JP4530975B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ダイの電極パッドと外部リードとの間をワイヤで接続するワイヤボンディング方法に係り、特に低ワイヤループ形成方法に関する。
第2ボンド点にワイヤをボンディングするために、キャピラリが第2ボンド点の僅かに上方に移動した場合には、キャピラリの下端から余分のワイヤが垂れ下がって垂れ下がり部を形成したワイヤ形状となっている。この垂れ下がり部は、第2ボンド点にワイヤをボンディングした時に反発を起こして上方に膨らみ、ワイヤループの直進性を劣化させる。従来、第2ボンド点へのボンディング時におけるワイヤループの膨らみを防止するワイヤボンディング方法として、例えば特許文献1及び2が挙げられる。
特開平4−370941号公報(特許第3049515号) 特開2000−82717号公報
特許文献1は、第1ボンド点にワイヤを接続後、キャピラリを第2ボンド点の僅かに上方で、かつ僅かに第1ボンド点側に位置させた後、キャピラリを第2ボンド点の方向に斜めに下降させて第2ボンド点にワイヤをボンディングする。このように、キャピラリを斜めに下降させることにより、キャピラリの下端から垂れ下がっている垂れ下がり部が吸収される。
特許文献2は、第1ボンド点にワイヤを接続した後、キャピラリを第2ボンド点より僅かに第1ボンド点側に下降してキャピラリの下端より垂れ下がった垂れ下がり部を水平面に押し付け、次にキャピラリは上昇及び第2ボンド点の上方に移動させた後、キャピラリを下降させて第2ボンド点にワイヤをボンディングする。このように、第2ボンド点にボンディングする前にキャピラリの下端より垂れ下がったワイヤを水平面に押し付けるので、第2ボンド点へのボンディング時におけるワイヤループの膨らみを防止することができる。
なお、発明が解決しようとする課題と直接関係ないが、第1ボンド点からのワイヤループの高さを低く形成するワイヤボンディング方法として、例えば特許文献3が挙げられる。特許文献3は、ワイヤの先端に形成したボールをダイの電極パッドに圧着して圧着ボールを形成し、次にキャピラリを上昇移動・水平移動等のループコントロールを行った後に圧着ボール上にワイヤを圧着してワイヤボンディング部を形成している。このように、第1ボンド点へのボンディングを行うことにより第1ボンド点からワイヤループ高さを低くすることができる。
特開平9−51011号公報
特許文献1のように第2ボンド点へのボンディング前にキャピラリを斜めに下降させても、キャピラリの下端部にはワイヤの垂れ下がり部は通常の第2ボンド点へのボンディング方法より少ないが、依然として残る。従って、第2ボンド点にボンディングした時における前記垂れ下がり部によるワイヤの塑性変形による反発は避けられなく、ワイヤループの傾斜部に膨らみが生じる。
特許文献2のように垂れ下がり部を水平面に押し付けた場合、垂れ下がり部はキャピラリ内とワイヤループの傾斜部に分散し、それぞれの部分を弛ませる。次の工程でキャピラリが或る高さまで上昇した時、キャピラリ内に弛んでいたワイヤが下方に押し戻され、キャピラリの下端部に出てくる。次の第2ボンド点へのボンディングで前記キャピラリの下端部に出てきたワイヤを第2ボンド点に押圧するので、特許文献1の時と同様に、ワイヤの塑性変形による反発が生じ、通常の第2ボンド点へのボンディング方法より小さいが、ワイヤループの傾斜部に膨らみが生じる。
本発明の課題は、ワイヤループの膨らみを除去することができ、更に一層の直進性の向上が図れるワイヤボンディング方法を提供することにある。
上記課題を解決するための本発明の請求項1は、ワイヤが挿通されたキャピラリと、ワイヤをクランプするクランパとを備え、キャピラリに挿通されたワイヤをキャピラリで第1ボンド点である電極パッドと第2ボンド点である外部リードとの間を接続するワイヤボンディング方法において、電極パッドにボンディング後、クランパが開状態でキャピラリを外部リードの上方より下降させてワイヤが完全に外部リードに接続させない程度にワイヤを押し潰して薄肉部を形成し、次にクランパを閉じてキャピラリを第1ボンド点とほぼ同じ高さに上昇させて前記薄肉部をキャピラリと共に上昇させ、続いてキャピラリを第1ボンド点から離れる方向に移動させて第1ボンド点にボンディングさせたワイヤを引っ張って該ワイヤを直線状ワイヤ部とすると共に前記薄肉部より切断させ、次にキャピラリで前記直線状ワイヤ部の端部を押圧して外部リードにボンディングすると共に、キャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードにボンディングし、次にクランパが開いてキャピラリを上昇させる上昇途中にクランパを閉じて前記キャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードより剥がしてキャピラリ下端より延在したテール部を形成することを特徴とする。
