炎板121之主面上以矩陣狀 形成有複數個發光二極體122。發光二極體122之尺寸可作 成大約為20 左右。第一基板121之構成材料可使用如藍 寶石基板等對於發光二極體122照射的雷射波長之透過率較 高的材料。對於發光二極體122雖已進行至形成p型電極之 階段，但最後的佈線形成工序並未實施，而只是形成有用 來隔離元件間之溝渠122g，使得各各發光二極體122處於可 加以分離之狀態。該溝渠122g係使用例如反應性離子I虫刻 法而實施。將如此之第-一基板121如圖1 9所示使其與暫時 保持用構件123相對而實施選擇性轉印。 暫時保持用構件123與第一基板121成面對面之面，形成 有成兩層之剝離層124與接合_劑層125。作為暫時保持用構 t 件121之例子，可使用玻璃~基板、石英玻璃基板、塑膠基板 等，作為暫時保持用構件121上之剝離層124之例子，可使 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 502463 A7 B7 五、發明説明（34 ) 用氟塗層（fluorine coat)、石夕樹脂、水溶性接合劑（例如 PVA)、聚醯亞胺等。另外作為暫時保持用構件123之接合劑 層125，可使用由紫外線（UV)硬化型接合劑、熱硬化性接 合劑、熱可塑性接合劑中任一種構成之層。作為其一例 子，暫時保持用構件123則使用石英玻璃基板，剝離層124 則經形成聚醯亞胺膜4 /zm後，以20 厚度塗上而作為接 合劑層125之UV硬化型接合劑。 暫時保持用構件123之接合劑層125則加以調整為使經硬 化的區域125s與未經硬化的區域125y混在一起，使得涉及選 擇轉印的發光二極體122能夠位於未經硬化的區域125y。使 經硬化的區域125s與未經硬化的區~域125y混在一起之調整， 可採取例如將U V硬化型接合劑用曝光機以2 0 0 μ m節距下 施予UV曝光，而使供轉印發光二極體122之處為未經硬化 區域，除此以外之處則使其為已硬化之狀態即可。經施予 如此之校準後，從第一基板121背面以雷射照射其位置之發 光二極體122，即可利用雷射燒蝕作用使發光二極體122從 第一基板121剝離。由於GaN系之發光二極體122會在與藍寶 石基板間之介面分解成金屬嫁與氮，因而可簡單地加以剝 離。用來照射之雷射可使-用準分子雷射、高頻YAG(釔鋁石 榴石）雷射等。 經利用該雷射燒蝕之剝離，涉及選擇照射之發光二極體 122即將在GaN層與第一基板121之介面分離，而以如同將發 1 光二極體122之p型電 '極部务‘剌入於相反側的接合劑層125之 未經硬化區域125y般之方式而轉印。至於其他未照射雷射 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 502463 A7 B7 五、發明説明（35 ) 裝 區域之發光二極體122，由於其所對應之接合劑層125之部 分為已硬化之區域125s且也未受到雷射照射，因而不致於 被轉印到暫時保持用構件123側。另外，圖1 9中雖只有圖 示一個發光二極體122受到雷射之選擇性照射，惟在只以n 節距份相隔的區域之發光二極體122也應使其同樣地受到雷 射照射。經由如上述選擇性轉印便可使發光二極體122比其 排列於第一基板121上時之狀態更加留著間隔而排列在暫時 保持用構件123上。 鬌 接著，經從第一基板121選擇性地將發光二極體122轉印 於暫時保持用構件123後，如圖2 0所示使未經硬化的區域 125y之接合劑層125硬化以固定發光立極體122。該硬化只要 施加以熱或光等之能量即可達成。發光二極體122在保持於 暫時保持用構件123之接合劑層125之狀態下丄發光二極體 122背面係屬η型電極側（陰極），且己除去、洗滌發光二極 體122背面，使其不殘留樹脂（接合劑），因而形成電極焊墊 126時，便可使電極焊墊126與發光二極體122背面成電互 連。 作為洗滌接合劑層125之例子，可以氧電漿蝕刻接合劑用 樹脂，而以UV臭氧照射-洗滌。並且以雷射從由藍寶石基 板所構成第一基板121剝離GaN系發'光二極體時，由於其剝 離面有G a析出，有必要蝕刻其G a，因而需以NaOH水溶液 或稀硝酸處理。然後施予電％焊墊126之圖案製膜處理。此 t 時陰極側電極焊墊可製成-夫致為6 Ο /z m四方。電極焊墊126 使用透明電極（ITO、ZnO系等）或Ti/Al/Pt/Au等材料。使用透 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 502463 A7 " B7 五、發明説明（36 ) 明電極時，即使大大地覆蓋發光二極體背面也不致於遮住 發光，因而圖案製膜處理可為粗魯，可形成大的電極，使 得圖案製膜製程容易進行。
f 圖2 1係顯示從暫時保持用構件123將發光二極體122轉印 於第二暫時保持用構件127，經形成陽極電極（p型電極）側 之通路孔130後，形成陽極側電極焊墊129，並將由樹脂構 成之接合劑層125加以切割而成之狀態。經該切割結果，元 件分離溝渠131即告形成，使得發光二極體122變成連同元 件一起被劃分。為分離矩陣狀之各發光二極體122，元件分 離溝渠131其平面圖案係由向縱橫延伸的複數條平行線構 成。第二暫時保持用構件127之表~面係面對於元件分離溝渠 131之底部。在第二暫時保持用構件127上則形成剝離層 128。該剝離層128可使用例如氟塗層、矽樹脂、水溶性接 合劑（例如PVA)、聚醯亞胺等而製成。第二暫時保持用構 件127，其一例子為將UV接合材料塗上於塑膠基板之所謂 的切割片（dicing sheet)，其可利用一照射U V，黏合力即將下 降者。從暫時保持用構件127背面照射準分子雷射，藉此， 當例如形成聚醯亞胺以作為剝離層124時，即將因聚醯亞胺 之燒蚀而在聚酸亞胺與-石-英基板之介面產生剝離，使得各 發光二極體122轉印於第二暫時保持用構件127。 該製程之例子如下，以氧電漿蝕刻第二暫時保持用構件 127表面直至發光二極體122奏面露出為止。首先，通路孔 ί 130之形成可使用準分子奮射、高頻YAG雷射、二氧化碳氣 雷射。此時，通路孔可開設大致為3〜7 # m。陽極側電極 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 502463 A7 B7 五、發明説明（37 ) 焊墊則以Ni/Pt/Au等形成之。切割工序係使用通常刀片，需 要2 0 μ m以下之狹窄的切入寬度時，則實施使用上述雷射 的雷射加工。其切入寬度係依為影像顯示裝置像素内由樹 脂構成的接合劑層125所覆蓋的發光二極體122之尺寸而 定。其一例子為以準分子雷射施予寬度大致為40/z m之溝 渠加工^以形成晶片形狀。 接著，使用機械性手段從第二暫時保持用構件127剝離發 光二極體122。圖2 2係顯示正要以吸附裝置133撿起第二暫 時保持用構件127上所排列的發光二極體122之圖。此時之 吸附孔135係以矩陣狀開口衿影像顯示裝置之像素節距，俾 能以匯總吸附眾多個發光二極體T22。此時之開口徑例如大 致為Φ 100 /z m且開口成600 μ m之矩陣狀，總括起來大致可 吸附300個。此時之吸附孔135之構件可使用例_如以N i電鑄 法製成者，或以蝕刻法將SUS等金屬板132施予孔加工者。 金屬板132之吸附孔135内部形成有吸附室134，而使該吸附 室134控制成負壓便可用於吸附發光二極體122。發光二極 體122在此階段時已為由樹脂構成之接合劑層125所覆蓋， 其上面大致已受到平坦化處理，因而可容易施加依吸附裝 置133的選擇性吸附。-一 圖2 3係顯示將發光二極體122轉印於第二基板140時之情 形。裝設於第二基板140時已在第二基板140塗上接合劑層 136，使其發光二極體122下面_之接合劑層136硬化，便可使 1 發光二極體122固定於第三基板140而排列。裝設時，吸附 裝置133之吸附室134將變成壓力較高之狀態，以解放吸附 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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502463 A7 B7 五、發明説明（38 ) 裝置133與發光二極體122之吸附結合狀態。接合劑層1 3 6可 由U V硬化型接合劑、熱硬化性接合劑、熱可塑性接合劑 等構成。供佈局發光二極體122之位置將成為比在暫時保持 用構件123、127上之排列更加留著間隔者。其時用於硬化接 合劑層136的樹脂之能量係由第二基板140背面供應。使用 UV硬化型接合劑時則以UV照射裝置，使用熱硬化性接合 劑時則以雷射只使發光二極體122下面部分硬化，使用熱可 塑性接合劑時則同樣地以雷射照射使接合劑熔融而接合。 另外，在第二基板140佈局也能當倣陰影遮罩（shadow mask) 而起作用之電極層137，特別在電極層137之螢幕側表面亦 即在看該影像顯示裝置的人所處的一邊之面形成黑鉻層 138。如此構成便可提高影像對比，並提高依黑鉻層138之 能量吸牧率，可使接合劑層136因選擇性照射_的射束153而 促使接合劑層136提前硬化。該轉印時之UV照射，使用UV 硬化型接合劑時則照射大致為1000 J/cm2。 圖2 4係顯示在第二基板140排列RGB三色之發光二極體 122、141、142後塗上絕緣層139之狀態。當直接使用在圖2 2 及圖2 3使用之吸附裝置133，.使安裝於第二基板140的位置 只以錯離該色位置下安装^寺，便可在仍使像素節距一定下 形成包括三色之像素。絕緣層139可使用透明環氧樹脂接合 劑、UV硬化型接合劑、聚醯亞胺等。三色之發光二極體 122、141、142不一定使用同一形狀。在圖24中紅色發光二 t 極體141係製成未具有六〇的GaN層之結構，以致其形狀 則與其他發光二極體122、142互異，惟在此階段時，各發光 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
裝 502463 A7 B7 五、發明説明（39 ) 二極體122、141、142已作為樹脂形成晶片而為樹脂構成之接 合劑層125所覆蓋，因而無論元件結構互異，仍能以同一操 作下處理。 圖2 5係顯示佈線形成工序。其係在絕緣層139形成開口部 145、146、147、148、149、150，並形成佈線 143、144、151，用 以連接發光二極體122、141、142之陽極、陰極的電極焊墊與 第二基板140之佈線用電極層137。此時形成之開口部亦即 通路孔，由於已加以擴大發光二極體122、141、142之電極焊 墊126、129面積，因而可使通路孔形狀做大，通路孔之位置 也可在較之直接形成於各發光二極體之通路孔為粗魯的精 度下形成之。此時之通路孔可形'成相對於大致為60 /zm四 方之電極焊墊126、129為大致為Φ 20 μ m者。至於通路孔之 深度，由於其有供與佈線基板連接、與陽極慮極連接、與 陰極電極連接之三種深度，因而須以鐳射脈衝數加以控 制，使其開口成最適當的深度。之後，在佈線上形成保護 層，便可完成影像顯示裝置之面板。此時之保護層可使用 與圖2 5之絕緣層139與透明環氧樹脂接合劑等相同材料。該 保護層須以加熱使之硬化而完全覆蓋佈線。之後，則從面 板端子之佈線連接驅動器4C而製作驅動面板。 在如上述之發光元件排列方法中' 使發光二極體122保持 於暫時保持用構件123的時候，元件間之距離已加以擴大， 因而利用其擴大的間隔便可考置尺寸較大的電極焊墊126、 t 129等。由於可利用這些足寸較大的電極焊墊126、129而實 施佈線，因而即使在最後的裝置尺寸顯著比元件尺寸為大 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（40 的情況下也可容易形成佈線。另外，依照本實施形態之元 件排列万法，可以經硬化的接合劑層125覆蓋發光元件周圍 、平^化便可在良好精度下形成電極焊塾126、129，同時 y將電極烊墊126、129延伸於較之元件為寬闊的區域，因而 ★、及附用及具執行在後續第二轉印工序之轉印時便可使 $作容易進行。另在對於暫時保持用構件123轉印發光二極 體122時，利用GaN系材料會在與藍寶石基板之介面分離成 金屬鎵與氮之現象，即可簡單地予以剥離。 [液晶控制元件之排列方法] 著 > “、、圖2 6 土圖3 1就液晶控制元件之排列方法說明 =下液卵控制元件在本實施形T態中具體而言，係指作為 最後製品而形成液晶面板時用以控制液晶定向狀態之薄膜 電晶體。 乂首先，如圖26所示，在石英玻璃基板等第一基板161上 形成非晶碎膜162。該非晶錢162係將在後續工序作為犧 牲之剥離膜。在該非晶石夕膜162上形成氧讀163，在其 上万則以矩陣狀形成稠密的薄膜電晶體丨64。薄膜電晶體 164係在多晶石夕膜上形成閘氧化膜、閘電極，而在多晶石夕膜 形成源極•沒極領域而成―。這些薄膜電晶體爾例如以反 應性離子i虫刻等方法施予元件隔離，而形成使部分非晶矽 膜162路出之元件分離用溝渠。 ，接著’如圖27所*，使這樣的第—基板⑹面對面相對 於暫時保持用構件165而實'施選擇性轉印。暫時保持用構件 職第-基板161成面對面之面，形成有成兩層之剥離層
502463 A7 B7 五、發明説明（41 ) 166與接合劑層167。作為暫時保持用構件165之例子，可使 用玻璃基板、石英玻璃基板、塑膠基板等，作為暫時保持 用構件165上剝離層166之例子，可使用氟塗層、矽樹脂、 水溶性接合劑（例如PVA)、聚醯亞胺等。另外作為暫時保 持用構件165之接合劑層167，可使用由紫外線（UV)硬化型 接合劑、熱硬化性接合劑、熱可塑性接合劑中任一種構成 之層。 暫時保持用構件165之接合劑層167則加以調整為使經硬 化的區域167s與未經硬化的區域167y混在一起，使得涉及選 擇轉印的發光二極體164能夠位於未經硬化的區域167y。使 經硬化的區域167s與未經硬化的1域167y混在一起之調整， 可採取例如將UV硬化型接合劑用曝光機施予選擇性曝 光，使供轉印薄膜電晶體164之處為未經硬化屋域，除此以 外之外則使其為已硬化之狀態即可。經施予如此之校準 後，從第一基板161背面以雷射照射其位置之薄膜電晶體 164，即可利用雷射燒蝕作用使薄膜電晶體164從第一基板 161剝離。用來照射之雷射可使用準分子雷射、高頻YAG雷 射等。 經利用該雷射燒蝕之剝^離，涉及選擇照射之薄膜電晶體 164即將被轉印於未經硬化區域167y。至於其他未照射雷射 區域之薄膜電晶體164，由於其所對應之接合劑層167之部 分為已硬化之區域167s且也未受到雷射照射，因而不致於 被轉印到暫時保持用構件~ 165側。另外，圖2 7中雖只有圖 示一個薄膜電晶體164受到雷射之選擇性照射，惟在只以η -44- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
502463 A7 B7 五、發明説明（42 ) 節距份相隔的區域之薄膜電晶體164也應使其同樣地受到雷 射照射。經由如上述選擇性轉印便可使薄膜電晶體164比其 排列於第一基板161上時之狀態更加留著間隔而排列在暫時 保持用構件165上。 接著，經從第一基板161選擇性地將薄膜電晶體164轉印 於暫時保持用構件165後，如圖2 8所示使未經硬化的區域 167y之接合劑層167硬化固定。該硬化只要施加以熱或光等 之能量即可達成。如此，薄膜電晶體164便可在保持於暫時 保持用構件165之接合劑層167之狀態下，確實加以保持。 如圖2 9所示，接著，從暫時保持用構件165將薄膜電晶 體164轉印於第二暫時保持用構件16δ。第二暫時保持用構 件168係為使薄膜電晶體164之薄膜半導體層側載放於第二 基板上而使用，尤其在薄膜電晶體164之表裏石致造成問題 時，即可不必使用第二暫時保持用構件168。若從暫時保持 用構件165轉印至第二暫時保持用構件168時，則需形成分 離溝渠167g，俾能分離成各個之薄膜電晶體164。分離溝渠 167g之底部係到達剝離層166。或是分離溝渠167g也可將剝 離層166加以分離。 以此剝離層166加以分離，使薄膜電晶體164從暫時保持 用構件165轉印於第二暫時保持用構件168(圖3 0 )，接著， 使用未圖示的吸附手段邊留著間隔邊轉印於第二基板上 (第二轉印工序）。此工序仍每土前述發光元件之排列方法 之圖2 2所示之工序相同。~· ' 最後，如圖31所示，在玻璃基板或透明塑膠基板等第二 -45 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 502463 A7 B7 五、發明説明（43 ) 基板176上留著間隔而形成薄膜電晶體164，並形成閘極線 與源極、汲極以與薄膜電晶體164之源極、汲極相連接。然 後，在其上方形成透明電極172、定向膜173，在相反側則 使相對基板169與在其表面形成有透明電極175、定向膜174 者面對面相對，而封入液晶以製成液晶面板。第二基板176 上之薄膜電晶體164可當做液晶控制元件而作用。在第二基 板176上薄膜電晶體164經由兩階段擴大轉印，已留得充分 的間隔，其係分別在第一轉印工序與第二轉印工序施予留 著間隔的轉印。本實施形態之兩階段擴大轉印法，假如在 意圖相同轉印倍率時，設第一轉印工序與第二轉印工序之 擴大率各自為η倍、m倍時，由於(n+m)2=n2+2 nm+m2，一定能 較之以一次擴大悉數之情況減少轉印次數2 nm次。因而製 造工序也可相對地節省相當於該次數份的時澗或經費，這 對於擴大率特別大的情況有益。 然而，在製造將發光二極體等發光元件排列成矩陣狀而 構成元件之影像顯示裝置時，有一些在佈線用基板上安裝 各個發光元件而製造之裝置已為眾人所知。 圖3 2作為發光二極體之實裝形態而揭示於專利第2895566 號說明書及圖式中之發光一二極體。該元件係在同一面側具 有正負一對電極部之倒裝晶片（flip chip)式發光二極體之例 子，其引線框架200係包括隔著間隔並排佈設，用以形成正 負一對電極之引線構件2(H、巧6。在兩引線構件201、206形 t 成有在這些之前端部202、~207用以載置發光晶片190之平坦 部203、208。