JP7200884B2 - 微小構造体の実装方法 - Google Patents

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Description

本発明は、マイクロ発光ダイオード（以下、「マイクロＬＥＤ」ともいう。）等の微小構造体の移載方法および微小構造体の実装方法に関する。
近年、スマートフォン、液晶ディスプレー、車載部品等に代表されるようなエレクトロニクス機器には、高性能化のみならず、省スペース化、省エネルギー化も同時に求められている。そのような社会的要請に応じて搭載される電気電子部品も益々小型化・微細化しており、その組立工程も年々複雑化し、困難になっている。
このような微細化した素子の組み立て工程の複雑化に伴って、従来では各工程に適した粘着シートを工程ごとに張替えることが行われていたが、作業性が悪く、製造コストが高くなるという問題があった。これを解決するべく、特許文献１では、凹凸追従性、耐熱性、耐薬品性全てにおいて優れ、半導体ウエハ加工時の複数の工程において使用可能な粘着シートが提案されている。
また、特許文献２では、サファイア基板において成長したＧａＮエピタキシャルウェハをエポキシ系瞬間接着剤により仮基板に接着させ、その後、レーザーリフトオフ法によりＧａＮ層を剥離させ、仮基板に接着されたＧａＮエピタキシャルウェハと、熱伝導・電気伝導層とをボンディングし、高温で加熱することにより仮基板が脱落する方法が提案されている。この方法を用いれば、サファイア基板からＧａＮエピタキシャルウェハを剥離し、これが熱伝導、電気伝導に優れた基板に移送されたデバイスを得ることができる。
特開２０１５－５９１７９号公報 特表２０１５－５１８２６５号公報
しかし、特許文献１における粘着シートの粘着剤層は、紫外線硬化型粘着剤を含むものであり、接着および剥離に紫外線照射が必要なため工程が煩雑である。また、粘着剤の硬化条件および粘着強度は光強度に依存するためその調整が必要となり、その調整のいかんによっては、いわゆる粘着剤残りや脱落による歩留まり低下等の問題が起こり得る。
また、特許文献２では、仮基板に接着されたＧａＮエピタキシャルウェハと、熱伝導・電気伝導層とを高温でボンディングする過程において、エポキシ系瞬間接着剤が炭化されて仮基板が脱落するため、目的とするデバイスや材料がエポキシ系瞬間接着剤を炭化させることのできる温度まで耐熱性がないと使えない。また、高温状態によりウエハに反りが生じたり、剥離の際の接着剤残りやその洗浄が必要になる等、課題が多い。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、マイクロＬＥＤ等の微小構造体の移載において、一枚のドナー基板に微小構造体を仮固定した状態で複数の工程に供することができるため、各工程に適した新たな仮固定材が必要なく、しかもこの仮固定材による仮固定工程およびその除去工程が不要なため、工程数の増加なしに微小構造体の移載を精度よく、効率的に行うことができる微小構造体の移載方法および微小構造体の実装方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、工程数の増加なしにマイクロＬＥＤ等の微小構造体の移載を精度よく、効率的に行うことができる微小構造体の移載方法および微小構造体の実装方法を見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
１． （ｉ）供給基板の一方の面に形成された複数の微小構造体と、ドナー基板上に形成されたシリコーン系ゴム層とを貼り合わせる工程、
（ii）前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を分離して、前記シリコーン系ゴム層を介して前記ドナー基板へ移送することにより、複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る工程、
（iii）前記複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を洗浄または中和する工程、
（iv）前記洗浄または中和後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を乾燥する工程、
（ｖ）前記乾燥後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を次の工程に供するべく移載する工程
を少なくとも含む微小構造体の移載方法、
２． 前記ドナー基板の基板が、合成石英ガラス基板である１に記載の微小構造体の移載方法、
３． 前記合成石英ガラス基板が、６．０１ｍｍ×６．０１ｍｍの領域について、白色干渉計によりピクセル数１２４０×１２４０で測定して得られる空間周波数１ｍｍ-1以上におけるパワースペクトル密度が、１０12ｎｍ4以下である合成石英ガラス基板である２に記載の微小構造体の移載方法、
４． 前記（ｉ）における貼り合わせる工程が、０．０１～５ｋＰａの荷重をかけて行う工程である１～３のいずれかに記載の微小構造体の移載方法、
５． 前記（ii）の工程が、前記供給基板の一方の面に形成された複数の微小構造体と、ドナー基板上のシリコーン系ゴム層とを貼り合わせた状態で、前記供給基板における前記複数の微小構造体が形成された面と反対側の面からパルス発振によるレーザ光を照射して、前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を剥離して、前記ドナー基板へ移送することにより複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る工程である１～４のいずれかに記載の微小構造体の移載方法、
６． 前記パルス発振によるレーザ光が、ＫｒＦエキシマレーザーである５に記載の微小構造体の移載方法、
７． 前記供給基板が、サファイア基板である５または６に記載の微小構造体の移載方法、
８． 前記（ii）の工程後に行われる（iii）における洗浄する工程が、酸により洗浄する工程である５～７のいずれかに記載の微小構造体の移載方法、
９． 前記酸が、塩酸、硝酸、硫酸からなる群から選ばれる酸である８記載の微小構造体の移載方法、
１０． 前記（ii）の工程が、前記供給基板をエッチングにより前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を分離して、前記ドナー基板のシリコーン系ゴム層へ移送することにより複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る工程である１～４のいずれかに記載の微小構造体の移載方法、
１１． 前記エッチングが、ウェットエッチングである１０に記載の微小構造体の移載方法、
１２． 前記供給基板が、ヒ化ガリウム基板である１０または１１に記載の微小構造体の移載方法、
１３． （vi）基板上に紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物からなる粘着層を備えた微小構造体転写用スタンプを用いて、５～９のいずれかに記載の微小構造体の移載方法により移載された複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板から、任意の微小構造体を選択的にピックアップする工程、
（vii）前記微小構造体転写用スタンプによりピックアップされた微小構造体を回路基板上の所用の箇所へ移載し、前記微小構造体と回路基板を接合する工程、
（viii）前記微小構造体転写用スタンプから前記ピックアップされた微小構造体を分離して、前記回路基板へ実装する工程
を少なくとも含む微小構造体の実装方法、
１４． 前記（vi）の工程において、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力が、前記ドナー基板のシリコーン系ゴム層の粘着力より強い１３に記載の微小構造体の実装方法、
１５． 前記（vi）の工程における紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物が、
（Ａ）下記一般式（１）
Figure 0007200884000001
 （式中、Ｒ1は、互いに独立して炭素原子数１～２０の一価炭化水素基を表し、Ｒ2は、酸素原子または炭素原子数１～２０のアルキレン基を表し、Ｒ3は、互いに独立して、アクリロイルオキシアルキル基、メタクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルオキシアルキルオキシ基、またはメタクリロイルオキシアルキルオキシ基を表し、ｐは、０≦ｐ≦１０を満たす数を表し、ａは、１≦ａ≦３を満たす数を表す。）
