TW201426921A - 用於具有接合元件至囊封表面的微電子封裝的結構 - Google Patents

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    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45624—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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    • H01L2224/45599—Material
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Abstract

一種結構可以包含多個接合元件，該些接合元件具有連結至位在第一表面的一第一部分處的導電元件的基底以及遠離基板的末端表面。一介電質囊封元件可以疊置在該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，以便彼此分離該些接合元件。該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該第一表面。該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些末端表面中的至少多個部分所界定。該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積。一些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。

Description

用於具有接合元件至囊封表面的微電子封裝的結構
本發明關於用於微電子封裝的結構。
微電子元件(例如，半導體晶片)通常具備保護該微電子元件並且促成其連接至一較大型電路之其它元件的元件。舉例來說，一半導體晶片通常被提供為一具有對面之前表面與後表面的小型、扁平元件並且在前表面處有接點。該些接點會被電連接至集成形成在該晶片內的許多電子電路元件。此晶片最常被提供在一具有微型電路嵌板的封裝中，該微型電路嵌板稱為基板。該晶片通常被鑲嵌至該基板，該前表面或後表面疊置在該基板的一表面上，而且該基板通常在該基板的一表面處有多個終端。該些終端被電連接至該晶片的接點。該封裝通常還包含特定的遮蓋形狀，疊置該晶片於該晶片之和該基板對面之側。該遮蓋係用以保護該晶片，且於某些情況中用以保護該晶片與該基板之導體元件之間的連接線。此經封裝的晶片可以藉由將該基板之終端連接至一較大型電路嵌板(例如，電路板)上的導體元件(例如，接觸觸墊)而被鑲嵌至該電路嵌板。
於特定的封裝中，該晶片被鑲嵌為使其前表面或後表面疊置在該基板的一上表面上，而終端則被提供在對面的下表面上。一介電材料 的質塊會疊置在該晶片上，且最典型的係，疊置在該晶片與該基板之導體元件之間的連接線上。該介電質質塊可藉由在該晶片周圍鑄造一可流動的介電合成物而形成，俾便該介電合成物遮蓋該晶片以及該基板之頂端表面的全部或一部分。此封裝通常稱為「包覆鑄造(overmolded)」封裝，而該介電質的質塊則稱為「包覆鑄模(overmold)」。包覆鑄造封裝的製造費用節省，且因此被廣泛使用。
於某些應用中會希望彼此置頂堆疊多個晶片封裝，俾便複數個晶片可被提供在該較大型電路嵌板之表面上的相同空間中。另外，可能還希望有大量的輸入/輸出互連線通往該些晶片。特定的包覆鑄造封裝將堆疊接點併入在被該晶片遮蓋的區域外面的基板的頂端表面處，且通常係在被該包覆鑄模遮蓋的區域外面。此些封裝可以互連元件(例如，焊球、細長杆體、焊線、或是其它導體連接線)被堆疊在另一封裝的頂端，該些互連元件延伸在較低封裝的堆疊接點以及該堆疊中旁邊的較高封裝的終端之間。於此排列中，該堆疊中的所有封裝係被電連接至該堆疊底部之封裝上的終端。此外，因為該堆疊中較高封裝的基板座落在旁邊較低封裝中的介電包覆鑄模之上，所以，在該較高封裝的終端和該較低封裝的堆疊接點之間的垂直方向中會有明顯的間隙。該些互連元件必須橋接此間隙。
雖然本技術中已經有人投入龐大的心力於開發可堆疊的封裝以及具有頂端表面鑲嵌觸墊的其它封裝；但是，仍需要進一步的改良。
根據其中一實施例，本發明的一種結構可以包含一基板，其具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件。此 外，該結構還可以包含多個接合元件，它們具有連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件的基底以及遠離該基板與該些基底的多個末端表面，其中，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面。進一步言之，該結構可以包含一介電質囊封元件，其疊置在該基板的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該基板的第一表面並且有一從該第三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定，該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
根據另一實施例，本發明的一種製造結構的方法可以包含於一基板上形成一介電質囊封元件，該基板具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件，其中，多個接合元件在其基底處被連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件，而該些接合元件的末端表面則遠離該基板與該些基底，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面，其中，該介電質囊封元件被形成疊置在該基板的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該基板的第一表面並且有一從該第 三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定，其中，該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
根據另一實施例，本發明的一種結構可以包含一主動式晶粒，其具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件。此外，該結構還可以包含多個接合元件，它們具有連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件的基底以及遠離該晶粒與該些基底的多個末端表面，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面。進一步言之，該結構可以包含一介電質囊封元件，其疊置在該晶粒的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該晶粒的第一表面並且有一從該第三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定。該囊封元件可以至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
根據另一實施例，本發明的一種製造結構的方法可以包含於 在晶圓級所提供的一主動式晶粒上形成一介電質囊封元件。該晶粒可以具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件，其中，多個接合元件可以在其基底處被連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件，而該些接合元件的末端表面則遠離該晶粒與該些基底，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面，其中，該介電質囊封元件被形成疊置在該晶粒的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該晶粒的第一表面並且有一從該第三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定，且其中，該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
10‧‧‧結構
10-1‧‧‧結構
10-2‧‧‧結構
12‧‧‧基板
14‧‧‧第一表面
16‧‧‧第二表面
18‧‧‧導體元件
19‧‧‧線路
20‧‧‧第二導體元件
22‧‧‧通孔
23‧‧‧介電材料層
24‧‧‧接合導線
24’‧‧‧接合導線
24”‧‧‧接合導線
24-1‧‧‧接合導線
24-2(A)‧‧‧接合導線
24-2(B)‧‧‧接合導線
25‧‧‧接觸觸墊
26‧‧‧接觸觸墊
27‧‧‧終端
28‧‧‧基底
28-1‧‧‧基底
28-2‧‧‧基底
29‧‧‧線路
30‧‧‧末端
30-1‧‧‧末端
30-2‧‧‧末端
31‧‧‧終端
32‧‧‧邊緣表面
32’‧‧‧邊緣表面
32”‧‧‧邊緣表面
33‧‧‧線路
34‧‧‧末端表面
34’‧‧‧末端表面
34”‧‧‧末端表面
34-1‧‧‧末端表面
40A‧‧‧囊封元件
40A‧‧‧囊封元件
40B‧‧‧囊封元件
40B‧‧‧囊封元件
42‧‧‧頂端表面
44A‧‧‧第一邊緣表面
44B‧‧‧第一邊緣表面
46A‧‧‧第二邊緣表面
46B‧‧‧第二邊緣表面
50‧‧‧表面14中的一部分
50A‧‧‧表面14中的區域
50B‧‧‧表面14中的區域
52‧‧‧未被囊封的部分
52’‧‧‧未被囊封的部分
52”‧‧‧未被囊封的部分
56‧‧‧頂端邊界
58‧‧‧底部邊界
62‧‧‧分離線
64‧‧‧邊緣
66‧‧‧水平區域
68‧‧‧虛線
112‧‧‧基板
116‧‧‧角度
118‧‧‧彎曲部
124-1‧‧‧接合元件
124-2‧‧‧接合元件
124-3‧‧‧接合元件
124-4‧‧‧接合元件
128-1‧‧‧基底
128-2‧‧‧基底
128-3‧‧‧基底
128-4‧‧‧基底
132-1‧‧‧邊緣表面
132-2‧‧‧邊緣表面
132-3‧‧‧邊緣表面
132-4‧‧‧邊緣表面
134-1‧‧‧末端表面
134-2‧‧‧末端表面
134-3‧‧‧末端表面
134-4‧‧‧末端表面
140A‧‧‧囊封元件
140B‧‧‧囊封元件
142‧‧‧表面
144‧‧‧凹陷表面
152‧‧‧未被囊封的部分
165‧‧‧釘頭凸塊
170‧‧‧焊球
175‧‧‧腔部
205‧‧‧末端
210‧‧‧微電子元件接收區
212‧‧‧微電子元件接收區的底部部分
300A‧‧‧囊封元件
300B‧‧‧囊封元件
300C‧‧‧囊封元件
300D‧‧‧囊封元件
302‧‧‧微電子元件接收區
304‧‧‧上表面
306‧‧‧底部部分
312‧‧‧基板
400‧‧‧結構
400’‧‧‧結構
402A‧‧‧微電子接收區
402B‧‧‧微電子接收區
404‧‧‧表面
406A‧‧‧底部部分
406B‧‧‧底部部分
412‧‧‧基板
414‧‧‧上表面
416‧‧‧表面
424‧‧‧接合元件
434‧‧‧末端表面
440‧‧‧囊封元件
440A‧‧‧囊封子元件
440B‧‧‧囊封子元件
440C‧‧‧囊封子元件
442‧‧‧表面
450‧‧‧囊封元件
452‧‧‧微電子元件接收區
454‧‧‧上表面
454A‧‧‧上表面454的一部分
454B‧‧‧上表面454的一部分
456‧‧‧基板
500‧‧‧結構
522‧‧‧觸墊
524‧‧‧接合元件
532‧‧‧邊緣表面
534‧‧‧末端表面
540‧‧‧囊封元件
550‧‧‧未被囊封的部分
560‧‧‧表面16的一部分
570‧‧‧微電子元件接收區
572‧‧‧底部部分
574‧‧‧表面16的一部分
600‧‧‧封裝組件
600’‧‧‧封裝組件
602‧‧‧微電子元件
604‧‧‧接點
605‧‧‧表面
607‧‧‧表面
609‧‧‧焊料元件
611‧‧‧黏著層
613A‧‧‧邊緣表面
613B‧‧‧邊緣表面
618‧‧‧導體元件
622‧‧‧導線引線
625‧‧‧焊料元件
626‧‧‧介電質塊或包覆鑄模
628‧‧‧頂端表面
628A‧‧‧邊緣表面
628B‧‧‧邊緣表面
630‧‧‧底部表面
654‧‧‧重新分配層
656‧‧‧基板
658‧‧‧線路
660‧‧‧接觸觸墊
661‧‧‧內接觸觸墊
662‧‧‧表面
690‧‧‧外部構件
692‧‧‧表面
700‧‧‧封裝組件
700’‧‧‧封裝組件
702‧‧‧微電子元件
703‧‧‧接點
704‧‧‧介電質塊
706‧‧‧表面
710‧‧‧區域
712‧‧‧底部部分
732‧‧‧微電子元件
735‧‧‧表面
736‧‧‧接點
738‧‧‧導體元件
748‧‧‧介電材料質塊
750‧‧‧表面
752A‧‧‧邊緣表面
752B‧‧‧邊緣表面
754‧‧‧底部表面
755‧‧‧被囊封的微電子元件
790‧‧‧外部構件
792‧‧‧表面
794‧‧‧焊料元件(圖10A & 18)
794‧‧‧表面(圖18)
796‧‧‧焊料元件
800‧‧‧微電子封裝
800’‧‧‧微電子封裝
806‧‧‧基板
808‧‧‧第一表面
