KR20190099163A - 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판 - Google Patents

디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20190099163A
KR20190099163A KR1020190095605A KR20190095605A KR20190099163A KR 20190099163 A KR20190099163 A KR 20190099163A KR 1020190095605 A KR1020190095605 A KR 1020190095605A KR 20190095605 A KR20190095605 A KR 20190095605A KR 20190099163 A KR20190099163 A KR 20190099163A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
organic
mixed solution
mold
Prior art date
Application number
KR1020190095605A
Other languages
English (en)
Inventor
김정섭
김용대
문성현
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020190095605A priority Critical patent/KR20190099163A/ko
Priority to US17/630,288 priority patent/US20220277983A1/en
Priority to EP19940187.8A priority patent/EP4012497A4/en
Priority to PCT/KR2019/009861 priority patent/WO2021025201A1/ko
Publication of KR20190099163A publication Critical patent/KR20190099163A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H01L21/02288—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating printing, e.g. ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76817—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics using printing or stamping techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 명세서에서는 높은 신뢰성을 가지고 반도체 발광 소자를 전사하는 전사 기판 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법을 개시한다. 구체적으로, 상기 전사 기판은 돌기부를 구비한 유기물 스탬프층을 포함하되, 상기 유기물 스탬프층은 다수의 무기물 필러를 함유하고, 상기 무기물 필러의 농도는 상기 돌기부에서 멀어질수록 증가하도록 형성한다. 따라서 상기 유기물 스탬프층의 상기 돌기부는 무기물 필러의 농도가 낮아 반도체 발광 소자를 전사하기에 충분한 접착력을 유지하고, 상기 유기물 스탬프층 자체의 강성은 단일 유기물을 이용한 스탬프층에 비해 월등히 강하게 형성한다. 이를 통해, 전사 과정에서 발생하게 되는 스탬프층의 변형에 따른, 반도체 발광 소자의 배열 오차를 최소화시켜 전사의 정밀도를 향상시킬 수 있다.

Description

디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판 {METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE AND TRANSFER SUBSTRATE FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 디스플레이 장치 관련 기술 분야에 적용 가능하며, 예를 들어 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조에 사용되는 전사 기판에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술 분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)와 OLED(Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 있고, OLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 문제점이 있다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 것으로 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 전술한 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. 상기 반도체 발광 소자는 필라멘트 기반의 발광 소자에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소모, 우수한 초기 구동 특성, 및 높은 진동 저항 등의 다양한 장점을 갖는다.
하지만 반도체 발광 소자를 이용하여 대면적 고화소 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 매우 많은 수의 반도체 발광 소자들이 상기 디스플레이 장치의 배선 기판에 정확히 조립 또는 전사되어야 한다.
이에, 본 발명에서는 최소한의 배열 오차를 가지고 반도체 발광 소자가 배선 기판으로 전사되는 디스플레이 장치의 제조 방법 및 상기 디스플레이 장치 제조에 사용되는 전사 기판을 제시한다.
본 발명의 일 실시예의 목적은, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조에 있어서, 높은 신뢰성을 가지는 새로운 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예의 다른 목적은, 대면적 디스플레이 장치를 제조하기 위해 반도체 발광 소자를 전사함에 있어서, 전사 과정 중 배열 오차를 최소화할 수 있는 전사 기판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
나아가, 본 발명의 일 실시예의 또 다른 목적은, 여기에서 언급하지 않은 다양한 문제점들도 해결하고자 한다. 당업자는 명세서 및 도면의 전 취지를 통해 이해할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법은, 돌기부를 포함하는 스탬프층에 대응하는 음각 형상의 몰드를 준비하는 단계; 상기 몰드에 경화제, 유기 용액 및 다수의 무기물 필러를 혼합한 혼합 용액을 주입하는 단계; 상기 혼합 용액이 주입된 상기 몰드의 상측면을 베이스 기판과 접촉하여 고정하는 단계; 상기 몰드 및 상기 베이스 기판을 뒤집어서 상기 혼합 용액의 상기 무기물 필러가 상기 베이스 기판 방향으로 중력에 의해 침전되는 단계; 상기 혼합 용액을 경화하는 단계; 및 상기 몰드를 제거하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 몰드를 준비하는 단계는 몰드용 기판의 평탄면에 상기 스탬프층에 대응하는 제 1음각부를 형성하는 단계; 상기 제 1음각부 상에 상기 돌기부에 대응하는 제 2음각부를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 제 2임시 기판으로 전사하는 단계는, 상기 반도체 발광 소자의 상기 제 2도전형 반도체층이 상기 제 2임시 기판의 상기 보호층과 접촉하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 혼합 용액을 경화하는 단계는 상기 몰드 내 상기 혼합 용액에서, 상기 다수의 무기물 필러가 위치에 따라 농도가 달라지도록, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는 상기 몰드 내 상기 혼합 용액에서, 상기 돌기부에서 상기 베이스 기판 방향으로 위치가 이동할수록 상기 무기물 필러의 농도가 증가하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 혼합 용액을 경화하는 단계는 70도 내지 120도 사이의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는 상기 몰드에 주입된 상기 혼합 용액에 대해, 온도의 변화 또는 UV(Ultra Violet) 조사를 통하여, 상기 혼합 용액 내 상기 유기 용액의 점도(Viscosity)를 제어하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 혼합 용액을 주입하는 단계는 상기 유기 용액에 상기 다수의 무기물 필러를 혼합하여 분산하는 단계 및, 상기 다수의 무기물 필러가 분산된 상기 유기 용액에 상기 경화제를 첨가하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판은 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 위치하는, 돌기부를 구비하는 유기물 스탬프층을 포함하고, 상기 유기물 스탬프층은 무기물 필러가 상기 유기물 스탬프층 내부에서 분산되어, 위치에 따른 상기 무기물 필러의 농도 구배를 가지며, 상기 무기물 필러의 농도 구배는, 상기 유기물 스탬프층의 상기 돌기부에서 상기 베이스층 방향으로 갈수록 점차적으로 증가하는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 유기물 스탬프층은 상기 무기물 필러의 농도 구배를 가지는 제 1영역 및 상기 무기물 필러가 존재하지 않는 제 2영역을 포함하고, 상기 제 2영역은 상기 제 1영역의 외측에 위치하고, 상기 돌기부의 단부를 포함한다.
실시예로서, 상기 베이스층의 제 1강성(stiffness)은 상기 유기물 스탬프층의 제 1영역의 제 2강성보다 크고, 상기 제 2강성은 상기 유기물 스탬프층의 제 2영역의 제 3강성보다 큰 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 돌기부의 높이는 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 두께에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 돌기부의 높이는 상기 반도체 발광 소자의 두께보다 큰 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 돌기부의 너비는 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 너비보다 넓은 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 베이스층은 PET(Polyethylene terephthalate), PCE(Polycarboxylate Ether) 및 유리 중 적어도 하나 이상을 포함한다.
실시예로서, 상기 무기물 필러의 주성분은 수십nm 내지 수 μm 이내의 SiO2인 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 유기물 스탬프층의 주성분은 PDMS(polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 반도체 발광 소자는 마이크로미터 단위의 크기를 가진 LED(Micro-LED)인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조에 있어서, 높은 신뢰성을 가지는 새로운 제조 방법을 제공할 수 있다.
구체적으로, 반도체 발광 소자를 전사하기 위한 전사 기판으로, 돌기부를 포함한 유기물 스탬프층을 사용하되, 상기 유기물 스탬프층은 다수의 무기물 필러를 함유하고, 상기 무기물 필러의 농도는 상기 돌기부에서 멀어질수록 증가하도록 형성한다. 따라서 상기 유기물 스탬프층의 상기 돌기부는 무기물 필러의 농도가 낮아 반도체 발광 소자를 전사하기에 충분한 접착력을 유지하고, 상기 유기물 스탬프층 자체의 강성은 단일 유기물을 이용한 스탬프층에 비해 월등히 강하게 형성한다.