で示される基を１分子中に２個有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）シロキサン構造を含まない単官能（メタ）アクリレート化合物：１～２００質量部、
（Ｃ）（ａ）下記一般式（２）
Figure 0007200884000002
 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、ａおよびｐは、前記と同じ意味を表す。）
で示される単位、（ｂ）Ｒ4 3ＳｉＯ1/2単位（式中、Ｒ4は、炭素原子数１～１０の一価炭化水素基を表す。）および（ｃ）ＳｉＯ4/2単位からなり、（ａ）単位および（ｂ）単位の合計と（ｃ）単位とのモル比が０．４～１．２：１の範囲にあるオルガノポリシロキサンレジン：１～１，０００質量部、および
（Ｄ）光重合開始剤：０．０１～２０質量部
を含有し、非架橋性のオルガノポリシロキサンレジンを含まない紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物である１３または１４に記載の微小構造体の実装方法、
１６． 前記（vii）の工程において、回路基板の引張強度が、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力より強い１３～１５のいずれかに記載の微小構造体の実装方法
を提供する。
本発明の微小構造体の移載方法によれば、一枚のドナー基板に微小構造体を仮固定した状態で複数の工程に供することができるため、各工程に適した新たな仮固定材や基板が必要なく、しかもこの仮固定材による仮固定工程およびその除去工程が不要なため、工程数の増加なしに効率的に微小構造体の移載が可能となる。また、微小構造体とドナー基板の貼り合わせにおいては、シリコーン系ゴム層を用いているため、瞬時に粘着可能であり、かつ剥離の際にいわゆる接着剤残りのない剥離が可能であるため、精度よく微小構造体を移載することが可能である。これにより、精度よく、効率的に微小構造体の実装を行うことができる。
（Ａ）本発明の微小構造体の移載方法の一例において、供給基板に微小構造体が形成された状態を示す説明図、（Ｂ）供給基板に形成された微小構造体とドナー基板に形成されたシリコーン系ゴム層とを貼り合わせた状態を示す説明図である。 （Ａ）本発明の微小構造体の移載方法の一例において、供給基板に形成された微小構造体とドナー基板に形成されたシリコーン系ゴム層とを貼り合わせた状態において、供給基板側からレーザ光を照射して微小構造体をドナー基板のシリコーンゴム層に分離移送させる状態を示す説明図、（Ｂ）微小構造体がドナー基板に分離移送した状態を示す説明図である。 窒化ガリウム微小構造体にレーザ光照射した場合に、窒化ガリウムを溶かして分離した金属ガリウムが微小構造体に付着した状態を示す説明図である。 （Ａ）微小構造体の実装方法の一例において、微小構造体転写用スタンプの概要を示す説明図、（Ｂ）ドナー基板に仮固定された微小構造体を微小構造体転写用スタンプに貼り合わせた状態の説明図、（Ｃ）微小構造体を微小構造体転写用スタンプにピックアップした状態を示す説明図である。 （Ａ）微小構造体の実装方法の一例において、微小構造体をピックアップして回路基板に供給する状態を示す説明図、（Ｂ）ピックアップ後の微小構造体転写用スタンプを回路基板から離間させた状態の説明図である。
以下、本発明の微小構造体の移載方法について、図面を参照して工程別に具体的に説明する。
（ｉ）供給基板の一方の面に形成された複数の微小構造体と、シリコーン系ゴム層を基板上に備えたドナー基板とを貼り合わせる工程
供給基板１には、一方の面に複数の微小構造体２が形成されている（図１（Ａ））。
ここで、供給基板に用いられる基板としては、例えば、サファイア基板、ＧａＡｓ基板（ヒ化ガリウム基板）、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板等が挙げられ、口径は任意である。
また、微小構造体としては、マイクロ発光ダイオード等の発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」ともいう。）、パワー半導体のようなディスクリート半導体、ロジックＩＣ、メモリーＩＣ等が挙げられる。
微小構造体としては、供給基板上にエピタキシャル成長、イオン注入、ウェットエッチング、ドライエッチング、蒸着、電極形成等の通常の半導体前工程において行われるプロセスにより、デバイスとしての基本構造を備えた後に、素子を分離する深さまでのブレードダイシング、ドライエッチング、レーザーダイシング等の常法により分離されて得られる素子等が挙げられる。
例えば、微小構造体がＬＥＤの場合、４インチサファイア基板上に、バッファ層を備え、３μｍのＮ型ＧａＮ層を形成し、その後に公知の発光層構造を備え、Ｐ型ＧａＮを積んだトータルエピ厚４μｍのＬＥＤエピ基板を準備する。その後、ドライエッチングにより局所的にＮ層を露出させた後、公知のプロセスにより、Ｐ層の上にＰ型電極を形成し、露出させたＮ層が接触する形でＮ型電極を形成する。その後、所定の大きさのＬＥＤ素子を分離するため、少なくともサファイア基板に到達し、素子が完全に分離される状態になるようにレーザーダイシングを行い、微小構造体が得られる。
また、微小構造体の大きさは任意であるが、例えばパワーＬＥＤの場合、１ｍｍ角程度の大きさである。この他にも、ＬＥＤ素子の場合は３００μｍ角程度であり、ミニＬＥＤの場合は１００μｍ角程度であり、マイクロＬＥＤの場合は６０μm角以下程度であり、極小サイズのマイクロＬＥＤの場合は３０μｍ角以下である。
なお、上記に記載した微小構造体の形状は概ね正方形の例であるが、本発明ではこれに限られない。例えば、マイクロＬＥＤの場合、一方の辺が３０～６０μｍ、他方の辺が１０～３０μｍという長方形の形状でも構わない。
また、微小構造体の厚さは、供給基板上へのエピタキシャル成長厚さによるものであり、特に制限されないが、好ましくは３～１０μｍ程度である。
一方、ドナー基板１１は、図１（Ｂ）に示すように、基板１２上にシリコーン系ゴム層１３を備えている。
ここで、ドナー基板に用いられる基板としては、例えば、合成石英ガラス基板、フロートガラス等が挙げられ、特に平坦性の観点から、合成石英ガラス基板が好ましい。
また、ドナー基板に用いられる基板の大きさは、用いる供給基板の口径と同じか、それよりも大きいものが好ましい。具体的には、供給基板として外径が４インチのサファイア基板を用いる場合には、外径が４～８インチのドナー基板を用いることができる。
複数の微小構造体の一部または全部が供給基板からドナー基板へ確実に移送されるためには、供給基板の一方の面に形成された複数の微小構造体と、シリコーン系ゴム層を基板上に備えたドナー基板との貼り合わせにおいて、個々の微小構造体がドナー基板のシリコーン系ゴム層に一時的に一様に仮固定された状態が好ましい。
このように微小構造体を精度よく仮固定させるため、ドナー基板用の基板は、６．０１ｍｍ×６．０１ｍｍの領域について、白色干渉計によりピクセル数１２４０×１２４０で測定して得られる空間周波数１ｍｍ-1以上におけるパワースペクトル密度が、１０12ｎｍ4以下であることが好ましく、特に微小構造体がマイクロＬＥＤの場合には微小構造体間の距離を考慮すると、６．０１ｍｍ×６．０１ｍｍの領域について、白色干渉計によりピクセル数１２４０×１２４０で測定して得られる空間周波数１０ｍｍ-1以上５０ｍｍ-1以下におけるパワースペクトル密度が、１０9ｎｍ4以下であることが好ましい。
また、ドナー基板は、微小構造体を精度よく仮固定させるため、ドナー基板用の基板は、厚みばらつきが小さいものが好ましい。例えば、溝尻光学工業所社の波長変換フィゾー式フラットネステスターにより測定した厚みばらつき（ＴＴＶ）が、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．５μｍ以下である。
シリコーン系ゴム層を形成するシリコーン系ゴムは、瞬時に粘着可能であり、かついわゆる接着剤残りのない剥離が可能なものが好ましく、例えば、信越化学工業（株）製のＳＩＭシリーズ、特に硬化時間の観点から、ＳＩＭ－３６０や、ＳＴＰシリーズ等のシリコーン系ゴム組成物が挙げられる。
シリコーン系ゴム層は、例えば、前記シリコーン系ゴム組成物をスピンコーティングにより、好ましくは１～２００μｍ、より好ましくは５～１００μｍ、さらに好ましくは１０～５０μｍの厚みになるようにコーティングし、好ましくは２０～２００℃にて、５～９０分間加熱炉に入れて硬化することにより形成される。
