TW202120656A - 微小構造體之移載方法及微小構造體之安裝方法 - Google Patents

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小川敬典
大堀敬司
上田修平
近藤和紀
小材利之
松本展明
北川太一
大竹滉平
川原実
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日商信越化學工業股份有限公司
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Abstract

根據至少含有下述步驟之微小構造體之移載方法： (i)將形成於供給基板的一面的多個微小構造體與形成於施體基板上的聚矽氧系橡膠層貼合的步驟、 (ii)由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，並透過前述聚矽氧系橡膠層移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟、 (iii)將前述暫時固定多個微小構造體的施體基板洗淨或中和的步驟、 (iv)將前述洗淨或中和後之暫時固定多個微小構造體的施體基板乾燥的步驟、 (v)為了將前述乾燥後之暫時固定多個微小構造體的施體基板供應至接下來的步驟而移載的步驟 ，可將微小構造體以暫時固定於一枚施體基板的狀態供應至多個步驟，因此步驟數目不會增加，能有效率地達成微小構造體的移載。

Description

微小構造體之移載方法及微小構造體之安裝方法
本發明關於一種微發光二極體(以下亦稱為「Micro LED」)等的微小構造體之移載方法及微小構造體之安裝方法。
近年來，以智慧型手機、液晶顯示器、車載零件等為代表的電器，不僅需要高性能化，還同時需要省空間化、省能源化。因應這種社會的需求所搭載的電子零件也已日益小型化、微細化，其組裝步驟也逐年複雜化而變得困難。
隨著這種微細化元件組裝步驟的複雜化，以往是在各個步驟重新張貼適合於各步驟的黏著薄片，然而會有操作性不佳、製造成本變高的問題。為了解決此問題，專利文獻1提出了一種凹凸順應性、耐熱性、耐藥品性全部皆優異，在半導體晶圓加工時的多個步驟中可使用的黏著薄片。
另外，專利文獻2提出了一種方法，是藉由環氧系瞬間接著劑將在藍寶石基板上成長的GaN磊晶晶圓接著於臨時基板，然後藉由雷射剝離法使GaN層剝離，將接著於臨時基板的GaN磊晶晶圓與導熱･導電層接合，並在高溫下加熱使臨時基板脫落。如果使用此方法，則可得到將GaN磊晶晶圓由藍寶石基板剝離，並將其移送至導熱、導電性優異的基板的裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-59179號公報 [專利文獻2] 日本特表2015-518265號公報
[發明所欲解決的課題]
但是，專利文獻1中的黏著薄片的黏著劑層含有紫外線硬化型黏著劑，在接著及剝離時必須進行紫外線照射，因此步驟繁雜。另外，黏著劑的硬化條件及黏著強度會取決於光強度，因此必須對其作調整，依照其調整的情況，會有所謂黏著劑殘留或脫落造成產率降低等的問題。 另外，在專利文獻2中，將被接著於臨時基板的GaN磊晶晶圓與導熱･導電層在高溫下接合的過程中，環氧系瞬間接著劑會碳化，臨時基板脫落，因此目標裝置或材料若沒有能承受可使環氧系瞬間接著劑碳化的溫度的耐熱性則無法使用。另外，因為在高溫狀態，晶圓會發生翹曲，或者剝離時接著劑殘留或其洗淨變得必要等，課題很多。
本發明鑑於上述狀況而完成，目的為提供一種微小構造體之移載方法，在移載Micro LED等的微小構造體時，可在將微小構造體暫時固定於一枚施體基板的狀態下供應至多個步驟，因此不需要適合於各步驟的新暫時固定材，而且不需要利用該暫時固定材的暫時固定步驟及其除去步驟，因此不會增加步驟數，能夠以良好的精密度有效率地進行微小構造體的移載；及微小構造體之安裝方法。 [用於解決課題的手段]
本發明人等為了達成上述目的而鑽研檢討，結果發現了可不增加步驟數，精密度良好、有效率地進行Micro LED等的微小構造體的移載之微小構造體之移載方法及微小構造體之安裝方法，完成了本發明。
亦即，本發明提供： 1. 一種微小構造體之移載方法，其係至少包含： (i)將形成於供給基板的一面的多個微小構造體與形成於施體基板上的聚矽氧系橡膠層貼合的步驟、 (ii)由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，透過前述聚矽氧系橡膠層移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟、 (iii)將前述暫時固定多個微小構造體的施體基板洗淨或中和的步驟、 (iv)將前述洗淨或中和後之暫時固定多個微小構造體的施體基板乾燥的步驟、 (v)為了將前述乾燥後的暫時固定多個微小構造體的施體基板供應至接下來的步驟而移載的步驟， 2. 如1之微小構造體之移載方法，其中前述施體基板之基板為合成石英玻璃基板， 3. 如2之微小構造體之移載方法，其中前述合成石英玻璃基板為藉由白色干涉計以畫素數1240×1240對6.01mm×6.01mm的區域進行測定所得到的空間頻率1mm-1 以上的功率頻譜密度為1012 nm4 以下的合成石英玻璃基板， 4. 如1～3中任一項之微小構造體之移載方法，其中前述(i)中的貼合的步驟係施加0.01～5kPa的荷重來進行的步驟， 5. 如1～4中任一項之微小構造體之移載方法，其中前述步驟(ii)，係在將前述形成於供給基板的一面的多個微小構造體與施體基板上的聚矽氧系橡膠層貼合的狀態下從前述供給基板之與形成前述多個微小構造體的一面相反側的一面照射由脈衝振盪所產生的雷射光，由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部剝離，並移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟， 6. 如5之微小構造體之移載方法，其中前述由脈衝振盪所產生的雷射光為KrF準分子雷射， 7. 如5或6之微小構造體之移載方法，其中前述供給基板為藍寶石基板， 8. 如5～7中任一項之微小構造體之移載方法，其中在前述步驟(ii)後進行的(iii)中的洗淨的步驟係藉由酸來洗淨的步驟， 9. 如8之微小構造體之移載方法，其中前述酸為由鹽酸、硝酸、硫酸所構成的群中選出的酸， 10. 如1～4中任一項之微小構造體之移載方法，其中前述步驟(ii)係藉由蝕刻前述供給基板，由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，並移送至前述施體基板的聚矽氧系橡膠層，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟， 11. 如10之微小構造體之移載方法，其中前述蝕刻為濕式蝕刻， 12. 如10或11之微小構造體之移載方法，其中前述供給基板為砷化鎵基板， 13. 