이를 통해, 전사 과정에서 발생하게 되는 스탬프층의 변형에 따른, 반도체 발광 소자의 배열 오차를 최소화시켜 전사의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
나아가, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 여기에서 언급하지 않은 추가적인 기술적 효과들도 있다. 당업자는 명세서 및 도면의 전 취지를 통해 이해할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도 이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 절단된 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러 가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 전사 기판을 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 발광하는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8은 종래의 전사 기판으로 전사하였을 때 발생할 수 있는 반도체 발광 소자의 배열 오차에 대해 도시한 도면이다.
도 9는 일반적인 유기물 재료에서, 영률과 접착력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 발명에 따른 전사 기판의 단면도이다.
도 11은 도 10의 전사 기판의 E 영역을 광학 현미경으로 확대한 이미지이다.
도 12는 본 발명의 전사 기판을 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 13은 도 12의 순서도에 따른 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사 기판을 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 15는 도 14의 순서도에 따라 제작된 전사 기판의 단면도이다.
도 16은 무기물 필러의 함유량에 따른 표면 경도를 나타내는 그래프이다.
도 17은 무기물 필러의 함유량에 따른 강성을 관찰하기 위한 시뮬레이션 모형이다.
도 18은 도 17의 모형에 따라 측정된, 무기물 필러의 함유량에 따른 강성에 대한 시뮬레이션 결과들이다.
도 19는 무기물 필러의 함유량에 따른 배열 오차를 관찰하기 위한 시뮬레이션 모형이다.
도 20은 도 19의 모형에 따라 측정된, 무기물 필러의 함유량에 따른 배열 오차에 관한 시뮬레이션 결과이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
나아가, 설명의 편의를 위해 각각의 도면에 대해 설명하고 있으나, 당업자가 적어도 2개 이상의 도면을 결합하여 다른 실시예를 구현하는 것도 본 발명의 권리범위에 속한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치는 단위 화소 또는 단위 화소의 집합으로 정보를 표시하는 모든 디스플레이 장치를 포함하는 개념이다. 따라서 완성품에 한정하지 않고 부품에도 적용될 수 있다. 예를 들어 디지털 TV의 일 부품에 해당하는 패널도 독자적으로 본 명세서 상의 디스플레이 장치에 해당한다. 완성품으로는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크 탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다.
그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품 형태라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술 분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
또한, 당해 명세서에서 언급된 반도체 발광 소자는 LED, 마이크로 LED 등을 포함하는 개념이며, 혼용되어 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일실시예를 나타내는 개념도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(100)의 제어부(미도시)에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는, 예를 들어 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 또는 구부러질 수 있는, 또는 비틀어질 수 있는, 또는 접힐 수 있는, 또는 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다.
나아가, 플렉서블 디스플레이는, 예를 들어 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 또는 구부리거나, 또는 접을 수 있거나 또는 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률 반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는, 예를 들어 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여, 이하 도면들을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도 이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 절단된 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러 가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
도 1에 도시된 디스플레이 장치(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 적어도 하나의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
도 2 또는 도 3a에 도시된 바와 같이, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기 절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법이 적용될 수도 있다. 전술한 다른 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이 차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스 부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스 부재의 바닥 부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스 부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직 방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스 부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합 형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 파티클 혹은 나노 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도3a를 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chiptype)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 도3에 도시된, 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p 형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도 값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다.
도3에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자 상에 청색광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주재료로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자(150a)는 황색 형광체층이 개별 소자 마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(150b) 상에 적색 형광체층(184), 녹색 형광체층(185), 및 청색 형광체층(186)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전 영역에 사용 가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용 가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자는 전도성 접착층 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다.
이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 예를 들어, 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20 X 80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다.
도 6은 본 발명의 전사 기판을 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
반도체 발광 소자를 이용한 대화면 고화소 디스플레이 장치의 경우, 성장 기판에서 형성된 상기 반도체 발광 소자는 새로운 기판으로 조립되거나 전사되어야 한다. 상기 성장 기판은 예를 들어, 8인치 웨이퍼일 수 있으며, 이에 따라서 복수 번의 전사가 반복될 수 있다.
도 6(a)는, 성장 기판(111)에서 형성된 반도체 발광 소자(150) 및 베이스층(211) 및 유기물 스탬프층(212)을 포함한 전사 기판(210)이 위 아래로 얼라인(Align) 되어 있는 단면도를 도시한다.
성장 기판(111)상에 형성된 반도체 발광 소자(150)는 제 1도전형 반도체층, 제 2도전형 반도체층, 활성층 및 각 도전형 반도체층에 증착되는 도전형 전극을 포함할 수 있다. 상기 반도체 발광 소자(150)는 상기 도전형 전극이, 서로 마주보도록 형성되는 수직형 반도체 발광 소자 또는 상기 도전형 전극이 동일 방향에 형성되는 수평형 반도체 발광 소자일 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자의 경우, 성장 기판에서 일방향의 도전형 전극을 형성하고, 전사 이후 다른 방향의 도전형 전극을 형성하도록 공정할 수 있다. 반면 수평형 반도체 발광 소자의 경우, 성장 기판에서 각 도전형 전극 모두를 형성할 수 있다.
또한, 수평형 반도체 발광 소자의 경우, 최종 배선 기판에 전사되는 경우, 플립 칩 구조로 전사될 수 있다.
또한, 상기 성장 기판(111)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 성장 기판(111)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 성장 기판(111)은 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
또한, 상기 전사 기판(210)의 유기물 스탬프층(212)은 상기 반도체 발광 소자(150)을 전사하기에 충분한 접착력을 지닌다.
상기 유기물 스탬프층(212)은 성장 기판(111)의 반도체 발광 소자가 배치되는 간격에 대응하도록 일정한 간격을 지닌 돌기부를 구비한다. 또한 상기 돌기부와 상기 반도체 발광 소자의 정확한 전사를 위해 얼라인먼트(Alignment) 과정이 수행될 수 있다.
상기 얼라인먼트 과정은, 예를 들어 상기 성장 기판(111) 또는 상기 전사 기판(210) 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 수평 이동시킨 후, 상기 다른 하나에 대해 수직 이동 시킴으로써 수행된다. 이후, 카메라 센서 등에 의해 성장 기판(111)의 반도체 발광 소자(150)와 상기 반도체 발광 소자(150)에 대응하는 전사 기판(210)의 돌기부의 위치가 중첩되는지 검사하고, 중첩된다면 상기 돌기부에 맞게 상기 반도체 발광 소자(150)을 전사한다.
도 6(b)에 도시된 바에 따르면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 상기 전사 기판(210)의 유기물 스탬프층(212) 내 돌기부에 안정적으로 전사된다.
상기 유기물 스탬프층(212)은 PDMS(polydimethylsiloxane)와 같은 유연한 필름 소재일 수 있으며, 상기 전사 기판(210)의 베이스층(211)은 PET(Polyethylene terephthalate), PCE(Polycarboxylate Ether) 및 유리 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 따라서 상기 베이스층(211)은 전사 과정에서 상기 유기물 스탬프층(212)을 안정적으로 지지할 수 있다.
또한, 성장 기판(111)에서 전사 기판(210)으로 반도체 발광 소자(150)를 전사하는 과정에서, 상기 반도체 발광 소자(150)를 선택적으로 분리하기 위해 레이저 리프트 오프(laser lift off; LLO) 공정이 수행될 수 있다. 즉, 분리하고자 하는 반도체 발광 소자(150)가 위치하는 성장 기판(111)의 특정 영역에 레이저를 조사하면, 상기 특정 영역의 계면이 변화하여, 성장 기판(111)으로부터 반도체 발광 소자(150)를 선택적으로 분리할 수 있다.
또한, 도 6(c)는, 반도체 발광 소자(150)가 전사 기판(210)의 유기물 스탬프층(212)로부터 배선 기판(110)으로 전사된 이후의 단면도이다.
전술하였듯이, 상기 전사 기판(210)의 베이스층(211)은 전사 도중 기판 대 기판의 압착 과정에서, 상기 전사 기판(210)의 유기물 스탬프층(212)를 안정적으로 지지하는 역할을 한다.