另在連著平坦部203、208的側周面，則分別由 ___ -46-__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 502463 A7 B7 五、發明説明（44 ) 平坦部203、208—體形成朝向外側傾斜之反射部204、209。 屬於GaN發光晶片之發光晶片190之各電極部分，係介以焊 錫焊墊205分別連接於負極之引線構件201及正極之引線構 件 206。 圖3 3係顯示在日本專利特開平第9-293904號公報所說明晶 片型LED(發光二極體）之例子。其係具有在形成導電層之 絕緣性陶瓷支撐構件211上載置LED元件213，使LED元件213 之電極214與電極端子212以線215施予絲焊，並在空腔内填 滿封閉樹脂216，使之固化而成之結構。 圖3 4係同樣地在日本專利特開平第9-293904號公報所揭示 晶片型LED之例子。其在陶瓷支H樣件221形成一對電極端 子222，LED元件223表面之一對電極224係由導電性硬焊材料 225以倒裝式連接著。為使LED元件223強固地連接於陶瓷支 撐構件，則將封閉樹脂226注入於LED元件與支撐體之間 隙。 然而，將像這樣的發光二極體排列成矩陣狀而製造影像 顯示裝置時，則必須先使發光二極體個別收納於封裝體 後，為組配於平面型影像顯示裝置而將複數個發光二極體 排列成矩陣狀而供安裝-之·用。由於LED晶片係從晶圓狀態 切割成各個之晶片，然後使之各自封閉成封裝體，因而一 個LED晶片在裸晶狀態下為亞毫米四方之大小，而經收納 於封裝之狀態下則有數毫米冬右之尺寸。結果，使得一個 t 像素之尺寸也跟著變大而7吏解析度下降，以致一直被認為 組配高解像度且小型的影像顯示裝置乃是不易使之如願以 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 502463 A7 B7 五、發明説明（45 ) 償之事。另外，發光二極體若屬GaN系之氮化物半導體 時，由於通常須在藍寶石基板上形成發光二極體，因而造 成封裝體比藍寶石基板為厚的厚度。 因此，下面將就可實現高解像度的影像顯示，且可以短 時間製造同時也可望降低製造過程上之成本的發光元件安 裝方法加以說明。 例1 圖3 5係顯示經予改善發光元件安裝方法的影像顯示裝置 之一例子重要部分剖面圖。本例之影像顯示裝置乃是一種 如圖3 5所示對應於全彩色.之彩色影像顯示裝置231，各個 發光元件係將可各自發出紅、綠'藍色之發光二極體排列 成矩陣狀而成。 本例之影像顯示裝置231，在其由玻璃基板減塑膠基板形 成之佈線用基板240之基板主面241，則預先形成具有所要 之佈線圖案下所形成之佈線層247、248。其中佈線層248係 對於p型電極供應信號所需之佈線，而佈線層247係對於η 型電極供應信號所需之佈線。這些佈線層247、248也可使其 一方共同化。 與生長結晶時之狀態成確！1置而佈設之結晶生長層243，係 介以ρ型電極244佈設於佈線層248上。結晶生長層243，如後 述其係以選擇性生長介以遮罩層窗部，從倒置而位於上側 之底質生長層245所生長之層_。-該結晶生長層243係以具有 烏爾玆礦型結晶結構的IT化物半導體材料之摻雜矽的GaN 層為材料，其傾斜的側面呈由S面（1-101面）覆蓋之六角錐 _-48-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
裝 訂 t 502463 A7 B7 五、發明説明（46 ) 形狀。惟因圖3 5係剖面圖，因而結晶生長層243之剖面就 顯示倒置的大致為正三角形之形狀。 以η型半導體層與p型型半導體層夬住活性層之發光區 域，係形成在該結晶生長層243。活性層係形成在予以倒置 的六角錐形狀之最外廓附近。在本例中，相鄰接的發光元 件之活性層頻帶隙能量（band gap energy)係互異，而係使其各 自對應於紅、綠、藍色中任一發光色，惟其他之結構或尺 寸則大致相同。 六角錐形狀之結晶生長層243係以與結晶生長時之狀態相 較使其在基板主面之法線方向上下呈相反之狀態下安裝於 佈線用基板240上。因而六角錐％狀之底面就正好位於上 面，因而以上面充當取光側。更詳而言，六角錐形狀之結 晶生長層243係介以結晶生長時所使用未圖示之遮罩層窗部 而與底質生長層245相連接，而該遮罩層窗部就可直接充當 取光口。 底質生長層245雖係當倣選擇性生長之種層而作用，但介 以遮罩層窗部也與結晶生長層243連接，而底質生長層245 之平坦的上面也可作為取光面250而利用。而且底質生長層 245也可作為η電極側之部~分佈線而充當由金屬層構成之n 電極249與結晶生長層243間之電流路經。η型電極249將因倒 置發光元件而位於底質生長層245下部，惟因結晶生長層 243係比η型電極249長得大之層-，所以形成η型電極249下部 t 之焊墊246，俾與結晶生表層243之高度一致。焊墊246係利. 用鍍膜工序所形成之連接部，係使用電解或非電解法以大 _-49-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）
裝 502463
致為1〇微米高度下形成Cu、Ni等焊墊而成，其表面施予 大約為〇:1微米之鐘金以防止氧化。焊整246下部在安裝時就 使之連接於基板主面241上所佈設之佈線層247。 在焊墊246之周圍或佈線層247、248之周圍、甚至於結晶 生長層243之周目，因元件之功能上一定會有空隙部存在， 惟該空隙部在本例之影像顯示裝置，則將之以包括熱硬化 性接合劑或紫外線硬化型接合劑等接合狀接合劑層期口 以填充。 圖36係顯示供安裝於本例影像顯示裝置之各個發光二極 體’其巾（A)為元件剖面圖，（B)為元件俯视圖/在圖h 所示影像顯示裝置’由於其排列?复數個發光二極體各自係 予以倒置而安裝，因而與圖36之情形在基板主面之法線方 向就成上下相反。 兹就圖36所示之發光二極體說明如下。使用與佈線用基 板240不同的例如藍寶石基板等生長用基板，並為在底質生 長層245上形&六角錐形狀或六角臺形形狀之結晶生長層 243則使用選擇性生長法。以選擇性生長方式形成結晶生: 層243時，即可容易使結晶生長層243具有相對於基板主面 呈傾斜的例如S面等之結晶面之結構。尤其s面係在 面施予選擇性生長時才可看到的安定面，為*較容易獲 得义面，且在六方晶系（hexag〇naUystem)之面指數為〇、卜 〇、υ面。㈣該s面，若以氣化鎵“合物半導體構成結 晶層’則在s面之鍵合（bond)數為最多。^ν/ιπ比就上 升，這對於提高疊層結構之結晶性有利。另夕卜，若向舆基 -50-
502463 A7 _B7___ 五、發明説明（48 ) 板不同方位生長時也有會使由基板向上延伸的轉位彎曲之 情形，這對於減少缺陷也有利。
該結晶生長層243之材料，只要可供形成包括第一導電型 層、活性層251、及第二導電型層252的發光區域之材料層 即可使用，雖無特別限制，其中仍以具有烏爾玆礦型之結 晶結構為宜。像這樣的結晶層可使用例如III族系化合物半 導體或BeMgZnCdS系化合物半導體、BeMgZnCdO系化合物半 導體’還有氧化鎵（GaN)系化合物半導體、氮化鋁（A1N)系 化合物半導體、氧化銦（InN)系化合物半導體、氮化銦鎵 (InGaN)系化合物半導體、氮化鋁鎵(AlGaN)系化合物半導體 也可形成，尤其以氮化鎵系化合物半導體等氯化物半導體 為宜。另外，在本發明中InGaN、AlGaN、GaN等並非一定僅 指為三元混晶、二元混晶之氧化物半導體，倒—如就InGaN來 說，即使含有不致造成改變InGaN之作用範圍内之微量A 1 或其他雜質也應包含在本發明範圍内當不必贅述。 t 該結晶層之選擇性生長方法，有各種汽相生長（vapor growth)法可供使用，諸如：有機金屬化合物汽相生長法 (MOCVD (MOVPE)法）或分子束外延法（MBE法）等之汽相生長 法，或氧化物汽相生長法fHVPE法）等。其中若使用MOCVD 法時便可迅速地獲得結晶性良好者。在MOCVD法，其所需 材料多半使用下列之三烷基金屬化合物，諸如：以TMG(三 甲基鎵）、TEG(三乙基鎵）作為鎵源，以TMA(三甲基鋁）、 TEA(三乙基鋁）作為鋁源「銦源以TMI(三甲基銦）、TEI(三 乙基銦）作為銦源而使用。氮源則使用氨、聯氨等氣體。 _-51 -__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 502463 A7 B7 五、發明説明（49 ) 至於雜質源，如為S i則使用矽烷氣，如為G e則使用鍺烷 氣，如為M g則使用Cp2Mg(環戊二烯鎂），如為Ζ η則使用 DEZ(二乙基鋅）等氣體。在MOC VD法，則將這些氣體供 應於加熱成例如600°C以上之基板表面，使氣體分解，便可 使InAlGaN系化合物半導體進行外延生長（epitaxial growth)。 具體性的還擇性生長法，可採取在底質生長層245上形成 薄的遮罩層，並選擇性地使該遮罩層開口而形成窗區域之 方法，也可達成選擇性生長。遮罩層可由例如氧化矽層或 氮化矽層構成。窗區域係形成在遮罩層之開口部，可形成 為例如六角形’惟也可形成為其他形狀，如圓形狀、正方 形形狀、三角形狀、矩形狀、菱形、·橢圓形狀、及這些之 變形形狀等種類之形狀。由遮罩層之窗區域施予選擇性生 長時’由於其結晶生長向橫向進行，也會產生-抑制貫通轉 位之優點。 在本發明之影像顯示裝置所使用之發光二極體中活性層 251係在與傾斜的結晶面咸平行的面内延伸且呈由第一導電 層與第二導電層所夾住之結構。活性層251係形成於結晶生 長層243 ’惟形成於結晶生長層243係意指包括對於結晶生 長層243疊層半導體層之情-況，與形成於結晶生長層内部或 表面之情況雙方。 第一導電型為p型或η型之敷層，而第二導電型為與其相 反之導電型。例如以摻雜矽之氮化鎵系化合物半導體構成 — t 結晶生長層時，則可採取知下之雙異質結構：以摻雜矽之 氮化鎵系化合物半導體構成η型敷層，在其上形成InGaN層 52 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂 f 五、發明説明（％ ) 以作為活性層251，再在其上形成摻雜鎂之氮化鎵系化合物 半導體以作為p型敷層。也可採取以AlGaN層夾住活性層251 的InGaN層之結構。另外，活性層251雖也可由單一的整體 (bulk)活性層構成，但予以形成單量子井（叩％結構、雙量 子井（DQW)結構、多量子井（MQW)結構等量子井結構者也 可。對於量子井結構，必要時可併用障壁層以隔離量子 井。活性層251若使用InGaN層，特別對於製造上將變得易 於製造之結構，且也能改善元件之發光特性。而且該InGaN 層，在氫原子不易脫離的結構之S面上，生長特別容易結 晶化且結晶性也會變佳，因而可提高發光效率。 形成在結晶生長層243上之p型f極喺用以對活性層251注 入電流所需之電極，惟在本例中由於使其被覆在具有傾斜 的結晶面之傾斜結晶面，且最後發光二極體元-件本身將被 倒置’因而p型電極244也可充當向上開口的反射膜而起作 用，使得發光二極體元件本身即可藉由倒置結構而達成提 高取光效率之效果。 在本例之影像顯示裝置中’各發光二極體元件係與結晶 生長時之狀態成倒置而佈設在佈線用基板240上。此時，平 坦的底質生長層245上面充當來自於結晶生長層243之活 性層251的光之取光面250而作用，加上p電極244的反射膜功 能之作用即可使取光效率提高。焊墊246係佈設在η電極249 側，因而可使充當經產生的光之_取光面250而作用之每一元 — t 件之底質生長層245，成為全部一樣高度的面，也就是說可 保持成水平方向同一高度，再以接合劑242固定周圍，即可 -53- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 502463 A7 B7 五、發明説明（51 ) 使結晶生長層243等之傾倒問題防患於未然。 由於各發光二極體元件係於元件完成後才進行安裝，只 要不予安裝例如有缺陷之元件便可提高影像顯示裝置全體 之良品率。另外，因焊墊246使得元件成為其正負一對之電 極被集中於佈線用基板240側之結構，因而電極也不會造成 使取光所需面積減少。據此，本例之影像顯示裝置便可達 成高解析度的彩色顯示，堪稱為製造上也巧妙地應用選擇 性生長之優點的一發明。 另外，在本例之影像顯示裝置中，η型電極249或焊墊246 等可在相鄰接的二極體間共同使用，且底質生長層245也可 使其在相鄰接的元件間為共同而—不予> 離之結構。另外， 在本例中則將影像顯示裝置指為用以彩色顯示，惟也可為 用以顯示兩色之裝置，或組合RGB以外之發光_色的影像顯 示裝置。另外，也可在佈線用基板240上佈局用以驅動各二 極體之選擇電晶體等。 另外，在本例中元件係針對於發光元件加以說明，惟並 非侷限於此，倒置於基板上之元件也可為電晶體或其他半 導體元件，或構成佈局了像這樣的元件之元件安裝基板， 而在後續工序製成影像顯示·裝置或其他半導體裝置，亦屬 可行。 例2 本例係使用例1之影像顯示裝置的互異結構發光二極體 — t 之結構的裝置。本例之影像扇示裝置，如圖3 7所示，在佈 線用基板260之基板主面261上形成佈線層268、269，這些佈 -54- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱） 502463 A7 B7 五、發明説明（52 ) 線層268、269上則分別形成焊墊266、267，在焊墊266、267上 侧則介以ρ·電極264、η型電極265連接結晶生長層263。結晶 生長層263係呈大致為平板狀，並延伸未圖示之活性層，使 ρ型電極264、η型電極265電互連於夾著活性層的第一導電 層、第二導電層而形成後，使之倒置，使位於結晶生長層 263下面之ρ電極264、η型電極265連接於焊墊266、267上部。 焊墊266、267周圍則與例1同樣地以包含熱硬化性接合劑或 紫外線硬化型接合劑等接合劑之接合劑層262填充之。 在本例之影像顯示裝置中，ρ型電極264、η型電極265係 連接於焊墊266、267，因而可使產生光的結晶生長層263保 持於水平方向同一高度，再以揍合劑層262固定周圍，即也 可使結晶生長層263等之傾倒問題防患於未然。另外，各發 光二極體元件係於元件完成後才進行安裝，尸X要不予安裝 例如有缺陷之元件便可提高影像顯示裝置全體之良品率。 另外，因焊墊266、267使得元件成為其正負一對之電極被集 中於佈線用基板260側之結構，因而電極也不會使取光所需 面積減少。據此，本實施例之影像顯示裝置便可達成高解 像度的彩色顯示。 例3 ~ — 本例係例1之影像顯示裝置之製造方法例子，茲參照圖 38至圖46說明其工序如下。 如圖3 8所示，其係使用包择-以C面為主面的藍寶石基板
I 之生長用基板270，在其£長用基板270上形成包括低溫與 高溫的緩衝層之底質生長層271，並覆蓋其底質生長層271 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 502463 A7 B7 五、發明説明（53 ) 而形成包括石夕氧化膜或氮化膜之遮罩層，在此遮罩層則對 應於要結晶生長的區域而形成窗區域。接著’經由從窗區 域的選擇性生長之結晶生長，便可得側面為傾斜的S面所 覆蓋之六角錐形狀結晶生長層272，在該結晶生長層272形 成未圖示之第一導電層、活性層、及第二導電層、且例如 以Ni/Pt/Au等多層金屬膜構成p電極273，例如以Ti/Al/Pt/Au等 多層金屬膜將η電極274形成於使遮罩層開口之部分。p電 極273係以例如蒸鍍法形成，但另一方的η型電極274則以使 用剝離（lift-off)等方法形成。 經如上述形成p型電極273與η型電極274後，則按每一元 件使生長用基板270上之底質結ST層271分離。按每一元件 之分離可使用例如反應性離子蝕刻法。關於各元件之晶片 尺寸，例如，元件本身為例如2 0微米左右之大小，惟晶片 之節距則大約為2 5微米左右。 接著，在生長用基板270全面形成抗蝕劑層275，此時之 抗蝕劑層275厚度則形成為與ρ型電極273之頂點部分高度相 同。接著，使抗蝕劑層275對應於上述η型電極274之區域開 口，使開口部276如圖3 9所示形成於該抗蝕劑層275以使上 述η型電極274面臨於底部一 利用鍍膜工序在抗蝕劑層275之開口部276形成焊墊277。 也就是說，該焊墊277係利用鍍膜工序形成之連接部，係由 電解或非電解法大約以1 0微参-高度所形成C u、N i等之焊 t 墊，其表面則施予大致為δ·ι微米之鍍金以防止氧化。經形 成鍍金焊墊277後，則如圖4 0所示就除去抗蝕劑層275。 -56 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）
裝 魏 502463 A7 B7 五、發明説明（54 ) 經除去抗蝕劑層275後，如圖4 1所示，準備在例如由玻 璃基板等構成之轉印用基板280上塗上轉印材料278者，然 後，使形成有前述焊墊277之生長用基板270相對於轉印用 基板280。上述轉印材料278為一種黏合材料，其以使用對 於接著要實施的雷射光波長之吸收力低的材料為宜。這是 因為雷射光引起之燒蝕低，可改善經予分離的發光元件之 位置精度之緣故。經使生長用基板270與轉印用基板280之 主面彼此相對後，從生長用基板270背面亦即發光元件背面 照射KrF準分子雷射或三倍波YAG雷射等雷射光。經由照射 該雷射光在底質生長層271與生長用基板270之介面，即將 產生氮氣，使發光二極體連同元件^起加以分離。 經因照射雷射光而被分離之各發光二極體，如圖4 2所 示，即將埋入於轉印材料278而暫時被保持於轉印用基板 280。此時，正好Ga層281係附著於被剝去生長用基板270的 面之底質生長層271上面。由於該底質生長層271上面將作 為取光面，需要除去G a層281，因而施予蝕刻等。該蝕刻 處理，使用鹹系或酸系方法任一均可，惟需以不致使轉印 材料278之貼緊強度降低為準而選擇蝕刻液。 由於影像顯示裝置需有規則的排列RGB之單色發光元 件而構成，因而如圖4 3所示需要合佈線用基板之電極節 距，選擇性地從轉印用基板280取出發光元件。這是以保持 於轉印用基板280之基板上的發_光二極體為同一且具有單色 1 發光波長為前提而言，因^此若欲安裝互異的發光波長之元 件時，則使用例如複數片之轉印用基板280。在本例中，為 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 502463 A7 B7 五、發明説明（55 )
