CN101673716B - 硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置 - Google Patents

硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101673716B
CN101673716B CN200910173727.9A CN200910173727A CN101673716B CN 101673716 B CN101673716 B CN 101673716B CN 200910173727 A CN200910173727 A CN 200910173727A CN 101673716 B CN101673716 B CN 101673716B
Authority
CN
China
Prior art keywords
composition
laminated substrate
sio
silicone
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200910173727.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101673716A (zh
Inventor
柏木努
塩原利夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN101673716A publication Critical patent/CN101673716A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101673716B publication Critical patent/CN101673716B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
    • C03C25/10—Coating
    • C03C25/1095—Coating to obtain coated fabrics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/02—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres in the form of fibres or filaments
    • B32B17/04—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres in the form of fibres or filaments bonded with or embedded in a plastic substance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y10T428/31609—Particulate metal or metal compound-containing
    • Y10T428/31612—As silicone, silane or siloxane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)

Abstract

一种硅氧积层基板，其具有玻璃布、以及填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧树脂组成物的固化物，且此组成物包含(A)包含特定硅氧烷单元的树脂结构的有机聚硅氧烷、(B)包含特定硅氧烷单元的树脂结构的有机氢化聚硅氧烷、(C)铂族金属类催化剂以及(D)填充剂。此硅氧积层基板的机械特性、可挠性、加工性优异，且表面粘性小而操作容易。此硅氧积层基板可以通过使所述组成物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸在玻璃布中，使此溶剂从此玻璃布中蒸发而加以去除，并在加压成型下使含浸在此玻璃布中的此组成物加热固化而制造。由用于LED装置的所述硅氧积层基板可以获得具备此基板、以及封装在此基板上的LED芯片的LED装置。

Description

硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及LED装置
技术领域
本发明涉及一种硅氧积层基板、此硅氧积层基板的制法、硅氧积层基板制造用硅氧树脂组成物以及发光二极管(Light Emitting Diode，LED)装置。硅氧积层基板例如可以举出LED装置用硅氧积层基板、电气电子零件等的封装用硅氧积层基板。
背景技术
LED的封装基板或者电气电子零件等的封装基板大多是利用使环氧树脂含浸在玻璃中的基板，但是，尚留有无铅问题、以及由于零件的发热或光的影响而导致基板劣化的问题作为需解决的课题。而且，对于要求耐热性的LED的封装基板，一直是使用氧化铝、氮化铝等的陶瓷，但是价格昂贵且难以制成大型的基板。因此，一直在研究将耐候性、耐热性等特性优异且被用于各种用途的硅氧积层基板也用作LCD的封装基板或者电气电子零件等的封装基板。但是，以前的硅氧积层基板是使用缩合清漆或者加成清漆来制造的，因此制法繁琐复杂，并且由于将铜箔等贴附在表面上而存在粘着力弱的问题。
而且，当用作LED的封装基板或者电气电子零件等的封装基板时，要求硅氧积层基板具有优异的耐龟裂性或耐冲击性。另外，对于制造硅氧积层基板时所使用的硅氧树脂组成物，要求其能够利用以前的成型装置来固化，期望其在室温下为固体状或者半固体状。
另外，与本发明相关的先行技术例如可以举出下述专利文献所记载的技术。
[先行技术文献]
[专利文献]
专利文献1：US 2007/0013049A1
专利文献2：JP 2000-265073A
一般来说，当使用加成固化型的硅氧清漆积层基板组成物时，通常是利用预固化(precure)使此组成物成为B阶(B stage)状态后，利用热压机来制成积层基板，但存在步骤繁琐复杂、且无法获得充分的强度或加工性的缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种机械特性、可挠性、加工性优异且表面粘性小而操作容易的LED装置用硅氧积层基板等的硅氧积层基板，此硅氧积层基板的制法，硅氧积层基板制造用硅氧树脂组成物以及LED装置。
本发明人为了解决所述课题而进行了努力研究，结果发现，利用下述的包括LED装置用硅氧积层基板的硅氧积层基板、此硅氧积层基板的制法、硅氧积层基板制造用硅氧树脂组成物以及LED装置可以解决所述课题，从而完成了本发明。
即，本发明的第一发明提供了一种硅氧积层基板，其是具有玻璃布、以及
填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧树脂组成物的固化物而成，并且
所述硅氧树脂组成物包括下述成分：
(A)树脂结构的有机聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2单元(其中，R1、R2以及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基或者苯基，R4独立表示乙烯基或者烯丙基，a为0、1或者2，b为1或者2，且a+b为2或者3)，且
包含所述R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构；
(B)树脂结构的有机氢化聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元(其中，R1、R2以及R3独立地如上所述，c为0、1或者2，d为1或者2，且c+d为2或者3)，且
包含所述R2 2SiO单元的至少一部连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构：(B)成分中的与硅原子键合的氢原子相对于(A)成分中的乙烯基与烯丙基的总量以摩尔比计为0.1～4.0的量；
(C)铂族金属类催化剂：有效量；以及
(D)填充剂：相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为900重量份以下。
本发明的一个实施态样中，所述硅氧积层基板是LED装置用硅氧积层基板，且(D)成分填充剂含有：
(D1)(D2)成分以外的无机质填充剂：相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为600重量份以下；以及在上述硅氧积层基板需要反射光时，含有
(D2)白色颜料：相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为1重量份～300重量份。
本发明的第二发明提供一种所述硅氧积层基板的制法，其包括如下步骤：
使含有所述(A)成分～(D)成分的硅氧树脂组成物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸在玻璃布中；
接着，使所述溶剂从此玻璃布中蒸发而加以去除，
然后，在加压成型下使含浸在此玻璃布中的所述硅氧树脂组成物加热固化。
本发明的第三发明提供一种含有所述(A)成分～(D)成分的硅氧积层基板制造用硅氧树脂组成物。
本发明的第四发明提供一种LED装置，其包括：
所述LED装置用硅氧积层基板、以及
封装在此基板上的LED芯片。
[发明效果]
根据本发明，使用通过以往的成型装置也可以容易地成型的加成固化型硅氧树脂组成物，借此与以往的硅氧基板相比，可以容易地获得机械特性优异、表面粘性小的硅氧积层基板，在一个实施态样中，可以容易地获得机械特性、耐热性、耐变色性优异且表面粘性小的LED装置用硅氧积层基板。对于包括本发明的LED装置用硅氧积层基板的本发明的硅氧积层基板而言，尽管使硬质的硅氧固化物填充到玻璃布中、且被覆玻璃布表面，但可挠性仍优异，且操作容易。特别是使用在室温下为固体状的硅氧树脂组成物时，使此硅氧树脂组成物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸在玻璃布中，使所述溶剂从此玻璃布中蒸发而加以去除后，此组成物为A阶(Astage)状态而为固态，因此具有如下优点：含浸了此组成物的玻璃布的保管更加容易，且可以更容易地进行利用热压机的成型，进一步可以更自由地成型硅氧积层基板的形状。本发明的硅氧积层基板加工性优异，可以合适地用作包括各种半导体的电气电子零件等的封装基板。本发明的LED装置用硅氧积层基板加工性优异，可以合适地用作LED装置的封装基板。而且，使用此LED装置用硅氧积层基板而制作的本发明的LED装置的随时间经过的波长(色调)的变化小，且寿命长。
