DE102009021273A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls Download PDF

Info

Publication number
DE102009021273A1
DE102009021273A1 DE102009021273A DE102009021273A DE102009021273A1 DE 102009021273 A1 DE102009021273 A1 DE 102009021273A1 DE 102009021273 A DE102009021273 A DE 102009021273A DE 102009021273 A DE102009021273 A DE 102009021273A DE 102009021273 A1 DE102009021273 A1 DE 102009021273A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode layer
laser
edge region
functional layers
back electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102009021273A
Other languages
English (en)
Inventor
Hermann Dr. Wagner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ecoran GmbH
Original Assignee
Schott Solar AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott Solar AG filed Critical Schott Solar AG
Priority to DE102009021273A priority Critical patent/DE102009021273A1/de
Priority to JP2012510165A priority patent/JP2012527102A/ja
Priority to PCT/EP2010/002933 priority patent/WO2010130439A2/de
Priority to US13/320,435 priority patent/US20120164782A1/en
Priority to CN2010800213794A priority patent/CN102422420A/zh
Priority to EP10722601A priority patent/EP2430658A2/de
Publication of DE102009021273A1 publication Critical patent/DE102009021273A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Bei einem photovoltaischen Dünnschichtmodul (1) mit einem Substrat (2), auf dem als Funktionsschichten eine transparente Frontelektrodenschicht (3), eine Halbleiterschicht (4) und eine Rückelektrodenschicht (5) abgeschieden sind, die zur Bildung serienverschalteter Zellen (C1, C2, C3) mit Zelltrennlinien (6, 7, 8) versehen sind, wird in dem Randbereich (10) ein Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) mit einem Laser (23) durchgeführt und in dem Randbereich der Funktionsschichten (3 bis 5) eine Isolationstrennlinie (13) in die Funktionsschichten (3 bis 5) zur Isolation zwischen der Frontelektrodenschicht (3) und der Rückelektrodenschicht (5) mit einem Laser (24) zur Bildung einer Trennlinie (17) in der Frontelektrodenschicht (3) und mit einem Laser (25) zur Bildung einer Trennlinie (18, 19) in der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) gebildet. Der Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) im Randbereich (10) des Moduls (1) und die Bildung der Isolationstrennschicht (13) wird gemeinsam in einem Schritt durchgeführt.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
  • Photovoltaische Dünnschichtmodule werden an der von der Lichteinfallseite abgewandten Rückseite mit einer Rückseitenabdeckung versehen, die mit einer Klebefolie auf die Rückseite der Funktionsschichten auflaminiert wird. Um eine hinreichende elektrische Isolation der unter Spannung stehenden Funktionsschichten gegenüber der Umgebung (Rahmen, Montagegestell usw.), insbesondere im feuchten Zustand zu gewährleisten, wird die Klebefolie in dem Randbereich des Moduls direkt mit dem Substrat verbunden und damit eine hermetische Verkapselung der Funktionsschichten erreicht.
  • Dazu wird eine Randentschichtung durchgeführt, d. h. die Funktionsschichten werden im Randbereich des Moduls komplett abgetragen. Die Randentschichtung kann mechanisch z. B. durch Sandstrahlen oder Schleifen oder mit einem Laser erfolgen (vgl. DE 20 2008 005 970 U1 , DE 20 2008 006 110 U1 ).
  • Bei der Randentschichtung kommt es jedoch vor, dass die Außenkante der Frontelektrodenschicht und die Außenkante der Rückelektrodenschicht stellenweise miteinander in Berührung gebracht werden, sodass ein Kurzschluss entsteht. Um die elektrische Isolation zwischen Front- und Rückelektrodenschicht zu gewährleisten, wird daher ein sogenannter „Isocut” durchgeführt, d. h. mit einem Laser wird im Abstand von dem randentschichteten Bereich des Moduls durch die Funktionsschichten eine Isolationstrennlinie geschrieben.
  • Zur Randentschichtung und für den Isocut sind mehrere Schritte und Anlagen erforderlich. So wird in einem ersten Schritt mit einer Anlage, mit der die Frontelektrodenschicht strukturiert wird, die Frontelektrodenschicht mit einem Laser mit den Zelltrennlinien für die Serienverschaltung der Einzelzellen des Moduls sowie der Trennlinie für den Isocut versehen. Nach Beschichten der Frontelektrodenschicht mit der Halbleiterschicht, deren Strukturierung mit den Zelltrennlinien und der Beschichtung der Halbleiterschicht mit der Rückelektrodenschicht wird die Rückelektrodenschicht in einer weiteren Anlage neben den Zelltrennlinien mit einem Laser mit der Trennlinie für den Isocut versehen. Schließlich erfolgt mit einer weiteren Anlage die Randentschichtung.
