TWI500511B - 矽氧積層基板及其製法、矽氧樹脂組成物以及ｌｅｄ裝置 - Google Patents

矽氧積層基板及其製法、矽氧樹脂組成物以及ｌｅｄ裝置 Download PDF

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Shinetsu Chemical Co
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Description

矽氧積層基板及其製法、矽氧樹脂組成物以及LED裝置
本發明關於一種矽氧積層基板、此矽氧積層基板的製法、矽氧積層基板製造用矽氧樹脂組成物以及發光二極體(Light Emitting Diode，LED)裝置。矽氧積層基板例如可以舉出LED裝置用矽氧積層基板、電氣電子零件等的封裝用矽氧積層基板。
LED的封裝基板或者電氣電子零件等的封裝基板大多是利用使環氧樹脂含浸在玻璃中的基板，但是，尚留有無鉛問題、以及由於零件的發熱或光的影響而導致基板劣化的問題作為需解決的課題。而且，對於要求耐熱性的LED的封裝基板，一直是使用氧化鋁、氮化鋁等的陶瓷，但是價格昂貴且難以製成大型的基板。因此，一直在研究將耐候性、耐熱性等特性優異且被用於各種用途的矽氧積層基板也用作LCD的封裝基板或者電氣電子零件等的封裝基板。但是，以前的矽氧積層基板是使用縮合清漆或者加成清漆來製造的，因此製法繁瑣複雜，並且由於將銅箔等貼附在表面上而存在黏著力弱的問題。
而且，當用作LED的封裝基板或者電氣電子零件等的封裝基板時，要求矽氧積層基板具有優異的耐龜裂性或耐衝擊性。另外，對於製造矽氧積層基板時所使用的矽氧樹脂組成物，要求其能夠利用以前的成型裝置來固化，期望其在室溫下為固體狀或者半固體狀。
另外，與本發明相關的先行技術例如可以舉出下述專利文獻所記載的技術。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：US 2007/0013049 A1
專利文獻2：JP 2000-265073 A
一般來說，當使用加成固化型的矽氧清漆積層基板組成物時，通常是利用預固化(precure)使此組成物成為B階(B stage)狀態後，利用熱壓機來製成積層基板，但存在步驟繁瑣複雜、且無法獲得充分的強度或加工性的缺點。
本發明的目的在於提供一種機械特性、可撓性、加工性優異且表面黏性小而操作容易的LED裝置用矽氧積層基板等的矽氧積層基板，此矽氧積層基板的製法，矽氧積層基板製造用矽氧樹脂組成物以及LED裝置。
本發明人為瞭解決所述課題而進行了努力研究，結果發現，利用下述的包括LED裝置用矽氧積層基板的矽氧積層基板、此矽氧積層基板的製法、矽氧積層基板製造用矽氧樹脂組成物以及LED裝置可以解決所述課題，從而完成了本發明。
即，本發明的第一發明提供了一種矽氧積層基板，其是具有玻璃布、以及填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的矽氧樹脂組成物的固化物而成，並且所述矽氧樹脂組成物包括下述成分： (A)樹脂結構的有機聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元(其中，R1 、R2 以及R3 獨立表示羥基、甲基、乙基、丙基、環己基或者苯基，R4 獨立表示乙烯基或者烯丙基，a為0、1或者2，b為1或者2，且a+b為2或者3)，且包含所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構；(B)樹脂結構的有機氫化聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元(其中，R1 、R2 以及R3 獨立地如上所述，c為0、1或者2，d為1或者2，且c+d為2或者3)，且包含所述R2 2 SiO單元的至少一部連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構：(B)成分中的與矽原子鍵合的氫原子相對於(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量以莫耳比計為0.1~4.0的量；(C)鉑族金屬類催化劑：有效量；以及(D)填充劑：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為900重量份以下。
本發明的一個實施態樣中，所述矽氧積層基板是LED裝置用矽氧積層基板，且(D)成分填充劑含有：(D1)(D2)成分以外的無機質填充劑：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為600重量份以下；以及在上述矽氧積層基板需要反射光時，含有(D2)白色顏料：相對於(A)成分與(B)成分的 總量100重量份為1重量份~300重量份。
本發明的第二發明提供一種所述矽氧積層基板的製法，其包括如下步驟：使含有所述(A)成分~(D)成分的矽氧樹脂組成物在溶解、分散於溶劑中的狀態下含浸在玻璃布中；接著，使所述溶劑從此玻璃布中蒸發而加以去除，然後，在加壓成型下使含浸在此玻璃布中的所述矽氧樹脂組成物加熱固化。
本發明的第三發明提供一種含有所述(A)成分~(D)成分的矽氧積層基板製造用矽氧樹脂組成物。
本發明的第四發明提供一種LED裝置，其包括：所述LED裝置用矽氧積層基板、以及封裝在此基板上的LED晶片。
根據本發明，使用通過以往的成型裝置也可以容易地成型的加成固化型矽氧樹脂組成物，借此與以往的矽氧基板相比，可以容易地獲得機械特性優異、表面黏性小的矽氧積層基板，在一個實施態樣中，可以容易地獲得機械特性、耐熱性、耐變色性優異且表面黏性小的LED裝置用矽氧積層基板。對於包括本發明的LED裝置用矽氧積層基板的本發明的矽氧積層基板而言，儘管使硬質的矽氧固化物填充到玻璃布中、且被覆玻璃布表面，但可撓性仍優異，且操作容易。特別是使用在室溫下為固體狀的矽氧樹脂組成物時，使此矽氧樹脂組成物在溶解、分散於溶劑中的狀 態下含浸在玻璃布中，使所述溶劑從此玻璃布中蒸發而加以去除後，此組成物為A階(A stage)狀態而為固態，因此具有如下優點：含浸了此組成物的玻璃布的保管更加容易，且可以更容易地進行利用熱壓機的成型，進一步可以更自由地成型矽氧積層基板的形狀。本發明的矽氧積層基板加工性優異，可以合適地用作包括各種半導體的電氣電子零件等的封裝基板。本發明的LED裝置用矽氧積層基板加工性優異，可以合適地用作LED裝置的封裝基板。而且，使用此LED裝置用矽氧積層基板而製作的本發明的LED裝置的隨時間經過的波長(色調)的變化小，且壽命長。