810‧‧‧第二表面
812‧‧‧導體元件
814‧‧‧微電子元件
815‧‧‧焊料元件
819‧‧‧邊緣
820‧‧‧介電質塊
822‧‧‧表面
850‧‧‧封裝組件
900‧‧‧系統
901‧‧‧殼體
902‧‧‧第一封裝組件
904‧‧‧第二封裝組件
907‧‧‧電路嵌板
908‧‧‧電子構件
909‧‧‧導體
910‧‧‧電子構件
1010‧‧‧結構
1010-1‧‧‧結構
1012‧‧‧主動式晶粒
1014‧‧‧主動式表面
1014A‧‧‧表面1014的一部分
1014B‧‧‧表面1014的一部分
1016‧‧‧電氣電路系統
1017‧‧‧表面
1017A‧‧‧表面1017的一部分
1017B‧‧‧表面1017的一部分
1018‧‧‧觸墊
1018’‧‧‧觸墊
1020‧‧‧重新分配層
1022‧‧‧線路
1024‧‧‧觸墊
1024’‧‧‧線路
1026‧‧‧基板
1040A‧‧‧囊封元件
1040B‧‧‧囊封元件
1042‧‧‧頂端表面
1044‧‧‧凹陷表面
1044A‧‧‧第一邊緣表面
1044B‧‧‧第一邊緣表面
1045‧‧‧側壁
1046A‧‧‧第二邊緣表面
1046B‧‧‧第二邊緣表面
1050‧‧‧表面1014的一部分
1064‧‧‧周圍邊緣
1070‧‧‧腔部
1124‧‧‧接合元件
1124A‧‧‧接合元件
1128‧‧‧基底
1130A‧‧‧末端表面
1132‧‧‧邊緣表面
1134‧‧‧末端表面
1152‧‧‧未被囊封的部分
1152A‧‧‧未被囊封的部分
1165‧‧‧釘頭凸塊
1170‧‧‧焊料元件
1172‧‧‧表面
1175‧‧‧腔部
1210‧‧‧微電子元件接收區
1212‧‧‧底部部分
1600‧‧‧封裝組件
1602‧‧‧微電子元件
1604‧‧‧接點
1605‧‧‧表面
1607‧‧‧表面
1609‧‧‧焊料元件
1626‧‧‧介電質塊或包覆鑄模
1628‧‧‧表面
1628A‧‧‧邊緣表面
1628B‧‧‧邊緣表面
1630‧‧‧底部表面
1726‧‧‧介電質塊
1728‧‧‧表面
1730‧‧‧表面
1735A‧‧‧邊緣表面
1735B‧‧‧邊緣表面
1800‧‧‧介電質塊
1840A‧‧‧囊封元件的一部分
1840B‧‧‧囊封元件的一部分
1840C‧‧‧囊封元件的一部分
1842‧‧‧表面
1844A‧‧‧邊緣表面的一部分
1844B‧‧‧邊緣表面的一部分
1844C‧‧‧邊緣表面的一部分
1900‧‧‧結構
2000‧‧‧封裝組件
2026A‧‧‧介電質塊
2026B‧‧‧介電質塊
2028A‧‧‧邊緣表面
2028B‧‧‧邊緣表面
2102A‧‧‧微電子元件
2102B‧‧‧微電子元件
2200‧‧‧微電子封裝
2206‧‧‧基板
2208‧‧‧第一表面
2210‧‧‧第二表面
2212‧‧‧導體元件
2214‧‧‧微電子元件
2215‧‧‧焊料元件
2220‧‧‧介電質塊
2222‧‧‧表面
圖1所示的係根據本揭示內容一實施例之使用在製造結構的方法中的基板的剖面圖。
圖2所示的係根據本揭示內容一實施例在製造作業的稍後階段處的基板及相關聯元件的剖面圖。
圖3所示的係根據本揭示內容一實施例，使用圖1至2的基板及相關 聯元件所製成的結構的剖面圖。
圖4A所示的係根據本揭示內容一實施例的示範性結構的剖面圖。
圖4B所示的係在製造作業的稍後階段處的圖4A的結構的剖面圖。
圖4C所示的係根據本揭示內容一實施例的另一示範性結構的剖面圖。
圖4D所示的係在製造作業的稍後階段處的圖4C的結構的剖面圖。
圖5所示的係根據本揭示內容一實施例的另一示範性結構的剖面圖。
圖6所示的係根據本揭示內容一實施例的另一示範性結構的剖面圖。
圖7A所示的係圖3的結構的俯視平面圖。
圖7B至7C所示的係根據本揭示內容的示範性結構的俯視平面圖。
圖7D所示的係圖5的結構的俯視平面圖。
圖7E所示的係根據本揭示內容的示範性結構的俯視平面圖。
圖8所示的係根據本揭示內容之包含圖3的結構的示範性封裝組件的剖面圖。
圖9所示的係根據本揭示內容之包含圖3的結構的另一示範性封裝組件的剖面圖。
圖10A所示的係根據本揭示內容之包含圖3的結構的另一示範性封裝組件的剖面圖。
圖10B所示的係根據本揭示內容之包含圖3的結構的另一示範性封裝組件的剖面圖。
圖11所示的係圖10A的封裝組件的仰視平面圖。
圖12所示的係根據本揭示內容之包含圖5的結構的示範性封裝組件的剖面圖。
圖13所示的係根據本揭示內容的一系統的示意圖。
圖14所示的係根據本揭示內容一實施例在製造結構的一階段處的主動式晶粒及相關聯元件的剖面圖。
圖15所示的係根據本揭示內容一實施例，使用圖14的晶粒及相關聯元件製成的結構的剖面圖。
圖16A所示的係根據本揭示內容一實施例，包含一主動式晶粒的示範性結構的剖面圖。
圖16B所示的係在製造作業的稍後階段處的圖16A的結構的剖面圖。
圖16C所示的係根據本揭示內容一實施例，包含一主動式晶粒的另一示範性結構的剖面圖。
圖16D所示的係在製造作業的稍後階段處的圖16C的結構的剖面圖。
圖17所示的係根據本揭示內容，包含圖15的結構的示範性封裝組件的剖面圖。
圖18所示的係根據本揭示內容，包含圖15的結構的示範性封裝組件的剖面圖。
圖19所示的係根據本揭示內容，包含圖15的結構的示範性封裝組件的剖面圖。
圖20所示的係根據本揭示內容，包含一結構的示範性封裝組件的剖面圖。
圖21所示的係根據本揭示內容，包含一結構的示範性封裝組件的剖面圖。
根據本揭示內容一實施例的一種結構10(參見圖3)可以包含一基板12(參見圖1)，其具有一第一表面14與一第二表面16。基板12通常為一介電元件的形式，實質上為扁平。該介電元件可以為類薄板而且細薄。於特殊的實施例中，該介電元件可以包含由有機介電材料或合成介電材料製成的一或更多層23，例如，但是並不受限於：聚亞醯胺、聚四氟乙烯(PTFE)、環氧樹脂、環氧樹脂-玻璃、FR-4、BT樹脂、熱塑性或熱固性塑膠材料。第一表面14與第二表面16較佳的係實質上彼此平行並且分隔垂直於該些表面14與16的某個距離而界定基板12的厚度。基板12的厚度較佳的係在本申請案之大體上可接受的厚度範圍內。於一實施例中，第一表面14與第二表面16之間的距離介於約25與500μm之間。為達此討論之目的，第一表面14可被描述為被定位成對面於或是遠離第二表面16。此描述以及關於本文中所使用之元件的垂直或水平位置的元件相對位置的任何其它描述皆僅係為達解釋性之目的以對應於圖式內的元件的位置，而沒有限制的意義。
導電元件18位在基板12的第一表面14處，它們可以包含接點或觸墊、線路或終端。如本揭示內容中的用法，一導電元件「位在」一基板的一表面處的陳述表示當該基板沒有和任何其它元件組裝時，該導電元件可用於接觸一在垂直於該基板之該表面的方向中從該基板外面朝該基板之該表面移動的理論點。因此，位在一基板的一表面處的一終端或是其它導體元件可以凸出於此表面；可以和此表面齊平；或者，可以相對於此表面凹陷於該基板中的一孔洞或凹部中。此外，如本揭示內容中的用法，一導電元件「位在」一電路嵌板、一微電子元件(例如，半導體晶片)、或是 一類似元件的一表面處的陳述表示當該嵌板或是該元件沒有和任何其它元件組裝時，該導電元件可用於接觸一在垂直於該嵌板或元件之該表面的方向從該嵌板或元件外面朝該嵌板或元件之該表面移動的理論點。進一步言之，如本揭示內容中的用法，一線路「沿著」一表面延伸的陳述意謂著該線路靠近該表面延伸並且實質上平行於該表面。
被併入當作導體元件18的線路29可由導體材料被形成為表面14處的扁平、細薄、狹長帶體。於某些實施例中，該些線路可以和被併入當作導體元件18之具有雷同成分的終端27一體成形並且延伸自該些終端27。此外，被併入當作導體元件18之表面14上的接觸觸墊26可以藉由表面14上的線路29來互連。
充當導體元件18的終端、觸墊、或是線路可以藉由眾多已知方法來製作，例如，藉由將該些終端、觸墊、以及線路電鍍在該基板的表面14上。於其中一實施例中，該些線路可以被埋置在該基板的表面中，而該些線路的表面實質上齊平於該基板的表面。於其中一實施例中，該些導體元件18可以由固態金屬材料構成，例如，銅、金、鎳，或是此申請案可接受的其它材料，其包含銅、金、鎳、或是其組合之中一或更多者的各種合金。
至少一部分導體元件18可以和位在基板12的第二表面16處的第二導體元件20互連，第二導體元件20可以包含雷同於針對導體元件18所述的導體觸墊、線路、或是終端。此互連可以利用被形成在基板12之中的通孔22來完成，通孔22有導體金屬襯裡或是填充著導體金屬，該導體金屬可以為和導體元件18及20相同的材料。基板12中的通孔22希望被基 板12的表面14或16處的線路或是基板12內的線路19完全封閉。基板12可以包含複數層介電材料層23，在該些層23的相鄰層之間設置著一層線路19。被併入當作導體元件18的接觸觸墊25以及終端31可以進一步藉由同樣充當導體元件18的表面16上的線路33來互連。
參考圖2，結構10可以進一步包含複數個接合元件24，它們連結表面14的一部分50處的至少部分導體元件18，例如，在其觸墊26上。該部分50可以包含可以包含表面14的一或更多個區域，例如，圖7A中所示的部分50A與50B。接合元件24在其基底28處被連結至觸墊26並且可以延伸至一遠離該些個別基底28且遠離基板12的自由端30。接合元件24的該些末端30的特徵為閒置未被佔用(free)，因為它們沒有被電連接至或者被連結至被電連接至表面14處之導體元件18的微電子元件或者包含結構10的微電子組件內的任何其它導體特徵件，該些其它導體特徵件接著係被連接至此微電子元件。換言之，該些自由端30可用於電子連接(直接連接或者經由焊球或是本文中討論的其它特徵件來間接連接)至位在包含結構10的微電子組件外面的導體特徵件。末端30可以藉由一囊封材料(例如，如下面在伴隨圖3以及4A至4D之說明的內文中所討論般的形成一介電質囊封元件)被固定在一預設位置中或者被連結至或被電連接至另一導體特徵件並不意謂著它們未如本文中所述般的「閒置未被佔用」，只要任何此特徵件沒有被電連接至和其基底連結的表面(例如，表面14或16)處之導體元件連結的微電子元件即可。相反地，如本文中所述，當基底28直接或間接被電連接至被連接在表面14或16處之微電子元件，其便非閒置未被佔用。
如圖2中所示，基底28的形狀可以為實質上圓形，從被界 定在基底28和末端30之間的接合元件24(其可以為接合導線(wire bond))的邊緣表面32處向外延伸。基底28的特殊尺寸及形狀可以依照被用來形成接合導線24的材料的類型、介於該接合導線24和該導體元件18之間的連接線之所希望的長度、或是被用來形成接合導線24的特殊製程而改變。用於製造接合導線24的示範性方法已經在Otremba提申的美國專利案第7,391,121號中以及在美國專利申請公開案第2005/0095835號中說明過，本文以引用的方式將兩案的完整內容併入。於一替代實施例中，該些接合導線24中的一部分可以經由導體元件19以及基板12內的通孔22中的導體材料被連結至基板12之第二表面16處的導體元件20。
接合元件24可以由導體材料製成，例如，銅、金、鎳、焊料、鋁、或是類似物。除此之外，接合元件24亦可由多種材料之組合製成，例如，以一材料(例如，銅或鋁)為核心，於該核心上塗敷一塗料。該塗料可以為第二導體材料，例如，鋁、鎳、或是類似物。或者，該塗料可以為絕緣材料，例如，絕緣護套(insulating jacket)。於一實施例中，被用來形成接合元件24的導線可以有介於約15μm與150μm之間的厚度，也就是，在橫越該導線之長度的維度中。
於其它實施例中，包含使用到楔形接合的實施例在內，接合導線24的厚度可以高達約500μm。一般來說，一接合導線會利用本技術中已知的特殊設備被形成在一導體元件(例如，導體元件26，其為一觸墊或類似物)上。一導線區段的前端會被加熱並且壓頂該導線區段所接合的接收表面，通常會形成一被連結至觸墊26之表面的球形或類球形基底28。用以形成該接合導線的導線區段之所希望的長度係從該接合治具處被拉出，該接 合治具接著會在該所希望的長度處切斷該接合導線。楔形接合(舉例來說，可被用來形成鋁製的接合導線)係一種該導線之受熱部分被拖曳跨過該接收表面的製程，用以形成一大體上平行於該表面的楔形。該楔形接合導線接著可於必要時向上彎折，並且在切斷之前延伸至該所希望的長度或位置。於一特殊的實施例中，被用來形成一接合導線的導線的剖面可以為圓柱形。除此之外，從該治具處送出用以形成一接合導線或楔形接合導線的導線可以有多邊形剖面，例如，矩形或梯形。
接合導線24的自由端30具有一末端表面34。該末端表面34可以在由複數條接合導線24的個別末端表面34所形成的一陣列中形成一接點的至少一部分。
參考圖3，結構10可以進一步包含由介電材料所形成的囊封元件40A與40B。於圖3的實施例中，該些囊封元件40可以被形成在基板12之第一表面14的部分50上方，並且界定一遠離且背向基板12的頂端表面42。元件40的材料會填充接合元件24之間的空間，俾使得該些接合元件24藉由囊封元件40的材料而彼此分離。接合元件24之未被囊封的部分52係由該些接合元件24之末端30的至少一部份來界定，希望係尤其末端表面34來界定，並且舉例來說，不會被表面42處的囊封元件40遮蓋。
