JPH118338A - 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法 - Google Patents

表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法

Info

Publication number
JPH118338A
JPH118338A JP15939097A JP15939097A JPH118338A JP H118338 A JPH118338 A JP H118338A JP 15939097 A JP15939097 A JP 15939097A JP 15939097 A JP15939097 A JP 15939097A JP H118338 A JPH118338 A JP H118338A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
light
substrate
mounted led
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15939097A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunihiro Nagamine
邦浩 永峰
Kunihiro Izuno
訓宏 泉野
Yuichi Fujiwara
勇一 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP15939097A priority Critical patent/JPH118338A/ja
Publication of JPH118338A publication Critical patent/JPH118338A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/799—Apparatus for disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、文字や図形など各種データを表示可
能なＬＥＤディスプレイやラインセンサーの光源などに
用いられる発光装置の取り外しやリペアに係わり、特に
高密度実装された複数の表面実装型ＬＥＤから他への損
傷なく不要な表面実装型ＬＥＤを部分的に取り外し可能
な装置、リペア方法など関する。 【解決手段】本発明は、基板上に表面実装型ＬＥＤを近
接して２以上配置し半田により固定された発光装置から
所望の表面実装型ＬＥＤを取り外す方法である。特に、
基板から取り外す表面実装型ＬＥＤ上にスポット状の光
エネルギーを照射する工程と、光エネルギーにより表面
実装型ＬＥＤと基板を固定する半田を溶融すると共に所
望の表面実装型ＬＥＤ単体を選択的に取り外す工程と、
を有する表面実装型ＬＥＤの取り外し方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、文字や図形など各
種データを表示可能なＬＥＤディスプレイやラインセン
サーの光源などに用いられる発光装置のリペアなどに係
わり、特に高密度実装された表面実装型ＬＥＤを部分的
に取り外し可能な方法や装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、Ｒ、Ｇ、Ｂ（赤色系、緑色系、青
色系）において１０００ｍｃｄ以上にも及ぶ超高輝度に
発光可能なＬＥＤチップがそれぞれ開発された。これに
伴い、Ｒ、Ｇ、Ｂが発光可能な各ＬＥＤチップを混色発
光させることでフルカラー表示させるＬＥＤ表示装置な
どが設置されつつある。
【０００３】ＬＥＤ表示装置の１つに、高精細且つ広視
野角に発光可能なＬＥＤ表示装置が求められている。こ
の特性を満たすためには、砲弾型のリードフレームタイ
プの発光ダイオードでは困難である。そのため、より高
密度実装が可能な表面実装型ＬＥＤを利用することが考
えられる。表面実装型ＬＥＤは、基板上に貫通孔等を設
ける必要なく、直接半田により固定可能であるため高密
度実装が比較的容易となる。
【０００４】表面実装型ＬＥＤの例としては、図４の如
き、種々ものが挙げられる。例えば図４（Ｃ）では、表
面に開口部を有する絶縁性樹脂ケース４２５の底面上に
ＬＥＤチップ４２１がダイボンド樹脂で固定されてい
る。絶縁性樹脂ケース４２５内部から外部には、ＬＥＤ
チップ４２１と金線などを利用して電気的に接続された
外部電極４２３が設けられている。凹部内に外部環境か
らＬＥＤチップ４２１を保護する目的でモールド樹脂４
２６を形成させてある。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂの各ＬＥＤチ
ップを利用する場合は、混色して視認できる程度に近接
配置させることで、同様に表面実装型ＬＥＤを形成させ
ることができる。
【０００５】ＲＧＢの各ＬＥＤチップを利用する表面実
装型ＬＥＤの場合は、１絵素として利用することができ
る。表面実装型ＬＥＤをドットマトリックス状に近接配
置させることによりフルカラーＬＥＤ表示器を構成させ
られる。同一絶縁性樹脂ケースなどにＲＧＢが発光可能
なＬＥＤベアチップを搭載した表面実装型ＬＥＤは、よ
り小型化が可能であると共に混色性が良好であり、ＬＥ
Ｄ表示器用基板への半田接続行程も簡略化することがで
きる。
【０００６】形成された発光装置は、表面実装型ＬＥＤ
の大きさ及び各表面実装型ＬＥＤ間の間隔により高精細
さが決まってくる。したがって、高精細化がもとめられ
る今日においては、更なる表面実装型ＬＥＤの小型化と
表面実装型ＬＥＤ同士の間隔をより小さくさせることが
求められている。このような表面実装型ＬＥＤは、基板
の所定箇所に半田ペーストを塗布する。塗布された半田
ペーストに表面実装型ＬＥＤの各電極が一致するように
配置する。表面実装型ＬＥＤが基板上に半田ペーストに
よりドットマトリックス状に配置されたものを加熱溶融
により接着させるリフロー半田装置により一括して半田
付けをする。したがって、発光装置は、比較的簡単に量
産性よく形成することができる。
【０００７】一方、一般的に表面実装型ＬＥＤは、極め
て小さくダイオード素子単品で構成されることが多い。
そのため、静電気などに弱い場合が多く、取り扱い時な
どに生ずる静電気などで破壊される場合がある。また、
各ＬＥＤチップは、極めて細いワイヤーなどにより電気
的接続がとられる。そのため使用環境下によってはワイ