  • Da die Bildung der Trennlinien für den Isocut in der Frontelektrodenschicht und in der Rückelektrodenschicht sowie die Randentschichtung mit unterschiedlichen Anlagen durchgeführt werden, müssen die unterschiedlichen Toleranzen in den einzelnen Prozessen berücksichtigt werden, z. B. auch im Hinblick auf den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des beispielsweise aus einer Glasscheibe bestehenden Substrats des Moduls und die unterschiedlichen Temperaturen während der einzelnen Prozesse.
  • Der Isocut wird daher in einem Abstand von 1 mm und mehr von dem randentschichteten Bereich des Moduls in den Funktionsschichten vorgesehen. Ferner muss die Trennlinie für den Isocut in der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht eine erhebliche Breite aufweisen, damit sie die Trennlinie für den Isocut in der Frontelektrodenschicht sicher überdeckt. Zur Bildung der Isocut-Trennlinie in der Rückelektrodenschicht muss daher der Laserstrahl zur Überlappung der benachbarten Spuren jeweils versetzt über das Modul hinwegbewegt werden.
  • Das Schreiben des Isocut kostet damit sehr viel Taktzeit. Zudem wird durch den Abstand des Isocut von 1 mm und mehr vom entschichteten Randbereich des Moduls die nutzbare aktive Fläche des Moduls und damit dessen Leistung reduziert. Da bei jeder der einzelnen zahlreichen Anlagen Störungen auftreten können, kann es ferner bei den Modulen häufiger zu Leistungseinbußen und Ausfällen kommen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, randentschichtete und mit einem Isocut versehene photovoltaische Dünnschichtmodule hoher Leistung sicher und mit geringerer Taktzeit herzustellen.
  • Dies wird erfindungsgemäß durch das im Anspruch 1 gekennzeichnete Verfahren erreicht. In den Ansprüchen 2 bis 13 sind vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens wiedergegeben. Im Anspruch 14 ist eine bevorzugte Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens angegeben, die durch die Merkmale der Ansprüche 15 bis 19 in vorteilhafter Weise ausgebildet wird.
  • Nach der Erfindung weist das photovoltaische Modul ein Substrat auf, auf dem als Funktionsschichten eine transparente Frontelektrodenschicht, eine Halbleiterschicht und eine Rückelektrodenschicht abgeschieden sind, die jeweils eine Schichtdicke im Nano- bis Mikrometer-Bereich aufweisen.
  • Das Substrat besteht aus einem elektrisch nichtleitenden und im Falle einer Superstrat-Anordnung transparenten Material, beispielsweise Glas. Die Frontelektrodenschicht kann aus einem elektrisch leitfähigen Metalloxid, beispielsweise Zinkoxid oder Zinnoxid bestehen. Wesentlich ist nur, dass es transparent und elektrisch leitfähig ist und zumindest einen geringen Prozentsatz der Strahlung des Lasers absorbiert.
  • Die Halbleiterschicht kann aus Silizium, beispielsweise amorphem, mikro- oder polykristallinem Silizium bestehen, aber auch ein anderer Halbleiter sein, beispielsweise Cadmium Tellur oder CIGS, also Kupfer-Indium-Gallium-Selenid. Die Rückelektrodenschicht ist vorzugsweise eine Metallschicht, beispielsweise aus Aluminium, Kupfer, Silber oder dergleichen.
  • Die Beschichtung mit der Frontelektrodenschicht und der Halbleiterschicht erfolgt beispielsweise durch physikalisch unterstützte chemische Dampfabscheidung (PECVD), die Beschichtung mit der Rückelektrodensicht vorzugsweise durch Sputtern. Die Frontelektrodenschicht, die Halbleiterschicht und die Rückelektrodenschicht werden jeweils mit Zelltrennlinien versehen, um Einzelzellen zu bilden, die serienverschaltet sind.
  • Der Abtrag der Funktionsschichten im Randbereich des Moduls, also die Randentschichtung, und die Bildung der Isolationstrennlinie im Randbereich der Frontelektrodenschicht und der Isolationstrennlinie im Randbereich der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht, also der Isocut im Randbereich der Funktionsschichten wird erfindungsgemäß in einem gemeinsamen Schritt mit einer Anlage durchgeführt.
  • D. h. während die Funktionsschichten im Randbereich des Moduls abgelasert werden, werden gleichzeitig die Trennlinie im Randbereich der Halbleiter- und der Rückelektrodenschicht sowie der Frontelektrodenschicht für den Isocut gelasert.
  • Dazu sind erfindungsgemäß vorzugsweise die Laser einschließlich ihrer Optik zur Randentschichtung sowie zur Bildung der Isolationstrennlinien, also für den Isocut, in einer Laser-Einheit mechanisch fest miteinander verbunden.
  • Da die Randentschichtung und der Isocut der drei Funktionsschichten erfindungsgemäß gleichzeitig durchgeführt werden, sind Toleranzen unterschiedlicher Anlagen und Einflüsse der Substrattemperatur nicht mehr relevant. Dadurch kann der Abstand zwischen dem Isocut und der Randentschichtung minimiert und damit die Leistung des Moduls erhöht werden. Zudem kann die Breite der Trennlinie für den Isocut in der Rückelektrodenschicht minimiert und sogar auf Null reduzieren und damit die Leistung des Moduls weiter gesteigert werden.