於一特殊的實施例中，許多結構的基板被提供為一連續或半連續元件，例如，帶體、捲帶、或是薄板；不過，在圖1至2中，該些個別基板之間沒有任何可見的邊界。於囊封元件40被形成在該些基板上之後，結構10接著會沿著分離線62被切割(參見圖2，其並未在該些個別基板之間顯示任何可見的邊界)，用以產生具有圖3中所示之配置的個別結構 10，且其中，結構10的基板12延伸在對面邊緣64之間。圖1至2僅繪製適合製造複數個結構的一基板薄板的一部分(該些結構可於其基板的一已界定部分上方容納一微電子元件)，如下面的詳細說明。
參考圖3，囊封元件40A與40B可以界定第一邊緣表面44A與44B，分別從相鄰於頂端表面42的頂端邊界56處向下延伸至相鄰於基板12的底部邊界58並且被設置在基板12之邊緣64的內側。進一步參考圖7A，底部邊界58被設置在由該基板之邊緣64所包圍的水平區域66內。於其中一實施例中，第一邊緣表面44A與44B分別以正交的方式延伸自元件40A、40B的表面42以及表面14，而且表面42與14彼此平行，因此，邊界56、58在結構10的厚度方向中會對齊。
於另一實施例中，第一邊緣表面44A與44B中的一或兩者可以在朝向與其對面的另一元件40A或40B的水平方向中從頂端表面42處斜離，相對於該頂端表面42的傾斜小於90度，因此，在朝向該對面元件40的水平方向中，第一邊緣表面44的底部邊界58和該頂端表面42相隔的距離大於該頂端邊界56，雷同於2012年11月12日提申的美國專利申請案第13/674,280號中所述，本文中以引用的方式將其併入。
於其中一實施例中，參考圖7A，該些第一邊緣表面44的形狀可被設計成使得沿著該第一邊緣表面44從基板12處延伸至一恆定垂直距離處的任何筆直線被設置在第一水平方向H1中的恆定位置處。舉例來說，一從該基板處延伸至一恆定垂直距離處的虛線68(圖7A)同樣落在一恆定的水平位置處。於某些實施例中，該些第一邊緣表面44可以實質上為平面。
元件40A與40B進一步可以包含第二邊緣表面46A與46B， 分別從頂端表面42向下延伸至基板。表面46A、46B雷同於表面44，可以正交的方式延伸自表面42與14，或者，可以分別在水平方向H2與H1中從頂端表面42處斜離。雷同於邊緣表面44，邊緣表面46的形狀可被設計成使得沿著該些表面46從基板12處延伸至一恆定垂直距離處的任何筆直線分別被設置在水平方向H2與H1中的恆定位置處，雷同於上面針對邊緣表面44所述。
囊封元件40可以有至少約150微米的厚度(h)，其係在正交於水平方向H2與H1的方向中背向表面14延伸。該些囊封元件40亦可以遮蓋區域50內沒有被接合元件24遮蓋的某些導體元件18，包含其觸墊26在內。
囊封元件40可以至少部分，且希望實質上，囊封和區域50內的導體元件26連結的接合導線24，包含該些接合元件的基底28以及邊緣表面32的至少一部分。接合導線24的一部分可以保持不被囊封元件遮蓋，其亦可稱為未被囊封，從而使得接合導線24可用於電連接至位於囊封元件40外面的特徵件或元件。於一實施例中，接合導線24的末端表面34保持不被囊封元件40之表面42處的囊封元件40遮蓋。亦可以採用其它實施例，其中，除了末端表面34保持不被囊封層40遮蓋之外，邊緣表面32的一部分亦不被囊封元件40遮蓋；或者，替代方式為，邊緣表面32的一部分不被囊封元件40遮蓋。換言之，囊封元件40可以遮蓋疊置在第一表面14之部分50上的構件的所有部分；但是，該些接合導線24中的一部分除外，例如，至少該些末端表面34，以及視情況，邊緣表面32的一部分，或是兩者的組合。在圖中所示的實施例中，囊封層40的表面42可以和基板 12的第一表面14分隔某個距離，該距離足以遮蓋末端30處之一部分接合元件24以外的所有部分。參考圖3，結構10的實施例可以讓接合導線24的末端表面30不齊平於表面42，例如，接合導線24的末端突出於表面42並且終止在和表面42相隔某個距離的末端表面34處。
或者，本揭示內容的一實施例可以包含如圖4A中所示的結構10-1，其包含雷同於上面所述結構10的構件。參考圖4A，結構10-1可以包含各有一頂端表面42的囊封元件40A’與40B’，該頂端表面42實質上為平面並且平行於基板12的平面表面14。元件40A’與40B’可以囊封接合導線24’與24”並且界定未被囊封的部分52’與52”，接合導線24’與24”具有分別位在和表面42相隔不同距離處的末端表面34’與34”，而未被囊封的部分52’與52”則分別包含該些末端表面34’與34”以及邊緣表面32’與32”的一部分。於某些實施例中，接合元件24的末端表面34可以為平面，而其一邊緣表面32可以為平面並且延伸垂直於該末端表面34。
具有未被囊封部分52的接合元件24的配置，例如，圖3與4A中所示，可以藉由允許焊料除了連結至末端表面34之外還沿著邊緣表面32吸附並且與其連結而用於連接至(例如，藉由圖4B中所示的焊球170或是類似物)另一導體元件。焊球170亦可以從邊緣表面32處延伸至表面42之未被遮蓋的部分之上。
用於被根據本揭示內容之結構的囊封元件40囊封的接合元件24的其它配置亦可以採用。舉例來說，圖4C便顯示一種結構10-2的實施例，其具有一被一囊封元件140A囊封的接合導線24-1，其一末端30-1 並非被定位在其基底28-1的正上方。也就是，將基板12的第一表面14視為延伸在兩個橫向方向中，以便實質上界定一平面(參見圖7A)，延伸穿過該囊封元件140A的一接合導線24-1的一末端30-1可以在此些橫向方向中的至少其中一個方向中從基底28-1的對應橫向位置處移開。如圖4C中所示，接合導線24-1可以實質上筆直於其縱軸中，如同在圖3與4A的實施例中，該縱軸和基板12的第一表面14形成角度116。圖4C的剖面雖然僅在一垂直於第一表面14的第一平面中顯示角度116；不過，接合導線24-1亦可能在垂直於該第一平面及垂直於該第一表面14的另一平面中和該第一表面14形成角度。此角度可以實質上等於或不同於角度116。也就是，末端30-1相對於基底28-1的移位可以在兩個橫向方向中並且可以在每一個此些方向中移位相同或是不同的距離。
於一實施例中，被元件140A囊封的接合導線24-1與24-2中的各條接合導線可以在不同的方向中移位並且沿著第一表面14且在囊封元件140A內移位不同的數額。此排列允許結構10-2具有一相較於基板12之水平以相異的方式被配置在元件140A之表面142的水平處的陣列。舉例來說，相較於在基板12的第一表面14，一陣列在表面142水平處可以遮蓋一較小或較大的總面積或是具有較小或較大的間距。進一步言之，某些接合導線24-1的末端30-1可以被定位在基板12之上，用以容納不同大小的多個已封裝微電子元件組成的堆疊排列。於另一範例中，接合導線24-1可以被配置成使得其中一條接合導線24-1的末端30-1實質上被定位在另一條接合導線24-1的基底28-1之上，而該另一條接合導線24-1的末端30-1則被定位在其它地方。此排列涉及相較於另一表面(例如，表面14)上的一對應接點 陣列的位置來改變一接點陣列內的接點末端表面34的相對位置。於此陣列內，該些接點末端表面的相對位置可以如所希望地相依於由結構10-2或是其它必要條件所形成的微電子組件的應用而改變或不同。
於如圖4C中所示的進一步範例中，被元件140A囊封的接合導線24-1可以被排列成使得該些基底28-1被排列在具有其間距的第一圖樣中。該些接合導線24-1可以被配置成使得其未被囊封的部分52(包含末端表面30-1在內)可以某個圖樣被設置在該囊封元件140A之表面142處的多個位置處，其最小間距大於被附接至區域50內的導體觸墊26的接合導線24-1的個別相鄰基底28-1之間的最小間距。據此，表面142處相鄰接合導線之間的最小間距可以大於該些接合導線所附接之基板的導體觸墊26之間的最小間距。為達此目的，舉例來說，該些接合導線可以如圖4C中所示般地形成某個角度或是彎曲，俾使得該些末端30在一或更多個橫向方向中和基底28產生移位，如上面的討論。於其中一實施例中，導體元件26和末端30可以被排列在個別的列或行之中，而且其中一列中的末端表面34的橫向移位可以大於另一列。為達此目的，舉例來說，該些接合導線24會位在和基板12的表面14不同的角度116處。
圖4C所示的係進一步實施例，其中，接合導線24-2的末端30-2位在相對於其基底28-2之有移位的橫向位置中。於圖4C的實施例中，接合導線24-2藉由於其中併入一彎曲部118來達成此橫向移位。該彎曲部118可以在一接合導線形成製程期間的一額外步驟中被形成並且，舉例來說，可以在該導線部分被拉出至所希望的長度時進行。此步驟可以使用可用的導線接合設備來實行，其可以包含使用單台機器。
該些彎曲部118可在必要時有各式各樣的形狀，以便達成該接合導線24-2之末端30-2的所希望的位置。舉例來說，如圖4C中所示，該些彎曲部118可以被形成為各種形狀的S彎曲，例如，接合導線24-2(A)中所包含的S彎曲，或是接合導線24-2(B)中較平順的形狀。除此之外，彎曲部118可以被定位成比較靠近基底28-2而比較遠離末端30-2；反之亦可。彎曲部118亦可以具有螺旋或環圈的形狀；或者，可以為包含在多個方向中彎曲或是由不同形狀或形體所組成的複合形狀。
於其中一實施例中，結構10-2可以包含多個囊封元件140，每一者皆於其中囊封一不同類型的接合元件24。參考圖4C，元件140A可以包含如接合元件24的接合導線或導線；而囊封元件140B可以包含如接合元件124之實質上垂直的導體特徵件，例如，微柱體或杆體。
應該瞭解的係，如圖4C中所示，一結構可能包含具有各種形狀的多個接合元件的任何組合，從而在其基底和末端之間造成各種相對的橫向移位。該些接合元件24中的一部分實質上筆直，末端30被定位在它們的個別基底28之上，如圖3與4A中所示；而其它接合元件24則包含一彎曲部118，從而導製末端30與基底28之間略微相對的橫向移位。進一步言之，某些接合元件24包含具有蜿蜒狀的彎曲部118，其導致末端30從相對基底28處橫向移位的距離大於末端30的距離。
於接合元件24的此些實施例中，其接合導線可以被配置成在末端30處未被囊封元件遮蓋並且沿著其邊緣表面的至少一部分從末端表面34處延伸離開。如圖3以及4A、4C中所示，該些接合元件的自由端雖然未被遮蓋；然而，邊緣表面32的一部分卻可以額外或替代地未被該囊封 元件遮蓋。此種配置可藉由電連接至一適當的特徵件而用於接地一包含該結構的微電子組件；或者，可用於機械連接至或電連接至橫向設置於該微電子組件的其它特徵件。
除此之外，參考圖4C，囊封元件140B可以囊封接合元件124，該些接合元件124的形式為以表面14處的導體元件26被連接在其基底128處的杆體或微柱體。元件140B可以被配置成包含一已被蝕除、鑄造、或是以其它方式形成的區域，用以界定一凹陷表面144，該凹陷表面144被定位成比表面142更靠近基板12。一或更多個微柱體124-1可以在該凹陷表面144的一區域內不被遮蓋。於圖4C中所示的示範性實施例中，微柱體124-1的末端表面134-1以及一部分的邊緣表面132-1可以不被囊封元件140B遮蓋，用以形成該接合元件124-1的未囊封部分152。
於其中一實施例中，杆體124-1的基底128-1可以藉由一釘頭凸塊165來連結表面14上的導體元件26。該釘頭凸塊基本上係由一或更多個銅質、鎳質、銀質、鉑質、以及金質末端38所構成並且在杆體124-1由不可濕潤金屬製成時提供一種形成導體互連線的方式。
雷同於接合元件24，參考圖4D，接合元件124的此配置可以藉由允許焊料除了連結至末端表面134-1之外還沿著邊緣表面132-1吸附並且與其連結而用於連接至(例如，藉由焊球170或是類似物)另一導體元件，且其中，該焊料可以沿著表面144延伸自邊緣表面132-1。亦可以採用其它配置藉以讓該接合元件124的一部分於凹陷表面144中不被囊封元件140B遮蓋，其包含該些末端表面實質上齊平於凹陷表面144的配置。
再次參考圖4C，結構10-2可以包含一微柱體形式的接合元 件124-2，其具有一藉由釘頭凸塊165被連結至一導體元件26的基底128-2以及一末端表面134-2和一延伸自該末端表面134-2的邊緣表面132-2，從而界定表面142處該接合導線124-2之未被囊封的部分152。於另一實施例中，結構10-2可以包含一微柱體形式的接合元件124-3，其和表面14處的導體元件26一體成形並且從表面14處延伸至一末端表面134-3。該接合元件124-3包含該末端表面134-3以及一延伸自該處的邊緣表面132-3，成為表面142處之未被囊封的部分152。
於進一步實施例中，元件140B可以被配置成包含一已被蝕除、鑄造、或是以其它方式形成的區域，用以界定一腔部175，其從表面142處延伸至基板的表面14。腔部175可以有任何合宜的形狀，以便允許在可被形成於腔部175中的接合元件124-4的一末端表面134-4處進行電連接，例如，藉由於其中沉積導電材料，其中，接合元件124-4具有一末端表面134-4作為未被囊封的部分152。於其中一實施例中，接合元件124-4可以被形成在一梯形形狀的腔部175中，其具有漸細的側壁。接合元件124-4的末端表面134-4的剖面可以寬於基底128-4和末端表面134-4之間的部分的剖面，其中，基底128-4以及末端表面134-4為平行，而邊緣表面132-4則從基底128-4朝末端表面134-4彼此漸細延伸。
參考圖4D，焊料170可以被沉積在腔部175中，用以從該末端表面134-4處延伸至表面142之上，並且沿著表面142的多個部分背向腔部175延伸。