ヤー切れなどが生ずる場合がある。さらに、表面実装型
ＬＥＤ内の各箇所において電気的に接触不良が生じる場
合もある。
【０００８】特に、フルカラーＬＥＤ表示器として利用
する場合、ＲＧＢが発光可能なＬＥＤチップを実装した
表面実装型ＬＥＤを基板上に１６×３２個配置するもの
などが挙げられる。この場合、利用されるＬＥＤチップ
をＲＧＢ各１個ずつ使用するとしても1536個も必要とな
る。各ＬＥＤチップごとに上述の不良が生ずる可能性が
あり、製造時或いは使用時に部分的に点灯しないＬＥＤ
チップが生ずる可能性がある。表示装置内にたった１つ
のＬＥＤチップの不点灯や光度の低い部分があっても表
示画面に欠陥が生じる。このような欠陥は、各表面実装
型ＬＥＤを部分的に取り替えることによって解消するこ
とができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高密度
実装化に伴い表面実装型ＬＥＤ間の隣接間隔が極めて小
さくなってくる。表面実装型ＬＥＤの一括搭載時と異な
り、ドットマトリックス状に配置された表示装置の中か
ら所望の表面実装型ＬＥＤ単体のみを半田溶融させ取り
外すことは極めて難しい。また、表面実装型ＬＥＤを再
び実装して修理（リペア）することも非常に困難にな
る。
【００１０】表面実装型ＬＥＤのリペア行程においては
一般的には半田ゴテにて半田溶融を行い部品の取り外
す。また、半田ゴテにより再搭載を行うことが考えられ
る。しかしながら、隣接間隔が３ｍｍ以下などの高密度
搭載した表面実装型ＬＥＤの場合は、半田ゴテ先端５１
１を隙間に差し込むのが困難である。そのため極細の半
田ゴテ先端５１１を用いても図５（Ｂ）の如く、半田５
１３溶融のさい表面実装型ＬＥＤ５１２のケース表面な
どに接触し損傷させる可能性が極めて高い。特に、表面
実装型ＬＥＤのパッケージ表面は、エポキシ樹脂、液晶
ポリマー等の樹脂などで形成されていることが多い。同
様に半田ゴテの接触により隣接する表面実装型ＬＥＤを
傷つけることもおおくなる。また、半田ゴテ先を細くす
ればするほど熱容量が小さくなり容易に半田を溶融する
ことができない。
【００１１】半田ゴテ以外により表面実装型ＬＥＤを取
り外す方法として、交換する表面実装型ＬＥＤに熱風５
２１を吹き付け半田接続部５２３を溶融することも考え
られる。しかしながら、吹き付けられた熱風５２１は、
図５（Ｃ）の如く、隣接した表面実装型ＬＥＤ５２２の
半田接合部も同時に溶融し、半田溶融に用いられる熱風
による風圧で近くの表面実装型ＬＥＤ５２２も吹き飛ば
してしまう或いは移動させることがある。そのため交換
必要な表面実装型ＬＥＤのみを他への影響をなく単体で
取り外し及び再搭載は極めて困難であるという問題があ
る。
【００１２】したがって、本発明は基板上に高密度に搭
載された表面実装型ＬＥＤを、隣接する表面実装型ＬＥ
Ｄに傷や位置ずれなどの悪影響を与えることなく表面実
装型ＬＥＤ単体の半田接合部を溶融し、且つ取り外し及
び再搭載可能な方法及び装置などを提供するものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に表面
実装型ＬＥＤを近接して２以上配置しそれぞれ半田によ
り固定された発光装置から所望の表面実装型ＬＥＤを取
り外す方法に関するものである。特に、本発明は、基板
から表面実装型ＬＥＤを取り外すために表面実装型ＬＥ
Ｄ上にスポット状の光エネルギーを選択的に照射する。
光エネルギーにより表面実装型ＬＥＤと基板を固定する
半田を選択的に溶融すると共に所望の表面実装型ＬＥＤ
単体を取り外す表面実装型ＬＥＤの取り外し方法であ
る。
【００１４】本発明の請求項２に記載の表面実装型ＬＥ
Ｄを取り外す取り外し装置は、基板上に表面実装型ＬＥ
Ｄを近接して２以上配置しそれぞれ半田により固定され
た発光装置から選択的に所望の表面実装型ＬＥＤを取り
外す装置である。特に、発光装置を固定する固定手段
と、表面実装型ＬＥＤと基板とを固定する半田が溶融可
能な光エネルギーを照射する光照射手段と、固定手段に
よって固定された発光装置及び／又は光照射手段の少な
くとも一方を所望の表面実装型ＬＥＤに移動させる移動
手段と、光照射手段により溶融された半田を有する所望
の表面実装型ＬＥＤ単体を選択的に除去する取り外し手
段と、を有する装置である。
【００１５】本発明の請求項３に記載の取り外し装置
は、取り外し手段が、表面実装型ＬＥＤを吸引する真空
吸引手段である。
【００１６】本発明の請求項４に記載の発光装置のリペ
ア方法は、基板上に表面実装型ＬＥＤを近接して２以上
配置しそれぞれ半田により固定された発光装置から所望
の表面実装型ＬＥＤを交換するものである。特に、基板
から取り外す表面実装型ＬＥＤ上にスポット状の光エネ
ルギーを照射する工程と、光エネルギーにより表面実装
型ＬＥＤと基板を固定する半田を溶融させると共に所望
の表面実装型ＬＥＤ単体を選択的に取り外す工程と、選
択的に取り外した表面実装型ＬＥＤ搭載部位に半田を供
給する工程と、取り外した表面実装型ＬＥＤ搭載部位に
交換用の表面実装型ＬＥＤを搭載する工程と、スポット
状の光エネルギーを照射して交換用の表面実装型ＬＥＤ
を半田づけする工程と、を有する。
【００１７】
【作用】本発明は、図５（Ａ）の如くリペア行程が必要
な表面実装型ＬＥＤ５０２上からスポット状に絞られた
光エネルギー５０１を照射する。このため、隣接する表
面実装型ＬＥＤに悪影響を与えることなく、表面実装型
ＬＥＤを固定してある半田５０３のみを溶融することが
可能となる。このため、発光装置を分解することなく必
要な半田接合部のみを溶融し表面実装型ＬＥＤ単体を取
り外すことができる。
【００１８】同様に、取り外した表面実装型ＬＥＤ搭載
部位に交換用の表面実装型ＬＥＤを再搭載することもで
きる。この際、供給した半田ペーストをスポット状に絞
られた光エネルギーにて溶融し半田接合を行うと共に固
定できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明者は、種々の実験の結果、
既に密集して配置された表面実装型ＬＥＤから部分的に
表面実装型ＬＥＤを取り除く場合において、特定の半田
溶融手段を選択することにより他への悪影響なく効率的
に取り除けることを見いだし本発明を成すに至った。
【００２０】即ち、本発明は、図５（Ａ）例の如く、近
接して配置された表面実装型ＬＥＤから所望の表面実装
型ＬＥＤを部分的に除去する或いは部分的に半田付けす
るため、表面実装型ＬＥＤの外形とほぼ同等にスポット