한편, 상기 배선 기판(110)은 반도체 발광 소자(150)와 상기 배선 기판(110)을 전기적으로 연결하기 위한 전극부가 기 형성될 수 있다. 또한 상기 배선 기판(110)에는 상기 반도체 발광 소자(150)를 상기 배선 기판(110)에 안정적으로 고정하기 위한 접착층이 기 형성될 수 있다. 또한, 상기 접착층은 예를 들어, 이방 전도성 접착층으로 상기 반도체 발광 소자(150)의 전사와 동시에 배선 공정이 수행될 수 있다.
한편, 도 6에 도시된 전사 기판(210)을 이용한 디스플레이 장치의 제조에 있어서, 전사 과정은 크게 2번 예시하였으나, 본 발명은 상기 전사 횟수에 한정되지 않는다. 예를 들어, 수직형 반도체 발광 소자를 위한 도전형 전극 형성 또는 반도체 발광 소자의 광 추출 구조 형성 등을 위해 추가적인 전사 공정이 수행될 수 있다. 또한 도 6에서는 성장 기판에서 전사 기판으로 반도체 발광 소자가 전사되는 과정을 표시하였으나, 상기 성장 기판의 반도체 발광 소자는 개별적으로 분리되어 유체 내에서 자가조립 방법에 의해 조립 기판에 조립될 수 있다. 이 경우, 상기 조립 기판에 조립된 반도체 발광 소자가 이후 공정에서, 유기물 스탬프층을 구비한 전사 기판에 전사될 수 있다.
도 7은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 발광하는 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6이 단일 색상의 반도체 발광 소자를 배선 기판에 전사하는 과정을 간단히 나타내었다면, 도 7은 RGB각각의 서브 픽셀을 전사하여 하나의 단위 픽셀을 지닌 디스플레이 장치를 제조하는 과정을 구체적으로 나타낸다.
또한 도 7의 경우, 성장 기판에서 형성된 반도체 발광 소자가 자가조립 방법에 의해 조립 기판에 조립되는 단계를 더 수행한다. 도 7에 도시된 TEMPLATE는 조립 기판을 의미한다.
도 7에 따른 제조 방법에 따르면, RED 칩, GREEN 칩, BLUE 칩을 포함하는 디스플레이 장치를 제조하기 위해 세 종류의 조립 기판 및 세 종류의 전사 기판을 필요로 한다.
구체적으로, 상기 조립 기판은 RED 반도체 발광 소자를 조립하는 RED 조립 기판, GREEN 반도체 발광 소자를 조립하는 GREEN 조립 기판, 및 BLUE 반도체 발광 소자를 조립하는 BLUE 조립 기판을 포함할 수 있다.
상기 각각의 조립 기판에 조립된 반도체 발광 소자들은 서로 다른 전사 기판에 의해 배선 기판으로 전사될 수 있다.
예를 들어, 상기 조립 기판에 조립된 반도체 발광 소자들이 배선 기판으로 전사하는 과정은, 상기 RED 조립 기판에 RED 전사 기판(스탬프(R))을 압착시켜, 상기 RED반도체 발광 소자를 상기 RED 조립 기판에서 RED 전사 기판(스탬프(R))으로 전사시키는 단계, 상기 GREEN 조립 기판에 GREEN 전사 기판(스탬프(G))을 압착시켜, 상기 GREEN 반도체 발광 소자를 상기 GREEN 조립 기판에서 GREEN 전사 기판(스탬프(G))으로 전사시키는 단계, 상기 BLUE 조립 기판에 BLUE 전사 기판(스탬프(B))을 압착시켜, 상기 BLUE 반도체 발광 소자를 상기 BLUE 조립 기판에서 BLUE 전사 기판(스탬프(B))으로 전사시키는 단계를 포함할 수 있다.
이후, 상기 각각의 전사 기판들을 배선 기판에 압착시켜, 상기 RED 반도체 발광 소자, GREEN 반도체 발광 소자 및 BLUE 반도체 발광 소자가 상기 배선 기판으로 전사되는 과정이 진행된다.
이와 달리, 세 종류의 조립 기판 및 하나의 동일한 전사 기판을 사용하여 배선 기판에 RED, GREEN, BLUE 각각에 해당하는 반도체 발광 소자를 전사할 수도 있다.
예를 들어, 세 종류의 조립 기판에 조립된 반도체 발광 소자들을 배선 기판으로 전사하는 단계는, 각 조립 기판에 조립된 반도체 발광 소자들을 하나의 전사 기판(RGB 통합 스탬프)으로 전사하고, 이후 상기 전사 기판을 배선 기판과 압착하여 상기 세 종류의 반도체 발광 소자가 모두 배선 기판으로 전사될 수 있도록 수행할 수 있다.
또한, 한 종류의 조립 기판 및 전사 기판을 사용하여 배선 기판에 RED, GREEN, BLUE 각각에 해당하는 반도체 발광 소자를 전사할 수도 있다. 이 경우는 자가 조립 시, 하나의 조립 기판에 RED, GREEN, BLUE 각각에 해당하는 반도체 발광 소자가 모두 조립되고, 이후 일괄적으로 전사 기판 및 배선 기판에 전사되는 과정이 수행된다.
이와 같이, 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 무수히 많은 RED, GREEN, BLUE 반도체 발광 소자들이 복수 번의 전사 과정을 수행하게 된다.
상기 전사 과정은 각 반도체 발광 소자에 대해 개별적으로 진행되지 않고, 일정 수량의 반도체 발광 소자들에 대해 전사 기판을 통해 일괄적으로 수행된다. 따라서 상기 전사 기판은 복수 개의 반도체 발광 소자를 전사하기 위한 접촉부를 지니고, 예를 들어 복수 개의 돌기부를 구비하게 된다.
또한 상기 돌기부는 상기 반도체 발광 소자와 접촉하여, 상기 반도체 발광 소자가 전사 기판으로 전사되도록 일정 수준 이상의 접착력을 구비해야 한다.
도 8은 종래의 전사 기판으로 전사하였을 때 발생할 수 있는 반도체 발광 소자의 배열 오차에 대해 도시한 도면이다.
종래 전사 기판의 경우, PDMS와 같은 유기물 소재를 이용하여 제작되며, 개별 반도체 발광 소자를 전사하기 위한 복수 개의 돌기부를 구비한다.
도 8은, 성장 기판(111)에서 형성된 반도체 발광 소자(150)이 전사 기판(310)으로 전사되는 단면도이나, 전술하였듯이, 상기 반도체 발광 소자(150)은 조립 기판에서 상기 전사 기판(310)으로 전사될 수도 있다.
상기 전사 기판은 돌기부를 포함하는 유기물 스탬프층(312) 및 베이스층(311)을 구비한다. 다만 후술할 본 발명과의 차이점은 예를 들어, 상기 유기물 스탬프층(312)은 단일 유기물로 구성되어 있거나, 혼합물로 구성되더라도 상기 유기물 스탬프층 내 위치에 따른 강성의 차이가 없다.
따라서 도 8에 도시된 바와 같이, 성장 기판(111)과 상기 전사 기판(310)을 압착하는 경우, 상기 유기물 스탬프층(312)은 그 형상이 변화할 수 있다. 통상적으로 압착 과정은 열과 압력이 수반되는 바, 상기 전사 과정이 반복될수록 상기 유기물 스탬프층(312)의 변화 정도는 심해질 수 있다.
예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, D에 해당하는 배열 오차가 발생할 수 있다. 상기 D는 유기물 스탬프층(312)의 돌기부가 일정한 기울기로 휘어지며 발생하게 되며, 이에 따라 반도체 발광 소자는 D에 해당하는 배열 오차를 가지고 전사될 수 있다.
디스플레이 장치에 사용되는 반도체 발광 소자의 크기를 수십 ㎛ 크기로 가정하였을 때, 상기 배열 오차가 수백 nm 수준이라면 불량 관점에서 큰 문제가 되지 않으나, 상기 배열 오차가 수 ㎛ 수준이라면 상기 배열 오차는 전사 이후의 후속 공정에서 불량을 유발한다.
