TW201229690A - Stage drive method and stage drive apparatus, exposure apparatus, and device producing method - Google Patents

Description

201229690 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於載台驅動方法及載台裝置、曝光裝置、 及元件製造方法，更詳言之，係關於將能在包含有液體局 部供應之2維面内之第1區域之區域移動之2個載台驅動 之載台驅動方法及適於實施該載台驅動方法之載台裝置， 在投影光學糸統與基板之間供應液體且透過投影光學系統 與該液體使基板曝光之曝光裝置，以及使用該曝光裝置之 元件製造方法。 【先前技術】 習知，在供製造半導體元件（積體電路等）、液晶顯示元 件等電子元件之微影步驟，主要使用步進重複⑴邛ad repeat)方式之縮小投影曝光裝置（所謂步進機），或步進掃描 (step and scan)方式之投影曝光裝置（所謂掃描步進機（亦2 為掃描機）），將光罩或標線片（以下，統稱為「標線片」）之 圖案像透過投影光學系統，轉印於塗布有光阻（感光劑）之晶 圓或玻璃板等之感光性基板（以下，稱為「基板」或「晶圓」） 上之複數個各照射區域。 投影曝光裝置所具備之投影光學系統之解析度R，能以 下式（1)之瑞利（Rayleigh)式表示 R=K丨χλ/ΝΑ (1) 在此，λ係曝光波長，ΝΑ係投影光學系統之數值孔徑， Κι係處理係數。由於此式（1) ’所使用之曝光波長（曝光用光 4 201229690 之波長）越短，且投影光學系統之數值孔徑（NA)越大，解析 度R則越高。因此，隨著積體電路之微細化，使用於投影 曝光裝置之曝光波長則年年越短波長化，目前以比KrF準 分子雷射光（波長248nm)短波長之ArF準分子雷射光（波長 193nm)為光源之曝光裝置亦實用化。又，投影光學系統之 數值孔徑亦逐漸增大。 進行曝光時，與解析度同樣，焦點深度（£>()17)亦重要。 焦點深度<5，能以下式（2)表示。 (5 =Κ2χ λ /ΝΑ2 · (2) 在此，I係處理係數。依據式（1)、式（2)，為了要提高 解析度R，#使曝光波長縮Μ，使數值孔徑ΝΑ變大（大Μ 化），則付知焦點深度δ會變小。在投影曝光裝置，係將晶 :之表面配合投影光學系統之像面來進行曝光，因此，較 佳者為焦點深度6應具某程度大。 然而，藉由上述曝光用光之短波長化及投影光學系 之，ΝΑ化，焦點深度5係越來越變小。〖，曝光波長將 會變成更短波長化已確定，假如保持此趨勢，焦點深度 則會變過小，而產生曝光動作時之焦點裕度不足之虞。 此田作貫寊上能使曝光波長縮短，且比空氣中 :點深度變大(寬廣)之方法，最近利用液浸法之曝光裝置 心注目。利用該液浸法之曝光敦置，已知'悉：在投影 統之下面與晶圓表面之間，以局部填滿水或有機溶 :液體之狀態’進行曝光者（例如，參照下述專利文獻！ 專利文獻1所記載之曝光裝置，係利用在液體中之曝 201229690 用光之波長’會成為空氣中之Wn倍（η係液體之折射率通 丰1 · 2〜1 · 6程度），來提高解析度，並且比起不使用液浸法 能獲得與該解析度相同解析度之投影光學系統（假設此種投 衫光學系統之製造係可能），能使焦點深度擴大為η倍，即 比空氣中能使焦點深度實質上擴大η倍。 'j而專利文獻1所記載之曝光裝置，於晶圓交換時， 在曰a圓載台從投影光學系統正下方離開前之階段，需要將 液體暫吩回收，使投影光學系統之下面與晶圓表面之間， :濕狀態變成乾狀態。但是，如此，若每於晶圓交換時， ”要進仃液體之回收與供應’可確定液體之回 需之時間會變成曝光裝置之產能降低之要因。“、應斤 士上述將技影光學系統之像面側之光路空間 :、狀態變成乾狀態時’若持續乾狀態，則在構成投影光 =最下端之光學構件(所謂前球，透鏡或玻璃板等;以下 端透鏡」.）之表面，會有產生水紋（水痕）之虞。又 構件^广透鏡附近若配置自動對焦機構之構成構件之光 :如棱鏡)之情形，在該自動對議^ 會產生水紋(水痕)之虞。此水紋之產生， 而以η先4統之透過率降低或閃光（flare)之要因， 又:成為使投影光學系統之其他結像性能惡化之要因 右在上述稜鏡算甚斗 晶圖主 寺產生水痕之情形，以自動對隹方式/ ®表面與投影光學系 降低之虞。又，水痕：產=準時之面對準精度則: 學構件之更換，但其更換：Τ，需要前端透鏡或; 、旯換所需之時間會成為使曝光裝置： 6 201229690 運轉率降低之要因。 又’在本說明書，使用水以外之液體時，將形成於前 端透鏡等之花紋亦稱為水紋（水痕）。 (專利文獻1)國際公開第99/495〇4號小冊子 【發明内容】 本發明，有鑒於上述情況，依第i觀點，—種載台驅 動方法’係在包含有液體局部供應之2維面内之第1區域、 與位於該第1區域之第丨軸方向一側之第2區域之既定範 圍區域内，獨立驅動第1載台與第2載台，其特徵在於： 當從該第1、第2載台中之一載台位於該第丨區域之第 1狀恶，遷移至另一載台位於該第1區域之第2狀態時，使 该第1載台與第2載台，維持於與該第丨軸方向交叉之第2 轴方向上呈近接狀態及接觸狀態之任—狀態，並將該第丨、 第2載台朝g亥第2軸方向同時驅動。 在此’所謂「第i载台與第2載台呈近接狀態」，係 指以從第i載台與第2載台之間糊液體，或液體之浅 ?少之程度，<吏第1載台與第2載台呈近接狀態而言。但 ^第1載台與第2載台之間隔之容許值，係因該兩载台 ==體之種類等而不同。本說明書，係站在此種觀 使用^载台與第2裁台呈近接狀態」之表現。 依此’在W體局部供應之2維_ =第1區域之第1㈣向-側之第2區域之既二 ”戈内’使第i載台與第2载台獨立驅動時，在從一栽 7 201229690 台位於該帛1區域之第1狀態遷移至另_載台位於該第i 區域之第2狀態之情形，第i、第2载台，維持與第i軸方 向交叉之第2軸方向彼此呈近接狀態或接觸狀態，而朝第2 軸方向同時驅動。藉此，以在第丨、第2載台中之至少一載 台上形成液浸區域之狀態，邊防止或抑制從第1、第2載台 (:載台)之間隙沒漏液體，邊能從第i狀態遷移至第乂 態。即，從一載台上保持液體之狀態，經過在雙方之載台 上保持液體之狀態’至另一載台上保持液體之狀態，不必 經過液體之全回收、再度供應之步驟，能使其遷移。因此， 將從第1狀態至第2狀態之遷移能以短時間進行。

本發明，依第2觀點’ 一種載台驅動方法係在包含 有液體局部供應之2維面内之第丄區域、與位於該第U 域之第1軸方向一側之第2區域之既定範圍之區域内，驅 動第1載台；在包含該第1區域、盥位 /、位於s亥苐1區域之該 第！軸方向之另一側之第3區域之既定範圍之區域内，驅 動第2載台，其特徵在於： 當從該第卜第2載台中之一載台位於該第）區域之第 1狀態’遷移至另一載台位於該第i區域之第2狀態時使 该第1載台與第2載台，維持與該第"由方向呈近接狀能 及接觸狀態之任一狀態，並將該第丨、第2載台朝該 方向同時驅動。 依此，在包含將液體局部供應之2維面内之第i區域、 與位於該$ 1區域之第丨軸方向一側之第2區域之既定範 圍區域内，驅動第1載台’在包含該第.1區域、與位於該 201229690 域广1軸方向之另-側之第3區域之既定範圍 =移Γ第2載台時，從-載台位於第1區域… 狀m遷移至另一載Α 、珩 台與第2载台，維㈣第 2之第2狀態時，第1載 之任一狀能.、 車方向呈近接狀態或接觸狀態 第 2:二，::,第 或抑制從第〗、第Γ載成液浸區域之狀態，邊防止 遷移至第2狀態。即，°從漏液體，邊能從第1狀態 在雙方之載台上保持液體之狀能ΓΓ:之狀態，經過 之狀態，不必經過液體之全回載”保持液體 其遷移。因此，將從第】狀… 應之步驟’能使 間進行。 1狀…2狀態之遷移能以短時 本發明’依第3觀點，第1載台裝置，具備： 之/ H 2載台H包含有液體局部供應之2維面内 第1區域、與位於該第1區域之第1轴方向一側之第2 區域之既定範圍區域内獨立驅動；及 币2 控制裝置，當從該第i、第2載台令之一載台位於該第 &域之弟1狀態，遷移至另-載台位於該第1區域之第2 :態時’該第丨載台與該第2載台，維持與該第丨 父又之第2軸方向呈近接狀態及㈣ 使該第丨、第2載台朝該第―時移動二:來： 制該第1、第2載台。 ^ 依此，從第i、第2载台中之一載台位於有液體 應之2維面内之第1區域之第1狀態，遷移至另一載二 9 201229690 於該第1區域之第2狀態時’藉 2載台，使第卜第2載台維持與第Γ:^ 方向彼此呈近接狀態或接觸狀態 又又之第2軸 動。藉此，以”… 向朝第2軸方向同時移 n糟此以在第丨、第2載台中之至少— R，北能& 载D上形成液浸 £成之狀怂，邊防止或抑制從第i、第2 ㈣漏液體’邊能從第"大態遷 ：D之間 松， 卑2狀態。即，從一 載。上保持液體之狀態’經過在雙方之載 狀態’至另一載台上保持液體能 ，、、攻且之 狀心 不必經過液體之全 :收、再度供應之步驟’能使其遷移。因此，將從 悲至第2狀態之遷移能以短時間進行。 本發明，依第4觀點，第2載台裝置’具備： 第1載台，能在包含有液體局部供應之2維面内之第1 區:或二與位於該第1區域之第i軸方向—側之第2區域之 既定範圍之區域内移動； ▲第2載口，月b在包含該第i區域、與位於該第1區域 之該第I轴方向之另一側之第3區域之既定範圍區 動；及 控制裝置’使從該第卜第2載台中之一載台位於該第 1區域之第1狀態’遷移至另一載台位於該第i區域之第2 狀態時’將該第1、第2載台控制成，維持與該第1轴方向 呈近接狀悲及接觸狀態之任_狀態，以使該第1、第2載A 朝該第1軸方向同時移動。 α 依此，從第1、帛2載台中之一載台位於有液體局部供 應之2維面内之第1區域之第丄狀態，遷移至另一載台位 10 201229690 於該第1區域之第2狀態時，藉由控制裝置，控制第1載 台與第2載台’使第1、第2載台維持與第1軸方向呈近接 狀態及接觸狀態之任—狀態，而朝第丨軸方向同時移動。 藉此’以在第1、第2載台中之至少一載台上形成液浸區域 之狀態，邊防止或抑制從第丨、第2載台之間隙洩漏液體， 邊能彳足第1狀態遷移至第2狀態。即，從一載台上保持液 體之狀態，經過在雙方之載台上保持液體之狀態，至另一 載台上保持液體之狀態，不必經過液體之全回收、再度供 應之步驟’能使其遷移。因此，將從第1狀態至第2狀態 之遷移能以短時間進行。 本發明，依第5觀點，第1曝光裝置，係在投影光學 糸統與基板之間供應液體，透過該投影光學系統與該液 體’藉由能量光束使該基板曝光，具備： 第1載台，能在包含待供應該液體之該投影光學系統 正下方之第1區域、與位於該投影光學系統之第1軸方向 一側之第2區域之既定範圍區域内移動； 第2載台’能在包含該第1區域、與位於該投影光學 系統之第1軸方向之另一側之第3區域之區域内移動； 載台驅動系統，使該第1、第2載台驅動，並且使從— 載σ位於5亥苐1區域之第1狀態遷移至另一載台位於該第1 區域之第2狀態時，使該第1載台與第2載台’維持與該 第1輪方向呈近接狀態及接觸狀態之任一狀態，並將該第 1、第2載台朝該第1軸方向同時驅動； 第1標記檢測系統，配置於該第2區域上方，供檢，則 201229690 存在於該第1載台上之標記；及 供檢測 第2標記檢測系統，配置於該第3區域上方 存在於该第2載台上之標記。 又，使從—載台位於待供應液體之投影光學糸 下方之'1區域之第"大態遷移至另一載台位於第… 之第2狀態時，II由載台驅動系统，維持第卜帛 : 第丨軸方向呈近接狀態及接觸狀態，使該 : 第丨軸方向同時驅動m L 罘2载台車; 等軀動。因此，以在投影光學系 方之$小 此/ . ϋ ^ Λ· it. 7 載cj上保持著液體狀 1、第2載△之門^遭防止或抑制從第 狀能 n夜體’邊能從第1狀態遷移至第. 狀態。# ’從使用一載A 峻移主第, 0S 戰Q進仃透過投影光學系統與液體之 基板之曝光動作後，至 /夜體之 ib -τ'- JH-ΙΙ, 載0開始透過授爭4：風么 統與液體之基板之曝光動作為止 ^又办先學糸 學系統之間保持液體 '載台與投影光 學系統之間保持液體之過：雙方之载台與投影光 之間保持液體之狀能， 另載台與投影光學系統 〜 不必經過；^+人 之步驟，能使其遷移。函… 之體之王回收、再度供應 束後之使用另一载台 史用一载台之曝光動作結 、噪光動作，At 在投影光學系統之像面側 …時間開始。又， 防止在投影光學系統之像面側、續存在液體，故能有效地 (水痕）。又，因能分別—=之光學構件產生前述之水紋 動作與以第2之標記檢測系:丁對第i載台上之基板之曝光

檢測動作（對準動作），及.笛‘，’之第2載台上之基板之標記 v势 河弟2載A 1第丨之標記檢測系統 〇上之基板之曝光動作與 '弟 1 裁 a μ σ上之基板之標記檢測動 12 201229690 作（對準動作），故相較於使用丨個載台將基板交換標記檢 測（對準）及曝光動作逐次進行之情形，能期待產能之提高。 本發明，依第6觀點，第2曝光裝置，係在投影：學 $統與基板之間供應液體，透過該投影光學系統與液體^ 藉由能量光束使該基板曝光，具備： 第1載台，能在包含供應該液體之該投影光學系統正 下方之第1區域、與位於該第i區域之第i軸方向—側之 第2區域之既定範圍區域内移動，且能載置該基板； 第2載台，旎在包含該第丨區域、與位於該第1區域 之第1軸方向之另一侧之第3區域之區域内移動，且 既定之測量；及 、 载台驅動系統，使該第丨、第2載台驅動，並且使從— 載台位於該第1區域之第"大態遷移至另一載台位於該；丨 區域之第2狀態時，使該第！載台與該第2載台維持與 邊第1軸方向呈近接狀態及接觸狀態之任一狀態，並將咳 第丨载台與第2載台朝該第1軸方向同時驅動。 依此，從一載台位於待供應液體之投影光學系統正下 之第1區域之第1狀態遷移至另一載台位於第1區域之 第2狀態時，藉由載台驅動系統，第1、第2載台，維持與 第1軸方向呈近接狀態及接觸狀態之任一狀態，使第1、第 2載台向第1軸方向同時驅動。因此，以在投影光學系統與 位^其正下方之至少一載台之間保持著液體之狀態，邊防 士或抑制從第丨載台與第2載台之間隙洩漏液體，邊能從 弟丨狀態遷移至第2狀態。即，對第丨載台上之基板透過 13 201229690 投影光學系統與液體進行基板之曝光動作後，至使用第2 載台在投影光學系統正下方開始測量為止期間，” 4 台與投影光學系統之間保持液體之狀態，經過在雙方之載 台與投影光學“之間保持液體之狀態m ^台與投 影光學系統之間保持液體之狀態，不必經過液體之全回 收、再度供應之步驟，能使其遷移。又，對第2載台結束 測量後，至對第1載台開始曝光為止1亦同樣。因此’將 使用第1載台之曝光動作結束後之使用第2載台之測量動 作及使用第2載台之測量動作結束後之使用第[載二之 曝光動作，能以短時間開始，能獲得產能之提高。又^在 投影光^系統之像面側，因持續存在液體，故能有效地防 止在投#光學系統之像面側之光學構件產生前述之水紋（水 :艮）又將使用第1載台之基板之曝光動作與使用第2載 台之基板之檢測動作，依測量動作能一起進行。 本發明，依第7 H目^ 0 θ , ‘，第3曝光裝置，係在投影光學 糸、·‘充與基板之間供雁说舰 , '應液體’透過該投影光學系統與液體， 使a亥基板曝光，具備： 第1載α ’忐在包含供應該液體之該投影光學系統正 區域、與位於該第i區域之第丨轴方向一側之 第2區域之既定範圍區域内移動； 第^載口’迠在包含該第1區域與該第2區域之區域 内，與該第1載台獨立移動；及 載台馬區動系統，栋 μ弟1、第2載台驅動，並且使從一 載。位於該第1區域之第"大態遷移至另一載台位於該第1 14 201229690 區域之第2狀態時，使該第1載台與該第2載台，維持於 鉍°亥第1軸方向交叉之第2軸方向上呈近接狀態及接觸狀 態之任—狀態，並將該第1、第2載台朝該第2軸方向同時 驅動。. 依此’從一載台位於待供應液體之投影光學系統正下 方之第1區域之第1狀態遷移至另一載台位於第丨區域之 第2狀態時，藉由載台驅動系統’第丨、第2載台，維持與 第2軸方向（與第丨區域與第2區域所排列之第丨方向的方 向交又）呈近接狀態及接觸狀態之任一狀態，使第1、第2 載。向第2軸方向同時驅動。因此，以在投影光學系統與 位於其正下方之至少一載台之間保持著液體之狀態，邊防 止或抑制從第1載台與第2載台之間隙洩漏液體，邊能從 第1狀態遷移至第2狀態。即’在一載台側透過投影光學 系、、先與液體進行基板之曝光動作後，至在另一載台側透過 投影光學系統與液體開始基板之曝光動作為止期間，從一 載台與投影光學系統之間保持液體之狀態，經過在雙方之 載台與投影光學系統之間保持液體之狀態，至另一載台與 投影光學系統之間保持液體之狀態，不必經過液體之全回 收、再度供應之步驟，能使其遷移。因此，將使用一載台 之曝光動作結束後之使用第2載台之測量動作，及使用第2 載台之測量動作結束後之使用另一載台之曝光動作，能以 短時間開始’能獲得產能之提高。又，在投影光學系統之 像面側’因持續存在液體，故能有效地防止在投影光學系 統之像面側之光學構件產生前述之水紋（水痕）。 15 201229690 本發明，依第8觀點’第4曝光裝置，係在投影光學 系統與基板之間供應液體’选過該投影光學系統與該液 體，使該基板曝光，具備： 第1載台’此在包含待供應s亥液體之該投影光學系統 正下方之第1區域、及與該第1區域不同區域之區域内移 動； 第2載台’能在包含該第1區域、及與該第2區域不 同區域之區域内，與該第丨載台獨立移動； 載台驅動系統’使該第1、第2載台驅動，並且使從一 載台位於該第丨區域之第丨狀態遷移至另_載台位於該第丄 區域之第2狀態時，使該第丨載台與該第2載台，維持與 既定方向呈近接狀態，並將該第丨、第2載台朝該既定方向 同時驅動；及 抑制構件’設置於該第1載台及該第2載台之至少一 方’從該第1狀態遷移至該第2狀態時其位於該兩載台之 間隙’藉此來防止該液體從該間隙洩漏。 依此’從能在包含投影光學系統正下方之第1區域、 及與。亥第1區域不同區域之區域内移動之第1 '第2載台之 載。，位於第丨區域之第丨狀態，遷移至另一載台位 J、 、區域之第2狀態時，藉由使第丨載台與第2載台與第玉 1由方向呈近接狀態，並且使抑制構件（設置於第1、第2載 之至）一方’用以抑制液體之洩漏）以位於兩載台之間隙 之狀態朝該g* t i . 月/既疋方向同時驅動，從第1狀態遷移至第2妝 態時，&台t 士 b極力防止液體從兩載台之間洩漏。 16 201229690 又’在微影步驟，使用本發明之各第1〜第4曝光裝置， 以该能量光束來使基板曝光，藉此，能將元件圖案精度良 好地轉印在基板上’結果能提高高積體度之微元件之生產 性。因此，本發明，進一步從另一觀點來看，亦可稱元件 製造方法’其包含使用本發明之第1〜第4曝光裝置之任— 種’以該能量光束使基板曝光之微影步驟。 【實施方式】 《第1實施形態》 以下，依圖1〜圖1 0說明本發明之第1實施形態。 在圖1，表示第1實施形態之曝光裝置丨〇〇之概略構 成。此曝光裝置100，係步進掃描（step and scan)方式之投 影曝光裝置，即所謂掃描步進機（亦稱為掃描機）。此曝光裝 置1⑽，具備：照明系統1 〇 ;標線片載台RST，用以保持 田作光罩使用之標線片R ;投影單元PU ;晶圓載台裝置5〇， 具有當作第1、第2載台使用之晶圓載台wsin、WST2 ;偏 軸對準（off axis alignment)系統 ALG i、ALG2，當作第】、 第2標記檢測系統；及此等構件之控制系統。在晶圓載台 WST1、WST2上，載置作為基板之晶圓。在圖1，在晶圓載 台wsti上載置晶圓W1，在晶圓載台WST2上載置晶圓 W2。 刖述照明系統1 〇，例如日本特開2〇〇丨_3丨325〇號公報 及對應於此之美國專利申請公開第2〇〇3/〇〇2589〇號說明書 所揭示，包含··光源、照度均勻化光學系統(含有光學積分 17 201229690 器）、分束器、中繼透鏡、可.變ND遽光片、標線片遮簾等（均 未圖示）。此照明系統10,將標線片遮簾所限制之標線片R 上之狭鏠狀照明區域’藉由照明用光（€光用光叫作為斤 量光幻以大致均勻之照度照明。在此，照明用光IL，作: :例，使用ArF準分子雷射光（波長193nm)。又光學積分 器，能使用複眼透鏡、擇忒緒八+ y f A, 炎r边現枰式積分β (内面反射型積分器）或幼 射光學元件等。其他，照明系统10，亦可採用例如曰心 開平㈠侧1號公報及對應於此之美國專利第5534㈣ 號等所揭示之構成。在本案所以之指^國（或所選擇之選 擇國）之國内法令所允許之範圍 、 鞄固挺用上述各公報及對廊於 此之美國專利申請公開說明書或美國專利之揭示，料本 說明書之記載之一部分。