径を絞った光エネルギーによる加熱を利用する。これに
より効率よく所望の表面実装型ＬＥＤ単体のみスポット
的に加熱することができる。したがって、隣接した表面
実装型ＬＥＤがリペア時に移動する或いは熱的に破壊さ
れることない。以下、本発明のリペア方法などについて
詳述する。
【００２１】発光装置として、図２の如く表面実装型Ｌ
ＥＤ２０７をライン状に近接して基板上２０１に配置さ
せた。表面実装型ＬＥＤ２０７は、絶縁性樹脂ケース内
部に窒ガリウム半導体を用いた青色ＬＥＤチップを配置
してある。ＬＥＤチップが配置された絶縁性樹脂ケース
の開口部には、青色光を吸収し黄色光が発光可能なセリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット蛍光体を含有させた封止樹脂２０８により封止して
ある。これにより白色系が発光可能な表面実装型ＬＥＤ
２０７となっている。
【００２２】この発光装置から部分的に表面実装型ＬＥ
Ｄを除去する光照射手段として赤外ランプを用いた。赤
外ランプからの光は、反射鏡及び集光レンズによりスポ
ット状に絞られている。絞られた赤外光のスポット径
は、表面実装型ＬＥＤ単体と同程度とさせてある。一
方、表面実装型ＬＥＤが配置された基板をＸＹステージ
上に挟み込みにより固定さる。固定された基板は、絞ら
れた赤外光を所望の箇所に照射できるよう配置させてあ
る。固定された発光装置を点灯させると共に受光素子に
よって未発光或いは所定光度に達しない表面実装型ＬＥ
Ｄの位置を特定しパーソナルコンピュータに記憶させ
る。次に、この検出された未発光部分のデータに基づい
て赤外光ビーム径が当たるようにＸＹステージを駆動さ
せる。ＸＹステージ停止後、赤外光を照射させ発光装置
上に固定された表面実装型ＬＥＤの半田２０９を溶融さ
せる。赤外光を照射することで照射部の温度は瞬時に所
定温度まで上昇する。半田接合部溶融後、真空ポンプに
接続されたノズルを降下させ不要（未発光、所定光度に
達しない、或いは電気的特性や外観不良など）な表面実
装型ＬＥＤをノズルに吸着固定させると共に発光装置上
から除去する。
【００２３】次に、除去されたＬＥＤ搭載部位の基板上
にパーソナルコンピュータのデータに基づいて半田ペー
ストをディスペンサーで供給する。新しい表面実装型Ｌ
ＥＤを真空吸引機に接続されたノズルの先端に吸引固定
させる。ノズル自体を移動させることにより新しい表面
実装型ＬＥＤを運び、表面実装型ＬＥＤ搭載部位に搭載
する。再び赤外ランプを点灯させ表面実装型ＬＥＤ上か
らスポット状の赤外光を照射する。これにより半田ペー
ストが溶融し、新しい表面実装型ＬＥＤと基板とが容易
に半田づけされる。点灯不良箇所が複数ある場合は、順
次上記工程を繰り返すことにより発光装置をリペアする
ことができる。また、連続して不良の表面実装型ＬＥＤ
を除去した後、連続して新しい表面実装型ＬＥＤを搭載
させることもできる。以下、本発明の各構成について詳
述する。
【００２４】（表面実装型ＬＥＤ１０７、２０７）表面
実装型ＬＥＤ１０７、２０７とは、積載される基板上１
０１に貫通孔を設ける必要なく基板１０１上に固定可能
な発光ダイオードのことである。具体的には、図４に示
す如く種々のものが挙げられる。図４（Ａ）の表面実装
型ＬＥＤは、ＬＥＤチップ４０１そのものを表面実装型
ＬＥＤとして利用したものである。具体例として、サフ
ァイア基板４０５上にＰＮ接合を有する窒化ガリウム系
化合物半導体４０４を堆積させたＬＥＤチップを挙げ
る。Ｐ型導電性を有する半導体及びＮ型導電性を有する
半導体のそれぞれに電極４０３が形成されている。電極
は、同一表面側に設けられている。また、電極間は半田
付けにより短絡しないよう保護膜４０２を形成させてあ
る。ＬＥＤチップの電極４０３と基板（不示図）とを半
田付け、導電性接着剤や異方性導電膜により固定するこ
とができる。これにより極めて小さい表面実装型ＬＥＤ
とすることができる。
【００２５】図４（Ｂ）の表面実装型ＬＥＤは、基板４
１５に配置させた外部電極４１３上にＬＥＤチップ４１
１を配置させたものである。ＬＥＤチップ４１１と基板
４１５上の外部電極４１３とは、金、銀や銅の細線や
金、銀、カーボンなどの導電性部材が含有された導電性
接着剤により電気的に接続されている。ＬＥＤチップ上
には、ＬＥＤチップなどを保護する透光性樹脂４１６が
形成されている。これにより、種々のＬＥＤチップを一
定の大きさや形として統一することができ自動機を用い
て容易に表面実装配置させることができる。
【００２６】図４（Ｃ）の表面実装型ＬＥＤは、前面に
開口部を有する絶縁性樹脂ケース４２５底面にＬＥＤチ
ップ４２１を配置させたものである。絶縁性樹脂ケース
４２５には、ＬＥＤチップ４２１に電力が供給できるよ
う外部から内部に配置された外部電極４２３が設けられ
ている。ＬＥＤチップ４２１の各電極と外部電極４２３
とは、導電性ワイヤーや導電性ペーストを利用して電気
的に接続させてある。また、開口部には透光性樹脂４２
６で封止させてある。この場合、ＬＥＤチップ４２１を
１種類で複数配置させることもできるし、２種類以上配
置させることもできる。ＲＧＢのＬＥＤチップを配置さ
せることによりフルカラー発光が可能な表面実装型ＬＥ
Ｄとすることができる。また、青色が発光可能なＬＥＤ
チップと、それによって励起され黄色が発光可能な蛍光
物質を利用することにより１種類のＬＥＤチップを用い
て白色光が発光可能な表面実装型ＬＥＤとすることもで
きる。白色光が発光可能な表面実装型ＬＥＤは、透光性
樹脂４２６中に蛍光物質を含有させることにより容易に
形成させることができる。蛍光物質としては、ペリレン
系誘導体やセリウムで付活されたイットリウム・アルミ
ニウムガーネット系蛍光体が好適に挙げられる。青色系
が発光可能なＬＥＤチップとして窒化物系化合物半導体
が好適に挙げられる。
【００２７】表面実装型ＬＥＤは、銅箔などで所望のパ
ターンが形成されたプリント基板上に半田により電気的
に接続させると共に固定される。屋内型のフルカラーデ
ィスプレイに利用する場合は、このような表面実装型Ｌ
ＥＤをドットピッチが４ｍｍ以下で使用することができ
る。即ち、本発明は、表面実装型ＬＥＤ間の間隔が約３
ｍｍ以下に配置された発光装置において選択的にリペア
できる。高密度実装例として、表面実装型ＬＥＤ間の間
隔が約１ｍｍ以下の近接して配置された発光装置におい
ても選択的にリペアなどを行うことができる。
【００２８】表面実装型ＬＥＤに用いられるＬＥＤチッ