以下，對本發明加以更詳細的說明。另外，在本說明書中，“室溫”是指15℃~30℃的溫度。並且，Ph表示苯基，Me表示甲基，Et表示乙基，Vi表示乙烯基。
[矽氧樹脂組成物]
本發明的矽氧樹脂組成物包含下述(A)成分~(D)成分，適合用來製造本發明的矽氧積層基板。含有下述(A)成分~(C)成分、(D1)成分以及視情況含有(D2)成分的本發明的矽氧樹脂組成物，適合用來製造本發明的LED裝置用矽氧積層基板。本發明的組成物較佳在室溫下為固體狀，更較佳在室溫下為具有塑性的固體。在室溫下為固體狀的組成物容易操作，而無需像以往的矽氧樹脂那樣需要使其部分固化後再進行操作。
以下，對本發明的矽氧樹脂組成物所含的各成分加以說明。
-(A)樹脂結構的有機聚矽氧烷-
作為本發明的組成物的一種重要構成成分的(A)是樹脂結構(即三維網狀結構)的有機聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元(其中，R1 、R2 以及R3 獨立表示羥基、甲基、乙基、丙基、環己基或者苯基，R4 獨立表示乙烯基或者烯丙基，a為0、1或者2，b為1或者2，且a+b為2或者3)，且部分地含有所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個、較佳8個~40個、更較佳10個~35個的結構。
另外，所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構，是指以下述通式(1)所表示的直鏈狀二有機聚矽氧烷鏈結構，
(其中，m為5~50的整數)。
較佳的是，(A)成分有機聚矽氧烷中所存在的所有R2 2 SiO單元的至少一部分、較佳50莫耳%或50莫耳%以上(50莫耳%~100莫耳%)、特別較佳80莫耳%或80莫耳%以上(80莫耳%~100莫耳%)在分子中形成以所述通式(1)所表示的鏈結構。
在(A)成分的分子中，R2 2 SiO單元發揮作以使聚合 物分子呈直鏈狀延伸，R1 SiO1.5 單元使聚合物分子分支或者形成三維網狀結構。R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元中的R4 (獨立為乙烯基或者烯丙基)與後述(B)成分所具有的R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元的矽原子上鍵合的氫原子(即SiH基)進行矽氫化加成反應，借此實現使本發明的組成物固化的作用。
就所獲得的固化物的特性方面而言，構成(A)成分的三種必需的矽氧烷單元的莫耳比，即R1 SiO1.5 單元：R2 2 SiO單元：R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元的莫耳比較佳90~24：75~9：50~1，特別較佳70~28：70~20：10~2(其中總量為100)。
而且，此(A)成分的由凝膠滲透色譜儀(Gel Permeation Chromatography，GPC)所得的聚苯乙烯換算重量平均分子量在3,000~1,000,000、特別是10,000~100,000的範圍內時，此聚合物為固體或者半固體狀，從作業性、固化性等方面而言較為合適。
所述樹脂結構的有機聚矽氧烷可以通過下述方式來合成：以使所述三種矽氧烷單元在聚合產物中達成所需的莫耳比的方式來組合成為各單元的原料的化合物，並在例如酸的存在下進行共水解縮合。
這裏，R1 SiO1.5 單元的原料可例示：MeSiCl3 、EtSiCl3 、PhSiCl3 、丙基三氯矽烷、環己基三氯矽烷等氯矽烷類，以及分別與所述各氯矽烷類相對應的甲氧基矽烷類等烷氧基矽烷類等。
R2 2 SiO單元的原料可例示：ClMe2 SiO(Me2 SiO)j SiMe2 Cl、ClMe2 SiO(Me2 SiO)k (PhMeSiO)L SiMe2 Cl、ClMe2 SiO(Me2 SiO)k (Ph2 SiO)L SiMe2 Cl、(HO)Me2 SiO(Me2 SiO)j SiMe2 (OH)、(HO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (PhMeSiO)L SiMe2 (OH)、(HO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (Ph2 SiO)L SiMe2 (OH)、(MeO)Me2 SiO(Me2 SiO)j SiMe2 (OMe)、(MeO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (PhMeSiO)L SiMe2 (OMe)、(MeO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (Ph2 SiO)L SiMe2 (OMe)等，(其中，j=3~48的整數(平均值)，k=0~47的整數(平均值)，L=1~48的整數(平均值)，且k+L=3~48的整數(平均值))等。
而且，R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元表示從R3 R4 SiO單元、R3 2 R4SiO0.5 單元、R4 2 SiO單元以及R3 R4 2 SiO0.5 單元中選擇的一種矽氧烷單元或者兩種以上的矽氧烷單元的組合。其原料可例示：Me2 ViSiCl、MeViSiCl2 、Ph2 ViSiCl、PhViSiCl2 等氯矽烷類，以及與這些氯矽烷類分別對應的甲氧基矽烷類等烷氧基矽烷類等。
另外，在本發明中，通過所述原料化合物的共水解以及縮合來製造(A)成分有機聚矽氧烷時，R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元、R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元或者這些單元的兩種以上的組合中，包含具有矽醇基的矽氧烷單元。較佳為(A)成分有機聚矽氧烷可含有通常相對於所有矽氧烷單元為 10莫耳%以下(0莫耳%~10莫耳%)的所述含矽醇基的矽氧烷單元。所述含矽醇基的矽氧烷單元例如可舉出：(HO)SiO1.5 單元、R2' (HO)SiO單元、(HO)2 SiO單元、R4 (HO)SiO單元、R4 2 (HO)SiO0.5 單元、R3' R4 (HO)SiO0.5 單元、R4 (HO)2 SiO0.5 單元(其中，R2' 以及R3' 是羥基以外的如上所述對R2 以及R3 進行定義的基團，R4 如所述定義)。而且，R1 、R2 以及R3 的羥基是指所述含矽醇基的矽氧烷單元中的羥基。
-(B)樹脂結構的有機氫化聚矽氧烷-
作為本發明的組成物的一種重要構成成分的(B)成分是樹脂結構(即三維網狀結構)的有機氫化聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元(其中，R1 、R2 以及R3 獨立地如上所述，c為0、1或者2，d為1或者2，且c+d為2或者3)，且部分地含有所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個、較佳8個~40個、更較佳10個~35個的直鏈狀矽氧烷結構。
另外，R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構如上文關於(A)成分所述那樣，是指(B)成分中所存在的R2 2 SiO單元的至少一部分、較佳50莫耳%或50莫耳%以上(50莫耳%~100莫耳%)、特別較佳80莫耳%或80莫耳%以上(80莫耳%~100莫耳%)在(B)成分的分子中形成以所述通式(1)所表示的直鏈狀二有機聚矽氧烷鏈結構。
(B)成分的分子中，R2 2 SiO單元也發揮作用以使聚合物分子呈直鏈狀地延伸，R1 SiO1.5 單元也使聚合物分子分支或者形成三維網狀結構。R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元中的矽上鍵合的氫原子與所述(A)成分所具有的烯基進行矽氫化加成反應，借此發揮使本發明的組成物固化的作用。
就所獲得的固化物的特性方面而言，構成(B)成分的三種必需的矽氧烷單元的莫耳比，即R1 SiO1.5 單元：R2 2 SiO單元：R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元的莫耳比較佳90~24：75~9：50~1，特別較佳70~28：70~20：10~2(其中總量為100)。
而且，從作業性、固化物的特性等方面來說，此(B)成分的由GPC所得的聚苯乙烯換算重量平均分子量在3,000~1,000,000、特別是10,000~100,000的範圍內較為合適。
所述樹脂結構的有機氫化聚矽氧烷可以通過下述方式來合成：以使所述三種矽氧烷單元在聚合產物中達成所需的莫耳比的方式來組合成為各單元的原料的化合物，並在例如酸的存在下進行共水解。
這裏，R1 SiO1.5 單元的原料可例示：MeSiCl3 、EtSiCl3 、PhSiCl3 、丙基三氯矽烷、環己基三氯矽烷等氯矽烷類，分別與所述各氯矽烷類相對應的甲氧基矽烷類等烷氧基矽烷等。
R2 2 SiO單元的原料可例示：ClMe2 SiO(Me2 SiO)j SiMe2 Cl、 ClMe2 SiO(Me2 SiO)k (PhMeSiO)L SiMe2 Cl、ClMe2 SiO(Me2 SiO)k (Ph2 SiO)L SiMe2 Cl、(HO)Me2 SiO(Me2 SiO)j SiMe2 (OH)、(HO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (PhMeSiO)L SiMe2 (OH)、(HO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (Ph2 SiO)L SiMe2 (OH)、(MeO)Me2 SiO(Me2 SiO)j SiMe2 (OMe)、(MeO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (PhMeSiO)L SiMe2 (OMe)、(MeO)Me2 SiO(Me2 SiO)k (Ph2 SiO)L SiMe2 (OMe)等，(其中，j=3~48的整數(平均值)，k=0~47的整數(平均值)，L=1~48的整數(平均值)，且k+L=3~48的整數(平均值))等。
而且，R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元表示從R3 HSiO單元、R3 2 HSiO0.5 單元、H2 SiO單元以及R3 H2 SiO0.5 單元中選擇的一種矽氧烷單元或者兩種以上的矽氧烷單元的組合。其原料可例示：Me2 HSiCl、MeHSiCl2 、Ph2 HSiCl、PhHSiCl2 等氯矽烷類，以及與這些氯矽烷類分別相對應的甲氧基矽烷類等烷氧基矽烷類等。
另外，在本發明中，通過所述原料化合物的共水解以及縮合來製造(B)成分有機氫化聚矽氧烷時，在R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元、R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元或者這些單元的兩種以上的組合中，包含具有矽醇基的矽氧烷單元。較佳為(B)成分有機氫化聚矽氧烷可含有通常相對於所有矽氧烷單元為10莫耳%以下(0莫耳%~10莫耳%)的所述含矽醇基的矽氧烷單元。所述含矽醇基的矽氧烷單元例 如可列舉：(HO)SiO1.5 單元、R2' (HO)SiO單元、(HO)2 SiO單元、H(HO)SiO單元、H2 (HO)SiO0.5 單元、R3' H(HO)SiO0.5 單元、H(HO)2 SiO0.5 單元(其中，R2' 以及R3' 是羥基以外的如上所述對R2 以及R3 進行定義的基團)。而且，R1 、R2 以及R3 的羥基是指所述含矽醇基的矽氧烷單元中的羥基。
(B)成分有機氫化聚矽氧烷的調配量較佳的是(B)成分中的矽原子上鍵合的氫原子(SiH基)相對於(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量以莫耳比計為0.1~4.0的量，特別較佳莫耳比為0.5~3.0的量，更較佳莫耳比為0.8~2.0的量。如果莫耳比小於0.1，則不進行固化反應，難以獲得矽氧固化物，如果莫耳比超過4.0，則固化物中會殘存大量的未反應的SiH基，因此會導致固化物的物性隨時間經過而變化。
本發明中，為了賦予黏著性，較佳的是(A)成分以及(B)成分中的一方或者兩方含有矽醇基。在(A)成分有機聚矽氧烷或者(B)成分有機氫化聚矽氧烷中，此含有矽醇基的矽氧烷單元的量為相對於所有矽氧烷單元為10莫耳%以下(0莫耳%~10莫耳%)。
-(C)鉑族金屬類催化劑-
此催化劑成分是為了使本發明的組成物發生加成固化反應而調配的，是鉑系、鈀系、銠系催化劑。此催化劑可以使用作為促進矽氫化反應的催化劑而於以往眾所周知的任意催化劑。考慮到成本等，可例示鉑、鉑黑、氯鉑酸等鉑系催化劑，例如H2 PtCl6 ．pH2 O、K2 PtCl6 、KHPtCl6 ． pH2 O、K2 PtCl4 、K2 PtCl4 ．pH2 O、PtO2 ．pH2 O、PtCl4 ．pH2 O、PtCl2 、H2 PtCl4 ．pH2 O(其中p為正整數)等，或這些化合物與烯烴等烴、醇或者含乙烯基的有機聚矽氧烷的錯合物等。這些催化劑可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。
(C)成分的調配量為用來進行固化的有效量即可，通常相對於所述(A)成分與(B)成分的總量以鉑族金屬的重量換算計為0.1ppm~500ppm、特別較佳0.5ppm~100ppm的範圍。
-(D)填充劑-
(D)成分填充劑是為了降低本發明的矽氧積層基板的線膨脹係數並且提高此基板的強度而添加到本發明的組成物中。(D)成分只要是眾所周知的填充劑則可為任意種，例如可舉出：沉澱二氧化矽、煆製二氧化矽(fumed silica)、熔融二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶性二氧化矽等二氧化矽類，煆製二氧化鈦、碳酸鈣、矽酸鈣、二氧化鈦、三氧化二鐵、碳黑、氧化鋅、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、三氧化二銻、氧化鋁、氧化鋯、硫化鋅、氧化鎂、硫酸鋇等。補強性無機質填充劑例如可舉出：沉澱二氧化矽、煆製二氧化矽等二氧化矽類，煆製二氧化鈦、氧化鋁、氮化鋁等。非補強性無機質填充劑例如可舉出：碳酸鈣、矽酸鈣、二氧化鈦、三氧化二鐵、碳黑、氧化鋅等。(D)成分可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。
從所獲得的矽氧積層基板的線膨脹係數以及強度的觀 點來看，(D)成分的調配量相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為900重量份以下(0重量份~900重量份)的範圍，較佳600重量份以下(0重量份~600重量份)的範圍，更較佳10重量份~600重量份、特別是50重量份~500重量份的範圍。
當本發明的矽氧積層基板為LED裝置用矽氧積層基板時，含有下述(D1)成分以及視情況含有(D2)成分的填充劑合適地用作(D)成分。
．(D1)無機質填充劑
(D1)成分是(D2)成分以外的無機質填充劑，是為了降低本發明的LED用矽氧積層基板的線膨脹係數並且提高此基板的機械強度而添加到本發明的組成物中的。(D1)成分可以使用通常調配到矽氧樹脂組成物中的無機質填充劑，只要是眾所周知的無機質填充劑則可為任意種，例如可舉出：熔融二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶性二氧化矽等二氧化矽類，氮化矽、氮化鋁、氮化硼、三氧化二銻等，特別較佳熔融二氧化矽、熔融球狀二氧化矽。(D1)成分可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。
(D1)成分的平均粒徑以及形狀並無特別限定。(D1)成分的平均粒徑通常為0.5μm~50μm，但從所獲得的矽氧樹脂組成物的成形性以及流動性來看，較佳1μm~10μm，更較佳1μm~5μm。而且，平均粒徑可以作為利用激光衍射法的粒度分佈測定的重量平均值D50 (或者中值 粒徑)而求出。
對於(D1)成分無機質填充劑，為了加強樹脂與無機質填充劑的結合強度，也可以利用矽烷偶合劑、鈦酸酯偶合劑等偶合劑預先進行表面處理。所述偶合劑例如較佳使用：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等環氧官能性烷氧基矽烷；N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、γ-氨基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基矽烷等氨基官能性烷氧基矽烷；γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等巰基官能性烷氧基矽烷等。另外，對表面處理所用的偶合劑的調配量以及表面處理方法並無特別限制。
而且，(D1)成分的無機質填充劑，亦能夠以將該無機質填充劑分散於有機溶劑的漿狀態添加至本發明的組成物中。
從所獲得的LED裝置用矽氧積層基板的線膨脹係數以及強度的觀點來看，(D1)成分的調配量較佳的是相對於(A)成分與(B)成為的總量100重量份為600重量份以下(0重量份~600重量份)的範圍，更較佳10重量份~600重量份、特別是50重量份~500重量份的範圍。
．(D2)白色顏料
(D2)成分是白色顏料，是作為用來使所獲得的固化物呈白色的白色著色劑而使用的。(D2)成分是在所得的LED裝置用矽氧積層基板需要反射光線時，作為提升該矽 氧積層基板的光反射率的目的而添加至本發明的組合物中，但在得到並不特別需要反射光線的矽氧積層基板時，亦有不需添加(D2)成分至本發明的組合物中的情形。此處“矽氧積層基板需要反射光線”如同後述，是指該矽氧積層基板的光反射率在整個全可見光區域較佳為80以上(亦即80~100%)。(D2)成分只要是一直以來普遍使用的眾所周知的白色顏料，則可以無限制地使用，合適的是使用二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、硫化鋅、氧化鋅、氧化鎂、硫酸鋇或者這些化合物的兩種以上的組合。此組合可舉出二氧化鈦與具體例示的其他白色顏料的至少一種的組合。這些白色顏料中，更較佳二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂，再更較佳二氧化鈦。二氧化鈦的結晶形為金紅石(rutile)型、銳鈦礦(anatase)型、板鈦礦(brookite)型均可，較佳使用金紅石型。
白色顏料較佳的是平均粒徑為0.05μm~10.0μm，更較佳的是平均粒徑為0.1μm~5.0μm，再更較佳的是平均粒徑為0.1μm~1.0μm。而且，為了提高(D2)成分白色顏料與(A)成分以及(B)成分樹脂成分與(D1)成分無機質填充劑的混合性以及分散性，也可以用Al的氫氧化物、Si的氫氧化物等氫氧化物等預先對(D2)成分白色顏料進行表面處理。另外，平均粒徑如上所述，可以作為利用激光衍射法的粒度分佈測定的重量平均值D50 (或者中值粒徑)而求出。(D2)成分可單獨一種或是2種以上組合使用。
(D2)成分的調配量較佳的是相對於(A)與(B)成分的總量100重量份為1重量份~300重量份，更較佳3重量份~200重量份，特別較佳10重量份~150重量份。如果此調配量小於1重量份，則有時所獲得的固化物的白色度變得不充分。如果此調配量超過300重量份，則有時為了降低本發明的LED裝置用矽氧積層基板的線膨脹係數並且提高此基板的機械強度而添加的(D1)成分無機質填充劑在所有無機質填充劑中所占的比例變得過低。另外，(D2)成分白色顏料的量較佳的是在矽氧樹脂組成物整體中為1重量%~50重量%的範圍，更較佳5重量%~30重量%的範圍，進一步較佳10重量%~30重量%的範圍。
-其他成分-
在本發明的組成物中，除所述(A)成分~(D)成分以外，可以視需要調配其本身為眾所周知的各種添加劑。
．黏著助劑
本發明的組成物中，為了賦予黏著性，可以視需要添加黏著助劑(黏著性賦予劑)。黏著助劑可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。黏著助劑例如可舉出：一分子中含有至少2種、較佳2種或者3種的自鍵合於矽原子上的氫原子(SiH基)、鍵合於矽原子上的烯基(例如Si-CH=CH2 基)、烷氧基矽烷基(例如三甲氧基矽烷基)、環氧基(例如縮水甘油氧基丙基、3,4-環氧環己基乙基)中選擇的官能性基團的直鏈狀或者環狀的矽原子數為4個~50個、較佳4個~20個左右的有機矽氧烷低聚物，以下 述通式(2)所表示的有機氧化矽烷基改性異氰脲酸酯化合物，其水解縮合物(有機矽氧烷改性異氰脲酸酯化合物)以及所述化合物的兩種以上的組合等。
(式中，R5 是以下述式(3)所表示的有機基團、或者含有脂肪族不飽和鍵的一價烴基，R5 的至少一個為式(3)的有機基)。
(其中，R6 為氫原子或者碳原子數為1~6的一價烴基，v為1~6、特別是1~4的整數)。
通式(2)中的R5 的含有脂肪族不飽和鍵的一價烴基可舉出：乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基等碳原子數為2~8、特別是2~6的烯基，環己烯基等碳原子數為6~8的環烯基等。而且，式(3)中的R6 的一價烴基例如可舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基等烷基，環己基等環烷基，就所述R5 而例示的烯基以及環烯基，另外苯基等芳基等碳原子數為1~8、特別是1~6的 一價烴基，較佳為烷基。
進一步而言，黏著助劑可例示：1,5-雙(縮水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1-縮水甘油氧基丙基-5-三甲氧基矽烷基乙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷等、以及下述式所示的化合物。
(式中，g以及h分別為0~50的範圍的整數，且g+h滿足2~50，較佳為滿足4~20)。
所述有機矽化合物中，對所得的固化物賦予特別良好的黏著性的化合物是一分子中具有鍵合於矽原子上的烷氧基、烯基或者鍵合於矽原子上的氫原子(SiH基)的有機矽化合物。
相對於(A)成分100重量份，黏著助劑的調配量通常為10重量份以下(即0重量份~10重量份)，較佳0.1重量份~8重量份，更較佳0.2重量份~5重量份左右。如 果此調配量過多，則可能會對固化物的硬度帶來不良影響或者增大表面黏性。
．固化抑制劑
本發明的組成物中，可以視需要適宜調配固化抑制劑。固化抑制劑可以單獨使用一種，也可以組合使用兩種以上。固化抑制劑例如可舉出：從四甲基四乙烯基環四矽氧烷之類的大量含有乙烯基的有機聚矽氧烷、異氰脲酸三烯丙酯、馬來酸烷基酯、乙炔醇類及其矽烷改性物以及矽氧烷改性物、氫過氧化物、四甲基乙二胺、苯並三唑以及這些化合物的混合物所組成的群中選擇的化合物等。相對於(A)成分100重量份，固化抑制劑通常添加0.001重量份~10重量份，較佳0.005重量份~0.5重量份。
-製備-
本發明的矽氧樹脂組成物是通過將所需成分混合均勻來製備。通常是分成二種液體加以保存以使固化並不進行，並在使用時將二種液體加以混合來進行固化。當然，也可以少量添加所述乙炔醇等固化抑制劑而製成一種液體來使用。而且，本發明的矽氧樹脂組成物也可以通過如下方式來製備成溶液或者分散液：將(A)成分~(C)成分均勻混合而獲得基質組成物，在此基質組成物中添加甲苯、二甲苯、庚烷等溶劑後，進一步添加(D)成分。當(D)成分含有(D1)成分以及視情況含有(D2)成分時，此矽氧樹脂組成物可以通過如下方式來製備成分散液：將(A)成分~(C)成分均勻混合而獲得基質組成物，在此 基質組成物中添加甲苯、二甲苯、庚烷等溶劑後，進一步添加(D1)成分以及視情況添加(D2)成分。
[矽氧積層基板]
本發明的矽氧積層基板是具有玻璃布、以及填充到此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的矽氧樹脂組成物的固化物
而成的矽氧積層基板。所述矽氧積層基板的厚度只要根據此基板的用途或製造此基板所使用的玻璃布的厚度等來適宜選擇即可，並無特別限定，較佳20μm~2,000μm，更較佳50μm~1,000μm。
對於本發明的矽氧積層基板而言，與此基板垂直的方向(以下有時稱為Z軸方向)上的線膨脹係數在-100℃~200℃的範圍內較佳50ppm/℃以下(即0ppm/℃~50ppm/℃)，更較佳5ppm/℃~40ppm/℃。而且，對於本發明的矽氧積層基板而言，與此基板平行的方向(以下有時稱為XY軸方向)上的線膨脹係數在-100℃~200℃的範圍內較佳10ppm/℃以下(即0ppm/℃~10ppm/℃)，更較佳1ppm/℃~8ppm/℃。另外，線膨脹係數是根據JIS K 7197利用熱機械分析(Thermo Mechanical Analysis，TMA)測定法所測定的值。
在本發明的一個實施態樣中，所述矽氧積層基板是LED裝置用矽氧積層基板，並且(D)成分填充劑含有相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為600重量 份以下的(D1)成分、以及視情況含有的相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份~300重量份的(D2)成分。本發明的LED裝置用矽氧積層基板的光反射率在整個可見光區域中較佳80%以上(即80%~100%)，更較佳85%~99%。在本發明中，光反射率例如是利用光反射率測定機X-rite 8200(積分球分光光度儀，X-rite公司(US)製造)等來測定的。另外，在本發明中，可見光區域是指400nm~700nm的區域。
而且，對於本發明的LED裝置用矽氧積層基板而言，溫度為260℃、時間為60秒鐘的紅外(Infrared，IR)回流焊處理後的光反射率在整個可見光區域中較佳80%以上(即80%~100%)，更較佳85%~98%。在本發明中，紅外回流焊處理是使用紅外回流焊裝置來進行。
另外，本發明的LED置用矽氧積層基板，在120℃下照射波長為365nm、強度為30mW/cm2 的紫外線24小時後的光反射率在整個可見光區域中較佳為80%以上(即80%~100%)，更較佳為85%~98%。
-玻璃布-
對玻璃布並無特別限定，可使用眾所周知的玻璃布。玻璃布為片狀，並且其厚度只要根據本發明的矽氧積層基板的用途等來適宜選擇即可，並無特別限定，例如為10μm~2,000μm，較佳10μm~1,000μm，更較佳20μm~300μm。本發明的LED裝置用矽氧積層基板中，玻璃布的厚度只要根據此LED裝置用矽氧積層基板的用途等適宜選 擇即可，並無特別限定，較佳20μm~2,000μm，更較佳50μm~1,000μm。
-矽氧樹脂組成物的固化物-
填充到所述玻璃布中、且被覆此玻璃布表面的矽氧樹脂組成物的固化物是含有所述(A)成分~(D)成分而成的矽氧樹脂組成物的固化物。本發明的矽氧積層基板中，此固化物可以僅被覆此玻璃布的單面，也可以被覆兩個面，較佳被覆此玻璃布的兩個面。被覆此玻璃布表面的固化物的厚度只要根據本發明的矽氧積層基板的用途等而適宜選擇即可，並無特別限定，較佳20μm~2,000μm，更較佳50μm~1,000μm。本發明的LED裝置用矽氧積層基板中，被覆此玻璃布表面的固化物的厚度只要根據本發明的LED裝置用矽氧積層基板的用途等適宜選擇即可，並無特別限定，較佳為50μm~2,000μm，更較佳為60μm~1,000μm。
-矽氧積層基板的製法-
本發明的矽氧積層基板可以通過如下方式而獲得：使所述含有(A)成分~(D)成分而成的矽氧樹脂組成物在溶解、分散於溶劑中的狀態下含浸在玻璃布中，接著，使所述溶劑從此玻璃布中蒸發而加以去除，然後，在加壓成型下使此玻璃布中所含浸的所述矽氧樹脂組成物加熱固化。這裏，通過使用含有相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為600重量份以下的(D1)成分、以及視情況含有相對於(A)成分與(B) 成分的總量100重量份為1重量份~300重量份的(D2)成分來作為(D)成分的填充劑，可以獲得本發明的LED裝置用矽氧積層基板。
-溶劑-
溶劑只要可以使所述矽氧樹脂組成物溶解、分散，並且可以在使此組成物保持於未固化或半固化狀態的溫度下蒸發，則並無特別限定，例如可舉出沸點為50℃~200℃、較佳為80℃~150℃的溶劑。在製造本發明的LED裝置用矽氧積層基板時，只要可以使所述矽氧樹脂組成物溶解、分散，並且可以在使組成物保持於未固化或者半固化狀態的溫度下蒸發，則並無特別限定，例如可舉出沸點為50℃~150℃、較佳為60℃~100℃的溶劑。溶劑的具體例可舉出：甲苯、二甲苯、己烷、庚烷等烴系非極性溶劑；醚類等。溶劑的使用量只要是可以使所述矽氧樹脂組成物溶解、分散而獲得的溶液或者分散液含浸到玻璃布中的量，則並無特別限制，相對於此矽氧樹脂組成物100重量份，較佳為10重量份~200重量份，更較佳為20重量份~100重量份。在製造本發明的LED裝置用矽氧積層基板時，只要是可以使所述矽氧樹脂組成物溶解、分散而獲得的溶液或者分散液含浸到玻璃布中的量，則並無特別限制，相對於此矽氧樹脂組成物100重量份，較佳為10重量份~200重量份，更較佳為50重量份~100重量份。
所述矽氧樹脂組成物的溶液或者分散液例如可以通過將玻璃布浸漬在此溶液或者分散液中、或者使用浸漬裝置 等塗敷在玻璃布的單面或者兩個面上，而使其含浸在玻璃布中。
溶劑的蒸發例如可以通過將使所述矽氧樹脂組成物在溶解、分散於溶劑中的狀態下而含浸的玻璃布放置在較佳為50℃~150℃、更較佳為60℃~100℃下來進行。也可以適宜使用烘箱(oven)、乾燥機(dryer)等加熱裝置。
加壓成型下的加熱固化例如可以使用熱壓機、真空壓製機等，在較佳為1MPa~100MPa、更較佳為5MPa~50MPa的壓力下，較佳為50℃~200℃、更較佳為70℃~180℃的溫度下進行。固化時間較佳為1分鐘~30分鐘，更較佳為2分鐘~10分鐘即可。而且，可以在50℃~200℃、特別是70℃~180℃下進行0.1小時~10小時、特別是1小、時~4小時的後固化(post cure)。
[LED裝置]
本發明的LED裝置具備本發明的LED裝置用矽氧積層基板、以及封裝在此基板上的LED晶片。圖1是表示本發明的LED裝置的一例的截面圖。圖1所示的LED裝置1中，在本發明的LED裝置用矽氧積層基板2上製作了由陽極和陰極構成的電極圖案3，在電極圖案的一個電極上經由晶片焊接劑4而焊接著LED晶片5。在LED晶片5與電極圖案3的另一電極之間連接著接合線6。電極圖案3的一部分、LED晶片5以及接合線6被透明密封體7所密封著。
電極圖案3只要利用眾所周知的方法來製作即可，例 如可以通過對具有本發明的LED裝置用矽氧積層基板、以及設置在此基板的單面或者兩個面上的銅箔的覆銅積層基板進行蝕刻等而製作。晶片焊接劑4例如可以舉出銀膏(silver paste)等。接合線6例如可以舉出金線等。透明密封體7例如可以通過將矽氧密封劑、環氧密封劑等眾所周知的密封劑適宜成型為所需的形狀並使之固化而設置。
[實施例]
以下，示出合成例、實施例以及比較例對本發明加以具體說明，但本發明並不限於下述實施例。另外，在下述例中，重量平均分子量是利用凝膠滲透色譜儀(GPC)所測定的聚苯乙烯換算值。
[合成例1]
-含乙烯基的有機聚矽氧烷樹脂(A1)-
將1142.1g(87.1莫耳%)的以PhSiCl3 所表示的有機矽烷、529g(3.2莫耳%)的ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl、以及84.6g(9.7莫耳%)的MeViSiCl2 溶解在甲苯溶劑中後，滴加到水中進行共水解，進一步通過水洗、堿清洗而進行中和、脫水後，除去溶劑，合成含乙烯基的樹脂(A1)。此樹脂是重量平均分子量為62,000、熔點為60℃的固體。此樹脂的乙烯基含量為0.05莫耳/100g。
[合成例2]
-含矽氫基的有機聚矽氧烷樹脂(B1)-
將1142.1g(87.1莫耳%)的以PhSiCl3 所表示的有機矽烷、529g(3.2莫耳%)的ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl、 以及69g(9.7莫耳%)的MeHSiCl2 溶解在溶劑中後，滴加到水中進行共水解，進一步通過水洗、堿清洗而進行中和、脫水後，除去溶劑，合成含矽氫基的樹脂(B1)。此樹脂是重量平均分子量為58,000、熔點為58℃的固體。此樹脂的矽氫基含量為0.05莫耳/100g。
[合成例3]
-含乙烯基的有機聚矽氧烷樹脂(A2)-
將1142.1g(87.1莫耳%)的以PhSiCl3 所表示的有機矽烷、529g(3.2莫耳%)的ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl、以及72.3g(9.7莫耳%)的Me2 ViSiCl溶解在甲苯溶劑中後，滴加到水中進行共水解，進一步通過水洗、堿清洗而進行中和、脫水後，除去溶劑，合成含乙烯基的樹脂(A2)。此樹脂是重量平均分子量為63,000、熔點為63℃的固體。此樹脂的乙烯基含量為0.05莫耳/100g。
[合成例4]
-含矽氫基的有機聚矽氧烷樹脂(B2)-
將1142.1g(87.1莫耳%)的以PhSiCl3 所表示的有機矽烷、529g(3.2莫耳%)的ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl、以及56.7g(9.7莫耳%)的Me2 HSiCl溶解在甲苯溶劑中後，滴加到水中進行共水解，進一步通過水洗、堿清洗而進行中和、脫水後，除去溶劑，合成含矽氫基的樹脂(B2)。此樹脂是重量平均分子量為57,000、熔點為56℃的固體。此樹脂的矽氫基含量為0.05莫耳/100g。
[參考例1]
添加189g的合成例1中獲得的含乙烯基的樹脂(A1)、189g的合成例2中獲得的含矽氫基的樹脂(B1)、0.2g的作為反應抑制劑的乙炔醇系的乙炔基環己醇、以及0.1g的氯鉑酸的1重量%辛醇溶液，利用加溫到60℃的行星式混合機(planetary mixer)充分攪拌而獲得基質組成物。在此基質組成物中添加400g的作為溶劑的甲苯，進一步添加378g二氧化矽(商品名：Admafine E5/24C，平均粒子徑：約3μm，(股)Admatechs製)，製備出矽氧樹脂組成物的甲苯分散液。
在此甲苯分散液中浸漬玻璃布(日東紡製造，厚度為100μm)，使此甲苯分散液含浸到此玻璃布中。將此玻璃布在60℃下放置2小時，借此使甲苯蒸發。在使甲苯蒸發後的玻璃布的兩個面上，在室溫下形成了固體皮膜。利用熱壓機在150℃下對此玻璃布進行10分鐘加壓成型而獲得成型品，進一步使其在150℃下進行1小時的二次固化而獲得矽氧積層基板。
1.外觀
通過目測來確認所獲得的矽氧積層基板的表面的均勻性，即，確認此表面是平滑的、還是具有凹凸而不均勻的。
2.機械特性
對所獲得的矽氧積層基板，依據JIS K 6251以及JIS K 6253來測定抗拉強度(0.2mm厚)以及硬度(使用Type D型彈簧試驗機來測定。6mm厚(即0.2mm厚×30片))。
3.表面黏性
通過手指觸摸來確認所獲得的矽氧積層基板的表面黏性。
4.線膨脹係數
針對所獲得的矽氧積層基板(0.2mm厚)，依據JIS K 7197利用熱機械分析(TMA)測定法，在-100℃~200℃的範圍內，測定與此基板垂直的方向(Z軸方向)以及平行的方向(XY軸方向)上的線膨脹係數。
5.紅外回流焊試驗
與上文所述相同，使所述甲苯分散液含浸到所述玻璃布中，使甲苯蒸發。將使甲苯蒸發後的玻璃布夾在2片銅箔(福田金屬製造，厚度：38μm)之間，利用熱壓機在150℃下進行10分鐘加壓成型而獲得成型品，進一步在150℃下進行1小時的二次固化而獲得覆銅積層基板(0.3mm厚)。利用紅外回流焊裝置(商品名：Reflow Soldering裝置，TAMURA製作所(股)製造)對此覆銅積層基板進行260℃、10秒鐘的紅外回流焊處理，確認銅箔是否剝離。
將所述各測定的測定結果示於表1。
[參考例2]
在參考例1中，分別使用合成例3中獲得的含乙烯基的樹脂(A2)以及合成例4中獲得的含矽氫基的樹脂(B2)來代替合成例1中獲得的含乙烯基的樹脂(A1)以及合成例2中獲得的含矽氫基的樹脂(B1)，除此以外與參考例1同樣地獲得矽氧積層基板以及覆銅積層基板，並進行評價。將結果示於表1。另外，在使甲苯蒸發後的玻璃布的 兩個面上，在室溫下形成了固體皮膜。
[參考例3]
在參考例1中，獲得基質組成物時，進一步添加6g的以下述式所表示的黏著助劑，除此以外與參考例1同樣地獲得矽氧積層基板以及覆銅積層基板，並進行評價。將結果示於表1。另外，在使甲苯蒸發後的玻璃布的兩個面上，在室溫下形成了固體皮膜。
[比較例1]
在參考例1中，代替基質組成物，而使用189g的市售的作為加成反應固化型矽氧清漆的KJR-632(商品名，信越化學工業(股)製造)，此KJR-632將不含有重複單元數為5個~50個的直鏈狀二有機聚矽氧烷鏈結構的含乙烯基的有機聚矽氧烷樹脂作為主劑，除此以外，與參考例1同樣地獲得矽氧積層基板以及覆銅積層基板，並進行評價。將結果示於表1。由於所述矽氧清漆與二氧化矽的分散較差，因此如表1所示，無法獲得表面均勻的矽氧積層基板。
[實施例1]
添加189g的合成例1中獲得的含乙烯基的樹脂(A1)、189g的合成例2中獲得的含矽氫基的樹脂(B1)、0.2g的作為反應抑制劑的乙炔醇系的乙炔基環己醇、0.1g的氯鉑酸的1重量%辛醇溶液、以及6g的以下述式所表示的黏著助劑，利用加溫到60℃的行星式混合機充分攪拌而獲得基質組成物。於此基質組成物中添加400g的作為溶劑的甲苯，進一步添加378g二氧化矽(商品名：Admafine E5/24C，平均粒子徑：約3μm，(股)Admatechs製)以及38g氧化鈦(商品名：PF-691，平均粒徑：約0.2μm， 石原產業製造)，製備出矽氧樹脂組成物的甲苯分散液。
在此甲苯分散液中浸漬玻璃布(日東紡製造，厚度為100μm)，借此使此甲苯分散液含浸到此玻璃布中。將此玻璃布在60℃下放置2小時，借此使甲苯蒸發。在使甲苯蒸發後的玻璃布的兩個面上，在室溫下形成了固體皮膜。利用熱壓機在150℃下對此玻璃布進行10分鐘加壓成型而獲得成型品，進一步使其在150℃下進行1小時的二次固化而獲得矽氧積層基板。
與參考例1同樣地進行外觀的確認、機械特性的測定、表面黏性的確認、線膨脹係數的測定以及紅外回流焊試驗。
6.光反射率
對所獲得的矽氧積層基板在整個可見光區域中測定光反射率。而且，利用所述紅外回流焊裝置對所獲得的矽氧積層基板進行260℃、60秒鐘的紅外回流焊處理之後，在整個可見光區域中測定光反射率。進一步，對所獲得的矽氧積層基板在120℃下照射波長為365nm、強度為30 mW/cm2 的紫外線24小時後，在整個可見光區域中測定光反射率。另外，光反射率是使用光反射率測定機X-rite 8200(積分球分光光度儀，X-rite公司(US)製造)來測定的。
將所述各測定的測定結果示於表2。
7.點燈試驗
製作圖1所示的LED裝置並進行點燈試驗。圖1中，電極圖案3是通過對如上所述那樣製作的覆銅積層基板進行蝕刻而製作的。使用KJR-632DA-1(信越化學(股)製造)作為晶片焊接劑4來對藍色LED晶片5(波長為450nm)進行晶片焊接。接合線6使用金線。透明密封體7是通過利用矽氧樹脂塗劑(商品名：KJR-9022，信越化學(股)製造)對電極圖案3的一部分、LED晶片5以及接合線6進行澆塗(casting coat)而製作的(固化條件：150℃，4小時)。點燈試驗是通過用150mA的施加電流對如上所述而獲得的LED裝置連續點燈並觀察矽氧積層基板有無變色來進行。將結果示於表3。
[實施例2]