實施選擇性地取出發光元件，則使用吸附頭282。吸附頭 282之前端部284形成有吸附孔283，且前端部284之節距係按 照佈線用基板之電極節距所形成。吸附頭282之前端部284 係使其吸附孔283周圍作成平坦，俾以其平坦部分吸附將作 為發光元件取光面之底質生長層271上面。該吸附作業也可 就各各元件實施，惟也可如本例方式配合佈線用基板之電 極節距而使其同時吸附複數個發光元件，因而利用本例子 便可簡化製程，降低製造成本。 吻合佈線用基板之電極節距的複數個發光元件，如圖4 4 所示，則將之運送至佈線用基板290之處，並從垂直於該佈 線用基板290主面之方向對基板主~"面接合各元件。佈線用基 板290之主面預先形成有佈線層291、292，小丑吸附頭282將 各元件壓接於佈線用基板290主面後予以解放对，就可使各 發光元件暫時接合於佈線用基板290。在佈線用基板290主 面已塗上接合劑293，有助於將各元件保持於佈線用基板 290主面。該接合劑293為例如熱硬化性接合劑或紫外線硬 化型接合劑。 像這樣的對於佈線用基板290主面之運送，就三原色之各 元件實施時，將變得如齋4 5所示狀態。此時相鄰接的元件 則使其對於要發光之光具有互異的波長。各元件係使用焊 墊277可在仍舊以對基板主面維持成水平狀態下確實地使之 安裝。 _ _ t 接著，從各元件的取光每[側之底質生長層271上面按壓加 壓頭295，以使接合劑293硬化。接合劑293若係屬熱硬化型 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 502463
接合劑’加壓頭295可使用以脈衝熱加熱的加熱加壓頭，若 係屬糸外’.泉硬化型接合劑，則以採取邊加壓邊從佈線用基 板290背面#该射紫㈣之方式為宜。另外，也可採取以玻 璃或石英玻璃等光透過材料構成加壓頭295,而從上側照射 紫外線之方式。 本例之影像顯示裝置之製造方法，由於經按照佈線用基 板290的電極節距之複數個發光元件係將之匯總安裝於佈線 用基板290主面，因而可降低其製造成本且可實現短時間下 之製造。另外，由於各元件係使用焊墊277確實地安裝成水 平，不致於傾斜，同時調正所需邊緣（margin)可小，因而可 在高精度下排列發光元件，且也-可使用焊墊277而實施確實 的電氣佈線，或使取光效率最大化。 另外’也可在保持於轉印用基板280之狀態1就實施發光 元件檢查，提早除去不良元件以改善良品率。並且可在安 裝於佈線用基板290之前施予除去Ga層之處理，因而也能 迴避因蝕刻而損傷到佈線用基板290之問題。 例4 本例係如圖4 7及圖4 8所示配合佈線用基板之電極節距而 形成發光元件，並直接安-裝於佈線用基板之例子。 如圖4 7所示，發光元件係配合佈線用基板之電極節距而 形成在生長用基板305上。發光元件係與前述實施例同樣地 在底質生長層311上形成六為錐狀之結晶生長層312，在結
I 晶生長層312上形成p型電極313，在底f生長層311上則再形 成η電極314，並且為使高度相同於p型電極313而形成焊墊 -59-
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裝 訂 t 502463 A7 B7 五、發明説明（57 ) 315。生長用基板305上則形成複數個發光元件，並使其間 隔對應於佈線用基板301之電極層303、302之節距。 使形成有發光元件之生長用基板305與佈線用基板301相 對，而從生長用基板305背面照射KrF準分子雷射或三倍波 YAG雷射等雷射光，藉此便可在底質生長層311與生長用基 板305之介面產生氮氣，使發光元件連同元件一起分離，而 保持於佈線用基板301。 圖4 8係顯示使發光元件保持於佈線用基板301之狀態， 之後，對於其他波長之發光元件也施予相同安裝，並使接 合劑層307硬化便可完成影像顯示裝置。此時，由於G a層 316係形成在底質生長層311上面7因~而接合劑層3〇7使用紫 外線硬化型時，則從佈線用基板301背面側照射紫外線。接 合劑層307使用熱硬化型時，則採取與例3相條件下之硬 化工序即可。接合劑層307經硬化後除去G a層316便可顯著 地減少對於佈線用基板301之損傷。 例5 本例係如圖4 9所示配合佈線用基板之電極節距而選擇性 地照射雷射光，以使發光元件直接安裝於佈線用基板之例 子。 — 如圖4 9所示，在生長用基板328上形成有配合佈線用基 板之電極節距的發光元件。發光元件係與前述實施例同樣 地在底質生長層327上形成六_角·錐狀之結晶生長層324，在 1 結晶生長層324上形成p型電極326，在底質生長層327上則再 形成η型電極，並且為使高度與p型電極326成為相同而形 _-60-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐）
裝 訂 t 502463 ， A7 B7 五、發明説明（58 ) 成焊墊325。 與此相對，在佈線用基板320之主面則已以所要之節距形 成有電極層321、322，而使生長用基板328與佈線用基板320 相對並在予以保持之狀態下，按照佈線用基板之電極節距 照射雷射束《經從生長用基板328背面照射KrF準分子雷射 或三倍波YAG雷射等雷射光，在底質結晶層327與生長用基 板328之介面就產生氮氣，可使發光元件連同元件一起分 離，使其保持於佈線用基板320，惟由於雷射光照射係按照 電極節距所為之選擇性照射，因而生長用基板328上之發光 元件不可能全部分離，只可使配合佈線用基板之電極節距 的單色元件部分確實地轉印而已''。將此工序對於其他波長 之元件重複進行即可完成影像顯示裝置。雷射光有掃描單 一光束之方法，與以單一光束下移動生長用羞板與佈線用 基板之方法。 例6 本例乃是使用兩次轉印用基板而進行安裝之例子，茲參 照圖5 0至圖5 4就本例說明如下。 如圖50所示，在生長用基板336上，則以構成發光元件 之方式，在底質結晶層努2上形成六角錐狀之結晶生長層 333，在結晶生長層333上形成p電‘ 334，在底質結晶層332 上再形成η型電極且為使高度與p型電極334成為相同程度 而形成有焊墊335。在生長用_基板336上發光元件係按照佈 t 線用基板之電極節距而留蓍間隔。該圭長用基板336係使其 與轉印用基板330相對而予以保持，並從生長用基板336背 -61 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂 t 502463 A7 B7 五、發明説明（59 ) 面照射雷射光，便可使發光元件連同元件一起分離而轉印 於轉印用基板330。此時在轉印用基板330上已形成有由矽 樹脂等構成之轉印材料331，因而藉著該轉印材料331便可 使發光元件連同元件一起加以保持。 接著，如圖5 1所示，除去G a層便可使取光面位於外側 之狀態保持於轉印用基板330，然後如圖5 2所示，貼合上 面已塗上轉印材料340之第二轉印用基板341。在此種情況 下，轉印材料340為例如紫外線硬化型接合劑，而第二轉印 用基板341則為玻璃或石英玻璃。 接著，予以剝下最初之轉印用基板330，如圖5 3所示便 可使發光元件轉印於轉印用基板J„41 ' 然後如圖5 4所示，在佈線用基板342主面已以所要之節 距形成有電極層343、344之狀態下，使第二轉印用基板341 與佈線用基板342相對並在予以保持之狀態下漪照佈線用基 板之電極節距照射雷射光。經從生長用基板328背面照射雷 射光便可使發光元件因轉印材料340之燒蝕而使發光元件連 同元件一起分離，使之保持於佈線用基板342。惟該轉印由 於雷射束照射係按照電極節距所為之選擇性照射，因而生 長用基板328上之發光元件不可能全部分離，只可使按照佈 線用基板之電極節距的-單·色元件部分確實地轉印而已。將 此工序對於其他波長之元件重複進行，使佈線用基板342上 之接合劑345硬化即可完成影像顯示裝置。另外，如有轉印 材料340之燒蝕殘渣附著於發元件背面時則需附加洗滌或 t 研磨之工序。 ' 例7 -62- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 t 502463 A7 B7 五、發明説明（6〇 ) 本例係例6之變形例，如圖5 5所示，在第二轉印用基板 350上之轉·印材料351，則以構成發光元件之方式，在底質 生長層353上形成六角錐狀之結晶生長層354，且形成用以 使高度與p型電極成為相同程度之焊墊355，但在第二轉印 用基板350上，發光元件並非按照佈線用基板之電極節距而 使之留著間隔，而係以製造上方便的節距所佈局而成。至 於其他之製程實質上仍與例6之情形相同。 接著，如圖5 6所示，經從第二轉印用基板350背面選擇 性地照射雷射光，便可使發光元件因轉印材料351之燒蝕而 使發光元件連同元件一起分離，使之保持於具有佈線層 362、363之佈線用基板360。惟該轉印由於雷射束照射係按 照電極節距所為之選擇性照射，因而發光元件不可能全部 分離，只可使按照佈線用基板之電極節距的單色元件部分 確實地轉印而已。將此工序對於其他波長乏元件重複進 行，使佈線用基板360上之接合劑361硬化即可完成影像顯 示裝置。另外，如有轉印材料351之燒蚀殘渣附著於發光元 件背面時則需附加洗滌或研磨之工序。 例8 - 本例係將η型電極佈線與p型電極佈線對於結晶生長層分 成上下而形成的影像顯丟裝置之例子。本例之影像顯示裝 置，如圖5 7所示，係在佈線用基板370之基板主面371上形 成ρ型電極佈線372 ’而具有六角錐狀之傾斜的傾斜結晶面 之結晶生長層374係以連接於-該ρ型電極佈線37?上端之狀態 下，埋入於其周圍之接合劑層373而受到支撐。在結晶生長 層374形成有未圖示之第一導電層、活性層、第二導電層， ___-βλ-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）
裝 % 502463 A7 — B7 五、發明説明（61 ) 該結晶生長層374係以與結晶生長時之狀態成倒置之狀態被 支撐於接合劑層373。在與結晶生長層374之傾斜結晶面成 平行之面形成p型電極375，在結晶生長層374上側存在著結 晶生長時所使用之底質生長層376，此底質生長層376上面 側就是取光面377，而在該底質生長層376之取光面377，則 在基板主面371之法線方向不致於與構成發光區域的第一導 電層、活性層、第二導電層之疊層部重疊的底質生長層376 之角部，形成η型電極佈線378並使之電互連。該η型電極 佈線378之一部分也延伸至上迷接合劑層373上，例如由樹 脂層構成之接合劑層373經嵊化後，η型電極佈線378便可形 成為所要之圖案。η型電極佈線H8係由聚醯亞胺等樹脂層 構成之保護層379所被覆。 本例之影像顯示裝置，與ρ型電極、η型電顏雙方均存在 於結晶生長面側之發光元件不同，至少其η型電極佈線378 係位於底質生長層376之取光面377側，因而相對地可使發 光元件之晶片尺寸縮小相當於佈線之部分。而且，η型電 極佈線378與ρ型電極佈線372係對於結晶生長層374分成上下 所形成，而構成三維性隔離，使得不會有可能發生短路， 可供形成寬闊的佈線寬度一。因而也可容易形成佈線。 另外，上述例子中，坪整係針對於在C u、N i施予A u被 覆者加以說明，惟也可使用利用焊料凸塊（solder bumps)之連 接方式。亦即，其發光元件冬麂極上的焊墊係由焊料電鍍
I 法或焊料蒸鍍法形成，且~可使用焊劑以替代保持於佈線用 基板之接合劑而預先將之塗上於佈線用基板。發光元件將 -64- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂 t 502463 A7 B7 五、發明説明（62 ) 藉著該焊劑之黏性而被保持於佈線用基板上。經使三色之 發光元件剝離•轉印後，將佈線用基板匯總施予再熱流錫 洋（solder reflow soldering)以使佈線用基板與發光元件相連 接。此時，佈線用基板需要放入於再熱流爐，因而應使用 玻璃基板。經連接後施予焊劑洗滌處理，然後，將封閉材 料放入晶片與佈線用基板間，使封閉材料硬化。使用焊錫 連接方式時，可使連接電阻變成低電阻，且因焊錫熔融時 之自對準（self alignment)作用，可改善對準精度，使得像素 節距與佈線電極之圖案製膜製程（patterning)之精度成為一 致，因而可使像素節距一定，而製得高解像度之影像顯示 裝置。欲修理發光元件時，則於了主人封閉材料之前施予發 光元件之點燈檢查，如有不良情形發生，則以該發光元件 之局部性加熱，則使焊料凸塊熔融而進行修歡。 在本發明中所謂的影像顯示裝置，係指使用發光二極體 (LED)、半導體電射等發光元件之顯示裝置，包括將發光 元件排列於佈線用基板上而供搭配於其他電子機器等之用 的結構者，甚至於更包含例如：電視接受機、視頻複製裝 置、電腦等電子機器之監視器、遊樂機器之輸出裝置、電 子家電等之監視器等，-I外，屬於尺寸較小者，即使其為 汽車搭載型導航裝置、便攜型電話、便攜型資訊終端機、 錄影裝置或監視裝置等之監視器螢幕等也包含在内。 發明之效果 — 1 如上述，若是依照本發4之影像顯示裝置，就可獲得優 於解析度或影像品質、發光效率等諸特性，且容易大型螢 -65- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
裝 訂 502463
，化，也能實現降低製造成本之影像顯示裝置。尤其是若 是依照本發明之影像顯示裝置，由於發光元件係使其一個 兀件之占有面積設定為25 以上且麵㈣2以下之微小 的尺寸，因而就可以高密度使發光㈣本㈣設於佈線用 ，板，而且由於先製成各個發光元件後才對於佈線用基板 安裝’因而良品率佳，即使欲使其大型螢幕化時，也不再 需要施予涉及其螢幕全體的微米級之嚴格製程管理。 另外，若是依照本發明之影像顯示裝置之製造方法，就 容易實現以高密度下使發光元件本身佈設於佈線用基板: 且有效地利用暫時保持用基板或能量射束，就可將微小的 元件邊轉印邊安裝於佈線用基板之所要的位置。 另方面’若是依照本發明之元件排列方法及影像顯示裝 置之製造方法’就使元件保持於暫時保持⑽件時，元件 間之距離已被擴大，因而利用其已擴大的間隔即可設置尺 寸較大的電極或電極焊墊，在後續之第二轉印工序，由於 体線可利用暫時保持用構件之尺寸較大的電極或電極焊整 而實施’因而即使在最後的裝置尺寸較之元件尺寸為顯著 大的情況下也容易形成体線^ ，若是依照本發，次元件排列方法及影像顯示裝置 《製造方法，就可以經硬化的接合·劑層覆蓋發光元件周園 而以平坦化便可在良好精度下形成電極焊墊，同時可將電 極涔墊延伸於較之元件為宽_啲區域，因而若以吸附用吸 ，執行在後續第二轉印±序之轉印時便可使操作容易進 仃。另在對於暫時保持用構件轉印發光二極體時，利用
502463 A7 B7 五、發明説明（64 )
GaN系材料會在與藍寶石基板之介面分離成金屬鎵與氮之 現象，即可簡單地予以剝離。 再者，若是依照本發明之元件排列方法及影像顯示裝置 之製造方法，就在意圖相同轉印倍率時，設第一轉印工序 與第二轉印工序之擴大率各自為η倍、m倍時，由於 (n+m)2=n2+2 nm+m2，一定能較之以一次擴大悉數之情況減少 轉印次數2 nm次。因而製造工序也可相對地節省相當於該 次數份的時間或經費，這對於擴大率特別大的情況有益。 另在各發光二極體元件係與結晶生長時之狀態成倒置而 佈設在佈線用基板上之本發明之影像顯示裝置中，其平坦 的底質生長層上面就可充當來f於結晶生長層之活性層的 光之取光面而作用，加上p型電極的反射膜功能之作用即 可使取光效率提高。結晶生長層因為選擇性立長而具有例 如六角錐形狀，但因焊墊係佈設在η型電極側，因而可使 母一元件的底質生長層及結晶生長層保持成水平方向同一 高度，再以接合劑固定周圍，即可使結晶生長層等之傾倒 問題防患於未然。 由於各發光二極體元件係於元件完成後才進行安裝，只 要不予安裝例如有缺陷-之~元件便可提高影像顯示裝置全體 之良品率。另外，因焊墊使得元件#成為其正負一對之電極 被集中於佈線用基板側之結構，因而電極也不會造成使取 光所需面積減少。据此，本@之影像顯示裝置便可達成高 t 解析度的彩色顯示，'堪稱'製造上也巧妙地應用選擇性生 長之優點的一發明。 -67- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 爾 502463 A7 B7 五、發明説明（ 65 本例之影像顯示裝置之製造方法，由於經按照佈線用基 板的電極節距之複數個發光元件係將之匯總安裝於佈線用 基板主面，因而可降低其製造成本且可實現短時間下之製 造。另外，由於各元件係使用谭塾確實地安裝成水平，不 致於傾斜，同時調正所需邊緣可小，因而可在高精度下排 =發光元件，且也可使用烊塾而實施確實的電氣佈線，或 使取光效率最大化。 [圖式之簡要說明] ^係本發明之第一實施例影像顯示裝置之重要部分佈 句圖。 圖2係本發明之第4施請像顯 局圖。 里变邵分佈 圖3係本發明之第：實施例影像顯示裝置之電 ，.圖4係顯示本發明之第三實施例影像顯示裝置之製造方 法中結晶層形成工序之工序圖^ 係顯示本發明之第三實施例影像顯 法中分離溝渠形成工序之工序圖。 万 圖6係顯示本發明之第三實施例影像顯示裝置 法中暫時保持用基板之祕^万 圖7係顯示本發明之第三實施例影像顯示裝置 法中能量射束照射工序之工序圖。 以万 圖8係顯示本發明之第三施例影像顯示裝置之製迭方 法中元件形成用基板之剥耠工序工序圖。‘ 以万 圖9係顯之第三實施例影像顯示裝置之 本纸張尺歧财國國家標準 _ 裝 訂 f -68- A7 B7 五、發明説明（66 ) 法中發光元件之吸附工序工序圖。 