예를 들어, 배선 기판에 전사되는 반도체 발광 소자의 가로 길이(기판과 평행하는 방향의 반도체 발광 소자의 길이)가 50㎛ 수준일 때, 상기 배열 오차는 ±3㎛ 수준까지 관리되어야 하며, 이는 패널 공정 수율에 있어서 가장 중요한 핵심 요소이다.
따라서, 전사 과정에서 유기물 스탬프층의 변형을 최소화하면서도 반도체 발광 소자를 잘 전사시킬 수 있는 전사 기판이 요구된다.
도 9는 일반적인 유기물 재료에서, 영률과 접착력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 일반적으로 영률은 접착력과 반비례한다.
상기 영률은 일정 압력 하에서 고체 재료의 강성(Stiffness)을 측정하는 역학적 특성이다. 구체적으로 상기 영률은 단축 변형 영역에서 선형 탄성 재료의 응력(Stress)과 변형률(Strain rate) 사이의 관계를 정의하는 탄성계수이며, 예를 들어, 영률을 E라고 할 때, F(응력) = E(영률) × S(변형률)로 표현할 수 있다.
따라서, 영률이 큰 재료의 경우 동일 압력 하에 변형률이 작다.
한편, 도 9에 표기된 Tacky force는 접착력을 의미하는 것으로 유기물 소재의 경우 경화도에 따라, 표면의 끈적끈적한 특성이 차이를 보인다.
도 9의 그래프를 살펴보면, 유기물 소재의 경우, 경화시간이 경과함에 따라, 영률은 증가하고, Tacky force는 감소하는 방향으로 변화한다. 즉, 유기물 소재가 경화됨에 따라 동일 압력하에 변형되는 정도는 줄어드는 반면, 접착력은 감소하게 된다.
따라서 상기 결과를 바탕으로 한 유기물 소재를 이용하여, 전사 기판의 유기물 스탬프층을 구성할 때, 반도체 발광 소자와 접촉하여 상기 반도체 발광 소자를 전사하기에 충분한 접착력을 지닌 스탬프층일수록 동일 압력에 따른 변형률은 증가할 수 있다. 즉, 접착력이 뛰어난 스탬프층은 전사과정에서 변형이 일어나기 쉬우며, 이에 따른 배열 오차가 발생할 수 있다.
반면, 변형률이 낮은 스탬프층의 경우, 전사하기에 충분한 접착력을 보장할 수 없어, 반도체 발광 소자의 전사 성공률이 감소할 수 있다.
도 10은 본 발명에 따른 전사 기판의 단면도이다.
도 10의 전사 기판(210)은 전사 과정에서 유기물 스탬프층(212)의 변형을 최소화하면서도 반도체 발광 소자를 잘 전사할 수 있는 접착력을 지닌 전사 기판이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 전사 기판(210)은 베이스층(211) 및 상기 베이스층(211) 상에 위치하는, 돌기부를 구비하는 유기물 스탬프층(212)을 포함한다.
또한 상기 유기물 스탬프층(212)은 다수의 무기물 필러(213)를 함유하며, 상기 스탬프층(212) 내 위치에 따라 상기 무기물 필러(213)의 농도가 다르게 형성된다.
구체적으로, 상기 무기물 필러(213)의 농도 구배는 상기 유기물 스탬프층(212)의 상기 돌기부에서 상기 베이스층(211) 방향으로 갈수록 점차적으로 증가하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유기물 스탬프층(212)의 돌기부의 높이는 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 두께에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 돌기부의 높이는 상기 반도체 발광 소자의 두께보다 크다. 상기 돌기부의 높이가 상기 반도체 발광 소자의 두께에 비해 너무 작으면, 상기 반도체 발광 소자가 상기 돌기부에 접착하여 안정적으로 전사하기 어렵기 때문이다. 또한 상기 반도체 발광 소자는 전술하였듯이, 수평형 반도체 발광 소자 또는 수직형 반도체 발광 소자일 수 있으며, 상기 반도체 발광 소자의 두께는 상기 반도체 발광 소자가 성장 기판에서 형성될 때 반도체층이 적층되는 두께에 비례한다.
또한, 상기 돌기부의 너비는 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 너비보다 넓도록 형성한다. 예를 들어, 수평형 반도체 발광 소자의 경우 약 50㎛ 이하의 너비를 가지는 바, 상기 돌기부의 너비는 50㎛ 이상으로 형성하여, 안정적으로 상기 반도체 발광 소자와 돌기부가 접촉할 수 있도록 한다.
또한 상기 베이스층(211)의 두께는 상기 유기물 스탬프층(212)의 두께보다 크게 형성할 수 있다. 예를 들어 베이스층(211)에 비해 유기물 스탬프층(212)의 강성이 작으면, 베이스층(211)의 두께가 유기물 스탬프층(212)의 두께보다 더 두꺼워야, 베이스층(211) 상부에서 가해지는 압력이 유기물 스탬프층(212)에 잘 전달되면서도 상기 유기물 스탬프층(212) 변형률이 작을 수 있다.
또한, 상기 베이스층(211)은 PET(Polyethylene terephthalate), PCE(Polycarboxylate Ether) 및 유리 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 상기 유기물 스탬프층(212)의 주성분은 PDMS(polydimethylsiloxane)일 수 있다. 추가적으로 상기 무기물 필러(213)의 주성분은 수십nm 내지 수 μm 이내의 SiO2일 수 있다. 다만, 상기 베이스층(211), 유기물 스탬프층(212) 및 무기물 필러(213)의 주재료는 예시적인 것이며, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 당업자가 인식할 수 있는 수준에서 다양한 재료들을 선택할 수 있다.
도 11은 도 10의 전사 기판의 E 영역을 광학 현미경으로 확대한 이미지이다.
도 11은 실제 제작한 유기물 스탬프층의 돌기부의 단면 이미지이며, 도 11에 도시된 바와 같이 상기 돌기부는 다수의 무기물 필러가 분산되어 있는 제 1영역(214)와 무기물 필러가 거의 존재하지 않는 제 2영역(215)으로 구성된다. 도 11에 추가적으로 나타난 사선 모양의 형상은 상기 유기물 스탬프층을 절단하며 생긴 아티팩트(Artifact)이다.
상기 무기물 필러의 농도 분포에 의해, 상기 무기물 필러가 다량 분포하는 제 1영역(214)의 강성(Stiffness)은 상기 제 2영역(215)의 강성보다 클 수 있다. 좀더 구체적으로, 전사 기판의 베이스층의 제 1강성은 상기 제 1영역(214)의 제 2강성보다 크고, 상기 제 2강성은 유기물 스탬프층의 제 2영역(215)의 제 3강성보다 클 수 있다.
도 12는 본 발명의 전사 기판을 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
먼저, 돌기부를 포함하는 스탬프층에 대응하는 음각 형상의 몰드를 준비한다(S1210). 상기 몰드의 주재료는 금속, Si, 유리 또는 사파이어 중 하나일 수 있다. 또한 상기 돌기부에 대응하는 음각부는 복수 개가 형성될 수 있다.
상기 몰드를 준비하는 단계(S1210)는 포토 공정 및 식각 공정을 포함한다. 예를 들어, 몰드용 기판의 평탄면에 상기 스탬프층에 대응하는 제 1음각부를 식각하고, 이후 상기 제 1음각부 상에 상기 돌기부에 대응하는 제 2음각부를 형성한다. 제 1음각부 상에 제 2음각부만 선택적으로 형성하기 위해 제 2음각부가 형성되는 영역을 제외한 나머지 영역은 포토레지스트에 의해 보호될 수 있다.
