JP2016108456A - 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置 - Google Patents

加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016108456A
JP2016108456A JP2014247516A JP2014247516A JP2016108456A JP 2016108456 A JP2016108456 A JP 2016108456A JP 2014247516 A JP2014247516 A JP 2014247516A JP 2014247516 A JP2014247516 A JP 2014247516A JP 2016108456 A JP2016108456 A JP 2016108456A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
group
mass
silicone composition
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014247516A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6272747B2 (ja
Inventor
諭 小内
Satoshi Kouchi
諭 小内
利之 小材
Toshiyuki Kozai
利之 小材
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2014247516A priority Critical patent/JP6272747B2/ja
Priority to PCT/JP2015/005250 priority patent/WO2016092728A1/ja
Priority to MYPI2017701731A priority patent/MY179707A/en
Priority to KR1020177015519A priority patent/KR101947621B1/ko
Priority to CN201580065668.7A priority patent/CN107001769B/zh
Priority to TW104135267A priority patent/TWI606093B/zh
Publication of JP2016108456A publication Critical patent/JP2016108456A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6272747B2 publication Critical patent/JP6272747B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/02—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
    • C08F290/06—Polymers provided for in subclass C08G
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/14—Peroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5435—Silicon-containing compounds containing oxygen containing oxygen in a ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

