JP2005340803A - 素子実装基板、不良素子の修復方法及び画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に配線と電気的に接続する素子52が実装されて後、不良素子を検出し、この不良素子に対応した位置にリペア素子を不良素子を取り外すことなく、実装することによって修復効果を得る。
【選択図】 図1
Description
特許文献1では基板上に密に形成した素子が粗に配置し直される転写方法が開示されており、接着剤付きの伸縮性基板に素子を転写した後、各素子の間隔と位置をモニターしながら伸縮性基板がX方向とY方向に伸張される。そして伸張された基板上の各素子が所要のディスプレイパネル上に転写される。また、特許文献2に記載される技術では、第1の基板上の液晶表示部を構成する薄膜トランジスタが第2の基板上に全体転写され、次にその第2の基板から選択的に画素ピッチに対応する第3の基板に転写する技術が開示されている。
さらに、図10に示すように、酸素プラズマ(O2プラズマ)により表面を清浄化し、ダイシングにより接着剤45をダイシング溝47によって切断し、発光ダイオード42毎にダイシングした後、発光ダイオード42の選択分離を行なう。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、20μm以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用いたレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤45で覆われた発光ダイオード42の大きさに依存するが、一例として、エキシマレーザにて溝加工を行い、チップの形状を形成する。
図39に、不良樹脂形成チップ92上にリペア用樹脂形成チップ103を載置することにより修復した状態(断面)を示す。以上に示したように、リペアを想定した樹脂形成チップの配置姿勢、及び配線形状を形成することにより、実装済みの樹脂形成チップの取り外しなどの工程を経ることなく、配線の一部切断及びリペアチップの載置、固定という簡便な工程によって樹脂形成チップに起因する不良画素のリペアを実行することができる。
78a,78b,105a,105b電極ランド
84 駆動トランジスタ
92 樹脂形成チップ
94,105 発光ダイオード
101,102 引き出し配線
Claims (17)
- 基板上に素子が配線と電気的に接続された状態で配列されてなる素子実装基板において、上記素子のうち不良素子に対応した位置にリペア素子が実装されていることを特徴とする素子実装基板。
- 上記不良素子に接続された配線が切断されていることを特徴とする請求項1記載の素子実装基板。
- 上記各素子及びリペア素子は、樹脂に埋め込まれて素子チップとされていることを特徴とする請求項1記載の素子実装基板。
- 上記素子チップには、上記配線と接続するための複数の電極が形成されていることを特徴とする請求項3記載の素子実装基板。
- 上記素子チップは、略対称となる位置に複数の電極が形成されていることを特徴とする請求項4記載の素子実装基板。
- 上記電極の数が2であり、これら2つの電極が点対称となる位置に形成されていることを特徴とする請求項5記載の素子実装基板。
- 上記素子チップの電極形成面が略対称形状とされていることを特徴とする請求項3記載の素子実装基板。
- 上記素子チップの電極形成面が略正方形であることを特徴とする請求項7記載の素子実装基板。
- 上記複数の電極は、上記素子チップの電極形成面の対角線上に中心点から略等しい距離となるように形成されていることを特徴とする請求項8記載の素子実装基板。
- 上記リペア素子が樹脂に埋め込まれた素子チップにおいては、上記複数の電極が同一面上に形成されていることを特徴とする請求項4記載の素子実装基板。
- 上記素子チップに形成された電極と接続される配線は、その配線長が最短の経路を経て接続される場合よりも長くなるように形成されていることを特徴とする請求項4記載の素子実装基板。
- 基板上に素子を配列し、駆動回路と接続された配線と電気的に接続することにより実装した後、不良素子を検出し、当該不良素子に対応した位置にリペア素子を実装することを特徴とする不良素子の修復方法。
- 上記不良素子に接続される配線を切断した後、当該配線の切断位置よりも駆動回路側の位置に上記リペア素子を電気的に接続することを特徴とする請求項12記載の不良素子の修復方法。
- 基板上に発光素子が配線と電気的に接続された状態でマトリクス状に配列され、各発光素子が画素を構成してなる画像表示装置において、上記発光素子のうち不良発光素子に対応した位置にリペアの発光素子が実装されていることを特徴とする画像表示装置。
- 上記不良発光素子に接続された配線が切断されていることを特徴とする請求項14記載の画像表示装置。
- 上記不良発光素子に重ねて上記リペアの発光素子が配置されていることを特徴とする請求項14記載の画像表示装置。
- 上記各発光素子及びリペアの発光素子は、樹脂に埋め込まれて素子チップとされていることを特徴とする請求項14記載の画像表示装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017164484A1 (ko) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 한국광기술원 | Led 구조체와 전사체 및 이를 이용한 전사방법 |
KR20190122916A (ko) * | 2014-08-26 | 2019-10-30 | 엑스-셀레프린트 리미티드 | 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들 |
JP2020086153A (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
WO2020110715A1 (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
CN111668205A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-09-15 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
JP2021064004A (ja) * | 2014-06-18 | 2021-04-22 | エックス ディスプレイ カンパニー テクノロジー リミテッド | マイクロ組立ledディスプレイ |
CN116203758A (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 乐金显示有限公司 | 背光单元以及包括背光单元的显示装置 |
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4967251B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | 画像表示装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617385A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of display device |
JPH118338A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型ledの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法 |
JPH11307878A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Sharp Corp | 光入出力素子アレイ装置の製造法 |
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2005
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617385A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of display device |
JPH118338A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型ledの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法 |
JPH11307878A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Sharp Corp | 光入出力素子アレイ装置の製造法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021064004A (ja) * | 2014-06-18 | 2021-04-22 | エックス ディスプレイ カンパニー テクノロジー リミテッド | マイクロ組立ledディスプレイ |
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KR102275615B1 (ko) | 2014-08-26 | 2021-07-09 | 엑스-셀레프린트 리미티드 | 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들 |
CN107851685A (zh) * | 2016-03-23 | 2018-03-27 | 韩国光技术院 | 发光二极管结构体、转印组件及使用转印组件的转印方法 |
WO2017164484A1 (ko) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 한국광기술원 | Led 구조체와 전사체 및 이를 이용한 전사방법 |
WO2020110714A1 (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
JP2020086154A (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
WO2020110715A1 (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
JP2020086153A (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
JP7106435B2 (ja) | 2018-11-27 | 2022-07-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
JP7146595B2 (ja) | 2018-11-27 | 2022-10-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び基板 |
CN111668205A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-09-15 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
CN111668205B (zh) * | 2020-01-20 | 2022-02-25 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
CN116203758A (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 乐金显示有限公司 | 背光单元以及包括背光单元的显示装置 |
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