JP2013041948A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013041948A5
JP2013041948A5 JP2011177292A JP2011177292A JP2013041948A5 JP 2013041948 A5 JP2013041948 A5 JP 2013041948A5 JP 2011177292 A JP2011177292 A JP 2011177292A JP 2011177292 A JP2011177292 A JP 2011177292A JP 2013041948 A5 JP2013041948 A5 JP 2013041948A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lattice
photonic crystal
slab
substrate
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011177292A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5794687B2 (ja
JP2013041948A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011177292A priority Critical patent/JP5794687B2/ja
Priority claimed from JP2011177292A external-priority patent/JP5794687B2/ja
Priority to US13/571,985 priority patent/US8619830B2/en
Publication of JP2013041948A publication Critical patent/JP2013041948A/ja
Publication of JP2013041948A5 publication Critical patent/JP2013041948A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5794687B2 publication Critical patent/JP5794687B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2011177292A 2011-08-12 2011-08-12 フォトニック結晶面発光レーザ Active JP5794687B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011177292A JP5794687B2 (ja) 2011-08-12 2011-08-12 フォトニック結晶面発光レーザ
US13/571,985 US8619830B2 (en) 2011-08-12 2012-08-10 Photonic crystal surface emission laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011177292A JP5794687B2 (ja) 2011-08-12 2011-08-12 フォトニック結晶面発光レーザ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013041948A JP2013041948A (ja) 2013-02-28
JP2013041948A5 true JP2013041948A5 (enExample) 2014-05-22
JP5794687B2 JP5794687B2 (ja) 2015-10-14

Family

ID=47677541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011177292A Active JP5794687B2 (ja) 2011-08-12 2011-08-12 フォトニック結晶面発光レーザ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8619830B2 (enExample)
JP (1) JP5794687B2 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112014001152B9 (de) * 2013-03-07 2025-10-16 Hamamatsu Photonics K.K. Laserelement mit einer photonischen Kristallschicht und Laservorrichtung
JP6333804B2 (ja) 2013-03-07 2018-05-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ素子及びレーザ装置
US9627850B2 (en) 2013-03-08 2017-04-18 Japan Science And Technology Agency Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
JP6080941B2 (ja) * 2013-03-08 2017-02-15 国立研究開発法人科学技術振興機構 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP6163542B2 (ja) * 2013-04-17 2017-07-12 国立研究開発法人科学技術振興機構 フォトニック結晶及びそれを利用した光機能デバイス
JP6202572B2 (ja) * 2014-02-06 2017-09-27 国立大学法人京都大学 半導体レーザモジュール
JP6305855B2 (ja) * 2014-07-11 2018-04-04 オリンパス株式会社 画像表示装置
US11646546B2 (en) 2017-03-27 2023-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns
US11637409B2 (en) * 2017-03-27 2023-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting module and control method therefor
JP6959042B2 (ja) 2017-06-15 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
US11626709B2 (en) 2017-12-08 2023-04-11 Hamamatsu Photonics K.K. Light-emitting device and production method for same
JP6925249B2 (ja) * 2017-12-08 2021-08-25 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
US12126140B2 (en) 2018-06-08 2024-10-22 Hamamatsu Photonics K.K. Light-emitting element
US11923655B2 (en) * 2018-08-27 2024-03-05 Hamamatsu Photonics K.K. Light emission device
EP4024630B1 (en) * 2019-08-30 2024-07-31 Kyoto University Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
US12489271B2 (en) * 2020-03-31 2025-12-02 Kyoto University Two-dimensional photonic-crystal laser
TWI899291B (zh) * 2021-07-22 2025-10-01 晶元光電股份有限公司 半導體元件
CN113644548B (zh) * 2021-08-18 2023-11-07 业成科技（成都）有限公司 光子晶体面射型激光结构
GB2625726B (en) * 2022-12-21 2025-09-24 Vector Photonics Ltd Surface Emitting Laser Devices and Methods for Manufacturing Same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3983933B2 (ja) * 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
US6778581B1 (en) * 2002-09-24 2004-08-17 Finisar Corporation Tunable vertical cavity surface emitting laser
KR20080049734A (ko) * 2005-09-05 2008-06-04 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 2차원 포토닉 결정 면발광 레이저 광원
US8284814B2 (en) * 2007-08-31 2012-10-09 Japan Science And Technology Agency Photonic crystal laser

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013041948A5 (enExample)
JP5794687B2 (ja) フォトニック結晶面発光レーザ
CN105637113B (zh) 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
JP6184985B2 (ja) 二層透明導電膜及びその製造方法
US8284814B2 (en) Photonic crystal laser
CN105845711B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
JP6269264B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、多面付け蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法
JP6594615B2 (ja) 蒸着用マスク及びそれを用いた有機ｅｌ表示装置の製造方法、並びに、蒸着用マスクの製造方法
JP2009177146A5 (enExample)
JP2016174148A5 (enExample)
JP2010050255A5 (enExample)
JP2010079243A5 (enExample)
JP6326885B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
CN104576698A (zh) 一种有机发光二极管的阵列基板及其封装方法
JP5087772B2 (ja) ３次元フォトニック結晶
JP6795287B2 (ja) 半導体レーザ、および帰還素子を含む半導体レーザの製造方法
US8337712B2 (en) Method for forming etching mask, method for fabricating three-dimensional structure and method for fabricating three-dimensional photonic crystalline laser device
CN103777377A (zh) 半导体光调制器
JP2017187620A5 (enExample)
JP2016092416A (ja) 半導体レーザの製造方法
CN105244761B (zh) 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法
JP2009070835A (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP2016154203A5 (enExample)
JP2013539239A5 (enExample)
JP7705477B2 (ja) エネルギーフィルタと、エネルギーフィルタの少なくとも一部に重なるための支持要素とを伴うイオン注入デバイス