附图说明
图1是表示本发明的LED装置的一例的截面图。
1：LED装置            2：LED用硅氧积层基板
3：电极图案           4：芯片焊接剂
5：LED芯片            6：接合线
7：透明密封体
具体实施方式
以下，对本发明加以更详细的说明。另外，在本说明书中，“室温”是指15℃～30℃的温度。并且，Ph表示苯基，Me表示甲基，Et表示乙基，Vi表示乙烯基。
[硅氧树脂组成物]
本发明的硅氧树脂组成物包含下述(A)成分～(D)成分，适合用来制造本发明的硅氧积层基板。含有下述(A)成分～(C)成分、(D1)成分以及视情况含有(D2)成分的本发明的硅氧树脂组成物，适合用来制造本发明的LED装置用硅氧积层基板。本发明的组成物优选在室温下为固体状，更优选在室温下为具有塑性的固体。在室温下为固体状的组成物容易操作，而无需像以往的硅氧树脂那样需要使其部分固化后再进行操作。
以下，对本发明的硅氧树脂组成物所含的各成分加以说明。
-(A)树脂结构的有机聚硅氧烷-
作为本发明的组成物的一种重要构成成分的(A)是树脂结构(即三维网状结构)的有机聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 aR4 bSiO(4-a -b)/2单元(其中，R1、R2以及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基或者苯基，R4独立表示乙烯基或者烯丙基，a为0、1或者2，b为1或者2，且a+b为2或者3)，且
部分地含有所述R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个、优选8个～40个、更优选10个～35个的结构。
另外，所述R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构，是指以下述通式(1)所表示的直链状二有机聚硅氧烷链结构，
Figure G2009101737279D00041
(其中，m为5～50的整数)。
优选的是，(A)成分有机聚硅氧烷中所存在的所有R2 2SiO单元的至少一部分、优选50摩尔％或50摩尔％以上(50摩尔％～100摩尔％)、特别优选80摩尔％或80摩尔％以上(80摩尔％～100摩尔％)在分子中形成以所述通式(1)所表示的链结构。
在(A)成分的分子中，R2 2SiO单元发挥作以使聚合物分子呈直链状延伸，R1SiO1.5单元使聚合物分子分支或者形成三维网状结构。R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2单元中的R4(独立为乙烯基或者烯丙基)与后述(B)成分所具有的R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元的硅原子上键合的氢原子(即SiH基)进行硅氢化加成反应，借此实现使本发明的组成物固化的作用。
就所获得的固化物的特性方面而言，构成(A)成分的三种必需的硅氧烷单元的摩尔比，即R1SiO1.5单元∶R2 2SiO单元∶R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2单元的摩尔比优选90～24∶75～9∶50～1，特别优选70～28∶70～20∶10～2(其中总量为100)。
而且，此(A)成分的由凝胶渗透色谱仪(Gel PermeationChromatography，GPC)所得的聚苯乙烯换算重量平均分子量在3,000～1,000,000、特别是10,000～100,000的范围内时，此聚合物为固体或者半固体状，从作业性、固化性等方面而言较为合适。
所述树脂结构的有机聚硅氧烷可以通过下述方式来合成：以使所述三种硅氧烷单元在聚合产物中达成所需的摩尔比的方式来组合成为各单元的原料的化合物，并在例如酸的存在下进行共水解缩合。
这里，R1SiO1.5单元的原料可例示：MeSiCl3、EtSiCl3、PhSiCl3、丙基三氯硅烷、环己基三氯硅烷等氯硅烷类，以及分别与所述各氯硅烷类相对应的甲氧基硅烷类等烷氧基硅烷类等。
R2 2SiO单元的原料可例示：
ClMe2SiO(Me2SiO)jSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2Cl、
(HO)Me2SiO(Me2SiO)jSiMe2(OH)、
(HO)Me2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2(OH)、
(HO)Me2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2(OH)、
(MeO)Me2SiO(Me2SiO)jSiMe2(OMe)、
(MeO)Me2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2(OMe)、
(MeO)Me2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2(OMe)等，
(其中，j＝3～48的整数(平均值)，k＝0～47的整数(平均值)，L＝1～48的整数(平均值)，且k+L＝3～48的整数(平均值))等。
而且，R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2单元表示从R3R4SiO单元、R3 2R4SiO0.5单元、R4 2SiO单元以及R3R4 2SiO0.5单元中选择的一种硅氧烷单元或者两种以上的硅氧烷单元的组合。其原料可例示：Me2ViSiCl、MeViSiCl2、Ph2ViSiCl、PhViSiCl2等氯硅烷类，以及与这些氯硅烷类分别对应的甲氧基硅烷类等烷氧基硅烷类等。
另外，在本发明中，通过所述原料化合物的共水解以及缩合来制造(A)成分有机聚硅氧烷时，R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元、R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2单元或者这些单元的两种以上的组合中，包含具有硅醇基的硅氧烷单元。优选为(A)成分有机聚硅氧烷可含有通常相对于所有硅氧烷单元为10摩尔％以下(0摩尔％～10摩尔％)的所述含硅醇基的硅氧烷单元。所述含硅醇基的硅氧烷单元例如可举出：(HO)SiO1.5单元、R2′(HO)SiO单元、(HO)2SiO单元、R4(HO)SiO单元、R4 2(HO)SiO0.5单元、R3′R4(HO)SiO0.5单元、R4(HO)2SiO0.5单元(其中，R2′以及R3′是羟基以外的如上所述对R2以及R3进行定义的基团，R4如所述定义)。而且，R1、R2以及R3的羟基是指所述含硅醇基的硅氧烷单元中的羟基。
-(B)树脂结构的有机氢化聚硅氧烷-
作为本发明的组成物的一种重要构成成分的(B)成分是树脂结构(即三维网状结构)的有机氢化聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元(其中，R1、R2以及R3独立地如上所述，c为0、1或者2，d为1或者2，且c+d为2或者3)，且
部分地含有所述R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个、优选8个～40个、更优选10个～35个的直链状硅氧烷结构。
另外，R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构如上文关于(A)成分所述那样，是指(B)成分中所存在的R2 2S iO单元的至少一部分、优选50摩尔％或50摩尔％以上(50摩尔％～100摩尔％)、特别优选80摩尔％或80摩尔％以上(80摩尔％～100摩尔％)在(B)成分的分子中形成以所述通式(1)所表示的直链状二有机聚硅氧烷链结构。
(B)成分的分子中，R2 2SiO单元也发挥作用以使聚合物分子呈直链状地延伸，R1SiO1.5单元也使聚合物分子分支或者形成三维网状结构。R3 cHdSiO(4-c -d)/2单元中的硅上键合的氢原子与所述(A)成分所具有的烯基进行硅氢化加成反应，借此发挥使本发明的组成物固化的作用。
就所获得的固化物的特性方面而言，构成(B)成分的三种必需的硅氧烷单元的摩尔比，即R1SiO1.5单元∶R2 2SiO单元∶R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元的摩尔比优选90～24∶75～9∶50～1，特别优选70～28∶70～20∶10～2(其中总量为100)。
而且，从作业性、固化物的特性等方面来说，此(B)成分的由GPC所得的聚苯乙烯换算重量平均分子量在3,000～1,000,000、特别是10,000～100,000的范围内较为合适。
所述树脂结构的有机氢化聚硅氧烷可以通过下述方式来合成：以使所述三种硅氧烷单元在聚合产物中达成所需的摩尔比的方式来组合成为各单元的原料的化合物，并在例如酸的存在下进行共水解。
这里，R1SiO1.5单元的原料可例示：MeSiCl3、EtSiCl3、PhSiCl3、丙基三氯硅烷、环己基三氯硅烷等氯硅烷类，分别与所述各氯硅烷类相对应的甲氧基硅烷类等烷氧基硅烷等。
R2 2SiO单元的原料可例示：
ClMe2SiO(Me2SiO)jSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2Cl、
ClMe2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2Cl、
(HO)Me2SiO(Me2SiO)jSiMe2(OH)、
(HO)Me2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2(OH)、