一種微小構造體之安裝方法，其係至少包含： (vi)使用在基板上具備由紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物所形成的黏著層的微小構造體轉印用印章，藉由如5～9中任一項之微小構造體之移載方法，從暫時固定所移載的多個微小構造體的施體基板選擇性地拾取任意微小構造體的步驟、 (vii)將藉由前述微小構造體轉印用印章所拾取的微小構造體移載至電路基板上的使用處，將前述微小構造體與電路基板接合的步驟、 (viii)將由前述微小構造體轉印用印章前述拾取的微小構造體分離，並安裝至前述電路基板的步驟， 14. 如13之微小構造體之安裝方法，其中在前述步驟(vi)之中，紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力比前述施體基板之聚矽氧系橡膠層的黏著力還強， 15. 如13或14之微小構造體之安裝方法，其中 前述步驟(vi)中的紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物係含有： (A)一分子中具有兩個下述一般式(1)所表示的基團之有機聚矽氧烷：100質量份、
Figure 02_image001
(式中，R1 互相獨立，表示碳原子數1～20的一價烴基，R2 表示氧原子或碳原子數1～20之伸烷基，R3 互相獨立，表示丙烯醯氧基烷基、甲基丙烯醯氧基烷基、丙烯醯氧基烷氧基、或甲基丙烯醯氧基烷氧基，p表示滿足0≦p≦10之數，a表示滿足1≦a≦3之數) (B)不含矽氧烷構造之單官能(甲基)丙烯酸酯化合物：1～200質量份、 (C)包含(a)由下述一般式(2)所表示的單元、
Figure 02_image003
(式中，R1 、R2 、R3 、a及p表示與前述相同意思) (b)R4 3 SiO1/2 單元(式中，R4 表示碳原子數1～10的一價烴基)及(c)SiO4/2 單元，(a)單元及(b)單元的合計與(c)單元的莫耳比在0.4～1.2:1的範圍的有機聚矽氧烷樹脂:1～1,000質量份及 (D)光聚合起始劑：0.01～20質量份 ，且不含非交聯性的有機聚矽氧烷樹脂之紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物， 16. 如13～15中任一項之微小構造體之安裝方法，其中在前述步驟(vii)之中，電路基板的拉伸強度比紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力還強。 [發明之效果]
根據本發明之微小構造體之移載方法，可在將微小構造體暫時固定於一枚施體基板的狀態下供給至多個步驟，因此不需要適合於各步驟的新的暫時固定材或基板，而且不需要利用該暫時固定材的暫時固定步驟及其除去步驟，因此不會增加步驟數，能夠有效率地移載微小構造體。另外，在貼合微小構造體與施體基板時，使用了聚矽氧系橡膠層，因此可瞬間黏著，且在剝離時可不發生所謂接著劑殘留而剝離，因此能夠以良好的精密度來移載微小構造體。藉此能夠以良好的精密度有效率地進行微小構造體的安裝。
以下針對本發明之微小構造體之移載方法，參考圖式對各個步驟具體說明。 (i)將形成於供給基板的一面的多個微小構造體與在基板上具備聚矽氧系橡膠層的施體基板貼合的步驟 在供給基板1上，一面形成了多個微小構造體2(圖1(A))。 此處，供給基板所使用的基板，可列舉例如藍寶石基板、GaAs基板(砷化鎵基板)、Si基板、SiC基板等，口徑為任意。 另外，微小構造體，可列舉微發光二極體等的發光二極體(以下亦稱為「LED」)、如功率半導體般的分離式半導體、邏輯IC、記憶體IC等。 微小構造體，可列舉在供給基板上藉由磊晶成長、離子植入、濕式蝕刻、乾式蝕刻、蒸鍍、電極形成等的通常在半導體前段製程進行的程序來設置裝置的基本構造，然後藉由刀刃切割、乾式蝕刻、雷射切割等的常法進行到分離出元件的深度為止所分離得到的元件等。
例如在微小構造體為LED的情況，準備LED磊晶基板，其係在4英吋藍寶石基板上設置緩衝層，形成3μm的N型GaN層，然後設置周知的發光層構造，堆積P型GaN而且總磊晶厚度為4μm。然後，藉由乾式蝕刻使N層局部露出之後，藉由周知的程序在P層上形成P型電極，並以接觸露出的N層的方式形成N型電極。然後，為了分離出既定大小的LED元件，進行雷射切割至少到達藍寶石基板使元件成為完全分離的狀態，可得到微小構造體。 另外，微小構造體的大小為任意，例如在功率LED的情況為1mm見方左右的大小。其他方面，在LED元件的情況為300μm見方左右，在Mini LED的情況為100μm見方左右，在Micro LED的情況為60μm見方以下左右，在極小尺寸的Micro LED的情況為30μm見方以下。 此外，上述所記載的微小構造體的形狀是大概為正方形的例子，然而在本發明中並不受其限制。例如Micro LED的情況，形狀可為一邊為30～60μm，另一邊為10～30μm的長方形。 另外，微小構造體的厚度取決於供給基板上的磊晶成長厚度，並未受到特別限制，宜為3～10μm左右。
另一方面，施體基板11，如圖1(B)所示般，在基板12上具備聚矽氧系橡膠層13。 此處，施體基板所使用的基板，可列舉例如合成石英玻璃基板、浮法玻璃等，尤其從平坦性的觀點看來，以合成石英玻璃基板為佳。 另外，施體基板所使用的基板的大小，以與所使用的供給基板的口徑相同或比其還大為佳。具體而言，在使用外徑為4英吋的藍寶石基板作為供給基板的情況，可使用外徑為4～8英吋的施體基板。 為了將多個微小構造體的一部分或全部由供給基板確實移送至施體基板，在形成於供給基板的一面的多個微小構造體與在基板上具備聚矽氧系橡膠層的施體基板的貼合時，各個微小構造體一時之間會一起被暫時固定於施體基板的聚矽氧系橡膠層的狀態為佳。
像這樣，將微小構造體以良好的精密度暫時固定，因此施體基板用的基板，藉由白色干涉計以畫素數1240×1240對6.01mm×6.01mm的區域進行測定所得到的空間頻率1mm-1 以上的功率頻譜密度，以1012 nm4 以下為佳，尤其在微小構造體為Micro LED的情況，若考慮微小構造體之間的距離，則藉由白色干涉計以畫素數1240×1240對6.01mm×6.01mm的區域進行測定所得到的空間頻率10mm-1 以上50mm-1 以下的功率頻譜密度，以109 nm4 以下為佳。 另外，對於施體基板來說，為了將微小構造體以良好的精密度暫時固定，施體基板用的基板以厚度變動小為佳。例如藉由溝尻光學工業所股份有限公司製的波長轉換斐索式平坦度測試儀測得的厚度變動(TTV)，宜為2μm以下，較佳為1μm以下，更佳為0.5μm以下。
形成聚矽氧系橡膠層的聚矽氧系橡膠，以可瞬間黏著，且可達成沒有所謂接著劑殘留的剝離為佳，可列舉例如信越化學工業股份有限公司製的SIM系列，尤其從硬化時間的觀點來考量為SIM-360、或STP系列等的聚矽氧系橡膠組成物等。 聚矽氧系橡膠層，可藉由例如將前述聚矽氧系橡膠組成物藉由旋轉塗佈法，使厚度成為宜為1～200μm，較佳為5～100μm，更佳為10～50μm來塗佈，宜為在20～200℃下花費5～90分鐘置於加熱爐中硬化來形成。 尤其LED是由單結晶材料所構成，若變得小且薄，則容易發生破裂、缺損。因此，若以硬化型接著劑等來接著，則因為材料所產生的應力，會有發生破裂、缺損的情形。相對於此，在如本發明般的橡膠層的情況，是藉由橡膠層的表面黏性來貼合，因此不會產生應力，產率會提升。