特にＬＥＤは単結晶材料から構成されており、小さく薄くなると割れ、欠けが生じやすいものである。このため、硬化型接着剤等で接着すると、材料からの応力により割れ、欠けが生じる場合がある。これに対して、本発明のようなゴム層の場合、ゴム層の表面タックにより貼り合わせるため、応力がかからず歩留まりが向上する。
供給基板の一方の面に形成された複数の微小構造体と、ドナー基板のシリコーン系ゴム層との貼り合わせは、複数の微小構造体がシリコーン系ゴム層に移送できれば特に制限されないが、例えば、好ましくは０．０５～１．０ＭＰａ、より好ましくは０．１０～０．５ＭＰａの荷重をかけて貼り合わせを行うことが好ましい。
（ii）前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を分離して、前記シリコーン系ゴム層を介して前記ドナー基板へ移送することにより、複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る工程
前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を分離して、前記シリコーン系ゴム層を介して前記ドナー基板へ移送することにより、複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る方法としては、レーザリフトオフ（ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ ｏｆｆ）法とエッチング法の大きく２つの方法がある。
レーザリフトオフ法による場合には、図２（Ａ）に示すように、前記供給基板１の一方の面に形成された複数の微小構造体２と、ドナー基板１１のシリコーン系ゴム層１３とを貼り合わせた状態で、前記供給基板１における前記複数の微小構造体２が形成された面と反対側の面からパルス発振によるレーザ光２０を照射して、前記供給基板１から複数の微小構造体２がシリコーン系ゴム層１３に仮固定されたドナー基板を得る（図２（Ｂ））。
例えば、サファイヤ基板等の供給基板に固定されている窒化ガリウム微小構造体の場合、エキシマレーザーやＹＡＧレーザー等のレーザ光の照射により照射部分の窒化ガリウムが溶解し、窒化ガリウム微小構造体が供給基板から剥離する。この場合、特にマイクロＬＥＤにおいては、微小構造体の信頼性の観点から、ＫｒＦエキシマレーザー光が好ましい。
具体的には、レーザ光を選択的に照射して、選択対象となる微小構造体と供給基板の界面にレーザーアブレーションを生じさせる。これにより、選択対象となる微小構造体と供給基板の間では、例えば窒化ガリウム微小構造体の場合、窒化ガリウムが金属ガリウムと窒素に分解してガスが発生し、微小構造体が比較的簡単に剥離できる。
一方、エッチング法による場合には、前記供給基板をエッチングにより前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を分離して、前記ドナー基板へ移送することにより複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る。例えば、ヒ化ガリウムにより供給基板に固定されている微小構造体の場合、供給基板をアンモニアおよび過酸化水素水の混合液を用いてウェットエッチングすることにより、微小構造体が供給基板から剥離する。
（iii）前記複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を洗浄または中和する工程
前記複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を洗浄または中和する工程は、前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を分離した方法に応じて、洗浄または中和する工程が異なる。
具体的には、レーザリフトオフ法による場合には、酸により洗浄を行い、例えば、窒化ガリウム微小構造体の場合、微小構造体の裏に付着した金属ガリウム２ａを洗浄する（図３）。
ここで、洗浄に用いる酸は、微小構造体の裏に付着した金属を洗浄することができるものであれば特に制限されないが、塩酸、硝酸、硫酸からなる群から選ばれる強酸が好ましい。
一方、エッチング法による場合には、例えば、ＧａＡｓ基板をアンモニア水と過酸化水素水の混合溶液（ＡＰＭ）によりエッチングする場合には、純水により洗浄を行う。
なお、用いるエッチャントの種類により、洗浄工程前に中和工程を設けることが好ましい。例えば、アルカリ性のエッチャントを用いた場合には酸性の溶液による中和工程、酸性のエッチャントを用いた場合にはアルカリ性の溶液による中和工程を入れることが望ましい。具体的には、Ｓｉ基板についてエッチャントとしてフッ酸と硝酸を用いた場合には、アンモニア水で中和することが好ましい。そして、中和工程終了後には、純水洗浄を行うことが好ましい。
また、上記以外の方法として、供給基板を機械的な方法で除去することもできる。例えば、供給基板と微小構造体の間に刃を入れ機械的に剥離する方法や、供給基板側から研削により供給基板を削り取る方法を用いても構わない。
本発明においては、いずれの分離方法でも、洗浄または中和する工程中、微小構造体は分離せずにドナー基板に仮固定されていることから、別な基板等に置き換える手間を省けることができる。しかも、置換えに伴う微小構造体の脱落はなく、高さのばらつきが、好ましくは１０μｍ以内、より好ましくは５μｍ以内、さらに好ましくは２μｍ以内におさまるようにすることができる。
（iv）前記洗浄後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を乾燥する工程
洗浄工程後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板は、別な基板等に置き換えることなく仮固定されたそのまま常法により乾燥される。具体的には、６０～１００℃の乾燥空気中にて、１０～６０分間乾燥する。
（ｖ）前記乾燥後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を次の工程に供するべく移載する工程
前記乾燥後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板は、仮固定されたままさらに次の工程に供するべく移載される。
次に、微小構造体の実装方法について、工程別に具体的に説明する。
（vi）スタンプ基板上に紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物を備えた微小構造体転写用スタンプを用いて、上記移載方法により移載された複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板から、任意の微小構造体を選択的にピックアップする工程
微小構造体転写用スタンプ３０は、図４（Ａ）に示すように、スタンプ基板３１上に粘着層３２として紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物を備えている。
ここで、微小構造体転写用スタンプに用いられるスタンプ基板としては、例えば、プラスチックフィルム、フロートガラス、合成石英ガラス、アルミニウム、銅、ステンレス等の金属等が挙げられる。厚みや種類等についても特に制限はなく、化学強化処理等をしたものでもよい。
特に所定間隔に離れた複数の微小構造体を同時にピックアップするマイクロＬＥＤに用いる場合、基板表面の形状が重要になるため、合成石英ガラス基板が好ましい。この場合、合成石英ガラス基板のパワースペクトル密度および厚みばらつきは、前記ドナー基板として用いられる合成ガラス基板と同様のものが好ましい。
なお、スタンプ基板と紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の密着性を向上させるために、スタンプ基板に予めプライマー処理、プラズマ処理等を施したものを用いてもよい。微小構造体のピックアップ時の位置ずれを抑制し、ピックアップ精度を高めるためには、平坦度の高い合成石英ガラス基板を使用することが好ましい。
紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で示される基を１分子中に２個有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、（Ｂ）シロキサン構造を含まない単官能（メタ）アクリレート化合物：１～２００質量部、（Ｃ）（ａ）下記一般式（２）で示される単位、（ｂ）Ｒ4 3ＳｉＯ1/2単位（式中、Ｒ4は、炭素原子数１～１０の一価炭化水素基を表す。）および（ｃ）ＳｉＯ4/2単位からなり、（ａ）単位および（ｂ）単位の合計に対する（ｃ）単位のモル比が０．４～１．２：１の範囲にあるオルガノポリシロキサンレジン：１～１，０００質量部、および（Ｄ）光重合開始剤：０．０１～２０質量部を含有し、非架橋性のオルガノポリシロキサンレジンを含まないものを用いることができる。
この紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の上記成分を詳述すると、以下のとおりである。
（Ａ）オルガノポリシロキサン
（Ａ）成分は、本組成物の架橋成分であり、下記一般式（１）で示される基を１分子中に２個有し、主鎖が実質的にジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなるオルガノポリシロキサンである。
Figure 0007200884000003
式（１）において、Ｒ1は、互いに独立して炭素原子数１～２０の一価炭化水素基、好ましくは脂肪族不飽和基を除く、炭素原子数１～１０、より好ましくは１～８の一価炭化水素基を表し、Ｒ2は、酸素原子または炭素原子数１～２０、好ましくは１～１０、より好ましくは１～５のアルキレン基を表し、Ｒ3は、互いに独立して、アクリロイルオキシアルキル基、メタクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルオキシアルキルオキシ基、またはメタクリロイルオキシアルキルオキシ基を表し、ｐは、０≦ｐ≦１０を満たす数を表し、ａは、１≦ａ≦３を満たす数を表す。
式（１）において、Ｒ1の炭素原子数１～２０の一価炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ｎ－ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、ｎ－デシル基等のアルキル基；ビニル、アリル（２－プロペニル）、１－プロペニル、イソプロペニル、ブテニル基等のアルケニル基；フェニル、トリル、キシリル、ナフチル基等のアリール基；ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピル基等のアラルキル基等が挙げられる。
また、これら一価炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部は、その他の置換基で置換されていてもよく、その具体例としては、クロロメチル、ブロモエチル、トリフルオロプロピル等のハロゲン置換炭化水素基や、シアノエチル基等のシアノ置換炭化水素基等が挙げられる。
これらの中でも、Ｒ1としては、炭素原子数１～５のアルキル基、フェニル基が好ましく、メチル基、エチル基、フェニル基がより好ましい。
また、Ｒ2の炭素原子数１～２０のアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、イソブチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、シクロヘキシレン、ヘプタメチレン、オクタメチレン、ノナメチレン、デシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、Ｒ2としては、酸素原子、メチレン、エチレン、トリメチレン基が好ましく、酸素原子またはエチレン基がより好ましい。
さらに、Ｒ3のアクリロイルオキシアルキル基、メタクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルオキシアルキルオキシ基、またはメタクリロイルオキシアルキルオキシ基におけるアルキル（アルキレン）基の炭素数としては、特に限定されるものではないが、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。これらアルキル基の具体例としては、上記Ｒ1で例示した基のうち、炭素原子数１～１０のものが挙げられる。
Ｒ3の具体例としては、下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure 0007200884000004
 （式中、ｂは、１≦ｂ≦４を満たす数を表し、Ｒ5は、炭素原子数１～１０のアルキレン基を表す。）
上記ｐは、０≦ｐ≦１０を満たす数を表すが、０または１が好ましく、ａは、１≦ａ≦３を満たす数を表すが、１または２が好ましい。
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン分子中における上記一般式（１）で示される基の結合位置は、分子鎖末端であっても、分子鎖非末端（すなわち、分子鎖途中または分子鎖側鎖）であっても、あるいはこれらの両方であってもよいが、柔軟性の面では末端のみに存在することが望ましい。
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン分子中において、上記一般式（１）で示される基以外のケイ素原子に結合した有機基は、例えば、上記Ｒ1と同様の基が挙げられ、特に、脂肪族不飽和基を除く炭素数１～１２、好ましくは１～１０の一価炭化水素基が好ましい。
これらの具体例としては、上記Ｒ1で例示した基と同様のものが挙げられるが、合成の簡便さから、アルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基が好ましく、メチル基、フェニル基、トリフルオロプロピル基がより好ましい。
また、（Ａ）成分の分子構造は、基本的に、主鎖がジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる直鎖状または分岐鎖状（主鎖の一部に分岐を有する直鎖状を含む。）であり、特に、分子鎖両末端が上記一般式（１）で示される基で封鎖された直鎖状のジオルガノポリシロキサンが好ましい。
（Ａ）成分は、これらの分子構造を有する単一の重合体、これらの分子構造からなる共重合体、またはこれらの重合体の２種以上の混合物であってもよい。
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの２５℃における粘度は、組成物の作業性や硬化物の力学特性をより向上させることを考慮すると、１０～１００，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１０～５０，０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。この粘度範囲は、通常、直鎖状オルガノポリシロキサンの場合、数平均重合度で、約１０～２，０００、好ましくは約５０～１，１００程度に相当するものである。なお、本発明において、粘度は回転粘度計（例えば、ＢＬ型、ＢＨ型、ＢＳ型、コーンプレート型、レオメーター等）により測定できる（以下、同様である。）。
本発明において、重合度（または分子量）は、例えば、トルエン等を展開溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）分析におけるポリスチレン換算の数平均重合度（または数平均分子量）として求めることができる（以下、同様である。）。
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの具体例としては、下記（３）～（５）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure 0007200884000005
 （式中、Ｒ1、Ｒ5、およびｂは、上記と同じ意味を表し、Ｍｅはメチル基を表し、ｎは、上記オルガノポリシロキサンの粘度を上記値とする数であるが、１～８００が好ましく、５０～６００がより好ましい。）
このようなオルガノポリシロキサンは、公知の方法で製造することができる。例えば、上記式（３）で表されるポリシロキサンは、両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体とクロロジメチルシランとのヒドロシリル化反応物に、２－ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて得ることができる。
上記式（４）で表されるオルガノポリシロキサンは、両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体と３－（１，１，３，３－テトラメチルジシロキサニル）プロピルメタクリレート（ＣＡＳ Ｎｏ．９６４７４－１２－３）とのヒドロシリル化反応物として得られる。