(HO)Me2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2(OH)、
(MeO)Me2SiO(Me2SiO)jSiMe2(OMe)、
(MeO)Me2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2(OMe)、
(MeO)Me2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2(OMe)等，
(其中，j＝3～48的整数(平均值)，k＝0～47的整数(平均值)，L＝1～48的整数(平均值)，且k+L＝3～48的整数(平均值))等。
而且，R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元表示从R3HSiO单元、R3 2HSiO0.5单元、H2SiO单元以及R3H2SiO0.5单元中选择的一种硅氧烷单元或者两种以上的硅氧烷单元的组合。其原料可例示：Me2HSiCl、MeHSiCl2、Ph2HSiCl、PhHSiCl2等氯硅烷类，以及与这些氯硅烷类分别相对应的甲氧基硅烷类等烷氧基硅烷类等。
另外，在本发明中，通过所述原料化合物的共水解以及缩合来制造(B)成分有机氢化聚硅氧烷时，在R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元、R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元或者这些单元的两种以上的组合中，包含具有硅醇基的硅氧烷单元。优选为(B)成分有机氢化聚硅氧烷可含有通常相对于所有硅氧烷单元为10摩尔％以下(0摩尔％～10摩尔％)的所述含硅醇基的硅氧烷单元。所述含硅醇基的硅氧烷单元例如可列举：(HO)SiO1.5单元、R2′(HO)SiO单元、(HO)2SiO单元、H(HO)SiO单元、H2(HO)SiO0.5单元、R3′H(HO)SiO0.5单元、H(HO)2SiO0.5单元(其中，R2′以及R3′是羟基以外的如上所述对R2以及R3进行定义的基团)。而且，R1、R2以及R3的羟基是指所述含硅醇基的硅氧烷单元中的羟基。
(B)成分有机氢化聚硅氧烷的调配量优选的是(B)成分中的硅原子上键合的氢原子(SiH基)相对于(A)成分中的乙烯基与烯丙基的总量以摩尔比计为0.1～4.0的量，特别优选摩尔比为0.5～3.0的量，更优选摩尔比为0.8～2.0的量。如果摩尔比小于0.1，则不进行固化反应，难以获得硅氧固化物，如果摩尔比超过4.0，则固化物中会残存大量的未反应的SiH基，因此会导致固化物的物性随时间经过而变化。
本发明中，为了赋予粘着性，优选的是(A)成分以及(B)成分中的一方或者两方含有硅醇基。在(A)成分有机聚硅氧烷或者(B)成分有机氢化聚硅氧烷中，此含有硅醇基的硅氧烷单元的量为相对于所有硅氧烷单元为10摩尔％以下(0摩尔％～10摩尔％)。
-(C)铂族金属类催化剂-
此催化剂成分是为了使本发明的组成物发生加成固化反应而调配的，是铂系、钯系、铑系催化剂。此催化剂可以使用作为促进硅氢化反应的催化剂而于以往众所周知的任意催化剂。考虑到成本等，可例示铂、铂黑、氯铂酸等铂系催化剂，例如H2PtCl6·pH2O、K2PtCl6、KHPtCl6·pH2O、K2PtCl4、K2PtCl4·pH2O、PtO2·pH2O、PtCl4·pH2O、PtCl2、H2PtCl4·pH2O(其中p为正整数)等，或这些化合物与烯烃等烃、醇或者含乙烯基的有机聚硅氧烷的错合物等。这些催化剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
(C)成分的调配量为用来进行固化的有效量即可，通常相对于所述(A)成分与(B)成分的总量以铂族金属的重量换算计为0.1ppm～500ppm、特别优选0.5ppm～100ppm的范围。
-(D)填充剂-
(D)成分填充剂是为了降低本发明的硅氧积层基板的线膨胀系数并且提高此基板的强度而添加到本发明的组成物中。(D)成分只要是众所周知的填充剂则可为任意种，例如可举出：沉淀二氧化硅、煅制二氧化硅(fumedsilica)、熔融二氧化硅、熔融球状二氧化硅、结晶性二氧化硅等二氧化硅类，煅制二氧化钛、碳酸钙、硅酸钙、二氧化钛、三氧化二铁、碳黑、氧化锌、氮化硅、氮化铝、氮化硼、三氧化二锑、氧化铝、氧化锆、硫化锌、氧化镁、硫酸钡等。补强性无机质填充剂例如可举出：沉淀二氧化硅、煅制二氧化硅等二氧化硅类，煅制二氧化钛、氧化铝、氮化铝等。非补强性无机质填充剂例如可举出：碳酸钙、硅酸钙、二氧化钛、三氧化二铁、碳黑、氧化锌等。(D)成分可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
从所获得的硅氧积层基板的线膨胀系数以及强度的观点来看，(D)成分的调配量相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为900重量份以下(0重量份～900重量份)的范围，优选600重量份以下(0重量份～600重量份)的范围，更优选10重量份～600重量份、特别是50重量份～500重量份的范围。
当本发明的硅氧积层基板为LED装置用硅氧积层基板时，含有下述(D1)成分以及视情况含有(D2)成分的填充剂合适地用作(D)成分。
·(D1)无机质填充剂
(D1)成分是(D2)成分以外的无机质填充剂，是为了降低本发明的LED用硅氧积层基板的线膨胀系数并且提高此基板的机械强度而添加到本发明的组成物中的。(D1)成分可以使用通常调配到硅氧树脂组成物中的无机质填充剂，只要是众所周知的无机质填充剂则可为任意种，例如可举出：熔融二氧化硅、熔融球状二氧化硅、结晶性二氧化硅等二氧化硅类，氮化硅、氮化铝、氮化硼、三氧化二锑等，特别优选熔融二氧化硅、熔融球状二氧化硅。(D1)成分可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
(D1)成分的平均粒径以及形状并无特别限定。(D1)成分的平均粒径通常为0.5μm～50μm，但从所获得的硅氧树脂组成物的成形性以及流动性来看，优选1μm～10μm，更优选1μm～5μm。而且，平均粒径可以作为利用激光衍射法的粒度分布测定的重量平均值D50(或者中值粒径)而求出。
对于(D1)成分无机质填充剂，为了加强树脂与无机质填充剂的结合强度，也可以利用硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂等偶联剂预先进行表面处理。所述偶联剂例如优选使用：γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷等环氧官能性烷氧基硅烷；N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性烷氧基硅烷；γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性烷氧基硅烷等。另外，对表面处理所用的偶联剂的调配量以及表面处理方法并无特别限制。
而且，(D1)成分的无机质填充剂，亦能够以将该无机质填充剂分散于有机溶剂的浆状态添加至本发明的组成物中。
从所获得的LED装置用硅氧积层基板的线膨胀系数以及强度的观点来看，(D1)成分的调配量优选的是相对于(A)成分与(B)成为的总量100重量份为600重量份以下(0重量份～600重量份)的范围，更优选10重量份～600重量份、特别是50重量份～500重量份的范围。
·(D2)白色颜料
(D2)成分是白色颜料，是作为用来使所获得的固化物呈白色的白色着色剂而使用的。(D2)成分是在所得的LED装置用硅氧积层基板需要反射光线时，作为提升该硅氧积层基板的光反射率的目的而添加至本发明的组合物中，但在得到并不特别需要反射光线的硅氧积层基板时，亦有不需添加(D2)成分至本发明的组合物中的情形。此处“硅氧积层基板需要反射光线”如同后述，是指该硅氧积层基板的光反射率在整个全可见光区域优选为80以上(亦即80～100％)。(D2)成分只要是一直以来普遍使用的众所周知的白色颜料，则可以无限制地使用，合适的是使用二氧化钛、氧化铝、氧化锆、硫化锌、氧化锌、氧化镁、硫酸钡或者这些化合物的两种以上的组合。此组合可举出二氧化钛与具体例示的其他白色颜料的至少一种的组合。这些白色颜料中，更优选二氧化钛、氧化铝、氧化镁，再更优选二氧化钛。二氧化钛的结晶形为金红石(rutile)型、锐钛矿(anatase)型、板钛矿(brookite)型均可，优选使用金红石型。
白色颜料优选的是平均粒径为0.05μm～10.0μm，更优选的是平均粒径为0.1μm～5.0μm，再更优选的是平均粒径为0.1μm～1.0μm。而且，为了提高(D2)成分白色颜料与(A)成分以及(B)成分树脂成分与(D1)成分无机质填充剂的混合性以及分散性，也可以用Al的氢氧化物、Si的氢氧化物等氢氧化物等预先对(D2)成分白色颜料进行表面处理。另外，平均粒径如上所述，可以作为利用激光衍射法的粒度分布测定的重量平均值D50(或者中值粒径)而求出。(D2)成分可单独一种或是2种以上组合使用。
(D2)成分的调配量优选的是相对于(A)与(B)成分的总量100重量份为1重量份～300重量份，更优选3重量份～200重量份，特别优选10重量份～150重量份。如果此调配量小于1重量份，则有时所获得的固化物的白色度变得不充分。如果此调配量超过300重量份，则有时为了降低本发明的LED装置用硅氧积层基板的线膨胀系数并且提高此基板的机械强度而添加的(D1)成分无机质填充剂在所有无机质填充剂中所占的比例变得过低。另外，(D2)成分白色颜料的量优选的是在硅氧树脂组成物整体中为1重量％～50重量％的范围，更优选5重量％～30重量％的范围，进一步优选10重量％～30重量％的范围。
-其他成分-
在本发明的组成物中，除所述(A)成分～(D)成分以外，可以视需要调配其本身为众所周知的各种添加剂。
·粘着助剂