形成於供給基板的一面的多個微小構造體與施體基板之聚矽氧系橡膠層的貼合，只要可將多個微小構造體移送至聚矽氧系橡膠層，則並未受到特別限制，例如以施加宜為0.05～1.0MPa，較佳為0.10～0.5MPa的荷重來進行貼合為佳。
(ii)由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，透過前述聚矽氧系橡膠層移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟 由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，透過前述聚矽氧系橡膠層移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的方法，大致上已知有雷射剝離(laser lift off)法與蝕刻法這兩種方法。
在利用雷射剝離法的情況，如圖2(A)所示般，在將形成於前述供給基板1的一面的多個微小構造體2與施體基板11之聚矽氧系橡膠層13貼合的狀態下從前述供給基板1之與形成前述多個微小構造體2的一面相反側的一面照射由脈衝振盪所產生的雷射光20，由前述供給基板1得到多個微小構造體2被暫時固定於聚矽氧系橡膠層13的施體基板(圖2(B))。例如在被固定於藍寶石基板等的供給基板的氮化鎵微小構造體的情況，藉由準分子雷射或YAG雷射等的雷射光的照射，照射部分的氮化鎵會熔解，氮化鎵微小構造體會由供給基板剝離。此情況下，尤其在Micro LED的情況，從微小構造體的信賴性的觀點看來，以KrF準分子雷射光為佳。 具體而言，選擇性地照射雷射光，以使作為選擇對象的微小構造體與供給基板的界面產生雷射剝蝕。藉此，在作為選擇對象的微小構造體與供給基板之間，例如在氮化鎵微小構造體的情況，氮化鎵會分解成金屬鎵與氮，產生氣體，微小構造體能夠較簡易地剝離。
另一方面，在利用蝕刻法的情況，藉由蝕刻前述供給基板，由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，並移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板。例如在藉由砷化鎵固定於供給基板的微小構造體的情況，使用氨及過氧化氫水的混合液將供給基板濕式蝕刻，微小構造體會由供給基板剝離。
(iii)將前述暫時固定多個微小構造體的施體基板洗淨或中和的步驟 將前述暫時固定多個微小構造體的施體基板洗淨或中和的步驟，因應由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離的方法，洗淨或中和的步驟會有所不同。 具體而言，在利用雷射剝離法的情況，是藉由酸來進行洗淨，例如在氮化鎵微小構造體的情況，將附著於微小構造體背面的金屬鎵2a洗淨(圖3)。 此處，洗淨所使用的酸只要能夠將附著於微小構造體背面的金屬洗淨，則沒有受到特別限制，以由鹽酸、硝酸、硫酸所構成的群中選出的強酸為佳。
另一方面，在利用蝕刻法的情況，例如在藉由氨水與過氧化氫水的混合溶液(APM)來蝕刻GaAs基板的情況，是以純水來進行洗淨。 此外，依照所使用的蝕刻劑的種類，以在洗淨步驟前設置中和步驟為佳。例如在使用鹼性蝕刻劑的情況，希望加入利用酸性溶液的中和步驟，在使用酸性蝕刻劑的情況，希望加入利用鹼性溶液的中和步驟。具體而言，在使用氫氟酸與硝酸作為對Si基板的蝕刻劑的情況，以氨水來中和為佳。而且，在中和步驟結束後，以進行純水洗淨為佳。 另外，上述以外的方法，還有以機械方法將供給基板除去。例如可使用在供給基板與微小構造體之間插入刀刃來機械剝離的方法；或從供給基板側進行研削來削除供給基板的方法。 在本發明中，任一分離方法的洗淨或中和的步驟中，微小構造體都不會分離，而被暫時固定於施體基板，因此可省去置換到其他基板等的手續。而且，不會有伴隨著置換發生的微小構造體脫落，可將高度變動抑制在宜為10μm以內，較佳為5μm以內，更佳為2μm以內。
(iv)將前述洗淨後之暫時固定多個微小構造體的施體基板乾燥的步驟 洗淨步驟後之暫時固定多個微小構造體的施體基板，不需置換到別的基板等，可在暫時固定的狀態下藉由常法來乾燥。具體而言，在60～100℃的乾燥空氣中乾燥10～60分鐘。
(v)為了將前述乾燥後之暫時固定多個微小構造體的施體基板供應至接下來的步驟而移載的步驟 前述乾燥後之暫時固定多個微小構造體的施體基板，會在被暫時固定的狀態下，進一步為了供應至接下來的步驟而被移載。
接下來針對微小構造體之安裝方法，對各個步驟具體說明。 (vi)使用在印章基板上具備紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的微小構造體轉印用印章，從藉由上述移載方法所移載之暫時固定多個微小構造體的施體基板選擇性地拾取任意微小構造體的步驟 微小構造體轉印用印章30，如圖4(A)所示般，在印章基板31上具備紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物作為黏著層32。 此處，微小構造體轉印用印章所可使用的印章基板，可列舉例如塑膠薄膜、浮法玻璃、合成石英玻璃、鋁、銅、不銹鋼等的金屬等。厚度或種類等也特別沒有限制，亦可經過化學強化處理等。 尤其在使用於將保持既定間隔的多個微小構造體同時拾取的Micro LED的情況，基板表面的形狀變得重要，因此以合成石英玻璃基板為佳。此情況下，合成石英玻璃基板的功率頻譜密度及厚度變動，以與作為前述施體基板使用的合成玻璃基板同樣為佳。 此外，為了提升印章基板與紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的密著性，可預先對印章基板實施底漆處理、電漿處理等。為了抑制拾取微小構造體時的位置偏移，提高拾取精密度，以使用平坦度高的合成石英玻璃基板為佳。
紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物，可使用含有：(A)一分子中具有兩個由下述一般式(1)所表示的基團之有機聚矽氧烷：100質量份、(B)不含矽氧烷構造的單官能(甲基)丙烯酸酯化合物：1～200質量份、(C)包含(a)由下述一般式(2)所表示的單元、(b)R4 3 SiO1/2 單元(式中，R4 表示碳原子數1～10的一價烴基)及(c)SiO4/2 單元，(a)單元及(b)單元的合計對(c)單元的莫耳比在0.4～1.2:1的範圍之有機聚矽氧烷樹脂：1～1,000質量份，及(D)光聚合起始劑：0.01～20質量份，不含非交聯性的有機聚矽氧烷樹脂之組成物。
若詳細敘述該紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的上述成分，則如以下所述。 (A)有機聚矽氧烷 (A)成分是本組成物的交聯成分，一分子中具有兩個由下述一般式(1)所表示的基團，且主鏈實質上由二有機矽氧烷單元重覆所形成之有機聚矽氧烷。