在前述標線片載台RST , 將开〉成電路圖案等於其圖 案面（在圖1係下面）之標線片R，例如藉由真空吸附固i。 標線片載台RST，例如藉由包含線性馬達等之標線片載台 .¾動部11(在圖1未圖示，參照圖5),能在垂直於照明系统 10之光軸（-致於後述之投影光學系統凡之光軸Αχ)之w 平面内微驅動’並且能朝既定之掃描方向(在此，設 1紙面正交方向之γ軸方南、ιν a > a 平由万向）以所指定之掃描速度驅動。 枯線片載口 RST之載台移動面内之位置，係藉由桿 片雷射干涉計（以下，稱Λ「庐括u τ μ + 栴為橾線片干涉計」）116 ,透過移 動鏡15，例如以0.5〜lnm鞀瘅—、如 _ 矛度之力解旎持續檢測。在此， 貫際上，雖在標線片載A R ς T 1_ 戰。RST上設置具有正交於γ軸方 之反射面之Υ移動鏡與具有正交於X軸方向之反射面之χ 18 201229690 移動鏡’對應此等移動鏡設置標線片γ干涉計與標線片x 干^。十’但在圖1以移動鏡15、標線片干涉計1 1 6為代表 此等兀件來表示。又，亦可例如將標線片載台RST之端面 鏡面加工來形成反射面（相當於上述之X移動鏡、Y移動鏡 之反射面）。又，替代朝X軸方向延伸之反射面（使用於標線 片載台RST之掃描方向（在本實施形態係γ軸方向）之位置 檢測）’亦可使用至少1個直角反射鏡（corner cube mirror)(例如retr〇reflect〇r)。在此標線片γ干涉計與標線 片X干涉計之一方，例如標線片γ干涉計，係具有2軸測 長軸之2軸干涉計，根據此標線片γ干涉計之測量值，除 了標線片載台RST之γ位置外，亦能測量ζ軸周圍之旋轉 方向（0ζ方向）之旋轉。 標線片干涉計116之測量值，送至主控制裝置2〇(在圖 1未圖不，參照圖5) ’主控制裝置20 ,根據此標線片干涉 計116之測量值算出標線片載台RST之χ、γ、0 ζ方向之 位置並且根據此算出結果控制標線片載台驅動部】丨，藉 此來控制標線片載台RST之位置（及速度）。 將使用曝光波長之光之 在標線片R之上方 TTR(Through The Reticle)對準系統所構成之一對標線片對 準檢測系，统RAa、RAb&x軸方向隔既定距離設置，用以 透過投影光學系統PL將標線片R上之標線片標記與所對應 之基準s己板上之基準標記同時觀察。此等標線片對準檢 測系統RAa、RAb，使用例如與日本特開平WWW號公 報及對應於此之美國專利第5,646,4 i 3號等所揭示者同樣之 19 201229690 2成。，本案所指定之指定國（或戶斤選擇之選擇國）之國内法 7所允1^之® ’援用上述公報及對應於此之美國專利之 揭不，作為本說明書之記載之一部分。 才又〜單元PU，配置於圖1之標線片載台RST之下方。 :又：：兀PU ’包含：鏡筒40 ;及投影光學系統PL，由在 该鏡筒40内以既定之位置關係保持之複數個光學元件級 成杈〜光學系統PL，例如使用由具有z軸方向之共同光 :AX之複數個透鏡(透鏡元件)所構成之折射光學系統。此 投影光學系統PL’例如在兩側遠心具有既定之投影倍率(例 如1/4倍、1/5倍或1/8倍）。因此，若以來自照明系統 之照明用光IL使標線片R之照明區域照明，藉由通過此標 線片R之照明用光IL，透過投影單元pu(投影光學系統 PL) ’將忒照明區域内之標線片R之電路圖案之縮小像（電 路圖案之一部分之縮小像）形成於在表面塗布有光阻（感光 劑）之晶圓上。 又’在本實施形態之曝光裝置100，如後述由於係進行 適用液浸法之曝光，故伴隨數值孔徑NA實質上增大，桿線 片側之礼徑亦變大。因此，在僅以透鏡構成之折射光學系 統’要滿足珀茲伐（Petzval)條件變成困難，而有使投影光學 系統大型化之趨勢。為了要避免此種投影光學系統之大型 化，亦可使用包含反射鏡與透鏡所構成之反射折射系統 (catadioptric 系統）。 又’本實施形痣’在構成投影光學系統PL之最像面側 (晶圓側）之透鏡（以下’稱為「前端透鏡」）9 1與晶圓載二 20 201229690 wsT1或WST2上之晶圓之間（或前端透鏡9ι與晶圓載a WST1或WST2之間），設置用以局部供應液體之液體供排 系統3 2。在圖1，表示構成此液體供排單元之嘴，來代表 液體供排系統32。又，對液體供排系統32之構成等’將予 後述。 前述晶圓載台裝置50,具備··基盤ι2;晶圓載台wsti、 WST2’配置於該基盤12上面之上方；干涉計系统⑴（參 照圖5) ’係包含用來測量此等晶圓載台WSTi、wst2之位 置之干涉計之位置測量裝置；及晶圓載台驅動部i24(參照 圖5)，用以驅動晶圓載台WST1、WST2。

在晶圓載# WST1、WST2之底面，將未圖示之非接觸 軸承，例如真空預壓型空氣靜壓軸承（以下，稱為「氣墊」） 設置於複數個位置，藉由從該等氣墊朝基盤丨2上面所噴」出 之加壓空氣之靜壓，在基盤丨2上面之上方將圓載台丁丨、 WST2透過數a m程度之間隙非接觸地浮起支撐。又’晶圓 載台wsti、wst2，藉由晶圓載台驅動部124，獨立於X 軸方向（圖1紙面内之左右方向）及γ軸方向（與圖丨紙面正 交之方向）能沿2維方向驅動。 笛在基盤12上，如圖2之俯視圖所示，將一對X軸線性 導件（朝X軸方向延伸之X固定件）86、87沿γ軸方向隔既 定間隔配置。此等X軸線性導件86、87，例如藉由内設永 久磁鐵群組（沿X軸方向以既定間隔且交替配置之Ν極磁鐵 與s極磁鐵之複數組所構成）之磁極單元來構成。在此等X 轴線性導件86、87上方，設置各2個滑件82、料及Μ、 21 201229690 85 ’形成將所對應之χ軸線性導件86、87從上方包圍之狀 態且非接觸。即，合計4個滑件82、84、83、85，具有截 面倒u字形之形狀，形成將x軸線性導件86、87從上方及 側方包圍，對所對應之X軸線性導件86、87分別透過未圖 示之氣墊例如以數// m程度之間隙浮起支撐。各滑件82、 Μ、83、85 ’例如藉由分別内設沿χ軸方向以既定間隔配 置之電樞線圈之電樞單元來構成。即，在本實施形態，藉 由電枢單元所構成之滑件82、84與磁極單元所構成之乂軸 線性導件86 ’分別構成動圈型之χ軸線性馬達。同樣地， 藉由滑件83、85肖X軸線性導件8 7，分別構成動圈（则wng 型之X軸線性馬達。以τ，對上述4個各χ轴線性馬 達，使用與構成各可動件之滑件82、84、83、以相同之符 號，稱為χ軸線性馬達8 2、χ軸線性馬$ 8 4、χ軸線性馬 達8 3、X軸線性馬達8 5。 上述4個X軸線性馬達中，構成2個χ軸線性馬達. 83之滑件，分別固定於丫軸線性導件叫當作朝Υ軸方向 延伸…定件)之長邊方向之一端與另一端。又，構成另 :之2:χ軸線性馬達84、85之滑件’固定於丫軸線性導 牛8 1 ( g作朝γ軸方向延 因…軸線性導件801二：件)之-端與另-端。 82 M s G 81，猎由各—對之X轴線性馬達 84、85 ’使其沿X軸分別驅動。 前述各γ軸線，时道#。Λ 性導件80、81，例如藉由分 軸方向以既定間隔配罟· 配置之電樞線圈之電樞單元來構 一 Y軸線性導体s 1 、 ，以插入狀態設置於形成在晶圓載 22 201229690 台WST1之開口。在此晶圓載台WST1之上述開口之内部， 設置具有永久磁鐵群組(例如沿γ軸方向以既定間隔且交替 配置之N極磁鐵與3極磁鐵之複數組所構成）之磁極單元。 藉由此磁極單元與4線性導件8W冓成將晶圓載台WST1 沿Y軸方向驅動之動磁型之γ軸線性馬達。同樣地，另— 丫抽、線性導件8〇,以插人狀態設置於形成在 之開口。在此晶圓载台WST2之卜、十，„ 72 四料口 之上述開口之内部，設置盥 晶圓載台WST1側同樣之磁極單元。藉由此磁極單元與^ 軸知ϋ導件8〇，構成將晶圓載台wst2沿γ轴方向驅動之 動磁（moving magnet)型之Y轴線性馬達。在以下，對此等 Y軸線性馬達，使用與構成各固定件之線性導件Μ、⑼相 同之符说’稱為γ車由線性馬達8 ^、Y輛線性馬達⑼。 在本實施形態，包含χ軸線性馬達…“及γ軸線性 …達〇 8 1 ’來構成圖5所示之晶圓載台驅動部1 24。構 成此晶圓载台驅動部1 9 4 β 勒丨124之上述各線性馬達，則藉由圖5 所不之主控制裝置20控制。 藉由使一對Χ軸線性馬達84、85(或82、83)分別 斤產生之推力稍微不同，能控制晶圓載台Μη(或W丁2) 之偏摇（yawing)。 、在本實細形態’各晶圓載台WST1、WST2，雖以單-=口圖不’但只際上，具備··載台本體，藉由Y袖線性 :、 80刀別驅動；晶圓台，透過Z ·調平驅動機構（例 :曰圈馬達）載置於該載台本體之上部，對載台本體相對地 車方向及X軸周圍之旋轉方向(h方向)、γ軸周圍之 23 201229690 方疋轉方向（0 y方向）微驅動。 在前述晶圓載台WST1上（晶圓台上），如圖丄所示，設 置晶圓保持具H1，藉由真空吸附等保持晶圓W1。晶圓保 持八Η卜如圖3之立體圖所示，具備：本體部7〇，俯視（從 上方觀察）大致呈正方形；4片輔助板72a〜72d，以從上方重 豐於本體部70之方式配置於晶K W1之載置區域周圍。此 等輔助板72a〜72d之表面 形成與晶圓W1之表面大致相同 之高度。又’輔助板72a〜72d，亦可由一個構件構成。又， 若能在投影光學系統PL之像面側保持液體Lq，亦可在晶圓 表面與輔助板表面之間有段差。 在晶圓載台WST1之上面，將X移動鏡丨7乂（在χ軸方 向之一端（+ Χ側端）具有與χ軸正交之反射面）朝γ軸方向 延設，將Υ移動鏡17Υ (在Υ軸方向之一端(+ γ側端)具有 與Υ軸正父之反射面）朝χ軸方向延設。對此等移動鏡 17Χ、17Υ之各反射面，如圖2所示，將來自構成後述之干 涉計系統118(參照圖5)的干涉計之干涉計光束（測長光束） 投射，藉由以各干涉計接收該反射光，將從各移動鏡反射 面之基準位置（一般係在投影單元ρυ側面，或對準系統 A L G丨之側面配置固定反射鏡，以此為基準面）之位移測量， 藉此，測量晶，WST1之2維位置。較佳者為移動鏡 17X 17Y之上面亦設為與晶圓W1大致相同之高度。 各輔助板72a〜72d與晶圓wi之 D之尺寸，係以成為〜lmm 間 在此’如圖3所示，在 雖存在間隙D，但間隙 之方式設定。又，在晶圓们，雖在其一部分存在缺口（v字 24 201229690 形之缺口），但因此缺口之尺寸亦係僅lmm程度，故省略圖 示 〇 又，輔助板72a，在其一部分形成圓形開口，在其開口 内’嵌入基準標記板FM1。基準標記板，係使其表面 與辅助板72a為大致同一面。在基準標記板FM 1之表面， 形成至少一對標線片對準用之第丨基準標記，及如後述以 對準系統ALG1所檢測之第2基準標記（均未圖示）等。 在前述晶圓載台WST2上（晶圓台上）’如圖}所示，設 置晶圓保持具H2，藉由真空吸附等保持晶圓W2。此晶圓 保持具H2,係與前述之晶圓保持具⑴構成同樣。因此， 在形成於構成此晶圓保持具啦之丨個輔助板之一部分之圓 形開口内，嵌入基準標記板FM2(在圖丨未圖示，參照圖2)。 又，在晶圓載台WST2之上面，將χ移動鏡η7χ(在χ 軸方向之—端（-Χ側端）具有與X軸正交之反射面）朝γ軸方 向延設’將Υ移動鏡117Υ (在γ軸方向之一端(+¥側端)具 =與υ車由正交之反射面）李月χ轴方向延設。對此等移動鏡 井u 7 Υ之各反射面’如圖2所示，將來自構成後述之 干〜1·系、统11 8之干涉計之干涉計光束（測長光束）投射藉 由以各干涉計接收該反射光，將來自各移動鏡反射面之基 準位置之位移測量，藉此，測量晶圓載台WST2之2維位 置。 例如，可將晶圓載台WST1、wst2之端面作鏡面 來形成移動鏡（松當於前述之移動鏡1 7Χ、丨7 Y、1丨、 η7Υ之反射面）。 25 201229690 又，在晶圓載台WSTl、WST2彼此對向側之面，例如 在晶圓載台W S T1之-X側面，於其全面，如圖1 〇所示，貼 附密封構件93。此密封構件93，例如使用由含氟橡膠等所 構成之彈性密封構件。 又，替代晶圓載台WST1之-X側面，亦可將密封構件 93貼附於晶圓載台WST2之+χ側面，亦可將密封構件μ 貼附於晶圓載台WST1之-X側面與晶圓載台WST2之側 面雙方。 回到圖丨，在分別隔相同距離於投影單元PU2+X側、 -X側之位置，分別配置前述之偏軸對準系統（以下，略述為 「對準系統」）則卜ALG2。此等對準系統則丨、alg2’’’， 實際上’係裝設於用以保持投影單元抑之保持構件。此等 對準系統ALG卜ALG2 ,例如使用影像處理方式之f卿_ — Alig一)系統之感測器’該影像處理方式係將對 象標，己之像（將不使晶圓上之光阻感光之寬頻 之檢測光束照射於對象垆 it , ^ # + τ。，藉由來自該對象標記之反射 ==面)與未圖示之指標（…對準系統 …)來攝影後二此t = 之像使用攝影元件 八㈤、則2,不限於FlA=f號輸出。又’對準系統 用光照射於對象標記，认，…，將相干（C〇herent)之檢測 或繞射光，或使從該對象桴 L己所產生之政射先 次數之繞射光，或繞射°生之2個繞射光（例如同 準感測器，單獨$ % & 。之繞射光）干涉來檢測之對 早獨戍適當組合使用當然可能。 26 201229690 在本貫施形怨，對準系統ALG1，係使用於形成在晶圓 載台WST1上之晶圓W1之對準標記及形成在基準標記板 FM1上之基準標記之位置測量等。又，對準系統,係 使用於形成在晶圓載台WST2上之晶圓W2之對準標記及形 成在基準標記板FM2上之基準標記之位置測量等。 來自此等對準系統ALG卜ALG2之資料，如圖5所示， 供應至主控制裝置20。 其次’參照圖2說明干涉計系統π 8之構成等。如圖2 所示’干涉計系統1 1 8，具有：3個Y軸干涉計46、48、44， 刀別具有測軸B12 Y、B13 Y、B11 Y，平行於通過投影光學系 統PL之投影中心（光軸αχ)、對準系統ALG1、ALG2之各 測中心之γ轴，及2個X軸干涉計1 6、1 8，分別具有測 轴ΒΠΧ、ΒΙ2Χ’平行於連結投影光學系統Pl之投影中心（光 轴ΑΧ)及對準系統ALG1、ALG2之檢測中心之X軸。 在此’當晶圓載台WST1位於投影光學系統P]L之光軸 正下方之位置附近之區域（第1區域），對該晶圓载台WST t 上之晶圓進行曝光時，藉由X軸干涉計1 8、Y軸干涉計46 來管理晶圓載台WST i之位置。以下，將藉由此χ軸干涉 計1 8、Υ轴干涉計46各測長軸所規定之座標系統稱為第1 曝光座標系統。 又’晶圓載台WST2當投影光學系統PL位於第1區域， 對該晶圓載台WST2上之晶圓進行曝光時，藉由X軸干涉 叶1 6、Y軸干涉計46來管理晶圓載台WST2之位置。以下， 將藉由此X軸干涉計丨6、γ軸干涉計46各別之測長軸所規 27 201229690 定之座標系統稱為第2曝光座標系統。 又，當晶圓載台WSin，位於對準系統alg12檢測中 心正下方之位置附近之區域(第2區域)，要進行形成於其晶 圓載台WST1上之晶圓之對準標記之檢測時，例如要進行 後述之BB圓對準時’藉由χ轴干涉計i 8、Y轴干涉計Μ來 管理晶圓載台赠1之位置。以下，將藉由此X軸干涉計 18 Y軸干涉計48各測長軸所規定之座標系統稱為第1對 準座標系統、 又，當晶圓載台WST2，位於對準系統ALG2之檢測中 正下方之位置附近之區域（第3區域），要進行形成於其晶 圓載σ WST2上之晶圓之對準標記之檢測時，例如要進行 後述之晶圓對準時，藉由χ軸干涉計16、丫軸干涉計料來 管理晶圓載台WST2之位置。以下，將藉由此X轴干涉叶 16、Y軸干涉計44各別之測長軸所毅之座標系統稱^ 2對準座標系統。 乐 攸上述之說明得知，在本實施形態，來自X軸干涉卄 U、16之干涉計光束，在晶 wSTi、w 囹夕八θ1 z之移動範 王或持，分別照射於晶圓載台WSTi、WST2 心移動鏡 7X、1 1 7X。因此，對χ軸方向，使用投影光學系統&兄 光時，即使使用對準系統ALG1、ALG2時等任何情形: 圓載台wsti、WST2之位置，則藉由χ軸干涉計a曰曰 來g理。此等Χ軸干涉計1 8、16 ,係具有相對於γ軸 及Ζ轴方向離開之至少3支光軸之多軸干涉計’各由方向 輸出值能獨立測量。因此，此軸干涉計i '車由之 16 ’ 除了 28 201229690 晶圓載台WSTl、WST2之x軸方向之位置測量以外.，亦At 測量Y軸周圍之旋轉量（橫榣量（rolling))及z軸周圍之旋車条 量（偏搖量）。 又’上述Y軸干涉計46、48、44，例如係具有相對於 Z軸方向離開之各2支光軸之2軸干涉計，各光轴之輸出值 能獨立測量。因此，此等Y軸干涉計46、48、44，W 7 |示ί晶 圓載台WST1、WST2之Υ軸方向之位置測量以外，亦能、則 量X軸周圍之旋轉量（俯仰量（pitching))。 又’上述多軸干涉計’亦可傾斜45。而設置於晶圓载台 WST卜WST2之反射面，對設置於將投影光學系統pL載置 之架台（未圖示）之反射面照射雷射光束，來檢測相對於投影 光學系統P L之光軸方向（z軸方向）之相對位置資料。 其。人，依圖4說明前述液體供排系統32。此液體供排 系統32,具備：液體供應裝置5;液體回收裝置6 •供應管 21、22、27、28,連接於液體供應裝置5;及回收管 24、29、30，連接於液體回收裝置6。 前述液體供應裝置5,包括：液體之槽；加壓泵；溫度 控制裳置；及複數個閥，用以控制對各供應管2卜Μ、U、 ::液體之供應、停止等。各闕，例如較佳者為使用流量 I:制間，不僅液體之供應、停止，而且亦能進行流量調整。 則述溫度控制裝置，传用央 ., 係用采將液體槽内之液體溫度，調整 马與收納有例如投影單元ρϊ 以早凡PU專所構成之曝光褒置本體之室 (未圖示）内之溫度相同程度的溫度。 别述供應管 21將其—端連接於液體供應裝置