上記課題を解決するための本発明の請求項2は、ワイヤが挿通されたキャピラリと、ワイヤをクランプするクランパとを備え、キャピラリに挿通されたワイヤをキャピラリで第1ボンド点である電極パッドと第2ボンド点である外部リードとの間を接続するワイヤボンディング方法において、電極パッドにボンディング後、クランパが開状態でキャピラリを外部リードの上方より下降させてワイヤが完全に外部リードに接続させない程度にワイヤを押し潰して薄肉部を形成し、次にクランパを閉じてキャピラリを第1ボンド点とほぼ同じ高さに上昇させて前記薄肉部をキャピラリと共に上昇させ、続いてキャピラリを第1ボンド点から離れる方向に移動させて第1ボンド点にボンディングさせたワイヤを引っ張って該ワイヤを直線状ワイヤ部とすると共に前記薄肉部より切断させ、次にキャピラリを下降させてキャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードにボンディングし、次にクランパが開いてキャピラリを上昇させる上昇途中にクランパを閉じて前記キャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードより剥がしてキャピラリの下端より延在したテール部を形成し、このテール部にボールを形成した後、このボールを前記直線状ワイヤ部の端部に押し付けて該直線状ワイヤ部の端部と共にボールを外部リードにボンディングしてボールを圧着ボールに形成し、続いてキャピラリを上昇させる上昇途中にクランパを閉じて圧着ボールよりワイヤを切断してキャピラリ下端より延在したテール部を形成することを特徴とする。
キャピラリを第1ボンド点から離れる方向に移動させて第1ボンド点に接続させたワイヤを引っ張って該ワイヤを直線状ワイヤ部とすると共に前記薄肉部より切断させる。この工程により跳ね上がり部は引っ張られ、また薄肉部より切断されて片持支持の直線状ワイヤ部となる。この片持支持の直線状ワイヤ部の端部をキャピラリによって押圧して外部リードにボンディングするので、ワイヤループの直進性が向上する。
本発明のワイヤボンディング方法の第1の実施の形態を図1乃至図3により説明する。外部リード1が形成されたリードフレーム2上には、電極パッド3が形成されたダイ4がマウントされている。図3(b)に示すように、キャピラリ5にはワイヤ10が挿通されている。なお、6はクランパを示す。
まず、図1(a)に示す第1ボンド点Aにボンディングを行い、圧着ボール11と該圧着ボール11上にワイヤボンディング部12を形成する。この圧着ボール11及びワイヤボンディング部12の形成は、例えば特許文献3の方法で行う。即ち、図3(b)に示すように、クランパ6が閉じた状態でキャピラリ5の下端より延在するテール部13に図示しない電気トーチによる火花放電によってボール14を形成する。次にクランパ6は開いた状態となり、キャピラリ5が第1ボンド点Aの上方に移動した後に下降し、ボール14を第1ボンド点Aにボンディングして、図1(a)に示すように圧着ボール11を形成する。続いてキャピラリ5が上昇移動・水平移動等のループコントロールを行った後に圧着ボール11上にワイヤ10を圧着してワイヤボンディング部12を形成する。その後、キャピラリ5は外部リード1の第2ボンド点Bの僅かに上方に位置する。この場合、キャピラリ5の下端から余分のワイヤ10が垂れ下がった垂れ下がり部15が形成されている。
次に図1(b)に示すように、キャピラリ5が下降してワイヤ10をリードフレーム2の外部リード1に押し付け、薄肉部16を形成する。このように、ワイヤ10を外部リード1に押し付けると、垂れ下がり部15が跳ね上がり、跳ね上がり部17となる。この場合、薄肉部16は外部リード1に完全に接続されなく、次の図1(c)工程でクランパ6が閉じてキャピラリ5が上昇する時、薄肉部16がキャピラリ5と共に持ち上げられる半接続状態に押し潰される。次にクランパ6が閉じて図1(c)に示すように、キャピラリ5は第1ボンド点Aの高さとほぼ同じ高さまで上昇する。
次に図2(a)に示すように、キャピラリ5は第1ボンド点Aから離れる方向に水平移動する。これにより、跳ね上がり部17が引っ張られてほぼ水平な直線状ワイヤ部18が形成されると共に、薄肉部16より切断される。続いて図2(b)に示すように、キャピラリ5は該キャピラリ5の下端が直線状ワイヤ部18の端部19の上方に位置するように移動する。次に図2(c)に示すように、キャピラリ5が下降し、直線状ワイヤ部18の端部19を外部リード1にボンディングする。この時、キャピラリ5の下端より僅かに伸びたワイヤ先端部20も外部リード1に接続される。
次にクランパ6は開き、図3(a)(b)に示すように、キャピラリ5が上昇する。このキャピラリ5の上昇途中、即ち図3(a)に示すように上昇した時にクランパ6が閉じる。これにより、図3(b)に示すように、ワイヤ先端部20は外部リード1より剥がれ、キャピラリ5の下端にはテール部13が形成される。このテール部13に電気トーチによってボール14を形成した後に図1の工程に移る。