上記式（５）で表されるオルガノポリシロキサンは、両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体とジクロロメチルシランとのヒドロシリル化反応物に、２－ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて得ることができる。
（Ｂ）シロキサン構造を含まない単官能（メタ）アクリレート化合物
シロキサン構造を含まない単官能（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）の具体例としては、イソアミルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、エトキシ－ジエチレングリコールアクリレート、メトキシ－トリエチレングリコールアクリレート、２－エチルヘキシル－ジグリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレート等が挙げられ、これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
これらの中でも、特にイソボルニルアクリレートが好ましい。
上記（Ｂ）成分の単官能（メタ）アクリレート化合物の添加量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１～２００質量部の範囲である。（Ｂ）成分の添加量が（Ａ）成分１００質量部に対して１質量部未満であると、組成物の硬化性、硬化物の強度や粘着性が不足する。一方、（Ｂ）成分の添加量を増やすことにより組成物全体の粘度を調整することができるが、添加量が（Ａ）成分１００質量部に対して２００質量部を超えると、所望の粘着性が得られなくなる。
特に、（Ｂ）成分の添加量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、５～１００質量部が好ましい。
（Ｃ）オルガノポリシロキサンレジン
（Ｃ）成分は、本組成物の架橋成分の一つであり、（ａ）下記一般式（２）で示される単位（ＭA単位）、（ｂ）Ｒ4 3ＳｉＯ1/2単位（Ｍ単位）および（ｃ）ＳｉＯ4/2単位（Ｑ単位）からなる（メタ）アクリロイルオキシ含有基を有するオルガノポリシロキサンレジンである。なお、Ｒ4は炭素原子数１～１０の一価炭化水素基を表す。
Figure 0007200884000006
 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、ａおよびｐは、上記と同じ意味を表す。）
Ｒ4の炭素原子数１～１０の一価炭化水素基の具体例としては、上記Ｒ1で例示した基のうち、炭素原子数１～１０のものが挙げられるが、中でもメチル、エチル、ｎ－プロピル、ｎ－ブチル基等の炭素原子数１～５のアルキル基；フェニル、トリル基等の炭素原子数６～１０のアリール基が好ましく、メチル基、エチル基、フェニル基がより好ましい。
なお、上記Ｒ4の一価炭化水素基も、Ｒ1と同様に、炭素原子に結合した水素原子の一部または全部が、上述したその他の置換基で置換されていてもよい。
（Ｃ）成分では、（ａ）上記一般式（２）で示される単位（ＭA単位）、（ｂ）Ｒ4 3ＳｉＯ1/2単位（Ｍ単位）および（ｃ）ＳｉＯ4/2単位（Ｑ単位）のモル比が、ＭA単位＋Ｍ単位：Ｑ単位＝０．４～１．２：１であるが、ＭA単位＋Ｍ単位のモル比が０．４未満になると、組成物の粘度が非常に高くなり、１．２を超えると硬化物の力学的特性が低下することがある。
組成物の粘度および硬化物の力学的特性をより適切な範囲とすることを考慮すると、ＭA単位＋Ｍ単位とＱ単位のモル比は、ＭA単位＋Ｍ単位：Ｑ単位＝０．６～１．２：１が好ましい。
また、ＭA単位とＭ単位のモル比により、硬化物のゴム物性を調節できる。硬化物の強度の観点から、ＭA単位：Ｍ単位＝０．０１～１：１が好ましく、ＭA単位：Ｍ単位＝０．０５～０．５：１がより好ましい。
（Ｃ）成分のオルガノポリシロキサンレジンの添加量は、上記（Ａ）１００質量部に対して、１～１，０００質量部の範囲であるが、好ましくは５～５００質量部であり、より好ましくは１０～２００質量部である。１質量部未満であると硬化物のゴム強度が低くなり、１，０００質量部を超えると粘着力が低下する。
（Ｄ）光重合開始剤
使用可能な光重合開始剤の具体例としては、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ６５１）、１－ヒドロキシ－シクロヘキシル－フェニル－ケトン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８４）、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ １１７３）、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ １２７）、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＭＢＦ）、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ９０７）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－１－ブタノン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ３６９）、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ８１９）、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＴＰＯ）等が挙げられ、これらは単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、（Ａ）成分との相溶性の観点から、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ １１７３）、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ８１９）、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＴＰＯ）が好ましい。
光重合開始剤の添加量は、（Ａ）１００質量部に対して、０．０１～２０質量部の範囲である。０．０１質量部未満であると硬化性が不足し、２０質量部を超えると深部硬化性が悪化する。
（Ｅ）微粉末シリカ
（Ｅ）成分の微粉末シリカは、主に組成物の粘度を調整する任意成分であり、ヒュームドシリカ（乾式シリカ）や沈殿シリカ（湿式シリカ）が挙げられるが、ヒュームドシリカ（乾式シリカ）が好ましい。また、（Ｅ）成分を配合することにより、硬化物の硬度をさらに高め、微小構造体や部品等を移送する際の位置ずれを抑制する効果もある。
（Ｅ）成分の比表面積は、特に限定されるものではないが、５０～４００ｍ2／ｇが好ましく、１００～３５０ｍ2／ｇがより好ましい。比表面積が５０ｍ2／ｇ未満であると、組成物のチクソ性が不十分となる場合があり、また４００ｍ2／ｇを超えると、組成物の粘度が過剰に高くなり、作業性が悪くなる場合がある。なお、比表面積は、ＢＥＴ法による測定値である。
この（Ｅ）成分の微粉末シリカは、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これら微粉末シリカは、そのまま用いても構わないが、表面疎水化処理剤で処理したものを用いてもよい。
この場合、予め表面処理剤で処理した微粉末シリカを用いても、微粉末シリカの混練時に表面処理剤を添加し、混練と表面処理を同時に行ってもよい。
これら表面処理剤は、アルキルアルコキシシラン、アルキルクロロシラン、アルキルシラザン、シランカップリング剤等が挙げられ、これらは、１種単独で用いても、２種以上を同時に、または異なるタイミングで用いてもよい。
紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物において、（Ｅ）成分を用いる場合、その添加量は、上記（Ａ）成分１００質量部に対して１～２００質量部の範囲が好ましく、５～１５０質量部がより好ましく、１０～１００質量部がより一層好ましい。
（Ｆ）帯電防止剤
（Ｆ）成分の帯電防止剤は、表面抵抗率を低下させ、材料に帯電防止性を付与する役割を有する任意成分である。帯電防止剤としては、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の塩、またはイオン液体が挙げられる。ここで、イオン液体とは、室温（２５℃）で液体である溶融塩であり、常温溶融塩とも呼ばれるものであり、特に融点が５０℃以下のものをいう。好ましくは－１００～３０℃、より好ましくは－５０～２０℃のものをいう。このようなイオン液体は、蒸気圧がない（不揮発性）、高耐熱性、不燃性、化学的安定である等の特性を有するものである。
アルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属の塩；カルシウム、バリウム等のアルカリ土類金属の塩等が挙げられる。これらの具体例としては、ＬｉＣｌＯ4、ＬｉＣＦ3ＳＯ3、ＬｉＮ（ＣＦ3ＳＯ2）2、ＬｉＡｓＦ6、ＬｉＣｌ、ＮａＳＣＮ、ＫＳＣＮ、ＮａＣｌ、ＮａＩ、ＫＩ等のアルカリ金属塩；Ｃａ（ＣｌＯ4）2、Ｂａ（ＣｌＯ4）2等のアルカリ土類金属塩等が挙げられる。
これらの中でも、低抵抗値と溶解度の点から、ＬｉＣｌＯ4、ＬｉＣＦ3ＳＯ3、ＬｉＮ（ＣＦ3ＳＯ2）2、ＬｉＡｓＦ6、ＬｉＣｌ等のリチウム塩が好ましく、ＬｉＣＦ3ＳＯ3、ＬｉＮ（ＣＦ3ＳＯ2）2が特に好ましい。
イオン液体は、４級アンモニウムカチオンとアニオンとからなる。この４級アンモニウムカチオンは、イミダゾリウム、ピリジニウムまたは式：Ｒ6 4Ｎ+［式中、Ｒ6は、互いに独立して、水素原子または炭素原子数１～２０の有機基である。］で表されるカチオンのいずれかの形態である。
上記Ｒ6で表される有機基の具体例としては、炭素原子数１～２０の一価炭化水素基、アルコキシアルキル基等が挙げられ、より具体的には、メチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル、トリル、キシリル、ナフチル基等のアリール基；ベンジル、フェネチル基等のアラルキル基、シクロペンチル、シクロへキシル、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；エトキシエチル基（－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3）等のアルコキシアルキル基等が挙げられる。なお、Ｒ6で表される有機基のうちの２個が結合して環状構造を形成してもよく、この場合には２個のＲ6が一緒になって２価の有機基を形成する。この２価の有機基の主鎖は、炭素のみで構成されていてもよいし、その中に酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。具体的には、例えば、２価炭化水素基［例えば、炭素原子数３～１０のアルキレン基］、式：－（ＣＨ2）c－Ｏ－（ＣＨ2）d－［式中、ｃは１～５の整数であり、ｄは１～５の整数であり、ｃ＋ｄは４～１０の整数である。］等が挙げられる。
上記Ｒ6 4Ｎ+で表されるカチオンの具体例としては、メチルトリｎ－オクチルアンモニウムカチオン、エトキシエチルメチルピロリジニウムカチオン、エトキシエチルメチルモルホリニウムカチオン等が挙げられる。
上記アニオンとしては、特に制限はないが、例えば、ＡｌＣｌ4 -、Ａｌ3Ｃｌ10 -、Ａｌ2Ｃｌ7 -、ＣｌＯ4 -、ＰＦ6 -、ＢＦ4 -、ＣＦ3ＳＯ3 -、（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ-、（ＣＦ3ＳＯ2）3Ｃ-が好ましく、ＰＦ6 -、ＢＦ4 -、ＣＦ3ＳＯ3 -、（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ-がより好ましい。
上記帯電防止剤は、１種単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
（Ｆ）成分の配合量は、帯電防止性および耐熱性の観点から、上記（Ａ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．００１～１０質量部、より好ましくは０．００５～１０質量部である。
紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物から得られる硬化物の帯電防止性能としては、スタチックオネストメーター（シシド静電気（株）製）を用いて、硬化物の表面にコロナ放電により静電気を６ｋＶチャージした後、その帯電圧が半分になる時間（半減期）が、２分以内であることが好ましく、１分以内であることがより好ましい。
なお、上述のとおり、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物は、非架橋性のオルガノポリシロキサンレジンを含まないものである。非架橋性のオルガノポリシロキサンレジンが含有されると、微小構造体に粘着物が付着してしまい好ましくない。
このようなオルガノポリシロキサンレジンとしては、一般的に硬化物に粘着性を付与する成分として用いられる、（ｄ）Ｒ4 3ＳｉＯ1/2単位（Ｒ4は、上記と同じ意味を表す。）と（ｅ）ＳｉＯ4/2単位からなり、（ｄ）単位と（ｅ）単位のモル比が０．４～１．２：１の範囲にあるオルガノポリシロキサンレジン等が挙げられる。
また、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、色材（顔料または染料）、シランカップリング剤、接着助剤、重合禁止剤、酸化防止剤、耐光性安定剤である紫外線吸収剤、光安定化剤等の添加剤を配合することができる。
さらに、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物には、その他の樹脂組成物と適宜混合して使用することもできる。
紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物は、上記（Ａ）～（Ｄ）成分、並びに必要に応じて（Ｅ）成分、（Ｆ）成分およびその他の成分を、任意の順序で混合し、撹拌等して得ることができる。撹拌等の操作に用いる装置は特に限定されないが、擂潰機、３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、これら装置を適宜組み合わせてもよい。
紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の粘度は、塗布時の成型性や作業性の観点から、回転粘度計を用いて２３℃で測定した粘度が、５，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、３，０００Ｐａ・ｓ以下がより好ましく、１，５００Ｐａ・ｓ以下がより一層好ましい。５，０００Ｐａ・ｓを超えると作業性が著しく悪くなる場合がある。
紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物は、紫外線を照射することにより速やかに硬化する。
この場合、照射する紫外線の光源としては、例えば、ＵＶＬＥＤランプ、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、カーボンアークランプ、キセノンランプ等が挙げられる。
紫外線の照射量（積算光量）は、例えば、本発明の組成物を２．０ｍｍ程度の厚みに成形したシートに対して、好ましくは１～１０，０００ｍＪ／ｃｍ2であり、より好ましくは１０～８，０００ｍＪ／ｃｍ2である。すなわち、照度１００ｍＷ／ｃｍ2の紫外線を用いた場合、０．０１～１００秒程度紫外線を照射すればよい。
本発明において、紫外線照射によって得られた硬化物の粘着力は、特に限定されるものではないが、移送物の剥離性と保持性とのバランスを考慮すると、０．００１～１００ＭＰａが好ましく、０．０１～５０ＭＰａがより好ましい。
上述した紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物からなる硬化物は、成型時やマイクロＬＥＤまたは素子等の微細部品の移送時に凝集破壊を起こさないようにすることを考慮すると、厚さ２．０ｍｍでの引張強度（ＪＩＳ－Ｋ６２４９：２００３）は、１ＭＰａ以上が好ましく、２ＭＰａ以上がより好ましい。
前記（vi）の実装方法の工程において、前記微小構造体の移載方法により移載された複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板から、任意の微小構造体を選択的してピックアップする方法としては、真空吸着の他、例えば、図４（Ｂ）に示すように、ドナー基板に仮固定された複数の微小構造体２と、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物からなる粘着層３２をスタンプ基板３１上に備えた微小構造体転写用スタンプ３０とを貼り合わせて、図４（Ｃ）に示すように、前記ドナー基板１１から複数の微小構造体２の一部または全部を分離して、粘着層３２にピックアップする方法が挙げられる。
貼り合わせは、複数の微小構造体が前記粘着層に移送できれば特に制限されないが、例えば、好ましくは０．１～３．０ＭＰａ、より好ましくは０．２～２．０ＭＰａの荷重をかけて貼り合わせを行うことが好ましい。
