JP6163587B2 - 半導体装置の作成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、剥離した被剥離層を基材に貼りつけて転写させた薄膜トランジスタ（以下、
ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置、例えば、液晶モジュールに代表さ
れる電気光学装置やＥＬモジュールに代表される発光装置、およびその様な装置を部品と
して搭載した電子機器またはこれらを搭載した乗物に関する。また、これらの作製方法に
関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
また、自動車や航空機などの乗物にさまざまな表示装置、例えば、ナビゲーションの表
示装置やオーディオの操作画面表示装置や計器の表示装置を搭載する試みがなされている
。
このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが
、特に携帯機器への利用が注目されている。現在、ガラス基板や石英基板が多く使用され
ているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガラス基板
や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性を有する基板、代表
的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上にＴＦＴ素子を形成することが試みられ
ている。
しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせ
ざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のＴＦＴを形成でき
ないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な発光素子や液晶
表示装置は実現されていない。
もし、プラスチックフィルム等の可撓性を有する基板の上に有機発光素子（ＯＬＥＤ：
Organic Light Emitting Device）が形成された発光装置や、液晶表示装置を作製するこ
とができれば、厚みが薄く軽量であるということに加えて、曲面を有するディスプレイや
、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。
よって、その用途は携帯機器のみに限られず、応用範囲は非常に広い。
また、曲面を有するディスプレイが実現すれば、限られた空間、例えば自動車や航空機
などの乗物の運転席などに映像や計器のディスプレイを設けようとする場合、さまざまな
曲面を有する部位（窓や天井やドアやダッシュボードなど）に設置することができ、空間
スペースを狭めることができる。従来では、ディスプレイは平面であって、乗物の空間ス
ペースを狭める、或いは、平面ディスプレイをはめこむために壁を切り取り、取りつけ作
業などが複雑なものとなっていた。
本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を
提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する
基材に貼りつけられた有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する発光装置、或
いは曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
また、本発明は、フレキシブルなフィルム（湾曲することが可能なフィルム）
にＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電
変換素子やシリコン抵抗素子）を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供するこ
とを課題とする。
本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する
領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査する
レーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なって
いる方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するデ
ィスプレイを実現するものである。なお、被剥離層を曲面を有する基材に貼り合わせた場
合には、基材の曲面に沿って被剥離層も曲げられることとなる。本発明は、素子のチャネ
ル長方向が全て同一方向に配置されており、チャネル長方向と基材が湾曲している方向と
が異なっているため、素子を含む被剥離層が曲がったとしても素子特性への影響を最小限
に抑えることができる。即ち、ある方向（ここでは基材が湾曲している方向）への変形に
強い半導体装置を提供することも可能となる。
本明細書で開示する作製方法に関する発明の構成は、基板上に素子を含む被剥離層を形
成する工程と、前記素子を含む被剥離層に支持体を接着した後、該支持体を基板から物理
的手段により剥離する工程と、 前記素子を含む被剥離層に転写体を接着し、前記支持体
と前記転写体との間に前記素子を挟む工程とを有する半導体装置の作製方法であって、前
記素子は、絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる半導体層をチャネルとする薄膜トラン
ジスタであり、前記半導体層を形成する工程は、前記チャネルのチャネル長方向と同一方
向で走査するレーザー光の照射を行う処理を有することを特徴とする半導体装置の作製方
法である。
ただし、上記構成において、被剥離層の機械的強度が十分である場合には、被剥離層を
固定する転写体を貼り合わせなくともよい。
なお、上記構成において、前記薄膜トランジスタは複数設けられ、且つ、該複数の薄膜
トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置されていることを特徴としている。
また、上記構成において、前記支持体は、凸状または凹状に湾曲した曲面を有し、前記
支持体が湾曲している方向と前記チャネル長方向は異なっていることを特徴としている。
また、転写体を貼り付ける場合、支持体の曲面に沿って転写体も凸状または凹状に湾曲し
た曲面を有する。従って、上記構成において、前記転写体は、凸状または凹状に湾曲した
曲面を有し、前記支持体が湾曲している方向と前記チャネル長方向は異なっていることを
特徴としている。
また、上記構成において、液晶表示装置を形成する場合、前記支持体は対向基板であっ
て、前記素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料
が充填されていることを特徴としている。
また、上記構成において、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する発光装
置を形成する場合、前記支持体は封止材であって、前記素子は発光素子であることを特徴
としている。
また、上記構成において、剥離方法としては、特に限定されず、被剥離層と基板との間
に分離層を設け、該分離層を薬液（エッチャント）で除去して被剥離層と基板とを分離す
る方法や、被剥離層と基板との間に非晶質シリコン（またはポリシリコン）からなる分離
層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出
させることにより、空隙を生じさせて被剥離層と基板を分離させる方法などを用いること
が可能である。なお、レーザー光を用いて剥離する場合においては、剥離前に水素が放出
しないように熱処理温度を４１０℃以下として被剥離層に含まれる素子を形成することが
望ましい。
また、他の剥離方法として、２層間の膜応力を利用して剥離を行う剥離方法を用いても
よい。この剥離方法は、基板上に設けた金属層、好ましくは窒化金属層を設け、さらに前
記窒化金属層に接して酸化層を設け、該酸化層の上に素子を形成し、成膜処理または５０
０℃以上の熱処理を行っても、膜剥がれ（ピーリング）が生じずに、物理的手段で容易に
酸化層の層内または界面において、きれいに分離できるものである。さらに剥離を助長さ
せるため、前記物理的手段により剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行う
処理を行ってもよい。
上記２層間の膜応力を利用して剥離を行う剥離方法を用いて半導体装置を作製する本発
明の作製方法に関する構成は、第１の基板上に半導体素子を含む被剥離層を形成する第１
工程と、前記被剥離層に第２の基板を第１の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第１
の基板と前記第２の基板とで挟む第２工程と、前記被剥離層と前記第１の基板とを分離す
る第３工程と、前記被剥離層に第３の基板を第２の接着材で接着させ、前記被剥離層を前
記第２の基板と前記第３の基板とで挟む第４工程と、前記被剥離層と前記第２の基板とを
分離して、前記第２の接着材及び前記第３の基板を支持体とする前記被剥離層を形成する
第５工程と、前記第３の基板を湾曲させる第６工程とを有することを特徴とする半導体装
置の作製方法である。
上記構成における前記第５工程において、前記第１の接着材は溶媒溶液で溶かして除去
し、前記被剥離層と前記第２の基板とを分離する、或いは、前記第１の接着材は感光性を
有する接着材であり、前記第５工程において、光を照射して前記被剥離層と前記第２の基
板とを分離することを特徴としている。また、前記第１の基板及び前記第２の基板は、前
記第３の基板よりも剛性が高い材料であって、前記第３の基板は、可撓性を有する基板で
あることが望ましい。
なお、上記構成においても前記半導体素子は、絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる
半導体層をチャネルとする薄膜トランジスタであって、前記半導体層を形成する工程は、
前記チャネルのチャネル長方向と同一方向で走査するレーザー光の照射を行うことが好ま
しい。
また、上記２層間の膜応力を利用して剥離を行う剥離方法を用いて有機化合物を含む層
を発光層とする発光素子を有する半導体装置を作製する本発明の作製方法に関する構成は
、第１の基板上に有機化合物を含む層を発光層とする発光素子または半導体素子を含む被
剥離層を形成する第１工程と、前記被剥離層に第２の基板を第１の接着材で接着させ、前
記被剥離層を前記第１の基板と、フィルムが設けられた前記第２の基板とで挟む第２工程
と、前記被剥離層と前記第１の基板とを分離する第３工程と、前記被剥離層に第３の基板
を第２の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第２の基板と前記第３の基板とで挟む第
４工程と、前記フィルムと前記第２の基板とを分離して、前記フィルム、前記第２の接着
材、及び前記第３の基板を支持体とする前記被剥離層を形成する第５工程と、前記第３の
基板を湾曲させる第６工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
上記構成において、前記フィルムは感光性を有する接着材を両面または片面に有するテ
ープであり、前記第５工程において、光を照射して前記フィルムと前記第２の基板とを分
離することを特徴としている。また、前記第１の基板及び前記第２の基板は、前記第３の
基板よりも剛性が高い材料であって、前記第３の基板は、可撓性を有する基板であること
が望ましい。
なお、上記構成においても前記半導体素子は、絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる
半導体層をチャネルとする薄膜トランジスタであって、前記半導体層を形成する工程は、
前記チャネルのチャネル長方向と同一方向で走査するレーザー光の照射を行うことが好ま
しい。
以上に示した本発明の作製方法により得られる半導体装置は様々な特徴を有している。
本明細書で開示する発明の構成１は、凸状または凹状に湾曲した曲面を有する基材上に
、複数の薄膜トランジスタが設けられ、該複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全
て同一方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向は、前記基材の湾曲している方向とは
異なっていることを特徴とする半導体装置である。
また、本発明は、画素部と駆動回路とにそれぞれ異なる薄膜トランジスタを形成した場
合においても適用することができ、他の発明の構成２は、凸状または凹状に湾曲した曲面
を有する基材上に、画素部と駆動回路部が設けられ、前記画素部に設けられた薄膜トラン
ジスタのチャネル長方向と、前記駆動回路部に設けられた薄膜トランジスタのチャネル長
方向は同一方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向は、前記基材の湾曲している方向
とは異なっていることを特徴とする半導体装置である。なお、パターンのデザインルール
は５〜２０μm程度であり、駆動回路及び画素部にそれぞれ１０6〜１０7個程度のＴＦＴ
が基板上に作り込まれている。
また、上記各構成において、前記チャネル長方向は、前記薄膜トランジスタの半導体層
に照射されたレーザー光の走査方向と同一方向であることを特徴としている。基板上にレ
ーザーアニールにより結晶化させた半導体膜で薄膜トランジスタのチャネルを形成する場
合、結晶の成長方向とキャリアの移動方向とを揃えると高い電界効果移動度を得ることが
できる。即ち、結晶成長方向とチャネル長方向とを一致させることで電界効果移動度を実
質的に高くすることができる。連続発振するレーザービームを非単結晶半導体膜に照射し
て結晶化させる場合には、固液界面が保持され、レーザービームの走査方向に連続的な結
晶成長を行わせることが可能である。レーザー光としては、エキシマレーザー等の気体レ
ーザーや、ＹＡＧレーザーなどの固体レーザーや、半導体レーザーを用いればよい。また
、レーザー発振の形態は、連続発振、パルス発振のいずれでもよく、レーザービームの形
状も線状または矩形状でもよい。
また、上記各構成において、前記湾曲している方向と前記チャネル長方向は直交してい
ることを特徴としている。即ち、チャネル長方向は直交する方向とはチャネル幅方向であ
り、他の発明の構成３は、 凸状または凹状に湾曲した曲面を有する基材上に、複数の薄
膜トランジスタが設けられ、該複数の薄膜トランジスタのチャネル幅方向は全て同一方向
に配置され、且つ、前記チャネル幅方向は、前記基材の湾曲している方向と同一方向であ
ることを特徴とする半導体装置である。
なお、上記構成３においては、前記チャネル幅方向は、前記薄膜トランジスタの半導体
層に照射されたレーザー光の走査方向と直交することになる。
また、曲面を有する基材は、凸状または凹状に湾曲しているが、ある一方向に湾曲して
いる場合、曲率を持つ方向と曲率を持たない方向とを有する曲面を有しているとも言える
。従って、他の発明の構成４は、曲率を持つ方向と曲率を持たない方向とを有する曲面を
備えた基材表面上に設けられた複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向
に配置され、且つ、前記チャネル長方向と曲率を持たない方向とが同一方向であることを
特徴とする半導体装置である。
なお、上記構成４において、前記チャネル長方向は、前記薄膜トランジスタの半導体層
に照射されたレーザー光の走査方向と同一方向であることを特徴としている。
また、本発明は、フレキシブルなフィルム（湾曲することが可能なフィルム）
、好ましくは、一方向に湾曲するフィルムに被剥離層を貼り付ける場合にも適用できる。
なお、このフレキシブルフィルムは通常の状態では湾曲しておらず、なんらかの外部の力
によって、ある方向に曲げられるものとしている。他の発明の構成５は、 凸状または凹
状に湾曲することが可能な基材上に、複数の薄膜トランジスタが設けられ、該複数の薄膜
トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置され、且つ、前記基材が湾曲する方
向は、前記チャネル長方向と異なっていることを特徴とする半導体装置である。
なお、上記構成５において、前記チャネル長方向は、前記薄膜トランジスタの半導体層
に照射されたレーザー光の走査方向と同一方向であることを特徴としている。また、上記
構成５において、前記湾曲する方向と前記チャネル長方向は直交している、即ち、前記湾
曲する方向とチャネル幅方向は同一方向である。
なお、本明細書中において、転写体とは、剥離された後、被剥離層と接着させるもので
あり、曲面を有していれば、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミック
ス等、いかなる組成の基材でもよい。また、本明細書中において、支持体とは、物理的手
段により剥離する際に被剥離層と接着するためのものであり、特に限定されず、プラスチ
ック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、転写体の形
状および支持体の形状も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性
を有するもの、フィルム状のものであってもよい。また、軽量化を最優先するのであれば
、フィルム状のプラスチック基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポ
リエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳ
Ｆ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）などのプラスチック基板が好ましい。
また、上記各作製方法によって、曲面を有するディスプレイを実現することが可能とな
り、自動車や航空機や船舶や列車などの乗物に搭載させることができる。乗物の内壁、天
井などは、なるべく空間スペースを広くとり、何らかの理由で人の体がぶつかっても問題
にならないよう滑らかな曲面で構成されている。他の発明の構成６は、凸状または凹状に
湾曲した曲面を有する基材上に、薄膜トランジスタ及び有機化合物を含む層を発光層とす
る発光素子を有する表示装置が計器または照明装置として搭載された乗物である。この薄
膜トランジスタ及び有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する表示装置は、ア
クティブマトリクス型とすることが好ましいが、パッシブ型の表示装置を作製することも
可能である。
例えば、乗物の窓を基材とし、窓の曲面に沿って有機化合物を含む層を発光層とする発
光素子を有する表示装置を湾曲させて接着することによって、映像や計器の表示を行うこ
とができる。特に有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する表示装置は非常に
薄く軽量なものとすることができ、空間スペースは変化しない。乗物の窓に有機化合物を
含む層を発光層とする発光素子を有する表示装置を接着させる場合には、基板や電極や配
線を透明なものとすることが望ましく、外光を遮断するフィルムを設けてもよい。また、
表示していない場合には、外の景色が問題なく確認できるようにすることが好ましい。
また、乗物の内壁、ドア、シート、車のダッシュボードに沿って有機化合物を含む層を
発光層とする発光素子を有する表示装置を湾曲させて接着することによっても、映像や計
器の表示を行うことができる。本発明のフレキシブルな表示装置を曲面に沿って貼り付け
るだけでよいため、表示装置を取り付ける作業は簡単であり、内壁、ドア、シート、ダッ
シュボードを部分的に加工したりする必要が特にない。また、例えば車においては、右ハ
ンドルであれば、左後方に車体の一部（窓ガラスの間の部分）があるため死角が存在して
いるが、窓ガラスの間の部分に本発明のフレキシブルな表示装置を貼りつけ、さらに車外
に死角方向を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者が死角を確認する
ことができる。特に有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する表示装置は、液
晶表示装置に比べ動画に強く、視野角が広い表示装置である。
また、乗物の天井を基材とし、天井の曲面に沿って有機化合物を含む層を発光層とする
発光素子を有する表示装置を湾曲させて接着することによって、映像の表示や内部の照明
を行うことができる。また、例えば車において、天井と、各窓ガラスの間の部分に本発明
のフレキシブルな表示装置を貼りつけ、さらに車外に各表示装置に対応する外部の景色を
撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、車内にいる人は、車内に居ながらにし
てオープンカーのように外の景色を堪能することができる。また、例えば列車や電車にお
いて天井や側壁に本発明のフレキシブルな表示装置を貼りつければ、空間スペースを狭め
ることなく広告の表示やテレビ映像を映し出すことができる。特に有機化合物を含む層を
発光層とする発光素子を有する表示装置は、液晶表示装置に比べ視野角が広い表示装置で
ある。
上記乗物において、搭載した表示装置の曲面の曲率半径が５０ｃｍ〜２００ｃｍであれ
ば、薄膜トランジスタや有機化合物を含む層を発光層とする発光素子は問題なく駆動させ
ることができる。なお、設けられた複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一
方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向は、前記基材の湾曲している方向とは異なら
せることが好ましい。
本発明により、大面積基板の全面にわたって、ＴＦＴを形成する半導体領域の位置に合わ
せてレーザービームを照射して結晶化させ、スループット良く大粒径の結晶半導体膜を形
成することができ、しかもＴＦＴの特性を向上させるとともに、曲面を有するディスプレ
イを実現することができる。
本発明により曲面を有するディスプレイが実現でき、限られた空間、例えば自動車や航空
機などの乗物の運転席などに映像や計器のディスプレイを設けようとする場合、さまざま
な曲面を有する部位（窓や天井やドアやダッシュボードなど）
に設置することができ、空間スペースを狭めることができる。
本発明を示す工程図である。（実施の形態） 本発明における各方向を示す図である。（実施の形態） レーザー照射装置の一態様を示す配置図である。（実施例１） レーザー照射装置の一態様を示す配置図である。（実施例１） ＴＦＴが設けられた基板の構成と、ＴＦＴを構成する半導体領域の配置とレーザービームの走査方向の関係を説明する図である。 半導体膜におけるレーザービームの走査方向と、トップゲート型ＴＦＴの作製工程を説明する図である。 半導体膜におけるレーザービームの走査方向と、ボトムゲート型ＴＦＴの作製工程を説明する図である。 実施例３を示す工程図。 剥離後のｎチャネル型ＴＦＴのＶ−Ｉ特性グラフを示す図。 剥離後のｐチャネル型ＴＦＴのＶ−Ｉ特性グラフを示す図。 実施例４を示す工程図。 湾曲させた有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する半導体装置の外観図。（実施例４） 車の運転席における前方周辺を示す図である。（実施例５） 車の後部を示す図である。（実施例５） 実施例６を示す工程図である。
本発明の実施形態について、以下に説明する。
以下に本発明を用いた代表的な作製手順を簡略に図１、図２を用いて示す。
図１（Ａ）中、１０は基板、１１ａは被剥離層、１２は剥離層に設けられた画素部、１
３aは画素部に設けられた半導体層、１３ｂは半導体層１３ａのチャネル長方向、１４ａ
はレーザー光の照射領域、１４ｂはレーザー光の照射方向をそれぞれ指している。
図１（Ａ）は、被剥離層を完成させる途中の作製工程図であり、半導体層にレーザー光
を照射する処理を示す簡略図である。このレーザー光の照射処理によってレーザー結晶化
やレーザーアニールを行うことができる。発振はパルス発振、連続発振のいずれの形態で
も良いが、半導体膜の溶融状態を保って連続的に結晶成長させるためには、連続発振のモ
ードを選択することが望ましい。
図１（Ａ）では、被剥離層に含まれる多数の半導体層のチャネル長方向は全て同一方向
に配置されている。また、レーザー光の照射方向、即ち走査方向は、チャネル長方向と同
一とする。こうすることによって、結晶成長方向とチャネル長方向とを一致させることで
電界効果移動度を実質的に高くすることができる。なお、図１（Ａ）では、線状レーザー
光を照射した例を示したが、特に限定されない。また、ここでは半導体層をパターニング
した後にレーザー光照射を行うが、パターニングする前にレーザー光照射を行ってもよい
。
次いで、電極および配線や絶縁膜等を形成してＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダ
イオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子など）を形成
し、被剥離層１１ｂを完成させた後、基板１０から剥離する。
なお、剥離する方法は、特に限定されないが、ここでは、熱処理温度や基板の種類に制
約を受けない剥離方法である、金属層または窒化物層と酸化物層との膜応力を利用した剥
離方法を用いる。まず、図１（Ａ）の状態を得る前に、基板１０上に窒化物層または金属
層（図示しない）を形成する。窒化物層または金属層として代表的な一例はＴｉ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ
、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料か
らなる単層、またはこれらの積層、或いは、これらの窒化物、例えば、窒化チタン、窒化
タングステン、窒化タンタル、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用い
ればよい。次いで、窒化物層または金属層上に酸化物層（図示しない）を形成する。酸化
物層として代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料を用いればよ
い。なお、酸化物層は、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、塗布法などのいずれの成膜方法
を用いてもよい。この酸化物層の膜応力と、窒化物層または金属層の膜応力とを異ならせ
ることが重要である。各々の膜厚は、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で適宜設定し、各々の
膜応力を調節すればよい。また、基板と窒化物層または金属層との間に絶縁層や金属層を
設け、基板１０との密着性を向上させてもよい。次いで、酸化物層上に半導体層を形成し
、被剥離層１１ａを得ればよい。なお、上記剥離方法は、酸化物層の膜応力と、窒化物層
または金属層の膜応力が異なっていても、被剥離層の作製工程における熱処理によって膜
剥がれなどが生じない。また、上記剥離方法は、酸化物層の膜応力と、窒化物層または金
属層の膜応力が異なっているため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
また、ここでは、被剥離層１１ｂの機械的強度が十分であると仮定した例を示しているが
、被剥離層１１ｂの機械的強度が不十分である場合には、被剥離層１１ｂを固定する支持
体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
なお、被剥離層１１ｂを引き剥がす際には、被剥離層１１ｂが曲らないようにし、被剥離
層にクラックを生じさせないようにすることも重要である。
こうして、酸化物層上に形成された被剥離層１１ｂを基板１０から分離することができる
。剥離後の状態を図１（Ｂ）に示す。なお、図１（Ｂ）に示す段階では半導体層だけでな
く、電極や配線などが形成されているが、簡略化のため、ここでは図示しない。
剥離後の被剥離層１１ｃは、湾曲させることができる。湾曲させた状態を図１（Ｃ）に
示す。被剥離層１１ｃは方向１９に示す方向に湾曲している。なお、曲面を有する転写体
（図示しない）に貼り付けることも可能であることは言うまでもない。
図１（Ｃ）中、１５は駆動回路（Ｘ方向）、１６aは駆動回路（Ｘ方向）に設けられた
半導体層、１６ｂは半導体層１６ａのチャネル長方向、１７は駆動回路（Ｙ方向）、１８
aは駆動回路（Ｙ方向）に設けられた半導体層、１８ｂは半導体層１８ａのチャネル長方
向をそれぞれ指している。
以上のように、本発明は、レーザー光の照射方向１４ｂと、被剥離層に設けられた全て
の半導体層のチャネル長方向１３ｂ、１６ｂ、１８ｂとを同一方向とし、これらの方向と
湾曲している方向１９とが直交するように設定することが最大の特徴である。
なお、これらの方向の相互関係をさらに明瞭にするため、一つのＴＦＴに着目した場合
を図２に示す。図２では、半導体層２０、ゲート電極２１、電極（ソース電極またはドレ
イン電極）２２、２３を有するＴＦＴが簡略に示してある。なお、このＴＦＴは公知の技
術を用いて形成することができ、非晶質構造を有する半導体膜（アモルファスシリコン等
）を公知の結晶化技術により結晶構造を有する半導体膜（ポリシリコン等）にした後、所
望の形状にパターニングを施して半導体層２０を形成し、ゲート絶縁膜（図示しない）で
覆った後、ゲート絶縁膜を間に挟んで半導体層２０と一部重なるようにゲート電極２１を
形成し、ｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を半導体層の一部に添加してソース領域ま
たはドレイン領域を形成し、ゲート電極を覆う層間絶縁膜（図示しない）を形成し、層間
絶縁膜上にソース領域またはドレイン領域に電気的に接続する電極（ソース電極またはド
レイン電極）２２、２３を形成すればよい。
本発明においては、このＴＦＴを作製する上で、レーザー光の走査方向２５が図２に示
した方向であるレーザー光を用いる。また、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極２１と
重なる半導体層２０の部分はチャネルとして機能し、チャネル長方向２４は図２に示した
方向となる。レーザー光の走査方向２５とチャネル長方向２４は同一の方向となる。また
、チャネル長方向２４と直交する方向であるチャネル幅方向は、湾曲している方向２６と
同一の方向であり、湾曲している方向２６は図２に示した方向となる。なお、図２ではト
ップゲート型ＴＦＴを例に示したが、本発明はＴＦＴ構造に限定することなく適用するこ
とができ、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用するこ
とが可能である。
また、ここではシリコンを含む半導体層を活性層としたＴＦＴを示したが、特に限定さ
れず、有機材料を用いて活性層とした有機ＴＦＴを作製することも可能である。有機ＴＦ
Ｔの活性層となる材料は、他の元素と組み合わせてかなりの量の炭素を含んでいる材料、
あるいはダイヤモンドを除く炭素元素の同位体を含む材料である。有機ＴＦＴの活性層と
なる材料として、代表的にはＣ60、Ｃ70、チオフェンポリマー、チオフェン置換誘導体、
ポリ（チエニレンビニレン）などが挙げられる。
また、本発明は様々な半導体装置の作製方法に用いることができる。特に、転写体や支
持体をプラスチック基板とすることで、軽量化が図れる。
液晶表示装置を作製する場合は、支持体を対向基板とし、シール材を接着材として用い
て支持体を被剥離層に接着すればよい。この場合、被剥離層に設けられた素子は画素電極
を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする
。また、液晶表示装置を作製する順序は、特に限定されず、支持体としての対向基板を貼
りつけ、液晶を注入した後に基板を剥離して転写体としてのプラスチック基板を貼りつけ
てもよいし、画素電極を形成した後、基板を剥離し、第１の転写体としてのプラスチック
基板を貼り付けた後、第２の転写体としての対向基板を貼りつけてもよい。
また、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する装置として代表される発光
装置を作製する場合は、支持体を封止材として、外部から水分や酸素といった有機化合物
層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐように発光素子を外部から完全に遮断すること
が好ましい。また、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する装置として代表
される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、転写体も同様、十分に外部から水
分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。
また、発光装置を作製する順序は、特に限定されず、発光素子を形成した後、支持体とし
てのプラスチック基板を貼りつけ、基板を剥離し、転写体としてのプラスチック基板を貼
りつけてもよいし、発光素子を形成した後、基板を剥離して、第１の転写体としてのプラ
スチック基板を貼り付けた後、第２の転写体としてのプラスチック基板を貼りつけてもよ
い。また、水分や酸素の透過による劣化を抑えることを重要視するなら、剥離後に被剥離
層に接する薄膜を成膜することによって、剥離の際に生じるクラックを修復し、被剥離層
に接する薄膜として熱伝導性を有する膜、具体的にはアルミニウムの窒化物またはアルミ
ニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させて素子の劣化を抑える
効果とともに、転写体、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護する効果を得る
ことができる。また、この熱伝導性を有する膜は、外部からの水分や酸素等の不純物の混
入を防ぐ効果も有する。
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行う
こととする。
ここでは、本発明に適したレーザー処理装置の例を示す。
レーザーアニールよるアモルファスシリコンの結晶化は、溶融−固化の過程を経て成さ
れるが、詳細には結晶核の生成とその核からの結晶成長との段階に分けて考えられている
。しかしながら、パルスレーザービームを用いたレーザーアニールは、結晶核の生成位置
と生成密度を制御することができず、自然発生するままにまかせている。従って、結晶粒
はガラス基板の面内で任意の位置に形成され、そのサイズも０．２〜０．５μm程度と小
さなものしか得られていない。結晶粒界には多数の欠陥が生成され、それがＴＦＴの電界
効果移動度を制限する要因であると考えられている。
一方、連続発振レーザーを走査して溶融−固化させながら結晶化する方法は、ゾーンメル
ティング法に近い方法であると考えられるが、大きなビームサイズが得られず、大面積基
板の全面に渡って結晶化を成し遂げるには、かなりの時間を要することは自明であった。
本実施例では、大面積基板の全面にわたって、ＴＦＴを形成する位置に概略合わせてレ
ーザービームを照射して結晶化させ、スループット良く大粒径の結晶半導体膜を形成する
ことができるレーザー処理装置を以下に示す。
本実施例のレーザー照射装置は、レーザービームを主走査方向に偏向させる第１可動ミ
ラーと、主走査方向に偏向されたレーザービームを受光して、副走査方向に走査する長尺
の第２可動ミラーとを備え、第２可動ミラーはその長尺方向の軸を中心とした回転角によ
り、レーザービームを副走査方向に走査して、載置台上の被処理物に当該レーザービーム
を照射する手段を備えている。
また、他のレーザー照射装置として、レーザービームを第１主走査方向に偏向させる第
１可動ミラーと、第１主走査方向に偏向されたレーザービームを受光して、第１副走査方
向に走査する長尺の第２可動ミラーとを備えた第１のレーザービーム走査系と、レーザー
ビームを第２主走査方向に偏向させる第３可動ミラーと、第２主走査方向に偏向されたレ
ーザービームを受光して、第２副走査方向に走査する長尺の第４可動ミラーとを備えた第
２のレーザービーム走査系と、第２可動ミラーはその長尺方向の軸を中心とした回転角に
より、レーザービームを第１副走査方向に走査して、載置台上の被処理物に当該レーザー
ビームを照射する手段と第４可動ミラーはその長尺方向の軸を中心とした回転角により、
レーザービームを第２副走査方向に走査して、載置台上の被処理物に当該レーザービーム
を照射する手段とを備えているレーザー照射装置としてもよい。
上記構成において、第１及び第２可動ミラーはガルバノミラー又はポリゴンミラーを適
用し、レーザービームを供給するレーザーは、固体レーザー、気体レーザーを適用すれば
よい。
上記構成において、レーザービームを第１可動ミラーで主走査方向に走査し、第２可動
ミラーで副走査方向に走査することにより、被処理物上において任意の位置にレーザービ
ームを照射することが可能となる。また、このようなレーザービーム走査手段を複数設け
、二軸方向からレーザービームを被形成面に照射することによりレーザー処理の時間を短
縮することができる。
以下、図面を参照して本実施例のレーザー照射装置を説明する。
図３は本実施例のレーザー処理装置の望ましい一例を示す。図示したレーザー処理装置は
、連続発振又はパルス発振が可能な固体レーザー１０１、レーザービームを集光するため
のコリメータレンズ又はシリンドリカルレンズなどのレンズ１０２、レーザービームの光
路を変える固定ミラー１０３、レーザービームを２次元方向に放射状にスキャンするガル
バノミラー１０４、ガルバノミラー１０４からのレーザービームを受けて載置台１０６の
被照射面にレーザービームを向ける可動ミラー１０５から成っている。ガルバノミラー１
０４と可動ミラー１０５の光軸を交差させ、それぞれ図示する矢印方向にミラーを回転さ
せることにより、載置台１０６上に置かれた基板１０７の全面にわたってレーザービーム
を走査させることができる。可動ミラー１０５はｆθミラーとして、光路差を補正して被
照射面におけるビーム形状を補正することもできる。
図３はガルバノミラー１０４と、可動ミラー１０５により載置台１０６上に置かれた基
板１０７の一軸方向にレーザービームを走査する方式である。より好ましい形態としては
、図４に示すように、図３の構成に加えて、ハーフミラー１０８、固定ミラー１０９、ガ
ルバノミラー１１０、可能ミラー１１１を加えて二軸方向（ＸとＹ方向）同時にレーザー
ビームを走査しても良い。このような構成にすることにより処理時間を短縮することがで
きる。尚、ガルバノミラー１０４、１１０はポリゴンミラーと置き換えても良い。
レーザーとして好ましいものは固体レーザーであり、ＹＡＧ、ＹＶＯ4、ＹＬＦ、ＹＡ
ｌ5Ｏ12などの結晶にＮｄ、Ｔｍ、Ｈｏをドープした結晶を使ったレーザーが適用される
。発振波長の基本波はドープする材料によっても異なるが、１μmから２μmの波長で発振
する。非単結晶半導体膜の結晶化には、レーザービームを半導体膜で選択的に吸収させる
ために、当該発振波長の第２高調波〜第４高調波を適用するのが好ましい。代表的には、
アモルファスシリコンの結晶化に際して、Ｎｄ:ＹＡＧレーザー（基本波１０６４nm）の
第２高調波（５３２nm）を用いる。
その他に、アルゴンレーザー、クリプトンレーザー、エキシマレーザーなどの気体レー
ザーを適用することもできる。
また、レーザー光を照射する雰囲気は、酸素を含む雰囲気、窒素を含む雰囲気、不活性
雰囲気や、真空のいずれでもよいが、目的に応じて適宜選択すればよい。
発振はパルス発振、連続発振のいずれの形態でも良いが、半導体膜の溶融状態を保って
連続的に結晶成長させるためには、連続発振のモードを選択することが望ましい。
基板上にレーザーアニールにより結晶化させた半導体膜でＴＦＴを形成する場合、結晶
の成長方向とキャリアの移動方向とを揃えると高い電界効果移動度を得ることができる。
即ち、結晶成長方向とチャネル長方向とを一致させることで電界効果移動度を実質的に高
くすることができる。
連続発振するレーザービームを非単結晶半導体膜に照射して結晶化させる場合には、固
液界面が保持され、レーザービームの走査方向に連続的な結晶成長を行わせることが可能
である。図４で示すように、駆動回路一体型のアクティブマトリクス型液晶表示装置を形
成するためのＴＦＴ基板（主としてＴＦＴが形成された基板）１１２では、画素部１１３
の周辺に駆動回路部１１４、１１５が設けられるが、図４に示すのはそのようなレイアウ
トを考慮したレーザー照射装置の形態である。前述の如く、二軸方向からレーザービーム
を入射する構成では、ガルバノミラー１０４、１１０及び可動ミラー１０５、１１１の組
み合わせにより、図中矢印で示すＸ方向及びＹ方向にレーザービームを同期又は非同期さ
せて照射することが可能であり、ＴＦＴのレイアウトに合わせて、場所を指定してレーザ
ービームを照射することを可能としている。
図５はＴＦＴが設けられた基板１１２と、レーザービームの照射方向との関係を詳細に
示すものである。基板１１２には画素部１１３、駆動回路部１１４、１１５が形成される
領域を点線で示している。結晶化の段階では、全面に非単結晶半導体膜が形成されている
が、ＴＦＴを形成するための半導体領域は基板端に形成されたアライメントマーカー等に
より特定することができる。
例えば、駆動回路部１１４は走査線駆動回路を形成する領域であり、その部分拡大図３