  • Ferner werden gegenüber dem Stand der Technik erfindungsgemäß die Schreibzeiten reduziert, weil die Isocutlinien bei der Front- und Rückkontaktstrukturierung entfallen.
  • Als Laser für die Randentschichtung und für die Bildung der Trennlinie in dem Randbereich der Frontelektrodenschicht kann ein Infrarotstrahlung emittierender Laser mit einer Wellenlänge von mindestens 800 nm verwendet werden, vorzugsweise ein Neodym dotierter Yttrium-Vanadat (Nd:YVO4) oder ein Nd:YAG-Laser, also mit Yttrium-Aluminium-Granat als Wirtskristall, mit einer Grundschwingung von 1064 nm. Jedoch kann die Bildung der Trennlinie in dem Randbereich der Frontelektrodenschicht beispielsweise auch mit einem Neodym dotierten Festkörperlaser mit verdreifachter Frequenz, also einer Wellenlänge von 355 nm verwendet werden. Zur Bildung der Trennlinie in dem Randbereich der Halbleiterschicht und der Rückelektrodenschicht wird vorzugsweise ein sichtbares Lichtemittierender Laser verwendet, insbesondere ein neodymdotierter Festkörperlaser, also Nd:YVO4 oder Nd:YAG-Laser mit verdoppelter Frequenz mit einer Wellenlänge von 532 nm.
  • Statt Neodym dotierter Laser können auch andere mit ihrer Grundschwingung im Infrarot-Bereich emittierende Laser eingesetzt werden, beispielsweise mit Ytterbium dotierte Laser mit einer Grundwellenlänge von etwa 1070 nm. Auch hier ist eine Frequenzverdoppelung und -verdreifachung problemlos möglich. Als Laser werden insbesondere Faserlaser verwendet.
  • Vorzugsweise wird ein gepulster Laser mit Güteschaltung verwendet, insbesondere zur Randentschichtung und zur Bildung der Trennlinie in dem Randbereich der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht.
  • Um eine komplette Ablation der Funktionsschichten im Randbereich des Moduls zu gewährleisten, sollte der Laserstrahl des Lasers zur Randentschichtung und zur Bildung der Trennlinie in dem Randbereich der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht eine hohe Energiedichte von insbesondere mindestens 50 mJ/mm2 aufweisen. Dabei sollten kurze Laserpulse von weniger als 100 ns emittiert werden. Die Impulsfrequenz kann 1 bis 50 kHz betragen. Der Abtrag der Funktionsschichten im Randbereich des Moduls, also die Randentschichtung kann mit einem Zwei-Achsen-Galvano-Laserscanner durchgeführt werden. Dabei wird mit dem Zwei-Achsen-Galvano-Scanner Puls für Puls Brennfleck an Brennfleck gereiht, sodass eine lückenlose Überdeckung ohne größere Überlappungsverluste erzielt wird. Der schnellen Scannerbewegung überlagert ist eine wesentlich langsamere Relativbewegung zwischen dem von Scanner bearbeiteten Feld und dem Modul. Diese Relativbewegung kann einen 1 cm/Sekunde oder mehr betragen. Die Breite des randentschichteten Bereichs kann z. B. 5 bis 20 mm betragen. Die Randentschichtung und der Isocut erstrecken sich über dem gesamten Umfang des im Allgemeinen rechteckigen Moduls.
  • Für den Abtrag der Funktionsschichten im Randbereich des Moduls, also zur Randentschichtung und zur Bildung der Isolationstrennlinien in den Funktionsschichten, also für den Isocut, wird vorzugsweise der Laserstrahl jeweils durch das transparente Substrat hindurch auf die Funktionsschichten fokussiert.
  • Dabei eilt bei der Bildung des Isocut der Laserstrahl des Lasers zur Bildung der Trennlinie in der Rückelektrodenschicht dem Laserstrahl des Lasers zu Bildung der Trennlinie der Frontelektrodenschicht voraus, da der Laserstrahl für die Trennlinie in der Frontelektrodenschicht auf die Frontelektrodenschicht erst auftreffen kann, wenn die Trennlinie in der Rückelektrodenschicht und der Halbleiterschicht gebildet worden ist.
  • Die Trennlinie im Randbereich der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht und die Trennlinie im Randbereich der Frontelektrodenschicht werden in Bewegungsrichtung des Moduls zu der Lasereinheit durch hintereinander angeordnete, einander überlappende Laserbrennflecken gebildet.