圖1 0係顯tf本發明之第三實施例影像顯示裝置之製造方 法中發光元件之分離工序工序圖。 圖1 1係顯TF本發明之第三實施例影像顯示裝置之製造方 法中正要安裝發光元件之前的狀態之工序圖。 圖12係顯示本發明之第三實施例影像顯示裝置之製造方 法中士裝發光元件後的狀態之工序圖。 圖13(a)-(d)係顯示本發明實施形態之元件排列方法模 式圖。 圖1 4(a)-(d)係顯示本發明之其他實施形態之元件排列 方法模式圖。 --- 圖1 5(a)-(d)係顯示本發明實施形態之元件排列方法之 間拔轉印模式圖。 圖1 6係顯示本發明實施形態之元件排列方法中樹脂形成 晶片之概略斜視圖。 圖1 7係顯示本發明實施形態之元件排列方法中樹脂形成 晶片之概略斜視圖。 圖1 8係顯示用以本發明實施形態之元件排列方法之發光 元件例子圖，（a)為剖面爵，（b)為俯視圖。 圖1 9係顯示本發明實施形態之發_光元件排列方法中第一 轉印工序之工序剖面圖。 圖2 Q係顯示本發明實施形寧之發光元件排列方法中電極 焊墊形成工序之工序剖面冒。 ' ' 圖2 1係顯示本發明實施形態之發光元件排列方法中其他 __一__ -69- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱） A7 B7 五、發明説明（67 ) 之電極焊藝形成工序之工序剖面圖。 圖22係顯示本發明實施形態之發光元件排列方法中吸附 工序之工序剖面圖。 圖2 3係顯tf本發明實施形態之發光元件排列方法中第二 轉印工序之工序剖面圖。 圖24係顯π本發明實施形態之發光元件排列方法中絕緣 層形成工序之工序剖面圖。 圖25係顯示本發明實施形態之發光元件排列方法中佈線 形成工序之工序剖面圖。 圖2 6係顯π本發明實施形態之液晶控制元件排列方法中 薄膜電晶體形成工序之工序剖面圖 圖27係顯示本發明實施形態之液晶控制元件排列方法中 第一轉印工序之工序剖面圖。 圖28係顯示本發明實施形態之液晶控制元件排列方法中 在暫時保持用構件的保持狀態之工序剖面圖。 圖29係顯示本發明實施形態之液晶控制元件排列方法中 從暫時保持用構件向第二暫時保持用構件的轉印工序之工 序剖面圖。 圖3 0係顯不本發明實_施_形態之液晶控制元件排列方法中 在第二暫時保持用構件時的保持狀態工序剖面圖。 圖3 1顯示本發明實施形態之液晶控制元件排列方法中形 成相對基板以作為液晶面板苎封入液晶的狀態之工序剖面 圖0 一 . 、 圖3 2係顯π發光元件之一例子的剖面圖。 _— -70- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) ϋϋ"(21〇 χ挪公釐)-- 502463 A7 B7 五、發明説明（68 ) 圖3 3係顯示發光元件之其他例子的剖面圖。 圖34係顯示發光元件之另一其他例子的剖面圖。 圖35係顯示使發光元件之結晶生長層倒置安裝的影像顯 示裝置例1之重要部分剖面圖。 圖36係顯示m之構成影像顯示裝置之發光二極體圖， (A)為元件剖面圖，為元件俯視圖。 圖37為例2之影像顯示裝置之重要部分剖面圖。 圖38係顯示例3之影像顯示裝置之製造方法中結晶生長 層形成工序及電極形成工序之工序剖面圖。 ，圖39係顯示例3之影像顯示裝置之製造方法中抗姓❹ 形成工序之工序剖面圖。 一— 曰 圖40係顯示例3之影像顯示裝置之製造方法中焊载 工序之工序剖面圖。 土/成 圖4!係顯示例3之影像顯示裝置之製造方^ 照射工序之工序剖面圖。 ’束 圖42係顯示例3之影像顯示裝置之製造方法 保持用基板的轉印工序之工序剖面圖。 、時 圖43係顯示例3之影像顯示裝置之製造方法 吸附工序之工序剖面圖_〇一 &先疋件 圖44係顯示例3之影像顯示裝置之製造 安裝工序之工序剖面圖。 干發先疋件 .圖45係顯示例3之影像顯:示裝置之製造方 安裝後的狀態之工序剖面菌-。 ' ^式疋件 圖46係顯示例3之影像顯示裝置之製造方法中發光元件 本纸張尺度適财®目格(21Qx297i^_ 71 502463 A7 B7 五、發明説明（69 ) 加壓工序之工序剖面圖。 圖47係顯示例4之影像顯示裝置之製造方法中能量射束 照射工序之工序剖面圖。 圖4 8係顯示例4之影像顯示裝置之製造方法中發光元件 安裝工序之工序剖面圖。 圖4 9係顯示例5之影像顯示裝置之製造方法中能量射束 照射工序之工序剖面圖。 圖5 0係顯示例6之影像顯示裝置之製造方法中能量射束 照射工序之工序剖面圖。 圖5 1係顯示例6之影像顯示裝置之製造方法中轉印工序 之工序剖面圖。 圖5 2係顯示例6之影像顯示裝置之製造方法中第二轉印 工序之工序剖面圖。 … 圖5 3係顯示例6之影像顯示裝置之製造方法中第二轉印 工序後的狀態之工序剖面圖。 圖5 4係顯示例6之影像顯示裝置之製造方法中安裝工序 時的狀態之工序剖面圖。 _ 圖5 5係顯示例7之影像顯示裝置之製造方法中發光元件 形成時的狀態之工序剖面^屬。 圖5 6係顯示例7之影像顯示裝置之製造方法中有附帶能 量照射的安裝工序之工序剖面圖。 圖5 7係例8之影像顯示裝置剖面圖。 t _ - · — 元件符號之說明 1、21、80佈線用基板 _-79 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 502463 A7 B7 五、發明説明（7〇 ) DR00 〜DBU、DR、DG、DB、31 發光二極體 PT 電流保持電路 3 2 、3 3 電晶體 34 電容器 5 1 藍寶石基板 52 第二導電型敷層 53 活性層 54 第一導電型敷層 55 η型電極 56 ρ型電極 57 分離溝渠 60 暫時保持用基板 70 吸附用吸具 ，〜一. 8 1 佈線電極 90 ^ 90a、90c、121、 161 第一基板 9卜 91a、91c、123、 165 暫時保持用構件 95、 140、168 第二 基板 92 ^ 101元件 122 發光二極體 -一 164 薄膜電晶體 240 、260、290、301 、320 、342、360、370 佈線 用 基板 243 、263、272、312 、324 、333、、374 結晶 生 長層 270 、300、328、336 生長用基板 244 、264、273、313 、326 、375 ρ型電極 -73- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 502463 A7 B7 五、發明説明（71 ) 245、 27卜 3H、327、332、353 底質結晶層 249、265、274、314 η 型電極 246、 266、267、277、315、325、335、355 焊墊 280、330、341、350轉印用基板 282吸附頭 _-74- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. A8 B8 C8
    裝 502463 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 9· 一種影像顯示裝置之製造方法，該影像顯示裝置係排列 著複數個發光元件，用以對應於所要之影像信號而顯示 影像，其特徵為：準備將所要之佈線佈局成矩陣狀之佈 線用基板，同時準備分離於個別的晶片之複數個發光元 件，並將該發光元件以使其連接於上述佈線之方式而安 裝以構成影像顯示裝置。 10·如申請專利範圍第9項之影像顯示裝置之製造方法，其 中在所要之元件形成用基板上疊層半導體層，並在該半 導體層排列而形成上述複數個發光元件後，按每一個發 光元件予以分離，並使經.分離的各發光元件安裝於上^ 佈線用基板。 --— 11. 如申請專利範圍第i 〇項之影像顯示裝置之製造方法，其 中在上述發光元件之元件間之區域以包圍各着光元件之 方式形成到達上述元件形成用基板的基板表面之溝渠， 並從上述元件形成用基板分離由該溝渠包圍之各發光元 件，使經分離的各發光元件安裝於上述佈線用基板。 12. 如申請專利範圍第1〇項之影像顯示裝置之製造方法，其 中對於佈線用基板安裝經分離的各發光元件，録邊以 吸附用吸具吸附發光元种之表面或背面邊按每―個元件 搭載於佈線用基板下而實施。 * 13. 如申請專利範圍第1G項之影像顯示裝置之製造方法，其 中使上述各發光元件從上^件形成用基板分離，係利 用從該元件形成用基板背面照射能量射束而實施。 14·如申請專利範圍第13項之影像顯示裝置之製 ，並
    裝 η
    -76 - :在從上述元件形成用基板背面的照射能量射束之前， =元件形成用基板上之各發光元件保持於暫時保持 土 ，在照射上述能量射束之後則從上述元件形成用 f板分離各發光元件，使各發光元件保持於上述暫時保 持用基板e •如申明專利圍第！ 4項之影像顯示裝置之製造方法，其 中《暫時保持用基板係將黏合材料形成於其全面，而使 上逑發光兀件之表面暫時保持於該黏合材料。 16·如申凊專利範園第1()項之影像顯示裝置之製造方法，其 中對於上述佈線用基板安裝經分離的各發光元件，係將 上述發光it件表面之電極部分-財於上述佈線用基板上 之導電材料而實施。 17·:種發光元件之製造方法，其特徵為：在《之元件形 用基板上疊層半導體層’並在該半導體層排列而形成 上述複數個發光元件後’按每—個發光元件予以分離， 並也使各發光元件從上述基板分離。 18·如申明專利範圍第i 7項之發光元件之製造方法，其中之 上述各發光元件與上述基板之間的分離，係利用從該基 板背面照射能量射束而實施。 19.如申4專利範圍第1 7項之發光元件之製造方法，其中在 照射上述能量射束之前，使上述各發光元件保持於暫時 保持用基板，在照射上述氣量射束之後則從上述基板分 離各發光元件而使各發“件保持於上述暫時保持用基 «77- 502463 申請專利範圍 20·如申請專利範圍第19項之發光元件之製造方法，其中之 暫時保持用基板係將黏合材料形成於其全面，而使上述 發光兀件之表面暫時保持於該黏合材料。 21. —種兀件之排列方法，係用以將排列於第一基板上之複 數個元件排列於第二基板上，其特徵為具有：第一轉印 工序，其係用於將發光元件或液晶控制元件以比在上述 發光元件或液晶控制元件在第一基板上所排列之狀態更 相Ik地轉印，使上述發光元件或液晶控制元件保持於暫 時保持用構件；以及第二轉印工序，其係用於將保持於 上逑暫時保持用構件之元件更相隔地而轉印於第二基板 卜 〇 —'- 22·如申請專利範圍第21項之元件排列方法，其中在上述第 一轉印工序相隔之距離，大致為排列於上述〜第一基板上 ，元件節距之整數倍，且在上述第二轉印工序相隔之距 離，大致為在上述第一轉印工序排列於上述暫時保持用 構件的元件節距之整數倍。 23.如申請專利範圍第21項之元件排列方法，其中具有：在 上述第-轉印工序後以樹脂固定元件之工序；在該樹脂 上形成上述元件的電極之工序；以及切割上述樹脂之工 序。 24·如申請專利範圍第21項之元件排列方法，其中從上述第 一基板供選擇性地轉印的上述元件，係使二捧第一== 與上述暫時保持用構件成面對面相對時存在於相隔的距 離之上述元件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) -78- 502463
    25.·如申請專利範圍第21項之元件排列方法，其中從上述暫 時保持用構件供選擇性地轉印的上述元件，係使上述暫 時保持用構件與上述第二基板面對面相對時存在於相隔 的距離之上述元件。 26·如申請專利範圍第21項之元件排列方法，其中在第二基 板上，，·二不同的上述暫時保持用構件轉印之元件係位於旁 邊。 27·如申請專利範圍第21項之元件排列方法，其中從上述第 一基板向上述暫時保持用構件之轉印及從上述暫時保持 用構件向第二基板之轉印係至少使用機械性手段或光學 性手段中之一種。 —— 一 28.如申請專利範圍第27項之元件排列方法，其中機械性手 段係能對於各元件邊施加力學性能量邊選擇性地轉印元 件之手段。 29·如申請專利範圍第27項之元件排列方法，其中之機械性 手段係藉選擇性地吸附上述元件而轉印該元件之手段。 30·如申請專利範圍第27項之元件排列方法，其中之光^性 手段係對於各元件邊施加使用光照射的光能量邊選擇性 地轉印。 -一 其中之第一基 31·如申請專利範圍第3 〇項之元件排列方法 板具有透光性。 - 32·如申請專利範 ，、”丨听活穴丁 <兀件係 射光束 使用氮化物半導體之半導體元件，上述光照射係使用兩 射来壶。 @ -79- 申請專利範圍 33··如申请專利範圍第2 1項之元件排列方法，其中之元件係 選自發光元件、液晶控制元件、光電變換元件、壓電元 件、薄膜電晶體元件、薄膜二極體元件、電阻元件、開 關元件、微小磁元件、微小光學元件中之元件或其部 分0 34.如申請專利範圍第2 1項之元件排列方法，其中之元件係 製作在上述第一基板上。 35·如申請專利範圍第2 1項之元件排列方法，其中使上述元 件保持於上述暫時保持用構件之狀態下，使佈線之一部 分形成在上述元件。 36·如申請專利範圍第21項之元件-揚列_方法，其中佈線之一 部分係電極焊塾。 37. —種影像顯示裝置之製造方法，係用以製造—將發光元件 或液晶控制元件佈局成矩陣狀之影像顯示裝置，其特徵 為具有：第一轉印工序’其係用於將發光元件或液晶控 制元件以比上述發光元件或液晶控制元件在第一基板上 所排列之狀態成為更相隔的狀態之方式而轉印，使上述 發光元件或液晶控制元件保持於暫時保持用構件；第二 轉印工序’其係用於將讀於上述暫時保持用構件之元 件更1 吏其㈣地轉印於第二基板上；以及料形成工 二:、：！於形成供連接於上述各發光元件或液晶控制 兀件足佈線。 .— 38.如申請專利範圍第37項之影像顯示裝置之製造 立 中之發光元件或液晶控制元件係 ° ’、 田對應於不同波長之複 .數個元件之組合，形成一個像素。 39:申請專利範圍第37項之影像顯示裝置之製造方法，且 制η:保持用構件保持著上述發光元件或液晶控 !二件讀怨下’使電極焊塾形成於上述發光元件或液 制元件纟述饰線形成工序佈線係施加於該電極 焊墊。 4〇·-種影像顯示裝置，其具有將複數個發光元件排列於体 線用基板之基板主面上而安裝的結構，其特徵為：經由 上逑喬光兀件 < 結晶生長所形成之結晶生長層係在上逑 土板主面之法，.泉方向，與結晶生長時之狀態成倒置之狀 態安裝於佈線用基板。 -—. 41·如申凊專利範圍第4 〇項之影像顯示裝置，其中之發光元 件具有以結晶生長時之基板側供作為取光窗之結晶生長 層，該發光元件在安裝於上述佈線用基板之前即從生長 用基板使之分離。 42.如申請專利範圍第4〇項之影像顯示裝置，其中之發光元 件係在具有相對於基板主面呈傾斜的傾斜結晶面之上述 結晶生長層，形成第一導電層、活性層、及第二導電 層’且供連接於上述第__導電層之第一電極，與供連接 於第二導電層之第二電極，係使灰距自生長用基板之高 度大致形成為相同程度。 43·如申請專利範圍第4 〇項之變像顯示裝置，其中之發光元 件係在具有相對於基板至面呈傾斜岛傾斜結晶面之上述 結晶生長層，形成第一導電層、活性層、及第二導電 -81 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 層，且供連接於上·述第一導電層之第一電 於第二導電層之第二電極，係在上述基板 向，隔著上述結晶生長層而各自分開形成 極，與供連接 主面之法線方 44·如申請專利範圍第4 〇項之影像顯示裝置 長層係由經以選擇性生長方式所形成之 物半導體構成。 ’其中之結晶生 烏爾玆礦型氮化 45.如申請專利範圍第4〇項之影像顯示裝置’其中之妗晶生 長層係由經以選擇性生長方式所形成之六.角錐形：：六 角臺形狀構成。 46，-種影像顯示裝置之製造方法，其特徵為：在生長用基 板上以選擇性生長方式形成録側-呈開口形狀之結晶二 長層，並在該結晶生長層形成第一導電層、活性層、及 第二導電層以構成發光元件，將供連接於上遽第一導電 層之第一電極，與供連接於第二導電層之第二電極，形 成為使其距自生長用基板之高度大致形成為相同程度， 並將上述結晶生長層從上述生長用基板予以分離，倒置 於佈線用基板而安裝。 47.如申請專利範圍第46項之影像顯示裝置之製造方法，其 中土少在上述第-及第：電極之一方使連接構件連接成 使兩者之高度大致成為相同程度： 48·如申請專利範圍第4 6項之影像顯示裝置之製造方法，其 中對於上述佈線用基板之安裝係在一面使發光元件表面 吸附於吸附用吸具，並一面按每一個元件搭載於上述佈 線用基板下而實施。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -82· D8 六、申請專利範圍 49.如申請專利範圍第46項之影像顯示 造 中使上述各發光元件從上述^形成用基板分離，係利 用攸琢疋件形成用基板背面照射能量射束而實施。 5〇·如申請專利範圍第49項之影像顯示裝置之製造方法，其 中為使及各發光兀件從上述生長用基板分離的能量射束 之照射，係以選擇性方式對於各發光元件實施。 51.如申請專利範圍第49項之影像顯示裝置之製造方法，其 中在從上述生長用基板背面照射能量射束之前，使上述 元件形成用基板上之各發光元件保持於轉印用基板，在 照射上述能量射束之後則從上述生長用基板分離各發光 元件’使各發光元件保持於上述轉却用基板。 52·種元件士裝基板，其具有將複數個發光元件排列於佈 線用基板之基板主面上而安裝的結構，其特〜徵為上述發 光元件之經由結晶生長所形成之結晶生長層係在上述基 板主面之法線方向，與結晶生長時之狀態成倒置之狀態 安裝於佈線用基板。 53.如申請專利範圍第5 2項之元件安裝基板，其中各元件除 上述結晶生長層之傾斜的傾斜結晶面以外之平坦面係以 與基板表面上大致成為在同一面上之方式而安裝。 -83- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI481099B (zh) * 2012-06-06 2015-04-11 Nihon Micronics Kk 固體型二次電池之電極構造