이후, 상기 몰드에 경화제, 유기 용액 및 다수의 무기물 필러를 혼합한 혼합 용액을 주입한다(S1220). 상기 혼합 용액을 주입하는 단계(S1220)는 상기 유기 용액에 상기 다수의 무기물 필러를 혼합하여 분산하는 단계 및, 상기 다수의 무기물 필러가 분산된 상기 유기 용액에 상기 경화제를 첨가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 무기물 필러를 혼합하여 분산하는 단계는 50도 이하의 저온에서 용제(Solvent)가 증발될 때까지 고르게 혼합하는 과정이 추가될 수 있다. 용제(Solvent)의 양이 너무 많으면 상기 무기물 필러의 침전 속도가 빠르므로 저온에서 휘발되는 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 후술하겠지만, 상기 무기물 필러의 침전 방향은 상기 음각부의 돌기부가 아닌 상기 몰드 상에 고정되는 베이스 기판을 향하는 것이 바람직하기 때문이다.
또한 상기 경화제를 첨가하는 단계는 경화제 첨가에 따라 발생된 기포를 제거하는 단계를 포함한다.
이후, 상기 혼합 용액이 주입된 상기 몰드의 상측면을 베이스 기판과 접촉하여 고정한다(S1230). 상기 몰드의 음각부에는 상기 혼합 용액이 주입되며, 상기 몰드의 최외곽 테두리가 상기 베이스 기판과 접촉하게 된다. 상기 베이스 기판을 고정하는 단계(S1230)를 통해 상기 혼합 용액은 상기 베이스 기판 및 상기 몰드의 밖으로 새어 나오지 않게 된다.
이어서, 상기 몰드 및 상기 베이스 기판을 뒤집어서 상기 혼합 용액의 상기 무기물 필러가 상기 베이스 기판 방향으로 중력에 의해 침전되도록 한다(S1240). 상기 몰드 내 형성된 음각부에 주입된 혼합 용액은 경화되어, 최종적으로 유기물 스탬프층으로 변화하게 된다. 따라서 상기 침전 단계(S1240)을 통해, 상기 유기물 스탬프층의 돌기부에는 상대적으로 무기물 필러의 농도가 작게 되며, 베이스 기판과 접촉하는 인근의 유기물 스탬프층은 무기물 필러의 농도가 상대적으로 크게 된다. 이에 따라 유기물 스탬프층은 무기물 필러에 의해 전반적으로 큰 강성을 가지면서도, 상기 돌기부에는 무기물 필러가 거의 존재하지 않아 강성은 약한 반면 우수한 접착력을 가질 수 있다.
이후, 상기 몰드 내 혼합 용액을 경화한다(S1250). 상기 혼합 용액을 경화하는 단계(S1250)는 상기 몰드 내 상기 혼합 용액에서, 상기 다수의 무기물 필러가 위치에 따라 농도가 달라지도록, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계를 포함한다.
구체적으로, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는 상기 몰드 내 상기 혼합 용액에서, 상기 돌기부로부터 상기 베이스 기판 방향으로 위치가 이동할수록 상기 무기물 필러의 농도가 증가하도록 제어하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 혼합 용액을 경화하는 단계는 70도 내지 120도 사이의 온도 범위에서 수행될 수 있다. 경우에 따라서 상기 온도는 상기 혼합 용액이 경화하기 시작하는 온도 이하에서 가열하여, 상기 유기 용액의 유동성을 증가시켜, 상기 혼합 용액 내 상기 무기물 필러의 침전 속도를 증가시킬 수 있다.
이처럼 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는 상기 무기물 필러의 침전 속도를 제어하는 단계를 포함한다. 구체적으로, 상기 몰드에 주입된 상기 혼합 용액에 대해, 온도의 변화 또는 UV(Ultra Violet) 조사를 통하여, 경화 과정에서, 상기 혼합 용액 내 상기 유기 용액의 점도(Viscosity)를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
마지막으로 상기 혼합 용액의 경화가 완료되면, 상기 몰드를 제거한다(S1260).
한편, 본 명세서의 전 취지에 비추어 보아, 당업자가 이해 가능한 수준에서, 도 12에 도시된 순서도의 일부 단계를 삭제, 변경하는 것도 본 발명의 다른 권리범위에 속한다.
도 13은 도 12의 순서도에 따른 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 유기용액, 경화제 및 무기물 필러가 혼합된 혼합 용액(230)을 음각부가 형성된 몰드(220)에 주입한다.
상기 몰드(220)의 음각부에 가득 채워진 혼합 용액(230)은 이후 상기 몰드의 상측면에 접촉하는 베이스 기판(211)에 의해 동봉된다.
상기 혼합 용액(230) 내 무기물 필러(213)가 베이스 기판(211) 방향을 향하도록 상기 몰드(220) 및 상기 베이스 기판(211)을 뒤집은 이후, 상기 혼합 용액(230)을 경화한다.
마지막으로 상기 몰드(230)를 제거하게 되면, 베이스 기판(211) 상에 형성된 돌기부를 포함하는 유기물 스탬프층(212)를 구비하는 전사 기판이 형성된다. 또한 상기 유기물 스탬프층(212) 내부에는 무기물 필러(213)가 분산되어 있으며, 상기 무기물 필러(213)의 농도는 상기 돌기부에서 베이스 기판(211)로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사 기판을 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
먼저 돌기부를 포함하는 스탬프층에 대응하는 음각 형상의 몰드를 준비한다(S1410). 상기 몰드의 주재료는 금속, Si, 유리 또는 사파이어 중 하나일 수 있다. 또한 상기 돌기부에 대응하는 음각부는 복수 개가 형성될 수 있다.
상기 몰드를 준비하는 단계(S1410)는 포토 공정 및 식각 공정을 포함한다. 예를 들어, 몰드용 기판의 평탄면에 상기 스탬프층에 대응하는 제 1음각부를 식각하고, 이후 상기 제 1음각부 상에 상기 돌기부에 대응하는 제 2음각부를 형성한다. 제 1음각부 상에 제 2음각부만 선택적으로 형성하기 위해 제 2음각부가 형성되는 영역을 제외한 나머지 영역은 포토레지스트에 의해 보호될 수 있다.
이후, 상기 몰드에 제 1경화제, 제 1유기 용액을 포함한 제 1혼합 용액을 도포한다(S1420). 상기 도포 과정은 스프레이 코팅이나 스핀 코팅 등을 통해, 상기 도포되는 상기 제 1혼합 용액의 두께를 조절할 수 있다.
이어서, 상기 제 1혼합 용액을 1차 경화시킨다(S1430). 따라서 상기 1차 경화된 제 1혼합 용액은 무기물 필러가 존재하지 않은 단순 유기물로 구성된다. 상기 유기물은 PDMS일 수 있다.
이후, 상기 1차 경화된 상기 제 1혼합 용액의 상부에 제 2경화제, 제 2유기 용액 및 무기물 필러를 포함한 제 2 혼합 용액을 주입한다(S1440). 상기 제 2혼합 용액을 주입하는 단계(S1440)은 상기 제 2유기 용액에 상기 다수의 무기물 필러를 혼합하여 분산하는 단계 및, 상기 다수의 무기물 필러가 분산된 상기 제 2유기 용액에 상기 제 2경화제를 첨가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 무기물 필러를 혼합하여 분산하는 단계는 50도 이하의 저온에서 용제(Solvent)가 증발될 때까지 고르게 혼합하는 과정이 추가될 수 있다. 용제(Solvent)의 양이 너무 많으면 상기 무기물 필러의 침전 속도가 빠르므로 저온에서 휘발되는 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 후술하겠지만, 상기 무기물 필러의 침전 방향은 상기 음각부의 돌기부가 아닌 상기 몰드 상에 고정되는 베이스 기판을 향하는 것이 바람직하기 때문이다.
또한 상기 제 2경화제를 첨가하는 단계는 제 2경화제 첨가에 따라 발생된 기포를 제거하는 단계를 포함한다.
이후, 상기 제 2혼합 용액이 주입된 상기 몰드의 상측면을 베이스 기판과 접촉하여 고정한다(S1450). 상기 몰드의 음각부에는 상기 제 1혼합 용액 및 제 2혼합 용액이 존재하며, 상기 몰드의 최외곽 테두리가 상기 베이스 기판과 접촉하게 된다. 상기 베이스 기판을 고정하는 단계(S1450)를 통해 상기 혼합 용액들은 상기 베이스 기판 및 상기 몰드의 밖으로 새어 나오지 않게 된다.