このように、図1(c)から図2(a)の工程により跳ね上がり部17は引っ張られ、また薄肉部16より切断されて片持支持の直線状ワイヤ部18となる。この片持支持の直線状ワイヤ部18の端部19を図2(b)(c)に示すように、キャピラリ5によって押圧して第2ボンド点Bにボンディングするので、ワイヤループの直進性が向上する。
本発明のワイヤボンディング方法の第2の実施の形態を図4乃至図6により説明する。本実施の形態は、前記実施の形態と図1(a)から図2(a)までは同じである。図4(a)は図2(a)の状態を示す。前記実施の形態は、図2(a)の工程後、直線状ワイヤ部18の端部19をキャピラリ5により直接第2ボンド点Bにボンディングした。本実施の形態は、図4(a)(図2(a))の工程後、直線状ワイヤ部18の端部19をキャピラリ5により直接第2ボンド点Bにボンディングしない。
図4(a)の工程後、図4(b)に示すように、キャピラリ5が下降し、ワイヤ先端部20を外部リード1に軽く接続する。次にクランパ6は開き、図4(c)及び図5(a)に示すように、キャピラリ5が上昇する。このキャピラリ5の上昇途中、即ち図4(c)に示すように上昇した時にクランパ6が閉じる。これにより、図5(a)に示すように、ワイヤ先端部20は外部リード1より剥がれ、キャピラリ5の下端にはテール部25が形成される。このテール部25に図示しない電気トーチによる火花放電によってボール26を形成する。
次にクランパ6は開いた状態となり、キャピラリ5は直線状ワイヤ部18の端部19の上方に移動する。続いて図5(c)に示すように、キャピラリ5が下降して直線状ワイヤ部18の端部19を外部リード1に押し付けると共に、ボール26を直線状ワイヤ部18の端部19上及び外部リード1にボンディングし、圧着ボール27を形成する。次に図6(a)(b)に示すように、キャピラリ5が上昇する。このキャピラリ5の上昇途中、即ち図6(a)に示すように上昇した時にクランパ6が閉じる。これにより、図6(b)に示すように、圧着ボール27の上端よりワイヤ10は切断され、キャピラリ5の下端にはテール部13が形成される。このテール部13に図示しない電気トーチによる火花放電によってボール14を形成した後に図1の工程に移る。
本実施の形態においても片持支持の直線状ワイヤ部18の端部19を第2ボンド点Bにボンディングするので、前記実施の形態と同様にワイヤループの直進性が向上する。また本実施の形態においては、第2ボンド点Bにボンディングされた端部19に圧着ボール27を形成するので、第2ボンド点Bへのボンディングの肉厚が厚くなり、強度が向上する。
なお、上記実施の形態においては、第1ボンド点Aへのボンディングを特許文献3のボンディング方法でボンディングを行ったが、この方法に限定されるものではなく通常のボンディング方法でもよい。しかし、特許文献3のボンディング方法であると、第1ボンド点Aからの立ち上がりを低くすることができ好ましい。
本発明のワイヤボンディング方法の第1の実施の形態を示す工程図である。 図1の続きの工程図である。 図2の続きの工程図である。 本発明のワイヤボンディング方法の第2の実施の形態を示す工程図である。 図4の続きの工程図である。 図5の続きの工程図である。
符号の説明
A 第1ボンド点
B 第2ボンド点
1 外部リード
2 リードフレーム
3 電極パッド
4 ダイ
5 キャピラリ
6 クランパ
10 ワイヤ
11 圧着ボール
12 ワイヤボンディング部
15 垂れ下がり部
16 薄肉部
17 跳ね上がり部
18 直線状ワイヤ部
19 端部
20 ワイヤ先端部
25 テール部
26 ボール
27 圧着ボール

Claims (2)

  1. ワイヤが挿通されたキャピラリと、ワイヤをクランプするクランパとを備え、キャピラリに挿通されたワイヤをキャピラリで第1ボンド点である電極パッドと第2ボンド点である外部リードとの間を接続するワイヤボンディング方法において、電極パッドにボンディング後、クランパが開状態でキャピラリを外部リードの上方より下降させてワイヤが完全に外部リードに接続させない程度にワイヤを押し潰して薄肉部を形成し、次にクランパを閉じてキャピラリを第1ボンド点とほぼ同じ高さに上昇させて前記薄肉部をキャピラリと共に上昇させ、続いてキャピラリを第1ボンド点から離れる方向に移動させて第1ボンド点にボンディングさせたワイヤを引っ張って該ワイヤを直線状ワイヤ部とすると共に前記薄肉部より切断させ、次にキャピラリで前記直線状ワイヤ部の端部を押圧して外部リードにボンディングすると共に、キャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードにボンディングし、次にクランパが開いてキャピラリを上昇させる上昇途中にクランパを閉じて前記キャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードより剥がしてキャピラリ下端より延在したテール部を形成することを特徴とするワイヤボンディング方法。