プとしては、その発光色や用途により種々のものが選択
することができる。ＬＥＤチップに用いられる発光層の
半導体材料としては、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、
ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮなど種々のものが挙げ
られる。また、半導体の構造もＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合
やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブ
ルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やそ
の混晶度により発光波長を紫外光から赤外光まで種々選
択することができる。さらに、量子効果を持たせるため
発光層を単一量子井戸構造、多重量子井戸構造とさせて
も良い。
【００２９】（固定手段１０３）固定手段１０３は、発
光装置を固定できる限り機械的に挟み込むものや真空チ
ャックにより固定させるものなど所望に応じて種々のも
のを選択することができる。固定手段１０３が移動手段
１０４と一体となっている場合は、表面実装型ＬＥＤを
搭載した基板１０１自体が所望に移動させることができ
る。
【００３０】（光照射手段１０２）光照射手段１０２と
は、表面実装型ＬＥＤ１０７を固定する半田を溶融する
光エネルギーを照射可能なものである。具体的には、半
田が溶融可能な温度まで昇温可能なハロゲンランプ、赤
外ランプ、遠赤外ヒータやカーボンアークランプを用い
たものが挙げることができる。このようなランプ３０１
からの光を反射鏡３０３及び／又はレンズ３０２を用い
てスポット状に集光させる。この集光により、表面実装
型ＬＥＤの外形と同程度にまで光エネルギーを絞ること
ができる。具体的には、図３の如く裏面に反射鏡３０３
を設けると共にランプ３０１前面には凸レンズ３０２が
筐体３０４によって保持されたものが挙げられる。した
がって、スポット径は表面実装型ＬＥＤの大きさによっ
てレンズ焦点を変更するなどにより種々選択することが
できる。
【００３１】光照射手段１０２の出力は、溶融させる半
田の種類などによって所望に応じて種々の範囲を選択す
ることができる。特に、光照射手段１０２からの光エネ
ルギーは、表面実装型ＬＥＤ１０７上から照射される。
表面実装型ＬＥＤ１０７は、発光観測面側が透光性を有
する必要がある。透光性と耐熱性など種々の要望を同時
に達成可能な透光性樹脂４１６、４２６などを形成する
ことは難しい。
【００３２】光照射手段の出力として、半田溶融温度以
上且つ表面実装型ＬＥＤの表面樹脂などの軟化温度以下
として２３０℃以上２７０℃以下とすることができる。
照射面の温度は、投入電力やレンズの焦点距離を変化さ
せることによって比較的簡単に制御することができる。
光照射手段１０２で、光エネルギーを照射することによ
り照射部の温度は瞬時に所定温度まで昇温することがで
きる。表面実装型ＬＥＤ１０７を構成する樹脂と半田溶
融温度が近いときは、投入電力を低く照射時間を多くす
ることで表面実装型ＬＥＤの損傷を抑制しつつ半田を溶
融することができる。
【００３３】（移動手段１０４）移動手段１０４とは、
表面実装型ＬＥＤ１０７が近接して配置された基板１０
１或いは、光照射手段１０２の少なくとも一方を移動さ
せることができるものである。移動手段１０４は、ＸＹ
方向に駆動可能な各種モータなどにより構成することが
できる。移動手段１０４とコンピューター１０６とを連
動させることにより自動的に所望箇所のみ光エネルギー
を選択的に照射させることができる。
【００３４】（取り外し手段３０５、３１５、３２５）
取り外しは、光照射手段１０２により溶融された半田を
有する所望の表面実装型ＬＥＤ１０７単体を選択的に除
去可能なものである。したがって、ピンセットなどで物
理的に容易に短時間で除去することも可能である。
【００３５】高密度に実装された表面実装型ＬＥＤを選
択的に除去させるためには、真空ポンプと接続されたノ
ズル３０５、図３（Ｂ）の如き機械的チャッキング３１
５、図３（Ｃ）の如きゴム吸盤３２５などが挙げられ
る。極めて高密度に近接して実装した表面実装型ＬＥＤ
においては、真空吸着により取り外すことがより好まし
い。なお、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）において取り外し
手段が異なる以外は図３（Ａ）と同様の構成とすること
ができる。
【００３６】具体的な取り外し手段を図３に示す。図３
（Ａ）は、光照射手段と取り外し手段が一体的に形成さ
れたものであり光照射手段の中心に吸着用のノズル３０
５が設けられている。光照射手段は、ハロゲンランプ３
０１からの光を反射板３０３及び凸レンズ３０２により
集光してある。光エネルギーを照射すると共に不要な表
面実装型ＬＥＤ３０６を取り外すことができる。ノズル
３０５は、光エネルギーによる昇温が少ない材質として
石英管により形成させてある。
【００３７】取り外し手段は、真空ポンプ及びコンピュ
ーターに連動させることができる。コンピューターに連
動させる場合、光照射手段からの光エネルギーが一定時
間照射されると照射箇所に吸着ノズル３０５を合わせ吸
引する。吸引により表面実装型ＬＥＤ３０６が基板面か
ら取り外される。取り外された表面実装型ＬＥＤ３０６
を除去し新たな表面実装型ＬＥＤ３０６を吸着させる。
除去されたＬＥＤ搭載部位には、半田ペーストが塗布さ
れると共に新たな表面実装型ＬＥＤをノズルに吸着させ
たまま移動させて配置させることができる。以下、本発
明の具体的実施例について詳述するがこれのみに限定さ
れるものでないことは言うまでもない。
【００３８】
【実施例】
（実施例１）表面実装型ＬＥＤとして、表面に開口部を
有する底面上にＲ、Ｇ、Ｂが発光可能な各ＬＥＤチップ
が近接配置されているものを用いた。樹脂ケース内部か
ら外部には、各ＬＥＤチップと金線などを利用して電気
的に接続可能なように外部電極が設けられている。ま
た、開口部内に外部環境からＬＥＤチップを保護する目
的でモールド樹脂を形成させている。このような表面実
装型ＬＥＤを１絵素として１６×３２個のドットマトリ
ックス状に近接配置させた。表面実装型ＬＥＤのドット
ピッチは約４ｍｍであり、表面実装型ＬＥＤ間の間隔は
約１ｍｍであった。基板上にクリーム半田をスクリーン