Figure 02_image005
式(1)中，R1 互相獨立，表示碳原子數1～20的一價烴基，宜為脂肪族不飽和基除外的碳原子數1～10，較佳為1～8的一價烴基，R2 表示氧原子或碳原子數1～20，宜為1～10，較佳為1～5之伸烷基，R3 互相獨立，表示丙烯醯氧基烷基、甲基丙烯醯氧基烷基、丙烯醯氧基烷氧基、或甲基丙烯醯氧基烷氧基，p表示滿足0≦p≦10之數，a表示滿足1≦a≦3之數。
式(1)中，R1 之碳原子數1～20的一價烴基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者，其具體例子，可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正己基、環己基、正辛基、2-乙基己基、正癸基等的烷基；乙烯基、烯丙基(2-丙烯基)、1-丙烯基、異丙烯基、丁烯基等的烯基；苯基、甲苯基、茬基、萘基等的芳基；苄基、苯乙基、苯基丙基等的芳烷基等。 另外，鍵結於這些一價烴基的碳原子的氫原子的一部分或全部可被其他取代基取代，其具體例子，可列舉氯甲基、溴乙基、三氟丙基等的經鹵素取代的烴基、或氰乙基等的經氰基取代的烴基等。 這些之中，R1 以碳原子數1～5之烷基、苯基為佳，甲基、乙基、苯基為較佳。
另外，R2 之碳原子數1～20之伸烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者，其具體例子，可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、四亞甲基、伸異丁基、五亞甲基、六亞甲基、環伸己基、七亞甲基、八亞甲基、九亞甲基、伸癸基等。 這些之中，R2 以氧原子、亞甲基、伸乙基、三亞甲基為佳，氧原子或伸乙基為較佳。
此外，R3 之丙烯醯氧基烷基、甲基丙烯醯氧基烷基、丙烯醯氧基烷氧基、或甲基丙烯醯氧基烷氧基中的烷基(伸烷基)基的碳數並未受到特別限定，以1～10為佳，1～5為較佳。這些烷基的具體例子，可列舉上述R1 所例示的基團之中碳原子數為1～10之基團。 R3 的具體例子，可列舉下述式所表示的基團，然而並不受其限定。
Figure 02_image007
(式中，b表示滿足1≦b≦4之數，R5 表示碳原子數1～10之伸烷基)。
上述p表示滿足0≦p≦10之數，以0或1為佳，a表示滿足1≦a≦3之數，以1或2為佳。
(A)成分的有機聚矽氧烷分子中由上述一般式(1)所表示的基團的鍵結位置可為分子鏈末端或分子鏈非末端(亦即分子鏈途中或分子鏈側鏈)或其兩者，然而從柔軟性的層面看來，希望僅存在於末端。
在(A)成分的有機聚矽氧烷分子中，鍵結於由上述一般式(1)所表示的基團以外的矽原子的有機基，可列舉例如與上述R1 同樣的基團，尤其，以脂肪族不飽和基除外的碳數1～12，宜為1～10的一價烴基為佳。 其具體例子可列舉與上述R1 所例示的基團同樣的基團，從合成的簡便性看來，以烷基、芳基、鹵化烷基為佳，甲基、苯基、三氟丙基為較佳。
另外，(A)成分的分子構造，基本上是主鏈由二有機矽氧烷單元的重覆所形成的直鏈狀或支鏈狀(包括主鏈的一部分具有分支的直鏈狀)，尤其以分子鏈兩末端被由上述一般式(1)所表示的基團封端的直鏈狀二有機聚矽氧烷為佳。 (A)成分可為具有這種分子構造的單一聚合物、由這種分子構造所形成的共聚物、或這些聚合物兩種以上的混合物。
(A)成分的有機聚矽氧烷在25℃下的黏度，若考慮更加提升組成物的操作性或硬化物的力學特性，則以10～100,000mPa･s為佳，10～50,000mPa･s為較佳。該黏度範圍，通常在直鏈狀有機聚矽氧烷的情況，相當於數量平均聚合度約10～2,000，宜為約50～1,100左右。此外，在本發明中，黏度可藉由旋轉黏度計(例如BL型、BH型、BS型、錐板型、流變儀等)來測定(以下同樣)。 在本發明中，聚合度(或分子量)，可由例如以甲苯等為展開溶劑，凝膠滲透層析(GPC)分析的聚苯乙烯換算數量平均聚合度(或數量平均分子量)求得(以下同樣)。
(A)成分的有機聚矽氧烷的具體例子，可列舉由下述(3)～(5)所表示的化合物，然而並不受其限定。
Figure 02_image009
(式中，R1 、R5 及b表示與上述相同意思，Me表示甲基，n為使上述有機聚矽氧烷的黏度成為上述值之數，以1～800為佳，50～600為較佳)。
這種有機聚矽氧烷可藉由周知的方法來製造。例如由上述式(3)所表示的聚矽氧烷，可使兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷･二苯基矽氧烷共聚物與氯二甲基矽烷的氫矽烷化反應物和丙烯酸2-羥乙酯進行反應來獲得。 由上述式(4)所表示的有機聚矽氧烷，能夠以兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷･二苯基矽氧烷共聚物與3-(1,1,3,3-四甲基二矽氧烷基)丙基甲基丙烯酸酯(CAS No.96474-12-3)的氫矽烷化反應物的形式獲得。 由上述式(5)所表示的有機聚矽氧烷，可使兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷･二苯基矽氧烷共聚物與二氯甲基矽烷的氫矽烷化反應物和丙烯酸2-羥乙酯進行反應來獲得。
(B)不含矽氧烷構造的單官能(甲基)丙烯酸酯化合物 不含矽氧烷構造的單官能(甲基)丙烯酸酯化合物(B)的具體例子，可列舉丙烯酸異戊酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、乙氧基-二乙二醇丙烯酸酯、甲氧基-三乙二醇丙烯酸酯、2-乙基己基-二甘醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基二乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸四氫呋喃甲酯、丙烯酸異莰酯等，這些可單獨使用或將兩種以上混合使用。 這些之中，尤其以丙烯酸異莰酯為佳。
上述(B)成分之單官能(甲基)丙烯酸酯化合物的添加量，相對於(A)成分100質量份，在1～200質量份的範圍。(B)成分的添加量，相對於(A)成分100質量份，若未達1質量份，則組成物的硬化性、硬化物的強度或黏著性不足。另一方面，藉由增加(B)成分的添加量，可調整組成物全體的黏度，若添加量相對於(A)成分100質量份超過200質量份，則無法得到所希望的黏著性。 尤其(B)成分的添加量，相對於(A)成分100質量份，以5～100質量份為佳。
(C)有機聚矽氧烷樹脂 (C)成分為本組成物的交聯成分的其中一個，是包含(a)由下述一般式(2)所表示的單元(MA 單元)、(b)R4 3 SiO1/2 單元(M單元)及(c)SiO4/2 單元(Q單元)之具有含(甲基)丙烯醯氧基的基團的有機聚矽氧烷樹脂。此外，R4 表示碳原子數1～10的一價烴基。
Figure 02_image011