ピックアップに際しては、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力が、前記ドナー基板のシリコーン系ゴム層の粘着力より強いことが好ましい。具体的には、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力の方が、前記ドナー基板のシリコーン系ゴム層の粘着力より、好ましくは０．１～２．０ＭＰａ、より好ましくは０．２～１．５ＭＰａ、さらに好ましくは０．２～１．０ＭＰａ強いことが望まれる。これにより複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板から、任意の微小構造体を選択的にピックアップする場合に、ドナー基板から複数の微小構造体を分離するための別工程を必要とせず、瞬時に粘着可能となる。
（vii）前記微小構造体転写用スタンプによりピックアップされた微小構造体を回路基板上の所望の位置へ移載し、前記微小構造体と回路基板を接合する工程
微小構造体転写用スタンプによりピックアップされた微小構造体は、回路基板上の所望の位置へ移載される。
移載された微小構造体２は、図５（Ａ）に示すように、回路基板４０の微小構造体２を粘着すべき所用の箇所に供給粘着され、回路基板と接合される。接合方法としては、導電性接着剤、はんだ付け等が挙げられる。
移載に際しては、回路基板の引張強度が、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力より強いことが好ましい。具体的には、回路基板の引張強度の方が、前記紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力より、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．２ＭＰａ以上強いことが好ましい。
これにより複数の微小構造体が仮固定された紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物からなる粘着層から、任意の微小構造体を選択的に移載する場合に、前記粘着層から複数の微小構造体を分離するための別工程を必要とせず、瞬時に粘着可能となる。
ここで、回路基板としては、所定の回路設計に基づいて、部品間を接続するための電気伝導性を持つ材料で形成したパターンを絶縁基板の表面または表面とその内部に形成したものであれば特に制限はない。また、回路基板は、剛性の高いリジッド基板であっても、曲げることができるフレキシブル基板でもよく、バックプレーンも含まれる。
なお、ピックアップされた微小構造体は、必要に応じて上記のように回路基板に移載前に、他の中間基板に移送された後に回路基板に移載されても良い。
（viii）前記微小構造体転写用スタンプから前記ピックアップされた微小構造体を分離して、前記回路基板へ実装する工程
前記微小構造体と回路基板とを接合した後、図５（Ｂ）に示すようにスタンプ３０を回路基板４０から離間させる。
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記の式において、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
供給基板となる外径４インチ、厚さ５３０μｍのサファイア基板上に、波長４５０ｎｍの青色マイクロＬＥＤを形成した。
ＬＥＤエピ構造は、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で、サファイア基板上に、低温ＧａＮバッファ層、ｎ型コンタクトＧａＮ層、ｎクラッドＡｌＩｎＧａＮ層、活性層（波長４５０ｎｍとなるよう調整されたＩｎＧａＮ多重量子井戸層）、ｐ型ＡｌＩｎＧａＮクラッド層、ｐ型コンタクト層の順に積層した。
以上のエピタキシャル成長終了後、ＬＥＤの活性化アニールを行い、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングした。エッチング後、ｎ型コンタクト層の表面にＴｉ／Ａｌからなるｎ電極、ｐ型コンタクト層の表面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電極を形成した。電極形成後、ウェハを３０μｍ×１５μｍ角のチップにレーザーにより素子分離を行い、一方の面に複数のマイクロＬＥＤが形成されたサファイア基板（供給基板）を得た。
次に、ドナー基板として、外径６インチ、厚さ１ｍｍの合成石英ガラスウェハを用意した。合成石英ガラスウェハの厚みばらつき（ＴＴＶ）は０．８μｍであり、６．０１ｍｍ×６．０１ｍｍの領域について、白色干渉計によりピクセル数１２４０×１２４０で測定して得られる空間周波数１ｍｍ-1以上におけるパワースペクトル密度が、１０11ｎｍ4であった。
この合成石英ガラスウェハ上に、厚み２０μｍになるように信越化学工業社製のＳＩＭ－３６０をコーティングし、１５０℃にて３０分間加熱炉に入れて硬化させて、合成石英ガラスウェハ上にシリコーン系ゴム層を形成した。
前記サファイア基板に形成された複数のマイクロＬＥＤと、前記シリコーン系ゴム層が接するように、前記サファイア基板をドナー基板上に置き、均一に０．１２ＭＰａで荷重をかけた。
一体となったサファイア基板とドナー基板を、レーザー剥離装置にセットし、マイクロＬＥＤが形成された面と反対側の面であるサファイア基板側から、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を照射した。基板のサセプターは、レーザー光が基板全面を走査できるように駆動した。
サファイア基板とドナー基板をレーザー剥離装置から取り出し、サファイア基板を横に滑らすと、マイクロＬＥＤはドナー基板に付着したままサファイア基板から取り外すことができた。この工程終了時点において、サファイア基板からドナー基板に全てのマイクロＬＥＤが移送されており、ドナー基板から脱落したマイクロＬＥＤは１個もなかった。
その後、マイクロＬＥＤに付着した金属Ｇａを除去するため、マイクロＬＥＤが仮固定されたドナー基板を洗浄カセットにセットし、超高純度グレードの濃塩酸（１０質量％）中にて、毎分２０ストロークの上下動により、５分間洗浄した。この工程終了時点においても、ドナー基板から脱落したマイクロＬＥＤは１個もなかった。また、ドナー基板の表面を基準面として、金属Ｇａが除去されたマイクロＬＥＤの裏面の高さのばらつきは、面内で２μｍ以内であった。
その後、ドナー基板が入ったカセットを純水槽に移し、１０分間の純水かけ流しにより残留した塩酸薬液を洗い流した。この工程終了時点においても、脱落したマイクロＬＥＤは１個もなかった。また、ドナー基板の表面を基準面として、金属Ｇａが除去されたマイクロＬＥＤの裏面の高さのばらつきは、面内で２μｍ以内であった。
その後、ドナー基板が入ったカセットを、乾燥空気が循環する乾燥機の中にセットし、６０℃の乾燥空気で３０分間乾燥を行った。この工程終了時点においても、脱落したマイクロＬＥＤは１個もなかった。また、ドナー基板の表面を基準面として、金属Ｇａが除去されたマイクロＬＥＤの裏面の高さのバラツキは、面内で２μｍ以内であった。
マイクロＬＥＤを上面に向けた状態で乾燥したドナー基板を外観検査装置にセットし、外観検査を行い、割れ、欠け、電極構造不良等があるチップをこの段階で除去したが、ドナー基板からずれて配置されているマイクロＬＥＤは１個もなかった。また、ドナー基板の表面を基準面として、金属Ｇａが除去されたマイクロＬＥＤの裏面の高さのバラツキは、面内で２μｍ以内であった。
次工程では、所定の間隔で凹凸が形成された微小構造体転写用スタンプを用いて、ドナー基板から任意のマイクロＬＥＤを選択して、これをピックアップして、回路基板に実装した。
基板上に紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物からなる粘着層を備えた微小構造体転写用スタンプは、スタンプ基板上にモールド成型により得た。
スタンプ用基板として、厚さ１．２ｍｍ、３５ｍｍ×３５ｍｍの合成石英ガラス基板を用意した。合成石英ガラス基板の厚みばらつき（ＴＴＶ）は０．３μｍであり、６．０１ｍｍ×６．０１ｍｍの領域について、白色干渉計によりピクセル数１２４０×１２４０で測定して得られる空間周波数１ｍｍ-1以上におけるパワースペクトル密度が、１０11ｎｍ4であった。