  • Die Ablation der Rückelektrodenschicht erfolgt dadurch, dass die im Laserbrennfleck liegende Halbleiterschicht verdampft und damit die darüberliegende Rückelektrodenschicht im Bereich des Brennflecks absprengt. Demgemäß dürfen sich die aneinandergereihten Laserbrennflecke auf der Rückelektrodenschicht nur in einem solchen Maß überlappen, dass der Energieeintrag in die Rückelektrodenschicht nicht zur Bildung von Löchern in der Rückelektrodenschicht führt, bevor das Halbleitermaterial auf Verdampfungstemperatur erwärmt wird, da sonst der Dampf über die Löcher entweicht, ohne die darüberliegende Rückelektrodenschicht vollständig abzusprengen.
  • Die Trennlinie im Randbereich der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht weist vorzugsweise eine größere Breite als die Breite der Trennlinie im Randbereich der Frontelektrodenschicht auf. So kann die Breite der Trennlinie im Randbereich der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht beispielsweise 80 bis 150 μm, vorzugsweise 100 bis 150 μm betragen, und die Breite der Trennlinie im Randbereich der Frontelektrodenschicht 20 bis 60 μm, vorzugsweise 30 bis 50 μm. Um einen entsprechend breiten Laserstrahl zu bilden, weist der Laser für die Trennlinie im Randbereich der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht eine Laseroptik auf, mit der der Laserstrahl aufgeweitet wird. Vorzugsweise ist die Lasereinheit ortsfest angeordnet, während das Modul gegenüber der Lasereinheit bewegt wird. Die Einrichtung zur Bewegung des Moduls kann beispielsweise durch einen Roboter gebildet werden. Dabei ist der Roboter vorzugsweise derart ausgebildet, dass er das Modul mit seinem gesamten Umfang in einer Richtung entlang der Lasereinheit bewegen kann. Jedoch kann auch die Lasereinheit bewegbar ausgebildet sein.
  • Nachstehend ist die Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung beispielsweise näher erläutert.
  • Darin zeigen jeweils schematisch:
  • 1 einen Schnitt durch einen Teil eines photovoltaischen Moduls mit dem Randbereich;
  • 2 die Laserstrahlen während der gleichzeitigen Randentschichtung und der Bildung des Isocut;
  • 3 eine Draufsicht auf die hintereinander gereihten, einander überlappenden Laserbrennflecke in der Halbleiter- und Rückelektrodenschicht und in der Frontelektrodenschicht;
  • 4 eine Draufsicht auf eine Lasereinheit; und
  • 5 eine Draufsicht auf eine Einrichtung zur Bewegung des Moduls gegenüber der Lasereinheit nach 4.
  • Gemäß 1 weist das photovoltaische Dünnschichtmodul 1 ein transparentes Substrat 2, z. B. eine Glasscheibe, auf, auf der drei Funktionsschichten, nämlich eine Frontelektrodenschicht 3, eine Halbleiterschicht 4, beispielsweise aus amorphen Silizium, und eine Rückelektrodenschicht 5 aufeinander abgeschieden sind.
  • Das Modul besteht aus einzelnen streifenförmigen Zellen C1, C2, C3 usw. die durch Strukturlinien 6, 7, 8 serienverschaltet sind. Der erzeugte Strom kann durch Kontaktierung der beiden äußeren Zellen des Moduls, also der Zelle C1 und der nicht dargestellten Zelle auf der anderen Seite des Moduls 1 abgenommen werden.
  • Im Randbereich 10 des Moduls 1 sind die Funktionsschichten 3, 4, 5 komplett entfernt. Mit der Klebefolie 11, beispielsweise eine EVA- oder PVB-Folie oder einer anderen Schmelzklebefolie, ist auf die mit den Funktionsschichten 3, 4, 5 versehene Seite des Substrats 2 eine Rückseitenabdeckung 12, beispielsweise eine Glasscheibe oder eine Kunststofffolie auflaminiert. Damit wird das Substrat 2 im Randbereich 10 mit der Klebefolie 11 direkt mit der Rückseitenabdeckung 12 fest verbunden, wodurch die Funktionsschichten 3 bis 5 in dem Modul 1 verkapselt werden, sodass sie auch bei unterschiedlichen klimatischen Bedingungen, insbesondere bei Feuchtigkeit von der Umgebung mit einem hohen elektrischen Isolationswiderstand getrennt sind.
  • Zur Ablation der drei Funktionsschichten 3 bis 5 wird z. B. ein Nd:VO4-Festkörperlaser mit einer Grundwellenlänge von 1064 nm verwendet. Da sich beim Lasern des Randbereichs 10 die Außenkanten der Frontelektrodenschicht und der Rückelektrodenschicht stellenweise verbinden können, wird ein Isocut 13 durchgeführt, d. h. es wird eine Isolationstrennlinie 13 im Randbereich der Funktionsschichten 3 bis 5 zur Isolation zwischen der Frontelektrodenschicht 3 und der Rückelektrodenschicht 5 gelasert.