應該瞭解的係，根據本揭示內容，一結構可以包含其它配置使得一接合元件的一部分不被一囊封元件遮蓋，例如，在一末端表面處且 視情況在其邊緣表面處，雷同於本文中針對該囊封元件的表面遠離且背向基板之表面的配置變化例所討論的配置。
再次參考圖3，舉例來說，囊封元件40係用以保護區域50內的導體元件18，包含和區域50內的觸墊26連接的接合元件24。這可以產生一種更耐用的結構，比較不會因對其進行測試或是在運輸或組裝至其它微電子結構期間遭到破壞。囊封元件40可以由一有絕緣特性的介電材料所形成，例如，在美國專利申請公開案第2010/0232129號中所述，本文以引用的方式將其完整併入。
參考圖3與7A，圖中顯示一種用於由結構10的接合元件24的末端表面34所形成之多個接點組成的陣列的示範性圖樣。此陣列可以被形成在一區域陣列配置中，其變化例能夠利用本文中所述的結構來施行。此陣列可被用來將一包含結構10的微電子組件電連接且機械連接至另一微電子結構，例如，連接至一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)或是連接至其它已封裝的微電子元件。於此種堆疊排列中，接合導線24以及導體元件18與20可藉以攜載多個電子訊號，每一個電子訊號皆有一不同的訊號電位，以便讓不同的訊號被單一堆疊中的不同微電子元件處理。焊料質塊可被用來互連此一堆疊中的微電子組件，例如，藉由將末端表面34電子附接且機械附接至一外部構件的導體元件。
參考圖3與7A，結構10之基板12的表面14與16延伸在水平方向H1與H2中，結構10的邊緣64延伸在上表面與下表面之間。囊封元件40A與40B可以界定一預設大小及預設形狀的微電子元件接收區210，以便容納一微電子元件，例如，單獨一個微電子晶片、一微電子組件、或 是一含有至少一晶片的微電子封裝，該微電子元件接收區210被設置在元件40A與40B旁邊並且在其上疊置著該區域210之底部部分212的表面14的一部分處被連接至基板12。舉例來說，參考圖7A，該底部部分212可以有：一線性維度R1，其在水平方向H1中從元件40A的底部邊界58處延伸至元件40B的底部邊界58；以及一線性維度R2，其在一正交於方向H1的水平方向中延伸在元件40的對面末端205之間，該些對面末端205延伸在平行於水平方向H1的方向中。區域210包含一空間，該空間從該底部部分212處之表面14的外露部分以及該表面面14處的導體元件18向上延伸至和該基板之表面14相隔一預設垂直距離處，其高度可以高於、等於、或是低於從表面14處垂直測得之該些元件40中一或兩者的表面42的高度。因此，區域210包含一被界定在分別為囊封元件40A、40B的表面44A、44B之間的空間。區域210的預設大小及形狀係以該基板的表面14上的囊封元件40的大小、形狀、以及定位為基礎，並且規定要被連接至該部分212所疊置之一部分基板的一微電子元件本身，或是在一封裝或組件內，的一部分可以被設置在該區域210中，而該元件、封裝、或是組件沒有接觸表面42A與42B。
用以製造結構10之根據本發明的進一步實施例的製程可以使用一事先形成的介電質塊(例如，基本上由介電材料構成的基板)並且使用一模具元件(圖中並未顯示)來形成用以囊封接合元件24的囊封元件40的介電質塊。於此製程中，和基板12之表面14處的觸墊26連接的接合元件可以在鑄造時出現。於其中一實施例中，形成元件40的介電質塊可以被鑄造在接合元件24上方，該些接合元件24會被連接至基板12之表面14上的線 路18。
此外，如上面所述且如圖3中所示的一事先形成的介電質塊(其充當用以囊封該些接合元件以便界定未被囊封部分的囊封元件並且具有一頂端表面42以及邊緣表面44與46)可以利用一黏著劑(例如，可固化的黏著劑或環氧樹脂)被附接至基板12的表面14的部分50，其會和另一雷同囊封元件橫向分隔。
在該些囊封元件被形成在基板12上之前之製造結構10的進一步步驟中，作為導體元件18的線路和觸墊可以先被圖樣化在表面14上。舉例來說，整個表面14可以被電鍍、遮罩、並且被選擇性蝕刻，用以形成該些線路。或者，表面14可先以一遮罩材料遮蓋，並且接著選擇性曝光於雷射輻射中用以貫穿該遮罩切出溝槽。一晶種層可以先被塗敷在該遮罩上方並且被塗敷於該些溝槽之中，隨即該遮罩會被移除，以便剝離該些溝槽處以外每一個地方的晶種層。該表面接著會曝露於一電鍍槽中，使得金屬僅被沉積在有該晶種存在的溝槽處。亦可以使用在介電質本體上形成金屬特徵件的任何其它技術。
於其它實施例中，被用於形成囊封元件40的可流動介電材料可以充當黏著劑，將該囊封元件接合至基板12。
參考圖7B、7C、以及7E，圖中所示的根據本揭示內容實施例之基板上的囊封元件的替代排列(囊封和該基板連接的接合元件)，其可被用來取得一微電子元件接收區。舉例來說，一或更多個囊封元件300可以被形成在一基板312(例如，雷同於基板12)的上表面304上而在該上表面304上具有某種大小、形狀、以及排列(例如，以彼此為基準)，以便界定具有可 容納一微電子元件、封裝、或是組件的大小及形狀的微電子元件接收區302，雷同於上面針對區域210所述者。參考圖7B，四個囊封元件300可以被排列用以界定該區域302，其疊置在基板312的上表面304上並且具有一底部部分306，該底部部分306具有水平延伸的維度R3與R4，其中，R4在該結構的厚度方向中分別對齊在其相向邊緣表面處的元件300A與300B的上邊界與下邊界；而R3則在該結構的厚度方向中分別對齊在其相向邊緣表面處的元件300C與300D的上邊界與下邊界。參考圖7C，囊封元件300可以為界定一具有矩形底部部分306之區域302的單一元件，該矩形底部部分306的三邊係由該單一元件來界定。參考圖7E，單一囊封元件450可被排列成疊置在基板456的上表面454上，用以界定一微電子元件接收區452，該微電子元件接收區452具有一疊置在表面454的一部分454A上的底部部分456。該元件450疊置在表面454的一部分454B上，而且該部分454B完全封閉部分454A。因此，元件450會完全封閉接收區452，至少在該區域452中垂直背向部分454A延伸的一部分處。
參考圖5與7D，於其中一實施例中，結構400(其具有雷同於結構10之構件的構件)可以包含單一囊封元件440，或是多個囊封子元件440A、440B、以及440C，它門會囊封接合元件424，以便在背向該基板的子元件440的表面442處提供由該些接合元件424之至少末端表面434所界定的未被囊封的部分452。舉例來說，參考圖7D，單一元件440可以界定複數個微電子接收區402A、402B，疊置在該基板的上表面414上並且分別具有底部部分406A、406B。或者，子元件440A、440B、以及440C(圖7D中以元件440中沒有斜線的部分的表示)可以彼此平行排列並且分隔(雷同於 圖3與4A中的元件40A與40B)，用以界定區域402A以及402B。
參考圖6，於其中一實施例中提供一種結構500，其具有雷同於結構10的構造，該結構500可以包含基板12的表面14上的囊封元件40A、40B，用以界定區域210。此外，一囊封元件540亦可以疊置在表面16的一部分560上並且囊封被連結至該部分560內之觸墊522的接合元件524，同時提供由末端表面534以及邊緣表面532之一部分所界定的未被囊封的部分550。於其中一實施例中，囊封元件540可以至少部分疊置在其上疊置著部分212的表面14的一部分上。於某些實施例中，囊封元件540可以疊置在表面16上，用以界定至少一微電子元件接收區570，該微電子元件接收區570疊置在從該部分560處延伸至基板12之對面邊緣64的表面16的一部分574上。
參考圖14與15，於本揭示內容的另一實施例中提供一種結構1010，該結構1010可以包含一於晶圓級所提供的主動式晶粒1012，例如，可場程式化閘陣列。晶粒1012可以有一主動式表面1014，其包含電氣電路系統1016以及多個接合觸墊1018。晶粒1012通常為730微米的矽，而電氣電路系統1016則可以由任何合宜的習知技術來提供。或者，晶粒1012亦可以為任何其它合宜的材料，例如，舉例來說，砷化鎵，並且可以有任何合宜的厚度。一由介電材料製成的重新分配層1020可以沿著表面1014延伸。線路1022可以被電連接至層1020的表面1017處的接觸觸墊1024(表面1017遠離表面1014)並且延伸穿過重新分配層1020的基板1026抵達表面1014處的觸墊1018。雷同於圖2中所示的結構10，接合元件24可在其基底處連結至少一部分觸墊1024，它們經由線路1022連結表面1014的一部分1050處 的觸墊1018。於重新分配層1020從該結構中被省略的另一實施例中，接合元件24的基底28可以藉由焊料元件(圖中並未顯示)來連結該部分1050處的觸墊1018。
參考圖15，結構1010可以進一步包含囊封元件1040A以及1040B，囊封元件1040A以及1040B具有雷同於如上面所述之組件10中的囊封元件40的特點，它們係由一介電材料形成在基板12的表面1014的部分1050上方並且界定一頂端表面1042，該頂端表面1042遠離且背向晶粒1012。元件1040的材料填充該些接合元件24之間的空間，而未被囊封的部分52則由該些接合元件24之末端30的至少一部分來界定。此外，囊封元件1040A與1040B還可以界定第一邊緣表面1044A與1044B，分別相鄰於頂端表面1042向下延伸至重新分配層1020的表面1017，或者，倘若層1020被省略的話，則延伸至表面1014，其中，該些表面1044被設置在晶粒1012的周圍邊緣1064的內側。元件1040A與1040B進一步可以包含第二邊緣表面1046A與1046B，分別從頂端表面1042處向下延伸至層1020的表面1017或是晶粒1012的表面1014，雷同於上面針對延伸至基板12的元件40的表面46所述。該些囊封元件1040可以雷同的方式被配置成囊封元件40’與140，如圖4A與4B中所示，用以囊封接合元件24並且露出其未被囊封的部分52。
於某些實施例中，許多結構的晶粒被提供為一連續或半連續元件，例如，帶體、捲帶、或是薄板。於該些囊封元件1040被形成在該些晶粒上之後，該些結構1010便接著會沿著分離線被切割，用以產生具有圖15中所示之配置的個別結構1010，且其中，結構1010的晶粒1012延伸在 對面邊緣1064之間。
或者，本揭示內容的一實施例可以包含一結構1010-1，如圖16A中所示，其包含雷同於上述結構1010之構件的構件。參考圖16A，結構1010-1可以包含接合導線24-1，該些接合導線24-1中的一部分可以包含雷同於圖4C中所示的彎曲部分或是實質上筆直的部分，接合導線24-1會被一囊封元件1040A囊封，其個別的末端30-1沒有被定位在其基底28-1的正上方，俾使得結構1010-1可以具有一相較於晶粒1012或重新分配層1020之水平以相異的方式被配置在元件1040A的水平處的陣列，其遠離晶粒1012。元件1040A可以被配置成包含一已被蝕除、鑄造、或是以其它方式形成的區域，用以界定一腔部1070，其從元件1040A的表面142(其遠離晶粒1012)處延伸至一凹陷表面1044，該凹陷表面1044比表面1042更靠近晶粒1012。該些接合元件24-1可以在凹陷表面1044的一區域內的腔部1070中不被遮蓋。腔部1070可以有任何合宜的形狀，以便允許在被設置於該腔部1070中的接合元件24-1的末端30一1處的未被囊封的部分52進行電連接。於其中一實施例中，接合元件24-1的未被囊封的部分52可以疊置在表面1044上，並且介於界定該腔部1070的囊封元件1040A的漸細側壁1045之間，該些漸細側壁1045從表面1042處延伸至表面1044。
除此之外，囊封元件1040B亦可以囊封接合元件1124，接合元件1124的配置雷同於如圖4C中所示的接合元件124，並且在其基底1128處連接重新分配層1020之表面1017處或晶粒1012之表面1014處的觸墊。於圖16A中所示的示範性實施例中，一接合元件1124可以不被囊封元件1040B遮蓋，用以在該囊封元件1040B的一腔部1070內形成一未被囊封 的部分1152，其係由一末端表面1134以及該接合元件的邊緣表面1132的一部分所界定。於其中一實施例中，一杆體1124的基底1128可以藉由一釘頭凸塊1165來連結表面1017或是1014處的觸墊。進一步言之，一腔部1175(其具有雷同於如圖4C中所示之腔部175的配置)可以被形成在囊封元件1040B中並且從表面1042處延伸至表面1017，或者，倘若層1020被省略的話，則延伸至表面1014。一接合元件1124A(雷同於接合元件124-2、124-3、或是124-4)可以從被設置在腔部1175內的一末端表面1130A處延伸穿過腔部1175至其基底，該基底連結晶粒1012的一觸墊或是層1020，其中，接合元件1124A的未被囊封的部分1152A係由該末端表面1130A以及一延伸自該末端表面1130A的邊緣表面1132A所界定。
參考圖16B，該些接合元件1124可以藉由允許填充該些腔部1070或是腔部1175中未被接合元件1124佔據的部分而連接至(例如，藉由焊料元件1170或是類似物)另一接合元件，以便分別囊封接合元件24-1與1124的未被囊封的部分52與1152。於某些實施例中，形成焊料元件1170的材料可以被形成在表面1042中延伸自該些腔部1070與1175的部分上。於另一實施例中，遠離晶粒1012的焊料元件1170的表面1172可以在和囊封元件1040的平面表面1042相同的平面中。