一方、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物は、（Ａ）成分として、下記のＡ－１で示されるオルガノポリシロキサン１００質量部、（Ｃ）成分として、下記のＣ－１で示されるオルガノポリシロキサンレジンを含むキシレン溶液１６０質量部を混合し、減圧下にて１００℃でキシレンを留去した後、（Ｂ）成分として、イソボルニルアクリレート（共栄社化学（株）製ライトアクリレートＩＢ－ＸＡ）２０質量部および（Ｄ）成分として、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン（株）製Ｉｒｇａｃｕｒｅ １１７３）２質量部を配合・混合し、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物を調製した。
＜Ａ－１＞
Figure 0007200884000007
＜Ｃ－１＞
下記式（６）で表されるメタクリロイルオキシ基含有単位、ＶｉＭｅ2ＳｉＯ1/2単位、Ｍｅ3ＳｉＯ1/2単位およびＳｉＯ2単位を含有し、メタクリロイルオキシ基含有単位／（ＶｉＭｅ2ＳｉＯ1/2単位）／（Ｍｅ3ＳｉＯ1/2単位）／（ＳｉＯ2単位）のモル比が０．０７／０．１０／０．６７／１．００であるオルガノポリシロキサンレジン（数平均分子量５，７００）の５０質量％キシレン溶液
Figure 0007200884000008
次に、合成石英ガラス基板と型の間に前記紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物を満たし、アイグラフィック（株）製アイＵＶ電子制御装置（型式ＵＢＸ０６０１－０１）を用い、窒素雰囲気下、室温（２５℃）で、波長３６５ｎｍの紫外光での照射量が４，０００ｍＪ／ｃｍ2となるように紫外線を照射し、硬化させた後、型を脱型することにより、マイクロＬＥＤ転写用スタンプを得た。
マイクロＬＥＤの裏面に前記スタンプの凸部を０．５０ＭＰａで荷重をかけて押し付けたところ、押し付けられた箇所のマイクロＬＥＤがドナー基板から離れ、マイクロＬＥＤ転写用スタンプにピックアップされた。
マイクロＬＥＤ転写用スタンプの凹凸と同じピッチで、マイクロＬＥＤの電極と電気的に接続されるための電極が形成された回路基板に、マイクロＬＥＤがピックアップされた凸部を押し付け、マイクロＬＥＤが回路基板に実装された。
１ 供給基板
２ 微小構造体
２ａ 金属ガリウム
１１ ドナー基板
１２ 基板
１３ シリコーン系ゴム層
２０ レーザ光
３０ 微小構造体転写用スタンプ
３１ スタンプ基板
３２ 粘着層
４０ 回路基板

Claims (11)

  1. （ｉ）供給基板の一方の面に形成された複数の微小構造体と、ドナー基板上に形成されたシリコーン系ゴム層とを貼り合わせる工程、
    （ii）前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を分離して、前記シリコーン系ゴム層を介して前記ドナー基板へ移送することにより、複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る工程、
    （iii）前記複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を洗浄または中和する工程、
    （iv）前記洗浄または中和後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を乾燥する工程、
    （ｖ）前記乾燥後の複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を次の工程に供するべく移載する工程
    を少なくとも含み、前記（ii）の工程が、前記供給基板の一方の面に形成された複数の微小構造体と、ドナー基板上のシリコーン系ゴム層とを貼り合わせた状態で、前記供給基板における前記複数の微小構造体が形成された面と反対側の面からパルス発振によるレーザ光を照射して、前記供給基板から複数の微小構造体の一部または全部を剥離して、前記ドナー基板へ移送することにより複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板を得る工程である微小構造体の移載方法により移載された複数の微小構造体が仮固定されたドナー基板から、（vi）基板上に紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物からなる粘着層を備えた微小構造体転写用スタンプを用いて、任意の微小構造体を選択的にピックアップする工程、
    （vii）前記微小構造体転写用スタンプによりピックアップされた微小構造体を回路基板上の所用の箇所へ移載し、前記微小構造体と回路基板を接合する工程、
    （viii）前記微小構造体転写用スタンプから前記ピックアップされた微小構造体を分離して、前記回路基板へ実装する工程
    を少なくとも含む微小構造体の実装方法。
  2. 前記ドナー基板の基板が、合成石英ガラス基板である請求項１に記載の微小構造体の実装方法。
  3. 前記合成石英ガラス基板が、６．０１ｍｍ×６．０１ｍｍの領域について、白色干渉計によりピクセル数１２４０×１２４０で測定して得られる空間周波数１ｍｍ-1以上におけるパワースペクトル密度が、１０12ｎｍ4以下である合成石英ガラス基板である請求項２に記載の微小構造体の実装方法。
  4. 前記（ｉ）における貼り合わせる工程が、０．０１～５ｋＰａの荷重をかけて行う工程である請求項１～３のいずれか１項に記載の微小構造体の実装方法。
  5. 前記パルス発振によるレーザ光が、ＫｒＦエキシマレーザーである請求項１～４のいずれか１項に記載の微小構造体の実装方法。
  6. 前記供給基板が、サファイア基板である請求項１～５のいずれか１項に記載の微小構造体の実装方法。
  7. 前記（ii）の工程後に行われる（iii）における洗浄する工程が、酸により洗浄する工程である請求項１～６のいずれか１項に記載の微小構造体の実装方法。
  8. 前記酸が、塩酸、硝酸、硫酸からなる群から選ばれる酸である請求項７記載の微小構造体の実装方法。
  9. 前記（vi）の工程において、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力が、前記ドナー基板のシリコーン系ゴム層の粘着力より強い請求項１～８のいずれか１項に記載の微小構造体の実装方法。
  10. 前記（vi）の工程における紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物が、
    （Ａ）下記一般式（１）
    Figure 0007200884000009
     （式中、Ｒ1は、互いに独立して炭素原子数１～２０の一価炭化水素基を表し、Ｒ2は、酸素原子または炭素原子数１～２０のアルキレン基を表し、Ｒ3は、互いに独立して、アクリロイルオキシアルキル基、メタクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルオキシアルキルオキシ基、またはメタクリロイルオキシアルキルオキシ基を表し、ｐは、０≦ｐ≦１０を満たす数を表し、ａは、１≦ａ≦３を満たす数を表す。）
    で示される基を１分子中に２個有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
    （Ｂ）シロキサン構造を含まない単官能（メタ）アクリレート化合物：１～２００質量部、
    （Ｃ）（ａ）下記一般式（２）
    Figure 0007200884000010
     （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、ａおよびｐは、前記と同じ意味を表す。）
    で示される単位、（ｂ）Ｒ4 3ＳｉＯ1/2単位（式中、Ｒ4は、炭素原子数１～１０の一価炭化水素基を表す。）および（ｃ）ＳｉＯ4/2単位からなり、（ａ）単位および（ｂ）単位の合計と（ｃ）単位とのモル比が０．４～１．２：１の範囲にあるオルガノポリシロキサンレジン：１～１，０００質量部、および
    （Ｄ）光重合開始剤：０．０１～２０質量部
    を含有し、非架橋性のオルガノポリシロキサンレジンを含まない紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物である請求項１～９のいずれか１項に記載の微小構造体の実装方法。
  11. 前記（vii）の工程において、回路基板の引張強度が、紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物の硬化物の粘着力より強い請求項１～１０のいずれか１項に記載の微小構造体の実装方法。
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