29 201229690 其他端分支為3個，在各分支端分別形成（或設置）由尖細嘴 所構成之供應嘴21a、21b、21c。此等供應嘴21a、21b、21c 之前端’位於前述之前端透鏡9 1 (參照圖1)附近，沿χ軸方 向Pw既定間隔且近接於曝光區域1八（與前述槽上之照明區 域共同作用之像面上之區域）之+γ來配置。以供應嘴21a為 中心’將供應嘴2 1 b、2 1 c配置於大致左右對稱。 前述供應管22，將其一端連接於液體供應裝置5，將 其他端分支為3個，在各分支端分別形成（或設置）由尖細嘴 構成之供應嘴22a、22b、22c。此等供應嘴22a、. 22b、22c 之前端，位於前端透鏡91附近，沿χ軸方向隔既定間隔且 近接於曝光區域ΙΑ之_γ來配置。在此情形，供應嘴22a、 22b、22c ’隔著曝光區域IA對向於供應嘴21a、21b、21c 來配置。 別述供應管2 7 ,將其一端連接於液體供應裝置5，將 其他端形成（或設置）為由尖細嘴所構成之供應嘴27a。此供 應嘴27a之前端，位於前端透鏡91附近，近接於曝光區域 IA之-X側來配置。 1則述供應管28 ,將其一端連接於液體供應裝置5，將 端形成（或設置）為由尖細嘴所構成之供應嘴28a。此供 厂觜28a之刖端，位於前端透鏡9丨附近，近接於曝光區域 之+χ側，且隔著曝光區域IA對向於供應嘴27a來配置。 又，不需要將用以供應液體之槽、加壓泵、溫度控制 '"置閥等全部設於曝光裝置1 00，至少將一部分能由設置 曝光裝置100之工薇等之設備來替代。 30 201229690 引述液體回收裝置6，包括：液體之槽；吸引系；及複 數個閥，用以控制分別透過各回收管23、24、29、之液 :之回收、停止等。各閥，較佳者為對應前述之液體供應 I置5側之閥’使用流量控制閥。 月J述回收官23，將其一端連接於液體回收裝置6 ,將 ，、他知刀支為二股，在各分支端分別形成（或設置）由尾寬嘴 所構成之回收嘴23a、23be在此情形，回收嘴2h、2儿， 係又#配置於供應嘴22a〜22c之間。各回收嘴23a、23b之 月J立而及各供應嘴22a、22b、22c之前端，大致沿著平行於X 軸之同一直線上來配置。 月|J述回收管24，將其一端連接於液體回收裝置6，將 ”他端/刀支為二股，在各分支端分別形成（或設置）由尾寬嘴 斤構成之回收嘴24a、24b。在此情形，回收嘴24a、24b， 係在供應嘴2la〜2lc之間，交替且隔著曝光區域IA分別對 向方、回收鳴23a、23b來配置。各回收嘴23a、23b之前端及 各权應嘴2 1 a、21 b、2 1 c之前端，大致沿著平行於χ軸之 同—直線上來配置。 月0述回收管29，將其一端連接於液體回收裝置6，將 .S. 负山 » 八而刀叉為二股，在各分支端分別形成（或設置）由尾寬嘴 所構成之回收嘴29a、29b。此等回收嘴29a、29b，係隔著 供應嘴 28a 35:7 32 /, a配置。各回收嘴29a、29b及供應嘴28a之前端， 著平行於Y轴之同一直線上來配置。 月1J述回收管30 ’將其一端連接於液體回收裝置6，將 其他端公* ^ 一 又為二股’在各分支端分別形成（或設置）由尾寬嘴 31 201229690 所構成之回收嘴30a、30b。此等回收嘴30a、3〇b，係隔著 供應嘴2 7 a ’且隔著曝光區域IA分別對向於回收嘴2 9 a、2 9 b 來配置。各回收嘴3 0 a、3 0 b及供應嘴2 7 a之前端，大致沿 著平行於Y軸之同一直線上來配置。 又’不需要將用以回收液體之槽、吸引泵、閥等全部 設於曝光裝置100,至少將一部分能由設置曝光裝置1〇〇之 工薇寻之設備來替代。 在本貫施形態，上述液體，係使用能透過ArF準分子 雷射光（波長193 nm)之超純水（以下，除了特別需要時，簡 單稱為「水」）。超純水，能在半導體製造工廠容易大量獲 付，並且具有對塗布於晶圓上之光阻（感光劑）或光學透鏡等 無不良影響之優點。又，超純水對環境無不良影響，並且 因雜質之含有量極低，故亦能期待對晶圓之表面及前端透 鏡9 1之表面之洗淨作用。 對ArF準为子雷射光之水之折射率n，係大致丄。在 此水中’照、明用WL之波長，則使其短波長化為193謂χ 1/η =約 1 34nm。 前述液體供應裝置5及液體回收裝置6，分別具備控 為，各控制，藉由主控制裝置20來控制（參照圖5)。 如，沿圖4中之實線箭頭A所示之方向（_γ方向）使晶 WU或W2)移動時，液體供應裝置5之控制器，依照主控 裝置20之指示，以既定開度打開連接於供應管η之閥 使其他閥為全閉，透過設置於供應管21之供應嘴21a〜2 朝-γ方向將水供應至前端透鏡91與晶圓wi(或w2)之間 32 201229690 又，此時，液體回收裝置6之控制器，依照主控制裝置2〇 之指示，以既定開度打開連接於回收管23之閥使其他閥 為全閉，透過回收嘴23a、23b從前端透鏡91與晶圓W1(或 W2)之間將水回收至液體回收裝置6之内部。此時，主控制 裝置20，對液體供應裝置5、液體回收裝置6發出指令， 使從供應嘴21a〜21c朝-Y方向供應至前端透鏡91與晶圓 W1 (或W2)之間之水量，與透過回收嘴23a、23b回收之水 量相等。因此，在前端透鏡91與晶圓w丨（或W2)之間，保 持一定量之水Lq(參照圖丨）。在此情形，保持於前端透鏡 91與晶圓W1 (或W2)之間之水Lq持續替換。 又，沿圖4中之虛線箭頭A，所示之方向（+ γ方向）使晶 圓W1 (或W2)移動時，液體供應裝置5之控制器，依照主控 制裝置20之指示，以既定開度打開連接於供應管22之閥， 使其他閥為全閉，透過設置於供應管22之供應嘴22a〜22c 朝+Y方向將水供應至前端透鏡91與晶圓W1(或W2)之間。 又’此時，液體回收裝置6之控制器，依照主控制裝置2 〇 之指示，以既定開度打開連接於回收管2 4之閥，使其他閥 為全閉，透過回收嘴24a、24b從前端透鏡9丨與晶圓w丨（或 W2)之間至液體回收裝置6之内部回收水。此時，主控制裝 置2 0，對液體供應裝置5、液體回收裝置6發出指令，使 從供應嘴22a〜22c朝+Y方向供應至前端透鏡9 1與晶圓 W1 (或W2)之間之水量’與透過回收嘴24a、24b回收之水 1相等。因此’在前端透鏡9 1與晶圓w 1 (或W 2)之間，保 持一定量之水Lq(參照圖1)。在此情形，保持於前端透鏡 33 201229690 91與晶圓W1(或W2)之間之水Lq持續替換。 如此，在本實施形態，因隔著曝光區域IA在γ軸方向 一側與另一側，分別設置彼此成組之供應嘴群組與回收嘴 群組，故即使要將晶圓朝+Υ方向或_γ方向之任_方移動 時，在晶圓W1(或W2)與前端透鏡91之間使水穩定地持續 填滿。即’即使係正掃描及負掃描之任一情形，亦能在前 端透鏡9 1與晶圓之間穩定地保持水。 又，因水會流動於晶圓W1(或W2)上，故即使在晶围 W1(或W2)上附著異物（包含來自光阻之飛散粒子）之情形， 能將該異物用水沖洗。又’因供應藉由液體供應裝置5 £ 調整為既定溫度之水’且此水係持續替換，故即使在曝兴 時照明用光IL照射於晶圓W1(或W2)上，在晶圓與流動灰 該晶圓上之水之間進行熱交換，能防止晶圓表面之溫度上 升。又’在本實施形態’因水沿與移動晶圓之方向相同力 向流動，故不會使已吸收異物或熱之液體滯留於前端透鎖 正下方之曝光區域而能將其回收。 又’右要朝圖4中實線箭頭b所示之方向（+ χ方向）移 動晶圓W1 (或W2)時，液體供應裝置5之控制器，依照主控 制裝置20之指示，以既定開度打開連接於供應管27之閥， 使其他閥為全閉，透過設置於供應管27之供應嘴27a朝 方向將水供應至前端透鏡91與晶圓W1 (或W2)之間。又， 此時，液體回收裝置6之控制器，依照主控制裝置2〇之指 不’以既定開度打開連接於回收管29之閥，使其他閥為全 閉透過回收嘴29a、29b將水從前端透鏡9丨與晶圓w 1 (或 34 201229690 W2)之間回收至液體回收裝置6之内部。此時，主控制裝置 20 ’對液體供應裝置5、液體回收裝置6發出指令，使從供 應嘴27a供應至前端透鏡91與晶圓W1(或W2)之間之水 量，與透過回收嘴29a、29b回收之水量相等。因此，在前 端透鏡91與晶圓W1(或W2)之間，保持一定量之水Lq(參 照圖1)。在此情形，保持於前端透鏡9 1與晶圓w 1 (或W2) 之間的水Lq持續替換。 又’若要朝圖4中虛線箭頭B’所示之方向（_χ方向）移 動晶圓W1(或W2)時，液體供應裝置5之控制器，依照主控 制裝置20之指示，以既定開度打開連接於供應管28之閥， 使其他閥為全閉’透過設置於供應管28之供應嘴28a朝-X 方向將水供應至前端透鏡91與晶圓W1(或W2)之間。又， 此時，液體回收裝置6之控制器，依照主控制裝置2〇之指 示’以既定開度打開連接於回收管3 〇之閥，使其他開為全 閉’透過回收嘴30a、30b將水從前端透鏡91與晶圓W1 (或 W2)之間回收至液體回收裝置6之内部。此時，主控制敕置 20，對液體供應裝置5、液體回收裝置6發出指令，使從供 應嘴28a供應至前端透鏡91與晶圓wi(或W2)之間之水 量，與透過回收嘴30a、309b回收之水量相等。因此，在前 端透鏡91與晶圓W1(或W2)之間，保持一定量之水Lq(參 照圖1)。在此情形，保持於前端透鏡91與晶圓Wl(或w2) 之間之水Lq持續替換。 藉此，與使晶圓W1 (或W2)朝γ軸方向移動之情形同 樣，即使要將晶圓朝+X方向或_χ方向之任一方移動時，將 35 201229690 水穩定地填滿於晶圓與前端透鏡9丨之 射間步進時1使其步進方向係任何方二在：謂照 前端透鏡9 1《間穩定地持續保持丨。^ 肊在阳圓與 又，以上，雖對在晶圓與前端透鏡91之間將水保持之 “處，但如前述，因晶圓表面與晶圓保持㈣、啦之 表面成為大致同一面，故即使晶圓保持 雁扔少。。-η 才/、Η1(或Η2)位於對 d…Ρ正下方之曝光區域认之位置之情形， 同樣，水則保持於前端透鏡91與晶圓保持呈H1(或沿、 t:與前述之辅助板之間…步進時，若在晶圓與前端 & 91之間能保持水之情形，亦可停止水之供應與回收。 又，除了從X軸方向或Y軸方向進行水之供應及回收 之嘴外，例如亦可設置用以從斜方向進行水之供應 之嘴。 又 又，亦可與晶圓之移動方向無關，從供應嘴⑴〜…、 22a〜22c、27a、28a持續供應液體Lq，從回收嘴&、^、 24a、24b、29a、29b、3〇a、30bl^_Lq。 又’液體供排系統不限於上述圖4之形態，只要能在 投影光學系統PL之像面側形成液浸區域，能適用各種形離。 本實施形態進-步在用以保持投影單元扣:未 圖示之保持構件’&置斜射人方式之多點焦點位置檢測系 統’係由照射系統9〇a(在圖1未圖示，參照圖5)及受光系 統90b(在圖i未圖示，參照圖5)構成，與例如日本特開平 6-2834G3號公報及對應於此之美國專利第等所揭 示者同樣。照射系統90a，具有以圖5之主控制裝置2〇控 36 201229690 制開關之光源，朝投影光學系統PL之結像面射出用以形成 多數個針孔或狹縫之像之光束。此所射出之光束，透過設 置於投影單元PU之鏡筒之未圖示之棱鏡（照射系統9〇a内 之光學系統之一部分）對光軸AX從斜方向照射於晶圓表 面。另一方面’在晶圓表面被反射之此等光束之反射光束， 以設置於投影單元PU之鏡筒之未圖示之另外之棱鏡（受光 系統90b内之光學系統之一部分）反射，藉由受光系統9〇b 内之受光元件受光。 此焦點位置檢測系統（9〇a、90b)之受光系統90b之輸出 之焦點偏移信號（散焦信號），係供應至主控制裝置2 0。主 控制裝置20，在後述之掃描曝光時等，算出來自受光系統 9〇b之焦點偏移信號（散焦信號），例如根據s曲線信號算出 晶圓表面之Z位置及θ X、0 y旋轉’使所算出之晶圓表面 之Z位置及0 X、0 y旋轉對此等之目標值之差變成零，即 要使焦.點偏移為零’藉由透過晶圓載台驅動部1 2 4控制晶 圓載台WST1、WST2之Z軸方向之移動，及2維方向之傾 斜（即，0 X、0 y方向之旋轉）’在照明用光IL之照射區域（與 前述之照射區域共同之區域）内執行使投影光學系統PL之 結像面與晶圓之表面實質上一致之自動對焦（aut〇 f〇cus)及 自動調平（auto levelling)。又，在本案所指定之指定國（或所 選擇之選擇國）之國内法令所允許之範圍，援用上述日本特 開平6-283403號公報及對應之美國專利之揭示，作為本說 明書之記載之一部分。 又’焦點位置檢測系統’亦可透過液體檢測晶圓表面 37 201229690 之位置資料，亦可不透過液體檢測。又，焦點位置檢測系 統，不限於在投影光學系統PL之像面側檢測晶圓表面之位 置資料，亦可從投影光學系統PL離開處檢測晶圓表面之位 置資料。 在圖5 ’表示本實施形態之曝光裝置1 〇〇之控制系統之 主要構成。此控制系統’以將裝置全體综合控制之微電腦（或 工作站）所構成之主控制裝置20為中心來構成。 其次，說明本實施形態之曝光裝置丨〇〇曝光時之各部 之動作。在此’如圖2所示，說明在晶圓載台WST1側進 行曝光之情形。 此曝光動作之開始時，在主控制裝置2〇，根據事前所 進行之例如增強型總對準（E(3A，Enhanced G1〇bal Aiignment) 等之晶圆對準之結果等，邊監視干涉計18 ' 46之測量值， 邊控制X軸線性馬達84、85及γ軸線性馬達8丨，而將晶 圓載台wsti移動至用以晶圓W1之第i照射區域之曝光用 知描開始位置（加速開始位置）。在此曝光次序，係在第1曝 光座標系統上進行晶圓載台WST1之位置管理。 其-人，在主控制裝置20，開始相對於標線片R(標線片 載σ RST)與晶圓Wl(晶圓載台WST1)之Y軸方向之相對掃 =此相對掃描時，主控制裝置20 ,邊監視前述之干涉計 及杌線片干涉計1 1 ό之測量值，邊控制標線片載台 驅動部1 1並且γ ώ 1且Υ軸線性馬達8丨（及χ軸線性馬達84、85)。 0接者，當兩載台RST、WST1加速至各目標掃描速度 寺在主控制裝置20，對未圖示之光源（ArF準分子雷射裝 38 201229690 置）發出指令’開始脈衝發光。然後，當兩載台RST、WST1 達到等速同步狀態時’藉由來自照明系統1 0之照明用光 IL(紫外脈衝光）使標線片R之圖案區域開始照明，開始掃描 曝光。雖在此掃描曝光開始之前，如上述，光源之脈衝發 光已開始’但藉由主控制裝置20，照明系統1 〇内之可動標 線片遮簾（未圖示）之既定葉片同步於標線片載台RS丁而移 動，藉此防止在掃描曝光之開始前對晶圓W1進行不必要之 曝光。 然後，以照明用光IL依次照明標線片R之圖案區域， 藉由成對圖案區域全面之照明，結束晶圓w丨上之第丨照 射區域之掃描曝光。藉此，標線片R之圖案透過投影光學 系統PL縮小轉印於晶圓Wi上之第1照射區域。 在此情形，掃描曝光結束後，亦藉由主控制裝置2〇， 使照明系統10内之可動標線片遮簾（未圖示）同步於標線片 載台RST而移動，藉此防止 圓W1之不必要之曝光。 如上述，結束第1照射區域之掃描曝光後，藉由主控 制裝置2 0 ’透過X軸線性馬達 使晶圓載台WST1沿X、γ方洽 84 、 85 及 及Y軸線性馬達