이어서, 상기 몰드 및 상기 베이스 기판을 뒤집어서 상기 제 2혼합 용액의 상기 무기물 필러가 상기 베이스 기판 방향으로 중력에 의해 침전되도록 한다(S1460). 상기 몰드 내 형성된 음각부에 주입된 혼합 용액들은 경화되어, 최종적으로 유기물 스탬프층으로 변화하게 된다. 따라서 상기 침전 단계(S1460)을 통해, 상기 유기물 스탬프층의 돌기부에는 무기물 필러가 존재하지 않은 영역 및, 상대적으로 무기물 필러의 농도가 작게 존재하는 영역이 형성되며, 베이스 기판과 접촉하는 인근의 유기물 스탬프층은 무기물 필러의 농도가 상대적으로 크게 된다. 이에 따라 유기물 스탬프층은 무기물 필러에 의해 전반적으로 큰 강성을 가지면서도, 상기 돌기부의 단부에는 상기 무기물 필러가 존재하지 않아 강성은 약한 반면 우수한 접착력을 가질 수 있다.
이후, 상기 몰드 내 제 1혼합 용액 및 제 2혼합 용액을 2차 경화한다(S1470). 상기 혼합 용액들을 2차 경화하는 단계(S1470)는 상기 몰드 내 상기 제 2혼합 용액에서, 상기 다수의 무기물 필러가 위치에 따라 농도가 달라지도록, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계를 포함한다.
구체적으로, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는 상기 몰드 내 상기 제 2혼합 용액에서, 상기 돌기부로부터 상기 베이스 기판 방향으로 위치가 이동할수록 상기 무기물 필러의 농도가 증가하도록 제어하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 제 2혼합 용액을 경화하는 단계는 70도 내지 120도 사이의 온도 범위에서 수행될 수 있다. 경우에 따라서 상기 온도는 상기 제 2혼합 용액이 경화하기 시작하는 온도 이하에서 가열하여, 상기 제 2유기 용액의 유동성을 증가시켜, 상기 제 2혼합 용액 내 상기 무기물 필러의 침전 속도를 증가시킬 수 있다.
이처럼 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는 상기 무기물 필러의 침전 속도를 제어하는 단계를 포함한다. 구체적으로, 상기 몰드에 주입된 상기 혼합 용액에 대해, 온도의 변화 또는 UV(Ultra Violet) 조사를 통하여, 경화 과정에서, 상기 혼합 용액 내 상기 유기 용액의 점도(Viscosity)를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
다만, 도 12에서 개시한 전사 기판의 제조 방법과 달리, 도 14의 제조 방법은 상기 유기물 스탬프층의 돌기부에 무기물 필러가 존재하지 않는 영역을 선택적으로 기 형성하는 바, 상기 무기물 필러의 농도를 제어하는 세부 단계는 도 12와 달리 생략되거나 일부 선택될 수 있다.
마지막으로 상기 혼합 용액의 경화가 완료되면, 상기 몰드를 제거한다(S1480).
도 15는 도 14의 순서도에 따라 제작된 전사 기판의 단면도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 상기 전사 기판(410)은 베이스층(411) 및 상기 베이스층(411) 상에 위치하는, 돌기부를 구비하는 유기물 스탬프층(412,413)을 포함한다.
또한 상기 유기물 스탬프층은 다수의 무기물 필러(414)를 함유하는 제 1유기물 스탬프층(412) 및 무기물 필러가 존재하지 않는 제 2유기물 스탬프층(413)을 포함한다
상기 제 1유기물 스탬프층(412) 내부의 상기 무기물 필러(414)의 농도 구배는 상기 유기물 스탬프층(412)의 상기 돌기부 방향에서 상기 베이스층(411) 방향으로 갈수록 점차적으로 증가할 수 있다. 또는, 상기 제 1유기물 스탬프층(412) 내부의 상기 무기물 필러(414)의 농도는 일정하게 형성될 수 있다. 다만, 상기 제 1유기물 스탬프층(412)과 상기 제 2유기물 스탬프층(413) 사이의 계면에서 상기 무기물 필러(414)의 농도 차이가 극심하면, 상기 계면은 박리될 수 있는 바, 적절한 수준의 무기물 필러(414)의 농도 조절이 중요하다.
또한, 상기 유기물 스탬프층의 돌기부의 높이는 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 두께에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 돌기부의 높이는 상기 반도체 발광 소자의 두께보다 크다. 상기 돌기부의 높이가 상기 반도체 발광 소자의 두께에 비해 너무 작으면, 상기 반도체 발광 소자가 상기 돌기부에 접착하여 안정적으로 전사하기 어렵기 때문이다. 또한 상기 반도체 발광 소자는 전술하였듯이, 수평형 반도체 발광 소자 또는 수직형 반도체 발광 소자일 수 있으며, 상기 반도체 발광 소자의 두께는 상기 반도체 발광 소자가 성장 기판에서 형성될 때 반도체층이 적층되는 두께에 비례한다.
또한, 상기 돌기부의 너비는 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 너비보다 넓도록 형성한다. 예를 들어, 수평형 반도체 발광 소자의 경우 약 50㎛ 이하의 너비를 가지는 바, 상기 돌기부의 너비는 50㎛ 이상으로 형성하여, 안정적으로 상기 반도체 발광 소자와 돌기부가 접촉할 수 있도록 한다.
또한, 상기 베이스층(411)은 PET(Polyethylene terephthalate), PCE(Polycarboxylate Ether) 및 유리 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 상기 유기물 스탬프층(412,413)의 주성분은 PDMS(polydimethylsiloxane)일 수 있다. 추가적으로 상기 무기물 필러(414)의 주성분은 수십nm 내지 수 μm 이내의 SiO2일 수 있다. 다만, 상기 베이스층(411), 유기물 스탬프층(412,413) 및 무기물 필러(414)의 주재료는 예시적인 것이며, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 당업자가 인식할 수 있는 수준에서 다양한 재료들을 선택할 수 있다.
도 16은 무기물 필러의 함유량에 따른 표면 경도를 나타내는 그래프이다.
도 16에 도시된 바와 같이, PDMS에 실리카 무기물 필러의 함유량을 증가시킬수록 표면 경도는 증가한다. 도 16의 경우, 입도 1~2 μm 수준의 SiO2 (Silica)를 분산시켜 제작한 PDMS 의 표면 경도를 측정한 것이다.
표면 경도가 증가하는 것은 인장 강도 또는 강성(stiffness)이 증가하는 것으로 판단할 수 있다. 따라서 전사 기판을 위한 유기물 스탬프층에 무기물 필러를 분산시킴으로써, 상기 유기물 스탬프층의 강성을 개선시킬 수 있다. 스탬프층의 강성이 개선되면, 반복적인 전사 공정에도 상기 스탬프층의 변형이 일어나기 어려운 바, 전사 시 발생할 수 있는 반도체 발광 소자의 배열 오차를 최소화할 수 있다.
도 17은 무기물 필러의 함유량에 따른 강성을 관찰하기 위한 시뮬레이션 모형이다.
전술하였듯이, 표면 경도와 강성은 일반적으로 비례하는 개념이나, 보다 정확하게, 무기물 필러의 함유량에 따라 강성이 변화하는 정도를 살피기 위해 시뮬레이션을 수행하였다.
도 17에 도시된 바와 같이, 상기 시뮬레이션은 돌기부를 가진 스탬프층(512)의 상부의 기판(511)에서 하부의 기판(513) 방향으로 일정한 압력을 가하고, 상기 돌기부가 변형되는 정도를 판단하여 강성을 계산할 수 있다.
상기 돌기부가 변형되는 정도는 일정한 압력 전후의 돌기부의 너비 길이인 X1의 변형 정도로 판단한다.
도 17의 시뮬레이션 모형에서, 돌기부의 높이는 5 μm 이고, 돌기부를 제외한 유기물 스탬프층(512)의 높이는 10 μm이다. 또한 상기 유기물 스탬프층(512)은 PDMS를 주재료로 하며, 상기 유기물 스탬프층(512)에 함유되는 무기물 필러는 직경 300nm의 실리카인 것으로 설정하였다.
