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2014-07-01 |
2016-02-17 |
浜松ホトニクス株式会社 |
レーザ加工装置、レーザ加工装置の制御方法、レーザ装置の制御方法、及び、レーザ装置の調整方法
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US9757815B2
(en)
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2014-07-21 |
2017-09-12 |
Rofin-Sinar Technologies Inc. |
Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
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JP6327519B2
(ja)
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2014-07-30 |
2018-05-23 |
日立金属株式会社 |
炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板
|
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JP6483974B2
(ja)
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2014-07-31 |
2019-03-13 |
浜松ホトニクス株式会社 |
加工対象物切断方法
|
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JP6390898B2
(ja)
|
2014-08-22 |
2018-09-19 |
アイシン精機株式会社 |
基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
|
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JP6506520B2
(ja)
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2014-09-16 |
2019-04-24 |
株式会社ディスコ |
ＳｉＣのスライス方法
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JP6328534B2
(ja)
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2014-09-30 |
2018-05-23 |
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス |
基板処理装置および基板処理方法
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LT3206829T
(lt)
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2014-10-13 |
2019-03-12 |
Evana Technologies, Uab |
Lazerinio apdorojimo būdas perskelti arba perpjauti ruošinį, formuojant "adatos" formos pažeidimus
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EP4234156B1
(de)
*
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2014-11-27 |
2025-10-29 |
Siltectra GmbH |
Laserbasiertes trennverfahren
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MY199526A
(en)
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2014-11-27 |
2023-11-03 |
Siltectra Gmbh |
Solid body division by conversion of substances
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JP6358940B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-07-18 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
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JP6358941B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-07-18 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
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JP6366486B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-08-01 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6399914B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-10-03 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
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JP6418927B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-11-07 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6366485B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-08-01 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6399913B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-10-03 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6355540B2
(ja)
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2014-12-04 |
2018-07-11 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
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(en)
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2014-12-31 |
2016-06-30 |
Cree, Inc. |
Methods of performing semiconductor growth using reusable carrier substrates and related carrier substrates
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JP6391471B2
(ja)
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2015-01-06 |
2018-09-19 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6395613B2
(ja)
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2015-01-06 |
2018-09-26 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
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JP6395633B2
(ja)
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2015-02-09 |
2018-09-26 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6395632B2
(ja)
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2015-02-09 |
2018-09-26 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6395634B2
(ja)
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2015-02-09 |
2018-09-26 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6444207B2
(ja)
|
2015-02-17 |
2018-12-26 |
株式会社ディスコ |
六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置
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JP6494382B2
(ja)
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2015-04-06 |
2019-04-03 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
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JP6425606B2
(ja)
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2015-04-06 |
2018-11-21 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6429715B2
(ja)
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2015-04-06 |
2018-11-28 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
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DE102015006971A1
(de)
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2015-04-09 |
2016-10-13 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern
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(ja)
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2015-04-15 |
2018-12-26 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6456228B2
(ja)
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2015-04-15 |
2019-01-23 |
株式会社ディスコ |
薄板の分離方法
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JP6472333B2
(ja)
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2015-06-02 |
2019-02-20 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6482389B2
(ja)
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2015-06-02 |
2019-03-13 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6478821B2
(ja)
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2015-06-05 |
2019-03-06 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6552898B2
(ja)
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2015-07-13 |
2019-07-31 |
株式会社ディスコ |
多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
|
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JP6482423B2
(ja)
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2015-07-16 |
2019-03-13 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6494457B2
(ja)
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2015-07-16 |
2019-04-03 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6482425B2
(ja)
|
2015-07-21 |
2019-03-13 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの薄化方法
|
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JP6472347B2
(ja)
|
2015-07-21 |
2019-02-20 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの薄化方法
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(de)
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2015-07-31 |
2021-02-04 |
Infineon Technologies Ag |
Verfahren zum bilden eines halbleiterbauelements und halbleiterbauelement
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JP6486240B2
(ja)
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2015-08-18 |
2019-03-20 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの加工方法
|
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JP6486239B2
(ja)
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2015-08-18 |
2019-03-20 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの加工方法
|
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JP6633326B2
(ja)
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2015-09-15 |
2020-01-22 |
株式会社ディスコ |
窒化ガリウム基板の生成方法