印刷した後、チップマウンターによりそれぞれ表面実装
型ＬＥＤを搭載した。その後、半田リフロー装置に通し
て半田付けを行い発光装置を形成させた。本発明の効果
を確かめるために部分的に点灯しないＬＥＤチップを混
ぜてある。
【００３９】一方、本発明のリペア装置として図１の如
く、光照射手段に１５０Ｗのハロゲンランプを用いた。
ハロゲンランプの裏面に反射板を設けると共に表面側に
レンズを配置させてある。また、レンズ表面には、ノズ
ルが設けられておりノズル自体は真空ポンプと接続され
ている。真空ポンプの駆動とハロゲンランプの照射とは
コンピュータを通して連動させてある。また、発光装置
をモーターによりＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ上
に発光装置表面とハロゲンランプとの距離を約３ｃｍと
させ固定させてある。ＸＹステージのモーターもコンピ
ュータと連動されている。これにより光照射手段からの
光エネルギーが表面実装型ＬＥＤの外形とほぼ同じ約２
ｍｍのスポット径に絞られている。
【００４０】発光装置を駆動させＲＧＢのＬＥＤチップ
を順次点灯させる。各ＬＥＤチップの発光をＣＣＤカメ
ラにより読みとり、点灯していない或いは所定の光度に
達していないＬＥＤチップがある表面実装型ＬＥＤを認
識する。認識された表面実装型ＬＥＤの個数及び位置を
コンピュータに記憶させる。この記憶データに基づいて
ＸＹステージを光照射手段の真下に移動させる。移動
後、ハロゲンランプを５秒間、表面実装型ＬＥＤ上から
照射して半田を溶融させた。半田を溶融させると共にノ
ズルを降下させ真空ポンプを駆動させることにより表面
実装型ＬＥＤを吸着させた。吸着した表面実装型ＬＥＤ
をノズルと共に移動させ発光装置から取り除いた。真空
装置を一時的に停止させ点灯しない表面実装型ＬＥＤを
ダストポケットに落とした後、再び真空装置を駆動させ
別に用意された新しい表面実装型ＬＥＤをノズルに吸着
させた。
【００４１】コンピュータに記憶させてある記憶データ
に基づき、先に取り除いた表面実装型ＬＥＤの除去箇所
に半田ペーストを塗布すると共に新しい表面実装型ＬＥ
Ｄを再配置させた。再配置後、真空装置を停止させ光照
射手段を上昇させ再びスポット径を表面実装型ＬＥＤの
外形とほぼ同じ約２ｍｍの位置に配置させた。再び表面
実装ＬＥＤ上からハロゲンランプを照射させ基板上に半
田づけした。この動作を図６のフローチャート図の如き
繰り返した。
【００４２】こうして補修された発光装置を点灯させた
ところ全て発光可能な発光装置となっていることが確認
された。また、取り除かれた表面実装型は全て点灯しな
い或いは所定の光度に達していないものであった。再び
形成された発光装置を調べたところ、いずれの表面実装
型ＬＥＤ表面は損傷してはなく、位置ずれの生じたもの
もなかった。
【００４３】（比較例１）本発明の光照射手段の代わり
に同心円形であり内部が真空ポンプと連動されると共に
外部ノズル径が２ｍｍで加熱された熱風が放出可能な装
置を配置させた以外は、実施例１と同様にして駆動させ
た。熱風量を多くすると不要な表面実装型ＬＥＤを吸引
することができなかった。また、取り除く表面実装型Ｌ
ＥＤ以外の半田が溶融され、周辺の表面実装型ＬＥＤ全
体が移動し位置ズレが生じていた。一方、熱風量を少な
くすると取り外し作業に時間がかかり、作業性が低下し
た。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、高密度に搭載された表面実装型ＬＥＤディスプ
レイユニットなどにおいて、発光装置や駆動装置が組み
込まれたＬＥＤユニットを分解することなく不要な表面
実装型ＬＥＤを除去することが可能となる。また、隣接
する表面実装型ＬＥＤに損傷や悪影響を与えることな
く、不要な表面実装型ＬＥＤ単体のみを選択的に作業性
よく取り外すことができる。
【００４５】特に、本発明の請求項３記載の装置によ
り、より効率よく選択的に不要な表面実装型ＬＥＤを選
択的に除去することができる。
【００４６】特に、本発明の請求項４記載の方法とする
ことにより、隣接する表面実装型ＬＥＤに損傷させるこ
となく比較的容易に表面実装型ＬＥＤを再搭載すること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の取り外し装置を示した模式的
斜示図である。
【図２】図２は、表面実装型ＬＥＤをライン状に配置さ
せた発光装置の模式的斜示図である。
【図３】図３は、本発明に用いられる取り外し手段の模
式的断面図であり、図３（Ａ）は真空吸着を示し、図３
（Ｂ）は、機械的チャッキング、図３（Ｃ）は、ゴム吸
盤による取り外し手段を示す。
【図４】図４は、表面実装型ＬＥＤの模式的断面図であ
る。
【図５】図５は、本発明の効果を示すための模式的説明
図である。
【図６】図６は、本発明を駆動例を示すフローチャート
図である。
【符合の説明】
１０１、２０１・・・表面実装型ＬＥＤが配置される基
板 １０２・・・光照射手段 １０３・・・固定手段 １０４・・・移動手段 １０５・・・真空ポンプに接続された配管 １０６・・・光照射手段、移動手段や取り外し手段を制
御可能なコンピュータ １０７、２０７、３０７・・・表面実装型ＬＥＤ ２０８・・・封止樹脂 ２０９・・・半田 ３０１・・・光照射手段の光源となるランプ ３０２・・・レンズ ３０３・・・反射鏡 ３０４・・・反射鏡、ランプ及び凸レンズを保持する光
照射手段の筐体 ３０５、３１５、３２５・・・取り外し手段 ４０１、４１１、４２１・・・ＬＥＤチップ ４０２・・・保護膜 ４０３・・・電極 ４０４・・・半導体膜 ４０５・・・透光性基板 ４１３、４２３・・・外部電極 ４１５、４２５・・・ＬＥＤチップが配置される基板 ４１６、４２６・・・透光性樹脂 ５０１・・・スポット状に絞られた光エネルギー ５０２・・・リペアが必要な表面実装型ＬＥＤ ５０３、５１３・・・表面実装型ＬＥＤを固定してある
半田 ５１１・・・半田ゴテの先端部 ５１２・・・半田により表面が損傷した表面実装型ＬＥ
Ｄ ５２１・・・半田が溶融可能な熱風 ５２２・・・熱風により位置ずれを起こした表面実装型
ＬＥＤ ５２３・・・リペアが必要な表面実装型ＬＥＤを固定し
てある半田

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に表面実装型ＬＥＤを近接して２以
    上配置しそれぞれ半田により固定された発光装置から所