０１にはＴＦＴの半導体領域２０４とレーザービーム２０１の走査方向を示している。半
導体領域２０４の形状は任意なものを適用することができるが、いずれにしてもチャネル
長方向とレーザービーム２０１の走査方向とを揃えている。また、駆動回路部１１４と交
差する方向に延在する駆動回路部１１５はデータ線駆動回路を形成する領域であり、半導
体領域２０５の配列と、レーザービーム２０２の走査方向を一致させる（拡大図３０２）
。また、画素部１１３も同様であり、拡大図３０３に示す如く半導体領域２０６の配列を
揃えて、チャネル長方向にレーザービーム２０３を走査させる。レーザービームを走査す
る方向は一方向に限定されず、往復走査をしても良い。
次に、図６を参照して、非単結晶半導体膜の結晶化と、形成された結晶半導体膜を用い
てＴＦＴを形成する工程を説明する。図６（１−Ｂ）は縦断面図であり、非単結晶半導体
膜４０３がガラス基板４０１上に形成されている。非単結晶半導体膜４０３の代表的な一
例はアモルファスシリコン膜であり、その他にアモルファスシリコンゲルマニウム膜など
を適用することができる。厚さは１０〜２００nmが適用可能であるが、レーザービームの
波長及びエネルギー密度によりさらに厚くしても良い。また、ガラス基板４０１と非単結
晶半導体膜４０３との間にはブロッキング層４０２を設け、ガラス基板からアルカリ金属
などの不純物が半導体膜中へ拡散しないための手段を施しておくことが望ましい。ブロッ
キング層４０２としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを適用する。
また、剥離を行うためにブロッキング層４０２と基板４０１との間に金属層または窒化
金属層と酸化物層の積層４０９を形成する。金属層または窒化物層としては、Ｔｉ、Ａｌ
、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料
からなる単層、またはこれらの積層の窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、
窒化タンタル、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここ
ではスパッタ法で膜厚１００ｎｍの窒化チタン膜を用いる。なお、基板と密着性が悪い場
合にはバッファ層を設ければよい。タングステン単層や窒化タングステンは密着性がよく
好ましい材料の一つである。また、酸化物層としては、酸化シリコン材料または酸化金属
材料からなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここではスパッタ法で膜厚２０
０ｎｍの酸化シリコン膜を用いる。この窒化金属層と酸化物層の結合力は熱処理には強く
、膜剥がれ（ピーリングとも呼ばれる）などが生じないが、物理的手段で簡単に酸化物層
の層内、あるいは界面において剥離することができる。なお、ここではガラス基板を用い
たが、上記剥離法はさまざまな基板を用いることが可能である。基板４０１は石英基板、
セラミック基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いても良い。
次いで、レーザービーム４００の照射によって結晶化が成され、結晶半導体膜４０４を
形成することができる。レーザービーム４００は図６（１−Ａ）に示すように、想定され
るＴＦＴの半導体領域４０５の位置に合わせて走査するものである。ビーム形状は矩形、
線形、楕円系など任意なものとすることができる。光学系にて集光したレーザービームは
、中央部と端部で必ずしもエネルギー強度が一定ではないので、半導体領域４０５がビー
ムの端部にかからないようにすることが望ましい。
レーザービームの走査は一方向のみの走査でなく、往復走査をしても良い。その場合に
は１回の走査毎にレーザーエネルギー密度を変え、段階的に結晶成長をさせることも可能
である。また、アモルファスシリコンを結晶化させる場合にしばしば必要となる水素出し
の処理を兼ねることも可能であり、最初に低エネルギー密度で走査し、水素を放出した後
、エネルギー密度を上げて２回目に走査で結晶化を完遂させても良い。
このようなレーザービームの照射方法において、連続発振のレーザービームを照射する
ことにより大粒径の結晶成長を可能とする。勿論、それはレーザービームの走査速度やエ
ネルギー密度等の詳細なパラメータを適宜設定する必要があるが、走査速度を１０〜８０
cm/secとすることによりそれを実現することができる。パルスレーザーを用いた溶融−固
化を経た結晶成長速度は１m/secとも言われているが、それよりも遅い速度でレーザービ
ームを走査して、徐冷することにより固液界面における連続的な結晶成長が可能となり、
結晶の大粒径化を実現することができる。
本実施例のレーザー照射装置は、このような状況において、基板の任意の位置を指定し
てレーザービーム照射して結晶化することを可能とするものであり、二軸方向からレーザ
ービームを照射することにより、さらにスループットを向上させることができる。
また、レーザー光を照射することによって、基板との剥離がより小さな力できれいに剥
離でき、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
さらに剥離を助長させるため、粒状の酸化物（例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化ス
ズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）
を窒化物層または金属層または窒化金属層と酸化物層との界面に設けてもよい。
その後、図６（２−Ａ）及び（２−Ｂ）に示すように、形成された結晶半導体膜をエッ
チングして、島状に分割された半導体領域４０５を形成する。トップゲート型ＴＦＴの場
合には、半導体領域４０５上にゲート絶縁膜４０６、ゲート電極４０７、一導電型不純物
領域４０８を形成してＴＦＴを形成することができる。その後、公知の技術を用い、必要
に応じて配線や層間絶縁膜等を形成して素子を形成すれば良い。
こうしてＴＦＴを有する素子を得たら、実施の形態に従って基板４０１を剥離する。本実
施例では、ブロッキング層４０２上に形成されたものが実施の形態に示した被剥離層１１
ｂに相当する。被剥離層の機械的強度が不十分である場合には、被剥離層を固定する支持
体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
引き剥がすことで簡単に酸化物層上に形成された被剥離層を基板から分離することがで
きる。剥離後の被剥離層は、ある一方向に湾曲させることができる。被剥離層は曲面を有
する転写体（図示しない）に貼り付けることも可能であることは言うまでもない。
本実施例においても、本発明は、レーザー光の照射方向（走査方向）と、被剥離層に設け
られた全ての半導体層２０４〜２０６、および４０５のチャネル長方向とを同一方向とし
、これらの方向と湾曲している方向とが直交するように設定する。こうすることで曲面を
有するディスプレイを実現することができる。
また、本実施例は、実施の形態と自由に組み合わせることができる。
実施例１ではトップゲート型ＴＦＴの例を示したが、ここではボトムゲート型ＴＦＴの
例を示す。ＴＦＴの構造以外は実施例１と同じであるのでここでは省略する。
図７を参照して、非単結晶半導体膜の結晶化と、形成された結晶半導体膜を用いてＴＦ
Ｔを形成する工程を説明する。
図７（１−Ｂ）は縦断面図であり、ゲート電極５０７がガラス基板上に形成され、ゲート
電極を覆うゲート絶縁膜５０６上に非単結晶半導体膜５０３が形成されている。非単結晶
半導体膜５０３の代表的な一例はアモルファスシリコン膜であり、その他にアモルファス
シリコンゲルマニウム膜などを適用することができる。厚さは１０〜２００nmが適用可能
であるが、レーザービームの波長及びエネルギー密度によりさらに厚くしても良い。また
、ガラス基板５０１とゲート電極との間にはブロッキング層５０２を設け、ガラス基板か
らアルカリ金属などの不純物が半導体膜中へ拡散しないための手段を施しておくことが望
ましい。ブロッキング層５０２としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを適
用する。
また、剥離を行うためにブロッキング層５０２と基板５０１との間に金属層または窒化
金属層と酸化物層の積層５０９を形成する。金属層または窒化物層としては、Ｔｉ、Ａｌ
、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料
からなる単層、またはこれらの積層の窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、
窒化タンタル、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここ
ではスパッタ法で膜厚１００ｎｍの窒化チタン膜を用いる。なお、基板と密着性が悪い場
合にはバッファ層を設ければよい。タングステン単層や窒化タングステンは密着性がよく
好ましい材料の一つである。また、酸化物層としては、酸化シリコン材料または酸化金属
材料からなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここではスパッタ法で膜厚２０
０ｎｍの酸化シリコン膜を用いる。この窒化金属層と酸化物層の結合力は熱処理には強く
、膜剥がれ（ピーリングとも呼ばれる）などが生じないが、物理的手段で簡単に酸化物層
の層内、あるいは界面において剥離することができる。
次いで、レーザービーム５００の照射によって結晶化が成され、結晶半導体膜５０４を
形成することができる。レーザービームは実施例１に示したレーザー処理装置を用いて得
られる。レーザービーム５００は図７（１−Ａ）に示すように、想定されるＴＦＴの半導
体領域５０５の位置に合わせて走査するものである。
ビーム形状は矩形、線形、楕円系など任意なものとすることができる。光学系にて集光し
たレーザービームは、中央部と端部で必ずしもエネルギー強度が一定ではないので、半導
体領域５０５がビームの端部にかからないようにすることが望ましい。
レーザービームの走査は一方向のみの走査でなく、往復走査をしても良い。その場合に
は１回の走査毎にレーザーエネルギー密度を変え、段階的に結晶成長をさせることも可能
である。また、アモルファスシリコンを結晶化させる場合にしばしば必要となる水素出し
の処理を兼ねることも可能であり、最初に低エネルギー密度で走査し、水素を放出した後
、エネルギー密度を上げて２回目の走査で結晶化を完遂させても良い。
このようなレーザービームの照射方法において、連続発振のレーザービームを照射する
ことにより大粒径の結晶成長を可能とする。勿論、それはレーザービームの走査速度やエ
ネルギー密度等の詳細なパラメータを適宜設定する必要があるが、走査速度を１０〜８０
cm/secとすることによりそれを実現することができる。パルスレーザーを用いた溶融−固
化を経た結晶成長速度は１m/secとも言われているが、それよりも遅い速度でレーザービ
ームを走査して、徐冷することにより固液界面における連続的な結晶成長が可能となり、
結晶の大粒径化を実現することができる。
また、レーザー光を照射することによって、基板との剥離がより小さな力できれいに剥
離でき、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
さらに剥離を助長させるため、粒状の酸化物（例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化ス
ズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）
を窒化物層または金属層または窒化金属層と酸化物層との界面に設けてもよい。
その後、図７（２−Ａ）及び（２−Ｂ）に示すように、形成された結晶半導体膜をエッ
チングして、島状に分割された半導体領域５０５を形成する。ここでは半導体領域５０５
上にエッチングストッパーを設け、一導電型不純物領域５０８を形成してＴＦＴを形成す
ることができる。その後、公知の技術を用い、必要に応じて配線や層間絶縁膜等を形成し
て素子を形成すれば良い。
こうしてＴＦＴを有する素子を得たら、実施の形態に従って基板５０１を剥離する。本実
施例では、ブロッキング層５０２上に形成されたものが実施の形態に示した被剥離層１１
ｂに相当する。被剥離層の機械的強度が不十分である場合には、被剥離層を固定する支持
体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
引き剥がすことで簡単に酸化物層上に形成された被剥離層を基板から分離することがで
きる。剥離後の被剥離層は、ある一方向に湾曲させることができる。被剥離層は曲面を有
する転写体（図示しない）に貼り付けることも可能であることは言うまでもない。
本実施例においても、レーザー光の照射方向（走査方向）と、被剥離層に設けられた全て
の半導体層５０５のチャネル長方向とを同一方向とし、これらの方向と湾曲している方向
とが直交するように設定する。こうすることで曲面を有するディスプレイを実現すること
ができる。
また、本実施例は、実施の形態と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、ＴＦＴを含む被剥離層を転写する技術を図８に示す。
図８中、８３０は第１の基板、８３１は窒化物層または金属層からなる第１の材料層、
８３２は酸化物層からなる第２の材料層、８３３は被剥離層、８３４は第１の接着材、８
３５は第２の基板、８３６は第２の接着材、８３７は第３の基板である。
本実施例では、第１の基板８３０として、ガラス基板、石英基板、セラミック基板など
を用いることができる。また、シリコン基板を代表とする半導体基板、またはステンレス
基板を代表とする金属基板を用いても良い。ここでは厚さ０．７ｍｍのガラス基板（♯１
７３７）を用いる。
まず、図８（Ａ）に示すように基板８３０上に第１の材料層８３１を形成する。第１の
材料層８３１としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していて
もよいが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が
生じず、且つ、被剥離層形成後で１〜１×１０10（Dyne/cm2）の範囲で引張応力を有する
材料を用いることが重要である。代表的な一例はＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、ＴｉＷから選ばれた
元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、または
これらの積層が挙げられる。なお、第１の材料層８３１は、スパッタ法を用いればよい。
次いで、第１の材料層８３１上に第２の材料層８３２を形成する。第２の材料層８３２
としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が
生じず、且つ、被剥離層形成後で１〜１×１０10（Dyne/cm2）
の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。第２の材料層８３２として、
代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、またはこれらの積層が
挙げられる。なお、第２の材料層８３２は、スパッタ法を用いて成膜すればよい。第２の
材料層８３２をスパッタ法で成膜する場合、アルゴンガスで代表される希ガスをチャンバ
ー内に導入して、第２の材料層８３２中に微量の希ガス元素を含ませる。
第１の材料層８３１と第２の材料層８３２において、各々の膜厚は、１ｎｍ〜１０００
ｎｍの範囲で適宜設定し、第１の材料層８３１における内部応力および第２の材料層８３
２における内部応力を調節すればよい。
また、図８では、プロセスの簡略化を図るため、基板８３０に接して第１の材料層８３１
を形成した例を示したが、基板８３０と第１の材料層８３１との間にバッファ層となる絶
縁層や金属層を設け、基板８３０との密着性を向上させてもよい。
次いで、第２の材料層８３２上に被剥離層８３３を形成する。（図８（Ａ））
被剥離層８３３は、様々な素子（薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を発光層とする
発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合か
らなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子）を含む層とすればよい。ただし、液晶を
有する素子において、被剥離層８３３は対向基板を含むものとする。また、被剥離層８３
３の形成プロセスとして、第１の基板８３０の耐え得る範囲の熱処理を行うことができる
。なお、第２の材料層８３２における内部応力と、第１の材料層８３１における内部応力
が異なっていても、被剥離層８３３の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生
じない。
次いで、第１の材料層８３１と第２の材料層８３２との密着性を部分的に低下させる処
理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前
記第２の材料層または前記第１の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、
剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の
層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで
硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を
用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、
剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重
要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなく
なり、さらに歩留まりも向上する。
次いで、第１の接着材８３４で第２の基板８３５と被剥離層８３３とを接着する。（図
８（Ｂ））第１の接着材８３４としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬
化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤が挙げられる。加
えて、これらの接着剤が溶媒溶液に溶ける可溶性や、光が照射されると接着力が低下する
感光性を有していてもよい。これらの接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アク
リレート系、シリコーン系等いかなるものでもよい。このような接着剤の形成は、例えば
、塗布法によってなされる。なお、第１の接着材は後の工程で除去される。ここでは、第
１の接着材として溶媒溶液（水やアルコールやトルエンなど）に溶ける可溶性を有する接
着材料を用いる。
また、第１の接着材８３４に代えて片面または両面に接着剤を有するテープを用いても
よい。このテープの片面または両面には、溶媒溶液に溶ける可溶性や、光が照射されると
接着力が低下する感光性を有する接着材を有していてもよい。
第２の基板８３５は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板など
を用いることができる。また、シリコン基板を代表とする半導体基板、またはステンレス
基板を代表とする金属基板を用いても良い。
本実施例では、第２の基板８３５として第１の基板８３０よりも厚さの厚く剛性の高い
石英基板（厚さ１．１ｍｍ）を用いる。第２の基板としてプラスチックフィルムを用いた
場合、第１の基板８３０上に形成した素子をプラスチックフィルムに転写する際、即ち、
第１の接着材８３４で被剥離層８３３とフィルムを接着してフィルムを持ち上げる際、フ
ィルムが折れ曲がり、被剥離層８３３も折れ曲がりの影響を受けて、クラックが入ってし
まう恐れがあった。そこで、第１の基板８３０に形成した被剥離層８３３を剛性の高い第
２の基板８３５に第１の接着材８３４で貼りつけた後、第１の基板８３０を剥離し、その
後、第２の接着材８３６で素子を含む層にプラスチックフィルム（第３の基板８３７）を
貼った後で第２の基板８３５を分離する手順とすると、クラックが発生しにくいものとす
ることができる。
次いで、上記密着性を部分的に低下させた領域側から剥離させ、図８（Ｃ）中の矢印の
方向に向かって、第１の材料層８３１が設けられている第１の基板８３０を物理的手段に
より引き剥がす。（図８（Ｃ））第２の材料層８３２が圧縮応力を有し、第１の材料層８