本发明的组成物中，为了赋予粘着性，可以视需要添加粘着助剂(粘着性赋予剂)。粘着助剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。粘着助剂例如可举出：一分子中含有至少2种、优选2种或者3种的自键合于硅原子上的氢原子(SiH基)、键合于硅原子上的烯基(例如Si-CH＝CH2基)、烷氧基硅烷基(例如三甲氧基硅烷基)、环氧基(例如缩水甘油氧基丙基、3，4-环氧环己基乙基)中选择的官能性基团的直链状或者环状的硅原子数为4个～50个、优选4个～20个左右的有机硅氧烷低聚物，以下述通式(2)所表示的有机氧化硅烷基改性异氰脲酸酯化合物，其水解缩合物(有机硅氧烷改性异氰脲酸酯化合物)以及所述化合物的两种以上的组合等。
Figure G2009101737279D00101
(式中，R5是以下述式(3)所表示的有机基团、或者含有脂肪族不饱和键的一价烃基，R5的至少一个为式(3)的有机基)。
Figure G2009101737279D00102
(其中，R6为氢原子或者碳原子数为1～6的一价烃基，v为1～6、特别是1～4的整数)。
通式(2)中的R5的含有脂肪族不饱和键的一价烃基可举出：乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、己烯基等碳原子数为2～8、特别是2～6的烯基，环己烯基等碳原子数为6～8的环烯基等。而且，式(3)中的R6的一价烃基例如可举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、第三丁基、戊基、己基等烷基，环己基等环烷基，就所述R5而例示的烯基以及环烯基，另外苯基等芳基等碳原子数为1～8、特别是1～6的一价烃基，优选为烷基。
进一步而言，粘着助剂可例示：1，5-双(缩水甘油氧基丙基)-1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、1-缩水甘油氧基丙基-5-三甲氧基硅烷基乙基-1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷等、以及下述式所示的化合物。
(式中，g以及h分别为0～50的范围的整数，且g+h满足2～50，优选为满足4～20)。
Figure G2009101737279D00121
Figure G2009101737279D00131
所述有机硅化合物中，对所得的固化物赋予特别良好的粘着性的化合物是一分子中具有键合于硅原子上的烷氧基、烯基或者键合于硅原子上的氢原子(SiH基)的有机硅化合物。
相对于(A)成分100重量份，粘着助剂的调配量通常为10重量份以下(即0重量份～10重量份)，优选0.1重量份～8重量份，更优选0.2重量份～5重量份左右。如果此调配量过多，则可能会对固化物的硬度带来不良影响或者增大表面粘性。
·固化抑制剂
本发明的组成物中，可以视需要适宜调配固化抑制剂。固化抑制剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。固化抑制剂例如可举出：从四甲基四乙烯基环四硅氧烷之类的大量含有乙烯基的有机聚硅氧烷、异氰脲酸三烯丙酯、马来酸烷基酯、乙炔醇类及其硅烷改性物以及硅氧烷改性物、氢过氧化物、四甲基乙二胺、苯并三唑以及这些化合物的混合物所组成的群中选择的化合物等。相对于(A)成分100重量份，固化抑制剂通常添加0.001重量份～10重量份，优选0.005重量份～0.5重量份。
-制备-
本发明的硅氧树脂组成物是通过将所需成分混合均匀来制备。通常是分成二种液体加以保存以使固化并不进行，并在使用时将二种液体加以混合来进行固化。当然，也可以少量添加所述乙炔醇等固化抑制剂而制成一种液体来使用。而且，本发明的硅氧树脂组成物也可以通过如下方式来制备成溶液或者分散液：将(A)成分～(C)成分均匀混合而获得基质组成物，在此基质组成物中添加甲苯、二甲苯、庚烷等溶剂后，进一步添加(D)成分。当(D)成分含有(D1)成分以及视情况含有(D2)成分时，此硅氧树脂组成物可以通过如下方式来制备成分散液：将(A)成分～(C)成分均匀混合而获得基质组成物，在此基质组成物中添加甲苯、二甲苯、庚烷等溶剂后，进一步添加(D1)成分以及视情况添加(D2)成分。
[硅氧积层基板]
本发明的硅氧积层基板是具有
玻璃布、以及
填充到此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧树脂组成物的固化物
而成的硅氧积层基板。所述硅氧积层基板的厚度只要根据此基板的用途或制造此基板所使用的玻璃布的厚度等来适宜选择即可，并无特别限定，优选20μm～2,000μm，更优选50μm～1,000μm。
对于本发明的硅氧积层基板而言，与此基板垂直的方向(以下有时称为Z轴方向)上的线膨胀系数在-100℃～200℃的范围内优选50ppm/℃以下(即0ppm/℃～50ppm/℃)，更优选5ppm/℃～40ppm/℃。而且，对于本发明的硅氧积层基板而言，与此基板平行的方向(以下有时称为XY轴方向)上的线膨胀系数在-100℃～200℃的范围内优选10ppm/℃以下(即0ppm/℃～10ppm/℃)，更优选1ppm/℃～8ppm/℃。另外，线膨胀系数是根据JISK 7197利用热机械分析(Thermo Mechanical Analysis，TMA)测定法所测定的值。
在本发明的一个实施态样中，所述硅氧积层基板是LED装置用硅氧积层基板，并且(D)成分填充剂含有相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为600重量份以下的(D1)成分、以及视情况含有的相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为1重量份～300重量份的(D2)成分。本发明的LED装置用硅氧积层基板的光反射率在整个可见光区域中优选80％以上(即80％～100％)，更优选85％～99％。在本发明中，光反射率例如是利用光反射率测定机X-rite 8200(积分球分光光度仪，X-rite公司(US)制造)等来测定的。另外，在本发明中，可见光区域是指400nm～700nm的区域。
而且，对于本发明的LED装置用硅氧积层基板而言，温度为260℃、时间为60秒钟的红外(Infrared，IR)回流焊处理后的光反射率在整个可见光区域中优选80％以上(即80％～100％)，更优选85％～98％。在本发明中，红外回流焊处理是使用红外回流焊装置来进行。
另外，本发明的LED置用硅氧积层基板，在120℃下照射波长为365nm、强度为30mW/cm2的紫外线24小时后的光反射率在整个可见光区域中优选为80％以上(即80％～100％)，更优选为85％～98％。
-玻璃布-
对玻璃布并无特别限定，可使用众所周知的玻璃布。玻璃布为片状，并且其厚度只要根据本发明的硅氧积层基板的用途等来适宜选择即可，并无特别限定，例如为10μm～2,000μm，优选10μm～1,000μm，更优选20μm～300μm。本发明的LED装置用硅氧积层基板中，玻璃布的厚度只要根据此LED装置用硅氧积层基板的用途等适宜选择即可，并无特别限定，优选20μm～2,000μm，更优选50μm～1,000μm。
-硅氧树脂组成物的固化物-
填充到所述玻璃布中、且被覆此玻璃布表面的硅氧树脂组成物的固化物是含有所述(A)成分～(D)成分而成的硅氧树脂组成物的固化物。本发明的硅氧积层基板中，此固化物可以仅被覆此玻璃布的单面，也可以被覆两个面，优选被覆此玻璃布的两个面。被覆此玻璃布表面的固化物的厚度只要根据本发明的硅氧积层基板的用途等而适宜选择即可，并无特别限定，优选20μm～2,000μm，更优选50μm～1,000μm。本发明的LED装置用硅氧积层基板中，被覆此玻璃布表面的固化物的厚度只要根据本发明的LED装置用硅氧积层基板的用途等适宜选择即可，并无特别限定，优选为50μm～2,000μm，更优选为60μm～1,000μm。
-硅氧积层基板的制法-
本发明的硅氧积层基板可以通过如下方式而获得：
使所述含有(A)成分～(D)成分而成的硅氧树脂组成物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸在玻璃布中，
接着，使所述溶剂从此玻璃布中蒸发而加以去除，
然后，在加压成型下使此玻璃布中所含浸的所述硅氧树脂组成物加热固化。这里，通过使用含有相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为600重量份以下的(D1)成分、以及视情况含有相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为1重量份～300重量份的(D2)成分来作为(D)成分的填充剂，可以获得本发明的LED装置用硅氧积层基板。
-溶剂-
溶剂只要可以使所述硅氧树脂组成物溶解、分散，并且可以在使此组成物保持于未固化或半固化状态的温度下蒸发，则并无特别限定，例如可举出沸点为50℃～200℃、优选为80℃～150℃的溶剂。在制造本发明的LED装置用硅氧积层基板时，只要可以使所述硅氧树脂组成物溶解、分散，并且可以在使组成物保持于未固化或者半固化状态的温度下蒸发，则并无特别限定，例如可举出沸点为50℃～150℃、优选为60℃～100℃的溶剂。溶剂的具体例可举出：甲苯、二甲苯、己烷、庚烷等烃系非极性溶剂；醚类等。溶剂的使用量只要是可以使所述硅氧树脂组成物溶解、分散而获得的溶液或者分散液含浸到玻璃布中的量，则并无特别限制，相对于此硅氧树脂组成物100重量份，优选为10重量份～200重量份，更优选为20重量份～100重量份。在制造本发明的LED装置用硅氧积层基板时，只要是可以使所述硅氧树脂组成物溶解、分散而获得的溶液或者分散液含浸到玻璃布中的量，则并无特别限制，相对于此硅氧树脂组成物100重量份，优选为10重量份～200重量份，更优选为50重量份～100重量份。
所述硅氧树脂组成物的溶液或者分散液例如可以通过将玻璃布浸渍在此溶液或者分散液中、或者使用浸渍装置等涂敷在玻璃布的单面或者两个面上，而使其含浸在玻璃布中。
溶剂的蒸发例如可以通过将使所述硅氧树脂组成物在溶解、分散于溶剂中的状态下而含浸的玻璃布放置在优选为50℃～150℃、更优选为60℃～100℃下来进行。也可以适宜使用烘箱(oven)、干燥机(dryer)等加热装置。
加压成型下的加热固化例如可以使用热压机、真空压制机等，在优选为1MPa～100MPa、更优选为5MPa～50MPa的压力下，优选为50℃～200℃、更优选为70℃～180℃的温度下进行。固化时间优选为1分钟～30分钟，更优选为2分钟～10分钟即可。而且，可以在50℃～200℃、特别是70℃～180℃下进行0.1小时～10小时、特别是1小时～4小时的后固化(postcure)。