    望の表面実装型ＬＥＤを取り外す方法であって、 基板から取り外す表面実装型ＬＥＤ上にスポット状の光
    エネルギーを照射する工程と、 光エネルギーにより表面実装型ＬＥＤと基板を固定する
    半田を溶融すると共に所望の表面実装型ＬＥＤ単体を選
    択的に取り外す工程と、を有する表面実装型ＬＥＤの取
    り外し方法。
  2. 【請求項２】基板上に表面実装型ＬＥＤを近接して２以
    上配置しそれぞれ半田により固定された発光装置から選
    択的に所望の表面実装型ＬＥＤを取り外す取り外し装置
    であって、 発光装置を固定する固定手段と、前記表面実装型ＬＥＤ
    と基板とを固定する半田が溶融可能な光エネルギーを照
    射する光照射手段と、前記固定手段によって固定された
    発光装置及び／又は光照射手段の少なくとも一方を所望
    の表面実装型ＬＥＤに移動させる移動手段と、前記光照
    射手段により溶融された半田を有する所望の表面実装型
    ＬＥＤ単体を選択的に除去する取り外し手段と、を有す
    ることを特徴とする取り外し装置。
  3. 【請求項３】前記取り外し手段が、表面実装型ＬＥＤを
    吸引する真空吸引手段である請求項２に記載の取り外し
    装置。
  4. 【請求項４】基板上に表面実装型ＬＥＤを近接して２以
    上配置しそれぞれ半田により固定された発光装置から所
    望の表面実装型ＬＥＤを交換する発光装置のリペア方法
    であって、 基板から取り外す表面実装型ＬＥＤ上にスポット状の光
    エネルギーを照射する工程と、 光エネルギーにより表面実装型ＬＥＤと基板を固定する
    半田を溶融させると共に所望の表面実装型ＬＥＤ単体を
    選択的に取り外す工程と、 前記選択的に取り外した表面実装型ＬＥＤ搭載部位に半
    田を供給する工程と、 取り外した表面実装型ＬＥＤ搭載部位に交換用の表面実
    装型ＬＥＤを搭載する工程と、 スポット状の光エネルギーを照射して交換用の表面実装
    型ＬＥＤを半田づけする工程と、を有することを特徴と
    する発光装置のリペア方法。
JP15939097A 1997-06-17 1997-06-17 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法 Pending JPH118338A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15939097A JPH118338A (ja) 1997-06-17 1997-06-17 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15939097A JPH118338A (ja) 1997-06-17 1997-06-17 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH118338A true JPH118338A (ja) 1999-01-12

Family

ID=15692747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15939097A Pending JPH118338A (ja) 1997-06-17 1997-06-17 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH118338A (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001086616A1 (fr) * 2000-05-11 2001-11-15 Iizuka Electric Industry Co., Ltd. Dispositif d'affichage d'images, procede servant a reparer l'ebrechement de ce dispositif, procede servant a fixer un materiau de reparation de l'ebrechement et procede servant a appliquer un materiau de reparation a l'ebrechement
WO2002007132A1 (fr) * 2000-07-18 2002-01-24 Sony Corporation Unite d'affichage d'images et procede de fabrication correspondant
JP2003059555A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Sony Corp 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法
US6830946B2 (en) 2001-02-01 2004-12-14 Sony Corporation Device transfer method and panel
US6872635B2 (en) 2001-04-11 2005-03-29 Sony Corporation Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same
US6939729B2 (en) 2000-12-14 2005-09-06 Sony Corporation Method of transferring a device, a method of producing a device holding substrate, and a device holding substrate
US6943047B2 (en) 2001-08-01 2005-09-13 Sony Corporation Device transferring method, device arraying method, and image display fabrication method using the same
JP2005284305A (ja) * 2005-05-09 2005-10-13 Sony Corp 画像表示装置の製造方法
US6972204B2 (en) 2001-09-06 2005-12-06 Sony Corporation Method of transferring devices, method of arranging devices using the same, and method of manufacturing an image display system