３１が引張応力を有するため、比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けら
れるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。
こうして、第２の材料層８３２上に形成された被剥離層８３３を第１の基板８３０から
分離することができる。剥離後の状態を図８（Ｄ）に示す。
次いで、第２の接着材８３６で第３の基板８３７と第２の材料層８３２（及び被剥離層
８３３）とを接着する。（図８（Ｅ））第２の接着材８３６は、第１の接着材８３４より
も接着力が強いことが重要である。
第２の接着材８３６としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着
剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤が挙げられる。加えて、こ
れらの接着剤が溶媒溶液に溶ける可溶性や、光が照射されると接着力が低下する感光性を
有していてもよい。これらの接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート
系、シリコーン系等いかなるものでもよい。
このような接着剤の形成は、例えば、塗布法によってなされる。なお、第２の接着材は後
の工程で被剥離層の支持体の一つとなる。第２の接着材８３６として、第３の基板と第２
の接着材との密着性と、第２の接着材と被剥離層の密着性とがどちらも高い材料を用いる
。ここでは、第２の接着材８３６として紫外線硬化型接着剤を用いる。
また、第２の接着材８３６として溶媒溶液に溶ける可溶性や、光が照射されると接着力
が低下する感光性を有している材料を用いた場合、後の工程で第３の基板をも剥離するこ
とができ、第２の接着材のみを支持体とすることも可能である。また、第２の接着材８３
６に代えて片面または両面に接着剤を有するテープを用いてもよい。このテープの片面ま
たは両面には、溶媒溶液に溶ける可溶性や、光が照射されると接着力が低下する感光性を
有する接着材を有していてもよい。
第３の基板８３７は、フレキシブルな基板を用いれば良い。本実施例では、第３の基板
８３７として、プラスチックフィルムとする。
図８（Ｅ）の状態を得たら、次いで、溶媒溶液に漬けて第２の基板８３５のみを分離す
る。（図８（Ｆ））第１の接着材は、溶媒溶液に溶ける可溶性を有する接着材料を用いて
いるため、簡単に除去され、第２の基板８３５と被剥離層８３３とが分離する。
また、被剥離層８３３に含まれる素子の入出力端子は、被剥離層の最上層（即ち、第２
の基板側に最も近い層）に露呈するように形成する。従って、上記第２の基板の分離工程
後、入出力端子部が露呈するように、被剥離層表面の第１の接着材が完全に除去されるこ
とが望ましい。
また、ここでは、第１の接着材８３４として溶媒溶液に溶ける可溶性を有する接着材料
を用い、溶媒溶液に漬けて第２の基板を分離した例を示したが、特に限定されず、例えば
、熱硬化型接着材（紫外線を照射すると接着力が低下する）を第１の接着材として用い、
紫外線を照射することで第２の基板を分離してもよい。
以上の工程で第２の接着材８３６及び第３の基板８３７を支持体とする被剥離層８３３
を備えた半導体装置を作製することができる。そして、図８（Ｇ）に示すように湾曲させ
れば、曲面の曲率半径が、５０ｃｍ〜２００ｃｍである半導体装置を完成させることがで
きる。湾曲させる際には設置する曲面に沿って接着すればよい。なお、第２の接着材８３
６と被剥離層８３３との間には第２の材料層である酸化物層８３２がある。こうして得ら
れる半導体装置は、第２の材料層８３２がスパッタ法で成膜され、第２の材料層８３２中
に微量の希ガス元素を含ませているため、半導体装置全体としてフレキシブルなものとす
ることができる。
また、本実施例では第３の基板に接着してから、湾曲させたが、直接、曲面を有する基
材に第２の接着材８３６で接着させて湾曲させてもよい。
ここでは、以上の工程で半導体装置を完成させた例を示したが、以上の工程で半導体装
置の途中までを作製してもよい。例えば、上記工程に従って、ＴＦＴからなる回路を含む
被剥離層を形成し、第２の接着材及び第３の基板を支持体とする被剥離層を得た後で、さ
らに素子形成工程を加えて様々な半導体装置、代表的には有機化合物を含む層を発光層と
する発光素子を有する発光装置や液晶表示装置を完成させてもよい。
また、パッシブ型の有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を有する発光装置を作製
することもできる。
また、第３の基板と第２の接着材との密着性を低下させるため、第３の基板８３７とし
て表面にＡｌＮXＯY膜が形成されたプラスチックフィルムを用いた場合、第２の基板８３
５及び第３の基板８３７を分離することができる。この場合、第２の接着材８３６を支持
体とする被剥離層８３３を備えた半導体装置を作製することができる。この半導体装置は
支持体を第２の接着材８３６のみとしているため薄く、軽量、且つ、フレキシブルなもの
とすることができる。
また、実際に上記工程を行って、第１の基板を剥離する前に、第１の基板上に形成され
たＴＦＴの電気測定を行い、第１の基板及び第２の基板を剥離した後、再度、ＴＦＴの電
気測定を行った。剥離前後でＴＦＴの特性はほとんど変化なかった。剥離後のチャネル長
Ｌ／チャネル幅Ｗ＝５０μｍ／５０μｍのｎチャネル型ＴＦＴのＶ−Ｉ特性グラフを図９
に示す。また、剥離後のチャネル長Ｌ／チャネル幅Ｗ＝５０μｍ／５０μｍのｐチャネル
型ＴＦＴのＶ−Ｉ特性グラフを図１０に示す。
剥離前後でＴＦＴの特性はほとんど変化なかったことから、このような一連の手順で転
写、貼り合わせなどを行っても、ＴＦＴに影響を与えない工程であるといえる。また、プ
ラスチック基板上にＴＦＴを直接形成することも可能であるが基板の耐熱性が低いため、
３００℃以上の熱処理を行うことが困難であり、図９、及び図１０で得られるような高い
特性を示すＴＦＴを形成することも困難である。本実施例に示したように、耐熱性を有す
る基板上にＴＦＴを形成した後で、耐熱性を有する基板を剥離することによって図９及び
図１０で得られるような高い特性を示すＴＦＴを形成することが可能となっている。
本実施例では、実施例３に示した技術を用い、有機化合物を含む層を発光層とする発光
素子を有する発光装置を作製する手順を図１１に示す。
まず、同一基板上に画素部（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）と、画素部
の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時
に作製し、その上に有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Device）を形成
する。
実施例３に従って第１の基板９３０上に窒化物層または金属層からなる第１の材料層９
３１、酸化物層からなる第２の材料層９３２を形成する。
次いで、第２の材料層９３２上にＴＦＴ及び配線を含む層９３３ａを、実施例１に示し
た技術を用いて作製すればよい。各ＴＦＴを覆う絶縁膜を形成した後、画素部に設けられ
たＴＦＴと電気的に接続する陰極または陽極を形成する。次いで、陰極または陽極の端部
を覆うように両端にバンクとよばれる絶縁物を形成する。また、必要であれば適宜、ＴＦ
Ｔを覆って窒化膜からなるパッシベーション膜（保護膜）を形成してもよい。次いで、両
端がバンクで覆われている陰極または陽極上にＥＬ層（有機化合物材料層）および有機発
光素子の陽極または陰極を形成する。ＥＬ層の下層を陰極とした場合、ＥＬ層上には陽極
を設ければよく、ＥＬ層の下層を陽極とした場合、ＥＬ層上には陰極を設ければよい。
ＥＬ層としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてＥＬ層（
発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、低
分子系有機ＥＬ材料や高分子系有機ＥＬ材料を用いればよい。
また、ＥＬ層として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）
からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合
物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素
等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料
を用いることができる。なお、ＥＬ層は合計しても１００nm程度の薄膜層として形成する
。そのため、陰極または陽極として形成する表面は平坦性を高めておく必要がある。
また、陰極に用いる材料としては仕事関数の小さい金属（代表的には周期表の１族もし
くは２族に属する金属元素）や、これらを含む合金を用いることが好ましいとされている
。仕事関数が小さければ小さいほど発光効率が向上するため、中でも、陰極に用いる材料
としては、アルカリ金属の一つであるＬｉ（リチウム）を含む合金材料が望ましい。
また、陽極に用いる導電膜としては、陰極を形成する材料よりも仕事関数の大きい材料
を用い、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2
Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等、さらにＩＴＯよりもシート抵抗の低い材料、具
体的には白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、もしくはニッケル(Ｎｉ)
といった材料を用いることができる。
なお、本明細書では、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子の陽極と陰極の間に
形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注
入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に有機発光素子は、陽
極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注
入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した
構造を有していることもある。
有機化合物を含む層を発光層とする発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッ
センス（Electroluminescence）が得られる有機化合物（有機発光材料）を含む層（以下
、有機発光層と記す）と、陽極と、陰極とを有している。
また、有機発光素子に流れる電流をＴＦＴで制御する場合、大きく分けて２通りの方法
がある。具体的には、飽和領域と呼ばれる電圧範囲で電流を制御する方法と、飽和領域に
達するまでの電圧範囲で電流を制御する方法とがある。本明細書では、Ｖｄ−Ｉｄ曲線に
おいて、電流値がほぼ一定となるＶｄの範囲を飽和領域と呼んでいる。本発明は有機発光
素子の駆動方法に限定されず、どのような駆動方法を用いてもよい。
以上の工程で、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を含む層９３３ｂと、該発
光素子と接続するＴＦＴを含む層９３３ａとが積層された被剥離層が形成される。なお、
有機化合物を含む層を発光層とする発光素子は水分や酸素に弱いため、有機化合物を含む
層を発光層とする発光素子を形成した直後に、封止のための基板や封止缶や封止材で封止
してもよい。
次いで、第１の材料層９３１と第２の材料層９３２との密着性を部分的に低下させる処
理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前
記第２の材料層または前記第１の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、
剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の
層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで
硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を
用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、
剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重
要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなく
なり、さらに歩留まりも向上する。
次いで、被剥離層９３３ａに設けられたＴＦＴと接続する引き出し配線の端部に設けら
れた端子電極にＦＰＣ９０１を貼りつける。
次いで、第１の接着材９３４で第２の基板９３５と被剥離層９３３ａ、９３３ｂとを接
着する。（図９（Ｂ））第２の基板９３５には予め接着剤９０３でフィルム９０２を接着
しておく。この接着剤９０３は、第１の接着材９３４よりも接着力の弱い材料を用いるこ
とが好ましく、溶媒溶液に溶ける可溶性や、光が照射されると接着力が低下する感光性を
有しているものが望ましい。なお、接着材９０３は後の工程で除去される。また、接着材
９０３に代えて片面または両面に接着剤を有するテープを用いてもよい。このテープの片
面または両面には、溶媒溶液に溶ける可溶性や、光が照射されると接着力が低下する感光
性を有する接着材を有していてもよい。
第１の接着材９３４としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着
剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤が挙げられる。これらの接
着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等いかなるも
のでもよい。ただし、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子は水分や酸素に弱いた
め、水分や酸素のバリア性の高い材料であることが望ましい。このような接着剤の形成は
、例えば、塗布法によってなされる。本実施例では第１の接着材９３４として熱硬化型接
着剤を用いる。
第２の基板９３５は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板など
を用いることができる。また、シリコン基板を代表とする半導体基板、またはステンレス
基板を代表とする金属基板を用いても良い。
本実施例では、第２の基板９３５として第１の基板９３０よりも厚さの厚く剛性の高い
石英基板（厚さ１．１ｍｍ）を用いる。第２の基板としてプラスチックフィルムを用いた
場合、第１の基板９３０上に形成した素子をプラスチックフィルムに転写する際、即ち、
第１の接着材９３４で被剥離層９３３とフィルムを接着してフィルムを持ち上げる際、フ
ィルムが折れ曲がり、被剥離層も折れ曲がりの影響を受けて、クラックが入ってしまう恐
れがあった。そこで、第１の基板９３０に形成した被剥離層を剛性の高い第２の基板９３
５に第１の接着材９３４で貼りつけた後、第１の基板９３０を剥離し、その後、第２の接
着材９３６で素子を含む層にプラスチックフィルム（第３の基板９３７）を貼った後で第
２の基板９３５を分離する手順とすると、クラックが発生しにくいものとすることができ
る。
次いで、上記密着性を部分的に低下させた領域側から剥離させ、図１１（Ｃ）
中の矢印の方向に向かって、第１の材料層９３１が設けられている第１の基板９３０を物
理的手段により引き剥がす。（図１１（Ｃ））第２の材料層９３２が圧縮応力を有し、第
１の材料層９３１が引張応力を有するため、比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズル
から吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。
こうして、第２の材料層９３２上に形成された被剥離層９３３ａ、９３３ｂを第１の基
板９３０から分離することができる。
次いで、第２の接着材９３６で第３の基板９３７と第２の材料層９３２（及び被剥離層
９３３ａ、９３３ｂ）とを接着する。（図１１（Ｄ））第２の接着材９３６は、接着剤９
０３よりも接着力が強いことが重要である。
第２の接着材９３６としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤
等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤が挙げられる。本実施例では
第２の接着材９３６として熱硬化型接着剤を用いる。第２の接着材９３６として溶媒溶液
に溶ける可溶性や、光が照射されると接着力が低下する感光性を有している材料を用いた
場合、後の工程で第３の基板をも剥離することができ、フィルム９０２及び第１の接着材
及び第２の接着材のみを支持体とすることも可能である。
第３の基板９３７は、フレキシブルな基板を用いれば良い。本実施例では、第３の基板
９３７として、９０２と同じプラスチックフィルムを用いる。
図１１（Ｄ）の状態を得たら、次いで、紫外線を照射して接着剤９０３の接着力を弱め
、第２の基板９３５のみを分離する。（図１１（Ｅ））紫外線を照射することによって簡
単に剥がされ、第２の基板９３５とフィルム９０２とが分離する。
以上の工程で第２の接着材９３６及び第３の基板９３７を支持体とする被剥離層９３３
ａ、９３３ｂを備えた半導体装置を作製することができる。そして、図１１（Ｆ）に示す
ように湾曲させれば、曲面の曲率半径が、５０ｃｍ〜２００ｃｍである半導体装置を完成
させることができる。湾曲させる際には設置する曲面に沿って接着すればよい。なお、第
２の接着材９３６と被剥離層９３３ａとの間には第２の材料層である酸化物層９３２があ
る。こうして得られる半導体装置は、第２の材料層９３２がスパッタ法で成膜され、第２
の材料層９３２中に微量の希ガス元素を含ませているため、半導体装置全体としてフレキ
シブルなものとすることができる。
また、上記手順によって得られる湾曲させた有機化合物を含む層を発光層とする発光素
子を有する半導体装置の外観図を図１２（Ａ）、及び図１２（Ｂ）に示す。
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は図１と対応しており、同一の部位には同じ符号を用いて
いる。図１２（Ａ）に示す半導体装置は、図１２（Ａ）中の矢印の方向に発光しており、
且つ、方向１９に示す方向に湾曲している。ここでは図示しないが、画素部１２や駆動回
路１７に設けられた多数の半導体層のチャネル長方向は全て同一方向に配置されている。
また、レーザー光の照射方向、即ち走査方向は、チャネル長方向と同一としている。こう
することによって、結晶成長方向とチャネル長方向とを一致させ、電界効果移動度を実質
的に高くしている。
また、図１２（Ｂ）に示す半導体装置は、図１２（Ａ）とは逆方向に発光しており、且
つ、方向１９に示す方向に湾曲している。なお、発光方向は、有機化合物を含む層を発光
層とする発光素子の作製方法及び画素の回路構成によって実施者が適宜決定することがで
きる。
本実施例では実施例１乃至４のいずれか一に示した技術によって得られた曲面を有する
ディスプレイを乗物に搭載した例を示す。ここでは乗物の代表的な例として自動車を用い
たが、特に限定されず、航空機、列車、電車などに適用できることはいうまでもない。
図１３は、自動車の運転席周辺を示す図である。ダッシュボード部には音響再生装置、
具体的にはカーオーディオや、カーナビゲーションが設けられている。
カーオーディオの本体２７０１は、表示部２７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を
含む。表示部２７０２に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量なカーオーディ
オを完成させることができる。また、カーナビゲーションの表示部２８０１に本発明を実
施することによって薄型、且つ、軽量なカーナビゲーション完成させることができる。
また、操作ハンドル部２６０２付近には、ダッシュボード部２６０１にスピードメータ
などの計器のデジタル表示がなされる表示部２６０３が形成される。表示部２７０２に本
発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器を完成させることができ
る。
また、曲面を有するダッシュボード部２６０１に貼りつけられた表示部２６０２を形成
してもよい。表示部２６０２に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類