도 18은 도 17의 모형에 따라 측정된, 무기물 필러의 함유량에 따른 강성에 대한 시뮬레이션 결과들이다.
도 18(a)는 실리카 나노입자의 함유량이 0 내지 20wt% 범위의 유기물 스탬프층에서, 압력에 따른 전단 변위(Shear displacement)를 나타내는 그래프이다. 상기 실리카 나노입자의 함유량은 5wt% 간격으로 조절되었다. 한편, 실리카 나노입자의 함유량이 10wt%인 그래프와 실리카 나노입자의 함유량이 15wt%의 그래프는 그 결과값이 유사하여, 도 18(a)에서는 중첩되어 표시되었다.
한편, 도 18(a)에 도시된 바와 같이 유기물 스탬프층에 함유되는 실리카의 중량 비율이 높아질수록 동일 힘(Force) 대비 전단 변위(Shear displacement) 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다. 상기 전단 변위 값은 도 17에서 X1의 변화량으로 볼 수 있다.
구체적으로 도 18(a)를 살피면, 유기물 스탬프층에100N의 압력을 가하는 경우, 실리카 나노입자가 함유되지 않은 유기물 스탬프층은 약 12 μm 의 변위가 발생하고, 실리카 나노입자가 20wt%로 함유된 유기물 스탬프층의 경우 약 6 μm의 변위가 발생한다. 즉, 실리카 나노입자의 함유량이 증가함에 따라, 동일 압력이 인가되었을 때, 변형되는 정도가 약 50%만큼 감소하였다.
이러한 변화는 도 18(b)에 도시된 강성 계수(Stiffness constant)에서도 확연히 드러난다. 강성 계수가 증가한다는 것은 동일 압력 하에 변형률이 작다는 것을 의미한다. 도 18(b)에 도시된 바와 같이, 실리카 나노입자가 함유되지 않은 유기물 스탬프층의 강성 계수가 8.96k라면, 실리카 나노입자가 20wt%로 함유된 유기물 스탬프층의 강성 계수는 15.3k이다. 즉, 실리카 나노입자의 함유량이 커질수록 강성 계수는 증가하며, 이에 따라 동일 압력 하에 변형률이 줄어든다는 것을 확인할 수 있다.
도 19는 무기물 필러의 함유량에 따른 배열 오차를 관찰하기 위한 시뮬레이션 모형이다.
실제 반도체 발광 소자의 전사과정에서 발생하는 배열 오차의 원인이, 상기 반도체 발광 소자와 접촉하는 유기물 스탬프층의 변형에 기인한다는 것은 전술하였다. 다만, 상기 유기물 스탬프층의 변형은 돌기부를 기준으로, 돌기부의 높이 변화보다는 너비 변화에 큰 영향을 받는다. 다른 말로 표현하면, 압력 전후로 돌기부의 형상이 변화하더라도, 돌기부의 중심 위치가 변화하지 않는다면, 반도체 발광 소자의 배열 오차는 발생하지 않는다.
하지만, 도 19에 도시된 바와 같이, 상단의 기판(611)에서 하단의 기판(613) 방향으로 상기 유기물 스탬프층(612)에 압력을 인가하는 경우, 상기 유기물 스탬프층(612)은 돌기부의 너비 방향으로 △X2만큼의 변화가 발생할 수 있다. 즉, 돌기부의 중심축이 △X2만큼 이동한다는 의미이며, 이러한 변형은 상기 유기물 스탬프층(612)과 접촉하는 반도체 발광 소자(650)도 전사 과정에서, △X2만큼의 배열 오차가 발생할 수 있다는 것을 의미한다.
도 19의 시뮬레이션 모형에서, 돌기부의 높이는 10 μm 이고, 돌기부를 제외한 유기물 스탬프층(612)의 높이는 400 μm이다. 또한 상기 유기물 스탬프층(612)은 PDMS를 주재료로 하며, 상기 유기물 스탬프층(612)에 함유되는 무기물 필러는 직경 300nm의 실리카인 것으로 설정하였다. 또한, 상기 유기물 스탬프층(612)의 돌기부와 접촉하는 반도체 발광 소자(650)는 높이가 6 μm이고 너비가 50 μm인 것으로 설정하였다.
도 20은 도 19의 모형에 따라 측정된, 무기물 필러의 함유량에 따른 배열 오차에 관한 시뮬레이션 결과이다.
도 20에 도시된 바와 같이, 실리카 무기물 필러의 함유량이 증가할수록 돌기부의 높이 방향 변화량이 감소하였다. 또한, 실리카 무기물 필러의 함유량이 증가할수록 돌기부의 중심 축을 기준으로, 너비 방향으로 위치 변화량이 감소하였다. 예를 들어, 실리카 나노입자가 함유되지 않은 유기물 스탬프층은 돌기부의 높이 방향으로 12 μm 의 변위 및 너비 방향으로 6.8 μm의 중심 축 이동이 발생한다면, 실리카 나노입자가 20wt%로 함유된 유기물 스탬프층의 경우, 돌기부의 높이 방향으로 5.9 μm 의 변위 및 너비 방향으로 3.4 μm의 변위가 발생하였다. 즉, 상기 시뮬레이션 모델에서는, 유기물 스탬프층에 실리카 나노입자를 20wt% 함유함으로써, 실리카 나노입자가 함유되지 않은 유기물 스탬프층 대비, 3.4 μm의 배열 오차를 감소시킬 수 있다.
정리하면, 본 발명에서는 유기물 스탬프층 내부에 무기물 필러를 함유함으로써, 상기 유기물 스탬프층의 전체적인 강성을 향상시켰다. 한편, 상기 유기물 스탬프층의 돌기부 끝단에는 상기 무기물 필러의 농도가 극히 낮거나, 상기 무기물 필러가 존재하지 않도록 하여, 상기 돌기부가 반도체 발광 소자를 전사하기에 충분한 접착력을 유지할 수 있도록 하였다.
따라서, 상기 유기물 스탬프층을 포함한 전사 기판을 이용하면, 전사 과정에서 발생하게 되는 스탬프층의 변형을 최소화시키고, 이에 따른 반도체 발광 소자의 배열 오차를 감소시켜 전사의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
210 : 전사 기판 211 : 베이스층
212 : 유기물 스탬프층 213 : 무기물 필러

Claims (18)

  1. 돌기부를 포함하는 스탬프층에 대응하는 음각 형상의 몰드를 준비하는 단계;
    상기 몰드에 경화제, 유기 용액 및 다수의 무기물 필러를 혼합한 혼합 용액을 주입하는 단계;
    상기 혼합 용액이 주입된 상기 몰드의 상측면을 베이스 기판과 접촉하여 고정하는 단계;
    상기 몰드 및 상기 베이스 기판을 뒤집어서 상기 혼합 용액의 상기 다수의 무기물 필러가 상기 베이스 기판 방향으로 중력에 의해 침전되는 단계;
    상기 혼합 용액을 경화하는 단계; 및
    상기 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  2. 돌기부를 포함하는 스탬프층에 대응하는 음각 형상의 몰드를 준비하는 단계;
    상기 몰드에 제 1경화제, 제 1유기 용액을 포함한 제 1혼합 용액을 도포하는 단계;
    상기 제 1혼합 용액을 1차 경화하는 단계;
    상기 1차 경화된 상기 제 1혼합 용액의 상부에 제 2경화제, 제 2유기 용액 및 다수의 무기물 필러를 포함한 제 2혼합 용액을 주입하는 단계;
    상기 제 2혼합 용액이 주입된 상기 몰드의 상측면을 베이스 기판과 접촉하여 고정하는 단계;
    상기 몰드 및 상기 베이스 기판을 뒤집어서 상기 제 2혼합 용액의 상기 다수의 무기물 필러가 상기 베이스 기판 방향으로 중력에 의해 침전되는 단계;
    상기 몰드 내 상기 제 1혼합 용액 및 상기 제 2혼합 용액을 2차 경화하는 단계; 및
    상기 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드를 준비하는 단계는,
    몰드용 기판의 평탄면에 상기 스탬프층에 대응하는 제 1음각부를 형성하는 단계;
    상기 제 1음각부 상에 상기 돌기부에 대응하는 제 2음각부를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 혼합 용액을 경화하는 단계는,
    상기 몰드 내 상기 혼합 용액에서, 상기 다수의 무기물 필러가 위치에 따라 농도가 달라지도록, 상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는,
    상기 몰드 내 상기 혼합 용액에서, 상기 돌기부에서 상기 베이스 기판 방향으로 위치가 이동할수록 상기 무기물 필러의 농도가 증가하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 혼합 용액을 경화하는 단계는,
    70도 내지 120도 사이의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 무기물 필러의 농도 분포를 제어하는 단계는,
    상기 몰드에 주입된 상기 혼합 용액에 대해, 온도의 변화 또는 UV(Ultra Violet) 조사를 통하여, 상기 혼합 용액 내 상기 유기 용액의 점도(Viscosity)를 제어하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 혼합 용액을 주입하는 단계는,
    상기 유기 용액에 상기 다수의 무기물 필러를 혼합하여 분산하는 단계 및, 상기 다수의 무기물 필러가 분산된 상기 유기 용액에 상기 경화제를 첨가하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 전사를 위한 전사 기판의 제조 방법.