【課題】透明性が高く、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与える加熱硬化型シリコーン組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサン：１００質量部と、（Ｂ）ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルから選ばれる１種以上を含む有機過酸化物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部と、（Ｃ）エポキシ基を含有するシラン化合物又はエポキシ基を含有するシロキサン化合物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部と、を含有する加熱硬化型シリコーン組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光半導体素子は電力消費量が少ないという優れた特性を有するため、屋外照明用途や自動車用途の光半導体デバイスへの適用が増えてきている。このような光半導体デバイスは、一般に青色光、近紫外光あるいは紫外光を発光する光半導体発光素子から発する光を、波長変換材料である蛍光体によって波長変換して疑似白色が得られるようにした発光装置である。このような光半導体デバイス中、光半導体素子はダイボンド材を用いて筐体に接着・固定されている。
光半導体素子用ダイボンド材組成物としては、従来、接着性や機械的強度に優れるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、ＵＶ吸収の無いエポキシ樹脂、例えば、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂或いは脂環式エポキシ樹脂と、硬化剤および硬化触媒を含む組成物が多用されてきた。しかしながら、ＬＥＤ素子の輝度及び出力が高くなるのに伴い、ＬＥＤ素子からの紫外光、熱等によって、接着層の変色及びクラックの問題が起きている。
これらの問題を解決するものとして、ＵＶ吸収が無く且つ可撓性のある硬化物を与えるシリコーン樹脂にエポキシ基を導入した樹脂が知られており、例えば、グリシジル基、エポキシシクロヘキシル基等の環状エーテル含有基を１個以上有するシリコーン樹脂（特許文献１）や、分子内に脂環式エポキシ含有基を１個以上有するシリコーン共重合体樹脂、分子内にグリシジル含有基を１個以上有する２官能シリコーン樹脂を併用したもの（特許文献２）、更に、脂環式エポキシ変性シリコーン樹脂と脂環式エポキシ樹脂を併用したもの（特許文献３）などが報告されている。しかしながら、これらのいずれも硬化剤として、酸無水物やアミン系化合物を用いており、一般にこのような硬化剤を使用した場合、硬化剤はエポキシ当量に併せた配合部数を添加する必要がある。従って、樹脂硬化物中に、架橋構造に由来する光吸収性を有する有機官能基を多く残す結果となり、従来よりも効率が高くなったＬＥＤ素子からの光、熱に長期間曝されることによって、クラックや、変色が発生するなどの点で、満足の行くものではなく、改良が求められている。
特開２００８−４５０８８号公報 特開２００８−２０２０３６号公報 特開２０１１−１０９０５８号公報
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、透明性が高く、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与える加熱硬化型シリコーン組成物を提供することを目的とする。また、該組成物からなるダイボンド材を提供することを目的とする。さらに、該ダイボンド材で光半導体素子をダイボンディングした光半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明では、（Ａ） 下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
Figure 2016108456
 ［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ２は水素原子又はメチル基、Ｒ３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ１は−Ｒ４−、−Ｒ４−Ｏ−、−Ｒ４（ＣＨ３）２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］
（Ｂ）ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルから選ばれる１種以上を含む有機過酸化物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部、
（Ｃ）エポキシ基を含有するシラン化合物又はエポキシ基を含有するシロキサン化合物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部
を含有するものであることを特徴とする加熱硬化型シリコーン組成物を提供する。
このような加熱硬化型シリコーン組成物であれば、透明性が高く、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を与えることができる。
また、前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンのＺ１が−Ｒ４−であり、前記Ｚ２が酸素原子であることが好ましい。
また、前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンのＺ１が−Ｒ４−Ｏ−又は、−Ｒ４（ＣＨ３）２Ｓｉ−Ｏ−であり、前記Ｚ２が置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基であることが好ましい。
このような加熱硬化型シリコーン組成物であれば、（Ｂ）成分が分解する際に発生するフリーラジカルと（Ａ）成分が効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。
また、前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンが、下記一般式（２）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するものであることが好ましい。
Figure 2016108456
 （式中、ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は上記と同様である。）
このような加熱硬化型シリコーン組成物であれば、（Ｂ）成分が分解する際に発生するフリーラジカルと（Ａ）成分がより効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。
また、前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中に、０．１ｍｏｌ％以上の（ＳｉＯ２）単位を有することが好ましい。
このような加熱硬化型シリコーン組成物であれば、（Ｂ）成分が分解する際に発生するフリーラジカルと（Ａ）成分が更に効果的に反応し、更に（Ｂ）成分から発生する有機酸と（Ｃ）成分のエポキシ基が効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。
また、前記加熱硬化型シリコーン組成物を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が８０％以上であり、かつヘイズ値が２０％以下であることが好ましい。
このような加熱硬化型シリコーン組成物であれば、該組成物の硬化物の透明性がより高くなる。
更に本発明では、上記本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるものであることを特徴とするダイボンド材を提供する。
このようなダイボンド材であれば、ＬＥＤチップを配線板に搭載するためのダイボンド材として好適に用いることができる。
更に本発明では、上記本発明のダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有するものであることを特徴とする光半導体装置を提供する。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、透明性が高く、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を与えることができる。そのため、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材を硬化して得られる硬化物を用いた光半導体装置は、耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有するものとなる。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、透明性、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性、耐クラック性及び耐変色性を有する硬化物（透明硬化物）を与えることができる。そのため、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材は、ＬＥＤチップを配線板に搭載するためのダイボンド材として好適に用いることができる。また、該ダイボンド材を硬化して得られる硬化物を用いた光半導体装置は、耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有するものとなる。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有する光半導体装置の一例を示す断面図である。
以下、本発明をより詳細に説明する。
上記のように、透明性が高く、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与える加熱硬化型シリコーン組成物が求められている。
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、（Ａ） 下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
Figure 2016108456
 ［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ２は水素原子又はメチル基、Ｒ３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ１は−Ｒ４−、−Ｒ４−Ｏ−、−Ｒ４（ＣＨ３）２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］