TWI679762B (zh) * 2018-03-06 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Families Citing this family (381)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4649745B2 (ja) * 2001-02-01 2011-03-16 ソニー株式会社 発光素子の転写方法
JP4724924B2 (ja) * 2001-02-08 2011-07-13 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP3608615B2 (ja) * 2001-04-19 2005-01-12 ソニー株式会社 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
US6747298B2 (en) * 2001-07-23 2004-06-08 Cree, Inc. Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates
JP2003045901A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
US6934001B2 (en) * 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
JP2003077940A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP4055405B2 (ja) * 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
JP2003282478A (ja) * 2002-01-17 2003-10-03 Sony Corp 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法
JP3912117B2 (ja) 2002-01-17 2007-05-09 ソニー株式会社 結晶成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) * 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
FR2836158B1 (fr) * 2002-02-19 2005-01-07 Usinor Procede de nettoyage par plasma de la surface d'un materiau enduit d'une substance organique, et installation de mise en oeuvre
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2356817T3 (es) 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
JP4329368B2 (ja) * 2002-03-28 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2004006498A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2004014938A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US20040140474A1 (en) * 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
JP5022552B2 (ja) 2002-09-26 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
JP3864222B2 (ja) * 2002-09-26 2006-12-27 国立大学法人名古屋大学 半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法
CN1293602C (zh) * 2002-10-08 2007-01-03 精工爱普生株式会社 电路板及其制造方法、复制芯片、复制源基板、电光装置
JP3918708B2 (ja) 2002-10-08 2007-05-23 セイコーエプソン株式会社 回路基板及びその製造方法、転写チップ、転写元基板、電気光学装置、電子機器
AU2003284410A1 (en) * 2002-11-19 2004-06-15 Ishikawa Seisakusho, Ltd. Pixel control element selection transfer method, pixel control element mounting device used for pixel control element selection transfer method, wiring formation method after pixel control element transfer, and planar display substrate
JP4097510B2 (ja) * 2002-11-20 2008-06-11 株式会社沖データ 半導体装置の製造方法
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
US7087444B2 (en) * 2002-12-16 2006-08-08 Palo Alto Research Center Incorporated Method for integration of microelectronic components with microfluidic devices
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
JP3702879B2 (ja) * 2003-02-21 2005-10-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネル、その駆動回路及び駆動方法、並びに電子機器
JP4082242B2 (ja) * 2003-03-06 2008-04-30 ソニー株式会社 素子転写方法
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) * 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US6986693B2 (en) * 2003-03-26 2006-01-17 Lucent Technologies Inc. Group III-nitride layers with patterned surfaces
US20040259279A1 (en) * 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US6913985B2 (en) * 2003-06-20 2005-07-05 Oki Data Corporation Method of manufacturing a semiconductor device
US8999736B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
US7961160B2 (en) 2003-07-31 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device
JP4380264B2 (ja) * 2003-08-25 2009-12-09 カシオ計算機株式会社 接合基板及び基板の接合方法
US7566001B2 (en) * 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card
JP4326889B2 (ja) * 2003-09-11 2009-09-09 株式会社沖データ 半導体装置、ｌｅｄプリントヘッド、画像形成装置、及び半導体装置の製造方法
US7341880B2 (en) 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
JP2005111976A (ja) * 2003-09-18 2005-04-28 Ricoh Co Ltd 消耗部品、部品装着構造、及び画像形成装置
JP4834951B2 (ja) * 2003-09-29 2011-12-14 ソニー株式会社 Ｌｅｄ素子形成方法
EP1521312A3 (de) * 2003-09-30 2008-01-16 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement mit einem metallisierten Träger
US7408566B2 (en) * 2003-10-22 2008-08-05 Oki Data Corporation Semiconductor device, LED print head and image-forming apparatus using same, and method of manufacturing semiconductor device
JP4672329B2 (ja) * 2003-10-22 2011-04-20 株式会社沖データ 半導体装置、及び、それを用いたｌｅｄプリントヘッド、画像形成装置、半導体装置の製造方法
US7217956B2 (en) * 2004-03-29 2007-05-15 Articulated Technologies, Llc. Light active sheet material
US7294961B2 (en) * 2004-03-29 2007-11-13 Articulated Technologies, Llc Photo-radiation source provided with emissive particles dispersed in a charge-transport matrix
US20070090387A1 (en) * 2004-03-29 2007-04-26 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits
US20050244618A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Brian Gobrogge Islanded pattern for printing on readdressable media
KR100595884B1 (ko) * 2004-05-18 2006-07-03 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 소자 제조 방법
JPWO2005122536A1 (ja) 2004-06-08 2008-04-10 三菱電機株式会社 携帯機器
TWI308397B (en) * 2004-06-28 2009-04-01 Epistar Corp Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
JP4596846B2 (ja) * 2004-07-29 2010-12-15 三洋電機株式会社 回路装置の製造方法
JP4812369B2 (ja) * 2004-08-27 2011-11-09 京セラ株式会社 発光素子の製造方法
JP3802910B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
JP4729896B2 (ja) * 2004-09-17 2011-07-20 ソニー株式会社 半導体薄膜の表面処理方法
TWI308396B (en) * 2005-01-21 2009-04-01 Epistar Corp Light emitting diode and fabricating method thereof
US7875898B2 (en) * 2005-01-24 2011-01-25 Panasonic Corporation Semiconductor device
WO2006095566A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof
US7364983B2 (en) * 2005-05-04 2008-04-29 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating RFID devices
US7215032B2 (en) 2005-06-14 2007-05-08 Cubic Wafer, Inc. Triaxial through-chip connection
US8456015B2 (en) 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
US7989958B2 (en) 2005-06-14 2011-08-02 Cufer Assett Ltd. L.L.C. Patterned contact
US20060286686A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Honeywell International, Inc. Integrated light emitting diode displays using biofabrication
US7608471B2 (en) * 2005-08-09 2009-10-27 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for integrating III-V semiconductor devices into silicon processes
KR100835053B1 (ko) * 2006-01-05 2008-06-03 삼성전기주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 및 그제조 방법
US8013320B2 (en) * 2006-03-03 2011-09-06 Panasonic Corporation Nitride semiconductor device and method for fabricating the same
JP5108381B2 (ja) * 2006-05-31 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 貼りあわせ方法、貼りあわせ装置、半導体装置の作製方法及び半導体装置の製造装置
KR101278065B1 (ko) 2006-09-12 2013-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시기판의 제조방법
WO2008042212A2 (en) * 2006-09-29 2008-04-10 Grote Industries Inc. Illuminated devices utilizing light active sheet material with integrated light emitting diode (led), methods of producing illuminated devices, and kits therefor
KR20080037848A (ko) * 2006-10-27 2008-05-02 삼성전자주식회사 광차단막을 갖는 반도체 레이저 소자의 제조방법
DE102006054206A1 (de) * 2006-11-15 2008-05-21 Till Keesmann Feldemissionsvorrichtung
KR101519038B1 (ko) 2007-01-17 2015-05-11 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 프린팅­기반 어셈블리에 의해 제조되는 광학 시스템
US7858493B2 (en) * 2007-02-23 2010-12-28 Finisar Corporation Cleaving edge-emitting lasers from a wafer cell
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
JP2007259470A (ja) * 2007-04-25 2007-10-04 Mitsubishi Electric Corp 携帯機器
US7867793B2 (en) * 2007-07-09 2011-01-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Substrate removal during LED formation
JP5032231B2 (ja) * 2007-07-23 2012-09-26 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
US8222064B2 (en) 2007-08-10 2012-07-17 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Vertical light emitting diode device structure and method of fabricating the same