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JP6562819B2
(ja)
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2015-11-12 |
2019-08-21 |
株式会社ディスコ |
ＳｉＣ基板の分離方法
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CN105436710B
(zh)
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2015-12-30 |
2019-03-05 |
大族激光科技产业集团股份有限公司 |
一种硅晶圆的激光剥离方法
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JP6654435B2
(ja)
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2016-01-07 |
2020-02-26 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
|
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JP6602207B2
(ja)
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2016-01-07 |
2019-11-06 |
株式会社ディスコ |
ＳｉＣウエーハの生成方法
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JP6604891B2
(ja)
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2016-04-06 |
2019-11-13 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6690983B2
(ja)
|
2016-04-11 |
2020-04-28 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
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JP6669594B2
(ja)
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2016-06-02 |
2020-03-18 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
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JP6678522B2
(ja)
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2016-06-10 |
2020-04-08 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法及び剥離装置
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JP6698468B2
(ja)
*
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2016-08-10 |
2020-05-27 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
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JP6723877B2
(ja)
*
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2016-08-29 |
2020-07-15 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
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JP6773506B2
(ja)
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2016-09-29 |
2020-10-21 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
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(ja)
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2016-12-02 |
2018-06-14 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
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JP6773539B2
(ja)
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2016-12-06 |
2020-10-21 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
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2017-01-04 |
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Cree, Inc. |
Stabilized, high-doped silicon carbide
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JP6831253B2
(ja)
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2017-01-27 |
2021-02-17 |
株式会社ディスコ |
レーザー加工装置
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JP6781639B2
(ja)
*
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2017-01-31 |
2020-11-04 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
|
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JP6858586B2
(ja)
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2017-02-16 |
2021-04-14 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
|
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JP6858587B2
(ja)
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2017-02-16 |
2021-04-14 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成方法
|
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JP6797481B2
(ja)
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2017-03-01 |
2020-12-09 |
株式会社ディスコ |
半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置
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US12159805B2
(en)
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2017-04-20 |
2024-12-03 |
Siltectra Gmbh |
Method for producing wafers with modification lines of defined orientation
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JP6935224B2
(ja)
|
2017-04-25 |
2021-09-15 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
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JP6923877B2
(ja)
|
2017-04-26 |
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国立大学法人埼玉大学 |
基板製造方法
|
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CN107170668B
(zh)
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镓特半导体科技（上海）有限公司 |
一种自支撑氮化镓制备方法
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JP6904793B2
(ja)
|
2017-06-08 |
2021-07-21 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成装置
|
|
JP6994852B2
(ja)
|
2017-06-30 |
2022-01-14 |
株式会社ディスコ |
レーザー加工装置及びレーザー加工方法
|
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JP6976745B2
(ja)
|
2017-06-30 |
2021-12-08 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成装置
|
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JP6946153B2
(ja)
|
2017-11-16 |
2021-10-06 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置
|
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JP6974133B2
(ja)
|
2017-11-22 |
2021-12-01 |
株式会社ディスコ |
ＳｉＣインゴットの成型方法
|
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JP6976828B2
(ja)
|
2017-11-24 |
2021-12-08 |
株式会社ディスコ |
剥離装置
|
|
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(ja)
|
2017-11-29 |
2022-03-14 |
株式会社ディスコ |
剥離装置
|
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JP6959120B2
(ja)
|
2017-12-05 |
2021-11-02 |
株式会社ディスコ |
剥離装置
|
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JP7009194B2
(ja)
|
2017-12-12 |
2022-01-25 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成装置および搬送トレー
|
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JP7009224B2
(ja)
|
2018-01-16 |
2022-01-25 |
株式会社ディスコ |
平坦化方法
|
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JP7123583B2
(ja)
|
2018-03-14 |
2022-08-23 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
|
|
JP7027215B2
(ja)
|
2018-03-27 |
2022-03-01 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
|
|
JP7073172B2
(ja)
|
2018-04-03 |
2022-05-23 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
|
JP7137992B2
(ja)
|
2018-08-02 |
2022-09-15 |
株式会社ディスコ |
加工装置及び剥離装置
|
|
JP7235456B2
(ja)
|
2018-08-14 |
2023-03-08 |
株式会社ディスコ |
半導体基板の加工方法
|
|
JP7106217B2
(ja)
|
2018-08-22 |
2022-07-26 |
株式会社ディスコ |
ファセット領域の検出方法及び検出装置
|
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JP7187215B2
(ja)
|
2018-08-28 |
2022-12-12 |
株式会社ディスコ |
ＳｉＣ基板の加工方法
|
|
JP7201367B2
(ja)
|
2018-08-29 |
2023-01-10 |
株式会社ディスコ |
ＳｉＣ基板の加工方法
|
|
JP7128067B2
(ja)
|
2018-09-14 |
2022-08-30 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
|
|
JP7164396B2
(ja)
|
2018-10-29 |
2022-11-01 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ生成装置
|
|
JP7229729B2
(ja)
|
2018-11-08 |
2023-02-28 |
株式会社ディスコ |
Ｆａｃｅｔ領域の検出方法および検出装置ならびにウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
|
|
JP7166893B2
(ja)
|
2018-11-21 |
2022-11-08 |
株式会社ディスコ |
ウエーハの生成方法
|
|
JP7285636B2
(ja)
|
2018-12-06 |
2023-06-02 |
株式会社ディスコ |
板状物の加工方法
|
|
US11024501B2
(en)
|
2018-12-29 |
2021-06-01 |
Cree, Inc. |
Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
|
|
US10562130B1
(en)
|
2018-12-29 |
2020-02-18 |
Cree, Inc. |
Laser-assisted method for parting crystalline material
|
|
US10576585B1
(en)
*
|
2018-12-29 |
2020-03-03 |
Cree, Inc. |
Laser-assisted method for parting crystalline material
|
|
US10867797B2
(en)
|
2019-02-07 |
2020-12-15 |
Cree, Inc. |
Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation
|
|
JP7308652B2
(ja)
|
2019-04-26 |
2023-07-14 |
株式会社ディスコ |
デバイスチップの製造方法
|
|
US10611052B1
(en)
|
2019-05-17 |
2020-04-07 |
Cree, Inc. |
Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
|
|
JP7321022B2
(ja)
|
2019-07-29 |
2023-08-04 |
株式会社ディスコ |
レーザー加工装置およびレーザー加工方法
|