CN114365266A - 微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法 - Google Patents

微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法 Download PDF

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小川敬典
大堀敬司
上田修平
近藤和纪
小材利之
松本展明
北川太一
大竹滉平
川原实
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

根据微小结构体的转移方法，其至少包含：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。

Description

微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法
技术领域
本发明涉及微型发光二极管(以下也称为“微型LED”。)等微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法。
背景技术
近年来，对于以智能电话、液晶显示器、车载部件等为代表的电子设备，不仅需要高性能化，而且也同时要求节省空间化、节能化。根据这样的社会的要求，所搭载的电气电子部件也日益小型化·微细化，其组装工序也一年年地变得复杂，变得困难。
随着这样的微细化的元件的组装工序的复杂化，目前为止，进行了对每个工序更换适于各工序的粘着片，但具有作业性差、制造成本升高的问题。为了将其解决，在专利文献1中，提出了凹凸追随性、耐热性、耐化学品性全部优异、可在半导体晶片加工时的多个工序中使用的粘着片。
另外，在专利文献2中，提出了如下方法：通过使在蓝宝石基板生长的GaN外延晶片采用环氧系瞬间粘接剂与临时基板粘接，然后，采用激光剥离法使GaN层剥离，将与临时基板粘接的GaN外延晶片与导热·导电层接合，在高温下加热，从而临时基板脱落。如果使用该方法，能够得到从蓝宝石基板将GaN外延晶片剥离、将其转移至导热、导电优异的基板的器件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-59179号公报
专利文献2：日本特表2015-518265号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，专利文献1中的粘着片的压敏粘合剂层包含紫外线固化型压敏粘合剂，粘接和剥离需要紫外线照射，因此工序繁杂。另外，压敏粘合剂的固化条件和粘着强度依赖于光强度，因此其调整变得必要，根据其调整的不同，可能会发生所谓的压敏粘合剂残留和脱落导致的收率降低等问题。
另外，在专利文献2中，在粘接于临时基板的GaN外延晶片与热传导·导电层在高温下接合的过程中，使环氧系瞬间粘接剂碳化，临时基板脱落，因此如果目标的器件、材料不具有达到能够使环氧系瞬间粘接剂碳化的温度的耐热性，则不能使用。另外，由于高温状态而在晶片中发生翘曲、剥离时的粘接剂残留、其清洗变得必要等课题多。
本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法，其中，在微型LED等微小结构体的转移中，能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此不需要适于各工序的新的临时固定材料，并且不需要采用该临时固定材料的临时固定工序和其除去工序，因此能够在无工序数增加的情况下高精度、有效率地进行微小结构体的转移。
用于解决课题的手段
本发明人为了实现上述目的，进行了深入研究，结果发现：能够在没有增加工序数的情况下高精度、高效率地进行微型LED等微小结构体的转移的微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法，完成了本发明。
即，本发明提供：
1.微小结构体的转移方法，其至少包括：
(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；
(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；
(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；
(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；
(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，
2.根据1所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供体基板的基板为合成石英玻璃基板，
3.根据2所述的微小结构体的转移方法，其中，所述合成石英玻璃基板为对于6.01mm×6.01mm的区域采用白色干涉计以像素数1240×1240测定得到的空间频率1mm-1以上的功率谱密度为1012nm4以下的合成石英玻璃基板，
4.根据1～3中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(i)中的贴合的工序为施加0.01～5kPa的载荷而进行的工序，
5.根据1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为如下工序：通过在将在所述供给基板的一面形成的多个微小结构体与供体基板上的有机硅系橡胶层贴合的状态下，从所述供给基板的形成有所述多个微小结构体的面的相反侧的面照射脉冲振荡产生的激光，从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部剥离，转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板，
6.根据5所述的微小结构体的转移方法，其中，所述脉冲振荡产生的激光为KrF准分子激光，
7.根据5或6所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供给基板为蓝宝石基板，
8.根据5～7中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，在所述(ii)的工序后进行的(iii)中的清洗的工序为采用酸进行清洗的工序，
9.根据8所述的微小结构体的转移方法，其中，所述酸为选自盐酸、硝酸、硫酸中的酸，
10.根据1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为通过对于所述供给基板采用蚀刻将多个微小结构体的一部分或全部从所述供给基板分离、转移至所述供体基板的有机硅系橡胶层从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序，
11.根据10所述的微小结构体的转移方法，其中，所述蚀刻为湿法蚀刻，
12.根据10或11所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供给基板为砷化镓基板，
13.微小结构体的安装方法，其至少包含：
(vi)使用在基板上具备由紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物形成的粘着层的微小结构体转印用压模，从临时固定有采用根据5～9中任一项所述的微小结构体的转移方法转移的多个微小结构体的供体基板选择性地拾取任意的微小结构体的工序，
(vii)将采用所述微小结构体转印用压模拾取的微小结构体转移至电路基板上的所用的部位，将所述微小结构体与电路基板接合的工序，
(viii)从所述微小结构体转印用压模将所述拾取的微小结构体分离、安装于所述电路基板的工序，
14.根据13所述的微小结构体的安装方法，其中，在所述(vi)的工序中，紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力比所述供体基板的有机硅系橡胶层的粘着力要强，
15.根据13或14所述的微小结构体的安装方法，其中，所述(vi)的工序中的紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物是不含非交联性的有机聚硅氧烷树脂的紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物，并且含有：
(A)在1分子中具有2个由下述通式(1)表示的基团的有机聚硅氧烷：100质量份
[化1]
Figure BDA0003520426930000051
(式中，R1相互独立地表示碳原子数1～20的一价烃基，R2表示氧原子或碳原子数1～20的亚烷基，R3相互独立地表示丙烯酰氧基烷基、甲基丙烯酰氧基烷基、丙烯酰氧基烷氧基、或甲基丙烯酰氧基烷氧基，p表示满足0≤p≤10的数，a表示满足1≤a≤3的数。)
(B)不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物：1～200质量份，
(C)由(a)由下述通式(2)表示的单元、(b)R4 3SiO1/2单元(式中，R4表示碳原子数1～10的一价烃基)和(c)SiO4/2单元组成、(a)单元和(b)单元的合计与(c)单元的摩尔比在0.4～1.2：1的范围的有机聚硅氧烷树脂：1～1,000质量份，和
[化2]
Figure BDA0003520426930000052
(式中，R1、R2、R3、a和p表示与上述相同的含义。)
(D)光聚合引发剂：0.01～20质量份，
16.根据13～15中任一项所述的微小结构体的安装方法，其中，在所述(vii)的工序中，电路基板的拉伸强度强于紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力。
发明的效果
根据本发明的微小结构体的转移方法，能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此不需要适于各工序的新的临时固定材料、基板，并且不需要采用该临时固定材料的临时固定工序和其除去工序，因此使在无工序数的增加的情况下有效率地转移微小结构体成为可能。另外，在微小结构体与供体基板的贴合中，使用了有机硅系橡胶层，因此可瞬时地粘着，并且剥离时可进行没有所谓的粘接剂残留的剥离，因此可高精度地转移微小结构体。由此，能够高精度地、有效率地进行微小结构体的安装。
附图说明
图1的(A)为在本发明的微小结构体的转移方法的一例中表示在供给基板形成了微小结构体的状态的说明图，(B)为表示使在供给基板形成的微小结构体与在供体基板形成的有机硅系橡胶层贴合的状态的说明图。
图2的(A)为在本发明的微小结构体的转移方法的一例中表示在使在供给基板形成的微小结构体与在供体基板形成的有机硅系橡胶层贴合的状态下从供给基板侧照射激光以使微小结构体分离转移至供体基板的硅橡胶层的状态的说明图，(B)为表示微小结构体分离转移至供体基板的状态的说明图。
图3为在对氮化镓微小结构体激光照射的情况下表示使氮化镓熔融、分离的金属镓附着于微小结构体的状态的说明图。
图4的(A)为在微小结构体的安装方法的一例中表示微小结构体转印用压模的概要的说明图，(B)为使在供体基板临时固定的微小结构体与微小结构体转印用压模贴合的状态的说明图，(C)为表示将微小结构体被微小结构体转印用压模拾取的状态的说明图。
图5的(A)为在微小结构体的安装方法的一例中表示拾取微小结构体、供给于电路基板的状态的说明图，(B)为使拾取后的微小结构体转印用压模从电路基板分离的状态的说明图。
具体实施方式
以下对于本发明的微小结构体的转移方法，参照附图按照工序具体地说明。
(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在基板上包括有机硅系橡胶层的供体基板贴合的工序
在供给基板1，在一面形成了多个微小结构体2(图1(A))。
其中，作为用于供给基板的基板，例如可列举出蓝宝石基板、GaAs基板(砷化镓基板)、Si基板、SiC基板等，口径是任意的。
另外，作为微小结构体，可列举出微型发光二极管等发光二极管(以下也称为“LED”。)、功率半导体这样的分立半导体、逻辑IC、存储器IC等。
作为微小结构体，可列举出在供给基板上采用外延生长、离子注入、湿法蚀刻、干法蚀刻、蒸镀、电极形成等通常的半导体前工序中进行的工艺而具备作为器件的基本结构后采用直至将元件分离的深度的刀片切割、干法蚀刻、激光切割等常规方法分离而得到的元件等。
例如，在微小结构体为LED的情况下，在4英寸蓝宝石基板上具备缓冲层，形成3μm的N型GaN层，然后具备公知的发光层结构，准备将P型GaN堆积的合计外延厚度4μm的LED外延基板。然后，采用干法蚀刻局部地使N层露出后，采用公知的工艺，在P层上形成P型电极，以露出的N层接触的形式形成N型电极。然后，为了将规定的大小的LED元件分离，以至少到达蓝宝石基板、成为将元件完全分离的状态的方式进行激光切割，得到微小结构体。
另外，微小结构体的大小是任意的，例如在功率LED的情况下，为1mm方形左右的大小。此外，在LED元件的情况下，为300μm方形左右，在迷你LED的情况下，为100μm方形左右，在微型LED的情况下，为60μm方形以下左右，在极小尺寸的微型LED的情况下，为30μm方形以下。
再有，上述记载的微小结构体的形状为大致正方形的例子，但本发明中并不限于此。例如，在微型LED的情况下，可为一边为30～60μm、另一边为10～30μm的长方形的形状。
另外，微小结构体的厚度取决于在供给基板上的外延生长厚度，并无特别限制，优选为3～10μm左右。
另一方面，供体基板11如图1(B)中所示那样，在基板12上具备有机硅系橡胶层13。
其中，作为用于供体基板的基板，例如可列举出合成石英玻璃基板、浮法玻璃等，特别从平坦性的观点出发，优选合成石英玻璃基板。
另外，用于供体基板的基板的大小优选与使用的供给基板的口径相同或者比其大。具体地，在使用外径为4英寸的蓝宝石基板作为供给基板的情况下，能够使用外径为4～8英寸的供体基板。
为了将多个微小结构体的一部分或全部从供给基板可靠地向供体基板转移，在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在基板上具备有机硅系橡胶层的供体基板的贴合中，优选将各个微小结构体在供体基板的有机硅系橡胶层暂时地均匀地临时固定的状态。
为了这样使微小结构体高精度地临时固定，就供体基板用的基板而言，优选对于6.01mm×6.01mm的区域，采用白色干涉计在像素数1240×1240中测定得到的空间频率1mm-1以上的功率谱密度为1012nm4以下，特别是微小结构体为微型LED的情况下，如果考虑微小结构体间的距离，优选对于6.01mm×6.01mm的区域，采用白色干涉计在像素数1240×1240中测定得到的空间频率10mm-1以上且50mm-1以下的功率谱密度为109nm4以下。
另外，就供体基板而言，为了使微小结构体高精度地临时固定，供体基板用的基板优选厚度偏差小。例如，采用(株)沟尻光学工业所制造的波长变换斐索式平面度测试仪测定的厚度偏差(TTV)优选为2μm以下，更优选为1μm以下，进一步优选为0.5μm以下。
形成有机硅系橡胶层的有机硅系橡胶优选可瞬时地粘着并且可进行没有所谓的粘接剂残留的剥离，例如可列举出信越化学工业(株)制的SIM系列，特别从固化时间的观点出发，可列举出SIM-360、STP系列等有机硅系橡胶组合物等。
例如通过采用旋涂将上述有机硅系橡胶组合物涂布以成为优选1～200μm、更优选5～100μm、进一步优选10～50μm的厚度，优选在20～200℃下放入加热炉中5～90分钟进行固化，从而形成有机硅系橡胶层。
特别地，LED由单晶材料构成，如果变得小而薄，则容易产生裂纹、缺损。因此，如果用固化型粘接剂等粘接，则由于来自材料的应力，有时产生裂纹、缺损。而本发明这样的橡胶层的情况下，利用橡胶层的表面粘性而贴合，因此没有施加应力，收率提高。
在供给基板的一面形成的多个微小结构体与供体基板的有机硅系橡胶层的贴合只要能够将多个微小结构体转移至有机硅系橡胶层，则并无特别限制，例如，优选施加优选0.05～1.0MPa、更优选0.10～0.5MPa的载荷而进行贴合。
(ii)通过从上述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离，经由上述有机硅系橡胶层转移至上述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序
作为通过从上述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由上述有机硅系橡胶层转移至上述供体基板从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的方法，有激光剥离(laser lift off)法和蚀刻法的大致2个方法。
在采用激光剥离法的情况下，如图2(A)中所示那样，在使在上述供给基板1的一面形成的多个微小结构体2与供体基板11的有机硅系橡胶层13贴合的状态下，从上述供给基板1中的形成了上述多个微小结构体2的面的相反侧的面照射脉冲振荡产生的激光20，得到从上述供给基板1将多个微小结构体2临时固定于有机硅系橡胶层13的供体基板(图2(B))。
例如，在固定于蓝宝石基板等供给基板的氮化镓微小结构体的情况下，采用准分子激光、YAG激光等激光的照射，照射部分的氮化镓熔融，将氮化镓微小结构体从供给基板剥离。这种情况下，特别是在微型LED中，从微小结构体的可靠性的观点出发，优选KrF准分子激光。
具体地，选择性地照射激光，在成为选择对象的微小结构体与供给基板的界面发生激光烧蚀。由此，在成为选择对象的微小结构体与供给基板之间，例如在氮化镓微小结构体的情况下，氮化镓分解为金属镓和氮，产生气体，微小结构体能够比较简单地剥离。
另一方面，在采用蚀刻法的情况下，通过对于上述供给基板，采用蚀刻从上述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离，转移至上述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板。例如，在采用砷化镓固定于供给基板的微小结构体的情况下，通过使用氨和过氧化氢水的混合液对供给基板进行湿法蚀刻，从而微小结构体从供给基板剥离。
(iii)对临时固定有上述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序
对临时固定有上述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序根据从上述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离的方法，清洗或中和的工序不同。
具体地，在采用激光剥离法的情况下，采用酸进行清洗，例如，在氮化镓微小结构体的情况下，对附着于微小结构体的背面的金属镓2a进行清洗(图3)。
其中，用于清洗的酸只要能够将附着于微小结构体的背面的金属清洗，则并无特别限制，优选选自盐酸、硝酸、硫酸中的强酸。
另一方面，在采用蚀刻法的情况下，例如，在采用氨水和过氧化氢水的混合溶液(APM)对GaAs基板进行蚀刻的情况下，采用纯水进行清洗。
再有，优选根据使用的蚀刻剂的种类在清洗工序前设置中和工序。例如，优选的是：在使用了碱性的蚀刻剂的情况下引入采用酸性的溶液的中和工序，在使用了酸性的蚀刻剂的情况下引入采用碱性的溶液的中和工序。具体地，对于Si基板，在使用了氢氟酸和硝酸作为蚀刻剂的情况下，优选采用氨水进行中和。而且，在中和工序结束后，优选进行纯水清洗。
另外，作为上述以外的方法，也能够采用机械的方法将供给基板除去。例如，可采用在供给基板与微小结构体之间放入刃具以机械地剥离的方法、从供给基板侧通过磨削将供给基板削除的方法。
在本发明中，在所有的分离方法中，在清洗或中和的工序中，微小结构体都没有分离地临时固定于供体基板，因此能够省去替换为另外的基板等的麻烦。并且，不会有与替换相伴的微小结构体的脱落，能够使高度的偏差满足于优选小于或等于10μm、更优选小于或等于5μm、进一步优选小于或等于2μm。
(iv)对上述清洗后的临时固定有多个微小结构体的供体基板进行干燥的工序
清洗工序后的临时固定有多个微小结构体的供体基板在没有替换为另外的基板等的情况下临时固定的状态下，采用常规方法进行干燥。具体地，在60～100℃的干燥空气中，干燥10～60分钟。
(v)为了将上述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序
上述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板在临时固定的状态下转移以进一步供于下一工序。
其次，对于微小结构体的安装方法，按照工序具体地说明。
(vi)使用在压模基板上具备紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的微小结构体转印用压模，从采用上述转移方法转移的临时固定有多个微小结构体的供体基板，选择性地拾取任意的微小结构体的工序
微小结构体转印用压模30如图4(A)中所示那样，在压模基板31上具备紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物作为粘着层32。
其中，作为用于微小结构体转印用压模的压模基板，例如可列举出塑料膜、浮法玻璃、合成石英玻璃、铝、铜、不锈钢等金属等。对于厚度、种类等，也无特别限制，可以是进行了化学增强处理等的基板。
特别在用于将以规定间隔分离的多个微小结构体同时拾取的微型LED的情况下，基板表面的形状变得重要，因此优选合成石英玻璃基板。这种情况下，合成石英玻璃基板的功率谱密度和厚度偏差优选与用作上述供体基板的合成玻璃基板相同。
再有，为了提高压模基板与紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的密合性，可使用对压模基板预先实施了底漆处理、等离子体处理等的产物。为了抑制微小结构体的拾取时的位置偏离，提高拾取精度，优选使用平坦度高的合成石英玻璃基板。
能够使用如下的紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物，其含有：(A)在1分子中具有2个由下述通式(1)表示的基团的有机聚硅氧烷：100质量份，(B)不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物：1～200质量份，(C)(a)由下述通式(2)表示的单元、(b)R4 3SiO1/2单元(式中，R4表示碳原子数1～10的一价烃基。)和(c)SiO4/2单元组成、(c)单元相对于(a)单元和(b)单元的合计的摩尔比在0.4～1.2：1的范围的有机聚硅氧烷树脂：1～1,000质量份，和(D)光聚合引发剂：0.01～20质量份，不含非交联性的有机聚硅氧烷树脂。
如果对该紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的上述成分详细说明，则如下所述。
(A)有机聚硅氧烷
(A)成分为本组合物的交联成分，是在1分子中具有2个由下述通式(1)表示的基团、主链基本上由二有机硅氧烷重复单元组成的有机聚硅氧烷。
[化3]
Figure BDA0003520426930000131
式(1)中，R1相互独立地表示碳原子数1～20的一价烃基，优选表示不包括脂肪族不饱和基团的碳原子数1～10、更优选1～8的一价烃基，R2表示氧原子或碳原子数1～20、优选1～10、更优选1～5的亚烷基，R3相互独立地表示丙烯酰氧基烷基、甲基丙烯酰氧基烷基、丙烯酰氧基烷氧基、或甲基丙烯酰氧基烷氧基，p表示满足0≤p≤10的数，a表示满足1≤a≤3的数。
式(1)中，R1的碳原子数1～20的一价烃基可为直链状、分支链状、环状的任一种，作为其具体例，可列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正己基、环己基、正辛基、2-乙基己基、正癸基等烷基；乙烯基、烯丙基(2-丙烯基)、1-丙烯基、异丙烯基、丁烯基等烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯基乙基、苯基丙基等芳烷基等。
另外，这些一价烃基的与碳原子结合的氢原子的一部分或全部可被其他的取代基取代，作为其具体例，可列举出氯甲基、溴乙基、三氟丙基等卤素取代烃基、氰基乙基等氰基取代烃基等。
这些中，作为R1，优选碳原子数1～5的烷基、苯基，更优选甲基、乙基、苯基。
另外，就R2的碳原子数1～20的亚烷基而言，直链状、分支链状、环状均可，作为其具体例，可列举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、三亚甲基、四亚甲基、异亚丁基、五亚甲基、六亚甲基、亚环己基、七亚甲基、八亚甲基、九亚甲基、亚癸基等。
这些中，作为R2，优选氧原子、亚甲基、亚乙基、三亚甲基，更优选氧原子或亚乙基。
进而，作为R3的丙烯酰氧基烷基、甲基丙烯酰氧基烷基、丙烯酰氧基烷氧基、或甲基丙烯酰氧基烷氧基中的烷基(亚烷基)的碳数，并无特别限定，优选1～10，更优选1～5。作为这些烷基的具体例，可列举出上述R1中例示的基团中碳原子数1～10的基团。
作为R3的具体例，可列举出由下述式表示的基团，但并不限定于这些。
[化4]
Figure BDA0003520426930000141
(式中，b表示满足1≤b≤4的数，R5表示碳原子数1～10的亚烷基。)
上述p表示满足0≤p≤10的数，优选0或1，a表示满足1≤a≤3的数，优选1或2。
(A)成分的有机聚硅氧烷分子中的由上述通式(1)表示的基团的结合位置可为分子链末端，也可为分子链非末端(即，分子链中途或分子链侧链)，或者可为这两者，从柔软性的方面出发，优选只存在于末端。
在(A)成分的有机聚硅氧烷分子中，由上述通式(1)表示的基团以外的与硅原子结合的有机基团例如可列举出与上述R1同样的基团，特别优选不包括脂肪族不饱和基团的碳数1～12、优选1～10的一价烃基。
作为它们的具体例，可列举出与上述R1中例示的基团同样的基团，从合成的简便性出发，优选烷基、芳基、卤代烷基，更优选甲基、苯基、三氟丙基。
另外，(A)成分的分子结构为基本上主链由二有机硅氧烷重复单元构成的直链状或分支链状(包含在主链的一部分具有分支的直链状。)，特别优选分子链两末端用由上述通式(1)表示的基团封端的直链状的二有机聚硅氧烷。
(A)成分可为具有这些分子结构的单一的聚合物、由这些分子结构构成的共聚物、或这些聚合物的2种以上的混合物。
就(A)成分的有机聚硅氧烷的25℃下的粘度而言，如果考虑进一步提高组合物的作业性、固化物的力学特性，优选10～100,000mPa·s，更优选10～50,000mPa·s。该粘度范围通常在直链状有机聚硅氧烷的情况下，用数均聚合度表示，相当于约10～2,000、优选约50～1,100左右。再有，在本发明中，粘度能够采用旋转粘度计(例如BL型、BH型、BS型、锥板型、流变仪等)测定(下同)。
在本发明中，聚合度(或分子量)例如能够以甲苯等作为洗脱溶剂、作为凝胶渗透色谱(GPC)分析中的聚苯乙烯换算的数均聚合度(或数均分子量)而求出(下同)。
作为(A)成分的有机聚硅氧烷的具体例，可列举出由下述(3)～(5)表示的实例，但并不限定于这些。
[化5]
Figure BDA0003520426930000161
(式中，R1、R5和b表示与上述相同的含义，Me表示甲基，n为使上述有机聚硅氧烷的粘度成为上述值的数，优选1～800，更优选50～600。)
这样的有机聚硅氧烷能够采用公知的方法制造。例如，由上述式(3)表示的聚硅氧烷能够通过使两末端二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端二甲基硅氧烷-二苯基硅氧烷共聚物与氯二甲基硅烷的氢化硅烷化反应产物与丙烯酸2-羟基乙酯反应而得到。
由上述式(4)表示的有机聚硅氧烷作为两末端二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷-二苯基硅氧烷共聚物与甲基丙烯酸3-(1,1,3,3-四甲基二硅氧烷基)丙酯(CASNo.96474-12-3)的氢化硅烷化反应产物得到。
由上述式(5)表示的有机聚硅氧烷能够通过使两末端二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷-二苯基硅氧烷共聚物与二氯甲基硅烷的氢化硅烷化反应产物与丙烯酸2-羟基乙酯反应而得到。
(B)不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物
作为不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物(B)的具体例，可列举出丙烯酸异戊酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、乙氧基-二甘醇丙烯酸酯、甲氧基-三甘醇丙烯酸酯、2-乙基己基-二甘醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯、苯氧基二甘醇丙烯酸酯、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸异冰片酯等，这些可单独使用，也可将2种以上混合使用。
这些中，特别优选丙烯酸异冰片酯。
就上述(B)成分的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物的添加量而言，相对于100质量份的(A)成分，为1～200质量份的范围。如果(B)成分的添加量相对于100质量份的(A)成分，不到1质量份，则组合物的固化性、固化物的强度、粘着性不足。另一方面，通过增加(B)成分的添加量，从而能够调整组合物整体的粘度，如果添加量相对于100质量份的(A)成分，超过200质量份，则不再获得所期望的粘着性。
特别地，就(B)成分的添加量而言，相对于100质量份的(A)成分，优选5～100质量份。
(C)有机聚硅氧烷树脂
(C)成分为本组合物的交联成分之一，是由(a)由下述通式(2)表示的单元(MA单元)、(b)R4 3SiO1/2单元(M单元)和(c)SiO4/2单元(Q单元)组成的具有含有(甲基)丙烯酰氧基的基团的有机聚硅氧烷树脂。再有，R4表示碳原子数1～10的一价烃基。
[化6]
Figure BDA0003520426930000171
(式中，R1、R2、R3、a和p表示与上述相同的含义。)
作为R4的碳原子数1～10的一价烃基的具体例，可列举出上述R1中例示的基团中碳原子数1～10的基团，其中优选甲基、乙基、正丙基、正丁基等碳原子数1～5的烷基；苯基、甲苯基等碳原子数6～10的芳基，更优选甲基、乙基、苯基。
再有，上述R4的一价烃基也与R1同样地，与碳原子结合的氢原子的一部分或全部可被上述的其他取代基取代。
在(C)成分中，(a)由上述通式(2)表示的单元(MA单元)、(b)R4 3SiO1/2单元(M单元)和(c)SiO4/2单元(Q单元)的摩尔比为MA单元+M单元：Q单元＝0.4～1.2：1，如果MA单元+M单元的摩尔比不到0.4，则组合物的粘度变得非常高，如果超过1.2，有时固化物的力学特性降低。
如果考虑使组合物的粘度和固化物的力学特性成为更为适当的范围，MA单元+M单元与Q单元的摩尔比优选MA单元+M单元：Q单元＝0.6～1.2：1。
另外，能够采用MA单元与M单元的摩尔比来调节固化物的橡胶物性。从固化物的强度的观点出发，优选MA单元：M单元＝0.01～1：1，更优选MA单元：M单元＝0.05～0.5：1。
就(C)成分的有机聚硅氧烷树脂的添加量而言，相对于上述(A)100质量份，为1～1,000质量份的范围，优选为5～500质量份，更优选为10～200质量份。如果不到1质量份，则固化物的橡胶强度降低，如果超过1,000质量份，则粘着力降低。
(D)光聚合引发剂
作为可使用的光聚合引发剂的具体例，可列举出2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮(BASF制Irgacure 651)、1-羟基-环己基-苯基-酮(BASF制Irgacure 184)、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF制Irgacure 1173)、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF制Irgacure127)、苯基乙醛酸甲酯(BASF制Irgacure MBF)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮(BASF制Irgacure 907)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮(BASF制Irgacure 369)、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦(BASF制Irgacure 819)、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦(BASF制Irgacure TPO)等，这些可单独使用，也可将2种以上组合使用。
这些中，从与(A)成分的相容性的观点出发，优选2,2-二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF制Irgacure 1173)、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦(BASF制Irgacure 819)、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦(BASF制IrgacureTPO)。
就光聚合引发剂的添加量而言，相对于(A)100质量份，为0.01～20质量份的范围。如果不到0.01质量份，则固化性不足，如果超过20质量份，则深部固化性恶化。
(E)微粉末二氧化硅
(E)成分的微粉末二氧化硅为主要调整组合物的粘度的任选成分，可列举出气相法二氧化硅(干法二氧化硅)、沉淀二氧化硅(湿法二氧化硅)，优选气相法二氧化硅(干法二氧化硅)。另外，通过配合(E)成分，从而进一步提高固化物的硬度，也具有抑制转移微小结构体、部件等时的位置偏离的效果。
对(E)成分的比表面积并无特别限定，优选50～400m2/g，更优选100～350m2/g。如果比表面积不到50m2/g，有时组合物的触变性变得不充分，另外，如果超过400m2/g，则组合物的粘度变得过高，有时作业性变差。再有，比表面积为采用BET法得到的测定值。
该(E)成分的微粉末二氧化硅可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。
这些微粉末二氧化硅可直接使用，也可使用由表面疏水化处理剂处理过的产物。
这种情况下，可使用预先用表面处理剂处理过的微粉末二氧化硅，也可在微粉末二氧化硅的混炼时添加表面处理剂，同时进行混炼和表面处理。
就这些表面处理剂而言，可列举出烷基烷氧基硅烷、烷基氯硅烷、烷基硅氮烷、硅烷偶联剂等，这些可单独使用1种，也可将2种以上同时地或以不同的时刻使用。
在紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物中使用了(E)成分的情况下，就其添加量而言，相对于上述(A)成分100质量份，优选1～200质量份的范围，更优选5～150质量份，进一步优选10～100质量份。
(F)抗静电剂
(F)成分的抗静电剂为具有使表面电阻率降低、对材料赋予抗静电性的作用的任选成分。作为抗静电剂，可列举出碱金属或碱土类金属的盐、或离子液体。其中，所谓离子液体，是室温(25℃)下为液体的熔融盐，也称为常温熔融盐，特别是指熔点为50℃以下的熔融盐。优选是指熔点为-100～30℃的熔融盐，更优选是指熔点为-50～20℃的熔融盐。这样的离子液体具有无蒸气压(不挥发性)、高耐热性、不燃性、化学上稳定等特性。
作为碱金属或碱土类金属的盐，例如可列举出锂、钠、钾等碱金属的盐；钙、钡等碱土类金属的盐等。作为它们的具体例，可列举出LiClO4、LiCF3SO3、LiN(CF3SO2)2、LiAsF6、LiCl、NaSCN、KSCN、NaCl、NaI、KI等碱金属盐；Ca(ClO4)2、Ba(ClO4)2等碱土类金属盐等。
这些中，从低电阻值和溶解度的方面出发，优选LiClO4、LiCF3SO3、LiN(CF3SO2)2、LiAsF6、LiCl等锂盐，特别优选LiCF3SO3、LiN(CF3SO2)2。
离子液体由季铵阳离子和阴离子组成。该季铵阳离子为咪唑鎓、吡啶鎓或由式：R6 4N+[式中，R6相互独立地为氢原子或碳原子数1～20的有机基团。]表示的阳离子中的任一个形态。
作为由上述R6表示的有机基团的具体例，可列举出碳原子数1～20的一价烃基、烷氧基烷基等，更具体地，可列举出甲基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基、环戊基、环己基、环辛基等环烷基；乙氧基乙基(-CH2CH2OCH2CH3)等烷氧基烷基等。再有，由R6表示的有机基团中的2个可结合以形成环状结构，这种情况下2个R6可一起形成2价的有机基团。该2价的有机基团的主链可只由碳构成，其中可包含氧原子、氮原子等杂原子。具体地，例如可列举出2价烃基[例如碳原子数3～10的亚烷基]、式：-(CH2)c-O-(CH2)d-[式中，c为1～5的整数，d为1～5的整数，c+d为4～10的整数。]等。
作为由上述R6 4N+表示的阳离子的具体例，可列举出甲基三正辛基铵阳离子、乙氧基乙基甲基吡咯烷鎓阳离子、乙氧基乙基甲基吗啉鎓阳离子等。
作为上述阴离子，并无特别限制，例如优选AlCl4 -、Al3Cl10 -、Al2Cl7 -、ClO4 -、PF6 -、BF4 -、CF3SO3 -、(CF3SO2)2N-、(CF3SO2)3C-，更优选PF6 -、BF4 -、CF3SO3 -、(CF3SO2)2N-。
上述抗静电剂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。
(F)成分的配合量从抗静电性和耐热性的观点出发，相对于上述(A)成分100质量份，优选为0.001～10质量份，更优选为0.005～10质量份。
作为由紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物得到的固化物的抗静电性能，使用STATIC HONESTMETER(シシド静电气(株)制造)，在固化物的表面采用电晕放电，充6kV的静电后，优选其带电压成为一半的时间(半衰期)为小于或等于2分钟，更优选小于或等于1分钟。
再有，如上所述，紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物不含非交联性的有机聚硅氧烷树脂。如果含有非交联性的有机聚硅氧烷树脂，则粘着物附着于微小结构体而不优选。
作为这样的有机聚硅氧烷树脂，可列举出一般作为对固化物赋予粘着性的成分使用的、由(d)R4 3SiO1/2单元(R4表示与上述相同的含义。)和(e)SiO4/2单元组成、(d)单元与(e)单元的摩尔比在0.4～1.2：1的范围的有机聚硅氧烷树脂等。
另外，在紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物中，在不损害本发明的效果的范围，能够配合色料(颜料或染料)、硅烷偶联剂、粘接助剂、阻聚剂、抗氧化剂、作为耐光性稳定剂的紫外线吸收剂、光稳定剂等添加剂。
进而，在紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物中，也能够与其他的树脂组合物适当地混合使用。
紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物能够通过将上述(A)～(D)成分、以及根据需要使用的(E)成分、(F)成分和其他成分以任意的顺序混合、搅拌等而得到。对用于搅拌等操作的装置并无特别限定，能够使用擂溃机、三联辊、球磨机、行星式混合机等。另外，可将这些装置适当地组合。
就紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的粘度而言，从涂布时的成型性、作业性的观点出发，优选使用旋转粘度计在23℃下测定的粘度为5,000Pa·s以下，更优选3,000Pa·s以下，进一步优选1,500Pa·s以下。如果超过5,000Pa·s，有时作业性显著地变差。
紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物通过照射紫外线而迅速地固化。
这种情况下，作为照射的紫外线的光源，例如可列举出UVLED灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、碳弧灯、氙灯等。
就紫外线的照射量(累计光量)而言，例如，对于将本发明的组合物成型为2.0mm左右的厚度的片材，优选为1～10,000mJ/cm2，更优选为10～8,000mJ/cm2。即，在使用照度100mW/cm2的紫外线的情况下，可照射0.01～100秒左右的紫外线。
在本发明中，对采用紫外线照射而得到的固化物的粘着力并无特别限定，如果考虑转移物的剥离性与保持性的平衡，优选0.001～100MPa，更优选0.01～50MPa。
就由上述的紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物构成的固化物而言，如果考虑使得成型时或微型LED或元件等微细部件的转移时不发生内聚破坏，厚度2.0mm下的拉伸强度(JIS-K6249：2003)优选1MPa以上，更优选2MPa以上。
在上述(vi)的安装方法的工序中，作为从将采用上述微小结构体的转移方法转移的多个微小结构体临时固定的供体基板选择性地拾取任意的微小结构体的方法，除了真空吸附以外，例如可列举出如下方法：如图4(B)中所示那样，使在供体基板临时固定的多个微小结构体2与在压模基板31上具备由紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物构成的粘着层32的微小结构体转印用压模30贴合，如图4(C)中所示那样，从上述供体基板11将多个微小结构体2的一部分或全部分离，被粘着层32拾取。
就贴合而言，只要多个微小结构体能够转移至上述粘着层，则并无特别限制，例如，优选施加优选0.1～3.0MPa、更优选0.2～2.0MPa的载荷进行贴合。
在拾取时，优选紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力比上述供体基板的有机硅系橡胶层的粘着力要强。具体地，优选紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力比上述供体基板的有机硅系橡胶层的粘着力要强优选0.1～2.0MPa、更优选0.2～1.5MPa、进一步优选0.2～1.0MPa。在由此从临时固定有多个微小结构体的供体基板将任意的微小结构体选择性地拾取的情况下，不需要用于从供体基板将多个微小结构体分离的另外工序，可瞬时地粘着。
(vii)将采用上述微小结构体转印用压模拾取的微小结构体转移至电路基板上的所期望的位置，将上述微小结构体与电路基板接合的工序
将采用微小结构体转印用压模拾取的微小结构体转移至电路基板上的所期望的位置。
经转移的微小结构体2如图5(A)中所示那样，供给粘着于应粘着电路基板40的微小结构体2的所用的部位，与电路基板接合。作为接合方法，可列举出导电性粘接剂、焊接等。
转移时，优选电路基板的拉伸强度比紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力要强。具体地，优选电路基板的拉伸强度比上述紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力强优选0.1MPa以上、更优选0.2MPa以上。
在由此从将多个微小结构体临时固定的由紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物构成的粘着层将任意的微小结构体选择性地转移的情况下，不需要用于从上述粘着层将多个微小结构体分离的另外的工序，可瞬时地粘着。
其中，作为电路基板，只要是基于规定的电路设计、在绝缘基板的表面或表面及其内部形成了用于将部件间连接的用具有导电性的材料形成的图案的电路基板，则并无特别限制。另外，电路基板可以是刚性高的刚性基板，也可以是能够弯曲的柔性基板，也包含背板。
再有，拾取的微小结构体可根据需要在如上所述转移至电路基板之前、转移至其他中间基板之后转移至电路基板。
(viii)从上述微小结构体转印用压模将上述拾取的微小结构体分离，安装于上述电路基板的工序
在将上述微小结构体与电路基板接合后，如图5(B)中所示那样，使压模30与电路基板40分离。
实施例
以下示出实施例，对本发明具体地说明，本发明并不受下述的实施例限制。应予说明，在下述的式中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
在成为供给基板的外径4英寸、厚530μm的蓝宝石基板上形成了波长450nm的蓝色微型LED。
就LED外延结构而言，采用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法在蓝宝石基板上按照低温GaN缓冲层、n型接触GaN层、n包覆AlInGaN层、活性层(以波长成为450nm的方式调整的InGaN多重量子阱层)、p型AlInGaN包覆层、p型接触层的顺序层叠。
以上的外延生长结束后，进行LED的活化退火，在最上层的p型接触层的表面形成规定的形状的掩模，蚀刻直至n型接触层的表面露出。蚀刻后，在n型接触层的表面形成由Ti/Al构成的n电极，在p型接触层的表面形成了由Ni/Au构成的p电极。在电极形成后，对于晶片，对于30μm×15μm矩形的芯片，采用激光进行元件分离，得到了在一面形成了多个微型LED的蓝宝石基板(供给基板)。
其次，作为供体基板，准备外径6英寸、厚1mm的合成石英玻璃晶片。合成石英玻璃晶片的厚度偏差(TTV)为0.8μm，对于6.01mm×6.01mm的区域，采用白色干涉计在像素数1240×1240中测定得到的空间频率1mm-1以上的功率谱密度为1011nm4。
在该合成石英玻璃晶片上，以厚度成为20μm的方式涂布信越化学工业(株)制的SIM-360，在150℃下放入加热炉30分钟使其固化，在合成石英玻璃晶片上形成了有机硅系橡胶层。
以在上述蓝宝石基板形成的多个微型LED与上述有机硅系橡胶层相接的方式，将上述蓝宝石基板放置在供体基板上，均匀地以0.12MPa施加载荷。
将成为了一体的蓝宝石基板与供体基板设置在激光剥离装置，从形成了微型LED的面的相反侧的面即蓝宝石基板侧，照射KrF准分子激光(波长248nm)。基板的基座以激光能够扫描基板整个面的方式驱动。
如果将蓝宝石基板和供体基板从激光剥离装置取出，使蓝宝石基板横向滑动，则微型LED能够在附着于供体基板的状态下从蓝宝石基板移除。在该工序结束时刻，将全部的微型LED从蓝宝石基板转移至供体基板，从供体基板脱落的微型LED一个都没有。
然后，为了将附着于微型LED的金属Ga除去，将临时固定着微型LED的供体基板设置于清洗盒，在超高纯度等级的浓盐酸(10质量％)中通过每分20个行程的上下运动，清洗5分钟。在该工序结束时刻，从供体基板脱落的微型LED也一个都没有。另外，将供体基板的表面作为基准面，金属Ga被除去的微型LED的背面的高度的偏差在面内为2μm以内。
然后，将装入供体基板的盒转移至纯水槽，通过10分钟的纯水流动，将残留的盐酸药液冲洗。在该工序结束时刻，脱落的微型LED也一个都没有。另外，以供体基板的表面作为基准面，金属Ga被除去的微型LED的背面的高度的偏差在面内为小于或等于2μm。
然后，将装入供体基板的盒设置在干燥空气循环的干燥机中，用60℃的干燥空气进行了30分钟干燥。在该工序结束时刻，脱落的微型LED也一个都没有。另外，以供体基板的表面作为基准面，金属Ga被除去的微型LED的背面的高度的偏差在面内为小于或等于2μm。
在使微型LED朝向上面的状态下干燥的供体基板设置于外观检查装置，进行外观检查，将具有裂纹、缺损、电极结构不良等的芯片在该阶段除去，从供体基板偏离配置的微型LED也一个都没有。另外，以供体基板的表面作为基准面，将金属Ga除去的微型LED的背面的高度的偏差在面内为2μm以内。
在下一工序中，使用以规定的间隔形成了凹凸的微小结构体转印用压模，从供体基板选择任意的微型LED，将其拾取，安装于电路基板。
在基板上具备由紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物构成的粘着层的微小结构体转印用压模在压模基板上通过模塑成型得到。
作为压模用基板，准备了厚1.2mm、35mm×35mm的合成石英玻璃基板。合成石英玻璃基板的厚度偏差(TTV)为0.3μm，对于6.01mm×6.01mm的区域，采用白色干涉计在像素数1240×1240中测定得到的空间频率1mm-1以上的功率谱密度为1011nm4。
另一方面，就紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物而言，将作为(A)成分的由下述的A-1表示的有机聚硅氧烷100质量份、作为(C)成分的包含由下述的C-1表示的有机聚硅氧烷树脂的二甲苯溶液160质量份混合，在减压下在100℃下将二甲苯馏除后，将作为(B)成分的丙烯酸异冰片酯(共荣社化学(株)制Light Acrylate IB-XA)20质量份和作为(D)成分的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF日本(株)制Irgacure 1173)2质量份配合·混合，制备紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物。
＜A-1＞
[化7]
Figure BDA0003520426930000271
＜C-1＞
由下述式(6)表示的包含含有甲基丙烯酰氧基的单元、ViMe2SiO1/2单元、Me3SiO1/2单元和SiO2单元、含有甲基丙烯酰氧基的单元/(ViMe2SiO1/2单元)/(Me3SiO1/2单元)/(SiO2单元)的摩尔比为0.07/0.10/0.67/1.00的有机聚硅氧烷树脂(数均分子量5,700)的50质量％二甲苯溶液
[化8]
Figure BDA0003520426930000281
其次，在合成石英玻璃基板与模具之间充满上述紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物，使用EYEGRAPHICS(株)制EYE UV电子控制装置(型号UBX0601-01)，在氮气氛下、室温(25℃)下以波长365nm的紫外光的照射量成为4,000mJ/cm2的方式照射紫外线，使其固化后，通过将模具脱模，从而得到了微型LED转印用压模。
在微型LED的背面，用0.50MPa施加载荷挤压上述压模的凸部，结果挤压的部位的微型LED从供体基板分离，被微型LED转印用压模拾取。
以与微型LED转印用压模的凹凸相同的间距，在形成了用于与微型LED的电极电连接的电极的电路基板，挤压将微型LED拾取的凸部，将微型LED安装于电路基板。
附图标记的说明
1 供给基板
2 微小结构体
2a 金属镓
11 供体基板
12 基板
13 有机硅系橡胶层
20 激光
30 微小结构体转印用压模
31 压模基板
32 粘着层
40 电路基板

Claims (16)

1.微小结构体的转移方法，其至少包括：
(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；
(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；
(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；
(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；
(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序。
2.根据权利要求1所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供体基板的基板为合成石英玻璃基板。
3.根据权利要求2所述的微小结构体的转移方法，其中，所述合成石英玻璃基板为对于6.01mm×6.01mm的区域采用白色干涉计以像素数1240×1240测定得到的空间频率1mm-1以上的功率谱密度为1012nm4以下的合成石英玻璃基板。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(i)中的贴合的工序为施加0.01～5kPa的载荷而进行的工序。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为如下工序：通过在将在所述供给基板的一面形成的多个微小结构体与供体基板上的有机硅系橡胶层贴合的状态下，从所述供给基板的形成有所述多个微小结构体的面的相反侧的面照射脉冲振荡产生的激光，从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部剥离，转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板。
6.根据权利要求5所述的微小结构体的转移方法，其中，所述脉冲振荡产生的激光为KrF准分子激光。
7.根据权利要求5或6所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供给基板为蓝宝石基板。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，在所述(ii)的工序后进行的(iii)中的清洗的工序为采用酸进行清洗的工序。
9.根据权利要求8所述的微小结构体的转移方法，其中，所述酸为选自盐酸、硝酸、硫酸中的酸。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为通过对于所述供给基板采用蚀刻将多个微小结构体的一部分或全部从所述供给基板分离、转移至所述供体基板的有机硅系橡胶层从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序。
11.根据权利要求10所述的微小结构体的转移方法，其中，所述蚀刻为湿法蚀刻。
12.根据权利要求10或11所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供给基板为砷化镓基板。
13.微小结构体的安装方法，其至少包含：
(vi)使用在基板上具备包括紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着层的微小结构体转印用压模，从临时固定有采用根据权利要求5～9中任一项所述的微小结构体的转移方法转移的多个微小结构体的供体基板选择性地拾取任意的微小结构体的工序，
(vii)将采用所述微小结构体转印用压模拾取的微小结构体转移至电路基板上的所用的部位，将所述微小结构体与电路基板接合的工序，
(viii)从所述微小结构体转印用压模将所述拾取的微小结构体分离、安装于所述电路基板的工序。
14.根据权利要求13所述的微小结构体的安装方法，其中，在所述(vi)的工序中，紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力强于所述供体基板的有机硅系橡胶层的粘着力。
15.根据权利要求13或14所述的微小结构体的安装方法，其中，所述(vi)的工序中的紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物是不含非交联性的有机聚硅氧烷树脂的紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物，并且含有：
(A)在1分子中具有2个由下述通式(1)表示的基团的有机聚硅氧烷：100质量份
[化1]
Figure FDA0003520426920000031
式中，R1相互独立地表示碳原子数1～20的一价烃基，R2表示氧原子或碳原子数1～20的亚烷基，R3相互独立地表示丙烯酰氧基烷基、甲基丙烯酰氧基烷基、丙烯酰氧基烷氧基、或甲基丙烯酰氧基烷氧基，p表示满足0≤p≤10的数，a表示满足1≤a≤3的数，
(B)不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物：1～200质量份，
(C)由(a)由下述通式(2)表示的单元、(b)式中的R4表示碳原子数1～10的一价烃基的R4 3SiO1/2单元和(c)SiO4/2单元组成、(a)单元和(b)单元的合计与(c)单元的摩尔比在0.4～1.2：1的范围的有机聚硅氧烷树脂：1～1,000质量份
[化2]
Figure FDA0003520426920000032
式中，R1、R2、R3、a和p表示与上述相同的含义，和
(D)光聚合引发剂：0.01～20质量份。
16.根据权利要求13～15中任一项所述的微小结构体的安装方法，其中，在所述(vii)的工序中，电路基板的拉伸强度比紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力要强。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023152166A1 (en) * 2022-02-11 2023-08-17 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Microelectronic device transfer and cleaning with uv laser
JP7482339B1 (ja) 2022-10-21 2024-05-13 信越化学工業株式会社 受け取り基板、レーザリフトオフ方法、リフト方法、保持方法、及び微小構造体の洗浄方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP4461616B2 (ja) * 2000-12-14 2010-05-12 ソニー株式会社 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
JP3800135B2 (ja) 2002-06-18 2006-07-26 セイコーエプソン株式会社 光通信モジュール、光通信モジュールの製造方法および電子機器
JP2006140398A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Sony Corp 素子転写方法
JP4605207B2 (ja) 2007-11-15 2011-01-05 ソニー株式会社 素子転写方法
JP5377985B2 (ja) 2009-01-13 2013-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
JP4821871B2 (ja) * 2009-03-19 2011-11-24 ソニー株式会社 電子デバイスの製造方法および表示装置の製造方法
JP2010251360A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US20110151588A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US8685837B2 (en) 2010-02-04 2014-04-01 Sharp Kabushiki Kaisha Transfer method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
GB2484713A (en) * 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination apparatus
CN103305909B (zh) 2012-03-14 2016-01-20 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法
JP6261115B2 (ja) 2013-09-19 2018-01-17 日東電工株式会社 粘着シート
US20160144608A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring device
JP2017168548A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 ソニー株式会社 ガラス配線基板及びその製造方法、部品実装ガラス配線基板及びその製造方法、並びに、表示装置用基板
US11124680B2 (en) * 2017-06-06 2021-09-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ultraviolet-curable pressure-sensitive silicone adhesive composition and cured object obtained therefrom
CN111164177B (zh) 2017-09-29 2022-05-17 信越化学工业株式会社 紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物及其固化物
KR20190099163A (ko) * 2019-08-06 2019-08-26 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판

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