既定狀態。又，主控制裝置2〇 , 主控制裝置20,控制晶圓 WST1之XY位置位移成為 根據晶圓載台WSTi之沒2 39 201229690 方向之資料，控制標線片 載台wsti之至，丨、 、付深方镟動載台）及晶圓 接荖 才疋轉，使其晶圓側之旋轉位移補償。 上述同I::::步進結束後’藉由主控制裝置2。，與 進行與上述同樣之動作，對晶圓Wi上之第2照射區域 U像之知描曝光。

如上述’反覆進杆a固, L 供下次照射曝光之二， <照射區域之掃描曝光與 序轉印於晶圓W1 Γ a步進動作’使標線片R之圖案依 上之曝光對象之照射區域全部。 按二上述之對晶圓W1之步進掃描方式之曝光動作中， 寸：θ曰…W1之移動方向之變化’藉由主控制裝置20,如 ::’進灯液體供排系統32之液體供應裝置5及液體回收 、 之各閥之開關控制則係、理所H因此，上述之對 ^圓们之步進掃描方式之曝光動作t，在前端透鏡91與 圓W 1之間維持持續將一定量之水穩定地保持之狀態。 "人，對使用2個晶圓載台WST1、WST2之並行處理 動作’參照圖2及圖6〜圖9說明。又，以下之動作中，藉 由主控制裝置20’按照位於投影單元pu正下方之第i區域 之晶圓載台之移動方向，如前述進行液體供排系統32之液 ，應裂置5及液體回收裝置6之各閥之開關控制，在投 影光學系統PL之前端透鏡91正下方持續填滿水。但是， 以下’為了要使·說明容易瞭解，將關於液體供應裝置5及 液體回收裝置6之控制之說明省略。 在圖2表示.對晶圓載台WST1上之晶圓W1如前述以 步進掃描方式進行曝光，與此並行，在晶圓載台WST2側， 40 201229690 在對準系統ALG2 對準之狀態。 之下方之第3區域進行對晶圓 W2之晶圓 如上述’對晶圓W1以步進播柯古a / β β , 乂琨輙彳田方式進行曝光期間’在 晶圓載σ WST2侧，則進行如下所述之動作。 即’在上述之晶圓對準前，在左側裝載位置，未圖示 之晶圓搬运機構與晶圓載台 w w b 1 2之間進行晶圓交換。在 此’所謂左側裝載位置，俜指却_ 你扣°又疋為基準標記板FM2位於 對準系統ALG2之正下方夕办要二丄 、 之正下方之位置而言。在此情形，在左側裝 載位置，藉由對準系統則2檢測基準標記板顧上之第 2基準標記以前’藉由主控制裝置20執行Y軸干涉計44 之重置（reset)。 /上述第2基準標記之檢測時’主控制裝f μ，使用對 準=·’先ALG2取進第2基準標記之影像，對其影像信號施加 既定之處理’ #由解析其處理後之信號來檢測以對準系統 ALG2之指標中心為基準之第2基準標記之位置。又，主控 制4置20根據其第2基準標記之位置之檢測結果與其檢 測時之干# 6 ' 44之測量結果’算出第2對準座標系統 上之第2基準標記之位置座標。 其次，主控制裝置20 ,藉由邊在前述第2對準座標系 統上管理晶圓载台WST2之ΧΥ面内之位置，邊使用對準系 統ALG2來檢測附設於晶圓W2上之特定之複數個照射區域 (樣本照射區域）之對準標記（樣本標記）之位置資料（對對準 系統ALG2之檢測中心之位置資料），來求出第2對準座標 系統上之樣本標記之位置資料。接著，主控制裝置2〇，根 41 201229690 據其檢測結果與特定之照射區域之設計上之位置座標，執 行例如日本特開昭6 1 -22249號公報及對應於此之美國專利 第4,78 0,6 1 7號等所揭示之統計運算，來算出晶圓W2上之 複數個照射區域之第2對準座標系統上之位置座標。即， 如上述’進行EGA(增強型總對準）。並且，主控制裝置2〇， 藉由從晶圓W2上之複數個照射區域之第2對準座標系統上 之位置座標將前述第2基準標記之位置座標減算，使複數 個照射區域之位置座標轉換成以第2基準標記之位置為原 點之位置座標。又，在本案所指定之指定國（或所選擇之選 擇國）之國内法令所允許之範圍，援用上述公報及對應美國 專利之揭示，作為本說明書之記載之一部分。 上述在2個晶圓載台WST1、WST2上並行而進行之曝 光人序與aB圓交換/對準次序’通常，係晶圓交換/對準次序 最先結束。因此，已結束對準之晶圓載台WST2,則在既定 之待機位置呈等待狀態。 並且，在晶圓載台WST1側，在對晶圓wi之曝光結束 之時點主控制裝置2〇，將晶圓載台wsti、WST2朝圖6 所示之既定位置分別開始移動。 並且’將晶圓載台WST1、WST2移動至圖6所示之位 置後主控制裝置20 ’則開始使晶圓載台WST1與晶圓載 台WST2同時朝+x方向驅動之動作。又，在圖6之狀態， 晶圓載台wST1與晶圓載台術2係透過設置於晶圓載台 WST1之彈性密封構件93接觸。 士上述藉由主控制裝置20，使晶圓載台WSTl、WST2 42 201229690 同時移動，在圖6之狀態，保持於投影單元pu之前端透鏡 91與晶圓W1之間之水’則伴隨晶圓載台WST1、WS1：2朝 +x側移動，在晶圓w 1 —晶圓載台WST丨（更具體而言係晶 圓保持具H1)—晶圓載台WST2(更具體而言係晶圓保持具 H2)上依序移動。又，上述移動期間，晶圓載台wst卜丁 2 則與圖6之狀態同樣透過彈性密封構件93保持彼此接觸之 位置關係。在圖7 ’表示：在上述移動之中途，水同時存在 於晶圓載台WST1、WST2(晶圓保持具m、H2)時之狀態， 即彳< 明圓載台WST1上待將水交給晶圓載台WST2上之前之 狀態。 攸圖7之狀態，當進一步使晶圓載台WST1 ' WST2朝 方向同時驅動既定距離，則如圖8所示，形成在晶圓載 台WST2上之包含基準標記板FM2之區域與前端透鏡9丨之 間保持水之狀態。先行於此，主控制渡置2〇，在使來自γ 軸干涉計46之干涉計光束能照射於移動鏡117Y之任一時 鮎’執行Y轴干涉計4 6之重置。 接著’主㈣裝置20 ’朝圖9所示之右側裝載位置開 始晶圓載自WST1之驅動。此右側裝載位置，設定為基準 標記板FM1位在對準系統ALG1之正下方之位置。 與朝上述右側裝載位置之晶圓載台WSTl之移動開始 並行，主控制裝置20,藉由一對標線片對準系統…、 _(參關丨）使用照日㈣光ILit行基準標記板隱上之 :對第i基準標記與對應於其之標線片汉上之標線片對準 “己之晶圓上投影像之相對位置檢測。此日寺，基準標記板 43 201229690 丨M2上之-對第！基準標記與標線 測，係透過投影光學系統以及水來進行。L己之像之知 與二控根據此所檢測之相對位置資料， 位置資料 第2基準“之晶圓上之各照射區域之 關係，曾山 之第1基皁私§己與第2基準標記之位置

之卜：標線片R之圖案之投影位置(投影光學系統PL 並且二二與：^ W 2上之各照射區域之相對位置關係。 之情形同L鼻出結果’主控制裝置2G，與前述之晶圓W1 之位J 乂’，在第2曝光座標系統上邊管理晶圓載台WST2 邊以步進掃描方式將y Μ上之各照射區域。—R之圖案轉印於晶圓 ，上述晶圓載台WST2側之動作並行，晶圓載台術！ 曰^右側裝載位置，與未圖示之晶圓搬送系統之間進行 H又換’與晶圓交換同時或在其後，藉由主控制裝置20 。對準系統ALG1進行基準標記板FM1上之第2基準標 ::檢測。主控制裝置20’先在此第2基準標記之檢測以 仃Y軸干涉計48之重置。其後’主控制裝£ 20，邊在 1對準時座標系統上管理晶圓載台WST1，邊對晶圓W2 進行使用對準系統ALG1之eGa。 以後’藉由主控制裝i 2〇，反覆進行與上述晶圓載台 WsTl、WST2之並行動作。 使用晶圓載台WST1與晶圓載台WST2之並行處理時， 對曰曰圓載台上之晶圓之曝光結束，至對另一晶圓載台 上之晶圓之曝光要開始期間，雖會進行從一晶圓載台在投 44 201229690 影單元PU正下方之狀態（即，在一晶圓并二L u 日3圓載台上水附著之狀 態），遷移至另一晶圓載台在投影單亓ρττ χ τ + 几PU正下方之狀態 (5卩’在另一晶圓載台上水附著之狀能、，相+卩主 〜心），但此時，如前述， 維持晶圓載台WS1H、WST2於X軸方6、泰ω _ 々向透過弹性密封構件 93呈接觸狀態（圖10之狀態）。因此，如_ 7所示，即使在 晶圓載台〜灯1、界8丁2彼此間使水跨越（液浸區域）之狀態’ 藉由彈性密封構件93能確實防止水（液體）透過晶圓載台 WST1、WST2彼此之間隙向載台下方沒漏。 又，在晶圓載台WSti與晶圓載台WST2之移動途中， 雖會存在來自干涉計46、48任一干涉計光束不照射於晶圓 載台WST1之移動鏡17Y之狀態（移動期間，移動區間），又， 存在來自干涉計46、44任-干涉計光束亦不照射於晶圓載 台WST2之移動鏡117Υ之狀態（移動期間，移動區間），但 在本實施形態，此情形之兩晶圓載台WSTb WST2之位置， 係藉由未圖示之線性編碼機（Hnear enc〇rder)來管理。又，

使用線性編碼機來管理晶圓載台之位置時，在來自任一 Y 軸干涉計之干涉計光束會照射於移動鏡17γ或ιΐ7γ之時 點，藉由主控制裝置2 〇執行Υ軸干涉計之重置。 汝從以上5兒明可知，在本實施形態，藉由晶圓載台驅 動部124構成載台驅動系統之至少一部分。又，藉由此載 台驅動系，统，與晶圓載台WSTI、WST2構成載台裝置之至 少一部分。 如以上詳細說明，依本實施形態之曝光裝置1 〇〇及該 曝光裝置所具備之載台裝置，並且在該曝光裝置100所執 45 201229690 仃之晶圓載台WST1 ' WST2之驅動方法，從一晶圓載台 WST1 (或WST2)位於第丨區域（包含有液體（水）供應之投影 單兀PU(投影光學系統PL)正下方之位置)之帛i狀態，遷移 至另一晶圓載台WST2U WST1)位於第i區域之第2狀態 時’藉由載台驅動系統（124等）’晶圓載台WST1、WST2 維持於X軸方向透過彈性密封構件93呈接觸狀態，晶圓載 台WST1、WST2朝X軸方向同時驅動。 因此，在投影光學系統PL (投影單元Pu)與位於其正下 方之特疋之晶圓載台（此圓載台，伴隨移動從一晶圓載台切 換為另一晶圓載台）之間供應著水之狀態，水不會從兩晶圓 載台之間隙洩漏，能使從一晶圓載台WST1(或WST2)位於 第1區域之第1狀態，遷移至另一晶圓載台WST2 (或WST1) 位於第1區域之第2狀態。即，在一晶圓載台侧透過投影 光學系統PL與水（液體）進行晶圓之曝光動作後，至在另一 晶圓載台側透過投影光學系統pL與水（液體）開始晶圓之曝 光動作前為止期間，能從一晶圓載台與投影光學系統PL之 間使水保持之狀態’遷移至另一晶圓載台與投影光學系統 PL之間使水保持之狀態，而不需要經過水之全回收、再度 供應等步驟。 因此’能將從一晶圓載台側之曝光動作結束至另一晶 圓載台側之曝光動作開始為止之時間縮短（即，維持為與非 液浸曝光之通常之曝光裝置（非液浸曝光裝置）相同程度）， 能後得產能之提高。又，因在投影光學系統PL之像面側持 續存在水，故能有效地防止在投影光學系統PL之像面側之 46 201229690 光學構細如前端透鏡9丨&前述之多點焦點 統之稜鏡等）產生水紋（水# , !糸 ^ I尺展 Water mark)，能長期良好地維 :投影光學㈣PL之結像性能及多點f、隸置檢測系統之 檢測精度。 又，藉由在别述2個晶圓載台WST1、WST2之並行處 力作比起白知之具備單晶圓載台之曝光裝置（使用1個 晶圓载台，將晶圓交換、晶圓對準及曝㈣作，依序進行）， 能獲得產能之提高。 又’因藉由液浸曝光，進行高解像度且比空氣中大隹 點深度之曝光，故能將標線片 ’、、、 。 门氏之圖莱精度良好地轉印於 晶圓上，例如當作元件規格⑷一⑷能實現70〜丨00nm 程度之微細圖案之轉印。 .又’在本實施形態’藉由晶圓載台WSTi與晶圓載台 =2係'透過彈性㈣構件93接觸，除的能防止自兩晶圓 载。之間隙之漏水外，亦能減低晶圓載台Wsti與 台WST2接觸時之衝擊。 ’、 再者，在本實施形態，因在晶圓載台Wsti之X側面 及晶圓載台WST2之+X側面未設置干涉計用之移動鏡：故 即使兩晶圓載台係於X軸方向呈近接狀態，因兩晶圓載台 f之移動鏡之反射面彼此不會近接而相面對，故兩晶圓載 台沿X軸方向同時驅動之期間，不僅能藉由干涉 監視兩晶圓載台之位置，亦能防止在移動〃 水。 y刀規之反射面附著 《第2實施形態》 47 201229690 其次，依圖11〜圖15(B)說明本發明之第2實施形態。 在此’對與前述第1實施形態同一或同等之部分，使用同 一之符號’並且將其說明簡化或省略。在此第2實施形態 之曝光裝置’晶圓載台裝置之構成等，及使用2個晶圓載 台之並行處理動作則與第1實施形態不同。又，標記檢測 系統僅設置1個，亦與前述第1實施形態不同。其他部分 之構成等’則與前述第1實施形態相同。因此，以下，僅 以相異處為中心來說明，以免重複說明。 圖1 1 ’係表示本第2實施形態之曝光裝置之控制系統 之構成。若將此圖1 1與圖5作比較，則得知在本第2實施 形態，替代前述第1實施形態之晶圓載台驅動部124，設置 晶圓載台驅動部1 24A，此一點係與前述之第i實施形態不 同。 在本第2實施形態，替代前述之晶圓載台裝置5〇，設 置圖12所示之晶圓載台裝置5〇’。此晶圓載台裝置5〇,，如 圖12所示’具備：基盤12 ;晶圓載台WST1，’係配置於該 基盤1 2上面之上方（在圖丨2之紙面前側）之第丨載台及晶 圓載台WS T2 ’，係第2載台；6個干涉計1 5 1 X,、1 5 1 x2、 15 1Χ3、15 1Χ4、151Υι、151γ2，係用來測量此等晶圓載台 WST1’ ' WST2’之位置之位置測量系統；第i驅動部m、 第2驅動部172，用以將晶圓載台WST1，、WST2，個別地驅 動，俯視（從上方觀察）呈大致Η字形；第丨連接機構195 及苐2連接機構丨96(在圖12未圖示，參照圖Η)。 在此，藉由上述6個干涉計15 1Χ,、ι5ιχ2、151χ 、 48 201229690 15 1Χ4、151Y,、Ι5ΐγ2，構成圖u之干涉計系統】丨以；包 含第1驅動部17卜第2驅動部^、第！連接機構丨95及 第2 ^接機構196，來構成圖u之晶圓载台驅動部⑶a。 别述第1驅動部171，具備：X軸線性馬達136X，係 用以使晶圓載台WST1，（或WST2，）Μ轴方向驅動之線性 致動器（linear actuat〇r);及一對γ抽線性馬達⑶丫|、 1·36Υ2 ’用以使晶圓載台WST1，(或術巧與χ軸線性馬達 !36Χ —體地朝掃描方向之γ軸方向驅動。 前述X軸線性馬達136χ，具備：χ軸線性導件⑻， 係將X軸方向當作長邊方向之固定件；及χ可動件I”， 沿該X軸線性導件181且朝χ軸方向移動。 X轴線性導件181，由朝χ轴方向延伸之框體，及呈有 :其内部以既定間隔沿X轴方向配設之複數個 圈 ，電框單元構成。在此X抽線性導件181之長邊 向）之一端部，固定一 Ε 土 罕万 口疋Υ軸線性馬達_丨之可動件（Υ可動 :)84,在另一端部固定另一 γ軸線性馬達 件（Υ可動件）185。 動 前述…力件179，例如’具有筒狀(形成將父轴線性 二广1 k周圍包圍)之形狀’在其内部設置π截面逆υ ::之可動件軛。在此可動件軛’沿其長邊方向交替配置 複數個Ν極永久磁鐵與複數個s極永久磁鐵。因 可動件179之内部空間，沿乂轴方向形成交流磁場。 在此情形，藉由X可重力杜 之間之電磁相互作用，使m 轴線性導件181 乍用使其產生使X可動件179朝X轴方 49 201229690 動之.¾動力（洛倫茲（L〇ren 136X，在紅 X轴線性馬達 '、動磁型電動力驅動方式之線性馬達。 在X可動件179之-Y側面，設置第i 圖12失F1 - Λ 逑接機構195(在 ®不 > 照圖11)，用以將晶圓載台WST i，（或WST2，） j m連接機構i 9 5 ’例如能使用利用電磁之磁吸引 者’或將晶圓載纟WST1，（或WST2，）機械.式地卡合 控制裝置2〇，控制此第1連接機構195,使晶圓載 D wST「u WST2’）連接於χ可動件179，或使其解除其連 接。又，在連接狀態，晶圓載台WST1，（或WST2，）藉由X 。’動件1 79成為單邊支撐之狀態。纟_ 12，表$ X可動件 179將晶圓載台WST1’單邊支撐之狀態。 一 Y軸線性馬達136Yi，具備：γ軸線性導件188，係 朝γ軸方向延設之固定件；及γ可動件184，沿該γ軸線 性導件188移動。前述γ軸線性導件丨88，使用與前述χ 軸線性導件1 8 1同樣構成之電樞單元。又，γ可動件丨84， 雖係ΧΖ截面逆U字形之形狀，但使用與前述之χ可動件 同樣構成之磁極單元。即，Υ軸線性馬達13 6 ΥI，係動磁 型電動力驅動方式之線性馬達。 另一 Υ軸線性馬達1 3 6 Υ2 ’具備：γ軸線性導件丨8 9， 係朝Y軸方向延設之固定件；及Y可動件丨85，沿該γ軸 線性導件1 89移動。此Y軸線性馬達136Y2，係與γ軸線 性馬達1 3 6 Y i同樣構成之動磁型電動力驅動方式之線性馬 達0 又，如前述，藉由將X軸線性導件18 1之兩端部分別 50 201229690 固定於Y可動件184、185，若γ軸線性馬達136Y|、136γ2 產生y軸方向之驅動力，則與χ軸線性馬達136χ —起使 晶圓載台WST1，（或WST2，）驅動於γ軸方向。在此情形， 藉由使Υ軸線性馬達Π6Υ|、136Υ2所產生之驅動力不同， 透過X軸線性馬達13 6Χ能控制晶圓載台WST1，（或Ws 丁2，） 之Z軸周圍之旋轉。 則述第2驅動部1 72，配置於前述第i驅動部1 7丨之_γ 側面，在圖丨2之紙面内形成大致對稱。此第2驅動部丨”， 係與上述第1驅動部1 7丨同樣構成。即，此第2驅動部丨72， 具備：χ軸線性馬達138Χ，係由χ軸線性導件18〇及乂可 動件178所構成之線性致動器；丫軸線性馬彡138γι，由設 置於χ軸線性導件180之一端之γ可動件i82m線性 導件186所構成；& ”由線性馬達ΐ38γ2，由設置於乂軸 線性導件18〇之另-端之γ可動件183及γ軸線性導件… 所構成。 可動件178之+丫側面，與χ可動件179同樣，設 置第2連接機構196(在圖12夫1S1 - a 不，參照圖11}，與前述 、 接機構同樣，用以將晶圓载台wsn，（或WST2，） 連接。主控制裝置2〇，批也丨Λ七 h 控制此弟2連接機構196，使晶圓 載台wST1，（或WST2’）連 更曰曰α 連接。又，在圖” ▲ ❻件178,或使其解除其 件178 η 晶圓載台WST1’連接於X可動 件178成為單邊支撐之狀態。 前述晶圓載台WST1，，呈借.并△丄 第1竇#报卞 /、備.載台本體，與構成前述 貫把形L之晶圓載台WST1不η 土 不同，未設置磁極單元部 201229690