  • Gemäß 2 erfolgt dabei der Abtrag der Funktionsschichten 3 bis 5 im Randbereich 10 des Moduls 1 und die Bildung der Isolationstrennlinien 13 gemeinsam in einem Schritt mit drei Lasern 23, 24, 25 (4), die den Laserstrahl 14 zum Abtrag des Randbereichs des Moduls 1, also zur Randentschichtung, den Laserstrahl 15 zur Bildung der Trennlinie 18, 19 in der Halbleiterschicht 4 und der Rückelektrodenschicht 5 und den Laserstrahl 16 zur Bildung der Trennlinie 17 in der Frontelektrodenschicht 3 im Randbereich der drei Funktionsschichten 3 bis 5 emittieren.
  • Während der breite Laserstrahl 14 zur Randentschichtung mit einem Zwei-Achsen-Galvano-Laserscanner 36 (4) auf die Funktionsschichten 3 bis 5 fällt, erzeugen der Laserstrahl 15 zur Bildung der Trennlinien 18 und 19 in der Halbleiterschicht 4 und der Rückelektrodenschicht 5 und der Laserstrahl 16 zur Bildung der Trennlinie 17 in der Frontelektrodenschicht 3 hintereinander angeordnete einander überlappende runde Brennflecke 21, 22, wie aus 3 ersichtlich, wobei die Brennflecke 21 zur Bildung der Trennlinien 18, 19 im Randbereich der Halbleiterschicht 4 bzw. der Rückelektrodenschicht 5 einen größeren Durchmesser als die Brennflecke 21 zur Bildung der Trennlinie 17 in der Frontelektrodenschicht 3 aufweisen. Dabei wird nicht nur die Trennlinie 17 in der Frontelektrodenschicht 3 sondern auch die Trennlinie 18, 19 in der Halbleiterschicht 4 und der Rückelektrodenschicht 5 durch eine einzige Spur hintereinander angeordneter Brennflecke 21, 22 gebildet.
  • Gemäß 4 sind die Laser 23, 24 und 25, die die Laserstrahlen 14, 15 bzw. 16 erzeugen, zusammen mit der nicht dargestellten Fokussieroptik und den Lagern, in denen der Zwei-Achsen-Galvano-Laserscanner 36 drehbar gelagert ist, in einer einzigen Lasereinheit 26 mechanisch fest miteinander verbunden. Dabei werden mit dem Zwei-Achsen-Galvano-Laserscanner 36 des Lasers 23 aneinander gereihte rechteckige aneinander anschließende Felder 27 erzeugt, während die Laserstahlen 16 und 15 der Laser 24, 25 die runde Brennflecke 21, 22 erzeugen.
  • Während die Lasereinheit 26 ortsfest angeordnet ist, wird das Modul 1 in Richtung des Pfeiles 18 bewegt. Dabei ist die Fokussieroptik für den Laserstrahl 15 so ausgerichtet, dass er in Bewegungsrichtung 28 dem Laserstrahl 16 vorauseilt (3). D. h. in der Einheit 26 ist die Fokussieroptik für den Laserstrahl 15 in Bewegungsrichtung 28 vor der Fokussieroptik für den Laserstrahl 16 angeordnet.
  • Gemäß 5 wird das Modul 1 gegenüber der ortsfesten Lasereinheit 26 mit dem Arm 29 eines nicht dargestellten Roboters, der beispielsweise mit einem Sauger 31 an dem Substrat 2 von oben angreift, in Richtung der Pfeile 32 bis 35, also so bewegt, dass das Modul 1 mit seinem gesamten Umfang in einer Richtung derart bewegt wird, dass der Laserstrahl 15 zur Bildung der Trennlinien 18, 19 in der Halbleiterschicht 4 und der Rückelektrodenschicht 5 in der Bewegungsrichtung 32 bis 35 des Moduls 1 stets vor dem Laserstrahl 16 zur Bildung der Trennline 17 in der Frontelektrodenschicht 3 angeordnet ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 202008005970 U1 [0003]
    • - DE 202008006110 U1 [0003]

Claims (19)

  1. Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls (1) mit einem Substrat (2), auf dem als Funktionsschichten eine transparente Frontelektrodenschicht (3), eine Halbleiterschicht (4) und eine Rückelektrodenschicht (5) abgeschieden sind, die zur Bildung serienverschalteter Zellen (C1, C2, C3) mit Zelltrennlinien (6, 7, 8) versehen sind, wobei in dem Randbereich (10) des Moduls (1) ein Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) mit einem Laser (23) durchgeführt wird und in dem Randbereich der Funktionsschichten (3 bis 5) eine Isolationstrennlinie (13) in die Funktionsschichten (3 bis 5) zur Isolation zwischen der Frontelektrodenschicht (3) und der Rückelektrodenschicht (5) mit einem Laser (24) zur Bildung einer Trennlinie (17) in der Frontelektrodenschicht (3) und mit einem Laser (25) zur Bildung einer Trennlinie (18, 19) in der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) im Randbereich (10) des Moduls (1) und die Bildung der Isolationstrennlinie (13) gemeinsam in einem Schritt durchgeführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Neodym oder Ytterbium dotierter Festkörperlaser (23, 24) mit einer Wellenlänge im Infrarot-Bereich zum Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) im Randbereich (10) des Moduls (1) und/oder zur Bildung der Trennlinie (17) in dem Randbereich der Frontelektrodenschicht (13) verwendet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung der Trennlinie (17) in dem Randbereich der Frontelektrodenschicht (3) ein Neodym oder Ytterbium dotierter Festkörperlaser (24) mit verdreifachter Frequenz verwendet wird.
  4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung der Trennlinie (18, 19) in dem Randbereich der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) ein Neodym oder Ytterbium dotierter Festkörperlaser (25) mit verdoppelter Frequenz verwendet wird.
  5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zum Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) im Randbereich (10) des Moduls und/oder zur Bildung der Trennlinie (17; 18, 19) in dem Randbereich der Frontelektrodenschicht (3) und/oder in dem Randbereich der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) ein gepulster Laser (23, 24, 25) verwendet wird.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) im Randbereich (10) des Moduls (1) mit einem Zwei-Achsen-Galvano-Laserscanner (36) durchgeführt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein transparentes Substrat (2) verwendet wird und die Laserstrahlen (14 bis 16) für den Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) im Randbereich (10) des Moduls (1) und zur Bildung der Isolationstrennlinie (13) in den Funktionsschichten (3 bis 5) durch das Substrat (2) in die Funktionsschichten (3 bis 5) fokussiert werden.
  8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Bildung der Isolationstrennlinie (13) im Randbereich der Funktionsschichten (3 bis 5) der Laserstrahl (15) des Lasers (25) zur Bildung der Trennlinie (18, 19) in der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) dem Laserstrahl (16) des Lasers (24) zur Bildung der Trennlinie (17) in der Frontelektrodenschicht (3) vorauseilt.
  9. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennlinie (18, 19) im Randbereich der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) durch hintereinander gereihte, einander überlappende Laserbrennflecke (21) gebildet wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Überlappung der Laserbrennflecke (21) in der Rückelektrodenschicht (5) derart durchgeführt wird, dass in der Trennlinie (19) in der Rückelektrodenschicht (5) keine Löcher gebildet werden, durch die das durch die Einwirkung des Laserstrahls (15) verdampfte Halbleitermaterial der Halbleiterschicht (4) entweicht.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennlinie (17, 18) in der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) durch eine einzige Spur aneinander gereihter, einander überlappender Laserbrennflecke (22) gebildet wird.
  12. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennlinie (18, 19) im Randbereich der Halbleiterschicht (4) der Rückelektrodenschicht (5) eine größere Breite als die Breite der Trennlinie (179) im Randbereich der Frontelektrodenschicht (3) aufweist.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der Trennlinien (18, 19) im Randbereich der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) 80 bis 150 μm und die Breite der Trennlinie (17) im Randbereich der Frontelektrodenschicht (3) 20 bis 60 μm beträgt.
  14. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Laser (23 bis 25) einschließlich ihrer Optik zum Abtragen der Funktionsschichten (3 bis 5) in dem Randbereich (10) des Moduls (1) und zur Bildung der Isolationstrennschicht (13) im Randbereich der Funktionsschichten (3 bis 5) in einer Lasereinheit (26) fest miteinander verbunden sind.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Lasereinheit (26) zum Abtrag der Funktionsschichten (3 bis 5) im Randbereich (10) des Moduls (1) einen Zwei-Achsen-Galvano-Laserscanner (36) aufweist.
  16. Vorrichtung nach Ansprüche (14 oder 15), dadurch gekennzeichnet, dass der Laser (25) zur Bildung der Trennlinien (18, 19) im Randbereich der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) eine Laseroptik aufweist, mit der der auf die Halbleiterschicht (4) und die Rückelektrodenschicht (5) fokussierte Laserstrahl (15) aufgeweitet wird.
  17. Vorrichtung nacheinander Ansprüche 14 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass der durch die Laseroptik des Lasers (25) zur Bildung der Trennlinien (18, 19) im Randbereich der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) erzeugte Laserstrahl (15) bei Bewegung der Lasereinheit (26) relativ zum Modul (1) in Bewegungsrichtung (28) vor dem Laserstrahl (16) angeordnet ist, der durch die Laseroptik des Lasers (24) für die Trennlinie (17) im Randbereich der Frontelektrodenschicht (3) gebildet wird.
  18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Lasereinheit (26) ortsfest angeordnet und eine Einrichtung zur Bewegung des Moduls (1) vorgesehen ist.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Bewegung des Moduls (1) derart ausgebildet ist, dass das Modul (1) mit seinem gesamten Umfang entlang der Lasereinheit (26) in einer Richtung derart bewegbar ist, dass der Laserstrahl (15) zur Bildung der Trennlinie (18, 19) im Randbereich der Halbleiterschicht (4) und der Rückelektrodenschicht (5) in der Bewegungsrichtung (32 bis 35) des Moduls (1) stets vor dem Laserstrahl (16) zur Bildung der Trennlinie (3) angeordnet ist.
DE102009021273A 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls Withdrawn DE102009021273A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009021273A DE102009021273A1 (de) 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls
JP2012510165A JP2012527102A (ja) 2009-05-14 2010-05-12 太陽電池薄膜モジュールを製造するための方法及び装置
PCT/EP2010/002933 WO2010130439A2 (de) 2009-05-14 2010-05-12 Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines photovoltaischen dünnschichtmoduls
US13/320,435 US20120164782A1 (en) 2009-05-14 2010-05-12 Method and device for producing a photovoltaic thin-film module
CN2010800213794A CN102422420A (zh) 2009-05-14 2010-05-12 用于生产光伏薄膜模块的方法和装置
EP10722601A EP2430658A2 (de) 2009-05-14 2010-05-12 Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines photovoltaischen dünnschichtmoduls

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009021273A DE102009021273A1 (de) 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102009021273A1 true DE102009021273A1 (de) 2010-11-18

Family

ID=42979128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009021273A Withdrawn DE102009021273A1 (de) 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120164782A1 (de)
EP (1) EP2430658A2 (de)
JP (1) JP2012527102A (de)
CN (1) CN102422420A (de)
DE (1) DE102009021273A1 (de)
WO (1) WO2010130439A2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011075328A1 (de) * 2011-05-05 2012-11-08 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Vorrichtung und Verfahren zum Randentschichten und Kerben beschichteter Substrate
WO2012163351A1 (de) * 2011-06-03 2012-12-06 Solarion Ag Selektives abtragen dünner schichten mittels gepulster laserbestrahlung zur dünnschichtstrukturierung
DE102015121141A1 (de) * 2015-12-04 2017-06-08 Solibro Hi-Tech Gmbh Dünnschichtsolarmodul

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120015471A1 (en) * 2010-07-14 2012-01-19 Applied Materials, Inc. Multiple-path laser edge delete process for thin-film solar modules
CN102237441B (zh) * 2010-12-22 2013-04-17 保定天威集团有限公司 应用振镜激光设备实现太阳能薄膜电池组件的透光方法
CN102237442B (zh) * 2010-12-22 2013-06-05 保定天威集团有限公司 应用激光扫边机制作薄膜太阳能电池id的方法
KR101581524B1 (ko) * 2011-06-28 2015-12-30 쌩-고벵 글래스 프랑스 박막 태양광 모듈의 공칭 출력의 신속 안정화 방법
CN102437205A (zh) * 2011-12-08 2012-05-02 常州天合光能有限公司 具有透明前电极的太阳能电池及其组件
MA37476B1 (fr) * 2012-05-03 2017-11-30 Nexcis Gravure par laser d'un empilement de couches minces pour une connexion de cellule photovoltaïque
CN103413857B (zh) * 2013-05-17 2015-10-28 南昌大学 晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法
CN104269449B (zh) * 2014-10-20 2017-02-01 上海空间电源研究所 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
JP2017117870A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 ソーラーフロンティア株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1005096A2 (de) * 1998-11-12 2000-05-31 Kaneka Corporation Solarzellenmodul
US6455347B1 (en) * 1999-06-14 2002-09-24 Kaneka Corporation Method of fabricating thin-film photovoltaic module
US20030044539A1 (en) * 2001-02-06 2003-03-06 Oswald Robert S. Process for producing photovoltaic devices
DE202008005970U1 (de) 2008-04-30 2008-07-24 4Jet Sales + Service Gmbh Robotergeführte Kantenisolation bei Dünnschicht-Solarzellen
DE102007015767A1 (de) * 2007-03-30 2008-10-02 Oerlikon Optics UK Ltd., Yarnton Methode zum Laserritzen von Solarzellen
DE202008006110U1 (de) 2008-05-03 2008-10-16 4Jet Sales + Service Gmbh Vorrichtung zur Randentschichtung bei großflächigen Solarzellen

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6189636A (ja) * 1984-10-08 1986-05-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
JPS6397391A (ja) * 1986-10-13 1988-04-28 Ohbayashigumi Ltd レ−ザ−ビ−ムによるコンクリ−ト溶断方法
US6324195B1 (en) * 1999-01-13 2001-11-27 Kaneka Corporation Laser processing of a thin film
JP2001068704A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光電変換装置の製造方法
JP2001111079A (ja) * 1999-10-13 2001-04-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光電変換装置の製造方法
NL1013900C2 (nl) * 1999-12-21 2001-06-25 Akzo Nobel Nv Werkwijze voor de vervaardiging van een zonnecelfolie met in serie geschakelde zonnecellen.