[LED装置]
本发明的LED装置具备本发明的LED装置用硅氧积层基板、以及封装在此基板上的LED芯片。图1是表示本发明的LED装置的一例的截面图。图1所示的LED装置1中，在本发明的LED装置用硅氧积层基板2上制作了由阳极和阴极构成的电极图案3，在电极图案的一个电极上经由芯片焊接剂4而焊接着LED芯片5。在LED芯片5与电极图案3的另一电极之间连接着接合线6。电极图案3的一部分、LED芯片5以及接合线6被透明密封体7所密封着。
电极图案3只要利用众所周知的方法来制作即可，例如可以通过对具有本发明的LED装置用硅氧积层基板、以及设置在此基板的单面或者两个面上的铜箔的覆铜积层基板进行蚀刻等而制作。芯片焊接剂4例如可以举出银膏(silver paste)等。接合线6例如可以举出金线等。透明密封体7例如可以通过将硅氧密封剂、环氧密封剂等众所周知的密封剂适宜成型为所需的形状并使之固化而设置。
[实施例]
以下，示出合成例、实施例以及比较例对本发明加以具体说明，但本发明并不限于下述实施例。另外，在下述例中，重量平均分子量是利用凝胶渗透色谱仪(GPC)所测定的聚苯乙烯换算值。
[合成例1]
-含乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A1)-
将1142.1g(87.1摩尔％)的以PhSiCl3所表示的有机硅烷、529g(3.2摩尔％)的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及84.6g(9.7摩尔％)的MeViSiCl2溶解在甲苯溶剂中后，滴加到水中进行共水解，进一步通过水洗、碱清洗而进行中和、脱水后，除去溶剂，合成含乙烯基的树脂(A1)。此树脂是重量平均分子量为62,000、熔点为60℃的固体。此树脂的乙烯基含量为0.05摩尔/100g。
[合成例2]
-含硅氢基的有机聚硅氧烷树脂(B1)-
将1142.1g(87.1摩尔％)的以PhSiCl3所表示的有机硅烷、529g(3.2摩尔％)的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及69g(9.7摩尔％)的MeHSiCl2溶解在溶剂中后，滴加到水中进行共水解，进一步通过水洗、碱清洗而进行中和、脱水后，除去溶剂，合成含硅氢基的树脂(B1)。此树脂是重量平均分子量为58,000、熔点为58℃的固体。此树脂的硅氢基含量为0.05摩尔/100g。
[合成例3]
-含乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A2)-
将1142.1g(87.1摩尔％)的以PhSiCl3所表示的有机硅烷、529g(3.2摩尔％)的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及72.3g(9.7摩尔％)的Me2ViSiCl溶解在甲苯溶剂中后，滴加到水中进行共水解，进一步通过水洗、碱清洗而进行中和、脱水后，除去溶剂，合成含乙烯基的树脂(A2)。此树脂是重量平均分子量为63,000、熔点为63℃的固体。此树脂的乙烯基含量为0.05摩尔/100g。
[合成例4]
-含硅氢基的有机聚硅氧烷树脂(B2)-
将1142.1g(87.1摩尔％)的以PhSiCl3所表示的有机硅烷、529g(3.2摩尔％)的ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl、以及56.7g(9.7摩尔％)的Me2HSiCl溶解在甲苯溶剂中后，滴加到水中进行共水解，进一步通过水洗、碱清洗而进行中和、脱水后，除去溶剂，合成含硅氢基的树脂(B2)。此树脂是重量平均分子量为57,000、熔点为56℃的固体。此树脂的硅氢基含量为0.05摩尔/100g。
[实施例1]
添加189g的合成例1中获得的含乙烯基的树脂(A1)、189g的合成例2中获得的含硅氢基的树脂(B1)、0.2g的作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔基环己醇、以及0.1g的氯铂酸的1重量％辛醇溶液，利用加温到60℃的行星式混合机(planetary mixer)充分搅拌而获得基质组成物。在此基质组成物中添加400g的作为溶剂的甲苯，进一步添加378g二氧化硅(商品名：Admafine E5/24C，平均粒子径：约3μm，(股)Admatechs制)，制备出硅氧树脂组成物的甲苯分散液。
在此甲苯分散液中浸渍玻璃布(日东纺制造，厚度为100μm)，使此甲苯分散液含浸到此玻璃布中。将此玻璃布在60℃下放置2小时，借此使甲苯蒸发。在使甲苯蒸发后的玻璃布的两个面上，在室温下形成了固体皮膜。利用热压机在150℃下对此玻璃布进行10分钟加压成型而获得成型品，进一步使其在150℃下进行1小时的二次固化而获得硅氧积层基板。
1.外观
通过目测来确认所获得的硅氧积层基板的表面的均匀性，即，确认此表面是平滑的、还是具有凹凸而不均匀的。
2.机械特性
对所获得的硅氧积层基板，依据JIS K 6251以及JIS K 6253来测定抗拉强度(0.2mm厚)以及硬度(使用Type D型弹簧试验机来测定。6mm厚(即0.2mm厚×30片))。
3.表面粘性
通过手指触摸来确认所获得的硅氧积层基板的表面粘性。
4.线膨胀系数
针对所获得的硅氧积层基板(0.2mm厚)，依据JI5 K 7197利用热机械分析(TMA)测定法，在-100℃～200℃的范围内，测定与此基板垂直的方向(Z轴方向)以及平行的方向(XY轴方向)上的线膨胀系数。
5.红外回流焊试验
与上文所述相同，使所述甲苯分散液含浸到所述玻璃布中，使甲苯蒸发。将使甲苯蒸发后的玻璃布夹在2片铜箔(福田金属制造，厚度：38μm)之间，利用热压机在150℃下进行10分钟加压成型而获得成型品，进一步在150℃下进行1小时的二次固化而获得覆铜积层基板(0.3mm厚)。利用红外回流焊装置(商品名：Reflow Soldering装置，TAMURA制作所(股)制造)对此覆铜积层基板进行260℃、10秒钟的红外回流焊处理，确认铜箔是否剥离。
将所述各测定的测定结果示于表1。
[实施例2]
在实施例1中，分别使用合成例3中获得的含乙烯基的树脂(A2)以及合成例4中获得的含硅氢基的树脂(B2)来代替合成例1中获得的含乙烯基的树脂(A1)以及合成例2中获得的含硅氢基的树脂(B1)，除此以外与实施例1同样地获得硅氧积层基板以及覆铜积层基板，并进行评价。将结果示于表1。另外，在使甲苯蒸发后的玻璃布的两个面上，在室温下形成了固体皮膜。
[实施例3]
在实施例1中，获得基质组成物时，进一步添加6g的以下述式所表示的粘着助剂，除此以外与实施例1同样地获得硅氧积层基板以及覆铜积层基板，并进行评价。将结果示于表1。另外，在使甲苯蒸发后的玻璃布的两个面上，在室温下形成了固体皮膜。
[比较例1]
在实施例1中，代替基质组成物，而使用189g的市售的作为加成反应固化型硅氧清漆的KJR-632(商品名，信越化学工业(股)制造)，此KJR-632将不含有重复单元数为5个～50个的直链状二有机聚硅氧烷链结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷树脂作为主剂，除此以外，与实施例1同样地获得硅氧积层基板以及覆铜积层基板，并进行评价。将结果示于表1。由于所述硅氧清漆与二氧化硅的分散较差，因此如表1所示，无法获得表面均匀的硅氧积层基板。
[表1]
  实施例1   实施例2   实施例3   比较例1
  SiH/SiVi(*1)   1.0   1.0   1.0   1.0
  二次固化条件   150℃/1hr   150℃/1hr   150℃/1hr   150℃/1hr
  外观   平滑   平滑   平滑   不均匀
  硬度(Type D)   70   70   70   80
  抗拉强度(N/mm2) 1000 1000 1200 800
  粘性   无   无   无   无
  线膨胀系数(ppm/℃)(Z轴方向)   17   17   17   15
  线膨胀系数(ppm/℃)(XY轴方向)   10   10   10   10
红外回流焊试验   无异常(未剥离)   无异常(未剥离)   无异常(未剥离) 发生剥离
(注)
*1：含硅氢基的树脂中的硅原子上键合的氢原子相对于含乙烯基的树脂中的硅原子上键合的乙烯基的摩尔比
[实施例4]
添加189g的合成例1中获得的含乙烯基的树脂(A1)、189g的合成例2中获得的含硅氢基的树脂(B1)、0.2g的作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔基环己醇、0.1g的氯铂酸的1重量％辛醇溶液、以及6g的以下述式所表示的粘着助剂，利用加温到60℃的行星式混合机充分搅拌而获得基质组成物。在此基质组成物中添加400g的作为溶剂的甲苯，进一步添加378g二氧化硅(商品名：Admafine E5/24C，平均粒子径约3μm，(股)Admatechs制)以及38g氧化钛(商品名：PF-691，平均粒径：约0.2μm，石原产业制造)，制备出硅氧树脂组成物的甲苯分散液。
Figure G2009101737279D00201
在此甲苯分散液中浸渍玻璃布(日东纺制造，厚度为100μm)，借此使此甲苯分散液含浸到此玻璃布中。将此玻璃布在60℃下放置2小时，借此使甲苯蒸发。在使甲苯蒸发后的玻璃布的两个面上，在室温下形成了固体皮膜。利用热压机在150℃下对此玻璃布进行10分钟加压成型而获得成型品，进一步使其在150℃下进行1小时的二次固化而获得硅氧积层基板。
与实施例1同样地进行外观的确认、机械特性的测定、表面粘性的确认、线膨胀系数的测定以及红外回流焊试验。
6.光反射率
对所获得的硅氧积层基板在整个可见光区域中测定光反射率。而且，利用所述红外回流焊装置对所获得的硅氧积层基板进行260℃、60秒钟的红外回流焊处理之后，在整个可见光区域中测定光反射率。进一步，对所获得的硅氧积层基板在120℃下照射波长为365nm、强度为30mW/cm2的紫外线24小时后，在整个可见光区域中测定光反射率。另外，光反射率是使用光反射率测定机X-rite 8200(积分球分光光度仪，X-rite公司(US)制造)来测定的。