JP2005340803A (ja) * 2005-05-09 2005-12-08 Sony Corp 素子実装基板、不良素子の修復方法及び画像表示装置
US7148127B2 (en) 2001-06-12 2006-12-12 Sony Corporation Device mounting substrate and method of repairing defective device
EP1836723A2 (en) * 2005-01-11 2007-09-26 SemiLEDs Corporation System and methods for producing light emitting diode array
KR100826451B1 (ko) 2006-12-04 2008-04-29 삼성전기주식회사 분리형 기판 및 이를 이용한 발광장치
JP2014179520A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の封止部材の取り外し方法
CN109904086A (zh) * 2017-12-11 2019-06-18 台湾爱司帝科技股份有限公司 半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置
WO2020079915A1 (ja) * 2018-10-15 2020-04-23 株式会社ブイ・テクノロジー キャリアフィルム、ｌｅｄ表示パネルのリペア方法及びｌｅｄ表示パネルのリペア装置
WO2020129487A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2020102616A (ja) * 2018-12-19 2020-07-02 エスティーアイ カンパニー リミテッド Ｌｅｄ基板リペア装備及び方法
CN111556705A (zh) * 2019-02-11 2020-08-18 系统科技公司 不良发光二极管去除装置
CN112222721A (zh) * 2020-09-28 2021-01-15 东莞市盟拓智能科技有限公司 Led返修机及led灯珠更换的方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001086616A1 (fr) * 2000-05-11 2001-11-15 Iizuka Electric Industry Co., Ltd. Dispositif d'affichage d'images, procede servant a reparer l'ebrechement de ce dispositif, procede servant a fixer un materiau de reparation de l'ebrechement et procede servant a appliquer un materiau de reparation a l'ebrechement
WO2002007132A1 (fr) * 2000-07-18 2002-01-24 Sony Corporation Unite d'affichage d'images et procede de fabrication correspondant
US7880184B2 (en) 2000-07-18 2011-02-01 Sony Corporation Image display unit
US6613610B2 (en) 2000-07-18 2003-09-02 Sony Corporation Image display unit and method of producing image display unit
US6939729B2 (en) 2000-12-14 2005-09-06 Sony Corporation Method of transferring a device, a method of producing a device holding substrate, and a device holding substrate
US7233030B2 (en) 2001-02-01 2007-06-19 Sony Corporation Device transfer method and panel
US6921675B2 (en) 2001-02-01 2005-07-26 Sony Corporation Device transfer method and panel
US6830946B2 (en) 2001-02-01 2004-12-14 Sony Corporation Device transfer method and panel
US7195687B2 (en) 2001-04-11 2007-03-27 Sony Corporation Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same
US6872635B2 (en) 2001-04-11 2005-03-29 Sony Corporation Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same
US8101432B2 (en) 2001-06-12 2012-01-24 Sony Corporation Method of repairing an image display unit
US7148127B2 (en) 2001-06-12 2006-12-12 Sony Corporation Device mounting substrate and method of repairing defective device
US6943047B2 (en) 2001-08-01 2005-09-13 Sony Corporation Device transferring method, device arraying method, and image display fabrication method using the same
JP4631232B2 (ja) * 2001-08-20 2011-02-16 ソニー株式会社 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法