（Ｂ）ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルから選ばれる１種以上を含む有機過酸化物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部、
（Ｃ）エポキシ基を含有するシラン化合物又はエポキシ基を含有するシロキサン化合物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部
を含有するものであることを特徴とする加熱硬化型シリコーン組成物が、透明性が高く、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を与えることができ、信頼性の高い光半導体装置を提供できることを見出し本発明に至った。
以下、本発明についてより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
［（Ａ）オルガノポリシロキサン］
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサンである。
Figure 2016108456
 ［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ２は水素原子又はメチル基、Ｒ３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ１は−Ｒ４−、−Ｒ４−Ｏ−、−Ｒ４（ＣＨ３）２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中の、Ｚ１、Ｚ２の組み合わせとしては、Ｚ１が−Ｒ４−であり、Ｚ２が酸素原子であるものや、Ｚ１が−Ｒ４−Ｏ−又は、−Ｒ４（ＣＨ３）２Ｓｉ−Ｏ−であり、Ｚ２が置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基であるものが好ましい。このような（Ａ）成分を含む加熱硬化型シリコーン組成物であれば、（Ｂ）成分が分解する際に発生するフリーラジカルと（Ａ）成分が効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。
また、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中に、０．１ｍｏｌ％以上の（ＳｉＯ２）単位を有することが好ましい。このような（Ａ）成分を含む加熱硬化型シリコーン組成物であれば、（Ｂ）成分が分解する際に発生するフリーラジカルと（Ａ）成分が更に効果的に反応し、更に（Ｂ）成分から発生する有機酸と（Ｃ）成分のエポキシ基が効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。
更に、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンが、下記一般式（２）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するものであることが好ましい。このような（Ａ）成分を含む加熱硬化型シリコーン組成物であれば、（Ｂ）成分が分解する際に発生するフリーラジカルと（Ａ）成分がより効果的に反応し、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。
Figure 2016108456
 （式中、ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は上記と同様である。）
また、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が８０％以上であり、かつヘイズ値が２０％以下であることが好ましい。このような加熱硬化型シリコーン組成物であれば、該組成物の硬化物の透明性がより高くなる。なお、ヘイズ値は、（ヘイズ値（％））＝（拡散光透過率）／（全光線透過率）×１００で定義されるものである。
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、２５℃での粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上の液状又は固体の分岐状又は三次元網状構造のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
上記式（１）において、Ｒ３で示されるケイ素原子に結合した置換又は非置換で同一又は異なってもよい１価の有機基としては、通常、炭素数１〜１２、好ましくは１〜８程度の炭化水素基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基やシアノエチル基等が挙げられる。
上記式（１）において、Ｒ４で示される置換又は非置換で同一又は異なってもよい２価の有機基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等の炭素原子数１〜１０のアルキレン基などの２価炭化水素基が例示され、炭素原子数１〜３のアルキレン基が好ましい。
以下に（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンを例示する。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）この成分は単一成分でも、他の成分と併用でも良い。また、下記式において、上記式（１）中のＲ３に相当する基が、メチル基の場合を例示しているが、その他の基（置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基）にも変更できる。
Figure 2016108456
Figure 2016108456
下記式に示す、ＭＡ単位、Ｍ単位、Ｑ単位が、ＭＡ：Ｍ：Ｑ＝１：４：６の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、５０００であるオルガノポリシロキサン。
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
下記式に示す、ＭＡ−Ｄ単位、Ｄ単位、Ｔ単位が、ＭＡ−Ｄ：Ｄ：Ｔ＝２：６：７の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、３５００であるオルガノポリシロキサン。
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
（Ａ）成分には、組成物の粘度や硬化物の硬度を調整する等の目的で、以下に示すようなシリコーンを含む反応性希釈剤や、シリコーンを含まない反応性希釈剤を添加することが出来る。
シリコーンを含む反応性希釈剤の具体的な例としては、下記式（３）〜（７）で示されるオルガノポリシロキサンが挙げられる。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）この成分は単一でも、他の成分と併用でも良い。
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
 （式中、ｐは１８、ｑは１８０である。）
Figure 2016108456
 （式中、ｐ’は２０、ｑは１８０である。）
Figure 2016108456
 （式中、ｐは１８、ｑは１８０である。）
このような（Ａ）成分の合成方法としては、例えば下記に示すオルガノハイドロジェンシラン、
Figure 2016108456
 （式中、ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｚ１は上記と同様である。）
好ましくは下式に示す化合物、
Figure 2016108456
 （式中、ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｚ１、Ｚ２は上記と同様である。）
より具体的には、１，３−ビス（３−メタクリロキシプロピル）テトラメチルジシロキサンと１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンを酸触媒存在下で平衡化反応する事によって得られる（３−メタクリロキシプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと、脂肪族不飽和基（例えば、エチレン性不飽和基、及びアセチレン性不飽和基が挙げられる。）を含むオルガノポリシロキサンとを、塩化白金酸触媒存在下でヒドロシリル化反応させるとよく、この方法で本発明に好適なものを製造することができるが、前記の合成方法に制限されるものではない。また、脂肪族不飽和基を含むオルガノポリシロキサンは、脂肪族不飽和基を有するオルガノアルコキシシランを含むアルコキシシランの（共）加水分解縮合など公知の方法で製造することができ、市販のものを用いても良い。
シリコーンを含まない反応性希釈剤としては、Ｈ２Ｃ＝ＣＧＣＯ２Ｒ５によって示されるような（メタ）アクリレート類があり、上記式中、Ｇは、水素、ハロゲン、炭素原子１〜４個のアルキル基のいずれかであり；Ｒ５は、１〜１６個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルカリル基、アラルキル基、アリール基のいずれかから選ばれ、これらのいずれかは、必要に応じ、ケイ素、酸素、ハロゲン、カルボニル、ヒドロキシル、エステル、カルボン酸、尿素、ウレタン、カルバメート、アミン、アミド、イオウ、スルホネート、スルホン等で置換し得る。
反応性希釈剤としてとりわけ望ましい（メタ）アクリレート類としては、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノール−Ａ（メタ）アクリレート（″ＥＢＩＰＡ″又は″ＥＢＩＰＭＡ″）のようなビスフェノール−Ａジ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフラン（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレート、シトロネリルアクリレート及びシトロネリルメタクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート（″ＨＤＤＡ″又は″ＨＤＤＭＡ″）、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラヒドロジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート（″ＥＴＴＡ″）、トリエチレングリコールジアクリレート及びトリエチレングリコールジメタクリレート（″ＴＲＩＥＧＭＡ″）、イソボルニルアクリレート及びイソボルニルメタクリレート、に相応するアクリレートエステルがある。もちろん、これらの（メタ）アクリレート類の組合せも反応性希釈剤として使用できる。
反応性希釈剤を添加する場合の添加量としては、０．０１〜３０質量％の範囲が好ましく、０．０５〜１０質量％の範囲がより好ましい。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、特定の用途において所望されるような硬化又は未硬化特性を改変させる他の成分も含ませ得る。例えば、（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリアルキル−又はトリアリル−イソシアヌレート、ビニルトリメトキシシラン等のような接着促進剤を含むことができ、約２０質量％までの量含むことが好ましい。他の任意成分は、非（メタ）アクリルシリコーン希釈剤又は可塑剤が挙げられ、約３０質量％までの量含むことが好ましい。非（メタ）アクリルシリコーン類としては、１００〜５００ｍＰａ・ｓの粘度を有するトリメチルシリル末端化オイル、及びシリコーンゴムが挙げられる。非（メタ）アクリルシリコーン類は、ビニル基のような共硬化性基を含み得る。
［（Ｂ）有機過酸化物］
（Ｂ）成分のジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルから選ばれる１種以上を含む有機過酸化物は、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物を所望の形状に成形した後に、加熱処理を加えて架橋反応により硬化させるために配合される成分であり、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選択する。
有機過酸化物は、高い反応性と長いポットライフを両立する観点から、半減期１０時間の温度が４０℃以上、かつ、半減期１分の温度が２００℃以下であることが好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上、かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下であることがより好ましい。
この場合、（Ｂ）成分の有機過酸化物の熱分解によって生じるフリーラジカルによって、上記（Ａ）成分中のケイ素原子に結合した炭化水素基同士、又は上記（Ａ）成分中のビニル基、アリル基等のアルケニル基同士の結合反応が生じて架橋硬化物とすることができる。更に、（Ｂ）成分の分解生成物の一部としてカルボキシル基を有する有機酸が発生するため、該有機酸が後述の（Ｃ）成分のエポキシ基と反応する架橋剤として作用し、より強固な架橋構造を形成することが可能となる。
ジアシルパーオキサイドとしては、例えば、イソブチルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン及びベンゾイルパーオキサイドが挙げられる。
パーオキシエステルとしては、例えば、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート及びビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサヒドロテレフタレートが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
その他の有機過酸化物としては、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等が挙げられる。これらの有機過酸化物を上記（Ｂ）成分のジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルから選ばれる１種以上を含む有機過酸化物と組み合わせて使用することもできる。
ジアルキルパーオキサイドとしては、例えば、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン及びｔ−ブチルクミルパーオキサイドが挙げられる。
パーオキシジカーボネートとしては、例えば、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ビス（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート及びビス（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネートが挙げられる。
パーオキシケタールとしては、例えば、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン及び２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）デカンが挙げられる。
ハイドロパーオキサイドとしては、例えば、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド及びクメンハイドロパーオキサイドが挙げられる。
シリルパーオキサイドとしては、例えば、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジメチルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキサイド及びトリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサイドが挙げられる。
（Ｂ）成分の添加量は、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部、好ましくは０．５〜１０質量部である。添加量が、０．１質量部未満の場合、反応が十分に進行せず、目的とする硬化物の硬度が得られない恐れがある。２０質量部を超える場合、所望とする硬化後の物性、すなわち十分な耐熱性、耐光性、耐クラック性が得られない恐れがあることに加え、着色が発生する恐れがあり、硬化物の全光線透過率が低下し、変色の原因となる。
［（Ｃ）エポキシ基を含有するシラン化合物又はエポキシ基を含有するシロキサン化合物］
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、（Ｃ）成分としてエポキシ基を含有するシラン化合物又はエポキシ基を含有するシロキサン化合物を含有する。これらの化合物は、分子内に１個以上のエポキシ基を含有すればよい。本明細書において、エポキシ基を含有するとは、エポキシ基を少なくとも基の一部に含んでいればよく、例えば、アルキル基、アルキルエーテル基等の他の官能基とエポキシ基を含有していてもよい。
本発明において、（Ｃ）成分は、前述の通り（Ｂ）成分の分解生成物の一部としてカルボキシル基を有する有機酸が発生するため、該有機酸が（Ｃ）成分のエポキシ基と反応する架橋剤として作用し、より強固な架橋構造を形成する目的として添加されるものであり重要である。
（Ｃ）成分において、エポキシ基としては特に限定されず、例えば、グリシジル基、エポキシシクロヘキシル基等が挙げられる。より具体的には、例えば、２，３−エポキシプロピル基、３，４−エポキシブチル基、４，５−エポキシペンチル基、２−グリシドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等が挙げられる。
（Ｃ）成分としては、分子内に１個以上のエポキシ含有基を有するシラン化合物又はシロキサン化合物であれば特に限定されない。例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤やその加水分解縮合物等が例示される。エポキシ基を含有するシランカップリング剤やその加水分解縮合物としては、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のシラン化合物やその加水分解縮合物等を挙げることができる。
（Ｃ）成分のうち、エポキシ基を含有するシロキサン化合物としては、下記に示すものを挙げることができるが、これらに限定されず用いることができる。
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
（Ｃ）成分を含有することで、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、硬化後の透過性が高く、光半導体素子の発熱や発光による耐熱性及び耐光性に優れるとともに、繰り返しの熱衝撃に対しても強靭な特性、すなわち耐クラック性を得ることができる。
（Ｃ）成分の添加量は、前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部、好ましくは０．５〜１５質量部である。添加量が、０．１質量部未満の場合、所望とする硬化後の物性、すなわち十分な耐熱性、耐光性、耐クラック性が得られない恐れがある。２０質量部を超える場合、反応が十分に進行せず、未反応のエポキシ基が硬化物中に残存するため、変色の原因となりうる恐れがある。
［（Ｄ）その他の成分］
組成物の透明性を更に維持し、硬化物の着色、酸化劣化等の発生を抑えるために、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を本発明の加熱硬化型シリコーン組成物に配合することができる。また、光劣化に対する抵抗性を付与するために、ヒンダードアミン系安定剤等の光安定剤を本発明の加熱硬化型シリコーン組成物に配合することもできる。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物の強度を向上、粘度調整、チキソ性付与等を目的として、更に、ヒュームドシリカ、ナノアルミナ等の無機質充填剤を配合してもよい。必要に応じて、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物に、染料、顔料、難燃剤等を配合してもよい。
また、作業性を改善する目的で溶剤等を添加して使用することも可能である。溶剤の種類は特に制限されるものでなく、硬化前の加熱硬化型シリコーン組成物を溶解し、前記無機質充填剤等を良好に分散させ、均一なダイボンド材あるいは接着剤等を提供できる溶剤を使用することができる。該溶剤の配合割合はダイボンド材等を使用する作業条件、環境、使用時間等に応じて適宜調整すればよい。溶剤は２種以上を併用してもよい。このような溶剤としては、ブチルカルビトールアセテート、カルビトールアセテート、メチルエチルケトン、α−テルピネオール、及びセロソルブアセテート等が挙げられる。
また、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、その接着性を向上させるための接着付与剤を含有してもよい。この接着付与剤としては、上記（Ｃ）成分以外のシランカップリング剤やその加水分解縮合物等が例示される。（Ｃ）成分以外のシランカップリング剤としては、（メタ）アクリル基含有シランカップリング剤、イソシアネート基含有シランカップリング剤、イソシアヌレート基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤等公知のものが例示され、前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．１〜２０質量部、より好ましくは０．３〜１０質量部用いることができる。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、上記各成分を、公知の混合方法、例えば、ミキサー、ロール等を用いて混合することによって製造することができる。また、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、回転粘度計、例えば、Ｅ型粘度計を用いて２３℃で測定した粘度が１０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、特には１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、公知の硬化条件下で公知の硬化方法により硬化させることができる。具体的には、通常、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１６０℃で加熱することにより、該組成物を硬化させることができる。加熱時間は、０．５分〜５時間程度、特に１分〜３時間程度でよい。作業条件、生産性、発光素子及び筐体耐熱性とのバランスから適宜選定することができる。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、ＬＥＤチップをパッケージに固定するために好適に用いることができる。また、その他有機電界発光素子（有機ＥＬ）、レーザーダイオード、及びＬＥＤアレイ等の光半導体素子にも好適に用いることができる。
更に本発明では、上記本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるものであり、半導体素子を配線板に接続するために使用することができるダイボンド材を提供する。
本発明の加熱硬化型シリコーン組成物は、透明性が高く、接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性に優れた硬化物を与えることができる。従って、上記加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材であれば、ＬＥＤチップを配線板に搭載するためのダイボンド材として好適に用いることができる。
ダイボンド材を塗布する方法は特に制限されず、例えば、スピンコーティング、印刷、及び圧縮成形等が挙げられる。ダイボンド材の厚みは適宜選択すればよく、通常５〜５０μｍ、特には１０〜３０μｍである。例えば、ディスペンス装置を用いて２３℃の温度、０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で吐出することで容易に塗布ができる。また、スタンピング装置を用いることで、所定の量のダイボンド材を基板に転写することでも容易にできる。
光半導体素子の搭載方法は特に制限されず、例えば、ダイボンダーが挙げられる。ダイボンド材の厚みを決定する要素は、前述のダイボンド材の粘度に加え、光半導体素子の圧着荷重、圧着時間、圧着温度が挙げられる。これら条件は、光半導体素子の外形形状、目的とするダイボンド材厚みに応じて適宜選択すればよく、圧着荷重は一般的に１ｇｆ以上１ｋｇｆ以下である。好ましくは１０ｇｆ以上１００ｇｆ以下である。１ｇｆ以上の圧着荷重であれば、ダイボンド材を十分に圧着することができる。また１ｋｇｆ以下の圧着荷重を用いれば、光半導体素子表面の発光層にダメージを与えることがない。圧着時間は工程の生産性との兼ね合いで適宜選択すればよく、一般的に０ｍｓｅｃを超え１ｓｅｃ以下である。好ましくは１ｍｓｅｃ以上３０ｍｓｅｃである。１ｓｅｃ以下であれば生産性の点で好ましい。圧着温度は特に制限はなく、ダイボンド材の使用温度範囲に従えばよいが、一般的に１５℃以上１００℃以下であると好ましい。ダイボンダーの圧着ステージに加温設備が無い場合は室温付近での温度帯で使用すればよい。１５℃以上であれば、ダイボンド材の粘度が高くなりすぎないため十分に圧着することができる。１００℃以下であれば、ダイボンド材の硬化が始まることがないため、目的とするダイボンド材の厚さに到達することができる。
更に本発明では、上記本発明のダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有するものである光半導体装置を提供する。
本発明の光半導体装置は、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有するため、耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有するものとなる。
本発明の光半導体装置は、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材を基板に塗布した後、従来公知の方法に従い光半導体素子をダイボンディングすることにより製造することができる。
以下、本発明の光半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。図１は、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有する光半導体装置の一例を示す断面図である。図１に示す光半導体装置は、パッケージ基板の筐体１の第１のリード電極３上に、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材５を硬化して得られる硬化物を有し、この硬化物の上に光半導体素子２が搭載されたものである。この光半導体素子２の電極は、金線６によって第１のリード電極３と電気的に接続されている。また、この光半導体素子２の電極は、金線７によって第２のリード電極４と電気的に接続されている。また、この光半導体素子２は、封止樹脂８で封止されている。
図１の光半導体装置の製造方法としては、以下の方法を例示できる。
まず、パッケージ基板の筐体１の第１のリード電極３上に、本発明の加熱硬化型シリコーン組成物からなるダイボンド材５を定量転写し、その上に光半導体素子２を搭載する。次に、ダイボンド材５を加熱硬化させる。次に、光半導体素子２の電極と第１のリード電極３を金線６を用いて電気的に接続し、光半導体素子２の電極と第２のリード電極４を金線７を用いて電気的に接続し、光半導体素子２が搭載されたパッケージ基板を得る。次いで、封止樹脂８を定量塗布し、塗布された封止樹脂を公知の硬化条件下で公知の硬化方法により、硬化させることによってパッケージ基板を封止することができる。本発明のダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有する光半導体デバイスとしては、例えば、ＬＥＤ、半導体レーザー、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、ＣＣＤ等が挙げられる。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）
〔調製例〕
（調製例１〜３）
下記成分を撹拌混合し、表１に示す組成のシリコーン組成物を調製した。
［（Ａ）成分］
（Ａ−１）
下記式に示す、ＭＡ単位、Ｍ単位、Ｑ単位が、ＭＡ：Ｍ：Ｑ＝１：４：６の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、５０００であるオルガノポリシロキサン。
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
（Ａ−２）
下記式に示すオルガノポリシロキサン。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）
Figure 2016108456
（Ａ−３）
下記式に示す、ＭＡ−Ｄ単位、Ｄ単位、Ｔ単位が、ＭＡ−Ｄ：Ｄ：Ｔ＝２：６：７の割合で含まれ、分子量がポリスチレン換算の重量平均分子量で、３５００であるオルガノポリシロキサン。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）
Figure 2016108456
Figure 2016108456
Figure 2016108456
調製例１〜３の（Ａ）成分の配合量を、表１に示す。
Figure 2016108456
［（Ｂ）成分］
（Ｂ−１）
ジアシルパーオキサイドとしてＤｉ−（３−ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｏｙｌ）ｐｅｒｏｘｉｄｅ， Ｂｅｎｚｏｙｌ（３−ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｏｙｌ）ｐｅｒｏｘｉｄｅ ａｎｄ Ｄｉｂｅｎｚｏｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ（商品名：ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０、日本油脂株式会社製）をそのまま用いた。
（Ｂ−２）
パーオキシエステルとしてｔ−Ｂｕｔｙｌ ｐｅｒｏｘｙ−２−ｅｔｈｙｌｈｅｘａｎｏａｔｅ（商品名：パーブチルＯ、日本油脂株式会社製）をそのまま用いた。
（Ｂ−３）
ジアルキルパーオキサイドとしてｔ−Ｂｕｔｙｌ ｃｕｍｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ（商品名：パーブチルＣ、日本油脂株式会社製）をそのまま用いた。
［（Ｃ）成分］
（Ｃ−１）
側鎖にエポキシ基を含有する反応性シリコーンオイル（商品名：Ｘ−２２−３４３、信越化学工業株式会社製）をそのまま用いた。
（Ｃ−２）
エポキシ基を含有するシラン化合物として、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−４０３、信越化学工業株式会社製）をそのまま用いた。
（Ｃ−３）
エポキシ基を含有するシロキサン化合物として、下記式に示す、２，４，６，８−テトラメチル‐２，４，６，８−テトラキス［β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチル］シクロテトラシロキサン（商品名：Ｘ−４０−２６７０、信越化学工業株式会社製）をそのまま用いた。
Figure 2016108456
（Ｃ−４）
エポキシ基を含有しないシラン化合物として、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ−５０３、信越化学工業株式会社製）をそのまま用いた。
［実施例１〜６］
（実施例１）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−１）１０質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−１）４質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
（実施例２）
（Ａ）成分として調製例２で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−１）１０質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−１）４質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
（実施例３）
（Ａ）成分として調製例３で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−１）１０質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−１）４質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
（実施例４）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−２）５質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−１）４質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
（実施例５）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−２）５質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−２）４質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
（実施例６）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−１）１０質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−３）５質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
［比較例１〜４］
（比較例１）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−３）５質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−１）４質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
（比較例２）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−１）５質量部、（Ｃ）成分として（Ｃ−４）４質量部、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
（比較例３）
（Ａ）成分として調製例１で得られたシリコーン組成物１００質量部、（Ｂ）成分として（Ｂ−１）５質量部、（Ｃ）成分は添加せず、補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡して樹脂組成物を製造した。
［比較例４］
平均組成式：ＭＶｉＤ３００ＭＶｉのシリコーンオイル３５質量部、
Ｍ単位とＭＶｉ単位とＱ単位とから構成され、ＭＶｉ単位に対するＭ単位のモル比が６．２５であり、Ｑ単位に対するＭ単位とＭＶｉ単位との合計のモル比が０．８であるシリコーンレジン６５質量部、
平均構造式：ＭＤＨ ８０Ｍで表されるメチルハイドロジェンシロキサン８質量部、
塩化白金酸／１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液０．０６質量部、
エチニルシクロヘキサノール０．０５質量部、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３質量部、
及び補強材として煙霧質シリカ（製品名レオロシールＤＭ−３０Ｓ、トクヤマ社製）７質量部を混合し、さらに三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してシリコーンダイボンド材を調製した。
なお、上記のシリコーンダイボンド材において、各成分の平均組成を示す記号は以下の通りの単位を示す。
Ｍ：（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２
ＭＶｉ：（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２
ＤＨ：（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２
Ｄ：（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２
Ｑ：ＳｉＯ４／２
実施例、比較例の組成物について、以下の諸特性を測定した。結果を表２に示す。
［ヘイズ測定、及び全光線透過率の測定］
日本電色工業社製 ヘイズメーターＮＤＨ−５０００ＳＰを用いてヘイズ、及び全光線透過率の測定を行った。上記の条件で混合した試料を、２ｍｍ厚のセルに流し込み、所定の条件（実施例１〜６、比較例２〜４は１５０℃、４時間、比較例１は１７０℃、１時間）で加熱硬化を行い、表面が清浄な２ｍｍ厚の硬化物を得、これを測定部にセットし測定した。３度の測定におけるヘイズ値、全光線透過率の平均値を求めた。
［光半導体パッケージの作製］
ＬＥＤ用パッケージ基板として、光半導体素子を載置する凹部を有し、その底部に銀メッキされた第１のリード電極と第２のリード電極が設けられたＬＥＤ用パッケージ基板［ＳＭＤ５０５０（Ｉ−ＣＨＩＵＮ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＩＮＤＵＳＴＲＹ ＣＯ．，社製、樹脂部ＰＰＡ（ポリフタルアミド））］、光半導体素子として、Ｂｒｉｄｇｅｌｕｘ社製 ＢＸＣＤ３３を、それぞれ用意した。
ダイボンダー（ＡＳＭ社製 ＡＤ−８３０）を用いて、パッケージ基板の銀メッキされた第１のリード電極に、実施例及び比較例に示す各ダイボンド材をスタンピングにより定量転写し、その上に光半導体素子を搭載した。このときの光半導体素子の搭載条件は、圧着時間１３ｍｓｅｃ、圧着荷重６０ｇｆであり、加温装置を用いず室温２５℃の環境で行った。次に、パッケージ基板をオーブンに投入し各ダイボンド材を加熱硬化させた（実施例１〜６、比較例２〜４は１５０℃、４時間、比較例１は１７０℃、１時間）。次に、光半導体素子の電極と第１のリード電極を金ワイヤー（田中電子工業社製 ＦＡ ２５μｍ）を用いて電気的に接続し、光半導体素子の電極と第２のリード電極を金ワイヤー（田中電子工業社製 ＦＡ ２５μｍ）を用いて電気的に接続した。これにより、光半導体素子が搭載されたＬＥＤ用パッケージ基板各１枚（パッケージ数にして１２０個）を得た。
次いで、上記で得られた光半導体素子が搭載されたＬＥＤ用パッケージ基板１枚の半分（パッケージ数にして６０個）を採取し、ディスペンス装置（武蔵エンジニアリング製、ＳｕｐｅｒΣ ＣＭ ＩＩ）を用いて、シリコーン封止材（製品名：ＫＥＲ２５００、信越化学工業株式会社製）を定量塗布し、１５０℃、４時間で封止材の加熱硬化を行った。
上記のようにして、ダイボンド材の異なる光半導体パッケージを作製し、以下の試験に用いた。
［温度サイクル試験］
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージのうち１０個を、温度サイクル試験（−４０℃〜１２５℃、各２０分間を１０００サイクル）に用い、顕微鏡で、試験後の光半導体パッケージの接着材部のクラックの有無を観察し、クラックが発生した光半導体パッケージの数を数えた。
［高温点灯試験］
上記の方法で得られた封止材が充填された光半導体パッケージのうち１０個を、高温下（８５℃）で、１５０ｍＡ通電、１０００時間点灯した後、光半導体素子と光半導体素子を載置する凹部の底部との間の剥離等の接着不良の有無、クラック発生の有無、及び光半導体素子周りの接着層の変色の有無を顕微鏡で観察し、外観異常が発生した光半導体パッケージの数を数えた。
［ダイシェア試験］
上記の方法で得られた封止材を充填しなかった光半導体パッケージのうち１０個を、２５℃の室内でボンドテスター（Ｄａｇｅ社製 Ｓｅｒｉｅｓ４０００）を用いてダイシェア強度の測定を行い、得られた測定値の平均値をＭＰａで示した。
得られた結果を表２に示す。
Figure 2016108456
表２に示すように、本発明の範囲を満たす加熱硬化型シリコーン組成物をダイボンド材として用いた実施例１〜実施例６では、いずれも全光線透過率、ヘイズの結果からもわかるように高透明な硬化物を得ることが可能であり、温度サイクル試験後のクラックの発生がなく、すべてのパッケージで点灯可能であった。また、高温点灯試験でも組成物に外観の変化はなく、すべてのパッケージで点灯可能であった。更に、ダイシェア測定の結果、接着力が高く信頼性の高い光半導体デバイスを製造できることがわかった。
一方、（Ｂ）成分が本発明の範囲を満たさないシリコーン樹脂組成物である比較例１では、全光線透過率、ヘイズの結果からの透明性は良好であったが、ダイボンド材の加熱硬化工程で十分な硬化がなされず良好な硬化物が得られなかった。このため、温度サイクル試験、高温点灯試験ではクラックが入り、ダイシェア測定試験でも十分な接着強度が得られなかった。
（Ｃ）成分が本発明の範囲を満たさないシリコーン樹脂組成物であるである比較例２では、全光線透過率、ヘイズの結果からの透明性は良好であったが、ダイボンド材の加熱硬化工程で十分な硬化がなされず良好な硬化物が得られなかった。このため、温度サイクル試験、高温点灯試験ではクラックが入り、ダイシェア測定試験でも十分な接着強度が得られなかった。
（Ｃ）成分を添加しない配合となる比較例３では、全光線透過率、ヘイズの結果からの透明性は良好であり、ダイボンド材の加熱硬化工程で十分な硬化がなされたが、クラックが入りやすいものであった。このため、温度サイクル試験、高温点灯試験でわずかな確率でクラックが入り、ダイシェア測定試験でも十分な接着強度が得られなかった。
一般的なシリコーン樹脂をダイボンド材として用いた比較例４では、全光線透過率、ヘイズの結果からわかるように、高透明な硬化物とは言えないものであった。温度サイクル試験後のクラックの発生がなく、すべてのパッケージで点灯可能であり、また、高温点灯試験でも樹脂組成物に外観の変化はなく、すべてのパッケージで点灯可能であった。一方で、ダイシェア測定の結果、接着力は本発明のものと比較して低いものであった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１…筐体、 ２…光半導体素子、 ３…第１のリード電極、 ４…第２のリード電極、
５…ダイボンド材、 ６、７…金線、 ８…封止樹脂。
（Ｃ）成分が本発明の範囲を満たさないシリコーン樹脂組成物である比較例２では、全光線透過率、ヘイズの結果からの透明性は良好であったが、ダイボンド材の加熱硬化工程で十分な硬化がなされず良好な硬化物が得られなかった。このため、温度サイクル試験、高温点灯試験ではクラックが入り、ダイシェア測定試験でも十分な接着強度が得られなかった。

Claims (8)

  1. （Ａ） 下記一般式（１）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
    Figure 2016108456
     ［式中、ｍは０，１，２のいずれかであり、Ｒ１は水素原子、フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Ｒ２は水素原子又はメチル基、Ｒ３は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１２の１価の有機基、Ｚ１は−Ｒ４−、−Ｒ４−Ｏ−、−Ｒ４（ＣＨ３）２Ｓｉ−Ｏ−（Ｒ４は置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基）のいずれか、Ｚ２は酸素原子又は置換若しくは非置換で同一若しくは異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基である。］
    （Ｂ）ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルから選ばれる１種以上を含む有機過酸化物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部、
    （Ｃ）エポキシ基を含有するシラン化合物又はエポキシ基を含有するシロキサン化合物：前記（Ａ）成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部
    を含有するものであることを特徴とする加熱硬化型シリコーン組成物。
  2. 前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンのＺ１が−Ｒ４−であり、前記Ｚ２が酸素原子であることを特徴とする請求項１に記載の加熱硬化型シリコーン組成物。
  3. 前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンのＺ１が−Ｒ４−Ｏ−又は、−Ｒ４（ＣＨ３）２Ｓｉ−Ｏ−であり、前記Ｚ２が置換又は非置換で同一又は異なってもよい炭素数１〜１０の２価の有機基であることを特徴とする請求項１に記載の加熱硬化型シリコーン組成物。
  4. 前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンが、下記一般式（２）で表される構造を分子中に少なくとも１つ有するものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の加熱硬化型シリコーン組成物。
    Figure 2016108456
     （式中、ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は上記と同様である。）
  5. 前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中に、０．１ｍｏｌ％以上の（ＳｉＯ２）単位を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の加熱硬化型シリコーン組成物。
  6. 前記加熱硬化型シリコーン組成物を硬化して得られる２ｍｍ厚の硬化物の全光線透過率が８０％以上であり、かつヘイズ値が２０％以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の加熱硬化型シリコーン組成物。
  7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の加熱硬化型シリコーン組成物からなるものであることを特徴とするダイボンド材。
  8. 請求項７に記載のダイボンド材を硬化して得られる硬化物を有するものであることを特徴とする光半導体装置。
JP2014247516A 2014-12-08 2014-12-08 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置 Active JP6272747B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014247516A JP6272747B2 (ja) 2014-12-08 2014-12-08 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置
PCT/JP2015/005250 WO2016092728A1 (ja) 2014-12-08 2015-10-19 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置
MYPI2017701731A MY179707A (en) 2014-12-08 2015-10-19 Thermosetting silicone composition, die bonding material comprising the same, and photosemiconductor apparatus having cured product of die bonding material
KR1020177015519A KR101947621B1 (ko) 2014-12-08 2015-10-19 가열경화형 실리콘 조성물, 이 조성물로 이루어진 다이본드재 및 이 다이본드재의 경화물을 이용한 광반도체 장치
CN201580065668.7A CN107001769B (zh) 2014-12-08 2015-10-19 加热固化型硅氧组合物、该组合物构成的固晶材料及用该固晶材料的固化物的光半导体装置
TW104135267A TWI606093B (zh) 2014-12-08 2015-10-27 Heat-hardening type oxygen-containing composition, a solid crystal material composed of the composition, Optical semiconductor device using hardened material of the solid crystal material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014247516A JP6272747B2 (ja) 2014-12-08 2014-12-08 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016108456A true JP2016108456A (ja) 2016-06-20
JP6272747B2 JP6272747B2 (ja) 2018-01-31

Family

ID=56106969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014247516A Active JP6272747B2 (ja) 2014-12-08 2014-12-08 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6272747B2 (ja)
KR (1) KR101947621B1 (ja)
CN (1) CN107001769B (ja)
MY (1) MY179707A (ja)
TW (1) TWI606093B (ja)
WO (1) WO2016092728A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180051392A (ko) 2016-11-08 2018-05-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 가열 경화형 실리콘 조성물, 다이 본드재 및 광반도체 장치
JP2019056106A (ja) * 2017-09-19 2019-04-11 三洋化成工業株式会社 活性エネルギー線硬化性組成物
WO2020202932A1 (ja) * 2019-04-02 2020-10-08 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン接着剤組成物

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3741810B1 (en) * 2018-01-15 2022-11-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone composition

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015172173A (ja) * 2013-08-29 2015-10-01 旭化成株式会社 光反射材用樹脂組成物、光反射材、光半導体部品用リフレクタ、及び光半導体部品

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5015571B2 (ja) * 2006-01-12 2012-08-29 信越化学工業株式会社 発光ダイオード素子用紫外線硬化型シリコーン組成物
TWI437047B (zh) * 2006-01-12 2014-05-11 Shinetsu Chemical Co 用於發光二極體元件的紫外光可固化矽氧組成物
JP4563977B2 (ja) * 2006-09-22 2010-10-20 信越化学工業株式会社 加熱硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた発光ダイオード素子
JP5292704B2 (ja) * 2007-02-23 2013-09-18 横浜ゴム株式会社 発光素子用封止材組成物、その硬化物および発光素子封止体
JP2010013572A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物及び反射防止フィルム
JP2012107127A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Yokohama Rubber Co Ltd:The シリコーン樹脂組成物、ならびに、これを用いて得られるシリコーン樹脂含有構造体および光半導体素子封止体
JP5805420B2 (ja) * 2011-03-31 2015-11-04 旭化成ケミカルズ株式会社 オルガノポリシロキサンを用いた熱硬化性樹脂組成物、光半導体用封止材、半導体用ダイボンド材、光半導体パッケージ、光半導体
JP5987221B2 (ja) * 2012-07-27 2016-09-07 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2014031394A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
JP6096087B2 (ja) * 2012-12-21 2017-03-15 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物、その硬化物及び光半導体デバイス

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015172173A (ja) * 2013-08-29 2015-10-01 旭化成株式会社 光反射材用樹脂組成物、光反射材、光半導体部品用リフレクタ、及び光半導体部品

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180051392A (ko) 2016-11-08 2018-05-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 가열 경화형 실리콘 조성물, 다이 본드재 및 광반도체 장치
JP2018076415A (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 信越化学工業株式会社 加熱硬化型シリコーン組成物、ダイボンド材及び光半導体装置
KR102390737B1 (ko) 2016-11-08 2022-04-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 가열 경화형 실리콘 조성물, 다이 본드재 및 광반도체 장치
JP2019056106A (ja) * 2017-09-19 2019-04-11 三洋化成工業株式会社 活性エネルギー線硬化性組成物
JP7352334B2 (ja) 2017-09-19 2023-09-28 三洋化成工業株式会社 活性エネルギー線硬化性組成物
WO2020202932A1 (ja) * 2019-04-02 2020-10-08 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン接着剤組成物
JP2020169254A (ja) * 2019-04-02 2020-10-15 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン接着剤組成物
JP7172805B2 (ja) 2019-04-02 2022-11-16 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン接着剤組成物

Also Published As

Publication number Publication date
MY179707A (en) 2020-11-11
TW201631040A (zh) 2016-09-01
TWI606093B (zh) 2017-11-21
KR101947621B1 (ko) 2019-02-14
WO2016092728A1 (ja) 2016-06-16
KR20170092571A (ko) 2017-08-11
CN107001769B (zh) 2019-07-09
JP6272747B2 (ja) 2018-01-31
CN107001769A (zh) 2017-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4586967B2 (ja) 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
KR102390737B1 (ko) 가열 경화형 실리콘 조성물, 다이 본드재 및 광반도체 장치
JP5505991B2 (ja) 高接着性シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
CN105121556B (zh) 可固化有机硅组合物、其固化产物及光学半导体器件
JP5149022B2 (ja) 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
CN105924974B (zh) 加成固化性有机硅树脂组合物和光学半导体设备的芯片贴装材料
JPWO2006077667A1 (ja) 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置
JP6272747B2 (ja) 加熱硬化型シリコーン組成物、該組成物からなるダイボンド材及び該ダイボンド材の硬化物を用いた光半導体装置
US10927278B2 (en) Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device
KR102340593B1 (ko) 투명수지 조성물, 이 조성물로 이루어진 접착제, 이 조성물로 이루어진 다이본드재, 이 조성물을 이용한 도전접속방법, 및 이 방법에 의해 얻어진 광반도체 장치
KR101657528B1 (ko) 가열경화형 도전성 실리콘 조성물, 이 조성물로 이루어진 도전성 접착제, 이 조성물로 이루어진 도전성 다이본드재, 이 다이본드재의 경화물을 갖는 광반도체 장치
JP7296748B2 (ja) ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、及び光半導体デバイス
JP2007180284A (ja) 発光装置
JP7360910B2 (ja) 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。
JP2016183215A (ja) シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体
JP2019199500A (ja) 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171010

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6272747

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150