  9. 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판(transfer substrate)에 있어서,
    상기 전사 기판은,
    베이스층; 및
    상기 베이스층 상에 위치하는, 돌기부를 구비하는 유기물 스탬프층을 포함하고,
    상기 유기물 스탬프층은 무기물 필러가 상기 유기물 스탬프층 내부에서 분산되어, 위치에 따른 상기 무기물 필러의 농도 구배를 가지며,
    상기 무기물 필러의 농도 구배는, 상기 유기물 스탬프층의 상기 돌기부에서 상기 베이스층 방향으로 갈수록 점차적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 유기물 스탬프층은 상기 무기물 필러의 농도 구배를 가지는 제 1영역 및 상기 무기물 필러가 존재하지 않는 제 2영역을 포함하고,
    상기 제 2영역은 상기 제 1영역의 외측에 위치하고, 상기 돌기부의 단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 베이스층의 제 1강성(stiffness)은 상기 유기물 스탬프층의 제 1영역의 제 2강성보다 크고,
    상기 제 2강성은 상기 유기물 스탬프층의 제 2영역의 제 3강성보다 큰 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 돌기부의 높이는, 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 두께에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 돌기부의 높이는 상기 반도체 발광 소자의 적층방향의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 돌기부의 너비는 상기 돌기부에 접촉하는 반도체 발광 소자의 너비보다 넓은 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  15. 제 9항에 있어서,
    상기 베이스층은 PET(Polyethylene terephthalate), PCE(Polycarboxylate Ether) 및 유리 중 적어도 하나 이상을 포함하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  16. 제 9항에 있어서,
    상기 무기물 필러의 주성분은 수십 nm 내지 수 μm 이내의 SiO2인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  17. 제 9항에 있어서,
    상기 유기물 스탬프층의 주성분은 PDMS(polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는 마이크로미터 단위의 크기를 가진 LED(Micro-LED)인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판.
KR1020190095605A 2019-08-06 2019-08-06 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판 KR20190099163A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190095605A KR20190099163A (ko) 2019-08-06 2019-08-06 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판
US17/630,288 US20220277983A1 (en) 2019-08-06 2019-08-07 Method for manufacturing display device, and transfer substrate for manufacturing display device
EP19940187.8A EP4012497A4 (en) 2019-08-06 2019-08-07 METHOD FOR MAKING A DISPLAY DEVICE AND TRANSFER SUBSTRATE FOR MAKING A DISPLAY DEVICE
PCT/KR2019/009861 WO2021025201A1 (ko) 2019-08-06 2019-08-07 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190095605A KR20190099163A (ko) 2019-08-06 2019-08-06 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190099163A true KR20190099163A (ko) 2019-08-26

Family

ID=67806487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190095605A KR20190099163A (ko) 2019-08-06 2019-08-06 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220277983A1 (ko)
EP (1) EP4012497A4 (ko)
KR (1) KR20190099163A (ko)
WO (1) WO2021025201A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220131795A (ko) * 2021-03-22 2022-09-29 주식회사 엠시스 프리코팅된 COF(Chip on film) 제조방법 및 이 제조 방법에 의하여 제조된 COF
EP4023689A4 (en) * 2019-08-27 2023-10-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. METHOD FOR TRANSFERRING MICROSTRUCTURES AND METHOD FOR MOUNTING MICROSTRUCTURES
EP4135984A4 (en) * 2020-04-14 2024-01-17 Hewlett Packard Development Co LIQUID EXJECTION TOOL WITH PUNCHED NANOCERAMIC LAYER

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113629107B (zh) * 2021-07-19 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100843392B1 (ko) * 2005-03-31 2008-07-03 삼성전기주식회사 우수한 내구성을 갖는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드 및이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법
EP2351068B1 (en) * 2008-11-19 2020-11-04 X Display Company Technology Limited Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer
US8367192B2 (en) * 2009-08-04 2013-02-05 Gunze Limited Intermediate transfer belt
JP2012119572A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Shimadzu Corp 転写印刷用スタンプ製造方法および電子デバイス
JP5879086B2 (ja) * 2011-10-14 2016-03-08 国立大学法人東北大学 ナノインプリント用複製モールド
KR101416625B1 (ko) * 2012-06-11 2014-07-08 한국전기연구원 미세 패턴 형성용 고분자 몰드의 제조 방법, 이에 의해 제조되는 미세 패턴 형성용 고분자 몰드, 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법
US9550353B2 (en) * 2014-07-20 2017-01-24 X-Celeprint Limited Apparatus and methods for micro-transfer-printing
KR101620469B1 (ko) * 2014-11-13 2016-05-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
JP2019015899A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 株式会社ブイ・テクノロジー 表示装置の製造方法、チップ部品の転写方法、および転写部材

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4023689A4 (en) * 2019-08-27 2023-10-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. METHOD FOR TRANSFERRING MICROSTRUCTURES AND METHOD FOR MOUNTING MICROSTRUCTURES
EP4135984A4 (en) * 2020-04-14 2024-01-17 Hewlett Packard Development Co LIQUID EXJECTION TOOL WITH PUNCHED NANOCERAMIC LAYER
KR20220131795A (ko) * 2021-03-22 2022-09-29 주식회사 엠시스 프리코팅된 COF(Chip on film) 제조방법 및 이 제조 방법에 의하여 제조된 COF

Also Published As

Publication number Publication date
EP4012497A1 (en) 2022-06-15
US20220277983A1 (en) 2022-09-01
WO2021025201A1 (ko) 2021-02-11
EP4012497A4 (en) 2023-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102650341B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20190099163A (ko) 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판
US20220336423A1 (en) Method for manufacturing display device, and substrate for manufacture of display device
US20220415859A1 (en) Display device using micro led, and manufacturing method therefor
EP3228157B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing thereof
US20220352446A1 (en) Display device using micro led and method for manufacturing same
US20220230997A1 (en) Display device using micro led and manufacturing method therefor
CN109691231B (zh) 使用半导体发光元件的显示器件
KR20190105537A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US11189767B2 (en) Display apparatus comprising light emitting devices coupled to a wiring board with conductive adhesive
EP3076442A1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
US20220254961A1 (en) Display device using micro led, and manufacturing method therefor
KR20190126260A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20190143840A (ko) 마이크로 led와 관련된 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20220367771A1 (en) Display device using micro led, and manufacturing method therefor
KR20190097946A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR20190113695A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20190121274A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20200002733A (ko) 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20190104276A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20190117413A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20200099037A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20220416125A1 (en) Display apparatus using micro led and manufacturing method therefor
KR20190126261A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20200026677A (ko) 마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination