TWI773279B - 顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種顯示面板，包含基板、保護層、電極組、發光元件以及導熱絕緣層。基板包含第一面，保護層設於基板的第一面。電極組設於基板的第一面與保護層上，其中電極組包含第一電極與第二電極，且第一電極與第二電極彼此相互隔開。發光元件，包含第一接墊與第二接墊，發光元件的第一接墊與第二接墊分別電連接於電極組的第一電極與第二電極。藉由導熱絕緣層接觸電極組的第一電極與第二電極，以達成將發光元件鍵結至電極組並提升良率。

Description

顯示面板
本揭露是有關於一種顯示面板。
目前針對發光二極體(light-emitting diode，LED)的鍵結(或稱接合，bonding)技術主要為熱壓，但因為熱壓需要高平整度，造成量產良率較低。尤其是當發光二極體的體積越小時，量產良率就越低。為解決良率問題，鍵結技術漸漸從熱壓鍵結轉為雷射鍵結。
為提高整體發光二極體以雷射鍵結的數量，會同時將多個發光二極體一起雷射鍵結。然而，若使用同一參數的雷射進行鍵結，由於發出不同顏色的發光二極體的材質與結構並不相同，將導致鍵結產生差異，降低整體良率。有鑒於此，現有技術實有待改善的必要。
本揭露之一些實施方式提供了一種顯示面板，包含基板、保護層、電極組、發光元件以及導熱絕緣層。基板包含第一面，保護層設於基板的第一面。電極組設於基板的第一面與保護層上，其中電極組包含第一電極與第二電極，且第一電極與第二電極彼此相互隔開。發光元件，包含第一接墊與第二接墊，發光元件的第一接墊與第二接墊分別電連接於電極組的第一電極與第二電極。導熱絕緣層，接觸電極組的第一電極與第二電極。
在一些實施方式中，第一電極包含第一結合區設於保護層上，以及第一導熱區與第一結合區相鄰接，並設於保護層上。第二電極包含第二結合區設於保護層上，以及第二導熱區與第二結合區相鄰接，並設於保護層上。其中垂直投影於基板時，第一導熱區、第二導熱區與發光元件彼此相互隔開。
在一些實施方式中，導熱絕緣層設於保護層相反於基板之一側，且完全覆蓋第一電極的第一導熱區與第二電極的第二導熱區，其中垂直投影於基板時，導熱絕緣層環設於發光元件。
在一些實施方式中，導熱絕緣層設於保護層相反於基板之一側。
在一些實施方式中，垂直投影於基板時，導熱絕緣層環設於發光元件。
在一些實施方式中，垂直投影於基板時，導熱絕緣層與第一電極重疊的第一導熱區、以及導熱絕緣層與第二電極重疊的第二導熱區位於發光元件的同一側。
在一些實施方式中，第一電極更包含第一延伸部，第一延伸部從第一導熱區朝第一預定方向延伸。第二電極更包含第二延伸部，第二延伸部從第二導熱區朝第二預定方向延伸，第一預定方向與第二預定方向皆在同一平面且交會於交會處，第一延伸部與第二延伸部彼此相互隔開。導熱絕緣層設於交會處，並覆蓋第一延伸部與第二延伸部。
在一些實施方式中，導熱絕緣層上定義雷射加熱區，垂直投影於基板時，雷射加熱區鄰近於第一電極與第二電極的同一側，雷射加熱區的形心與第一電極的形心之間的距離、以及雷射加熱區的形心與第二電極的形心之間的距離相等。
在一些實施方式中，顯示面板更包含加熱頭設於雷射加熱區，加熱頭提供熱源。
在一些實施方式中，導熱絕緣層上定義雷射加熱區，垂直投影於基板時，雷射加熱區的形心與第一電極的形心之間的距離、以及雷射加熱區的形心與第二電極的形心之間的距離相等。
在一些實施方式中，顯示面板更包含加熱頭設於雷射加熱區，加熱頭提供熱源。
在一些實施方式中，電極組的數量為多個，分別設於基板的第一面與保護層上，各第一電極彼此相互隔開設置，且各第二電極彼此相互隔開設置。發光元件的數量為多個，各發光元件的第一接墊與第二接墊分別電連接於各電極組的第一電極與第二電極。導熱絕緣層，與至少兩個相鄰的發光元件電連接的第一電極及第二電極相連。
在一些實施方式中，導熱絕緣層覆蓋於，與相鄰的發光元件電連接的第一電極及第二電極的同一側。
在一些實施方式中，導熱絕緣層設於基板與保護層之間。
在一些實施方式中，設於導熱絕緣層上方的保護層的材質為低反射材質包含矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物或者其組合。
在一些實施方式中，基板更包含第二面，第二面與第一面相對設置。
在一些實施方式中，導熱絕緣層包含層體設置於基板的第二面下，以及兩柱體貫穿基板與保護層，且柱體分別與第一電極及第二電極接觸。
在一些實施方式中，基板包含電晶體，電晶體與發光元件相連。
在一些實施方式中，以基板為最底層，在與基板垂直的剖面上，導熱絕緣層的上表面位置低於發光元件下表面。
在一些實施方式中，設於導熱絕緣層下方的保護層的材質為高反射材質包含矽、鍺或其組合。
在一些實施方式中，導熱絕緣層的材質為抗反射材質包括類鑽碳、陶瓷材料、或其組合。
在一些實施方式中，發光元件為發光二極體晶片。
本揭露之一些實施方式另提供了一種顯示面板，包含基板、保護層、複數電極組、複數發光元件以及複數導熱絕緣層。基板包含第一面，保護層設於基板的第一面。複數電極組分別設於基板的第一面與保護層上，各電極組之間彼此相互隔開，其中各電極組包含第一電極與第二電極，且第一電極與第二電極彼此相互隔開。各發光元件包含第一接墊與第二接墊，各發光元件的第一接墊與第二接墊分別電連接於各電極組的第一電極與第二電極。各導熱絕緣層與至少兩個相鄰的電極組的第一電極及第二電極接觸，且各導熱絕緣層彼此相互隔開。
在一些實施方式中，各導熱絕緣層覆蓋於，與相鄰的發光元件電連接的第一電極及第二電極的同一側。
在一些實施方式中，各導熱絕緣層設於基板與保護層之間。
在一些實施方式中，基板更包含第二面，第二面與第一面相對設置。各導熱絕緣層包含層體設置於基板的第二面，以及兩柱體貫穿基板與保護層，且柱體分別與第一電極及第二電極接觸。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
請參閱第1圖及第2圖，第1圖繪示本揭露之一些實施方式之顯示面板的俯視圖，第2圖繪示第1圖沿2-2剖面線的剖面圖。顯示面板10包括基板100、保護層200、電極組300、發光元件400、以及導熱絕緣層500。
基板100包括第一面102及相對於第一面102的第二面104。在一些實施例中，基板100包括基底110、閘極絕緣層120 (gate insulator，GI)、層間絕緣層130 (interlayer dielectric layer，ILD)以及主動元件140。在一些實施例中，主動元件140配置於基底110上，且主動元件140包括閘極142、源極144、汲極146以及通道層148，但不以此為限。在一些實施例中，基板100包括由下而上依序設置基底110、閘極絕緣層120以及層間絕緣層130，閘極142設置於閘極絕緣層120上，且由層間絕緣層130所包埋。源極144與汲極146分隔地設置在層間絕緣層130上，且由保護層200所覆蓋。通道層148設置於基底110上並由閘極絕緣層120所覆蓋，源極144與汲極146分別與通道層148電性相連接。
在一些實施例中，基底110的材質可以包括半導體元素諸如鍺(Ge)或者化合物半導體諸如碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)和磷化銦（InP)，例如玻璃。閘極絕緣層120的材質可以包括矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、氧化物/氮化物/氧化物(ONO)和具有比矽氧化物的介電常數高的高k電介質材料。層間絕緣層130的材質可以包括矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物或者其組合。通道層148的材質可以包括非晶矽(amorphous silicon，a-Si)。
保護層200設於基板100的第一面102。在一些實施例中，設置在導熱絕緣層500下的保護層200為高反射材質(即，低吸收材質)，例如矽、鍺或其組合。再者，若保護層200對紅外線雷射波長為1064奈米屬於低吸收材質，則保護層200的厚度不須特別限制。在另一些實施例中，設置在導熱絕緣層500上的保護層200為低反射材質，例如矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物或者其組合。
電極組300設於基板100的第一面102與保護層200上，其中電極組300包括第一電極310、第二電極320，且第一電極310與第二電極320彼此相互隔開。換言之，第一電極310與第二電極320彼此不相連。在一些實施例中，第一電極310包括第一結合區312、第一導電柱313以及第一導熱區314，第一結合區312設於保護層200上；第一導電柱313的一端與基板100的第一面102相連、另一端與第一結合區312相連；第一導熱區314與第一結合區312相鄰接，並設於保護層200上。在一些實施例中，第二電極320包括第二結合區322、第二導電柱323以及第二導熱區324，第二結合區322設於保護層200上；第二導電柱323的一端與基板100的第一面102相連、另一端與第二結合區322相連；第二導熱區324與第二結合區322相鄰接，並設於保護層200上。其中垂直投影於基板100時，第一導熱區314、第二導熱區324與發光元件400彼此相互隔開(亦即不重疊)。在一些實施例中，電極組300的材質可以包括銅、錫、金、銀、鎳、其合金、或其他金屬合金。在一些實施例中，第二電極320與汲極146電性相連接。
發光元件400包括第一接墊410、第二接墊420與本體430，第一接墊410與第二接墊420 (或稱第一接腳、第二接腳)設置於本體430下。發光元件400的第一接墊410與第二接墊420分別電連接於電極組300的第一電極310與第二電極320。在一些實施例中，發光元件400的第一接墊410與第二接墊420透過焊料S或導電膠分別與於電極組300的第一電極310與第二電極320電連接，其中焊料S包括錫等，導電膠包括銀膠、異方性導電膠或類似物。在一些實施例中，發光元件400可以包括發光二極體晶片，例如是次毫米發光二極體(mini LED)晶片或微型發光二極體(micro LED)晶片。
於導熱絕緣層500設於保護層200相反於基板100之一側，且完全覆蓋第一電極310的第一導熱區314與第二電極320的第二導熱區324，以利於熱能傳導。具體而言，垂直投影於基板100時，導熱絕緣層500環設於發光元件400，但是會避開發光元件400的第一接墊410與第二接墊420 (或是導熱絕緣層500與發光元件400之間具有空隙、保留些許距離不緊貼)，以使發光元件400在鍵結時易於對準第一電極310的第一結合區312與第二電極320的第二結合區322，避免對不準而鍵結至導熱絕緣層500；或是，以使發光元件400在要拔起修復時，不會破壞第一接墊410與第二接墊420。
在一些實施例中，導熱絕緣層500的材質可以包括陶瓷材料、類鑽碳(diamond-like carbon，DLC)、或其組合。在一些實施例中，導熱絕緣層500為全覆蓋第一電極310與第二電極320時(仍會避開發光元件400的第一接墊410與第二接墊420)，且材質為黑色如類鑽碳，以增加雷射熱傳導、同時光學上具抗反射。此外，由於周邊呈現深色的導熱絕緣層500，使位於第一接墊410與第二接墊420上的焊料S或導電膠在環境光下較明顯、色彩對比高，更易於發光元件400對位。
在一些實施例中，設置在導熱絕緣層500下的保護層200為高反射材質，例如矽、鍺或其組合。當雷射加熱於導熱絕緣層500時，於導熱絕緣層500的熱能進一步傳遞至第一電極310的第一導熱區314與第二電極320的第二導熱區324，接著再分別傳遞至第一結合區312與第二結合區322，最後再導入第一結合區312與第一接墊410之間、第二結合區322與第二接墊420之間的焊料S而進行焊接。藉由導熱絕緣層500與高反射材質的保護層200，當雷射加熱於導熱絕緣層500時，高反射材質的保護層200能將熱能反射回第一結合區312、第二結合區322及導熱絕緣層500，以減少熱能往下傳遞至基板100而避免損傷，如避免主動元件140的損傷、或基板100遇高熱產生形變。
在一些實施例中，於剖面下，導熱絕緣層500的高度低於發光元件400的本體430所在的位置，以提升鍵結的良率。詳細而言，導熱絕緣層500的上表面502位置低於發光元件400的下表面402。
在一些實施例中，導熱絕緣層500定義出雷射加熱區510，雷射加熱區510的形心512與第一電極310的形心311之間的距離L1，及雷射加熱區510的形心512與第二電極320的形心321之間的距離L2相等，使第一電極310的第一結合區312與第一接墊410之間的焊料S、以及第二電極320的第二結合區322與第二接墊420之間的焊料S能均勻受熱而達成焊接。在另一些實施例中，除了距離L1與距離L2相同之外，同時導熱絕緣層500覆蓋第一電極310與第二電極320的面積相同，將使位於第一結合區312與第二結合區322的焊料S能均勻受熱，而提高焊接良率。本文中，「形心」是指n維空間中一個對象K的幾何中心或形心，是將對象K分成矩相等的兩部分的所有超平面的交點。如果一個物件質量分布平均，形心即是重心。
在一些實施例中，使用紅外線雷射(例如，波長為1064奈米)施打於雷射加熱區510，將熱能經由導熱絕緣層500傳導至第一電極310的第一結合區312與第一接墊410之間的焊料S、以及第二電極320的第二結合區322與第二接墊420之間的焊料S，而達成焊接。
在一些實施例中，當雷射製程完成後(即，發光元件400經由導熱絕緣層500焊接於電極組300後)，為了保護與光學目的會全面以光學膠(OCA)覆蓋發光元件400與導熱絕緣層500 (圖未示)。光學膠除了覆蓋發光元件400的出光面外(例如，本體430的上表面)，也會部分或完全填入發光元件400下方空間。例如本體430下方、保護層200上方、第一接墊410與第二接墊420之間所形成的空間。
請同時參閱第2圖及第3圖，第3圖繪示本揭露之一些實施方式之熱導熱絕緣層環設發光元件且局部覆蓋電極組之顯示面板的俯視圖。第3圖之一些實施方式與第1圖之一些實施方式的差異在於，垂直投影於基板100時，導熱絕緣層500環設於發光元件400並裸露部分第一電極310與第二電極320。具體而言，導熱絕緣層500並非完全覆蓋第一電極310與第二電極320，而是裸露第一電極310的部分第一導熱區314、與第二電極320的部分第二導熱區324，以使發光元件400在鍵結或要拔起修復時，保留施作距離以利施作。
請同時參閱第2圖及第4圖，第4圖繪示本揭露之一些實施方式之熱導熱絕緣層局部覆蓋電極組位於發光元件同一側之顯示面板的俯視圖。第4圖之一些實施方式與第3圖之一些實施方式的差異在於，垂直投影於基板100時，導熱絕緣層500與第一電極310重疊的第一導熱區314以及導熱絕緣層500與第二電極320重疊的第二導熱區324位於發光元件400的同一側。具體而言，第一導熱區314的左下角與第二導熱區324的右下角被導熱絕緣層500覆蓋，藉由小面積導熱絕緣層500的覆蓋，足以使熱能藉由導熱絕緣層500傳遞至第一電極310與第二電極320而完成焊接作業。
再者，雷射加熱區510鄰近於第一電極310與第二電極320的同一側，例如位於第一電極310與第二電極320的下方側，雷射加熱區510的形心512與第一電極310的形心311之間的距離L1，及雷射加熱區510的形心512與第二電極320的形心321之間的距離L2相等，使焊料S能均勻受熱而達成焊接。
請同時參閱第2圖及第5圖，第5圖繪示本揭露之一些實施方式之具第一及第二延伸部之顯示面板的俯視圖。第5圖之一些實施方式與第4圖之一些實施方式的差異在於，第一電極310更包含第一延伸部316，第一延伸部316從第一導熱區314朝第一預定方向D1延伸；第二電極320更包含第二延伸部326，第二延伸部326從第二導熱區324朝第二預定方向D2延伸，第一預定方向D1與第二預定方向D2皆在同一平面且交會於交會處，第一延伸部316與第二延伸部326相互隔開且不相連；導熱絕緣層500設於交會處，並覆蓋第一延伸部316與第二延伸部326。藉由第一延伸部316與第二延伸部326，使雷射加熱區510可以遠離發光元件400處進行加熱、或避開導熱絕緣層500下方的基板100中的主動元件140的位置進行加熱，以避免主動元件140的損毀。此外，第一延伸部316與第二延伸部326的方向性為例示，可依需求做不同方向的調整。
請參閱第1圖及第6圖，第6圖繪示本揭露之一些實施方式之直接接觸加熱導熱絕緣層之顯示面板的剖面圖。第6圖之一些實施方式與第2圖之一些實施方式的差異在於，顯示面板10更包含加熱頭600設於雷射加熱區510，加熱頭600提供熱源。具體而言，加熱頭600如探針式焊頭直接接觸於雷射加熱區510，將熱能經由導熱絕緣層500傳導至第一電極310的第一結合區312與第一接墊410之間的焊料S、以及第二電極320的第二結合區322與第二接墊420之間的焊料S，而達成焊接。其他如第1圖的實施方式、第3圖的實施方式、第4圖的實施方式、或第5圖的實施方式亦可將雷射施打於雷射加熱區510的方式，轉換為以加熱頭600直接接觸於雷射加熱區510的方式進行加熱。
請參閱第6圖與第7圖，第7圖繪示本揭露之一些實施方式之多個發光元件與多個電極組之顯示面板的俯視圖。第7圖之一些實施方式與第1圖之一些實施方式的差異在於，顯示面板10’中電極組300的數量為多個、發光元件400的數量為多個、導熱絕緣層500與至少兩個相鄰的發光元件400電連接的第一電極310及第二電極320相連，各導熱絕緣層500彼此相互隔開(即，不相連)。具體而言，電極組300分別設於基板100的第一面102與保護層200上，第一電極310彼此相互隔開設置、第二電極320彼此相互隔開設置。發光元件400的第一接墊410與第二接墊420分別電連接於電極組300的第一電極310與第二電極320。三個相鄰的發光元件400(如紅光、綠光及藍光發光二極體)電連接的第一電極310及第二電極320與導熱絕緣層500相連。亦即，導熱絕緣層500覆蓋於，與三個相鄰的發光元件400電連接的第一電極310及第二電極320的同一側。換言之，導熱絕緣層500可將多顆發光二極體串聯，雷射加熱區510為長條狀、雷射光束為長條形，做一次性的雷射加熱，以避開雷射需由發光元件400正上方提供能量，造成不同顏色發光元件400需要不同雷射能量焊接鍵結的缺點，以增加量產可行性與良率。
再者，多個導熱絕緣層500彼此相互隔開(即，不相連)，是指例如：三個相鄰的發光元件400電連接的第一電極310及第二電極320與其中一個導熱絕緣層500相連，另外三個相鄰的發光元件400電連接的第一電極310及第二電極320與另外一個導熱絕緣層500相連，兩個導熱絕緣層500彼此相互隔開不相連。
請參閱第8圖，第8圖繪示本揭露之一些實施方式之導熱絕緣層埋設在基板與絕緣層之間之顯示面板的剖面圖。第8圖之一些實施方式與第2圖之一些實施方式的差異在於，顯示面板10’’中導熱絕緣層500設於基板100與保護層200之間。具體而言，導熱絕緣層500埋設於保護層200中，並與第一電極310與第二電極320接觸，且不與基板100的主動元件140接觸。導熱絕緣層500上的保護層200的材質為低反射材質，包括矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物或者其組合，以使雷射熱能能順利傳遞至導熱絕緣層500。在導熱絕緣層500下的保護層200為高反射材質，例如矽、鍺或其組合，以使導熱絕緣層500的熱能反射回導熱絕緣層500不再往下傳遞至基板100。
請參閱第9圖，第9圖繪示本揭露之一些實施方式之導熱絕緣層設於基板底面之顯示面板的剖面圖。第9圖之一些實施方式與第2圖之一些實施方式的差異在於，顯示面板10’’’中導熱絕緣層500包含層體520與兩柱體530。層體520設置於基板100的第二面104，柱體530貫穿基板100與保護層200，且兩柱體530分別與第一電極310及第二電極320接觸。具體而言，可將導熱絕緣層500形成於基底110的底面，避開雷射需由發光元件400正上方提供能量，以增加量產可行性與良率。製備過程詳細而言，將基板100與保護層200鑽鑿出多個通孔，直到露出第一電極310及第二電極320的下表面。接著將導熱絕緣層500設置於基板100的第二面104，並填滿於通孔中，形成柱體530。
本揭露的一些實施方式中，提供一種顯示面板，藉由導熱絕緣層接觸第一電極與第二電極，使導熱絕緣層能將熱能傳遞至第一電極與第二電極，以達到將發光元件鍵結至電極組的目的，並提升良率。
雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、10’、10’’、10’’’:顯示面板
100:基板
102:第一面
104:第二面
110:基底
120:閘極絕緣層
130:層間絕緣層
140:主動元件
142:閘極
144:源極
146:汲極
148:通道層
200:保護層
300:電極組
310:第一電極
311:形心
312:第一結合區
313:第一導電柱
314:第一導熱區
316:第一延伸部
320:第二電極
321:形心
322:第二結合區
324:第二導熱區
326:第二延伸部
400:發光元件
402:下表面
410:第一接墊
420:第二接墊
430:本體
500:導熱絕緣層
502:上表面
510:雷射加熱區
512:形心
520:層體
530:柱體
600:加熱頭
D1:第一預定方向
D2:第二預定方向
L1:距離
L2:距離
S:焊料
當結合附圖閱讀以下詳細描述時，本揭露的各種態樣將最易於理解。應注意的是，根據行業標準操作規程，各種特徵結構可能並非按比例繪製。事實上，為了論述之清晰性，可以任意地增大或減小各種特徵結構之尺寸。為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖繪示本揭露之一些實施方式之顯示面板的俯視圖。 第2圖繪示第1圖沿2-2剖面線的剖面圖。 第3圖繪示本揭露之一些實施方式之熱導熱絕緣層環設發光元件且局部覆蓋電極組之顯示面板的俯視圖。 第4圖繪示本揭露之一些實施方式之熱導熱絕緣層局部覆蓋電極組位於發光元件同一側之顯示面板的俯視圖。 第5圖繪示本揭露之一些實施方式之具第一及第二延伸部之顯示面板的俯視圖。 第6圖繪示本揭露之一些實施方式之直接接觸加熱導熱絕緣層之顯示面板的剖面圖。 第7圖繪示本揭露之一些實施方式之多個發光元件與多個電極組之顯示面板的俯視圖。 第8圖繪示本揭露之一些實施方式之導熱絕緣層埋設在基板與絕緣層之間之顯示面板的剖面圖。 第9圖繪示本揭露之一些實施方式之導熱絕緣層設於基板底面之顯示面板的剖面圖。
10:顯示面板
100:基板
102:第一面
104:第二面
110:基底
120:閘極絕緣層
130:層間絕緣層
140:主動元件
142:閘極
144:源極
146:汲極
148:通道層
200:保護層
300:電極組
310:第一電極
312:第一結合區
313:第一導電柱
314:第一導熱區
320:第二電極
322:第二結合區
323:第二導電柱
324:第二導熱區
400:發光元件
402:下表面
410:第一接墊
420:第二接墊
430:本體
500:導熱絕緣層
502:上表面
S:焊料

Claims (25)

  1. 一種顯示面板，包含：一基板，包含一第一面；一保護層，設於該基板的該第一面；至少一電極組，設於該基板的該第一面與該保護層上，其中該至少一電極組包含一第一電極與一第二電極，且該第一電極與該第二電極彼此相互隔開；至少一發光元件，包含一第一接墊與一第二接墊，該至少一發光元件的該第一接墊與該第二接墊分別電連接於該至少一電極組的該第一電極與該第二電極；以及至少一導熱絕緣層，設置於該基板且接觸該至少一電極組的該第一電極與該第二電極。
  2. 如請求項1所述之顯示面板，其中該第一電極，包含：一第一結合區，設於該保護層上；以及一第一導熱區，與該第一結合區相鄰接，並設於該保護層上；該第二電極，包含：一第二結合區，設於該保護層上；以及一第二導熱區，與該第二結合區相鄰接，並設於該保護層上，其中垂直投影於該基板時，該第一導熱區、該第二導熱區與該發光元件彼此相互隔開。
  3. 如請求項2所述之顯示面板，其中該至少一導熱絕緣層設於該保護層相反於該基板之一側，且完全覆蓋該第一電極的該第一導熱區與該第二電極的該第二導熱區，其中垂直投影於該基板時，該至少一導熱絕緣層環設於該發光元件。
  4. 如請求項1所述之顯示面板，其中該至少一導熱絕緣層設於該保護層相反於該基板之一側。
  5. 如請求項1所述之顯示面板，其中垂直投影於該基板時，該至少一導熱絕緣層環設於該發光元件。
  6. 如請求項1所述之顯示面板，其中垂直投影於該基板時，該至少一導熱絕緣層與該第一電極重疊的一第一導熱區、以及該導熱絕緣層與該第二電極重疊的一第二導熱區位於該發光元件的同一側。
  7. 如請求項2所述之顯示面板，其中該第一電極更包含一第一延伸部，該第一延伸部從該第一導熱區朝一第一預定方向延伸；該第二電極更包含一第二延伸部，該第二延伸部從該第二導熱區朝一第二預定方向延伸，該第一預定方向與該第 二預定方向皆在同一平面且交會於一交會處，該第一延伸部與該第二延伸部彼此相互隔開；該至少一導熱絕緣層設於該交會處，並覆蓋該第一延伸部與該第二延伸部。
  8. 如請求項1至5中任一項所述之顯示面板，其中該至少一導熱絕緣層上定義一雷射加熱區，垂直投影於該基板時，該雷射加熱區鄰近於該第一電極與該第二電極的同一側，該雷射加熱區的形心與該第一電極的形心之間的距離、以及該雷射加熱區的形心與該第二電極的形心之間的距離相等。
  9. 如請求項8所述之顯示面板，更包含一加熱頭設於該雷射加熱區，該加熱頭提供熱源。
  10. 如請求項6或7所述之顯示面板，其中該至少一導熱絕緣層上定義一雷射加熱區，垂直投影於該基板時，該雷射加熱區的形心與該第一電極的形心之間的距離、以及該雷射加熱區的形心與該第二電極的形心之間的距離相等。
  11. 如請求項10所述之顯示面板，更包含一加熱頭設於該雷射加熱區，該加熱頭提供熱源。
  12. 如請求項1所述之顯示面板，其中該至少一電極組的數量為多個，分別設於該基板的該第一面與該保護層上，各該第一電極彼此相互隔開設置，且各該第二電極彼此相互隔開設置；該至少一發光元件的數量為多個，各該發光元件的該第一接墊與該第二接墊分別電連接於各該電極組的該第一電極與該第二電極；該至少一導熱絕緣層，與至少兩個相鄰的該發光元件電連接的該等第一電極及該等第二電極相連。
  13. 如請求項12所述之顯示面板，其中該至少一導熱絕緣層覆蓋於，與該等相鄰的該發光元件電連接的該等第一電極及該等第二電極的同一側。
  14. 如請求項1所述之顯示面板，其中該至少一導熱絕緣層設於該基板與該保護層之間。
  15. 如請求項14所述之顯示面板，其中設於該至少一導熱絕緣層上方的該保護層的材質為低反射材質包含矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物或者其組合。
  16. 如請求項1所述之顯示面板，其中：該基板更包含一第二面，該第二面與該第一面相對設置； 該至少一導熱絕緣層包含：一層體，設置於該基板的該第二面下；以及兩柱體，貫穿該基板與該保護層，且該等柱體分別與該第一電極及該第二電極接觸。
  17. 如請求項1所述之顯示面板，其中該基板包含一電晶體，該電晶體與該至少一發光元件相連。
  18. 如請求項1所述之顯示面板，其中以該基板為最底層，在與該基板垂直的剖面上，該至少一導熱絕緣層的一上表面位置低於該發光元件的一下表面。
  19. 如請求項1所述之顯示面板，其中設於該至少一導熱絕緣層下方的該保護層的材質為高反射材質包含矽、鍺或其組合。
  20. 如請求項1所述之顯示面板，其中該至少一導熱絕緣層的材質為抗反射材質包括類鑽碳、陶瓷材料、或其組合。
  21. 如請求項1所述之顯示面板，其中該發光元件為發光二極體晶片。
  22. 一種顯示面板，包含： 一基板，包含一第一面；一保護層，設於該基板的該第一面；複數電極組，分別設於該基板的該第一面與該保護層上，各該電極組之間彼此相互隔開，其中各該電極組包含一第一電極與一第二電極，且該第一電極與該第二電極彼此相互隔開；複數發光元件，各該發光元件包含一第一接墊與一第二接墊，各該發光元件的該第一接墊與該第二接墊分別電連接於各該電極組的該第一電極與該第二電極；以及複數導熱絕緣層，各該導熱絕緣層與至少兩個相鄰的該等電極組的該等第一電極及該等第二電極接觸，且各該導熱絕緣層彼此相互隔開。
  23. 如請求項22所述之顯示面板，其中各該導熱絕緣層覆蓋於，與三個相鄰的該發光元件電連接的該等第一電極及該等第二電極的同一側。
  24. 如請求項22所述之顯示面板，其中各該導熱絕緣層設於該基板與該保護層之間。
  25. 如請求項22所述之顯示面板，其中：該基板更包含一第二面，該第二面與該第一面相對設置；各該導熱絕緣層包含： 一層體，設置於該基板的該第二面；以及兩柱體，貫穿該基板與該保護層，且該等柱體分別與該第一電極及該第二電極接觸。
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