分；及晶圓台，係與構成在該載台本體之上面透過未圖干 之ζ·傾斜驅動機構所設置之前述晶圓載台同 樣。在此晶圓台之上面，設置+Y 秒勁鏡47Y,、-Y移動鏡 47Y2、+X移動鏡47X於土 丫側端部及+χ側端部附近。 前述晶圓載台WST2，，構成為與上述晶圓載台贿丄， 同樣。在構成此晶圓載台WST2，之晶圓台之上面，設置W 移動鏡49Y,、-Y移動鏡49γ X 八移動^ 49Χ於:tY側端部 及-X側端部附近。 又’在本第2實施形態，亦在未將晶圓載台wsn，之 移動鏡配置於附近之側面（_χ側面），及未將晶圓載台術2, 之移動鏡配置於附近之側面(+χ側面)之至少_方，設置與 圖1〇所示之彈性密封構件93同樣之彈性密封構件。 又’如圖所示’在投影光學系統凡之彳側隔既定 距離，設置標記檢測系統之對準系統AL(}。 前述干涉計系統U8A，如圖12所示，具有：2個丫軸 干涉计1 5 1 Y,、1 5 1 Y2，具有與將投影光學系統之投影中 心（光軸）與對準系統ALG之檢測中心連結之γ軸平行之測 長軸；2個X軸干涉計151Χι、15ιχ2,分別具有與在投影 光學系、统PL之投影十心（光軸）與干涉計15ΐγ|之測長軸垂 直父又之X軸平行之測長軸；及2個χ軸干涉計i 5 、 15IX4 ’分別具有與在對準系統ALG之檢測中心與干涉計 1 5 1 丫2之測長軸垂直交叉之X軸平行之測長軸。 4個X軸干涉計151 IX4,係相對於Y軸方向及 Z軸方向離開且至少具冑3支光軸之多車由干涉計，各光轴之 52 201229690 輸出值係能獨立測量。因此，在此等χ軸干涉气1 Xi〜151X4，除了晶圓載台WST1，或WST2,之X軸方向 置測置以外，亦能測量γ軸周圍之旋轉量（橫搖量

’人乙牵A 周圍之旋轉量（偏搖量）。 上述2個丫軸干涉計15ΐγι、15 1Y2,係相對於2軸 向離開且具有| 2支光軸之2軸干涉計，各純之輪 係能獨立測量。因此，在此等μ干涉彳i5i Yim 除了晶圓載台WSTr或WST2，之γ車由方向之位置測量γ 外，亦能測量X軸周圍之旋轉量（俯仰量）。 乂 在此情形，晶圓載台WST1，位於投影光學系統吒之 軸正下方之位置之附近之區域（第i區域）’要進行對其 載台WST1’上之晶圓（在圖12晶圓W1)之曝光時，在:曰χ 軸干涉4 151 X，、γ軸干涉計丨51 γι各測長㈣規定之 1曝光座私系統上，進行晶圓載台WST1’之XY平面内 置管理。 1立

又’晶圓载台WST2,位於投影光學系統PL之光軸正下 方之位置附近之區域(第1區域），要進行對其晶圓载A WST2,上之晶圓（在圖12晶圓叫之曝光時，在以 :

計1 5 1 χ2、γ鉦工、止， X 丫輛干涉計151 Yl各測長軸所規定之第 座標系統上，進杆θ n # ^ +先 延订日日圓載台WST2’之χγ平面内之 理。 g 又，日日圓载台WST1，位於對準系統ALG正下方之位置 附近之區域（第2 F £ 122域），要進行對其晶圓載台WST1，上之晶 圓（在圖12晶圓Wl、 . aa )之對準（EGA)等時’在以X軸干涉計i 5 1 53 201229690 X3、Y轴干涉钟1 5彳v Y2各測長軸所規定之第1對準座標系 統上’進行晶圓載台WST1，之χγ平面内之位置管理/、 再者，曰曰圓載台WST2,位於對準系統ALG正下方之位 曰。寸近之區域（第2區域），要進行對其晶圓載台上之 日日圓（在圖12晶圓W2)之對準（ega)等時，在以χ軸干涉計 φ Χ' Υ軸干涉計1 5 1 Υ2各測長轴所規定之第2對準座 標系統上，進行晶圓載台赠2,之χγ平面内之位置管理。 其他之構成部分’係包含液體供排系統32在内構成為 與則述之第1實施形態同樣。 牡”人’依圖12〜圖15⑻，說明本第2實施形態之曝光 裝置所進行之-連串之動作’包含對-晶圓載台上之晶圓 之曝光動作’及對另一晶圓載台上之晶圓之對準動作等之 :行處理動作。又，以下之動作中，藉由主控制裝置 按照位於投影光學系統PL正下方之第丨區域之晶圓載台之 移動方向，如前述，進行液體供排系統32之液體供應裝置 5及液體回收裝置6之各閥之開閉控制，在投影光學系統 PL之前端透鏡91正下方持續填滿水。但是，以下，為了要 使說明容易瞭解，省略液體供應裝置5及液體回收裝置6 相關之說明。 又，在晶圓載台WST1，與晶圓載台WST2，之移動途中， f在來自X軸干涉計或γ軸干涉計之干涉計光束，不照射 於移動鏡，致使要以干涉計進行晶圓載台之位置管理成、為 困難之區間。此情形之晶圓載台位置，係藉由未圖示之線 性編碼機（丨inear encorder)來管理，如上述若使用線性編碼 54 201229690 機來管理晶圓載台之位置時，在來自所要之干涉計之干涉 。十光束曰接觸於移動鏡之時點，藉由主控制裝置執行該 干涉計之重置。但是，以下，為了要防止說明之煩雜化’ 關於使用線性編碼機進行晶圓載台之位置測量及干涉計之 重置，則省略其說明。 在圖12 ’表不：對載置於晶圓載台WST1，上之晶圓 w 1與則述第1貫施形態同樣以步進掃描方式進行曝光， 並行於此’在B曰圓載台WST2，側，在對準系统之下方 之第2區域進行對晶圓W2之對準之狀態。 又，上述對晶圓们之曝光動作，主控制裝置2〇，在 前述第1曝光座㈣統上邊管理日日日圓載台wsti，之位置， .邊藉由使前述之X軸線性馬達Π6Χ、-對Y軸線性馬達 136Y,、136YZ驅動控制，移動晶圓載台wsTi，來進行。 在晶圓載台WST1，側對晶圓W1以步進掃描方式執行 曝光期間’在晶圓載台WST2，側，執行如下之動作。 即，先於上述晶圓料之前，在既定之裝載位置，在 未圖示之晶圓搬送機構與晶圓载台WST2，之間進行晶圓交 換。 晶圓交換後，主控制裝置2〇，在前述之第2對準座標 系統上邊管理晶圓載台WST2，之χγ面内之位置，邊使用： 準系統ALG執行包含檢測樣本標記（附設於晶圓w2上之特 f之複數個樣本照射區域）之位置資料之前述Ega，來算出 阳圓W2上之複數個照射區域之第2對準座標系統上之位置 座標。又，在圖12，表示樣本標記檢測時之狀態。又，主 55 201229690 控制裝置20’在檢測樣本標記之位置資料之前後，檢測形 成於晶圓載台WST2’上之基準標記板FM2之第2基準標圮 之位置資料。並且，主控制裝置2〇，將預先所求得之晶圓 W2上之複數個照射區域m料座標系統上之位置座 標，轉換為以第2基準標記之位置為原點之位置座標。 又，上述晶圓對準時等之晶圓載自WST2,之移動，係 藉由主控制裝置20使前述之χ軸線性馬達η8χ ' —對γ 軸線性馬達1 3 8 Υ ,、1 3 8 Υ2驅動控制來進行。 對上述晶圓載台WST2’上之晶圓W2之晶圓對準動 作，與對晶圓載台WST1，上之晶圓W1之曝光動作，通常， 係晶圓對準動作先結束。因此，主控制裝置2〇，晶圓對準 之結束後，透過X軸線性馬達138Χ、一對γ軸線性馬達 HSYrHSY2將晶圓載台WST2,移動至圖13(Α)所示之既 定待機位置，在其位置等待。 其後，對晶圓載台WSTi，上之晶圓W1之曝光動作結束 後，主控制裝置20，則透過X軸線性馬達136χ、_對γ 軸線性馬達136YP136Y2使晶圓載台WST1，移動至圖13(a) 所示之位置。又，對晶圓W1之曝光結束位置，較佳者為設 定於此圖1 3(A)之位置附近。 將晶圓載台WST Γ移動至圖13 (A)所示之位置後，主p 制裝置20 ’透過X軸線性馬達ι38χ及一對γ軸線性馬達 Π8Υ,、138Υ2使晶圓載台WST2,移動至圖n(B)所示之既定 待機位置。在晶圓載台WST2,移動至圖13(B)之位置之狀 態’晶圓載台WST1，與晶圓載台WST2,則與前述第i實施 56 201229690 形態同樣透過彈性密封構件呈接觸狀態。 其次’主控制裝置20 ’控弟j χ軸線性馬達ΐ36χ、 η Υ軸線性馬達136Yl、136Yr並且X轴線性馬達138Χ及 —對γ軸線性馬達138Yl、138Υ2，使晶圓載台wsti，與晶 圓載台WST2’同時朝+X方向移動。在圖14⑷，表示：如 上述兩晶圓載台WST1’、WSt2’從圖13(B)之狀態同時朝+χ 方向移動，在包含晶圓载台WST2，上之基準標記板ρΜ2之 區域與前端透鏡9 1之間保持水之狀態。 在圖13⑻之狀‘態，保持於投影# & pu之前端透鏡91 與晶圓wi之間之水，則伴隨晶圓載台WSTl，、wst2，朝+χ 側移動，在晶圓W14晶圓載台 WST1’—晶圓載台 WST2’ 上依序移動。又，上述移動期間，晶圓載台wsti，、wst2, 則透過彈性密封構件93保持彼此接觸之位置關係。 其次’主控制裝置20，將用前述第！連接機構195之 X可動件179與晶圓載台WST1，之連接狀態，及用前述第2 連接機構196之X可動件178與晶圓載台WST2，之連接狀 態’一起解除後，將X可動件179朝+γ方向，將χ可動件 178向-Υ方向稍微驅動。在圖14(Β),表示此又可動件丨79、 178之驅動後狀態。 又，在圖14(B)之狀態，晶圓載台WST1，、WST2,，藉 由設置於各底面（-Ζ側之面）之未圖示之氣墊，浮起支撐於基 盤12上。但是，不限於此，亦可在晶圓載台wsti，、 側或基盤12側設置可伸縮之支持腳，在將晶圓載台 wsti’、WST2,與x可動件ι79、178之接觸解除直前，藉 57 201229690 由支持腳使晶圓載台WST1，'WST2,穩定地支撐於基盤12 上方。 其次，主控制裝置20，透過Y軸線性馬達π6γ|、 Π6Υ2、X軸線性馬達136χ驅動χ可動件ΐ79，移動至能 連接於晶圓載台WST2，之位置，並且，透過γ抽線性馬達 138Υ|、138丫2、X軸線性馬達Π8χ驅動χ可動件m，移 動至能連接於晶圓載台WST1，之位置。此時，各χ可動件 之位置，係藉由未圖示之編碼器來管理。 在圖15⑷’表示：如上述，驅動χ可動件”9,移動 至能連接於晶圓載台WST2,之位置，驅動χ可動件m， 移動至能連接於晶圓載台WST1，之位置之狀態。盆後，主 控制裝置20 ’透過第i連接機構195將晶圓載台麟2,連 可動件179,並且透過第2連接機構196將晶圓載台 wsn連接於X可動件178。又，亦可不朝γ軸方向移動， =:可動件178、17”…向移動與晶圓載台 WST1’、WST2’之拆裝。 如上述，在Χ可動件179連接於晶圓載台WST2’’在 X可動件178料於晶圓載台WST1，後主 置 2曝光座標系統上邊管理晶圓載台WST2，之位 板=使用前述標線片對準系統RAa、RAb測量基準標記 對準基準標記與標線片R上之―對標線片 準之^果將日π根據其Μ結果與預先所進行之晶圓對 ::二將晶圓載台彻’移動至用以曝光於晶圓Μ -人之照射區域之之加速開始位置。然後，主控制 58 201229690 裝置20 ’在第2曝光座標系統上邊管理晶圓載台WST2,之 置邊透過X轴線性馬達13 6 X及一對γ軸線性馬達 136Υ|、136Υ2，使晶圓載台WST2’驅動控制，對晶圓W2 之步進知描方式之曝光動作則與前述第1實施形態同樣來 進行。 另一方面’主控制裝置20’透過Υ軸線性馬達Π8Υ|、 138Υ2，及Χ轴線性馬達Β8Χ，使晶圓載台WST1，向裝載 位置移動。此移動中之晶圓載台WST1，之位置’係在前述 之^ 1對準座標系統上管理。並且，在裝載位置，對晶圓 。 Τ1上之已曝光完之晶圓W 1與下1個曝光對象之晶 ®進行交㈣’主控制裝置2G’與上述同樣對新晶圓 晶圓對準動作。 並且’在晶圓載台WST1，之晶圓對準結束，且 ' :WST2’之曝㈣作結束之階段，晶圓載e麟 2台wST2，制過與上述之途徑完全相反之龍，再度= /、回至圖12之狀態。 .A如此’本第2實施形態之曝光裝置，係將邊進行曰n 载台 WST1，、， T aa ® 之轉換（switching)，邊將對另—a σ上之晶圓之曝光動作，與另_晶圓載台上之 I裁 晶圓對準㈣，以同時並行處理進行。 ’父換及 △從以上之說明得知’在本第2實施形態 ^動部祕及主控制裝置2〇構成載台 ^曰圓裁 :由此載台驅動系統，與晶圓載台WSTi =又， 裝置。又，藉由第！連接機構195 構成载台 叹馎、弟2連接機構、γ軸線 59 201229690 性馬達136Υ,〜136Υ4、χ軸線性馬達i36X、138X及控制此 等構件之主控制裝置2〇構成轉換裝置。 如以上詳細說明，依本第2實施形態之曝光裝置及該 曝光裝置所具備之載台裝置，並且該曝光裝置所執行之晶 圓載台WST1’、WST2,之驅動方法，若要從一晶圓載台 WST1 ’（或WST2，）位於有液體供應之投影光學系統pL正下 方之第1區域之第i狀態遷移至另一晶圓載台WST2，（或 WST1 )位於第1區域之第2狀態時’藉由載台驅動系統 (20 ’ 124A)，晶圓載台WST1，、WST2，於χ軸方向（前述第 1區域與對準系統ALG正下方之位置附近之第2區域排列 之γ軸彳向交又之方向）透過彈性密封構# 93㈣呈接觸 狀態’使晶圓載台WST1’、WST2’同時朝χ軸方向驅動。 因此此將水（液體）以在投影光學系統pL與位於其正 下方之特疋之曰曰圓載台(此晶圓載台，伴隨移動.從一晶圓載 台轉換為另一晶圓載台）之間供應（保持）著之狀態，不使液 體從兩晶圓載台之問隙，由、昆 執口之間隙洩漏，而從—晶圓載台術 WST2’）位於第1區域之第】貼4 φ 一 Α之弟1狀嘘遷移至另一晶圓載台 WST2’（或WSTP)位於第！區域 ^ y y , ^ a <乐2狀態。即，在一晶圓 載台側透過投影光學系統pL盥 、 &進仃日日圓之曝光動作後， 至在另一晶圓載台側透過投 曰圓之眼^ h 糸統PL與水（液體）開始 日日Η之曝先動作為止期間，從一

Pi ^ , 曰曰回載台與投影光學系統 P L·之間保持水之狀態，至另一 a

^ ^ 日日51載台與投影光學系統PL 之間保持水之狀態，不需要經 全回收，再供 驟，能使其遷移。因此，能縮 〜 ^ 晶圓載台側之曝光動 60 201229690 作結束至在另一晶圓載台側之曝光動作開始為止之時間 (即，能維持於與非液浸曝光之通常之曝光裝置(非液浸曝光 裝置）相同程度），而能獲得產能之提高。又，因在投影光學 系訊之像面側水持續存在，藉由與前述第1實施形態同 樣之理由，能長期使投影光學系統PL之結像性能及多點焦 點仏測糸統之檢測精度良好維持。 WST1，、WST2,之並行處理 台之曝光裝置（使用1個晶 圓對準及曝光動作），能獲 又，藉由前述2個晶圓載台 動作’比起具備習知之單晶圓载 圓載台’逐次執行晶圓交換，.晶 得產能之提高。 又，在本第2實施形態之曝光裝置，藉由以液浸曝光 進行高解像度且比空氣中大隹赴、听

R 、 ，、、、·./木度之曝光，能使標線片 之圖案精度良好地轉印於晶圓上。 又在本第2實施形態，藉由與前述第^實施形態同 樣之理由，除了能防止從兩晶圓載台之間隙漏水外，進一 步能減低晶圓載台WST1，與晶圓載台赠2，接觸時之衝擊。 又，在本第2實施形態，與前述第i實施形態同樣， 因在晶圓載台wsti，之_χ側面及晶圓載台術2，之+乂側 面未設置干涉計用之移動鏡，故即使相料X軸方向兩晶 圓載台近接狀態，因兩晶圓載台上之移動鏡之反射鏡彼此 不會近接而向面對，故能將兩晶圓載台之 系統魔在兩晶圓載台同時驅動於X轴方== 視。又，亦能防止水在移動鏡之反射鏡附著。 在本第2貝知形悲，雖在晶圓載台WST1，、 WST2 1 61 201229690 上刀別配置3個移動鏡，將干涉計 V 4配置6個，但移動鏡及 卞沙計之配置並不限於上述第2眚 _ 斤Z貫知形態之配置。例如， 亦採用在兩晶圓載台分別配置 彳固移動鏡，使用此等2 個移動鏡能測量兩晶圓載台之位置之干涉計配置。 又，在本第2實施形態，保持於前端透鏡91下之水， 雖從一載台上移動至另一載台上後，進行χ可動件i78 i79 =替換’❻亦可在水從-載台上移動至另—載台上前，進 行X可動件1 7 8、1 7 9之替換。 《第3實施形態》 其次，依圖16〜圖18(B)說明本發明之第3實施形態。 在此，對與前述第丨實施形態同一或同等之部分，使用同 一之符號，並且將其說明簡化或省略。在此第3實施形態 之*光破置’僅晶圓載台裝置之構成等，係與第1實施形 遙不同’其他部分之構成等’則相同。因此，以下，為避 免重複說明僅以相異處為中心說明。 本第3實施形態之晶圓載台5 0 ’’，如圖16所示，與前 述之構成第1實施形態之曝光裝置之晶圓載台裝置5〇不 同’具備：能載置晶圓之晶圓載台WST ;及測量專用之測 量載台MST。 此等晶圓載台WST及測量載台MST，對應前述第1實 施形態之晶圓載台WST1及晶圓載台WST2，藉由與第1實 施形態同樣之晶圓載台驅動部（80〜87)使其在2維面内驅 動。 又’在投影光學系統PL(投影單元PU之鏡筒）附近，僅 62 201229690 設置1個對準系統ALG。又，投影單元pu與對準系統八1仏 實際上，如圖16所示呈内嵌狀態。即，在比投影單元 之下端部附近之其他部分形成小徑的部分之外側（前端透鏡 之周圍部分）且投影單元PU之大徑部之下方部分，將對: 系統ALG之至少下端部定位。 在前述測量載台MST之上面，設置各種測量用構件。 此測量用構件，例如，包含：基準標記板，將日本特開平 5-21314號公報及對應於此之美國專利第5,243，195號等所 揭示之複數個基準標記形成；及感測器，透過投影光學系 統：L將照明用光IL受光等。感測器，例如，能採用：照 度監視器，具有既定面積之受光部’在日本特開平〖丨」Μ Μ 5虎a報及對應於此之美國專利申請公開第1々μ號 .說明書等所揭示之投影光學系統p L之像面上將照明用光丨l 又光，照度不均感測益，具有針孔狀之受光部在日本特 開日口 57-1 1 7238號公報及對應於此之美國專利第4,465 368 號等所揭示之投影光學系統PL之像面上將照明用光儿受 ^ ;空間像測量器，測量圖案之空間像（投影像）之光強度’ 猎由在曰本特開2002_14005號公報及對應於此之美國專利 申請公開帛2002/0041377號說明書等所揭示之投影光學系 、·先.杈影等。在本案所指定之指定國（或所選擇之選擇國） 之國内法令所允許之範圍，援用上述公報及對應於此之美 國專利申請公開說明書.或美國專利之揭示，作為本說明書 之記載之一部分。又，載置於晶圓載台WST上之測量用構 件，不限於在此所列舉者’視必要能载置各種測量用構件。 63 201229690 又，在本貫施形態，對應進行液浸曝光（透過投影光學 系統PL與水藉由曝光用光（照明用光）IL來曝光晶圓），在使 用於用照明用光IL之測量之上述照度監視器、照度不均感 測器、空間像測量器，透過投影光學系統pL與水將照明用 光IL文光。又，各感測器，例如亦可僅將光學系統等之一 部分載置於測量載台MST，亦可將感測器全體配置於測量 載台MST。 又，在晶圓載台WST，可載置測量用構件，亦可不載 置。 又，在本第3實施形態，與前述第丨實施形態同樣， 在晶圓載台WST之-X側面與測量載台MST之+χ側面之至 少一方，設置與圖10之彈性密封構件93同樣之彈性 構件。 以下，對使用本第3實施形態所具備之晶圓載台WST 與測量載台MST之並行處理動作，依圖16〜圖18(B)加以說 明又，在本第3貫施形態之曝光裝置，亦設置與第1實 她形態同樣之干涉計系統，使晶圓載台wst與測量載台 MST之位置，與第}實施形態同樣加以管理。以下之說明， 為了要避免重複說明，省略關於干涉計系統之兩載台位置 管理之記載。X ’以下之動作中，藉由主控制裝i 2〇，按 照=於投影單s PU正下方之第i區域之載台之移動方向， 如别述進订;^體供排系、统32之液體供應裝f 5及液體回收 4置6之各閥之開閉控㈣，在投影光學系统之前端透鏡 9 1正下方持績填滿水。但是’以下，為了要使說明容易瞭 64 201229690 解，省略關於液體供應裝置5及液體回收裝置6之控制之 說明。 在圖16，表示與第1實施形態同樣進行對晶圓栽a WST上之晶圓W之步進掃描方式之曝光的狀態。此時’則 量載台MST，在既定之待機位置（不會與晶圓載台儈 突）等待。 f: 並且，在晶圓載今WST側，例如！批（1批係25片或 5〇片）晶圓W之曝光結束之階段，主控制裝置2〇，使測^ 載台MST移動至圖17(A)所示之位置。在此圖17(a)之狀 態，測量載台MST與晶圓載台WST，係透過前述彈性密^ 構件接觸。 其次，主控制裝置20,邊保持測量載台MST晶圓載△ WST與測量載台MSTu轴方向之位置關係，邊開始將： 載台WST、MST同時朝+X方向驅動之動作。 如上述，藉由主控制裝置20,使晶圓載台WST、測量 载台MST同時驅動後，在圖17㈧之狀態，保持於投影= 元PU之前端透鏡91與晶圓％之間之水，則伴隨晶圓=台 WST、；則量載纟MST朝+X側移動，在晶圓晶圓載△ 測量載台MST上依序移動…上述移動期間，： 固。載台WST、測量載台MST則與圖17(A)之狀態同樣透過 ::性岔封構件保持彼此接觸之位置關係。在圖1 7(B)，表 :·在上述移動途中’水(液浸區域)同時跨越於晶圓載台 、測I載台MST而存在時之I態，即從晶圓載台WST 上將水待供應於測量載台MST上之前之狀態。 65 201229690 從圖1 7(B)之狀態，進一步使晶圓載台WST '測量載台 MST朝+χ方向同時驅動既定距離，則如圖i8(a)所示，形 成測量載台MST與前端透鏡91之間保持水之狀態。 曰其次，主控制裝置20,使晶圓載台WST移動至既定之 圓又換位置並且進行晶圓之交換，與此並行，按照需要 執行使用測量載纟MST之既定之測量。此測量’例如在標 線片載台RST上之標線片交換後進行。對準系統則之基 線測：’可作為一例。具體而言，主控制裝置2〇,使用前 m對準系統RAa、RAb同時檢測與基準標記板 =置於測量載台MST上)之一對第i基準標記對應之標 上之標線片對準標記’來檢測對應一對第i基準標記 3線片對準標記之位置關係。與此同時，主控制裝置20, ，對準系統ALG檢測上述基準標記板 =關：檢測對準系一檢測中心與第2基準標： !基準栌―:且，主控制裝置2〇 ’根據對應上述-對第 “ I線片對準標記之位置關係及對準系统alg 笛中心與第2基準標記之位置關係，以及既知之一對 苐1基準標記與第2基準 系統以之標線h阁安 置關係’求得投影光學 ALG之檢測^心:、之投影中'（投影位置）與對準系統 示於圖18⑻。 置）之距離。又，將此時之狀態，表 評Γ ’測量上述對準系統ALG之基線， 將標線片對準標記 1且在軚線片上

上形成複數對第1其 / ’心；此在基準標記板FM 土準標記，將至少2對之第！基準標記 66 201229690 •肖所對應之標線片對準標記之相對位置，藉由邊使桿線片 載台RSTi量载纟MST移動，邊使用標線片對準系統 RAa、RAb測量，進行標線片對準。 在此情形，使用標線片對準系統RAa、RAb之標記之 檢測，係透過投影光學系統PL及水來進行。 下 接著，在上述兩載台WST、MST上之作業結束之階段， 主控制裝置20,例如將測量載台MST與晶圓載台術，维 持：透過彈性密封構件使其呈接觸狀態，在χγ面内驅動， 與前述同樣對交換後之晶圓w進行晶圓對準，即使用對準 系，ALG進行交換後之晶圓w上之對準標記之檢測，而算 出晶圓W上之複數個照射區域之位置座標。 △其後’主控制裝置20，與前述者相反，邊保持晶圓載 .。wst與測量載台MST之位置關係，邊使兩載台B丁、 朝·Χ方向同時驅動’使晶圓載台WST(晶B] w)移動至 ，影光學系統PL之下方後，即液浸區域從測量載纟⑽丁 牙夕動至日日圓載台WST(晶圓w)上後，使測量載台 至既定位置。 "、後主控制裝置20，對晶圓w執行步進掃描方式之 曝光動作’將標線片圖案依序轉印於晶圓W上之複數個昭 射區域。又 氣了曰固 又為了曰曰圓貿上之各照射區域之曝光，晶圓载 〜ST移動至加速開始位置，係根據上述晶圓對準之結果 斤侍之B曰圓W上之複數個照射區域之位置座標，與之前 測量之基線來進行。 又，在上述說明，測量動作，雖對要進行基線測量之 67 201229690 晴升/ σ兒明’但不限於此’亦可使用測量載台M S Τ ’將照度 '則里、照度不均測量、空間像測量等，例如與晶圓交換一 I進行，使用其測量結果，反應於其後要進行之晶圓w之 +光。又’載置於測量載台MST之感測器，不限於上述者， 亦可設置例如進行波面測量之感測器。 又，在上述第3實施形態，雖說明對丨批之晶圓w之 曝光結束時，使晶圓載台WST與測量載台MST接觸而移 動，使在投影光學系統.PL與測量載台MST之間保持水， 但疋較佳者為每於各晶圓交換，進行上述動作，使在投影 光學系統PL與測量載台MST之間保持水，則不必多言。 又一基線等之測量’如前述’亦可每於i批之曝光結束時 進仃，亦可每於晶圓交換’或既定片數之晶圓之 後進行。 、、” °果 ，化士攸上述說明可知，在本第3實施形態，與第丨實施 二=樣’藉由晶圓載台驅動部(8q〜87)構成載台驅動系统 ^部分。又，藉由載台驅動系統與晶圓載台WST边 设莖載台MST構成載台裝置之至少一部分。 、 光裝上所說明，依本第3實施形態之嶋置及該曝 麟具備之載台裝置，從晶圓載台而（或測& 叫位於有液體⑷供應之投影光學系統pL正下方= :立=…狀態遷移至測量載台Mst(或晶圓載台 持兩载△區域之第2狀態時’藉由上述載台驅動系統，维 等載σ於x軸方向透過彈性穷射堪Α σ ά 维 圚并Α 幻坪Γ生在封構件呈接觸狀態，使曰 圓載。WST、測量載台MS丁朝x軸方闩门吐 吏曰曰 朝人軸方向同時驅動。因此 68 201229690 以在投影光學系纟克PT 你u 、 人位於其正下方之特定載台（此載 台，伴隨移動，從-載台轉換為另—載台）之間供應著水（液 體）之狀態’不會從兩載台之間隙使液體线漏，使能從一載 台位於第1區域之箆丨肚Μ ^ β之弟1狀恶遷移至另一載台位於第1區域

之第2狀L gp ’在晶圓載台WST側透過投影光學系統PL 與水（液體）進行曝絲作後，至在測量載台㈣在投影光

學系統PL正下方開始測量為止期間，從-晶圓載台WST 與投影光學系統PL之間保持水之狀態至測量載台⑽丁血 投影光學系統PL之間保持水之狀態，不需要經過水之全回 收，再供應等步驟，能使其遷移。又，對使用測量載台隐 之測量結束後，至使用晶圓載台赠之曝光開始為止，亦 相同。 因此，將從晶圓載台WST側之曝光動作結束至測量載 台曰順側之測量動作開始之相，及㈣«台MST側之 測罝結束’至晶圓載台WST側之曝光動作開始之時間縮短 (即，維持於與非液浸曝光之通常之曝光裝置(非液浸曝光裝 置）相同程度）’能獲得產能之接古 月匕t知回。又，在投影光學 凡之像面側，因持續存在水（液體），故能有效地防止前述 之水紋（水痕）產生。 ~ ^ 又，藉由液浸曝光，進行高解像度且比空氣中大隹點 深度之曝光，能使標線ϋ R之圖案精度良好地轉印於 上，例如當作元件規格能實現7〇〜1〇〇nm 闽: 轉印。 度之微細圖案之 又’因能每於晶圓之交換箄，你田#^