於另一實施例中，除了下面的差異之外，結構1010-2(參見圖16C)可以具有雷同於結構1010-1的構件以及配置。接合元件24-1可以被囊封元件1040A囊封，俾使得僅有元件24-1的末端表面34-1界定其未被囊封的部分52，而且該些末端表面34-1齊平於表面1044。此外，具有未被囊封部分1152的接合元件1124可以被囊封元件1040B囊封，俾使得僅有元件 1124的末端表面1134界定未被囊封的部分1152，而且該些末端表面1134齊平於表面1044。進一步言之，該些接合元件1124A可以被囊封元件1040B囊封，俾使得僅有其末端表面1134A界定未被囊封的部分1152A，而且該些末端表面1134A齊平於表面1044。參考圖16D，且雷同於如參考圖16C所述，焊料元件1170可以填充該些腔部1070或是腔部1175中未被接合元件1124佔據的部分，以便分別囊封接合元件24-1與1124的未被囊封的部分52與1152。
於某些實施例中，疊置在基板112上的囊封元件，例如，在如上述的結構10中(參見圖3以及4A至4D)，可以被配置成用以囊封接合元件並且露出未被囊封的部分52，雷同於如圖16A至16D中所示之結構1010的實施例中疊置在晶粒1012上的囊封元件。
參考圖15以及7E，雷同於上面針對結構10所述，囊封元件1040A與1040B可以界定一預設大小及預設形狀的微電子元件接收區1210，以便容納一微電子元件，例如，單獨一個微電子晶片、一微電子組件、或是一含有至少一晶片的微電子封裝，該微電子元件接收區被設置在元件1040A與1040B旁邊並且在其上疊置著該區域1210之底部部分1212的表面1014的一部分處電連接晶粒1012的觸墊。舉例來說，參考圖7E，該些囊封元件1040A與1040B的形式可以為配置雷同於元件450的單一、一體成形的囊封元件1040，其疊置在完全封閉表面1014或1017的一區域1014A或1017A的晶粒1012中的一區域上，以便界定區域1210。區域1210可以有雷同於區域452的配置並且包含一相鄰於晶粒1012的部分1212，雷同於底部部分456。區域1210的預設大小及形狀係以晶粒1012的表面1014上方的囊 封元件1040的大小、形狀、以及定位為基礎，並且規定要被連接至該部分1212所疊置之該晶粒的一部分的一微電子元件本身，或是在一封裝或組件內，的一部分可以被設置在該區域1210中，而該元件、封裝、或是組件沒有接觸表面1042A與1042B。
參考圖8，封裝組件600可以包含本揭示內容的結構，其被連接至該結構之微電子元件區處的一微電子元件、封裝、或是組件。舉例來說，該封裝組件600可以包含如上所述的結構10，其被連接至一微電子元件602。該微電子元件或晶片602可以包含對面的表面605、607，並且以基板12為基準「面朝下」的配向定位在區域212中，表面605面向基板12的表面14。表面605處的接點604可以藉由焊料元件609被接合至表面14處的導體元件618。區域210的底部部分212疊置在該導體元件618上。該些接點604可以經由電氣電路系統(例如，基板12內的線路19或是延伸穿過基板12的導體通孔22)電連接終端31(線路33從終端31處延伸在基板12的表面16上)以及元件40A與40B內的接合元件24。組件600可以藉由電連接被形成在該些終端31處的焊料元件625(例如，焊球)至一外部構件690(例如，一印刷電路板)的相向表面692上的接點(圖中並未顯示，該些接點被排列成對應於結構10的終端31的圖樣)而被連結至該構件690。
於其中一實施例中，區域210可被調適成使得當該微電子元件602被接合至基板12時，分別面向邊緣表面44A與44B的微電子元件602的對面邊緣表面613A與613B會與邊緣表面44A、44B分隔至少約200微米的距離。於某些實施例中，該分隔距離可以讓該介電材料(舉例來說，底層填充材料)被提供在相向的表面613A與44A之間以及相向的表面613B與 44B之間。於另一實施例中，該分隔距離可以允許將介電材料鑄造在該微電子元件602的頂端表面607(其延伸在表面613A與613B之間)以及表面613A與613B上方。
一介電質塊或包覆鑄模626會被形成在區域210的底部部分212上方，例如，利用已述用於在上面討論的基板12上方形成囊封元件之介電質塊的任何技術。該介電質塊626具有一遠離表面14的頂端表面628，其延伸在微電子元件602上方並且在水平方向H1與H2中於表面14上方遠離元件602分別朝向囊封元件40A與40B的邊緣表面44A與44B。於其中一實施例中，該頂端表面628延伸至邊緣表面44A與44B，而邊緣表面628A與628B則從該處向下延伸至基板12，分別面向邊緣表面44A與44B的一部分並且於某些實施例中沿著且接觸邊緣表面44A與44B的至少一部分。就此來說，介電質塊626可以由一第一介電材料製成，而囊封元件40可以由不同於該第一介電材料的第二介電材料製成。於某些實施例中，介電質塊626可以被提供成使得其頂端表面628延伸在一囊封元件40的表面42的一部分上方。該介電質塊626進一步包含一底部表面630，其在水平方向H1與H2中從該些邊緣表面628A與628B處背向囊封元件40A與40B並且沿著表面14的外露部分以及表面14上的線路618延伸。
於其中一實施例中，囊封元件40的厚度(h)在正交於H1與H2的組件600的厚度方向T中背向表面14向上延伸，並且等於、大於、或是小於該方向T中的微電子元件602的厚度。於另一實施例中，該些元件40中至少其中一者的厚度(h)小於或是等於其中囊封著該微電子元件602的介電質塊626在方向T中的厚度。
組件600可以連結一疊置在基板12的表面14上微電子封裝2200。該微電子封裝2200可以包含一基板2206，該基板2206具有一遠離第二表面2210的第一表面2208，其中，該第一表面2208面向該些囊封元件40的表面42以及質塊626的表面628。導體元件2212可以沿著表面2208與2210延伸。此外，一微電子元件2214還會被定位在「面朝下」的配向中面向表面2210，而該微電子元件2214的接點(圖中並未顯示)則藉由焊料元件(圖中並未顯示)被接合至表面2210上的導體元件2212。進一步言之，表面2208上的導體元件2212可以被排列在對應於該些接合元件24之未被囊封的部分52的圖樣的圖樣中，而焊料元件2215可以電連接此些元件2212和未被囊封的部分52。一介電質塊2220可被形成在該微電子元件2214和表面2210的未被遮蓋的部分上方，以便囊封元件2202以及基板2206的表面2210，例如，利用已述用於形成介電質塊的任何技術。遠離基板2206的質塊2220的表面2222疊置在該微電子元件2214以及表面2210中相鄰於該元件2214的部分上。就此來說，接合元件24可以電互連封裝2200的導體元件和組件600的導體元件及外部構件690的導體元件。
於另一實施例中，參考圖9，封裝組件600’可以有和圖8中所示的組件600雷同的構造；除外的係，接合元件24的末端表面34齊平於表面42，晶片602藉由導線引線622被連結至該基板上的線路618，以及組件600’進一步包含一重新分配層654。舉例來說，晶片602的表面607可以藉由一黏著層611來附接層14之中部分212所疊置的部分，而且該些導線引線622可以從接點604處在表面607以及晶片602的邊緣表面613上方延伸至該些線路618。進一步言之，層654可以由介電材料形成並且沿著 該些囊封元件40中至少其中一者的表面42的一部分或是沿著質塊626的表面628的一部分延伸。於其中一實施例中，該重新分配層654可以僅疊置在結構10的部分50上。於一替代實施例中，部分212可以疊置在該重新分配層654的一部分上。線路658可以被電連接至內接觸觸墊661，該些內接觸觸墊661被電連接至接合元件24的末端表面34並且延伸穿過重新分配層654的基板656抵達基板656的表面662處的接觸觸墊660。另一微電子組件接著可以藉由焊料質塊或是類似物被連接至接觸觸墊660。該重新分配層654實際上充當所謂的扇出層，其可以讓組件600’連接至具有不同於部分50內的導體元件26陣列所允許之配置的陣列。
於進一步實施例中，組件600’可以連結一微電子封裝，例如，上面所述的封裝2200(參見圖8)，其疊置在重新分配層654上。封裝2202的表面2208可以面向層654的表面662，而表面2208處的封裝220的導體元件2212可以被排列在對應於層654之表面662處的接觸觸墊660的圖樣的圖樣中。焊料元件2215可以電連接此些元件2212和接觸觸墊660。就此來說，封裝2200的導體元件可以經由重新分配層的導體元件及接合元件24來電連接組件600’的導體元件以及外部構件690的導體元件。
應該瞭解的係，根據本揭示內容，一微電子元件或是一微電子封裝可以「面朝上」或「面朝下」的方式被鑲嵌並且藉由接合導線、接合球、或是其它已知的連接技術被耦合至一表面，例如，根據本揭示內容的結構的一基板的表面(舉例來說，14、16)或是和包含此結構的封裝組件連結的外部構件的表面(舉例來說，692)。
於另一實施例中，參考圖10A，一封裝組件700可以包含一 種根據本揭示內容的結構，其連結複數個微電子元件，其中，該些微電子元件中的一部分可以為微電子封裝的一部分。參考圖10A，組件700可以包含如上面所述的結構10以及一微電子元件702，微電子元件702的接點703面向表面16並且被電連接至表面16處的導體元件20的觸墊25。一介電質塊704被形成在微電子元件702和表面16上方，並且具有一疊置在該元件702和該表面16上的表面706。質塊704遮蓋微電子元件702及表面16，雷同於上面針對圖8中所示之被形成在元件602及表面14上方的介電質塊626所述。
此外，該封裝組件700還可以包含一微電子元件732，其連接表面14處的導體元件。雷同於微電子元件602，微電子元件732可以基板12的表面14為基準「面朝下」的配向定位在區域710中，表面735面向基板12的表面14。表面735處的接點736可以藉由焊料元件被接合至表面14處的導體元件738。區域710的底部部分712疊置在該些導體元件738上。該些接點736可以經由基板12內的電互連線來電連接與接點736電連接的其它導體構件或元件以及被囊封在元件40A與40B內的接合元件24。
此外，一介電材料質塊748可以被形成在區域710的部分712上方，雷同於上面針對包覆鑄模626的討論。該介電質塊748具有一遠離表面14的表面750，其延伸在微電子元件732的上方並且在水平方向H1與H2中於表面14上方遠離元件732分別朝向囊封元件40A與40B的邊緣表面44A與44B。於其中一實施例中，該表面750可以和該些邊緣表面44A與44B分隔，而且質塊748包含從該處向下延伸至基板12的邊緣表面752A與752B，分別面向邊緣表面44A與44B並且與其分隔。於另一實施例中， 該些邊緣表面752中的其中一者(例如，邊緣表面752A)可以至少部分接觸邊緣表面44A的一部分。介電質塊748可以由一第一介電材料製成，而囊封元件40可以由不同於該第一介電材料的第二介電材料製成。該介電質塊748進一步包含一底部表面754，其在水平方向H1與H2中沿著表面14的外露部分以及表面14處的線路738延伸並且和元件40A與40B分隔。
參考圖11，其為在表面14的方向中所看見的組件700的實施例的平面圖，質塊748(其中囊封著微電子元件732而形成被囊封的微電子元件755)在水平方向H1中延伸小於R1的預設長度L1並且在正交於水平方向H1與H2且平行表面14的方向中延伸小於R2的預設長度W1。此外，參考圖10A，質塊748在方向T中的厚度不大於預設厚度H3，少了焊料元件794的預期厚度，預設厚度H3為該厚度方向T中從表面14至一外部構件790的相向表面792的距離，該些接合元件24藉由焊料元件794在末端表面34處和該外部構件790互連。舉例來說，質塊748可以在表面754處延伸在一具有最大維度W1與L1的水平區域上方，在厚度方向T中具有一預設形狀並且從表面14處延伸至表面750的厚度最大等於H3，俾使得在元件40的表面42處的末端表面34可以在組件700的厚度方向中對齊該外部構件790的表面792上的觸墊(圖中並未顯示)而且質塊748則在區域710內，沒有接觸元件40、構件790、或是區域710內的其它構件。
於某些實施例中，如圖10A中所示之包含微電子單元755的組件700亦可以被連接至一被排列在區域710內的微電子封裝800並且被連接至部分712所疊置的導體元件18的終端27。該封裝800可以包含一基板806，該基板806具有一遠離第二表面810的第一表面808，其中，該第 一表面808面向表面14，而導體元件812則沿著表面808與810延伸。此外，一微電子元件814還會被定位在「面朝下」的配向中面向表面810，而該微電子元件814的接點(圖中並未顯示)則藉由焊料元件(圖中並未顯示)被接合至表面810上的導體元件812。進一步言之，表面808上的導體元件812會藉由焊料元件815被電連接至表面14處的終端27。一介電質塊820會被形成在該微電子元件814和基板806的表面810的一部分以及延伸在表面808與810之間的對面邊緣819的上方，以便囊封元件802以及基板806的一部分，例如，利用已述用於形成介電質塊的任何技術。遠離基板806的質塊820的表面822疊置在該微電子元件814以及表面810中相鄰於該元件814的部分上。
進一步參考圖11，封裝800具有一預設大小與配置並且被排列在表面14上方的預設位置處而於方向H1中和微電子單元755分隔，並且於方向H2中和元件40B分隔，以便不會接觸元件40以及該單元755。雷同於單元755，封裝800可以被定位在表面14上方，表面808處的觸墊(圖中並未顯示)會在厚度方向T中對齊表面14處之終端27中的對應終端而且部分712會疊置在該封裝800上。封裝800在水平方向H1中延伸小於R1的預設長度L2並且在正交於水平方向H1與H2且平行表面14的方向中延伸小於R2的預設長度W2。
進一步言之，於某些實施例中，一微電子封裝800’可以被排列在區域710內並且和該區域710內的其它構件分隔。舉例來說，參考圖10與11，封裝800’(其可以有和封裝800相同或是雷同的構造及構件)可以被排列在元件40B與封裝800之間並且和元件40B與封裝800分隔，以及 在水平方向H1中延伸小於R1的預設長度L3並且在正交於水平方向H1與H2且平行表面14的方向中延伸小於R2的預設長度W3。封裝800’的表面808面向外部構件790的表面792且表面808上的終端812會連接表面792上的觸墊(圖中並未顯示)中的對應觸墊。雷同於封裝800，封裝800’在組件700之厚度方向中的厚度不大於H2。
就此來說，區域710中的任何微電子元件(例如，一被囊封的微電子單元，一被連接至部分712所疊置之表面14處的導體元件的微電子封裝，或是一被連接至外部構件之觸墊的微電子封裝)在組件700之厚度方向T中的高度允許該些接合元件24的末端表面陣列連接該外部構件790的導體元件中的對應導體元件。於其中一實施例中，該微電子元件702可以為邏輯元件，而且被排列在區域712內的微電子元件可以為記憶體。
於某些實施例中，區域710內的微電子元件及封裝可以延伸在一維度小於R1與R2的水平區域上方，在厚度方向T中有一預設的形狀，並且具有一從表面14處延伸至表面792最大等於H2的厚度，俾使得該些接合元件24的末端表面以及封裝800’的終端可以在組件700的厚度方向中對齊該外部構件790的表面792上的觸墊(圖中並未顯示)，而且封裝800與800’以及微電子元件752會在區域712內，不會相互接觸及接觸囊封元件40。焊料元件794可以電互連該些接合元件24及構件790的對應接點，並且電互連封裝800’的導體元件及構件790的對應接點。
於另一實施例中，封裝800’在方向T中的厚度使得表面822相鄰於表面14，且於某些實施例中，至少部分接觸表面14或是以一黏著劑被附接至表面14。
於一進一步實施例中，參考圖10B，一封裝組件700’可以有和封裝組件700(參見圖10A)雷同的構造，除外的係，一微電子封裝(例如，上面所述的封裝2200，參見圖8)疊置在結構10的表面16上，而非微電子元件702及介電質塊704。封裝2200的表面2208可以面向基板12的表面16，而且表面2208處的封裝2200的導體元件2212可以被排列在對應於表面16處的導體元件20的圖樣的圖樣中。焊料元件2215可以電連接此些元件2212和導體元件20。就此來說，封裝2200的導體元件可以經由基板12內或是表面處的導體元件來電連接封裝800及800’的導體元件、單元755、以及外部構件790。
於另一實施例中，參考圖12，一封裝組件850可以包含一雷同於結構400(參見圖5)的結構400’，其具有疊置在基板412的表面414的一部分450上的囊封子元件440A、440B、以及440C。元件440A、440B、以及440C界定複數個微電子接收區402A與402B，分別具有頂端部分406A與406B。一微電子元件702被基板412的表面416上方的介電質塊704囊封，其中，表面416和界定該微電子元件接收區的表面414對面，雷同於組件700之中。一微電子封裝800會被排列在區域402A之中，被連接至部分406A所疊置之表面404處的導體元件，雷同於針對圖10A的組件700所述，並且不會接觸元件440A與440C。此外，一被囊封的微電子單元755會被排列在區域402B之中，被連接至部分406B所疊置之表面404處的導體元件，雷同於針對圖10A的組件700所述，並且不會接觸元件440A與440C。封裝800及單元755具有一高度在組件800的厚度方向中的預設形狀，以和上面針對圖10A所述雷同的方式讓接合元件424的末端表面可以電連接面向 元件440之表面442的外部構件的表面上的觸墊中的對應觸墊。
於另一實施例中，參考圖17與18，一封裝組件1600可以包含本揭示內容的結構1010(參見圖15)，其被連接至其微電子元件區1210處的一微電子元件、封裝、或是組件。於其中一實施例中，該封裝組件1600可以包含被連接至一微電子元件1602(例如，DRAM)的結構1010，該微電子元件1602具有對面的表面1605、1607並且以晶粒1012為基準「面朝下」的配向定位在區域1212中，表面1605面向晶粒1012的表面1014。表面1605處的接點1604可以藉由焊料元件1609被接合至重新分配層1020的表面1017處的線路1024’，或者，當層1020從結構1010中被省略時，則被接合至晶粒1012的表面1014處的觸墊1018’。區域1210的底部部分1212疊置在線路1024’和觸墊1018’上。該些接點1604可以經由線路1024’、晶粒1012的觸墊1018’與1018、以及晶粒1012內的電氣電路系統(圖中並未顯示)電連接元件1040內的接合元件24。
一介電質塊或包覆鑄模1626(其具有雷同於介電質塊或包覆鑄模626的配置，參見圖8)可以被形成在區域1210的底部部分1212的上方。該介電質塊1626具有一遠離表面1014的表面1628，其延伸在微電子元件1602的上方並且在水平方向H1與H2中於表面1014上方遠離元件1602分別朝向囊封元件1040A與1040B的邊緣表面1044A與1044B。於其中一實施例中，該表面1628延伸至邊緣表面1044A與1044B，而邊緣表面1628A與1628B從該處向下延伸至層1020或是晶粒12，分別面向邊緣表面1044A與1044B的一部分，並且於某些實施例中分別沿著且接觸邊緣表面1044A與1044B的至少一部分。介電質塊1626可以由一第一介電材料製成，而囊封元件1040 可以由不同於質塊1626之介電材料的第二介電材料製成。該介電質塊1626進一步包含一底部表面1630，其在水平方向H1與H2中從邊緣表面1628A與1628B處背向囊封元件1040A與1040B並且沿著表面1017或1014的外露部分及分別位於其上的線路1024’或觸墊1018’延伸。
參考圖18，組件1600可以一外部構件(例如，外部構件790，參見圖10A)為基準被定位成「面朝下」或是「翻覆組件(flip assembly)」的配向，接合元件24的未被囊封的部分52面向表面792並且藉由焊料元件794被電連接至表面792上的接點(圖中並未顯示)，該些接點被排列成對應於組件1600內的結構1010的未被囊封的部分52的圖樣。一介電質塊1726可以被形成在微電子元件1602上方並且從表面1728(其沿著表面1628及囊封元件1040的表面1042延伸)處延伸至對面表面1730(其遠離質塊1626)。表面1730可以在方向H1與H2中沿著表面1728延伸以便在方向H1與H2中分別對齊，或是延伸超越，邊緣1046A與1046B。質塊1726的對面邊緣表面1735A與1735B可以在一垂直方向中或是在和表面792及1042形成角度的方向中從表面792處分別延伸至表面1046A與1046B。質塊1726的介電材料可以填充構件790和質塊1626及囊封元件1040中每一者之間的任何空乏空間，以便囊封接合元件24的未被囊封的部分52、焊料元件794、以及和組件1600對面的表面792上的導體元件。就此來說，雷同於如圖10A中所示之將組件700連接至構件790，組件1600可以被電連接至構件790的導體元件，其中，組件1600在厚度方向T中的高度允許該些接合元件24的末端表面陣列連接該外部構件790的導體元件中的對應導體元件。此外，該外部構件還可以在一和表面792對面且遠離而且焊料元件796可與其連結的表面794上 包含線路(圖中並未顯示)，以便經由接合元件24以及基板790上和基板790內的導體元件將晶粒1012及微電子元件1602電連接至又一外部構件(圖中並未顯示)。
於某些實施例中，例如，在組件1600中(參見圖18)，質塊1626、介電質塊1726、以及囊封元件1040可以分別由不同的介電材料形成。於如圖19中所示的進一步實施例中，組件1600可以連結一外部構件，雷同於如圖18中所示，除外的係，一由相同介電材料製成的介電質塊1800(其具有如上面所述的質塊1626及質塊1726的配置)會囊封微電子元件1602、該些接合元件的未被囊封的部分52、以及表面792處的導體元件。然而，質塊1800則係由和囊封元件1040不同的介電材料所製成。
於另一實施例中，參考圖20，一封裝組件1800可以包含結構1900，其具有以雷同於如圖7D中所示般疊置在基板上的囊封元件450的配置疊置在晶粒1012上的單一囊封元件1840，用以界定複數個微電子接收區402。元件1840包含部分1840A、1840B、以及1840C，它們會界定雷同於如圖7D中所示般的微電子接收區402A與402B，它們具有分別疊置在層1020的部分1017A與1017B上的部分406A與406B，層1020的部分1017A與1017B接著會疊置在晶粒1012的表面1014的部分1014A與1014B上。雷同於在圖10A的組件700中，一微電子封裝800可以被排列在區域402A之中並且被連接至部分406A所疊置的表面1017A處的導體元件，並且不接觸界定區域402A的囊封元件1840的相鄰部分1840A與1840C。此外，同樣雷同於如圖10A中所示，一微電子封裝800’可以被排列在區域402B之中，和部分1840C與1840B分隔並且在表面792處被連接至構件790。封裝800 與800’可以有一高度在結構1900的厚度方向中的預設形狀，以和上面針對圖10A所述雷同的方式讓接合元件24的末端表面可以電連接面向遠離晶粒1012的元件1840之表面1842處的該些接合元件24的未被囊封的部分52的一外部構件的表面上的觸墊中的對應觸墊。
於另一實施例中，參考圖21，一封裝組件2000可以包含結構1900(參見圖20)，其被連接至微電子元件2102A與2102B，微電子元件2102A與2102B被排列在區域402A與402B內並且分別疊置在其部分406A與406B上。雷同於圖18中的微電子元件1602，微電子元件2102A與2102B藉由焊料元件1609分別連結部分1017A與1017B處的線路。介電質塊2026A與2026B被形成疊置在微電子元件2102A與2102B上而且配置雷同於如圖18中所示的質塊1626，其中，其個別的對面邊緣表面2028A與2028B面向元件1840的相向邊緣表面1844的至少一部分，且於某些實施例中接觸元件1840的相向邊緣表面1844的至少一部分。舉例來說，對面邊緣表面2028A中的一部分可以分別接觸相向的邊緣表面1844A與1844C的一部分，以及對面邊緣表面2028B中的一部分可以分別接觸相向的邊緣表面1844C與1844B的一部分。介電質塊2026A與2026B可以由相同或不同的介電材料製成，而且質塊2026的材料不同於囊封元件1840的介電材料。
上面討論的組件可以被用來建構各式各樣電子系統。舉例來說，根據本發明進一步實施例的系統900(參見圖13)包含一第一封裝組件902(例如，組件850)以及一第二封裝組件904(例如，組件2000)，並且搭配其它電子構件908與910。於圖示的範例中，構件908係一半導體晶片，而構件910係一顯示螢幕；但是，亦可以使用任何其它構件。當然，為清楚 圖解起見，圖13中雖然僅顯示兩個額外構件；不過，該系統可以包含任何數量的此些構件。封裝組件902與904以及構件908與910被鑲嵌至一共同殼體901(圖中以虛線概略顯示)，並且於必要時彼此電互連用以形成所希望的電路。於圖中所示的示範性系統中，該系統包含一電路嵌板907，例如，撓性或剛性的印刷電路板；而且該電路嵌板包含許多導體909(圖13中僅顯示其中一個)，用以將該些構件彼此互連。一板外連接器雖然將構件910連接至該電路嵌板，不過，這僅為示範性；可以使用任何合宜的結構來進行電連接。舉例來說，殼體901被描繪成可用於蜂巢式電話或個人數位助理中之類型的可攜式殼體，而螢幕910則裸露在該殼體的表面14處。再次地，圖13中所示的簡化系統僅為示範性；利用上面討論的封裝可以製造出其它系統，其包含通常被視為固定式結構的系統，例如，桌上型電腦、路由器、以及類似物。
具有上面討論特點的前述及其它變化與組合皆可被運用而沒有脫離本發明；所以，較佳實施例的前面說明應該被視為解釋性，而非如申請專利範圍的定義般限制本發明。
10‧‧‧結構
14‧‧‧第一表面
16‧‧‧第二表面
20‧‧‧第二導體元件
26‧‧‧接觸觸墊
34‧‧‧末端表面
40A‧‧‧囊封元件
40B‧‧‧囊封元件
42‧‧‧頂端表面
44A‧‧‧第一邊緣表面
44B‧‧‧第一邊緣表面
46A‧‧‧第二邊緣表面
46B‧‧‧第二邊緣表面
50A‧‧‧表面14中的區域
50B‧‧‧表面14中的區域
52‧‧‧未被囊封的部分
56‧‧‧頂端邊界
58‧‧‧底部邊界
64‧‧‧邊緣
210‧‧‧微電子元件接收區
212‧‧‧微電子元件接收區的底部部分

Claims (74)

  1. 一種結構，其包括：一基板，其具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件；多個接合元件，它們具有連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件的基底以及遠離該基板與該些基底的多個末端表面，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面；一介電質囊封元件，其疊置在該基板的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該基板的第一表面並且有一從該第三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定；其中，該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
  2. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些接合元件包含接合導線、微柱體、或是導線中至少其中一者。
  3. 根據申請專利範圍第1項的結構，其進一步包括：在該些接合元件中至少其中一者的該基底或該末端表面中至少其中一者處的焊料。
  4. 根據申請專利範圍第3項的結構，其中，該至少其中一個接合元件的末端表面處的焊料係在該第三表面處。
  5. 根據申請專利範圍第3項的結構，其中，該焊料從該至少其中一個接合元件的末端表面處延伸穿過該囊封元件的一部分，朝向該第三表面。
  6. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些接合元件中至少其中一者中與其末端表面相鄰的至少一部分垂直於該第三表面。
  7. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些接合元件中至少其中一者包含一被連結至其末端表面的釘頭凸塊。
  8. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些接合元件中至少其中一者沿著其基底和未被囊封的部分之間的一實質上筆直的直線延伸，且其中，該實質上筆直的直線和該基板的第一表面形成小於90°的角度。
  9. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些接合元件中至少其中一者包含介於其基底和末端表面之間的一實質上彎曲的部分。
  10. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該第三表面包含一位在和該基板之第一表面相隔第一距離處的第一表面部分以及一位在和該基板之第一表面相隔第二距離處的第二表面部分，該第二距離小於該第一距離，且其中，該些接合元件中至少其中一者的未被囊封的部分沒有被該第二表面部分處的囊封元件遮蓋。
  11. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該囊封元件包含一形成於其中的腔部，該腔部從該第三表面朝該基板延伸，且其中，該些接合元件中其中一者的未被囊封的部分被設置在該腔部內。
  12. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些接合元件中至少其中 一者包含下面之中至少其中一者：銅、金、鋁、或是焊料。
  13. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些導體元件中分別和該些接合元件連結的導體元件被排列在具有第一預設配置的第一陣列中，且其中，該些接合元件中和該些導體元件連結的未被囊封的部分則被排列在具有第二預設配置的第二陣列中，該第二預設配置不同於該第一預設配置。
  14. 根據申請專利範圍第13項的結構，其中，該第一預設配置的特徵為具有第一間距，且其中，該第二預設配置的特徵為具有小於該第一間距的第二間距。
  15. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該些接合元件的末端表面配置成用以連接至一第一構件。
  16. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該基板的第一表面的第二部分包含第一子部分與第二子部分，它們的面積的尺寸被設計成用以分別容納第一微電子元件與第二微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分的該些第一子部分與第二子部分處並且被配置成允許分別連接該些第一微電子元件與第二微電子元件。
  17. 根據申請專利範圍第16項的結構，其中，該囊封元件包含被排列成彼此分隔的複數個囊封子元件，其中，該些第一子部分或第二子部分中至少其中一者的面積至少部分由該些複數個囊封子元件中的第一囊封子元件與第二囊封子元件來界定。
  18. 根據申請專利範圍第1項的結構，其進一步包括：複數個第二導體元件，它們位在該基板的第二表面處；多個第二接合元件，它們具有連結至位在該第二表面的一第一部分處 的該些第二導電元件中之個別第二導電元件的基底以及遠離該基板與該些基底的多個末端表面，該些第二接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面；以及一第二介電質囊封元件，其疊置在該第二表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些第二接合元件之間的空間，俾使得該些第二接合元件藉由該第二囊封元件彼此分離，該第二囊封元件具有一第四表面，該第四表面背向該基板的第二表面並且有一從該第四表面處朝該基板的第二表面延伸的邊緣表面，其中，該些第二接合元件之未被囊封的部分係由未被該第四表面處的第二囊封元件遮蓋的該些第二接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定。
  19. 根據申請專利範圍第18項的結構，其中，該第二囊封元件至少部分界定該第二表面的一第二部分，該第二表面的該第二部分並非該第二表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納另一微電子元件的整個面積，而且該第二表面處的至少一部分該些第二導體元件係在該第二表面的該第二部分處並且被配置成用於連接該另一微電子元件。
  20. 根據申請專利範圍第1項的結構，其進一步包括：複數個第一終端，它們係在該第二表面處，該複數個第一終端被配置成用以連接至一第一構件，至少一部分該些第一終端會電連接該些導體元件。
  21. 一種封裝組件，其包含申請專利範圍第1項之結構，且進一步包括：一第一微電子元件，其被設置在該第二部分上方並且被電連接至該一部分導體元件中的至少其中一個導體元件；以及 一介電質塊，其遮蓋該第一微電子元件以及該第二部分的至少一部分，該介電質塊界定一第四表面，該第四表面遠離且背向該第一表面，該第四表面中的至少一部分延伸在該微電子元件與該第二部分上方，該介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；其中，該介電質塊並非該囊封元件。
  22. 根據申請專利範圍第21項的封裝組件，其中，該邊緣表面的至少一部分接觸該第二邊緣表面的至少一部分。
  23. 根據申請專利範圍第22項的封裝組件，其中，該邊緣表面或是該第二邊緣表面中至少其中一者的至少一部分為平面。
  24. 根據申請專利範圍第21項的封裝組件，其中，從該基板之第二表面處算起的該介電質塊的厚度小於從該基板之第二表面處算起的該囊封元件的厚度。
  25. 根據申請專利範圍第21項的封裝組件，其中，該第一微電子元件具有第五與第六對面的表面，該第五表面面向該第一表面，且其中，該第一微電子元件會電連接該些第五表面與第六表面中至少其中一者處的一部分第一導體元件中的至少其中一個第一導體元件。
  26. 根據申請專利範圍第25項的封裝組件，其中，一延伸自該第六表面的接合導線會電連接該第一微電子元件與該一部分導體元件中的至少其中一個導體元件。
  27. 根據申請專利範圍第25項的封裝組件，其中，該第一微電子元件的第五表面處的一接點會電連接該一部分第一導體元件中的至少其中一個第一導體元件。
  28. 根據申請專利範圍第21項的封裝組件，其進一步包括：一重新分配層，其沿著該第三表面或該第四表面中至少其中一者的至少一部分延伸，其中，該重新分配層包含一重新分配基板，該重新分配基板具有一第五表面以及一第六表面，該第五表面相鄰於該第三表面或該第四表面中至少其中一者，而該第六表面遠離該第五表面；多個第一導體觸墊，位在該重新分配基板的該第五表面處以及對齊且被機械連接至該些接合元件的未被囊封的部分中的個別未被囊封的部分；以及多個第二導體觸墊，位在該重新分配基板的該第六表面處，它們會被電連接至該些第一導體觸墊。
  29. 一種封裝組件，其包含申請專利範圍第1項之結構，且進一步包括：一第一微電子元件，其被設置在該基板的該第二表面上方並且經由該第二表面處的複數個第二導體元件中的至少其中一個第二導體元件電連接該些導體元件中的至少其中一個導體元件；以及一介電質塊，其遮蓋該第一微電子元件與背向該第一微電子元件延伸的該第二表面的至少一部分，該介電質塊界定一第四表面，該第四表面遠離且背向該第二表面。
  30. 根據申請專利範圍第29項的封裝組件，其中，該第一微電子元件具有第五與第六對面的表面，該第五表面面向該第二表面，且其中，該第一微電子元件會在該些第五表面與第六表面中至少其中一者處電連接該些第二導體元件中的至少其中一個第二導體元件。
  31. 根據申請專利範圍第30項的封裝組件，其中，一延伸自該第六表面 的接合導線會電連接該第一微電子元件與該至少其中一個第二導體元件。
  32. 根據申請專利範圍第30項的封裝組件，其中，該第一微電子元件的第五表面處的一接點會電連接該至少其中一個第二導體元件。
  33. 根據申請專利範圍第29項的封裝組件，其進一步包括：至少一第二微電子元件，其被設置在該第二部分上方並且電連接該些導體元件中的至少其中一個導體元件。
  34. 根據申請專利範圍第33項的封裝組件，其中，該第二微電子元件具有第七與第八對面的表面，該第七表面面向該第一表面，且其中，該第二微電子元件會在該些第七表面與第八表面中至少其中一者處電連接該些導體元件的至少一部分。
  35. 根據申請專利範圍第34項的封裝組件，其中，一延伸自該第八表面的接合導線會電連接該第二微電子元件與該至少一部分該些第一導體元件的其中一個第一導體元件。
  36. 根據申請專利範圍第34項的封裝組件，其中，該第二微電子元件的第七表面處的一接點會電連接該至少一部分該些導體元件的其中一個導體元件。
  37. 根據申請專利範圍第33項的封裝組件，其中，該第二微電子元件係一微電子封裝的一部分，其中，該微電子封裝包含一第二基板，其具有第七與第八對面的表面，該第二微電子元件被設置在該第八表面的上方，該第二基板上有多個導電元件，該第二基板上的該些導體元件包含該第七表面處的終端，該第二微電子元件會電連接該第二基板上的導體元件中的至少其中一個導體元件； 其中，該第七表面面向該第一表面且該微電子封裝的該些終端會藉由個別的焊料元件電連接該結構的導體元件。
  38. 根據申請專利範圍第33項的封裝組件，其中，該第二微電子元件係一在其一表面上包含多個終端的微電子封裝的一部分，其中，該第二微電子元件會經由一外部構件的導體元件來電連接該一部分導體元件中的至少其中一個導體元件，該微電子封裝的該些終端以及該些接合元件中的至少其中一個接合元件會被電連接至該外部構件的導體元件。
  39. 根據申請專利範圍第33項的封裝組件，其中，該至少一第二微電子元件包含複數個該些第二微電子元件，且該些第二微電子元件中的至少其中一者係和該結構之導體元件中至少特定一導體元件電連接的微電子封裝的一部分。
  40. 根據申請專利範圍第39項的封裝組件，其中，該些第二微電子元件中的其中一者係一微電子封裝的一部分，該微電子封裝在其一表面處具有多個終端，該些終端藉由個別焊料元件電連接該結構的該一部分導體元件，以及該些第二微電子元件中的另一者係一微電子封裝的一部分，該微電子封裝在其一表面處具有多個終端，該些終端經由一外部構件的導體元件電連接該些導體元件的一部分，該些第二微電子封裝中的該另一者的終端以及該些接合元件中的至少其中一個接合元件會被電連接至該外部構件的導體元件。
  41. 根據申請專利範圍第39項的封裝組件，其中，該基板的第一表面的第二部分包含第一子部分與第二子部分， 它們的面積的尺寸被設計成用以分別容納該些第二微電子元件中的第一者以及包含該些第二微電子元件中另一者的微電子封裝的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分的該些第一子部分與第二子部分處並且被配置成允許分別連接該些第二微電子元件中的第一者以及該微電子封裝。
  42. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該囊封元件從該基板的第一表面的第一部分至該第三表面延伸至少為150微米的長度。
  43. 根據申請專利範圍第1項的結構，其中，該囊封元件所疊置的該基板的第一表面的第一部分會完全封閉該基板的第一表面的第二部分。
  44. 一種製造一結構的方法，其包括：於一基板上形成一介電質囊封元件，該基板具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件，且其中，多個接合元件在其基底處被連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件，而該些接合元件的末端表面則遠離該基板與該些基底，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面；其中，該介電質囊封元件被形成疊置在該基板的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該基板的第一表面並且有一從該第三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定；以及 其中，該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
  45. 根據申請專利範圍第44項的方法，其中，該些接合元件包含接合導線、微柱體、或是導線中至少其中一者。
  46. 根據申請專利範圍第44項的方法，其中，該些接合元件包含至少一導線，其會在該囊封元件被形成於該基板上之前在其基底處被焊接至該些導體元件中的其中一個導體元件。
  47. 根據申請專利範圍第44項的方法，其進一步包括：在形成該囊封元件之後，形成一介電質塊以遮蓋一第一微電子元件及該第二部分的至少一部分，該第一微電子元件被設置在該第二部分上方並且電連接至少一部分該些導體元件，該介電質塊界定一第四表面，該第四表面遠離且背向該第一表面，該第四表面中的至少一部分延伸在該微電子元件與該第二部分上方，該介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；其中，該介電質塊並非該囊封元件。
  48. 根據申請專利範圍第47項的方法，其中，該邊緣表面的至少一部分接觸該第二邊緣表面的至少一部分。
  49. 根據申請專利範圍第44項的方法，其進一步包括：形成一介電質塊，其遮蓋該第一微電子元件與背向該第一微電子元件延伸的該第二表面的至少一部分，該第一微電子元件被設置在該基板的第 二表面上方並且經由該第二表面處的複數個第二導體元件中的至少其中一個第二導體元件電連接該些導體元件中的至少其中一個導體元件。
  50. 根據申請專利範圍第49項的方法，其進一步包括：電連接至少一第二微電子元件與該基板之第一表面的第二部分處的一部分該些導體元件。
  51. 根據申請專利範圍第50項的方法，其中，該至少一第二微電子元件包含複數個該些第二微電子元件，且該些第二微電子元件中的至少其中一者係和至少一部分該些第一導體元件電連接的微電子封裝的一部分。
  52. 根據申請專利範圍第50項的方法，其中，該些第二微電子元件中的其中一者係一微電子封裝的一部分，該微電子封裝在其一表面處具有多個終端，該些終端藉由個別焊料元件電連接該結構的該一部分導體元件，以及該些第二微電子元件中的另一者係一微電子封裝的一部分，該微電子封裝在其一表面處具有多個終端，該些終端經由一外部構件的導體元件電連接該第一表面處該些導體元件的一部分，該些第二微電子封裝中的該另一者的終端以及該些接合元件中的至少其中一個接合元件會被電連接至該外部構件的導體元件。
  53. 一種結構，其包括：一主動式晶粒，其具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件；多個接合元件，它們具有連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件的基底以及遠離該晶粒與該些基底的多個末端表面，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面；以及 一介電質囊封元件，其疊置在該晶粒的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該晶粒的第一表面並且有一從該第三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定；其中，該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
  54. 根據申請專利範圍第53項的結構，其中，該晶粒係一可場程式化閘陣列。
  55. 根據申請專利範圍第53項的結構，其中，該第三表面包含一位在和該晶粒之第一表面相隔第一距離處的第一表面部分以及一位在和該晶粒之第一表面相隔第二距離處的第二表面部分，該第二距離小於該第一距離，且其中，該些接合元件中至少其中一者的未被囊封的部分沒有被該第二表面部分處的囊封元件遮蓋。
  56. 根據申請專利範圍第53項的結構，其中，該囊封元件包含一形成於其中的腔部，該腔部從該第三表面朝該晶粒延伸，且其中，該些接合元件中其中一者的未被囊封的部分被設置在該腔部內。
  57. 一種封裝組件，其包含申請專利範圍第53項之結構，且進一步包括：一第一微電子元件，其被設置在該第二部分上方並且被電連接至該一 部分導體元件中的至少其中一個導體元件；以及一介電質塊，其遮蓋該第一微電子元件以及該第二部分的至少一部分，該介電質塊界定一第四表面，該第四表面遠離且背向該第一表面，該第四表面中的至少一部分延伸在該微電子元件與該第二部分上方，該介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；其中，該介電質塊並非該囊封元件。
  58. 根據申請專利範圍第57項的封裝組件，其中，該邊緣表面的至少一部分接觸該第二邊緣表面的至少一部分。
  59. 根據申請專利範圍第58項的封裝組件，其中，該邊緣表面或是該第二邊緣表面中至少其中一者的至少一部分為平面。
  60. 根據申請專利範圍第57項的封裝組件，其中，該介電質塊囊封該些接合元件的未被囊封的部分並且疊置在該囊封元件的第三表面上。
  61. 根據申請專利範圍第57項的封裝組件，其進一步包括：一第二介電質塊，其疊置在該介電質塊的第四表面和該囊封元件的第三表面上並且囊封該些接合元件的未被囊封的部分；其中，該第二介電質塊並非該囊封元件和該介電質塊。
  62. 根據申請專利範圍第57項的結構，其中，該晶粒的第一表面的第二部分包含第一子部分與第二子部分，它們的面積的尺寸被設計成用以分別容納第一微電子元件與第二微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分的該些第一子部分與第二子部分處並且被配置成允許分別連接該些第一微電子元件與第二微電子元件。
  63. 一種封裝組件，其包含申請專利範圍第62項之結構，且進一步包括： 該些第一微電子元件與第二微電子元件，其中，該些第一微電子元件與第二微電子元件分別被設置在該些第一子部分與第二子部分上方，並且被電連接至該一部分該些導體元件中的至少一個導體元件；一第一介電質塊，其會遮蓋該第一微電子元件以及該第一子部分的至少一部分，該第一介電質塊界定一第四表面，該第四表面遠離且背向該第一表面，該第四表面中的至少一部分延伸在該第一微電子元件與該第一子部分上方，該第一介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；一第二介電質塊，其會遮蓋該第二微電子元件以及該第二子部分的至少一部分，該第二介電質塊界定一第五表面，該第五表面遠離且背向該第一表面，該第五表面中的至少一部分延伸在該第二微電子元件與該第二子部分上方，該第二介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；其中，該些第一介電質塊與第二介電質塊中的每一者皆非該囊封元件。
  64. 根據申請專利範圍第63項的封裝組件，其中，該邊緣表面的至少一部分接觸該第一介電質塊或第二介電質塊中至少其中一者的第二邊緣表面的至少一部分。
  65. 一種封裝組件，其包含申請專利範圍第62項之結構，且進一步包括該些第一微電子元件與第二微電子元件，其中，該第一微電子元件係一第一微電子封裝，其被設置在該第一子部分上方並且電連接該第二表面處的導體元件中的至少其中一個導體元件；以及 其中，該第二微電子元件係一第二微電子封裝，其被設置在該第二子部分上方並且經由一外部構件的導體元件電連接該第二表面處的導體元件中的至少其中一個導體元件，該第二封裝的終端以及該些接合元件中的至少其中一個接合元件會被電連接至該外部構件的導體元件。
  66. 一種製造一結構的方法，其包括：於在晶圓級所提供的一主動式晶粒上形成一介電質囊封元件，該晶粒具有第一與第二對面表面以及位在該第一表面處的複數個導電元件，且其中，多個接合元件在其基底處被連結至位在該第一表面的一第一部分處的導電元件中之個別導電元件，而該些接合元件的末端表面則遠離該晶粒與該些基底，該些接合元件中的每一者係從其基底延伸至其末端表面，其中，該介電質囊封元件被形成疊置在該晶粒的第一表面的該第一部分上並延伸自該第一部分以及填充該些接合元件之間的空間，俾使得該些接合元件藉由該囊封元件彼此分離，該囊封元件具有一第三表面，該第三表面背向該晶粒的第一表面並且有一從該第三表面處朝該第一表面延伸的邊緣表面，其中，該些接合元件之未被囊封的部分係由未被該第三表面處的囊封元件遮蓋的該些接合元件之末端表面中的至少多個部分所界定，以及其中，該囊封元件至少部分界定該第一表面的一第二部分，該第二部分並非該第一表面的該第一部分而且面積的尺寸被設計成用以容納一微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分處並且被配置成用於連接此微電子元件。
  67. 根據申請專利範圍第66項的方法，其進一步包括： 在形成該囊封元件之後，形成一介電質塊以遮蓋一第一微電子元件及該第二部分的至少一部分，該第一微電子元件被設置在該第二部分上方並且電連接至少一部分該些導體元件，該介電質塊界定一第四表面，該第四表面遠離且背向該第一表面，該第四表面中的至少一部分延伸在該微電子元件與該第二部分上方，該介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；其中，該介電質塊並非該囊封元件。
  68. 根據申請專利範圍第67項的方法，其中，該邊緣表面的至少一部分接觸該第二邊緣表面的至少一部分。
  69. 根據申請專利範圍第67項的方法，其中，該介電質塊囊封該些接合元件的未被囊封的部分並且疊置在該囊封元件的第三表面上。
  70. 根據申請專利範圍第67項的方法，其進一步包括：形成一第二介電質塊，其疊置在該介電質塊的第四表面和該囊封元件的第三表面上並且囊封該些接合元件的未被囊封的部分；其中，該第二介電質塊並非該囊封元件和該介電質塊。
  71. 根據申請專利範圍第66項的方法，其進一步包括：電連接至少其中一個微電子元件和該晶粒之第一表面的第二部分處的導體元件的一部分。
  72. 根據申請專利範圍第66項的方法，其進一步包括：電連接該晶粒之第一表面的第二部分的第一子部分處的至少其中一個第一微電子元件和該晶粒之第一表面的第二部分的第二子部分處的至少其中一個第二微電子元件，其中，該些第一子部分與第二子部分中每一者的 面積的尺寸被設計成用以分別容納該些第一微電子元件與第二微電子元件的整個面積，而且該第一表面處的至少一部分該些導體元件係在該第二部分的該些第一子部分與第二子部分處並且被配置成允許分別連接該些第一微電子元件與第二微電子元件。
  73. 根據申請專利範圍第72項的方法，其進一步包括：形成一第一介電質塊，其會遮蓋該第一微電子元件以及該第一子部分的至少一部分，該第一介電質塊界定一第四表面，該第四表面遠離且背向該第一表面，該第四表面中的至少一部分延伸在該第一微電子元件與該第一子部分上方，該第一介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；以及形成一第二介電質塊，其會遮蓋該第二微電子元件以及該第二子部分的至少一部分，該第二介電質塊界定一第五表面，該第五表面遠離且背向該第一表面，該第五表面中的至少一部分延伸在該第二微電子元件與該第二子部分上方，該第二介電質塊界定一面向該邊緣表面之至少一部分的第二邊緣表面；其中，該些第一介電質塊與第二介電質塊中的每一者皆非該囊封元件。
  74. 根據申請專利範圍第72項的方法，其中，該第一微電子元件係一第一微電子封裝，其被設置在該第一子部分上方並且電連接該第二表面處的導體元件中的至少其中一個導體元件；以及其中，該第二微電子元件係一第二微電子封裝，其被設置在該第二子部分上方並且經由一外部構件的導體元件電連接該第二表面處的導體元件中的至少其中一個導體元件，該第二封裝的終端以及該些接合元件中的至 少其中一個接合元件會被電連接至該外部構件的導體元件。
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