US7846753B2 (en) * 2007-08-10 2010-12-07 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Vertical light emitting diode and method of making a vertical light emitting diode
US8187900B2 (en) * 2007-08-10 2012-05-29 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Optimization of polishing stop design
JP4450046B2 (ja) 2007-10-05 2010-04-14 ソニー株式会社 電子部品基板の製造方法
JP4840371B2 (ja) * 2008-01-28 2011-12-21 ソニー株式会社 素子転写方法
US8182633B2 (en) * 2008-04-29 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a flexible display device
TWI407491B (zh) * 2008-05-09 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 分離半導體及其基板之方法
RU2010152355A (ru) * 2008-05-22 2012-06-27 Коннектор Оптикс (Ru) Способ для прикрепления оптических компонентов на интегральные схемы на основе кремния
JP5836122B2 (ja) * 2008-07-07 2015-12-24 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ ナノ構造のｌｅｄ
JP5215773B2 (ja) * 2008-08-18 2013-06-19 株式会社ディスコ 加工方法
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
JP5276412B2 (ja) * 2008-11-04 2013-08-28 キヤノン株式会社 機能性領域の移設方法、ｌｅｄアレイ、ｌｅｄプリンタヘッド、及びｌｅｄプリンタ
JP5390832B2 (ja) * 2008-11-04 2014-01-15 キヤノン株式会社 機能性領域の移設方法、ｌｅｄアレイ、ｌｅｄプリンタヘッド、及びｌｅｄプリンタ
JP5363789B2 (ja) * 2008-11-18 2013-12-11 スタンレー電気株式会社 光半導体装置
JP4640498B2 (ja) * 2008-12-11 2011-03-02 ソニー株式会社 素子の転写方法、素子配置基板、並びにデバイス及びその製造方法
TWI473246B (zh) * 2008-12-30 2015-02-11 Epistar Corp 發光二極體晶粒等級封裝
US8309973B2 (en) * 2009-02-12 2012-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon-based sub-mount for an opto-electronic device
JP5128518B2 (ja) 2009-02-24 2013-01-23 株式会社沖データ 表示装置
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
JP5258666B2 (ja) * 2009-04-22 2013-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法および成膜用基板
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US8680629B2 (en) * 2009-06-03 2014-03-25 International Business Machines Corporation Control of flatband voltages and threshold voltages in high-k metal gate stacks and structures for CMOS devices
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
JP5590837B2 (ja) * 2009-09-15 2014-09-17 キヤノン株式会社 機能性領域の移設方法
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
WO2011035265A1 (en) 2009-09-18 2011-03-24 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with current density operation
JP2011071272A (ja) 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US8274116B2 (en) * 2009-11-16 2012-09-25 International Business Machines Corporation Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for CMOS devices
TWI397989B (zh) * 2009-12-07 2013-06-01 Epistar Corp 發光二極體陣列
KR101221871B1 (ko) * 2009-12-07 2013-01-15 한국전자통신연구원 반도체 소자의 제조방법
US8283676B2 (en) * 2010-01-21 2012-10-09 Siphoton Inc. Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
JP4866491B2 (ja) * 2010-04-01 2012-02-01 パナソニック株式会社 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
JP5419226B2 (ja) 2010-07-29 2014-02-19 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
WO2012039266A1 (ja) * 2010-09-21 2012-03-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 圧電デバイスおよびその製造方法
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
JP5652234B2 (ja) * 2011-02-07 2015-01-14 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TWI432862B (zh) * 2011-03-16 2014-04-01 Hannstar Display Corp 液晶面板及其畫素結構
JP5825812B2 (ja) * 2011-03-24 2015-12-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置の製造方法
JP4989773B1 (ja) 2011-05-16 2012-08-01 株式会社東芝 半導体発光素子
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
DE102011106104B4 (de) * 2011-06-09 2014-04-10 Otto Bock Healthcare Products Gmbh Verfahren zum Herstellen bestückter Leiterplatten
US9306117B2 (en) 2011-07-25 2016-04-05 Industrial Technology Research Institute Transfer-bonding method for light emitting devices
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
FR2980919B1 (fr) * 2011-10-04 2014-02-21 Commissariat Energie Atomique Procede de double report de couche
US9620478B2 (en) 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8518204B2 (en) * 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
EP2823515A4 (en) 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS
KR101291092B1 (ko) * 2012-04-06 2013-08-01 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
US9773950B2 (en) 2012-04-06 2017-09-26 Ctlab Co. Ltd. Semiconductor device structure
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US9608016B2 (en) * 2012-05-17 2017-03-28 Koninklijke Philips N.V. Method of separating a wafer of semiconductor devices
US8415771B1 (en) 2012-05-25 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head with silicon electrode
US9034754B2 (en) 2012-05-25 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode
JP2014013818A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Sony Corp デバイスおよび電子装置
US8415767B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
US8569115B1 (en) 2012-07-06 2013-10-29 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
US8383506B1 (en) 2012-07-06 2013-02-26 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US20140048824A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
US9356070B2 (en) 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
WO2014036736A1 (zh) * 2012-09-10 2014-03-13 深圳市柔宇科技有限公司 一种大尺寸显示屏及其制造方法
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8946052B2 (en) * 2012-09-26 2015-02-03 Sandia Corporation Processes for multi-layer devices utilizing layer transfer
DE102012217957B4 (de) * 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
DE102012109460B4 (de) * 2012-10-04 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
JP5602207B2 (ja) * 2012-10-30 2014-10-08 株式会社沖データ 表示装置
JP5988489B2 (ja) * 2012-10-31 2016-09-07 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体素子およびその製造方法
CN103811593B (zh) 2012-11-12 2018-06-19 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9255001B2 (en) 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9391042B2 (en) * 2012-12-14 2016-07-12 Apple Inc. Micro device transfer system with pivot mount
US9314930B2 (en) 2012-12-14 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with integrated pivot mount
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
KR20140089014A (ko) 2012-12-31 2014-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US9054235B2 (en) 2013-01-22 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices
KR102037866B1 (ko) * 2013-02-05 2019-10-29 삼성전자주식회사 전자장치
US9095980B2 (en) 2013-02-25 2015-08-04 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array mount with integrated displacement sensor
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
USD758372S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
USD759022S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
ES2952036T3 (es) 2013-06-12 2023-10-26 Rohinni Inc Teclado de retroiluminación con fuentes generadoras de luz depositadas
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
KR102059133B1 (ko) 2013-07-31 2019-12-24 삼성전자주식회사 GaN 베이스 발광소자와 기계적 후처리를 이용한 그 제조방법
KR101513641B1 (ko) * 2013-08-20 2015-04-22 엘지전자 주식회사 표시장치
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US9698308B2 (en) 2014-06-18 2017-07-04 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
CN117198903A (zh) * 2014-07-20 2023-12-08 艾克斯展示公司技术有限公司 用于微转贴印刷的设备及方法
GB201413578D0 (en) 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
KR20170047324A (ko) 2014-08-26 2017-05-04 엑스-셀레프린트 리미티드 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9537069B1 (en) 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US10418527B2 (en) 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10446728B2 (en) 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
JP2016090810A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 明立技研株式会社 表示装置
US9502615B2 (en) * 2014-11-13 2016-11-22 Epistar Corporation Light-emitting diode device
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
KR101723436B1 (ko) * 2015-01-13 2017-04-05 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
USD780763S1 (en) * 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
KR101614370B1 (ko) 2015-04-07 2016-04-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 이송 헤드, 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface
EP3271951B1 (en) * 2015-05-21 2019-03-20 Goertek Inc. Transferring method, manufacturing method of micro-led
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
DE102015214219A1 (de) 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
KR102393374B1 (ko) 2015-08-31 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법
KR102402999B1 (ko) 2015-08-31 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102467420B1 (ko) 2015-08-31 2022-11-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN105518888B (zh) * 2015-09-09 2018-06-12 歌尔股份有限公司 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置及电子设备
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
FR3044467B1 (fr) * 2015-11-26 2018-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dalle lumineuse et procede de fabrication d'une telle dalle lumineuse
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
CN108770368B (zh) 2016-01-15 2022-04-12 罗茵尼公司 透过设备上的罩盖进行背光照明的设备和方法
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10109753B2 (en) 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
KR102651054B1 (ko) 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
WO2017144573A1 (en) 2016-02-25 2017-08-31 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
KR102455039B1 (ko) * 2016-03-18 2022-10-17 삼성디스플레이 주식회사 신축성 디스플레이 장치
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
KR102631260B1 (ko) 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
JP2019522226A (ja) 2016-04-15 2019-08-08 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ 集積バックライトユニット
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
DE102016108776A1 (de) 2016-05-12 2017-11-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Anordnung und Anzeigegerät
EP3465760A4 (en) * 2016-05-24 2020-04-15 Glo Ab SELECTIVE CHIP REPAIR ON A LIGHT-EMITTING DEVICE ARRANGEMENT
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
KR102617466B1 (ko) * 2016-07-18 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 어레이 디스플레이 장치
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
CN109314126A (zh) * 2016-08-11 2019-02-05 株式会社流明斯 Led模块及其制造方法
CN109643666A (zh) * 2016-08-24 2019-04-16 东丽工程株式会社 安装方法和安装装置
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10217729B2 (en) * 2016-09-30 2019-02-26 Intel Corporation Apparatus for micro pick and bond
KR102651097B1 (ko) * 2016-10-28 2024-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
WO2018091459A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
JP6850112B2 (ja) * 2016-11-28 2021-03-31 株式会社ディスコ Ｌｅｄ組み立て方法
DE102016124646A1 (de) * 2016-12-16 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
CN106783648B (zh) * 2016-12-28 2019-01-25 歌尔股份有限公司 一种led显示屏的制备方法
JP6289718B1 (ja) 2017-01-02 2018-03-07 ルーメンス カンパニー リミテッド Ｌｅｄディスプレイ装置
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US20180240931A1 (en) * 2017-02-23 2018-08-23 Novatek Microelectronics Corp. Micro-device panel and manufacturing process thereof
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
CN106941108B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
KR101902566B1 (ko) * 2017-07-25 2018-09-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102609560B1 (ko) 2017-09-08 2023-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
CN107818931B (zh) * 2017-09-30 2021-10-19 厦门市三安光电科技有限公司 半导体微元件的转移方法及转移装置
TWI650854B (zh) * 2017-10-31 2019-02-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板及其製造方法
TWI637481B (zh) 2017-11-29 2018-10-01 財團法人工業技術研究院 半導體結構、發光裝置及其製造方法
CN108010933A (zh) * 2017-12-01 2018-05-08 广东省半导体产业技术研究院 一种微led发光显示阵列像素单元构造及其制作方法
CN108231968B (zh) * 2017-12-11 2020-02-11 厦门市三安光电科技有限公司 微发光二极管及其转移方法
CN113066812B (zh) * 2017-12-21 2023-05-05 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件
CN109994413A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 南昌欧菲显示科技有限公司 微型元件巨量转移方法
US11557705B2 (en) 2018-01-29 2023-01-17 Lg Electronics Inc. Method for manufacturing display device using semiconductor light-emitting elements and display device
JP6916525B2 (ja) * 2018-02-06 2021-08-11 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄディスプレイの製造方法
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US11189605B2 (en) 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
KR20190112916A (ko) * 2018-03-27 2019-10-08 (주)라이타이저 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR20190114334A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 검사 및 리페어 방법
KR20190114333A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led의 검사방법
KR102481434B1 (ko) * 2018-03-30 2022-12-26 (주)포인트엔지니어링 전사헤드 및 이를 이용한 마이크로 led 흡착방법
US10832933B1 (en) * 2018-04-02 2020-11-10 Facebook Technologies, Llc Dry-etching of carrier substrate for microLED microassembly
KR102078643B1 (ko) * 2018-04-04 2020-04-07 (주)라이타이저 원칩 타입의 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
TWI660524B (zh) * 2018-07-17 2019-05-21 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
KR102136579B1 (ko) 2018-07-27 2020-07-22 서울대학교산학협력단 표시 장치
KR102536844B1 (ko) 2018-10-15 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
FR3087942B1 (fr) * 2018-10-29 2021-09-17 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage electroluminescent multi-couleurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
KR102190706B1 (ko) * 2018-11-29 2020-12-14 주식회사 에이엔케이 복수의 마이크로 led 칩 전이 방법
WO2020116978A1 (ko) 2018-12-06 2020-06-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN111724676B (zh) * 2019-03-21 2022-09-02 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 可拉伸导线及其制作方法和显示装置
JP7420136B2 (ja) * 2019-03-22 2024-01-23 Ａｇｃ株式会社 透明表示装置、透明表示装置付きガラス板、透明表示装置付き合わせガラス、及び移動体
KR20200114272A (ko) * 2019-03-28 2020-10-07 (주)큐엠씨 마이크로 발광다이오드 칩 제거 장치와 방법 및 이를 이용한 마이크로 발광다이오드 모듈 리페어 시스템과 방법
US10903267B2 (en) * 2019-04-04 2021-01-26 Bor-Jen Wu System and method for making micro LED display
JP7333192B2 (ja) * 2019-04-23 2023-08-24 株式会社ディスコ 移設方法
US11246251B2 (en) 2019-05-02 2022-02-08 Seagate Technology Llc Micro-component transfer systems, methods, and devices
US10923378B2 (en) 2019-05-13 2021-02-16 Seagate Technology Llc Micro-component batch transfer systems, methods, and devices
JP7253994B2 (ja) * 2019-07-23 2023-04-07 株式会社ディスコ 光デバイスの移設方法
JP7292138B2 (ja) * 2019-07-23 2023-06-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置のリペアシステム
US11152540B2 (en) 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
US11101417B2 (en) 2019-08-06 2021-08-24 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrically connecting printed components
KR102347148B1 (ko) * 2019-08-12 2022-01-06 엘씨스퀘어(주) 레이저를 이용한 개별 소자들의 전사 방법
JP7200884B2 (ja) * 2019-08-27 2023-01-10 信越化学工業株式会社 微小構造体の実装方法
KR102275366B1 (ko) * 2019-09-26 2021-07-12 주식회사 소프트에피 반도체 발광부를 이송하는 방법
CN112582343B (zh) * 2019-09-29 2022-12-06 成都辰显光电有限公司 一种生长基板及微元件的转移方法
JP2021056383A (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 日東電工株式会社 隙間閉塞方法、隙間閉塞構造体、及び隙間閉塞構造体の製造方法
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
CN112768394B (zh) * 2019-10-21 2022-10-04 成都辰显光电有限公司 发光元件及微发光二极管的转移方法
CN112713167B (zh) * 2019-10-25 2023-05-19 成都辰显光电有限公司 一种显示面板及显示面板的制备方法
CN112736175B (zh) * 2019-10-28 2022-09-06 成都辰显光电有限公司 微led芯片、生长基板、显示面板以及微led芯片的转移方法
CN113035736A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 群创光电股份有限公司 电子装置的制作方法
JP2021118274A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ 移戴基板
JP7477835B2 (ja) * 2020-04-15 2024-05-02 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法
JP7553915B2 (ja) * 2020-04-15 2024-09-19 国立大学法人東海国立大学機構 窒化ガリウム半導体装置の製造方法
KR102506449B1 (ko) * 2020-04-23 2023-03-07 삼성전자주식회사 표시 장치
US11705537B2 (en) 2020-04-23 2023-07-18 Samsung Electronics Co.,. Ltd. Display device and method of manufacturing light emitting device
TWI725834B (zh) * 2020-04-29 2021-04-21 台灣勁合有限公司 發光組件的半成品
US11488518B2 (en) * 2020-10-19 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Pixel group and column token display architectures
US11495172B2 (en) 2020-10-19 2022-11-08 X Display Company Technology Limited Pixel group and column token display architectures
KR102514025B1 (ko) * 2020-11-06 2023-03-24 고려대학교 산학협력단 마이크로 발광소자 구조 및 마이크로 발광소자 전사 방법
US11329208B1 (en) * 2020-12-01 2022-05-10 J C Chen Pixel assembly process
CN116829298A (zh) 2021-01-19 2023-09-29 长濑化成株式会社 半导体转印用助焊剂片
JP2022135625A (ja) * 2021-03-05 2022-09-15 株式会社デンソー 半導体チップ、加工ウェハ、および半導体チップの製造方法
US11430375B1 (en) 2021-03-19 2022-08-30 X Display Company Technology Limited Pulse-density-modulation pixel control circuits and devices including them
US20240162405A1 (en) * 2021-03-26 2024-05-16 Dexerials Corporation Method for manufacturing display device
TWI773279B (zh) * 2021-04-27 2022-08-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
DE102021120689A1 (de) 2021-08-09 2023-02-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Transferverfahren für optoelektronsiche halbleiterbauelemete
WO2023152166A1 (en) * 2022-02-11 2023-08-17 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Microelectronic device transfer and cleaning with uv laser
WO2024009956A1 (ja) * 2022-07-06 2024-01-11 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ実装基板の製造方法、洗浄液及び洗浄方法

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617385A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Tokyo Shibaura Electric Co Production of display device
GB8402654D0 (en) 1984-02-01 1984-03-07 Secr Defence Flatpanel display
US5225697A (en) * 1984-09-27 1993-07-06 Texas Instruments, Incorporated dRAM cell and method
GB2249428A (en) * 1988-08-11 1992-05-06 Plessey Co Plc Connections for led arrays
IT1225690B (it) 1988-09-15 1990-11-22 Ansaldo Spa Reattore nucleare a sicurezza intrinseca del tipo ad acqua in pressione
JP2895566B2 (ja) 1990-04-27 1999-05-24 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5376561A (en) * 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5258320A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for display panels
JPH04247486A (ja) 1991-02-01 1992-09-03 Dainippon Printing Co Ltd 反射型レリーフホログラムの転写箔及びそれを用いた反射型レリーフホログラムの選択的転写方法
JPH06118441A (ja) * 1991-11-05 1994-04-28 Tadanobu Kato 表示セル
JPH05290669A (ja) 1992-01-22 1993-11-05 Fujikura Ltd 照光スイッチ
JPH05315643A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Nkk Corp 発光ダイオードアレー及びその製造方法
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
US5226723A (en) * 1992-05-11 1993-07-13 Chen Der Jong Light emitting diode display
JPH05313210A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Ricoh Co Ltd 薄膜積層デバイス
JPH0697237A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2950106B2 (ja) * 1993-07-14 1999-09-20 松下電器産業株式会社 光素子実装体の製造方法
JPH0741616A (ja) * 1993-07-30 1995-02-10 Showa Denko Kk ポリプロピレン系樹脂組成物
EP0713586B1 (en) 1993-08-13 2001-07-18 PGI Graphics Imaging LLC Ablation transfer onto intermediate receptors
JP3268910B2 (ja) * 1993-10-14 2002-03-25 三洋電機株式会社 発光ダイオード表示器
JPH07122786A (ja) * 1993-10-27 1995-05-12 Victor Co Of Japan Ltd Ｌｅｄアレイ装置
US5977950A (en) * 1993-11-29 1999-11-02 Motorola, Inc. Manually controllable cursor in a virtual image
US5391257A (en) * 1993-12-10 1995-02-21 Rockwell International Corporation Method of transferring a thin film to an alternate substrate
JP3267045B2 (ja) * 1994-03-24 2002-03-18 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄ素子
JP3141236B2 (ja) 1994-10-03 2001-03-05 ソニー株式会社 部品供給方法及びその装置
JP3535602B2 (ja) 1995-03-23 2004-06-07 松下電器産業株式会社 面実装型ｌｅｄ
DE29511817U1 (de) 1995-07-21 1996-11-14 Robert Bosch Gmbh, 70469 Stuttgart Vorrichtung zum Verstellen eines Kraftfahrzeugspiegels
JPH0945964A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Stanley Electric Co Ltd チップマウント用ｌｅｄ素子及びその製造方法
JPH0945984A (ja) 1995-07-27 1997-02-14 Ricoh Co Ltd ２周波レーザ光発振装置
DE19536438A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
JPH09129933A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US5621225A (en) * 1996-01-18 1997-04-15 Motorola Light emitting diode display package
US5940683A (en) * 1996-01-18 1999-08-17 Motorola, Inc. LED display packaging with substrate removal and method of fabrication
DE19603444C2 (de) * 1996-01-31 2003-04-24 Siemens Ag LED-Vorrichtung mit mindestens zwei LEDs
US5739800A (en) * 1996-03-04 1998-04-14 Motorola Integrated electro-optical package with LED display chip and substrate with drivers and central opening
JPH09293904A (ja) 1996-04-26 1997-11-11 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄパッケージ
US6027958A (en) * 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
JPH1070151A (ja) 1996-08-26 1998-03-10 Ricoh Co Ltd 導電粒子の配列方法及びその装置
JP3342322B2 (ja) * 1996-11-27 2002-11-05 シャープ株式会社 Ｌｅｄ素子表示装置の製造方法
JPH10173305A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Fujikura Ltd 自動車用部品実装プリント配線板
US6087680A (en) 1997-01-31 2000-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Led device
JP3572924B2 (ja) * 1997-03-06 2004-10-06 松下電器産業株式会社 発光装置及びそれを用いた記録装置
JP3894613B2 (ja) 1997-03-14 2007-03-22 株式会社フジクラ フレキシブルプリント配線板
JPH111027A (ja) 1997-04-14 1999-01-06 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄアレイおよびプリントヘッドならびに電子写真プリンタ
TW427039B (en) * 1997-06-16 2001-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method for semiconductor, manufacturing method for semiconductor device, manufacturing method for semiconductor substrate
JPH118338A (ja) * 1997-06-17 1999-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法
TW393785B (en) * 1997-09-19 2000-06-11 Siemens Ag Method to produce many semiconductor-bodies
JP3767877B2 (ja) * 1997-09-29 2006-04-19 三菱化学株式会社 アクティブマトリックス発光ダイオード画素構造およびその方法
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JPH11126037A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Futaba Corp 半導体表示装置及びその製造方法
EP0913429B1 (en) * 1997-10-29 2005-12-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Siloxane-modified polyamideimide resin composition adhesive film, adhesive sheet and semiconductor device
JP3406207B2 (ja) * 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
JP4083866B2 (ja) * 1998-04-28 2008-04-30 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
JPH11330544A (ja) * 1998-05-11 1999-11-30 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
FR2781925B1 (fr) * 1998-07-30 2001-11-23 Commissariat Energie Atomique Transfert selectif d'elements d'un support vers un autre support
DE19840210A1 (de) * 1998-09-03 2000-03-09 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Handhabung einer Mehrzahl von Schaltungschips
JP2959566B1 (ja) * 1998-09-08 1999-10-06 日本電気株式会社 フラットパネルディスプレイ
US6113685A (en) * 1998-09-14 2000-09-05 Hewlett-Packard Company Method for relieving stress in GaN devices
JP3525061B2 (ja) * 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
SG119173A1 (en) * 1999-07-08 2006-02-28 Nichia Corp Image display apparatus and its method of operation
US6283693B1 (en) * 1999-11-12 2001-09-04 General Semiconductor, Inc. Method and apparatus for semiconductor chip handling
JP3456462B2 (ja) * 2000-02-28 2003-10-14 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6277711B1 (en) * 2001-01-08 2001-08-21 Jiahn-Chang Wu Semiconductor matrix formation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI481099B (zh) * 2012-06-06 2015-04-11 Nihon Micronics Kk 固體型二次電池之電極構造
TWI679762B (zh) * 2018-03-06 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

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