将所述各测定的测定结果示于表2。
7.点灯试验
制作图1所示的LED装置并进行点灯试验。图1中，电极图案3是通过对如上所述那样制作的覆铜积层基板进行蚀刻而制作的。使用KJR-632DA-1(信越化学(股)制造)作为芯片焊接剂4来对蓝色LED芯片5(波长为450nm)进行芯片焊接。接合线6使用金线。透明密封体7是通过利用硅氧树脂涂剂(商品名：KJR-9022，信越化学(股)制造)对电极图案3的一部分、LED芯片5以及接合线6进行浇涂(casting coat)而制作的(固化条件：150℃，4小时)。点灯试验是通过用150mA的施加电流对如上所述而获得的LED装置连续点灯并观察硅氧积层基板有无变色来进行。将结果示于表3。
[实施例5]
在实施例4中，分别使用合成例3中获得的含乙烯基的树脂(A2)以及合成例4中获得的含硅氢基的树脂(B2)来代替合成例1中获得的含乙烯基的树脂(A1)以及合成例2中获得的含硅氢基的树脂(B1)，除此以外与实施例4同样地获得硅氧积层基板以及覆铜积层基板，并进行评价。将结果示于表2以及表3。另外，在使甲苯蒸发后的玻璃布的两个面上，在室温下形成了固体皮膜。
[比较例2]
使用两个面上具有铜箔的市售的白色玻璃环氧基板来代替实施例4中制作的覆铜积层基板，除此以外与实施例4同样地制作LED，并进行点灯试验。将结果示于表3。
[表2]
  实施例4   实施例5
  SiH/SiVi(*1)   1.0   1.0
  二次固化条件   150℃/1hr   150℃/1hr
  外观   平滑   平滑
  硬度(Type D)   70   70
  抗拉强度(N/mm2)   100   100
  粘性   无   无
  线膨胀系数(ppm/℃)(Z轴方向)   10   10
  线膨胀系数(ppm/℃)(XY轴方向)   3   3
红外回流焊试验   无异常(未剥离)   无异常(未剥离)
光反射率   在整个可见光区域中为90％或90％以上   在整个可见光区域中为90％或90％以上
  光反射率(红外回流焊处理后)   在整个可见光区域中为90％或90％以上   在整个可见光区域中为90％或90％以上
  光反射率(紫外线照射后)   在整个可见光区域中为90％或90％以上   在整个可见光区域中为90％或90％以上
(注)
*1：含硅氢基的树脂中的硅原子上键合的氢原子相对于含乙烯基的树脂中的硅原子上键合的乙烯基的摩尔比
[表3]
  连续点灯时间  实施例4  实施例5   比较例2
  1000小时   未变色   未变色   未变色
  2000小时   未变色   未变色   变黄
  3000小时   未变色   未变色   变成茶色

Claims (14)

1.一种硅氧积层基板，其是具有玻璃布、以及
填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的硅氧树脂组成物的固化物
而成，此硅氧积层基板的特征在于：
所述硅氧树脂组成物包括如下成分：
(A)树脂结构的有机聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 aR4 bSiO(4-a-b)／2单元，其中，R1、R2以及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基或苯基，R4独立表示乙烯基或者烯丙基，a为0、1或者2，b为1或者2，且a+b为2或者3，且
包含所述R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构；
(B)树脂结构的有机氢化聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 cHdSiO(4-c-d)／2单元，其中，R1、R2以及R3独立地如上所述，c为0、1或者2，d为1或者2，且c+d为2或者3，且
包含所述R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构：(B)成分中的硅原子上键合的氢原子相对于(A)成分中的乙烯基与烯丙基的总量以摩尔比计为0.1～4.0的量；
(C)铂族金属类催化剂：有效量；以及
(D)填充剂：相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为900重量份以下，
所述(A)成分以及(B)成分中的一方或者两方含有硅醇基。
2.根据权利要求1所述的硅氧积层基板，其特征在于：所述硅氧树脂组成物在室温下为固体状。
3.根据权利要求1所述的硅氧积层基板，其特征在于：与此硅氧积层基板垂直的方向上的线膨胀系数在-100℃～200℃的范围内为50ppm／℃以下。
4.根据权利要求1所述的硅氧积层基板，其特征在于：与此硅氧积层基板平行的方向上的线膨胀系数在-100℃～200℃的范围内为10ppm／℃以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅氧积层基板，其特征在于：
所述硅氧积层基板用于LED装置，
(D)成分填充剂含有下述(D1)成分以及(D2)成分：
(D1)成分：下述(D2)成分以外的无机质填充剂，其中相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份，所述(D1)成分为600重量份以下；以及
(D2)成分：白色颜料，其中所述(D2)成分为在所述硅氧积层基板需要反射光线时含有，相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份，所述(D2)成分为1重量份～300重量份。
6.根据权利要求5所述的硅氧积层基板，其特征在于：所述(D2)成分为二氧化钛、氧化锌或者它们的组合。
7.根据权利要求5所述的硅氧积层基板，其特征在于：光反射率在整个可见光区域中为80％以上。
8.根据权利要求5所述的硅氧积层基板，其特征在于：温度为260℃、时间为60秒钟的红外回流焊处理后的光反射率在整个可见光区域中为80％以上。
9.根据权利要求5所述的硅氧积层基板，其特征在于：在120℃下照射波长为365nm、强度为30mW／cm2的紫外线24小时后的光反射率在整个可见光区域中为80％以上。
10.一种根据权利要求1所述的硅氧积层基板的制法，其特征在于包括如下步骤：
使根据权利要求1所述的硅氧树脂组成物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸在玻璃布中；
接着，使所述溶剂从此玻璃布中蒸发而加以去除；
然后，在加压成型下使含浸在此玻璃布中的所述硅氧树脂组成物加热固化。
11.根据权利要求10所述的制法，其特征在于：所述硅氧树脂组成物在室温下为固体状。
12.根据权利要求10或者11所述的制法，其特征在于：
所述硅氧积层基板用于LED装置，
(D)成分填充剂含有下述(D1)成分以及(D2)成分：
(D1)成分：下述(D2)成分以外的无机质填充剂，其中相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份，所述(D1)成分为600重量份以下；以及
(D2)成分：白色颜料，其中所述(D2)成分为在所述硅氧积层基板需要反射光线时含有，相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份，所述(D2)成分为1重量份～300重量份。
13.一种硅氧积层基板制造用硅氧树脂组成物，其特征在于包含：
(A)树脂结构的有机聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 aR4 bSiO(4-a-b)／2单元，其中，R1、R2以及R3独立表示羟基、甲基、乙基、丙基、环己基或者苯基，R4独立表示乙烯基或者烯丙基，a为0、1或者2，b为1或者2，且a+b为2或者3，且
包含所述R22SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构；
(B)树脂结构的有机氢化聚硅氧烷，其包含R1SiO1.5单元、R2 2SiO单元以及R3 cHdSiO(4-c-d)/2单元，其中，R1、R2以及R3独立地如上所述，c为0、1或者2，d为1或者2，且c+d为2或者3，且
包含所述R2 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、且其重复数为5个～50个的结构：(B)成分中的硅原子上键合的氢原子相对于(A)成分中的乙烯基与烯丙基的总量以摩尔比计为0.1～4.0的量；
(C)铂族金属类催化剂：有效量；以及
(D)填充剂：相对于(A)成分与(B)成分的总量100重量份为900重量份以下，
所述(A)成分以及(B)成分中的一方或者两方含有硅醇基。
14.一种LED装置，其特征在于包括：
根据权利要求5所述的硅氧积层基板、以及
封装在此基板上的LED芯片。
CN200910173727.9A 2008-09-11 2009-09-10 硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置 Active CN101673716B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008233103 2008-09-11
JP2008-233102 2008-09-11
JP2008233102 2008-09-11
JP2008233103 2008-09-11
JP2008-233103 2008-09-11
JP2008233102 2008-09-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101673716A CN101673716A (zh) 2010-03-17
CN101673716B true CN101673716B (zh) 2014-03-19

Family