JP4022038B2 (ja) * 2000-06-28 2007-12-12 三菱重工業株式会社 薄膜太陽電池パネルの製造方法及び製造装置
JP2002261314A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜光電変換モジュールの製造方法
TWI264121B (en) * 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
JP4324340B2 (ja) * 2002-03-20 2009-09-02 株式会社安川電機 レーザ加工装置
KR20030095313A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 레이저 어닐링장치 및 레이저 박막형성장치
US20080105303A1 (en) * 2003-01-03 2008-05-08 Bp Corporation North America Inc. Method and Manufacturing Thin Film Photovoltaic Modules
US8383982B2 (en) * 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US20090102502A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Michel Ranjit Frei Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices
CN101999166A (zh) * 2008-04-11 2011-03-30 应用材料股份有限公司 用于激光刻划、熔接或任何构图系统的动态刻划对准

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1005096A2 (de) * 1998-11-12 2000-05-31 Kaneka Corporation Solarzellenmodul
US6455347B1 (en) * 1999-06-14 2002-09-24 Kaneka Corporation Method of fabricating thin-film photovoltaic module
US20030044539A1 (en) * 2001-02-06 2003-03-06 Oswald Robert S. Process for producing photovoltaic devices
DE102007015767A1 (de) * 2007-03-30 2008-10-02 Oerlikon Optics UK Ltd., Yarnton Methode zum Laserritzen von Solarzellen
DE202008005970U1 (de) 2008-04-30 2008-07-24 4Jet Sales + Service Gmbh Robotergeführte Kantenisolation bei Dünnschicht-Solarzellen
DE202008006110U1 (de) 2008-05-03 2008-10-16 4Jet Sales + Service Gmbh Vorrichtung zur Randentschichtung bei großflächigen Solarzellen

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011075328A1 (de) * 2011-05-05 2012-11-08 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Vorrichtung und Verfahren zum Randentschichten und Kerben beschichteter Substrate
WO2012163351A1 (de) * 2011-06-03 2012-12-06 Solarion Ag Selektives abtragen dünner schichten mittels gepulster laserbestrahlung zur dünnschichtstrukturierung
DE102015121141A1 (de) * 2015-12-04 2017-06-08 Solibro Hi-Tech Gmbh Dünnschichtsolarmodul
DE102015121141B4 (de) 2015-12-04 2020-06-04 Solibro Hi-Tech Gmbh Dünnschichtsolarmodul

Also Published As

Publication number Publication date
CN102422420A (zh) 2012-04-18
WO2010130439A3 (de) 2011-08-11
JP2012527102A (ja) 2012-11-01
US20120164782A1 (en) 2012-06-28
EP2430658A2 (de) 2012-03-21
WO2010130439A2 (de) 2010-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009021273A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls
DE102012103243B4 (de) Verfahren zur zeitlichen Veränderung der Laserintensität während des Ritzens einer Photovoltaikvorrichtung
DE3121350A1 (de) "verfahren zum herstellen einer sonnenbatterie"
EP2083445A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls
EP2507834B1 (de) Verfahren zum zumindest bereichsweisen entfernen einer schicht eines schichtenstapels
DE102011104159A1 (de) Verfahren zum elektrischen verbinden mehrerer solarzellen und photovoltaikmodul
EP1930948A1 (de) Elektrodenanordnung für ein Photovoltaisches Modul in Reihenschaltung
DE102007052972A1 (de) Verfahren und Mittel zum Verbinden dünner Metallschichten
DE102008051469A1 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Dünnschicht-Solarzellen und Dünnschicht-Solarmodul
EP2104148A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls mit einem Infrarot-laser
DE3712589C2 (de)
WO2015027997A1 (de) Verfahren zur laser-strukturierung von dünnschichten auf einem substrat für die herstellung monolithisch verschalteter dünnschichtsolarzellen und herstellungsverfahren für ein dünnschichtsolarmodul
DE102011103481B4 (de) Selektives Abtragen dünner Schichten mittels gepulster Laserstrahlung zur Dünnschichtstrukturierung
EP2058870A2 (de) Kontaktierung und Modulverschaltung von Dünnschichtsolarzellen auf polymeren Trägern
EP1927139B1 (de) Verfahren zur bearbeitung von solarzellen mit lasergeschriebenen grabenkontakten
DE202010017906U1 (de) Solarzelle und Solarmodul
DE102010005970A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls
DE102014110262A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenkontaktsystems für eine Silizium-Dünnschicht-Solarzelle
EP2254163A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls
DE102009055031A1 (de) Solarzelle, diese Solarzelle umfassendes Solarmodul, Verfahren zu deren Herstellung und zur Herstellung einer Kontaktfolie
EP3039725A1 (de) Verfahren zur herstellung von sub-solarmodulen durch elektrisch isolierende isoliergräben in einem dünnschichtsolarmodul und verfahren zur herstellung eines dünnschichtsolarmoduls mit derartigen isoliergräben
EP2105241A2 (de) Verfahren zur Strukturierung der Zinkoxid-Frontelektrodenschicht eines photovoltaischen Moduls
DE102012017483A1 (de) Verfahren zur Laserstrukturierung von dünnen Schichtsystemen
DE102009039750A1 (de) Photovoltaisches Modul
EP2081235A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20131203