寺使用載置於測量載台MST 69 201229690 之測量用構件進行各種測量，使測量結果反應於其後之曝 光動作，故能以持續調整為高精度之狀態進行晶圓/之曝光: 又’若使用測量載台MST所進行之測量動作係不使用 照明用光IL，亦能將測量載台MST側之測量動作，與晶圓 載台WST側之晶圓W之曝光動作—起進行。 又’在上述第3實施形態，雖以將測量載台mst盥晶 圓載台WSTii㈣性密封構件£接觸狀態進行晶圓對準， 但亦可在要進行晶圓對準之前，以使2個載台呈接觸狀態， 將晶圓載台WST移動至投影光學系統PL(及對準系統ALG) 之下方’使測量載台MST退避後，進行晶圓對準。 又在上述第3貫細< 形態，雖能使基準標記板FM上之 第1基準標記與第2基準標記同時測量，㈣可測量第（ 基準標記與第2基準標記之一方後，以在測量載台MST上 保持水之狀態移動來測量另一方。 又’上述第1〜第3實施形態所使用之彈性密封構件， 如圖19(A)所示，亦可採用彈性密封構件％，，在一載台（在 此，係載台WST2(WST2，、題））之+χ側面形成截面大致 梯形狀之槽49 ’在該槽49以埋入狀態裝配。如此構成，亦 能獲得與上述各實施形態同樣之效果。對此圖ΐ9(Α)所示之 構成，亦可不僅在一載台，而在雙方之載台設置。 又’如圖19(B)所示，亦可在一載台（在此，係載台 (WST1 WST))之十z面形成截面大致梯形狀之槽49,，在該 槽49澹彈性密封構件93，，以埋入狀態裝配，在另__載台（在 此，係載台WST2 (WST2,、MST))上面之+X側端部設置平 70 201229690 板94。在此情形，在兩載a 找口呈近接狀態，藉由平板94接觸 於彈性密封構件93，，，如圖 a 口 1 9(B)所不’能使水不會從兩載 台間^漏。 又，如圖19(C)所示，介叮w， 卜 亦可藉由在兩載台所對向之各側 面例如藉由鐵氟龍（登錄商標）等施加撥水被膜95,俾在兩 ，間隙：止水之渗入及漏水。藉此，因兩載台間能維 非接觸狀悲’故不會引起兩載台之近接所造成之載台變 形或位置控制精度惡化等之虞。 又，在上述第1〜第3實施形態，雖設置彈性密封構件， 但亦可不必設置彈神虛,, ，冓件及其他抑制漏水之抑制構 件。在此情形，亦可在你— 載13位於投影光學系統p u正下 方之狀態遷移至另一都A A Μ χ 一 u夕主力載口位於投影光學系統pu 悲之期間，使兩載台直抵姑$ 戰口直接接觸。又’雖由兩載台之材質、 2載台之表面狀態或形狀、液體之種類等而定，但即使在 士 ：時兩載台近接狀態(例如兩載台之間隔係2咖以下)， 若藉由液體之表面張力不使液體洩漏，g|| t 姑胳^ 卜便狀髖洩漏，則亦可不施加撥水 被膜。主要係要維持不使液體 惯κ 係，來使兩载台遷移即可。 直關 又’遷移時在兩載Μ水（㈣）之 :，因有時候亦有被容許之情形，故遷移時之 隔，不僅要考慮載台之材質或載台之表面狀:之間 體之種類，亦·Τ 土占— 狀心及也狀、液 亦可考慮谷許淺漏量來決定。 又’在上述第1〜第3實施形態，雖在2個 面未形成敕“灶 取1 〇之接觸 夕動鏡之反射面’但此不是必須要件，只要能防 71 201229690 止水從2個載台沒漏’亦可在至少一載台之接觸面形成移 動鏡之反射面。此種實施形態，例如能考慮如下之第4實 施形態。 《第4實施形態》 其次，依圖20〜圖23(B)說明本發明之第4實施形態。 在此，對與前述第3實施形態相同或同等之部分，使用相 同之符號’並且將其說明簡化或省略。在此第4實施形態 之曝光裝置，僅晶圓載台裝置之構成（包含干涉計之配置）， 與前述第3實施形態一部分不同，其他部分之構成等，則 與第3實施形態之裝置相同。因此，以下，為了要避免重 複說明，僅以相異處為中心說明。 本第4實施形態之晶圓載台裝置15〇，如圖2〇所示， 具備.晶圓載台WST ’能載置晶圓；測量專用之測量載台 MST’ ；及干涉計系統，包含6個雷射干涉計（以下，簡稱「干 涉計」）IF 1〜IF6。 前述晶圓載台WST’ ’雖下述兩點係與前述第3實施形 態之晶圓載台WST不同，即，第！點，如圖21所示，將 其-X側（測量載台MST’對向之側）之上端部一部分形成為 比其他部分突出之板狀之凸緣部1 Ua，及第2點，在其+χ 側纟而面S e及+ Υ側端面S d設置鏡面加工所形成之反射面， 來替代前述之移動鏡，但是其他部分，則構成為與晶圓載 台WST相同。又’此晶圓載台WST，之上面，以載置晶圓 w之狀態’包含晶圓w表面及凸緣部i丨la，全面係大致同 一平面（同一面）。 72 201229690 前述測量载台MST’，雖下述兩點係與前述第3實施形 態之測量載台MS 丁不同，即，第卜點，如圖21所示，在 其+Χ側（與晶圓載台WST，對向之側）設置突部⑴c ’將隔 著既定間隙卡合於前述凸緣部"u之段部im設於其上端 P ’及第2點’在其_χ側端面Sa、+γ側端面、及+乂側 之端面(突部⑴C之+X側之端面)Sc，設置鏡面加工所形成 之反射面’來替代前述之移動鏡；但是其他部分，則構成 為與測量載台MST相同。在此情形，如圖21所示，在晶圓 載台WST’之凸緣部llla與測量載台MST，之段部11丨b卡 合之狀態，使晶圓載台WST’之上面與測量載台MST，之上 面全體能形成全平面。 本實施形態之晶圓載台ws丁，及測量載台MST，，與前 述之第3實施形態之晶圓載台WST及測量載台MST同樣， 藉由晶圓載台驅動部（80〜87)使其在2維面内驅動。 前述干涉計系統，如圖20所示，具有：3個γ軸干涉 計IF3、IF4、IF2，分別具有分別通過投影光學系統之 投影中心（光軸AX) ’對準系統ALG之各檢測中心，及從投 影光學系統PL之投影中心離既定距離於_χ方向之位置且 平行於Y軸方向之測長軸；2個干涉計IF 1、IF5，分別具 有連結投影光學系統PL之投影中心（光軸AX)及對準系统 八LG之檢測中心且平行於X軸之測長軸；及干涉計IF6， 具有與通過從投影光學系統PL之投影中心起於_Y方向離 既定距離位置之X轴方向平行之測長轴。 在此，晶圓載台WST’位於投影光學系統PL之光轴正 73 201229690 下方之位置附近之區域（第i區域），對其晶圓載台wst，上 之晶圓進行曝光時，藉由X軸干涉計IF5、γ轴干涉計IF3 來管理晶圓載台1ST，之位置。以下，將藉由χ軸干涉計 IF5、γ轴干涉計1F3之各測長軸所規定之座標系統稱為曝 光座標糸統β 又，晶圓載台WST，位於對準系統ALG之檢測中心正 下方之位置附近之區域(第2區域)’要進行形成於其晶圓載 台wsr，上之晶圓之對準標記之檢測’例如晶圓對準等時， 藉由X軸干涉〇F5、Y轴干涉ftI㈣管理晶圓載台WST, 之位置。以下，將藉由χ軸干涉計IF5、γ軸干涉計IF4之 各測長軸所規定之座標系統稱為對準座標系統。 又’測量載台MST，，位於如圖2〇所示之待機位置附 時’猎由乂轴干涉計IFi、W干涉計 :::台謝，之位置。以下，將藉…干涉計… ΓΓ計1F2<各測長抽所規定之座標系統稱為等待座標 X軸干涉計iF6，在晶圓曝光处 測量相對於m 1元，·。束後之晶圓交換等時 相對於曰曰圓载台術，之又轴方向之位置。 如從上述說明可知，在本 IF1，係亘古, 在本霄她形態，X軸干涉計IF5、 軸之多轴干” 向及Z軸方向離開之至少3支光 在此 台MS丁，之x輛方6 于、了日日®載台WST，、測量載 f Μ曰 之位置測量以外，亦能測量Υ軸汽 奴轉2：(橫搖量）及 !里Υ軸周圍之 軸周圍之旋轉量（偏搖量）。X ’ X軸干 74 201229690 涉°十IF6 #可多轴干涉計，亦可光軸1支之干涉計。 又，上述Y轴干涉計IF2、IF3、if4，係具有相對於^ 軸方向離開之各2 φ氺如夕7 k ： 先軸 軸干涉計，各光軸之輸出值 U Ή °因此’在此等Υ轴干涉計IF2、IF3、IF4, ，了晶圓載台WST，或測量載台MST,之γ軸方向之位置測 量以外，亦能測量Χ軸周圍之旋轉量（俯仰量）。 Χ下對使用本第4實施形態之曝光裝置所具備之曰 圓載台WST，與測量載台謝，之並行處理動作，依圖^曰〜 圖23⑻加以說明。又，以下之動作中，藉由主控制裝置20, 按照位於投影單& ρττ χ π + > & 正下方之第1區域之載台之移動方 向士月J述’進们夜體供排系统32之液體供應裝置5及液 體回收裝置6之各閥之開閉控制，在投影光學系統PL之前 ^透鏡91正下方持續填滿水。但是，以下，為了要使說明 令易瞭解’省略液體供應裝4 5及液體回·收裝置6相關之 說明。 在圖20，表示將對晶圓載台WST，上之晶圓w之步進 掃描方式之曝光，與前述之第1實施形態同樣進行之狀態。 此怜，測里載台MST’ ’在不與晶圓載台WST，衝突之既定 之待機位置等待。在此情形’主控制裝置20，將測量載台 ST之位置在如述之等待座標系統上管理，將晶圓載台 WST之位置在前述之曝光座標系統上管理。 並且’在晶圓載台WST，側，在例如對1批（1批係25 片或50片）之晶圓w之曝光結束之階段，主控制裝置2〇， 使測里載台MST，移動至圖22(A)所示之位置。在此圖22(A) 75 201229690 之狀態，測量載台MST’與晶圓載台WST，，如圖21所示成 為設置於晶圓載台WST’之凸緣部111 a之-X側端面與測量 載台MST，之段部111b之-X側面近接（或接觸）之狀態。 在此，因將晶圓載台WST，側之凸緣部丨丨丨a之X軸方 向之寬度尺寸’比測量載台M S T，側之段部1 1 1 b之X軸方 向之寬度尺寸設為大’故能防止使測量載台MST，之鏡面加 工端面（反射面）Sc與除晶圓載台WST，之凸緣部1 1 ia外之 -X側端面（-X側端面之凸緣部1 1 la下方之部分）接觸。 其次，主控制裝置2 0 ’邊保持晶圓載台w § τ，與測量載 台MST,之X軸方向之位置關係，邊開始使兩載台同時驅 動於+ X方向之動作。 如上述，若藉由主控制裝置20,使晶圓載台WST，、測 量載台MST，同時驅動，在圖22(A)之狀態，保持於投影單 元叫之前端透鏡91與晶圓…之間之水，則伴隨晶圓載台 wst’、測量載台Μ〜χ側移動，在晶圓w—晶圓載台 WST，—>測量載台MST，上依序移動。又上述之移動期間 中’晶圓載台WST，與測量載台MST，係保持如圖21所示之 位置關係。在圖22(B)，表示A u ★ 、在上述之移動中途水（液浸區 =時跨越存在於晶圓載台 上：：表不广晶回載台WST，上將水供應於測量載台MST， 係保持如…示之位;=載台：州 載…，之凸緣部"u之:;二圖，之狀態 MST,^ μ ^ ^ 邊、，彖與對向凸緣部11 la之測量 ST之上面之邊緣的間隙係維持於。.3_以下，故即 76 201229690 使水移動於其間隙上， 藉由將凸缘部丨丨丨 7滲入其間隙。在此情形， ^ A . F 3之上面與測量載台MST，之上面分別形 成為撥水性（與水之接觸角度 ^ ^

Tv A PR Ki- 、 上），旎更確貫防止水 〜入具間隙β又，在此移動中， 由祕丁 Ψ 來自干涉計IF2之干涉計井 束雖不照射至測量載台Μ 卞"寸丸 (並前赤&、 之 >而面Sb，但因與此大約同時 〆、刖或後）干涉計IF3 cu 干叶先束會照射至測量載台 之^^面Sb，故在立昧赴站丄 ,，IF, ^ ^ ”夺^糟由主控制裝置2〇執行干涉 &T i f 3之重置。 若從圖22(B)之狀態，進—牛 載台赠，同時朝WST’'測量 ^朝X方向既定距離驅動，如® 23(A)所示， 成為在測量載台MS丁，與前端透鏡91之間保持水之狀態。 其次，主控制裝置20 ’與使晶圓載台WST，驅動於+x 。及-γ方向並行，使測量載台MST，朝+x方向及+γ方 :驅動。在此驅動期間，因在晶圓載台WST，之端面Se，不 再照射來自干涉計IF5之干涉計光束，而使干涉計IF6之干 涉計光束照射，故主控制驻罢 、，1 τ 控制#置20 ’以兩干涉計光束照射之 d ’使用干涉計1F5之測量值，使干涉tMF6重置。另— 方面’因來自干涉彳IF4之干涉計光束會照射至測量載台 MST’之端面Sb，故主控制裝置2()，在兩干涉計光束照射 之任-時點，使用干涉計的之測量值，使干涉計胸重置。 又，因在測量載台MST，之端面Sc，會照射來自干涉計ίρ5 之干涉計光束，故主控制裝置2〇，則執行干涉計ιρ5之重 置（或考慮干涉計IF1之測量值之重置）。 如上述，形成如圖23(B)所示之兩載台之配置，即，晶 77 201229690 @載台WST’位於既定之晶圓交換位置，並且 :於投影光學系統PL正下方。又，在晶圓載台ws;，，若 涉計光束不照射’藉由干涉計系統，雖不能 =曰:::w之位置’但可藉由未圖示時 吕理曰日圓載台WST，之Y付罟。_4·、士 ^ ^ a n ... 或亦可追加晶圓载台WST， =二二置時能測量晶圓載台贈，之γ軸方向之位 =二Γ3⑻所示之狀態，在晶圓載台，側 行既定之^…、此細，在測量载台MST，側按照必要執 丁既疋之測置。此測量，例如在標線片載台RST之伊線片 乂換後將對準系統ALG之基線測量，與上述第3實施0 :樣執行。在此情形’測量載台MST，之χ轴方向之位置： 比干涉計IF丨較佳者為使用干涉計ιρ5來 ― 之嶋使用測量測量載台MST，之χ軸方向之位 =:邊測量測量載台MST，之位置，邊進行基線測量， …知度執行根據其基線(量)之晶圓w之對準(定位)。 之二：上述第3實施形態同樣，與上述對準系統則 基線測置—起，進行前述之標線片對準。 p ^ ’在上述之兩載台WST’、MST’上之作業結束之階 w〜T，，：;i置2〇’例如將測量載台MST，與晶圓載台 二：二圖23(A)之狀態，邊維持使晶圓載…，與 l:::ST，近接(或接觸)之狀態，邊在XY面内驅動， 後之晶圓W進行晶圓對準，即使用對準 出曰圓丁父換後之晶圓W上之對準標記之檢測，來算 曰曰因W上之複數個照射區域之位置座標。又，此晶圓對 78 201229690 =圓载"〜置管理，則在前述之對準座標系 其後，主控制裝置20， 台MST，i X軸方保持日日圓載台WST，與測量載 之X軸方向之位置關係， 台WST，、MST，θ Y t ^ 邊”刖迷者相反，將兩载 1VU i向-X方向 圓W)移艇動，而使晶圓載台WST，（晶 π夕勒主技衫先學系統PL之 退避至既定位置。在此期 下方：，將測量載台MST’ 行干沣1 & 亦以與别述者相反之步驟進 仃十，步计系統之干涉計之重置等。 其後，主控制裝置20 ’鱼 a m w ^ 、 ’、上述各實鈀形悲同樣，對晶 圓w執行步進掃描方式之暖决

Bp^a +動作，將標線片圖案依序轉 P於日日圓W上之複數個照射區域。 又’在上述說明，測晋私从 置動作，雖對進行基線測量之情 形说明，但不限於此，與上 y 币j貫細*幵厂怨同樣，亦可進 八.仃照度測量、照度不均測量、办 二間像计測罝等。又盥上述 第3實施形態同樣’不限於1批瞌 厂 ^ 肌之曝光結束後，每於既定 卿心1片)之晶圓交換’亦能按照必要執行各種之測 置。又’亦可在測量載台MST，載置波面像差測量裝置，使 其測量動作，來測量投影光學系訊之波面像差。或，亦 :在測量載台MST，設置觀察攝影機，來檢查形成於投影光 學系統PL之像面側之液浸區域之狀態。 又，使用對準系統ALG進行交換後之晶圓w之對準標 。己之k測，不一定需要使晶圓载台WST，與測量載台ms丁， 邊保持既定之近接狀態邊執行，亦可在兩載台離開後開始 對準標記之檢測，亦可以兩載台近接狀態進行一部分之對 79 201229690 準標記之檢測後，使兩載台離開，來進行剩餘之對準標記 之檢測。 如以上所說明，依本第4實施形態，與第3實施形態 同樣，晶圓載台WST’（或測量載台MST’），從位於供應液體 (水）之投影光學系統PL正下方之第1區域之第1狀態遷移 至測量載台MST，位於第1區域之第2狀態時，藉由載台驅 動系統（包含晶圓載台驅動部（80〜87)來構成），使晶圓載台 wst’側之凸緣部Ulsa與測量載台MST，之段部丨nb成為 卡合狀態，藉由晶圓載台WST，之上面與測量載台MST，之 上面能實現全平面。因此，在投影光學系統pL與其正下方 之至少一載台（此載台，伴隨移動從一載台轉換為另一載台） 之間以保持水（液體）之狀態，不會從兩載台之間隙使液體洩 漏，能從一載台位於第丨區域之第丨狀態遷移至另一載台 位於第1區域之第2狀態。即，在晶圓載台WST，側進行透 過投影光學系、统PL與水（液體）之曝光動作後，至在測 台MST，側開始在投影光學系統托正下方之測量為止期 ::二晶圓載台㈣，與投影光學系統PL之間保持水之狀 :至在測量載台MST，與投影光學系統孔之間保持水之狀 Π:::之全…供應等步驟，能使其遷移。 WST，開Μ光二二之測里結束後，至使用晶圓載台 Ί始曝光為止期間亦同樣。 因此’能使從晶圓載台W S τ，側 載台MST’之測#動作開始為 乍、，。束至測置 側之測量处束至m 時間’及從測量載台MST， J羞、-口束至晶圓載台WSTU，ng丨.去 J之曝先動作開始為止之時 201229690 間縮短（即，維持於與非液浸曝光之通常之曝光裝置（非液浸 曝光裴置）相同程度），能獲得產能之提高。又，因在投影光 學系統PL之像面侧，水（液體）持續存在，故能有效地防止 前述之水紋（水痕）之產生。 又，在本第4實施形態，因在晶圓載台WST，設置凸緣 部1 Π a，將與此卡合之段部u丨b設置於測量載台MST，， 故即使在兩載台所對向側之投影光學系統pL之端面Sc設 置反射面，不會產生障礙，能從晶圓載台WST，與投影光學 系統PL之間保持水之狀態遷移至投影光學系統pL與測量 載台MST，之間保持水之狀態（或其相反）。 又藉由液浸曝光，進行高解像度且比空氣中大焦點 沬度之曝光，能將標線片R之圖案精度良好地轉印於晶圓 上例如§作元件規格能實現7〇〜丨〇〇nm程度之微細圖案之 ;轉印。 又，在上述第4實施形態，雖對在晶圓载台WST，侧設 置凸緣部Ula，在測量載台MST，側設置具有段部1Ub之 突部111c之情形說明，但本發明並不限於此亦可在晶圓 載台wst，設置具有段部之突部，在測量载台mst，側設置 凸緣部。又，在上述第4實施形態，雖對測量載台mst，之 + X侧之端部以形成段部lllb於上端部之單一之突部形成 之情形，加以說明，但是，此係由於需要使其突部之 + X側之：面Sc形成反射面而構成者，不—定要構成如此。 例如，右不需要形成反射面，相當於突部i 1 lb之部分，則 可在上端部形成隔著既定間隙卡合於凸緣部Ula之段部、， 81 201229690 其他部分亦可任何形狀。同 山Λ π樣晶圓載台WST，側口 μ 端部設置凸緣部丨丨13，其他 “、要在上 丨刀之形狀，亦可為任 又，在上述第4實称形能 y 貫开八L，雖將凸緣部11 la _㈣报杰 於晶圓載台WST，，但亦可以々a 體开y成 從日日圓載台WST，本體能贫知 之板構件來形成凸緣部1丨1 a。 .、 又’亦可採用設置彈性來 “" ”在封構件之構成，以凸緣部ma 與"k。卩1 1 1 b卡合之狀態，使右 , 凸，、彖部1 1 1 a與段部1 1 1 b之 間介有彈性密封構件。