  2. ワイヤが挿通されたキャピラリと、ワイヤをクランプするクランパとを備え、キャピラリに挿通されたワイヤをキャピラリで第1ボンド点である電極パッドと第2ボンド点である外部リードとの間を接続するワイヤボンディング方法において、電極パッドにボンディング後、クランパが開状態でキャピラリを外部リードの上方より下降させてワイヤが完全に外部リードに接続させない程度にワイヤを押し潰して薄肉部を形成し、次にクランパを閉じてキャピラリを第1ボンド点とほぼ同じ高さに上昇させて前記薄肉部をキャピラリと共に上昇させ、続いてキャピラリを第1ボンド点から離れる方向に移動させて第1ボンド点にボンディングさせたワイヤを引っ張って該ワイヤを直線状ワイヤ部とすると共に前記薄肉部より切断させ、次にキャピラリを下降させてキャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードにボンディングし、次にクランパが開いてキャピラリを上昇させる上昇途中にクランパを閉じて前記キャピラリ下端のワイヤ先端を外部リードより剥がしてキャピラリの下端より延在したテール部を形成し、このテール部にボールを形成した後、このボールを前記直線状ワイヤ部の端部に押し付けて該直線状ワイヤ部の端部と共にボールを外部リードにボンディングしてボールを圧着ボールに形成し、続いてキャピラリを上昇させる上昇途中にクランパを閉じて圧着ボールよりワイヤを切断してキャピラリ下端より延在したテール部を形成することを特徴とするワイヤボンディング方法。
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Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9833818B2 (en) 2004-09-28 2017-12-05 International Test Solutions, Inc. Working surface cleaning system and method
JP5592055B2 (ja) 2004-11-03 2014-09-17 テッセラ,インコーポレイテッド 積層パッケージングの改良
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
JP4625858B2 (ja) * 2008-09-10 2011-02-02 株式会社カイジョー ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
KR102094563B1 (ko) 2012-07-17 2020-03-27 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 와이어 상호접속 구조를 형성하는 방법
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
JP2014207430A (ja) * 2013-03-21 2014-10-30 ローム株式会社 半導体装置
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9093515B2 (en) * 2013-07-17 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wire bonding capillary with working tip protrusion
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) * 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
TWI543284B (zh) * 2014-02-10 2016-07-21 新川股份有限公司 半導體裝置的製造方法以及打線裝置
JP5686912B1 (ja) * 2014-02-20 2015-03-18 株式会社新川 バンプ形成方法、バンプ形成装置及び半導体装置の製造方法
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
TWI567839B (zh) * 2014-08-27 2017-01-21 矽品精密工業股份有限公司 打線構造及銲線形成方法
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9530749B2 (en) 2015-04-28 2016-12-27 Invensas Corporation Coupling of side surface contacts to a circuit platform
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
US9825000B1 (en) 2017-04-24 2017-11-21 International Test Solutions, Inc. Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method
US10843885B2 (en) 2018-02-23 2020-11-24 International Test Solutions, Inc. Material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls
US11756811B2 (en) 2019-07-02 2023-09-12 International Test Solutions, Llc Pick and place machine cleaning system and method
US10792713B1 (en) 2019-07-02 2020-10-06 International Test Solutions, Inc. Pick and place machine cleaning system and method
US11318550B2 (en) 2019-11-14 2022-05-03 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures
US11211242B2 (en) 2019-11-14 2021-12-28 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures
US11035898B1 (en) 2020-05-11 2021-06-15 International Test Solutions, Inc. Device and method for thermal stabilization of probe elements using a heat conducting wafer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200802A (ja) * 1998-12-31 2000-07-18 Texas Instr Inc <Ti> 半導体デバイスにおける非常に長いボンデングワイヤのためのシステム及び方法
JP2005167178A (ja) * 2003-11-10 2005-06-23 Shinkawa Ltd 半導体装置及びワイヤボンディング方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5925377B2 (ja) * 1980-04-05 1984-06-16 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法
JP2789395B2 (ja) 1991-06-19 1998-08-20 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法
JPH0951011A (ja) 1995-08-10 1997-02-18 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体チップのワイヤボンディング方法
DE19823623A1 (de) * 1998-05-27 1999-12-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Kontaktstelle zur Herstellung einer elektrischen Verbindung
JP3422937B2 (ja) * 1998-07-27 2003-07-07 株式会社新川 ワイヤボンディングにおけるボール形成方法
JP2000082717A (ja) 1998-09-07 2000-03-21 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング方法
JP3455126B2 (ja) * 1999-03-02 2003-10-14 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200802A (ja) * 1998-12-31 2000-07-18 Texas Instr Inc <Ti> 半導体デバイスにおける非常に長いボンデングワイヤのためのシステム及び方法
JP2005167178A (ja) * 2003-11-10 2005-06-23 Shinkawa Ltd 半導体装置及びワイヤボンディング方法

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