の表示器や画像表示装置を完成させることができる。なお、表示部２６０２は、矢印でし
めした方向に湾曲されている。
また、曲面を有するフロントガラス２６０４に貼りつけられた表示部２６００を形成し
てもよい。表示部２６００に本発明を実施する場合、透過する材料を用いればよく、本発
明によって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器や画像表示装置を完成させることができる
。なお、表示部２６００は、矢印でしめした方向に湾曲されている。ここではフロントガ
ラスとしたが他のウインドウガラスに設けることも可能である。
例えば、曲面を有するリアウインドウ２９００に貼りつけられた表示部２９０２を形成
してもよい。図１４は、自動車の後部座席周辺を示す図である。なお、図１４は図１３と
対応しており、操作ハンドル部は、同一であるため図１３と同じ符号を用いている。
また、リアウインドウ２９００に本発明のフレキシブルな表示装置を貼りつけ、さらに
車外に後方を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者は、車体２９０６
が邪魔になって見ることができない場所を見ることができる。
なお、表示部２９０２は、矢印でしめした方向に湾曲されている。
また、図１４に示すように右ハンドルであれば、左後方に車体２９０６の一部（窓ガラ
スの間の部分）があるため死角が存在しているが、窓ガラスの間の部分に本発明のフレキ
シブルな表示装置（表示部２９０１）を貼りつけ、さらに車外に死角方向を撮影できるカ
メラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者が死角を確認することができる。なお、表示
部２９０１は、矢印でしめした方向に湾曲されている。
また、シート２９０４に表示部２９０５を設けてもよい。後部座席に座った人がテレビ
をみたり、カーナビゲーションの表示を見ることができる。
また、ここでは図示しないが、車の天井を基材とし、天井の曲面に沿って有機化合物を
含む層を発光層とする発光素子を有する表示装置を湾曲させて接着することによって、映
像の表示や車内の照明を行うことができる。
このように、本発明の曲面を有するディスプレイは、曲率半径が５０ｃｍ〜２００ｃｍ
である曲面を有する車内のいたるところに簡単に搭載することができる。
また、本実施例では車載用カーオーディオやカーナビゲーションを示すが、その他の乗
物の表示器や、据え置き型のオーディオやナビゲーション装置に用いても良い。
また、本実施例は、実施例１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
実施例１乃至５においては、剥離法として２層間の膜応力（応力歪み）を利用して剥離
を行う剥離方法を用いたが、特に限定されず、被剥離層と基板との間に分離層を設け、該
分離層を薬液（エッチャント）で除去して被剥離層と基板とを分離する方法や、被剥離層
と基板との間に非晶質シリコン（またはポリシリコン）からなる分離層を設け、基板を通
過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させることにより、
空隙を生じさせて被剥離層と基板を分離させる方法などを用いることが可能である。
ここでは分離層として水素を多量に含む非晶質シリコン（またはポリシリコン）を用い
、分離層にレーザー光を照射することによって剥離する例を図１５に示す。
図１５（Ａ）中、６００は基板、６０１は分離層、６０２は被剥離層である。
図１５（Ａ）において、基板６００は透光性を有する基板、ガラス基板、石英基板など
を用いる。
次いで、分離層６０１を形成する。分離層６０１としてはアモルファスシリコンまたは
ポリシリコンを用いる。なお、分離層６０１は、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法などの成
膜方法を用い、適宜、膜中に多量の水素を含ませるとよい。
次いで、分離層６０１上に被剥離層６０２を形成する。（図１５（Ａ））被剥離層６０
２は、ＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる
光電変換素子やシリコン抵抗素子）を含む層とすればよい。また、基板６００の耐え得る
範囲の熱処理を行うことができる。ただし、分離層６０１は、被剥離層６０２の作製工程
における熱処理によって膜剥がれなどが生じないようにする。本実施例のように、レーザ
ー光を用いて剥離する場合においては、剥離前に水素が放出しないように熱処理温度を４
１０℃以下として被剥離層に含まれる素子を形成することが望ましい。
次いで、基板６００を通過させ、分離層にレーザー光を照射する。（図１５（Ｂ））レ
ーザー光としては、エキシマレーザー等の気体レーザーや、ＹＡＧレーザーなどの固体レ
ーザーや、半導体レーザーを用いればよい。また、レーザー発振の形態は、連続発振、パ
ルス発振のいずれでもよく、レーザービームの形状も線状または矩形状でもよい。本実施
例において、実施例１に示したレーザー照射装置を用いる。実施例１に示したレーザー照
射装置を用いることによって、大面積基板の全面にわたって、スループット良くレーザー
ビームを照射することができる。また、実施例１に示したレーザー照射装置は、結晶化や
剥離に用いるだけでなく様々なレーザーアニールに用いることができる。
上記レーザー光の照射によって分離層６０１に含まれる水素を放出させることにより、
空隙を生じさせて被剥離層６０２と基板６００を分離させる。（図１５（Ｃ））実施例１
に示したレーザー照射装置を用いることによって、大きな面積を有する被剥離層を全面に
渡って歩留まりよく剥離することが可能となる。
剥離後の状態を図１５（Ｄ）に示す。また、ここでは、被剥離層６０２の機械的強度が十
分であると仮定した例を示しているが、被剥離層６０２の機械的強度が不十分である場合
には、被剥離層６０２を固定する支持体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが
好ましい。
また、剥離後の被剥離層は、ある一方向に湾曲させることができる。被剥離層は曲面を
有する転写体（図示しない）に貼り付けることも可能であることは言うまでもない。
本実施例においても、レーザー光の照射方向（走査方向）と、被剥離層に設けられた全て
の半導体層のチャネル長方向とを同一方向とし、これらの方向と湾曲している方向とが直
交するように設定する。こうすることで曲面を有するディスプレイを実現することができ
る。
また、本実施例は、実施の形態、実施例１乃至５と自由に組み合わせることができる。
なお、本実施例と実施例１と組み合わせる場合には、実施例１の４０９に代えて本実施例
の分離層６０１を用い、裏面からレーザーを照射し、剥離すればよい。
また、同様に本実施例と実施例２と組み合わせる場合には、実施例２の５０９に代えて本
実施例の分離層６０１を用い、裏面からレーザーを照射し、剥離すればよい。

Claims (4)

  1. 基板上に、分離層を形成する第１の工程と、
    前記分離層上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する被剥離層を形成する第２の工程と、
    前記基板から前記被剥離層を分離させる第３の工程と、を有し、
    前記第２の工程において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向及び前記第２のトランジスタのチャネル長方向が第１の方向に沿うように形成され、
    前記第３の工程において、前記被剥離層を分離させる前に、前記分離層に部分的にレーザー光が照射され、
    被剥離層は、画素部と、前記画素部の周辺に配置された回路と、を有し、
    前記画素部は、前記第１のトランジスタを有し、
    前記回路は、前記第２のトランジスタを有し、
    前記被剥離層は、第２の方向に湾曲されるものであり、
    前記第２の方向は、前記第１の方向と交差するような方向であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 基板上に、分離層を形成する第１の工程と、
    前記分離層上に、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する被剥離層を形成する第２の工程と、
    前記基板から前記被剥離層を分離させる第３の工程と、を有し、
    前記第２の工程において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向及び前記第２のトランジスタのチャネル長方向が第１の方向に沿うように形成され、
    前記第３の工程において、前記被剥離層を分離させる前に、前記被剥離層に部分的に圧力が加えられ、
    被剥離層は、画素部と、前記画素部の周辺に配置された回路と、を有し、
    前記画素部は、前記第１のトランジスタを有し、
    前記回路は、前記第２のトランジスタを有し、
    前記被剥離層は、第２の方向に湾曲されるものであり、
    前記第２の方向は、前記第１の方向と交差するような方向であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 基板上に、分離層を形成する第１の工程と、
    前記分離層上に、第１のトランジスタ、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第１の発光素子、第２のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタと電気的に接続された第２の発光素子を有する被剥離層を形成する第２の工程と、
    前記基板から前記被剥離層を分離させる第３の工程と、を有し、
    前記第２の工程において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向及び前記第２のトランジスタのチャネル長方向が第１の方向に沿うように形成され、
    前記第３の工程において、前記被剥離層を分離させる前に、前記分離層に部分的にレーザー光が照射され、
    被剥離層は、画素部と、前記画素部の周辺に配置された回路と、を有し、
    前記画素部は、前記第１のトランジスタを有し、
    前記回路は、前記第２のトランジスタを有し、
    前記被剥離層は、第２の方向に湾曲されるものであり、
    前記第２の方向は、前記第１の方向と交差するような方向であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 基板上に、分離層を形成する第１の工程と、
    前記分離層上に、第１のトランジスタ、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第１の発光素子、第２のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタと電気的に接続された第２の発光素子を有する被剥離層を形成する第２の工程と、
    前記基板から前記被剥離層を分離させる第３の工程と、を有し、
    前記第２の工程において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向及び前記第２のトランジスタのチャネル長方向が第１の方向に沿うように形成され、
    前記第３の工程において、前記被剥離層を分離させる前に、前記被剥離層に部分的に圧力が加えられ、
    被剥離層は、画素部と、前記画素部の周辺に配置された回路と、を有し、
    前記画素部は、前記第１のトランジスタを有し、
    前記回路は、前記第２のトランジスタを有し、
    前記被剥離層は、第２の方向に湾曲されるものであり、
    前記第２の方向は、前記第１の方向と交差するような方向であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Families Citing this family (323)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP5057619B2 (ja) * 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW554398B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
KR100944886B1 (ko) * 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
CN100391004C (zh) 2002-10-30 2008-05-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制作方法
JP4373085B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
JP4574118B2 (ja) * 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
EP1610599A1 (en) * 2003-03-28 2005-12-28 TDK Corporation Multilayer substrate and method for producing same
US7772756B2 (en) 2003-08-01 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device including a dual emission panel
JP4627140B2 (ja) * 2003-10-17 2011-02-09 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
US8048251B2 (en) 2003-10-28 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
GB0327093D0 (en) * 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
CN100583193C (zh) 2003-11-28 2010-01-20 株式会社半导体能源研究所 制造显示设备的方法
US7768405B2 (en) * 2003-12-12 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2005062388A1 (en) 2003-12-19 2005-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7508305B2 (en) * 2003-12-26 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Packing material, tag, certificate, paper money, and securities
US8136735B2 (en) * 2004-01-23 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. ID label, ID card, and ID tag
US7699232B2 (en) 2004-02-06 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8123896B2 (en) * 2004-06-02 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system
US7452786B2 (en) * 2004-06-29 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
US7591863B2 (en) * 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
US8288773B2 (en) 2004-08-23 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip and manufacturing method thereof
DE202004014778U1 (de) * 2004-09-22 2006-02-09 Mekra Lang Gmbh & Co. Kg Nutzfahrzeuge mit Kameraeinrichtung sowie Kameraeinrichtung hierfür
US7843010B2 (en) * 2004-09-30 2010-11-30 Sharp Kabushiki Kaisha Crystalline semiconductor film and method for manufacturing the same
US8822272B2 (en) 2005-03-28 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and measuring method thereof
US8649895B2 (en) 2005-04-19 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Managing method of building material and wireless chip applied to the method
US8030132B2 (en) * 2005-05-31 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including peeling step
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
JP4916680B2 (ja) * 2005-06-30 2012-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法
IL169824A (en) * 2005-07-21 2011-03-31 Danny Knafou Controllably displayable motor vehicle window and method of advertising or messaging with the same
KR101171189B1 (ko) * 2005-10-21 2012-08-06 삼성전자주식회사 더미 글래스 기판과 표시장치의 제조방법
DE102006007284A1 (de) * 2006-02-16 2007-08-30 Airbus Deutschland Gmbh Informations- und Unterhaltungssystem in einem Flugzeug
JP4713433B2 (ja) * 2006-05-15 2011-06-29 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ
US8006164B2 (en) 2006-09-29 2011-08-23 Intel Corporation Memory cell supply voltage control based on error detection
US7804421B2 (en) * 2007-02-21 2010-09-28 Audiovox Corporation Vehicle safety system
US20080211652A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Nanolumens Acquisition, Inc. Dynamic Vehicle Display System
US20080211653A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Nanolumens Acquisition, Inc. Vehicle with Interior Video Display for Exterior View
US7759629B2 (en) * 2007-03-20 2010-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP5084323B2 (ja) * 2007-03-29 2012-11-28 株式会社リコー 半導体装置
KR101305876B1 (ko) * 2007-08-09 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8114722B2 (en) * 2007-08-24 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN101785086B (zh) * 2007-09-20 2012-03-21 夏普株式会社 显示装置的制造方法和叠层构造体
KR101385747B1 (ko) * 2007-09-21 2014-04-21 삼성전자주식회사 전자 종이 표시 유니트 및 이를 갖는 이동 통신 단말기
JP2009141093A (ja) 2007-12-06 2009-06-25 Toshiba Corp 発光素子及び発光素子の製造方法
WO2009107171A1 (ja) * 2008-02-28 2009-09-03 シャープ株式会社 薄膜積層デバイスの製造方法及び表示装置の製造方法、並びに、薄膜積層デバイス
KR101004849B1 (ko) * 2008-09-02 2010-12-28 삼성전기주식회사 박막소자 제조방법
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
KR101702329B1 (ko) 2008-12-17 2017-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
US20100253902A1 (en) 2009-04-07 2010-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US7986042B2 (en) 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8395191B2 (en) * 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8384426B2 (en) * 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9711407B2 (en) * 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US8405420B2 (en) * 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US8754533B2 (en) * 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
JP5444817B2 (ja) * 2009-04-24 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
WO2010131827A1 (ko) * 2009-05-13 2010-11-18 포인트엔지니어링 다공성 기판을 이용한 유기발광소자 및 그 제조 방법
DE102009021273A1 (de) * 2009-05-14 2010-11-18 Schott Solar Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls
US8911653B2 (en) 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR101882887B1 (ko) * 2009-09-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8294159B2 (en) 2009-10-12 2012-10-23 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US8497770B2 (en) * 2010-01-29 2013-07-30 Matthew Stevens Staffanou Low profile flexible light bar tachometer
KR102172343B1 (ko) 2010-02-05 2020-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9477306B1 (en) 2010-08-24 2016-10-25 Amazon Technologies, Inc. Mutamorphic haptic substrate
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
TWI457880B (zh) * 2010-09-30 2014-10-21 E Ink Holdings Inc 曲面顯示模組與顯示裝置
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN101964398A (zh) * 2010-10-11 2011-02-02 福建钧石能源有限公司 柔性薄膜太阳能电池及其制造方法
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
KR20120042151A (ko) * 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
DE102011016428A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 GM Global Technology Operations LLC (n. d. Gesetzen des Staates Delaware) Anzeigevorrichtung für ein Fahrzeug und Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
TWI433625B (zh) 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
US11021136B1 (en) * 2011-08-29 2021-06-01 The Boeing Company Methods and systems for providing a remote virtual view
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
JP5907722B2 (ja) 2011-12-23 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US9584783B2 (en) 2012-05-21 2017-02-28 Omri KRIEZMAN Vehicle projection systems and method
KR102091687B1 (ko) 2012-07-05 2020-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
KR102173801B1 (ko) 2012-07-12 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법
KR102481056B1 (ko) 2012-08-10 2022-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
US11074025B2 (en) 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
DE102012024949B4 (de) * 2012-12-19 2019-02-07 Audi Ag Anzeigevorrichtung für ein Fahrzeug und Fahrzeug
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US20150353005A1 (en) * 2013-01-11 2015-12-10 Yanfeng Global Automotive Interior Systems Co., Ltd Thin overhead console
KR101796812B1 (ko) * 2013-02-15 2017-11-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150120376A (ko) 2013-02-20 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
CN103208561B (zh) * 2013-03-22 2016-04-20 中国科学院上海高等研究院 一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
KR101484229B1 (ko) 2013-07-24 2015-01-16 현대자동차 주식회사 차량용 터치 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
US9356049B2 (en) * 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
TWI685026B (zh) 2013-08-06 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法
TWI794098B (zh) 2013-09-06 2023-02-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及發光裝置的製造方法
JP6513929B2 (ja) 2013-11-06 2019-05-15 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法
KR102315659B1 (ko) 2013-11-27 2021-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102516162B1 (ko) 2013-12-02 2023-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
KR102132697B1 (ko) 2013-12-05 2020-07-10 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
CN103700662B (zh) * 2013-12-09 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种承载基板和柔性显示器件制作方法
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6327437B2 (ja) * 2014-01-10 2018-05-23 日本電気硝子株式会社 電子デバイスの製造方法
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
DE102014202985B4 (de) * 2014-02-19 2018-07-12 4Jet Microtech Gmbh & Co. Kg Herstellung von elektronischen Bauteilen auf einem Substrat
KR102334815B1 (ko) 2014-02-19 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 박리 방법
US9983619B2 (en) * 2014-02-28 2018-05-29 Fujitsu Ten Limited Image display apparatus
CN104908661B (zh) * 2014-03-12 2017-09-08 华创车电技术中心股份有限公司 互动式车用系统
TWI679560B (zh) 2014-03-13 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
DE112015001780B4 (de) 2014-04-11 2022-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
TWI695525B (zh) 2014-07-25 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置
WO2016059497A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
JP6634283B2 (ja) 2014-12-29 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル
EP3057149A1 (en) * 2015-02-11 2016-08-17 Nitto Europe N.V Kits comprising TOLED-containing multilayer films for providing windows with an image display
KR102309091B1 (ko) * 2015-03-02 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 오토모티브 표시 장치
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN108738377B (zh) * 2015-07-30 2020-11-10 株式会社半导体能源研究所 发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
WO2017053329A1 (en) 2015-09-21 2017-03-30 Monolithic 3D Inc 3d semiconductor device and structure
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
KR102476563B1 (ko) * 2015-12-01 2022-12-12 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
DE102015015630A1 (de) * 2015-12-03 2017-06-08 Audi Ag Vorrichtung zur Anordnung in einem Kraftfahrzeug, Kraftfahrzeug mit einer Vorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung
JP6568474B2 (ja) 2015-12-25 2019-08-28 株式会社ショーワ ベーンポンプ装置
JP6822858B2 (ja) 2016-01-26 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離の起点の形成方法及び剥離方法
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
JP2017185924A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 矢崎総業株式会社 車両用表示装置
JP6863803B2 (ja) 2016-04-07 2021-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
DE102016004581A1 (de) * 2016-04-14 2017-10-19 Man Truck & Bus Ag Fahrzeug, insbesondere Nutzfahrzeug, mit einem Spiegelersatzsystem
US10535572B2 (en) * 2016-04-15 2020-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device arrangement structure assembly and test method
KR101806892B1 (ko) * 2016-05-09 2018-01-10 엘지전자 주식회사 차량용 제어장치
JP6940974B2 (ja) 2016-05-10 2021-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 移動体
US10185190B2 (en) 2016-05-11 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
JP6670683B2 (ja) * 2016-06-07 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎラミナテック キャリア基板と樹脂層からなるワークの分離方法および分離装置
WO2018020333A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11177373B2 (en) * 2016-11-03 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN106711348B (zh) * 2016-12-29 2020-05-12 上海天马微电子有限公司 一种柔性有机发光显示面板的制备方法及显示装置
CN109642121A (zh) * 2017-01-17 2019-04-16 积水化学工业株式会社 填充接合材料、带有保护片的填充接合材料、层叠体、光学器件和光学器件用保护面板
JP7079239B2 (ja) 2017-03-03 2022-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 車両
JP6416307B2 (ja) * 2017-04-07 2018-10-31 パイオニア株式会社 発光素子
KR102426365B1 (ko) 2017-08-21 2022-07-29 삼성전자 주식회사 안테나를 포함하는 전자 장치
KR102404974B1 (ko) 2017-09-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11065960B2 (en) * 2017-09-13 2021-07-20 Corning Incorporated Curved vehicle displays
JP2019061130A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
KR102647373B1 (ko) * 2018-01-04 2024-03-13 하만 베커 오토모티브 시스템즈 게엠베하 물질 투과 조명
CN108297692B (zh) * 2018-03-28 2023-10-20 东莞市银泰丰光学科技有限公司 一种车载仪表盘结构及其指示方法
KR102494763B1 (ko) * 2018-05-11 2023-02-02 삼성디스플레이 주식회사 합착 장치 및 이를 이용한 표시장치의 합착 방법
CN108877521A (zh) * 2018-06-28 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 信息显示器和信息显示装置
CN109238652B (zh) * 2018-07-25 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种遮光板
US10634305B1 (en) 2018-10-31 2020-04-28 Putco, Inc. Programmable automobile light bar
JP7154592B2 (ja) * 2019-01-29 2022-10-18 株式会社ブイ・テクノロジー レーザアニール方法およびレーザアニール装置
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures

Family Cites Families (220)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3322382A1 (de) 1983-06-22 1985-01-10 Preh, Elektrofeinmechanische Werke Jakob Preh Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen
GB8617866D0 (en) 1986-07-22 1986-08-28 Raychem Ltd Liquid crystal display
JPH02500051A (ja) 1987-07-22 1990-01-11 レイケム・コーポレイション 電気的に作動可能な表示器
US4883561A (en) 1988-03-29 1989-11-28 Bell Communications Research, Inc. Lift-off and subsequent bonding of epitaxial films
JPH01253190A (ja) * 1988-03-31 1989-10-09 Nec Kansai Ltd Ｅｌパネルの製造方法
JPH02257618A (ja) 1989-03-29 1990-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2820965B2 (ja) * 1989-08-04 1998-11-05 株式会社リコー 曲面液晶表示装置
JPH0410391A (ja) * 1990-04-26 1992-01-14 Nec Kansai Ltd 電界発光灯の製造方法
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5256562A (en) 1990-12-31 1993-10-26 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5396304A (en) * 1990-12-31 1995-03-07 Kopin Corporation Slide projector mountable light valve display
US5743614A (en) * 1990-12-31 1998-04-28 Kopin Corporation Housing assembly for a matrix display
US5499124A (en) * 1990-12-31 1996-03-12 Vu; Duy-Phach Polysilicon transistors formed on an insulation layer which is adjacent to a liquid crystal material
US5861929A (en) * 1990-12-31 1999-01-19 Kopin Corporation Active matrix color display with multiple cells and connection through substrate
US5444557A (en) 1990-12-31 1995-08-22 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for projection displays
US6627953B1 (en) 1990-12-31 2003-09-30 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5376979A (en) 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation Slide projector mountable light valve display
US5666175A (en) 1990-12-31 1997-09-09 Kopin Corporation Optical systems for displays
US5376561A (en) 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5258320A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for display panels
US5751261A (en) 1990-12-31 1998-05-12 Kopin Corporation Control system for display panels
US5362671A (en) 1990-12-31 1994-11-08 Kopin Corporation Method of fabricating single crystal silicon arrayed devices for display panels
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5317436A (en) 1990-12-31 1994-05-31 Kopin Corporation A slide assembly for projector with active matrix moveably mounted to housing
US6320568B1 (en) 1990-12-31 2001-11-20 Kopin Corporation Control system for display panels
US7075501B1 (en) 1990-12-31 2006-07-11 Kopin Corporation Head mounted display system
US6593978B2 (en) 1990-12-31 2003-07-15 Kopin Corporation Method for manufacturing active matrix liquid crystal displays
US5528397A (en) * 1991-12-03 1996-06-18 Kopin Corporation Single crystal silicon transistors for display panels
US5475514A (en) 1990-12-31 1995-12-12 Kopin Corporation Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays
US5258325A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5331149A (en) 1990-12-31 1994-07-19 Kopin Corporation Eye tracking system having an array of photodetectors aligned respectively with an array of pixels
US5661371A (en) 1990-12-31 1997-08-26 Kopin Corporation Color filter system for light emitting display panels
US6143582A (en) 1990-12-31 2000-11-07 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US6072445A (en) 1990-12-31 2000-06-06 Kopin Corporation Head mounted color display system
JPH0590623A (ja) 1991-09-28 1993-04-09 Nissha Printing Co Ltd 太陽電池用転写材
JP2837007B2 (ja) * 1991-10-24 1998-12-14 株式会社デンソー Ｅｌディスプレイ素子
JP2701629B2 (ja) * 1991-11-01 1998-01-21 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US5420055A (en) * 1992-01-22 1995-05-30 Kopin Corporation Reduction of parasitic effects in floating body MOSFETs
JP3736770B2 (ja) 1992-01-22 2006-01-18 コピン・コーポレーシヨン 映写表示のための単結晶シリコンアレイデバイス
US5467154A (en) 1992-02-20 1995-11-14 Kopin Corporation Projection monitor
US6511187B1 (en) * 1992-02-20 2003-01-28 Kopin Corporation Method of fabricating a matrix display system
US5692820A (en) 1992-02-20 1997-12-02 Kopin Corporation Projection monitor
US6140980A (en) * 1992-03-13 2000-10-31 Kopin Corporation Head-mounted display system
JPH05347186A (ja) 1992-06-12 1993-12-27 Clarion Co Ltd エレクトロルミネセンス・ディスプレイ
JP3242452B2 (ja) 1992-06-19 2001-12-25 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
US5309709A (en) 1992-06-25 1994-05-10 Solar Turbines Incorporated Low emission combustion system for a gas turbine engine
EP0853254A3 (en) 1992-09-11 1998-10-14 Kopin Corporation Liquid crystal display
ATE173839T1 (de) 1992-09-11 1998-12-15 Kopin Corp Farbfiltersystem fuer anzeigetafeln
US5705424A (en) * 1992-09-11 1998-01-06 Kopin Corporation Process of fabricating active matrix pixel electrodes
US6608654B2 (en) 1992-09-11 2003-08-19 Kopin Corporation Methods of fabricating active matrix pixel electrodes
US5781164A (en) 1992-11-04 1998-07-14 Kopin Corporation Matrix display systems
WO1994010794A1 (en) 1992-11-04 1994-05-11 Kopin Corporation Control system for projection displays
JP3238223B2 (ja) * 1993-01-20 2001-12-10 株式会社東芝 液晶表示装置および表示装置
TW241377B (ja) * 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
IT1272109B (it) 1993-03-19 1997-06-11 Eniricerche Spa Processo per la preparazione di apg
JPH06280026A (ja) 1993-03-24 1994-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JPH06295787A (ja) * 1993-04-05 1994-10-21 Fuji Electric Co Ltd 薄膜発光素子
US5589406A (en) 1993-07-30 1996-12-31 Ag Technology Co., Ltd. Method of making TFT display
JPH0792501A (ja) * 1993-07-30 1995-04-07 A G Technol Kk 画像表示用の基板とその製造方法、およびｔｆｔ表示素子
KR100333153B1 (ko) 1993-09-07 2002-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
JPH07109573A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
GB2283350B (en) 1993-10-28 1998-03-18 Prince Corp Vehicle paging display system
JPH07142570A (ja) 1993-11-12 1995-06-02 Ube Ind Ltd 複合半導体基板及びその製造方法
KR100321541B1 (ko) 1994-03-09 2002-06-20 야마자끼 순페이 능동 매트릭스 디스플레이 장치의 작동 방법
JP3150840B2 (ja) 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE4415132C2 (de) 1994-04-29 1997-03-20 Siemens Ag Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium
KR100213603B1 (ko) * 1994-12-28 1999-08-02 가나이 쯔또무 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판
JP3698749B2 (ja) 1995-01-11 2005-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
JP4063896B2 (ja) 1995-06-20 2008-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 有色シースルー光起電力装置
JP3493534B2 (ja) * 1995-07-07 2004-02-03 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
KR100303111B1 (ko) * 1995-07-19 2001-12-17 순페이 야마자끼 반도체 장치 제조 방법 및 제조 장치
US5817548A (en) 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
DE19547691C1 (de) 1995-12-20 1997-04-24 Lohmann Therapie Syst Lts Verfahren zur Herstellung transdermaler therapeutischer Pflaster (TTS)
JPH09297316A (ja) * 1996-05-08 1997-11-18 Hitachi Ltd 液晶装置
DE69707233T2 (de) 1996-05-28 2002-07-11 Koninkl Philips Electronics Nv Organische elektrolumineszente vorrichtung
US6550949B1 (en) * 1996-06-13 2003-04-22 Gentex Corporation Systems and components for enhancing rear vision from a vehicle
CA2209511A1 (en) 1996-07-01 1998-01-01 Michael Dennis Method of assaying compounds which affect the activity of g-protein-coupled receptors based on measurement of receptor oligomerization
JPH1020293A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Omron Corp 表示装置
US6027958A (en) 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
JP3236223B2 (ja) 1996-08-13 2001-12-10 東光電気株式会社 トランスの励磁突流抑制回路
EP1758169A3 (en) 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
JP3809681B2 (ja) 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
JP4619462B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
JP3809712B2 (ja) 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法
JP4619461B2 (ja) 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
WO1998021750A1 (fr) 1996-11-11 1998-05-22 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Procede d'aplanissement d'un substrat, et procede de fabrication de substrats recouverts d'un film et de dispositifs a semi-conducteur
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6219113B1 (en) 1996-12-17 2001-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for driving an active matrix display panel
JP3393979B2 (ja) * 1997-07-01 2003-04-07 松下電器産業株式会社 画像表示パネルと画像表示装置およびそれを用いた投射型表示装置とビューファインダ
SG67458A1 (en) 1996-12-18 1999-09-21 Canon Kk Process for producing semiconductor article
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5981306A (en) * 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
DE69738307T2 (de) * 1996-12-27 2008-10-02 Canon K.K. Herstellungsverfahren eines Halbleiter-Bauelements und Herstellungsverfahren einer Solarzelle
US5856030A (en) 1996-12-30 1999-01-05 E.L. Specialists, Inc. Elastomeric electroluminescent lamp
US6013346A (en) * 1997-01-28 2000-01-11 Buztronics, Inc. Display sticker with integral flasher circuit and power source
JPH10223608A (ja) * 1997-02-04 1998-08-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
DE19708610A1 (de) 1997-03-03 1998-09-24 Siemens Ag Pixel-Matrix-Anzeigeeinrichtung für Transportsysteme
CN2299363Y (zh) * 1997-03-24 1998-12-02 张桐城 新型塑料薄膜场致发光屏
CA2233096C (en) 1997-03-26 2003-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and production method thereof
US6356376B1 (en) * 1997-04-02 2002-03-12 Gentex Corporation Electrochromic rearview mirror incorporating a third surface metal reflector and a display/signal light
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
JPH1174075A (ja) * 1997-06-19 1999-03-16 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JPH1126733A (ja) * 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US5956181A (en) 1997-07-18 1999-09-21 Lin; William Two way mirror with dual functions of rear view mirror and video displayer
JP3878288B2 (ja) * 1997-07-28 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びその製造方法
KR19980024117A (ko) 1997-07-30 1998-07-06 이영선 자연석을 이용한 건축재 및 그 제조방법
JPH1187799A (ja) 1997-09-12 1999-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗素子とその製造方法
JP3392729B2 (ja) 1997-09-30 2003-03-31 株式会社東芝 折り畳み型液晶表示装置
JPH11121751A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JP3139426B2 (ja) 1997-10-15 2001-02-26 日本電気株式会社 半導体装置
JPH11135882A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Sharp Corp 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
DE69732776T2 (de) 1997-11-17 2006-04-06 Molex Inc., Lisle Elektrolumineszierende Lampe und Verfahren zur Herstellung
US5934327A (en) * 1997-11-26 1999-08-10 Goddard Valve Corporation Valve for cryogenic fluid
JPH11160734A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
EP0926709A3 (en) 1997-12-26 2000-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an SOI structure
US6300612B1 (en) 1998-02-02 2001-10-09 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
US6476783B2 (en) * 1998-02-17 2002-11-05 Sarnoff Corporation Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JP4126747B2 (ja) * 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
JPH11272205A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Toshiba Corp 表示装置
US6329925B1 (en) * 1999-11-24 2001-12-11 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly with added feature modular display
JP3844613B2 (ja) * 1998-04-28 2006-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ回路およびそれを用いた表示装置
JP3619058B2 (ja) 1998-06-18 2005-02-09 キヤノン株式会社 半導体薄膜の製造方法
US6423614B1 (en) * 1998-06-30 2002-07-23 Intel Corporation Method of delaminating a thin film using non-thermal techniques
JP2000243970A (ja) * 1999-02-24 2000-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法
KR20010071526A (ko) 1998-07-06 2001-07-28 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터와 액정표시장치
US6582996B1 (en) 1998-07-13 2003-06-24 Fujitsu Limited Semiconductor thin film forming method
US6117797A (en) 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6162571A (en) * 1998-10-02 2000-12-19 Xerox Corporation Unsymmetrical perylene dimers
US6271631B1 (en) 1998-10-15 2001-08-07 E.L. Specialists, Inc. Alerting system using elastomeric EL lamp structure
JP2000177483A (ja) * 1998-12-11 2000-06-27 Fujitsu Ten Ltd 車両の外部監視装置
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP2002536695A (ja) 1999-02-05 2002-10-29 エイリアン・テクノロジイ・コーポレーション アセンブリを形成するための装置および方法
EP1041624A1 (en) * 1999-04-02 2000-10-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of transferring ultra-thin substrates and application of the method to the manufacture of a multilayer thin film device
US6531997B1 (en) * 1999-04-30 2003-03-11 E Ink Corporation Methods for addressing electrophoretic displays
US6504524B1 (en) * 2000-03-08 2003-01-07 E Ink Corporation Addressing methods for displays having zero time-average field
US6664169B1 (en) 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
JP3804349B2 (ja) * 1999-08-06 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置
TW544727B (en) 1999-08-13 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6391220B1 (en) 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
JP3624756B2 (ja) 1999-08-27 2005-03-02 東陶機器株式会社 分析装置
JP2001085715A (ja) 1999-09-09 2001-03-30 Canon Inc 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法
JP2001154592A (ja) 1999-09-13 2001-06-08 Minolta Co Ltd 表示装置
JP2001085154A (ja) 1999-09-16 2001-03-30 Denso Corp 表示装置
JP4497596B2 (ja) * 1999-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP4780826B2 (ja) * 1999-10-12 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
US6455397B1 (en) 1999-11-16 2002-09-24 Rona E. Belford Method of producing strained microelectronic and/or optical integrated and discrete devices
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
JP2001166301A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Seiko Epson Corp バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
US6489041B2 (en) 1999-12-09 2002-12-03 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Magnetic body formed by quantum dot array using non-magnetic semiconductor
JP2001177101A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20020190661A1 (en) 2000-01-27 2002-12-19 General Electric Company AC powered oled device
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US7768210B2 (en) 1999-12-22 2010-08-03 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
US7576496B2 (en) 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
JP4478268B2 (ja) * 1999-12-28 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの製造方法
US6700322B1 (en) 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
TWI273722B (en) 2000-01-27 2007-02-11 Gen Electric Organic light emitting device and method for mounting
US6515417B1 (en) * 2000-01-27 2003-02-04 General Electric Company Organic light emitting device and method for mounting
JP4712198B2 (ja) * 2000-02-01 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4461548B2 (ja) * 2000-02-02 2010-05-12 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003523891A (ja) 2000-02-26 2003-08-12 フェデラル−モーガル コーポレイション エレクトロルミネセンスパネルを用いた乗物用室内照明システム
US6882102B2 (en) * 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP4601843B2 (ja) * 2000-02-29 2010-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2001318624A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置およびその作製方法
JP4414553B2 (ja) * 2000-03-16 2010-02-10 宇部日東化成株式会社 有機−無機ハイブリッド傾斜材料およびその用途
JP2001265251A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Minolta Co Ltd 表示素子及び積層型表示素子
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
US6777871B2 (en) 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
US6661029B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
US6611108B2 (en) 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
JP3265301B2 (ja) 2000-06-05 2002-03-11 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法
JP2002026182A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6940223B2 (en) 2000-07-10 2005-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6683333B2 (en) * 2000-07-14 2004-01-27 E Ink Corporation Fabrication of electronic circuit elements using unpatterned semiconductor layers
SG143972A1 (en) 2000-09-14 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3974749B2 (ja) 2000-12-15 2007-09-12 シャープ株式会社 機能素子の転写方法
US6774010B2 (en) 2001-01-25 2004-08-10 International Business Machines Corporation Transferable device-containing layer for silicon-on-insulator applications
US6448152B1 (en) 2001-02-20 2002-09-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for generating a plurality of donor wafers and handle wafers prior to an order being placed by a customer
JP2002328624A (ja) 2001-04-26 2002-11-15 Sony Corp 車両用表示装置
US6649433B2 (en) 2001-06-26 2003-11-18 Sigma Technologies International, Inc. Self-healing flexible photonic composites for light sources
US6664730B2 (en) * 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US6677254B2 (en) * 2001-07-23 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom
US6814832B2 (en) 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
JP2003142666A (ja) 2001-07-24 2003-05-16 Seiko Epson Corp 素子の転写方法、素子の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、ｉｃカード、及び電子機器
JP2003109773A (ja) 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US6699597B2 (en) * 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
JP4209606B2 (ja) * 2001-08-17 2009-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
TWI282126B (en) 2001-08-30 2007-06-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US7112517B2 (en) * 2001-09-10 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method
US7317205B2 (en) 2001-09-10 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device
US6875671B2 (en) 2001-09-12 2005-04-05 Reveo, Inc. Method of fabricating vertical integrated circuits
JP2003091245A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6737753B2 (en) * 2001-09-28 2004-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Barrier stack
KR100944886B1 (ko) * 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
US6851841B2 (en) 2001-11-28 2005-02-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Illumination device
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
JP2003229548A (ja) 2001-11-30 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法
US6953735B2 (en) * 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
US6970747B2 (en) * 2002-01-11 2005-11-29 Kokones Scott B Neurostimulation lead stylet handle
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
TWI272641B (en) * 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US7777611B2 (en) * 2006-11-06 2010-08-17 Donnelly Corporation Display device for exterior rearview mirror
CN101911256B (zh) * 2008-01-07 2012-07-18 株式会社Ihi 激光退火方法以及装置
US8957442B2 (en) * 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
WO2012111044A1 (ja) * 2011-02-14 2012-08-23 パナソニック株式会社 撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016130857A (ja) 2016-07-21
KR101219070B1 (ko) 2013-01-21
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KR101095294B1 (ko) 2011-12-16
JP6437680B2 (ja) 2018-12-12
JP2014206745A (ja) 2014-10-30
KR20070120080A (ko) 2007-12-21
US20170125454A1 (en) 2017-05-04
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