ID=41278644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910173727.9A Active CN101673716B (zh) 2008-09-11 2009-09-10 硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8765264B2 (zh)
EP (1) EP2163585B1 (zh)
JP (1) JP5471180B2 (zh)
KR (1) KR101614161B1 (zh)
CN (1) CN101673716B (zh)
AT (1) ATE549377T1 (zh)
TW (1) TWI500511B (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5463586B2 (ja) * 2009-12-21 2014-04-09 利昌工業株式会社 プリプレグ、積層板、及び金属箔張り積層板
JP5844252B2 (ja) * 2010-04-02 2016-01-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
CN101864279A (zh) * 2010-05-17 2010-10-20 盐城市赛瑞特半导体照明有限公司 用于led与散热装置间的饱和式超细填充剂
JP5640476B2 (ja) * 2010-06-08 2014-12-17 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び発光装置
JP2012074416A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
JP2012074512A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
JP2012102244A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Kaneka Corp 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた半導体のパッケージ
JP2013544949A (ja) * 2010-12-08 2013-12-19 ダウ コーニング コーポレーション 封止材を形成するのに好適な二酸化チタンナノ粒子を含むシロキサン組成物
US20130256741A1 (en) * 2010-12-08 2013-10-03 Brian R. Harkness Siloxane Compositions Suitable For Forming Encapsulants
JP5522116B2 (ja) * 2011-04-28 2014-06-18 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
SG10201602082QA (en) 2011-05-31 2016-04-28 Mitsubishi Gas Chemical Co Resin composition, and prepreg and metal foil-clad laminate using the same
CN102810617B (zh) * 2011-06-01 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
WO2013008842A1 (ja) * 2011-07-14 2013-01-17 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
JP5837385B2 (ja) * 2011-10-04 2015-12-24 株式会社カネカ 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた発光ダイオード用のパッケージ
JP5653893B2 (ja) * 2011-12-07 2015-01-14 信越化学工業株式会社 積層基板
JP2013133428A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Kaneka Corp 表面実装型発光装置用樹脂成形体およびそれを用いた発光装置
TWI590494B (zh) * 2012-02-14 2017-07-01 信越化學工業股份有限公司 Optical semiconductor device package, its manufacturing method, and optical semiconductor device and its manufacturing method
JP5851875B2 (ja) * 2012-02-14 2016-02-03 信越化学工業株式会社 光学半導体装置用パッケージの製造方法及び光学半導体装置の製造方法
JP6120102B2 (ja) * 2012-03-13 2017-04-26 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、プリプレグ及び金属箔張積層板
JP5770674B2 (ja) * 2012-04-04 2015-08-26 信越化学工業株式会社 光学半導体装置用基板及びその製造方法、並びに光学半導体装置
KR101526003B1 (ko) * 2012-07-24 2015-06-04 제일모직주식회사 복합시트, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 플렉시블 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2014067959A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Stanley Electric Co Ltd 面実装型光半導体装置
US9203002B2 (en) * 2012-10-19 2015-12-01 Osram Sylvania Inc. Ultraviolet reflective silicone compositions, reflectors, and light sources incorporating the same
JPWO2014065070A1 (ja) * 2012-10-24 2016-09-08 コニカミノルタ株式会社 光学部材及び結合光学系
JP5851970B2 (ja) * 2012-10-29 2016-02-03 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びｌｅｄ装置
JP6363618B2 (ja) 2012-12-27 2018-07-25 ダウ シリコーンズ コーポレーション 優れた反射率及び難燃性を有する物品を形成するための組成物、並びにそれらから形成された物品
JP5941847B2 (ja) * 2013-01-17 2016-06-29 信越化学工業株式会社 シリコーン・有機樹脂複合積層板及びその製造方法、並びにこれを使用した発光半導体装置
TWI616489B (zh) * 2013-02-18 2018-03-01 可應用於發光二極體元件之聚矽氧烷組合物、基座配方及其發光二極體元件
JP5996085B2 (ja) 2013-02-27 2016-09-21 株式会社朝日ラバー 白色反射膜用インク、白色反射膜用粉体塗料及び白色反射膜の製造方法
JP6072662B2 (ja) * 2013-10-10 2017-02-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、該組成物を用いた積層板、及び該積層板を有するｌｅｄ装置
US10743412B2 (en) 2014-02-27 2020-08-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Substrate and semiconductor apparatus
US9671085B2 (en) 2014-04-22 2017-06-06 Dow Corning Corporation Reflector for an LED light source
JP6356618B2 (ja) * 2015-03-03 2018-07-11 富士フイルム株式会社 白色樹脂組成物、転写材料、基材、タッチパネル、及び、情報表示装置
JP6618035B2 (ja) * 2015-03-09 2019-12-11 株式会社リコー 素子、及び発電装置
JP2016014156A (ja) * 2015-10-20 2016-01-28 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びｌｅｄ装置
JP6010210B2 (ja) * 2015-12-10 2016-10-19 株式会社カネカ 表面実装型発光装置用樹脂成形体およびそれを用いた発光装置
CN105504833A (zh) * 2016-01-22 2016-04-20 蒋柱明 一种单组份功率型led封装用的有机硅绝缘胶及其制备方法
JP6480360B2 (ja) * 2016-02-18 2019-03-06 信越化学工業株式会社 半導体装置
JP2018030953A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂透明基板及びその製造方法
JP2018030977A (ja) 2016-08-26 2018-03-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂基板、金属層形成シリコーン樹脂基板、シリコーン樹脂硬化基板及び金属層形成シリコーン樹脂硬化基板
JP2022063847A (ja) * 2020-10-12 2022-04-22 旭化成株式会社 低誘電ガラスクロス、プリプレグ、及びプリント配線板
WO2024182467A1 (en) * 2023-02-28 2024-09-06 Momentive Performance Materials Inc. Two-part addition cure thermal control coating