在實施例1中，分別使用合成例3中獲得的含乙烯基的樹脂(A2)以及合成例4中獲得的含矽氫基的樹脂(B2)來代替合成例1中獲得的含乙烯基的樹脂(A1)以及合成例2中獲得的含矽氫基的樹脂(B1)，除此以外與實施例1同樣地獲得矽氧積層基板以及覆銅積層基板，並進行評價。將結果示於表2以及表3。另外，在使甲苯蒸發後的玻璃布的兩個面上，在室溫下形成了固體皮膜。
[比較例2]
使用兩個面上具有銅箔的市售的白色玻璃環氧基板來代替實施例1中製作的覆銅積層基板，除此以外與實施例1同樣地製作LED，並進行點燈試驗。將結果示於表3。
1‧‧‧LED裝置
2‧‧‧LED用矽氧積層基板
3‧‧‧電極圖案
4‧‧‧晶片焊接劑
5‧‧‧LED晶片
6‧‧‧接合線
7‧‧‧透明密封體
圖1是表示本發明的LED裝置的一例的截面圖。
1‧‧‧LED裝置
2‧‧‧LED用矽氧積層基板
3‧‧‧電極圖案
4‧‧‧晶片焊接劑
5‧‧‧LED晶片
6‧‧‧接合線
7‧‧‧透明密封體

Claims (10)

  1. 一種矽氧積層基板，其是具有玻璃布、以及填充在此玻璃布中且被覆此玻璃布表面的矽氧樹脂組成物的固化物而成，此矽氧積層基板的特徵在於：所述矽氧樹脂組成物包括如下成分：(A)樹脂結構的有機聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元，其中，R1 、R2 以及R3 獨立表示羥基、甲基、乙基、丙基、環己基或苯基，R4 獨立表示乙烯基或者烯丙基，a為0、1或者2，b為1或者2，且a+b為2或者3，且包含所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構；(B)樹脂結構的有機氫化聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元，其中，R1 、R2 以及R3 獨立地如上所述，c為0、1或者2，d為1或者2，且c+d為2或者3，且包含所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構：(B)成分中的矽原子上鍵合的氫原子相對於(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量以莫耳比計為0.1~4.0的量；(C)鉑族金屬類催化劑：有效量；以及(D)填充劑：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為10重量份至600重量份； 所述填充劑包含如下成分：(D1)二氧化矽：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為10重量份至600重量份；(D2)二氧化鈦：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份至300重量份；所述矽氧樹脂組成物在室溫下為固體狀。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧積層基板，其中所述(A)成分以及(B)成分中的一方或者兩方含有矽醇基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧積層基板，其特中與此矽氧積層基板垂直的方向上的線膨脹係數在-100℃~200℃的範圍內為50ppm/℃以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧積層基板，其中與此矽氧積層基板平行的方向上的線膨脹係數在-100℃~200℃的範圍內為10ppm/℃以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧積層基板，其中光反射率在整個可見光區域中為80%以上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧積層基板，其中溫度為260℃、時間為60秒鐘的紅外回流焊處理後的光反射率在整個可見光區域中為80%以上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧積層基板，其中在120℃下照射波長為365nm、強度為30mW/cm2 的紫外線24小時後的光反射率在整個可見光區域中為80%以上。
  8. 一種矽氧積層基板的製法，其特徵在於包括如下步 驟：使根據申請專利範圍第1項所述的含有(A)成分~(D)成分的矽氧樹脂組成物在溶解、分散於溶劑中的狀態下含浸在玻璃布中，其中所述矽氧樹脂組成物在室溫下為固體狀；接著，使所述溶劑從此玻璃布中蒸發而加以去除；然後，在加壓成型下使含浸在此玻璃布中的所述矽氧樹脂組成物加熱固化。
  9. 一種矽氧積層基板製造用矽氧樹脂組成物，其特徵在於包含：(A)樹脂結構的有機聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元，其中，R1 、R2 以及R3 獨立表示羥基、甲基、乙基、丙基、環己基或者苯基，R4 獨立表示乙烯基或者烯丙基，a為0、1或者2，b為1或者2，且a+b為2或者3，且包含所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構；(B)樹脂結構的有機氫化聚矽氧烷，其包含R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元以及R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元，其中，R1 、R2 以及R3 獨立地如上所述，c為0、1或者2，d為1或者2，且c+d為2或者3，且包含所述R2 2 SiO單元的至少一部分連續重複而成、且其重複數為5個~50個的結構：(B)成分中的矽原子上鍵合的氫原子相對於(A)成分中的乙烯基與烯丙基的總量 以莫耳比計為0.1~4.0的量；(C)鉑族金屬類催化劑：有效量；以及(D)填充劑：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為10重量份至600重量份；所述填充劑包含如下成分：(D1)二氧化矽：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為10重量份至600重量份；(D2)二氧化鈦：相對於(A)成分與(B)成分的總量100重量份為1重量份至300重量份。
  10. 一種LED裝置，其特徵在於包括：根據申請專利範圍1所述的矽氧積層基板、以及封裝在此基板上的LED晶片。
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