y，山A 丨例如’鈕由在凸緣部Ilia之-X 側立而部设置彈性密封構件，钟a入 了構件犯元全防止晶圓載台WST，盥測 量載台MST’之間之漏水。又 ' ^ 又稭由設置彈性密封構件，即 使在晶圓載台WST’盥測吾ΑίΓ„ . Μ'貝！里載台MST，會接觸之情形，能減 低其衝擊。當,然’亦可將彈性密封構件設置於測量載台MS]” 側’替代彈性密封構件，亦可在晶圓載台㈣，與測量載台 MST，之至少-兩載台對向之位置，施加撥水被膜。 在上述第4貫施形態之載台之一方設置凸緣部， 在另-方設置段部之概念’不僅兩載台係測量載台與晶圓 載。之It形’在兩載台均係晶圓載台之情形，亦能採用。 即，例如，要採用如上述第丨實施形態（參照圖U或第 2實施形態（參照圖12)之載台裝置之構成之情形，因晶圓載 台wsti與晶圓載台WST2相對於χ軸方向之位置關係不 亀，故如圖24所不，能採用在—晶圓载台之χ軸方向一側 具備凸緣部111 a，在另一晶圓載台之χ軸方向另一側具備 將段部1 ub形成於其上端部之突部丨Uc之構成。 又’例如’如圖25(A)所示，若採用晶圓載台WST1，，、 82 201229690 WST2相對於χ軸方向之位置關係會變更之載台裝置時， 如圖25⑻所示’需要採用使各晶圓載台ws^，，、而二， 具備凸緣部與具有段部之突部之構成。藉由採用如上述之 構成’即使晶圓载台WST1，，位於_又側’晶圓載台丁2" 位於+ χ側之情形，或晶圓載台WST1，，位於 载。WST2”位於_χ側之情形’與前述第4實施形態同樣， 以防止漏水之狀態，能從—晶圓載台上水接觸狀態，遷移 至另一晶圓载台上水槔觸狀態。 又，在上述各實施形態，保持於前端透鏡9 1下之水， 攸載口上移動至另一載台上時，亦可在前端透鏡9 1下保 持著水，使水之供應與回收停止。特別，在藉由水之供應 水之壓力會升高之情形，因& 2個載台之間隙容易漏水， 故較佳者為停止水之供應與回收。 又，在上述各實施形態，雖液體係使用超純水（水），但 本發明當然並不限於此。液體，亦可使用化學性穩定、照 :用光IL之透過率高、安全之液體，例如使用氟系惰性液 體。此氟系惰性液體，例如能使用Flu〇rinert(美國3Μ公司 之商品名稱）。此氟系惰性液體，對冷卻效果亦良好。又’ 液體’亦月b使用對照明用光IL有透過性且折射率盡量高， 又’對技影光學系統或塗布於晶圓表面之光阻穩定者（例 如，洋杉油）。又，若使用F2雷射光作為光源時，液體能使 用氟系液體（例如，豐布林油（Fomblin 〇il))。 又，在上述各實施形態，亦可將所回收之液體再利用， 在此情形，較佳者為將用以從所回收之液體去除雜質之過 83 201229690 濾器設置於液體回收裝置或回收管等。 又，在上述實施形態，雖投影光學系統PL之旧 之光學兀件係前端透鏡91 ’但該光學元件不限於透^面側 可為光學板(平行平面板等），肖以調整投影光學系統：’亦 光學特性，例如像差（球面像差、馨形像差）之調整之 單之蓋玻璃。投影光學系統PL之最像面側之光學元、可簡 上述實施形態係前端透鏡91)，起因於藉由照明用干=(在 照射從光阻所產生之飛散粒子或液體中之雜質之 會與液體（在上述實施形態係水）接觸，使其表面， 二:光學元件，亦可裝卸(交換)自如地固定於鏡筒4:1 最下部，定期交換。 < 如上述之情形，若接觸於液體之光學 :換構件之成本昂貴，且交換所需之時間變長二致 成本（運轉成本）之上升或產能之降低。因此’ ^ -L· m ' 接觸於液體 之先學…牛，亦可使用例如比前端透鏡91廉價之平行平面 板。 又’在上述各實施形態’使液體流動之範圍可設為使 杈蓋標線片之圖案像之投影區 入a ^ V，、、、月用九IL之照射區域） ^ 大小雖可任意’但，為了要控制流迷 '流量，較 佳者為比照射區域猶微小，使其範圍盡量縮小。 二’在上述各實施形態，雖對將本發明適用於步進掃 範圍當然不限於此。即，μ二=二本發明之適用 之縮小投料«置。％。錢相於^重複方式 84 201229690 曝光裝置之用途並不限於半導體製造用之曝光裝置， 例如，能廣泛地適用於用以將液晶顯示元件圖案轉印於方 型之玻璃板之液晶用曝光裝置，或用以製造有機el、薄膜 磁頭、攝影元件（CCD等）、微型機器、及DNA晶片等之曝 光裝置。又，不僅是半導體元件等之微元件，供製造光曝 光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、及電子曝光裝置 寺所使用之標線片或光罩，在玻璃基板.或石夕晶圓等轉印電 路圖案之曝光裝置，亦能適用本發明。 又，在上述各實施形態之曝光裝置之光源，不限於ArF 準分子雷射光源，亦能使用KrF準分子雷射光源、ρ2雷射 光源等之脈衝雷射光源，或發出g線（波長436nm)、丨線（波 長365nm)等光線超壓水銀燈等。 又’將DFB半導體雷射或光纖雷射所振盪之紅外域， 或可視域之單一波長雷射光，例如以摻雜铒（或铒與釔雙方 之光纖放大器放大，而使用非線性光學結晶波長轉換為紫 外光之高諧波亦可。又，投影光學系統之倍率，不僅是縮 小系統，亦可為等倍及放大系統之任一種。 《元件製造方法》 其次，對將上述實施形態之曝光裝置在微影步驟使用 之元件製造方法之實施形態，加以說明。 在圖26,表示元件（IC或LSI等半導體晶片、液晶面板、 CCD、薄膜磁頭、微型機器等）之製造例之流程圖。如圖％ =不，首先，在步驟201(設計步驟），進行元件之機能、性 能設計（例如，半導體元件之電路設計等），進行用以實現唁 85 201229690 機忐之圖案設計。接著’在步驟2。2(光罩製作步驟)，製作 形成有所設計之電路圖案 另一古二 ”先罩。另方面，在步驟203(晶 0製造步驟），使用石夕等封料製造晶圓。 其次’在步驟204(晶圓處理步驟），使用在步驟2〇卜 步驟203所準備之光罩與晶圓，如後述藉由微影技術等 在晶圓上形成實際之電路等。其次，在步驟2〇5(元件植裝 步驟用在步驟204所處理之晶圓進行元件組裝。在此 步驟205，按照需要’包含切割步驟、接合步驟、及封裝步 驟（晶片封入）等步驟。 ' 最後，在步驟206(檢查步驟），進行在步驟2〇5所製作 之元件之動作確認測試、耐久測試等之檢查。經過如上述 之步驟後’元件則完成而出貨。 在圖27，表示半導體元件之上述步驟2〇4之詳細流裎 例。在圖27 ’在步驟2 11(氧化步驟）使晶圓之表面氧化。在 步驟2 1 2 (C V D步驟）在晶圓表面形成絕緣膜。在步驟2 1 3 (電 極形成步驟）在晶圓上以蒸鍍形成電極。在步驟2 1 4(離子植 入步驟）在晶圓植入離子。以上之步驟2 11〜步驟2 14，分別 構成晶圓處理之各階段之前處理步驟，按照各階段所需要 之處理選擇來執行。 在晶圓處理之各階段，上述之前處理步驟結束後，執 行後處理步驟如下。在此後處理步驟，首先，在步驟2 1 5(光 阻形成步驟）’在晶圓塗布感光劑。接著，在步驟2 1 6(曝光 步驟），藉由如上所說明之曝光裝置將光罩之電路圖案轉印 於晶圓。其次，在步驟2 1 7(顯影步驟），使所曝光之晶圓顯 86 201229690 ’V在步驟2 1 8(敍刻步驟），將光阻所殘留之部分以外之部 分之露出構件以蝕刻去除。並且，在步驟219(光阻去除步 驟）’去除已完成蝕刻而變成不要之光阻。 藉由重複進行此等前處理步驟與後處理步驟，能在晶 圓上形成多層之電路圖案。 使用以上所說明之本實施形態之元件製造方法，藉由 在曝光步驟（步驟2 1 6)使用上述各實施形態之曝光裝置以能 量光束（照明用光1L)使晶圓（基板）曝光，因在晶圓上形成元 件圖案，故能長期間實現高產能且高精度之曝光。因此’ 能提高形成微細圖案之高積體度之微元件之生產性。 如以上說明’本發明之載台驅動裝置，適於驅動第1 載。與第2載台。又，本發明之曝光裝置，適於在投影光 學系統與基板之間供應液體’透過投影光學系統與液體藉 由*此里光束使前述基板曝光。又，本發明之元件製造方法， 適於微元件之生產。 【圖式簡單說明】 圖1係表示第1實施形態之曝光裝置之概略圖。 圖2係表示第丨實施形態之晶圓載台裝置之俯視圊。 圖3係表示圖2之晶圓載台WST1之立體圖。 圖4係表示液體供排機構之概略俯視圖。 圖5係表示第1實施形態之曝光裝置之控制系統主要 構成之方塊圖。 圖6係用以說明並行處理動作之2個晶圓載台之驅動 87 201229690 方法之圖（其1)。 圖7係用以說明並行處理動作之2個晶圓載台之驅動 方法之圖（其2)。 圖8係用以說明並行處理動作之2個晶圓載台之驅動 方法之圖（其3 ) » 圖9係用以說明並行處理動作之2個晶圓載台之驅動 方法之圖（其4)。 圖10係表示彈性密封構件之圖。 圖1 1係表示第2實施形態之曝光裝置之控制系統主要 構成之方塊圖。 圖12係表示第2實施形態之晶圓載台裝置之俯視圖。 圖1 3(A)係用以說明第2實施形態之並行處理動作之2 個晶圓載台之驅動方法之圖（其丨）。 圖13(B)係用以說明第2實施形態之並行處理動作之2 個晶圓載台之驅動方法之圖（其丨）。 圖14(A)係用以說明第2實施形態之並行處理動作之2 個晶圓載台之驅動方法之圖（其2)。 圖1 4(B)係用以說明第2實施形態之並行處理動作之2 個晶圓載台之驅動方法之圖（其2)。 圖丨5(A)係用以說明第2實施形態之並行處理動作之2 個晶圓載台之驅動方法之圖（其3)。 圖1 5 (B)係用以說明第2實施形態之並行處理動作之2 個晶圓載台之驅動方法之圖（其3)。 圖1 6係表示第3實施形態之晶圓載台裝置之俯視圖。 88 201229690 圖1 7(A)係用以說明第3實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其1)。 圖1 7(B)係用以說明第3實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其1)。 圖1 8(A)係用以說明第3實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其2)。 圖1 8(B)係用以說明第3實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其2)。 圖1 9(A)係用以說明抑制構件之變形例之圖。 圖1 9(B)係用以說明抑制構件之變形例之圖。 圖1 9(C)係用以說明抑制構件之變形例之圖。 圖20係表示第4實施形態之晶圓載台裝置之俯視圖。 圖2 1係表示晶圓載台與測量載台近接狀態之圖。 ; 圖22(A)係用以說明第4實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其1)。 圖22(B)係用以說明第4實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其1)。 圖23(A)係用以說明第4實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其2)。 圖23(B)係用以說明第4實施形態之並行處理動作之晶 圓載台與測量載台之驅動方法之圖（其2)。 圖24係用以說明第4實施形態之變形例之圖（其1)。 圖25(A)係用以說明第4實施形態之變形例之圖（其2)。 圖25(B)係用以說明第4實施形態之變形例之圖（其2)。 89 201229690 圖2 6係用以說明本發明之元件製造方法之流程圖。 圖2 7係表示圖2 6之步驟2 〇 4之具體例之流程圖。 【主要元件符號說明】 5 :液體供應裝置 6 :液體回收裝置 1 0 :照明系統 1 1 :標線片載台驅動部 12 :基盤 1 5 :移動鏡 1 6、1 8 : X軸干涉計 17X、1 17X : X 移動鏡 17Y、117Y : Y 移動鏡 20 :主控制裝置 21、22、27 ' 28 :供應管 21a、21b、21c、22a、22b、22c、27a、28a:供應嘴 23、24、29、30 :回收管 23a、23b、24a、24b、29a、29b、30a、30b :回收嘴 32 :液體供排系統 40 :鏡筒 44、46、48 : Y轴干涉計 47X、49X : X移動鏡 47Yi、47Y2、49Y!、49Y2 : Y 移動鏡 49 、 49’ ：槽 90 201229690 50、50，、50，，： 晶圓載台裝置 7 0 :本體部 72&〜72(1.辅助板 3圓載台驅動部 80-87 ：晶

188、 X軸線性導件（X軸線性馬達） 90a :照射系統 9〇b :受光系統 9 1 :前端透鏡 93、93’ ' 93’’ ：密封構件、彈性密封構件 94 :平板 9 5 :潑水被膜 100 :曝光裝置 I 1 1 a :凸緣部 m b :段部 111C :突部 Π 6 :標線片干涉計 II 8、11 8 A :千涉計系統 124、124A :晶圓載台驅動部 151X,、151Χ2、151Χ3、151χ4、151Υι、Η% :干涉 171 :第1驅動部 91 201229690 172 :第2驅動部. 178、179: X可動件 182、183、184、185: Y 可動件 195 :第1連接機構 196 :第2連接機構 . ALG1、ALG2 :對準系統 BI1X、BI2X、BI1 Y、BI2Y、BI3Y :測軸 AX :光軸 FM1、FM2 :基準標記板 HI、H2 :晶圓保持具 IA :曝光區域 IF1、IF5、IF6 : X 軸干涉計 IF2、IF3、IF4 : Y 軸干涉計 IL :照明用光（曝光用光）

Lq .液體 MST、MST’ ：測量載台 PL :投影光學系統 PU :投影單元 R :標線片 RAa、Rab :標線片對準檢測系統 RST :標線片載台 Sb、 Sc、 Se:端面 W1、W2 :晶圓 WST1、WST2、WST1，、WST2’、WST1，，、WST2 92 201229690 晶圓載台

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Claims (1)

1. 201229690 申請專利範圍： 1. 一種曝光裝置，係在投影光學系統與基板之間供應液 透過该投影光學系統與該液體，使該基板曝光具備： 第1載台，能在包含該投影光學系統正下方之第i區 及與該第1區域不同區域之區域内移動； 。第2載° ’月匕在包含該第1區域、及與該帛2區域不 同區域之區域内，與該第1載台獨立移動； 二載α驅動系統，驅動該第1、第2載台，並且使從—载 亥第1區域之第丨狀態朝另一載台位於該第1區域 之第2狀態遷移時，使該第1載台與該第2載台，維採 既定方6 守任 。呈近接或接觸狀態，並將該第丨、第2載台同 動於該既定方向；及 抑制構件’設置於該第1載台及該第2載台之至少— 方從遠第1狀態遷移至該第2狀態時防止該液體從該 載台之間隙洩漏。 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中： 。亥抑制構件’係包含密封構件及撥水被膜之至少— 3 ^。 •如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中： 。亥抑制構件’係位於該第1載台與該第2載台之間。 •如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中： 言亥 1載台與該第2載台，分別具有該遷移時相料 之側面； 啊對向 4抑制構件，係設於該第1載台之側面與該第2哉 七 體 域 之側面 之至少一方 94 201229690 5 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中： 在該第1狀態，該液體係保持於該一載台與該投影光 學系統之間； 在該第2狀態，該液體係保持於該另一載台與該投影 光學系統之間； 該遷移時’在該投影光學系統與位於該第1區域之至 少一載台之間’將該液體持續保持。 6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其進一步具備液 體供排系統，用以將該液體局部填滿於該投影光學系統之 像面側的空間。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之曝光裝置，其 進一步具備： 第1、第2反射鏡，分別設置於該第1、第2載台上之 5玄.，遷移時兩載台近接或接觸側之面以外之面；及 干涉計’對該第i、第2反射鏡之反射面分別照射測長 光束’根據各測長光束自該第1、第2反射鏡之反射面之反 射光’來測量該第1、第2載台之位置。 8 ·如申請專利範圍第1至6項中任一項之曝光裝置，其 中： s亥第1載台，具有用以保持基板之保持具。 9.如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中： 該第2載台’具有用以保持基板之保持具。 1 〇.如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中： 在該第2載台，未設置用以保持基板之保持具。 95 201229690 li.如令請專利範圍第8項之曝光裝置，其令： 件 該第1載台，具有配置於供裝載基板的區域周圍之板 該板件的表面，係與保持於該保持具之基板的表面相 同高度。 和 丨2·如申請專利範圍第8項之曝光裳置，其進一步具備： 標記檢測系統，用以檢測基板上的對準標記； 該第1載台’可移動於包含該標記崎統正下方之 第2區域與該第1區域之區域； 該第1區域與該第2區域，於該既定方向分離。 13·如申請專利範圍第12項之曝光裝置，並中， Μ 2“ ’可㈣於包含就該第丨區域為與 Q域相反側之第3區域與該第1區域之區域。 14·如申請專利範圍第8項之#光裝置，其進— 標記檢測系统，用以认 乂具備· 宁·允肖以檢測基板上的對準標記； 楚載台，可移動於包含該標記檢測系统U 苐2區域與該第1區域之區域； …’正下方之 。玄第1區域與該第2 向分離。 …及既疋方向交又的方 =·如中請專利範圍第8項之曝光裝置，其令： 曰由相對於該投影光學系統使該第 方向’以進行該第i載A之移動於掃描 曝光； 之制於s线持具之基板的掃福 該掃描方向與該既定方向平行。 96 201229690 其中： 16·如申請專利範圍第1至ό項中任—項之 曝光裝置， 第1載台與該第2載台，分別具有該遷移時相對向 之側面； 各°亥側面係設置成垂直於該既定方向。 17. :申請專利範圍第…項中任—項之曝 ， 其進一步具備： 第1線性致動器，以可裝拆的方式卡合於該第 載台之往—去，^ 1 向. 卡5狀態之一載台移動於該既定方 第2線性致動器’以可裝拆的方式卡合於該第1、第2 方住-者，且可使卡合狀態之另-載台移動於該既定 遷移之前或後，進行該—載台與該第卜線性致動 益之卡合解除、及該另1台與該第2線性致動器之卡人 =除’進而其後，進行該—載台與該帛2線性致動器之卡 合、及該另一載台與該第丨線性致動器之卡合。 18. -種元件製造方法’其特徵在於：係包含使用 專利範圍第丨至17項中之任—項之曝光裝置，以能量光束 使基板曝光之微影步驟。 19·-種載台驅動方法’係用於透過投影光學系統與基 板間之液體使基板曝光之液浸曝光，其特徵在於包含： 在第1載台位於該投影光學系統正下方之第1區域之 第1狀態下，使該第i載台、及與該帛i載台不同的第2 97 201229690 載台於既定方向近接或接觸； 該第1載台與該第2載台於該既定方向維持近接或接 觸之狀態，且使該第1、第2載台同時移動於該既定方向, 藉此，使該第1载台位於該第丨區域 Λ弟1狀悲，朝該 載α位於該第1區域之該第2狀態遷移； 、當從該第1狀態朝該第2狀態遷移時，藉由抑制構件 以防止液體從該兩载台之間洩漏。 20.如申請專利範圍第19項之載台驅動方法，其中： 該抑制構件，係包含密封構件及撥水被膜之至少、一方。 2丨·如申請專利範圍第19項之載台驅動方法，其中： 在該第1狀態，該液體係保持於該第 ^ 光學系統之間； 戰口與忒投景; 2載台與該投影 在该第2狀態，該液體係保持於該第 光學系統之間； 第1區域之至 項之載台驅動 •該遷移時，在該投影光學系統與位於該 ^ 一載台之間，將該液體持續保持。 22.如申請專利範圍第19至2ι項中 方法，其中·· 、 第1載台具有用以保持基板之保持具； 在該遷移之前，為使保持於：甘 使該筮1 # A + w y、持具之基板曝光，而 弟1載台相對於該投影光學系統移動。 23.如申請專利範圍第22項 嗲篦2恭△目 、裁13驅動方法，其中： °〆第載°具有用以保持基板之保持具； 在該遷移之後，為使該第2 戰D之保持於該保持具之 98 201229690 基板曝光，而使該第2載台相對於該投影光學系統移動。 24. 如申請專利範圍第22項之載台驅動方法，其中： 在該第2載台，未設置用以保持基板之保持具。 25. 如申請專利範圍第22項之載台驅動方法，其中·· 該第1载纟，可移動於包含位於用以檢測基板上的對 準標記之標記檢測系統正下方之第2區域與該帛！區域之 區域； 該第1區域與該第2區域，於該既定方向分離。 26.如申請專利範圍第25項之載台驅動方法，其中： 。该第2載台，可移動於包含就該第i區域為與該第2 區域相反側之第3區域與該第丨區域之區域； 在該第1狀態，該第2載台係位於該第3區域。 ” ·如申請專利範圍第22項之載台驅動方法，其中： 5玄苐1載台，可:乱士人a a m 私動於包含位於用以檢測基板上的針 準標記之標記檢測系統正 土板上的對 區域； 第2區域與該第1區域之 區域，於與該既定方向交又的方 5亥第1區域與該第 向分離。 28·如申凊專利範圍第$ 在該第1載台之俾 J、之戴台驅動方法，其中： 中，使該第1载台相對於夺▲於為保持具之基板的掃描曝先 方向平行的掃描方向。；孩彳又如光學系統移動於與該既定 2 9 ·如申凊專利範圍第 方法，其中： 至21項中任一項之載台驅動 99 201229690 在該遷移之前或後，進行該第1載台與第1線性致動 器之卡合解除、及該第2載台與該第2線性致動器之卡合 解除，進而其後，進行該第1載台與該第2線性致動器之 卡合、及該第2載台與該第1線性致動器之卡合。 3 0.如申請專利範圍第29項之載台驅動方法，其中： 各該第1、第2載台，於該遷移時使卡合後之載台移動 於該既定方向。 /\·、圖式· 如次頁 100