CN104269449B - 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 - Google Patents
一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104269449B CN104269449B CN201410556974.8A CN201410556974A CN104269449B CN 104269449 B CN104269449 B CN 104269449B CN 201410556974 A CN201410556974 A CN 201410556974A CN 104269449 B CN104269449 B CN 104269449B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shielding wire
- solar cell
- silicon
- thin film
- film solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims description 9
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013084 building-integrated photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法，该硅基薄膜太阳电池包含：绝缘衬底以及由绝缘衬底向上依次设置的背面电极、有源层和正面电极。硅基薄膜太阳电池上设有若干隔离线，将其划分为若干子电池；每条隔离线使其两侧的子电池的背面电极之间电绝缘，正面电极之间也电绝缘，每个子电池各自的背面电极和正面电极之间电绝缘。本发明还提供硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，将激光刻蚀与机械刻蚀相结合。本发明提供的硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法，工艺方案可靠经济，能够避免子电池在隔离线边缘处短路。有利于提高大面积薄膜太阳电池组件工艺的可靠性，推动产业化进程。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳电池及用于其子电池隔离线刻蚀方法，具体地，涉及一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法。
背景技术
近年来，随着全球不可再生能源的急剧减少，作为清洁可再生能源的太阳电池备受关注。在降低成本方面，硅基薄膜太阳电池极具优势：其有源层材料可沉积在玻璃、聚酰亚胺、不锈钢片等廉价衬底上，且有源层厚度仅为数百纳米，显著地减少了生产成本。柔性非晶硅薄膜太阳电池的柔性衬底带来的可卷曲、质量轻、便于携带等优点使得其可以广泛应用于光伏建筑一体化（BIPV）、平流层飞艇及无人机、单兵电源等方面，应用前景广阔。
由于单片电池的开路电压较低，通常需要将较大面积的薄膜太阳电池分隔成若干相互独立的子电池进行串联以增大开路电压。通常采用机械刻划、激光刻划加工此步工艺。但在实际生产过程中，分别使用这两种方法进行加工的效果均不理想。这是由于薄膜太阳电池的有源层极薄（数百纳米），机械刻划线的刻线边缘会有正电极和/或背面电极的涂抹（smearing），导致正面电极和背面电极直接连接，造成电池短路，这会大大降低太阳电池的性能。激光刻划则引起非晶态有源层材料晶化，晶化后的有源层材料导电性能良好，也会造成正面电极和背面电极的连接，引发电池短路。
发明内容
本发明的目的是提供一种高可靠性硅基薄膜太阳电池，以及用于该高可靠性硅基薄膜太阳电池子电池的隔离线刻蚀方法，将较大面积的硅基薄膜太阳电池分隔成若干子电池，并避免子电池在隔离线边缘处短路，且工艺方案可靠经济。
为了达到上述目的，本发明提供了一种硅基薄膜太阳电池，其中，该硅基薄膜太阳电池包含绝缘衬底，以及由所述绝缘衬底向上依次设置的背面电极、有源层和正面电极；所述的硅基薄膜太阳电池上设有若干隔离线；所述的隔离线将硅基薄膜太阳电池划分为若干子电池；每条隔离线使其两侧的子电池的背面电极之间电绝缘，该两个子电池的正面电极之间也电绝缘，每个子电池各自的背面电极和正面电极之间电绝缘；所述的隔离线为台阶状结构，其截面呈倒置的“凸”字形，隔离线的台阶状结构中位于水平台阶面之上的第一层的宽度大于水平台阶面之下的第二层的宽度。
上述的硅基薄膜太阳电池，其中，所述的隔离线的底部为绝缘衬底，即隔离线的深度达到绝缘衬底处。
上述的硅基薄膜太阳电池，其中，所述的隔离线，其台阶状结构中间的水平台阶面位于背面电极和正面电极之间的有源层处。
上述的硅基薄膜太阳电池，其中，所述的隔离线，其台阶状结构中的位于水平台阶面之上的第一层通过激光刻线完成，水平台阶面之下的第二层通过机械刻线完成。
上述的硅基薄膜太阳电池，其中，所述的隔离线，其中因激光刻线造成的水平台阶面之下的晶化区域不接触背面电极。
本发明还提供了一种上述的硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，其中，所述的方法包含：步骤1，制备包含绝缘衬底，以及由所述绝缘衬底向上依次设置的背面电极、有源层和正面电极的硅基薄膜太阳电池；步骤2，激光刻划正面电极，形成隔离线第一层，使正面电极从隔离线两侧分开成两部分；隔离线第一层深度能够到达有源层，测试隔离线第一层最低处的有源层因激光刻划造成的晶化区域的深度，保证晶化区域未接触到背面电极；步骤3，在激光刻划形成的隔离线第一层的内侧，机械刻划去除晶化层及其下方的未晶化的有源层和背面电极，形成隔离线第二层，隔离线第二层的底部到达绝缘衬底处；机械刻划最宽处的宽度小于激光刻划最窄处的宽度；步骤4，去除隔离线内的残留物；优选地使用吸气装置或氮气枪将隔离线内的残留物去除；步骤5，使用绝缘物质填充隔离线，优选地使用直径为0.4mm~0.6mm的注射器将绝缘物质（如道康宁1-2577）填充到隔离线中，并放置于氮气柜内约24h使绝缘物质固化；步骤6，对子电池进行开路电压的测量，以调整刻蚀参数，子电池的开路电压能够达到不小于刻线前硅基薄膜太阳电池的80%。子电池开路电压的测量在具有稳定光谱的太阳模拟器下进行，选用AM0光谱与AM1.5光谱均可进行测试。当各子电池平均开路电压小于同批次未刻线太阳电池平均开路电压的80%时，适当减小刻蚀激光功率参数，使子电池开路电压不小于刻线前的80%。
上述的硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，其中，所述的步骤2采用共焦拉曼光谱仪测试隔离线第一层最低处的有源层因激光刻划造成的晶化区域的深度。
上述的硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，其中，所述的步骤3中，机械刻线形成的隔离线第二层的侧壁边缘与激光刻线形成的隔离线第一层的内侧边缘不接触。
上述的硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，其中，一般可以使用卷对卷激光划线工艺与卷对卷机械划线工艺将大面积柔性单体电池分隔成长条状子电池。
本发明提供的硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法具有以下优点：
本发明提供了高可靠性的硅基薄膜太阳电池，以及用于该高可靠性硅基薄膜太阳电池子电池的隔离线刻蚀方法。该工艺方案可靠经济，将激光刻蚀与机械刻蚀相结合，能够避免子电池在隔离线边缘处短路。有利于提高大面积薄膜太阳电池组件工艺的可靠性，推动产业化进程。
刻蚀子电池隔离线是制备特定结构的大面积薄膜太阳电池集成组件的重要工艺步骤，隔离线的作用是将大面积薄膜太阳电池分隔成若干相互独立的子电池单元。本发明中的隔离线具有台阶状结构，因此避免了正电极和/或背面电极的涂抹（smearing）导致子电池的正面电极和背面电极直接连接。隔离线采用激光划线机械划线相结合的加工工艺，避免了激光晶化区域将子电池的正面电极和背面电极连接造成电池短路。
附图说明
图1为本发明的硅基薄膜太阳电池的平面示意图。
图2为本发明的硅基薄膜太阳电池在隔离线刻划完成后的横截面示意图。
图3为本发明的硅基薄膜太阳电池在隔离线刻划第一步即激光划线工艺完成后的横截面示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式作进一步地说明。
本发明提供的硅基薄膜太阳电池5，包含：绝缘衬底1，以及由绝缘衬底1向上依次设置的背面电极2、有源层3和正面电极4。
如图1所示，硅基薄膜太阳电池5上设有若干隔离线6；隔离线6将硅基薄膜太阳电池5划分为若干子电池；每条隔离线6使其两侧的子电池的背面电极2之间电绝缘，该两个子电池的正面电极4之间也电绝缘，每个子电池各自的背面电极2和正面电极4之间电绝缘。
隔离线6为台阶状结构，其截面呈倒置的“凸”字形。隔离线6的底部为绝缘衬底1，即隔离线6的深度达到绝缘衬底处。隔离线6其台阶状结构中间的水平台阶面13位于背面电极2和正面电极4之间的有源层3处。隔离线6的台阶状结构中位于水平台阶面13之上的第一层10的宽度大于水平台阶面之下的第二层14的宽度。隔离线6的第一层10通过激光刻线完成，隔离线6的第二层14通过机械刻线完成。其中因激光刻线造成的水平台阶面13之下的晶化区域9不接触背面电极2。
参见图2，其中显示沿着与纵轴垂直方向的本发明的硅基薄膜太阳电池5在隔离线刻划完成后的横截面，该硅基薄膜太阳电池5具有台阶状的隔离线6，该隔离线6将硅基薄膜太阳电池5分隔成两个子电池7、8。
本发明还提供硅基薄膜太阳电池5的子电池的隔离线刻蚀方法，其包含：
步骤1，制备包含绝缘衬底1，以及由绝缘衬底1向上依次设置的背面电极2、有源层3和正面电极4的硅基薄膜太阳电池5。
步骤2，激光刻划正面电极4，形成隔离线6第一层10，使正面电极4从隔离线6两侧分开成两部分；隔离线6第一层10深度能够到达有源层3，采用共焦拉曼光谱仪测试隔离线6第一层10最低处的有源层3因激光刻划造成的晶化区域9的深度，保证晶化区域9未接触到背面电极2。
参见图3，其中显示沿着与纵轴垂直方向的本发明的硅基薄膜太阳电池5的在隔离线6刻划的第一步工艺，即隔离线刻蚀方法步骤2，也即激光划线工艺完成后的横截面，激光刻线将硅基薄膜太阳电池5的正面电极4分成两个部分11、12，且晶化区域9没有触及背面电极2。
步骤3，在激光刻划形成的隔离线6第一层10的内侧，机械刻划去除晶化层9及其下方的未晶化的有源层3和背面电极4，形成隔离线6第二层14，隔离线6第二层14的底部到达绝缘衬底1处；机械刻划最宽处的宽度小于激光刻划最窄处的宽度。机械刻线形成的隔离线6第二层14的侧壁边缘与激光刻线形成的隔离线6第一层10的内侧边缘不接触。
步骤4，去除隔离线6内的残留物；优选地使用吸气装置或氮气枪将隔离线内的残留物去除。
步骤5，使用绝缘物质填充隔离线6，优选地使用直径为0.4mm~0.6mm的注射器将绝缘物质，如道康宁1-2577（市售），填充到隔离线中，并放置于氮气柜内约24h使绝缘物质固化。
步骤6，对子电池进行开路电压的测量，以调整刻蚀参数，子电池的开路电压能够达到不小于刻线前硅基薄膜太阳电池5的80%。子电池开路电压的测量在具有稳定光谱的太阳模拟器下进行，AM0光谱与AM1.5光谱均可进行测试。大气圈外的太阳光谱定义为AM0，当太阳光照射到地球表面时，由于大气层与地表景物的散射与折射的因素，会多增加百分之二十的太阳光入射量， 抵达地表上所使用的太阳电池表面，因此针对地表上的太阳光谱为AM1.5。当各子电池平均开路电压小于同批次未刻线硅基薄膜太阳电池5平均开路电压的80%时，适当减小刻蚀激光功率参数，使子电池开路电压不小于刻线前的80%。
一般可以使用卷对卷激光划线工艺与卷对卷机械划线工艺将大面积柔性单体电池分隔成长条状子电池。
实施例1
制备硅基薄膜太阳能电池5，其包含绝缘衬底1、直接设置在衬底顶部上的背面电极2、有源层3和正面电极4。
采用λ=1064nm，功率为0.3-1W的激光刻蚀正面电极4，将正面电极4分成两个部分11、12，激光刻线形成的隔离线6第一层10的最窄处宽度为80μm。采用共焦拉曼光谱仪测试隔离线6第一层10中心有源层晶化深度，须保证晶化区域9未接触到背面电极2。
在激光刻线形成的隔离线6第一层10内机械刻划，去除晶化非晶硅层即晶化区域9，及其下方的非晶硅有源层3和背面电极4，机械刻线形成的隔离线6第二层14最宽处宽度为40μm；
使用吸气装置或氮气枪将隔离线6内的残留物去除。
使用直径为0.5mm的注射器将绝缘物道康宁1-2577（市售）填充到隔离线6中，并放置于氮气柜内约24h使绝缘物质固化。
在稳定光源的太阳模拟器下测量各子电池的开路电压并记录。取同一批次未刻线硅基薄膜太阳电池5样品5个，在同一模拟器下测试开路电压并记录，如表1所示。
表1：同批次硅基薄膜太阳电池样品开路电压表示例。
当子电池平均开路电压小于同批次未刻线硅基薄膜太阳电池5平均开路电压的80%时，将激光功率参数减小0.1W，重新取硅基薄膜太阳电池样品刻蚀子电池隔离线，并将子电池平均开路电压与同批次未刻线样品平均开路电压比较。若其仍小于未刻线样品平均开路电压的80%，则重复这一步骤直至子电池开路电压不小于未刻线样品开路电压的80%。
刻蚀子电池隔离线6是制备特定结构的大面积薄膜太阳电池集成组件的重要工艺步骤，隔离线6的作用是将大面积薄膜太阳电池分隔成若干相互独立的子电池单元。本发明提供的硅基薄膜太阳电池5及其子电池的隔离线6刻蚀方法，采用激光刻蚀与机械刻蚀相结合，避免了由于正面电极4与背面电极2的“涂抹”在刻线边缘及有源层3晶化造成的子电池短路问题，同时保证了子电池间绝缘、子电池的正面电极4和背面电极2绝缘的刻蚀效果，是一种十分经济可靠的方法。有利于提高大面积薄膜太阳电池组件工艺的可靠性，推动产业化进程。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (3)
1.一种硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，其特征在于，所述的方法包含：
步骤1，制备包含绝缘衬底（1），以及由所述绝缘衬底（1）向上依次设置的背面电极（2）、有源层（3）和正面电极（4）的硅基薄膜太阳电池（5）；
步骤2，激光刻划正面电极（4），形成隔离线（6）第一层（10），使正面电极（4）从隔离线（6）两侧分开成两部分；隔离线（6）第一层（10）深度到达有源层（3），测试隔离线（6）第一层（10）最低处的有源层（3）因激光刻划造成的晶化区域（9）的深度，保证晶化区域（9）未接触到背面电极（2）；
步骤3，在激光刻划形成的隔离线（6）第一层（10）的内侧，机械刻划去除晶化区域（9）及其下方的未晶化的有源层（3）和背面电极（2），形成隔离线（6）第二层（14），隔离线（6）第二层（14）的底部到达绝缘衬底（1）处；机械刻划最宽处的宽度小于激光刻划最窄处的宽度；
步骤4，去除隔离线（6）内的残留物；
步骤5，使用绝缘物质填充隔离线（6）；
步骤6，对子电池进行开路电压的测量，子电池的开路电压达到不小于刻划前硅基薄膜太阳电池（5）的80%。
2.如权利要求1所述的硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤2采用共焦拉曼光谱仪测试隔离线（6）第一层（10）最低处的有源层（3）因激光刻划造成的晶化区域（9）的深度。
3.如权利要求1所述的硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤3中，机械刻划形成的隔离线（6）第二层（14）的侧壁边缘与激光刻划形成的隔离线（6）第一层（10）的内侧边缘不接触。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410556974.8A CN104269449B (zh) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410556974.8A CN104269449B (zh) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104269449A CN104269449A (zh) | 2015-01-07 |
| CN104269449B true CN104269449B (zh) | 2017-02-01 |
Family
ID=52160956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410556974.8A Active CN104269449B (zh) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104269449B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108767066B (zh) * | 2018-06-04 | 2020-06-12 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 薄膜太阳能电池制备方法及其边缘隔离方法 |
| CN114447139B (zh) * | 2020-10-19 | 2024-04-16 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池片及其划片方法、光伏组件 |
| CN115172515B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-11-28 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101438207A (zh) * | 2006-03-31 | 2009-05-20 | 应用材料股份有限公司 | 利用蚀刻与沉积工艺制造改进式薄膜型太阳能电池互连的方法 |
| CN201360009Y (zh) * | 2009-01-21 | 2009-12-09 | 李毅 | 一种非晶硅太阳能电池 |
| CN101771102A (zh) * | 2008-12-30 | 2010-07-07 | 武汉楚天激光（集团）股份有限公司 | 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法 |
| CN102144300A (zh) * | 2008-09-22 | 2011-08-03 | 株式会社爱发科 | 太阳能电池的制造方法 |
| CN102422420A (zh) * | 2009-05-14 | 2012-04-18 | 肖特太阳能股份公司 | 用于生产光伏薄膜模块的方法和装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102054887A (zh) * | 2009-11-02 | 2011-05-11 | 杜邦太阳能有限公司 | 薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| NL2004310C2 (en) * | 2010-02-26 | 2011-08-30 | Stichting Energie | Method of fabrication of a back-contacted photovoltaic cell, and back-contacted photovoltaic cell made by such a method. |
| CN102082198B (zh) * | 2010-09-30 | 2012-11-21 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 一种高功率低电压硅基薄膜太阳能电池及其制造方法 |
-
2014
- 2014-10-20 CN CN201410556974.8A patent/CN104269449B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101438207A (zh) * | 2006-03-31 | 2009-05-20 | 应用材料股份有限公司 | 利用蚀刻与沉积工艺制造改进式薄膜型太阳能电池互连的方法 |
| CN102144300A (zh) * | 2008-09-22 | 2011-08-03 | 株式会社爱发科 | 太阳能电池的制造方法 |
| CN101771102A (zh) * | 2008-12-30 | 2010-07-07 | 武汉楚天激光（集团）股份有限公司 | 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法 |
| CN201360009Y (zh) * | 2009-01-21 | 2009-12-09 | 李毅 | 一种非晶硅太阳能电池 |
| CN102422420A (zh) * | 2009-05-14 | 2012-04-18 | 肖特太阳能股份公司 | 用于生产光伏薄膜模块的方法和装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104269449A (zh) | 2015-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Boccard et al. | Influence of the subcell properties on the fill factor of two-terminal perovskite–silicon tandem solar cells | |
| Sadewasser et al. | Materials efficient deposition and heat management of CuInSe2 micro-concentrator solar cells | |
| Engelhart et al. | R&D pilot line production of multi-crystalline Si solar cells exceeding cell efficiencies of 18% | |
| JP5611159B2 (ja) | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
| CN104269449B (zh) | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 | |
| Baliozian et al. | Bifacial p‐Type Silicon Shingle Solar Cells− the “pSPEER” Concept | |
| CN104900761A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池生产工艺 | |
| CN108963082A (zh) | 一种埋栅型钙钛矿模组及其制备方法 | |
| Granek et al. | Back-contact back-junction silicon solar cells under UV illumination | |
| Gress et al. | Wire bonding as a cell interconnection technique for polycrystalline silicon thin‐film solar cells on glass | |
| Kobayashi et al. | Heterojunction solar cells with 23% efficiency on n‐type epitaxial kerfless silicon wafers | |
| CN203134813U (zh) | 一种柔性硅基薄膜太阳电池 | |
| Chen et al. | Self-Aligned Selective Area Front Contacts on Poly-Si/SiO x Passivating Contact c-Si Solar Cells | |
| CN102270694B (zh) | 柔性衬底硅基薄膜太阳能电池集成内联组件的制备方法 | |
| US20090308429A1 (en) | Thin-film solar module | |
| CN103367514B (zh) | 一种弧形底电极薄膜太阳电池 | |
| CN104701397B (zh) | 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺 | |
| CN106409946B (zh) | 晶硅电池片及其制备方法 | |
| WO2011103332A3 (en) | Methods of forming photovoltaic modules | |
| JP5375414B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| Kunz et al. | Advances in evaporated solid-phase-crystallized poly-Si thin-film solar cells on glass (EVA) | |
| CN102157596A (zh) | 一种势垒型硅基薄膜半叠层太阳电池 | |
| CN105742375A (zh) | 一种背接触晶硅电池及其制备方法 | |
| CN203839387U (zh) | N型晶体硅双面电池 | |
| Chen et al. | High efficiency screen-printed 156cm 2 solar cells on thin epitaxially grown silicon material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |