KR101947621B1 - 가열경화형 실리콘 조성물, 이 조성물로 이루어진 다이본드재 및 이 다이본드재의 경화물을 이용한 광반도체 장치 - Google Patents

가열경화형 실리콘 조성물, 이 조성물로 이루어진 다이본드재 및 이 다이본드재의 경화물을 이용한 광반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, (A) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부,
(B) 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기과산화물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부,
(C) 에폭시기를 함유하는 실란 화합물 또는 에폭시기를 함유하는 실록산 화합물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부
를 함유하는 가열경화형 실리콘 조성물이다. 이에 따라, 투명성이 높고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성을 갖는 경화물을 부여하는 가열경화형 실리콘 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
Figure 112017054108921-pct00038

Description

가열경화형 실리콘 조성물, 이 조성물로 이루어진 다이본드재 및 이 다이본드재의 경화물을 이용한 광반도체 장치{HEAT-CURABLE SILICONE COMPOSITION, DIE BOND MATERIAL COMPRISING COMPOSITION, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING CURED ARTICLE OF DIE BOND MATERIAL}
본 발명은, 가열경화형 실리콘 조성물, 이 조성물로 이루어진 다이본드재 및 이 다이본드재의 경화물을 이용한 광반도체 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED) 등의 광반도체 소자는 전력소비량이 적다는 우수한 특성을 가지므로, 옥외조명용도나 자동차용도의 광반도체 디바이스에 대한 적용이 증가하고 있다. 이러한 광반도체 디바이스는, 일반적으로 청색광, 근자외광 혹은 자외광을 발광하는 광반도체 발광소자로부터 발하는 광을, 파장변환재료인 형광체에 의해 파장변환하여 의사백색이 얻어지도록 한 발광장치이다. 이러한 광반도체 디바이스 중, 광반도체 소자는 다이본드재를 이용하여 광체에 접착·고정되어 있다.
광반도체 소자용 다이본드재 조성물로는, 종래, 접착성이나 기계적 강도가 우수한 비스페놀A형 에폭시 수지와, UV흡수가 없는 에폭시 수지, 예를 들어, 수첨비스페놀A형 에폭시 수지 혹은 지환식 에폭시 수지와, 경화제 및 경화촉매를 포함하는 조성물이 다용되어 왔다. 그러나, LED소자의 휘도 및 출력이 높아짐에 따라, LED소자로부터의 자외광, 열 등에 의해, 접착층의 변색 및 크랙의 문제가 일어나고 있다.
이들 문제를 해결하는 것으로서, UV흡수가 없고 또한 가요성이 있는 경화물을 부여하는 실리콘 수지에 에폭시기를 도입한 수지가 알려져 있고, 예를 들어, 글리시딜기, 에폭시시클로헥실기 등의 환상 에테르함유기를 1개 이상 갖는 실리콘 수지(특허문헌 1)나, 분자내에 지환식 에폭시함유기를 1개 이상 갖는 실리콘공중합체 수지, 분자내에 글리시딜함유기를 1개 이상 갖는 2관능 실리콘 수지를 병용한 것(특허문헌 2), 추가로, 지환식 에폭시 변성 실리콘 수지와 지환식 에폭시 수지를 병용한 것(특허문헌 3) 등이 보고되어 있다. 그러나, 이들 모두가 경화제로서, 산무수물이나 아민계 화합물을 이용하고 있으며, 일반적으로 이러한 경화제를 사용한 경우, 경화제는 에폭시당량에 맞춘 배합부수를 첨가할 필요가 있다. 따라서, 수지경화물 중에, 가교구조에서 유래하는 광흡수성을 갖는 유기관능기를 많이 남기는 결과가 되고, 종래보다 효율이 높아진 LED소자로부터의 광, 열에 장기간 노출됨으로써, 크랙이나, 변색이 발생하는 등의 점에서, 만족되지 않아, 개량이 요구되고 있다.
일본특허공개 2008-45088호 공보 일본특허공개 2008-202036호 공보 일본특허공개 2011-109058호 공보
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 투명성이 높고, 접착강도 및 작업성이 우수하고, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성을 갖는 경화물을 부여하는 가열경화형 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이 조성물로 이루어진 다이본드재를 제공하는 것을 목적으로 한다. 나아가, 이 다이본드재로 광반도체 소자를 다이본딩한 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는, (A) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부,
[화학식 1]
Figure 112017054108921-pct00001
[식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일하거나 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.]
(B) 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기과산화물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부,
(C) 에폭시기를 함유하는 실란 화합물 또는 에폭시기를 함유하는 실록산 화합물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부
를 함유하는 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물을 제공한다.
이러한 가열경화형 실리콘 조성물이면, 투명성이 높고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다.
또한, 상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-이며, 상기 Z2가 산소원자인 것이 바람직하다.
또한, 상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-O- 또는, -R4(CH3)2Si-O-이며, 상기 Z2가 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기인 것이 바람직하다.
이러한 가열경화형 실리콘 조성물이면, (B)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼과 (A)성분이 효과적으로 반응하고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
또한, 상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure 112017054108921-pct00002
(식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
이러한 가열경화형 실리콘 조성물이면, (B)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼과 (A)성분이 보다 효과적으로 반응하고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
또한, 상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산 중에, 0.1mol% 이상의 (SiO2)단위를 갖는 것이 바람직하다.
이러한 가열경화형 실리콘 조성물이면, (B)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼과 (A)성분이 더욱 효과적으로 반응하고, 나아가 (B)성분으로부터 발생하는 유기산과 (C)성분의 에폭시기가 효과적으로 반응하고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
또한, 상기 가열경화형 실리콘 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 80% 이상이며, 또한 헤이즈값이 20% 이하인 것이 바람직하다.
이러한 가열경화형 실리콘 조성물이면, 이 조성물의 경화물의 투명성이 보다 높아진다.
추가로 본 발명에서는, 상기 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이본드재를 제공한다.
이러한 다이본드재이면, LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 다이본드재로서 호적하게 이용할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 투명성이 높고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 이용한 광반도체 장치는, 내열성, 내광성 및 내크랙성을 갖는 것이 된다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 투명성, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성, 내크랙성 및 내변색성을 갖는 경화물(투명경화물)을 부여할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재는, LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 다이본드재로서 호적하게 이용할 수 있다. 또한, 이 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 이용한 광반도체 장치는, 내열성, 내광성 및 내크랙성을 갖는 것이 된다.
도 1은 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 광반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
상기와 같이, 투명성이 높고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성을 갖는 경화물을 부여하는 가열경화형 실리콘 조성물이 요구되고 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행하였다. 그 결과, (A) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부,
[화학식 3]
Figure 112017054108921-pct00003
[식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일하거나 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.]
(B) 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기과산화물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부,
(C) 에폭시기를 함유하는 실란 화합물 또는 에폭시기를 함유하는 실록산 화합물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부
를 함유하는 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물이, 투명성이 높고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 부여할 수 있고, 신뢰성이 높은 광반도체 장치를 제공가능한 것을 발견하고 본 발명에 이르렀다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
[(A)오르가노폴리실록산]
(A)성분의 오르가노폴리실록산은, 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산이다.
[화학식 4]
Figure 112017054108921-pct00004
[식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일하거나 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.]
(A)성분의 오르가노폴리실록산 중의, Z1, Z2의 조합으로는, Z1이 -R4-이며, Z2가 산소원자인 것이나, Z1이 -R4-O- 또는, -R4(CH3)2Si-O-이며, Z2가 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기인 것이 바람직하다. 이러한 (A)성분을 포함하는 가열경화형 실리콘 조성물이면, (B)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼과 (A)성분이 효과적으로 반응하고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
또한, (A)성분의 오르가노폴리실록산 중에, 0.1mol% 이상의 (SiO2)단위를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 (A)성분을 포함하는 가열경화형 실리콘 조성물이면, (B)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼과 (A)성분이 더욱 효과적으로 반응하고, 나아가 (B)성분으로부터 발생하는 유기산과 (C)성분의 에폭시기가 효과적으로 반응하고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
또한, (A)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것이 바람직하다. 이러한 (A)성분을 포함하는 가열경화형 실리콘 조성물이면, (B)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼과 (A)성분이 보다 효과적으로 반응하고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112017054108921-pct00005
(식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
또한, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 80% 이상이며, 또한 헤이즈값이 20% 이하인 것이 바람직하다. 이러한 가열경화형 실리콘 조성물이면, 이 조성물의 경화물의 투명성이 보다 높아진다. 또한, 헤이즈값은, (헤이즈값(%))=(확산광투과율)/(전광선투과율)×100으로 정의되는 것이다.
(A)성분의 오르가노폴리실록산은, 25℃에서의 점도가 10mPa·s 이상인 액상 또는 고체의 분지상 또는 3차원 망상구조의 오르가노폴리실록산인 것이 바람직하다.
상기 식(1)에 있어서, R3으로 표시되는 규소원자에 결합한 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 1가의 유기기로는, 통상, 탄소수 1~12, 바람직하게는 1~8 정도의 탄화수소기를 들 수 있고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기나, 이들 기의 수소원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들어 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 트리플로로프로필기 등의 할로겐치환알킬기나 시아노에틸기 등을 들 수 있다.
상기 식(1)에 있어서, R4로 표시되는 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 2가의 유기기로는, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기 등의 탄소원자수 1~10의 알킬렌기 등의 2가 탄화수소기가 예시되고, 탄소원자수 1~3의 알킬렌기가 바람직하다.
이하에 (A)성분의 오르가노폴리실록산을 예시한다.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.) 이 성분은 단일성분일 수도, 다른 성분과 병용할 수도 있다. 또한, 하기 식에 있어서, 상기 식(1) 중의 R3에 상당하는 기가, 메틸기인 경우를 예시하고 있으나, 다른 기(치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기)로도 변경할 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112017054108921-pct00006

[화학식 7]
Figure 112017054108921-pct00007

하기 식에 나타낸, MA단위, M단위, Q단위가, MA:M:Q=1:4:6의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 5000인 오르가노폴리실록산.
[화학식 8]
Figure 112017054108921-pct00008

[화학식 9]
Figure 112017054108921-pct00009

[화학식 10]
Figure 112017054108921-pct00010

하기 식에 나타낸, MA-D단위, D단위, T단위가, MA-D:D:T=2:6:7의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 3500인 오르가노폴리실록산.
[화학식 11]
Figure 112017054108921-pct00011

[화학식 12]
Figure 112017054108921-pct00012

[화학식 13]
Figure 112017054108921-pct00013

(A)성분에는, 조성물의 점도나 경화물의 경도를 조정하는 등의 목적으로, 이하에 나타낸 바와 같은 실리콘을 포함하는 반응성 희석제나, 실리콘을 포함하지 않는 반응성 희석제를 첨가할 수 있다.
실리콘을 포함하는 반응성 희석제의 구체적인 예로는, 하기 식(3)~(7)로 표시되는 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.) 이 성분은 단일일 수도, 다른 성분과 병용할 수도 있다.
[화학식 14]
Figure 112017054108921-pct00014

[화학식 15]
Figure 112017054108921-pct00015

[화학식 16]
Figure 112017054108921-pct00016
(식 중, p는 18, q는 180이다.)
[화학식 17]
Figure 112017054108921-pct00017
(식 중, p'는 20, q는 180이다.)
[화학식 18]
Figure 112017054108921-pct00018
(식 중, p는 18, q는 180이다.)
이러한 (A)성분의 합성방법으로는, 예를 들어 하기에 나타낸 오르가노하이드로겐실란,
[화학식 19]
Figure 112017054108921-pct00019
(식 중, m, R1, R2, R3, Z1은 상기와 동일하다.)
바람직하게는 아래 식에 나타낸 화합물,
[화학식 20]
Figure 112017054108921-pct00020
(식 중, m, R1, R2, R3, Z1, Z2는 상기와 동일하다.)
보다 구체적으로는, 1,3-비스(3-메타크릴옥시프로필)테트라메틸디실록산과 1,1,3,3-테트라메틸디실록산을 산촉매존재하에서 평형화 반응함으로써 얻어지는 (3-메타크릴옥시프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과, 지방족 불포화기(예를 들어, 에틸렌성 불포화기, 및 아세틸렌성 불포화기를 들 수 있다.)를 포함하는 오르가노폴리실록산을, 염화백금산 촉매존재하에서 하이드로실릴화 반응시키면 되고, 이 방법으로 본 발명에 호적한 것을 제조할 수 있으나, 상기의 합성방법으로 제한되는 것은 아니다. 또한, 지방족 불포화기를 포함하는 오르가노폴리실록산은, 지방족 불포화기를 갖는 오르가노알콕시실란을 포함하는 알콕시실란의 (공)가수분해축합 등 공지의 방법으로 제조할 수 있고, 시판의 것을 이용할 수도 있다.
실리콘을 포함하지 않는 반응성 희석제로는, H2C=CGCO2R5에 의해 나타낸 (메트)아크릴레이트류가 있고, 상기 식 중, G는, 수소, 할로겐, 탄소원자 1~4개의 알킬기 중 어느 하나이며; R5는, 1~16개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알카릴기, 아랄킬기, 아릴기 중 어느 하나로부터 선택되고, 이들 중 어느 하나는, 필요에 따라, 규소, 산소, 할로겐, 카르보닐, 하이드록실, 에스테르, 카르본산, 요소, 우레탄, 카바메이트, 아민, 아미드, 황, 설포네이트, 설폰 등으로 치환할 수 있다.
반응성 희석제로서 특히 바람직한 (메트)아크릴레이트류로는, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에톡시화비스페놀-A(메트)아크릴레이트(″EBIPA″ 또는 ″EBIPMA″)와 같은 비스페놀-A디(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸란(메트)아크릴레이트 및 디(메트)아크릴레이트, 시트로넬릴아크릴레이트 및 시트로넬릴메타크릴레이트, 하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 헥산디올디(메트)아크릴레이트(″HDDA″ 또는 ″HDDMA″), 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 에톡시화트리메틸올프로판트리아크릴레이트(″ETTA″), 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트 및 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트(″TRIEGMA″), 이소보닐아크릴레이트 및 이소보닐메타크릴레이트에 상응하는 아크릴레이트에스테르가 있다. 물론, 이들 (메트)아크릴레이트류의 조합도 반응성 희석제로서 사용할 수 있다.
반응성 희석제를 첨가하는 경우의 첨가량으로는, 0.01~30질량%의 범위가 바람직하고, 0.05~10질량%의 범위가 보다 바람직하다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 특정의 용도에 있어서 요구되는 경화 또는 미경화특성을 개변시키는 다른 성분도 포함시킬 수 있다. 예를 들어, (메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리알킬- 또는 트리알릴-이소시아누레이트, 비닐트리메톡시실란 등과 같은 접착촉진제를 포함할 수 있고, 약 20질량%까지의 양을 포함하는 것이 바람직하다. 다른 임의성분은, 비(메트)아크릴실리콘희석제 또는 가소제를 들 수 있고, 약 30질량%까지의 양을 포함하는 것이 바람직하다. 비(메트)아크릴실리콘류로는, 100~500mPa·s의 점도를 갖는 트리메틸실릴 말단화 오일, 및 실리콘고무를 들 수 있다. 비(메트)아크릴실리콘류는, 비닐기와 같은 공경화성기를 포함할 수 있다.
[(B)유기과산화물]
(B)성분의 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기과산화물은, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물을 원하는 형상으로 성형한 후에, 가열처리를 가하여 가교반응에 의해 경화시키기 위하여 배합되는 성분이며, 목적으로 하는 접속온도, 접속시간, 포트라이프 등에 의해 적당히 선택한다.
유기과산화물은, 높은 반응성과 긴 포트라이프를 양립하는 관점에서, 반감기 10시간의 온도가 40℃ 이상, 또한, 반감기 1분의 온도가 200℃ 이하인 것이 바람직하고, 반감기 10시간의 온도가 60℃ 이상, 또한, 반감기 1분의 온도가 180℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
이 경우, (B)성분의 유기과산화물의 열분해에 의해 발생하는 프리라디칼에 의해, 상기 (A)성분 중의 규소원자에 결합한 탄화수소기끼리, 또는 상기 (A)성분 중의 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기끼리의 결합반응이 생겨 가교경화물로 할 수 있다. 또한, (B)성분의 분해생성물의 일부로서 카르복실기를 갖는 유기산이 발생하기 때문에, 이 유기산이 후술하는 (C)성분의 에폭시기와 반응하는 가교제로서 작용하고, 보다 강고한 가교구조를 형성하는 것이 가능해진다.
디아실퍼옥사이드로는, 예를 들어, 이소부틸퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 스테아로일퍼옥사이드, 석시닉퍼옥사이드, 벤조일퍼옥시톨루엔 및 벤조일퍼옥사이드를 들 수 있다.
퍼옥시에스테르로는, 예를 들어, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트 및 비스(t-부틸퍼옥시)헥사하이드로테레프탈레이트를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
기타 유기과산화물로는, 디알킬퍼옥사이드, 퍼옥시디카보네이트, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 실릴퍼옥사이드 등을 들 수 있다. 이들의 유기과산화물을 상기 (B)성분의 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기과산화물과 조합하여 사용할 수도 있다.
디알킬퍼옥사이드로는, 예를 들어, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산 및 t-부틸쿠밀퍼옥사이드를 들 수 있다.
퍼옥시디카보네이트로는, 예를 들어, 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼옥시디카보네이트, 비스(2-에틸헥실퍼옥시)디카보네이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카보네이트 및 비스(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카보네이트를 들 수 있다.
퍼옥시케탈로는, 예를 들어, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸 및 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸을 들 수 있다.
하이드로퍼옥사이드로는, 예를 들어, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드 및 쿠멘하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.
실릴퍼옥사이드로는, 예를 들어, t-부틸트리메틸실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디메틸실릴퍼옥사이드, t-부틸트리비닐실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디비닐실릴퍼옥사이드, 트리스(t-부틸)비닐실릴퍼옥사이드, t-부틸트리알릴실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디알릴실릴퍼옥사이드 및 트리스(t-부틸)알릴실릴퍼옥사이드를 들 수 있다.
(B)성분의 첨가량은, (A)성분의 오르가노폴리실록산 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부, 바람직하게는 0.5~10질량부이다. 첨가량이, 0.1질량부 미만인 경우, 반응이 충분히 진행되지 않아, 목적으로 하는 경화물의 경도가 얻어지지 않을 우려가 있다. 20질량부를 초과하는 경우, 원하는 경화 후의 물성, 즉 충분한 내열성, 내광성, 내크랙성이 얻어지지 않을 우려가 있는데다가, 착색이 발생할 우려가 있으며, 경화물의 전광선투과율이 저하되어, 변색의 원인이 된다.
[(C) 에폭시기를 함유하는 실란 화합물 또는 에폭시기를 함유하는 실록산 화합물]
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, (C)성분으로서 에폭시기를 함유하는 실란 화합물 또는 에폭시기를 함유하는 실록산 화합물을 함유한다. 이들 화합물은, 분자내에 1개 이상의 에폭시기를 함유하면 된다. 본 명세서에 있어서, 에폭시기를 함유한다는 것은, 에폭시기를 적어도 기의 일부에 포함하고 있으면 되고, 예를 들어, 알킬기, 알킬에테르기 등의 다른 관능기와 에폭시기를 함유하고 있어도 된다.
본 발명에 있어서, (C)성분은, 상기 서술한 바와 같이 (B)성분의 분해생성물의 일부로서 카르복실기를 갖는 유기산이 발생하므로, 이 유기산이 (C)성분의 에폭시기와 반응하는 가교제로서 작용하고, 보다 강고한 가교구조를 형성하는 목적으로 첨가되는 것이며 중요하다.
(C)성분에 있어서, 에폭시기로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 글리시딜기, 에폭시시클로헥실기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 2,3-에폭시프로필기, 3,4-에폭시부틸기, 4,5-에폭시펜틸기, 2-글리시독시에틸기, 3-글리시독시프로필기, 4-글리시독시부틸기 등을 들 수 있다.
(C)성분으로는, 분자내에 1개 이상의 에폭시함유기를 갖는 실란 화합물 또는 실록산 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 에폭시기를 함유하는 실란커플링제나 그 가수분해축합물 등이 예시된다. 에폭시기를 함유하는 실란커플링제나 그 가수분해축합물로는, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란 등의 실란 화합물이나 그 가수분해축합물 등을 들 수 있다.
(C)성분 중, 에폭시기를 함유하는 실록산 화합물로는, 하기에 나타낸 것을 들 수 있으나, 이들로 한정되지 않고 이용할 수 있다.
[화학식 21]
Figure 112017054108921-pct00021

[화학식 22]
Figure 112017054108921-pct00022

[화학식 23]
Figure 112017054108921-pct00023

[화학식 24]
Figure 112017054108921-pct00024

[화학식 25]
Figure 112017054108921-pct00025
(a, r은 0~50의 정수, b, s, t는 1~50의 정수이다.)
(C)성분을 함유함으로써, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 경화 후의 투과성이 높고, 광반도체 소자의 발열이나 발광에 의한 내열성 및 내광성이 우수함과 함께, 반복되는 열충격에 대해서도 강인한 특성, 즉 내크랙성을 얻을 수 있다.
(C)성분의 첨가량은, 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부, 바람직하게는 0.5~15질량부이다. 첨가량이, 0.1질량부 미만인 경우, 원하는 경화 후의 물성, 즉 충분한 내열성, 내광성, 내크랙성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 20질량부를 초과하는 경우, 반응이 충분히 진행되지 않아, 미반응의 에폭시기가 경화물 중에 잔존하므로, 변색의 원인이 될 우려가 있다.
[(D)기타 성분]
조성물의 투명성을 더욱 유지하고, 경화물의 착색, 산화열화 등의 발생을 억제하기 위하여, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등의 종래 공지의 산화방지제를 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물에 배합할 수 있다. 또한, 광 열화에 대한 저항성을 부여하기 위하여, 힌더드아민계 안정제 등의 광안정제를 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물에 배합할 수도 있다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물의 강도의 향상, 점도조정, 틱소성 부여 등을 목적으로 하여, 추가로, 흄드실리카, 나노알루미나 등의 무기질충진제를 배합할 수도 있다. 필요에 따라, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물에, 염료, 안료, 난연제 등을 배합할 수도 있다.
또한, 작업성을 개선하는 목적으로 용제 등을 첨가하여 사용하는 것도 가능하다. 용제의 종류는 특별히 제한되지 않고, 경화 전의 가열경화형 실리콘 조성물을 용해하고, 상기 무기질충진제 등을 양호하게 분산시키고, 균일한 다이본드재 혹은 접착제 등을 제공할 수 있는 용제를 사용할 수 있다. 이 용제의 배합비율은 다이본드재 등을 사용하는 작업조건, 환경, 사용시간 등에 따라 적당히 조정하면 된다. 용제는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이러한 용제로는, 부틸카르비톨아세테이트, 카르비톨아세테이트, 메틸에틸케톤, α-테르피오넬, 및 셀로솔브아세테이트 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 그 접착성을 향상시키기 위한 접착부여제를 함유할 수도 있다. 이 접착부여제로는, 상기 (C)성분 이외의 실란커플링제나 그 가수분해축합물 등이 예시된다. (C)성분 이외의 실란커플링제로는, (메트)아크릴기함유 실란커플링제, 이소시아네이트기함유 실란커플링제, 이소시아누레이트기함유 실란커플링제, 아미노기함유 실란커플링제, 메르캅토기함유 실란커플링제 등 공지의 것이 예시되고, 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1~20질량부, 보다 바람직하게는 0.3~10질량부 이용할 수 있다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 상기 각 성분을, 공지의 혼합방법, 예를 들어, 믹서, 롤 등을 이용하여 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 회전점도계, 예를 들어, E형 점도계를 이용하여 23℃에서 측정한 점도가 10~1,000,000mPa·s, 특히 100~1,000,000mPa·s인 것이 바람직하다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 공지의 경화조건하에서 공지의 경화방법에 의해 경화시킬 수 있다. 구체적으로는, 통상, 80~200℃, 바람직하게는 100~160℃에서 가열함으로써, 이 조성물을 경화시킬 수 있다. 가열시간은, 0.5분~5시간 정도, 특히 1분~3시간 정도면 된다. 작업조건, 생산성, 발광소자 및 광체내열성과의 밸런스로부터 적당히 선정할 수 있다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, LED칩을 패키지에 고정하기 위하여 호적하게 이용할 수 있다. 또한, 기타 유기전계발광소자(유기EL), 레이저다이오드, 및 LED어레이 등의 광반도체 소자에도 호적하게 이용할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 것이며, 반도체소자를 배선판에 접속하기 위하여 사용할 수 있는 다이본드재를 제공한다.
본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물은, 투명성이 높고, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성, 내광성 및 내크랙성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다. 따라서, 상기 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재이면, LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 다이본드재로서 호적하게 이용할 수 있다.
다이본드재를 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 스핀코팅, 인쇄, 및 압축성형 등을 들 수 있다. 다이본드재의 두께는 적당히 선택하면 되고, 통상 5~50μm, 특히 10~30μm이다. 예를 들어, 디스펜스장치를 이용하여 23℃의 온도, 0.5~5kgf/cm2의 압력으로 토출함으로써 용이하게 도포할 수 있다. 또한, 스탬핑장치를 이용함으로써, 소정량의 다이본드재를 기판에 전사하는 것으로도 용이하게 할 수 있다.
광반도체 소자의 탑재방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 다이본더를 들 수 있다. 다이본드재의 두께를 결정하는 요소는, 상기 서술한 다이본드재의 점도에 더하여, 광반도체 소자의 압착하중, 압착시간, 압착온도를 들 수 있다. 이들 조건은, 광반도체 소자의 외형형상, 목적으로 하는 다이본드재 두께에 따라 적당히 선택하면 되고, 압착하중은 일반적으로 1gf 이상 1kgf 이하이다. 바람직하게는 10gf 이상 100gf 이하이다. 1gf 이상의 압착하중이면, 다이본드재 를 충분히 압착할 수 있다. 또한 1kgf 이하의 압착하중을 이용하면, 광반도체 소자 표면의 발광층에 데미지를 주는 일이 없다. 압착시간은 공정의 생산성과의 균형으로 적당히 선택하면 되고, 일반적으로 0msec 초과 1sec 이하이다. 바람직하게는 1msec 이상 30msec이다. 1sec 이하이면 생산성의 점에서 바람직하다. 압착온도는 특별히 제한은 없고, 다이본드재의 사용온도범위에 따르면 되는데, 일반적으로 15℃ 이상 100℃ 이하이면 바람직하다. 다이본더의 압착스테이지에 가온설비가 없는 경우는 실온부근에서의 온도대에서 사용하면 된다. 15℃ 이상이면, 다이본드재의 점도가 지나치게 높아지지 않으므로 충분히 압착할 수 있다. 100℃ 이하이면, 다이본드재의 경화가 시작되지 않으므로, 목적으로 하는 다이본드재의 두께에 도달할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 것인 광반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 광반도체 장치는, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 가지므로, 내열성, 내광성 및 내크랙성을 갖는 것이 된다.
본 발명의 광반도체 장치는, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재를 기판에 도포한 후, 종래 공지의 방법에 따라 광반도체 소자를 다이본딩함으로써 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 광반도체 장치의 일태양에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 광반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 1에 나타낸 광반도체 장치는, 패키지기판의 광체(1)의 제1 리드전극(3) 상에, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재(5)를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖고, 이 경화물 상에 광반도체 소자(2)가 탑재된 것이다. 이 광반도체 소자(2)의 전극은, 금선(6)에 의해 제1 리드전극(3)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이 광반도체 소자(2)의 전극은, 금선(7)에 의해 제2 리드전극(4)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이 광반도체 소자(2)는, 봉지수지(8)로 봉지되어 있다.
도 1의 광반도체 장치의 제조방법으로는, 이하의 방법을 예시할 수 있다.
우선, 패키지기판의 광체(1)의 제1 리드전극(3)상에, 본 발명의 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 다이본드재(5)를 정량 전사하고, 그 위에 광반도체 소자(2)를 탑재한다. 이어서, 다이본드재(5)를 가열경화시킨다. 이어서, 광반도체 소자(2)의 전극과 제1 리드전극(3)을 금선(6)을 이용하여 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(2)의 전극과 제2 리드전극(4)을 금선(7)을 이용하여 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(2)가 탑재된 패키지기판을 얻는다. 이어서, 봉지수지(8)를 정량 도포하고, 도포된 봉지수지를 공지의 경화조건하에서 공지의 경화방법에 의해, 경화시킴으로써 패키지기판을 봉지할 수 있다. 본 발명의 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 광반도체 디바이스로는, 예를 들어, LED, 반도체레이저, 포토다이오드, 포토트랜지스터, 태양전지, CCD 등을 들 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예와 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.).
〔조제예〕
(조제예 1~3)
하기 성분을 교반혼합하고, 표 1에 나타낸 조성의 실리콘 조성물을 조제하였다.
[(A)성분]
(A-1)
하기 식에 나타낸, MA단위, M단위, Q단위가, MA:M:Q=1:4:6의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 5000인 오르가노폴리실록산.
[화학식 26]
Figure 112017054108921-pct00026

[화학식 27]
Figure 112017054108921-pct00027

[화학식 28]
Figure 112017054108921-pct00028

(A-2)
하기 식에 나타낸 오르가노폴리실록산(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.).
[화학식 29]
Figure 112017054108921-pct00029

(A-3)
하기 식에 나타낸, MA-D단위, D단위, T단위가, MA-D:D:T=2:6:7의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 3500인 오르가노폴리실록산(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.).
[화학식 30]
Figure 112017054108921-pct00030

[화학식 31]
Figure 112017054108921-pct00031

[화학식 32]
Figure 112017054108921-pct00032

조제예 1~3의 (A)성분의 배합량을, 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure 112017054108921-pct00033

[(B)성분]
(B-1)
디아실퍼옥사이드로서 Di-(3-methylbenzoyl)peroxide, Benzoyl(3-methylbenzoyl)peroxide and Dibenzol peroxide(상품명: 나이퍼BMT-K40, 일본유지주식회사제)를 그대로 이용하였다.
(B-2)
퍼옥시에스테르로서 t-Butyl peroxy-2-ethylhexanoate(상품명: 퍼부틸O, 일본유지주식회사제)를 그대로 이용하였다.
(B-3)
디알킬퍼옥사이드로서 t-Butyl cumyl peroxide(상품명: 퍼부틸C, 일본유지주식회사제)를 그대로 이용하였다.
[(C)성분]
(C-1)
측쇄에 에폭시기를 함유하는 반응성 실리콘오일(상품명: X-22-343, 신에쯔화학공업주식회사제)을 그대로 이용하였다.
(C-2)
에폭시기를 함유하는 실란 화합물로서, 글리시독시프로필트리메톡시실란(상품명: KBM-403, 신에쯔화학공업주식회사제)을 그대로 이용하였다.
(C-3)
에폭시기를 함유하는 실록산 화합물로서, 하기 식에 나타낸, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라키스[β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸]시클로테트라실록산(상품명: X-40-2670, 신에쯔화학공업주식회사제)을 그대로 이용하였다.
[화학식 33]
Figure 112017054108921-pct00034

(C-4)
에폭시기를 함유하지 않은 실란 화합물로서, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(상품명: KBM-503, 신에쯔화학공업주식회사제)을 그대로 이용하였다.
[실시예 1~6]
(실시예 1)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-1) 10질량부, (C)성분으로서 (C-1) 4질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
(실시예 2)
(A)성분으로서 조제예 2에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-1) 10질량부, (C)성분으로서 (C-1) 4질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
(실시예 3)
(A)성분으로서 조제예 3에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-1) 10질량부, (C)성분으로서 (C-1) 4질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
(실시예 4)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-2) 5질량부, (C)성분으로서 (C-1) 4질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
(실시예 5)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-2) 5질량부, (C)성분으로서 (C-2) 4질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
(실시예 6)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-1) 10질량부, (C)성분으로서 (C-3) 5질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
[비교예 1~4]
(비교예 1)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-3) 5질량부, (C)성분으로서 (C-1) 4질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
(비교예 2)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-1)5질량부, (C)성분으로서 (C-4)4질량부, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
(비교예 3)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물 100질량부, (B)성분으로서 (B-1) 5질량부, (C)성분은 첨가하지 않고, 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 수지조성물을 제조하였다.
[비교예 4]
평균조성식: MViD300MVi의 실리콘오일 35질량부,
M단위와 MVi단위와 Q단위로부터 구성되고, MVi단위에 대한 M단위의 몰비가 6.25이며, Q단위에 대한 M단위와 MVi단위의 합계의 몰비가 0.8인 실리콘레진 65질량부,
평균구조식: MDH 80M으로 표시되는 메틸하이드로젠실록산 8질량부,
염화백금산/1,3-디비닐테트라메틸디실록산 착체를 백금원자함유량으로서 1질량% 함유하는 톨루엔용액 0.06질량부,
에티닐시클로헥산올 0.05질량부,
γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 3질량부,
및 보강재로서 연무질 실리카(제품명 레올로실 DM-30S, 도쿠야마사제) 7질량부를 혼합하고, 다시 3롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 실리콘다이본드재를 조제하였다.
또한, 상기의 실리콘다이본드재에 있어서, 각 성분의 평균조성을 나타낸 기호는 이하와 같은 단위를 나타낸다.
M: (CH3)3SiO1 /2
MVi: (CH2=CH)(CH3)2SiO1 /2
DH: (CH3)HSiO2 /2
D: (CH3)2SiO2 /2
Q: SiO4 /2
실시예, 비교예의 조성물에 대하여, 이하의 모든 특성을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[헤이즈 측정, 및 전광선투과율의 측정]
일본전색공업사제 헤이즈미터 NDH-5000SP를 이용하여 헤이즈, 및 전광선투과율의 측정을 행하였다. 상기의 조건으로 혼합한 시료를, 2mm 두께의 셀에 유입하고, 소정의 조건(실시예 1~6, 비교예 2~4는 150℃, 4시간, 비교예 1은 170℃, 1시간)으로 가열경화를 행하여, 표면이 청정한 2mm 두께의 경화물을 얻고, 이것을 측정부에 세트하여 측정하였다. 3번의 측정에 있어서의 헤이즈값, 전광선투과율의 평균값을 구하였다.
[광반도체 패키지의 제작]
LED용 패키지기판으로서, 광반도체 소자를 재치하는 오목부를 갖고, 그 바닥부에 은도금된 제1 리드전극과 제2 리드전극이 마련된 LED용 패키지기판[SMD5050(I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO.,사제, 수지부 PPA(폴리프탈아미드))], 광반도체 소자로서, Bridgelux사제 BXCD33을, 각각 준비하였다.
다이본더(ASM사제 AD-830)를 이용하여, 패키지기판이 은도금된 제1 리드전극에, 실시예 및 비교예에 나타낸 각 다이본드재를 스탬핑에 의해 정량 전사하고, 그 위에 광반도체 소자를 탑재하였다. 이때의 광반도체 소자의 탑재조건은, 압착시간 13msec, 압착하중 60gf이며, 가온장치를 이용하지 않고 실온 25℃의 환경에서 행하였다. 이어서, 패키지기판을 오븐에 투입하고 각 다이본드재를 가열경화시켰다(실시예 1~6, 비교예 2~4는 150℃, 4시간, 비교예 1은 170℃, 1시간). 이어서, 광반도체 소자의 전극과 제1 리드전극을 금와이어(다나까전자공업사제 FA 25μm)를 이용하여 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자의 전극과 제2 리드전극을 금와이어(다나까전자공업사제 FA 25μm)를 이용하여 전기적으로 접속하였다. 이로 인해, 광반도체 소자가 탑재된 LED용 패키지기판 각 1매(패키지수로 하여 120개)를 얻었다.
이어서, 상기에서 얻어진 광반도체 소자가 탑재된 LED용 패키지기판 1매의 절반(패키지수로 하여 60개)을 채취하고, 디스펜스장치(무사시엔지니어링제, SuperΣ CM II)를 이용하여, 실리콘봉지재(제품명: KER2500, 신에쯔화학공업주식회사제)를 정량 도포하고, 150℃, 4시간동안 봉지재의 가열경화를 행하였다.
상기와 같이 하여, 다이본드재가 상이한 광반도체 패키지를 제작하고, 이하의 시험에 이용하였다.
[온도사이클 시험]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충진된 광반도체 패키지 중 10개를, 온도사이클시험(-40℃~125℃, 각 20분간을 1000사이클)에 이용하고, 현미경으로, 시험 후의 광반도체 패키지의 접착재부의 크랙의 유무를 관찰하여, 크랙이 발생한 광반도체 패키지의 수를 세었다.
[고온점등시험]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충진된 광반도체 패키지 중 10개를, 고온하(85℃)에서, 150mA 통전, 1000시간 점등한 후, 광반도체 소자와 광반도체 소자를 재치하는 오목부의 바닥부간의 박리 등의 접착불량의 유무, 크랙발생의 유무, 및 광반도체 소자주위의 접착층의 변색의 유무를 현미경으로 관찰하여, 외관이상이 발생한 광반도체 패키지의 수를 세었다.
[다이쉐어시험]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재를 충진하지 않은 광반도체 패키지 중 10개를, 25℃의 실내에서 본드테스터(Dage사제 Series4000)를 이용하여 다이쉐어강도의 측정을 행하고, 얻어진 측정값의 평균값을 MPa로 나타내었다.
얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure 112017054108921-pct00035

표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 범위를 만족시키는 가열경화형 실리콘 조성물을 다이본드재로 이용한 실시예 1~실시예 6에서는, 모두 전광선투과율, 헤이즈의 결과로부터도 알 수 있는 바와 같이 고투명한 경화물을 얻는 것이 가능하며, 온도사이클시험후의 크랙의 발생이 없고, 모든 패키지에서 점등가능하였다. 또한, 고온점등시험에서도 조성물에 외관의 변화는 없고, 모든 패키지에서 점등가능하였다. 또한, 다이쉐어 측정의 결과, 접착력이 높고 신뢰성이 높은 광반도체 디바이스를 제조할 수 있는 것을 알 수 있었다.
한편, (B)성분이 본 발명의 범위를 만족시키지 않는 실리콘 수지조성물인 비교예 1에서는, 전광선투과율, 헤이즈의 결과로부터의 투명성은 양호하였으나, 다이본드재의 가열경화공정에서 충분한 경화가 이루어지지 않아 양호한 경화물을 얻을 수 없었다. 이에 따라, 온도사이클시험, 고온점등시험에서는 크랙이 생겨, 다이쉐어 측정시험에서도 충분한 접착강도를 얻을 수 없었다.
(C)성분이 본 발명의 범위를 만족시키지 않는 실리콘 수지조성물인 비교예 2에서는, 전광선투과율, 헤이즈의 결과로부터의 투명성은 양호하였으나, 다이본드재의 가열경화공정에서 충분한 경화가 이루어지지 않아 양호한 경화물을 얻을 수 없었다. 이에 따라, 온도사이클시험, 고온점등시험에서는 크랙이 생겨, 다이쉐어 측정시험에서도 충분한 접착강도를 얻을 수 없었다.
(C)성분을 첨가하지 않은 배합이 되는 비교예 3에서는, 전광선투과율, 헤이즈의 결과로부터의 투명성은 양호하며, 다이본드재의 가열경화공정에서 충분한 경화가 이루어졌으나, 크랙이 생기기 쉬운 것이었다. 이에 따라, 온도사이클시험, 고온점등시험에서 근소한 확률로 크랙이 발생하고, 다이쉐어 측정시험에서도 충분한 접착강도를 얻을 수 없었다.
일반적인 실리콘 수지를 다이본드재로서 이용한 비교예 4에서는, 전광선투과율, 헤이즈의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 고투명한 경화물이라고는 할 수 없는 것이었다. 온도사이클시험후의 크랙의 발생이 없고, 모든 패키지에서 점등가능하였으며, 또한, 고온점등시험에서도 수지조성물에 외관의 변화는 없고, 모든 패키지에서 점등가능하였다. 한편, 다이쉐어 측정의 결과, 접착력은 본 발명의 것과 비교했을 때 낮은 것이었다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것이 아니다. 상기 실시형태는, 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (10)

  1. (A) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부,
    Figure 112018071203040-pct00036

    [식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일하거나 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.]
    (B) 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기과산화물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부,
    (C) 에폭시기를 함유하는 실록산 화합물: 상기 (A)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~20질량부
    를 함유하는 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-이며, 상기 Z2가 산소원자인 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-O- 또는, -R4(CH3)2Si-O-이며, 상기 Z2가 치환 또는 비치환으로 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기인 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
    Figure 112018071203040-pct00037

    (식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
  5. 제2항에 있어서,
    상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
    Figure 112018071203040-pct00040

    (식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
  6. 제3항에 있어서,
    상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
    Figure 112018071203040-pct00041

    (식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A)성분의 오르가노폴리실록산 중에, 0.1mol% 이상의 (SiO2)단위를 갖는 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열경화형 실리콘 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 80% 이상이며, 또한 헤이즈값이 20% 이하인 것을 특징으로 하는 가열경화형 실리콘 조성물.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 가열경화형 실리콘 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이본드재.
  10. 제9항에 기재된 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6622171B2 (ja) 2016-11-08 2019-12-18 信越化学工業株式会社 加熱硬化型シリコーン組成物、ダイボンド材及び光半導体装置
JP7352334B2 (ja) * 2017-09-19 2023-09-28 三洋化成工業株式会社 活性エネルギー線硬化性組成物
WO2019138991A1 (ja) * 2018-01-15 2019-07-18 信越化学工業株式会社 シリコーン組成物
JP7172805B2 (ja) * 2019-04-02 2022-11-16 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン接着剤組成物

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008210845A (ja) 2007-02-23 2008-09-11 Yokohama Rubber Co Ltd:The 発光素子用封止材組成物、その硬化物および発光素子封止体
JP2012107127A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Yokohama Rubber Co Ltd:The シリコーン樹脂組成物、ならびに、これを用いて得られるシリコーン樹脂含有構造体および光半導体素子封止体
JP2012211235A (ja) 2011-03-31 2012-11-01 Asahi Kasei Chemicals Corp オルガノポリシロキサン及びそれを用いた熱硬化性樹脂組成物、光半導体用封止材、光半導体用ダイボンド材

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5015571B2 (ja) * 2006-01-12 2012-08-29 信越化学工業株式会社 発光ダイオード素子用紫外線硬化型シリコーン組成物
TWI437047B (zh) * 2006-01-12 2014-05-11 Shinetsu Chemical Co 用於發光二極體元件的紫外光可固化矽氧組成物
JP4563977B2 (ja) * 2006-09-22 2010-10-20 信越化学工業株式会社 加熱硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた発光ダイオード素子
JP2010013572A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物及び反射防止フィルム
WO2014017887A1 (ko) * 2012-07-27 2014-01-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP2014031394A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
JP6096087B2 (ja) * 2012-12-21 2017-03-15 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物、その硬化物及び光半導体デバイス
JP6387270B2 (ja) * 2013-08-29 2018-09-05 旭化成株式会社 光反射材用樹脂組成物、光反射材、光半導体部品用リフレクタ、及び光半導体部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008210845A (ja) 2007-02-23 2008-09-11 Yokohama Rubber Co Ltd:The 発光素子用封止材組成物、その硬化物および発光素子封止体
JP2012107127A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Yokohama Rubber Co Ltd:The シリコーン樹脂組成物、ならびに、これを用いて得られるシリコーン樹脂含有構造体および光半導体素子封止体
JP2012211235A (ja) 2011-03-31 2012-11-01 Asahi Kasei Chemicals Corp オルガノポリシロキサン及びそれを用いた熱硬化性樹脂組成物、光半導体用封止材、光半導体用ダイボンド材

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