(式中，R1 、R2 、R3 、a及p表示與上述相同意思)。
R4 之碳原子數1～10的一價烴基的具體例子，可列舉上述R1 所例示的基團之中碳原子數為1～10的基團，尤其以甲基、乙基、正丙基、正丁基等的碳原子數1～5之烷基；苯基、甲苯基等的碳原子數6～10之芳基為佳，甲基、乙基、苯基為較佳。 此外，上述R4 的一價烴基也與R1 同樣地，鍵結於碳原子的氫原子的一部分或全部可被上述其他取代基取代。
在(C)成分中，(a)由上述一般式(2)所表示的單元(MA 單元)、(b)R4 3 SiO1/2 單元(M單元)及(c)SiO4/2 單元(Q單元)的莫耳比為MA 單元+M單元：Q單元=0.4～1.2:1，若MA 單元＋M單元的莫耳比未達0.4，則組成物的黏度變得非常高，若超過1.2，則會有硬化物的力學特性降低的情形。 若考慮使組成物的黏度及硬化物的力學特性在較適當的範圍，則MA 單元＋M單元與Q單元的莫耳比，以MA 單元+M單元：Q單元=0.6～1.2:1為佳。
另外，藉由MA 單元與M單元的莫耳比，可調節硬化物的橡膠物性。從硬化物強度的觀點看來，以MA 單元：M單元=0.01～1:1為佳，MA 單元：M單元=0.05～0.5:1為較佳。
(C)成分的有機聚矽氧烷樹脂的添加量，相對於上述(A)100質量份，在1～1,000質量份的範圍，宜為5～500質量份，較佳為10～200質量份。若未達1質量份，則硬化物的橡膠強度變低，若超過1,000質量份，則黏著力會降低。
(D)光聚合起始劑 可使用的光聚合起始劑的具體例子，可列舉2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮(BASF製的Irgacure 651)、1-羥基-環己基-苯基酮(BASF製Irgacure 184)、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF製Irgacure 1173)、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF製的Irgacure 127)、苯基乙醛酸甲酯(BASF製的Irgacure MBF)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮(BASF製的Irgacure 907)、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-1-丁酮(BASF製的Irgacure 369)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦(BASF製的Irgacure 819)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦(BASF製的Irgacure TPO)等，這些可單獨使用或將兩種以上組合使用。 這些之中，從與(A)成分的相溶性的觀點看來，2,2-二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF製的Irgacure 1173)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦(BASF製的Irgacure 819)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦(BASF製的Irgacure TPO)為佳。
光聚合起始劑的添加量，相對於(A)100質量份，在0.01～20質量份的範圍。若未達0.01質量份，則硬化性不足，若超過20質量份，則深部硬化性惡化。
(E)微粉末二氧化矽 (E)成分之微粉末二氧化矽，主要是調整組成物黏度的任意成分，可列舉發煙二氧化矽(乾式二氧化矽)或沉澱二氧化矽(濕式二氧化矽)，以發煙二氧化矽(乾式二氧化矽)為佳。另外，藉由摻合(E)成分，也會有進一步提高硬化物的硬度，抑制移送微小構造體或零件等時的位置偏移的效果。 (E)成分的比表面積並未受到特別限定，以50～400m2 /g為佳，100～350m2 /g為較佳。若比表面積未達50m2 /g，則會有組成物的搖變性不足的情形，另外，若超過400m2 /g，則會有組成物黏度變得過高，操作性變差的情形。此外，比表面積是藉由BET法所得到的測定值。 該(E)成分之微粉末二氧化矽可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
這些微粉末二氧化矽可直接使用，然而亦可使用以表面疏水化處理劑處理的微粉末二氧化矽。 此情況下，可使用預先以表面處理劑處理的微粉末二氧化矽，或可在混練微粉末二氧化矽時添加表面處理劑，同時進行混練與表面處理。 這些表面處理劑，可列舉烷基烷氧基矽烷、烷基氯矽烷、烷基矽氮烷、矽烷偶合劑等，這些可單獨使用一種，或可同時或在不同時機使用兩種以上。
紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物之中，在使用(E)成分的情況，其添加量，相對於上述(A)成分100質量份，以在1～200質量份的範圍為佳，5～150質量份為較佳，10～100質量份為更佳。
(F)抗靜電劑 (F)成分之抗靜電劑，是具有降低表面電阻率，對材料賦予抗靜電性的作用的任意成分。抗靜電劑可列舉鹼金屬或鹼土類金屬之鹽、或離子液體。此處，離子液體，是指在室溫(25℃)下為液體的熔融鹽，被稱為常溫熔融鹽，尤其是指熔點在50℃以下者。宜為-100～30℃，較佳為 -50～20℃的離子液體。這種離子液體具有沒有蒸氣壓(非揮發性)、高耐熱性、不燃性、化學安定等的特性。
鹼金屬或鹼土類金屬的鹽，可列舉例如鋰、鈉、鉀等的鹼金屬的鹽；鈣、鋇等的鹼土類金屬的鹽等。其具體例子，可列舉LiClO4 、LiCF3 SO3 、LiN(CF3 SO2 )2 、LiAsF6 、LiCl、NaSCN、KSCN、NaCl、NaI、KI等的鹼金屬鹽；Ca(ClO4 )2 、Ba(ClO4 )2 等的鹼土類金屬鹽等。 這些之中，從低電阻值與溶解度的觀點看來，以LiClO4 、LiCF3 SO3 、LiN(CF3 SO2 )2 、LiAsF6 、LiCl等的鋰鹽為佳，LiCF3 SO3 、LiN(CF3 SO2 )2 為特佳。
離子液體是由四級銨陽離子與陰離子所形成。此四級銨陽離子為咪唑鎓、吡啶鎓或式：R6 4 N+ [式中，R6 互相獨立，為氫原子或碳原子數1～20的有機基]所表示的陽離子的任一形態。
上述R6 所表示的有機基的具體例子，可列舉碳原子數1～20的一價烴基、烷氧基烷基等，較具體而言，可列舉甲基、戊基、己基、庚基等的烷基；苯基、甲苯基、茬基、萘基等的芳基；苄基、苯乙基等的芳烷基、環戊基、環己基、環辛基等的環烷基；乙氧基乙基 (-CH2 CH2 OCH2 CH3 )等的烷氧基烷基等。此外，R6 所表示的有機基之中的兩個可鍵結而形成環狀構造，此情況下，兩個R6 會一起形成二價有機基。該二價有機基的主鏈，可僅由碳來構成，其中亦可含有氧原子、氮原子等的雜原子。具體而言，可列舉例如二價烴基[例如碳原子數3～10之伸烷基]、式：-(CH2 )c -O-(CH2 )d -[式中，c為1～5之整數，d為1～5之整數，c+d為4～10之整數]等。
上述R6 4 N+ 所表示的陽離子的具體例子，可列舉甲基三正辛基銨陽離子、乙氧基乙基甲基吡咯烷鎓陽離子、乙氧基乙基甲基嗎啉鎓陽離子等。
上述陰離子並無特別限制，例如以AlCl4 - 、Al3 Cl10 - 、Al2 Cl7 - 、ClO4 - 、PF6 - 、BF4 - 、CF3 SO3 - 、 (CF3 SO2 )2 N- 、(CF3 SO2 )3 C- 為佳，PF6 - 、BF4 - 、CF3 SO3 - 、 (CF3 SO2 )2 N- 為較佳。
上述抗靜電劑可單獨使用一種或兩種以上組合使用。 (F)成分的摻合量，從抗靜電性及耐熱性的觀點看來，相對於上述(A)成分100質量份，宜為0.001～10質量份，較佳為0.005～10質量份。
關於由紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物所得到的硬化物的抗靜電性能，使用電荷衰減測試儀( SHISHIDO靜電氣股份有限公司製)對硬化物表面電暈放電，充靜電6kV之後，其帶電壓變成一半的時間(半衰期)，以2分鐘以內為佳，1分鐘以內為較佳。
此外，如上述般，紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物不含非交聯性的有機聚矽氧烷樹脂。若含有非交聯性的有機聚矽氧烷樹脂，則黏著物會附著於微小構造體，而為不佳。 這種有機聚矽氧烷樹脂，可列舉一般作為對硬化物賦予黏著性的成分所使用之包含(d)R4 3 SiO1/2 單元(R4 表示與上述相同意思)與(e)SiO4/2 單元且(d)單元與(e)單元的莫耳比在0.4～1.2:1的範圍之有機聚矽氧烷樹脂等。 另外，紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物中，在不損及本發明效果的範圍，可摻合色料(顏料或染料)、矽烷偶合劑、接著助劑、聚合禁止劑、抗氧化劑、作為耐光性安定劑的紫外線吸收劑、光安定化劑等的添加劑。 另外，紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物可與其他樹脂組成物適當地混合使用。
紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物，可將上述(A)～(D)成分以及因應必要(E)成分、(F)成分及其他成分依照任意順序混合，並加以攪拌等而得到。攪拌等的操作所使用的裝置並未受到特別限定，可使用擂潰機、三輥機、球磨機、行星式攪拌機等。另外還可將這些裝置適當地組合。
紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的黏度，從塗佈時的成型性或操作性的觀點看來，使用旋轉黏度計在23℃下測得的黏度以5,000Pa･s以下為佳，3,000Pa･s以下為較佳，1,500Pa･s以下更佳。若超過5,000Pa･s，則會有操作性顯著變差的情形。
紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物，藉由照射紫外線會迅速硬化。 此情況下，所照射的紫外線的光源，可列舉例如UVLED燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、碳弧燈、氙燈等。 紫外線的照射量(累計光量)，例如對於使本發明的組成物成形為厚度2.0mm左右的薄片而言，宜為1～10,000 mJ/cm2 ，較佳為10～8,000mJ/cm2 。亦即，在使用照度100 mW/cm2 的紫外線的情況，只要照射紫外線0.01～100秒左右即可。 在本發明中，藉由紫外線照射所得到的硬化物的黏著力並未受到特別限定，若考慮移送物的剝離性與保持性的平衡，則以0.001～100MPa為佳，0.01～50MPa為較佳。
由上述紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物所形成的硬化物，若考慮使其在成型時或移送Micro LED或元件等的微細零件時不發生凝集破壞，則厚度2.0mm時的拉伸強度(JIS-K6249:2003)以1MPa以上為佳，2MPa以上為較佳。
在前述(vi)的安裝方法的步驟中，由藉由前述微小構造體之移載方法所移載的暫時固定多個微小構造體的施體基板選擇拾取任意微小構造體的方法，除了真空吸附之外，還可列舉例如圖4(B)所示般，將暫時固定於施體基板的多個微小構造體2與在印章基板31上具備由紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物所形成的黏著層32的微小構造體轉印用印章30貼合，如圖4(C)所示般，由前述施體基板11將多個微小構造體2的一部分或全部分離，並拾取至黏著層32的方法。 貼合時，只要多個微小構造體能夠移送至前述黏著層，則沒有受到特別限制，例如以施加宜為0.1～3.0 MPa，較佳為0.2～2.0MPa的荷重來進行貼合為佳。 拾取時，以紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力比前述施體基板之聚矽氧系橡膠層的黏著力還強為佳。具體而言，希望紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力比前述施體基板之聚矽氧系橡膠層的黏著力還強，宜為強0.1～2.0MPa，較佳為0.2～15MPa，更佳為0.2～1.0MPa。藉此，在由暫時固定多個微小構造體的施體基板選擇性地拾取任意微小構造體的情況，不須要用來將多個微小構造體由施體基板分離的其他步驟，可瞬間黏著。
(vii)將藉由前述微小構造體轉印用印章所拾取的微小構造體移載至電路基板上的所希望的位置，將前述微小構造體與電路基板接合的步驟 藉由微小構造體轉印用印章所拾取的微小構造體會被移載至電路基板上的所希望的位置。 被移載的微小構造體2如圖5(A)所示般，會被供給黏著至應黏著電路基板40的微小構造體2的使用處，並與電路基板接合。接合方法可列舉導電性接著劑、焊接等。 移載時，以電路基板的拉伸強度比紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力還強為佳。具體而言，希望電路基板的拉伸強度比前述紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力還強，宜為強0.1MPa以上，較佳為0.2MPa以上。 藉此，在從暫時固定多個微小構造體之由紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物所形成的黏著層選擇性地移載任意微小構造體的情況，不須要用來由前述黏著層將多個微小構造體分離的其他步驟，可瞬間黏著。
此處，電路基板只要是根據既定電路設計，在絕緣基板的表面或表面與其內部形成由具有連接零件之間所需的導電性的材料所形成的圖型，則並無特別限制。另外，電路基板可為剛性高的硬質基板或可彎曲的可撓基板，背板亦包括在內。 此外，所拾取的微小構造體，可因應必要在如上述般移載至電路基板前，在移送至其他中間基板之後，移載至電路基板。
(viii)由前述微小構造體轉印用印章將前述拾取的微小構造體分離，並安裝至前述電路基板的步驟 在將前述微小構造體與電路基板接合之後，如圖5(B)所示般，使印章30由電路基板40離開。 [實施例]
以下揭示實施例對本發明作具體說明，然而本發明不受下述實施例限制。此外在下述式中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
在作為供給基板且外徑4英吋、厚度530μm的藍寶石基板上形成波長450nm的藍色Micro LED。 LED磊晶構造，是藉由MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法，在藍寶石基板上，依照低溫GaN緩衝層、n型接觸GaN層、n披覆AlInGaN層、活性層(調整成波長450nm的InGaN多重量子井層)、p型AlInGaN披覆層、p型接觸層的順序層合。 以上的磊晶成長結束後，進行LED的活性化退火，在最上層的P型接觸層的表面形成既定形狀光罩，蝕刻至n型接觸層的表面露出。蝕刻後，在n型接觸層的表面形成由Ti/Al所形成的n電極，在p型接觸層的表面形成由Ni/Au所形成的p電極。形成電極後，藉由雷射對晶圓實行元件分離，成為30μm×15μm見方的晶片，得到一面形成多個Micro LED的藍寶石基板(供給基板)。
接下來，準備外徑6英吋、厚度1mm的合成石英玻璃晶圓作為施體基板。合成石英玻璃晶圓的厚度變動(TTV)為0.8μm，藉由白色干涉計以畫素數1240×1240對6.01mm×6.01mm的區域進行測定所得到的空間頻率1mm-1 以上的功率頻譜密度為1011 nm4 。 在該合成石英玻璃晶圓上塗佈信越化學工業股份有限公司製的SIM-360並使厚度成為20μm，置於加熱爐中並在150℃下使其硬化30分鐘，在合成石英玻璃晶圓上形成聚矽氧系橡膠層。 將前述藍寶石基板置於施體基板上並且使形成於前述藍寶石基板的多個Micro LED與前述聚矽氧系橡膠層相接，以0.12MPa均勻地施加荷重。 將成為一體的藍寶石基板與施體基板設置於雷射剝離裝置，並從與形成Micro LED的一面相反側的一面的藍寶石基板側照射KrF準分子雷射(波長248nm)。基板的基座是以雷射光可掃描基板全面的方式來驅動。 若將藍寶石基板與施體基板由雷射剝離裝置取出，並使藍寶石基板往橫向滑移，則Micro LED可在附著於施體基板的狀態下由藍寶石基板卸下。在此步驟結束的時間點，全部的Micro LED由藍寶石基板被移送至施體基板，完全沒有由施體基板脫落的Micro LED。
然後，為了除去附著於Micro LED的金屬Ga，將暫時固定了Micro LED的施體基板設置於洗淨匣，在超高純度等級的濃鹽酸(10質量%)中，以每分鐘20衝程的上下運動洗淨5分鐘。在此步驟結束的時間點也完全沒有由施體基板脫落的Micro LED。另外，以施體基板表面為基準面，除去金屬Ga之後的Micro LED背面面內的高度變動為2μm以內。
然後，將裝有施體基板的匣盒移至純水槽，藉由10分鐘的純水溢流，將殘留的鹽酸藥液洗掉。在此步驟結束的時間點也完全沒有脫落的Micro LED。另外，以施體基板表面為基準面，除去金屬Ga之後的Micro LED背面面內的高度變動為2μm以內。
然後，將裝有施體基板的匣盒設置於乾燥空氣循環的乾燥機之中，以60℃的乾燥空氣進行乾燥30分鐘。在此步驟結束的時間點也完全沒有脫落的Micro LED。另外，以施體基板表面為基準面，除去金屬Ga之後的Micro LED背面面內的高度變動為2μm以內。
在使Micro LED朝上的狀態下將乾燥的施體基板設置於外觀檢查裝置，進行外觀檢查，將有破裂、缺損、電極構造不良等的晶片在此階段除去，然而完全沒有被配置成偏離施體基板的Micro LED。另外，以施體基板表面為基準面，除去金屬Ga之後的Micro LED背面面內的高度變動為2μm以內。
接下來的步驟中，使用以既定間隔形成凹凸的微小構造體轉印用印章，由施體基板任意選擇Micro LED，將其拾取並安裝至電路基板。 在基板上具備由紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物所形成的黏著層的微小構造體轉印用印章，是藉由在印章基板上進行模塑成型而得到。 準備厚度1.2mm、35mm×35mm的合成石英玻璃基板作為印章用基板。合成石英玻璃基板的厚度變動(TTV)為0.3μm，藉由白色干涉計以畫素數1240×1240對6.01mm×6.01mm的區域進行測定所得到的空間頻率1mm-1 以上的功率頻譜密度為1011 nm4 。
另一方面，紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物，是將作為(A)成分之由下述A-1所表示的有機聚矽氧烷100質量份、作為(C)成分之由下述C-1所表示的含有有機聚矽氧烷樹脂的二甲苯溶液160質量份混合，在減壓以及100℃下將二甲苯餾除之後，摻混作為(B)成分之丙烯酸異莰酯(共榮社化學股份有限公司製的LIGHT ACRYLATE IB-XA)20質量份及作為(D)成分之2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF Japan股份有限公司製的Irgacure 1173)2質量份，調製出紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物。
＜A-1＞
Figure 02_image013
＜C-1＞ 含有由下述式(6)所表示的含有甲基丙烯醯氧基的單元、ViMe2 SiO1/2 單元、Me3 SiO1/2 單元及SiO2 單元，且含有甲基丙烯醯氧基的單元/(ViMe2 SiO1/2 單元)/(Me3 SiO1/2 單元)/(SiO2 單元)的莫耳比為0.07/0.10/0.67/1.00之有機聚矽氧烷樹脂(數量平均分子量5,700)的50質量%二甲苯溶液。
Figure 02_image015
接下來，在合成石英玻璃基板與模具之間填滿前述紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物，使用EYE GRAPHICS股份有限公司製的EYE UV電子控制裝置(型號UBX0601-01)，在氮氣環境及室溫(25℃)下，以波長365nm的紫外光的照射量成為4,000mJ/cm2 的方式來照射紫外線，使其硬化之後，將模具脫模，而得到Micro LED轉印用印章。 在Micro LED背面以0.50MPa施加荷重來按壓前述印章的凸部，結果，被按壓之處的Micro LED會由施體基板離開而被拾取至Micro LED轉印用印章。 在以與Micro LED轉印用印章的凹凸相同間距形成了用來與Micro LED的電極電連接的電極的電路基板上，按壓拾取了Micro LED的凸部，Micro LED會被安裝至電路基板。
1:供給基板 2:微小構造體 2a:金屬鎵 11:施體基板 12:基板 13:聚矽氧系橡膠層 20:雷射光 30:微小構造體轉印用印章 31:印章基板 32:黏著層 40:電路基板
[圖1](A)為表示本發明之微小構造體之移載方法的一例之中，在供給基板形成了微小構造體的狀態的說明圖，(B)為表示將形成於供給基板的微小構造體與形成於施體基板的聚矽氧系橡膠層貼合的狀態的說明圖。 [圖2](A)為表示本發明之微小構造體之移載方法的一例之中，在將形成於供給基板的微小構造體與形成於施體基板的聚矽氧系橡膠層貼合的狀態下從供給基板側照射雷射光，使微小構造體與施體基板之聚矽氧橡膠層分離並進行移送的狀態的說明圖，(B)為表示微小構造體與施體基板分離並進行移送的狀態的說明圖。 [圖3]為表示在對氮化鎵微小構造體照射雷射光的情況，使氮化鎵熔化所分離出的金屬鎵附著於微小構造體的狀態說明圖。 [圖4](A)為表示微小構造體之安裝方法的一例之中，微小構造體轉印用印章的概要之說明圖，(B)為將暫時固定於施體基板的微小構造體貼合於微小構造體轉印用印章的狀態的說明圖，(C)為表示將微小構造體拾取至微小構造體轉印用印章的狀態的說明圖。 [圖5](A)為表示微小構造體之安裝方法的一例之中，拾取微小構造體並供給至電路基板的狀態的說明圖，(B)為使拾取後的微小構造體轉印用印章由電路基板離開的狀態的說明圖。

Claims (16)

  1. 一種微小構造體之移載方法，其係至少包含： (i)將形成於供給基板的一面的多個微小構造體與形成於施體基板上的聚矽氧系橡膠層貼合的步驟； (ii)由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，並透過前述聚矽氧系橡膠層移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟； (iii)將前述暫時固定多個微小構造體的施體基板洗淨或中和的步驟； (iv)將前述洗淨或中和後之暫時固定多個微小構造體的施體基板乾燥的步驟； (v)為了將前述乾燥後之暫時固定多個微小構造體的施體基板供應至接下來的步驟而移載的步驟。
  2. 如請求項1之微小構造體之移載方法，其中前述施體基板之基板為合成石英玻璃基板。
  3. 如請求項2之微小構造體之移載方法，其中前述合成石英玻璃基板為藉由白色干涉計以畫素數1240×1240對6.01mm×6.01mm的區域進行測定所得到的空間頻率1mm-1 以上的功率頻譜密度為1012 nm4 以下的合成石英玻璃基板。
  4. 如請求項1～3中任一項之微小構造體之移載方法，其中前述(i)中的貼合的步驟係施加0.01～5kPa的荷重來進行的步驟。
  5. 如請求項1～4中任一項之微小構造體之移載方法，其中前述步驟(ii)，係在將前述形成於供給基板的一面的多個微小構造體與施體基板上的聚矽氧系橡膠層貼合的狀態下從前述供給基板之與形成前述多個微小構造體的一面相反側的一面照射由脈衝振盪所產生的雷射光，由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部剝離，並移送至前述施體基板，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟。
  6. 如請求項5之微小構造體之移載方法，其中前述由脈衝振盪所產生的雷射光為KrF準分子雷射。
  7. 如請求項5或6之微小構造體之移載方法，其中前述供給基板為藍寶石基板。
  8. 如請求項5～7中任一項之微小構造體之移載方法，其中在前述步驟(ii)後進行的(iii)中的洗淨的步驟係藉由酸來洗淨的步驟。
  9. 如請求項8之微小構造體之移載方法，其中前述酸係由鹽酸、硝酸、硫酸所構成的群中選出的酸。
  10. 如請求項1～4中任一項之微小構造體之移載方法，其中前述步驟(ii)係藉由蝕刻前述供給基板，由前述供給基板將多個微小構造體的一部分或全部分離，並移送至前述施體基板的聚矽氧系橡膠層，而得到暫時固定多個微小構造體的施體基板的步驟。
  11. 如請求項10之微小構造體之移載方法，其中前述蝕刻為濕式蝕刻。
  12. 如請求項10或11之微小構造體之移載方法，其中前述供給基板為砷化鎵基板。
  13. 一種微小構造體之安裝方法，其係至少含有： (vi)使用在基板上具備由紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物所形成的黏著層之微小構造體轉印用印章(stamp)，從藉由如請求項5～9中任一項之微小構造體之移載方法所移載之暫時固定多個微小構造體的施體基板選擇性地拾取任意微小構造體的步驟； (vii)將藉由前述微小構造體轉印用印章所拾取的微小構造體移載至電路基板上的使用處，將前述微小構造體與電路基板接合的步驟； (viii)由前述微小構造體轉印用印章將前述所拾取的微小構造體分離，並安裝至前述電路基板的步驟。
  14. 如請求項13之微小構造體之安裝方法，其中在前述步驟(vi)之中，紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力比前述施體基板之聚矽氧系橡膠層的黏著力還強。
  15. 如請求項13或14之微小構造體之安裝方法，其中前述步驟(vi)中的紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物係含有： (A)一分子中具有兩個由下述一般式(1)所表示的基團之有機聚矽氧烷：100質量份、
    Figure 03_image001
    (式中，R1 互相獨立，表示碳原子數1～20的一價烴基，R2 表示氧原子或碳原子數1～20之伸烷基，R3 互相獨立，表示丙烯醯氧基烷基、甲基丙烯醯氧基烷基、丙烯醯氧基烷氧基、或甲基丙烯醯氧基烷氧基，p表示滿足0≦p≦10之數，a表示滿足1≦a≦3之數) (B)不含矽氧烷構造之單官能(甲基)丙烯酸酯化合物：1～200質量份、 (C)包含(a)由下述一般式(2)所表示的單元、
    Figure 03_image003
    (式中，R1 、R2 、R3 、a及p表示與前述相同意思) (b)R4 3 SiO1/2 單元(式中，R4 表示碳原子數1～10的一價烴基)及(c)SiO4/2 單元，(a)單元及(b)單元的合計與(c)單元的莫耳比在0.4～1.2:1的範圍之有機聚矽氧烷樹脂：1～1,000質量份及 (D)光聚合起始劑：0.01～20質量份 ，且不含非交聯性的有機聚矽氧烷樹脂之紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物。
  16. 如請求項13～15中任一項之微小構造體之安裝方法，其中在前述步驟(vii)之中，電路基板的拉伸強度比紫外線硬化型聚矽氧黏著劑組成物的硬化物的黏著力還強。
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