JP2003059555A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Sony Corp 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法
US6972204B2 (en) 2001-09-06 2005-12-06 Sony Corporation Method of transferring devices, method of arranging devices using the same, and method of manufacturing an image display system
EP1836723A2 (en) * 2005-01-11 2007-09-26 SemiLEDs Corporation System and methods for producing light emitting diode array
EP1836723A4 (en) * 2005-01-11 2013-05-15 Semileds Corp SYSTEM AND METHODS FOR PRODUCING LIGHT EMITTING DIODE MOSAIC
JP2005340803A (ja) * 2005-05-09 2005-12-08 Sony Corp 素子実装基板、不良素子の修復方法及び画像表示装置
JP2005284305A (ja) * 2005-05-09 2005-10-13 Sony Corp 画像表示装置の製造方法
KR100826451B1 (ko) 2006-12-04 2008-04-29 삼성전기주식회사 분리형 기판 및 이를 이용한 발광장치
JP2014179520A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の封止部材の取り外し方法
CN109904086A (zh) * 2017-12-11 2019-06-18 台湾爱司帝科技股份有限公司 半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置
WO2020079915A1 (ja) * 2018-10-15 2020-04-23 株式会社ブイ・テクノロジー キャリアフィルム、ｌｅｄ表示パネルのリペア方法及びｌｅｄ表示パネルのリペア装置
JP2020102616A (ja) * 2018-12-19 2020-07-02 エスティーアイ カンパニー リミテッド Ｌｅｄ基板リペア装備及び方法
WO2020129487A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
CN111556705A (zh) * 2019-02-11 2020-08-18 系统科技公司 不良发光二极管去除装置
JP2020129658A (ja) * 2019-02-11 2020-08-27 エスティーアイ カンパニー リミテッド 不良ｌｅｄ除去装置
CN112222721A (zh) * 2020-09-28 2021-01-15 东莞市盟拓智能科技有限公司 Led返修机及led灯珠更换的方法
CN112222721B (zh) * 2020-09-28 2022-07-12 东莞市盟拓智能科技有限公司 Led返修机及led灯珠更换的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH118338A (ja) 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法
US20230142465A1 (en) Led assembly with omnidirectional light field
US7622743B2 (en) Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
TWI602322B (zh) 發光二極體組件及製作方法
JP3783572B2 (ja) 発光装置
JP5842813B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
WO2002007132A1 (fr) Unite d'affichage d'images et procede de fabrication correspondant
JP2005252222A (ja) 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法
JP2011071242A (ja) 発光装置及び照明装置
JP6131555B2 (ja) 発光装置の封止部材の取り外し方法および封止部材を取り外すことが可能な発光装置
JP4403434B2 (ja) 画像表示装置
JP2014130959A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP4403422B2 (ja) 画像表示装置の製造方法
JP4055817B2 (ja) 画像表示装置
KR100645657B1 (ko) 플립칩 인쇄회로기판 및 플립칩 인쇄회로기판을 구비한백색 발광 다이오드 모듈
JP5346909B2 (ja) 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子
JP2008227176A (ja) 発光装置およびその製造方法
KR102503855B1 (ko) 매트릭스 배열 마이크로 칩 모듈 및 그 제조방법
US7053421B2 (en) Light-emitting diode
US20240072033A1 (en) Bonding and transferring method for die package structures
CN214203161U (zh) 显示面板、显示装置及发光元件修复装置
CN214203726U (zh) 显示面板以及发光元件平坦接合装置
KR101937196B1 (ko) 엘이디 전구용 엘이디 모듈, 엘이디 모듈 어레이 및 그 제조방법
US8882312B2 (en) Light emitting device with light emitting diodes fixed to printed circuit
KR20230107347A (ko) Led 브라켓, 발광 유닛 및 발광 어셈블리