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4025485A (en) * 1975-07-24 1977-05-24 Shin-Etsu Chemical Company Limited Organopolysiloxane compositions
EP1873211A1 (en) * 2006-06-14 2008-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor-filled curable silicone resin composition and cured product thereof

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2698491B2 (ja) * 1991-08-19 1998-01-19 信越化学工業株式会社 ガラス繊維織物の処理剤
JP2728607B2 (ja) * 1992-11-17 1998-03-18 信越化学工業株式会社 熱伝導性複合シートの製造方法
JP2938340B2 (ja) 1994-03-29 1999-08-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性複合シート
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
JP2000265073A (ja) 1999-03-12 2000-09-26 Ibiden Co Ltd 粗化面形成用樹脂組成物およびプリント配線板
JP2001013513A (ja) 1999-06-30 2001-01-19 Optrex Corp 液晶表示素子
JP3704286B2 (ja) * 1999-11-17 2005-10-12 信越化学工業株式会社 酸化チタン充填付加反応硬化型シリコーンゴム組成物及びその硬化物
TW526242B (en) * 1999-11-17 2003-04-01 Shinetsu Chemical Co Titanium oxide-filled addition reaction-curable silicone rubber composition and its cured material
CA2483510A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Kaneka Corporation Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
MY151065A (en) * 2003-02-25 2014-03-31 Kaneka Corp Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device
US20070111014A1 (en) * 2003-08-01 2007-05-17 Dow Corning Corporation Silicone based dielectric coatings and films for photovoltaic applications
JP2005063693A (ja) * 2003-08-14 2005-03-10 Shin Etsu Chem Co Ltd ガラス繊維編組電線処理剤組成物
US8021748B2 (en) 2003-09-29 2011-09-20 Ibiden Co., Ltd. Interlayer insulating layer for printed wiring board, printed wiring board and method for manufacturing same
DE10359705A1 (de) * 2003-12-18 2005-07-14 Wacker-Chemie Gmbh Additionsvernetzende Siliconharzzusammensetzungen
KR20070047676A (ko) * 2005-11-02 2007-05-07 가부시끼가이샤 도리온 발광 다이오드 실장 기판
TWI398487B (zh) 2005-12-06 2013-06-11 Shinetsu Chemical Co A polysiloxane composition and a hardened product thereof
JP4816951B2 (ja) * 2005-12-06 2011-11-16 信越化学工業株式会社 シリコーン組成物及びその硬化物
JP4664247B2 (ja) * 2006-07-07 2011-04-06 信越化学工業株式会社 ガラス繊維製品処理剤組成物
JP2010518226A (ja) * 2007-02-06 2010-05-27 ダウ・コーニング・コーポレイション シリコーン樹脂、シリコーン組成物、被覆基材、および補強シリコーン樹脂フィルム
JP5972511B2 (ja) 2008-03-31 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4025485A (en) * 1975-07-24 1977-05-24 Shin-Etsu Chemical Company Limited Organopolysiloxane compositions
EP1873211A1 (en) * 2006-06-14 2008-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor-filled curable silicone resin composition and cured product thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US8765264B2 (en) 2014-07-01
TWI500511B (zh) 2015-09-21
KR101614161B1 (ko) 2016-04-20
CN101673716A (zh) 2010-03-17
TW201016458A (en) 2010-05-01
JP5471180B2 (ja) 2014-04-16
KR20100031080A (ko) 2010-03-19
EP2163585A1 (en) 2010-03-17
EP2163585B1 (en) 2012-03-14
JP2010089493A (ja) 2010-04-22
ATE549377T1 (de) 2012-03-15
US20100065880A1 (en) 2010-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101673716B (zh) 硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置
KR102065203B1 (ko) 광반도체 소자 밀봉용 실리콘 조성물 및 광반도체 장치
CN101870817B (zh) 硅氧树脂组成物以及预成型封装
CN103788658B (zh) 硅酮树脂组合物、使用该组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、和led装置
JP6072662B2 (ja) シリコーン樹脂組成物、該組成物を用いた積層板、及び該積層板を有するｌｅｄ装置
JP5650092B2 (ja) シリコーンプリプレグ、それを用いたシリコーン樹脂板、シリコーン金属張積層板、シリコーン金属ベース基板及びｌｅｄ実装基板
JP6389145B2 (ja) 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、及び半導体装置
JP6884458B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
TWI793096B (zh) 可固化聚矽氧組合物
TWI837415B (zh) 加成硬化型聚矽氧組成物及光學元件
TWI830872B (zh) 晶片黏合用矽氧樹脂組成物、硬化物及光半導體裝置
JP7042125B2 (ja) 硬化性樹脂組成物並びに該樹脂組成物を用いた硬化物、封止剤及び光半導体装置
JP2007191697A (ja) エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置
JP2015010132A (ja) 硬化性樹脂組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP7270574B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、シリコーン硬化物、及び、光学素子
JP7042126B2 (ja) 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた光半導体装置。
JP5996858B2 (ja) オルガノポリシロキサン系組成物を用いたイメージセンサー
JP6645911B2 (ja) シリコーン樹脂基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP7360910B2 (ja) 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。
JP7360911B2 (ja) 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。
JP2016014156A (ja) シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びｌｅｄ装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant